TWI758588B - 金屬粒子凝聚物及其之製造方法以及膏狀金屬粒子凝聚物組成物及使用此之接合體之製造方法 - Google Patents

金屬粒子凝聚物及其之製造方法以及膏狀金屬粒子凝聚物組成物及使用此之接合體之製造方法 Download PDF

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Abstract

金屬粒子凝聚物係包含金屬粒子與有機物。金屬粒子係相對於全部金屬100質量%，含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20~30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80~70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子。又，被覆第1~第3粒子之各粒子之表面的保護膜為相同。

Description

金屬粒子凝聚物及其之製造方法以及膏狀金屬粒子凝聚物組成物及使用此之接合體之製造方法
本發明係關於金屬粒子凝聚物、與製造此金屬粒子凝聚物之方法、與包含上述金屬粒子凝聚物之膏狀金屬粒子凝聚物組成物、與使用此膏狀金屬粒子凝聚物組成物，製造複合物之方法。尚，本國際申請係根據2018年3月6日所申請之日本國專利申請第39518號(日本特願2018-39518)而主張優先權者，將日本特願2018-39518之全內容援用在本國際申請案。
在電子零件之組裝或實裝等，接合2個以上之零件時，一般使用接合材料。作為這般之接合材料，已知有將具有銀、金等之高熱傳導性之金屬粒子分散在揮發性溶劑之膏狀的接合材料。使用接合材料接合零件時，於一個零件的表面塗佈接合材料，於塗佈面接觸另一個零件，並以此狀態進行加熱處理。可藉由由此加熱處理使金屬粒子燒結，生成接合層，接合零件。
作為接合材料，揭示有使用粒徑為亞微米尺寸之金屬粒子者(例如參照專利文獻1及2)，或使用凝聚粒 徑為奈米尺寸之金屬粒子的凝聚物者(例如參照專利文獻3及4)等。專利文獻1中，記載有使用平均粒徑為0.1~6μm之球狀銀粒子的接合材料。又，專利文獻2中，記載有使用平均粒徑為0.1~18μm之非球狀銀粒子的接合材料。又，專利文獻3中，記載有具有表面已有機物被覆之平均粒徑為1nm以上100nm以下之金屬粒子、與凝聚此金屬粒子所形成之粒徑10nm以上100μm以下之凝聚物的接合材料。進而，專利文獻4中，記載有包含數平均粒徑為50nm以下且粒徑100~200nm之金屬奈米粒子、與凝聚輔助劑、與高分子分散劑之接合材料。
惟，使用上述以往之專利文獻1及2所示之亞微米尺寸之金屬粒子的接合材料，與使用凝聚上述以往之專利文獻3及4所示之奈米尺寸之金屬粒子的凝聚物的接合材料比較時，有接合強度較低的傾向。此理由被認為是因為亞微米尺寸之金屬粒子與奈米尺寸之金屬粒子進行比較，由於金屬粒子彼此之間隙增大，燒成使用亞微米尺寸之金屬粒子的接合材料所形成之接合層中，易發生微細之孔隙(空隙)。作為抑制此孔隙發生之方法，雖有接合時加壓接合對象之電子零件等構件之方法，但此情況下加壓設備變成必要。
另一方面，使用專利文獻3及4所示之奈米尺寸之金屬粒子的接合材料，有隨著時間的經過，而降低接合強度等長期信賴性劣化的情況。此理由被認為是因為於使用奈米尺寸之金屬粒子的接合材料，雖於奈米尺寸之金屬粒子表面包含用以抑制凝聚之保護劑(有機物)為一般，但藉由此保護劑殘留於接合層，隨著時間的經過而分解，於接合層發生孔隙，而降低接合強度。
為了消除此等之問題點，揭示有使用平均粒徑不同之2種以上之金屬粒子的金屬接合用組成物(例如參照專利文獻5)。此專利文獻5所示之金屬接合用組成物，含有平均粒徑不同之2種以上之金屬粒子、與有機成分、與分散劑，並將平均粒徑最小之金屬粒子S的平均粒徑DS 與平均粒徑最大之金屬粒子L的平均粒徑DL 之粒徑比(DS /DL )成為1×10-4 ～0.5，最適化金屬粒子之平均粒徑比的組合。於如此所構成之金屬接合用組成物，可得到藉由比較低溫且於無加壓之接合，得到高接合強度，並且亦具備難以產生因在使用溫度上昇時之樹脂成分的分解、劣化等導致接合強度的降低之耐熱性的金屬接合用組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2006/126614號(請求項1) [專利文獻2]國際公開第2007/034833號(請求項1) [專利文獻3]日本特開2008-161907號公報(請求項1及7) [專利文獻4]日本特開2011-94223號公報(請求項1及3) [專利文獻5]國際公開第2014/185073號(請求項1、段落[0012]、[0018])
[發明欲解決之課題]
於上述以往之專利文獻5所示之金屬接合用組成物，為了以比較低之燒成溫度於基材上使接合層成膜，雖使用奈米粒子與亞微米粒子之混合粉末，但各粒子多數係於個別的反應場製作。其中，小粒徑之奈米粒子一般而言，由於易從表面能量的高度凝聚粉末彼此，有必要確保分散性，將粉末彼此之凝聚抑制作為目的，已形成強固之表面保護膜，提高藉由熱分解之保護膜的脫離溫度。作為結果，相較具有低溫燒結特性之粒徑的效果，因表面保護膜之熱分解導致之脫離成為限速因子，即使混合奈米粒徑與亞微米粒徑之金屬粒子，亦有無法達成充分之低溫燒結的問題點。
本發明之目的係提供一種可將接合電子零件等構件之接合層以比較低溫燒結，並且可提昇藉由此接合層之電子零件等構件的接合強度之金屬粒子凝聚物及其之製造方法以及膏狀金屬粒子凝聚物組成物及使用其之接合體之製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明之第1觀點，係一種金屬粒子凝聚物，其特徵為包含金屬粒子、與有機物，該金屬粒子係相對於全部金屬100質量%，含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20～30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80～70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子，被覆第1～第3粒子之各粒子之表面的保護膜為相同。
本發明之第2觀點係根據第1之觀點的發明，其特徵為進一步以55～65個數%的比例包含第2粒子，以25～5個數%的比例包含第3粒子。
本發明之第3觀點，係一種金屬粒子凝聚物之製造方法，其特徵係包含：將包含銀或銅之任一方或雙方之金屬的金屬鹽水溶液與羧酸鹽水溶液對水中滴下，來調製羧酸金屬漿料之步驟、與藉由對羧酸金屬漿料滴下有機還原劑之水溶液後，以超過15℃/小時且為40℃/小時以下之昇溫速度，昇溫至65℃以上85℃以下的範圍內之指定溫度，並於此溫度進行保持2小時以上3小時以下之還原熱處理，生成金屬粒子並進行凝聚，而得到金屬粒子凝聚物之步驟，與乾燥此金屬粒子凝聚物之步驟；其中金屬粒子凝聚物中之金屬粒子，相對於全部金屬100質量%含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20～30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80～70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子。
本發明之第4觀點其係根據第3觀點之發明，其特徵為進一步包含以55～65個數%的比例包含第2粒子，以25～5個數%的比例包含第3粒子。
本發明之第5觀點係一種膏狀金屬粒子凝聚物組成物，其係包含如第1或第2觀點所記載之金屬粒子凝聚物、與揮發性溶媒。
本發明之第6觀點，係一種接合體之製造方法，其特徵為第一構件與第二構件透過接合層接合之接合體之製造方法，其特徵為將接合層使用如第5觀點所記載之膏狀金屬粒子凝聚物組成物形成。 [發明效果]
於本發明之第1觀點之金屬粒子凝聚物，由於合計以80～70個數%的比例包含第2粒子及第3粒子，被覆第1～第3粒子之各粒子之表面的保護膜為相同，藉由使用此金屬粒子凝聚物之膏狀金屬粒子凝聚物組成物形成膏層，燒結此膏層製作接合層時，首先，第1～第3粒子之保護膜以比較低溫脫離，露出第1～第3粒子之金屬面，其次，藉由粒徑小之第2及第3粒子(奈米粒子)之金屬粉末表面優先變成活性，燒結此等之粒子，於此時間點，粒徑成為限速因子，無法進行燒結之粒徑大的第1粒子(亞微米粒子)，雖尚亦為比較低溫，但溫度上昇至某種程度為止時，燒結亦能進展。此結果，可將接合強度高之接合層以比較低溫燒結。亦即，可將接合電子零件等之構件的接合層以比較低溫燒結。
於本發明之第3觀點之金屬粒子凝聚物之製造方法，合計以80～70個數%的比例包含第2粒子及第3粒子，由於將被覆第1～第3粒子之各粒子之表面的保護膜以相同之反應場形成，與上述相同，藉由使用此金屬粒子凝聚物之膏狀金屬粒子凝聚物組成物，形成膏層，燒結此膏層製作接合層時，首先，第1～第3粒子之保護膜以比較低溫脫離，露出第1～第3粒子之金屬面，其次，藉由粒徑小之第2及第3粒子(奈米粒子)之金屬粉末表面優先變成活性，燒結此等之粒子，於此時間點，粒徑成為限速因子，無法進行燒結之粒徑大的第1粒子(亞微米粒子)，雖尚亦為比較低溫，但溫度上昇至某種程度為止時，燒結亦能進展。此結果，與上述相同，可將接合強度高之接合層以比較低溫燒結。亦即，可將接合電子零件等之構件的接合層以比較低溫燒結。
其次，將用以實施本發明的形態根據圖面進行說明。
＜金屬粒子凝聚物＞ 金屬粒子凝聚物係包含金屬粒子與有機物。上述金屬粒子(一次粒子)係相對於全部金屬100質量%，含有70質量%以上，較佳為90質量%以上，更佳為99質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬。於此，將金屬粒子之含有比例限定在上述範圍，係因為金屬粒子純度高者，可以比較低之溫度進行燒結形成接合體。
又，金屬粒子係以20～30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80～70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子。於此，將第1粒子之含有比例與第2粒子及第3粒子之合計的含有比例分別限定在上述範圍，係因為構成大部分之第2及第3粒子(奈米粒子)，決定低溫燒結性與大約之流變，又，少量之第1粒子(亞微米粒子)約略降低黏度及觸變性，因為若為上述範圍內，可得到良好之膏黏度及低溫燒結性。尚，金屬粒子凝聚物中完全未包含粒徑為500nm以上之粒子，或是即使包含的情況下亦未滿1個數%。
第1～第4粒子之粒徑，係例如使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，測定金屬粒子之投影面積，從所得之投影面積所算出之等效圓直徑(具有與金屬粒子之投影面積相同面積之圓的直徑)。又，第1～第4粒子之粒度分布可用以下的方式進行而求出。首先，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，指定數(例如500個)取得金屬粒子凝聚物之圖像，測定各金屬粒子凝聚物所包含之金屬粒子之粒徑，從指定數之金屬粒子凝聚物之SEM圖像，萃取可視別金屬粒子(一次粒子)之全體輪廓的金屬粒子。其次，使用圖像處理軟體(Image-J)，測定經萃取之金屬粒子之投影面積，從所得之投影面積算出等效圓直徑，將此定為金屬粒子之粒徑。進而，將此等之金屬粒子分類成100nm以上且未滿500nm之第1粒子、與50nm以上且未滿100nm之第2粒子、與未滿50nm之第3粒子、與500nm以上之第4粒子，算出以第1～第4粒子之個數基準之含有比例。另一方面，金屬粒子凝聚物之粒度分布可用以下的方式進行而求出。首先，將金屬粒子凝聚物投入水中，照射指定頻率之超音波，使金屬粒子凝聚物分散在水。其次，將所得之金屬粒子凝聚物分散液於雷射繞射散射式粒度分布測定裝置(堀場製作所製：LA-960)之觀察單元(Cell)適量滴下，依照此裝置之步驟測定粒度分布。尚，藉由此雷射繞射散射法所測定之粒度分布，係將金屬粒子(一次粒子)之凝聚物作為1個粒子操作之金屬粒子凝聚物(二次粒子)之粒度分布。
上述被覆第1～第3粒子之各粒子之表面的保護膜為相同。具體而言，藉由將第1～第3粒子如後述以相同之反應場製作，使得第1～第3粒子之保護膜變相同，熱分解溫度無差異。又，與粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子的含有比例較佳為55～65個數%，粒徑未滿50nm之第3粒子之含有比例較佳為25～5個數%。於此，將第2粒子與第3粒子之含有比例分別限定在上述範圍，係因為構成大部分之第2及第3粒子(奈米粒子)，決定低溫燒結性與大約之流變，又，少量之第1粒子(亞微米粒子)約略降低黏度及觸變性，因為若為上述範圍內，可得到良好之膏黏度及低溫燒結性。
另一方面，金屬粒子凝聚物所包含之有機物，較佳為以150℃左右之比較低溫分解或是揮發之有機還原劑或是其分解物。作為有機還原劑之例，可列舉抗壞血酸、甲酸、酒石酸等。作為有機物，藉由包含有機還原劑或是其分解物，有於金屬粒子凝聚物之保存時可抑制金屬粒子之表面的氧化，並且可抑制金屬原子的擴散的效果。又，上述有機物係將金屬粒子凝聚物印刷在接合對象構件之被接合面並加熱時，可輕易分解或是揮發，而露出金屬粒子之高活性的表面，藉此，有容易進行金屬粒子彼此之燒結反應的效果。進而，藉由上述有機物之加熱所產生之分解物或是揮發物，係具有使接合對象構件之被接合面的氧化膜還原之還原能力。尚，為了得到藉由有機物之上述效果，有機物的含有比例相對於金屬粒子100質量%，較佳為0.05質量%以上。惟，金屬粒子凝聚物所包含之有機物殘留在接合層內時，隨著時間的經過而分解，由於有於接合層產生孔隙之虞，故將有機物的含有比例相對於金屬粒子100質量%限制在2質量%以下的量。
金屬粒子凝聚物係上述金屬粒子(一次粒子)之凝聚物，在藉由雷射繞射散射法所測定之個數基準的粒度分布曲線，較佳為D10為0.05μm以上0.25μm以下，D50為0.4μm以上0.6μm以下，D90為1.5μm以上2.5μm以下。金屬粒子凝聚物藉由具有如上述般比較寬闊之粒度分布，可形成金屬粒子凝聚物彼此之間隙較少之緻密之金屬粒子凝聚物層，並且可形成孔隙少之接合層。又，金屬粒子凝聚物之比表面積較佳為2～8m2 /g的範圍內。藉由將金屬粒子凝聚物之比表面積定為上述的範圍內，由於金屬粒子之反應面積增大，提高藉由加熱之反應性，變成可將金屬粒子凝聚物以比較低之溫度燒結。
＜金屬粒子凝聚物之製造方法＞ 針對如此構成之金屬粒子凝聚物之製造方法進行說明。首先，將包含銀或銅之任一方或雙方之金屬之金屬鹽水溶液與羧酸鹽水溶液滴下於水中，調製羧酸金屬之漿料。具體而言，如圖1所示，係將金屬鹽水溶液1與羧酸鹽水溶液2同時滴下於水3中，調製羧酸金屬漿料4。作為上述金屬鹽水溶液1中之金屬鹽，可列舉硝酸銀、氯酸銀、磷酸銀、硝酸銅、過氯酸銅等。又，作為羧酸鹽水溶液2中之羧酸，可列舉草酸、檸檬酸、馬來酸等。進而作為水3，可列舉離子交換水、蒸餾水等，由於未包含有對後述之還原熱處理(合成)給予不良影響之虞的離子，或與蒸餾水相比較製造成本低，故特佳為使用離子交換水。
其次，對上述羧酸金屬漿料滴下有機還原劑之水溶液後，進行還原熱處理，而得到金屬粒子凝聚物。具體而言，如圖2所示，對羧酸金屬漿料4滴下有機還原劑之水溶液5後，進行還原熱處理，而得到金屬粒子凝聚物。作為還原劑水溶液5中之還原劑，可列舉抗壞血酸、甲酸、酒石酸及此等之鹽。進而，上述還原熱處理係於水中，以超過15℃/小時且為40℃/小時以下之昇溫速度，昇溫至65℃以上85℃以下的範圍內之指定溫度(最高溫度)，並於此最高溫度進行保持2小時以上3小時以下之熱處理。而且，於最高溫度保持指定時間後，降溫至30℃以下。於此，將昇溫速度限定在超過15℃且為40℃/小時以下之範圍內的指定溫度，係因為15℃/小時以下時，第2及第3粒子之奈米凝聚物中之各個金屬粒子的粒徑變成不規則，有難以成為所期望之粒徑分布的問題，超過40℃/小時時，有於指定之保持時間還原無法結束的問題。又，將最高溫度限定在65℃以上85℃以下之範圍內之指定溫度，係因為未滿65℃時，有於指定時間還原無法結束的問題，超過85℃時，有金屬粒子粗大化的問題。又，將於最高溫度之保持時間限定在2小時以上3小時以下之範圍內，係因為未滿2小時時，有還原無法結束而殘存羧酸金屬的問題，超過3小時時，有金屬粒子粗大化的問題。
尚，由於期望第2及第3粒子之奈米凝聚物有一定之尺寸，於上述熱還原處理時，較佳為藉由攪拌羧酸金屬漿料及還原劑水溶液之混合液，使奈米凝聚物某程度分散。又，藉由上述還原熱處理(濕式還原法)，相對於金屬粒子凝聚物之漿料的全溶液，得到1質量%～20質量%之金屬粒子。若為此範圍內，得到最終接合強度高且具有長期信賴性之接合層。於此，金屬粒子超過20質量%時，有金屬粒子粗大化的傾向，而得不到指定粒徑之金屬粒子。
藉由上述還原熱處理，於羧酸金屬漿料中之金屬鹽之前驅體的表面生成金屬粒子之核並凝聚，得到奈米粒子(粒徑50nm以上且未滿100nm之第2粒子及粒徑未滿50nm之第3粒子)之凝聚物，藉由此奈米粒子之凝聚物的一部分進行粒成長，而得到亞微米粒子(粒徑100nm以上且未滿500nm之第1粒子)，而得到包含上述奈米粒子(第2粒子及第3粒子)與上述亞微米粒子(第3粒子)之金屬粒子凝聚物的漿料。於上述金屬粒子之核的成長、凝聚及粒成長的過程，羧酸金屬漿料中之羧酸的一部分成為被覆金屬粒子的表面之保護膜。而且，藉由固液分離金屬粒子凝聚物之漿料，回收固形物(金屬粒子凝聚物)，並藉由對於此固形物(金屬粒子凝聚物)進行水洗等後進行乾燥，而得到金屬粒子凝聚物。此金屬粒子凝聚物係相對於全部金屬100質量%，含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20～30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80～70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子。
作為上述進行固液分離之方法，可列舉離心分離、過濾、傾析等之方法。又，作為上述固形物(金屬粒子凝聚物)之乾燥方法，可列舉凍結乾燥法、減壓乾燥法、加熱乾燥法等。凍結乾燥法係將金屬粒子凝聚物之漿料放入密閉容器進行凍結，將密閉容器內以真空泵進行減壓，降低被乾燥物的沸點，以較低之溫度使被乾燥物之水分昇華來進行乾燥之方法。減壓乾燥法係進行減壓使被乾燥物乾燥之方法，加熱乾燥法係進行加熱使被乾燥物乾燥之方法。
＜膏狀金屬粒子凝聚物組成物＞ 針對包含上述金屬粒子凝聚物、與揮發性溶媒之膏狀金屬粒子凝聚物組成物進行說明。作為揮發性溶媒之例，可列舉醇系溶媒、甘醇系溶媒、乙酸酯系溶媒、烴系溶媒及胺系溶媒。作為醇系溶媒之具體例，可列舉α-松油醇、異丙基醇。作為甘醇系溶媒之具體例，可列舉乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇。作為乙酸酯系溶媒之具體例，可列舉乙酸丁酯丁基碳酸酯。作為烴系溶媒之具體例，可列舉癸烷、十二烷、十四烷。作為胺系溶媒之具體例，可列舉己基胺、辛基胺、十二烷基胺。
膏狀金屬粒子凝聚物組成物之金屬粒子凝聚物的含量，相對於膏狀金屬粒子凝聚物組成物之全體量，較佳為50質量%以上，特佳為70質量%以上95質量%以下之範圍。金屬粒子凝聚物的含量為上述的範圍時，膏狀金屬粒子凝聚物組成物的黏度不會過低，安定構件的表面，可塗佈膏狀金屬粒子凝聚物組成物。又，藉由燒成膏狀金屬粒子凝聚物組成物，可得到密度高，且孔隙之發生量少之燒結體(接合層)。又，膏狀金屬粒子凝聚物組成物可進一步包含抗氧化劑、黏度調整劑等之添加劑。此等之添加劑的含量相對於膏狀金屬粒子凝聚物組成物100質量%，較佳為1質量%以上5質量%以下之範圍。進而，膏狀金屬粒子凝聚物組成物，例如可藉由將混合揮發性溶媒與金屬粒子凝聚物所得之混合物，使用捏合裝置進行捏合來製造。作為捏合裝置，可列舉三輥軋機。
＜使用膏狀金屬粒子凝聚物組成物之接合體＞ 將使用如此構成之膏狀金屬粒子凝聚物組成物之接合體跟據圖3進行說明。如圖3所示，接合體11係具備基板12(第一構件)、與被接合物16(第二構件)、與介在基板12及被接合物16間，使用膏狀金屬粒子凝聚物組成物所形成之接合層14。具體而言，接合體11係於基板12與接合層14之間介在第1金屬層13，於被接合物16與接合層14之間介在第2金屬層15。作為基板12，例如可列舉接合鋁板、鋁板之絕緣基板、電路基板等，作為第1金屬層13，可列舉選自由金、銀、銅等所構成之群組中之1種或2種以上的金屬。又，作為第2金屬層15，可使用與使用在第1金屬層13之材料相同者，作為被接合物16，可列舉矽(Si)、碳化矽(SiC)、半導體晶片、LED元件等之電子零件。尚，接合層14係與第1金屬層13接觸而形成界面17，接合層14係與第2金屬層15接觸而形成界面18。又，作為接合層14之厚度，若為可接合基板12與被接合物16的厚度，雖並未特別限定，但例如可為1～100μm。
＜接合體之製造方法＞ 將如此構成之接合體11之製造方法根據圖3進行說明。首先，藉由於基板12之表面藉由周知之方法層合金屬，來層合第1金屬層13。同樣進行，於被接合物16的表面層合第2金屬層15。作為層合金屬在基板12及被接合物16的表面之方法，雖並未特別限定，但例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、鍍敷法、印刷法等。其次，於第1金屬層13之表面藉由周知之方法，塗佈上述之膏狀金屬粒子凝聚物組成物而形成膏層。作為塗佈膏狀金屬粒子凝聚物組成物在第1金屬層13的表面之方法，雖並未特別限定，但例如可列舉旋塗法、金屬遮罩法、絲網印刷法等。進而，藉由塗佈在第1金屬層13之表面的膏層之上，以第2金屬層15成為對向的方式載放被接合物16後進行加熱處理，膏層成為接合層14，透過此接合層14，接合第1金屬層13及第2金屬層15，製造接合體11。
於此，作為上述加熱處理之加熱溫度，例如較佳為120℃以上，更佳為120℃以上400℃以下之範圍。藉由加熱溫度為上述的範圍，可提高接合層14之接合強度與長期信賴性。又，加熱處理時可將基板12或被接合物16之任一方以10MPa以下之壓力進行加壓。藉由進行加壓，使得接合層14變緻密，可提高接合強度與長期信賴性。作為加熱處理之加熱時間，例如較佳為30分鐘以上。藉由將加熱時間定為30分鐘以上，可提高接合層14之接合強度與長期信賴性。
於如此製造之接合體11，由於接合層14係使用上述之膏狀金屬粒子凝聚物組成物形成，提昇接合層14之接合強度與長期信賴性。具體而言，藉由將膏狀金屬粒子凝聚物組成物中之金屬粒子之第1～第3粒子以相同之反應場製作，由於上述第1～第3粒子以相同之保護膜被覆，首先，第1～第3粒子之保護膜係以100℃～130℃之比較低溫脫離，露出第1～第3粒子之金屬面，其次，藉由粒徑小之第2及第3粒子(奈米粒子)之金屬粉末表面優先變成活性，燒結此等之粒子，於此時間點，粒徑成為限速因子，無法進行燒結之粒徑大的第1粒子(亞微米粒子)，溫度上昇至150℃～200℃時，燒結進行。此結果，可將接合強度高且具有長期信賴性之接合層14以150℃左右之比較低溫燒結。尚，作為接合層14之接合強度(剪切強度)，具體而言，較佳為20MPa以上，更佳為25MPa以上。尚，接合強度之測定，例如可使用市售之黏接測試儀(例如RHESCA公司製等)進行。 [實施例]
以下，將本發明之實施例與比較例一起進行詳細說明。
＜實施例1＞ 首先，如圖1所示，對保持在30℃之1200g的離子交換水(水)3，耗費60分鐘同時滴下保持在30℃之900g的硝酸銀水溶液(金屬鹽水溶液)1、與保持在30℃之600g的檸檬酸三銨水溶液(羧酸鹽水溶液)2，調製檸檬酸銀漿料(羧酸金屬漿料)4。尚，對離子交換水3中滴下硝酸銀水溶液1與檸檬酸三銨水溶液2時，並持續攪拌離子交換水3。又，硝酸銀水溶液中1之硝酸銀的濃度為66質量%，檸檬酸三銨水溶液2中之檸檬酸的濃度為56質量%。其次，如圖2所示，對上述檸檬酸銀漿料4滴下300g之甲酸銨水溶液(有機還原劑之水溶液)5，而得到混合漿料。此甲酸銨水溶液5中之甲酸的濃度為58質量%。其次，對上述混合漿料進行指定之還原熱處理。具體而言，將上述混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持2小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理。藉此得到金屬粒子凝聚物。將上述金屬粒子凝聚物放入離心分離機，以3000rpm之旋轉速度旋轉10分鐘。藉此去除金屬粒子凝聚物中之液層，而得到經脫水及脫鹽之金屬粒子凝聚物。將此經脫水及脫鹽之金屬粒子凝聚物藉由凍結乾燥法乾燥30小時，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例1。此實施例1之金屬粉末如圖4所示，係凝聚金屬粒子之凝聚物。
＜實施例2＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持2.2小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例2。
＜實施例3＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持2.5小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例3。
＜實施例4＞ 除了將混合漿料以昇溫速度15℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持2小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例4。
＜實施例5＞ 除了將混合漿料以昇溫速度40℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持2小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例5。
＜實施例6＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度65℃，並於65℃(最高溫度)保持3小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例6。
＜實施例7＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度85℃，並於85℃(最高溫度)保持2小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為實施例7。
＜比較例1＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持1.5小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為比較例1。此比較例1之金屬粉末如圖5所示，係凝聚金屬粒子之凝聚物。
＜比較例2＞ 除了將混合漿料以昇溫速度20℃/小時昇溫至最高溫度70℃，並於70℃(最高溫度)保持20小時後，進行溫度下降至30℃之還原熱處理之外，其他與實施例1同樣進行，而得到由金屬粒子凝聚物所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為比較例2。此比較例1之金屬粉末如圖6所示，係凝聚金屬粒子之凝聚物。
＜比較例3＞ 熱分解包含烷基胺及金屬化合物之混合物，得到由單分散金屬粒子(奈米粒子)所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為比較例3。尚，被覆此金屬粉末之各金屬粒子的保護膜，係用以單分散金屬粒子之強固者。又，此比較例3之金屬粉末如圖7所示，係單分散奈米粒子之金屬粒子。
＜比較例4＞ 透過金屬胺錯合物，以肼還原之濕式還原法，得到由單分散金屬粒子(亞微米粒子)所構成之金屬粉末。將此金屬粉末作為比較例4。尚，被覆此金屬粉末之各金屬粒子的保護膜係將金屬粒子用以單分散之強固者。又，此比較例4之金屬粉末如圖8所示，係單分散亞微米粒子之金屬粒子。
＜比較試驗1＞ 在實施例1～7及比較例1～4之金屬粉末，求出金屬粒子之粒度分布與金屬凝聚物之粒度分布，並且測定金屬粒子表面之保護膜的脫離溫度。將此等之結果示於表1。
尚，金屬粒子之粒度分布係如以下的方式進行求出。首先，使用SEM(掃描型電子顯微鏡)，取得金屬粒子凝聚物500個圖像，測定各金屬粒子凝聚物所包含之金屬粒子之粒徑。此時，SEM之裝置倍率定為100000倍。從500個金屬粒子凝聚物之SEM圖像，萃取可視別金屬粒子(一次粒子)之全體輪廓的金屬粒子。其次，使用圖像處理軟體(Image-J)，測定經萃取之金屬粒子之投影面積，從所得之投影面積算出等效圓直徑，將此定為金屬粒子之粒徑。針對有無法視別輪廓位置的金屬粒子，未測定等效圓直徑。進而，將此等之金屬粒子分類成100nm以上且未滿500nm之第1粒子、與50nm以上且未滿100nm之第2粒子、與未滿50nm之第3粒子、與500nm以上之第4粒子，算出於第1～第4粒子之個數基準的含有比例。
又，金屬粒子凝聚物的粒度分布係如以下的方式進行求出。首先，將金屬粒子凝聚物0.1g投入離子交換水20g中，照射25kHz之超音波5分鐘，分散金屬粒子凝聚物於離子交換水。其次，將所得之金屬粒子凝聚物分散液，對雷射繞射散射式粒度分布測定裝置(堀場製作所製：LA-960)之觀察單元(Cell)適量滴下，依據此裝置之步驟測定粒度分布。尚，藉由此雷射繞射散射法所測定之粒度分布，係將金屬粒子(一次粒子)之凝聚物作為1個粒子操作之金屬粒子凝聚物(二次粒子)之粒度分布。
進而，將金屬粒子表面之保護膜的脫離溫度使用熱重量･示差熱同時測定裝置(TG-DTA)測定。具體而言，係以熱重量･示差熱同時測定裝置之示差熱分析(DTA)測定發熱峰值，同時以熱重量測定(TG)測定重量減少，從兩側定值算出重量減少開始溫度，將此溫度作為脫離溫度。
其次，使用實施例1～7及比較例1～4之金屬粉末，調製膏狀組成物(膏狀金屬粒子凝聚物組成物或膏狀金屬粒子組成物)。具體而言，藉由將金屬粉末與乙二醇以質量比以70：30的比例混合，將所得之混合物使用三輥軋機進行捏合，調製實施例1～7及比較例1～4之膏狀組成物。
＜比較試驗2＞ 測定實施例1～7及比較例1～4之膏狀組成物的黏度。將其結果示於表1。尚，膏狀組成物的黏度係藉由流變儀(TA儀器製：DHR-3)，測定3次將測定溫度定為25℃，將剪斷速度定為10(1/s)所得之黏度值(Pa･s)，使用其平均值。
其次，使用實施例1～7及比較例1～4之膏狀組成物，分別製作接合體。具體而言，如圖3所示，首先，作為第一構件，準備於最表面實施鍍金(第一金屬層)13之20mm平方之Cu製的基板12(厚度：1mm)，作為第二構件，準備於最表面實施鍍金(第二金屬層)15之由2.5mm平方的Si晶圓(厚度：200μm)所構成之被接合物16。其次，於實施基板12之鍍金13的表面，將膏狀組成物藉由金屬遮罩法進行塗佈而形成膏層。進而，於膏層之上將被接合物16以鍍金15接觸膏層的方式載放，分別製作以150℃的溫度加熱60分鐘，基板12與被接合物16透過接合層14接合之接合體11、與以250℃的溫度加熱60分鐘，基板12與被接合物16透過接合層14接合之接合體11。將此等之接合體作為實施例1～7及比較例1～4之接合體。
＜比較試驗3＞ 測定於實施例1～7及比較例1～4之接合體所得之接合體11的接合強度(剪切強度)。將此結果示於表1。尚，接合體11之接合強度(剪切強度)係使用剪斷強度評估試驗機(RHESCA公司製黏接測試儀(Model：PTR-1101))如以下般測定。首先，將接合體11之基板(第一構件)12固定成水平。其次，從接合層14之表面之50μm上方的位置，使用剪切工具，將被接合物(第二構件)16從橫向壓向水平方向。而且，測定被接合物(第二構件)16斷裂時的強度。剪切工具之移動速度定為0.1mm/sec。附上一條件進行3次強度試驗，將該等之算術平均值作為測定值。將此結果示於表1。
Figure 02_image001
＜評估＞ 由表1即可清楚明白，於使用粒徑為50nm以下且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子之合計為97個數%過多之比較例1之金屬粉末的接合體，保護膜之脫離溫度為104℃為比較低溫，150℃燒成時及250℃燒成時之剪切強度為28MPa及39Mpa雖皆為良好，但膏狀組成物的黏度為48Pa･s變過高，而降低印刷性。又，於使用粒徑為50nm以下且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子之合計為10個數%為過少之比較例2之金屬粉末的接合體，膏狀組成物的黏度降低至14Pa･s，雖印刷性變良好，但150℃燒成時之剪切強度為4Mpa係極為低，250℃燒成時之剪切強度提昇至17MPa，如果不將燒成溫度提昇至250℃則燒結性無法表現。又，於使用由以用以單分散之強固的保護膜被覆之奈米粒子所構成之比較例3之金屬粉末的接合體，膏狀組成物的黏度為65Pa･s變過高，降低印刷性，150℃燒成時之剪切強度為0MPa時，無法表現藉由奈米粒子之微小粒徑之低溫燒結性，藉由將燒成溫度提昇至250℃附近，剪切強度提高至50MPa。進而，於使用由以用以單分散之強固的保護膜被覆之亞微米粒子所構成之比較例4之金屬粉末的接合體，膏狀組成物的黏度降低至8Pa･s，雖印刷性變良好，但150℃燒成時及250℃燒成時之剪切強度為0MPa及5MPa皆極為低，無法表現低溫燒結性。
對於此等，於使用粒徑為50nm以下且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子之合計為72～80個數%，在適當範圍(70～80個數%)內之實施例1～7之金屬粉末的接合體，保護膜之脫離溫度為107～110℃時，為比較低溫，膏狀組成物的黏度低至22～35Pa･s印刷性良好，進而150℃燒成時及250℃燒成時之剪切強度為22～28MPa及40～45Mpa皆為良好。 [產業上之可利用性]
本發明之金屬粒子凝聚物可利用在電路基板與半導體晶片的接合，或於無加壓之電路基板與LED元件的接合等。
11‧‧‧接合體 12‧‧‧基板(第一構件) 13‧‧‧第1金屬層 14‧‧‧接合層 15‧‧‧第2金屬層 16‧‧‧被接合物(第二構件) 17、18‧‧‧界面
[圖1]係表示於本發明實施形態(實施例)之水(離子交換水)中，同時滴下金屬鹽水溶液與羧酸鹽水溶液，調製羧酸金屬漿料的狀態之概念圖。 [圖2]係表示於本發明實施形態(實施例)之羧酸金屬漿料滴下有機還原劑之水溶液的狀態之概念圖。 [圖3]係表示使用本發明實施形態之膏狀金屬粒子所製造之接合體的一例之剖面構成圖。 [圖4]係表示實施例1之金屬粒子凝聚物之掃描型電子顯微鏡(SEM)相片圖。 [圖5]係表示比較例1之金屬粒子凝聚物之掃描型電子顯微鏡(SEM)相片圖。 [圖6]係表示比較例2之金屬粒子凝聚物之掃描型電子顯微鏡(SEM)相片圖。 [圖7]係表示比較例3之單分散之金屬粒子之掃描型電子顯微鏡(SEM)相片圖。 [圖8]係表示比較例4之單分散之金屬粒子之掃描型電子顯微鏡(SEM)相片圖。
1:硝酸銀水溶液
2:檸檬酸三銨水溶液
3:離子交換水
4:檸檬酸銀漿料

Claims (5)

  1. 一種金屬粒子凝聚物，其特徵為包含金屬粒子與有機物，該金屬粒子係相對於全部金屬100質量%，含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20~30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80~70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子，其中以55~65個數%的比例包含前述第2粒子，以25~5個數%的比例包含前述第3粒子，且被覆前述第1~第3粒子之各粒子之表面的保護膜為相同。
  2. 一種金屬粒子凝聚物之製造方法，其特徵為包含：將包含銀或銅之任一方或雙方之金屬的金屬鹽水溶液與羧酸鹽水溶液對水中滴下，來調製羧酸金屬漿料之步驟、與藉由對前述羧酸金屬漿料滴下有機還原劑之水溶液後，以超過15℃/小時且為40℃/小時以下之昇溫速度，昇溫至65℃以上85℃以下的範圍內之指定溫度，並於此溫度進行保持2小時以上3小時以下之還原熱處理，生成金屬粒子並進行凝聚，而得到金屬粒子凝聚物之步驟，與乾燥前述金屬粒子凝聚物之步驟；其中，前述金屬粒子凝聚物中之金屬粒子，相對於全 部金屬100質量%含有70質量%以上之銀或銅之任一方或雙方之金屬，且以20~30個數%的比例包含粒徑為100nm以上且未滿500nm之第1粒子，合計以80~70個數%的比例包含粒徑為50nm以上且未滿100nm之第2粒子與粒徑未滿50nm之第3粒子。
  3. 如請求項2之金屬粒子凝聚物之製造方法，其係以55~65個數%的比例包含前述第2粒子，以25~5個數%的比例包含前述第3粒子。
  4. 一種膏狀金屬粒子凝聚物組成物，其係包含如請求項1之金屬粒子凝聚物、與揮發性溶媒。
  5. 一種接合體之製造方法，其係第一構件與第二構件透過接合層接合之接合體之製造方法，其特徵為將前述接合層使用如請求項4之膏狀金屬粒子凝聚物組成物形成。
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