JP2018086624A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
[1] 原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって被成膜物まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を、ヒータを用いて熱反応させることにより該被成膜物の表面に成膜する成膜部を備える成膜装置であって、前記被成膜物が粉体であり、前記成膜部が、前記ミストまたは前記液滴と、前記粉体とを混合させる混合手段を有し、前記熱反応を、前記粉体と混合しながら行うように構成したことを特徴とする成膜装置。
[2] 前記混合手段が、導入ガスを前記成膜部に供給して、前記粉体を浮遊させることを特徴とする前記[1]記載の成膜装置。
[3] 前記導入ガスが、前記キャリアガスである前記[2]記載の成膜装置。
[4] 前記混合手段が、前記成膜部の一部または全部を回転する回転機構を有しており、該回転機構によって前記成膜部の一部または全部を回転させながら、前記粉体と前記ミストまたは前記液滴とを混合するように構成されている前記[1]〜[3]のいずれかに記載の成膜装置。
[5] 前記混合手段が、前記成膜部の一部または全部を揺動する揺動機構を有しており、該揺動機構によって前記成膜部の一部または全部を揺動させながら、前記粉体と前記ミストまたは前記液滴とを混合するように構成されている前記[1]〜[3]のいずれかに記載の成膜装置。
[6] 前記成膜部が、使用済みのミストまたは液滴を通過させ、且つ前記粉体を通過させないフィルタを備えており、前記の使用済みのミストまたは液滴を排気するように構成した前記[1]〜[5]のいずれかに記載の成膜装置。
[7] 超音波振動子を霧化・液滴化部に備えており、前記の霧化または液滴化を超音波振動により行うように構成した前記[1]〜[6]のいずれかに記載の成膜装置。
[8] 原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって、成膜部内に設置されている被成膜物まで搬送し、前記ミストまたは前記液滴を熱反応して前記被成膜物の表面に成膜する成膜方法であって、前記被成膜物が粉体であり、前記熱反応を、前記粉体と混合しながら行うことを特徴とする成膜方法。
[9] 前記混合を、導入ガスを前記成膜部に供給して、前記粉体を浮遊させながら行う前記[8]記載の成膜方法。
[10] 前記導入ガスが、前記キャリアガスである前記[9]記載の成膜方法。
[11] 前記混合を、前記成膜部の一部または全部を回転させながら行う前記[8]〜[10]のいずれかに記載の成膜方法。
[12] 前記混合を、前記成膜部の一部または全部を揺動させながら行う前記[8]〜[10]のいずれかに記載の成膜方法。
[13] 前記熱反応を、大気圧下で行う前記[8]〜[12]のいずれかに記載の成膜方法。
[14] 前記熱反応を、650℃以下の温度で行う前記[8]〜[13]のいずれかに記載の成膜方法。
[15] 前記粉体の平均粒径が、100μm以下である前記[8]〜[14]のいずれかに記載の成膜方法。
前記霧化・液滴化部では、原料溶液を調整し、前記原料溶液を霧化または液滴化してミストまたは液滴を発生させる。霧化または液滴化手段は、前記原料溶液を霧化または液滴化できさえすれば特に限定されず、公知の霧化手段または液滴化手段であってよいが、本発明においては、超音波振動により行う霧化手段または液滴化手段であるのが好ましい。前記ミストまたは前記液滴は、初速度がゼロで、空中に浮遊するものが好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮かびガスとして搬送することが可能なミストであるのがより好ましい。ミストの液滴サイズは、特に限定されず、数mm程度の液滴であってもよいが、好ましくは50μm以下であり、より好ましくは1〜10μmである。
前記原料溶液は、霧化または液滴化が可能なものであれば特に限定されず、公知の原料溶液であってよく、ゾルのような液体分散媒も含まれる。有機化合物を含む原料溶液であってもよいし、無機化合物を含む原料溶液であってもよい。本発明においては、前記原料溶液が、成膜用の原料溶液であるのが好ましく、金属を含むものであるのがより好ましい。前記原料溶液における前記金属としては、例えば、バリウム(Ba)、チタン(Ti)、ケイ素(Si)、ストロンチウム(Sr)、ビスマス(Bi)、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、タンタル(Ta)、鉛(Pb)およびインジウム(In)から選ばれる1種または2種以上の金属などが挙げられる。また、前記原料溶液は、1種類であってもよいし、2種類以上であってもよい。
前記搬送部では、前記キャリアガスおよび所望により供給管等を用いて前記ミストまたは前記液滴を前記被成膜物へ搬送する。キャリアガスの種類としては、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどが好適な例として挙げられる。また、キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、キャリアガス濃度を変化させた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01〜20L/分であるのが好ましく、1〜10L/分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、0.001〜2L/分であるのが好ましく、0.1〜1L/分であるのがより好ましい。
成膜部では、前記ミストまたは前記液滴を、ヒータを用いて熱反応させることにより、前記被成膜物表面に成膜する。前記熱反応は、前記ミストまたは前記液滴を加熱することにより生じる反応であればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程において、熱反応を行う際の条件等については特に制限はないが、通常、加熱温度は800℃以下であり、好ましくは650℃以下であり、より好ましくは120〜650℃の範囲である。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、成膜される膜の厚さは、反応時間を調節すること等により、適宜調整することができる。
前記ヒータは、熱伝導または熱輻射によって前記ミスト又は液滴を加熱させることが可能なものであれば、特に限定されない。前記ヒータとしては、例えば、ホットプレート、赤外線ヒータ等が挙げられる。
フィルタ材は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知のものであってよい。無機材料であってもよいし、樹脂材料であってもよい。
前記被成膜物は、粉体であれば特に限定されない。前記「粉体」とは、固体粒子またはその集合体(粒状物を含む)をいい、固体粒子には、1次粒子、2次粒子および凝集粒子が含まれる。前記粉体の構成材料は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、有機物、無機物のいずれを含んでいてもよいが、本発明においては、前記粉体が金属を含むのが好ましい。前記粉体における前記金属としては、例えば、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、コバルト(Co)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、レニウム(Re)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、ハフニウム(Hf)及びインジウム(In)から選ばれる1種または2種以上の金属などが挙げられる。また、本発明においては、前記粉体の平均粒径は、100μm以下であるのが好ましく、10μm以下であるのがより好ましく、1μm以下であるのが最も好ましい。また、前記粉体の平均粒径は、10nm以上であるのが好ましい。
図1は、本発明の成膜装置の一態様を示している。図1の成膜装置1は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源2bと、希釈用キャリアガス源2bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3bと、原料溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、反応容器7aと、ミスト発生源4から反応容器7aまでをつなぐ石英製の供給管9と、反応容器7aの上下に設置されたヒータ8と、回転機構11aおよび11bと、コントローラ25と、トラップ槽21、とを備えている。超音波振動子6を作動させると、その振動が、水5aを通じて原料溶液4aに伝播され、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガス源2aおよび希釈用キャリアガス源2bから供給されたキャリアガスおよび希釈用キャリアガスによって反応容器7a内に導入される。
まず、原料溶液4aをミスト発生源4内に収容し、粉体10を反応容器7a内に設置させ、ヒータ8と回転機構11aとを作動させる。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開いてキャリアガス源2(2a、2b)からキャリアガスを反応容器7a内に供給し反応容器7aの雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量とキャリアガス(希釈)希釈用キャリアガスの流量をそれぞれ調節する。次に、超音波振動子6を振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガスによって反応容器7a内に導入される。このとき、回転機構11aおよび11bにより反応容器7aが回転し、ミスト又は液滴4bと粉体10とが、混合されながら加熱される。この加熱により、ミストまたは液滴4bが熱反応を起こし、粉体10に成膜される。反応容器7aの供給管9と反対側の側面には、排気口が設けられており、トラップ槽21と接続されており、使用済みのミストまたは液滴がトラップ槽21に供給されて排気されていく。
図7は、本発明の成膜装置の別の態様を示す概略構成図である。図7の成膜装置51は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源2bと、希釈用キャリアガス源2bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3bと、原料溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、反応容器7bと、ミスト発生源4から反応容器7bまでをつなぐ石英製の供給管9と、反応容器7bの底部に設置されたホットプレート8’と、揺動機構24と、コントローラ25、とを備えている。超音波振動子6を作動させると、その振動が、水5aを通じて原料溶液4aに伝播され、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガス源2aおよび希釈用キャリアガス源2bから供給されたキャリアガスおよび希釈用キャリアガスによって反応容器7b内に導入される。
まず、原料溶液4aをミスト発生源4内に収容し、粉体10を反応容器7b内に設置させ、ホットプレート8’と揺動機構24とを作動させる。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開き、キャリアガスの流量とキャリアガス(希釈)希釈用キャリアガスの流量をそれぞれ調節する。次に、超音波振動子6を振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガスによって反応容器7b内に導入される。このとき、揺動機構24により反応容器7bが揺動し、ミスト又は液滴4bと粉体10とが、混合されながら加熱される。この加熱により、ミストまたは液滴4bが熱反応を起こし、粉体10に成膜される。
図9は、本発明の成膜装置の別の態様を示す概略構成図である。図9の成膜装置101は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源2bと、希釈用キャリアガス源2bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3bと、原料溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、反応容器7cと、ミスト発生源4から反応容器7cまでをつなぐ石英製の供給管9と、反応容器7cの底部に設置されたホットプレート8’と、排気管17とを備えている。超音波振動子6を作動させると、その振動が、水5aを通じて原料溶液4aに伝播され、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガス源2aおよび希釈用キャリアガス源2bから供給されたキャリアガスおよび希釈用キャリアガスによって反応容器7c内に導入される。
まず、原料溶液4aをミスト発生源4内に収容し、粉体10を反応容器7c内に設置させ、ホットプレート8’を作動させる。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開いてキャリアガス源2(2a、2b)からキャリアガスを反応容器7c内に供給し反応容器7cの雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量とキャリアガス(希釈)希釈用キャリアガスの流量をそれぞれ調節する。次に、超音波振動子6を振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガスによって反応容器7c内に導入される。その後、キャリアガスによって粉体10が吹き飛ばされて、反応容器7c内を浮遊し、そして、ミスト又は液滴4bと粉体10とが、反応容器7c内で混合されながら加熱される。この加熱により、ミストまたは液滴4bが熱反応を起こし、粉体10に成膜される。また、反応容器7cの供給管と反対側の側面の上方には、排気口が設けられており、使用済みのミストまたは液滴が排気口に供給されて排気されていく。なお、排気口には、フィルタ19が設けられており、フィルタ19は、使用済みのミスト、液滴もしくは排気ガスが通過して排気され、粉体10は通過しないように構成されている。
図13は、本発明の成膜装置の別の態様を示す概略構成図である。図13の成膜装置151は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源2bと、希釈用キャリアガス源2bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3bと、原料溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、反応容器7bと、ミスト発生源4から反応容器7bまでをつなぐ石英製の供給管9と、反応容器7bの底部に設置されたホットプレート8’とを備えている。超音波振動子6を作動させると、その振動が、水5aを通じて原料溶液4aに伝播され、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガス源2aおよび希釈用キャリアガス源2bから供給されたキャリアガスおよび希釈用キャリアガスによって反応容器7b内に導入される。
まず、原料溶液4aをミスト発生源4内に収容し、粉体10を反応容器7b内に設置させ、ホットプレート8’と振動機構26とを作動させる。次に、流量調節弁3(3a、3b)を開き、キャリアガスの流量とキャリアガス(希釈)希釈用キャリアガスの流量をそれぞれ調節する。次に、超音波振動子6を振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化または液滴化させてミストまたは液滴4bを生成する。ついで、ミストまたは液滴4bが、キャリアガスによって反応容器7b内に導入される。このとき、振動機構26により反応容器7bが振動し、ミスト又は液滴4bと粉体10とが、混合されながら加熱される。この加熱により、ミストまたは液滴4bが熱反応を起こし、粉体10に成膜される。
実施例2の図7で示される成膜装置51を用いて、粉体表面に成膜を行った。
鉄アセチルアセトナート0.05mol/Lの水溶液を調整して、これを原料溶液とし、得られた原料溶液4aをミスト発生源4内に収容した。次に、粉体10としてTiO2(AEROXIDE(R)P25)を用いて、ホットプレート8’上に設置された反応容器7b内に載置し、ホットプレート8’を作動させて、温度を500℃まで昇温させた。次に、流量調節弁3aを開いてキャリアガス源2aから供給されるキャリアガスの流量を0.5L/minに調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
次に、超音波振動子6を2.4MHzで振動させ、その振動を、水5aを通じて原料溶液4aに伝播させることによって、原料溶液4aを霧化してミスト4bを生成した。このミスト4bが、キャリアガスによって反応容器7b内の粉体10まで供給された。この際、コントローラ25を操作して揺動機構24を駆動させることにより、反応容器7bを図7の矢印の方向に揺動させ、粉体10とミスト4bとが混合しながら、ミストが反応して粉体表面に膜が形成された。なお、成膜時間は200分であった。成膜前、120分成膜後、および200分成膜後の粉体の様子を、それぞれ、図11(a)〜(c)に示す。図11から明らかなように、本発明の成膜装置を用いると、粉体表面に均一かつ良好に成膜できていることがわかる。また、TEMを用いて、粉体表面を観察した。得られたTEM像を図12に示す。図12から明らかな通り、本発明品は、粉体表面に均一かつ良好に成膜されている。
2a キャリアガス源
2b 希釈用キャリアガス源
3a 流量調節弁
3b 流量調節弁
4 ミスト発生源
4a 原料溶液
4b ミスト
5 容器
5a 水
6 超音波振動子
6a 電極
6b 圧電体素子
6c 電極
6d 弾性体
6e 支持体
7a 反応容器(管状炉)
7b 反応容器(揺動・振動容器)
7c 反応容器(半球形)
8 ヒータ(管状炉)
8’ ヒータ(ホットプレート)
9 供給管
10 粉体
11a 回転機構(駆動)
11b 回転機構(支持)
12a 支持台(駆動)
12b 支持台(支持)
13a ローラ(駆動)
13b ローラ(支持)
14 モータ
15a 固定用部材(駆動)
15b 固定用部材(支持)
16 発振器
17 排気管
17a 排気管
17b 排気管
19 フィルタ
20 成膜部
21 トラップ槽
21a トラップ液
22a 第1のアーム
22b 第2のアーム
23a 第1のピン
23b 第2のピン
23c 第3のピン
24 揺動機構
25 コントローラ
26 振動機構
27 溝
28 管状炉
29 ガイドレール
51 成膜装置
101 成膜装置
151 成膜装置
Claims (15)
- 原料溶液を霧化または液滴化する霧化・液滴化部、前記霧化・液滴化部で発生したミストまたは液滴をキャリアガスでもって被成膜物まで搬送する搬送部、および該ミストまたは該液滴を、ヒータを用いて熱反応させることにより該被成膜物の表面に成膜する成膜部を備える成膜装置であって、前記被成膜物が粉体であり、前記成膜部が、前記ミストまたは前記液滴と、前記粉体とを混合させる混合手段を有し、前記熱反応を、前記粉体と混合しながら行うように構成したことを特徴とする成膜装置。
- 前記混合手段が、導入ガスを前記成膜部に供給して、前記粉体を浮遊させることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記導入ガスが、前記キャリアガスである請求項2記載の成膜装置。
- 前記混合手段が、前記成膜部の一部または全部を回転する回転機構を有しており、該回転機構によって前記成膜部の一部または全部を回転させながら、前記粉体と前記ミストまたは前記液滴とを混合するように構成されている請求項1〜3のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記混合手段が、前記成膜部の一部または全部を揺動する揺動機構を有しており、該揺動機構によって前記成膜部の一部または全部を揺動させながら、前記粉体と前記ミストまたは前記液滴とを混合するように構成されている請求項1〜3のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記成膜部が、使用済みのミストまたは液滴を通過させ、且つ前記粉体を通過させないフィルタを備えており、前記の使用済みのミストまたは液滴を排気するように構成した請求項1〜5のいずれかに記載の成膜装置。
- 超音波振動子を霧化・液滴化部に備えており、前記の霧化または液滴化を超音波振動により行うように構成した請求項1〜6のいずれかに記載の成膜装置。
- 原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスでもって、成膜部内に設置されている被成膜物まで搬送し、前記ミストまたは前記液滴を熱反応して前記被成膜物の表面に成膜する成膜方法であって、前記被成膜物が粉体であり、前記熱反応を、前記粉体と混合しながら行うことを特徴とする成膜方法。
- 前記混合を、導入ガスを前記成膜部に供給して、前記粉体を浮遊させながら行う請求項8記載の成膜方法。
- 前記導入ガスが、前記キャリアガスである請求項9記載の成膜方法。
- 前記混合を、前記成膜部の一部または全部を回転させながら行う請求項8〜10のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記混合を、前記成膜部の一部または全部を揺動させながら行う請求項8〜10のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記熱反応を、大気圧下で行う請求項8〜12のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記熱反応を、650℃以下の温度で行う請求項8〜13のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記粉体の平均粒径が、100μm以下である請求項8〜14のいずれかに記載の成膜方法。
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