WO2022137514A1 - めっき装置、めっき装置の制御方法 - Google Patents

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WO2022137514A1
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plating
substrate
time
rotation
rotation speed
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PCT/JP2020/048777
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泰之 増田
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株式会社荏原製作所
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    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation

Definitions

  • the present invention relates to a plating device and a control method for the plating device.
  • a cup-type electrolytic plating device is known as an example of a plating device.
  • a substrate for example, a semiconductor wafer held in a substrate holder with the surface to be plated facing downward is immersed in a plating solution, and a voltage is applied between the substrate and the anode to apply a substrate.
  • a conductive film (plating film) is deposited on the surface of the above.
  • the substrate holder and the substrate are rotated to form a liquid flow near the substrate surface, and a sufficient amount of ions are uniformly supplied to the substrate.
  • a paddle Patent Document 1 that reciprocates in parallel with the substrate surface may be installed.
  • the conductive film When forming a liquid flow due to the rotation of the substrate, the conductive film may tilt in the direction of the liquid flow. This is due to the direction of convection of the convection layer of the plating solution in the upper layer in the resist opening on the substrate, and the convection layer becomes thicker and the diffusion layer in the lower layer becomes thinner on the downstream side in the direction of the liquid flow. As a result, the amount of plating that is inversely proportional to the thickness of the diffusion layer increases on the downstream side.
  • the effect of electric field shielding may increase on a specific location on the board due to the frequency of the reciprocating motion of the paddle and the rotation speed (frequency) per unit time of the board.
  • the frequency of the reciprocating motion of the paddle is an integral multiple of the frequency of the board
  • the beam of the paddle always stops at the same place on the board when stopped at both ends of the reciprocating motion of the paddle, and the electric field at that place / position.
  • the effect of shielding becomes particularly large, and the uniformity of the plating film thickness may decrease.
  • the present invention has been made in view of the above problems.
  • One of the purposes is to suppress the adverse effect on the uniformity of the plating film thickness due to the liquid flow due to the rotation of the substrate. Further, one of the purposes is to suppress the adverse effect on the uniformity of the plating film thickness caused by the electric field shielding of the paddle. Further, one of the purposes is to suppress the adverse effect on the uniformity of the plating film thickness due to the liquid flow due to the rotation of the substrate and the electric field shielding of the paddle.
  • a plating apparatus for plating a substrate, and the plating tank, the anode arranged in the plating tank, and the substrate are opposite to the first direction and the first direction.
  • the rotation mechanism for rotating in the second direction and the time for rotating the substrate in the first direction are equal to the time for rotating in the second direction, or the rotation speed in the first direction is integrated with time.
  • a plating apparatus including a control device for controlling the rotation mechanism so that the value obtained is equal to the value obtained by integrating the rotation speed in the second direction with time.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment.
  • the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, and a transfer device. It includes 700 and a control module 800.
  • the load port 100 is a module for carrying in a substrate stored in a cassette such as FOUP (not shown in the plating apparatus 1000) or for carrying out the substrate from the plating apparatus 1000 to the cassette.
  • the four load ports 100 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary.
  • the transport robot 110 is a robot for transporting the substrate, and is configured to transfer the substrate between the load port 100, the aligner 120, and the transport device 700. When the transfer robot 110 and the transfer device 700 transfer the substrate between the transfer robot 110 and the transfer device 700, the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrate via a temporary stand (not shown).
  • the aligner 120 is a module for aligning the positions of the orientation flat and the notch of the substrate in a predetermined direction.
  • the two aligners 120 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary.
  • the pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the surface of the substrate with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water.
  • the pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet treatment that facilitates supply of the plating liquid to the inside of the pattern by replacing the treatment liquid inside the pattern with the plating liquid at the time of plating.
  • the two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.
  • the pre-soak module 300 cleans the surface of the plating base by, for example, etching and removing an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of the seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid. Alternatively, it is configured to be subjected to a pre-soak treatment that activates it.
  • the two pre-soak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-soak modules 300 are arbitrary.
  • the plating module 400 applies a plating process to the substrate. In the present embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged three in the vertical direction and four in the horizontal direction, and a total of 24 plating modules 400 are provided. However, the plating module 400 is provided. The number and arrangement of are arbitrary.
  • the cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process.
  • the two cleaning modules 500 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the cleaning modules 500 are arbitrary.
  • the spin rinse dryer 600 is a module for rotating the substrate after the cleaning treatment at high speed to dry it.
  • two spin rinse dryers are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers are arbitrary.
  • the transport device 700 is a device for transporting a substrate between a plurality of modules in the plating device 1000.
  • the control module 800 is configured to control a plurality of modules of the plating apparatus 1000, and can be configured from a general computer or a dedicated computer having an input / output interface with an operator, for example.
  • the board stored in the cassette is carried into the load port 100.
  • the transfer robot 110 takes out the board from the cassette of the load port 100 and transfers the board to the aligner 120.
  • the aligner 120 aligns the orientation flat, the notch, and the like of the substrate in a predetermined direction.
  • the transfer robot 110 transfers the substrate oriented by the aligner 120 to the transfer device 700.
  • the transfer device 700 transfers the substrate received from the transfer robot 110 to the pre-wet module 200.
  • the pre-wet module 200 applies a pre-wet treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-wet-treated substrate to the pre-soak module 300.
  • the pre-soak module 300 applies a pre-soak treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-soaked substrate to the plating module 400.
  • the plating module 400 applies a plating process to the substrate.
  • the transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500.
  • the cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate.
  • the transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600. In the spin rinse dryer 600, the substrate is dried.
  • the transfer device 700 transfers the dried substrate to the transfer robot 110.
  • the transfer robot 110 transfers the board received from the transfer device 700 to the cassette of the load port 100. Finally, the cassette containing the board is carried out from the load port 100.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of a plating module according to this embodiment.
  • the plating module 400 according to the present embodiment is a so-called face-down type or cup type plating module.
  • the plating solution may be, for example, a copper sulfate solution, and the plating film may be a copper film.
  • the plating film may be any metal that can be plated, and the plating solution can be selected according to the type of the plating film.
  • the plating module 400 includes a plating tank 401, a substrate holder (board holder) 403, and a plating solution storage tank 404.
  • the substrate holder 403 is configured to hold a substrate 402 such as a wafer with its surface to be plated facing down.
  • the plating module 400 has a motor 411 that rotates the substrate holder 403 in the circumferential direction.
  • the motor 411 receives electric power from a power source (not shown).
  • the motor 411 is controlled by the control module 800 and controls the rotation of the substrate holder 403 and the substrate 402 held by the substrate holder 403.
  • the control module 800 controls the rotation speed (also referred to as frequency and rotation speed) of the substrate 402 per unit time by controlling the rotation of the motor 411.
  • the anode 410 is arranged so as to face the substrate 402.
  • the plating module 400 further has a plating solution receiving tank 408.
  • the plating solution in the plating solution storage tank 404 is supplied into the plating tank 401 from the bottom of the plating solution tank 401 through the filter 406 and the plating solution supply pipe 407 by the pump 405.
  • the plating liquid overflowing from the plating tank 401 is received by the plating liquid receiving tank 408 and returns to the plating liquid storage tank 404.
  • the plating module 400 further has a power supply 409 connected to the substrate 402 and the anode 410. While the motor 411 rotates the substrate holder 403, the power supply 409 applies a predetermined voltage between the anode 410 and the anode 410, so that a plating current flows between the anode 410 and the substrate 402, and the substrate 402 A plating film is formed on the surface to be plated.
  • a plate 10 for adjusting an electric field having a plurality of holes is arranged between the substrate 402 and the anode 410.
  • a paddle 412 is arranged between the substrate 402 and the plate 10.
  • the paddle 412 is driven by the drive mechanism 413 and reciprocates in parallel with the substrate 402 to agitate the plating solution and form a stronger liquid flow on the surface of the substrate 402.
  • the drive mechanism 413 includes a motor 413a that receives power from a power source (not shown), a rotation linear motion conversion mechanism 413b such as a ball screw that converts the rotation of the motor 413a into linear motion, and a rotation linear motion conversion mechanism 413b and a paddle 412. It has a shaft 413c that is connected and transmits the power of the rotary linear motion conversion mechanism 413b to the paddle 412.
  • the control module 800 controls the speed of the reciprocating motion of the paddle 412 by controlling the rotation of the motor 413a.
  • FIG. 13 is a schematic view illustrating the influence of the flow direction of the plating solution on the plating film.
  • a seed layer is provided on the surface of the substrate 402.
  • the plating solution flows in the unidirectional direction indicated by the arrow B near the surface of the substrate 402, and the unidirectional vortex convection indicated by the spiral arrow B'in the opening 402b of the resist 402a.
  • a convection layer Q1 of the plating solution is formed in the opening 402b by this convection, and a diffusion layer Q2 of the plating solution is formed under the convection layer Q1 (upper view of FIG. 13).
  • the diffusion layer Q2 copper ions (Cu 2+ ) are diffused and copper plating (Cu) is deposited on the seed layer of the substrate 402 exposed on the bottom surface of the opening 402b (lower view of FIG. 13).
  • the diffusion layer Q2 is thin on the downstream side of the liquid flow direction B (upstream side of the substrate rotation direction A) due to the convection of the plating solution in the convection layer Q1, and is thin on the upstream side of the liquid flow direction B (downstream of the substrate rotation direction A). It gets thicker on the side).
  • the precipitation rate of the plating in the opening 402b is determined by the amount of copper ions supplied from the convection zone Q1 having a constant copper ion concentration to the plating surface having a low (or almost zero) copper ion concentration.
  • the amount of copper ions supplied to the plating surface is such that the thickness of the diffusion layer Q2 is thin (the distance from the boundary between the convection layer Q1 and the diffusion layer Q2 to the plating surface). Is smaller), the more.
  • the precipitation rate of plating in the opening 402b is inversely proportional to the thickness of the diffusion layer Q2
  • plating is performed on the downstream side of the liquid flow direction B (upstream side of the substrate rotation direction A) as shown in the lower part of the figure.
  • the film is thick, and the plating film is thinly formed on the upstream side in the liquid flow direction B (downstream side in the substrate rotation direction A). In this way, the direction of the liquid flow due to the rotation of the substrate may affect the uniformity of the plating film thickness.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing the positional relationship between the paddle and the substrate when the frequency of the reciprocating motion of the paddle 412 is an integral multiple of the frequency of rotation of the substrate 402.
  • the initial state of the substrate 402 and the paddle 412 is shown on the left side
  • the state of the substrate 402 and the paddle 412 after one rotation (one cycle) of the substrate 402 is shown on the right side.
  • the frequency of the reciprocating motion of the paddle 412 is N times the frequency of the rotation of the substrate 402
  • the paddle 412 reciprocates N times during one cycle in which the substrate 402 makes one rotation
  • the paddle 412 reciprocates on the substrate 402. Indicates that it will return to the same position.
  • the horizontal axis represents time
  • the vertical axis represents the positions of the substrate 402 and the paddle 412.
  • the curve W shows the time change of the position of the position of the substrate 402
  • the curve P shows the time change of the position of the position of the paddle 412 (for example, the leftmost beam).
  • the apex of the curve P indicates the position where the paddle 412 stops at the left and right ends.
  • the stop positions at the left and right ends of the paddle 412 always overlap with a specific position on the substrate 402, and the paddle 412 always stops at the same position on the substrate 402. That is, if the frequency of the reciprocating motion of the paddle 412 is an integral multiple of the frequency of rotation of the substrate 402, the beam of the paddle 412 always stops at the same place on the substrate 402 when the left and right ends of the paddle 412 stop. As a result, the effect of electric field shielding becomes particularly large at the location of the substrate 402, which may affect the uniformity of the plating film thickness.
  • the substrate 402 is rotated forward and inverted so that the time for rotating the substrate 402 in the forward rotation direction RF and the time for rotating the substrate 402 in the reverse rotation direction RR are equal to each other.
  • the rotation of the substrate 402 (motor 411) is controlled so that the value obtained by integrating the rotation speed in the forward rotation direction RF with time and the value obtained by integrating the rotation speed in the reverse rotation direction RR with time are equal.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating control of the substrate rotation speed of the present embodiment.
  • the vertical axis represents the rotation speed V of the substrate 402
  • the horizontal axis represents the time t.
  • Sa is an integrated value obtained by integrating the velocity V in the normal rotation direction RF with time (the area of the velocity V in the normal rotation direction RF in the Vt plane).
  • Sb is an integral value obtained by integrating the velocity V in the inversion direction RR over time (the area of the velocity V in the inversion direction RR in the Vt plane).
  • the plating time / period Tt is the actual plating time / period T or the actual plating time / period T in which the plating current is applied to actually perform the plating, and the substrate is subjected to the plating current before and / or after the plating.
  • Time / period to rotate It means the combined time / period of TS1 and / or TS2.
  • the plating current is not always flowed throughout the entire period, and the plating current is flowed at a required timing according to the process.
  • the rotation of the substrate 402 is controlled so that the integrated value Sa obtained by integrating the velocity V in the forward rotation direction RF with time and the integrated value Sb obtained by integrating the velocity V in the inversion direction RR with time are equal. do.
  • the forward rotation direction RF and the reverse rotation direction RR are rotated once is shown, but the forward rotation direction RF and the reverse rotation direction RR may be rotated a plurality of times.
  • the integrated value obtained by integrating the velocity V in the forward rotation direction RF over time (the total of the integrated values of each time) and the velocity V in the inversion direction RR in the entire rotation of the forward rotation direction RF and the reverse rotation direction RR are calculated.
  • the curved shape (changed shape) of the rotation speed at each round may be the same or different from each other. Further, in each rotation, the change shape of the rotation speed at the time of normal rotation may be the same as or different from the change shape of the rotation speed at the time of reverse rotation.
  • the time for rotating in the normal rotation direction RF and the rotation in the reverse rotation direction RR may be controlled so that it is equal to the time to do.
  • the forward rotation direction RF and the reverse rotation direction RR are rotated multiple times, if the change shape of the rotation speed at the normal rotation direction RF and the change shape of the rotation direction at the reverse rotation direction RR are the same each time.
  • the time of rotation in the forward rotation direction RF and the time of rotation in the reverse rotation direction RR may be controlled to be equal to each other.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating control of the plating film by a combination of forward rotation and reverse rotation of the substrate.
  • the influence of the rotation direction of the substrate 402 is canceled out in the plating time Tt (total plating time) of the substrate 402.
  • Tt total plating time
  • the plating film is formed thick on the upstream side of the reversal direction RR (downstream side of the normal rotation direction RF) and thin on the downstream side of the reversal direction RR (upstream side of the normal rotation direction RF). Will be done. Since the degree of non-uniformity of the plating film thickness is proportional to the time integration value of the rotation speed V during normal rotation and inversion over the plating time Tt, the time integration of the rotation speed V during normal rotation and inversion over the plating time Tt.
  • the non-uniformity of the film thickness caused by the liquid flow due to the rotation of the substrate can be canceled out from each other, and the thickness of the plating film formed at the total plating time Tt can be made uniform.
  • the difference in the thickness of the diffusion layer Q2 that is, the plating growth rate
  • Switching should be repeated multiple times as often as possible.
  • the integrated value Sa at the time of normal rotation and the integrated value Sb at the time of reversal are made equal to each other, and the rotation speed V is a plurality of different rotations in the rotation in each direction of the forward rotation and the reversal at an arbitrary option. It is changed to speed. This is to prevent or prevent the beam of the paddle 412 from always stopping at the same place on the substrate 402 when the left and right ends of the paddle 412 are stopped.
  • the rotation speed V may have one constant rotation speed in the forward rotation and / or the rotation in the reverse direction.
  • the curved shape of the rotation speed is equal. May have an arbitrary curve shape (characteristics including the number of steps, acceleration of each step, constant rotation speed, constant speed time, and acceleration during deceleration) at each time of forward rotation, reverse rotation, and repetition. It should be noted that having a plurality of rotation speed steps (multiple constant rotation speeds) at each time of forward rotation / reverse rotation suppresses or prevents the beam of the paddle 412 from always stopping at the same place on the substrate 402. It is preferable in that it does.
  • FIG. 6 is a graph showing the positional relationship between the paddle and the board when the rotation speed of the board is changed.
  • the rotation speed V is changed to a plurality of different constant rotation speeds in each direction of forward rotation and reverse rotation, so that the beam of the paddle 412 is changed when the left and right ends of the paddle 412 are stopped. It is possible to suppress or prevent the constant stop at the same place on the substrate 402.
  • the horizontal axis represents time
  • the vertical axis represents the positions of the substrate 402 and the paddle 412.
  • the curve P represents a time change in the position of a particular location (eg, the leftmost beam) of the paddle 412.
  • the curve W1 shows the displacement of the substrate 402 with rotation at a specific location at the rotation speed V1
  • the curve W2 shows the displacement of the substrate 402 with rotation at a specific location of rotation speed V2 ( ⁇ V1).
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a control example of the rotation speed of the substrate.
  • the time change of the rotation speed V when the plating time is Tt and one unit period (also referred to as a normal rotation reversal period) consisting of a normal rotation period RF and a reverse rotation period RR is included in the plating time Tt is shown. show.
  • the plating time Tt corresponds to the actual plating time T in which the plating current is applied and the actual plating is performed, and the actual plating time and the time TS1 and / and the time for rotating the substrate without applying the plating current before and / or after the plating. It may be the total time with TS2.
  • the TS1 is provided to replace the liquid and / or gas in the opening 402b of the resist 402a with a plating solution.
  • the actual plating time T and the time for substrate rotation only TS1 and TS2 are determined in advance by experiment or simulation.
  • the curve of the rotation speed V of the normal rotation period RF and the curve of the rotation speed V of the inversion period RR are symmetrical with respect to the time axis.
  • the curve of the rotation speed V of the inversion period RR the curve of the rotation speed V of the normal rotation period RF is folded back with respect to the time axis, and the starting point of the curve of the rotation speed V of the inversion period RR is the rotation speed V of the normal rotation period RF. It is moved in parallel along the time axis to the end point of the curve.
  • the curve of the inverted inversion period RR having a symmetrical shape on the time axis (number of steps).
  • the acceleration a of each step, the rotation speed V of each step, the constant speed time ⁇ t can be automatically calculated.
  • step 1 is a period during which the substrate is rotated at a constant speed for a period of accelerating the substrate rotation at an acceleration a1 and a constant speed time ⁇ t1 at a constant rotation speed V1. And include.
  • Step 2 includes a period for accelerating the rotation of the substrate at the acceleration a2 and a period for rotating the substrate at a constant speed for a constant speed time ⁇ t 2 at a constant rotation speed V2. Further, after the end of step 2, the rotation speed is decelerated by the acceleration ⁇ an + 1 . In the reversal period RR, the directions of acceleration and rotation speed are opposite to those of the normal rotation period RF, but the same rotation control as that of the normal rotation period RF is performed.
  • step 1 is a period during which the substrate is rotated at a constant speed for a period of accelerating the substrate rotation at an acceleration ⁇ a 1 and a constant speed time ⁇ t 1 at a constant rotation speed ⁇ V 1 .
  • Step 2 includes a period for accelerating the rotation of the substrate at the acceleration ⁇ a 2 and a period for rotating the substrate at a constant speed for a constant speed time ⁇ t 2 at a constant rotation speed ⁇ V 2 .
  • the rotation of the substrate is decelerated by the acceleration an + 1 .
  • a 1 , a 2 , ... an, an + 1, V 1 , and V 2 are positive values.
  • the control during deceleration may be controlled in a plurality of steps so as to have a plurality of constant rotation speeds as in the case of acceleration.
  • each parameter satisfies the following equation.
  • Tt is the plating time
  • n is the number of steps
  • m is the number of repetitions
  • k is an integer of 1 or more
  • V k is the rotation speed of step k
  • ⁇ t k is the constant speed time of step k
  • V n is step n.
  • Rotation speed an + 1 is the acceleration during deceleration
  • the first term in the right-hand side brackets is the total time required for acceleration
  • the second term is the total constant speed time of each step
  • the third term represents the deceleration time.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a control example of the rotation speed of the substrate.
  • the curve of the rotation speed V of the normal rotation period RF is folded back on the time axis to obtain the curve of the rotation speed V of the reverse rotation period RR.
  • the curve of V may be rotated by 180 ° (symmetrical movement with respect to the end point of the normal rotation period RF) to obtain a curve of the rotation speed of the inversion period RR.
  • the acceleration and constant speed time at each step are constant acceleration a and constant speed time ⁇ t, and the acceleration as during deceleration is constant. The larger the value of the acceleration as during deceleration, the more preferable.
  • the control during deceleration may be controlled in a plurality of steps so as to have a plurality of constant rotation speeds as in the case of acceleration.
  • the rotation speed V of each step, the acceleration a of each step, the constant speed time ⁇ t of each step, and the number of repetitions m of the unit period are four. If three (three types) of the parameters (four types) are input, the remaining one parameter is automatically calculated.
  • each parameter satisfies the following equation.
  • Tt is the plating time
  • n is the number of steps
  • m is the number of repetitions
  • a is the acceleration during acceleration common to each step
  • V n is the rotation speed of step n (maximum value of rotation speed)
  • ⁇ t is common to each step.
  • the constant speed time as is the acceleration during deceleration .
  • the first term in the right-hand side brackets is the total time required for acceleration
  • the second term is the total constant speed time of each step
  • the third term indicates the deceleration time.
  • FIG. 10 is an example of a flowchart for setting the rotation speed of the substrate in the example of FIG. 7.
  • This control flow can be executed by the control module 800 described above. Note that this control flow may be executed in cooperation with the control module 800 and another control device inside or outside the plating device, or may be executed by a control device inside or outside the plating device other than the control module 800. May be good. The same applies to the following flowchart.
  • the plating time Tt is the total time of the actual plating time T or the actual plating time T and the time TS1 and / or TS2 for rotating the substrate before and / or after plating without applying a plating current.
  • FIG. 11 is an example of a flowchart for setting the rotation speed of the substrate in the example of FIG.
  • the plating time Tt and the total number of steps n included in one normal rotation period RF (or reverse rotation period RR) are set.
  • the plating time Tt is the total time of the actual plating time T or the actual plating time T and the time TS1 and / or TS2 for rotating the substrate before and / or after plating without applying a plating current.
  • FIG. 12 is an example of a flowchart of the plating process.
  • the substrate 402 is carried into the plating tank 401, and the substrate 402 is attached to the substrate holder 403.
  • the substrate 402 is set based on the set plating current, plating time, each parameter of substrate rotation control, etc.
  • Plating is performed while rotating (S320). After the plating is completed, the plated substrate is carried out (S330).
  • a plating apparatus for plating a substrate, in which a plating tank, an anode arranged in the plating tank, and the substrate are placed in a first direction and a second direction opposite to the first direction.
  • the rotation mechanism for rotating in the direction, the time for rotating the substrate in the first direction and the time for rotating in the second direction are equal to each other, and / or the rotation speed in the first direction is integrated with time.
  • a plating apparatus including a control device for controlling the rotation mechanism so that the value obtained is equal to the value obtained by integrating the rotation speed in the second direction with time.
  • the total time for rotating the substrate in the forward rotation direction is equal to the total time for rotating the substrate in the reverse rotation direction, or the value obtained by integrating the rotation speed in the normal rotation direction with time and the reverse rotation direction. Since the rotation speed of the above is equal to the value integrated with time, it is possible to suppress or prevent the phenomenon that the surface of the plating film is tilted due to the direction of the flow of the plating solution. This is because, in the plating time, the amount of tilting of the plating film surface at the time of normal rotation and the amount of tilting of the plating film at the time of reversal are superimposed to cancel the tilt of the plating film surface.
  • control device continuously rotates the substrate in the first direction during a first-direction rotation period and continuously rotates the substrate in the second direction while plating the substrate.
  • the unit period including the second-direction rotation period to be rotated is carried out one or more times.
  • the rotation in the first direction and the rotation in the second direction can be alternately carried out by carrying out the unit period one or more times. Also, depending on the process, the number of times the unit period is carried out can be adjusted. In addition, by performing the unit period multiple times, it is possible to reduce the inclination of the plating film surface by rotating in the opposite direction before the amount of inclination of the plating film surface increases by rotating in one direction, and it is possible to reduce the inclination of the plating film surface more accurately.
  • the surface of the plating film can be flattened. For example, by carrying out the unit period a plurality of times, it is possible to suppress or prevent the plating film from being greatly tilted due to rotation in one direction and affecting the liquid flow, and to flatten the surface of the plating film more accurately.
  • the control device controls the first-direction rotation period and / or the second-direction rotation period in a part or all of the unit period by dividing it into a plurality of steps, and each step controls the substrate. It has a constant speed period of rotation at a constant rotation speed, and the constant rotation speeds differ from each other in at least two steps.
  • the beam of the paddle in order to switch the rotation speed of the board to multiple rotation speeds, the beam of the paddle always stops at the same place on the board due to the frequency of the reciprocating motion of the paddle and the rotation speed (frequency) of the board. This can be suppressed or prevented. As a result, it is possible to suppress or prevent a phenomenon in which the influence of the electric field shielding becomes large on a specific place on the substrate. As a result, it is possible to suppress or prevent a decrease in the uniformity of the plating film thickness due to a large influence of the electric field shielding at a specific place on the substrate.
  • the constant speed times of at least two of the plurality of steps are different from each other.
  • the constant speed time can be set more appropriately so as to further reduce the influence of the electric field shielding according to the frequency of the paddle and the frequency of the substrate.
  • the constant speed times of each step of the plurality of steps are equal to each other.
  • the rotation control of the substrate can be performed more easily.
  • the accelerations for accelerating to a constant rotation speed of each step are different from each other.
  • the acceleration can be set more appropriately so as to further reduce the influence of the electric field shielding according to the frequency of the paddle and the frequency of the substrate.
  • the accelerations for accelerating to a constant rotation speed are equal to each other.
  • the rotation control of the substrate can be performed more easily.
  • the characteristics of changes in rotational speed in at least two unit periods are different from each other.
  • the characteristic of the change of the rotation speed means the curve shape (change shape) of the rotation speed illustrated in FIGS. 4 and 7-9, and the number of steps, the acceleration of each step, the constant rotation speed, the constant speed time, and the time of deceleration. Including acceleration of.
  • the pattern of change in rotational speed is different during the unit period, so that the location on the substrate where the paddle beam stops can be more dispersed, and the effect of electric field shielding at a specific location on the substrate can be achieved. Can be further suppressed.
  • the characteristics of the change in rotation speed differ between the first-direction rotation period and the second-direction rotation period in a part or all of the unit period.
  • the locations on the substrate where the paddle beam stops can be more dispersed, and the substrate can be more dispersed. It is possible to further suppress the phenomenon that the influence of the electric field shielding in a specific place becomes large.
  • the control device has the number of steps, a constant rotation speed of each step, an acceleration for accelerating to a constant rotation speed of each step, and a constant speed of each step during the first direction rotation period.
  • the number of steps in the second direction rotation period corresponding to the change curve of the shape obtained by folding the change curve of the rotation speed with respect to time in the first direction rotation period symmetrically with respect to the time axis, the rotation of each step.
  • the speed, acceleration of each step, and constant speed time of each step are automatically calculated.
  • each parameter at the time of normal rotation is set, each parameter at the time of inversion can be automatically calculated, so that the setting of the parameter can be simplified. Further, since the substrate is rotated at the same rotation speed between the normal rotation and the reverse rotation, the uniformity of the plating film thickness can be improved.
  • control device has four (4 types) of rotation speed of each step, acceleration to accelerate to the rotation speed of each step, constant speed time of each step, and number of repetitions of the unit period.
  • acceleration to accelerate to the rotation speed of each step the remaining one parameter is automatically calculated, and the acceleration and the constant speed time are common to each step.
  • the acceleration and constant speed time are common to each step, and by inputting three of the four parameters, the remaining one parameter is automatically calculated and the recipe for rotation control is completed. Therefore, it is possible to simplify the parameter setting.
  • it is a method of controlling a plating apparatus for plating while rotating a substrate, and a time for rotating the substrate in the first direction and a time for rotating the substrate in a second direction opposite to the first direction.
  • the rotation of the substrate is controlled so that is equal to or equal to the value obtained by integrating the rotation speed in the first direction with time and the value obtained by integrating the rotation speed in the second direction with time.
  • a way to do it is provided. According to this form, the above-mentioned effects are exhibited.
  • it is a non-volatile storage medium that stores a program for executing a method of controlling a plating apparatus for plating while rotating a substrate by a computer, and rotates the substrate in the first direction. Make the time equal to the time to rotate in the second direction opposite to the first direction, or the value obtained by integrating the rotation speed in the first direction with time and the rotation speed in the second direction with time.
  • a non-volatile storage medium is provided that stores a program for executing a computer to control the rotation of the substrate so that the integrated values are equal to each other. According to this form, the above-mentioned effects are exhibited.

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Abstract

めっき時のパドルによる電場遮蔽の影響を低減することにある。　基板をめっきするためのめっき装置であって、　めっき槽と、　前記めっき槽内に配置されるアノードと、　前記基板を第１方向及び前記第１方向と反対の第２方向に回転させる回転機構と、　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記回転機構を制御する制御装置と、を備える、めっき装置。

Description

めっき装置、めっき装置の制御方法
　本発明は、めっき装置、めっき装置の制御方法に関する。
　めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜（めっき膜）を析出させる。このタイプのめっき装置では、基板ホルダ及び基板を回転させることにより、基板面近傍に液流れを形成し、十分な量のイオンを基板に均一に供給する。また、基板面近傍での液流れを更に向上させるために、基板面に平行に往復運動するパドル（特許文献１）を設置する場合がある。
特開２０１９－１５１８７４号公報
　基板の回転による液流れを形成する場合、導電膜が液流れの方向に傾く現象を生じる場合がある。これは、基板上のレジスト開口部内において、上層のめっき液の対流層の対流の方向に起因して、液流れの方向の下流側で対流層が厚くなると共に下層の拡散層が薄くなり、その結果、拡散層の厚さに反比例するめっき量が下流側で大きくなるからである。
　また、パドルを用いる場合、パドルの往復運動の周波数及び基板の単位時間当たりの回転数（周波数）に起因して、基板の特定の場所に対して電場遮蔽の影響が大きくなる場合がある。特に、パドルの往復運動の周波数が、基板の周波数の整数倍になると、パドルの往復運動の両側端での停止時に、パドルの梁が基板の同じ場所で常に停止し、その場所／位置で電場遮蔽の影響が特に大きくなり、めっき膜厚の均一性が低下することがある。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的の一つは、基板の回転による液流れに起因するめっき膜厚の均一性への悪影響を抑制することにある。また、その目的の一つは、パドルの電場遮蔽に起因するめっき膜厚の均一性への悪影響を抑制することにある。更に、その目的の一つは、基板の回転による液流れ、及びパドルの電場遮蔽に起因するめっき膜厚の均一性への悪影響を抑制することにある。
　本発明の一側面によれば、　基板をめっきするためのめっき装置であって、　めっき槽と、　前記めっき槽内に配置されるアノードと、　前記基板を第１方向及び前記第１方向と反対の第２方向に回転させる回転機構と、　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記回転機構を制御する制御装置と、を備える、めっき装置が提供される。
本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 本実施形態に係るめっきモジュールの一例を示す概略図である。 本実施形態の基板回転速度の制御を説明する概略図である。 基板の正転及び逆転の組み合わせによるめっき膜の制御を説明する概略図である。 基板の回転速度を変更した場合のパドルと基板の位置関係を表したグラフである。 基板の回転速度の制御例を説明する概略図である。 基板の回転速度の制御例を説明する概略図である。 基板の回転速度の制御例を説明する概略図である。 基板の回転速度を設定するフローチャートの例である。 基板の回転速度を設定するフローチャートの例である。 めっき処理のフローチャートの例である。 めっき液の流れ方向のめっき膜への影響を説明する概略図である。 パドルの往復運動の周波数が基板回転の周波数の整数倍である場合におけるパドルと基板の位置関係を表した概略図である。 パドルの往復運動の周波数が基板回転の周波数の整数倍である場合におけるパドルと基板の位置関係を表すグラフである。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
　図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。
　ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。
　アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。
　プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。
　洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
　めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
　搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
　搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。
　図３は、本実施形態に係るめっきモジュールの一例を示す概略図である。同図に示すように、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、いわゆるフェースダウン式又はカップ式のめっきモジュールである。めっき液は、例えば、硫酸銅溶液であり、めっき膜は銅の膜とすることができる。但し、めっき膜はめっき可能な任意の金属としてよく、めっき液はめっき膜の種類に応じて選択することができる。
　めっきモジュール４００は、めっき槽４０１と、基板保持具（基板ホルダ）４０３と、めっき液貯留槽４０４と、を備える。基板保持具４０３は、ウェハ等の基板４０２を、その被めっき面を下向きにして保持するように構成される。めっきモジュール４００は、基板保持具４０３を周方向に回転させるモータ４１１を有する。モータ４１１は、図示しない電源から電力の供給を受ける。モータ４１１は、制御モジュール８００により制御され、基板保持具４０３、及び基板保持具４０３に保持された基板４０２の回転を制御する。言い換えれば、制御モジュール８００は、モータ４１１の回転を制御することにより、基板４０２の単位時間当たりの回転数（周波数、回転速度とも称す）を制御する。基板４０２を回転させることにより、基板面近傍にめっき液の液流れを形成し、十分な量のイオンを基板に均一に供給する。めっき槽４０１には、基板４０２と対向するようにアノード４１０が配置される。
　めっきモジュール４００は、さらに、めっき液受槽４０８を有する。めっき液貯留槽４０４内のめっき液は、ポンプ４０５により、フィルタ４０６及びめっき液供給管４０７を通じてめっき槽４０１の底部からめっき槽４０１内に供給される。めっき槽４０１から溢れためっき液はめっき液受槽４０８に受け取られ、めっき液貯留槽４０４に戻る。
　めっきモジュール４００は、さらに基板４０２とアノード４１０とに接続された電源４０９を有する。モータ４１１が基板保持具４０３を回転させながら、電源４０９が基板４０２とアノード４１０との間に所定の電圧を印加することにより、アノード４１０と基板４０２との間にめっき電流が流れ、基板４０２の被めっき面にめっき膜が形成される。
　更に、基板４０２とアノード４１０の間には、複数の孔が設けられた電場調整用のプレート１０が配置される。また、基板４０２とプレート１０との間には、パドル４１２が配置される。パドル４１２は、駆動機構４１３により駆動され、基板４０２と平行に往復運動することによりめっき液を攪拌し、基板４０２の表面に更に強い液流れを形成する。駆動機構４１３は、図示しない電源から電力の供給を受けるモータ４１３ａと、モータ４１３ａの回転を直線運動に変換するボールねじ等の回転直動変換機構４１３ｂと、回転直動変換機構４１３ｂ及びパドル４１２に連結され、回転直動変換機構４１３ｂの動力をパドル４１２に伝達するシャフト４１３ｃとを有する。制御モジュール８００は、モータ４１３ａの回転を制御することにより、パドル４１２の往復運動の速度を制御する。
　図１３は、めっき液の流れ方向のめっき膜への影響を説明する概略図である。同図では図示省略したが、基板４０２の表面にはシード層が設けられている。基板４０２を矢印Ａの方向に回転させる場合、基板４０２の表面近傍でめっき液が矢印Ｂで示す一方向に流れ、レジスト４０２ａの開口４０２ｂ内に渦状の矢印Ｂ’で示す一方向の渦状の対流を生じる。開口４０２ｂ内には、この対流によりめっき液の対流層Ｑ１が形成されると共に、対流層Ｑ１の下にめっき液の拡散層Ｑ２が形成される（図１３上部図）。拡散層Ｑ２では、銅イオン（Ｃｕ２＋）が拡散して開口部４０２ｂの底面に露出する基板４０２のシード層に銅めっき（Ｃｕ）が析出する（図１３下部図）。拡散層Ｑ２は、対流層Ｑ１におけるめっき液の対流により、液流れの方向Ｂの下流側（基板回転方向Ａの上流側）で薄く、液流れの方向Ｂの上流側（基板回転方向Ａの下流側）で厚くなる。開口４０２ｂ内のめっきの析出速度は、銅イオン濃度が一定の対流層Ｑ１から銅イオン濃度が低い（またはほぼゼロの）めっき面への銅イオン供給量が律速となる。銅イオンのめっき面への拡散速度が一定としたとき、銅イオンのめっき面への供給量は、拡散層Ｑ２の厚さが薄い（対流層Ｑ１と拡散層Ｑ２の境界からめっき面への距離が小さい）ほど多くなる。よって、開口４０２ｂ内のめっきの析出速度は、拡散層Ｑ２の厚さに反比例するため、同図下部に示すように、液流れの方向Ｂの下流側（基板回転方向Ａの上流側）でめっき膜が厚く、液流れの方向Ｂの上流側（基板回転方向Ａの下流側）でめっき膜が薄く形成されるようになる。このように基板回転による液流れの方向がめっき膜厚の均一性に影響を与える場合がある。
　図１４は、パドル４１２の往復運動の周波数が、基板４０２の回転の周波数の整数倍である場合におけるパドルと基板の位置関係を表した概略図である。同図では、左側に基板４０２及びパドル４１２の初期状態を示し、右側に基板４０２の１回転（１周期）後の基板４０２及びパドル４１２の状態を示す。同図は、パドル４１２の往復運動の周波数が、基板４０２の回転の周波数のＮ倍である場合、基板４０２が１回転する１周期の間に、パドル４１２はＮ回往復運動し、基板４０２上の同じ位置に戻ることを示す。　図１５は、パドル４１２の往復運動の周波数が、基板４０２の回転の周波数の整数倍である場合におけるパドルと基板の位置関係を表したグラフである。図中、横軸は時間を表し、縦軸は基板４０２及びパドル４１２の位置を示す。曲線Ｗが基板４０２の特定の場所の位置の時間変化を示し、曲線Ｐがパドル４１２の特定の場所（例えば、左端の梁）の位置の時間変化を表す。曲線Ｐの頂点は、パドル４１２が左右端で停止する位置を示す。同図から、パドル４１２の左右端での停止位置が基板４０２の特定の場所と常に重なり、パドル４１２が基板４０２上の同じ位置で常に停止することが分かる。つまり、パドル４１２の往復運動の周波数が、基板４０２の回転の周波数の整数倍であると、パドル４１２の左右端停止時に、パドル４１２の梁が基板４０２上の同じ場所で常に停止する。これにより、基板４０２の当該場所で電場遮蔽の影響が特に大きくなり、めっき膜厚の均一性に影響を与える場合がある。
　これらの問題を解決するために、本実施形態では、基板４０２を正転及び反転させ、基板４０２を正転方向ＲＦに回転する時間と反転方向ＲＲに回転する時間とが等しくなるように、及び／又は、正転方向ＲＦにおける回転速度を時間で積分した値と、反転方向ＲＲにおける回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、基板４０２（モータ４１１）の回転を制御する。
　図４は、本実施形態の基板回転速度の制御を説明する概略図である。図中、縦軸は、基板４０２の回転速度Ｖを表し、横軸は時間ｔを表す。Ｓａは、正転方向ＲＦにおける速度Ｖを時間で積分した積分値（Ｖ－ｔ平面における正転方向ＲＦ時の速度Ｖの面積）である。Ｓｂは、反転方向ＲＲにおける速度Ｖを時間で積分した積分値（Ｖ－ｔ平面における反転方向ＲＲ時の速度Ｖの面積）である。複数の正転期間ＲＦがめっき時間／期間Ｔｔに含まれる場合は、複数の正転期間ＲＦにおける速度Ｖの時間積分値を合計したものである。複数の反転期間ＲＲがめっき時間／期間Ｔｔに含まれる場合は、複数の反転期間ＲＲにおける速度Ｖの時間積分値を合計したものである。なお、めっき時間／期間Ｔｔは、めっき電流を流して実際にめっきを施す実めっき時間／期間Ｔ、または、実めっき時間／期間Ｔと、めっきの前及び／又は後にめっき電流を流さず基板を回転させる時間／期間ＴＳ１及び／又はＴＳ２とを合わせた時間／期間を意味する。なお、実めっき時間／期間Ｔでは、必ずしも全期間を通じてめっき電流が流されるわけではなく、プロセスに応じて必要なタイミングでめっき電流が流される。
　同図の例では、正転方向ＲＦにおける速度Ｖを時間で積分した積分値Ｓａと、反転方向ＲＲにおける速度Ｖを時間で積分した積分値Ｓｂとが等しくなるように、基板４０２の回転を制御する。同図では、正転方向ＲＦ及び反転方向ＲＲの回転を１回ずつ行う例を示すが、正転方向ＲＦ及び反転方向ＲＲの回転を複数回行ってもよい。この場合、複数回の正転方向ＲＦ及び反転方向ＲＲの回転全体において、正転方向ＲＦにおける速度Ｖを時間で積分した積分値（各回の積分値の合計）と、反転方向ＲＲにおける速度Ｖを時間で積分した積分値（各回の積分値の合計）とが等しくなるようにする。各回での回転速度の曲線形状（変化形状）は、互いに同一又は異なる形状であってよい。また、各回において、正転時の回転速度の変化形状は、反転時の回転速度の変化形状と、同一又は異なってもよい。
　図４において、正転方向ＲＦ時の回転速度の変化形状と、反転方向ＲＲ時の回転方向の変化形状とが同一である場合には、正転方向ＲＦに回転する時間と反転方向ＲＲに回転する時間とが等しくなるように制御してもよい。正転方向ＲＦ及び反転方向ＲＲの回転を複数回行う場合、各回において、正転方向ＲＦ時の回転速度の変化形状と、反転方向ＲＲ時の回転方向の変化形状とが同一である場合には、各回における正転方向ＲＦに回転する時間と反転方向ＲＲに回転する時間とが等しくなるように制御してもよい。
　図５は、基板の正転及び逆転の組み合わせによるめっき膜の制御を説明する概略図である。図４の回転速度の制御によれば、基板４０２のめっき時間Ｔｔ（全めっき時間）において基板４０２の回転方向による影響が相殺される。図５に示すように、基板４０２の正転方向ＲＦの回転時には、めっき膜は、正転方向ＲＦの上流側が厚く、且つ正転方向ＲＦの下流側が薄く形成される。基板４０２の反転方向ＲＲの回転時には、めっき膜は、反転方向ＲＲの上流側（正転方向ＲＦの下流側）が厚く、反転方向ＲＲの下流側（正転方向ＲＦの上流側）が薄く形成される。めっき膜厚の不均一の度合いは、めっき時間Ｔｔにわたる正転時及び反転時の回転速度Ｖの時間積分値に比例するため、めっき時間Ｔｔにわたる正転時及び反転時の回転速度Ｖの時間積分値を互いに等しくすることにより、基板回転による液流れに起因する膜厚の不均一を互いに相殺し、全めっき時間Ｔｔで形成されるめっき膜の厚さを均一にすることができる。ただし、めっき膜厚の成長に伴い、開口４０２ｂ内の上流側、下流側における拡散層Ｑ２の厚さ（すなわちめっき成長速度）の差が変化することがあるため、正転及び反転（回転方向の切り替え）は可能な限り頻繁に複数回繰り返すことが望ましい。
　図４の例では、正転時の積分値Ｓａと反転時の積分値Ｓｂが等しくなるようにすると共に、任意選択で正転及び反転の各方向の回転において、回転速度Ｖが複数の異なる回転速度に変更される。これは、パドル４１２の左右端停止時に、パドル４１２の梁が基板４０２上の同じ場所で常に停止することを抑制又は防止するためである。この例では、異なる一定の回転速度で設定時間の間維持されるステップが複数設けられている。但し、異なる一定の回転速度が３つ以上設定される場合には、一部の一定の回転速度が同一であってもよい。例えば、正転及び／又は反転方向の回転において、一定の回転速度が増減を繰り返す曲線形状であってもよい。なお、図４の例において、正転及び／又は反転方向の回転において、回転速度Ｖが１つの一定の回転速度を有してもよい。
　本実施形態では、１枚の基板をめっきするめっき時間Ｔｔ全体として、正転方向の回転速度の時間積分値と、反転方向の回転速度の時間積分値とを等しくする限り、回転速度の曲線形状は、正転時と反転時、繰り返しの各回において、任意の曲線形状（ステップ数、各ステップの加速度、一定の回転速度、定速時間、減速時の加速度を含む特性）であってよい。なお、正転時／反転時の各回において、複数の回転速度のステップ（複数の一定回転速度）を有することが、パドル４１２の梁が基板４０２上の同じ場所で常に停止することを抑制又は防止する点で好ましい。
　図６は、基板の回転速度を変更した場合のパドルと基板の位置関係を表したグラフである。図４の回転制御によれば、正転及び反転の各方向の回転において、回転速度Ｖが複数の異なる一定の回転速度に変更されるので、パドル４１２の左右端停止時に、パドル４１２の梁が基板４０２上の同じ場所で常に停止することを抑制又は防止することができる。図６において、横軸は時間を表し、縦軸は基板４０２及びパドル４１２の位置を示す。曲線Ｐは、パドル４１２の特定の場所（例えば、左端の梁）の位置の時間変化を表す。曲線Ｗ１が回転速度Ｖ１での基板４０２の特定の場所の回転に伴う変位を示し、曲線Ｗ２が回転速度Ｖ２（≠Ｖ１）での基板４０２の特定の場所の回転に伴う変位を示す。同図から分かるように、回転速度Ｖを変更することにより、パドル４１２の左右端停止時に、パドル４１２の梁が停止する基板４０２上の場所が変化することが分かる。
　図７は、基板の回転速度の制御例を説明する概略図である。同図では、めっき時間をＴｔとし、正転期間ＲＦ及び反転期間ＲＲからなる単位期間（正転反転期間とも称す）がめっき時間Ｔｔに１つ含まれるとした場合の回転速度Ｖの時間変化を示す。めっき時間Ｔｔは、めっき電流を流して実際にめっきを施す実めっき時間Ｔに一致する場合と、実めっき時間と、めっき前及び／又は後にめっき電流を流さず基板を回転させる時間ＴＳ１及び／及びＴＳ２との合計の時間である場合がある。ＴＳ１は、レジスト４０２ａの開口４０２ｂ内の液体及び／又は気体をめっき液で置換するために設けられる。この例では、単位期間が１つ含まれる（繰り返し回数ｍ＝１）としたが、めっき時間Ｔｔの間に、複数の単位期間が含まれるようにしてもよい。実めっき時間Ｔ、基板回転のみの時間ＴＳ１、ＴＳ２は、あらかじめ実験又はシミュレーションにより決定される。
　図７の例では、正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線と、反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線とは、時間軸に関して対称である。反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線は、正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線を時間軸に関して対象に折り返し、反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線の始点を正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線の終点まで時間軸に沿って平行移動させたものである。この例では、正転期間ＲＦのステップ数ｎ、各ステップの加速度ａ、各ステップの回転速度Ｖ、定速時間Δｔを入力すると、時間軸に対称形状の反転した反転期間ＲＲの曲線（ステップ数ｎ、各ステップの加速度ａ、各ステップの回転速度Ｖ、定速時間Δｔ）を自動計算することが可能である。
　図７の例では、正転期間ＲＦ、反転期間ＲＲの各期間において、ステップ数ｎ＝２、繰り返し回数ｍ＝１とする。ステップ数ｎは、１つの正転期間／反転期間において、複数の一定の回転速度で回転させる期間の数を示す。繰り返し回数ｍは、１つの正転期間ＲＦ及び反転期間ＲＲからなる単位期間を繰り返す回数を示す。図７の例では、正転期間ＲＦにおいて、ステップ１は、加速度ａ１で基板回転を加速する期間と、一定の回転速度Ｖ１で定速時間Δｔ１の間、基板を定速回転させる期間とを含む。ステップ２は、加速度ａ２で基板回転を加速する期間と、一定の回転速度Ｖ２で定速時間Δｔ２の間、基板を定速回転させる期間とを含む。また、ステップ２の終了後、加速度－ａｎ＋１で回転速度を減速する。反転期間ＲＲでは、加速度及び回転速度の方向は正転期間ＲＦと反対になるが、正転期間ＲＦと同様の回転制御を行う。具体的には、反転期間ＲＲにおいて、ステップ１は、加速度－ａ１で基板回転を加速する期間と、一定の回転速度－Ｖ１で定速時間Δｔ１の間、基板を定速回転させる期間とを含む。ステップ２は、加速度－ａ２で基板回転を加速する期間と、一定の回転速度－Ｖ２で定速時間Δｔ２の間、基板を定速回転させる期間とを含む。また、ステップ２の終了後、加速度ａｎ＋１で基板回転を減速する。ここで、ａ１，ａ２，・・・ａｎ，ａｎ＋１，Ｖ１，Ｖ２は正の値とする。減速時の加速度ａｎ＋１の値は大きいほど好ましい。正転反転切り替え時の基板の運動は、液流れを弱める方向の動きであるため、正転反転切り替え時の加速度ａｎ＋１は可能な限り大きいことが望ましい（正転反転切り替えに要する時間は可能な限り小さいことが好ましい）。但し、他の実施形態では、減速時の制御も、加速時と同様に複数の一定の回転速度を有するように複数のステップで制御してもよい。
　図７の例において、各パラメータは、以下の式を満たす。
　Ｔｔ＝｛ΣＶｋ／ａｋ＋ΣΔｔｋ＋Ｖｎ／ａｎ＋１｝×２ｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（１）
　ここで、Ｔｔはめっき時間、ｎはステップ数、ｍは繰り返し回数、ｋは１以上の整数、Ｖｋはステップｋの回転速度、Δｔｋはステップｋの定速時間、Ｖｎはステップｎの回転速度、ａｎ＋１は減速時の加速度とし、Σはｋ＝１からｎまでの和を計算するものとする。右辺括弧内の第１項は加速に要する時間の合計であり、第２項は各ステップの定速時間の合計であり、第３項は減速時間を表す。
　図８は、基板の回転速度の制御例を説明する概略図である。図７の例では、正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線を時間軸で折り返して、反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線としたが、図８に示すように、正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線を１８０°回転（正転期間ＲＦの終点に関して対称移動）させて、反転期間ＲＲの回転速度の曲線としてもよい。
　図９は、基板の回転速度の他の制御例を説明する概略図である。図７と同様に、ステップ数ｎ＝２、繰り返し回数ｍ＝１の場合の回転速度Ｖの時間変化を示す。この例では、各ステップで加速度、定速時間は、一定の加速度ａ、定速時間Δｔとし、かつ、減速時の加速度ａｓは定数とする。減速時の加速度ａｓの値は、大きいほど好ましい。但し、他の実施形態では、減速時の制御も、加速時と同様に複数の一定の回転速度を有するように複数のステップで制御してもよい。正転反転切り替え時の基板の運動は、液流れを弱める方向の動きであるため、正転反転切り替え時の加速度ａｓは可能な限り大きいことが望ましい。ここで、ａ，Ｖ１，Ｖ２は正の値とし、ａｓは負の値とする。図７と同様に、正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線と、反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線とが、時間軸に関して対称である例を示すが、図８のように正転期間ＲＦの回転速度Ｖの曲線と、反転期間ＲＲの回転速度Ｖの曲線とが、互いに１８０°回転した関係の曲線に適用してもよい。図９の例では、既定のめっき時間Ｔｔ及びステップ数ｎに対して、各ステップの回転速度Ｖ、各ステップの加速度ａ、各ステップの定速時間Δｔ、及び単位期間の繰り返し回数ｍの４つ（４種類）のパラメータのうち、３つの（３種類）のパラメータを入力すると、残りの１つのパラメータを自動で計算する。
　図９の例において、各パラメータは、以下の式を満たす。
　Ｔｔ＝｛Ｖｎ／ａ＋Δｔ×ｎ＋Ｖｎ／ａｓ｝×２ｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・（２）
　ここで、Ｔｔはめっき時間、ｎはステップ数、ｍは繰り返し回数、ａは各ステップ共通の加速時の加速度、Ｖｎはステップｎの回転速度（回転速度の最大値）、Δｔは各ステップ共通の定速時間、ａｓは減速時の加速度である。右辺括弧内の第１項は加速に要する時間の合計であり、第２項は各ステップの定速時間の合計であり、第３項は減速時間を示す。
　図１０は、図７の例における基板の回転速度を設定するフローチャートの例である。この制御フローは、上述した制御モジュール８００で実行することができる。なお、この制御フローは、制御モジュール８００とめっき装置内部又は外部の他の制御装置とで協働して実行してもよく、制御モジュール８００以外のめっき装置内部又は外部の制御装置で実行してもよい。以下のフローチャートにおいても同様である。
　Ｓ１００では、めっき時間Ｔｔ、１つの正転期間ＲＦに含まれる全ステップ数ｎ、単位期間の繰り返し回数ｍを設定し、対象とするステップの番号ｋをｋ＝１に設定する。めっき時間Ｔｔは、実めっき時間Ｔ、又は、実めっき時間Ｔと、めっき前及び／又は後にめっき電流を流さずに基板を回転する時間ＴＳ１及び／又はＴＳ２との合計の時間である。
　Ｓ１１０からＳ１３０では、ｋを１からｎまで変更しながら（Ｓ１３０）、各ステップｋの加速度ａｋ、定速時間Δｔｋ、回転速度Ｖｋを設定する（Ｓ１１０）と共に、Ｓ１３０においてｋ＝ｎ＋１となると、減速時の加速度－ａｎ＋１を設定する（Ｓ１１０）。ｋ＝ｎ＋１となるとＳ１２０でＮｏと判定され、Ｓ１４０に移行する。Ｓ１４０では、各ステップに要する時間Ｔｋ＝Ｖｋ／ａｋ＋Δｔｋ及び（ｋ＝１・・・ｎ）及び減速に要する時間Ｖｎ／ａｎ＋１を計算する。Ｓ１１０からＳ１４０の処理では、上記式（１）を満たすように各パラメータを設定する。例えば、上記式（１）を満たすまでＳ１１０－Ｓ１４０の処理を繰り返す。
　次に、正転期間ＲＦの速度Ｖの曲線を時間軸に対して反転させる処理（図７参照）を行い、反転期間ＲＲにおける各ステップｋの加速度、定速時間、回転速度、減速時の加速度を計算し（Ｓ１５０）、基板回転制御のレシピを完成する（Ｓ１６０）。なお、図８の例の場合には、正転期間ＲＦの速度Ｖの曲線を１８０°回転させる処理を行い、反転期間ＲＲにおける各ステップｋの加速度、定速時間、回転速度、減速時の加速度を計算し、基板回転制御のレシピを完成する。
　図１１は、図９の例における基板の回転速度を設定するフローチャートの例である。Ｓ２００では、めっき時間Ｔｔ、１つの正転期間ＲＦ（又は反転期間ＲＲ）に含まれる全ステップ数ｎを設定する。めっき時間Ｔｔは、実めっき時間Ｔ、又は、実めっき時間Ｔと、めっき前及び／又は後にめっき電流を流さずに基板を回転する時間ＴＳ１及び／又はＴＳ２との合計の時間である。
　Ｓ２１０では、図９に示す加速度ａ，ａｓ、各ステップの回転速度Ｖｋ（ｋ＝１・・・ｎ）、定速時間Δｔ、繰り返し回数ｍの４つ（４種類）のパラメータのうち３つ（３種類）のパラメータを設定する。なお、加速度ａは加速時の加速度であり、加速度ａｓは減速時の加速度である。加速時の加速度ａ、定速時間Δｔは、各ステップで共通の値とし、ａｓは一定の値とする。
　次に、上記式（２）を満たすように、残りの１つのパラメータを計算し（Ｓ２２０）、基板回転制御のレシピを完成する（Ｓ２３０）。
　図１２は、めっき処理のフローチャートの例である。Ｓ３００では、めっき槽４０１に基板４０２を搬入し、基板４０２を基板保持具４０３に取り付ける。Ｓ３１０において、めっき電流、めっき時間、基板回転制御の各パラメータ（図７－１１）等を設定した後、設定されためっき電流、めっき時間、基板回転制御の各パラメータ等に基づいて、基板４０２を回転させながらめっきを実施する（Ｓ３２０）。めっき完了後、めっき後の基板を搬出する（Ｓ３３０）。Ｓ３１０のめっき時間としては、上述したように、実めっき時間Ｔを設定する場合と、実めっき時間Ｔに加えて、基板回転のみの期間ＴＳ１及び／又はＴＳ２を考慮しためっき時間Ｔｔを設定する場合がある。
　上記記載より少なくとも以下の形態が把握される。
　一実施形態によれば、基板をめっきするためのめっき装置であって、　めっき槽と、　前記めっき槽内に配置されるアノードと、　前記基板を第１方向及び前記第１方向と反対の第２方向に回転させる回転機構と、　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、及び／又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記回転機構を制御する制御装置と、を備える、めっき装置が提供される。
　この実施形態によれば、基板のめっき中に、基板を正転方向させる合計時間と反転方向に回転させる合計時間が等しい、又は、正転方向の回転速度を時間で積分した値と、反転方向の回転速度を時間で積分した値とが等しいので、めっき液の流れの方向に起因してめっき膜表面が傾く現象を抑制又は防止することができる。これは、めっき時間において、正転時にめっき膜表面が傾く量と、反転時にめっき膜が傾く量とが重ね合わされることで、めっき膜表面の傾きが相殺されるからである。
　一実施形態によれば、　前記制御装置は、前記基板をめっきする間に、前記基板を前記第１方向に連続して回転させる第１方向回転期間と前記基板を前記第２方向に連続して回転させる第２方向回転期間とを含む単位期間を１又は複数回実施する。
　この形態によれば、単位期間を１又は複数回実施することにより、第１方向の回転と第２方向の回転とを交互に実施することができる。また、プロセスに応じて、単位期間を実施する回数を調節することができる。また、単位期間を複数回実施することにより、一方向の回転によりめっき膜表面の傾きの量が大きくなる前に、反対方向の回転によりめっき膜表面の傾きを低減することができ、より精度よくめっき膜表面を平坦化することができる。例えば、単位期間を複数回実施することにより、一方向の回転によりめっき膜が大きく傾いて液流れに影響を与えることを抑制又は防止し、より精度よくめっき膜表面を平坦化することができる。
　一実施形態によれば、　前記制御装置は、前記単位期間の一部又は全部において第１方向回転期間及び／又は第２方向回転期間を複数のステップに分けて制御し、各ステップは前記基板を一定の回転速度で回転させる定速期間を有し、少なくとも２つのステップにおいて一定の回転速度が互いに異なる。
　この形態によれば、　基板の回転速度を複数の回転速度に切り替えるため、パドルの往復運動の周波数及び基板の回転速度（周波数）に起因して、パドルの梁が常に基板の同じ場所で停止することを抑制又は防止することができる。これにより、基板の特定の場所に対して電場遮蔽の影響が大きくなる現象を抑制又は防止することができる。この結果、基板の特定の場所で電場遮蔽の影響が大きいことによるめっき膜厚の均一性の低下を抑制又は防止することができる。
　一実施形態によれば、　前記複数のステップのうち少なくとも２つのステップの定速時間は互いに異なる。
　この形態によれば、パドルの周波数及び基板の周波数に応じて、電場遮蔽の影響をより低減するように、定速時間をより適切に設定し得る。また、めっき時間に対応するように、各ステップの定速時間を調整することが容易になる。
　一実施形態によれば、前記複数のステップの各ステップの定速時間は互いに等しい。
　この形態によれば、基板の回転制御をより簡易に行うことができる。
　一実施形態によれば、　前記複数のステップのうち少なくとも２つのステップにおいて、各ステップの一定の回転速度まで加速させる加速度が互いに異なる。
　この形態によれば、パドルの周波数及び基板の周波数に応じて、電場遮蔽の影響をより低減するように、加速度をより適切に設定し得る。また、めっき時間に対応するように、各ステップの加速度を調整することが容易になる。
　一実施形態によれば、前記複数のステップの各ステップにおいて、一定の回転速度まで加速させる加速度は互いに等しい。
　この形態によれば、基板の回転制御をより簡易に行うことができる。
　一実施形態によれば、　少なくとも２つの単位期間における回転速度の変化の特性が互いに異なる。回転速度の変化の特性は、図４、７－９に例示する回転速度の曲線形状（変化形状）を意味し、ステップ数、各ステップの加速度、一定の回転速度、定速時間、及び減速時の加速度を含む。
　この形態によれば、単位期間の間で回転速度の変化のパターンが異なるため、パドルの梁が停止する基板上の場所をより分散させることができ、基板の特定の場所での電場遮蔽の影響が大きくなる現象をより抑制することができる。
　一実施形態によれば、　前記単位期間の一部又は全部において前記第１方向回転期間と前記第２方向回転期間とで回転速度の変化の特性が互いに異なる。
　この形態によれば、第１方向回転期間と第２方向回転期間の間で回転速度の変化のパターンが異なるため、パドルの梁が停止する基板上の場所をより分散させることができ、基板の特定の場所での電場遮蔽の影響が大きくなる現象をより抑制することができる。
　一実施形態によれば、　前記制御装置は、前記第１方向回転期間における、ステップ数、各ステップの一定の回転速度、各ステップの一定の回転速度まで加速させる加速度、及び、各ステップの定速時間を入力されると、前記第１方向回転期間における回転速度の時間に対する変化曲線を時間軸に対称に折り返した形状の変化曲線に対応する前記第２方向回転期間におけるステップ数、各ステップの回転速度、各ステップの加速度、及び各ステップの定速時間を自動で計算する。
　この形態によれば、正転時の各パラメータを設定すると、反転時の各パラメータを自動的に計算することができるので、パラメータの設定を簡略化することができる。また、正転時と反転時とで同一変化特性の回転速度で基板を回転させるので、めっき膜厚の均一性を向上し得る。
　一実施形態によれば、　前記制御装置は、各ステップの回転速度、各ステップの回転速度まで加速させる加速度、各ステップの定速時間、及び前記単位期間の繰り返し回数の４つ（４種類）のパラメータのうち、３つ（３種類）のパラメータを入力されると、残りの１つのパラメータを自動で計算し、　前記加速度及び前記定速時間は、各ステップで共通である。
　この形態によれば、加速度及び定速時間を各ステップで共通とし、４つのパラメータのうち３つのパラメータを入力することにより、残りの１つのパラメータを自動で計算して、回転制御のレシピを完成させることができるので、パラメータの設定を簡略化することができる。
　一実施形態によれば、　基板を回転させつつめっきするめっき装置を制御する方法であって、　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第１方向と反対の第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記基板の回転を制御する、方法が提供される。この形態によれば、上述した作用効果を奏する。
　一実施形態によれば、　基板を回転させつつめっきするめっき装置を制御する方法をコンピュータで実行するためのプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第１方向と反対の第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記基板の回転を制御することをコンピュータで実行するためのプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体が提供される。この形態によれば、上述した作用効果を奏する。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
１００　ロードポート
１１０　搬送ロボット
１２０　アライナ
２００　プリウェットモジュール
３００　プリソークモジュール
４００　めっきモジュール
４０１　めっき槽
４０２　基板
４０３　基板保持具（基板ホルダ）
４０４　めっき液貯留槽
４０５　ポンプ
４０６　フィルタ
４０７　めっき液供給管
４０８　めっき液受槽
４０９　電源
４１３　駆動機構
４１３ａ　モータ
４１３ｂ　回転直動変換機構
４１３ｃ　シャフト
５００　洗浄モジュール
６００　スピンリンスドライヤ
７００　搬送装置
８００　制御モジュール
１０００　めっき装置

Claims (13)

  1. 　基板をめっきするためのめっき装置であって、
    　めっき槽と、
    　前記めっき槽内に配置されるアノードと、
    　前記基板を第１方向及び前記第１方向と反対の第２方向に回転させる回転機構と、
    　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、及び／又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記回転機構を制御する制御装置と、
    を備える、めっき装置。
  2. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記制御装置は、前記基板をめっきする間に、前記基板を前記第１方向に連続して回転させる第１方向回転期間と前記基板を前記第２方向に連続して回転させる第２方向回転期間とを含む単位期間を１又は複数回実施する、めっき装置。
  3. 　請求項２に記載のめっき装置において、
    　前記制御装置は、前記単位期間の一部又は全部において第１方向回転期間及び／又は第２方向回転期間を複数のステップに分けて制御し、各ステップは前記基板を一定の回転速度で回転させる定速期間を有し、少なくとも２つのステップにおいて一定の回転速度が互いに異なる、めっき装置。
  4. 　請求項３に記載のめっき装置おいて、
    　前記複数のステップのうち少なくとも２つのステップの定速時間は互いに異なる、めっき装置。
  5. 　請求項３に記載のめっき装置おいて、
    　前記複数のステップの各ステップの定速時間は互いに等しい、めっき装置。
  6. 　請求項３から５の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記複数のステップのうち少なくとも２つのステップにおいて、各ステップの一定の回転速度まで加速させる加速度が互いに異なる、めっき装置。
  7. 　請求項３から５の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記複数のステップの各ステップにおいて、一定の回転速度まで加速させる加速度は互いに等しい、めっき装置。
  8. 　請求項２から７の何れかに記載のめっき装置において、
    　少なくとも２つの単位期間における回転速度の変化の特性が互いに異なる、めっき装置。
  9. 　請求項３から８の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記単位期間の一部又は全部において、前記第１方向回転期間と前記第２方向回転期間とで回転速度の変化の特性が互いに異なる、めっき装置。
  10. 　請求項３から８の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記制御装置は、前記第１方向回転期間における、ステップ数、各ステップの一定の回転速度、各ステップの一定の回転速度まで加速させる加速度、及び、各ステップの定速時間を入力されると、前記第１方向回転期間における回転速度の時間に対する変化曲線を時間軸に対称に折り返した形状の変化曲線に対応する前記第２方向回転期間におけるステップ数、各ステップの回転速度、各ステップの加速度、及び各ステップの定速時間を自動で計算する、めっき装置。
  11. 　請求項３から８の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記制御装置は、各ステップの回転速度、各ステップの回転速度まで加速させる加速度、各ステップの定速時間、及び前記単位期間の繰り返し回数の４つのパラメータのうち、３つのパラメータを入力されると、残りの１つのパラメータを自動で計算し、
    　前記加速度及び前記定速時間は、各ステップで共通である、めっき装置。
  12. 　基板を回転させつつめっきするめっき装置を制御する方法であって、
    　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第１方向と反対の第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記基板の回転を制御する、方法。
  13. 　基板を回転させつつめっきするめっき装置を制御する方法をコンピュータで実行するためのプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、
    　前記基板を前記第１方向に回転させる時間と前記第１方向と反対の第２方向に回転させる時間とが等しくなるように、又は、前記第１方向における回転速度を時間で積分した値と、前記第２方向における回転速度を時間で積分した値とが等しくなるように、前記基板の回転を制御すること
    をコンピュータで実行するためのプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体。
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