WO2021145240A1

WO2021145240A1 - 銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体

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Publication number: WO2021145240A1
Application number: PCT/JP2021/000147
Authority: WO
Inventors: 良太針▲崎▼
Original assignee: 住友精化株式会社
Priority date: 2020-01-16
Filing date: 2021-01-06
Publication date: 2021-07-22
Also published as: TW202136045A; KR20220128348A; EP4091811A1; CN114945465A; JPWO2021145240A1; US20230128897A1

Abstract

樹脂層が優れた密着性を有しつつ、高周波用途に適した低誘電特性を示し、さらには優れた低伝送損失特性を発揮可能な樹脂層付銅箔が提供される。より具体的には、銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂及び酸変性ポリオレフィンが含有され、ＪＩＳＣ６４８１に準拠して、当該積層体及びプリプレグからなる試験片を用いて測定される、銅箔とプリプレグとの９０度剥離強度が０.６Ｎ／ｍｍ以上であり、且つ、当該試験片を沸騰水に２時間浸漬後の、銅箔とプリプレグとの９０度剥離強度の低下率が２０％以下である、積層体が提供される。

Description

銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体

　本開示は、銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体等に関する。また、本開示は、当該積層体を備えた銅張積層板及びプリント配線板等にも関する。

　銅張積層板やプリント配線板の製造に用いられる銅箔として、プリプレグ等の樹脂基材との密着性を向上させるべく、その片面に樹脂層を備えた樹脂層付銅箔が知られている。なおプリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含侵させた複合材料の総称である。

　例えば、特許文献１には、銅箔の片面にフィラー粒子含有樹脂層を備えた樹脂層付銅箔が開示されており、フィラー粒子含有樹脂層が、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、エポキシ樹脂、及び硬化促進剤を含み、かつ、アミノ系シランカップリング剤であるフェニルアミノシランで処理したフィラー粒子を含む半硬化樹脂層であることが開示されている。

　また例えば、特許文献２には、銅箔の片面に樹脂層を備えた接着剤層付銅箔が開示されており、接着剤層が、ポリフェニレンエーテル化合物１００質量部に対して、スチレンブタジエンブロック共重合体を５質量部以上６５質量部以下含む樹脂組成物からなる層である開示がされている。

　また例えば、特許文献３には、銅箔の片面に樹脂層を備えた接着剤層付銅箔が開示されており、接着剤層が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、及び芳香族ポリアミド樹脂を含む樹脂混合物からなる層であるとの開示がされている。

　プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、様々な電子機器に用いられている。近年の電気機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い、搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して優れた高周波対応が求められている。

特許第５１１８４６９号公報特許第６２１５７１１号公報特許第６４２６２９０号公報

　プリント配線板等の信号配線の伝送損失は、導体の形状、表皮抵抗、特性インピーダンス等に起因する導体損失（銅箔側）と配線周りの絶縁層の誘電特性等に起因する誘電体損失（樹脂側）からなるとされている。低周波では前者（導体損失）が支配的だが、およそ３ＧＨｚで両者が同程度となり、高周波では後者（誘電体損失）が支配的となる。高周波対応のプリント配線板の場合は、誘電体損失の影響が大きく、誘電体損失が材料の比誘電率の平方根と材料の誘電正接の積に比例して大きくなるため、比誘電率と誘電正接がいずれも小さい材料が求められている。

　そのためには、樹脂層が優れた誘電特性を有すること、特に樹脂層の誘電正接が低いこと、が望まれる。しかしながら、例えば特許文献１、２、３に開示されるような樹脂層付銅箔は、プリプレグ等の樹脂基材との密着性の向上を実現できるものの、誘電正接が高く、そのため伝送損失が大きくなる傾向にあるため、高周波用途には不向きであった。

　そのため、樹脂層が優れた密着性を有しつつ、高周波用途に適した低誘電特性を示し、さらには優れた低伝送損失特性を発揮可能な樹脂層付銅箔が望まれている。

　本発明者らは、鋭意研究を行った結果、銅箔の少なくとも片面に特定の組成のエポキシ樹脂組成物層を備えた積層体（エポキシ樹脂組成物層付銅箔ということもできる）においては、当該エポキシ樹脂組成物が優れた接着性を有し、且つ、当該積層体が低伝送損失化することを見出し、さらに検討を重ねた。

　本開示は、例えば以下の項に記載の主題を包含する。
項１．
銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、
銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、当該エポキシ樹脂組成物層はエポキシ樹脂組成物を含み、
当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂及び酸変性ポリオレフィンが含有され、
ＪＩＳＣ６４８１に準拠して、当該積層体及びプリプレグからなる試験片を用いて測定される、積層体とプリプレグとの９０度剥離強度が０.６Ｎ／ｍｍ以上であり、且つ、当該試験片を沸騰水に２時間浸漬後の、積層体とプリプレグとの９０度剥離強度の低下率が２０％以下である、
積層体。
項２．
請求項１に記載の積層体であって、
当該積層体と、周波数１ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．０１６である樹脂基板とを、当該積層体のエポキシ樹脂組成物層が当該樹脂基板に接するよう備える、特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍの回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＸｄＢ／１００ｍｍ、
当該銅箔と、当該樹脂基板とを、これらが接するよう備える回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＹｄＢ／１００ｍｍとしたとき、
Ｘ－Ｙ≧０．５である、
積層体。
項３．
前記エポキシ樹脂が、
その硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において０．０１５以下の誘電正接を有し、かつ周波数１０ＧＨｚ、２５℃において２．８以下の比誘電率を有する、エポキシ樹脂である、
項１又は２に記載の積層体。
項４ａ．
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ケイ素元素含有エポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上である、項１～３のいずれかに記載の積層体。
項４ｂ．
前記エポキシ樹脂が、式（１－ｉｉａ）：

［式中、Ｘ^ｉｉは、飽和炭化水素環若しくは不飽和炭化水素環、又は飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環、から２個の水素原子を除いて得られる２価の基、あるいは式（２^ｇ－ｉｉａ）：

（式中、Ｙは、結合手、炭素数１～４のアルキル基で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基、酸素原子（－Ｏ－）、硫黄原子（－Ｓ－）、－ＳＯ－、又は－ＳＯ_２－を示す。）で表される２価の基を示し、
　Ｒ^１は同一又は異なって、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～９のアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、これらの基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子で置換されていてもよく、
　Ｒ^２は同一又は異なって、炭素数１～１８のアルキレン基を示し、この基は、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を除く一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子で置換されていてもよく、
　Ｒ^３は同一又は異なって、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～９のアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、これらの基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子で置換されていてもよく、
ｍは０～６の整数を示し、ｎは０～３の整数を示す。］
で表されるエポキシ樹脂、
式（１－ｉｉｉａ）：

［式中、Ｘ^ｉｉｉは、飽和炭化水素環若しくは不飽和炭化水素環、又は飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環、から３個の水素原子を除いて得られる３価の基、又は式（２^ｇ－ｉｉｉａ）：

（式中、Ｙは、前記に同じ。）で表される３価の基を示し、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じ。］
で表されるエポキシ樹脂、並びに
式（１－ｉｖａ）：

［式中、Ｘ^ｉｖは、飽和炭化水素環若しくは不飽和炭化水素環、又は飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環、から４個の水素原子を除いて得られる４価の基、又は式（２^ｇ）：

（式中、Ｙは前記に同じ。）で表される４価の基を示し、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じ。］
で表される群より選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂である、
項１～３のいずれかに記載の積層体。
項５．
前記銅箔の、エポキシ樹脂組成物層と接する表面の表面粗さＲｚｊｉｓが、１．２μｍ以下である、項１～４ｂのいずれかに記載の積層体。
項６．
前記エポキシ樹脂組成物が、前記酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、前記エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有する組成物である、項１～５のいずれかに記載の積層体。
項７．
エポキシ樹脂組成物が、さらに硬化剤を含む、項１～６のいずれかに記載の積層体。
項８．
前記硬化剤が、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤からなる群より選択される少なくとも１種である、項７に記載の積層体。
項９．
前記エポキシ樹脂組成物が、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％である、項１～８のいずれかに記載の積層体。
項１０．
銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、
銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、
当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂、酸変性ポリオレフィン、及び硬化剤が含有され、
前記エポキシ樹脂組成物が、前記酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、前記エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有し、且つ、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％である、
積層体。
項１１．
請求項１～１０のいずれかに記載の積層体を備えた積層体品であって、前記エポキシ樹脂組成物が硬化されており、当該積層体品が銅張積層板又はプリント配線板である、積層体品。

　銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、伝送損失が抑制されており、且つ、当該エポキシ樹脂組成物が優れた接着性を有する、積層体が提供される。当該積層体は、例えば銅張積層板及びプリント配線板のために好ましく用いることができる。

　以下、本開示に包含される各実施形態について、さらに詳細に説明する。本開示は、銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体や、当該積層体を備えた積層体品等（例えば銅張積層板又はプリント配線板等）を好ましく包含するが、これらに限定されるわけではなく、本開示は本明細書に開示され当業者が認識できる全てを包含する。

　本開示に包含される積層体は、上記の通り、銅箔と特定の組成のエポキシ樹脂組成物層とを備える。当該積層体において、少なくとも銅箔の片側の表面はエポキシ樹脂組成物層と接している。当該積層体は、エポキシ樹脂組成物層付銅箔ということもできる。以下、本開示に包含される当該積層体を「本開示の積層体」ということがある。

　当該銅箔としては、本開示の積層体に用いた場合に上記効果が奏される限り、特に制限はされないが、例えばエポキシ樹脂組成物層側の表面の表面粗さＲｚｊｉｓが１．２μｍ以下である銅箔が好ましい。

　Ｒｚｊｉｓは、ＪＩＳＢ０６０１に準拠して測定される十点平均粗さである。Ｒｚｊｉｓは接触式表面粗さ測定機（ＳＥ１７００、（株）小坂研究所製）により測定できる。銅箔のエポキシ樹脂組成物層側の表面の表面粗さＲｚｊｉｓは、好ましくは１．１又は１．０μｍ以下、より好ましくは０．９又は０．８μｍ以下である。このような範囲内であると、高周波用途における伝送損失を望ましく低減できる。すなわち、高周波になるほど顕著に現れる銅箔の表皮効果によって増大しうる銅箔に起因する導体損失を低減して、伝送損失の更なる低減を実現することができる。銅箔の樹脂層側の表面における十点平均粗さＲｚｊｉｓの下限値は特に限定されないが、樹脂層との密着性向上の観点から０．００５μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０１μｍ以上である。

　また、当該銅箔の厚さとしては、例えば０．１～１００μｍ、０．１５～５０μｍ程度、又は０．２～４０μｍ程度が挙げられる。当該範囲内の厚さであると、プリント配線板の配線形成の一般的なパターン形成方法である、ＭＳＡＰ（モディファイド・セミアディティブ）法、ＳＡＰ（セミアディティブ）法、サブトラクティブ法等の工法が採用可能であり、好ましい。

　当該銅箔は、特に限定はされないが、例えば電解製箔又は圧延製箔されたままの金属箔（いわゆる生箔）であってもよいし、少なくともいずれか一方の面に表面処理が施された表面処理箔であってもよい。表面処理は、金属箔の表面において何らかの性質（例えば防錆性、耐湿性、耐薬品性、耐酸性、耐熱性、及び基板との密着性）を向上又は付与するために行われる各種の表面処理でありうる。表面処理は金属箔の少なくとも片面に行われてもよいし、金属箔の両面に行われてもよい。銅箔に対して行われる表面処理の例としては、例えば防錆処理、シラン処理、粗化処理、バリア形成処理等が挙げられる。

　当該エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂及び酸変性ポリオレフィンを含有する。酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、エポキシ樹脂を２５質量部より多く１２５質量部未満含有することが好ましく、２６～１２４質量部含有することがより好ましい。当該範囲の上限又は下限は、例えば２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２１、１２２、又は１２３質量部であってもよい。例えば、酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有することがさらに好ましい。

　当該エポキシ樹脂組成物層の厚さとしては、例えば０．１～１００μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５～７０μｍであり、さらに好ましくは１．０～５０μｍである。

　本発明の樹脂層付銅箔の樹脂層は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る熱硬化性樹脂組成物から構成されることが好ましい。樹脂層の硬化物の２５℃における引張弾性率は、基板の反りを低減する観点から、好ましくは１．５ＭＰａ以上、より好ましくは２．０ＭＰａ以上である。一方、回路層等の部材との良好な密着性及び応力の緩和性の観点から好ましくは２０ＭＰａ以下、より好ましくは１５ＭＰａ以下である。

　上記の通り、本開示の積層体は、銅箔の少なくとも片面に、エポキシ樹脂組成物を含むエポキシ樹脂組成物層が備えられている。言い換えれば、本開示の積層体は、銅箔の片面又は両面にエポキシ樹脂組成物が備えられている。両面にエポキシ樹脂組成物が備えられる場合は、それぞれのエポキシ樹脂組成物が異なる組成のものであってもよいし、同一組成のものであってもよい。また、それぞれのエポキシ樹脂組成物層の厚みも、同一又は異なってよい。

　エポキシ樹脂組成物層は、例えば本開示の積層体と基材（例えば樹脂基材、より具体的には例えばプリプレグ）とを備えた積層体において、本開示の銅箔と基材とを張り合わせるためのプライマー層（特に接着層）として作用し得る。つまり、エポキシ樹脂組成物層は、基材と銅箔とを接着させるために用いられ得る。したがって、本開示は、本開示の積層体のエポキシ樹脂組成物層上に基材（例えば樹脂基材、より具体的には例えばプリプレグ）を備えた積層体（積層体品）をも包含する。このような積層体品としては、例えば銅張積層板やプリント配線板を挙げることができる。

　また、エポキシ樹脂組成物層は、半硬化状態又は硬化状態であってもよい。例えば、本開示の積層体と基材とが接着されるにあたっては、エポキシ樹脂組成物層が、半硬化（Ｂステージ）状態である樹脂組成物層として提供されてもよい。この場合、当該エポキシ樹脂組成物層は、後の工程で、熱間プレスで接着硬化に供される。この熱間プレスとしては、例えば、予め真空到達させた後、温度１５０～３００℃、温度保持時間３０～３００分、圧力１０～６０Ｎ／ｃｍ^２の範囲の条件下で硬化される真空熱間プレス法が採用可能である。また、エポキシ樹脂組成物層は、それ自体で銅張積層板やプリント配線板における絶縁層を構成するものであってもよい。

　エポキシ樹脂としては、分子内に２個以上（好ましくは２個、３個、又は４個）のエポキシ基を有する化合物が挙げられる。当該エポキシ樹脂としては、電気及び電子材料用途に使用可能なことが公知であるものが好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、含窒素環エポキシ樹脂（例えばトリグリシジルイソシアヌレート）、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、特殊エポキシ樹脂（ケイ素元素含有エポキシ樹脂等が例示される）等が挙げられる。また、これらの樹脂には、ハロゲン化されているもの、あるいは水素添加されているものも、包含される。

　硬化物の誘電特性を向上（特に誘電正接の低減）させる観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ケイ素元素含有エポキシ樹脂が好ましい。より好ましくは下記式（１）で表されるケイ素元素含有エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８２８ＥＬ（以上、三菱ケミカル（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ８４０、ＥＰＩＣＬＯＮ８６０（以上、ＤＩＣ（株）製）等、ビフェニル型エポキシ樹脂としては、ＹＸ４０００、ＹＬ６６７７（以上、三菱ケミカル（株）製）、ＮＣ－３０００、ＮＣ－３０００－Ｈ（以上、日本化薬（株）製）等、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂としては、ＨＰ－７２００、ＨＰ－７２００Ｌ、ＨＰ－７２００Ｈ（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＮＤ－１０００（以上、日本化薬（株）製）等、アントラセン型エポキシ樹脂としては、ＹＸ８８００（以上、三菱ケミカル（株）製）等、ケイ素元素含有エポキシ樹脂としては、式（１）で表されるエポキシ樹脂等が挙げられる。

　本開示のエポキシ樹脂組成物に好ましく使用できるエポキシ樹脂として、式（１）：

で表されるエポキシ樹脂が挙げられる。

　式（１）において、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルケニル基、ハロゲン原子、又は式（３）：

で表される基（以下「式（３）の基」ということがある）を示す。なお、以下、低級アルキル基、低級アルコキシ基、及び低級アルケニル基をまとめて、「低級炭素置換基」ということがある。本開示においては、低級炭素置換基の中でも、低級アルキル基又は低級アルコキシ基がより好ましい。

　但し、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、少なくとも１つは式（３）の基である。言い換えれば、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、３つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で１つが式（３）の基であるか、２つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で２つが式（３）の基であるか、１つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で３つが式（３）の基であるか、あるいは全てが式（３）の基である。より具体的には、例えば、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、（ｉ）Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ及びＲ^Ｘｃが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｄが式（３）の基であるか、（ｉｉ）Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であるか、（ｉｉｉ）Ｒ^Ｘａが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であるか、あるいは（ｉｖ）Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄの全てが式（３）の基であり得る。なお、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、式（３）の基でないものは、水素原子又は低級炭素置換基であることが、より好ましい。

　式（１）において、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、同一又は異なってよい。従って、（ｉ）Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ及びＲ^Ｘｃが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｄが式（３）の基である場合は、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ及びＲ^Ｘｃが同一又は異なってよく、（ｉｉ）Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基である場合は、Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが同一又は異なってよく、Ｒ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄも同一又は異なってよく、（ｉｉｉ）Ｒ^Ｘａが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基でＲ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが式（３）の基である場合は、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが同一又は異なってよく、（ｉｖ）Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄの全てが式（３）の基である場合は、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが同一又は異なってよい。なお、これらいずれの場合においても、式（３）の基が同一であることが好ましい。

　また、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、２又は３個がハロゲン原子又は低級炭素置換基である場合には、これらのハロゲン原子又は低級炭素置換基も同一又は異なってよい。この場合は、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、２又は３個が、同一の低級炭素置換基であることがさらに好ましい。

　本明細書において、低級炭素置換基とは、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基をいう。ここでの低級とは、炭素数１～６（１、２、３、４、５、又は６）を意味する。低級炭素置換基のうち、好ましくは低級アルキル基又は低級アルコキシ基である。低級アルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基等が好ましく例示できる。低級アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基等が好ましく例示できる。

　また、本明細書において、ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、好ましくはフッ素原子、塩素原子、又は臭素原子であり、より好ましくはフッ素原子又は臭素原子である。

　式（１）において、Ｘ環は飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環、あるいは飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合又は２個連結した構造を有する環を表す。本明細書において、飽和炭化水素環としては、例えば炭素数４～８（４、５、６、７、又は８）の飽和炭化水素環が好ましく、シクロペンタン環、シクロヘキサン環等が特に好ましい。また、本明細書において、不飽和炭化水素環としては、例えば炭素数４～８（４、５、６、７、又は８）の不飽和炭化水素環が好ましく、ベンゼン環等が特に好ましい。また、本明細書において、飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環としては、飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２、３、又は４個縮合した環が好ましく、２又は３個縮合した環がより好ましい。より具体的には、例えば、デカヒドロナフタレン環、アダマンタン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ピレン環、トリフェニレン環、テトラリン環、１，２，３，４，５，６，７，８－オクタヒドロナフタレン環、ノルボルネン環等が挙げられる。

　なお、本明細書では、飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環、あるいは飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環を、まとめて「炭化水素環」と呼ぶことがある。

　飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２個連結した構造を有する環としては、式（２）：

で表される環が好ましい。

　式（２）において、Ｘ^１環及びＸ^２環は、同一又は異なって、飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環を示す。すなわち、Ｘ^１環及びＸ^２環は、両方とも飽和炭化水素環であるか、両方とも不飽和炭化水素環であるか、一方が飽和炭化水素環でもう一方が不飽和炭化水素環である。Ｘ^１環及びＸ^２環が、両方とも飽和炭化水素環であるか、両方とも不飽和炭化水素環であることが好ましい。例えば、Ｘ^１環及びＸ^２環は、両方がベンゼン環、両方がシクロヘキサン環、又は一方がベンゼン環でもう一方がシクロヘキサン環、であることが好ましく、両方がベンゼン環であることがより好ましい。

　また、Ｙは、結合手、炭素数１～４のアルキル基で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基、酸素原子（－Ｏ－）、硫黄原子（－Ｓ－）、－ＳＯ－、又は－ＳＯ_２－を示す。ここでの炭素数１～６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基等が例示できる。また、置換基である炭素数１～４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基等が例示できる。好ましい炭素数１～４のアルキル基で置換された炭素数１～６のアルキレン基としては、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－等が例示できる。Ｙは好ましくは、結合手、酸素原子、メチレン基、ジメチルメチレン基、－Ｓ－、－ＳＯ_２－であり、より好ましくは、結合手、ジメチルメチレン基、酸素原子、－ＳＯ_２－である。

　式（２）で表わされる環はＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄで置換されている。式（１）中のＸ環が式（２）であって、Ｒ^Ｘａ～Ｒ^Ｘｄの３つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で１つが式（３）の基である場合、Ｘ^１環及びＸ^２環のいずれが式（３）の基で置換されていてもよい。この場合、式（２）で表わされる環は０、１、２、又は３つのハロゲン原子又は低級炭素置換基で置換されるところ、ハロゲン原子又は低級炭素置換基の（Ｘ^１環の置換数：Ｘ^２環の置換数）は（１：０）、（０：１）、（２：０）、（１：１）、（０：２）、（３：０）、（２：１）、（１：２）、又は（０：３）であり得る。Ｒ^Ｘａ～Ｒ^Ｘｄの２つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で２つが式（３）の基である場合、Ｘ^１環及びＸ^２環のいずれかが２つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環及びＸ^２環が１つずつ式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環及びＸ^２環が１つずつ式（３）の基で置換されていることが好ましい。この場合、式（２）で表わされる環は０、１、又は２つのハロゲン原子又は低級炭素置換基で置換されるところ、ハロゲン原子又は低級炭素置換基の（Ｘ^１環の置換数：Ｘ^２環の置換数）は（１：０）、（０：１）、（２：０）、（１：１）、又は（０：２）であり得る。Ｒ^Ｘａ～Ｒ^Ｘｄの１つが水素原子若しくはハロゲン原子又は低級炭素置換基で３つが式（３）の基である場合、Ｘ^１環及びＸ^２環のいずれかが３つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が２つＸ^２環が１つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が１つＸ^２環が２つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が２つＸ^２環が１つの式（３）の基で置換されている又はＸ^１環が１つＸ^２環が２つの式（３）の基で置換されていることが好ましい。この場合、式（２）で表わされる環は０又は１つのハロゲン原子又は低級炭素置換基で置換されるところ、ハロゲン原子又は低級炭素置換基の（Ｘ^１環の置換数：Ｘ^２環の置換数）は（１：０）、又は（０：１）であり得る。Ｒ^Ｘａ～Ｒ^Ｘｄの全てが式（３）の基である場合、Ｘ^１環及びＸ^２環のいずれかが４つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が３つＸ^２環が１つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が１つＸ^２環が３つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が２つＸ^２環が２つの式（３）の基で置換されていてもよく、Ｘ^１環が２つＸ^２環が２つの式（３）の基で置換されていることが好ましい。

　式（１）の一部である基である、式（１’）：

（式（１’）中、Ｘ環は前記に同じ。）
で示される４価の基として、特に好ましくは以下の式で表される基が挙げられる。すなわち、

又は

又は

（式（２^ｇ）中、Ｙは前記に同じ。）
で表される基である。

　式（３）において、Ｒ^１は同一又は異なって、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～９のアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、これらの基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子（好ましくは酸素原子）で置換されていてもよい。当該一部の炭素原子は、ケイ素原子に直接結合していない炭素原子であることが好ましい。また、当該置換されていてもよい一部の炭素原子は、１又は複数（例えば２、３、４、５、又は６）個の炭素原子であり、好ましくは１個の炭素原子である。なお、合成の簡便さの観点等から同一ケイ素原子に結合したＲ^１は同一であることが好ましい。また、式（１）において存在する全てのＲ^１が同一であることがより好ましい。

　Ｒ^１で示される炭素数１～１８のアルキル基としては、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。好ましくは炭素数１～１０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数１～３のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。

　Ｒ^１で示される炭素数２～９のアルケニル基としては、直鎖又は分岐鎖状のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、２－プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数２～４のアルケニル基である。

　Ｒ^１で示されるシクロアルキル基としては、３～８員環のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

　Ｒ^１で示されるアリール基としては、単環又は二環のアリール基が挙げられ、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。中でも、フェニル基が好ましい。

　Ｒ^１で示されるアラルキル基としては、アリール基（特にフェニル基）で置換された炭素数１～４のアルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、α－フェネチル基、β－フェネチル基、β－メチルフェネチル基等が挙げられる。

　Ｒ^１は、好ましくは炭素数１～３のアルキル基であり、より好ましくはメチル基である。

　式（３）において、Ｒ^２は、炭素数１～１８（１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、又は１８）のアルキレン基を示す。当該アルキレン基は、直鎖又は分岐鎖状のアルキレン基であり、好ましくは直鎖状のアルキレン基である。例えば、メチレン基、メチルメチレン基、エチルメチレン基、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジメチレン基（－ＣＨ_２ＣＨ_２－）、トリメチレン基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－）、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基等が挙げられる。例えば、炭素数２～１８のアルキレン基、好ましくは炭素数２～１０のアルキレン基であり、より好ましくは炭素数２～８のアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数２～６のアルキレン基であり、特に好ましくは炭素数２～５のアルキレン基である。

　前記炭素数１～１８のアルキレン基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子（好ましくは酸素原子）で置換されていてもよい。当該一部の炭素原子は、ケイ素原子及び３～８員環又はエポキシ環のいずれにも直接結合していない炭素原子であることが好ましい。また、当該置換されていてもよい一部の炭素原子は、１又は複数（例えば２、３、４、５、又は６）個の炭素原子であり、好ましくは１個の炭素原子である。

　当該基としては、Ｒ^２のケイ素原子に結合する側を（＊）とした場合に、例えば、（＊）－炭素数２～９のアルキレン－Ｏ－炭素数１～８のアルキレン－、好ましくは（＊）－炭素数２～４のアルキレン－Ｏ－炭素数１～３のアルキレン－、より好ましくは（＊）－炭素数２～４のアルキレン－Ｏ－炭素数１～２のアルキレン－、特に好ましくは（＊）－炭素数３のアルキレン－Ｏ－メチレン－が挙げられる。

　具体的には、例えば、（＊）－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－ＣＨ_２－、（＊）－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－ＣＨ_２－、（＊）－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－、（＊）－（ＣＨ_２）_５－Ｏ－（ＣＨ_２）_４－などが挙げられ、これらの中でも（＊）－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－ＣＨ_２－が好ましい。

　式（３）において、ｍは０～６の整数（すなわち０、１、２、３、４、５、又は６）を示す。また、ｎは０～３の整数（すなわち、０、１、２、又は３）を示す。ここで、式（３）のＲ^２が結合している基（ケイ素原子に結合していない側）を式（４）で示す（以下、「式（４）の基」ということがある）と、以下のようになる。

式（４）の基について、ｍが１～６の整数である場合を具体的に構造式で記載すると、ｍ＝１の場合は

ｍ＝２の場合は

ｍ＝３の場合は

ｍ＝４の場合は

ｍ＝５の場合は

ｍ＝６の場合は

と示される。

　式（４）の基は、ｍが０の場合には、エポキシ環のみが残り、ｎが０～３の整数であるため、以下のいずれかの基を示す。

　式（３）において、Ｒ^２及びＲ^３は、３～８員環又はエポキシ環に結合する。なお、ｎは３～８員環又はエポキシ環に結合するＲ^３の数を示している。

　式（３）において、Ｒ^３は同一又は異なって、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～９のアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、これらの基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子で置換されていてもよい。当該一部の炭素原子は、３～８員環又はエポキシ環に直接結合していない炭素原子であることが好ましい。また、当該置換されていてもよい一部の炭素原子は、１又は複数（例えば２、３、４、５、又は６）個の炭素原子であり、好ましくは１個の炭素原子である。

　Ｒ^３で示される炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～９のアルケニル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基はそれぞれ、上記Ｒ^１で示される対応する置換基と同様のものが挙げられる。

　Ｒ^３として、好ましくは炭素数１～３のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。

　中でも好ましい式（３）の基の例として、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じであって、且つ、Ｒ^１が全て同一であり、Ｒ^３が（複数存在する場合には）全て同一である基が挙げられる。当該基は、式（１）で表されるエポキシ樹脂には１、２、３又は４存在し、それぞれの基が同一又は異なってよく、同一であることが好ましい。

　また式（４）の基として、特に好ましい具体例としては、Ｒ^３は前記に同じであり、ｍが０、１、２、３又は４を示し、ｎが０、１又は２を示す基が挙げられ、なかでもより好ましくは、例えば以下の基（いずれもＲ^３は前記に同じ）が挙げられる。

　式（４）の基は、式（１）で表されるエポキシ樹脂には１，２、３又は４存在するが、それぞれの基が同一又は異なってよく、同一であることが好ましい。

　また、Ｘ環を構成する炭化水素環を構成する炭素原子であって且つＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが結合していない炭素原子に結合した水素原子は、低級炭素置換基又はハロゲン原子（好ましくは低級炭素置換基）で置換されていてもよい。つまり、Ｘ環が飽和炭化水素環又は不飽和炭化水素環、あるいは飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２～６個縮合した構造を有する環である場合は、これらの環を構成する炭素原子であって且つＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが結合していない炭素原子に結合した水素原子は、低級炭素置換基又はハロゲン原子（好ましくは低級炭素置換基）で置換されていてもよく、またＸ環が飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環が２個連結した構造を有する環である場合は、これら連結された飽和炭化水素環及び／又は不飽和炭化水素環を構成する炭素原子であって且つＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが結合していない炭素原子に結合した水素原子は、低級炭素置換基又はハロゲン原子（好ましくは低級炭素置換基）で置換されていてもよい。なお、Ｘ環が式（２）で表される環である場合をより具体的に説明すると、Ｘ^１環及びＸ^２環を構成する炭素原子であって且つＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが結合していない炭素原子に結合した水素原子は、低級炭素置換基又はハロゲン原子（好ましくは低級炭素置換基）で置換されていてもよい、といえる。

　本明細書においては、Ｘ環を構成する炭化水素環を構成する炭素原子であって且つＲ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが結合していない炭素原子を「Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子」ということがある。

　Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されていてもよい低級炭素置換基又はハロゲン原子は、１つのＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に１つだけ結合することが好ましい。つまり、Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換される場合においては、Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子のうち１つの水素原子だけが低級炭素置換基又はハロゲン原子で置換されることが好ましい。また、当該置換の数（すなわち低級炭素置換基及びハロゲン原子の合計）は、Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子の数より少ないことが好ましい。当該置換の数は、より具体的には１～６（１、２、３、４、５、又は６）が好ましく、１～４がより好ましく、１～２がさらに好ましい。また、特にＸ環が式（２）で表される環である場合には、置換される水素原子はＹが結合していない炭素原子に結合した水素原子であることが好ましい。

　Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち少なくとも１つが低級炭素置換基であって、且つＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に低級炭素置換基が少なくとも１つ結合する場合、全ての低級炭素置換基が同一であることが好ましい。つまり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄ中に低級炭素置換基が存在し、且つＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合する低級炭素置換基が存在する場合、全ての低級炭素置換基が同一であることが好ましい。また、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち少なくとも１つがハロゲン原子であって、且つＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子にハロゲン原子が少なくとも１つ結合する場合、全てのハロゲン原子が同一であることが好ましい。つまり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄ中にハロゲン原子が存在し、且つＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合するハロゲン原子が存在する場合、全てのハロゲン原子が同一であることが好ましい。

　さらに具体的に説明すると、例えば、上記式（１’）で表される４価の基が

である場合、式（１）で表されるエポキシ樹脂として、式（１－Ｘ１）

（式（１－Ｘ１）中、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２は、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基を示す。）で表されるエポキシ樹脂を好ましく例示できる。式（１－Ｘ１）において、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、Ｒ^Ｘｄ、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２が、それぞれ、ベンゼン環上の異なる炭素原子に結合していることがより好ましい。式（１－Ｘ１）で表されるエポキシ樹脂の中でも、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２が水素原子であるものが好ましい。

　式（１－Ｘ１）で表されるエポキシ樹脂の中でも、さらに好ましいものとして式（１－Ｘ１ａ）：

（式（１－Ｘ１ａ）中、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２は、前記に同じ。）で表されるエポキシ樹脂や、式（１－Ｘ１ｂ）：

（式（１－Ｘ１ｂ）中、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２は、前記に同じ。）で表されるエポキシ樹脂が、例示できる。

　式（１－Ｘ１ａ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、例えば、Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが水素原子でＲ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２が水素原子である場合や、Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｃが水素原子でＲ^Ｘｂ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２が水素原子である場合がより好ましい。

　また、式（１－Ｘ１ｂ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、例えば、Ｒ^Ｘａが水素原子でＲ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘｇ１及びＲ^Ｘｇ２が水素原子である場合がより好ましい。

　また、上記式（１’）で表される４価の基が

（式（２^ｇ）中、Ｙは前記に同じ。）
で表される基である場合、式（１）で表されるエポキシ樹脂として、式（１－Ｘ２）

　［式（１－Ｘ２）中、Ｙは前記に同じであり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、及びＲ^Ｘ１３並びにＲ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基を示す。］で表されるエポキシ樹脂も好ましく例示できる。式（１－Ｘ２）において、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｃ、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、及びＲ^Ｘ１３が、それぞれ異なる炭素原子に結合していることがより好ましく、また、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｄ、Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３が、それぞれ異なる炭素原子に結合していることがより好ましい。また、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、Ｒ^Ｘｄ、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、Ｒ^Ｘ１３、Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は、いずれもＹが結合した炭素原子には結合しない。

　式（１－Ｘ２）で表されるエポキシ樹脂の中でも、さらに好ましいものとして式（１－Ｘ２ａ）：

（式（１－Ｘ２ａ）中、Ｙは前記に同じであり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、及びＲ^Ｘ１３並びにＲ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基を示す。）で表されるエポキシ樹脂や、式（１－Ｘ２ｂ）：

（式（１－Ｘ２ｂ）中、Ｙは前記に同じであり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、及びＲ^Ｘ１３並びにＲ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基を示す。）で表されるエポキシ樹脂や、式（１－Ｘ２ｃ）：

（式（１－Ｘ２ｃ）中、Ｙは前記に同じであり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄは、前記に同じであり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、及びＲ^Ｘ１３並びにＲ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は、同一又は異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は低級アルケニル基を示す。）で表されるエポキシ樹脂が、例示出来る。

　式（１－Ｘ２ａ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、例えば、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘ１１及びＲ^Ｘ２１が低級炭素置換基であり、Ｒ^Ｘ１２、Ｒ^Ｘ１３、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３が水素原子である場合が好ましい。中でも、Ｙが炭素数１～４のアルキル基で置換されていてもよい炭素数１～６のアルキレン基（特に－Ｃ（ＣＨ_３）_２－）であり、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘ１１及びＲ^Ｘ２１が低級アルコキシ基であり、Ｒ^Ｘ１２、Ｒ^Ｘ１３、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３が水素原子である場合が特に好ましい。これらの場合において、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄの式（３）の基が全て同一であり、Ｒ^Ｘ１１及びＲ^Ｘ２１の低級炭素置換基が同一である場合が、より好ましい。

　また、式（１－Ｘ２ｂ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、例えば、Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが水素原子でＲ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、Ｒ^Ｘ１３、Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は水素原子の場合が好ましい。この場合において、Ｒ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄの式（３）の基が同一である場合が、より好ましい。

　また、式（１－Ｘ２ｃ）で表されるエポキシ樹脂の中でも、例えば、Ｒ^Ｘａが水素原子でＲ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であり、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２、Ｒ^Ｘ１３、Ｒ^Ｘ２１、Ｒ^Ｘ２２、及びＲ^Ｘ２３は水素原子の場合が好ましい。この場合において、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄの式（３）の基が同一である場合が、より好ましい。

　本明細書において、式（１）におけるＸ環、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄ、並びに式（３）の基におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎに関する説明は、式（４）の基についての説明も含め、いずれも任意に組み合わせることができ、その組み合わせにより示されるいずれのエポキシ樹脂も用いることができる。

　式（１）において、（ｉｉａ）Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されておらず、且つ、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、Ｒ^Ｘａ及びＲ^Ｘｂが水素原子でＲ^Ｘｃ及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であるか、（ｉｉｉａ）Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されておらず、且つ、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄのうち、Ｒ^Ｘａが水素原子でＲ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄが式（３）の基であるか、あるいは（ｉｖａ）Ｒ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されておらず、且つ、Ｒ^Ｘａ、Ｒ^Ｘｂ、Ｒ^Ｘｃ、及びＲ^Ｘｄの全てが式（３）の基であり得る。

　（ｉｉａ）の場合、式（１）で示されるエポキシ樹脂は、次の式（１－ｉｉａ）：

〔式中、Ｘ^ｉｉは、炭化水素環から２個の水素原子を除いて得られる２価の基、又は式（２^ｇ－ｉｉａ）：

（式中、Ｙは、前記に同じ。）で表される２価の基を示し、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じ。〕
で表されるエポキシ樹脂を好ましく包含する。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは、いずれも、それぞれ同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。

　Ｘ^ｉｉで示される２価の基として、好ましくはシクロヘキサン－１，４－ジイル基、１，４－フェニレン基が挙げられ、より好ましくは１，４－フェニレン基である。

　式（２^ｇ－ｉｉａ）で表される２価の基のうち好ましくは、式（２^ｇ－ｉｉａ’）：

（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される基である。

　式（２^ｇ－ｉｉａ’）において、Ｙが結合手、ジメチルメチレン基、酸素原子、又は－ＳＯ_２－である基が特に好ましい。

　Ｘ^ｉｉとして、中でも好ましくはシクロヘキサン－１，４－ジイル基、１，４－フェニレン基、式（２^ｇ－ｉｉａ’）が挙げられ、より好ましくは１，４－フェニレン基である。

　例えば、式（１－ｉｉａ）において、ｍは同一で０、１、２、３、又は４（特に好ましくは、ｍは同一で０又は４）、ｎは同一で０（すなわち、Ｒ^３により環は置換されていない）を、Ｘ^ｉｉは炭化水素環（特に好ましくはベンゼン環）から２個の水素原子を除いて得られる２価の基を、Ｒ^１は同一で炭素数１～３のアルキル基を、Ｒ^２は同一でケイ素原子及び３～６員環又はエポキシ環のいずれにも直接結合していない１個の炭素原子が酸素原子で置換されていてもよい炭素数２～６のアルキレン基を、それぞれ示すことで表されるエポキシ樹脂を、より好ましく用いることができる。

　（ｉｉｉａ）の場合、式（１）で示されるエポキシ樹脂は、次の式（１－ｉｉｉａ）：

〔式中、Ｘ^ｉｉｉは、炭化水素環から３個の水素原子を除いて得られる３価の基、又は式（２^ｇ－ｉｉｉａ）：

（式中、Ｙは、前記に同じ。）で表される３価の基を示し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じ。〕
で表されるエポキシ樹脂を好ましく包含する。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは、いずれも、それぞれ同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。

　Ｘ^ｉｉｉで示される３価の基として、好ましくは以下の基：

が挙げられる。

　式（２^ｇ－ｉｉｉａ）で表される３価の基のうち好ましくは、式（２^ｇ－ｉｉｉａ’）：

（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される基である。

　式（２^ｇ－ｉｉｉａ’）において、Ｙが結合手、ジメチルメチレン基、酸素原子、又は－ＳＯ_２－である基が特に好ましい。

　例えば、式（１－ｉｉｉａ）において、ｍは同一で０、１、２、３、又は４（特に好ましくは、ｍは同一で０又は４）、ｎは同一で０（すなわち、Ｒ^３により環は置換されていない）を、Ｘ^ｉｉｉは炭化水素環（特に好ましくはベンゼン環）から３個の水素原子を除いて得られる３価の基を、Ｒ^１は同一で炭素数１～３のアルキル基を、Ｒ^２は同一でケイ素原子及び３～６員環又はエポキシ環のいずれにも直接結合していない１個の炭素原子が酸素原子で置換されていてもよい炭素数２～６のアルキレン基を、それぞれ示すことで表されるエポキシ樹脂を、より好ましく用いることができる。

　（ｉｖａ）の場合、式（１）で示されるエポキシ樹脂は、次の式（１－ｉｖａ）：

〔式中、Ｘ^ｉｖは、前記（１’）で示される４価の基であって、且つＸ環においてＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されていない基を示し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは前記に同じ。〕
で表されるエポキシ樹脂を包含する。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、ｍ、及びｎは、いずれも、それぞれ同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。

　Ｘ^ｉｖで示される４価の基として、好ましくは以下の基：

が挙げられる。

　Ｘ^ｉｖで示される４価の基として、式（２^ｇ）で表される４価の基であってＲ^Ｘａ－ｄ非結合炭素原子に結合した水素原子が置換されていない基のうち、好ましくは、式（２^ｇ－ｉｖａ’）：

（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される基が挙げられる。

　式（２^ｇ－ｉｖａ’）において、Ｙが結合手、ジメチルメチレン基、酸素原子、又は－ＳＯ_２－である基が特に好ましい。

　例えば、式（１－ｉｖａ）において、ｍは同一で０、１、２、３、又は４（特に好ましくは、ｍは同一で０又は４）、ｎは同一で０（すなわち、Ｒ^３により環は置換されていない）を、Ｘ^ｉｖは炭化水素環（特に好ましくはベンゼン環）から４個の水素原子を除いて得られる４価の基を、Ｒ^１は同一で炭素数１～３のアルキル基を、Ｒ^２は同一でケイ素原子及び３～６員環又はエポキシ環のいずれにも直接結合していない１個の炭素原子が酸素原子で置換されていてもよい炭素数２～６のアルキレン基を、それぞれ示すことで表されるエポキシ樹脂を、より好ましく用いることができる。

　式（１）で表されるエポキシ樹脂のうち、さらに好ましいものとして、具体的には、例えば、式（１－ＩＩａ）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＸ^ｉｉは前記に同じ。）
で表される化合物が挙げられる。

　式（１－ＩＩａ）で表される化合物の中でも、Ｘ^ｉｉが、１，４－フェニレン基又は式（２^ｇ－ｉｉａ’）で表される基（好ましくは１，４－フェニレン基）であり、Ｒ^１が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数１～３のアルキル基（特にメチル基）であり、Ｒ^２が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数２～６のアルキレン基、（＊）－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－ＣＨ_２－、（＊）－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－ＣＨ_２－、（＊）－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－、又は（＊）－（ＣＨ_２）_５－Ｏ－（ＣＨ_２）_４－である化合物が好ましい。なお、上記同様、（＊）はＲ^２のケイ素原子に結合する側を示す。
上記式（１－ＩＩａ）で表されるエポキシ樹脂のうち、さらに好ましいものとして、式（１－ＩＩａ１）：

（式中、Ｒ^１及びＸ^ｉｉは前記に同じ。）
又は式（１－ＩＩａ２）：

（式中、Ｒ^１及びＸ^ｉｉは前記に同じ。）
で表されるエポキシ樹脂が例示できる。なお、Ｒ^１は同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。

　式（１－ＩＩａ１）又は（１－ＩＩａ２）において、Ｒ^１は、同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数１～３のアルキル基（特にメチル基）であり、Ｘ^ｉｉは、１，４－フェニレン基又は式（２^ｇ－ｉｉａ’）で表される基であるものがより好ましい。

　また、式（１）で表されるエポキシ樹脂のうち、より好ましいものとして、例えば、式（１－ＩＩｂ）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｘ^ｉｉ、及びｎは前記に同じ。）
で表されるエポキシ樹脂を挙げることもできる。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びｎは、いずれも、それぞれ同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。
式（１－ＩＩｂ）において、Ｘ^ｉｉが１，４－フェニレン基又は式（２^ｇ－ｉｉａ’）で表される基（好ましくは１，４－フェニレン基）であり、Ｒ^１が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数１～３のアルキル基（特にメチル基）であり、ｎが共に０（すなわち環はＲ^３で置換されていない）であり、Ｒ^２が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数２～６のアルキレン基（好ましくはジメチレン基：－（ＣＨ_２）_２－）であるものがより好ましい。

　また、式（１）で表されるエポキシ樹脂のうち、より好ましいものとして、さらに例えば、式（１－ＩＩＩａ）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｘ^ｉｉｉ、及びｎは前記に同じ。）
で表されるエポキシ樹脂を挙げることもできる。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びｎは、いずれも、それぞれ同一又は異なっていてよく、同一であることが好ましい。
式（１－ＩＩＩａ）において、Ｘ^ｉｉｉが

若しくは

又は式（２^ｇ－ｉｉｉａ’）で表される基であり、Ｒ^１が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数１～３のアルキル基（特にメチル基）であり、ｎが共に０（すなわち環はＲ^３で置換されていない）であり、Ｒ^２が同一又は異なって（好ましくは同一で）炭素数２～６のアルキレン基（好ましくはジメチレン基：－（ＣＨ_２）_２－）であるものがより好ましい。

　エポキシ樹脂組成物において、式（１）で表されるエポキシ樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

　式（１）で表されるエポキシ樹脂は、公知の方法に基づいて又は準じて、例えば特許文献（英国特許第１１２３９６０号公報）等の記載に基づいて又は準じて、製造することができる。また例えば、次の反応式で表される反応により式（１－ｉｉａ）で示されるエポキシ樹脂を製造することができる。

（式中、Ｒ^２Ａは、炭素数２～１８のアルケニル基であり、この基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子で置換されていてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＸ^ｉｉは前記に同じ。）
　Ｒ^２Ａで示される炭素数２～１８のアルケニル基としては、直鎖又は分岐鎖状のアルケニル基であり、直鎖状が好ましい。具体的には、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノルボルネニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数２～１０のアルケニル基であり、より好ましくは炭素数２～８のアルケニル基であり、さらに好ましくは炭素数２～６のアルケニル基であり、特に好ましくはビニル基、アリル基又はブテニル基である。なお、当該アルケニル基は、α－アルケニル基であることが好ましい。

　これらの炭素数２～１８のアルケニル基は、一部の炭素原子が、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子（好ましくは酸素原子）で置換されていてもよい。当該一部の炭素原子は、エポキシ環に直接結合していない炭素原子であることが好ましい。また、当該置換されてもよい一部の炭素原子は、１又は複数（例えば２、３、４、５、又は６）個の炭素原子であり、好ましくは１個の炭素原子である。当該基としては、例えば、炭素数２～９アルケニル－Ｏ－炭素数１～８アルキレン－、好ましくは炭素数２～４アルケニル－Ｏ－炭素数１～３アルキレン－、より好ましくは炭素数２～４アルケニル－Ｏ－炭素数１～２アルキレン－、特に好ましくは炭素数３アルケニル－Ｏ－ＣＨ_２－が挙げられる。具体的には、例えば、ＣＨ_２＝ＣＨ－Ｏ－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－、ＣＨ_２＝ＣＨ－（ＣＨ_２）_３－Ｏ－（ＣＨ_２）_４－などが挙げられ、これらの中でもＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－（アリルオキシメチル基）が好ましい。

　式（１－ｉｉａ）で表されるエポキシ樹脂は、式（５－ｉｉａ）で表される化合物と式（６）で表される化合物をヒドロシリル化反応させて製造することができる。ヒドロシリル化反応は、通常、触媒の存在下、溶媒の存在下又は非存在下で実施することができる。また、式（５－ｉｉａ）で表される化合物にかえて、式（５－ｉｉｉａ）：

（式中、Ｒ^１及びＸ^ｉｉｉは前記に同じ。）
　又は式（５－ｉｖａ）：

（式中、Ｒ^１及びＸ^ｉｖは前記に同じ。）
で表される化合物を用いることにより、上記式（１－ｉｉｉａ）又は（１－ｉｖａ）で表されるエポキシ樹脂や１個の式（３）の基が炭化水素環に結合した構造を有するエポキシ樹脂を製造することもできる。また、これらの化合物の構造において、Ｘ^ｉｉ～Ｘ^ｉｖが、それぞれ、Ｘ環から２個の水素原子を除いて得られる２価の基、Ｘ環から３個の水素原子を除いて得られる３価の基、又はＸ環から４個の水素原子を除いて得られる４価の基、に置換された構造の化合物を用いることで、式（１）で示される種々の化合物を製造することができる。

　ヒドロシリル化反応に用いられる触媒は、公知の触媒でよく、例えば、白金カーボン、塩化白金酸、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体等の白金系触媒；トリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等のロジウム系触媒；ビス(シクロオクタジエニル)ジクロロイリジウム等のイリジウム系触媒が挙げられる。上記の触媒は溶媒和物（例えば、水和物、アルコール和物等）の形態であってもよく、また使用にあたり触媒をアルコール（例えば、エタノール等）に溶解して溶液の形態で用いることもできる。なお触媒は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

　触媒の使用量は、触媒としての有効量でよく、例えば、上記式（５－ｉｉａ）、（５－ｉｉｉａ）、又は（５－ｉｖａ）で表される化合物と式（６）で表される化合物との合計量１００質量部に対して０．００００１～２０質量部、好ましくは０．０００５～５質量部である。

　前記ヒドロシリル化反応は溶媒を用いなくても進行するが、溶媒を用いることにより穏和な条件で反応を行うことができる。溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒；ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系溶媒などが挙げられ、これらは単独で又は２種以上組み合わせてもよい。

　式（６）で表される化合物の使用量は、例えば、式（５－ｉｉａ）、（５－ｉｉｉａ）、又は（５－ｉｖａ）で表される化合物中のＳｉ－Ｈ基１モルに対して、通常、０．５～２モル、好ましくは０．６～１．５モル、より好ましくは０．８～１．２モルである。

　反応温度は、通常０℃～１５０℃、好ましくは１０℃～１２０℃であり、反応時間は、通常１時間～２４時間程度である。

　反応終了後、反応液から溶媒を留去するなど、公知の単離手法を用いることにより、式（１）で表されるエポキシ樹脂を得ることができる。

　エポキシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、例えば１０～４０質量％又は１５～４０質量％程度が挙げられる。

　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、好ましくは５０～３０００程度、より好ましくは８０～２０００程度、さらに好ましくは１００～１０００、又は１００～５００程度である。エポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６に従って測定する。より具体的には、エポキシ当量は、秤量したエポキシ樹脂をクロロホルムに溶解させ、酢酸と臭化テトラエチルアンモニウム酢酸溶液を加えた後、電位差滴定装置（平沼自動滴定装置ＣＯＭ－１７００Ａ、平沼産業（株）製）を用い０．１ｍｏｌ／Ｌ過塩素酢酸標準液を滴加し、全てのエポキシ基が反応したところを終点検出して算出される。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

　また、エポキシ樹脂は、その単独硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が、３．０以下のものが好ましく、２．９以下又は２．８以下のものがより好ましい。またさらに、エポキシ樹脂は、その単独硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が、０．０３０以下のものが好ましく、０．０２８以下のものがより好ましく、０．０１５以下のものがさらに好ましい。なお、本明細書において、エポキシ樹脂単独硬化物とは、エポキシ樹脂１００質量部と硬化促進剤を１．０～２．０質量部とからなるエポキシ樹脂組成物の硬化物をいう。また、エポキシ樹脂単独硬化物を単にエポキシ樹脂硬化物ということがある。また、当該比誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法にて測定される。例えば、誘電率測定装置（ネットワークアナライザー）を用いて測定され得る。

　酸変性ポリオレフィンとしては、カルボキシル基や酸無水物基などの酸変性基で変性されたポリオレフィンが挙げられる。

　より具体的には、酸変性ポリオレフィンとしては、ポリオレフィンに酸変性基がグラフト化された酸変性ポリオレフィン（酸変性基グラフト化酸変性ポリオレフィン）、及びオレフィン並びに不飽和カルボン酸及びその酸無水物からなる群より選択される少なくとも１種を共重合させた酸変性ポリオレフィン（酸変性基共重合酸変性ポリオレフィン）、さらにはこれらに水素添加した酸変性ポリオレフィン（水素添加した酸変性基グラフト化酸変性ポリオレフィン、水素添加した酸変性基共重合酸変性ポリオレフィン）等が好ましく例示される。酸変性基グラフト化酸変性ポリオレフィン及び酸変性基を共重合させた酸変性ポリオレフィンは、主鎖に不飽和結合を有しない樹脂であることがより好ましい。

　酸変性基がグラフト化された酸変性ポリオレフィンに係るポリオレフィン（言い換えれば、酸変性基がグラフト化される前のポリオレフィン）としては、ポリエチレン、ポリプロピレン及びオレフィン共重合体が好ましく例示される。

　オレフィン共重合体としては、プロピレン－α－オレフィン共重合体、オレフィン－環状オレフィン共重合体、オレフィン－スチレン系共重合体等が例示される。

　プロピレン－α－オレフィン共重合体は、プロピレンに、さらにα－オレフィンを共重合した共重合体である。α－オレフィンとしては、例えば、エチレン、１－ブテン、１－ヘプテン、１－オクテン、４－メチル－１－ペンテンなどが挙げられる。これらα－オレフィンは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、酢酸ビニル等他のモノマーを組み合わせて共重合してもよい。オレフィン－環状オレフィン共重合体としては、エチレン又はプロピレンとテトラシクロドデセンとの共重合体等が例示される。

　オレフィン－スチレン系共重合体としては、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－エチレンプロピレン共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体、スチレン－イソプレン－スチレン共重合体、スチレン－エチレンブチレン－スチレン共重合体、スチレン－エチレンプロピレン－スチレン共重合体等が例示される。

　酸変性基がグラフト化された酸変性ポリオレフィンの製造方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、ポリオレフィンのラジカルグラフト化反応を用いることができ、より具体的には、主鎖となるポリマーにおいてラジカル種を生成し、そのラジカル種を重合開始点として不飽和カルボン酸及び／又は不飽和カルボン酸無水物をグラフト重合させる方法が挙げられる。

　不飽和カルボン酸及び／又は不飽和カルボン酸無水物としては、例えば、アクリル酸、ブタン酸、クロトン酸、ビニル酢酸、メタクリル酸、ペンテン酸、ドデセン酸、リノール酸、アンゲリカ酸、けい皮酸等の不飽和モノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、クロロマレイン酸、ハイミック酸等の不飽和ジカルボン酸、無水マレイン酸、無水ハイミック酸、アクリル酸無水物等の不飽和カルボン酸無水物等が挙げられる。これらの中でも、無水マレイン酸を特に好適に用いることができる。

　酸変性ポリオレフィンの数平均分子量は、特に限定されるものでは無いが、２０００～３０００００であることが好ましく、３０００～２０００００であることがより好ましい。また、酸変性ポリオレフィンは（特に数平均分子量が２００００以下の酸変性ポリオレフィンである場合は）、耐熱性の観点から、エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂中のエポキシ基と酸変性ポリオレフィン中の酸変性基との当量比（エポキシ基／酸変性基）が０．５～６程度であることが好ましく、より好ましい下限は０．８であり、また、より好ましい上限は３である。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により測定される。ＧＰＣにより、同一条件で測定した数平均分子量が既知のポリスチレンと比較することにより、酸変性ポリオレフィンの数平均分子量は求められる。

　酸変性ポリオレフィンの酸価は、特に限定されるものではないが、酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）が０．５～５００であるものが好ましく、２～３００であるものがより好ましい。　

　また、酸変性ポリオレフィンの酸変性基の官能基当量は、特に限定されるものではないが、官能基当量（ｇ／ｍｏｌ）が１００～１０００００であるものが好ましく、１００～５００００又は２００～３００００であるものがより好ましい。

　酸変性ポリオレフィンの比誘電率は、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において、３．０以下が好ましく、より好ましくは２．８以下、さらに好ましくは２．６以下である。また、誘電正接は、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において、０．００３以下が好ましく、より好ましくは０．００２８以下であり、さらに好ましくは０．００２５以下である。なお、酸変性ポリオレフィンの比誘電率及び誘電正接は空洞共振器摂動法にて測定する。

　なお、酸変性ポリオレフィンは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

　エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的や効果を損なわない範囲で、必要に応じて例えば硬化剤、硬化促進剤、酸変性ポリオレフィンを除く熱可塑性樹脂、フィラー、添加剤等を含有してもよい。特に、硬化剤を含有することが好ましい。

　前記硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有するものであれば、特に限定されず、例えば、アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、ナフトール系硬化剤、メルカプタン系硬化剤、イソシアネート系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化物の誘電特性を向上（特に誘電正接の低減）及び耐熱性を保持する観点から酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤が好ましく、より好ましくは、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、活性エステル系硬化剤である。硬化剤は、求める特性に応じて使い分けることが可能であり、単独で用いてもよく、また、２種以上を併用してもよい。

　本発明のエポキシ樹脂組成物における硬化剤の配合割合は、本発明の効果を発揮できる範囲であれば特に制限されない。例えば、エポキシ樹脂中のエポキシ基の当量に対して、硬化剤中の反応性官能基の当量が、１０：９０～９０：１０であることが好ましく、より好ましくは２０：８０～８０：２０であり、さらに好ましくは３０：７０～７０：３０であり、よりさらに好ましくは４０：６０～６０：４０である。

　前記硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－（２－シアノエチル）－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール類；２－（ジメチルアミノメチル）フェノール、トリエチレンジアミン、トリエタノールアミン、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン－７、１，５－ジアザビシクロ（４，３，０）－ノネン－５）、１，８－ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン、１，１，３，３－テトラメチルグアニジン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン等の第３級アミン類；トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン等の有機ホスフィン類；オクチル酸スズなどの金属化合物；エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のホスホニウム塩類などが挙げられる。樹脂組成物の硬化性を向上させる観点から、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、４－ジメチルアミノピリジン、トリフェニルホスフィンがより好ましい。

　硬化促進剤の使用量は特に限定されないが、樹脂層中のエポキシ樹脂１００質量部に対して、例えば好ましくは０．０１～１０．０質量部であり、より好ましくは０．１～５質量部である。

　前記酸変性ポリオレフィンを除く熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアセタール樹脂、およびこれらが酸変性されたもの等が挙げられる。本発明にかかるエポキシ樹脂組成物との相溶性および耐熱性の観点から、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが好ましく挙げられる。

　前記フィラーとしては、組成物及び硬化物において必要とされる流動性、耐熱性、低熱膨張性、機械特性、硬度、耐擦傷性及び接着性などを必要に応じて考慮し、単独で、又は複数種を混合して用いることができる。例えば、シリカ（より具体的には結晶性シリカ、溶融シリカ、球状溶融シリカ等）、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、酸化インジウム、アルミナ、酸化アンチモン、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）などの無機化合物が挙げられる。また、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、亜鉛、ステンレスなどの金属が挙げられる。また、モンモリロナイト、タルク、マイカ、ベーマイト、カオリン、スメクタイト、ゾノライト、バーキュライト、セリサイトなどの鉱物が挙げられる。その他のフィラーとしては、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブなどの炭素化合物；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムなどの金属水酸化物；ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラスバルーンなどの各種ガラスなどを挙げることができる。エポキシ樹脂組成物の耐熱性及び流動性の観点から無機化合物が好ましく、中でもシリカ及びアルミナがさらに好ましい。また、フィラーは粉体をそのまま使用してもよく、樹脂中に分散させたものを用いてもよい。

　前記添加剤としては、例えば、カップリング剤、酸化防止剤、無機蛍光体、滑剤、紫外線吸収剤、熱光安定剤、帯電防止剤、重合禁止剤、消泡剤、溶剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定性改良剤、オゾン老化防止剤、増粘剤、可塑剤、放射線遮断剤、核剤、導電性付与剤、リン系過酸化物分解剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤等が挙げられる。

　なお、エポキシ樹脂組成物は、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して、２５～７５質量％程度であることが好ましい。当該範囲の上限又は下限は、例えば２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２、７３、又は７４質量％であってもよい。例えば、当該範囲は３０～７０質量％程度であってもよい。

　また、エポキシ樹脂組成物は、当該樹脂組成物の硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において０．０１０以下の誘電正接を有することが好ましく、より好ましくは０．００８以下、さらに好ましくは０．００５以下である。なお、この誘電正接は低いほど好ましいため、下限は特に制限はされないが、例えば０．００００５以上、０．０００１以上又は０．０００５以上が挙げられる。た、当該樹脂組成物の硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において、３．０以下の比誘電率を有することが好ましく、より好ましくは２．９、２．８、２．７、又は２．６以下であり、さらに好ましくは２．５、又は２．４以下である。なお、この比誘電率は低いほど好ましいため、下限は特に制限はされないが、例えば１．０以上、１．５以上、又は２．０以上が挙げられる。なお、当該誘電正接及び比誘電率は、空洞共振器摂動法により測定することができる。当該測定は、例えば、ネットワークアナライザーを用いて行うことができる。

　本開示に係る積層体は、ＪＩＳＣ６４８１に準拠して、（ｉ）当該積層体及びプリプレグからなる試験片を用いて測定される、積層体とプリプレグとの９０度（９０°）剥離強度が０.６Ｎ／ｍｍ以上であり、且つ、（ｉｉ）当該試験片を沸騰水に２時間浸漬後の、積層体とプリプレグとの９０度剥離強度の低下率が２０％以下である。当該試験片は、より具体的には、当該積層体のエポキシ樹脂組成物層側をプリプレグに付け、プレス温度１８０℃で４５分間、次いで２００℃で２時間、プレス圧力２．５ＭＰａの条件でプレスして接着（硬化）させて得られる試験片である。また、当該剥離強度の測定は、より具体的には、試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件でプリプレグに対して積層体を９０度で引っ張った際の剥離強度である。なお、当該剥離強度の測定においては、試験片は、銅箔－エポキシ樹脂層－プリプレグがこの順に積層した構造を有するところ、銅箔とエポキシ樹脂層との間で剥離が生じる場合もあれば、エポキシ樹脂層とプリプレグとの間で剥離が生じる場合もあり、本開示では、これらのいずれの場合も“積層体とプリプレグとの剥離”に包含される。

　（ｉ）の９０度剥離強度は、好ましくは０.６５Ｎ／ｍｍ以上、０.７Ｎ／ｍｍ以上、０.７５Ｎ／ｍｍ以上、又は０.８Ｎ／ｍｍ以上である。また、（ｉｉ）の低下率とは、当該試験片を沸騰水に２時間浸漬した後の９０度剥離強度が、（ｉ）の９０度剥離強度を１００％としたときに、何％低下したかを算出した値である。（ｉｉ）の低下率は、１９、１８、１７、又は１６％以下であることが好ましく、１５、１４、１３、１２、１１、１０、又は９％以下であることがさらに好ましい。

　なお、上述の通り、本開示の積層体における銅箔のエポキシ樹脂組成物層側の表面は、表面粗さＲｚｊｉｓが１．２μｍ以下であることが好ましいところ、表面粗さＲｚｊｉｓの小さい銅箔は、プリプレグ等の樹脂基材との密着性が悪くなる傾向にあるが、本開示の積層体はプリプレグ等の樹脂基材との密着性が上記（ｉ）及び（ｉｉ）の条件を満たすものであって、優良である。

　またさらに、本開示の積層体は、（ｉｉｉ）当該積層体と、周波数１ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．０１６である樹脂基板（好ましくはプリプレグ）とを、当該積層体のエポキシ樹脂組成物層が当該樹脂基板に接するよう備える、特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍの回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＸｄＢ／１００ｍｍ、当該銅箔（つまり、本開示に係る積層体に用いられる銅箔）と、当該樹脂基板とを、これらが接するよう備える回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＹｄＢ／１００ｍｍとしたとき、Ｘ－Ｙ≧０．５である、積層体であることが好ましい。（ｉｉｉ）の（Ｘ－Ｙ）値は、当該積層体と当該樹脂基板とが接着してなる回路基板と、エポキシ樹脂組成物層が無い銅箔と当該樹脂基板とが接着してなる回路基板との、伝送損失の差を反映した値である。当該（Ｘ－Ｙ）値が大きいほど、エポキシ樹脂組成物層により伝送損失が抑制されているということができ、好ましい。当該（Ｘ－Ｙ）値は、好ましくは０．６、０．７、０．８、０．９、又は１．０以上であり、より好ましくは１．１、１．２、１．３、１．４、又は１．５以上である。

　伝送損失を測定する回路基板は、上記の通り特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍの回路基板である。例えば、２枚の本開示に係る積層体を前記樹脂基板の両面に付け、プレスして接着（硬化）させて両面銅張積層板とし、さらに、当該両面銅張積層板の銅箔をパターンエッチングすることで、特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍ程度となるマイクロストリップ回路を形成した回路基板を作製することができる。また、回路基板において測定する伝送損失はＳ２１（挿入損失）とする。

　本開示の積層体は、上記（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす積層体であり、好ましくは上記（ｉｉｉ）をも満たす積層体である。また、より好ましくは、その他上述した効果を奏し得る積層体である。本開示の積層体は、特に、エポキシ樹脂組成物が、酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、エポキシ樹脂を２５質量部より多く１２５質量部未満（好ましくは、例えば３０～１２０質量部）含有し、且つ、含有されるエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％程度であることによって、このような好ましい効果を奏する積層体となり得る。言い換えれば、酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、エポキシ樹脂を２５質量部より多く１２５質量部未満（好ましくは、例えば３０～１２０質量部）含有し、且つ、含有されるエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％程度である、エポキシ樹脂組成物を用いて、銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられた積層体を製造したうえで、必要に応じて上記（ｉ）及び（ｉｉ）の効果を満たすかを確認することによって（さらには、さらに必要に応じて（ｉｉｉ）等の（ｉ）及び（ｉｉ）以外の効果についても確認することによって）、好ましく本開示の積層体を得ることができる。このため、本開示の積層体の好ましい一形態として、銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂、酸変性ポリオレフィン、及び硬化剤が含有され、前記エポキシ樹脂組成物が、前記酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、前記エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有し、且つ、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％である、積層体が挙げられる。

　本開示の積層体はこれを備える積層体品の効果にも好ましく寄与する。例えば、本開示の積層体は、本開示の積層体及び基材を備える銅張積層板及びプリント配線板において、高いピール強度を維持しつつ、配線を伝搬する高周波信号の伝送損失を好ましく抑制することに寄与する。例えば、ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上に維持することができる。さらに、好ましくは、樹脂層を用いない銅箔と樹脂基板からなる回路基板の伝送損失よりも樹脂層付銅箔と樹脂基板からなる回路基板の伝送損失を小さくすることができる。これらは、それぞれ上記（ｉ）及び（ｉｉ）並びに（ｉｉｉ）の効果をエポキシ樹脂組成物層が奏することに対応する。

　このような銅箔及び基材間での優れた密着性を奏するため、例えば本開示の積層体を、銅張積層板又はプリント配線板の製造に用いることで、回路剥がれ等の不具合を防止して製品歩留まりの向上を実現することができる。また、優れた高周波用途における伝送損失の低下を実現できる。したがって、本開示の積層体は、例えばネットワーク機器における高周波通信用の銅張積層板又はプリント配線板としての絶縁層（エポキシ樹脂組成物層が該当する）及び導体層（銅箔が該当する）として好ましく利用できる。

　なお、本明細書において「含む」とは、「本質的にからなる」と、「からなる」をも包含する（The term "comprising" includes "consisting essentially of” and "consisting of."）。また、本開示は、本明細書に説明した構成要件を任意の組み合わせを全て包含する。

　また、上述した本開示の各実施形態について説明した各種特性（性質、構造、機能等）は、本開示に包含される主題を特定するにあたり、どのように組み合わせられてもよい。すなわち、本開示には、本明細書に記載される組み合わせ可能な各特性のあらゆる組み合わせからなる主題が全て包含される。

　以下、例を示して本開示の実施形態をより具体的に説明するが、本開示の実施形態は下記の例に限定されるものではない。

製造例１（エポキシ樹脂Ａの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、アリルグリシジルエーテル５．９ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で４時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の１，４－ビス［（２，３－エポキシプロピルオキシプロピル）ジメチルシリル］ベンゼン（エポキシ樹脂Ａ）１０．３ｇ（エポキシ当量２１１ｇ／ｅｑ）を取得した。

製造例２（エポキシ樹脂Ｂの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、１，２－エポキシ－５－ヘキセン５．０ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で５時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の１，４－ビス［（５，６－エポキシヘキシル）ジメチルシリル］ベンゼン（エポキシ樹脂Ｂ）９．５ｇ（エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）を取得した。

製造例３（エポキシ樹脂Ｃの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、３，４－エポキシ－１－ブテン４．０ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で５時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の１，４－ビス［（３，４－エポキシブチル）ジメチルシリル］ベンゼン（エポキシ樹脂Ｃ）８．５ｇ（エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ）を取得した。

製造例４（エポキシ樹脂Ｄの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、１，２－エポキシ－４－ビニルシクロヘキサン６．４ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、１，４－ビス（ジメチルシリル）ベンゼン５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で４時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の１，４－ビス｛［２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル]ジメチルシリル｝ベンゼン（エポキシ樹脂Ｄ）１０．８ｇ（エポキシ当量２２１ｇ／ｅｑ）を取得した。

製造例５（エポキシ樹脂Ｅの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、１，２－エポキシ－４－ビニルシクロヘキサン４．３ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、ビス[（ｐ－ジメチルシリル）フェニル]エーテル５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で６時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の４，４’－ビス｛［２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル]ジメチルシリル｝ジフェニルエーテル（エポキシ樹脂Ｅ）８．９ｇ（エポキシ当量２６７ｇ／ｅｑ）を取得した。

製造例６（エポキシ樹脂Ｆの製造）
　攪拌機、温度計及び冷却器を備え付けた２００ｍＬ容の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、１，２－エポキシ－４－ビニルシクロヘキサン７．４ｇ、ヘキサクロロ白金酸六水和物の２質量％エタノール溶液０．０５ｇ、トルエン１００ｇを仕込み、液温を７０℃まで昇温させた後、１，３，５－トリス（ジメチルシリル）ベンゼン５．０ｇを１５分間で滴下し、その後、９０℃で６時間攪拌した。トルエンを濃縮後、無色透明液体の１，３，５－トリス｛［２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル]ジメチルシリル｝ベンゼン（エポキシ樹脂Ｆ）１１．８ｇ（エポキシ当量２０８ｇ／ｅｑ）を取得した。

原材料
　各例で用いた原材料は次の通りである。
・酸変性ポリオレフィンＡ：特殊ポリオレフィン樹脂　サーフレン（三菱ケミカル（株）製）（酸価約１５ｍｇＫＯＨ／ｇ、約４０００ｇ／ｅｑ）
・酸変性ポリオレフィンＢ：水添スチレン系熱可塑性エラストマー　タフテックＭ１９１３（旭化成（株）製）（無水マレイン酸変性ポリオレフィン系樹脂（より具体的には、無水マレイン酸基がグラフト化された水添ＳＥＢＳ：スチレン／エチレン／ブチレン／スチレン共重合体）、酸価約１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、約７０００ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂Ｇ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（グレード８２８、三菱ケミカル（株）製）（エポキシ当量１８９ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂Ｈ：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＨＰ－７２００、ＤＩＣ（株）製）（エポキシ当量２６８ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂I：アントラセン型エポキシ樹脂（ｊＥＲ　ＹＸ８８００、三菱ケミカル（株）製）（エポキシ当量１７９ｇ／ｅｑ）
・エポキシ樹脂J：脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０２１Ｐ；一般名は３’，４’-エポキシシクロヘキシルメチル３，４-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル（株）製）（エポキシ当量１３７ｇ／ｅｑ）
・硬化促進剤Ａ：サンエイドＳＩ－１００Ｌ（三新化学化学工業（株）製）
・硬化促進剤Ｂ：キュアゾール２Ｅ４ＭＺ（四国化成（株）製）
・硬化剤Ａ：Ｆ－ａ型ベンゾオキサジン樹脂（四国化成（株）製）
・硬化剤Ｂ：リカシッドＭＨ－７００（新日本理化（株）製）
・硬化剤Ｃ：ＥＰＩＣＲＯＮ　ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製）
表１ａに、エポキシ樹脂Ａ～Ｊの構造式を示す。また、表１ｂに、硬化促進剤Ａ～Ｂ及び硬化剤Ａ～Ｂの構造式を示す。

　　参考例１～１０
＜エポキシ樹脂単独硬化物の調製及び比誘電率・誘電正接測定＞
　表２に記載した配合量（質量部）の各成分を秤量、混合した。得られた各エポキシ樹脂組成物を樹脂製モールド（スペーサー厚み３ｍｍ）に流し込み、６０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で２時間、１５０℃で２時間、１８０℃で２時間、２００℃で２時間の順に加熱して硬化させ、次いで、得られた硬化物を幅３ｍｍ×長さ８０ｍｍ×厚さ１ｍｍのサイズに切り出し、誘電率測定用試験片とした。

　得られた試験片について、誘電率測定装置（ネットワークアナライザーＭＳ４６１２２Ｂ、（株）エーイーティー製）を用いて、比誘電率（１０ＧＨｚ、２５℃）及び誘電正接（１０ＧＨｚ、２５℃）を測定した。これをエポキシ樹脂単独硬化物の比誘電率及び誘電正接とした。結果を表２にあわせて示す。

実施例１～２０、比較例２～１０
＜樹脂ワニスの調製＞
　表３に記載した配合量（質量部）の各成分を秤量した。秤量した各成分及び有機溶剤として２－ブタノンを固形分濃度（エポキシ樹脂組成物濃度）が２０質量％になるようフラスコに投入し、６０℃で攪拌してエポキシ樹脂組成物成分を溶剤に溶解させ、樹脂ワニスを得た。

＜エポキシ樹脂組成物層単体の作製＞
　上記で得られた樹脂ワニスを、剥離ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）上に、乾燥後膜厚を１００μｍの厚さに狙って塗工した。塗工した樹脂ワニスを１２０℃５分で加熱乾燥させ、半硬化（Ｂステージ）状態とした。さらに、剥離ＰＥＴをＢステージ上に重ねるように積層して、プレス２００℃、保温保持時間１２０分、プレス圧力２．５ＭＰａの条件でプレスを行い、硬化（Ｃステージ）状態とした。こうして硬化された樹脂層の厚さは１００μｍであった。プレス後の積層体から剥離ＰＥＴを除去し、エポキシ樹脂組成物層単独からなる樹脂フィルムを得た。

［比誘電率及び誘電正接の測定］
　上記で得られた樹脂フィルムについて、ネットワークアナライザーを用いて空洞共振器摂動法により、エポキシ樹脂組成物層単体での周波数１０ＧＨｚ、２５℃における比誘電率及び誘電正接を測定した。

＜積層体（樹脂層付銅箔）の作製＞
　上記で得られた樹脂ワニスを、銅箔の表面に、乾燥後塗工厚みを５．０μｍの厚さとなるように塗工した。塗工した樹脂ワニスをオーブンで乾燥させ、半硬化（Ｂステージ）状態とすることで、銅箔の片面にエポキシ樹脂組成物層を備えた積層体（樹脂層付銅箔）を作製した。

［剥離強度（９０度ピール強度試験）］
　当該積層体のエポキシ樹脂組成物層側を樹脂基材であるプリプレグ（パナソニック（株）製Ｒ－１６６１）に積層し、プレス温度１８０℃で４５分間、次いで２００℃で２時間、プレス圧力２．５ＭＰａの条件でプレスを行い、エポキシ樹脂組成物層を硬化（Ｃステージ）状態として銅張積層板を得た。当該銅張積層板は、エポキシ樹脂組成物層がプライマー層として働き、銅箔とプリプレグとが接着された積層体ということができる。当該銅張積層板の銅箔面に幅０．１ｃｍのマスキングテープを貼り付けて、銅エッチング液でエッチング処理を行い、マスキングテープを剥離して、９０度ピール強度試験用の回路とした。得られた回路について、ＡＧＳ－Ｘ（島津製作所（株）製）を用いて、試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、樹脂基材に対して銅箔側を９０度で引張り、９０度ピール強度試験を実施した。

［煮沸試験後の剥離強度低下率］
　上記で得られた９０度ピール強度試験用の回路を、沸騰水に２時間浸漬させ、試験用の回路とした。得られた回路について、ＡＧＳ－Ｘ（島津製作所（株）製）を用いて、試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件でプリプレグに対して銅箔側を９０度で引張り、９０度ピール強度試験を実施した。煮沸試験前後の剥離強度から低下率を算出した。

［ハンダ耐熱試験］
　２枚の、エポキシ樹脂組成物層付銅箔の樹脂組成物層側を基材であるプリプレグ（パナソニック（株）製Ｒ－１６６１）の両面に積層し、プレス温度１８０℃で４５分間、次いで２００℃で２時間、プレス圧力２．５ＭＰａの条件でプレスを行い、エポキシ樹脂組成物層を硬化（Ｃステージ）状態として両面銅張積層板を得た。なお、エポキシ樹脂組成物層は、銅張積層板の作製において、プリプレグと接合するためのプライマー層として機能している。得られた銅張積層板を用いてハンダ耐熱性評価用の基板作製を行った。具体的には、銅張積層板を６．０ｃｍ×６．０ｃｍのサンプル片に切り出し、２６０℃のハンダ浴に３０秒間浸漬させ、膨れなどの外観変化の有無を観察した。膨れが無い場合は○、膨れが有る場合は×と評価した。

＜回路基板の作製＞
［伝送損失］
　２枚の、エポキシ樹脂組成物層付銅箔の樹脂層側を樹脂基材であるプリプレグ（パナソニック（株）製Ｒ－１６６１：周波数１ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．０１６）の両面に積層し、プレス温度１８０℃で４５分間、次いで２００℃で２時間、プレス圧力２．５ＭＰａの条件でプレスを行い、両面銅張積層板作製した。その後、銅箔をパターンエッチングすることで、特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍとなるマイクロストリップ回路を作製し、ネットワークアナライザーＥ８３６３Ｂを用いて、２５℃、４０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１（挿入損失）（ｄＢ／１００ｍｍ）を測定した。

　以上の結果を表３にまとめて示す。

　なお、表３の比較例１はエポキシ樹脂組成物層を持たない銅箔そのものを、エポキシ樹脂組成物層及び銅箔を備えた積層体と同様に操作して、剥離強度、ハンダ耐熱性、及び伝送損失を求めた結果を示す。エポキシ樹脂組成物層が存在していないため、銅箔が直接プリプレグに接着した状態での測定結果である。このため、比較例１の伝送損失の値は、表３最下段の評価「Ｘ－Ｙ」の値を算出する際の「Ｙ」に該当する。その他の例（実施例１～２０、比較例２～１０）においては、伝送損失の値は、「Ｘ－Ｙ」の値を算出する際のＸに該当する。

Claims

銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、
銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、当該エポキシ樹脂組成物層はエポキシ樹脂組成物を含み、
当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂及び酸変性ポリオレフィンが含有され、
ＪＩＳＣ６４８１に準拠して、当該積層体及びプリプレグからなる試験片を用いて測定される、積層体とプリプレグとの９０度剥離強度が０.６Ｎ／ｍｍ以上であり、且つ、当該試験片を沸騰水に２時間浸漬後の、積層体とプリプレグとの９０度剥離強度の低下率が２０％以下である、
積層体。
請求項１に記載の積層体であって、
当該積層体と、周波数１ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．０１６である樹脂基板とを、当該積層体のエポキシ樹脂組成物層が当該樹脂基板に接するよう備える、特性インピーダンスが５０Ω、線路長が１００ｍｍの回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＸｄＢ／１００ｍｍ、
当該銅箔と、当該樹脂基板とを、これらが接するよう備える回路基板の、４０ＧＨｚでの伝送損失をＹｄＢ／１００ｍｍとしたとき、
Ｘ－Ｙ≧０．５である、
積層体。
前記エポキシ樹脂が、
その硬化物が、周波数１０ＧＨｚ、２５℃において０．０１５以下の誘電正接を有し、かつ周波数１０ＧＨｚ、２５℃において２．８以下の比誘電率を有する、エポキシ樹脂である、
請求項１又は２に記載の積層体。
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ケイ素元素含有エポキシ樹脂からなる群から選択される１種または２種以上である、請求項１～３のいずれかに記載の積層体。
前記銅箔の、エポキシ樹脂組成物層と接する表面の表面粗さＲｚｊｉｓが、１．２μｍ以下である、請求項１～４のいずれかに記載の積層体。
前記エポキシ樹脂組成物が、前記酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、前記エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有する組成物である、請求項１～５のいずれかに記載の積層体。
エポキシ樹脂組成物が、さらに硬化剤を含む、請求項１～６のいずれかに記載の積層体。
前記硬化剤が、酸無水物系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項７に記載の積層体。
前記エポキシ樹脂組成物が、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％である、請求項１～８のいずれかに記載の積層体。
銅箔とエポキシ樹脂組成物層とを備えた積層体であって、
銅箔の少なくとも片面にエポキシ樹脂組成物層が備えられており、
当該エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂、酸変性ポリオレフィン、及び硬化剤が含有され、
前記エポキシ樹脂組成物が、前記酸変性ポリオレフィン１００質量部に対して、前記エポキシ樹脂を３０～１２０質量部含有し、且つ、含有するエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物に対して２５～７５質量％である、
積層体。
請求項１～１０のいずれかに記載の積層体を備えた積層体品であって、前記エポキシ樹脂組成物が硬化されており、当該積層体品が銅張積層板又はプリント配線板である、積層体品。