JP4841338B2 - 成膜方法、および装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明を具体化した第1実施形態について、図1〜図4を参照しつつ詳細に説明する。
エアロゾルの液滴が基板Bに達すると、含まれる金属化合物が分解・酸化反応して基板Bの表面に酸化膜を形成する。このとき、エアロゾルの液滴は超音波霧化により形成され、さらに加熱塔20で加熱処理されることで極めて微細なものとなっているから、形成される膜を極めて薄く、均一性が良いものとすることができる。
以下、本発明の第2実施形態を図5および図6を参照しつつ説明する。なお、第1実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
次に、切り替え弁32を操作して加熱塔51とエアロゾル供給管15とを接続すると、発生したエアロゾルは、エアロゾル供給管15、および連結部56を通ってスリット部52に送られる。スリット部52に進入したエアロゾルはのエアロゾル流路55を下っていく間に、ヒータブロック53によって暖められる(加熱工程)。これにより、第1実施形態と同様に、エアロゾルの液滴に含まれる溶媒がある程度蒸発して液滴がさらに微粒化する。加熱条件は第1実施形態と同様で良い。
以下、本発明の第3実施形態を、図7〜図10を参照しつつ説明する。なお、第1及び第2実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
また、Pt/STO/Pt薄膜コンデンサの比誘電率は約20以上40以下であり、単位面積あたりの静電容量が約40nF/cm2以上180nF/cm2以下、tanδが約1%(周波数1kHz時)、リーク電流が約10−8A/cm2以上10−6A/cm2以下であることが判明した(図7及び図8参照)。
また、STO/Pt薄膜積層コンデンサの静電容量は、周波数1kHz〜100kHzではほとんど変化がないが、周波数500kHz〜1MHzでは急激に低下することが判明した。STO/Pt薄膜積層コンデンサのtanδは、周波数1kHz〜100kHzでは0.1%未満であり、ほとんど変化がないが、周波数500kHz〜1MHzでは急激に上昇することが判明した(図7参照)。これらの原因は必ずしも明らかではないが、おそらく電極抵抗の影響であると考えられる。
また、STO/Pt薄膜積層コンデンサのリーク電流は、Pt/STO/Pt薄膜コンデンサとほぼ同程度の約10−8A/cm2以上10−6A/cm2以下であることが判明した(図8参照)。
以下、本発明の第4実施形態を、図11及び図12を参照しつつ説明する。なお、第1〜第3実施形態と同様の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。
また、ITO薄膜を気圧10−3Paのチャンバー内で350℃、1時間の加熱処理をすることにより、1.5×10−4Ω・cm以上3.1×10−4Ω・cm以下の抵抗率となることが判明した。
10…超音波霧化装置(エアロゾル発生部)
11…エアロゾル発生槽(容器)
12…超音波振動子
13…ガスボンベ(ガス供給部)
20…加熱塔(エアロゾル加熱部)
24…カートリッジヒータ(第1のヒータ部)
30…エアロゾル流路
33…ノズル(ノズル部)
40…ステージ(保持部)
41…加熱コイル(第2のヒータ部)
B…基板(被処理材)
S…原料液
W…シリコンウエハ(被処理材)
Claims (4)
- 被処理材上に金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、
前記金属酸化物の原料となる金属を含む金属化合物を溶媒に溶解した原料液をキャリアガス中で超音波振動により霧化してエアロゾルを発生させる霧化工程と、
前記エアロゾルを前記金属化合物が分解・酸化反応する温度よりも低い温度であってかつ前記エアロゾルの溶媒が蒸発してその液滴が微細化する温度に加熱する加熱工程と、
前記被処理材を前記金属化合物が分解・酸化反応可能な温度に加熱しつつこの被処理材に前記加熱工程で液滴が微細化したエアロゾルを吹き付けて前記薄膜を形成する膜形成工程と、を経る成膜方法。 - 被処理材上に金属酸化物の薄膜を形成する成膜装置であって、
前記金属酸化物の原料となる金属を含む金属化合物の原料液を貯留可能な容器と、前記容器に設けられて前記金属化合物の原料液に超音波振動を印加する超音波振動子と、前記容器中にキャリアガスを供給するガス供給部とが設けられたエアロゾル発生部と、
前記容器に接続されるとともに前記エアロゾル発生部で発生したエアロゾルが通過可能なエアロゾル流路と、このエアロゾル流路を前記エアロゾルを前記金属化合物が分解・酸化反応する温度よりも低い温度であってかつ前記エアロゾルの溶媒が蒸発してその液滴が微細化する温度に加熱する第1のヒータ部とが設けられたエアロゾル加熱部と、
前記エアロゾル加熱部で加熱されて液滴が微細化した前記エアロゾルを前記被処理材に吹き付けるノズル部と、
前記被処理材を前記金属化合物が分解・酸化反応可能な温度に加熱する第2のヒータ部を備えてこの被処理材を保持する保持部と、を備える成膜装置。 - 前記エアロゾル流路が前記第1のヒータ部の表面から10mm以内に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記ノズルの開口が前記被処理材の表面から5〜50mmの範囲内に設定されているとともに、前記エアロゾルが流速0.5〜2.0リットル/secの範囲内で前記ノズルの開口から前記被処理材に吹き付けられるように設定されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の成膜装置。
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