WO2020004342A1 - 銀ペースト及び接合体の製造方法 - Google Patents

銀ペースト及び接合体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020004342A1
WO2020004342A1 PCT/JP2019/024989 JP2019024989W WO2020004342A1 WO 2020004342 A1 WO2020004342 A1 WO 2020004342A1 JP 2019024989 W JP2019024989 W JP 2019024989W WO 2020004342 A1 WO2020004342 A1 WO 2020004342A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silver
particles
silver paste
particle size
mass
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/024989
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
達也 沼
琢磨 片瀬
司 八十嶋
佳則 澤田
弘太郎 増山
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019114214A external-priority patent/JP6737381B1/ja
Application filed by 三菱マテリアル株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Priority to CN201980016581.9A priority Critical patent/CN111801183B/zh
Priority to EP19824871.8A priority patent/EP3812063A4/en
Publication of WO2020004342A1 publication Critical patent/WO2020004342A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B22F1/0545—Dispersions or suspensions of nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025—Pastes, creams, slurries
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3006—Ag as the principal constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0466—Alloys based on noble metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • B22F2007/042—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal characterised by the layer forming method
    • B22F2007/047—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal characterised by the layer forming method non-pressurised baking of the paste or slurry containing metal powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29391—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83193—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399—Material
    • H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Definitions

  • the present invention provides a bonding layer for bonding a circuit board and a high-power LED element, a silver paste used as a raw material for forming a bonding layer for bonding a circuit board and a power semiconductor chip, and a method using the silver paste.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a joined body joined by the produced joining layer.
  • the heat conductive composition disclosed in Patent Document 1 includes silver powder, silver fine particles, silver fatty acid, amine, and silver resinate.
  • the silver powder has an average particle size of 0.3 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the silver fine particles have an average primary particle diameter of 50 to 150 nm, a crystallite diameter of 20 to 50 nm, and a ratio of the average particle diameter to the crystallite diameter of 1 to 7.5.
  • a first object of the present invention is to provide a silver paste capable of producing a bonding layer with few voids.
  • a second object of the present invention is to provide a silver paste capable of improving the thermal cycling characteristics of a bonding layer manufactured using the silver paste.
  • a third object of the present invention is to provide a silver paste capable of adjusting the viscosity of the silver paste to facilitate operations such as coating.
  • a fourth object of the present invention is to provide a silver paste capable of improving the thermal conductivity of a bonding layer manufactured using the silver paste.
  • a fifth object of the present invention is to provide a method for manufacturing a joined body that can improve the heat conduction characteristics and the cooling / heating cycle characteristics of the joined body by improving the heat conduction characteristics and the cooling / heating cycle characteristics of the joining layer.
  • the silver paste according to the first aspect of the present invention includes silver powder, fatty acid silver, and an aliphatic amine, and the silver powder contains first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm in a volume of 55% by volume or more and 95% or less.
  • first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm in a volume of 55% by volume or more and 95% or less.
  • 5% by volume of third silver particles having a particle size of less than 50 nm It is characterized by being included in the following range.
  • the silver paste according to the second aspect of the present invention is an invention based on the first aspect, and further includes a resin.
  • the silver paste according to the third aspect of the present invention is an invention based on the first or second aspect, and further includes a solvent.
  • the silver paste according to the fourth aspect of the present invention is an invention based on any of the first to third aspects, wherein at least a part of the fatty acid silver and at least a part of the aliphatic amine react with each other. Including the complex formed.
  • a method for manufacturing a joined body according to a fifth aspect of the present invention includes a step of preparing a first member and a second member, and a step of preparing the first member and / or the second member on a surface of the first member and / or the second member.
  • Forming a silver paste layer by applying the silver paste according to any one of the four aspects, and laminating the first member and the second member via the silver paste layer to form a laminate. And heating the laminate to sinter the first silver particles, the second silver particles, and the third silver particles in the silver paste layer to form a bonding layer. Bonding the second member via the bonding layer to form a bonded body.
  • the method for producing a silver paste according to the sixth aspect of the present invention wherein the fatty acid silver, the aliphatic amine, and the solvent, when the total amount of the fatty acid silver, the aliphatic amine, and the solvent is 100% by mass, Obtaining a mixture by mixing fatty acid silver in a ratio of 0.1% to 40% by mass, the aliphatic amine in a ratio of 0.1% to 60% by mass, and the solvent in a ratio of 80% by mass or less; Heating the mixture to 30 ° C.
  • the silver powder includes first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm in a range of 55% by volume or more and 95% by volume or less, and second silver particles having a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm is 5% by volume or more. It is characterized in that silver powder is used which contains third silver particles having a particle size of less than 50 nm in a range of 5% by volume or less, in a range of not more than 50% by volume.
  • “A to B” indicates “A or more and B or less” unless inconsistent with other descriptions.
  • the silver powder contains first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm in a range of 55% by volume or more and 95% by volume or less, and a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm. Is contained in the range of 5% by volume or more and 40% by volume or less, and the third silver particles having a particle size of less than 50 nm is contained in the range of 5% by volume or less. Having. Thereby, during sintering, the gap between the first to third silver particles is small and dense, so that a bonding layer with few voids can be manufactured.
  • the thermal cycle characteristics of the bonding layer manufactured using the silver paste can be improved.
  • the silver paste of the third aspect of the present invention further contains a solvent, an excellent effect is obtained in that the viscosity of the silver paste can be adjusted to facilitate operations such as coating.
  • the silver paste according to the fourth aspect of the present invention includes a complex formed by reaction of at least a part of the fatty acid silver and at least a part of the aliphatic amine.
  • a first member and a second member are laminated with a silver paste layer coated with the silver paste interposed therebetween to produce a laminated body.
  • the first silver particles, the second silver particles, and the third silver particles in the silver paste layer are sintered to form a bonding layer, and the first member and the second member are bonded together. Since the joined body joined through the layers is produced, the voids in the joining layer are small, and the joined body manufactured by this method can be improved in heat conduction characteristics and thermal cycle characteristics.
  • the method for producing a silver paste according to the sixth aspect of the present invention it is possible to produce a silver paste capable of producing a bonding layer with few voids.
  • 17 is an FE-SEM (Field Emission-Scanning Electron Microscope) photograph of a bonding layer produced by using the silver paste of Example 15.
  • 30 is an FE-SEM photograph of a bonding layer produced using the silver paste of Example 16.
  • 17 is an FE-SEM photograph of a bonding layer produced using the silver paste of Example 17.
  • 9 is an FE-SEM photograph of a bonding layer made of a silver paste of Comparative Example 3.
  • a silver paste according to one embodiment of the present invention includes silver powder, silver fatty acid, and an aliphatic amine.
  • the silver powder includes first silver particles (first group silver particles), second silver particles (second group silver particles), and third silver particles (third group silver particles) having different particle sizes. These first to third silver particles are all aggregated together as primary particles to form aggregates (silver powder).
  • the first silver particles have a particle diameter of 100 nm or more and less than 500 nm, and are contained in a range of 55% by volume or more and 95% by volume or less when the total amount of the first to third silver particles is 100% by volume.
  • the second silver particles have a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm, and are contained in a range of 5% by volume or more and 40% by volume or less when the total amount of the first to third silver particles is 100% by volume.
  • the third silver particles have a particle size of less than 50 nm, and are contained in a range of 5% by volume or less when the total amount of the first to third silver particles is 100% by volume.
  • “volume” indicates the volume of the silver particles themselves.
  • the reason why the content ratio of the first to third silver particles is limited to the above range is that the silver powder obtained by mixing them has a relatively wide particle size distribution, so that the first to third silver particles are sintered. This is because a bonding layer with few voids can be produced by forming a dense aggregate with a small gap between the three silver particles.
  • the purity of silver in the first to third silver particles is preferably 90% by mass or more, and more preferably 99% by mass or more. This is because the higher the silver purity of the first to third silver particles is, the easier it is to melt, so that the first to third silver particles can be sintered at a relatively low temperature.
  • elements other than silver in the first to third silver particles Au, Cu, Pd, and the like are acceptable.
  • the first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm are more preferably contained in the silver powder in a range of 70% by volume or more and 90% by volume or less, and the second silver particles having a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm.
  • the particles are more preferably contained in a range of 10% by volume or more and 30% by volume or less, and the third silver particles having a particle size of less than 50 nm are more preferably contained in a range of 1% by volume or less.
  • the particle size of the first to third silver particles is determined by measuring the projected area of the silver particles in the silver powder using, for example, a scanning electron microscope (SEM), and obtaining a circle from the obtained projected area. It can be obtained by calculating the equivalent diameter (diameter of a circle having the same area as the projected area of the silver particle) and converting the calculated particle diameter to a volume-based particle diameter.
  • SEM scanning electron microscope
  • the silver powder preferably contains an organic substance composed of an organic reducing agent or a decomposition product thereof, and the organic substance is preferably one that decomposes or volatilizes at a temperature of 150 ° C.
  • the organic reducing agent include ascorbic acid, formic acid, tartaric acid and the like.
  • the organic substance consisting of the organic reducing agent or its decomposed product when stored in the form of secondary particles in which the first to third silver particles are aggregated (that is, silver powder before the silver paste is prepared), the first to the second particles. It has the effect of suppressing the oxidation of the surface of the three silver particles and suppressing the interdiffusion of the first to third silver particles, ie, the diffusion bonding during storage.
  • the organic substance is easily decomposed or volatilized when a silver paste containing an aggregate of silver particles is printed on the surface to be joined of the members to be joined and heated, and the highly active surface of the first to third silver particles is heated. By exposing, there is an effect that the sintering reaction between the first to third silver particles easily proceeds. Further, the decomposition or volatile matter of the organic substance has a reducing ability to reduce an oxide film on the surface to be joined of the member to be joined.
  • the content ratio of the organic substance in the silver powder is preferably 2% by mass or less based on 100% by mass of the total amount of the first to third silver particles.
  • the content ratio of the organic substance is preferably 0.05% by mass or more based on 100% by mass of the total amount of the first to third silver particles.
  • the content ratio of the organic substance is more preferably 0.1 to 1.5% by mass based on 100% by mass of the total amount of the first to third silver particles.
  • the silver powder before being mixed with each component described later is in a state of secondary particles in which first to third silver particles (primary particles) are aggregated, and is based on a volume standard measured by a laser diffraction scattering method.
  • D10 is in the range of 0.05 ⁇ m to 0.25 ⁇ m
  • D50 is in the range of 0.4 ⁇ m to 0.6 ⁇ m
  • D90 is in the range of 1.5 ⁇ m to 2.5 ⁇ m. Is preferred.
  • the silver paste of the present invention obtained from such a silver powder having a relatively wide particle size distribution and each of the components described below, during sintering, a dense coagulation with small gaps between the first to third silver particles is obtained. The effect of forming the aggregate is enhanced, and a bonding layer with less voids can be manufactured.
  • the measurement of the volume-based particle size distribution by the laser diffraction scattering method is performed as follows. First, 0.1 g of silver powder (secondary particles) was put into 20 g of ion-exchanged water, and irradiated with ultrasonic waves of 25 kHz for 5 minutes to uniformly disperse the silver powder in the ion-exchanged water. Next, an appropriate amount of the obtained dispersion liquid of silver powder was dropped into an observation cell of a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device (trade name “LA-960” manufactured by Horiba, Ltd.), and the particle size distribution was measured according to the procedure of this device.
  • the particle size distribution measured by the laser diffraction scattering method is a particle size distribution of secondary particles in which the first to third silver particles (primary particles) are aggregated.
  • the aggregate of the first to third silver particles preferably has a specific surface area in the range of 2 m 2 / g to 8 m 2 / g, and more preferably in the range of 3 m 2 / g to 7 m 2 / g. Aggregates having a specific surface area within the above range have a large reaction area of the first to third silver particles and have high reactivity by heating, so that they can be sintered at a relatively low temperature.
  • Examples of the fatty acid silver include silver acetate, silver oxalate, silver propionate, silver myristate, and silver butyrate.
  • Examples of the aliphatic amine include a primary amine, a secondary amine, and a tertiary amine.
  • the aliphatic amine preferably has 8 to 12 carbon atoms. If the carbon number is too small, the boiling point of the aliphatic amine tends to be low, so that the printability of the silver paste may be reduced. If the carbon number is too large, sintering of silver particles in the silver paste may be hindered, and a joined body having sufficient strength may not be obtained.
  • Specific examples include primary amines such as ethylhexylamine, aminodecane, dodecylamine, nonylamine, and hexylamine; secondary amines include dimethylamine and diethylamine; and tertiary amines include , Trimethylamine, triethylamine and the like.
  • the molar ratio of the aliphatic amine to the fatty acid silver may be in the range of 1.5 to 3.
  • the proportion of the aliphatic amine is small, the proportion of the solid fatty acid silver is relatively high, so that it is difficult to uniformly disperse the silver in the silver paste, and voids may be easily generated inside the bonding layer obtained by heating. There is. If the proportion of the aliphatic amine is too large, an excessive amount of the aliphatic amine causes the silver powder in the silver paste to grow and the paste viscosity is reduced, so that the printability may be deteriorated.
  • the molar amount of the aliphatic amine / the molar amount of the fatty acid silver may be preferably in the range of 1.7 to 2.8, more preferably in the range of 2.0 to 2.5. Good.
  • the silver paste preferably contains a complex formed by reacting at least a part of the fatty acid silver and at least a part of the aliphatic amine. This complex is presumed to be a silver amine complex.
  • the silver paste preferably further contains one or both of a resin and a solvent.
  • the resin include an epoxy resin, a silicone resin, an acrylic resin, and a mixture thereof.
  • the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, novolak type epoxy resin, cycloaliphatic type epoxy resin, and a mixture thereof.
  • the silicone type resin include methyl silicone resin, epoxy modified silicone resin, and polyester modified. Silicone resins and mixtures thereof can be mentioned, and acrylic resins include acrylate monomer resins.
  • the content of the resin may be in the range of 0.1% by mass or more and 3% by mass or less when the entire silver paste is 100% by mass. If the content of the resin is less than 0.1% by mass, the mechanical strength of the bonding layer may not be improved, and if it exceeds 3% by mass, sintering of silver powder is hindered and the mechanical strength of the bonding layer decreases. There is a risk.
  • the content of the resin may be in the range of preferably 0.2 to 2.5% by mass, more preferably 0.3 to 2.0% by mass, when the silver paste is 100% by mass. It may be within the range.
  • Examples of the solvent include alcohol solvents, glycol solvents, acetate solvents, hydrocarbon solvents, and mixtures thereof.
  • Alcohol solvents include ⁇ -terpineol, isopropyl alcohol, ethylhexanediol, and mixtures thereof.
  • Glycol solvents include ethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, and mixtures thereof, and acetate solvents. Include butyl carbitol acetate, and the hydrocarbon solvents include decane, dodecane, tetradecane, and mixtures thereof.
  • a fatty acid silver, an aliphatic amine and a solvent are prepared, and when the total amount of the fatty acid silver, the aliphatic amine and the solvent is 100% by mass, for example, the fatty acid silver is 0.1% by mass to 40% by mass;
  • the aliphatic amine is mixed at a ratio of 0.1% by mass to 60% by mass, and the solvent is mixed at a ratio of 80% by mass or less.
  • the reason that the mixing ratio of the fatty acid silver, the aliphatic amine and the solvent is desirably within the above range is because the effects of the present invention can be obtained without causing precipitation or the like in the mixed solution.
  • the fatty acid silver is 20% by mass to 30% by mass
  • the aliphatic amine is 20% by mass to 40% by mass
  • the solvent is 20% by mass. Mix at a ratio of 40% by mass to 60% by mass.
  • a mixed solution of silver fatty acid, an aliphatic amine and a solvent (hereinafter simply referred to as a mixed solution) is prepared.
  • the reason why the heating temperature and the heating time of the mixture are within the above ranges is to uniformly mix the fatty acid silver, the aliphatic amine and the solvent.
  • a solvent is not necessarily required.
  • a mixed solution can be prepared by mixing the fatty acid silver and the aliphatic amine without using a solvent.
  • the mixture is stirred with a planetary planetary stirrer or the like, and further kneaded with a three-roll mill or the like to obtain a silver paste.
  • the content of the silver powder may be in the range of 50% by mass to 95% by mass, and the remainder may be the mixed solution.
  • the content of the silver powder may be from 80% by mass to 90% by mass.
  • the viscosity of the silver paste may be reduced and coating failure such as sagging may be easily caused. If the content is too high, the viscosity may be increased and handling properties may be deteriorated.
  • the silver paste may not include the solvent.
  • the silver paste may include the resin. In this case, the thermal cycle characteristics are improved.
  • the molar ratio of the aliphatic amine to the fatty acid silver is preferably in the range of 1.5 to 3, and is preferably 1.7. More preferably, it is within the range of 2.8.
  • the molar ratio of the aliphatic amine to the fatty acid silver in the mixed solution becomes the molar ratio of the aliphatic amine to the fatty acid silver in the silver paste.
  • a first member and a second member to be joined to each other are prepared.
  • the first member for example, a Si wafer having the outermost surface plated with gold can be mentioned
  • the second member for example, a Cu plate having the outermost surface plated with silver can be cited.
  • the first member for example, a Si wafer having the outermost surface plated with gold
  • the second member for example, a Cu plate having the outermost surface plated with silver can be cited.
  • the silver paste is applied to the surface of the first member and / or the second member by, for example, a metal mask method to form a silver paste layer having a desired planar shape.
  • the first member and the second member are laminated via the silver paste layer, to produce a laminate.
  • this laminate that is, by heating the laminate at a temperature of 120 ° C. to 280 ° C. (heating temperature) for 10 minutes to 240 minutes (heating time)
  • the first silver in the silver paste layer is heated.
  • the particles, the second silver particles, and the third silver particles are sintered to form a bonding layer, and a bonded body in which the first member and the second member are bonded via the bonding layer is produced.
  • the reason for setting the heating temperature and the heating time of the laminate within the above ranges is that sintering may be difficult to proceed when the heating time is less than 10 minutes, and that the bonding characteristics do not change even if the heating time exceeds 240 minutes, resulting in an increase in cost. based on. It is preferable that the laminate is heated only without applying pressure. This is based on the reason that the process is simplified and the cost is reduced.
  • silver acetate (fatty acid silver), aminodecane (aliphatic amine) and butyl carbitol acetate (solvent) are prepared.
  • silver acetate (fatty acid) is used.
  • Silver), 221.3% by mass of aminodecane (aliphatic amine) and 36.7% by mass of butyl carbitol acetate (solvent) were placed in a glass container together with a stirrer stirrer. Then, the container was placed on a hot plate heated to 50 ° C., and stirred for 1 hour while rotating the stirrer of the stirrer at 300 rpm to prepare a mixed solution.
  • Example 1 a fatty acid silver / aliphatic amine mixed solution (hereinafter, simply referred to as a mixed solution) was prepared. This mixed solution was used as Example 1.
  • Examples 2 to 14 and Comparative Examples 1 and 2 For the mixed solutions of Examples 2 to 14 and Comparative Examples 1 and 2, the types shown in Table 1 were used as the fatty acid silver, the aliphatic amine and the solvent. Each was blended in the ratio as shown. Since Comparative Example 1 does not contain silver fatty acid and Comparative Example 2 does not contain an aliphatic amine, it is not a mixed solution. However, in this specification, Comparative Examples 1 and 2 are also referred to as a mixed solution for convenience.
  • the equivalent circle diameter was not measured.
  • the obtained primary particle size was converted to a volume-based particle size, and the average value of the volume-based particle size was defined as the average particle size of the dried product.
  • a sample in which silver powder was generated from the dried product was determined as "OK”, and a sample in which no silver powder was generated from the dried product, or a sample in which silver powder could not be measured was determined as "impossible”.
  • Table 2 shows the average particle size of the dried product and the determination results. Table 2 also shows the type of fatty acid silver, the type of aliphatic amine and the type of solvent.
  • the mixed solution of Comparative Example 1 containing no fatty acid silver does not contain silver which is expected to contribute to the densification of the bonding layer, and thus the generation of silver powder during SEM (scanning electron microscope) observation does not occur. No judgment was made, and the judgment result was unacceptable.
  • Comparative Example 2 In the mixed solution of Comparative Example 2 containing no aliphatic amine, a uniform mixed solution was not obtained, and the dried product on the silicon wafer was agglomerated, so that silver powder could be measured by SEM (scanning electron microscope) observation. No, the result was not possible. This is presumably because Comparative Example 2 did not contain an aliphatic amine, so that the decomposition of the fatty acid silver did not sufficiently proceed.
  • Examples 1 to 14 containing silver fatty acid and aliphatic amine generation of silver powder having an average particle diameter of 50 nm to 100 nm was observed during SEM (scanning electron microscope) observation, and the judgment result was acceptable.
  • SEM scanning electron microscope
  • Example 15 In order to make the silver paste 100 mass%, 25 mass% of the mixed solution of Example 1 and 75 mass% of silver powder (agglomerates of first to third silver particles) are kneaded, and then stirred with a planetary planetary stirrer. And kneaded with a three-roll mill. Thus, a silver paste was obtained. This silver paste was used as Example 15.
  • Silver powder 1 (mixture / aggregate of first to third silver particles) was prepared as follows. First, silver fine particles having D10, D50 and D90 of 20 nm, 50 nm and 100 nm, respectively, and silver fine particles having D10, D50 and D90 of 150 nm, 300 nm and 500 nm, respectively, were prepared. D10, D50 and D90 of the silver fine particles were determined from the particle size distribution curve of the silver fine particles. The particle size distribution curve of the silver fine particles was measured by a dynamic light scattering method described later.
  • Raw material powders A and B can be produced as follows.
  • the raw material powder A is prepared by, for example, mixing silver nitrate, citric acid, and potassium hydroxide in distilled water so as to have an equimolar ratio (1: 1: 1) with respect to silver ions in silver nitrate. I do.
  • hydrazine acetate is added in a molar ratio of 2 to 1 of silver ion.
  • the suspension obtained by adding hydrazine acetate can react at a liquid temperature of 40 ° C., and can be obtained by washing, collecting, and drying the obtained reaction solution slurry.
  • the raw material powder B is prepared, for example, by mixing a silver nitrate aqueous solution, ammonia water and distilled water to prepare a silver ammine aqueous solution having a silver concentration of 22 g / L, adding a reducing solution to the silver ammine aqueous solution, and washing the resulting silver particle slurry. , Recovered and dried.
  • the reducing liquid is a mixed liquid of an aqueous solution of hydroquinone and an aqueous solution of sodium hydroxide, and is a liquid adjusted to have an oxidation-reduction potential of -380 mV on the basis of Ag / AgCl.
  • ⁇ Method of measuring particle size distribution curve by dynamic light scattering method First, 0.1 g of silver fine particles were put into 20 g of ion-exchanged water, and irradiated with ultrasonic waves of 25 kHz for 5 minutes to disperse the silver fine particles in the ion-exchanged water. Next, the obtained dispersion liquid of the silver fine particles is poured into an observation cell for a dynamic light scattering type particle size distribution measuring device (trade name “LB-550”, Horiba, Ltd.), and the particle size distribution is measured according to the procedure of this device. did.
  • a dynamic light scattering type particle size distribution measuring device trade name “LB-550”, Horiba, Ltd.
  • the silver fine particle mixture, sodium ascorbate (organic reducing agent) and water were mixed at a mass ratio of 10: 1: 89 to prepare a silver fine particle slurry.
  • This silver fine particle slurry was heated at a temperature of 90 ° C. for 3 hours to reduce the silver fine particles.
  • a solid was separated and collected using a centrifuge. The collected solid (aggregate of mercury-containing fine particles) was washed with water several times and dried. Thus, 1 silver powder (a mixture of first to third silver particles) was obtained.
  • No. The silver powder of No. 2 is No. 2 described above.
  • No. 1 was prepared in the same manner as in No. 1 except that the mixing ratio of silver particles having a D50 of 50 nm and silver particles having a D50 of 300 nm was 1: 1 by mass ratio. 2 obtained by the method for preparing silver powder.
  • No. The silver powder of No. 3 is No. 3 described above.
  • No. 1 was prepared in the same manner as in No. 1 except that the mixing ratio of silver particles having a D50 of 50 nm and silver particles having a D50 of 300 nm was 1: 5 by mass ratio.
  • No. 3 obtained by the method for preparing silver powder.
  • No. Silver powder No. 4 was obtained by the following method. To 1200 g of ion-exchanged water maintained at 50 ° C., 900 g of an aqueous silver nitrate solution maintained at 50 ° C. and 600 g of an aqueous sodium citrate solution maintained at 50 ° C. were simultaneously added dropwise over 5 minutes, and a silver citrate slurry was added. Prepared. While the silver nitrate aqueous solution and the sodium citrate aqueous solution were simultaneously dropped into the ion exchange water, the ion exchange water was continuously stirred.
  • the concentration of silver nitrate in the aqueous silver nitrate solution was 66% by mass, and the concentration of citric acid in the aqueous solution of sodium citrate was 56% by mass. Then, 300 g of an aqueous sodium formate solution maintained at 50 ° C. was added dropwise to the silver citrate slurry maintained at 50 ° C. over 30 minutes to obtain a mixed slurry. The concentration of formic acid in the aqueous sodium formate solution was 58% by mass.
  • a predetermined heat treatment was performed on the mixed slurry. Specifically, the temperature of the mixed slurry was raised to a maximum temperature of 60 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C./hour, and after the temperature was maintained at 60 ° C. (the maximum temperature) for 30 minutes, the temperature was lowered to 20 ° C. over 60 minutes. . Thus, a silver powder slurry was obtained. The silver powder slurry was placed in a centrifuge and rotated at a rotation speed of 1000 rpm for 10 minutes. Thus, the liquid layer in the silver powder slurry was removed, and a dewatered and desalted silver powder slurry was obtained. The dewatered and desalted silver powder slurry was dried for 30 hours by freeze-drying method. 4 silver powder was obtained.
  • No. The silver powder of No. 5 is No. 5 described above.
  • No. 1 was prepared in the same manner as in No. 1 except that the mixing ratio of the silver particles having a D50 of 50 nm and the silver particles having a D50 of 300 nm was 2: 1 by mass ratio. 5 obtained by the method for preparing silver powder.
  • No. The silver powder of No. 6 is No. 6 described above.
  • No. The silver powder of No. 7 is described above.
  • No. 1 was prepared in the same manner as in No.
  • No. 9 was obtained by the method for preparing silver powder.
  • No. The silver powder of No. 10 is No. 10 described above.
  • No. 1 was prepared in the same manner as in No. 1 except that the mixing ratio of silver particles having a D50 of 50 nm and silver particles having a D50 of 300 nm was 1: 9 by mass ratio.
  • No. 10 obtained by a method for preparing silver powder.
  • the particle size distribution of silver particles (first to third silver particles) constituting the silver powder and the content of organic substances contained in the silver powder were measured by the following methods.
  • Examples 16 to 33 and Comparative Examples 3 to 8 used the silver salt of fatty acid, aliphatic amine and solvent shown in Table 1 as a mixed solution, and used silver powder and the mixed solution in Tables 3 and 4 respectively.
  • the silver paste was prepared in the same manner as in Example 15 except that the components were blended at the ratios shown in Table 3 and Table 3 and Table 4, respectively.
  • the mixed solutions used in Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8 are shown in any of Examples 1 to 14 in the column of the type of the mixed solution in Tables 3 and 4. In Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8, any one of 12 types (No. 1 to No. 10) of silver powders having different particle size distributions shown in Table 5 was blended.
  • the silver powders used in Comparative Examples 3 to 8 are listed in Table 3 and Table 4 in the column of silver powder type. 1 to No. 10
  • first member and the second member are joined via the joining layer by firing the laminate, that is, by holding the laminate at a temperature of 150 ° C. (heating temperature) for 60 minutes (heating time). did.
  • These joined bodies were used as the joined bodies of Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8. The laminate was not pressed. The joining strength of these joined bodies was measured as follows.
  • silver fired films were produced, respectively. Specifically, first, the silver pastes of Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8 were applied to a transparent glass plate by a metal mask plate (hole size: 10 mm in length ⁇ 10 mm in width, thickness: 50 ⁇ m) to form silver. Paste layers were respectively formed. Next, the silver paste layer formed on the transparent glass substrate was fired, that is, the silver paste layer was kept at a temperature of 150 ° C. (heating temperature) for 60 minutes (heating time) to produce a fired silver film. . These fired silver films were used as fired silver films of Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8. The thermal diffusivity of these fired silver films was measured as follows.
  • thermo diffusivity of fired silver film The heat diffusivity of the fired silver films of Examples 15 to 33 and Comparative Examples 3 to 8 was measured by a laser flash method. Specifically, first, the temperature change T (t) on the back surface of the fired silver film when the pulse laser was uniformly irradiated on the surface of the fired silver film and heated instantaneously was measured. Next, since the temperature change T (t) on the back surface of the silver fired film is expressed by a one-dimensional heat conduction equation, the temperature change T (t) on the back surface of the silver fired film is plotted on the vertical axis and the elapsed time t is plotted horizontally.
  • a silver body having a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm is as large as 50% by volume, and a silver particle having a particle size of less than 50 nm is as large as 10% by volume.
  • the joint strength of the joined body was as low as 10 MPa, and the thermal diffusivity of the fired silver film was as small as 80 W / mK.
  • second silver containing first silver particles having a particle size of 100 nm or more and less than 500 nm in a range of 55% by volume or more and 95% by volume or less and having a particle size of 50 nm or more and less than 100 nm.
  • a joined body and silver were obtained.
  • the bonding strength of the joined body was increased to 38 MPa to 50 MPa, and the thermal diffusivity of the fired silver film was increased to 122 W / mK to 155 W / mK.
  • Examples 34 and 35 As the silver pastes of Examples 34 and 35, those having the types shown in Tables 1 and 6 were used as the mixed solution and the resin, and the silver powder, the mixed solution and the resin were mixed at the ratios shown in Table 6. The resin was added when the mixed solution and the silver powder were mixed, and kneaded with them. A silver paste was prepared in the same manner as in Example 15 except for the formulations shown in Table 6.
  • D1 indicates an epoxy-based thermosetting resin composition
  • D2 indicates a silicone-based thermosetting resin composition (both are liquid at normal temperature, curing temperature: 140-150 ° C).
  • No. 1 is the silver powder of No. 1 in Table 5
  • the mixed solution is the mixed solution of Example 1 in Table 1.
  • the mixing ratio of the resin is a ratio when the silver paste is 100% by mass.
  • the initial joint strength (before the thermal cycle test) of the joined body Is 35 MPa, which is lower than that of Example 17, and the thermal diffusivity of the fired silver film is 100 W / mK, which is lower than that of Example 17.
  • the bonding strength of the bonded body after the thermal cycle test is 36 MPa, which is higher than that of Example 17.
  • the initial joint strength (before the thermal cycle test) of the joined body was 25 MPa. Although it was smaller than Example 17 and the thermal diffusivity of the fired silver film was 101 W / mK, which was smaller than that of Example 17, the bonding strength of the joined body after the thermal cycle test was 23 MPa, which was larger than that of Example 17.
  • the silver paste of the present invention can be used for a bonding layer for bonding a circuit board to a high-power LED element, a bonding layer for bonding a circuit board to a power semiconductor chip, and the like, it can be used in industry.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

この銀ペーストは、銀粉と脂肪酸銀と脂肪族アミンとを含む。前記銀粉は、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含む。

Description

銀ペースト及び接合体の製造方法
　本発明は、回路基板と高出力ＬＥＤ素子とを接合する接合層や、回路基板とパワー半導体チップとを接合する接合層を作製するための原料として用いられる銀ペーストと、この銀ペーストを用いて作製された接合層により接合された接合体の製造方法に関する。
　本願は、２０１８年６月２５日に日本に出願された特願２０１８－１１９４６３号、２０１９年３月２９日に日本に出願された特願２０１９－０６５３６３号、および２０１９年６月２０日に日本に出願された特願２０１９－１１４２１４号に基づき優先権を主張し、それらの内容をここに援用する。
　従来より、半導体チップをリードフレーム等の金属板に接着・固定（ダイボンディング）するために、銀粉末、熱硬化性樹脂、及び溶剤を含む銀ペーストが用いられている。
　例えば、特許文献１に開示された熱伝導性組成物は、銀粉、銀微粒子、脂肪酸銀、アミン、および銀レジネートを含む。前記銀粉は平均粒径が０．３μｍ～１００μｍである。前記銀微粒子は、その１次粒子の平均粒子径が５０～１５０ｎｍであり、結晶子径が２０～５０ｎｍであり、かつ、結晶子径に対する平均粒子径の比が１～７．５である。
　このような熱伝導性組成物では、高い熱伝導率を有する熱伝導体を得ることができるとされている。
日本国特許第５８７２５４５号公報（請求項１、段落［０００６］、図１参照）
　しかし、特許文献１に示された熱伝導性組成物では、この熱伝導性組成物を用いて作製された熱伝導体中に、特許文献１の図１に示すように、比較的多くの空乏（ボイド）が存在するため、その分、熱伝導体の熱伝導特性が低い不具合があった。
　本発明の第１の目的は、ボイドの少ない接合層を作製できる、銀ペーストを提供することにある。本発明の第２の目的は、銀ペーストを用いて作製された接合層の冷熱サイクル特性を向上できる、銀ペーストを提供することにある。本発明の第３の目的は、銀ペーストの粘度を調整して塗布等の作業を容易にすることができる、銀ペーストを提供することにある。本発明の第４の目的は、銀ペーストを用いて作製された接合層の熱伝導特性を向上できる、銀ペーストを提供することにある。本発明の第５の目的は、接合層の熱伝導特性及び冷熱サイクル特性の向上により、接合体の熱伝導特性及び冷熱サイクル特性を向上できる、接合体の製造方法を提供することにある。
　本発明の第１の態様に係る銀ペーストは、銀粉と、脂肪酸銀と、脂肪族アミンとを含み、前記銀粉は、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含むことを特徴とする。
　本発明の第２の態様に係る銀ペーストは、第１の態様に基づく発明であって、樹脂を更に含む。
　本発明の第３の態様に係る銀ペーストは、第１または第２の態様に基づく発明であって、溶媒を更に含む。
　本発明の第４の態様に係る銀ペーストは、第１～第３の態様のいずれかに基づく発明であって、更に脂肪酸銀の少なくとも一部と脂肪族アミンの少なくとも一部とが反応して形成される錯体を含む。
　本発明の第５の態様に係る接合体の製造方法は、第１部材と第２部材とを用意する工程と、前記第１部材及び／又は前記第２部材の表面に前記第１ないし前記第４の態様のいずれかに記載の銀ペーストを塗布して銀ペースト層を形成する工程と、前記第１部材と前記第２部材とを前記銀ペースト層を介して積層して積層体を作製する工程と、前記積層体を加熱することにより前記銀ペースト層中の前記第１銀粒子と前記第２銀粒子と前記第３銀粒子を焼結させて接合層を形成させ、前記第１部材と前記第２部材とを前記接合層を介して接合して接合体を作製する工程とを含む。
　本発明の第６の態様に係る銀ペーストの製造方法は、脂肪酸銀、脂肪族アミンおよび溶媒を、前記脂肪酸銀と前記脂肪族アミンと溶媒との合計量を１００質量％としたときに、前記脂肪酸銀が０．１質量％～４０質量％、前記脂肪族アミンが０．１質量％～６０質量％、前記溶媒が８０質量％以下の割合で混合して混合物を得る工程と、
　前記混合物を３０℃～１００℃に加熱して撹拌した後に冷却して混合溶液を得る工程と、
　前記混合溶液と、銀粉とを混練して銀ペーストを得る工程とを有し、　
　前記銀粉として、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含む銀粉を使用することを特徴とする。本明細書において「Ａ～Ｂ」と記載した場合は、他の記載と矛盾する場合を除き「Ａ以上かつＢ以下」を示すものとする。
　本発明の第１の態様の銀ペーストでは、前記銀粉が、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含むので、前記銀粉が比較的広い粒度分布を有する。これによって、焼結の際に、第１～第３銀粒子同士の隙間が小さく緻密になるから、ボイドの少ない接合層を作製できる。
　本発明の第２の態様の銀ペーストでは、さらに樹脂を含むので、銀ペーストを用いて作製された接合層の冷熱サイクル特性を向上できる。
　本発明の第３の態様の銀ペーストでは、さらに溶媒を含むので、銀ペーストの粘度を調整して塗布等の作業を容易にすることができるという優れた効果が得られる。
　本発明の第４の態様の銀ペーストでは、前記脂肪酸銀の少なくとも一部と前記脂肪族アミンの少なくとも一部とが反応して形成される錯体を含むので、焼成時に前記錯体から微細な銀が析出し、この析出した銀が銀ペースト中の前記第１銀粒子と前記第２銀粒子と前記第３銀粒子との間を埋めることで、銀ペーストを用いて作製される接合層がより緻密化して、その熱伝導特性を向上させることができる。
　本発明の第５の態様の接合体の製造方法では、第１部材と第２部材とを、前記銀ペーストを塗布した銀ペースト層を挟んで積層して積層体を作製し、この積層体を加熱することで銀ペースト層中の前記第１銀粒子と前記第２銀粒子と前記第３銀粒子を焼結させて接合層を形成し、前記第１部材と前記第２部材とがこの接合層を介して接合された接合体を作製するので、接合層のボイドが少なく、この方法で製造された接合体の熱伝導特性及び冷熱サイクル特性を向上できる。
　本発明の第６の態様に係る銀ペーストの製造方法によれば、ボイドの少ない接合層を作製できる銀ペーストを製造することが可能である。
実施例１５の銀ペーストにより作製した接合層のＦＥ－ＳＥＭ（Field Emission-Scanning Electron Microscope：電界放出形走査電子顕微鏡）写真である。 実施例１６の銀ペーストにより作製した接合層のＦＥ－ＳＥＭ写真である。 実施例１７の銀ペーストにより作製した接合層のＦＥ－ＳＥＭ写真である。 比較例３の銀ペーストにより作製した接合層のＦＥ－ＳＥＭ写真である。
　次に、本発明を実施するための形態を説明する。
　本発明の一態様に係る銀ペーストは、銀粉と、脂肪酸銀と、脂肪族アミンとを含む。前記銀粉は、互いに粒径が異なる第１銀粒子（第１群の銀粒子）、第２銀粒子（第２群の銀粒子）、および第３銀粒子（第３群の銀粒子）を含み、これら第１～第３銀粒子はいずれも一次粒子として互いに凝集し、凝集体（銀粉）を形成している。
　前記第１銀粒子は、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満であり、第１～第３銀粒子の合計量を１００体積％とした時に、５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含まれる。前記第２銀粒子は、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であり、第１～第３銀粒子の合計量を１００体積％とした時に、５体積％以上４０体積％以下の範囲で含まれる。前記第３銀粒子は、粒径が５０ｎｍ未満であり、第１～第３銀粒子の合計量を１００体積％とした時に、５体積％以下の範囲で含まれる。なお、ここでの「体積」は銀粒子そのものの体積を示す。
　前記第１～第３銀粒子の含有割合をそれぞれ前記範囲に限定したのは、これらを混合してなる前記銀粉が比較的広い粒度分布を有することによって、焼結の際に、第１～第３銀粒子同士の隙間が小さく緻密な凝集体になることにより、ボイドの少ない接合層を作製できるからである。第１～第３銀粒子中の銀の純度は、９０質量％以上であることが好ましく、９９質量％以上であることがより好ましい。これは、第１～第３銀粒子の銀純度が高い方が溶融し易くなるので、第１～第３銀粒子を比較的低温で焼結させることができるからである。第１～第３銀粒子中の銀以外の元素としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄなどが許容できる。
　粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子は、前記銀粉中に、７０体積％以上９０体積％以下の範囲で含まれることがより好ましく、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子は、１０体積％以上３０体積％以下の範囲で含まれることがより好ましく、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子は、１体積％以下の範囲で含まれることがより好ましい。第１～第３銀粒子の粒度分布が前記範囲内にあることによって、焼結の際に、第１～第３銀粒子同士の隙間の小さい緻密な凝集体を形成できる効果が高くなり、更にボイドの少ない接合層を作製できる。
　前記第１～前記第３銀粒子の粒径は、例えばＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型顕微鏡写真）を用いて、前記銀粉中の銀粒子の投影面積を測定し、得られた投影面積から円相当径（銀粒子の投影面積と同じ面積を持つ円の直径）を算出し、この算出した粒径を体積基準の粒径に換算することによって得ることができる。具体的な測定方法の例は、後述する実施例中で説明する。
　前記銀粉は、有機還元剤あるいはその分解物からなる有機物を含むことが好ましく、この有機物は、１５０℃の温度で分解若しくは揮発するものであることが好ましい。有機還元剤の例としては、アスコルビン酸、ギ酸、酒石酸等が挙げられる。有機還元剤あるいはその分解物からなる有機物は、第１～第３銀粒子が凝集した二次粒子の状態（すなわち銀ペーストを作成する前の銀粉）で保存されている時に、第１～前記第３銀粒子の表面の酸化を抑制し、第１～第３銀粒子の相互拡散、即ち保存時における拡散接合を抑制する効果を有する。前記有機物は、銀粒子の凝集体を含む銀ペーストを接合対象部材の被接合面に印刷して加熱したときに、容易に分解若しくは揮発して、第１～第３銀粒子の高活性な表面を露出させることにより、第１～第３銀粒子同士の焼結反応を進行し易くする効果がある。さらに、前記有機物の分解物若しくは揮発物は、接合対象部材の被接合面の酸化膜を還元させる還元能力を有する。
　銀粉に含まれる有機物が接合層に残留すると、時間の経過とともに分解して、接合層にボイドを発生させるおそれがある。このため、銀粉中の有機物の含有割合は、第１～第３銀粒子の合計量１００質量％に対して２質量％以下とすることが好ましい。但し、有機物による前記効果を得るためには、有機物の含有割合は第１～第３銀粒子の合計量１００質量％に対して０．０５質量％以上であることが好ましい。有機物の含有割合は、より好ましくは第１～第３銀粒子の合計量１００質量％に対して０．１～１．５質量％である。
　本発明において、後述する各成分と混合される前の銀粉は、第１～第３銀粒子（一次粒子）が凝集した二次粒子の状態であり、レーザ回折散乱法により測定される体積基準の粒度分布曲線において、Ｄ１０が０．０５μｍ以上０．２５μｍ以下の範囲であり、Ｄ５０が０．４μｍ以上０．６μｍ以下の範囲であり、更にＤ９０が１．５μｍ以上２．５μｍ以下の範囲であることが好ましい。このような比較的広い粒度分布を有する銀粉と、後述する各成分と、から得られる本発明の銀ペーストでは、焼結の際に、第１～第３銀粒子同士の隙間の小さい緻密な凝集体を形成できる効果が高くなり、更にボイドの少ない接合層を作製できる。
レーザ回折散乱法による体積基準の粒度分布の測定は、次の通りに行う。先ず、銀粉（二次粒子）０．１ｇをイオン交換水２０ｇ中に投入し、２５ｋＨｚの超音波を５分間照射して、イオン交換水に銀粉を均一に分散させた。次に、得られた銀粉の分散液を、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所製、商品名「ＬＡ－９６０」の観察セルに適量滴下し、この装置の手順に従い粒度分布を測定した。このレーザ回折散乱法によって測定された粒度分布は、第１～第３銀粒子（一次粒子）が凝集した二次粒子の粒度分布である。
　第１～第３銀粒子の凝集体は、比表面積が２ｍ２／ｇ～８ｍ２／ｇの範囲にあることが好ましく、３ｍ２／ｇ～７ｍ２／ｇの範囲にあることがさらに好ましい。比表面積が前記範囲内にある凝集体は、第１～第３銀粒子の反応面積が大きく、加熱による反応性が高くなるので、比較的低温で焼結させることができる。
　前記脂肪酸銀としては、酢酸銀、シュウ酸銀、プロピオン酸銀、ミリスチン酸銀、酪酸銀等が挙げられる。脂肪族アミンとしては、第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン等が挙げられる。脂肪族アミンの炭素数は好ましくは８～１２とすることが望ましい。炭素数が小さすぎると脂肪族アミンの沸点が低い傾向があるので、銀ペーストの印刷性が低下するおそれがある。炭素数が大きすぎると銀ペースト中の銀粒子の焼結を妨げ、十分な強度を有する接合体が得られないおそれがある。
　具体的な例として、第１級アミンには、エチルヘキシルアミン、アミノデカン、ドデシルアミン、ノニルアミン、ヘキシルアミン等があり、第２級アミンには、ジメチルアミン、ジエチルアミン等があり、第３級アミンには、トリメチルアミン、トリエチルアミン等がある。
　前記銀ペーストにおいて、前記脂肪酸銀に対する前記脂肪族アミンのモル比、即ち、脂肪族アミンのモル量／脂肪酸銀のモル量は、１．５～３の範囲内であってもよい。脂肪族アミンの割合が少ないと、固体である脂肪酸銀の割合が相対的に高くなるため、銀ペースト中に均一に分散しにくくなり、加熱して得た接合層内部にボイドが生じやすくなるおそれがある。脂肪族アミンの割合が多すぎると、過剰量の脂肪族アミンが銀ペースト中の銀粉の粒成長を招き、ペースト粘度が低下するので印刷性が悪化するおそれがある。脂肪族アミンのモル量／脂肪酸銀のモル量は、好ましくは、１．７～２．８の範囲内であってもよく、さらに好ましくは２．０～２．５の範囲内であってもよい。
　前記銀ペーストは、脂肪酸銀の少なくとも一部と脂肪族アミンの少なくとも一部とが反応して形成される錯体を含むことが好ましい。この錯体は、銀アミン錯体であると推定される。
　前記銀ペーストは、更に樹脂又は溶媒のいずれか一方又は双方を含むことが好ましい。前記樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、およびそれらの混合物等が挙げられる。エポキシ系樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族型エポキシ樹脂、およびそれらの混合物等が挙げられ、シリコーン系樹脂としては、メチルシリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、ポリエステル変性シリコーン樹脂、およびそれらの混合物等が挙げられ、アクリル系樹脂としては、アクリレート系モノマー樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、銀ペーストの加熱によって硬化し、その硬化体が、銀粉末の焼結体の空隙に充填される。熱硬化性樹脂組成物の硬化体が、銀粉末の焼結体の空隙に充填されることによって、接合層の機械的強度が向上し、更に冷熱サイクル負荷時における接合強度の低下が抑えられる。
前記樹脂の含有量は、銀ペースト全体を１００質量％とした時に０．１質量％以上３質量％以下の範囲内であってもよい。前記樹脂の含有量が０．１質量％未満であると接合層の機械的強度が向上しないおそれがあり、３質量％を超えると銀粉の焼結が妨げられ接合層の機械的強度が低下するおそれがある。前記樹脂の含有量は、銀ペーストを１００質量％とした時に、好ましくは０．２～２．５質量％の範囲内であってもよく、さらに好ましくは０．３～２．０質量％の範囲内であってもよい。
　前記溶媒としては、アルコール系溶媒、グリコール系溶媒、アセテート系溶媒、炭化水素系溶媒、およびそれらの混合物等が挙げられる。アルコール系溶媒には、α－テルピネオール、イソプロピルアルコール、エチルヘキサンジオール、およびそれらの混合物等があり、グリコール系溶媒には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、およびそれらの混合物等があり、アセテート系溶媒には、ブチルカルビトールアセテート等があり、炭化水素系溶媒としては、デカン、ドデカン、テトラデカン、およびそれらの混合物等がある。
　前記銀ペーストの製造方法の具体例を説明する。先ず、脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒を用意し、脂肪酸銀と脂肪族アミンと溶媒との合計量を１００質量％としたときに、例えば、脂肪酸銀が０．１質量％～４０質量％、脂肪族アミンが０．１質量％～６０質量％、溶媒が８０質量％以下の割合で混合する。脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒の混合割合を前記範囲内が望ましい理由は、混合液に沈殿等を生じることなく、本発明の効果を得られるからである。より好ましくは、脂肪酸銀と脂肪族アミンと溶媒との合計量を１００質量％としたときに、脂肪酸銀が２０質量％～３０質量％、脂肪族アミンが２０質量％～４０質量％、溶媒が４０質量％～６０質量％の割合で混合する。
　次に、前記混合物を３０℃～１００℃に加熱して５分間～１０時間撹拌して混合液を調製した後に、この混合液を室温（２５℃）まで下げる。これにより脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒の混合溶液（単に混合溶液という）を調製する。前記混合物の加熱温度及び加熱時間を前記範囲内とするのは、脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒を均一に混合するためである。必ずしも溶媒は必要とされない。例えば、脂肪族アミンが室温で液状の場合等には、溶媒を使用せず脂肪酸銀と脂肪族アミンとを混合して混合液を作製することもできる。
　次に、前記混合溶液と前記銀粉を混練した後、プラネタリー遊星撹拌機等にて撹拌し、更に３本ロールミル等にて混練することにより、銀ペーストを得る。前記銀ペーストを１００質量％としたとき、前記銀粉の含有量は５０質量％～９５質量％の範囲内、残部が前記混合溶液であってもよい。好ましくは、前記銀粉の含有量は８０質量％～９０質量％であってもよい。銀ペーストにおいて、前記銀粉の含有量が少ないと銀ペーストの粘度が低下してダレ等の塗布不良が生じやすくなるおそれがあり、高すぎると粘度が増大してハンドリング性が悪化するおそれがある。銀ペーストは前記溶媒を含まなくてもよい。銀ペーストは前記樹脂を含んでもよい。この場合、冷熱サイクル特性が向上する。
　前記混合溶液において、前記脂肪酸銀に対する前記脂肪族アミンのモル比、即ち、脂肪族アミンのモル量／脂肪酸銀のモル量は、１．５～３の範囲内とすることが好ましく、１．７～２．８の範囲内とすることが更に好ましい。このような混合溶液を用いて、銀ペーストを作製すると、混合溶液における脂肪酸銀に対する脂肪族アミンのモル比が、銀ペーストにおける脂肪酸銀に対する脂肪族アミンのモル比となる。
　前記銀ペーストを用いて接合体を作製する手順を説明する。先ず、互いに接合すべき第１部材と第２部材とを用意する。第１部材としては、例えば最表面に金メッキを施したＳｉウェーハが挙げられ、第２部材としては、例えば最表面に銀メッキを施したＣｕ板が挙げられる。但し、これらに限定はされない。
　次いで、第１部材及び／又は第２部材の表面に、前記銀ペーストを、例えば、メタルマスク法等により塗布して、所望の平面形状を有する銀ペースト層を形成する。次に、銀ペースト層を介して第１部材と第２部材を積層し、積層体を作製する。そして、この積層体を焼成することにより、即ち積層体を１２０℃～２８０℃の温度（加熱温度）に１０分間～２４０分間（加熱時間）加熱保持することにより、銀ペースト層中の第１銀粒子と第２銀粒子と第３銀粒子を焼結させて接合層を形成させ、第１部材と第２部材とがこの接合層を介して接合された接合体を作製する。
　前記積層体の加熱温度及び加熱時間を前記範囲内としたのは、１０分未満では焼結が進みにくくなるおそれがあり、２４０分を超えても接合特性に変化がなくコスト増となるという理由に基づく。前記積層体は、加圧することなく、加熱のみとすることが好ましい。これは、工程を簡略化してコストを低減するという理由に基づく。
　次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
　＜実施例１＞
　先ず、酢酸銀（脂肪酸銀）、アミノデカン（脂肪族アミン）及びブチルカルビトールアセテート（溶媒）を用意し、脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒の合計量を１００質量％としたとき、酢酸銀（脂肪酸銀）２２質量％、アミノデカン（脂肪族アミン）４１．３質量％、ブチルカルビトールアセテート（溶媒）３６．７質量％の割合で取り分け、これらをスターラーの撹拌子とともにガラス製の容器に入れた。そして、５０℃に加熱したホットプレートに前記容器を載せ、スターラーの撹拌子を３００ｒｐｍで回転させながら、１時間撹拌して混合液を調製した。次いで、この混合液が貯留された容器をホットプレートから降ろしてこの混合液の温度を室温まで下げた。これにより脂肪酸銀・脂肪族アミン混合溶液（以下、単に混合溶液と呼ぶ）を調製した。この混合溶液を実施例１とした。
　＜実施例２～１４及び比較例１～２＞
　実施例２～１４及び比較例１～２の混合溶液は、脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒として、表１に示す種類のものを用いるとともに、脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒を、表１に示すような割合でそれぞれ配合した。比較例１では脂肪酸銀を含まず、比較例２では脂肪族アミンを含まないため、混合溶液ではないけれども、本明細書では、便宜上、比較例１～２も混合溶液と呼ぶ。
　表１中の脂肪酸銀の種類の欄において、『Ａ１』は酢酸銀であり、『Ａ２』はシュウ酸銀であり、『Ａ３』はミリスチン酸銀である。表１中の脂肪族アミンの種類の欄において、『Ｂ１』はアミノデカンを示し、『Ｂ２』はヘキシルアミンを示し、『Ｂ３』はノニルアミンであり、『Ｂ４』はドデシルアミンである。さらに、表１中の溶媒の種類の欄において、『Ｃ１』はブチルカルビトールアセテートであり、『Ｃ２』はエチレングリコールであり、『Ｃ３』はテルピネオールであり、『Ｃ４』は２－エチル１，３－ヘキサンジオールである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　＜比較試験１及び評価＞
　実施例１～１４及び比較例１～２の混合溶液を撹拌しながら１３０℃に１０分間加熱した後、この混合溶液１ｇをシリコンウェーハ上に滴下し、２５℃の温度で減圧乾燥することにより、乾燥物が表面に付着したウェーハを作製した。そして、このウェーハの表面をＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察し、表面に付着した粒子を１０００個計数し、画像処理ソフト（Ｉｍａｇｅ－Ｊ（アメリカ国立衛生研究所：開発））を用いて、抽出した粒子（一次粒子）の投影面積を測定し、得られた投影面積から円相当径を算出し、これを一次粒子径とした。輪郭が視認できない箇所がある粒子については、円相当径を測定しなかった。得られた一次粒子径を、体積基準の粒径に変換し、その体積基準の粒径の平均値を乾燥物の平均粒径とした。前記乾燥物から銀粉が生じたものを『可』とし、乾燥物から銀粉が生じなかったもの、あるいは銀粉を測定できなかったものを『不可』と判定した。前記乾燥物の平均粒径と、判定結果を表２に示す。表２には、脂肪酸銀の種類と、脂肪族アミンの種類と溶媒の種類も示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から明らかなように、脂肪酸銀を含まない比較例１の混合溶液では、接合層の緻密化に寄与すると期待される銀を含まないため、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察時に銀粉の発生は見られず、判定結果は不可であった。
　脂肪族アミンを含まない比較例２の混合溶液では、均一な混合溶液が得られず、シリコンウェーハ上での乾燥物が塊となったため、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察で銀粉を測定することができず、判定結果は不可であった。これは、比較例２では、脂肪族アミンを含まないため、脂肪酸銀の分解が十分に進行しなかったためであると考えられる。
　これらに対し、脂肪酸銀及び脂肪族アミンを含む実施例１～１４の混合溶液では、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察時に平均粒径５０ｎｍ～１００ｎｍの銀粉の発生が見られ、判定結果は可であった。これは、実施例１～１４が脂肪酸銀及び脂肪族アミンを含むので、加熱により有機物が速やかに分解され、高活性な表面を露出させた銀ナノ粒子が容易に形成されたからであると推定される。
　＜実施例１５＞
　銀ペーストを１００質量％とするために、実施例１の混合溶液２５質量％と銀粉（第１～第３銀粒子の凝集体）７５質量％を混練した後、プラネタリー遊星撹拌機にて撹拌し、更に３本ロールミルにて混練した。これにより銀ペーストを得た。この銀ペーストを実施例１５とした。
　表５に示す、Ｎｏ．１の銀粉（第１～第３銀粒子の混合物／凝集体）は次のようにして調製した。先ず、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０がそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍである銀微粒子と、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０がそれぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍ及び５００ｎｍである銀微粒子とを用意した。銀微粒子のＤ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、銀微粒子の粒度分布曲線から求めた。銀微粒子の粒度分布曲線は、後述する動的光散乱法により測定した。用意したＤ１０、Ｄ５０及びＤ９０がそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍである銀微粒子（原料粉Ａ）と、Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０がそれぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍ及び５００ｎｍである銀微粒子（原料粉Ｂ）とを、質量比で１：３の割合にて混合し、銀微粒子混合物を得た。
　原料粉Ａ、Ｂは、次のようにして製造することができる。原料粉Ａは、例えば、硝酸銀とクエン酸と水酸化カリウムとを、硝酸銀中の銀イオンに対して等モル比（１：１：１）となるよう蒸留水中で混合して懸濁液を作製する。この懸濁液に、銀イオン１に対して２のモル比で酢酸ヒドラジンを加える。酢酸ヒドラジンを加えた懸濁液を４０℃の液温で反応させ、得られた反応液スラリーから洗浄、回収、乾燥することで得ることができる。
　原料粉Ｂは、例えば、硝酸銀水溶液とアンモニア水と蒸留水を混合し銀濃度が２２ｇ／Ｌである銀アンミン水溶液を調製し、この銀アンミン水溶液に還元液を加え、生じた銀粒子スラリーを洗浄、回収、乾燥することで得られる。還元液は、ヒドロキノン水溶液と水酸化ナトリウム水溶液との混合液であり、酸化還元電位がＡｇ／ＡｇＣｌ基準で－３８０ｍＶとなるように調整された液である。
　＜動的光散乱法による粒度分布曲線の測定方法＞
　先ず、銀微粒子０．１ｇをイオン交換水２０ｇ中に投入し、２５ｋＨｚの超音波を５分間照射して、イオン交換水に銀微粒子を分散させた。次に、得られた銀微粒子の分散液を、動的光散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所、商品名「ＬＢ－５５０」）用の観察セルに注ぎ、この装置の手順に従い粒度分布を測定した。
　前記銀微粒子混合物とアスコルビン酸ナトリウム（有機還元剤）と水とを、質量比で１０：１：８９となる割合にて混合し、銀微粒子スラリーを調製した。この銀微粒子スラリーを、９０℃の温度で３時間加熱して、銀微粒子を還元処理した。次いで、銀微粒子スラリーを室温まで放冷した後、遠心分離器を用いて、固形物を分離して回収した。この回収した固形物（含水銀微粒子凝集体）を数回水洗し、乾燥して、表５に示す、Ｎｏ．１の銀粉（第１～第３銀粒子の混合物）を得た。
　Ｎｏ．２の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で１：１としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．２の銀粉の調製方法で得た。
　Ｎｏ．３の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で１：５としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．３の銀粉の調製方法で得た。
Ｎｏ．４の銀粉は、以下の方法で得た。５０℃に保持した１２００ｇのイオン交換水に、５０℃に保持した９００ｇの硝酸銀水溶液と、５０℃に保持した６００ｇのクエン酸ナトリウム水溶液とを、５分かけて同時に滴下し、クエン酸銀スラリーを調製した。イオン交換水中に硝酸銀水溶液とクエン酸ナトリウム水溶液を同時に滴下している間、イオン交換水を撹拌し続けた。また、硝酸銀水溶液中の硝酸銀の濃度は６６質量％であり、クエン酸ナトリウム水溶液中のクエン酸の濃度は５６質量％であった。次いで、５０℃に保持したクエン酸銀スラリーに、５０℃に保持した３００ｇのギ酸ナトリウム水溶液を３０分かけて滴下して混合スラリーを得た。このギ酸ナトリウム水溶液中のギ酸の濃度は５８質量％であった。
　次に、上記混合スラリーに所定の熱処理を行った。具体的には、上記混合スラリーを昇温速度１０℃／時間で最高温度６０℃まで昇温し、６０℃（最高温度）で３０分保持した後に、６０分間かけて２０℃まで温度を下げた。これにより銀粉スラリーを得た。上記銀粉スラリーを遠心分離機に入れて１０００ｒｐｍの回転速度で１０分間回転させた。これにより銀粉スラリー中の液層が除去され、脱水及び脱塩された銀粉スラリーを得た。この脱水及び脱塩された銀粉スラリーを凍結乾燥法により３０時間乾燥することで、Ｎｏ．４の銀粉を得た。
Ｎｏ．５の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で２：１としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．５の銀粉の調製方法で得た。
　Ｎｏ．６の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で１：６としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．６の銀粉の調製方法で得た。
Ｎｏ．７の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で２：９としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．７の銀粉の調製方法で得た。
Ｎｏ．８の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子のみを用いたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．８の銀粉の調製方法で得た。
Ｎｏ．９の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で４：３としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．９の銀粉の調製方法で得た。
Ｎｏ．１０の銀粉は、上述した、Ｎｏ．１の銀粉の調製方法において、Ｄ５０が５０ｎｍの銀粒子と、Ｄ５０が３００ｎｍの銀粒子との混合割合を、質量比で１：９としたこと以外は、同様にして、Ｎｏ．１０の銀粉の調製方法で得た。
　得られた銀粉について、銀粉を構成している銀粒子（第１～第３銀粒子）の粒度分布、及び銀粉に含まれている有機物の含有量を次の方法によりそれぞれ測定した。
　＜銀粒子の粒度分布の測定方法＞
　ＳＥＭを用いて、第１～第３銀粒子が凝集した凝集体（二次粒子）５００個の画像を取得し、各凝集体に含まれている銀粒子（一次粒子）の粒径を測定した。このときＳＥＭの装置倍率は１００，０００倍とした。５００個の凝集体のＳＥＭ画像から、銀粒子（一次粒子）の全体の輪郭が視認できる銀粒子を抽出した。次いで、画像処理ソフト（Ｉｍａｇｅ－Ｊ）を用いて、抽出した銀粒子の投影面積を測定し、得られた投影面積から円相当径を算出し、これを銀粒子の粒径とした。輪郭が視認できない箇所がある銀粒子については、円相当径を測定しなかった。得られた銀粒子の粒径を、体積基準の粒径に変換し、その体積基準の粒径の粒度分布を求めた。その結果を表５に示す。
　＜有機物の含有量の測定方法＞
　銀粉を量り取り、大気中にて１５０℃の温度で３０分間加熱した。加熱後、室温まで放冷し、銀粉の質量を測定した。次の式（１）より、有機物の含有量を算出した。この結果、有機物の含有量は０．２質量％であった。
　　有機物の含有量（質量％）＝｛（Ａ－Ｂ）／Ａ｝×１００　……（１）
　但し、式（１）中のＡは加熱前の銀粉の質量であり、Ｂは加熱後の銀粉の質量である。得られた結果を表５に示す。
　＜実施例１６～３３及び比較例３～８＞
　実施例１６～３３及び比較例３～８の銀ペーストは、混合溶液として、表１に示す脂肪酸銀、脂肪族アミン及び溶媒種類のものを用いるとともに、銀粉、混合溶液を、表３及び表４に示すような割合でそれぞれ配合し、表３及び表４に示した配合以外は、実施例１５と同様にして、銀ペーストを調製した。実施例１５～３３及び比較例３～８で用いた混合溶液を表３及び表４中の混合溶液の種類の欄に実施例１～１４のいずれかで示した。実施例１５～３３及び比較例３～８では、表５に示す粒度分布の異なる１２種類（Ｎｏ．１～Ｎｏ．１０）の銀粉末のいずれかを配合しており、実施例１５～３３及び比較例３～８で用いた銀粉末を表３及び表４中の銀粉末の種類の欄にＮｏ．１～Ｎｏ．１０のいずれかで示した。
　＜比較試験２及び評価＞
（１）　実施例１５～３３及び比較例３～８の銀ペーストを用いて接合体をそれぞれ作製した。具体的には、先ず、第１部材として、最表面に金メッキを施した２．５ｍｍ角のＳｉウェーハ（厚さ：２００μｍ）を用意し、第２部材として、最表面に銀メッキを施した２０ｍｍ角のＣｕ板（厚さ：１ｍｍ）を用意した。次いで、第２部材の表面に、前記銀ペーストを、メタルマスク法により塗布して銀ペースト層を形成した。次に、銀ペースト層上に第１部材を載せて、積層体を作製した。さらに、この積層体を焼成することにより、即ち積層体を１５０℃の温度（加熱温度）に６０分間（加熱時間）保持することにより、第１部材と第２部材とを接合層を介して接合した。これらの接合体を実施例１５～３３及び比較例３～８の接合体とした。前記積層体は、加圧しなかった。これらの接合体の接合強度を次のように測定した。
（１－１）　接合体の接合強度の測定方法
　実施例１５～３３及び比較例３～８の接合体の接合強度は、せん断強度評価試験機を用いて測定した。具体的には、接合強度の測定は、接合体の第１部材（Ｃｕ板）を水平に固定し、接合層の表面（上面）から５０μｍ上方の位置でシェアツールにより、第２部材（Ｓｉウェーハ）を横から水平方向に押して、第２部材が破断されたときの強度を測定することによって行った。シェアツールの移動速度は０．１ｍｍ／秒とした。１条件に付き３回強度試験を行い、それらの算術平均値を接合強度の測定値とした。
（２）　実施例１５～３３及び比較例３～８の銀ペーストを用いて銀焼成膜をそれぞれ作製した。具体的には、先ず、実施例１５～３３及び比較例３～８の銀ペーストを透明ガラス板上にメタルマスク版（孔サイズ：縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ、厚さ：５０μｍ）により塗布して銀ペースト層をそれぞれ形成した。次に、透明ガラス基板上に形成された銀ペースト層を焼成して、即ちこの銀ペースト層を１５０℃の温度（加熱温度）に６０分間（加熱時間）保持して、銀焼成膜を作製した。これらの銀焼成膜を実施例１５～３３及び比較例３～８の銀焼成膜とした。これらの銀焼成膜の熱拡散率を次のように測定した。
（２－１）　銀焼成膜の熱拡散率の測定方法
　実施例１５～３３及び比較例３～８の銀焼成膜についてレーザフラッシュ法により熱拡散率を測定した。具体的には、先ず、銀焼成膜の表面にパルスレーザを均一に照射して瞬間的に加熱したときの銀焼成膜の裏面の温度変化Ｔ(t)を測定した。次に、銀焼成膜の裏面の温度変化Ｔ(t)は１次元の熱伝導方程式で表されるので、銀焼成膜の裏面の温度変化Ｔ(t)を縦軸にとりかつ経過時間ｔを横軸にとることにより（Ｔ(t)－ｔ）曲線が得られ、この曲線から最大上昇温度ＴＭＡＸの半分の温度に達するのに要した時間ｔ０．５を求めた。そして、銀焼成膜の熱拡散率αを次の式（２）により求めた。
　　　　　　α　＝　１．３７０×Ｌ２／（π２×ｔ０．５）　　……（２）
　前記式（２）中のＬは銀焼成膜の厚さである。これらの結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表４から明らかなように、脂肪酸銀を添加しなかった比較例３の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は２０ＭＰａと小さく、銀焼成膜の熱拡散率は７８Ｗ／ｍＫと小さかった。脂肪族アミンを添加しなかった比較例４では、銀ペーストにならなかったため、接合体及び銀焼成膜を作製できなかった。これらに対し、脂肪酸銀として酢酸銀、シュウ酸銀又はミリスチン酸銀を添加し、脂肪族アミンとしてアミノデカン、ヘキシルアミン又はノニルアミンを添加した実施例１５～３３の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は３８ＭＰａ～５０ＭＰａと大きくなり、銀焼成膜の熱拡散率は１２２Ｗ／ｍＫ～１５５Ｗ／ｍＫと大きくなった。
　粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である銀粒子が１体積％と少ない、比較例５の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は２０ＭＰａと小さく、銀焼成膜の熱拡散率は１１９Ｗ／ｍＫと小さかった。
　粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である銀粒子が５０体積％と多く、粒径が５０ｎｍ未満である銀粒子が１０体積％と多い、比較例６の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は１０ＭＰａと小さく、銀焼成膜の熱拡散率は８０Ｗ／ｍＫと小さかった。
　粒径が５０ｎｍ未満である銀粒子が７体積％と多い、比較例７の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は１５ＭＰａと小さく、銀焼成膜の熱拡散率は９０Ｗ／ｍＫと小さかった。
　銀粉として粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である銀粒子を１００体積％含む比較例８の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は１１ＭＰａと小さかった。
　表３から明らかなように、銀粉として、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含む実施例１５～３３の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の接合強度は３８ＭＰａ～５０ＭＰａと大きくなり、銀焼成膜の熱拡散率は１２２Ｗ／ｍＫ～１５５Ｗ／ｍＫと大きくなった。
　＜比較試験３及び評価＞
　実施例１５～１７及び比較例３の接合体について、接合層の断面をＦＥ－ＳＥＭにより観察した。その結果を図１～図４に示す。
　図１～図４から明らかなように、脂肪酸銀を添加しなかった比較例３（図４）の銀ペーストを用いて作製した接合体では、接合層中に多くの空乏（ボイド）が存在していたのに対し、脂肪酸銀として酢酸銀を添加した実施例１５～１７（図１～図３）の銀ペーストを用いて作製した接合体では、接合層中の空乏が少なくなった。実施例１５～１７の接合体において、銀粉の含有割合を７５質量％（実施例１５：図１）から８０質量％（実施例１６：図２）に増やし更に８５質量％（実施例１７：図３）に増やしていくと、接合層中の空乏が少なくなっていくことが分かった。
　＜実施例３４及び３５＞
　実施例３４及び３５の銀ペーストは、混合溶液及び樹脂として、表１及び表６に示す種類のものを用いるとともに、銀粉、混合溶液及び樹脂を、表６に示すような割合でそれぞれ配合した。樹脂は、混合溶液と銀粉を混合する際に添加し、これらとともに混錬した。表６に示した配合以外は、実施例１５と同様にして、銀ペーストを調製した。
　＜比較試験４及び評価＞
　実施例１７、実施例３４及び実施例３５の銀ペーストを用いて、比較試験２と同様に接合体をそれぞれ作製し、これらの接合体の接合強度を比較試験２と同様に測定した。また、実施例１７、実施例３４及び実施例３５の銀ペーストを用いて、比較試験２と同様に銀焼成膜をそれぞれ作製し、これらの銀焼成膜の熱拡散率を比較試験２と同様に測定した。さらに、実施例１７、実施例３４及び実施例３５の接合体について冷熱サイクル試験を行った後に、これらの接合体の接合強度を比較試験２と同様に測定した。前記冷熱サイクル試験は、気相法を用いて、－４０℃に２０分保持した後に、＋１５０℃に２０分保持する操作を１０００サイクル繰返すことにより行った。その結果を表６及び表７に示す。
　表６中の樹脂の種類の欄において、『Ｄ１』はエポキシ系熱硬化性樹脂組成物を示し、『Ｄ２』はシリコーン系熱硬化性樹脂組成物を示す（いずれも常温で液状、硬化温度：１４０～１５０℃）。表６中の銀粉末の種類の欄において、No.1は表５のNo.1の銀粉末であり、混合溶液は表１の実施例１の混合溶液である。さらに、表６において、樹脂の配合割合は銀ペーストを１００質量％としたときの割合である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表６及び表７から明らかなように、樹脂を添加しなかった実施例１７の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の初期（冷熱サイクル試験前）の接合強度は５０ＭＰａと大きく、銀焼成膜の熱拡散率は１５０Ｗ／ｍＫと大きかったけれども、接合体の冷熱サイクル試験後の接合強度は２２ＭＰａと小さくなった。これに対し、樹脂としてエポキシ系熱硬化性樹脂組成物を添加した実施例３４の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の初期（冷熱サイクル試験前）の接合強度は３５ＭＰａと実施例１７より小さくなり、銀焼成膜の熱拡散率は１００Ｗ／ｍＫと実施例１７より小さくなったけれども、接合体の冷熱サイクル試験後の接合強度は３６ＭＰａと実施例１７より大きくなった。
　樹脂としてシリコーン系熱硬化性樹脂組成物を添加した実施例３５の銀ペーストを用いて接合体及び銀焼成膜を作製した場合、接合体の初期（冷熱サイクル試験前）の接合強度は２５ＭＰａと実施例１７より小さくなり、銀焼成膜の熱拡散率は１０１Ｗ／ｍＫと実施例１７より小さくなったけれども、接合体の冷熱サイクル試験後の接合強度は２３ＭＰａと実施例１７より大きくなった。
　本発明の銀ペーストは、回路基板と高出力ＬＥＤ素子とを接合する接合層や、回路基板とパワー半導体チップとを接合する接合層等に利用できるから、産業上の利用が可能である。

Claims (5)

  1. 　銀粉と脂肪酸銀と脂肪族アミンとを含む銀ペーストであって、
    　前記銀粉は、粒径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ未満である第１銀粒子を５５体積％以上９５体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である第２銀粒子を５体積％以上４０体積％以下の範囲で含み、粒径が５０ｎｍ未満である第３銀粒子を５体積％以下の範囲で含むことを特徴とする銀ペースト。
  2. 　樹脂を更に含む請求項１記載の銀ペースト。
  3. 　溶媒を更に含む請求項１記載の銀ペースト。
  4. 　前記脂肪酸銀の少なくとも一部と前記脂肪族アミンの少なくとも一部とが反応して形成される錯体を含む請求項１記載の銀ペースト。
  5. 　第１部材と第２部材とを用意する工程と、
    　前記第１部材及び／又は前記第２部材の表面に請求項１ないし４いずれか１項に記載の銀ペーストを塗布して銀ペースト層を形成する工程と、
    　前記第１部材と前記第２部材とを前記銀ペースト層を介して積層して積層体を作製する工程と、
    　前記積層体を加熱することにより前記銀ペースト層中の第１銀粒子と第２銀粒子と第３銀粒子を焼結させて接合層を形成させ、前記第１部材と前記第２部材とが接合層を介して接合された接合体を作製する工程とを含む接合体の製造方法。
PCT/JP2019/024989 2018-06-25 2019-06-24 銀ペースト及び接合体の製造方法 WO2020004342A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980016581.9A CN111801183B (zh) 2018-06-25 2019-06-24 银膏及接合体的制造方法
EP19824871.8A EP3812063A4 (en) 2018-06-25 2019-06-24 SILVER PASTE AND PROCESS FOR MAKING COMPOSITES

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018119463 2018-06-25
JP2018-119463 2018-06-25
JP2019-065363 2019-03-29
JP2019065363 2019-03-29
JP2019114214A JP6737381B1 (ja) 2018-06-25 2019-06-20 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
JP2019-114214 2019-06-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020004342A1 true WO2020004342A1 (ja) 2020-01-02

Family

ID=68985059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/024989 WO2020004342A1 (ja) 2018-06-25 2019-06-24 銀ペースト及び接合体の製造方法

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP3812063A4 (ja)
WO (1) WO2020004342A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022211008A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 三菱マテリアル株式会社 接合用金属ペースト、および、接合体の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010505230A (ja) * 2007-01-30 2010-02-18 イグザクス インコーポレイテッド 導電膜形成のための金属ペースト
WO2012133767A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 ナミックス株式会社 熱伝導性組成物及び熱伝導体
JP2015508434A (ja) * 2011-12-23 2015-03-19 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ 導電性銀構造を形成するためのインク組成物
JP2016148089A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 三菱マテリアル株式会社 銀粉及びペースト状組成物並びに銀粉の製造方法
JP2018119463A (ja) 2017-01-25 2018-08-02 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の排気ガス浄化装置
JP2019065363A (ja) 2017-10-03 2019-04-25 東洋製罐グループホールディングス株式会社 金属銅微粒子及びその製造方法
JP2019114214A (ja) 2017-12-21 2019-07-11 株式会社柊ソフト開発 介護施設におけるｒｆｉｄを利用した介護士作業記録の自動転記

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010505230A (ja) * 2007-01-30 2010-02-18 イグザクス インコーポレイテッド 導電膜形成のための金属ペースト
WO2012133767A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 ナミックス株式会社 熱伝導性組成物及び熱伝導体
JP5872545B2 (ja) 2011-03-31 2016-03-01 ナミックス株式会社 熱伝導性組成物及び熱伝導体の製造方法
JP2015508434A (ja) * 2011-12-23 2015-03-19 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ 導電性銀構造を形成するためのインク組成物
JP2016148089A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 三菱マテリアル株式会社 銀粉及びペースト状組成物並びに銀粉の製造方法
JP2018119463A (ja) 2017-01-25 2018-08-02 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の排気ガス浄化装置
JP2019065363A (ja) 2017-10-03 2019-04-25 東洋製罐グループホールディングス株式会社 金属銅微粒子及びその製造方法
JP2019114214A (ja) 2017-12-21 2019-07-11 株式会社柊ソフト開発 介護施設におけるｒｆｉｄを利用した介護士作業記録の自動転記

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022211008A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 三菱マテリアル株式会社 接合用金属ペースト、および、接合体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3812063A1 (en) 2021-04-28
EP3812063A4 (en) 2022-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3508286B1 (en) Silver-coated alloy powder, electrically conductive paste, electronic part, and electric device
KR20180004853A (ko) 접합재료, 접합체, 및 접합방법
WO2015060245A1 (ja) 銀ペースト及びそれを用いた半導体装置、並びに銀ペーストの製造方法
WO2014175417A1 (ja) 金属ナノ粒子分散体、金属ナノ粒子分散体の製造方法および接合方法
JP6842836B2 (ja) 銅ペースト及び銅の焼結体の製造方法
WO2015060173A1 (ja) 銀ペースト及びそれを用いた半導体装置
JP2019087396A (ja) 銀ペースト、接合体及び接合体の製造方法
JP6072117B2 (ja) 銅微粒子ペースト及びその製造方法
JP6737381B1 (ja) 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
WO2021125161A1 (ja) 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
JP6923063B2 (ja) 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
WO2020004342A1 (ja) 銀ペースト及び接合体の製造方法
JP7317397B2 (ja) 酸化銅ペースト及び電子部品の製造方法
JP6947280B2 (ja) 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
JP6958434B2 (ja) 金属粒子凝集体及びその製造方法並びにペースト状金属粒子凝集体組成物及びこれを用いた接合体の製造方法
JP6870436B2 (ja) 金属粒子凝集体とその製造方法、ペースト状金属粒子組成物および接合体の製造方法
WO2019142633A1 (ja) 接合用組成物
TWI789698B (zh) 氧化銅糊料及電子零件之製造方法
WO2021125336A1 (ja) 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法
WO2021060126A1 (ja) 接合材、接合材の製造方法、接合方法及び半導体装置
JP2022003161A (ja) 接合材、接合材の製造方法及び接合方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19824871

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019824871

Country of ref document: EP

Effective date: 20210125