WO2020256029A1 - 有孔電極の形成方法 - Google Patents

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柳生　慎悟
貴博 佐々木
拓人 井川
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株式会社Flosfia
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    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a perforated electrode provided in an electronic component such as a semiconductor device or a laminated substrate, particularly a method for forming a through-hole electrode.
  • a hole electrode eg, a through hole electrode, a via hole electrode, a perforated ring or a mesh electrode, an electrode formed on the groove side surface of a substrate having a groove on the surface, etc.
  • Patent Document 1 An example of a method for forming a through-hole electrode is disclosed in Patent Document 1.
  • a through hole is formed in an insulating layer made of an epoxy resin or the like by drilling, punching, laser or the like.
  • the inner peripheral surface of the through hole is catalyzed as necessary, and then a metal such as Cu is plated by wet plating. In this way, a plating film is formed on the inner peripheral surface of the through hole.
  • Patent Document 2 describes a method for forming a through-hole electrode using irradiation with a laser beam.
  • a deposition method has a problem that the metal film is not uniformly deposited and a thick metal is locally deposited, and innumerable metal crystal grains are formed in the film. There was a problem that it was done, and the conductivity was still unsatisfactory. Therefore, a method for forming a perforated electrode that enables good conduction has been desired.
  • An object of the present invention is to provide a method capable of forming a perforated electrode having excellent coating properties and conductivity in an industrially advantageous manner.
  • the present inventors formed a conductive film on the inner peripheral surface of the processed hole for the electrode by using a substrate having at least one processed hole for the electrode on the surface.
  • the conductive film is formed by atomizing a raw material solution containing a metal, suspending droplets, and processing the obtained atomized droplets with a carrier gas for the electrode. It has been found that a perforated electrode having excellent coating property and conductivity can be formed industrially advantageously by transporting the atomized droplet into the hole and then thermally reacting the atomized droplet, and such a perforated electrode. It was found that the method of forming the above can solve the above-mentioned conventional problems at once. In addition, after obtaining the above findings, the present inventors have further studied and completed the present invention.
  • a method for forming a perforated electrode by forming a conductive film on the inner peripheral surface of the processed hole for an electrode using a substrate having at least one machined hole for the electrode on the surface.
  • the conductive film is formed by atomizing a raw material solution containing a metal, suspending droplets, transporting the obtained atomized droplets with a carrier gas into the processing holes for electrodes, and then the atomizing liquid.
  • a method for forming a perforated electrode which is carried out by thermally reacting droplets.
  • the substrate is provided with a plurality of processed holes for electrodes, and a plurality of perforated electrodes are formed by transporting atomized droplets into the processed holes for electrodes and causing a thermal reaction.
  • the metals are gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), iron (Fe), manganese (Mn), nickel (Ni), palladium (Pd), cobalt (Co).
  • the method for forming a perforated electrode according to any one of.
  • a perforated electrode having excellent coating property and conductivity can be formed industrially.
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram of the film forming apparatus (mist CVD) preferably used in this invention. It is a figure explaining the atomized part of FIG. It is a figure explaining the ultrasonic oscillator of FIG. It is a schematic block diagram of the film forming apparatus (mist CVD) of another aspect from FIG. 1 preferably used in this invention. The element mapping image of Cu obtained by SEM-EDS in an Example is shown.
  • a conductive film is formed on the inner peripheral surface of the processed hole for an electrode by using a substrate having at least one processed hole for the electrode on the surface to form a perforated electrode.
  • This is a method for forming the conductive film by atomizing a raw material solution containing a metal (atomization step), suspending droplets, and using the obtained atomized droplets with a carrier gas for the electrode.
  • the feature is that the atomized droplets are transported to the inside of the processing hole (conveyance step) and then the atomized droplets are thermally reacted (deposition step).
  • the raw material solution containing a metal is a raw material solution of a conductive film, and is not particularly limited as long as it can be atomized, and may contain an inorganic material or an organic material.
  • the metal may be a metal alone or a metal compound, and is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but is not particularly limited, but is limited to gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), and copper (Cu).
  • a solution in which the metal is dissolved or dispersed in an organic solvent or water in the form of a complex or a salt can be preferably used.
  • the form of the complex include an acetylacetonate complex, a carbonyl complex, an ammine complex, and a hydride complex.
  • the salt form include organic metal salts (for example, metal acetate, metal oxalate, metal citrate, etc.), metal sulfide salts, nitrified metal salts, phosphor oxide metal salts, and metal halide metal salts (for example, metal chloride). Salts, metal bromide salts, metal iodide salts, etc.) and the like.
  • the solvent of the raw material solution is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and may be an inorganic solvent such as water, an organic solvent such as alcohol, or an inorganic solvent and an organic solvent. May be a mixed solvent of.
  • the solvent preferably contains an organic solvent, and since the coating property can be further improved, it is more preferable to contain alcohol.
  • additives such as hydrohalic acid and an oxidizing agent may be mixed with the raw material solution.
  • hydrohalic acid include hydrobromic acid, hydrochloric acid, and hydroiodic acid.
  • oxidizing agent include hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), sodium peroxide (Na 2 O 2 ), barium peroxide (BaO 2 ), benzoyl peroxide (C 6 H 5 CO) 2 O 2 and the like.
  • the raw material solution may contain a dopant.
  • the dopant is not particularly limited as long as it does not interfere with the object of the present invention.
  • Examples of the dopant include tin, germanium, silicon, titanium, zirconium, vanadium, niobium and the like.
  • the concentration of the dopant may usually be about 1 ⁇ 10 16 / cm 3 to 1 ⁇ 10 22 / cm 3 , and the concentration of the dopant should be as low as about 1 ⁇ 10 17 / cm 3 or less, for example. You may. Further, according to the present invention, the dopant may be contained in a high concentration of about 1 ⁇ 10 20 / cm 3 or more.
  • the raw material solution contains a metal-organic complex and an organic solvent because a better quality metal film can be more easily obtained.
  • the substrate is not particularly limited as long as it is provided with at least one processed hole for an electrode on the surface and can support a conductive film.
  • the material of the substrate is also not particularly limited as long as it does not interfere with the object of the present invention, and may be a known substrate, an organic compound, or an inorganic compound.
  • the shape of the substrate may be any shape and is effective for any shape, for example, plate-like, fibrous, rod-like, columnar, prismatic, such as a flat plate or a disk. Cylindrical, spiral, spherical, ring-shaped and the like can be mentioned, but in the present invention, a substrate is preferable.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited in the present invention.
  • the substrate is not particularly limited as long as it has a plate shape and serves as a support for the crystal film. It may be an insulator substrate, a semiconductor substrate, or a conductive substrate. Further, it may be one kind or two or more kinds of laminated structures selected from an insulator layer, a semiconductor layer and a conductive layer.
  • the processed hole for the electrode is not particularly limited as long as it is a hole in which a perforated electrode can be formed.
  • the shape of the hole is also not particularly limited, and is, for example, circular or substantially circular, elliptical, polygonal (square such as triangle, square, rectangle or parallelogram, pentagon, hexagon, heptagon or octagon), star. Suitable hole shapes include a shape, a semicircular shape, or a shape formed by combining these shapes.
  • the processed hole for the electrode is preferably a through hole, and the through hole electrode can be formed more easily by making the hole through.
  • the aspect ratio represented by the depth / hole diameter of the processed hole for the electrode is preferably 1 or more, the aspect ratio is more preferably 1 to 10000, and the aspect ratio is 1 to 1000. Is most preferable.
  • the substrate is provided with a plurality of processed holes for electrodes, and by using a substrate provided with a plurality of such processed holes for electrodes, a plurality of high-quality perforated electrodes are used. Can be formed more easily.
  • a raw material solution containing a metal is prepared, the raw material solution is atomized and atomized, droplets are suspended, and atomized droplets are generated.
  • the mixing ratio of the metal is not particularly limited, but is preferably 0.0001 mol / L to 20 mol / L with respect to the entire raw material solution.
  • the atomizing means is not particularly limited as long as the raw material solution can be atomized, and may be a known atomizing means, but in the present invention, the atomizing means using ultrasonic vibration is preferable.
  • the mist used in the present invention floats in the air, for example, it is a mist that has an initial velocity of zero and can be transported as a gas floating in space rather than being sprayed like a spray.
  • the droplet size of the mist is not particularly limited and may be a droplet of about several mm, but is preferably 50 ⁇ m or less, and more preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • the atomized droplets are transferred to the substrate by the carrier gas.
  • the type of carrier gas is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and examples thereof include oxygen, ozone, an inert gas (for example, nitrogen and argon), and a reducing gas (hydrogen gas, forming gas, etc.). A suitable example is given.
  • the carrier gas is more preferably an inert gas or a reducing gas.
  • the type of the carrier gas may be one type, but may be two or more types, and a diluted gas having a changed carrier gas concentration (for example, a 10-fold diluted gas) or the like is used as the second carrier gas. It may be used further.
  • the carrier gas may be supplied not only at one location but also at two or more locations.
  • the flow rate of the carrier gas is not particularly limited, but is preferably 10 LPM or more, and more preferably 10 to 20 LPM.
  • the atomized droplets are reacted to form a film in the processing holes for electrodes.
  • the reaction is not particularly limited as long as it is a reaction in which a film is formed from the atomized droplets, but in the present invention, a thermal reaction is preferable.
  • the thermal reaction may be such that the atomized droplets react with heat, and the reaction conditions and the like are not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the thermal reaction is usually carried out at a temperature equal to or higher than the evaporation temperature of the solvent of the raw material solution, but is preferably not too high, preferably 650 ° C or lower, and most preferably 500 ° C or lower.
  • the thermal reaction may be carried out under any atmosphere of vacuum, non-oxygen atmosphere, reducing gas atmosphere and oxygen atmosphere as long as the object of the present invention is not impaired, and the thermal reaction may be carried out under atmospheric pressure or atmospheric pressure. It may be carried out under either reduced pressure or reduced pressure, but in the present invention, it is easier to calculate the evaporation temperature and the equipment and the like can be simplified if it is carried out under atmospheric pressure. preferable. Further, it is preferably carried out in a non-oxygen atmosphere, and more preferably carried out in an atmosphere of an inert gas or a reducing gas. In the case of vacuum, the evaporation temperature can be lowered. Further, the film thickness can be set by adjusting the film formation time.
  • the film forming apparatus 1 includes a carrier gas source 2a for supplying a carrier gas, a flow rate adjusting valve 3a for adjusting the flow rate of the carrier gas sent out from the carrier gas source 2a, and a carrier gas (diluted) for supplying the carrier gas (diluted).
  • the diluting) source 2b, the flow rate control valve 3b for adjusting the flow rate of the carrier gas (diluting) sent out from the carrier gas (diluting) source 2b, the mist generation source 4 containing the raw material solution 4a, and the water 5a A container 5 to be put in, an ultrasonic transducer 6 attached to the bottom surface of the container 5, a film forming chamber 7, a gas supply pipe 9 connecting the mist generation source 4 to the film forming chamber 7, and a film forming chamber. It is provided with a hot plate 8 installed in the 7. A substrate 10 is installed on the hot plate 8.
  • FIG. 2 shows the atomized part.
  • the mist generation source 4 composed of a container containing the raw material solution 4a is stored in the container 5 containing the water 5a by using a support (not shown).
  • An ultrasonic oscillator 6 is provided at the bottom of the container 5, and the ultrasonic oscillator 6 and the oscillator 16 are connected to each other. Then, when the oscillator 16 is operated, the ultrasonic vibrator 6 vibrates, the ultrasonic waves propagate into the mist generation source 4 via the water 5a, and the raw material solution 4a is atomized.
  • FIG. 3 shows the ultrasonic oscillator 6 shown in FIG.
  • the ultrasonic vibrator 6 is provided with a disc-shaped piezoelectric element 6b in a cylindrical elastic body 6d on a support 6e, and electrodes 6a and 6c are provided on both sides of the piezoelectric element 6b. There is. Then, when an oscillator is connected to the electrode and the oscillation frequency is changed, ultrasonic waves having a resonance frequency in the thickness direction and a resonance frequency in the radial direction of the piezoelectric vibrator are configured to be generated.
  • the raw material solution 4a is housed in the mist source 4.
  • the substrate 10 is installed on the hot plate 8 and the hot plate 8 is operated to raise the temperature in the film forming chamber 7.
  • the flow rate control valves 3 (3a, 3b) are opened to supply the carrier gas into the film forming chamber 7 from the carrier gas source 2 (2a, 2b), and the atmosphere of the film forming chamber 7 is sufficiently replaced with the carrier gas.
  • the flow rate of the carrier gas and the flow rate of the carrier gas (diluted) are adjusted respectively.
  • the ultrasonic vibrator 6 is vibrated and the vibration is propagated to the raw material solution 4a through the water 5a to atomize the raw material solution 4a and generate atomized droplets 4b.
  • the atomized droplets 4b are introduced into the film forming chamber 7 by the carrier gas, conveyed into the processing holes for electrodes, and the mist thermally reacts in the film forming chamber 7 under atmospheric pressure to cause the substrate 10 to react. A film is formed on top.
  • the mist CVD device 19 includes a susceptor 21 on which the substrate 20 is placed, a carrier gas supply means 22a for supplying the carrier gas, and a flow control valve 23a for adjusting the flow rate of the carrier gas sent out from the carrier gas supply means 22a.
  • a carrier gas (diluted) supply means 22b for supplying a carrier gas (diluted), a flow control valve 23b for adjusting the flow rate of the carrier gas sent out from the carrier gas (diluted) supply means 22b, and a raw material solution 24a are accommodated.
  • a supply pipe 27 composed of a mist generation source 24, a container 25 containing water 25a, an ultrasonic vibrator 26 attached to the bottom surface of the container 25, and a quartz tube having an inner diameter of 40 mm, and a peripheral portion of the supply tube 27. It is provided with a heater 28 installed in the above and an exhaust port 29 for discharging mist, droplets and exhaust gas after a thermal reaction.
  • the susceptor 21 is made of quartz, and the surface on which the substrate 20 is placed is inclined from the horizontal plane. By making both the supply pipe 27 and the susceptor 21 serving as the film forming chamber from quartz, it is possible to prevent impurities derived from the apparatus from being mixed into the film formed on the substrate 20.
  • the mist CVD apparatus 19 can be handled in the same manner as the film forming apparatus 1 described above.
  • Example 1 Film forming apparatus In this embodiment, the mist CVD apparatus 1 shown in FIG. 1 was used.
  • the ultrasonic transducer 6 was vibrated at 2.4 MHz, and the vibration was propagated to the raw material solution 4a through water 5a to atomize the raw material solution 4a and generate mist 4b.
  • This mist 4b is introduced into the film forming chamber 7 by the carrier gas through the supply pipe 9, and the mist thermally reacts on the Si substrate 10 at 400 ° C. under atmospheric pressure to form the mist on the substrate 10.
  • a copper film was formed on the surface.
  • the obtained copper film was a film having excellent adhesion without peeling and the like, and had sufficient mechanical strength.
  • the element mapping image of Cu was examined by SEM-EDX, and the film quality and coating property were confirmed.
  • An elemental mapping image of Cu of SEM-EDX is shown in FIG. As is clear from FIG. 5, it can be seen that the product of the present invention has excellent film quality and coating property.
  • Example 2 A copper film was formed in the same manner as in Example 1 except that a Si substrate having a hole diameter of 30 nm and a groove having a depth of 2 ⁇ m (aspect ratio 66.7) was used as the processed hole for the electrode.
  • the obtained copper film had a beautiful side wall film formation, did not peel off, and had excellent adhesion, and had sufficient mechanical strength.
  • Example 3 A copper film was formed in the same manner as in Example 1 except that a Si substrate having a hole diameter of 3 ⁇ m and a depth of 30 ⁇ m (aspect ratio 10) was used as the processed hole for the electrode.
  • the obtained copper film had a beautiful side wall film formation, did not peel off, and had excellent adhesion, and had sufficient mechanical strength. Moreover, when the film thickness of the obtained film was examined, it was within the range of 45 nm ⁇ 15 nm from the side wall near the bottom of the groove to the side wall near the opening.
  • the method for forming a perforated electrode of the present invention is useful for forming a perforated electrode provided in an electronic component such as a semiconductor device or a laminated substrate, and is useful for forming a perforated electrode in a semiconductor device, an electronic component / electrical device component, an optical / electrophotographic. It is useful for manufacturing related equipment and industrial parts, and can be used in all fields.

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Abstract

被覆性および導電性に優れた有孔電極を工業的有利に形成できる方法を提供する。 少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられている基体を用いて、金属を含む原料溶液を霧化し、液滴を浮遊させ、得られた霧化液滴をキャリアガスでもって前記電極用加工孔内まで搬送し、ついで、前記霧化液滴を熱反応させることにより、前記電極用加工孔内壁に有孔電極を形成し、半導体装置、電子部品・電気機器部品、光学・電子写真関連装置、工業部材などに用いる。

Description

有孔電極の形成方法
　本発明は、半導体装置や積層基板のような電子部品に設けられる有孔電極の形成方法、特にスルーホール電極の形成方法に関する。
  近年、半導体装置の微細化が進んでおり、複数の半導体素子を多層化することにより、集積度を高める方法が用いられている。また、複数の半導体素子を構成するために、複数の半導体層を積層してなる半導体基板が用いられており、これら半導体基板には、複数の基板方向を電気的に接続するために配線用有孔電極（例：スルーホール電極やビアホール電極、有孔リング又はメッシュ電極、表面に溝が設けられている基板の溝側面に形成された電極等）が設けられている。
　スルーホール電極の形成方法の一例が、特許文献１に開示されている。特許文献１に記載のスルーホール電極の形成方法は、エポキシ樹脂等からなる絶縁層に、ドリリング、パンチまたはレーザー等により貫通孔を形成する。次に、貫通孔の内周面に必要に応じて触媒化処理をしたのち、湿式めっきにより、Ｃｕなどの金属をメッキする。このようにして、貫通孔の内周面にメッキ膜が形成される。しかしながら、貫通孔の微細化が進み、スルーホール電極における貫通孔の径も非常に小さくなってきているが、これらの小さな径の貫通孔の内周面にメッキ法により均一な厚みの金属膜を形成することが非常に困難という問題があった。特に、貫通孔の深さに対して貫通孔の径が小さい場合、すなわちアスペクト比＝貫通孔の深さ／貫通孔の径が大きくなると、開口端よりも奥の部分において金属を十分に堆積させることが困難であった。
　また、特許文献２には、レーザー光の照射を利用したスルーホール電極の形成方法が記載されている。しかしながら、このような堆積方法では、金属膜が均一に堆積されず、局所的に分厚く金属が堆積されている箇所が生じる等の問題があり、また、膜中に金属の結晶粒が無数に形成されるという問題があり、導電性もまだまだ満足のいくものではなかった。
　そのため、良好な導通を可能とする有孔電極の形成方法が待ち望まれていた。
特開２００３－３０９３５６号公報 特開２０１２－７４４８２号公報
　本発明は、被覆性および導電性に優れた有孔電極を工業的有利に形成できる方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられている基体を用いて、該電極用加工孔内周面に導電膜を形成して有孔電極を形成する方法において、前記の導電膜の形成を、金属を含む原料溶液を霧化し、液滴を浮遊させ、得られた霧化液滴をキャリアガスでもって前記電極用加工孔内まで搬送し、ついで、前記霧化液滴を熱反応させることにより行うことで、被覆性および導電性に優れた有孔電極を工業的有利に形成できることを見出し、このような有孔電極の形成方法が上記した従来の問題を一挙に解決できるものであることを知見した。
　また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］　少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられている基体を用いて、該電極用加工孔内周面に導電膜を形成して有孔電極を形成する方法であって、前記の導電膜の形成を、金属を含む原料溶液を霧化し、液滴を浮遊させ、得られた霧化液滴をキャリアガスでもって前記電極用加工孔内まで搬送し、ついで、前記霧化液滴を熱反応させることにより行うことを特徴とする有孔電極の形成方法。
［２］　電極用加工孔の深さ／孔径で表されるアスペクト比が１以上である前記［１］記載の有孔電極の形成方法。
［３］　電極用加工孔が貫通孔であり、有孔電極がスルーホール電極である前記［１］または［２］に記載の有孔電極の形成方法。
［４］　基体に電極用加工孔が複数設けられており、霧化液滴をそれぞれの電極用加工孔内まで搬送し、熱反応させることにより、有孔電極を複数形成する前記［１］～［３］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［５］　金属が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、セリウム（Ｃｅ）、サマリウム（Ｓｍ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれる１種または２種以上の金属を含む前記［１］～［４］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［６］　原料溶液が、金属有機錯体と有機溶媒とを含み、キャリアガスが不活性ガスまたは還元ガスである前記［１］～［５］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［７］　原料溶液の溶媒がアルコールを含む前記［１］～［６］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［８］　霧化を、超音波振動を用いて行う前記［１］～［７］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［９］　キャリアガスの流量が１０～２０ＬＰＭ（Ｌ／分）の範囲内である前記［１］～［８］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
［１０］　熱反応を、５００℃以下の温度で行う前記［１］～［９］のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
　本発明の有孔電極の形成方法によれば、被覆性および導電性に優れた有孔電極を工業的有利に形成できる。
本発明で好適に用いられる成膜装置（ミストＣＶＤ）の概略構成図である。 図１の霧化部を説明する図である。 図２の超音波振動子を説明する図である。 本発明で好適に用いられる図１とは別態様の成膜装置（ミストＣＶＤ）の概略構成図である。 実施例におけるＳＥＭ－ＥＤＳにより得られたＣｕの元素マッピング像を示す。
　本発明の有孔電極の形成方法は、少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられている基体を用いて、該電極用加工孔内周面に導電膜を形成して有孔電極を形成する方法であって、前記の導電膜の形成を、金属を含む原料溶液を霧化し（霧化工程）、液滴を浮遊させ、得られた霧化液滴をキャリアガスでもって前記電極用加工孔内まで搬送し（搬送工程）、ついで、前記霧化液滴を熱反応させること（成膜工程）により行うことを特長とする。
（原料溶液）
　金属を含む原料溶液は、導電膜の原料溶液であって、霧化可能であれば特に限定されず、無機材料を含んでいてもよいし、有機材料を含んでいてもよい。前記金属は、金属単体であっても、金属化合物であってもよく、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、レニウム（Ｒｅ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれる１種または２種以上の金属であるのが好ましく、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓｎ）およびパラジウム（Ｐｄ）から選ばれる１種または２種以上の金属であるのがより好ましい。
　本発明においては、前記原料溶液として、前記金属を錯体または塩の形態で有機溶媒または水に溶解または分散させたものを好適に用いることができる。錯体の形態としては、例えば、アセチルアセトナート錯体、カルボニル錯体、アンミン錯体、ヒドリド錯体などが挙げられる。塩の形態としては、例えば、有機金属塩（例えば金属酢酸塩、金属シュウ酸塩、金属クエン酸塩等）、硫化金属塩、硝化金属塩、リン酸化金属塩、ハロゲン化金属塩（例えば塩化金属塩、臭化金属塩、ヨウ化金属塩等）などが挙げられる。
　前記原料溶液の溶媒は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、水等の無機溶媒であってもよいし、アルコール等の有機溶媒であってもよいし、無機溶媒と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。本発明においては、前記溶媒が有機溶媒を含むのが好ましく、被覆性をより向上させることができるので、アルコールを含むのがより好ましい。
　また、前記原料溶液には、ハロゲン化水素酸や酸化剤等の添加剤を混合してもよい。前記ハロゲン化水素酸としては、例えば、臭化水素酸、塩酸、ヨウ化水素酸などが挙げられる。前記酸化剤としては、例えば、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、過酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ２）、過酸化バリウム（ＢａＯ２）、過酸化ベンゾイル（Ｃ６Ｈ５ＣＯ）２Ｏ２等の過酸化物、次亜塩素酸（ＨＣｌＯ）、過塩素酸、硝酸、オゾン水、過酢酸やニトロベンゼン等の有機過酸化物などが挙げられる。
　前記原料溶液には、ドーパントが含まれていてもよい。前記ドーパントは、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されない。前記ドーパントとしては、例えば、スズ、ゲルマニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、バナジウムまたはニオブなどが挙げられる。ドーパントの濃度は、通常、約１×１０１６／ｃｍ３～１×１０２２／ｃｍ３であってもよいし、また、ドーパントの濃度を例えば約１×１０１７／ｃｍ３以下の低濃度にしてもよい。また、さらに、本発明によれば、ドーパントを約１×１０２０／ｃｍ３以上の高濃度で含有させてもよい。
　本発明においては、前記原料溶液が、金属有機錯体と有機溶媒とを含むのがより良質な金属膜がより容易に得られるので好ましい。
（基体）
　前記基体は、少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられており、導電膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
　前記基板は、板状であって、前記結晶膜の支持体となるものであれば特に限定されない。絶縁体基板であってもよいし、半導体基板であってもよいし、導電性基板であってもよい。また、絶縁体層、半導体層および導電層から選ばれる１種または２種以上の積層構造体であってもよい。
　前記電極用加工孔は、有孔電極が形成可能な孔であれば特に限定されない。孔の形状も特に限定されず、例えば、円状または略円状、楕円状、多角形状（三角形、正方形、長方形もしくは平行四辺形等の四角形、五角形、六角形、七角形または八角形）、星形、半円状、またはこれら形状を結合してなる形状などが好適な孔の形状として挙げられる。
　本発明においては、前記電極用加工孔が貫通孔であるのが好ましく、貫通孔にすることによって、より容易にスルーホール電極を形成することができる。
　また、本発明においては、電極用加工孔の深さ／孔径で表されるアスペクト比が１以上であるのが好ましく、アスペクト比が１～１００００であるのがより好ましく、アスペクト比が１～１０００であるのが最も好ましい。
　また、本発明においては、前記基体に電極用加工孔が複数設けられているのが好ましく、このような電極用加工孔が複数設けられている基体を用いることにより、良質な複数の有孔電極をより容易に形成することができる。
（霧化工程）
　前記霧化工程は、金属を含む原料溶液を調整し、前記原料溶液を霧化して霧化し、液滴を浮遊させ、霧化液滴を発生させる。前記金属の配合割合は、特に限定されないが、原料溶液全体に対して、０．０００１ｍｏｌ／Ｌ～２０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。霧化手段は、前記原料溶液を霧化できさえすれば特に限定されず、公知の霧化手段であってよいが、本発明においては、超音波振動を用いる霧化手段であるのが好ましい。本発明で用いられるミストは、空中に浮遊するものであり、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、初速度がゼロで、空間に浮かびガスとして搬送することが可能なミストであるのがより好ましい。ミストの液滴サイズは、特に限定されず、数ｍｍ程度の液滴であってもよいが、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは１～１０μｍである。
（搬送工程）
　前記搬送工程では、前記キャリアガスによって前記霧化液滴を前記基体へ搬送する。キャリアガスの種類としては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、不活性ガス（例えば窒素やアルゴン等）、または還元ガス（水素ガスやフォーミングガス等）などが好適な例として挙げられる。本発明においては、前記キャリアガスが、不活性ガスまたは還元ガスであるのがより好ましい。また、キャリアガスの種類は１種類であってよいが、２種類以上であってもよく、キャリアガス濃度を変化させた希釈ガス（例えば１０倍希釈ガス等）などを、第２のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も１箇所だけでなく、２箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、１０ＬＰＭ以上が好ましく、１０～２０ＬＰＭがより好ましい。
（成膜工程）
　成膜工程では、前記霧化液滴を反応させて、前記電極用加工孔内に成膜する。前記反応は、前記霧化液滴から膜が形成される反応であれば特に限定されないが、本発明においては、熱反応が好ましい。前記熱反応は、熱でもって前記霧化液滴が反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、通常、原料溶液の溶媒の蒸発温度以上の温度で行うが、高すぎない温度以下が好ましく、６５０℃以下がより好ましく、５００℃以下が最も好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが蒸発温度の計算がより簡単になり、設備等も簡素化できる等の点で好ましい。また、非酸素雰囲気下で行われるのも好ましく、不活性ガス又は還元ガスの雰囲気下で行われるのがより好ましい。なお、真空の場合には、蒸発温度を下げることができる。また、膜厚は成膜時間を調整することにより、設定することができる。
　以下、図面を用いて、本発明に好適に用いられる成膜装置１を説明する。成膜装置１は、キャリアガスを供給するキャリアガス源２ａと、キャリアガス源２ａから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁３ａと、キャリアガス（希釈）を供給するキャリアガス（希釈）源２ｂと、キャリアガス（希釈）源２ｂから送り出されるキャリアガス（希釈）の流量を調節するための流量調節弁３ｂと、原料溶液４ａが収容されるミスト発生源４と、水５ａが入れられる容器５と、容器５の底面に取り付けられた超音波振動子６と、成膜室７と、ミスト発生源４から成膜室７までをつなぐ石英製の供給管９と、成膜室７内に設置されたホットプレート８とを備えている。ホットプレート８上には、基板１０が設置されている。
　図２は、霧化部を示している。原料溶液４ａが収容されている容器からなるミスト発生源４が、水５ａが収容されている容器５に、支持体（図示せず）を用いて収納されている。容器５の底部には、超音波振動子６が備え付けられており、超音波振動子６と発振器１６とが接続されている。そして、発振器１６を作動させると、超音波振動子６が振動し、水５ａを介して、ミスト発生源４内に超音波が伝播し、原料溶液４ａが霧化するように構成されている。
　図３は、図２に示されている超音波振動子６を示している。超音波振動子６は、支持体６ｅ上の円筒状の弾性体６ｄ内に、円板状の圧電体素子６ｂが備え付けられており、圧電体素子６ｂの両面に電極６ａ、６ｃが設けられている。そして、電極に発振器を接続して発振周波数を変更すると、圧電振動子の厚さ方向の共振周波数及び径方向の共振周波数を持つ超音波が発生されるように構成されている。
　そして、図１に記載のとおり、原料溶液４ａをミスト発生源４内に収容する。次に、基板１０を用いて、ホットプレート８上に設置し、ホットプレート８を作動させて成膜室７内の温度を昇温させる。次に、流量調節弁３（３ａ、３ｂ）を開いてキャリアガス源２（２ａ、２ｂ）からキャリアガスを成膜室７内に供給し、成膜室７の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量と、キャリアガス（希釈）の流量とをそれぞれ調節する。次に、超音波振動子６を振動させ、その振動を、水５ａを通じて原料溶液４ａに伝播させることによって、原料溶液４ａを微粒子化させて霧化液滴４ｂを生成する。この霧化液滴４ｂが、キャリアガスによって成膜室７内に導入され、電極用加工孔内まで搬送され、そして、大気圧下、成膜室７内でミストが熱反応して、基板１０上に膜が形成する。
　また、本発明では、図４に示すミストＣＶＤ装置１９を用いるのも好ましい。ミストＣＶＤ装置１９は、基板２０を載置するサセプタ２１と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段２２ａと、キャリアガス供給手段２２ａから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁２３ａと、キャリアガス（希釈）を供給するキャリアガス（希釈）供給手段２２ｂと、キャリアガス（希釈）供給手段２２ｂから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁２３ｂと、原料溶液２４ａが収容されるミスト発生源２４と、水２５ａが入れられる容器２５と、容器２５の底面に取り付けられた超音波振動子２６と、内径４０ｍｍの石英管からなる供給管２７と、供給管２７の周辺部に設置されたヒーター２８と、熱反応後のミスト、液滴および排気ガスを排出する排気口２９とを備えている。サセプタ２１は、石英からなり、基板２０を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室となる供給管２７とサセプタ２１をどちらも石英で作製することにより、基板２０上に形成される膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。このミストＣＶＤ装置１９は、前記の成膜装置１と同様に扱うことができる。
（実施例１）
１．成膜装置
　本実施例では図１に示すミストＣＶＤ装置１を用いた。
２．原料溶液の作製
　　銅アセチルアセトナート（Ｃｕ（ａｃａｃ）２）を、メタノールと混合し、０．０５Ｍのメタノール溶液を調製し、これを原料溶液とした。
３．成膜準備
　上記２．で得られた原料溶液４ａをミスト発生源４内に収容した。次に、基板１０として、電極用加工孔（孔径３０μｍ、深さ３７μｍ、アスペクト比１．２）が表面に設けられているＳｉ基板を用いて、このＳｉ基板をホットプレート８上に設置し、ホットプレート８を作動させて基板温度を４００℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁３ａを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段２ａからキャリアガスを成膜室７内に供給し、成膜室７の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を１０Ｌ／分に調節した。キャリアガスとして窒素を用いた。なお、キャリアガス（希釈）は用いなかった。
４．成膜
　次に、超音波振動子６を２．４ＭＨｚで振動させ、その振動を、水５ａを通じて原料溶液４ａに伝播させることによって、原料溶液４ａを霧化させてミスト４ｂを生成させた。このミスト４ｂが、キャリアガスによって、供給管９内を通って、成膜室７内に導入され、大気圧下、４００℃にて、Ｓｉ基板１０上でミストが熱反応して、基板１０上に銅膜が形成された。得られた銅膜は、剥離等が生じることなく、密着性に優れた膜であり、機械的強度も十分であった。また、得られた銅膜につき、ＳＥＭ－ＥＤＸにて、Ｃｕの元素マッピング像を調べ、膜質や被覆性を確認した。ＳＥＭ－ＥＤＸのＣｕの元素マッピング像を図５に示す。図５から明らかなとおり、本発明品は、優れた膜質および被覆性を有していることがわかる。
　また、銅膜の比抵抗を調べたところ、４．０μΩ・ｃｍであり、これにより、優れた導電性を示すことが明らかである。
（実施例２）
　電極用加工孔として、孔径３０ｎｍおよび深さ２μｍ（アスペクト比６６．７）の溝が設けられたＳｉ基板を用いたこと以外は、実施例１と同様にして銅膜を成膜した。得られた銅膜は、綺麗に側壁成膜されており、剥離等が生じることなく、密着性に優れた膜であり、機械的強度も十分であった。
（実施例３）
　電極用加工孔として、孔径３μｍおよび深さ３０μｍ（アスペクト比１０）の溝が設けられたＳｉ基板を用いたこと以外は、実施例１と同様にして銅膜を成膜した。得られた銅膜は、綺麗に側壁成膜されており、剥離等が生じることなく、密着性に優れた膜であり、機械的強度も十分であった。また、得られた膜の膜厚を調べたところ、溝底近辺の側壁から開口近くの側壁に至るまで４５ｎｍ±１５ｎｍの範囲内であった。
　本発明の有孔電極の形成方法は、半導体装置や積層基板等のような電子部品などに設けられる有孔電極の形成に有用であり、半導体装置、電子部品・電気機器部品、光学・電子写真関連装置、工業部材の製造に有用であり、あらゆる分野に用いることができる。
　１　　成膜装置
　２ａ　キャリアガス源
　２ｂ　キャリアガス（希釈）源
　３ａ　流量調節弁
　３ｂ　流量調節弁
　４　　ミスト発生源
　４ａ　原料溶液
　４ｂ　霧化液滴
　５　　容器
　５ａ　水
　６　　超音波振動子
　６ａ　電極
　６ｂ　圧電体素子
　６ｃ　電極
　６ｄ　弾性体
　６ｅ　支持体
　７　　成膜室
　８　　ホットプレート
　９　　供給管
１０　　基板
１６　　発振器
１９　　ミストＣＶＤ装置
２０　　基板
２１　　サセプタ
２２ａ　キャリアガス供給手段
２２ｂ　キャリアガス（希釈）供給手段
２３ａ　流量調節弁
２３ｂ　流量調節弁
２４　　ミスト発生源
２４ａ　原料溶液
２５　　容器
２５ａ　水
２６　　超音波振動子
２７　　供給管
２８　　ヒーター
２９　　排気口
 

 

Claims (10)

  1. 　少なくとも１以上の電極用加工孔が表面に設けられている基体を用いて、該電極用加工孔内周面に導電膜を形成して有孔電極を形成する方法であって、前記の導電膜の形成を、金属を含む原料溶液を霧化し、液滴を浮遊させ、得られた霧化液滴をキャリアガスでもって前記電極用加工孔内まで搬送し、ついで、前記霧化液滴を熱反応させることにより行うことを特徴とする有孔電極の形成方法。
  2. 　電極用加工孔の深さ／孔径で表されるアスペクト比が１以上である請求項１記載の有孔電極の形成方法。
  3. 　電極用加工孔が貫通孔であり、有孔電極がスルーホール電極である請求項１または２に記載の有孔電極の形成方法。
  4. 　基体に電極用加工孔が複数設けられており、霧化液滴をそれぞれの電極用加工孔内まで搬送し、熱反応させることにより、有孔電極を複数形成する請求項１～３のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  5. 　金属が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、セリウム（Ｃｅ）、サマリウム（Ｓｍ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれる１種または２種以上の金属を含む請求項１～４のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  6. 　原料溶液が、金属有機錯体と有機溶媒とを含み、キャリアガスが不活性ガスまたは還元ガスである請求項１～５のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  7. 　原料溶液の溶媒がアルコールを含む請求項１～６のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  8. 　霧化を、超音波振動を用いて行う請求項１～７のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  9. 　キャリアガスの流量が１０～２０ＬＰＭの範囲内である請求項１～８のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。
  10. 　熱反応を、５００℃以下の温度で行う請求項１～９のいずれかに記載の有孔電極の形成方法。

     
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272490A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2010047264A1 (ja) * 2008-10-20 2010-04-29 住友ベークライト株式会社 スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた貫通電極の製造方法
JP2015532790A (ja) * 2012-09-05 2015-11-12 リサーチ トライアングル インスティテュート 突起を有する接点パッドを利用した電子デバイス及び組み立て方法
JP2016050347A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社Flosfia 金属膜形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272490A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2010047264A1 (ja) * 2008-10-20 2010-04-29 住友ベークライト株式会社 スプレー塗布用ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた貫通電極の製造方法
JP2015532790A (ja) * 2012-09-05 2015-11-12 リサーチ トライアングル インスティテュート 突起を有する接点パッドを利用した電子デバイス及び組み立て方法
JP2016050347A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社Flosfia 金属膜形成方法

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