WO2020255663A1 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device, which can increase the allowable current amount.
  • a semiconductor device that solves the above problems includes a semiconductor element, a driving conductor, and a plurality of driving connecting members.
  • the semiconductor element has an element main surface on which a drive electrode is formed.
  • the drive conductor has a drive connection surface that faces in the same direction as the element main surface.
  • the plurality of drive connecting members are formed of a thin plate that connects the drive electrode and the drive conductor and is in the shape of a band when viewed from the first direction, which is a direction perpendicular to the element main surface of the semiconductor element.
  • the plurality of drive connecting members include at least a first connecting member connected to the semiconductor element and a second connecting member connected to the first connecting member.
  • the first connecting member has a first element side connecting portion connected to the driving electrode.
  • the second connection member has a second element side connection portion connected to the first element side connection portion. The first element side connection portion and the second element side connection portion are laminated in the first direction.
  • the drive connecting member when the drive connecting member is cut in a plane along the first direction and the direction orthogonal to the first direction by the laminated structure of the first element side connecting portion and the second element side connecting portion.
  • the cross-sectional area becomes large. Therefore, the allowable current amount, which is the upper limit of the current that can be passed from the semiconductor element to the drive connecting member, can be increased.
  • a method for manufacturing a semiconductor device that solves the above problems includes a semiconductor device having an element main surface on which a drive electrode is formed, a drive conductor having a drive connection surface facing the same direction as the element main surface, and the drive.
  • a plurality of driving connecting members formed of a thin plate that connects the electrode and the driving conductor and is in the shape of a band when viewed from the first direction, which is a direction perpendicular to the element main surface of the semiconductor element.
  • a connection member preparation method for manufacturing a semiconductor device wherein at least a first connection member connected to the semiconductor element and a second connection member connected to the first connection member are prepared as the plurality of drive connection members.
  • the first laminated connection step of connecting to the first element side connection portion by laser processing in a state of being laminated on the first element side connection portion is provided.
  • the drive connecting member when the drive connecting member is cut in a plane along the first direction and the direction orthogonal to the first direction by the laminated structure of the first element side connecting portion and the second element side connecting portion.
  • the cross-sectional area becomes large. Therefore, the allowable current amount, which is the upper limit of the current that can be passed from the semiconductor element to the drive connecting member, can be increased.
  • the first element side connection is bonded to the drive electrode by laser processing
  • the first element side connection is bonded to the drive electrode as compared with the case where the first element side connection is bonded to the drive electrode by, for example, ultrasonic welding.
  • the load applied to the drive electrode when bonding to the drive electrode is reduced.
  • the contact area between the first element side connecting portion and the driving electrode becomes larger. Therefore, the allowable current amount from the semiconductor element to the drive connecting member can be increased.
  • the allowable current amount can be increased.
  • FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor device in a state where the sealing resin is removed from the semiconductor device of FIG.
  • the plan view of the semiconductor device of FIG. About the semiconductor device of FIG. 3, the plan view of the semiconductor device which showed the sealing resin by the chain double-dashed line.
  • a side view of the semiconductor device of FIG. The bottom view of the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line 10-10 of FIG. 4, and (b) is an enlarged view of the semiconductor element.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line 11-11 of FIG. 4, and (b) is an enlarged view of a semiconductor element.
  • the perspective view of the first drive lead about the semiconductor device of FIG. An exploded perspective view of the first drive lead of FIG.
  • Sectional drawing taken along the line 15-15 of FIG. The plan view which shows the joint structure of the 1st drive lead and an input lead.
  • FIG. 18 is an exploded perspective view of the second drive lead.
  • the plan view which shows the junction structure of the 2nd drive lead and a semiconductor element.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line 21-21 of FIG.
  • the plan view which shows the joint structure of the 2nd drive lead and a conductive member.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along the line 23-23 of FIG.
  • the explanatory view which shows an example of the 3rd bonding process in the manufacturing method of a semiconductor device.
  • the explanatory view which shows an example of the 3rd bonding process in the manufacturing method of a semiconductor device.
  • the explanatory view which shows an example of the 3rd bonding process in the manufacturing method of a semiconductor device.
  • the perspective view which shows the junction structure of the semiconductor element and the driving lead about the semiconductor device of 1st comparative example.
  • (A) is a cross-sectional view taken along the line 32-32 of FIG. 31, and
  • (b) is an enlarged view of the semiconductor element and its surroundings.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 35-35 of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line 37-37 of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 40B-40B of FIG. 40A.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 41B-41B of FIG. 41A.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line 41C-41C of FIG. 41A.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a joint structure of a second drive lead, a semiconductor element, and a conductive member of a semiconductor device of a modified example.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a joint structure of a second drive lead, a semiconductor element, and a conductive member of a semiconductor device of a modified example.
  • the cross-sectional view which shows the junction structure of the 2nd drive lead and the semiconductor element about the semiconductor device of the modified example.
  • the cross-sectional view which shows the junction structure of the 2nd drive lead and the semiconductor element about the semiconductor device of the modified example.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a joint structure of a second drive lead, a semiconductor element, and a conductive member of a semiconductor device of a modified example.
  • the semiconductor device 1A is electrically connected to a sealing resin 10 serving as a housing, a plurality of leads 20 having a portion protruding from the sealing resin 10, and a plurality of leads 20.
  • a plurality of semiconductor elements 30 to be formed, a plurality of leads 20, and a support substrate 40 for supporting the plurality of semiconductor elements 30 are provided.
  • the semiconductor device 1A has, for example, a half-bridge type switching circuit.
  • the directions orthogonal to each other are defined as the horizontal direction X, the vertical direction Y, and the thickness direction Z.
  • the lateral direction X indicates, for example, the direction in which the input leads 21 and 22 and the output leads 23, which will be described later, are arranged in the semiconductor device 1A.
  • the vertical direction Y indicates a direction orthogonal to the horizontal direction X when the semiconductor device 1A is viewed from the thickness direction Z (hereinafter, referred to as “planar view”).
  • the sealing resin 10 is formed in a substantially flat plate shape.
  • the shape of the sealing resin 10 in a plan view is rectangular.
  • the shape of the sealing resin 10 in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the shape of the sealing resin 10 in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the sealing resin 10 in a plan view may be square.
  • a thermosetting resin is used as the material of the sealing resin 10.
  • the sealing resin 10 is formed between the resin top surface 15 and the resin back surface 16 facing opposite sides in the thickness direction Z and the thickness direction Z of the resin top surface 15 and the resin back surface 16. It has a first resin side surface 11, a second resin side surface 12, a third resin side surface 13, and a fourth resin side surface 14.
  • the first resin side surface 11 and the second resin side surface 12 face each other in the lateral direction X.
  • the first resin side surface 11 and the second resin side surface 12 each extend along the longitudinal direction Y.
  • the third resin side surface 13 and the fourth resin side surface 14 face each other in the vertical direction Y.
  • the first resin side surface 11 and the second resin side surface 12 are the short sides of the sealing resin 10
  • the third resin side surface 13 and the fourth resin side surface 14 are the long sides of the sealing resin 10.
  • grooves 17 and 18 recessed in the thickness direction Z from the resin back surface 16 are formed on the resin back surface 16 side portion of the sealing resin 10.
  • the groove 17 is provided at the end of the sealing resin 10 on the side surface 11 side of the first resin in the lateral direction X.
  • Three grooves 17 are provided so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • the groove 18 is provided at the end of the sealing resin 10 on the side surface 12 side of the second resin in the lateral direction X.
  • Three grooves 18 are provided so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • the grooves 17 and 18 extend along the vertical direction Y, respectively.
  • the grooves 17 and 18 are formed from the third resin side surface 13 to the fourth resin side surface 14 of the sealing resin 10.
  • the number of grooves 17 and the number of grooves 18 can be changed arbitrarily. Further, at least one of the grooves 17 and 18 may be omitted from the sealing resin 10.
  • the plurality of leads 20 of the present embodiment include two input leads 21 and 22, output leads 23, a pair of control leads 24A and 24B, and a pair of detection leads 25A and 25B.
  • each of the input leads 21 and 22 protrudes from the first resin side surface 11 of the sealing resin 10.
  • the side lead 27A is exposed from the first resin side surface 11.
  • the output lead 23 projects from the second resin side surface 12 of the sealing resin 10.
  • the side lead 27B is exposed from the second resin side surface 12.
  • the pair of control leads 24A and 24B, the pair of detection leads 25A and 25B, and the plurality of dummy leads 26 each project from the third resin side surface 13 of the sealing resin 10.
  • the positions of the pair of control leads 24A and 24B, the pair of detection leads 25A and 25B, and the plurality of dummy leads 26 protruding from the resin side surface of the sealing resin 10 can be arbitrarily changed.
  • a pair of control leads 24A and 24B, a pair of detection leads 25A and 25B, and a part of the plurality of dummy leads 26 may protrude from the third resin side surface 13, and the rest may protrude from the fourth resin side surface 14.
  • the semiconductor device 1A includes a plurality of semiconductor elements 30 as switching elements constituting the switching circuit.
  • the plurality of semiconductor elements 30 are sealed by the sealing resin 10.
  • Each semiconductor element 30 is configured by using a semiconductor material mainly composed of SiC (silicon carbide).
  • the semiconductor material is not limited to SiC, and may be Si (silicon), GaAs (gallium arsenide), GaN (gallium nitride), or the like.
  • each semiconductor element 30 of this embodiment is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • the plurality of semiconductor elements 30 are not limited to MOSFETs, but are field effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor FETs), bipolar transistors such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), and IC chips such as LSIs. You may.
  • each semiconductor element 30 is the same element and is an n-channel MOSFET.
  • Each semiconductor element 30 is an element capable of high-speed switching in response to a drive signal having a frequency of 1 kHz or more and several hundred kHz or less.
  • the semiconductor element 30 is an element capable of high-speed switching in response to a drive signal having a frequency of 1 kHz or more and 100 kHz or less.
  • the semiconductor element 30 performs high-speed switching in response to a drive signal having a frequency of 100 kHz.
  • the plurality of semiconductor elements 30 are divided into four first semiconductor elements 30U constituting the upper arm of the switching circuit and four second semiconductor elements 30L forming the lower arm of the switching circuit. it can.
  • the semiconductor device 1A of the present embodiment has a configuration in which four switching arms including a first semiconductor element 30U and a second semiconductor element 30L connected in series with each other are connected in parallel. The number of semiconductor elements 30 can be arbitrarily changed according to the performance required for the semiconductor device 1A.
  • the detailed configuration of the plurality of semiconductor elements 30 will be described. Since the plurality of semiconductor elements 30 have the same configuration, the configuration of the predetermined semiconductor element 30 will be described, and the same components will be designated by the same reference numerals for the configurations of the remaining semiconductor elements 30. Omit.
  • the semiconductor element 30 is formed in a flat plate shape.
  • the shape of the semiconductor element 30 in a plan view is a square.
  • the shape of the semiconductor element 30 in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the semiconductor element 30 in a plan view may be a rectangular shape in which one of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the long side direction and the other of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the semiconductor element 30 has an element main surface 31 and an element back surface 32 facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the element main surface 31 is provided with a source electrode 33 as a main surface side drive electrode (drive electrode) and a gate electrode 34 as a control electrode
  • the element back surface 32 is provided with a gate electrode 34.
  • a gate voltage for driving the semiconductor element 30 is applied to the gate electrode 34.
  • the semiconductor element 30 when the gate voltage applied to the gate electrode 34 becomes equal to or higher than the threshold value, a drain current flows through the drain electrode 35 and a source current flows through the source electrode 33.
  • the region where the source electrode 33 is formed is larger than the region where the gate electrode 34 is formed.
  • the source electrode 33 is formed over most of the element main surface 31.
  • the gate electrode 34 is arranged in the recess 33a formed in the source electrode 33.
  • the drain electrode 35 is formed over the entire back surface 32 of the device.
  • an insulating film 36 is provided on the source electrode 33 and the gate electrode 34.
  • the insulating film 36 has an electrical insulating property.
  • the insulating film 36 surrounds the source electrode 33 and the gate electrode 34.
  • the insulating film 36 is formed by, for example, a SiO 2 (silicon dioxide) layer, a SiN 4 (silicon nitride) layer, and a polybenzoxazole layer laminated in this order from the element main surface 31.
  • the insulating film 36 may be a polyimide layer instead of the polybenzoxazole layer.
  • each semiconductor element 30 is electrically connected to a pair of input leads 21 and 22, an output lead 23, a pair of control leads 24A and 24B, and a pair of detection leads 25A and 25B.
  • each semiconductor element 30 is not electrically connected to the plurality of dummy leads 26.
  • the input lead 21 is electrically connected to the drain electrode 35 (see FIG. 11B) of each first semiconductor element 30U
  • the input lead 22 is the source electrode 33 of each second semiconductor element 30L (see FIG. 5). Is electrically connected to.
  • the output lead 23 is electrically connected to the source electrode 33 (see FIG. 5) of each first semiconductor element 30U and the drain electrode 35 (see FIG. 10) of each second semiconductor element 30L. As shown in FIG.
  • control lead 24A is electrically connected to the gate electrode 34 of each first semiconductor element 30U
  • control lead 24B is electrically connected to the gate electrode 34 of each second semiconductor element 30L.
  • detection lead 25A is electrically connected to the source electrode 33 of each first semiconductor element 30U
  • detection lead 25B is electrically connected to the source electrode 33 of each second semiconductor element 30L.
  • the semiconductor device 1A includes a support substrate 40.
  • Each semiconductor element 30, a pair of input leads 21 and 22, an output lead 23, and a pair of side leads 27A and 27B are mounted on a support substrate 40, respectively.
  • the pair of control leads 24A, the pair of detection leads 25A, 25B, and the plurality of dummy leads 26 are not mounted on the support substrate 40.
  • the pair of control leads 24A, the pair of detection leads 25A, 25B, and the plurality of dummy leads 26 are located next to the support substrate 40 in the vertical direction Y.
  • the support substrate 40 includes an insulating substrate 41, a pair of conductive members 42A and 42B, a pair of insulating layers 43A and 43B, a pair of gate layers 44A and 44B which are examples of control conductors, and a pair of detection layers 45A and 45B. Be prepared.
  • the support substrate 40 has a configuration in which an insulating substrate 41, a pair of conductive members 42A and 42B, and a pair of insulating layers 43A and 43B are laminated in this order.
  • the gate layer 44A and the detection layer 45A are laminated on the insulating layer 43A, and the gate layer 44B and the detection layer 45B are laminated on the insulating layer 43B.
  • the insulating substrate 41 has an electrical insulating property.
  • the insulating substrate 41 is, for example, a ceramic having excellent thermal conductivity. Such ceramics, for example, AlN (aluminum nitride), SiN (silicon nitride), Al 2 O 3 (aluminum oxide) and the like.
  • the shape of the insulating substrate 41 in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the insulating substrate 41 has a substrate main surface 41a and a substrate back surface 41b facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • a pair of conductive members 42A and 42B are arranged on the main surface 41a of the substrate.
  • the substrate main surface 41a is sealed with a sealing resin 10 together with a pair of conductive members 42A and 42B, a pair of insulating layers 43A and 43B, a pair of gate layers 44A and 44B, and a pair of detection layers 45A and 45B.
  • the back surface 41b of the substrate is exposed from the sealing resin 10.
  • a heat sink (not shown) is connected to the back surface 41b of the substrate.
  • the back surface 41b of the substrate is arranged between the groove 17 and the groove 18 of the sealing resin 10 in the lateral direction X.
  • the groove 17 increases the creepage distance between the input leads 21 and 22 and the back surface 41b of the substrate, and the groove 18 increases the creepage distance between the output lead 23 and the back surface 41b of the substrate. Therefore, the withstand voltage of the semiconductor device 1A is improved.
  • the configuration of the insulating substrate 41 is not limited to the configuration described above, and can be arbitrarily changed. In one example, the insulating substrate 41 is divided into two according to the conductive members 42A and 42B.
  • the pair of conductive members 42A and 42B are metal plates, respectively.
  • the constituent material of the metal plate is Cu (copper) or Cu alloy.
  • the pair of conductive members 42A and 42B together with the plurality of leads 20 form a conductive path with the plurality of semiconductor elements 30.
  • the pair of conductive members 42A and 42B are arranged apart from each other in the vertical direction Y on the substrate main surface 41a of the insulating substrate 41.
  • the pair of conductive members 42A and 42B are joined to the substrate main surface 41a by a bonding material such as silver paste or solder.
  • the bonding material may be a conductive material such as silver paste or solder, or may be an insulating material.
  • the thickness of the pair of conductive members 42A and 42B is thicker than the thickness of the insulating substrate 41 (dimension in the thickness direction Z).
  • the thickness of the pair of conductive members 42A and 42B is based on the thicknesses (dimensions in the thickness direction Z) of the semiconductor element 30, the input leads 21 and 22, and the output leads 23, respectively. Is also thick.
  • the thickness of the pair of conductive members 42A and 42B is, for example, 0.4 mm to 3.0 mm.
  • the surfaces of the pair of conductive members 42A and 42B may be covered with silver plating, respectively.
  • the pair of conductive members 42A and 42B have the same shape as each other.
  • the shapes of the pair of conductive members 42A and 42B in a plan view are rectangular in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the conductive member 42A is arranged closer to the first resin side surface 11 of the sealing resin 10 than the conductive member 42B in the lateral direction X.
  • the conductive member 42A is electrically connected to the four first semiconductor elements 30U, the input reed 21, and the side reed 27A.
  • the conductive member 42A has a main surface 42sa and a back surface 42ra facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the main surface 42sa faces the same direction as the substrate main surface 41a of the insulating substrate 41 in the thickness direction Z. Further, the main surface 42sa faces the same direction as the element main surface 31 of the first semiconductor element 30U in the thickness direction Z.
  • the back surface 42ra faces the same direction as the substrate back surface 41b of the insulating substrate 41 in the thickness direction Z.
  • the back surface 42ra faces the same direction as the element back surface 32 of the first semiconductor element 30U in the thickness direction Z.
  • the back surface 42ra is connected to the substrate main surface 41a of the insulating substrate 41 via a bonding material.
  • the four first semiconductor elements 30U are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y.
  • the four first semiconductor elements 30U are arranged in the portion of the conductive member 42A closer to the conductive member 42B in the lateral direction X.
  • the input lead 21 is arranged at the end of the sealing resin 10 on the first resin side surface 11 side of the conductive member 42A in the horizontal direction X and at the center of the conductive member 42A in the vertical direction Y.
  • the side leads 27A are arranged at the end of the conductive member 42A on the side 11 of the first resin in the horizontal direction X and at the end of the sealing resin 10 on the side 13 of the third resin in the vertical direction Y. There is.
  • the conductive member 42B is arranged closer to the second resin side surface 12 of the sealing resin 10 than the conductive member 42A in the lateral direction X.
  • the conductive member 42B is electrically connected to the four second semiconductor elements 30L, the output lead 23, and the side lead 27B.
  • the conductive member 42B has a main surface 42sb and a back surface 42rb facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the main surface 42sb faces the same direction as the substrate main surface 41a of the insulating substrate 41 in the thickness direction Z. Further, the main surface 42sb faces the same direction as the element main surface 31 of the second semiconductor element 30L in the thickness direction Z.
  • the back surface 42rb faces the same direction as the substrate back surface 41b of the insulating substrate 41 in the thickness direction Z.
  • the back surface 42rb faces the same direction as the element back surface 32 of the second semiconductor element 30L in the thickness direction Z.
  • Four second semiconductor elements 30L and output leads 23 are arranged on the main surface 42sb.
  • the back surface 42rb is connected to the substrate main surface 41a of the insulating substrate 41 via a bonding material.
  • the four second semiconductor elements 30L are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y.
  • the four second semiconductor elements 30L are arranged in the portion of the conductive member 42B closer to the conductive member 42A in the lateral direction X. When viewed from the lateral direction X, the four second semiconductor elements 30L are arranged so as not to overlap with the four first semiconductor elements 30U, respectively. As shown in FIG.
  • the four second semiconductor elements 30L and the four first semiconductor elements 30U are alternately arranged in the vertical direction Y.
  • the output lead 23 is arranged at the end of the sealing resin 10 on the second resin side surface 12 side of the conductive member 42B in the horizontal direction X and at the center of the conductive member 42B in the vertical direction Y.
  • the side leads 27B are arranged at the end of the conductive member 42B on the side surface 12 of the second resin in the horizontal direction X and at the end of the sealing resin 10 on the side surface 13 of the third resin in the vertical direction Y. There is.
  • the pair of insulating layers 43A and 43B have electrical insulating properties.
  • the constituent material of the pair of insulating layers 43A and 43B is, for example, a glass epoxy resin.
  • the pair of insulating layers 43A and 43B are arranged apart from each other in the lateral direction X.
  • the shapes of the pair of insulating layers 43A and 43B in a plan view are strips extending in the vertical direction Y, respectively.
  • the insulating layer 43A is joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A.
  • the insulating layer 43A is arranged so as to overlap the four first semiconductor elements 30U, the input reed 21, and the side reed 27A when viewed from the lateral direction X.
  • the insulating layer 43A is arranged closer to the first resin side surface 11 of the sealing resin 10 than the four first semiconductor elements 30U in the lateral direction X.
  • the insulating layer 43A is arranged so as to be adjacent to each of the first semiconductor elements 30U closer to the first resin side surface 11 than the four first semiconductor elements 30U in the lateral direction X.
  • the insulating layer 43A is arranged closer to the four first semiconductor elements 30U than the input lead 21 in the lateral direction X.
  • the insulating layer 43B is joined to the main surface 42sb of the conductive member 42B.
  • the insulating layer 43B is arranged so as to overlap the four second semiconductor elements 30L, the output lead 23, and the side lead 27B when viewed from the lateral direction X.
  • the insulating layer 43B is arranged closer to the second resin side surface 12 of the sealing resin 10 than the four second semiconductor elements 30L in the lateral direction X.
  • the insulating layer 43B is arranged so as to be adjacent to each of the second semiconductor elements 30L on the side surface 12 side of the second resin with respect to the four second semiconductor elements 30L in the lateral direction X.
  • the insulating layer 43B is arranged closer to the four second semiconductor elements 30L than the output lead 23 in the lateral direction X.
  • the pair of gate layers 44A and 44B have conductivity.
  • the constituent material of the pair of gate layers 44A and 44B is, for example, Cu.
  • the shapes of the pair of gate layers 44A and 44B in a plan view are, for example, strips extending in the vertical direction Y, respectively.
  • the gate layer 44A is arranged on the insulating layer 43A.
  • the gate layer 44A is arranged in the portion of the insulating layer 43A near the side surface 11 of the first resin in the lateral direction X.
  • the gate layer 44A is conductive with the gate electrode 34 (see FIG. 5) of each first semiconductor element 30U via a first control wire 51, which is an example of a control connecting member described later. Further, the gate layer 44A is conducting with the control lead 24A via the first connection wire 53 described later.
  • the gate layer 44B is arranged on the insulating layer 43B.
  • the gate layer 44B is arranged in the portion of the insulating layer 43B near the side surface 12 of the second resin in the lateral direction X.
  • the gate layer 44B is conductive with the gate electrode 34 (see FIG. 5) of each second semiconductor element 30L via a second control wire 52, which is an example of a control connecting member described later. Further, the gate layer 44B is electrically connected to the control lead 24B via a second connection wire 57, which will be described later.
  • the pair of detection layers 45A and 45B have conductivity.
  • the constituent material of the pair of detection layers 45A and 45B is, for example, Cu.
  • the shapes of the pair of detection layers 45A and 45B in a plan view are, for example, strips extending in the vertical direction Y, respectively.
  • the size of the pair of detection layers 45A and 45B in the lateral direction X is equal to the size of the pair of gate layers 44A and 44B in the horizontal direction X, and the size of the pair of detection layers 45A and 45B in the vertical direction Y. Is equal to the size of the pair of gate layers 44A and 44B in the vertical direction Y.
  • the detection layer 45A is arranged on the insulating layer 43A together with the gate layer 44A.
  • the detection layer 45A is arranged so as to be separated from the gate layer 44A in the lateral direction X and adjacent to the gate layer 44A.
  • the detection layer 45A is arranged so as to be closer to the four first semiconductor elements 30U than the gate layer 44A in the lateral direction X.
  • the arrangement position of the detection layer 45A in the lateral direction X can be arbitrarily changed.
  • the detection layer 45A may be closer to the first resin side surface 11 than the gate layer 44A in the lateral direction X.
  • the detection layer 45A is conducting with the source electrode 33 of each first semiconductor element 30U via the first detection wire 55 described later. Further, the detection layer 45A is conducting with the detection lead 25A via the first connection wire 54 described later.
  • the detection layer 45B is arranged on the insulating layer 43B together with the gate layer 44B.
  • the detection layer 45B is arranged so as to be separated from the gate layer 44B in the lateral direction X and adjacent to the gate layer 44B.
  • the detection layer 45B is arranged so as to be closer to the four second semiconductor elements 30L than the gate layer 44B in the lateral direction X.
  • the arrangement position of the detection layer 45B in the lateral direction X can be arbitrarily changed.
  • the detection layer 45B may be closer to the output lead 23 than the gate layer 44B in the lateral direction X.
  • the detection layer 45B is conducting with the source electrode 33 of each first semiconductor element 30U via a second detection wire 56 described later. Further, the detection layer 45B is conducting with the detection lead 25B via a second connection wire 58 described later.
  • each of the input leads 21 and 22 is a metal plate.
  • the constituent material of the metal plate is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • the thickness of the input leads 21 and 22 (dimension in the thickness direction Z) is 0.8 mm, but the thickness is not limited to this.
  • the input leads 21 and 22 are arranged so as to be closer to the first resin side surface 11 of the sealing resin 10, respectively.
  • a power supply voltage is applied to the input leads 21 and 22, respectively.
  • the first power supply voltage is applied to the input lead 21, and the second power supply voltage lower than the first power supply voltage is applied to the input lead 22.
  • the input lead 21 is a positive electrode (P terminal)
  • the input lead 22 is a negative electrode (N terminal).
  • the input lead 21 and the input lead 22 are arranged so as to overlap each other.
  • the input lead 21 and the input lead 22 are arranged apart from each other in the thickness direction Z.
  • the input lead 21 is formed in a flat plate shape extending in the lateral direction X.
  • the input lead 21 has a pad portion 21a and a terminal portion 21b.
  • the pad portion 21a and the terminal portion 21b are a single member integrally formed.
  • the pad portion 21a is a portion of the input lead 21 covered with the sealing resin 10.
  • a plurality of comb tooth portions 21c are provided at the ends of the pad portions 21a on the second resin side surface 12 side of the sealing resin 10.
  • Each comb tooth portion 21c is conductively joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A.
  • this bonding method laser welding using a laser beam, ultrasonic bonding, or bonding using a conductive bonding material may be used.
  • each comb tooth portion 21c is arranged at the end portion of the main surface 42sa of the conductive member 42A on the first resin side surface 11 side of the sealing resin 10 and at the central portion in the vertical direction Y.
  • a plurality of through holes are provided in a portion of the pad portion 21a near the first resin side surface 11 of the sealing resin 10. Each through hole penetrates the pad portion 21a in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 has entered each through hole. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the input lead 21.
  • the terminal portion 21b is a portion of the input lead 21 protruding from the first resin side surface 11 of the sealing resin 10.
  • the shape of the terminal portion 21b in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the input lead 22 has a pad portion 22a and a terminal portion 22b.
  • the pad portion 22a and the terminal portion 22b are a single member integrally formed.
  • the pad portion 22a is a portion of the input lead 22 covered with the sealing resin 10.
  • the pad portion 22a is composed of a plurality of (4 in this embodiment) extension portions 22c, which is an example of a driving conductor, a connecting portion 22d for connecting the plurality of extension portions 22c, and a connecting portion 22d and a terminal portion 22b. It can be divided into an intermediate portion 22e which is an intermediate portion.
  • the plurality of extension portions 22c and the connecting portion 22d are arranged so as to be closer to the fourth resin side surface 14 of the sealing resin 10 in the vertical direction Y.
  • a plurality of extension portions 22c are provided according to the number of second semiconductor elements 30L.
  • the plurality of extension portions 22c are arranged apart from each other in the vertical direction Y.
  • the shape of the extension portion 22c in a plan view is a band shape extending in the lateral direction X.
  • Each extension portion 22c includes a main surface 22cs, which is an example of a driving connection surface facing the same direction as the element main surface 31 of the semiconductor element 30 in the thickness direction Z, and an element back surface 32 of the semiconductor element 30 in the thickness direction Z. It has a back surface 22cr facing the same direction.
  • the tip of each extension 22c is supported by a support 29.
  • the support base 29 is provided according to the number of extension portions 22c.
  • the plurality of support bases 29 are arranged at the ends of the conductive members 42A on the conductive member 42B side in the lateral direction X.
  • the plurality of support bases 29 are arranged apart from each other in the vertical direction Y.
  • Each support 29 has, for example, electrical insulation.
  • the constituent material of each support base 29 is, for example, ceramics.
  • Each support base 29 is joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A. Further, each support base 29 is joined to the back surface 22cr of the extension portion 22c.
  • the plurality of support bases 29 are arranged so as to be aligned with each other in the horizontal direction X and separated from each other in the vertical direction Y.
  • each support base 29 (size in the thickness direction Z) is the thickness of the input lead 21 (size in the thickness direction Z) and the thickness of the insulating member 28 (size in the thickness direction Z). Is approximately equal to the sum of.
  • the tip of the extension 22c is joined to each support 29. As a result, each support base 29 stabilizes the posture of the input lead 22.
  • the plurality of extension portions 22c are arranged so as to be aligned with the plurality of second semiconductor elements 30L in the vertical direction Y.
  • the plurality of extension portions 22c are arranged so as to overlap the plurality of second semiconductor elements 30L when viewed from the lateral direction X. Further, the tip edges of the plurality of extension portions 22c are separated from the second semiconductor element 30L in the lateral direction X.
  • the connecting portion 22d is connected to the end portion on the first resin side surface 11 side of the plurality of extending portions 22c in the lateral direction X.
  • the shape of the connecting portion 22d in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the intermediate portion 22e is continuous with the end portion of the connecting portion 22d on the first resin side surface 11 side in the horizontal direction X and the central portion of the connecting portion 22d in the vertical direction Y.
  • the shape of the intermediate portion 22e in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • a plurality of through holes 22f are provided in the intermediate portion 22e. Each of the plurality of through holes 22f penetrates the intermediate portion 22e in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 is inserted into each through hole 22f. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the input lead 22.
  • the terminal portion 22b is a portion of the input lead 22 that protrudes from the first resin side surface 11 of the sealing resin 10.
  • the shape of the terminal portion 22b in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the size of the terminal portion 22b in the plan view is the same as the size of the terminal portion 21b in the plan view.
  • An insulating member 28 that electrically insulates the input lead 21 and the input lead 22 is interposed between the input lead 21 and the input lead 22 in the thickness direction Z.
  • the input lead 21 and the input lead 22 are joined to the insulating member 28 by, for example, a joining material.
  • the bonding material may be a conductive material or an insulating material.
  • the constituent material of the insulating member 28 is, for example, insulating paper.
  • the shape of the insulating member 28 in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. In the thickness direction Z, the insulating member 28 overlaps the pad portion 21a and the terminal portion 21b of the input lead 21.
  • the insulating member 28 overlaps the connecting portion 22d, the intermediate portion 22e, and the terminal portion 22b of the input lead 22. In this way, a part of the insulating member 28 is covered with the sealing resin 10.
  • the size of the insulating member 28 in the vertical direction Y is larger than the sizes of the terminal portions 21b and 22b of the input leads 21 and 22 in the vertical direction Y.
  • the insulating member 28 projects from both sides of the terminal portions 21b and 22b in the vertical direction Y. Further, the insulating member 28 protrudes from the tips of the terminal portions 21b and 22b in the lateral direction X.
  • the output lead 23 is a metal plate.
  • the constituent material of the metal plate is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • the output lead 23 is arranged near the second resin side surface 12 of the sealing resin 10.
  • the AC power (voltage) converted by the plurality of semiconductor elements 30 is output from the output lead 23.
  • the output lead 23 is formed in a flat plate shape extending in the lateral direction X.
  • the output lead 23 has the same shape as the input lead 21.
  • the output lead 23 has a pad portion 23a and a terminal portion 23b.
  • the pad portion 23a and the terminal portion 23b are a single member integrally formed.
  • the pad portion 23a is a portion of the output lead 23 covered with the sealing resin 10.
  • a plurality of comb tooth portions 23c are provided at the ends of the pad portions 23a on the side surface 11 side of the first resin of the sealing resin 10.
  • Each comb tooth portion 23c is conductively joined to the main surface 42sb of the conductive member 42B described later.
  • laser welding using a laser beam, ultrasonic bonding, or bonding using a conductive bonding material may be used.
  • a plurality of through holes 23d are provided in a portion of the pad portion 23a near the second resin side surface 12 of the sealing resin 10. Each through hole 23d penetrates the pad portion 23a in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 has entered each through hole 23d. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the output lead 23.
  • the terminal portion 23b is a portion of the output lead 23 that protrudes from the second resin side surface 12 of the sealing resin 10.
  • the shape of the terminal portion 23b in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the terminal portion 23b extends toward the side opposite to the terminal portion 23b of the input lead 21.
  • the pair of control leads 24A and 24B, the pair of detection leads 25A and 25B, and the plurality of dummy leads 26 are arranged along the lateral direction X. More specifically, in plan view, the control lead 24A, the detection lead 25A, and the three dummy leads 26 are located next to the conductive member 42A of the support substrate 40 in the vertical direction Y. In plan view, the control lead 24B, the detection lead 25B, and the other three dummy leads 26 are located next to the conductive member 42B of the support substrate 40 in the vertical direction Y.
  • the intervals are the distance between the control leads 24A, the detection leads 25A, and the leads adjacent to the lateral X of the three dummy leads 26 in the group of leads, and the control leads 24B, the detection leads 25B, and the like in the group of leads. It is larger than the distance between the leads adjacent to each other in the lateral direction X among the three dummy leads 26 of.
  • the pair of control leads 24A and 24B, the pair of detection leads 25A and 25B, and the plurality of dummy leads 26 are formed from the same lead frame.
  • the control lead 24A is arranged so as to be closer to the first semiconductor element 30U in the lateral direction X than the gate layer 44A and the detection layer 45A.
  • the control lead 24A is arranged so as to overlap the plurality of first semiconductor elements 30U when viewed from the vertical direction Y.
  • a gate voltage for driving a plurality of first semiconductor elements 30U is applied to the control lead 24A.
  • the control lead 24B is arranged so as to be on the second semiconductor element 30L side in the lateral direction X with respect to the gate layer 44B and the detection layer 45B.
  • the control lead 24B is arranged so as to overlap the plurality of second semiconductor elements 30L when viewed from the vertical direction Y.
  • a gate voltage for driving a plurality of second semiconductor elements 30L is applied to the control lead 24B.
  • the pair of control leads 24A and 24B each have a pad portion 24a and a terminal portion 24b.
  • the shapes of the pair of control leads 24A and 24B are the same as each other.
  • the pair of control leads 24A and 24B are single members in which the pad portion 24a and the terminal portion 24b are integrally formed, respectively.
  • the pad portion 24a is a portion of the pair of control leads 24A and 24B covered with the sealing resin 10. As a result, the pair of control leads 24A and 24B are supported by the sealing resin 10.
  • the surface of the pad portion 24a may be plated with silver, for example.
  • the pad portion 24a is provided with a through hole 24c.
  • the through hole 24c penetrates the pad portion 24a in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 has entered the through hole 24c. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the pair of control leads 24A and 24B.
  • the terminal portion 24b is a portion of the pair of control leads 24A and 24B that protrudes from the sealing resin 10.
  • the terminal portion 24b has an L shape when viewed from the lateral direction X (see FIGS. 1 and 2).
  • the control lead 24A and the gate layer 44A are connected by a first connection wire 53.
  • the end of the first connection wire 53 connected to the gate layer 44A is connected to the end of the gate layer 44A on the control lead 24A side in the vertical direction Y.
  • the end of the first connection wire 53 connected to the control lead 24A is connected to the pad portion 24a of the control lead 24A.
  • the control lead 24B and the gate layer 44B are connected by a second connection wire 57.
  • the end of the second connection wire 57 on the side connected to the gate layer 44B is connected to the end of the gate layer 44B on the control lead 24B side in the vertical direction Y.
  • the end of the second connection wire 57 connected to the control lead 24B is connected to the pad portion 24a of the control lead 24B.
  • the detection lead 25A is located next to the control lead 24A in the lateral direction X.
  • the detection lead 25A is a portion of the first semiconductor element 30U on the side of the first semiconductor element 30U in the horizontal direction X with respect to the detection layer 45A and on the insulating layer 43A side in the horizontal direction X with respect to the vertical direction Y. It is arranged so as to overlap with.
  • the voltage (voltage corresponding to the source current) applied to the source electrodes 33 of the plurality of first semiconductor elements 30U is detected via the detection lead 25A.
  • the detection lead 25B is located next to the control lead 24B in the lateral direction X.
  • the detection lead 25B overlaps the second semiconductor element 30L side in the horizontal direction X with respect to the detection layer 45B and the portion of the second semiconductor element 30L on the insulating layer 43B side in the horizontal direction X when viewed from the vertical direction Y. Have been placed.
  • the voltage (voltage corresponding to the source current) applied to the source electrodes 33 of the plurality of second semiconductor elements 30L is detected via the detection lead 25B.
  • the pair of detection leads 25A and 25B each have a pad portion 25a and a terminal portion 25b.
  • the shapes of the pair of detection leads 25A and 25B are the same as each other, and the shapes of the pair of control leads 24A and 24B are the same.
  • the pad portion 25a and the terminal portion 25b are integrally formed as a single member.
  • the pad portion 25a is a portion of the pair of detection leads 25A and 25B covered with the sealing resin 10. As a result, the pair of detection leads 25A and 25B are supported by the sealing resin 10.
  • the surface of the pad portion 25a may be plated with silver, for example.
  • the pad portion 25a is provided with a through hole 25c.
  • the through hole 25c penetrates the pad portion 25a in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 has entered the through hole 25c. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the pair of detection leads 25A and 25B.
  • the terminal portion 25b is a portion of the pair of detection leads 25A and 25B that protrudes from the sealing resin 10. Like the terminal portion 24b, the terminal portion 25b has an L shape when viewed from the lateral direction X (see FIGS. 1 and 2).
  • the detection lead 25A and the detection layer 45A are connected by a first connection wire 54.
  • the end of the first connection wire 54 connected to the detection layer 45A is connected to the end of the detection layer 45A on the detection lead 25A side in the vertical direction Y.
  • the end of the first connection wire 54 connected to the detection lead 25A is connected to the pad portion 25a of the detection lead 25A.
  • the detection lead 25B and the detection layer 45B are connected by a second connection wire 58.
  • the end of the second connection wire 58 connected to the detection layer 45B is connected to the end of the detection layer 45B on the detection lead 25B side in the vertical direction Y.
  • the end of the second connection wire 58 connected to the detection lead 25B is connected to the pad portion 25a of the detection lead 25B.
  • the three dummy leads 26 are located next to each other on the side opposite to the detection lead 25A of the control lead 24A in the lateral direction X.
  • the three dummy leads 26 are arranged apart from each other in the lateral direction X.
  • the two dummy leads 26 on the control lead 24A side are arranged so as to overlap the insulating layer 43A when viewed from the vertical direction Y.
  • the remaining one dummy lead 26 is arranged so as to be closer to the first resin side surface 11 (see FIG. 4) of the sealing resin 10 than the insulating layer 43A in the lateral direction X.
  • the other three dummy leads 26 are located next to each other on the side opposite to the detection lead 25B of the control lead 24B in the lateral direction X.
  • the other three dummy leads 26 are arranged apart from each other in the lateral direction X.
  • the two dummy leads 26 on the control lead 24B side are arranged so as to overlap the insulating layer 43B when viewed from the vertical direction Y.
  • the remaining one dummy lead 26 is arranged so as to be closer to the second resin side surface 12 (see FIG. 4) of the sealing resin 10 than the insulating layer 43B in the lateral direction X.
  • Each of the plurality of dummy leads 26 has a pad portion 26a and a terminal portion 26b.
  • the shapes of the plurality of dummy leads 26 are the same as each other, and are the same as the shapes of the pair of control leads 24A and 24B.
  • the pad portion 26a and the terminal portion 26b are integrally formed as a single member.
  • the pad portion 26a is a portion of the plurality of dummy leads 26 covered with the sealing resin 10. As a result, the plurality of dummy leads 26 are supported by the sealing resin 10.
  • the surface of the pad portion 26a may be plated with silver, for example.
  • the pad portion 26a is provided with a through hole 26c. Each through hole 26c penetrates the pad portion 26a in the thickness direction Z. A part of the sealing resin 10 has entered each through hole 26c. This makes it difficult to separate the sealing resin 10 and the plurality of dummy leads 26.
  • the terminal portion 26b is a portion of the plurality of dummy leads 26 that protrudes from the sealing resin 10. Like the terminal portion 24b, the terminal portion 26b has an L shape when viewed from the lateral direction X (see FIGS.
  • the six dummy leads 26 are not connected to the conductive members 42A and 42B, the gate layers 44A and 44B, and the detection layers 45A and 45B by connecting members such as wires, respectively. At least one of the six dummy leads 26 may be omitted.
  • the semiconductor device 1A comprises a plurality of first drive leads 60 connecting the plurality of second semiconductor elements 30L and the input leads 22, a plurality of first semiconductor elements 30U, and a conductive member 42B.
  • a plurality of second drive leads 70 to be connected are provided.
  • the plurality of first drive leads 60 and the plurality of second drive leads 70 are examples of a plurality of drive connecting members.
  • the first drive lead 60 is an example of a second drive connection member connected to the drive electrode of the second semiconductor element
  • the second drive lead 70 is a first drive connect member connected to the drive electrode of the first semiconductor element.
  • the plurality of first drive leads 60 and the plurality of second drive leads 70 are each sealed with the sealing resin 10.
  • the plurality of first drive leads 60 are provided according to the number of the plurality of second semiconductor elements 30L.
  • the semiconductor device 1A since the number of the second semiconductor elements 30L is four, the semiconductor device 1A includes four first driving leads 60.
  • the plurality of second drive leads 70 are provided according to the number of the plurality of first semiconductor elements 30U. In the present embodiment, since there are four first semiconductor elements 30U, the semiconductor device 1A includes four second drive leads 70.
  • the first drive lead 60 is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and the extension portion 22c of the input lead 22. That is, the first drive lead 60 connects the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and the input lead 22.
  • the shape of the first driving lead 60 in a plan view is a band shape extending in the lateral direction X.
  • the first drive lead 60 has a configuration in which a plurality of thin metal plates are laminated in the thickness direction Z. In the present embodiment, as shown in FIGS. 5, 12 and 13, the first drive lead 60 is formed by forming three thin metal plates 60A, 60B and 60C in this order. The structure is laminated in the direction Z.
  • the metal plates 60A, 60B, 60C are made of the same metal material.
  • An example of the material constituting the metal plates 60A, 60B, 60C is Cu (copper).
  • the number of metal plates constituting the first drive lead 60 can be arbitrarily changed. In one example, the number of metal plates constituting the first drive lead 60 is set according to the magnitude of the allowable current of the second semiconductor element 30L.
  • the thicknesses (dimensions in the thickness direction Z) of the metal plates 60A, 60B, and 60C are 0.05 mm to 0.2 mm, respectively. In this embodiment, metal plates 60A, 60B, 60C having a thickness of 0.05 mm are used.
  • the first drive lead 60 is joined to the first connection portion 61 joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and to the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22. It has a second connecting portion 62, and a connecting portion 63 that connects the first connecting portion 61 and the second connecting portion 62. Since the first drive lead 60 is formed by laminating the metal plates 60A to 60C, each of the metal plates 60A to 60C has a first connection portion 61, a second connection portion 62, and a connection portion 63. Therefore, the first connecting portion 61, the second connecting portion 62, and the connecting portion 63 of the metal plates 60A to 60C are classified by adding the letters A to C after the reference numerals.
  • the metal plate 60A is a single member in which the first connecting portion 61A, the second connecting portion 62A, and the connecting portion 63A are integrally formed.
  • the metal plate 60B is a single member in which the first connecting portion 61B, the second connecting portion 62B, and the connecting portion 63B are integrally formed.
  • the metal plate 60C is a single member in which the first connecting portion 61C, the second connecting portion 62C, and the connecting portion 63C are integrally formed.
  • the connecting portion 63A is an example of the first connecting portion
  • the connecting portion 63B is an example of the second connecting portion
  • the connecting portion 63C is an example of the third connecting portion.
  • the first connection portion 61 is configured by laminating the first connection portion 61A, the first connection portion 61B, and the first connection portion 61C in this order in the thickness direction Z.
  • the second connection portion 62 is configured by stacking the second connection portion 62A, the second connection portion 62B, and the second connection portion 62C in this order in the thickness direction Z.
  • the first connection portion 61A of the metal plate 60A is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L. Therefore, the metal plate 60A is an example of the first metal plate connected to the semiconductor element, and the first connection portion 61A is an example of the first element side connection portion of the first metal plate.
  • the first connection portion 61A is in contact with the source electrode 33 over the entire surface thereof.
  • the shape of the first connecting portion 61A in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the first connection portion 61A is joined over most of the source electrode 33.
  • the first connecting portion 61A is joined to an area in a range of 50% or more and less than 100% of the area of the source electrode 33 in a plan view.
  • the first connecting portion 61A is joined to an area in a range of 60% or more and less than 100% of the area of the source electrode 33 in a plan view.
  • the first connecting portion 61A is joined to an area in a range of 60% or more and less than 70% of the area of the source electrode 33 in a plan view.
  • the size of the area where the first connection portion 61A joins the source electrode 33 can be arbitrarily changed.
  • the first connecting portion 61A is joined to an area in the range of 70% or more and less than 100% of the area of the source electrode 33 in a plan view. Further, in one example, the first connecting portion 61A is joined to an area in a range of 80% or more and less than 100% of the area of the source electrode 33 in a plan view.
  • the first connection portion 61B of the metal plate 60B is laminated on the first connection portion 61A in the thickness direction Z. Therefore, the metal plate 60B is an example of the second metal plate connected to the first metal plate, and the first connection portion 61B is an example of the second element side connection portion of the second metal plate.
  • the first connection portion 61B is in contact with the first connection portion 61A over substantially the entire surface thereof.
  • the shape of the first connecting portion 61B in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the tip edge of the first connecting portion 61B is deviated from the tip edge of the first connecting portion 61A in the lateral direction X.
  • the tip edge of the first connection portion 61B is located closer to the extension portion 22c of the input lead 22 than the tip edge of the first connection portion 61A in the lateral direction X. Therefore, in a plan view, the size of the first connecting portion 61B in the lateral direction X is smaller than the size of the first connecting portion 61A in the lateral direction X. Further, in a plan view, the size (width dimension) of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y is equal to the size (width dimension) of the first connecting portion 61A in the vertical direction Y. The thickness of the first connecting portion 61B (the size of the thickness direction Z) is equal to the thickness of the first connecting portion 61A (the size of the thickness direction Z).
  • the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61B is different from the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61A, for example, within 5% of the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61A.
  • the size of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y is equal to the size of the first connecting portion 61A in the vertical direction Y.
  • the thickness of the first connection portion 61B is the first connection portion. It can be said that it is equal to the thickness of 61A.
  • the tip edge of the first connecting portion 61B may be aligned with the tip edge of the first connecting portion 61A.
  • the first connection portion 61C of the metal plate 60C is laminated on the first connection portion 61B in the thickness direction Z. Therefore, the metal plate 60C is an example of the third metal plate laminated on the second metal plate, and the first connection portion 61C is an example of the third element side connection portion of the third metal plate.
  • the first connection portion 61C is in contact with the first connection portion 61B over substantially the entire surface thereof.
  • the shape of the first connecting portion 61C in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the tip edge of the first connecting portion 61C is deviated from the tip edge of the first connecting portion 61B in the lateral direction X.
  • the tip edge of the first connection portion 61C is located closer to the extension portion 22c of the input lead 22 than the tip edge of the first connection portion 61B in the lateral direction X. Therefore, in a plan view, the size of the first connecting portion 61C in the lateral direction X is smaller than the size of the first connecting portion 61B in the lateral direction X. In the present embodiment, the amount of deviation of the tip edge of the first connection portion 61C with respect to the tip edge of the first connection portion 61B is larger than the amount of sliding of the tip edge of the first connection portion 61B with respect to the tip edge of the first connection portion 61A. ..
  • the size (width dimension) of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y is equal to the size (width dimension) of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y.
  • the thickness of the first connecting portion 61C (the size of the thickness direction Z) is equal to the thickness of the first connecting portion 61B (the size of the thickness direction Z).
  • the difference between the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61C and the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61B is, for example, within 5% of the size of the vertical direction Y of the first connecting portion 61B.
  • the size of the first connecting portion 61C in the vertical direction Y is equal to the size of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y. If the difference between the thickness of the first connection portion 61C and the thickness of the first connection portion 61B is, for example, within 5% of the thickness of the first connection portion 61B, the thickness of the first connection portion 61C is the first connection portion. It can be said that it is equal to the thickness of 61B.
  • the tip edge of the first connecting portion 61C may be aligned with the tip edge of the first connecting portion 61B in the lateral direction X.
  • the first connection portion 61A is joined to the source electrode 33 by laser welding, which is an example of laser processing using a laser beam.
  • the first connecting portion 61B is joined to the first connecting portion 61A by laser welding.
  • the first connecting portion 61C is joined to the first connecting portion 61B by laser welding.
  • the laser junctions 64A, 64B, and 64C are formed in the first connection portion 61A.
  • the laser bonding portions 64A, 64B, and 64C are bonded to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L. Therefore, the laser junctions 64A, 64B, and 64C are examples of the first element-side junction of the first element-side connection.
  • the laser joint portions 64A, 64B, and 64C are formed in portions of the first connection portion 61A that are separated from each other in the lateral direction X. In a plan view, the laser junctions 64A, 64B, and 64C each extend along the longitudinal direction Y. In the present embodiment, the sizes of the laser junctions 64A, 64B, and 64C in the vertical direction Y are equal to each other.
  • the maximum deviation amount of the size of the laser joint portion 64A in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 64B in the vertical direction Y, and the size of the laser joint portion 64C in the vertical direction Y is, for example, the laser joint portion 64A. It can be said that the sizes of the laser junctions 64A, 64B, and 64C are equal to each other as long as they are within 5% of the size of the vertical direction Y.
  • the laser junction 64A is formed in a portion of the first connection 61A closer to the tip than the laser junctions 64B and 64C.
  • the laser junction portion 64A is formed at a portion of the first connection portion 61A that overlaps with the tip end portion of the first connection portion 61B when viewed from the thickness direction Z. More specifically, the laser junction portion 64A is formed in a portion of the first connection portion 61A adjacent to the tip edge of the first connection portion 61B in the lateral direction X.
  • the laser junction portion 64B is formed in the first connection portion 61A at a portion closer to the base end than the laser junction portion 64A and closer to the tip end than the laser junction portion 64C.
  • the laser junction 64C is formed at the center of the first connection 61A in the lateral direction X.
  • the pitch PA1 between the laser junction 64A and the laser junction 64B and the pitch PA2 between the laser junction 64B and the laser junction 64C are equal to each other.
  • the difference between the pitch PA1 and the pitch PA2 is, for example, within 5% of the pitch PA1, it can be said that the pitch PA1 and the pitch PA2 are equal to each other.
  • the pitches PA1 and PA2 can be changed arbitrarily. In one example, pitch PA2 may be larger than pitch PA1.
  • two laser junctions 64D and 64E are formed in the first connection portion 61B.
  • the laser joining portions 64D and 64E are joined to the first connecting portion 61A. Therefore, the laser joint portions 64D and 64E are examples of the second element side joint portions of the second element side connection portion.
  • the laser joint portions 64D and 64E are formed in portions of the first connection portion 61B separated in the lateral direction X. In a plan view, the laser junctions 64D and 64E extend along the longitudinal direction Y, respectively.
  • the sizes of the laser junctions 64D and 64E in the vertical direction Y are equal to each other. Further, the size of the laser joint portions 64D and 64E in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portions 64A, 64B and 64C in the vertical direction Y.
  • the difference between the size of the laser bonding portion 64D in the vertical direction Y and the size of the laser bonding portion 64E in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser bonding portion 64D in the vertical direction Y, for example, the laser bonding is performed. It can be said that the magnitudes of the portions 64D and 64E in the vertical direction Y are equal to each other. Further, the size of the laser joint portion 64D in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 64A in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 64B in the vertical direction Y, and the size of the laser joint portion 64C in the vertical direction Y.
  • the magnitude of the laser junction 64D in the longitudinal direction Y is the magnitude of the laser junction 64A, 64B, 64C in the longitudinal direction Y. It can be said that it is equal to the size of.
  • the magnitude of the laser junction 64E in the longitudinal direction Y is the magnitude of the laser junction 64A, 64B, 64C in the longitudinal direction Y. Can be said to be equal to.
  • the laser joint portion 64D is formed in a portion of the first connection portion 61B closer to the tip than the laser joint portion 64E.
  • the laser junction portion 64D is formed at a portion of the first connection portion 61B that overlaps with the tip end portion of the first connection portion 61C when viewed from the thickness direction Z. More specifically, the laser junction portion 64D is formed in a portion of the first connection portion 61B adjacent to the tip edge of the first connection portion 61C in the lateral direction X. Further, when viewed from the thickness direction Z, the laser junction portion 64D is located between the laser junction portion 64A and the laser junction portion 64B in the lateral direction X.
  • the laser junction portion 64E is formed in a portion of the first connection portion 61B closer to the tip of the first connection portion 61B than the central portion in the lateral direction X.
  • the laser junction 64E is located between the laser junction 64B and the laser junction 64C in the lateral direction X when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junctions 64D and 64E are arranged so as not to overlap the laser junctions 64A, 64B and 64C when viewed from the thickness direction Z.
  • the pitch PB of the laser junction portion 64D and the laser junction portion 64E is equal to the pitches PA1 and PA2.
  • the pitch PB is equal to the pitch PA1 and PA2.
  • the pitch PB can be changed arbitrarily. In one example, the pitch PB may be larger than the pitches PA1 and PA2.
  • one laser junction 64F is formed in the first connection portion 61C.
  • the laser joining portion 64F joins the first connecting portion 61B. Therefore, the laser junction portion 64F is an example of the third element side junction portion.
  • the laser junction 64F extends along the longitudinal direction Y.
  • the size of the laser joint portion 64F in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portions 64A, 64B, 64C in the vertical direction Y.
  • the magnitude of the laser junction 64F in the longitudinal direction Y is in the longitudinal direction of the laser junctions 64A, 64B, 64C. It can be said that it is equal to the size of Y.
  • the laser joint portion 64F is formed in a portion of the first connection portion 61C closer to the tip than the central portion in the lateral direction X of the first connection portion 61C.
  • the laser junction 64F is located between the laser junction 64D and the laser junction 64E in the lateral direction X.
  • the laser junction 64F is arranged so as not to overlap the laser junctions 64D and 64E when viewed from the thickness direction Z. Further, the laser junction portion 64F is provided at a position overlapping the laser junction portion 64B when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser joint portions formed on the metal plates adjacent to each other in the stacking direction of the metal plates are arranged so as not to overlap in the thickness direction. ..
  • the laser joint portions formed on the metal plates separated in the stacking direction of the metal plates are arranged so as to overlap in the thickness direction.
  • the three laser junctions 64A, 64B, 64C, the two laser junctions 64D, 64E, and the one laser junction 64F are laterally X. It is formed so as to have an equal pitch.
  • a recess 64x is formed at the end of the laser junction 64B on the metal plate 60B side in the thickness direction Z.
  • the shape of the recess 64x in a cross-sectional view obtained by cutting the recess 64x in a plane along the lateral direction X and the thickness direction Z is curved. Due to the recess 64x, the laser junction 64B is not in contact with the metal plate 60B.
  • the other laser junctions 64A and 64C of the metal plate 60A and the laser junctions 64E and 64F of the metal plate 60B also have recesses 64x like the laser junction 64B. Therefore, the other laser junctions 64A and 64C of the metal plate 60A are not in contact with the metal plate 60B. Further, the laser joint portions 64E and 64F are not in contact with the metal plate 60C.
  • the second connection portion 62A of the metal plate 60A is joined to the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22. Therefore, the second connection portion 62A is an example of the first conductor side connection portion of the first metal plate.
  • the second connection portion 62A is in contact with the main surface 22cs of the extension portion 22c over the entire surface thereof.
  • the shape of the second connecting portion 62A in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the size (width dimension) of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y is slightly smaller than the size (width dimension) of the extension portion 22c in the vertical direction Y.
  • the size of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y may be equal to the size of the extending portion 22c in the vertical direction Y.
  • the size of the second connection portion 62A in the horizontal direction X is equal to the size of the first connection portion 61A in the horizontal direction X
  • the size of the second connection portion 62A in the vertical direction Y is the size of the first connection. It is equal to the size of the portion 61A in the vertical direction Y.
  • the difference between the size of the second connecting portion 62A in the lateral direction X and the size of the first connecting portion 61A in the lateral direction X is, for example, within 5% of the size of the first connecting portion 61A in the lateral direction X.
  • the size of the second connecting portion 62A in the lateral direction X is equal to the size of the first connecting portion 61A in the lateral direction X. Further, if the difference between the size of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y and the size of the first connecting portion 61A in the vertical direction Y is, for example, within 5% of the size of the first connecting portion 61A in the vertical direction Y. It can be said that the size of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y is equal to the size of the first connecting portion 61A in the vertical direction Y.
  • the second connection portion 62B of the metal plate 60B is laminated on the second connection portion 62A in the thickness direction Z.
  • the second connecting portion 62B is in contact with the second connecting portion 62A over substantially the entire surface thereof. Therefore, the second connecting portion 62B is an example of the second conductor side connecting portion of the second metal plate.
  • the shape of the second connecting portion 62B in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the tip edge of the second connecting portion 62B is deviated from the tip edge of the second connecting portion 62A in the lateral direction X.
  • the tip edge of the second connecting portion 62B is located closer to the second semiconductor element 30L than the tip edge of the second connecting portion 62A in the lateral direction X. Therefore, in a plan view, the size of the second connecting portion 62B in the lateral direction X is smaller than the size of the second connecting portion 62A in the lateral direction X. Further, in a plan view, the size (width dimension) of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y is equal to the size (width dimension) of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y. The thickness of the second connecting portion 62B (the size of the thickness direction Z) is equal to the thickness of the second connecting portion 62A (the size of the thickness direction Z).
  • the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62B is different from the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62A, for example, within 5% of the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62A.
  • the size of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y is equal to the size of the second connecting portion 62A in the vertical direction Y.
  • the thickness of the second connection portion 62B is the second connection portion. It can be said that it is equal to the thickness of 62A.
  • the size of the second connection portion 62B in the horizontal direction X is equal to the size of the first connection portion 61B in the horizontal direction X
  • the size of the second connection portion 62B in the vertical direction Y is the size of the first connection. It is equal to the size of the portion 61B in the vertical direction Y.
  • the difference between the size of the second connecting portion 62B in the lateral direction X and the size of the first connecting portion 61B in the lateral direction X is, for example, within 5% of the size of the first connecting portion 61B in the lateral direction X.
  • the size of the second connecting portion 62B in the lateral direction X is equal to the size of the first connecting portion 61B in the lateral direction X. Further, if the difference between the size of the second connection portion 62B in the vertical direction Y and the size of the first connection portion 61B in the vertical direction Y is, for example, within 5% of the size of the first connection portion 61B in the vertical direction Y. It can be said that the size of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y is equal to the size of the first connecting portion 61B in the vertical direction Y. In the lateral direction X, the tip edge of the second connecting portion 62B may be aligned with the tip edge of the second connecting portion 62A.
  • the second connection portion 62C of the metal plate 60C is laminated on the second connection portion 62B in the thickness direction Z.
  • the second connecting portion 62C is in contact with the second connecting portion 62B over substantially the entire surface thereof. Therefore, the second connection portion 62C is an example of the third conductor side connection portion of the third metal plate.
  • the shape of the second connecting portion 62C in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the tip edge of the second connecting portion 62C is deviated from the tip edge of the second connecting portion 62B in the lateral direction X.
  • the tip edge of the second connecting portion 62C is located closer to the second semiconductor element 30L than the tip edge of the second connecting portion 62B in the lateral direction X. Therefore, in a plan view, the size of the second connecting portion 62C in the lateral direction X is smaller than the size of the second connecting portion 62B in the lateral direction X.
  • the amount of deviation of the tip edge of the first connection portion 61C with respect to the tip edge of the first connection portion 61B is larger than the amount of sliding of the tip edge of the first connection portion 61B with respect to the tip edge of the first connection portion 61A. ..
  • the size (width dimension) of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y is equal to the size (width dimension) of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y.
  • the thickness of the second connecting portion 62C (the size of the thickness direction Z) is equal to the thickness of the second connecting portion 62B (the size of the thickness direction Z).
  • the difference between the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62C and the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62B is, for example, within 5% of the size of the vertical direction Y of the second connecting portion 62B.
  • the size of the second connecting portion 62C in the vertical direction Y is equal to the size of the second connecting portion 62B in the vertical direction Y. If the difference between the thickness of the second connection portion 62C and the thickness of the second connection portion 62B is within 5% of the thickness of the second connection portion 62B, for example, the thickness of the second connection portion 62C is the second connection portion. It can be said that it is equal to the thickness of 62B.
  • the size of the second connection portion 62C in the horizontal direction X is equal to the size of the first connection portion 61C in the horizontal direction X
  • the size of the second connection portion 62C in the vertical direction Y is the size of the first connection.
  • the size of the portion 61C in the vertical direction Y is equal to the size of the portion 61C in the vertical direction Y.
  • the difference between the size of the second connecting portion 62C in the lateral direction X and the size of the first connecting portion 61C in the lateral direction X is, for example, within 5% of the size of the first connecting portion 61C in the lateral direction X. It can be said that the size of the second connecting portion 62C in the lateral direction X is equal to the size of the first connecting portion 61C in the lateral direction X.
  • the difference between the size of the second connection portion 62C in the vertical direction Y and the size of the first connection portion 61C in the vertical direction Y is, for example, within 5% of the size of the first connection portion 61C in the vertical direction Y. It can be said that the size of the second connecting portion 62C in the vertical direction Y is equal to the size of the first connecting portion 61C in the vertical direction Y.
  • the tip edge of the second connecting portion 62C may be aligned with the tip edge of the second connecting portion 62B.
  • the second connection portion 62A is joined to the tip end portion of the extension portion 22c of the input lead 22 by laser welding.
  • the second connecting portion 62B is joined to the second connecting portion 62A by laser welding.
  • the second connecting portion 62C is joined to the second connecting portion 62B by laser welding.
  • three laser junctions 65A, 65B, and 65C are formed in the second connection portion 62A.
  • the laser bonding portions 65A, 65B, and 65C are bonded to the main surface 22cs of the extension portion 22c. Therefore, the laser junctions 65A, 65B, and 65C are examples of the first conductor-side junctions.
  • the laser joint portions 65A, 65B, and 65C are formed in portions of the second connection portion 62A that are separated from each other in the lateral direction X. In a plan view, the laser junctions 65A, 65B, and 65C each extend along the longitudinal direction Y.
  • the sizes of the laser junctions 65A, 65B, and 65C in the vertical direction Y are equal to each other.
  • the maximum deviation amount of the size of the laser joint portion 65A in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 65B in the vertical direction Y, and the size of the laser joint portion 65C in the vertical direction Y is, for example, the laser joint portion 65A. It can be said that the sizes of the laser junctions 65A, 65B, and 65C are equal to each other as long as they are within 5% of the size of the vertical direction Y.
  • the size of the laser junctions 65A, 65B, and 65C in the vertical direction Y is equal to the magnitude of the laser junctions 64A, 64B, and 64C in the vertical direction, respectively.
  • the difference between the size of the laser joint portion 65A in the vertical direction Y and the size of the laser joint portion 64A in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser joint portion 64A in the vertical direction Y, the laser joint portion It can be said that the size of the vertical direction Y of 65A is equal to the size of the vertical direction Y of the laser junction 64A.
  • the relationship is the same as the relationship between the size of the laser junction 65A in the vertical direction Y and the size of the laser junction 64A in the longitudinal direction Y.
  • the laser junction 65A is formed in a portion of the second connection 62A closer to the tip than the laser junctions 65B and 65C.
  • the laser junction 65A is formed at a portion of the second connection 62A that overlaps the tip of the second connection 62B when viewed from the thickness direction Z. More specifically, the laser junction portion 65A is formed in a portion of the second connection portion 62A adjacent to the tip edge of the second connection portion 62B in the lateral direction X.
  • the laser junction 65B is formed in the second connection 62A at a portion closer to the base end than the laser junction 65A and closer to the tip than the laser junction 65C.
  • the laser junction 65C is formed at the center of the second connection 62A in the lateral direction X.
  • the pitch PC1 between the laser junction 65A and the laser junction 65B and the pitch PC2 between the laser junction 65B and the laser junction 65C are equal to each other.
  • the difference between the pitch PC1 and the pitch PC2 is, for example, within 5% of the pitch PC1, it can be said that the pitch PC1 and the pitch PC2 are equal to each other.
  • the pitch PC1 is equal to the pitch PA1 (see FIG. 15) between the laser junction 64A and the laser junction 64B
  • the pitch PC2 is the pitch between the laser junction 64B and the laser junction 64C. Equal to PA2 (see FIG. 15).
  • the pitch PC1 is equal to the pitch PA1.
  • the pitch PC2 is equal to the pitch PA2.
  • two laser junctions 65D and 65E are formed in the second connection portion 62B.
  • the laser joining portions 65D and 65E are joined to the second connecting portion 62A. Therefore, the laser junctions 65D and 65E are examples of the second conductor side junctions.
  • the laser joint portions 65D and 65E are formed in portions of the second connection portion 62B separated in the lateral direction X. In a plan view, the laser junctions 65D and 65E extend along the longitudinal direction Y, respectively.
  • the sizes of the laser junctions 65D and 65E in the vertical direction Y are equal to each other. Further, the size of the laser junctions 65D and 65E in the vertical direction Y is equal to the magnitude of the laser junctions 65A, 65B and 65C in the vertical direction Y.
  • the difference between the size of the laser bonding portion 65D in the vertical direction Y and the size of the laser bonding portion 65E in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser bonding portion 65D in the vertical direction Y, for example, the laser bonding is performed. It can be said that the magnitudes of the portions 65D and 65E in the vertical direction Y are equal to each other. Further, the size of the laser joint portion 65D in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 65A in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 65B in the vertical direction Y, and the size of the laser joint portion 65C in the vertical direction Y.
  • the magnitude of the laser junction 65D in the longitudinal direction Y is the magnitude of the laser junction 65A, 65B, 65C in the longitudinal direction Y. It can be said that it is equal to the size of. Further, the size of the laser joint portion 65E in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 65A in the vertical direction Y, the size of the laser joint portion 65B in the vertical direction Y, and the size of the laser joint portion 65C in the vertical direction Y.
  • the magnitude of the laser junction 65E in the longitudinal direction Y is the magnitude of the laser junction 65A, 65B, 65C in the longitudinal direction Y. It can be said that it is equal to the size of.
  • the size of the laser joint portion 65D in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portion 64D of the first connection portion 61B (both see FIG. 14) in the vertical direction.
  • the size of the laser joint portion 65E in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portion 64E (both see FIG. 14) of the first connection portion 61B in the vertical direction.
  • the difference between the size of the laser bonding portion 65D in the vertical direction Y and the size of the laser bonding portion 64D in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser bonding portion 64D in the vertical direction Y, for example, the laser bonding is performed.
  • the size of the vertical direction Y of the portion 65D is equal to the size of the vertical direction Y of the laser junction portion 64D. If the difference between the size of the laser junction 65E in the vertical direction Y and the size of the laser junction 64E in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser junction 64E in the vertical direction Y, for example, the laser junction 65E It can be said that the size of the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portion 64E in the vertical direction Y.
  • the laser junction 65D is formed in a portion of the second connection 62B closer to the tip than the laser junction 65E.
  • the laser junction portion 65D is formed in a portion of the second connection portion 62B that overlaps with the tip end portion of the second connection portion 62C when viewed from the thickness direction Z. More specifically, the laser junction portion 65D is formed in a portion of the second connection portion 62B adjacent to the tip edge of the second connection portion 62C in the lateral direction X. Further, when viewed from the thickness direction Z, the laser junction portion 65D is located between the laser junction portion 65A and the laser junction portion 65B in the lateral direction X.
  • the laser junction portion 65E is formed in a portion of the second connection portion 62B closer to the tip of the second connection portion 62B than the central portion in the lateral direction X.
  • the laser junction 65E is located between the laser junction 65B and the laser junction 65C in the lateral direction X when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junctions 65D and 65E are arranged so as not to overlap the laser junctions 65A, 65B and 65C when viewed from the thickness direction Z.
  • the pitch PD of the laser junction 65D and the laser junction 65E is equal to the pitch PC1 and PC2.
  • the pitch PD is equal to the pitch PC1 and PC2.
  • the pitch PD is equal to the pitch PB of the laser junction portion 64D and the laser junction portion 64E of the first connection portion 61B.
  • the difference between the pitch PD and the pitch PB is, for example, within 5% of the pitch PB, it can be said that the pitch PD is equal to the pitch PB.
  • one laser junction 65F is formed in the second connection portion 62C.
  • the laser joining portion 65F joins the second connecting portion 62B. Therefore, the laser junction 65F is an example of the third conductor side junction.
  • the laser junction 65F extends along the longitudinal direction Y.
  • the size of the laser joint portion 65F in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portions 65A, 65B, 65C in the vertical direction Y.
  • the magnitude of the laser junction 65F in the longitudinal direction Y is in the longitudinal direction of the laser junctions 65A, 65B, 65C. It can be said that it is equal to the size of Y. Further, in the present embodiment, the size of the laser joint portion 65F in the vertical direction Y is equal to the size of the laser joint portion 64F of the second connection portion 62C (both see FIG. 14) in the vertical direction.
  • the laser bonding portion 65F in the vertical direction Y is within 5% of the size of the laser bonding portion 64F in the vertical direction Y, for example, the laser bonding is performed. It can be said that the size of the vertical direction Y of the portion 65F is equal to the size of the vertical direction Y of the laser junction portion 64F.
  • the laser joint portion 65F is formed in a portion of the second connection portion 62C closer to the tip than the central portion in the lateral direction X of the second connection portion 62C.
  • the laser junction 65F is located between the laser junction 65D and the laser junction 65E in the lateral direction X.
  • the laser junction 65F is arranged so as not to overlap the laser junctions 65D and 65E when viewed from the thickness direction Z. Further, the laser junction portion 65F is provided at a position overlapping the laser junction portion 65B when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser joint portions formed on the metal plates adjacent to each other in the stacking direction of the metal plates are arranged so as not to overlap in the thickness direction. ..
  • the laser joint portions formed on the metal plates separated in the stacking direction of the metal plates are arranged so as to overlap in the thickness direction.
  • the three laser junctions 65A, 65B, 65C, the two laser junctions 65D, 65E, and the one laser junction 65F are laterally X. It is formed so as to have an equal pitch.
  • a recess 65x is formed at the end of the laser junction 65B on the metal plate 60B side in the thickness direction Z.
  • the shape of the recess 65x in a cross-sectional view obtained by cutting the recess 65x in a plane along the lateral direction X and the thickness direction Z is curved. Due to the recess 65x, the laser junction 65B is not in contact with the metal plate 60B.
  • the other laser joints 65A and 65C of the metal plate 60A and the laser joints 65D and 65E of the metal plate 60B also have recesses 65x like the laser joint 65B. Therefore, the other laser junctions 65A and 65C of the metal plate 60A are not in contact with the metal plate 60B. Further, the laser joint portions 65D and 65E are not in contact with the metal plate 60C.
  • the shape of the connecting portion 63A of the metal plate 60A when viewed from the vertical direction Y is a rectangle that opens toward the support substrate 40 (see FIG. 10A). It is concave.
  • the connecting portion 63A can be divided into a first vertical portion 66A, a second vertical portion 67A, and a horizontal portion 68A.
  • the first vertical portion 66A and the second vertical portion 67A are arranged apart from each other in the lateral direction X.
  • the horizontal portion 68A connects the first vertical portion 66A and the second vertical portion 67A in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 66A extends in the thickness direction Z from the base end portion of the first connecting portion 61A.
  • the second vertical portion 67A extends in the thickness direction Z from the base end portion of the second connecting portion 62A.
  • the size of the first vertical portion 66A in the thickness direction Z is larger than the size of the second vertical portion 67A in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 68A has an end portion of the first vertical portion 66A opposite to the first connection portion 61A in the thickness direction Z and a second connection portion 62A of the second vertical portion 67A in the thickness direction Z. It connects to the end on the opposite side. Therefore, in the thickness direction Z, the horizontal portion 68A is arranged closer to the resin top surface 15 (see FIG. 10A) of the sealing resin 10 than the input lead 22.
  • the connecting portion 63B of the metal plate 60B is laminated on the connecting portion 63A of the metal plate 60A. More specifically, the shape of the connecting portion 63B when the metal plate 60B is viewed from the vertical direction Y is rectangular and concave like the connecting portion 63A.
  • the connecting portion 63B can be divided into a first vertical portion 66B, a second vertical portion 67B, and a horizontal portion 68B.
  • the first vertical portion 66B is laminated on the first vertical portion 66A in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 66B is in contact with the first vertical portion 66A over its entire surface.
  • the second vertical portion 67B is laminated on the second vertical portion 67A in the lateral direction X.
  • the second vertical portion 67B is in contact with the second vertical portion 67A over its entire surface.
  • the horizontal portion 68B is laminated on the horizontal portion 68A in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 68B is in contact with the horizontal portion 68A over its entire surface.
  • the connecting portion 63C of the metal plate 60C is laminated on the connecting portion 63B of the metal plate 60B. More specifically, the shape of the connecting portion 63C when the metal plate 60C is viewed from the vertical direction Y is rectangular and concave like the connecting portion 63A.
  • the connecting portion 63C can be divided into a first vertical portion 66C, a second vertical portion 67C, and a horizontal portion 68C.
  • the first vertical portion 66C is laminated on the first vertical portion 66B in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 66C is in contact with the first vertical portion 66B over its entire surface.
  • the second vertical portion 67C is laminated on the second vertical portion 67B in the lateral direction X.
  • the second vertical portion 67C is in contact with the second vertical portion 67B over its entire surface.
  • the horizontal portion 68C is laminated on the horizontal portion 68B in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 68C is in contact with the horizontal portion 68B over its entire surface.
  • the second drive lead 70 is joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U and the end portion of the main surface 42sb of the conductive member 42B in the lateral direction X on the conductive member 42A side.
  • the conductive member 42B is an example of the driving conductor
  • the main surface 42sb of the conductive member 42B is an example of the driving connection surface of the driving conductor.
  • the shape of the second drive lead 70 in a plan view is a band shape extending in the lateral direction X.
  • the second drive lead 70 has a configuration in which a plurality of thin metal plates are laminated in the thickness direction Z.
  • three thin metal plates 70A, 70B, and 70C are laminated in this order in the thickness direction Z. It is a configuration that has been made.
  • the metal plates 70A, 70B, and 70C are made of the same metal material.
  • An example of the material constituting the metal plates 70A, 70B, 70C is Cu (copper).
  • the number of metal plates constituting the second drive lead 70 can be arbitrarily changed.
  • the number of metal plates constituting the second drive lead 70 is set according to the magnitude of the allowable current of the first semiconductor element 30U.
  • the thicknesses of the metal plates 70A, 70B, and 70C are 0.05 mm to 0.2 mm, respectively, similar to the metal plates 60A, 60B, and 60C (see FIGS. 12 and 13).
  • metal plates 70A, 70B, 70C having a thickness of 0.05 mm are used.
  • the second drive lead 70 includes a first connection portion 71 joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U, a second connection portion 72 joined to the conductive member 42B, and a first connection portion 71 and a second. It has a connecting portion 73 that connects the connecting portion 72. Since the second drive lead 70 is formed by laminating the metal plates 70A to 70C, each of the metal plates 70A to 70C has a first connection portion 71, a second connection portion 72, and a connection portion 73. Therefore, the first connecting portion 71, the second connecting portion 72, and the connecting portion 73 of the metal plates 70A to 70C are classified by adding the letters A to C after the reference numerals.
  • the metal plate 70A is a single member in which the first connecting portion 71A, the second connecting portion 72A, and the connecting portion 73A are integrally formed.
  • the metal plate 70B is a single member in which the first connecting portion 71B, the second connecting portion 72B, and the connecting portion 73B are integrally formed.
  • the metal plate 70C is a single member in which the first connecting portion 71C, the second connecting portion 72C, and the connecting portion 73C are integrally formed.
  • the first connection portion 71 is configured by stacking the first connection portion 71A, the first connection portion 71B, and the first connection portion 71C in the thickness direction Z.
  • the second connection portion 72 is configured by laminating the second connection portion 72A, the second connection portion 72B, and the second connection portion 72C in the thickness direction Z.
  • the configuration of the first connection portion 71 of the second drive lead 70 is the same as the configuration of the second connection portion 62 (see FIGS. 16 and 17) of the first drive lead 60.
  • the configuration of the first connection portion 71A of the metal plate 70A is the same as the configuration of the second connection portion 62A of the metal plate 60A
  • the configuration of the first connection portion 71B of the metal plate 70B is the configuration of the metal plate 60B
  • the configuration of the first connection portion 71C of the metal plate 70C is the same as the configuration of the second connection portion 62C of the metal plate 60C.
  • the stacking mode of the first connecting portions 71A, 71B, 71C is the same as the stacking mode of the second connecting portions 62A, 62B, 62C.
  • the first connection portion 71A is joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U by laser welding.
  • the first connecting portion 71B is joined to the first connecting portion 71A by laser welding.
  • the first connecting portion 71C is joined to the first connecting portion 71B by laser welding.
  • the first connection portion 71A is formed with laser joint portions 74A, 74B, 74C.
  • the respective shapes and sizes of the laser junctions 74A, 74B and 74C, and the arrangement mode are the shapes and sizes of the laser junctions 65A, 65B and 65C formed in the second connection portion 62A, and the arrangement modes. It is the same.
  • the first connection portion 71B is formed with laser joint portions 74D and 74E.
  • the respective shapes and sizes of the laser junctions 74D and 74E and the arrangement mode are the same as the respective shapes and sizes of the laser junctions 65D and 65E formed in the second connection portion 62B and the arrangement mode.
  • the laser joint portion 74F is formed in the first connection portion 71C.
  • the shape and size of the laser junction 74F and the arrangement mode are the same as the shape and size of the laser junction 65F of the second connection portion 62C and the arrangement mode.
  • Recesses 74x are formed in each of the laser joints 74A to 74F in the same manner as the recesses 65x (see FIG. 17) of the laser joints 65A to 65F.
  • the configuration of the second connection portion 72 of the second drive lead 70 is the same as the configuration of the first connection portion 61 (see FIGS. 14 and 15) of the first drive lead 60.
  • the configuration of the second connection portion 72A of the metal plate 70A is the same as the configuration of the first connection portion 61A of the metal plate 60A
  • the configuration of the second connection portion 72B of the metal plate 70B is the configuration of the metal plate 60B
  • the configuration of the first connection portion 61B is the same
  • the configuration of the second connection portion 72C of the metal plate 70C is the same as the configuration of the first connection portion 61C of the metal plate 60C.
  • the stacking mode of the second connecting portions 72A, 72B, 72C is the same as the stacking mode of the first connecting portions 61A, 61B, 61C.
  • the second connecting portion 72A is joined to the main surface 42sb of the conductive member 42B by laser welding.
  • the second connecting portion 72B is joined to the second connecting portion 72A by laser welding.
  • the second connecting portion 72C is joined to the second connecting portion 72B by laser welding.
  • Laser junctions 75A, 75B, and 75C are formed in the second connection portion 72A, similarly to the first connection portion 61A.
  • the shapes, sizes, and arrangement modes of the laser junctions 75A, 75B, and 75C are the same as the shapes, sizes, and arrangements of the laser junctions 64A, 64B, and 64C formed in the first connection portion 61A. It is the same.
  • the second connection portion 72B is formed with laser joint portions 75D and 75E.
  • the respective shapes and sizes of the laser junctions 75D and 75E and the arrangement mode are the same as the respective shapes and sizes of the laser junctions 64D and 64E formed in the first connection portion 61B and the arrangement mode. Similar to the first connection portion 61C, the second connection portion 72C is formed with the laser junction portion 75F. The shape and size of the laser junction 75F and the arrangement mode are the same as the shape and size of the laser junction 64F formed on the first connection portion 61C and the arrangement mode. Recesses 75x are formed in each of the laser joints 75A to 75F in the same manner as the recesses 64x (see FIG. 15) of the laser joints 64A to 64F.
  • the shape of the connecting portion 73 of the second drive lead 70 when the second drive lead 70 is viewed from the vertical direction Y is such that the first drive lead 60 is viewed from the vertical direction Y. It is different from the shape of the connecting portion 63 of the second drive lead 70 in the side view.
  • the shape of the connecting portion 73 in the side view is formed in a rectangular concave shape that opens toward the support substrate 40, similarly to the connecting portion 63.
  • the distance Z in the thickness direction between the first semiconductor element 30U and the main surface 42sb of the conductive member 42B is larger than the distance Z in the thickness direction between the extension portion 22c of the input lead 22 and the second semiconductor element 30L. Is also small, so that the concave depth of the connecting portion 73 is shallower than the concave depth of the connecting portion 63.
  • the shape of the connecting portion 73A of the metal plate 70A when viewed from the side view of the metal plate 70A from the vertical direction Y is a rectangular concave shape that opens toward the support substrate 40 (see FIG. 11A).
  • the connecting portion 63A of the metal plate 70A can be divided into a first vertical portion 76A, a second vertical portion 77A, and a horizontal portion 78A.
  • the first vertical portion 76A and the second vertical portion 77A are arranged apart from each other in the lateral direction X.
  • the horizontal portion 78A connects the first vertical portion 76A and the second vertical portion 77A in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 76A extends in the thickness direction Z from the base end portion of the second connecting portion 72A.
  • the second vertical portion 77A extends in the thickness direction Z from the base end portion of the first connecting portion 71A.
  • the size of the first vertical portion 76A in the thickness direction Z is larger than the size of the second vertical portion 77A in the thickness direction Z.
  • the size of the first vertical portion 76A in the thickness direction Z is smaller than the size of the first vertical portion 66A of the metal plate 60A of the first driving lead 60 in the thickness direction Z.
  • the size of the second vertical portion 77A in the thickness direction Z is equal to the size of the second vertical portion 67A of the metal plate 60A in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 78A has an end portion of the first vertical portion 76A opposite to the second connection portion 72A in the thickness direction Z and a first connection portion 71A of the second vertical portion 77A in the thickness direction Z. It connects to the end on the opposite side.
  • the length of the horizontal portion 78A in the lateral direction X is equal to the length of the horizontal portion 68A of the metal plate 60A in the lateral direction X.
  • the difference between the size of the second vertical portion 77A in the thickness direction Z and the size of the second vertical portion 67A in the thickness direction Z is within 5% of the size of the second vertical portion 67A in the thickness direction Z, for example.
  • the size of the second vertical portion 77A in the thickness direction Z is equal to the size of the second vertical portion 67A in the thickness direction Z. Further, if the difference between the length of the horizontal portion 78A in the lateral direction X and the length of the horizontal portion 68A in the lateral direction X is within 5% of the length of the horizontal portion 68A in the lateral direction X, for example, the lateral direction of the horizontal portion 78A. It can be said that the length of X is equal to the length of the horizontal portion 68A in the lateral direction X.
  • the connecting portion 73B of the metal plate 70B is laminated on the connecting portion 73A of the metal plate 70A. More specifically, the shape of the connecting portion 73B when the metal plate 70B is viewed from the vertical direction Y is rectangular and concave like the connecting portion 73A.
  • the connecting portion 73B can be divided into a first vertical portion 76B, a second vertical portion 77B, and a horizontal portion 78B.
  • the first vertical portion 76B is laminated on the first vertical portion 76A in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 76B is in contact with the first vertical portion 76A over its entire surface.
  • the second vertical portion 77B is laminated on the second vertical portion 77A in the lateral direction X.
  • the second vertical portion 77B is in contact with the second vertical portion 77A over its entire surface.
  • the horizontal portion 78B is laminated on the horizontal portion 78A in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 78B is in contact with the horizontal portion 78A over its entire surface.
  • the connecting portion 73C of the metal plate 70C is laminated on the connecting portion 73B of the metal plate 70B. More specifically, the shape of the connecting portion 73C when the metal plate 70C is viewed from the vertical direction Y is rectangular and concave like the connecting portion 73A.
  • the connecting portion 73C can be divided into a first vertical portion 76C, a second vertical portion 77C, and a horizontal portion 78C.
  • the first vertical portion 76C is laminated on the first vertical portion 76B in the lateral direction X.
  • the first vertical portion 76C is in contact with the first vertical portion 76B over its entire surface.
  • the second vertical portion 77C is laminated on the second vertical portion 77B in the lateral direction X.
  • the second vertical portion 77C is in contact with the second vertical portion 77B over its entire surface.
  • the horizontal portion 78C is laminated on the horizontal portion 78B in the thickness direction Z.
  • the horizontal portion 78C is in contact with the horizontal portion 78B over its entire surface.
  • the metal plate 70A is an example of the first metal plate connected to the semiconductor element
  • the first connection portion 71A is an example of the first element side connection portion of the first metal plate
  • the second connection portion 72A is an example of the first conductor side connecting portion of the first metal plate
  • the connecting portion 73A is an example of the first connecting portion.
  • the laser junctions 74A, 74B, 74C formed in the first connection portion 71A are examples of the first element side junctions of the first element side connection portion
  • the laser junctions 75A, formed in the second connection portion 72A, 75B and 75C are examples of the first conductor side joint portion of the first conductor side connection portion.
  • the metal plate 70B is an example of a second metal plate laminated on the first metal plate, and the first connection portion 71B is an example of a second element side connection portion connected to the first element side connection portion.
  • the connecting portion 72B is an example of the second conductor side connecting portion of the second metal plate, and the connecting portion 73B is an example of the second connecting portion.
  • the laser junctions 74D and 74E formed on the first connection portion 71B are examples of the second element side junctions of the second element side connection portion, and the laser junction portions 75D and 75E formed on the second connection portion 72B are examples. This is an example of the second conductor side joint portion of the second conductor side connection portion.
  • the metal plate 70C is an example of a third metal plate laminated on the second metal plate
  • the first connection portion 71C is an example of the third element side connection portion of the third metal plate
  • the second connection portion 72C is the second connection portion 72C. 3
  • the connecting portion 73C is an example of the third connecting portion.
  • the laser junction 74F formed on the first connection portion 71C is an example of the third element side junction of the third element side connection portion
  • the laser junction portion 75F formed on the second connection portion 72C is on the third conductor side. This is an example of the third conductor side joint portion of the connection portion.
  • each component with the reference numeral of the semiconductor device 1A indicates each component of the semiconductor device 1A of FIGS. 1 to 23.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1A includes a support substrate preparation step (step S1), an element mounting step (step S2), a joining step (step S3), a wire forming step (step S4), and sealing. It has a step (step S5).
  • the semiconductor device 1A is manufactured by carrying out the support substrate preparation step, the element mounting step, the joining step, the wire forming step, and the sealing step in this order.
  • the support substrate 40 (see FIG. 2) is prepared. Specifically, first, the conductive member 42A and the conductive member 42B are joined to the insulating substrate 41 so as to be separated from each other. Then, the pair of insulating layers 43A and 43B and the plurality of support bases 29 are joined onto the conductive members 42A and 42B. Then, the pair of gate layers 44A and 44B and the pair of detection layers 45A and 45B are joined onto the pair of insulating layers 43A and 43B.
  • the first semiconductor element 30U is mounted on the conductive member 42A
  • the second semiconductor element 30L is mounted on the conductive member 42B.
  • the silver paste is applied to the mounting region of the first semiconductor element 30U in the conductive member 42A
  • the silver paste is applied to the mounting region of the second semiconductor element 30L in the conductive member 42B.
  • this coating method include screen printing using a mask.
  • the element back surface 32 of the first semiconductor element 30U is joined to the mounting region of the first semiconductor element 30U in the conductive member 42A
  • the element back surface 32 of the second semiconductor element 30L is joined to the mounting region of the second semiconductor element 30L in the conductive member 42B.
  • a conductive bonding material such as solder may be used instead of the silver paste.
  • the joining step includes a first joining step (step S31), a second joining step (step S32), and a third joining step (step S33).
  • the first joining step is a step of joining the input leads 21 and 22 and the output lead 23 to the support substrate 40.
  • the input lead 21 is joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A. Examples of this bonding method include bonding by ultrasonic welding or bonding by laser welding.
  • the insulating member 28 is attached to the input lead 21.
  • the input lead 22 is attached to the insulating member 28. As a result, the insulating member 28 is sandwiched between the input lead 21 and the input lead 22 in the thickness direction Z.
  • each of the plurality of extension portions 22c of the input lead 22 is placed on the support base 29.
  • the output lead 23 is joined to the conductive member 42B.
  • this bonding method include bonding by ultrasonic welding or bonding by laser welding. The order of joining the input leads 21 and 22 to the conductive member 42A and the step of joining the output leads 23 to the conductive member 42B can be arbitrarily changed.
  • the second joining step is a first step of preparing a lead frame for forming a pair of control leads 24A and 24B, a pair of detection leads 25A and 25B, a plurality of dummy leads 26, and a pair of side leads 27A and 27B. And a second step of joining the side leads 27A and 27B to the support substrate 40.
  • a lead frame in which a pair of control leads 24A and 24B, a pair of detection leads 25A and 25B, a plurality of dummy leads 26, and a pair of side leads 27A and 27B are connected is prepared.
  • the terminal portions 24b, 25b, 26b of the leads 24A, 24B, 25A, 25B, 26 are formed in a state before being bent into an L shape.
  • the side leads 27A connected to the lead frame are joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A, and the side leads 27B connected to the lead frame are joined to the main surface 42sb of the conductive member 42B.
  • these bonding methods include bonding by ultrasonic welding or bonding by laser welding.
  • the third joining step is a step of joining a plurality of first driving leads 60 to a plurality of first semiconductor elements 30U and a plurality of extension portions 22c of the input leads 22, and a plurality of second driving leads 70.
  • This is a step of joining the second semiconductor element 30L and the conductive member 42B.
  • a method of joining the first drive lead 60 and the first semiconductor element 30U, a method of joining the first drive lead 60 and the extension portion 22c, a method of joining the second drive lead 70 and the second semiconductor element 30L, and The method of joining the second driving lead 70 and the conductive member 42B is the same. Therefore, the joining method of the first driving lead 60 and the first semiconductor element 30U will be described in detail, and the description of other joining will be omitted.
  • the joining device 200 includes a lead supply unit 210 for supplying a metal plate and a laser irradiation unit 220 for performing laser welding.
  • the laser irradiation unit 220 is provided inside the lead supply unit 210.
  • the lead supply unit 210 and the laser irradiation unit 220 are configured to be independently movable in the horizontal direction X, the vertical direction Y, and the thickness direction Z, respectively.
  • FIG. 25 shows a drive electrode connecting process.
  • the drive electrode connection step is a step of connecting the first connection portion 61A of the metal plate 60A of the first drive lead 60 to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U.
  • the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the metal ribbon material 230 to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U.
  • the ribbon material 230 is, for example, Cu (copper).
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the source electrode 33 with laser light from the side opposite to the source electrode 33 side in the thickness direction Z.
  • the laser beam is scanned along the longitudinal direction Y with respect to the ribbon material 230 and is irradiated in a straight line.
  • the laser joining portions 64A, 64B, 64C for joining the source electrode 33 and the ribbon material 230 are formed.
  • the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X so as to place the ribbon material 230 having a length of the lateral direction X in which the laser junction portion 64A can be formed on the source electrode 33. Then, after stopping the movement of the lead supply unit 210 in the lateral direction X, the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the source electrode 33 with the laser beam. As a result, the laser junction 64A is formed. Next, the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 laterally so that the length of the ribbon material 230 on the source electrode 33 in the lateral direction X becomes the length of the ribbon material 230 in the lateral direction X in which the laser junction 64B can be formed. Move in direction X.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the source electrode 33 with the laser beam. As a result, the laser junction 64B is formed.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 laterally so that the length of the ribbon material 230 on the source electrode 33 in the lateral direction X becomes the length of the ribbon material 230 in the lateral direction X in which the laser junction 64C can be formed. Move in direction X.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the source electrode 33 with the laser beam. As a result, the laser junction 64C is formed.
  • the first connection portion 61A of the metal plate 60A is formed on the source electrode 33, and the first connection portion 61A is joined to the source electrode 33.
  • the first connecting portion forming step is a step of forming the connecting portion 63A of the metal plate 60A.
  • the lead supply unit 210 moves away from the first semiconductor element 30U in the thickness direction Z while supplying the ribbon material 230.
  • the first vertical portion 66A of the metal plate 60A is formed.
  • the lead supply unit 210 moves away from the first semiconductor element 30U along the lateral direction X while supplying the ribbon material 230.
  • the horizontal portion 68A of the metal plate 60A is formed.
  • the lead supply unit 210 moves toward the extension unit 22c in the thickness direction Z while supplying the ribbon material 230.
  • the second vertical portion 67A of the metal plate 60A is formed.
  • the conductor connecting step is a step of connecting the second connecting portion 62A of the metal plate 60A to the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22 which is a driving conductor.
  • the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230.
  • the ribbon material 230 is placed on the main surface 22cs of the extension portion 22c.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the extension portion 22c with the laser beam.
  • the joining device 200 forms the laser joining portions 65A, 65B, 65C on the ribbon material 230 by repeating the supply of the ribbon material 230 to the extension portion 22c and the joining by the laser beam. Then, the lead supply unit 210 cuts the ribbon material 230. As a result, the second connecting portion 62A of the metal plate 60A is formed. That is, the metal plate 60A is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22.
  • the metal plate 60A is formed through the first element side laminating step, the second connecting portion forming step, and the first conductor side laminating step in order. That is, the conductor connecting step is performed after the driving electrode connecting step and before the first element side laminating step.
  • FIG. 26 shows the first element side laminating process.
  • the first element side laminating step is a step of connecting the first connecting portion 61B of the metal plate 60B of the first drive lead 60 to the first connecting portion 61A in a state of being laminated on the first connecting portion 61A of the metal plate 60A. ..
  • the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 to the first connection unit 61A of the metal plate 60A.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the first connection portion 61A with laser light from a side opposite to the first connection portion 61A side in the thickness direction Z.
  • the laser beam is scanned with respect to the ribbon material 230 along the vertical direction Y and is irradiated in a straight line.
  • the laser joining portions 64D and 64E for joining the first connecting portion 61A and the ribbon material 230 are formed.
  • the lead supply unit 210 first moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 to a position deviated in the lateral direction X with respect to the tip edge of the first connection unit 61A. Then, when the lead supply unit 210 moves until the length of the laser joint portion 64D can be formed on the ribbon material 230 in the lateral direction X, the movement of the lead supply unit 210 in the lateral direction X is stopped. Then, the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the first connection portion 61A with the laser beam. As a result, the laser junction 64D is formed.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 so that the length of the ribbon material 230 on the first connection unit 61A in the lateral direction X becomes the length of the ribbon material 230 in the lateral direction X in which the laser joint portion 64E can be formed.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the first connection unit 61A with the laser beam.
  • the laser junction 64E is formed.
  • the first connection portion 61B of the metal plate 60B is formed on the first connection portion 61A, and the first connection portion 61B is joined to the first connection portion 61A.
  • the second connecting portion forming step is a step of forming the connecting portion 63B of the metal plate 60B.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 so as to make contact with the first vertical portion 66A of the metal plate 60A from the lateral direction X, and from the first semiconductor element 30U in the thickness direction Z. Move away. As a result, the first vertical portion 66B of the metal plate 60B is formed. Then, the lead supply unit 210 moves away from the first semiconductor element 30U in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 so as to contact the horizontal portion 68A of the metal plate 60A from the thickness direction Z. As a result, the horizontal portion 68C of the metal plate 60B is formed.
  • the lead supply portion 210 moves toward the extension portion 22c in the thickness direction Z while supplying the ribbon material 230 so as to come into contact with the second vertical portion 67A of the metal plate 60A from the lateral direction X.
  • the second vertical portion 67B of the metal plate 60B is formed.
  • the first conductor-side laminating step is a step of connecting the second connecting portion 62B of the metal plate 60B of the first driving lead 60 to the second connecting portion 62A in a state of being laminated on the second connecting portion 62A of the metal plate 60A. .. Specifically, the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230. As a result, the ribbon material 230 is placed on the second connecting portion 62A. Then, the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the second connection portion 62A with the laser beam.
  • the joining device 200 forms the laser joining portions 65D and 65E on the ribbon material 230 by repeating the supply of the ribbon material 230 onto the second connecting portion 62A and the joining by the laser beam. .. Then, the lead supply unit 210 cuts the ribbon material 230. As a result, the second connecting portion 62B of the metal plate 60B is formed. That is, the metal plate 60B is laminated on the metal plate 60A and is joined to the first connection portion 61A and the second connection portion 62A of the metal plate 60A.
  • the metal plate 60A is formed through the second element side laminating step, the third connecting portion forming step, and the second conductor side laminating step in order. That is, the first conductor-side laminating step is performed after the first element-side laminating step and before the second element-side laminating step.
  • FIG. 27 shows the second element side laminating process.
  • the second element side laminating step is a step of connecting the first connecting portion 61C of the metal plate 60C of the first driving lead 60 to the first connecting portion 61B in a state of being laminated on the first connecting portion 61B of the metal plate 60B. ..
  • the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 on the first connection unit 61B of the metal plate 60B.
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the first connection portion 61B with laser light from the side opposite to the first connection portion 61B side in the thickness direction Z.
  • the laser beam is scanned with respect to the ribbon material 230 along the vertical direction Y and is irradiated in a straight line.
  • the laser joining portion 64F that joins the first connecting portion 61B and the ribbon material 230 is formed.
  • the lead supply unit 210 first moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 to a position deviated in the lateral direction X with respect to the tip edge of the first connection unit 61B. Then, when the lead supply unit 210 moves until the length of the laser joint portion 64F can be formed on the ribbon material 230 in the lateral direction X, the movement of the lead supply unit 210 in the lateral direction X is stopped. Then, the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 on the first connection portion 61B with the laser beam. As a result, the laser junction 64F is formed.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 until the length of the ribbon material 230 on the first connection unit 61A in the lateral direction X becomes the same as the length of the ribbon material 230 in the lateral direction X of the first connection unit 61C. While doing so, it moves in the lateral direction X. As a result, the first connection portion 61C of the metal plate 60C is formed.
  • the third connecting portion forming step is a step of forming the connecting portion 63C of the metal plate 60C.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 so as to come into contact with the first vertical portion 66B of the metal plate 60B from the lateral direction X, and from the first semiconductor element 30U in the thickness direction Z. Move away. As a result, the first vertical portion 66C of the metal plate 60C is formed. Then, the lead supply unit 210 moves away from the first semiconductor element 30U in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230 so as to contact the horizontal portion 68B of the metal plate 60B from the thickness direction Z. As a result, the horizontal portion 68C of the metal plate 60C is formed.
  • the lead supply unit 210 moves toward the extension portion 22c in the thickness direction Z while supplying the ribbon material 230 so as to contact the second vertical portion 67B of the metal plate 60B from the lateral direction X. As a result, the second vertical portion 67C of the metal plate 60C is formed.
  • the second conductor-side laminating step is a step of connecting the second connecting portion 62C of the metal plate 60C of the first driving lead 60 to the second connecting portion 62B in a state of being laminated on the second connecting portion 62B of the metal plate 60B. .. Specifically, the lead supply unit 210 moves in the lateral direction X while supplying the ribbon material 230. As a result, the ribbon material 230 is placed on the second connecting portion 62B. Then, the laser irradiation unit 220 irradiates the ribbon material 230 placed on the second connection portion 62B with the laser beam. As a result, the laser joint portion 65F is formed on the ribbon material 230.
  • the lead supply unit 210 supplies the ribbon material 230 in the lateral direction until the length of the ribbon material 230 on the second connection portion 62B in the lateral direction X becomes the length of the horizontal direction X of the second connection portion 62C. Move to X. After that, the ribbon material 230 is cut. As a result, the second connection portion 62C of the metal plate 60C is formed. That is, the metal plate 60C is laminated on the metal plate 60B and is joined to the first connection portion 61B and the second connection portion 62B of the metal plate 60B. Through the above steps, the first drive lead 60 is formed.
  • the second drive lead 70 is formed in the same manner as the formation of the first drive lead 60.
  • the joining device 200 forms a metal plate 70A that joins the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U and the main surface 42sb of the conductive member 42B.
  • a metal plate 70B that is laminated on the metal plate 70A and joined to each of the first connection portion 71A and the second connection portion 72A of the metal plate 70A is formed.
  • a metal plate 70C that is laminated on the metal plate 70B and joined to each of the first connection portion 71B and the second connection portion 72B of the metal plate 70B is formed.
  • the wire forming step is a step of connecting the gate layers 44A and 44B and the detection layers 45A and 45B with a plurality of semiconductor elements 30, control leads 24A and 24B, and detection leads 25A and 25B by wires 51 to 58, respectively.
  • the connecting step is a step of forming each wire 51 to 58.
  • Each wire 51 to 58 is formed by wire bonding.
  • a plurality of second control wires 52 connecting to the 44B are formed.
  • the plurality of first detection wires 55 connecting the source electrodes 33 of the plurality of first semiconductor elements 30U and the detection layer 45A, and the source electrodes 33 and the detection layer 45B of the plurality of second semiconductor elements 30L are connected.
  • a plurality of second detection wires 56 are formed.
  • first connection wire 53 that connects the gate layer 44A and the control lead 24A and a second connection wire 57 that connects the gate layer 44B and the control lead 24B are formed.
  • first connection wire 54 that connects the detection layer 45A and the detection lead 25A and a second connection wire 58 that connects the detection layer 45B and the detection lead 25B are formed.
  • the formation order of the wires 51 to 58 is not limited to the above order and can be changed arbitrarily.
  • the sealing resin 10 is formed by transfer molding using a black epoxy resin.
  • the sealing resin 10 is formed so as to cover it.
  • the semiconductor device 1A is manufactured by cutting unnecessary portions of the plurality of leads 20 from the lead frame and bending the control leads 24A and 24B, the detection leads 25A and 25B, and the plurality of dummy leads 26. ..
  • the above-mentioned manufacturing method is an example of a manufacturing method of a semiconductor device, and is not limited to this, and the order may be changed as appropriate.
  • the semiconductor device as a whole that is, the components other than the semiconductor element in the semiconductor device, correspond to the increase in current as in the semiconductor element.
  • FIGS. 28 and 29 are configurations of a semiconductor device of a comparative example in which there is room for improvement with respect to such an increase in current.
  • FIG. 28 shows the bonding structure of the three driving leads 310 and the semiconductor element 30 in the semiconductor device 300 of the first comparative example.
  • FIG. 29 shows the bonding structure of the four drive leads 410 and the semiconductor element 30 in the semiconductor device 400 of the second comparative example.
  • the drive lead 310 in the semiconductor device 300 is joined to the source electrode 33 of the semiconductor element 30.
  • the drive lead 310 has a pair of first drive leads 311, 312 and a second drive lead 313.
  • the first drive leads 311, 312 and the second drive leads 313 each consist of one metal plate.
  • the shapes of the first drive leads 311, 312 and the second drive leads 313 in a plan view are strips extending in the lateral direction X, respectively.
  • the pair of first driving leads 311, 312 are arranged so as to be adjacent to each other in the vertical direction Y.
  • the second drive lead 313 is arranged so as to overlap the first drive lead 312 when viewed from the thickness direction Z.
  • the second drive lead 313 is located on the semiconductor element 30 side in the thickness direction Z with respect to the first drive lead 312.
  • the first drive leads 311, 312 and the second drive leads 313 are respectively bonded to the source electrode 33 by ultrasonic welding.
  • And the length of the element-side connecting portion 313A joined to the source electrode 33 in the second driving lead 313 in the lateral direction X, respectively, are the first connecting portions 61 of the first driving lead 60 of the present embodiment. It is shorter than the length of the lateral X of. Therefore, in a plan view, the area of the element-side connecting portions 311A, 312A, and 313A of the first driving lead 311, 312 and the second driving lead 313 is small in proportion to the area of the source electrode 33.
  • each drive lead 410 in the semiconductor device 400 is joined to the source electrode 33 of the semiconductor element 30 at a plurality of locations.
  • each drive lead 410 is formed with four element-side connection portions 411,421,413,414 separated from each other in the lateral direction X.
  • the portions between the element-side connecting portion 413 and the element-side connecting portion 414 in the lateral direction X are separated from the source electrode 33 in the thickness direction Z, respectively.
  • the portion separated from the source electrode 33 in the thickness direction Z is a portion that must be formed because the metal plate constituting each drive lead 410 is vibrated in the lateral direction X when ultrasonic welding is performed. Is. Therefore, in the plan view, the ratio of the area of the element-side connection portions 411 to 414 to the area of the source electrode 33 is the ratio of the first drive leads 311, 312 and the second drive to the area of the source electrode 33 in the plan view. Although it is larger than the area occupied by the element-side connection portions 311A, 312A, and 313A of the lead 313, there is still room for improvement.
  • the load applied to the source electrode 33 becomes large.
  • the element-side connecting portions 311A to 313A and 411 to 414 joined to the source electrode 33 by ultrasonic welding are uneven when the driving leads 310 and 410 are viewed from the vertical direction Y, respectively. This is because vibration is applied while pressing the metal plate against the source electrode 33 until the composition of the metal plate is deformed when ultrasonic welding is performed. As a result, it is difficult for the element-side connecting portions 311A to 313A and 411 to 414 to have a structure in which metal plates are laminated in the thickness direction Z.
  • the element side connection portions 311A to 313A and 411 to 414 can be laminated in the thickness direction Z, the element side connection portions 311A to 313A and 411 to 414 are in the thickness direction Z in the element side connection portions 311A to 313A and 411 to 414.
  • the contact area between adjacent metal plates becomes smaller.
  • the first drive lead 60 is joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U by laser welding, and the second drive lead 70 is joined to the second semiconductor element 30L by laser welding. It is joined to the source electrode 33 of. Therefore, the first connection portion 61 of the first drive lead 60 can be joined to the source electrode 33 in a state of being in contact with the source electrode 33 over substantially the entire surface thereof. Therefore, the area of the first connection portion 61 (61A) can be increased with respect to the area of the source electrode 33. Further, the bonding by laser welding has a smaller mechanical load on the source electrode 33 than the bonding by ultrasonic welding. Therefore, the source electrode 33 is less likely to be adversely affected by the mechanical load on the source electrode 33.
  • the first drive lead 60 has a metal plate 60A connected to the second semiconductor element 30L and a metal plate 60B laminated on the metal plate 60A.
  • the metal plate 60A has a first connection portion 61A connected to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L, and the metal plate 60B has a first connection portion 61B connected to the first connection portion 61A.
  • the first connecting portion 61A and the first connecting portion 61B are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the joint area of the source electrode 33 in the first connection portion 61 of the first drive lead 60 can be increased, and the first connection portion 61 of the first drive lead 60 is formed in the thickness direction Z. And the cross-sectional area cut by the plane along the vertical direction Y becomes large. Therefore, the upper limit value (allowable current amount) of the current that can be passed from the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L to the first drive lead 60 can be increased.
  • the second drive lead 70 has a metal plate 70A connected to the first semiconductor element 30U and a metal plate 70B laminated on the metal plate 70A.
  • the metal plate 70A has a first connection portion 71A connected to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U, and the metal plate 70B has a first connection portion 71B connected to the first connection portion 71A.
  • the first connecting portion 71A and the first connecting portion 71B are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the first connecting portion 71 of the second driving lead 70 can be increased, and the first connecting portion 71 of the second driving lead 70 is formed in the thickness direction Z and the vertical direction Y. The cross-sectional area cut along the plane increases. Therefore, the upper limit value (allowable current amount) of the current that can be passed from the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U to the second drive lead 70 can be increased.
  • the first drive lead 60 has a metal plate 60C laminated on the metal plate 60B.
  • the metal plate 60C has a first connection portion 61C connected to the first connection portion 61B of the metal plate 60B.
  • the first connecting portion 61B and the first connecting portion 61C are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the first connecting portion 61 of the first driving lead 60 cut in a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y is further increased. Therefore, the allowable current amount from the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L to the first drive lead 60 can be further increased.
  • the second drive lead 70 has a metal plate 70C laminated on the metal plate 70B.
  • the metal plate 70C has a first connection portion 71C connected to the first connection portion 71B of the metal plate 70B.
  • the first connecting portion 71B and the first connecting portion 71C are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the first connecting portion 71 of the second driving lead 70 cut in a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y is further increased. Therefore, the allowable current amount from the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U to the second drive lead 70 can be further increased.
  • the laser junctions 64A, 64B, 64C formed in the first connection portion 61A of the first drive lead 60 are the laser junction portions formed in the first connection portion 61B when viewed from the thickness direction Z. They are arranged so as not to overlap with 64D and 64E. According to this configuration, the portions other than the laser junctions 64A to 64E of the first connection portions 61A and 61B of the adjacent metal plates 60A and 60B in the thickness direction Z are formed as flat surfaces, so that the first connection portion 61A The contact area between the metal and the first connection portion 61B becomes large. Therefore, a current can be smoothly passed from the metal plate 60A to the metal plate 60B.
  • the laser junction 64F formed in the first connection portion 61C of the first drive lead 60 is the laser junction 64D, 64E formed in the first connection portion 61B when viewed from the thickness direction Z. They are arranged so that they do not overlap.
  • the portions other than the laser joints 64D and 64E of the first connection portion 61B of the metal plate 60B are formed as flat surfaces, so that the flat surface of the first connection portion 61B of the metal plate 60B and the metal plate 60C
  • the first connecting portions 61B and 61C are joined to each other by the laser joining portion 64F in a state where the first connecting portions 61C of the above are in contact with each other. Therefore, it becomes easy to join the first connection portion 61B and the first connection portion 61C.
  • the laser junction 74F formed in the first connection portion 71C of the second drive lead 70 is displaced so as not to overlap the laser junction portions 74D and 74E formed in the first connection portion 71B when viewed from the thickness direction Z. Is arranged.
  • the portions other than the laser joints 74D and 74E of the first connection portion 71B of the metal plate 70B are formed as flat surfaces, so that the flat surface of the first connection portion 71B of the metal plate 70B and the metal plate 70C
  • the first connecting portions 71B and 71C are joined to each other by the laser joining portion 74F in a state where the first connecting portions 71C of the above are in contact with each other. Therefore, it becomes easy to join the first connection portion 71B and the first connection portion 71C.
  • the laser junction 64F of the first connection portion 61C of the first drive lead 60 overlaps with the laser junction 64B of the first connection portion 61A when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junction 64B is arranged so as not to overlap the laser junctions 64D and 64E of the first connection portion 61B when viewed from the thickness direction Z, and thus the position of the laser junction 64F. Is aligned with the position of the laser junction 64B, so that the laser junction 64F is less likely to overlap with the laser junctions 64D and 64E.
  • the laser junction 74F of the first connection portion 71C of the second drive lead 70 overlaps with the laser junction 74B of the first connection portion 71A when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junction 74B is arranged so as not to overlap the laser junctions 74D and 74E of the first connection portion 71B when viewed from the thickness direction Z, and thus the position of the laser junction 74F. Is aligned with the position of the laser junction 74B, so that the laser junction 74F is less likely to overlap with the laser junctions 74D and 74E.
  • the number of laser joints 64D and 64E in the first connection 61B of the metal plate 60B is smaller than the number of laser joints 64A, 64B and 64C in the first connection 61A of the metal plate 60A, and the metal
  • the number of laser junctions 64F in the first connection portion 61C of the plate 60C is smaller than that of the laser junctions 64D and 64E in the first connection portion 61B. According to this configuration, the number of steps for forming the laser junction is reduced by reducing the number of laser junctions. Therefore, the man-hours of the third joining step can be reduced.
  • the number of laser joints 74D and 74E in the first connection 71B of the metal plate 70B is smaller than the number of laser joints 74A, 74B and 74C in the first connection 71A of the metal plate 70A, and the first of the metal plate 70C.
  • the number of laser junctions 74F in the connection portion 71C is smaller than that of the laser junctions 74D and 74E in the first connection portion 71B. According to this configuration, the number of steps for forming the laser junction is reduced by reducing the number of laser junctions. Therefore, the man-hours of the third joining step are reduced.
  • the metal plate 60A of the first drive lead 60 has a second connection portion 62A connected to the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22, and the metal plate 60B has a second connection portion. It has a second connecting portion 62B connected to 62A.
  • the second connecting portion 62A and the second connecting portion 62B are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the joint area of the main surface 22cs of the extension portion 22c in the second connection portion 62 of the first drive lead 60 can be increased, and the second connection portion 62 of the first drive lead 60 can be formed.
  • the cross-sectional area cut in a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y becomes large. Therefore, the upper limit value (allowable current amount) of the current that can be passed from the first drive lead 60 to the extension portion 22c can be increased.
  • the metal plate 70A of the second drive lead 70 has a second connection portion 72A connected to the main surface 42sb of the conductive member 42B, and the metal plate 70B is a second connection portion connected to the second connection portion 72A. It has 72B.
  • the second connecting portion 72A and the second connecting portion 72B are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the second connecting portion 72 of the second driving lead 70 can be increased, and the cross-sectional area of the second connecting portion 72 cut along a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y. Becomes larger. Therefore, the upper limit value (allowable current amount) of the current that can be passed from the second drive lead 70 to the conductive member 42B can be increased.
  • the metal plate 60C of the first drive lead 60 has a second connection portion 62C connected to the second connection portion 62B of the metal plate 60B.
  • the second connecting portion 62B and the second connecting portion 62C are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the second connecting portion 62 of the first driving lead 60 cut in a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y is further increased. Therefore, the allowable current amount from the first drive lead 60 to the extension portion 22c can be further increased.
  • the metal plate 70C of the second drive lead 70 has a second connection portion 72C connected to the second connection portion 72B of the metal plate 70B.
  • the second connecting portion 72B and the second connecting portion 72C are laminated in the thickness direction Z. According to this configuration, the cross-sectional area of the second connecting portion 72 of the second driving lead 70 cut in a plane along the thickness direction Z and the vertical direction Y is further increased. Therefore, the allowable current amount from the second driving lead 70 to the conductive member 42B can be further increased.
  • the laser joints 65A, 65B, 65C formed in the second connection 62A of the first drive lead 60 are the laser joints 65A, 65B, 65C formed in the second connection 62B when viewed from the thickness direction Z. They are arranged so as not to overlap with 65D and 65E. According to this configuration, the portions other than the laser junctions 65A to 65E of the second connection portions 62A and 62B of the adjacent metal plates 60A and 60B in the thickness direction Z are formed as flat surfaces, so that the second connection portion 62A The contact area between the and the second connection portion 62B becomes large. Therefore, a current can be smoothly passed from the metal plate 60A to the metal plate 60B.
  • the laser junctions 75A, 75B, 75C formed in the second connection portion 72A of the second drive lead 70 overlap with the laser junction portions 75D, 75E formed in the second connection portion 72B when viewed from the thickness direction Z. They are arranged so that they do not become. According to this configuration, the portions other than the laser junctions 75A to 75E of the second connection portions 72A and 72B of the adjacent metal plates 70A and 70B in the thickness direction Z are formed as flat surfaces, so that the second connection portion 72A The contact area between the and the second connection portion 72B becomes large. Therefore, a current can be smoothly passed from the metal plate 70A to the metal plate 70B.
  • the laser junction 64F formed in the second connection 62C of the first drive lead 60 is the laser junction 65D, 65E formed in the second connection 62B when viewed from the thickness direction Z. They are arranged so that they do not overlap.
  • the portions other than the laser joints 65D and 65E of the second connection portion 62B of the metal plate 60B are formed as flat surfaces, so that the flat surface of the second connection portion 62B of the metal plate 60B and the metal plate 60C
  • the second connecting portions 62B and 62C are joined to each other by the laser joining portion 65F in a state where the second connecting portions 62C of the above are in contact with each other. Therefore, it becomes easy to join the second connection portion 62B and the second connection portion 62C.
  • the laser junction 75F formed in the second connection portion 72C of the second drive lead 70 is displaced so as not to overlap the laser junction portions 75D and 75E formed in the second connection portion 72B when viewed from the thickness direction Z. Is arranged.
  • the portions other than the laser joints 75D and 75E of the second connection portion 72B of the metal plate 70B are formed as flat surfaces, so that the flat surface of the second connection portion 72B of the metal plate 70B and the metal plate 70C
  • the second connecting portions 72B and 72C are joined to each other by the laser joining portion 75F in a state where the second connecting portions 72C of the above are in contact with each other. Therefore, it becomes easy to join the second connection portion 72B and the second connection portion 72C.
  • the laser junction 65F of the second connection portion 62C of the first drive lead 60 overlaps with the laser junction 65B of the second connection portion 62A when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junction 65B is arranged so as not to overlap the laser junctions 65D and 65E of the second connection portion 62B when viewed from the thickness direction Z, and therefore the position of the laser junction 65F. Is aligned with the position of the laser junction 65B, so that the laser junction 65F is less likely to overlap with the laser junctions 65D and 65E.
  • the laser junction 75F of the second connection portion 72C of the second drive lead 70 overlaps with the laser junction 75B of the second connection portion 72A when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junction 75B is arranged so as not to overlap the laser junctions 75D and 75E of the second connection portion 72B when viewed from the thickness direction Z, so that the position of the laser junction 75F is located. Is aligned with the position of the laser junction 75B, so that the laser junction 75F is less likely to overlap with the laser junctions 75D and 75E.
  • the number of laser joints 65D and 65E in the second connection 62B of the metal plate 60B is smaller than the number of laser joints 65A, 65B and 65C in the second connection 62A of the metal plate 60A.
  • the number of laser junctions 65F in the second connection 62C of the plate 60C is smaller than the number of laser junctions 65D and 65E in the second connection 62B. According to this configuration, the number of steps for forming the laser junction is reduced by reducing the number of laser junctions. Therefore, the man-hours of the third joining step can be reduced.
  • the number of laser joints 75D and 75E in the second connection 72B of the metal plate 70B is less than the number of laser joints 75A, 75B and 75C in the second connection 72A of the metal plate 70A, and the second of the metal plate 70C.
  • the number of laser joints 75F in the connection 72C is smaller than the number of laser joints 75D and 75E in the second connection 72B. According to this configuration, the number of steps for forming the laser junction is reduced by reducing the number of laser junctions. Therefore, the man-hours of the third joining step are reduced.
  • the connecting portion 63A of the metal plate 60A and the connecting portion 63B of the metal plate 60B are laminated. Therefore, since the connecting portion 63A and the connecting portion 63B are in contact with each other, for example, in the sealing step, it becomes difficult for a part of the sealing resin 10 to enter between the connecting portion 63A and the connecting portion 63B. Therefore, deformation of the metal plate 60A and the metal plate 60B so as to be separated from each other due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the sealing resin 10 and the metal plates 60A and 60B is suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the first drive lead 60.
  • the connecting portion 63B of the metal plate 60B and the connecting portion 63C of the metal plate 60C are laminated. For this reason, since the connecting portion 63B and the connecting portion 63C are in contact with each other, it becomes difficult for a part of the sealing resin 10 to enter between the connecting portion 63B and the connecting portion 63C, for example, in the sealing step. Therefore, it is suppressed that the metal plate 60B and the metal plate 60C are deformed so as to be separated from each other due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the sealing resin 10 and the metal plates 60B and 60C. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the first drive lead 60.
  • the connecting portion 73A of the metal plate 70A and the connecting portion 73B of the metal plate 70B are laminated. Therefore, since the connecting portion 73A and the connecting portion 73B are in contact with each other, it becomes difficult for a part of the sealing resin 10 to enter between the connecting portion 73A and the connecting portion 73B, for example, in the sealing step. Therefore, deformation of the metal plate 70A and the metal plate 70B so as to be separated from each other due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the sealing resin 10 and the metal plates 70A and 70B is suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the second drive lead 70.
  • the connecting portion 73B of the metal plate 70B and the connecting portion 73C of the metal plate 70C are laminated. Therefore, since the connecting portion 73B and the connecting portion 73C are in contact with each other, it becomes difficult for a part of the sealing resin 10 to enter between the connecting portion 73B and the connecting portion 73C, for example, in the sealing step. Therefore, the deformation of the metal plate 70B and the metal plate 70C so as to be separated from each other due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the sealing resin 10 and the metal plates 70B and 70C is suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the second drive lead 70.
  • the first connection portion 61A of the metal plate 60A is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connecting portion 61A is bonded to the source electrode 33, it is added to the source electrode 33 as compared with the case where the first connecting portion 61A is bonded to the source electrode 33 by, for example, ultrasonic welding. The load applied is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the second semiconductor element 30L.
  • the contact area between the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and the first connection portion 61A is larger than that in the case where the first connection portion 61A is bonded to the source electrode 33 by, for example, ultrasonic welding. Therefore, the allowable current amount from the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L to the first drive lead 60 can be increased.
  • the first connection portion 71A of the metal plate 70A is joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connecting portion 71A is bonded to the source electrode 33, it is added to the source electrode 33 as compared with the case where the first connecting portion 71A is bonded to the source electrode 33 by, for example, ultrasonic welding. The load applied is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the first semiconductor element 30U.
  • the contact area between the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U and the first connection portion 71A is larger than that in the case where the first connection portion 71A is bonded to the source electrode 33 by, for example, ultrasonic welding. Therefore, the allowable current amount from the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U to the second drive lead 70 can be increased.
  • the first connection portion 61B of the metal plate 60B is joined to the first connection portion 61A by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connection portion 61B is joined to the first connection portion 61A, the load applied to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L via the first connection portion 61A is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the second semiconductor element 30L.
  • the contact area between the first connection portion 61A and the first connection portion 61B is larger than that when the first connection portion 61B is bonded to the first connection portion 61A by, for example, ultrasonic welding. Therefore, a current can be smoothly passed from the first connection portion 61A to the first connection portion 61B.
  • the first connection portion 71B of the metal plate 70B is joined to the first connection portion 71A by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connection portion 71B is joined to the first connection portion 71A, the load applied to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U via the first connection portion 71A is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the first semiconductor element 30U.
  • the contact area between the first connection portion 71A and the first connection portion 71B becomes larger than that when the first connection portion 71B is bonded to the first connection portion 71A by, for example, ultrasonic welding. Therefore, a current can be smoothly passed from the first connection portion 71A to the first connection portion 71B.
  • the first connection portion 61C of the metal plate 60C is joined to the first connection portion 61B by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connection portion 61C is joined to the first connection portion 61B, the load applied to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L via the first connection portions 61A and 61B is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the second semiconductor element 30L.
  • the contact area between the first connection portion 61B and the first connection portion 61C is larger than that when the first connection portion 61C is bonded to the first connection portion 61B by, for example, ultrasonic welding. Therefore, a current can be smoothly passed from the first connection portion 61B to the first connection portion 61C.
  • the first connection portion 71C of the metal plate 70B is joined to the first connection portion 71B by laser processing (laser welding). According to this configuration, when the first connection portion 71C is joined to the first connection portion 71B, the load applied to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U via the first connection portions 71A and 71B is small. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the first semiconductor element 30U.
  • the contact area between the first connection portion 71B and the first connection portion 71C is larger than that when the first connection portion 71C is bonded to the first connection portion 71B by, for example, ultrasonic welding. Therefore, a current can be smoothly passed from the first connection portion 71B to the first connection portion 71C.
  • the second connection portion 62A of the metal plate 60A is joined to the main surface 22cs of the extension portion 22c of the input lead 22 by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact between the main surface 22cs of the extension 22c and the second connection 62A is compared with the case where the second connection 62A is bonded to the main surface 22cs of the extension 22c by, for example, ultrasonic welding. The area becomes large. Therefore, the allowable current amount from the first drive lead 60 to the input lead 22 can be increased.
  • the second connection portion 72A of the metal plate 70A is joined to the main surface 42sb of the conductive member 42B by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact between the main surface 42sb of the conductive member 42B and the second connecting portion 72A is compared with the case where the second connecting portion 72A is bonded to the main surface 42sb of the conductive member 42B by, for example, ultrasonic welding. The area becomes large. Therefore, the allowable current amount from the second drive lead 70 to the conductive member 42B can be increased.
  • the second connection portion 62B of the metal plate 60B is joined to the second connection portion 62A by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact area between the second connection portion 62A and the second connection portion 62B becomes larger than that in the case where the second connection portion 62B is bonded to the second connection portion 62A by, for example, ultrasonic welding. .. Therefore, a current can be smoothly passed from the second connection portion 62B to the second connection portion 62A.
  • the second connection portion 72B of the metal plate 70B is joined to the second connection portion 72A by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact area between the second connection portion 72A and the second connection portion 72B becomes larger than that in the case where the second connection portion 72B is bonded to the second connection portion 72A by, for example, ultrasonic welding. .. Therefore, a current can be smoothly passed from the second connection portion 72B to the second connection portion 72A.
  • the second connection portion 62C of the metal plate 60C is joined to the second connection portion 62B by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact area between the second connection portion 62B and the second connection portion 62C becomes larger than that when the second connection portion 62C is bonded to the second connection portion 62B by, for example, ultrasonic welding. .. Therefore, a current can be smoothly passed from the second connection portion 62C to the second connection portion 62B.
  • the second connection portion 72C of the metal plate 70B is joined to the second connection portion 72B by laser processing (laser welding). According to this configuration, the contact area between the second connection portion 72B and the second connection portion 72C becomes larger than that when the second connection portion 72C is bonded to the second connection portion 72B by, for example, ultrasonic welding. .. Therefore, a current can be smoothly passed from the second connection portion 72C to the second connection portion 72B.
  • the detection layers 45A and 45B are arranged in the lateral direction X closer to the semiconductor element 30 than the gate layers 44A and 44B. According to this configuration, the distance between the source electrode 33 of the semiconductor element 30 and the detection layers 45A and 45B can be shortened, so that each of the first detection wire 55 and the second detection wire 56 is shortened. be able to. Therefore, the inductance caused by the first detection wire 55 and the second detection wire 56 can be reduced.
  • the semiconductor device 1B of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 30 to 32.
  • the present embodiment is different from the semiconductor device 1A of the first embodiment in that the configuration of the input lead 22 and the first drive lead 60 are omitted.
  • components common to the semiconductor device 1A of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the input lead 22 has a pad portion 22a, a terminal portion 22b, a plurality of extension portions 22c, a connecting portion 22d, and an intermediate portion 22e, as in the first embodiment.
  • the shape of the plurality of extension portions 22c of the input lead 22 of the present embodiment is different from that of the input lead 22 of the first embodiment.
  • the plurality of extension portions 22c extend from the support base 29 toward the second semiconductor element 30L in the lateral direction X.
  • Each extension portion 22c is formed so as to overlap the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L when viewed from the thickness direction Z.
  • a connecting portion 22g extending in the thickness direction Z is provided at the tip portion facing the second semiconductor element 30L in the thickness direction Z.
  • the connecting portion 22g is integrally formed with each extension portion 22c.
  • the height difference between the extension portion 22c and the second semiconductor element 30L in the thickness direction Z is eliminated by each connection portion 22g.
  • the connecting portion 22g is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L. In this way, since the input lead 22 is directly connected to the second semiconductor element 30L, the first drive lead 60 becomes unnecessary.
  • the connecting portion 22g may be formed as a separate body from the extending portion 22c.
  • the joining method of the input lead 22 in the first joining step and the first driving from the third joining step is that the step of joining the source electrode 33 and the extension portion 22c of the second semiconductor element 30L by the lead 60 is omitted.
  • the input lead 21 is first joined to the main surface 42sa of the conductive member 42A.
  • this bonding method include bonding by ultrasonic welding or bonding by laser welding.
  • the insulating member 28 is attached to the input lead 21.
  • the input lead 22 is attached to the insulating member 28.
  • the insulating member 28 is sandwiched between the input lead 21 and the input lead 22 in the thickness direction Z.
  • each of the plurality of extension portions 22c of the input lead 22 is placed on the support base 29.
  • the connecting portion 22g provided at the tip end portion of each extension portion 22c is placed on the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L.
  • the connecting portion 22g is bonded to the source electrode 33 by, for example, ultrasonic welding.
  • the connecting portion 22g is formed as a separate body from the extending portion 22c, for example, after joining the connecting portion 22g to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L, the connecting portion 22g and the extending portion 22c are joined. Further, the order of joining can be changed arbitrarily. After joining the connecting portion 22g to the extension portion 22c, the connecting portion 22g may be joined to the source electrode 33.
  • the semiconductor device 1B of the present embodiment the following effects can be obtained in addition to the effects of the first embodiment.
  • the semiconductor device 1C of the third embodiment will be described with reference to FIG. 33.
  • the shape of the sealing resin 10 is different from that of the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the same components as the semiconductor device 1A may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • both ends of the sealing resin 10 in the vertical direction Y extend in the horizontal direction X as compared with the sealing resin 10 of the first embodiment.
  • the length LX1 of the sealing resin 10C in the lateral direction X is longer than the length LX2 connecting the tip of the insulating member 28 and the tip of the output lead 23 in the lateral direction X.
  • the sealing resin 10C is configured to cover a part of the terminal portion 21b (not shown in FIG. 33) of the input lead 21, a part of the terminal portion 22b of the input lead 22, and a part of the insulating member 28. Has been done.
  • the sealing resin 10C is provided with a first recess 19A that exposes a part of the input leads 21 and 22 and a part of the insulating member 28, and a second recess 19B that exposes a part of the output lead 23. ..
  • the first recess 19A and the second recess 19B are formed so as to penetrate the sealing resin 10C in the thickness direction Z.
  • the first recess 19A is provided in the portion of the sealing resin 10C on the side of the first resin side surface 11, and is recessed in the lateral direction X from the first resin side surface 11 to the second resin side surface 12.
  • the second recess 19B is provided in the portion of the sealing resin 10C on the side of the second resin side surface 12, and is recessed in the lateral direction X from the second resin side surface 12 toward the first resin side surface 11.
  • the sealing resin 10C covers a part of the terminal portion 21b of the input lead 21, a part of the terminal portion 22b of the input lead 22, and a part of the insulating member 28, thereby covering the sealing resin of the semiconductor device 1A.
  • the terminal portions 21b and 22b protruding from 10 and the insulating member 28 can be protected.
  • the semiconductor device 1D of the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 34 and 35.
  • the configuration of the support substrate is different from that of the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the same components as the semiconductor device 1A may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the support substrate 40D of this embodiment is, for example, a structure called a DBC (Direct Bonded Copper) substrate. Instead of the DBC, a structure called a DBA (Direct Bonded Aluminum) substrate may be used. At least a part of the support substrate 40D is covered with a sealing resin 10 (not shown).
  • the support substrate 40D includes an insulating substrate 46, a main surface metal layer 47, and a back surface metal layer 48.
  • the insulating substrate 46 has electrical insulation.
  • the constituent material of the insulating substrate 46 is ceramics, similarly to the insulating substrate 41.
  • An insulating resin sheet may be used for the insulating substrate 46.
  • the insulating substrate 46 is covered with a sealing resin 10 (not shown).
  • the insulating substrate 46 has a substrate main surface 46a and a substrate back surface 46b facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the main surface metal layer 47 is formed so as to cover a part of the substrate main surface 46a.
  • the constituent material of the main surface metal layer 47 is copper.
  • the support substrate 40D is a DBA
  • the constituent material of the main surface metal layer 47 is aluminum.
  • the main surface metal layer 47 is covered with a sealing resin 10 (not shown).
  • the main surface metal layer 47 is patterned by etching, for example, and includes a plurality of pattern electrodes 47A to 47E that are separated from each other.
  • the shape of the pattern electrode 47A in a plan view is L-shaped.
  • a plurality of first semiconductor elements 30U are conductively bonded to the pattern electrode 47A via, for example, a silver paste.
  • the pattern electrode 47A conducts to the drain electrode 35, which is the back surface side electrode of each first semiconductor element 30U.
  • a P terminal (corresponding to the input lead 21) (not shown) is connected to the pattern electrode 47A. A part of this P terminal is exposed from the sealing resin 10 (not shown).
  • the shape of the pattern electrode 47B in a plan view is L-shaped.
  • the pattern electrode 47B is arranged so as to be adjacent to the pattern electrode 47A in the vertical direction Y.
  • the L-shaped orientation of the pattern electrode 47B is opposite to the L-shaped orientation of the pattern electrode 47A.
  • a plurality of second semiconductor elements 30L are conductively bonded to the pattern electrode 47B via, for example, a silver paste.
  • the pattern electrode 47B conducts to the drain electrode 35, which is the back surface side electrode of each second semiconductor element 30L.
  • An output terminal (corresponding to the output lead 23) (not shown) is connected to the pattern electrode 47B. A part of this output terminal is exposed from a sealing resin 10 (not shown).
  • the shape of the pattern electrode 47C in a plan view is substantially T-shaped.
  • the pattern electrode 47C is arranged so as to be opposite to the pattern electrode 47A in the vertical direction Y and adjacent to the pattern electrode 47B with respect to the pattern electrode 47B.
  • An N terminal (corresponding to the input lead 22) (not shown) is connected to the pattern electrode 47C. A part of the N terminal is exposed from the sealing resin 10 (not shown).
  • the pair of pattern electrodes 47D are arranged at both ends of the support substrate 40D in the vertical direction Y.
  • the shape of each pattern electrode 47D in a plan view is a substantially linear shape extending in the lateral direction X.
  • One of the pattern electrodes 47D is arranged so as to be adjacent to the pattern electrode 47A on the side opposite to the pattern electrode 47B with respect to the pattern electrode 47A in the vertical direction Y.
  • the other pattern electrode 47D is arranged so as to be adjacent to the pattern electrode 47C on the side opposite to the pattern electrode 47B with respect to the pattern electrode 47C in the vertical direction Y.
  • One pattern electrode 47D is conductive to the gate electrode 34 of each first semiconductor element 30U via a first control wire (not shown).
  • the other pattern electrode 47D is conductive to the gate electrode 34 of each second semiconductor element 30L via a second control wire (not shown).
  • Gate terminals (corresponding to control leads 24A and 24B) (not shown) are connected to each of the pair of pattern electrodes 47D. A part of the gate terminal is exposed from the sealing resin 10 (not shown).
  • the pair of pattern electrodes 47E are arranged at both ends of the support substrate 40D in the vertical direction Y.
  • the shape of each pattern electrode 47E in a plan view is a linear shape extending in the lateral direction X.
  • One pattern electrode 47E is arranged so as to be adjacent to the pattern electrode 47D on the side opposite to the pattern electrode 47A with respect to the one pattern electrode 47D in the vertical direction Y.
  • the other pattern electrode 47E is arranged so as to be adjacent to the pattern electrode 47D on the side opposite to the pattern electrode 47C with respect to the other pattern electrode 47D in the vertical direction Y.
  • One pattern electrode 47E is conductive to the source electrode 33 of each first semiconductor element 30U via a first detection wire (not shown).
  • the other pattern electrode 47E is conductive to the source electrode 33 of each second semiconductor element 30L via a second detection wire (not shown).
  • Detection terminals (corresponding to detection leads 25A and 25B) (not shown) are connected to the pair of pattern electrodes 47E, respectively. A part of the detection terminal is exposed from the sealing resin 10 (not shown).
  • the back metal layer 48 is formed so as to cover at least a part of the back surface 46b of the insulating substrate 46.
  • the constituent material of the back metal layer 48 is copper.
  • the support substrate 40D is a DBA
  • the constituent material of the back metal layer 48 is aluminum.
  • the back surface metal layer 48 may be covered with a sealing resin 10 (not shown), or the surface facing the thickness direction Z may be exposed from the sealing resin 10.
  • the semiconductor device 1D includes a plurality of first drive leads 80 and a plurality of second drive leads 90.
  • the first drive lead 80 connects the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U and the pattern electrode 47B. Therefore, the pattern electrode 47B is an example of a driving conductor.
  • the number of the first drive leads 80 is determined according to the number of the first semiconductor elements 30U.
  • the second drive lead 90 connects the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L and the pattern electrode 47C. Therefore, the pattern electrode 47C is an example of a driving conductor.
  • the number of the second drive leads 90 is determined according to the number of the second semiconductor elements 30L.
  • the configurations of the first drive lead 80 and the second drive lead 90 are the same as the configurations of the first drive lead 60 and the second drive lead 70 of the first embodiment. is there. That is, the first drive lead 80 is configured by laminating the metal plates 80A, 80B, 80C in the thickness direction Z, and has a first connection portion 81, a second connection portion 82, and a connection portion 83.
  • the second drive lead 90 is configured by laminating metal plates 90A, 90B, 90C in the thickness direction Z, and has a first connection portion 91, a second connection portion 92, and a connection portion 93.
  • the shape of the first drive lead 80 and the shape of the second drive lead 90 are equal to each other in the side view seen from the lateral direction X.
  • the shape of the first drive lead 80 and the shape of the second drive lead 90 in the side view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first drive lead 80 and the shape of the second drive lead 90 in the side view may be different from each other.
  • the first connection portion 81 of the first drive lead 80 is joined to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U by laser welding.
  • the bonding structure of the first semiconductor element 30U with the source electrode 33 in the first connecting portion 81 is the same as the bonding structure of the second semiconductor element 30L with the source electrode 33 in the first connecting portion 71 of the second drive lead 70. is there.
  • the joining structure of the metal plate 80A and the metal plate 80B in the first connecting portion 81 by laser welding and the joining structure of the metal plate 80B and the metal plate 80C by laser welding are the same as the metal plate 70A in the first connecting portion 71. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 70B and the joining structure by laser welding between the metal plate 70B and the metal plate 70C.
  • the second connection portion 82 of the first drive lead 80 is joined to the pattern electrode 47B by laser welding.
  • the bonding structure of the second connecting portion 82 with the pattern electrode 47B is the same as the bonding structure of the second driving lead 70 with the conductive member 42B of the second connecting portion 72.
  • the joining structure of the metal plate 80A and the metal plate 80B in the second connecting portion 82 by laser welding and the joining structure of the metal plate 80B and the metal plate 80C by laser welding are the same as the metal plate 70A in the second connecting portion 72. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 70B and the joining structure by laser welding between the metal plate 70B and the metal plate 70C.
  • the shape of the connecting portion 83 of the first drive lead 80 in the side view of the first drive lead 80 in the lateral direction X is the shape of the second drive lead 70 in the side view of the second drive lead 70 in the vertical direction Y. It is the same as the shape of the connecting portion 73 of.
  • the first connection portion 91 of the second drive lead 90 is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L by laser welding.
  • the bonding structure of the second semiconductor element 30L with the source electrode 33 in the first connecting portion 91 is the same as the bonding structure of the first semiconductor element 30U with the source electrode 33 in the first connecting portion 81 of the first drive lead 80. is there.
  • the joining structure of the metal plate 90A and the metal plate 90B in the first connecting portion 91 by laser welding and the joining structure of the metal plate 90B and the metal plate 90C by laser welding are the same as the metal plate 80A in the first connecting portion 81. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 80B and the joining structure by laser welding between the metal plate 80B and the metal plate 80C.
  • the second connection portion 92 of the second drive lead 90 is joined to the pattern electrode 47C by laser welding.
  • the bonding structure of the second connecting portion 92 with the pattern electrode 47C is the same as the bonding structure of the first driving lead 80 with the pattern electrode 47B of the second connecting portion 82.
  • the joining structure of the metal plate 90A and the metal plate 90B in the second connecting portion 92 by laser welding and the connecting structure of the metal plate 90B and the metal plate 90C by laser welding are the same as the metal plate 80A in the second connecting portion 82. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 80B and the joining structure by laser welding between the metal plate 80B and the metal plate 80C.
  • the shape of the connecting portion 93 of the second driving lead 90 in the side view of the second driving lead 90 in the lateral direction X is the same as the shape of the connecting portion 83 in the side view of the first driving lead 80 in the lateral direction X. It is the same. According to the semiconductor device 1D of the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the metal plates 80A and 90A are examples of the first metal plate connected to the semiconductor element, respectively, and the first connection portions 81A and 91A are examples of the first element side connection portions of the first metal plate, respectively.
  • the two connecting portions 82A and 92A are examples of the first conductor side connecting portions of the first metal plate, respectively, and the connecting portions 83A and 93A are examples of the first connecting portions, respectively.
  • the laser junctions formed in the first connection portions 81A and 91A are examples of the first element side junctions of the first element side connection portions, and the laser junctions formed in the second connection portions 82A and 92A are examples of the first element side junctions, respectively. This is an example of the first conductor side joint portion of the first conductor side connection portion.
  • the metal plates 80B and 90B are examples of the second metal plates laminated on the first metal plate, respectively, and the first connection portions 81B and 91B are the second element side connection portions connected to the first element side connection portions, respectively.
  • the second connecting portions 82B and 92B are examples of the second conductor side connecting portions of the second metal plate, respectively, and the connecting portions 83B and 93B are examples of the second connecting portions, respectively.
  • the laser junctions formed on the first connection portions 81B and 91B are examples of the second element side junctions of the second element side connection portions, and the laser junctions formed on the second connection portions 82B and 92B are examples of the second element side junctions, respectively. This is an example of the second conductor side joint portion of the second conductor side connection portion.
  • the metal plates 80C and 90C are examples of the third metal plate laminated on the second metal plate, respectively, and the first connection portions 81C and 91C are examples of the third element side connection portions of the third metal plate, respectively.
  • the two connecting portions 82C and 92C are examples of the third conductor side connecting portion of the third metal plate, respectively, and the connecting portions 83C and 93C are examples of the third connecting portion, respectively.
  • the laser junctions formed on the first connection portions 81C and 91C are examples of the third element side junctions of the third element side connection portions, and the laser junctions formed on the second connection portions 82C and 92C are examples of the third element side junctions, respectively. This is an example of the third conductor side joint portion of the third conductor side connection portion.
  • the third joining step is different from the third joining step of the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the metal plate 80A is bonded to the source electrode 33 of the first semiconductor element 30U and the pattern electrode 47B, and then the metal plate 90A is combined with the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L. It is joined to the pattern electrode 47C.
  • the metal plate 90B is joined to the metal plate 90A.
  • the metal plate 90C is joined to the metal plate 90B.
  • three first drive leads 80 and second drive leads 90 are formed by repeating the above steps three times.
  • the third joining step of the method of manufacturing the semiconductor device 1D of the present embodiment may be the same as the third joining step of the method of manufacturing the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the semiconductor device 1E of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 36 and 37.
  • the semiconductor device 1E of the present embodiment is different from the semiconductor device 1A of the first embodiment in that it is a discrete semiconductor including one semiconductor element 30.
  • the semiconductor element 30 is not limited to a switching element such as a MOSFET, and may be various semiconductor elements such as a diode.
  • the same components as the semiconductor device 1A may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the sealing resin 10E is shown by a chain double-dashed line in FIG.
  • the semiconductor device 1E of the present embodiment has a so-called lead frame structure including a lead frame 100.
  • the constituent material of the lead frame 100 is not particularly limited, but is, for example, copper or a copper alloy.
  • the lead frame 100 has a die pad portion 110 and a plurality of terminal portions 120.
  • the die pad portion 110 is a portion on which the semiconductor element 30 is mounted.
  • one semiconductor element 30 is mounted on the die pad portion 110.
  • the semiconductor element 30 is bonded to the die pad portion 110 by, for example, silver paste.
  • the drain electrode 35 which is the back electrode of the semiconductor element 30, conducts with the die pad portion 110.
  • the semiconductor device 30 of the present embodiment further has a detection electrode 37 formed on the device main surface 31. In one example, the detection electrode 37 is formed in a region surrounded by the gate electrode 34 and the source electrode 33.
  • the plurality of terminal units 120 include a drive terminal unit 120A, a control terminal unit 120B, and a detection terminal unit 120C.
  • the drive terminal unit 120A is a terminal through which the source current of the semiconductor element 30 flows.
  • the control terminal unit 120B is a terminal for applying a gate voltage to the gate electrode 34 of the semiconductor element 30.
  • the detection terminal unit 120C is, for example, a terminal for detecting the temperature of the semiconductor element 30.
  • the drive terminal unit 120A has a pad unit 121 and a plurality of terminal units 122.
  • the drive terminal portion 120A is a single member in which the pad portion 121 and the plurality of terminal portions 122 are integrally formed.
  • the shape of the pad portion 121 in a plan view is a substantially rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the pad portion 121 is arranged so as to be closer to the resin top surface 15 of the sealing resin 10 than the die pad portion 110. Further, the pad portion 121 is arranged so as to be closer to the resin top surface 15 of the sealing resin 10 than the source electrode 33 of the semiconductor element 30.
  • the plurality of terminal portions 122 are arranged at equal pitches in the lateral direction X.
  • the control terminal unit 120B has a pad unit 123 and a terminal unit 124.
  • the control terminal portion 120B is a single member in which the pad portion 123 and the terminal portion 124 are integrally formed.
  • the pad portions 123 are arranged at intervals in the lateral direction X in a state of being aligned with the pad portions 121 of the drive terminal portion 120A in the thickness direction Z.
  • the control terminal portion 120B and the gate electrode 34 are connected by a control wire 131.
  • the control wire 131 is bonded to the pad portion 123 of the control terminal portion 120B and the gate electrode 34 by wire bonding, for example.
  • the detection terminal portion 120C has a pad portion 125 and a terminal portion 126.
  • the detection terminal portion 120C is a single member in which the pad portion 125 and the terminal portion 126 are integrally formed.
  • the pad portions 125 are arranged at intervals in the lateral direction X in a state of being aligned with the pad portions 123 of the control terminal portion 120B in the thickness direction Z.
  • the shape of the detection terminal portion 120C is the same as the shape of the control terminal portion 120B.
  • the detection terminal portion 120C and the detection electrode 37 are connected by a detection wire 132.
  • the detection wire 132 is bonded to each of the pad portion 125 of the detection terminal portion 120C and the detection electrode 37 by, for example, wire bonding.
  • the sealing resin 10E seals a part of the die pad portion 110, the semiconductor element 30, a part of each terminal portion 120, the control wire 131, and the detection wire 132.
  • the same material as the material constituting the sealing resin 10 of the first embodiment is used.
  • a black epoxy resin is used as the material constituting the sealing resin 10E.
  • the back surface 111 of the die pad portion 110 is exposed from the sealing resin 10E. Further, the terminal portion 122 of the drive terminal portion 120A, the terminal portion 124 of the control terminal portion 120B, and the terminal portion 126 of the detection terminal portion 120C each project from the sealing resin 10E in the vertical direction Y.
  • the semiconductor device 1E includes a drive lead 140.
  • the drive lead 140 connects the drive terminal portion 120A and the source electrode 33. Therefore, the drive terminal portion 120A is an example of a drive conductor.
  • the drive lead 140 is sealed with the sealing resin 10E.
  • the configuration of the drive lead 140 is the same as the configuration of the second drive lead 70 of the first embodiment. That is, the drive lead 140 is configured by laminating metal plates 140A, 140B, 140C in the thickness direction Z, and has a first connection portion 141, a second connection portion 142, and a connection portion 143.
  • the first connection portion 141 of the drive lead 140 is joined to the source electrode 33 of the semiconductor element 30 by laser welding.
  • the bonding structure of the semiconductor element 30 with the source electrode 33 in the first connecting portion 141 is the same as the bonding structure of the second semiconductor element 30L with the source electrode 33 in the first connecting portion 71 of the second driving lead 70.
  • the joining structure of the metal plate 140A and the metal plate 140B in the first connecting portion 141 by laser welding and the joining structure of the metal plate 140B and the metal plate 140C by laser welding are the same as the metal plate 70A in the first connecting portion 71. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 70B and the joining structure by laser welding between the metal plate 70B and the metal plate 70C.
  • the second connection portion 142 of the drive lead 140 is joined to the pad portion 121 of the drive terminal portion 120A by laser welding.
  • the joining structure of the second connecting portion 142 with the pad portion 121 is the same as the joining structure of the second driving lead 70 with the conductive member 42B at the second connecting portion 72.
  • the joining structure of the metal plate 140A and the metal plate 140B in the second connecting portion 142 by laser welding and the joining structure of the metal plate 140B and the metal plate 140C by laser welding are the same as the metal plate 70A in the second connecting portion 72. It is the same as the joining structure by laser welding with the metal plate 70B and the joining structure by laser welding between the metal plate 70B and the metal plate 70C.
  • the shape of the connecting portion 143 of the driving lead 140 when the drive lead 140 is viewed from the lateral direction X is the connecting portion 73 of the second driving lead 70 when the second driving lead 70 is viewed from the vertical direction Y. It is almost the same as the shape of. According to the semiconductor device 1E of the present embodiment, the same effect as that of the semiconductor device 1A of the first embodiment can be obtained.
  • the metal plate 140A is an example of a first metal plate connected to a semiconductor element
  • the first connection portion 141 of the metal plate 140A is an example of a connection portion on the first element side of the first metal plate
  • the metal plate 140A The second connecting portion 142 of the above is an example of the first conductor side connecting portion of the first metal plate
  • the connecting portion 143 of the metal plate 140A is an example of the first connecting portion.
  • the laser junction formed in the first connection portion 141 of the metal plate 140A is an example of the first element side junction portion of the first element side connection portion, and the laser junction formed in the second connection portion 142 of the metal plate 140A.
  • the portion is an example of the first conductor side joint portion of the first conductor side connection portion.
  • the metal plate 140B is an example of a second metal plate laminated on the first metal plate, and the first connection portion 141 of the metal plate 140B is an example of a second element side connection portion connected to the first element side connection portion.
  • the second connecting portion 142 of the metal plate 140B is an example of the second conductor side connecting portion of the second metal plate, and the connecting portion 143 of the metal plate 140B is an example of the second connecting portion.
  • the laser junction formed in the first connection portion 141 of the metal plate 140B is an example of the second element side junction portion of the second element side connection portion, and the laser junction formed in the second connection portion 142 of the metal plate 140B.
  • the portion is an example of the second conductor side joint portion of the second conductor side connection portion.
  • the metal plate 140C is an example of a third metal plate laminated on the second metal plate, and the first connection portion 141 of the metal plate 140C is an example of the third element side connection portion of the third metal plate, and the metal plate 140C
  • the second connecting portion 142 of the above is an example of the third conductor side connecting portion of the third metal plate
  • the connecting portion 143 of the metal plate 140C is an example of the third connecting portion.
  • the laser junction formed in the first connection portion 141 of the metal plate 140C is an example of the third element side junction portion of the third element side connection portion, and the laser junction formed in the second connection portion 142 of the metal plate 140C.
  • the portion is an example of the third conductor side joint portion of the third conductor side connection portion.
  • each of the above embodiments is an example of possible forms of the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present disclosure, and is not intended to limit the form.
  • the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present disclosure may take a form different from the form exemplified in each of the above-described embodiments.
  • An example thereof is a form in which a part of the configuration of each of the above embodiments is replaced, changed, or omitted, or a new configuration is added to each of the above embodiments.
  • the parts common to each of the above embodiments are designated by the same reference numerals as those of the above embodiments, and the description thereof will be omitted.
  • the number of drive leads (first drive leads 60, 80, second drive leads 70, 90, and drive leads 140) joined to the source electrode 33 of the semiconductor element 30 is arbitrary. Can be changed to.
  • a semiconductor element 30 having a size larger than the size of the semiconductor element 30 of the first embodiment is used, while a driving lead is formed by the ribbon material 230 having the same size as the ribbon material 230 of the first embodiment.
  • a plurality of drive leads (a plurality of drive connection members) can be connected to the source electrode 33 of the semiconductor element 30.
  • the plurality of drive leads (plurality of drive connecting members) are arranged side by side in the vertical direction Y.
  • FIG. 38 illustrates a configuration in which two second driving leads 70 are joined to a source electrode 33 of the second semiconductor element 30L.
  • the first connection portion 71 of the two second drive leads 70 is joined to the source electrode 33 by laser welding.
  • the bonding structure of each of the first connecting portions 71 to the source electrode 33 is the same as the bonding structure of the first connecting portion 71 of the second driving lead 70 of the first embodiment to the source electrode 33.
  • the joining structure of the metal plate 70A and the metal plate 70B of each first connection portion 71 of FIG. 38 by laser welding and the joining structure of the metal plate 70B and the metal plate 70C by laser welding are the second of the first embodiment.
  • the laser joints of the first connection portion and the second connection portion of the drive leads (first drive leads 60, 80, second drive leads 70, 90, and drive leads 140).
  • the size of Y in the vertical direction can be changed arbitrarily.
  • the tip edges of a plurality of metal plates constituting the first connection portion of the drive leads (first drive leads 60, 80, second drive leads 70, 90, and drive leads 140). May be aligned when viewed from the thickness direction Z. Further, the tip edges of a plurality of metal plates constituting the second connection portion of the drive leads (first drive leads 60, 80, second drive leads 70, 90, and drive leads 140) are Z in the thickness direction. It may be entwined.
  • the lead supply unit 210 and the laser irradiation unit 220 may be provided as separate bodies. In this case, the lead supply unit 210 and the laser irradiation unit 220 can be moved individually. As a result, the degree of freedom in the shape of the laser junction formed by the laser irradiation unit 220 in a plan view can be increased.
  • the shape of the laser junction in the plan view of the drive leads can be arbitrarily changed. Is.
  • the shape of the laser junction portion will be described using the second connection portion 62 of the first drive lead 60.
  • the laser joint portion 65X formed on the second connection portion 62A of the metal plate 60A by laser welding, the laser joint portion 65Y formed on the second connection portion 62B of the metal plate 60B, and The laser joint portion 65Z formed on the second connection portion 62C of the metal plate 60C is concentric.
  • the diameter of the laser junction 65X is larger than the diameter of the laser junction 65Y and the diameter of the laser junction 65Z.
  • the diameter of the laser junction 65Y is larger than the diameter of the laser junction 65Z.
  • the laser joint portion 65X of the second connection portion 62A of the metal plate 60A is displaced so as not to overlap the laser joint portion 65Y of the second connection portion 62B of the metal plate 60B when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser joint portion 65Y is arranged so as not to overlap the laser joint portion 65Z of the second connection portion 62C of the metal plate 60C when viewed from the thickness direction Z.
  • the diameter of the laser junction 65X, the diameter of the laser junction 65Y, and the diameter of the laser junction 65Z can be changed arbitrarily. In one example, the diameter of the laser junction 65Z may be larger than the diameter of the laser junction 65Y.
  • each second connection portion 62A can be arbitrarily changed.
  • a laser junction that is concentric with the laser junction 65X and has the same diameter as the diameter of the laser junction 65Z may be added to the second connection portion 62A.
  • the diameter of the laser junction portion 65X may be changed to the same diameter as the laser junction portion 65Z. In these cases, the laser junction 65X overlaps with the laser junction 65Z when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser joint portion 65X formed on the second connection portion 62A of the metal plate 60A by laser welding, the laser joint portion 65Y formed on the second connection portion 62B of the metal plate 60B, and The laser joint portion 65Z formed in the second connection portion 62C of the metal plate 60C is formed in a rectangular frame shape similar to each other.
  • the size of the laser joint portion 65X in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y are the size of the laser joint portion 65Y in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y, respectively, and the size of the laser joint portion 65Z in the horizontal direction X. It is larger than the size and the size of Y in the vertical direction.
  • the size of the laser joint portion 65Y in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y are larger than the size of the laser joint portion 65Z in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y. Therefore, in a plan view, the laser junction 65X is formed so as to surround the laser junction 65Y and the laser junction 65Z. In a plan view, the laser junction 65Y is formed so as to surround the laser junction 65Z.
  • the laser joint portion 65X of the second connection portion 62A of the metal plate 60A is displaced so as not to overlap with the laser joint portion 65Y of the second connection portion 62B of the metal plate 60B when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser joint portion 65Y is arranged so as not to overlap the laser joint portion 65Z of the second connection portion 62C of the metal plate 60C when viewed from the thickness direction Z.
  • the size of the laser junction 65X in the horizontal direction X and the size in the vertical direction Y can be changed arbitrarily. Further, the size of the laser junction 65Y in the horizontal direction X and the size of the laser junction 65Y in the vertical direction Y can be arbitrarily changed. Further, the size of the laser junction 65Z in the horizontal direction X and the size in the vertical direction Y can be arbitrarily changed. In one example, the size of the laser joint portion 65Z in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y may be larger than the size of the laser joint portion 65Y in the horizontal direction X and the size of the vertical direction Y, respectively. In this case, the laser junction 65Z is formed so as to surround the laser junction 65Y in a plan view.
  • each second connection portion 62A can be arbitrarily changed.
  • a laser junction having the same size as the size of the laser junction 65Z in the horizontal direction X and the magnitude of the vertical direction Y may be added to the second connection portion 62A.
  • the laser junction is formed so as to overlap the laser junction 65Z when viewed from the thickness direction Z.
  • the second connection portion 62A may be formed with a laser junction portion 65X having the same size as the size of the laser junction portion 65Z in the horizontal direction X and the size in the vertical direction Y. In these cases, the laser junction 65X overlaps with the laser junction 65Z when viewed from the thickness direction Z.
  • three laser junctions 65X are formed in the second connection portion 62A.
  • Two laser junctions 65Y are formed in the second connection portion 62B.
  • One laser junction 65Z is formed in the second connection portion 62C.
  • the three laser junctions 65X are arranged so as not to overlap the two laser junctions 65Y when viewed from the thickness direction Z.
  • the two laser junctions 65Y are arranged so as not to overlap with the one laser junction 65Z when viewed from the thickness direction Z.
  • One laser junction 65Z overlaps with the central laser junction 65X in the vertical direction Y of the three laser junctions 65X when viewed from the thickness direction Z.
  • the size of the laser junction 65Z in the lateral direction X is smaller than the magnitude of the laser junction 65X in the lateral direction X.
  • the size of the laser junction 65Z in the lateral direction X is smaller than the magnitude of the laser junction 65Y in the lateral direction X.
  • the size of the laser junction 65Y in the lateral direction X is equal to the magnitude of the laser junction 65X in the lateral direction X.
  • the difference between the size of the laser junction 65Y in the lateral direction X and the magnitude of the laser junction 65X in the lateral direction X is within 5% of the magnitude of the laser junction 65X in the lateral direction X, the laser is used. It can be said that the size of the joint portion 65Y in the lateral direction X is equal to the size of the laser joint portion 65X in the lateral direction X.
  • each of the three laser junctions 65X in the lateral direction X can be arbitrarily changed. Further, the size of each of the two laser junctions 65Y in the lateral direction X can be arbitrarily changed. Further, the size of the laser junction 65Z in the lateral direction X can be arbitrarily changed. In one example, the size of the laser junction 65Z in the lateral direction X may be larger than the magnitude of the laser junction 65Y in the lateral direction X. Further, the size of the laser junction 65Y in the lateral direction X may be larger than the magnitude of the laser junction 65X in the lateral direction X. Further, the sizes of the two laser junctions 65Y in the lateral direction X may be different from each other. Further, the sizes of the three laser junctions 65X in the lateral direction X may be different from each other.
  • the numbers of the laser junctions 65X, 65Y, and 65Z can be changed arbitrarily.
  • the laser junction 65X at the center of the lateral direction X among the three laser junctions 65X may be omitted.
  • the number of laser junctions 65Z may be the same as the number of laser junctions 65X.
  • the laser junction 65Z overlaps with the laser junction 65X when viewed from the thickness direction Z.
  • the laser junctions 65Z are arranged so as not to overlap the two laser junctions 65Y when viewed from the thickness direction Z.
  • the shape of the connecting portion of the drive leads (first drive leads 60, 80, second drive leads 70, 90, and drive leads 140) can be arbitrarily changed.
  • the shape of the connecting portion in the side view of the driving lead may be curved.
  • FIG. 42 illustrates the configuration of the second drive lead 70 of the modified example.
  • the connecting portion 73 of the second driving lead 70 is curved so that the central portion of the connecting portion 73 in the lateral direction X is farthest from the support substrate 40 in the thickness direction Z.
  • the connecting portion 73 is gradually separated from the support substrate 40 in the thickness direction Z toward the central portion in the lateral direction X.
  • a connecting portion of adjacent metal plates for each metal plate constituting the drive lead (first drive lead 60, 80, second drive lead 70, 90, and drive lead 140), a connecting portion of adjacent metal plates.
  • a gap may be formed between the two.
  • FIG. 43 with respect to the connecting portion 73 of the second drive lead 70 of the modified example of FIG. 42, a gap G1 is formed between the connecting portion 73A of the metal plate 70A and the connecting portion 73B of the metal plate 70B, and the metal plate 70B is formed.
  • the configuration in which the gap G2 is formed between the connecting portion 73B of the above and the connecting portion 73C of the metal plate 70C is illustrated.
  • the gap G1 gradually increases toward the central portion of the connecting portions 73A and 73B in the lateral direction X.
  • the gap G2 gradually increases toward the central portion of the connecting portions 73B and 73C in the lateral direction X.
  • the connecting portion of the driving lead shown in FIG. 43 is formed so that the connecting portion of the adjacent metal plates is not in contact with each other, but the present invention is not limited to this.
  • the connecting portions of the driving leads first driving leads 60, 80, second driving leads 70, 90, and driving leads 140
  • the connecting portions of adjacent metal plates are partially in contact with each other. There may be.
  • the pitch of the laser junctions adjacent to the lateral direction X in the first connection portion 61 of the first drive lead 60 and the pitch of the laser junctions adjacent to the lateral direction X in the second connection portion 62 can be arbitrarily changed. Is.
  • the PC2 is larger than the pitch PC1 and PC2 (see FIG. 21) of the second drive lead 70 of the first embodiment, respectively. That is, the laser junction 64A is formed at the tip of the first connection portion 71A in the lateral direction X, the laser junction 64B is formed at the center of the first connection portion 71A in the lateral direction X, and the first in the lateral direction X.
  • a laser junction 64C is formed at the base end of the connection 71A.
  • the pitch PD of the laser junction 74D and the laser junction 74E in the first connection portion 71B is larger than the pitch PD of the second drive lead 70 of the first embodiment (see FIG. 21).
  • the laser junction portion 74F is formed at the central portion of the first connection portion 71C in the lateral direction X.
  • the number of laser junctions in the first connection 61 of the first drive lead 60, the number of laser junctions in the second connection 62, and the first connection 71 of the second drive lead 70 is arbitrarily changed.
  • five laser junctions 74A, 74B, 74C, 74G, and 74H are formed in the first connection portion 71A.
  • the laser junctions 74G and 74H are formed closer to the base end (closer to the coupling portion 73A) than the laser junctions 74A, 74B and 74C of the first connection portions 71A in the lateral direction X.
  • the laser junction 74G is adjacent to the laser junction 74C.
  • the laser junction 74H is adjacent to the laser junction 74G in the lateral direction X.
  • the laser junctions 74A, 74B, 74C, 74G, and 74H are formed in the first connection portion 71A so as to have an equal pitch.
  • the laser junctions 74D, 74E, 74I, 74J are formed in the first connection portion 71B.
  • the laser junctions 74I and 74J are formed closer to the base end (closer to the coupling portion 73B) than the laser junction portions 74D and 74E of the first connection portions 71B in the lateral direction X.
  • the laser junction 74I is adjacent to the laser junction 74E.
  • the laser junction 74J is adjacent to the laser junction 74I.
  • the laser junctions 74D, 74E, 74I, 74J are formed in the first connection portion 71B so as to have an equal pitch.
  • the laser junctions 74D, 74E, 74I, and 74J are arranged so as not to overlap the laser junctions 74A, 74B, 74C, 74G, and 74H.
  • the laser junction 74I is located between the laser junction 74C and the laser junction 74G in the lateral direction X.
  • the laser junction 74J is located between the laser junction 74G and the laser junction 74H in the lateral direction X.
  • Three laser junctions 74F, 74K, and 74L are formed in the first connection portion 71C.
  • the laser junctions 74K and 74L are formed closer to the base end (closer to the coupling portion 73C) than the laser junction portion 74F of the first connection portion 71C in the lateral direction X.
  • the laser junction 74K is adjacent to the laser junction 74F.
  • the laser junction 74L is adjacent to the laser junction 74K.
  • the laser junctions 74F, 74K, and 74L are formed in the first connection portion 71C so as to have an equal pitch.
  • the laser joint portions 74F, 74K, 74L are arranged so as not to overlap with the laser joint portions 74D, 74E, 74I, 74J.
  • the laser junction 74K is located between the laser junction 74E and the laser junction 74I in the lateral direction X.
  • the laser junction 74L is located between the laser junction 74I and the laser junction 74J in the lateral direction X.
  • the laser junction 74K overlaps with the laser junction 74C of the first connection portion 71A
  • the laser junction 74L overlaps with the laser junction 74G of the first connection portion 71A.
  • FIG. 46 shows a configuration in which the metal plates 70B and 70C are omitted from the second drive lead 70 of the modified example of FIG. 42. That is, FIG. 46 shows the configuration of the second drive lead 70 in which the metal plates are not laminated.
  • the second drive lead 70 is made of a metal plate 70A. Therefore, the first connection portion 71 of the second drive lead 70 is composed of the first connection portion 71A of the metal plate 70A, and the second connection portion 72 of the second drive lead 70 is the second connection portion 72A of the metal plate 70A.
  • the connecting portion 73 of the second drive lead 70 is composed of the connecting portion 73A of the metal plate 70A.
  • the first connection portion 71 (71A) is joined to the source electrode 33 of the second semiconductor element 30L by laser welding. Laser junctions 74A, 74B, and 74C are formed in the first connection portion 71 (71A).
  • the second connecting portion 72 (72A) is joined to the conductive member 42B by laser welding. Laser junctions 75A, 75B, and 75C are formed in the second connection portion 72 (72A).
  • the configuration of the second connection portion of the drive leads can be arbitrarily changed.
  • the second connecting portion does not have to be, for example, a laminated structure of metal plates.
  • a semiconductor device having an element main surface on which a drive electrode is formed, a drive conductor having a drive connection surface facing the same direction as the element main surface, the drive electrode, and the drive conductor.
  • the driving connecting member is provided with a driving connecting member formed of a thin metal plate that is band-shaped when viewed from the first direction, which is a direction perpendicular to the element main surface of the semiconductor element.
  • a semiconductor device having an element-side connection portion connected to the drive electrode, and the element-side connection portion has an element-side junction portion joined to the drive electrode by laser processing.
  • the drive connection member has a conductor-side connection portion connected to the drive conductor, and the conductor-side connection portion is a conductor-side joint joined to the drive conductor by laser processing.
  • Detection layer (conductor for connection) 51 ... 1st control wire 52 ... 2nd control wire 53 ... 1st connection wire 54 ... 2nd connection wire 55 ... 1st detection wire 56 ... 2nd detection wire 57 ... 1st connection wire 58 ... Second connection wire 60 ... First drive lead (drive connection member, second drive connection member) 60A ... Metal plate (first metal plate) 60B ... Metal plate (second metal plate) 60C ... Metal plate (third metal plate) 61 ... 1st connection part 61A ... 1st connection part (1st element side connection part) 61B ... 1st connection (second element side connection) 61C ... 1st connection (3rd element side connection) 62 ... Second connection portion 62A ...

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Abstract

半導体装置は、半導体素子（３０）と、入力リードと、半導体素子（３０）のソース電極と入力リードとを接続し、厚さ方向（Ｚ）からみて帯状となる金属製の薄板によって形成された複数の第１駆動用リード（６０）と、を備える。第１駆動用リード（６０）は、半導体素子（３０）に接続された金属板（６０Ａ）、及び金属板（６０Ａ）に積層された金属板（６０Ｂ）を少なくとも有する。金属板（６０Ａ）は、半導体素子（３０）に接続された第１接続部（６１Ａ）を有し、金属板（６０Ｂ）は、第１接続部（６１Ａ）に接続された第１接続部（６１Ｂ）を有する。第１接続部（６１Ａ，６１Ｂ）は、厚さ方向（Ｚ）において積層されている。

Description

半導体装置及び半導体装置の製造方法
　本開示は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
　例えば、半導体素子の駆動電極と、半導体素子の外部に配置された導電体としての導電部材とを線状のワイヤによって接続されている半導体装置が知られている。半導体装置に大電流を供給するため、ワイヤに代えて帯状のクリップによって駆動電極と導電部材とを接続する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１９－８７７４１号公報
　ところで、クリップによって駆動電極と導電部材とを接続する構成であっても、駆動電極とクリップとの接触面積が小さい場合、又はクリップ自体が薄く、幅寸法が小さい場合には、半導体装置に大電流を供給することが困難となる。
　本開示の目的は、許容電流量を増加できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
　上記課題を解決する半導体装置は、半導体素子と、駆動用導電体と、複数の駆動用接続部材と、を含む。前記半導体素子は、駆動電極が形成された素子主面を有する。前記駆動用導電体は、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する。前記複数の駆動用接続部材は、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成されている。前記複数の駆動用接続部材は、前記半導体素子に接続された第１接続部材、及び前記第１接続部材に接続された第２接続部材を少なくとも有する。前記第１接続部材は、前記駆動電極に接続された第１素子側接続部を有する。前記第２接続部材は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有する。前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層されている。
　この構成によれば、第１素子側接続部と第２素子側接続部との積層構造によって、第１方向と第１方向に直交する方向とに沿う平面で駆動用接続部材を切った場合の断面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材に流すことが可能な電流の上限値である許容電流量を増加できる。
　上記課題を解決する半導体装置の製造方法は、駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記複数の駆動用接続部材として、前記半導体素子に接続する第１接続部材、及び前記第１接続部材に接続する第２接続部材を少なくとも準備する接続部材準備工程と、前記第１接続部材の第１素子側接続部をレーザ加工によって前記駆動電極に接続する駆動電極接続工程と、前記第２接続部材の第２素子側接続部を、前記第１方向において前記第１素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１素子側接続部に接続する第１積層接続工程と、を備える。
　この構成によれば、第１素子側接続部と第２素子側接続部との積層構造によって、第１方向と第１方向に直交する方向とに沿う平面で駆動用接続部材を切った場合の断面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材に流すことが可能な電流の上限値である許容電流量を増加できる。
　加えて、レーザ加工によって第１素子側接続部を駆動電極に接合するため、例えば超音波溶接によって第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合と比較して、第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合に駆動電極に加えられる負荷が小さくなる。また、例えば超音波溶接によって第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合と比較して、第１素子側接続部と駆動電極との接触面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材への許容電流量を増加できる。
　上記半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、許容電流量を増加できる。
第１実施形態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置から封止樹脂を除いた状態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置の平面図。 図３の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。 図４の半導体素子及びその周辺の拡大図。 図１の半導体装置の側面図。 図１の半導体装置の底面図。 図１の半導体装置について、図６とは異なる方向からみた側面図。 図１の半導体装置について、図６及び図８とは異なる方向からみた側面図。 （ａ）は図４の１０－１０線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子の拡大図。 （ａ）は図４の１１－１１線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子の拡大図。 図１の半導体装置について、第１駆動用リードの斜視図。 図１２の第１駆動用リードの分解斜視図。 第１駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 図１４の１５－１５線に沿った断面図。 第１駆動用リードと入力リードとの接合構造を示す平面図。 図１６の１７－１７線に沿った断面図。 図１の半導体装置について、第２駆動用リードの斜視図。 図１８の第２駆動用リードの分解斜視図。 第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 図２０の２１－２１線に沿った断面図。 第２駆動用リードと導電部材との接合構造を示す平面図。 図２２の２３－２３線に沿った断面図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャート。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 第１比較例の半導体装置について、半導体素子と駆動用リードとの接合構造を示す斜視図。 第２比較例の半導体装置について、半導体素子と駆動用リードとの接合構造を示す斜視図。 第２実施形態の半導体装置について、半導体装置から封止樹脂を除いた状態の半導体装置の斜視図。 第２実施形態の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。 （ａ）は図３１の３２－３２線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の斜視図。 第４実施形態の半導体装置について、半導体装置から封止樹脂、入力リード、出力リード、制御リード、及び検出リードを除いた状態の半導体装置の斜視図。 図３４の３５－３５線に沿った断面図。 第５実施形態の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の斜視図。 図３６の３７－３７線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図３９Ａの３９Ｂ－３９Ｂ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図４０Ａの４０Ｂ－４０Ｂ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図４１Ａの４１Ｂ－４１Ｂ線に沿った断面図。 図４１Ａの４１Ｃ－４１Ｃ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。
　以下、半導体装置及び半導体装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
　［第１実施形態］
　（半導体装置の構成）
　図１～図２３を参照して、第１実施形態の半導体装置１Ａの構成について説明する。なお、説明の便宜上、図２では半導体装置１Ａから封止樹脂１０を省略し、図４及び図５では封止樹脂１０を二点鎖線で示している。
　図１及び図２に示すように、半導体装置１Ａは、筐体となる封止樹脂１０と、封止樹脂１０から突出する部分を有する複数のリード２０と、複数のリード２０と電気的に接続される複数の半導体素子３０と、複数のリード２０及び複数の半導体素子３０を支持する支持基板４０とを備える。半導体装置１Ａは、例えばハーフブリッジ型のスイッチング回路を有する。以降の説明において、説明の便宜上、互いに直交する方向を、横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚと定義する。横方向Ｘは、例えば半導体装置１Ａにおいて、後述する入力リード２１，２２と出力リード２３とが配列する方向を示す。縦方向Ｙは、半導体装置１Ａを厚さ方向Ｚからみて（以下、「平面視」という）、横方向Ｘと直交する方向を示す。
　図１に示すとおり、封止樹脂１０は、略平板状に形成されている。図３に示すように、平面視における封止樹脂１０の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における封止樹脂１０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。なお、平面視における封止樹脂１０の形状は、任意に変更可能である。例えば平面視における封止樹脂１０の形状は、正方形であってもよい。また、封止樹脂１０の材料としては、熱硬化性樹脂が用いられている。本実施形態では、封止樹脂１０の材料として、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
　図１に示すように、封止樹脂１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂天面１５及び樹脂裏面１６と、樹脂天面１５及び樹脂裏面１６の厚さ方向Ｚの間に形成される第１樹脂側面１１、第２樹脂側面１２、第３樹脂側面１３、及び第４樹脂側面１４とを有する。本実施形態では、第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４はそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。平面視において、第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２は封止樹脂１０の短辺となり、第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４は封止樹脂１０の長辺となる。
　図６及び図７に示すように、封止樹脂１０のうちの樹脂裏面１６側の部分には、樹脂裏面１６から厚さ方向Ｚに凹む溝１７，１８が形成されている。溝１７は、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０のうちの第１樹脂側面１１側の端部に設けられている。溝１７は、横方向Ｘに互いに離間して３個設けられている。溝１８は、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０のうちの第２樹脂側面１２側の端部に設けられている。溝１８は、横方向Ｘに互いに離間して３個設けられている。溝１７，１８はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。一例では、溝１７，１８は、封止樹脂１０の第３樹脂側面１３から第４樹脂側面１４までにわたり形成されている。なお、溝１７の個数及び溝１８の個数はそれぞれ任意に変更可能である。また、封止樹脂１０から溝１７，１８の少なくとも一方を省略してもよい。
　図１及び図２に示すように、本実施形態の複数のリード２０は、２個の入力リード２１，２２、出力リード２３、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂを有する。図９に示すように、入力リード２１，２２はそれぞれ、封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出している。側方リード２７Ａは、第１樹脂側面１１から露出している。図６及び図８に示すように、出力リード２３は、封止樹脂１０の第２樹脂側面１２から突出している。側方リード２７Ｂは、第２樹脂側面１２から露出している。図３及び図４に示すように、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６はそれぞれ、封止樹脂１０の第３樹脂側面１３から突出している。
　なお、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６のそれぞれが封止樹脂１０の樹脂側面から突出する位置は任意に変更可能である。例えば、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６の一部が第３樹脂側面１３から突出し、残りが第４樹脂側面１４から突出してもよい。
　図２及び図４に示すように、半導体装置１Ａは、スイッチング回路を構成するスイッチング素子として、複数の半導体素子３０を備える。複数の半導体素子３０は、封止樹脂１０によって封止されている。各半導体素子３０は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）を主とする半導体材料を用いて構成されている。なお、半導体材料は、ＳｉＣに限定されず、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）などであってもよい。また、本実施形態の各半導体素子３０は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。なお、複数の半導体素子３０は、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor FET）を含む電界効果トランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタ、ＬＳＩなどのＩＣチップであってもよい。本実施形態では、各半導体素子３０は、同一素子であり、かつ、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。各半導体素子３０は、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子３０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子３０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。
　本実施形態では、複数の半導体素子３０は、スイッチング回路の上側アームを構成する４個の第１半導体素子３０Ｕと、スイッチング回路の下側アームを構成する４個の第２半導体素子３０Ｌとに区分できる。本実施形態の半導体装置１Ａは、互いに直列に接続された第１半導体素子３０Ｕと第２半導体素子３０Ｌとからなるスイッチングアームが４個並列に接続された構成である。なお、半導体素子３０の個数は、半導体装置１Ａに要求される性能に応じて任意に変更可能である。
　以下、複数の半導体素子３０の詳細な構成について説明する。なお、複数の半導体素子３０は互いに同一構成であるため、所定の半導体素子３０の構成について説明し、残りの半導体素子３０の構成については、同一構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　図２に示すように、半導体素子３０は、平板状に形成されている。図５に示すように、平面視における半導体素子３０の形状は、正方形である。なお、平面視における半導体素子３０の形状は任意に変更可能である。例えば、平面視における半導体素子３０の形状は横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。
　図１０（ｂ）に示すように、半導体素子３０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面３１及び素子裏面３２を有する。図５及び図１０（ｂ）に示すように、素子主面３１には主面側駆動電極（駆動電極）となるソース電極３３と制御電極となるゲート電極３４とが設けられ、素子裏面３２には裏面側駆動電極となるドレイン電極３５が設けられている。ゲート電極３４には、半導体素子３０を駆動させるためのゲート電圧が印加される。半導体素子３０は、ゲート電極３４に印加されるゲート電圧がしきい値以上となると、ドレイン電極３５にドレイン電流が流れ、ソース電極３３にソース電流が流れる。
　図５に示すように、平面視において、ソース電極３３が形成される領域は、ゲート電極３４が形成される領域よりも大きい。ソース電極３３は、素子主面３１の大部分にわたり形成されている。ゲート電極３４は、ソース電極３３に形成された凹部３３ａ内に配置されている。図１０に示すように、ドレイン電極３５は、素子裏面３２の全体にわたり形成されている。
　図５に示すように、ソース電極３３及びゲート電極３４上には、絶縁膜３６が設けられている。絶縁膜３６は、電気的絶縁性を有する。平面視において、絶縁膜３６は、ソース電極３３及びゲート電極３４を取り囲んでいる。絶縁膜３６は、例えばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）層、ＳｉＮ４（窒化ケイ素）層、及びポリベンゾオキサゾール層が、素子主面３１からこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜３６は、ポリベンゾオキサゾール層に代えて、ポリイミド層であってもよい。
　図４に示すように、各半導体素子３０は、一対の入力リード２１，２２、出力リード２３、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、及び一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂと電気的に接続されている。本実施形態では、各半導体素子３０は、複数のダミーリード２６と電気的に接続されていない。入力リード２１は、各第１半導体素子３０Ｕのドレイン電極３５（図１１（ｂ）参照）に電気的に接続され、入力リード２２は、各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３（図５参照）に電気的に接続されている。出力リード２３は、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３（図５参照）と各第２半導体素子３０Ｌのドレイン電極３５（図１０参照）とに電気的に接続されている。図５に示すように、制御リード２４Ａは、各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４に電気的に接続され、制御リード２４Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４に電気的に接続されている。検出リード２５Ａは、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に電気的に接続され、検出リード２５Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に電気的に接続されている。以下、各半導体素子３０及び各リードの配置構成、及び各リードの詳細な構成について説明する。
　図４に示すように、半導体装置１Ａは、支持基板４０を備える。各半導体素子３０、一対の入力リード２１，２２、出力リード２３、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂはそれぞれ、支持基板４０に搭載されている。一対の制御リード２４Ａ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、支持基板４０に搭載されていない。一対の制御リード２４Ａ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、縦方向Ｙにおいて支持基板４０の隣に位置している。
　支持基板４０は、絶縁基板４１、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ、制御用導電体の一例である一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂを備える。支持基板４０は、絶縁基板４１、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、及び一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの順に積層された構成である。絶縁層４３Ａにはゲート層４４Ａ及び検出層４５Ａが積層され、絶縁層４３Ｂにはゲート層４４Ｂ及び検出層４５Ｂが積層されている。
　絶縁基板４１は、電気的絶縁性を有する。絶縁基板４１は、例えば熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）などが挙げられる。本実施形態では、平面視における絶縁基板４１の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。図１０に示すように、絶縁基板４１は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ａ及び基板裏面４１ｂを有する。基板主面４１ａには、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂが配置されている。基板主面４１ａは、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ、一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂとともに封止樹脂１０によって封止されている。図７に示すように、基板裏面４１ｂは、封止樹脂１０から露出している。基板裏面４１ｂには、例えば図示しないヒートシンクなどが接続される。基板裏面４１ｂは、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０の溝１７と溝１８との間に配置されている。この構成によれば、溝１７によって入力リード２１，２２と基板裏面４１ｂとの間の沿面距離が長くなり、溝１８によって出力リード２３と基板裏面４１ｂとの間の沿面距離が長くなる。したがって、半導体装置１Ａの絶縁耐圧が向上する。なお、絶縁基板４１の構成は上述した構成に限られず、任意に変更可能である。一例では、絶縁基板４１は、導電部材４２Ａ，４２Ｂに応じて２個に分割して構成される。
　一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂはそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金である。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、複数のリード２０とともに複数の半導体素子３０との導電経路を構成している。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、絶縁基板４１の基板主面４１ａにおいて縦方向Ｙに離間して配置されている。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、例えば銀ペースト、半田などの接合材によって基板主面４１ａに接合されている。なお、接合材は、銀ペーストや半田などの導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよい。本実施形態では、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、絶縁基板４１の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚い。また、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、半導体素子３０、入力リード２１，２２、及び出力リード２３のそれぞれの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚い。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さは、例えば０．４ｍｍ～３．０ｍｍである。なお、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの表面はそれぞれ、銀めっきで覆われていてもよい。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、互いに同一形状である。平面視における一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　図４及び図１０に示すように、導電部材４２Ａは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１の近くに配置されている。導電部材４２Ａは、４個の第１半導体素子３０Ｕ、入力リード２１、及び側方リード２７Ａと電気的に接続されている。導電部材４２Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓａ及び裏面４２ｒａを有する。主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板主面４１ａと同じ方向を向いている。また、主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕの素子主面３１と同じ方向を向いている。主面４２ｓａには、４個の第１半導体素子３０Ｕ及び入力リード２１が配置されている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板裏面４１ｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕの素子裏面３２と同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、接合材を介して絶縁基板４１の基板主面４１ａに接続されている。４個の第１半導体素子３０Ｕは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。４個の第１半導体素子３０Ｕは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの導電部材４２Ｂ寄りの部分に配置されている。入力リード２１は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて導電部材４２Ａの中央部に配置されている。側方リード２７Ａは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第３樹脂側面１３側の端部に配置されている。
　導電部材４２Ｂは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２の近くに配置されている。導電部材４２Ｂは、４個の第２半導体素子３０Ｌ、出力リード２３、及び側方リード２７Ｂと電気的に接続されている。導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓｂ及び裏面４２ｒｂを有する。主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板主面４１ａと同じ方向を向いている。また、主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２半導体素子３０Ｌの素子主面３１と同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板裏面４１ｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２半導体素子３０Ｌの素子裏面３２と同じ方向を向いている。主面４２ｓｂには、４個の第２半導体素子３０Ｌ及び出力リード２３が配置されている。裏面４２ｒｂは、接合材を介して絶縁基板４１の基板主面４１ａに接続されている。４個の第２半導体素子３０Ｌは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。４個の第２半導体素子３０Ｌは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの導電部材４２Ａ寄りの部分に配置されている。横方向Ｘからみて、４個の第２半導体素子３０Ｌはそれぞれ、４個の第１半導体素子３０Ｕと重ならないようにずれて配置されている。図４に示すとおり、４個の第２半導体素子３０Ｌ及び４個の第１半導体素子３０Ｕは、縦方向Ｙにおいて交互に配置されている。出力リード２３は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて導電部材４２Ｂの中央部に配置されている。側方リード２７Ｂは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの第２樹脂側面１２側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第３樹脂側面１３側の端部に配置されている。
　一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂは、電気絶縁性を有する。一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの構成材料は、例えばガラスエポキシ樹脂である。一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。平面視における一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの形状はそれぞれ、縦方向Ｙに延びる帯状である。
　絶縁層４３Ａは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合されている。絶縁層４３Ａは、横方向Ｘからみて、４個の第１半導体素子３０Ｕ、入力リード２１、及び側方リード２７Ａと重なるように配置されている。絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて４個の第１半導体素子３０Ｕよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１の近くに配置されている。詳細には、絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて４個の第１半導体素子３０Ｕよりも第１樹脂側面１１の近くに各第１半導体素子３０Ｕと隣り合うように配置されている。また絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて入力リード２１よりも４個の第１半導体素子３０Ｕの近くに配置されている。
　絶縁層４３Ｂは、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合されている。絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘからみて、４個の第２半導体素子３０Ｌ、出力リード２３、及び側方リード２７Ｂと重なるように配置されている。絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて４個の第２半導体素子３０Ｌよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２の近くに配置されている。詳細には、絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて４個の第２半導体素子３０Ｌよりも第２樹脂側面１２側に各第２半導体素子３０Ｌと隣り合うように配置されている。また絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて出力リード２３よりも４個の第２半導体素子３０Ｌの近くに配置されている。
　一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂは、導電性を有する。一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの構成材料は、例えばＣｕである。平面視における一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの形状はそれぞれ、例えば縦方向Ｙに延びる帯状である。
　ゲート層４４Ａは、絶縁層４３Ａ上に配置されている。ゲート層４４Ａは、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ａのうちの第１樹脂側面１１寄りの部分に配置されている。ゲート層４４Ａは、後述する制御用接続部材の一例である第１制御用ワイヤ５１を介して、各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４（図５参照）と導通している。またゲート層４４Ａは、後述する第１接続用ワイヤ５３を介して、制御リード２４Ａと導通している。
　ゲート層４４Ｂは、絶縁層４３Ｂ上に配置されている。ゲート層４４Ｂは、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ｂのうちの第２樹脂側面１２寄りの部分に配置されている。ゲート層４４Ｂは、後述する制御用接続部材の一例である第２制御用ワイヤ５２を介して、各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４（図５参照）と導通している。またゲート層４４Ｂは、後述する第２接続用ワイヤ５７を介して、制御リード２４Ｂと導通している。
　一対の検出層４５Ａ，４５Ｂは、導電性を有する。一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの構成材料は、例えばＣｕである。平面視における一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの形状はそれぞれ、例えば縦方向Ｙに延びる帯状である。本実施形態では、一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの横方向Ｘの大きさは一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの横方向Ｘの大きさと等しく、一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの縦方向Ｙの大きさは一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。
　検出層４５Ａは、ゲート層４４Ａとともに絶縁層４３Ａ上に配置されている。検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａと離間し、かつゲート層４４Ａと隣り合うように配置されている。本実施形態では、検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａよりも４個の第１半導体素子３０Ｕの近くとなるように配置されている。なお、横方向Ｘにおける検出層４５Ａの配置位置は任意に変更可能である。例えば検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａよりも第１樹脂側面１１の近くであってもよい。検出層４５Ａは、後述する第１検出用ワイヤ５５を介して、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導通している。また検出層４５Ａは、後述する第１接続用ワイヤ５４を介して、検出リード２５Ａと導通している。
　検出層４５Ｂは、ゲート層４４Ｂとともに絶縁層４３Ｂ上に配置されている。検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂと離間し、かつゲート層４４Ｂと隣り合うように配置されている。本実施形態では、検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂよりも４個の第２半導体素子３０Ｌの近くとなるように配置されている。なお、横方向Ｘにおける検出層４５Ｂの配置位置は任意に変更可能である。例えば検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂよりも出力リード２３の近くであってもよい。検出層４５Ｂは、後述する第２検出用ワイヤ５６を介して、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導通している。また検出層４５Ｂは、後述する第２接続用ワイヤ５８を介して、検出リード２５Ｂと導通している。
　図１０に示すように、入力リード２１，２２はそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。本実施形態では、入力リード２１，２２の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、０．８ｍｍであるが、これに限られない。入力リード２１，２２はそれぞれ、封止樹脂１０の第１樹脂側面１１寄りとなるように配置されている。入力リード２１，２２にはそれぞれ、例えば電源電圧が印加される。本実施形態では、入力リード２１に第１電源電圧が印加され、入力リード２２に第１電源電圧よりも低い第２電源電圧が印加される。このように、入力リード２１は正極（Ｐ端子）であり、入力リード２２は負極（Ｎ端子）である。厚さ方向Ｚにおいて、入力リード２１と入力リード２２とは、互いに重なるように配置されている。入力リード２１と入力リード２２とは、厚さ方向Ｚにおいて離間して配置されている。
　図４に示すように、入力リード２１は、横方向Ｘに延びる平板状に形成されている。入力リード２１は、パッド部２１ａ及び端子部２１ｂを有する。本実施形態では、パッド部２１ａ及び端子部２１ｂは、一体に形成された単一部材である。
　パッド部２１ａは、入力リード２１のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２１ａのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２側の端部には、複数の櫛歯部２１ｃが設けられている。各櫛歯部２１ｃは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに導通接合されている。この接合方法としては、レーザ光を用いたレーザ溶接であってもよいし、超音波接合であってもよいし、導電性接合材を用いた接合であってもよい。本実施形態では、各櫛歯部２１ｃは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部、かつ縦方向Ｙの中央部に配置されている。パッド部２１ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１寄りの部分には、複数の貫通孔（図示略）が設けられている。各貫通孔は、パッド部２１ａを厚さ方向Ｚに貫通している。各貫通孔には、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と入力リード２１とが分離し難くなる。
　端子部２１ｂは、入力リード２１のうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出した部分である。平面視における端子部２１ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
　入力リード２２は、パッド部２２ａ及び端子部２２ｂを有する。本実施形態では、パッド部２２ａ及び端子部２２ｂは、一体に形成された単一部材である。
　パッド部２２ａは、入力リード２２のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２２ａは、駆動用導電体の一例である複数（本実施形態では４個）の延長部２２ｃと、複数の延長部２２ｃを連結する連結部２２ｄと、連結部２２ｄと端子部２２ｂとの間の部分となる中間部２２ｅとに区分できる。複数の延長部２２ｃ及び連結部２２ｄは、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第４樹脂側面１４寄りとなるように配置されている。
　図４及び図１０（ａ）に示すように、複数の延長部２２ｃは、第２半導体素子３０Ｌの数に応じて設けられている。複数の延長部２２ｃは、縦方向Ｙにおいて離間して配置されている。平面視における延長部２２ｃの形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。各延長部２２ｃは、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子３０の素子主面３１と同じ方向を向く駆動用接続表面の一例である主面２２ｃｓと、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子３０の素子裏面３２と同じ方向を向く裏面２２ｃｒとを有する。各延長部２２ｃの先端部は、支持台２９によって支持されている。本実施形態では、支持台２９は、延長部２２ｃの数に応じて設けられている。複数の支持台２９は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの導電部材４２Ｂ側の端部に配置されている。複数の支持台２９は、縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。各支持台２９は、例えば電気的絶縁性を有する。各支持台２９の構成材料は、例えばセラミックスである。各支持台２９は、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合されている。また、各支持台２９は、延長部２２ｃの裏面２２ｃｒに接合されている。複数の支持台２９は、横方向Ｘにおいて互いに揃った状態で縦方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配列されている。各支持台２９の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、入力リード２１の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と絶縁部材２８の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）との合計と略等しい。各支持台２９には、延長部２２ｃの先端部が接合されている。これにより、各支持台２９は、入力リード２２の姿勢を安定させている。
　平面視において、複数の延長部２２ｃは、複数の第２半導体素子３０Ｌと縦方向Ｙにおいて揃うように配置されている。換言すると、横方向Ｘからみて、複数の延長部２２ｃは、複数の第２半導体素子３０Ｌと重なるように配置されている。また複数の延長部２２ｃの先端縁は、第２半導体素子３０Ｌと横方向Ｘに離間している。
　連結部２２ｄは、横方向Ｘにおいて複数の延長部２２ｃのうちの第１樹脂側面１１側の端部に連結されている。平面視における連結部２２ｄの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。中間部２２ｅは、横方向Ｘにおいて連結部２２ｄのうちの第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて連結部２２ｄの中央部に連続している。平面視における中間部２２ｅの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。中間部２２ｅには、複数の貫通孔２２ｆが設けられている。複数の貫通孔２２ｆはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて中間部２２ｅを貫通している。各貫通孔２２ｆには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と入力リード２２とが分離し難くなる。
　端子部２２ｂは、入力リード２２のうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出した部分である。平面視における端子部２２ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。平面視における端子部２２ｂのサイズは、平面視における端子部２１ｂのサイズと同じである。
　厚さ方向Ｚにおいて入力リード２１と入力リード２２との間には、入力リード２１と入力リード２２とを電気的に絶縁する絶縁部材２８が介在している。入力リード２１及び入力リード２２は、例えば接合材によって絶縁部材２８に接合されている。接合材は、導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよい。絶縁部材２８の構成材料は、例えば絶縁紙などである。平面視における絶縁部材２８の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。厚さ方向Ｚにおいて、絶縁部材２８は、入力リード２１のパッド部２１ａ及び端子部２１ｂと重なっている。厚さ方向Ｚにおいて、絶縁部材２８は、入力リード２２の連結部２２ｄ、中間部２２ｅ、及び端子部２２ｂと重なっている。このように、絶縁部材２８の一部は、封止樹脂１０によって覆われている。縦方向Ｙにおける絶縁部材２８の大きさは、縦方向Ｙにおける入力リード２１，２２の端子部２１ｂ，２２ｂの大きさよりも大きい。図４に示すとおり、平面視において、絶縁部材２８は、端子部２１ｂ，２２ｂの縦方向Ｙの両側から突出している。また、絶縁部材２８は、横方向Ｘにおいて端子部２１ｂ，２２ｂの先端よりも突出している。
　出力リード２３は、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。出力リード２３は、封止樹脂１０の第２樹脂側面１２寄りに配置されている。複数の半導体素子３０により電力変換された交流電力（電圧）は、出力リード２３から出力される。
　出力リード２３は、横方向Ｘに延びる平板状に形成されている。出力リード２３は、入力リード２１と同一形状である。出力リード２３は、パッド部２３ａ及び端子部２３ｂを有する。本実施形態では、パッド部２３ａ及び端子部２３ｂは、一体に形成された単一部材である。
　パッド部２３ａは、出力リード２３のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２３ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部には、複数の櫛歯部２３ｃが設けられている。各櫛歯部２３ｃは、後述する導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに導通接合されている。この接合方法としては、レーザ光を用いたレーザ溶接であってもよいし、超音波接合であってもよいし、導電性接合材を用いた接合であってもよい。パッド部２３ａのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２寄りの部分には、複数の貫通孔２３ｄが設けられている。各貫通孔２３ｄは、パッド部２３ａを厚さ方向Ｚに貫通している。各貫通孔２３ｄには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と出力リード２３とが分離し難くなる。
　端子部２３ｂは、出力リード２３のうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２から突出した部分である。平面視における端子部２３ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。端子部２３ｂは、入力リード２１の端子部２３ｂとは反対側に向けて延びている。
　図５に示すように、平面視において、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、横方向Ｘに沿って配列されている。より詳細には、平面視において、制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６は、支持基板４０の導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に位置している。平面視において、制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６は、支持基板４０の導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に位置している。制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６からなる一群のリードと、制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６からなる一群のリードとの横方向Ｘの間隔は、一群のリードにおける制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６のうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔、及び一群のリードにおける制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６のうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔よりも大きい。また、本実施形態では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、同一のリードフレームから形成されている。
　平面視において、制御リード２４Ａは、ゲート層４４Ａ及び検出層４５Ａよりも横方向Ｘの第１半導体素子３０Ｕ側となるように配置されている。制御リード２４Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子３０Ｕと重なるように配置されている。制御リード２４Ａには、複数の第１半導体素子３０Ｕを駆動させるためのゲート電圧が印加される。制御リード２４Ｂは、ゲート層４４Ｂ及び検出層４５Ｂよりも横方向Ｘの第２半導体素子３０Ｌ側となるように配置されている。制御リード２４Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子３０Ｌと重なるように配置されている。制御リード２４Ｂには、複数の第２半導体素子３０Ｌを駆動させるためのゲート電圧が印加される。
　一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂはそれぞれ、パッド部２４ａ及び端子部２４ｂを有する。一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状は互いに同じである。本実施形態では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂはそれぞれ、パッド部２４ａ及び端子部２４ｂが一体形成された単一部材である。
　パッド部２４ａは、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂのうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂは、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２４ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２４ａには、貫通孔２４ｃが設けられている。貫通孔２４ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２４ａを貫通している。貫通孔２４ｃには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂとが分離し難くなる。端子部２４ｂは、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂのうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２４ｂは、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。
　制御リード２４Ａとゲート層４４Ａとは、第１接続用ワイヤ５３によって接続されている。詳細には、第１接続用ワイヤ５３のうちのゲート層４４Ａに接続される端部は、縦方向Ｙにおいてゲート層４４Ａのうちの制御リード２４Ａ側の端部に接続されている。第１接続用ワイヤ５３のうちの制御リード２４Ａに接続される端部は、制御リード２４Ａのパッド部２４ａに接続されている。
　制御リード２４Ｂとゲート層４４Ｂとは、第２接続用ワイヤ５７によって接続されている。詳細には、第２接続用ワイヤ５７のうちのゲート層４４Ｂに接続される側の端部は、縦方向Ｙにおいてゲート層４４Ｂのうちの制御リード２４Ｂ側の端部に接続されている。第２接続用ワイヤ５７のうちの制御リード２４Ｂに接続される端部は、制御リード２４Ｂのパッド部２４ａに接続されている。
　検出リード２５Ａは、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ａの隣に位置している。平面視において、検出リード２５Ａは、検出層４５Ａよりも横方向Ｘの第１半導体素子３０Ｕ側、かつ縦方向Ｙからみて、第１半導体素子３０Ｕのうちの横方向Ｘの絶縁層４３Ａ側の部分と重なるように配置されている。検出リード２５Ａを介して、複数の第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。検出リード２５Ｂは、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ｂの隣に位置している。検出リード２５Ｂは、検出層４５Ｂよりも横方向Ｘの第２半導体素子３０Ｌ側、かつ縦方向Ｙからみて、第２半導体素子３０Ｌのうちの横方向Ｘの絶縁層４３Ｂ側の部分と重なるように配置されている。検出リード２５Ｂを介して、複数の第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。
　一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂはそれぞれ、パッド部２５ａ及び端子部２５ｂを有する。一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂの形状は、互いに同じであり、かつ一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状と同じである。本実施形態では、パッド部２５ａ及び端子部２５ｂが一体形成された単一部材である。
　パッド部２５ａは、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂのうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂは、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２５ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２５ａには、貫通孔２５ｃが設けられている。貫通孔２５ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２５ａを貫通している。貫通孔２５ｃには封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂとが分離し難くなる。端子部２５ｂは、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂのうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２５ｂは、端子部２４ｂと同様に、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。
　検出リード２５Ａと検出層４５Ａとは、第１接続用ワイヤ５４によって接続されている。詳細には、第１接続用ワイヤ５４のうちの検出層４５Ａに接続される端部は、縦方向Ｙにおいて検出層４５Ａのうちの検出リード２５Ａ側の端部に接続されている。第１接続用ワイヤ５４のうちの検出リード２５Ａに接続される端部は、検出リード２５Ａのパッド部２５ａに接続されている。
　検出リード２５Ｂと検出層４５Ｂとは、第２接続用ワイヤ５８によって接続されている。詳細には、第２接続用ワイヤ５８のうちの検出層４５Ｂに接続される端部は、縦方向Ｙにおいて検出層４５Ｂのうちの検出リード２５Ｂ側の端部に接続されている。第２接続用ワイヤ５８のうちの検出リード２５Ｂに接続される端部は、検出リード２５Ｂのパッド部２５ａに接続されている。
　図５に示すとおり、３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ａの検出リード２５Ａとは反対側となる隣に位置している。３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されている。この３個のダミーリード２６のうちの制御リード２４Ａ側の２個のダミーリード２６は、縦方向Ｙからみて、絶縁層４３Ａと重なるように配置されている。残りの１個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ａよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１（図４参照）の近くとなるように配置されている。
　別の３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ｂの検出リード２５Ｂとは反対側となる隣に位置している。別の３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されている。この別の３個のダミーリード２６のうちの制御リード２４Ｂ側の２個のダミーリード２６は、縦方向Ｙからみて、絶縁層４３Ｂと重なるように配置されている。残りの１個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ｂよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２（図４参照）の近くとなるように配置されている。
　複数のダミーリード２６はそれぞれ、パッド部２６ａ及び端子部２６ｂを有する。複数のダミーリード２６の形状は、互いに同じであり、かつ一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状と同じである。本実施形態では、パッド部２６ａ及び端子部２６ｂが一体形成された単一部材である。
　パッド部２６ａは、複数のダミーリード２６のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、複数のダミーリード２６は、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２６ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２６ａには貫通孔２６ｃが設けられている。各貫通孔２６ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２６ａを貫通している。各貫通孔２６ｃには封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と複数のダミーリード２６とが分離し難くなる。端子部２６ｂは、複数のダミーリード２６のうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２６ｂは、端子部２４ｂと同様に、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。本実施形態では、６個のダミーリード２６はそれぞれ、導電部材４２Ａ，４２Ｂ、ゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び検出層４５Ａ，４５Ｂとワイヤ等の接続部材によって接続されていない。なお、６個のダミーリード２６のうちの少なくとも１個を省略してもよい。
　次に、第１半導体素子３０Ｕと入力リード２２との接続構造、及び第２半導体素子３０Ｌと導電部材４２Ｂとの接続構造について説明する。
　図４に示すように、半導体装置１Ａは、複数の第２半導体素子３０Ｌと入力リード２２とを接続する複数の第１駆動用リード６０と、複数の第１半導体素子３０Ｕと導電部材４２Ｂとを接続する複数の第２駆動用リード７０を備える。複数の第１駆動用リード６０及び複数の第２駆動用リード７０は、複数の駆動用接続部材の一例である。また第１駆動用リード６０は第２半導体素子の駆動電極と接続する第２駆動用接続部材の一例であり、第２駆動用リード７０は第１半導体素子の駆動電極と接続する第１駆動用接続部材の一例である。複数の第１駆動用リード６０及び複数の第２駆動用リード７０はそれぞれ、封止樹脂１０によって封止されている。複数の第１駆動用リード６０は、複数の第２半導体素子３０Ｌの数に応じて設けられている。本実施形態では、第２半導体素子３０Ｌが４個であるため、半導体装置１Ａは、４個の第１駆動用リード６０を備える。複数の第２駆動用リード７０は、複数の第１半導体素子３０Ｕの数に応じて設けられている。本実施形態では、第１半導体素子３０Ｕが４個であるため、半導体装置１Ａは、４個の第２駆動用リード７０を備える。
　図５に示すように、第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２の延長部２２ｃに接合されている。すなわち第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２とを接続している。平面視における第１駆動用リード６０の形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。第１駆動用リード６０は、複数の金属製の薄板を厚さ方向Ｚに積層した構成である。本実施形態では、図５、図１２、及び図１３に示すように、第１駆動用リード６０は、３枚の金属製の薄板である金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを、この順番で厚さ方向Ｚに積層した構成である。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃは、同一の金属材料からなる。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを構成する材料の一例は、Ｃｕ（銅）である。なお、第１駆動用リード６０を構成する金属板の枚数は、任意に変更可能である。一例では、第１駆動用リード６０を構成する金属板の枚数は、第２半導体素子３０Ｌの許容電流の大きさに応じて設定される。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）はそれぞれ、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍである。本実施形態では、０．０５ｍｍの厚さの金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃが用いられている。
　図５に示すように、第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合される第１接続部６１と、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される第２接続部６２と、第１接続部６１と第２接続部６２とを連結する連結部６３とを有する。なお、金属板６０Ａ～６０Ｃの積層により第１駆動用リード６０が構成されるため、金属板６０Ａ～６０Ｃのそれぞれが第１接続部６１、第２接続部６２、及び連結部６３を有する。このため、金属板６０Ａ～６０Ｃのそれぞれの第１接続部６１、第２接続部６２、及び連結部６３については、符号の後にアルファベットのＡ～Ｃを付して区分する。本実施形態では、図１２及び図１３に示すように、金属板６０Ａは、第１接続部６１Ａ、第２接続部６２Ａ、及び連結部６３Ａが一体形成された単一部材である。金属板６０Ｂは、第１接続部６１Ｂ、第２接続部６２Ｂ、及び連結部６３Ｂが一体形成された単一部材である。金属板６０Ｃは、第１接続部６１Ｃ、第２接続部６２Ｃ、及び連結部６３Ｃが一体形成された単一部材である。連結部６３Ａは第１連結部の一例であり、連結部６３Ｂは第２連結部の一例であり、連結部６３Ｃは第３連結部の一例である。第１接続部６１は、第１接続部６１Ａ、第１接続部６１Ｂ、及び第１接続部６１Ｃがこの順番で厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。第２接続部６２は、第２接続部６２Ａ、第２接続部６２Ｂ、及び第２接続部６２Ｃがこの順番で厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。
　図１４及び図１５に示すように、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このため、金属板６０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部６１Ａは、第１金属板の第１素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ａは、その全面にわたりソース電極３３に接触している。平面視における第１接続部６１Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ａは、ソース電極３３の大部分にわたり接合されている。一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの５０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。好ましくは、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの６０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。本実施形態では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの６０％以上かつ７０％未満の範囲の面積と接合している。
　なお、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合する面積の大きさは任意に変更可能である。一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの７０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。また一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの８０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。
　図１４及び図１５に示すように、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ａに積層されている。このため、金属板６０Ｂは第１金属板に接続された第２金属板の一例であり、第１接続部６１Ｂは第２金属板の第２素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ｂは、その略全面にわたり第１接続部６１Ａと接触している。平面視における第１接続部６１Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ａの先端縁に対してずれている。具体的には、第１接続部６１Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ａの先端縁よりも入力リード２２の延長部２２ｃ側に位置している。このため、平面視において、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。また、平面視において、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第１接続部６１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第１接続部６１Ａの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第１接続部６１Ｂの厚さと第１接続部６１Ａの厚さとの差が例えば第１接続部６１Ａの厚さの５％以内であれば、第１接続部６１Ｂの厚さが第１接続部６１Ａの厚さと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁は、第１接続部６１Ａの先端縁と揃っていてもよい。
　金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ｂに積層されている。このため、金属板６０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部６１Ｃは第３金属板の第３素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ｃは、その略全面にわたり第１接続部６１Ｂと接触している。平面視における第１接続部６１Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁に対してずれている。具体的には、第１接続部６１Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁よりも入力リード２２の延長部２２ｃ側に位置している。このため、平面視において、第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。本実施形態では、第１接続部６１Ｂの先端縁に対する第１接続部６１Ｃの先端縁のずれ量は、第１接続部６１Ａの先端縁に対する第１接続部６１Ｂの先端縁のすれ量よりも大きい。また、平面視において、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第１接続部６１Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第１接続部６１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第１接続部６１Ｃの厚さと第１接続部６１Ｂの厚さとの差が例えば第１接続部６１Ｂの厚さの５％以内であれば、第１接続部６１Ｃの厚さが第１接続部６１Ｂの厚さと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｃの先端縁は、第１接続部６１Ｂの先端縁と揃っていてもよい。
　第１接続部６１Ａは、レーザ光を用いたレーザ加工の一例であるレーザ溶接によってソース電極３３に接合されている。第１接続部６１Ｂは、レーザ溶接によって第１接続部６１Ａに接合されている。第１接続部６１Ｃは、レーザ溶接によって第１接続部６１Ｂに接合されている。
　より詳細には、第１接続部６１Ａには、３個のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃが形成されている。レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と接合している。このため、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、第１接続部６１Ａのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。ここで、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。
　レーザ接合部６４Ａは、第１接続部６１Ａのうちのレーザ接合部６４Ｂ，６４Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６４Ａは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ａのうちの第１接続部６１Ｂの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６４Ａは、第１接続部６１Ａのうちの第１接続部６１Ｂの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｂは、第１接続部６１Ａにおいてレーザ接合部６４Ａよりも基端寄りかつレーザ接合部６４Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｃは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの中央部に形成されている。図１５に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４ＢとのピッチＰＡ１と、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４ＣとのピッチＰＡ２とが互いに等しい。ここで、ピッチＰＡ１とピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＡ１とピッチＰＡ２とが互いに等しいと言える。なお、ピッチＰＡ１，ＰＡ２はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、ピッチＰＡ２がピッチＰＡ１よりも大きくてもよい。
　図１４及び図１５に示すように、第１接続部６１Ｂには、２個のレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅが形成されている。レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第１接続部６１Ａと接合している。このため、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第１接続部６１Ｂのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。また、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。
　ここで、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさの差が例えばレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　レーザ接合部６４Ｄは、第１接続部６１Ｂのうちのレーザ接合部６４Ｅよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６４Ｄは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｃの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６４Ｄは、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｃの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。また厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｄは、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部６４Ｅは、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４Ｃとの横方向Ｘの間に位置している。このように、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃと重ならないようにずれて配置されている。また図１５に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４ＥとのピッチＰＢは、ピッチＰＡ１，ＰＡ２と等しい。ここで、ピッチＰＢとピッチＰＡ１又はピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＢがピッチＰＡ１，ＰＡ２と等しいと言える。なお、ピッチＰＢは任意に変更可能である。一例では、ピッチＰＢは、ピッチＰＡ１，ＰＡ２よりも大きくてもよい。
　図１４及び図１５に示すように、第１接続部６１Ｃには、１個のレーザ接合部６４Ｆが形成されている。レーザ接合部６４Ｆは、第１接続部６１Ｂを接合している。このため、レーザ接合部６４Ｆは、第３素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ｆは、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　レーザ接合部６４Ｆは、第１接続部６１Ｃのうちの第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｆは、横方向Ｘにおいてレーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４Ｅとの間に位置している。このように、レーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。また、レーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｂと重なる位置に設けられている。
　このように、第１駆動用リード６０の第１接続部６１では、金属板の積層方向に隣り合う金属板に形成されたレーザ接合部が厚さ方向に重ならないようにずれて配置されている。一方、第１駆動用リード６０の第１接続部６１では、金属板の積層方向において離間した金属板に形成されたレーザ接合部は厚さ方向に重なるように配置されている。
　本実施形態では、図１５に示すとおり、平面視において、３個のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ、２個のレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅ、及び１個のレーザ接合部６４Ｆは、横方向Ｘにおいて等ピッチとなるように形成されている。
　また図１５の拡大図で示すように、厚さ方向Ｚにおけるレーザ接合部６４Ｂの金属板６０Ｂ側の端部には、凹部６４ｘが形成されている。横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で凹部６４ｘを切った断面視における凹部６４ｘの形状は、湾曲状である。この凹部６４ｘによって、レーザ接合部６４Ｂは、金属板６０Ｂと接触していない。なお、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｃ、及び金属板６０Ｂのレーザ接合部６４Ｅ，６４Ｆについても、レーザ接合部６４Ｂと同様に凹部６４ｘを有する。このため、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｃは、金属板６０Ｂと接触していない。また、レーザ接合部６４Ｅ，６４Ｆは、金属板６０Ｃと接触していない。
　図１６に示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａは、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合されている。このため、第２接続部６２Ａは、第１金属板の第１導電体側接続部の一例である。第２接続部６２Ａは、その全面にわたり延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接触している。平面視における第２接続部６２Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、延長部２２ｃの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）よりも僅かに小さい。なお、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、延長部２２ｃの縦方向Ｙの大きさと等しくてもよい。本実施形態では、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　図１６及び図１７に示すように、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２接続部６２Ａに積層されている。第２接続部６２Ｂは、その略全面にわたり第２接続部６２Ａと接触している。このため、第２接続部６２Ｂは、第２金属板の第２導電体側接続部の一例である。平面視における第２接続部６２Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２接続部６２Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ａの先端縁に対してずれている。具体的には、第２接続部６２Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ａの先端縁よりも第２半導体素子３０Ｌの近くに位置している。このため、平面視において、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさは、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。また、平面視において、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第２接続部６２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第２接続部６２Ａの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第２接続部６２Ｂの厚さと第２接続部６２Ａの厚さとの差が例えば第２接続部６２Ａの厚さの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの厚さが第２接続部６２Ａの厚さと等しいと言える。本実施形態では、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁は、第２接続部６２Ａの先端縁と揃っていてもよい。
　金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて第２接続部６２Ｂに積層されている。第２接続部６２Ｃは、その略全面にわたり第２接続部６２Ｂと接触している。このため、第２接続部６２Ｃは、第３金属板の第３導電体側接続部の一例である。平面視における第２接続部６２Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２接続部６２Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁に対してずれている。具体的には、第２接続部６２Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁よりも第２半導体素子３０Ｌの近くに位置している。このため、平面視において、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさは、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。本実施形態では、第１接続部６１Ｂの先端縁に対する第１接続部６１Ｃの先端縁のずれ量は、第１接続部６１Ａの先端縁に対する第１接続部６１Ｂの先端縁のすれ量よりも大きい。また、平面視において、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第２接続部６２Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第２接続部６２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさと第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第２接続部６２Ｃの厚さと第２接続部６２Ｂの厚さとの差が例えば第２接続部６２Ｂの厚さの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの厚さが第２接続部６２Ｂの厚さと等しいと言える。本実施形態では、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｃの先端縁は、第２接続部６２Ｂの先端縁と揃っていてもよい。
　第２接続部６２Ａは、レーザ溶接によって入力リード２２の延長部２２ｃの先端部に接合されている。第２接続部６２Ｂは、レーザ溶接によって第２接続部６２Ａに接合されている。第２接続部６２Ｃは、レーザ溶接によって第２接続部６２Ｂに接合されている。
　より詳細には、図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ａには、３個のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃが形成されている。レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合されている。このため、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、第１導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、第２接続部６２Ａのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。ここで、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさとの差がレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさとの関係、及び、レーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの関係についても、上述のレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさとの関係と同様である。
　レーザ接合部６５Ａは、第２接続部６２Ａのうちのレーザ接合部６５Ｂ，６５Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６５Ａは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ａのうちの第２接続部６２Ｂの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６５Ａは、第２接続部６２Ａのうちの第２接続部６２Ｂの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｂは、第２接続部６２Ａにおいてレーザ接合部６５Ａよりも基端寄りかつレーザ接合部６５Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｃは、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの中央部に形成されている。本実施形態では、図１７に示すように、レーザ接合部６５Ａとレーザ接合部６５ＢとのピッチＰＣ１と、レーザ接合部６５Ｂとレーザ接合部６５ＣとのピッチＰＣ２とが互いに等しい。ここで、ピッチＰＣ１とピッチＰＣ２との差が例えばピッチＰＣ１の５％以内であれば、ピッチＰＣ１とピッチＰＣ２とが互いに等しいと言える。本実施形態では、ピッチＰＣ１は、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４Ｂとの間のピッチＰＡ１（図１５参照）と等しく、ピッチＰＣ２は、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４Ｃとの間のピッチＰＡ２（図１５参照）と等しい。ここで、ピッチＰＣ１とピッチＰＡ１との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＣ１がピッチＰＡ１と等しいと言える。ピッチＰＣ２とピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ２の５％以内であれば、ピッチＰＣ２がピッチＰＡ２と等しいと言える。
　図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ｂには、２個のレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅが形成されている。レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２接続部６２Ａに接合されている。このため、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２接続部６２Ｂのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。また、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。
　ここで、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさの差が例えばレーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｅ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさとの差が例えばレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさとの差が例えばレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　レーザ接合部６５Ｄは、第２接続部６２Ｂのうちのレーザ接合部６５Ｅよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６５Ｄは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｃの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６５Ｄは、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｃの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。また厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｄは、レーザ接合部６５Ａとレーザ接合部６５Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部６５Ｅは、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｂとレーザ接合部６５Ｃとの横方向Ｘの間に位置している。このように、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃと重ならないようにずれて配置されている。また図１７に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄとレーザ接合部６５ＥとのピッチＰＤは、ピッチＰＣ１，ＰＣ２と等しい。ここで、ピッチＰＤとピッチＰＣ１又はピッチＰＣ２との差が例えばピッチＰＣ１の５％以内であれば、ピッチＰＤがピッチＰＣ１，ＰＣ２と等しいと言える。また、本実施形態では、ピッチＰＤは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４ＥとのピッチＰＢと等しい。ここで、ピッチＰＤとピッチＰＢとの差が例えばピッチＰＢの５％以内であれば、ピッチＰＤがピッチＰＢと等しいと言える。
　図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ｃには、１個のレーザ接合部６５Ｆが形成されている。レーザ接合部６５Ｆは、第２接続部６２Ｂを接合している。このため、レーザ接合部６５Ｆは、第３導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ｆは、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさは、第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６４Ｆ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさとの差がたとえばレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
　レーザ接合部６５Ｆは、第２接続部６２Ｃのうちの第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｆは、横方向Ｘにおいてレーザ接合部６５Ｄとレーザ接合部６５Ｅとの間に位置している。このように、レーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。また、レーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｂと重なる位置に設けられている。
　このように、第１駆動用リード６０の第２接続部６２では、金属板の積層方向に隣り合う金属板に形成されたレーザ接合部が厚さ方向に重ならないようにずれて配置されている。一方、第１駆動用リード６０の第２接続部６２では、金属板の積層方向において離間した金属板に形成されたレーザ接合部は厚さ方向に重なるように配置されている。
　本実施形態では、図１７に示すとおり、平面視において、３個のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ、２個のレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅ、及び１個のレーザ接合部６５Ｆは、横方向Ｘにおいて等ピッチとなるように形成されている。
　また図１７の拡大図で示すように、厚さ方向Ｚにおけるレーザ接合部６５Ｂの金属板６０Ｂ側の端部には、凹部６５ｘが形成されている。横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で凹部６５ｘを切った断面視における凹部６５ｘの形状は、湾曲状である。この凹部６５ｘによって、レーザ接合部６５Ｂは、金属板６０Ｂと接触していない。なお、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｃ、及び金属板６０Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅについても、レーザ接合部６５Ｂと同様に凹部６５ｘを有する。このため、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｃは、金属板６０Ｂと接触していない。また、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、金属板６０Ｃと接触していない。
　図１２及び図１３に示すように、金属板６０Ａを縦方向Ｙからみた側面視における金属板６０Ａの連結部６３Ａの形状は、支持基板４０（図１０（ａ）参照）に向けて開口する矩形凹状である。連結部６３Ａは、第１垂直部６６Ａ、第２垂直部６７Ａ、及び水平部６８Ａに区分できる。第１垂直部６６Ａ及び第２垂直部６７Ａは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。水平部６８Ａは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ａと第２垂直部６７Ａとを繋いでいる。第１垂直部６６Ａは、第１接続部６１Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第２垂直部６７Ａは、第２接続部６２Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第１垂直部６６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも大きい。水平部６８Ａは、第１垂直部６６Ａのうちの厚さ方向Ｚの第１接続部６１Ａとは反対側の端部と、第２垂直部６７Ａのうちの厚さ方向Ｚの第２接続部６２Ａとは反対側の端部とを繋いでいる。このため、厚さ方向Ｚにおいて、水平部６８Ａは、入力リード２２よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５（図１０（ａ）参照）の近くに配置されている。
　金属板６０Ｂの連結部６３Ｂは、金属板６０Ａの連結部６３Ａ上に積層されている。より詳細には、金属板６０Ｂを縦方向Ｙからみた側面視における連結部６３Ｂの形状は、連結部６３Ａと同様に矩形凹状である。連結部６３Ｂは、第１垂直部６６Ｂ、第２垂直部６７Ｂ、及び水平部６８Ｂに区分できる。第１垂直部６６Ｂは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ａに積層されている。第１垂直部６６Ｂはその全面にわたり第１垂直部６６Ａと接触している。第２垂直部６７Ｂは、横方向Ｘにおいて第２垂直部６７Ａに積層されている。第２垂直部６７Ｂはその全面にわたり第２垂直部６７Ａと接触している。水平部６８Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて水平部６８Ａに積層されている。水平部６８Ｂはその全面にわたり水平部６８Ａと接触している。
　金属板６０Ｃの連結部６３Ｃは、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂ上に積層されている。より詳細には、金属板６０Ｃを縦方向Ｙからみた側面視における連結部６３Ｃの形状は、連結部６３Ａと同様に矩形凹状である。連結部６３Ｃは、第１垂直部６６Ｃ、第２垂直部６７Ｃ、及び水平部６８Ｃに区分できる。第１垂直部６６Ｃは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ｂに積層されている。第１垂直部６６Ｃはその全面にわたり第１垂直部６６Ｂと接触している。第２垂直部６７Ｃは、横方向Ｘにおいて第２垂直部６７Ｂに積層されている。第２垂直部６７Ｃはその全面にわたり第２垂直部６７Ｂと接触している。水平部６８Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて水平部６８Ｂに積層されている。水平部６８Ｃはその全面にわたり水平部６８Ｂと接触している。
　図５に示すように、第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と横方向Ｘにおける導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの導電部材４２Ａ側の端部とに接合されている。このように、導電部材４２Ｂは駆動用導電体の一例であり、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂは駆動用導電体の駆動用接続表面の一例である。
　平面視における第２駆動用リード７０の形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。第２駆動用リード７０は、複数の金属製の薄板を厚さ方向Ｚに積層した構成である。本実施形態では、図１８及び図１９に示すように、第２駆動用リード７０は、３枚の金属製の薄板である金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを、この順番で厚さ方向Ｚに積層した構成である。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃは、同一の金属材料から構成されている。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを構成する材料の一例は、Ｃｕ（銅）である。なお、第２駆動用リード７０を構成する金属板の枚数は、任意に変更可能である。一例では、第２駆動用リード７０を構成する金属板の枚数は、第１半導体素子３０Ｕの許容電流の大きさに応じて設定される。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）はそれぞれ、金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ（図１２及び図１３参照）と同様に、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍである。本実施形態では、０．０５ｍｍの厚さの金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃが用いられている。
　第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合される第１接続部７１と、導電部材４２Ｂに接合される第２接続部７２と、第１接続部７１と第２接続部７２とを連結する連結部７３とを有する。なお、金属板７０Ａ～７０Ｃの積層により第２駆動用リード７０が構成されるため、金属板７０Ａ～７０Ｃのそれぞれが第１接続部７１、第２接続部７２、及び連結部７３を有する。このため、金属板７０Ａ～７０Ｃのそれぞれの第１接続部７１、第２接続部７２、及び連結部７３については、符号の後にアルファベットのＡ～Ｃを付して区分する。本実施形態では、金属板７０Ａは、第１接続部７１Ａ、第２接続部７２Ａ、及び連結部７３Ａが一体形成された単一部材である。金属板７０Ｂは、第１接続部７１Ｂ、第２接続部７２Ｂ、及び連結部７３Ｂが一体形成された単一部材である。金属板７０Ｃは、第１接続部７１Ｃ、第２接続部７２Ｃ、及び連結部７３Ｃが一体形成された単一部材である。第１接続部７１は、第１接続部７１Ａ、第１接続部７１Ｂ、及び第１接続部７１Ｃが厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。第２接続部７２は、第２接続部７２Ａ、第２接続部７２Ｂ、及び第２接続部７２Ｃが厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。
　図２０及び図２１に示すように、第２駆動用リード７０の第１接続部７１の構成は、第１駆動用リード６０の第２接続部６２（図１６及び図１７参照）の構成と同じである。より詳細には、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａの構成は金属板６０Ａの第２接続部６２Ａの構成と同じであり、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂの構成は金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂの構成と同じであり、金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃの構成は金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃの構成と同じである。また、第１接続部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃの積層態様は、第２接続部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃの積層態様と同じである。
　第１接続部７１Ａは、レーザ溶接によって第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合されている。第１接続部７１Ｂは、レーザ溶接によって第１接続部７１Ａに接合されている。第１接続部７１Ｃは、レーザ溶接によって第１接続部７１Ｂに接合されている。第１接続部７１Ａには、第２接続部６２Ａと同様に、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃが形成されている。レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ａに形成されたレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第１接続部７１Ｂには、第２接続部６２Ｂと同様に、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅが形成されている。レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第１接続部７１Ｃには、第２接続部６２Ｃと同様に、レーザ接合部７４Ｆが形成されている。レーザ接合部７４Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。レーザ接合部７４Ａ～７４Ｆのそれぞれには、レーザ接合部６５Ａ～６５Ｆの凹部６５ｘ（図１７参照）と同様に凹部７４ｘが形成されている。
　図２２及び図２３に示すように、第２駆動用リード７０の第２接続部７２の構成は、第１駆動用リード６０の第１接続部６１（図１４及び図１５参照）の構成と同じである。より詳細には、金属板７０Ａの第２接続部７２Ａの構成は金属板６０Ａの第１接続部６１Ａの構成と同じであり、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂの構成は金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂの構成と同じであり、金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃの構成は金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃの構成と同じである。また、第２接続部７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃの積層態様は、第１接続部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの積層態様と同じである。
　第２接続部７２Ａは、レーザ溶接によって導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合されている。第２接続部７２Ｂは、レーザ溶接によって第２接続部７２Ａに接合されている。第２接続部７２Ｃは、レーザ溶接によって第２接続部７２Ｂに接合されている。第２接続部７２Ａには、第１接続部６１Ａと同様に、レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃが形成されている。レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ａに形成されたレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第２接続部７２Ｂには、第１接続部６１Ｂと同様に、レーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅが形成されている。レーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第２接続部７２Ｃには、第１接続部６１Ｃと同様に、レーザ接合部７５Ｆが形成されている。レーザ接合部７５Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。レーザ接合部７５Ａ～７５Ｆのそれぞれには、レーザ接合部６４Ａ～６４Ｆの凹部６４ｘ（図１５参照）と同様に凹部７５ｘが形成されている。
　図１８及び図１９に示すように、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状は、第１駆動用リード６０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部６３の形状と異なる。具体的には、上記側面視における連結部７３の形状は、連結部６３と同様に、支持基板４０に向けて開口する矩形凹状に形成されている。一方、第１半導体素子３０Ｕと導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとの間の厚さ方向Ｚの距離が入力リード２２の延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌとの間の厚さ方向Ｚの距離よりも小さいため、連結部７３の凹状の深さが連結部６３の凹状の深さよりも浅い。
　金属板７０Ａを縦方向Ｙからみた側面視における金属板７０Ａの連結部７３Ａの形状は、支持基板４０（図１１（ａ）参照）に向けて開口する矩形凹状である。金属板７０Ａの連結部６３Ａは、第１垂直部７６Ａ、第２垂直部７７Ａ、及び水平部７８Ａに区分できる。第１垂直部７６Ａ及び第２垂直部７７Ａは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。水平部７８Ａは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ａと第２垂直部７７Ａとを繋いでいる。第１垂直部７６Ａは、第２接続部７２Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第２垂直部７７Ａは、第１接続部７１Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第１垂直部７６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも大きい。本実施形態では、第１垂直部７６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第１駆動用リード６０の金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも小さい。第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと等しい。水平部７８Ａは、第１垂直部７６Ａのうちの厚さ方向Ｚの第２接続部７２Ａとは反対側の端部と、第２垂直部７７Ａのうちの厚さ方向Ｚの第１接続部７１Ａとは反対側の端部とを繋いでいる。水平部７８Ａの横方向Ｘの長さは、金属板６０Ａの水平部６８Ａの横方向Ｘの長さと等しい。ここで、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさとの差が例えば第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさの５％以内であれば、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさが第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと等しいと言える。また、水平部７８Ａの横方向Ｘの長さと水平部６８Ａの横方向Ｘの長さとの差が例えば水平部６８Ａの横方向Ｘの長さの５％以内であれば、水平部７８Ａの横方向Ｘの長さが水平部６８Ａの横方向Ｘの長さと等しいと言える。
　金属板７０Ｂの連結部７３Ｂは、金属板７０Ａの連結部７３Ａ上に積層されている。より詳細には、金属板７０Ｂを縦方向Ｙからみた側面視における連結部７３Ｂの形状は、連結部７３Ａと同様に矩形凹状である。連結部７３Ｂは、第１垂直部７６Ｂ、第２垂直部７７Ｂ、及び水平部７８Ｂに区分できる。第１垂直部７６Ｂは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ａに積層されている。第１垂直部７６Ｂはその全面にわたり第１垂直部７６Ａと接触している。第２垂直部７７Ｂは、横方向Ｘにおいて第２垂直部７７Ａに積層されている。第２垂直部７７Ｂはその全面にわたり第２垂直部７７Ａと接触している。水平部７８Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて水平部７８Ａに積層されている。水平部７８Ｂはその全面にわたり水平部７８Ａと接触している。
　金属板７０Ｃの連結部７３Ｃは、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂ上に積層されている。より詳細には、金属板７０Ｃを縦方向Ｙからみた側面視における連結部７３Ｃの形状は、連結部７３Ａと同様に矩形凹状である。連結部７３Ｃは、第１垂直部７６Ｃ、第２垂直部７７Ｃ、及び水平部７８Ｃに区分できる。第１垂直部７６Ｃは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ｂに積層されている。第１垂直部７６Ｃはその全面にわたり第１垂直部７６Ｂと接触している。第２垂直部７７Ｃは、横方向Ｘにおいて第２垂直部７７Ｂに積層されている。第２垂直部７７Ｃはその全面にわたり第２垂直部７７Ｂと接触している。水平部７８Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて水平部７８Ｂに積層されている。水平部７８Ｃはその全面にわたり水平部７８Ｂと接触している。
　このように、金属板７０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部７１Ａは第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ａは第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ａは第１連結部の一例である。第１接続部７１Ａに形成されたレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃは第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ａに形成されたレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃは第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
　金属板７０Ｂは第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、第１接続部７１Ｂは第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ｂは第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ｂは第２連結部の一例である。第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅは第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅは第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
　金属板７０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部７１Ｃは第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ｃは第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ｃは第３連結部の一例である。第１接続部７１Ｃに形成されたレーザ接合部７４Ｆは第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ｃに形成されたレーザ接合部７５Ｆは第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
　（製造方法）
　次に、図２４～図２７を参照して、本実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。以下の説明において、半導体装置１Ａの符号が付された各構成要素は、図１～図２３の半導体装置１Ａの各構成要素を示す。
　図２４に示すように、半導体装置１Ａの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ１）、素子実装工程（ステップＳ２）、接合工程（ステップＳ３）、ワイヤ形成工程（ステップＳ４）、及び封止工程（ステップＳ５）を有する。本実施形態では、支持基板準備工程、素子実装工程、接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって、半導体装置１Ａが製造される。
　支持基板準備工程では、支持基板４０（図２参照）が準備される。具体的には、まず絶縁基板４１上に導電部材４２Ａ及び導電部材４２Ｂを互いに離間して接合する。そして、導電部材４２Ａ，４２Ｂ上に、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ及び複数の支持台２９を接合する。そして、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ上に一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂを接合する。
　素子実装工程では、導電部材４２Ａに第１半導体素子３０Ｕを実装し、導電部材４２Ｂに第２半導体素子３０Ｌを実装する。具体的には、導電部材４２Ａにおける第１半導体素子３０Ｕの実装領域に銀ペーストを塗布し、導電部材４２Ｂにおける第２半導体素子３０Ｌの実装領域に銀ペーストを塗布する。この塗布方法としては、例えばマスクを用いたスクリーン印刷が挙げられる。そして導電部材４２Ａにおける第１半導体素子３０Ｕの実装領域に第１半導体素子３０Ｕの素子裏面３２を接合し、導電部材４２Ｂにおける第２半導体素子３０Ｌの実装領域に第２半導体素子３０Ｌの素子裏面３２を接合する。なお、第１半導体素子３０Ｕ及び第２半導体素子３０Ｌの実装について、銀ペーストにかえて半田等の導電性接合材を用いてもよい。
　接合工程は、第１接合工程（ステップＳ３１）、第２接合工程（ステップＳ３２）、及び第３接合工程（ステップＳ３３）を含む。
　第１接合工程は、入力リード２１，２２及び出力リード２３を支持基板４０に接合する工程である。本実施形態では、まず、入力リード２１を導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。次に、入力リード２１に絶縁部材２８を取り付ける。次に、絶縁部材２８に入力リード２２を取り付ける。これにより、絶縁部材２８は、入力リード２１と入力リード２２とによって厚さ方向Ｚに挟み込まれる。また、入力リード２２の複数の延長部２２ｃはそれぞれ、支持台２９に載置される。次に、出力リード２３を導電部材４２Ｂに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。なお、入力リード２１，２２を導電部材４２Ａに接合する工程と、出力リード２３を導電部材４２Ｂに接合する工程との順番は任意に変更可能である。
　第２接合工程は、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂを形成するためのリードフレームを準備する第１工程と、側方リード２７Ａ，２７Ｂを支持基板４０に接合する第２工程とを含む。
　第１工程では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂが繋がったリードフレームを準備する。リードフレームでは、各リード２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，２６の端子部２４ｂ，２５ｂ，２６ｂがＬ字状に折り曲げられる前の状態で形成されている。
　第２工程では、リードフレームに繋げられた側方リード２７Ａを導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、リードフレームに繋げられた側方リード２７Ｂを導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合する。これらの接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。
　第３接合工程は、複数の第１駆動用リード６０を複数の第１半導体素子３０Ｕと入力リード２２の複数の延長部２２ｃとに接合する工程、及び複数の第２駆動用リード７０を複数の第２半導体素子３０Ｌと導電部材４２Ｂとに接合する工程である。第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕとの接合方法、第１駆動用リード６０と延長部２２ｃとの接合方法、第２駆動用リード７０と第２半導体素子３０Ｌとの接合方法、及び第２駆動用リード７０と導電部材４２Ｂとの接合方法は互いに同じである。このため、第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕとの接合方法について詳細に説明し、他の接合の説明を省略する。
　図２５～図２７に示すように、接合装置２００を用いて、第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とに第１駆動用リード６０が接合される。接合装置２００は、金属板を供給するリード供給部２１０と、レーザ溶接を行うためのレーザ照射部２２０とを備える。本実施形態では、リード供給部２１０の内部にレーザ照射部２２０が設けられている。リード供給部２１０及びレーザ照射部２２０はそれぞれ独立して横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚに移動可能なように構成されている。
　第１駆動用リード６０における第３接合工程は、駆動電極接続工程、第１連結部形成工程、及び導電体接続工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。
　図２５は、駆動電極接続工程を示している。駆動電極接続工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ａの第１接続部６１Ａを第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接続する工程である。
　図２５に示すように、リード供給部２１０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に金属製のリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。リボン材２３０は、例えばＣｕ（銅）である。レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいてソース電極３３側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査され、一直線状に照射される。これにより、ソース電極３３とリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、ソース電極３３上にレーザ接合部６４Ａが形成可能な横方向Ｘの長さのリボン材２３０を載置するように横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ａが形成される。次に、リード供給部２１０は、ソース電極３３上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｂが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｂが形成される。次に、リード供給部２１０は、ソース電極３３上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｃが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｃが形成される。以上の工程を経て、ソース電極３３上に金属板６０Ａの第１接続部６１Ａが形成され、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される。
　第１連結部形成工程では、金属板６０Ａの連結部６３Ａを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａが形成される。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに沿って第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ａの水平部６８Ａが形成される。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａが形成される。
　導電体接続工程は、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａを駆動用導電体である入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、延長部２２ｃの主面２２ｃｓにリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、延長部２２ｃ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。接合装置２００は、第１接続部６１Ａと同様に、延長部２２ｃへのリボン材２３０の供給とレーザ光による接合を繰り返すことによって、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃを形成する。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａが形成される。すなわち、金属板６０Ａが第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓとに接合される。
　次に、第１駆動用リード６０における第３接合工程では、第１素子側積層工程、第２連結部形成工程、及び第１導電体側積層工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。すなわち、導電体接続工程は、駆動電極接続工程の後、かつ第１素子側積層工程よりも前に行われる。
　図２６は、第１素子側積層工程を示している。第１素子側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂを金属板６０Ａの第１接続部６１Ａに積層した状態で第１接続部６１Ａに接続する工程である。
　図２６に示すように、リード供給部２１０は、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ａ側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査されて一直線状に照射される。これにより、第１接続部６１Ａとリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、まず、第１接続部６１Ａの先端縁に対して横方向Ｘにずれた位置にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。そしてリボン材２３０にレーザ接合部６４Ｄを形成可能な横方向Ｘの長さになるまでリード供給部２１０が移動したときにリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止する。そしてレーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｄが形成される。次に、リード供給部２１０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｅが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｅが形成される。以上の工程を経て、第１接続部６１Ａ上に金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂが形成され、第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される。
　第２連結部形成工程は、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｂの第１垂直部６６Ｂが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ａの水平部６８Ａに対して厚さ方向Ｚから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｂの水平部６８Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ｂの第２垂直部６７Ｂが形成される。
　第１導電体側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂを金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに積層した状態で第２接続部６２Ａに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、第２接続部６２Ａ上にリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、第２接続部６２Ａ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。接合装置２００は、第２接続部６２Ａと同様に、第２接続部６２Ａ上へのリボン材２３０の供給とレーザ光による接合を繰り返すことによって、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅを形成する。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂが形成される。すなわち、金属板６０Ｂが金属板６０Ａに積層され、かつ金属板６０Ａの第１接続部６１Ａと第２接続部６２Ａとに接合される。
　次に、第１駆動用リード６０における第３接合工程では、第２素子側積層工程、第３連結部形成工程、及び第２導電体側積層工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。すなわち、第１導電体側積層工程は、第１素子側積層工程の後、かつ第２素子側積層工程よりも前に行われる。
　図２７は、第２素子側積層工程を示している。第２素子側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃを金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂに積層した状態で第１接続部６１Ｂに接続する工程である。
　図２７に示すように、リード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂ上にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ｂ上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ｂ側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査されて一直線状に照射される。これにより、第１接続部６１Ｂとリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ｆが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、まず、第１接続部６１Ｂの先端縁に対して横方向Ｘにずれた位置にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。そしてリボン材２３０にレーザ接合部６４Ｆを形成可能な横方向Ｘの長さになるまでリード供給部２１０が移動したときにリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止する。そしてレーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ｂ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｆが形成される。次に、リード供給部２１０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さを第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの長さと同じ長さになるまでリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃが形成される。
　第３連結部形成工程は、金属板６０Ｃの連結部６３Ｃを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第１垂直部６６Ｂに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｃの第１垂直部６６Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ｂの水平部６８Ｂに対して厚さ方向Ｚから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｃの水平部６８Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第２垂直部６７Ｂに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ｃの第２垂直部６７Ｃが形成される。
　第２導電体側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃを金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに積層した状態で第２接続部６２Ｂに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、第２接続部６２Ｂ上にリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、第２接続部６２Ｂ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。これにより、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ｆを形成する。そしてリード供給部２１０は、第２接続部６２Ｂ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さが第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの長さになるまでリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。その後、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃが形成される。すなわち、金属板６０Ｃが金属板６０Ｂに積層され、かつ金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂと第２接続部６２Ｂとに接合される。以上の工程を経て、第１駆動用リード６０が形成される。
　第３接合工程では、第１駆動用リード６０の形成と同様に、第２駆動用リード７０が形成される。概略を述べると、接合装置２００によって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとを接合する金属板７０Ａが形成される。次に、金属板７０Ａに積層され、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａと第２接続部７２Ａのそれぞれに接合される金属板７０Ｂが形成される。最後に、金属板７０Ｂに積層され、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂと第２接続部７２Ｂのそれぞれに接合される金属板７０Ｃが形成される。
　ワイヤ形成工程は、ゲート層４４Ａ，４４Ｂ及び検出層４５Ａ，４５Ｂと、複数の半導体素子３０、制御リード２４Ａ，２４Ｂ、及び検出リード２５Ａ，２５Ｂを各ワイヤ５１～５８によって接続する工程である。換言すれば、接続工程は、各ワイヤ５１～５８を形成する工程である。各ワイヤ５１～５８は、ワイヤボンディングによって形成される。
　ワイヤ形成工程では、まず、複数の第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４とゲート層４４Ａとを接続する複数の第１制御用ワイヤ５１と、複数の第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４とゲート層４４Ｂとを接続する複数の第２制御用ワイヤ５２とを形成する。次に、複数の第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と検出層４５Ａとを接続する複数の第１検出用ワイヤ５５と、複数の第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と検出層４５Ｂとを接続する複数の第２検出用ワイヤ５６とを形成する。次に、ゲート層４４Ａと制御リード２４Ａとを接続する第１接続用ワイヤ５３と、ゲート層４４Ｂと制御リード２４Ｂとを接続する第２接続用ワイヤ５７とを形成する。最後に、検出層４５Ａと検出リード２５Ａとを接続する第１接続用ワイヤ５４と、検出層４５Ｂと検出リード２５Ｂとを接続する第２接続用ワイヤ５８とを形成する。なお、各ワイヤ５１～５８の形成順番は、上記の順番に限定されず、任意に変更可能である。
　封止工程では、例えば黒色のエポキシ樹脂を用いたトランスファーモールド成形によって封止樹脂１０を形成する。本実施形態では、入力リード２１，２２の一部、出力リード２３の一部、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの一部、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂの一部、複数のダミーリード２６の一部、複数の半導体素子３０、支持基板４０のうちの絶縁基板４１の基板裏面４１ｂ以外の部分、各ワイヤ５１～５８、複数の第１駆動用リード６０、及び複数の第２駆動用リード７０を覆うように封止樹脂１０を形成する。形成された封止樹脂１０からは、入力リード２１，２２の端子部２１ｂ，２２ｂ、出力リード２３の端子部２３ｂ、制御リード２４Ａ，２４Ｂの端子部２４ｂ、検出リード２５Ａ，２５Ｂの端子部２５ｂ、複数のダミーリード２６の端子部２６ｂ、及び絶縁基板４１の基板裏面４１ｂが露出する。
　その後、リードフレームから複数のリード２０の不要な部分を切断したり、制御リード２４Ａ，２４Ｂ、検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６を折り曲げたりすることによって、半導体装置１Ａが製造される。なお、上述の製造方法は、半導体装置の製造方法の一例であって、これに限定されず、適宜順序を入れ替えてもよい。
　（作用）
　本実施形態の半導体装置１Ａの作用について説明する。
　近年、ＳｉＣ等によって大電流を供給可能な半導体素子の開発が進められている。
　一方、半導体装置全体として、すなわち半導体装置における半導体素子以外の部品が半導体素子と同様に大電流化に対応しているとは言い難い。特に、半導体素子から端子までの間の接続ラインにおける大電流化において改善の余地がある。
　図２８及び図２９は、このような大電流化に対して改善の余地がある比較例の半導体装置の構成である。図２８は、第１比較例の半導体装置３００における３個の駆動用リード３１０と半導体素子３０との接合構造を示している。図２９は、第２比較例の半導体装置４００における４個の駆動用リード４１０と半導体素子３０との接合構造を示している。
　図２８に示すように、半導体装置３００における駆動用リード３１０は、半導体素子３０のソース電極３３に接合されている。駆動用リード３１０は、一対の第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３を有する。第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３はそれぞれ、１枚の金属板からなる。平面視における第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の形状はそれぞれ、横方向Ｘに延びる帯状である。一対の第１駆動用リード３１１，３１２は、縦方向Ｙに互いに隣り合うように配置されている。第２駆動用リード３１３は、厚さ方向Ｚからみて、第１駆動用リード３１２と重なるように配置されている。第２駆動用リード３１３は、第１駆動用リード３１２よりも厚さ方向Ｚの半導体素子３０側に位置している。
　第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３はそれぞれ、ソース電極３３に超音波溶接によって接合されている。第１駆動用リード３１１においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１１Ａの横方向Ｘの長さ、第１駆動用リード３１２においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１２Ａの横方向Ｘの長さ、及び第２駆動用リード３１３においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１３Ａの横方向Ｘの長さはそれぞれ、本実施形態の第１駆動用リード６０の第１接続部６１の横方向Ｘの長さよりも短い。このため、平面視において、ソース電極３３の面積に対する第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の素子側接続部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの面積が占める割合が小さい。
　この問題を解決するため、図２９に示すように、半導体装置４００における１個の駆動用リード４１０が半導体素子３０のソース電極３３に対して複数箇所で接合されている。図２９に示すとおり、各駆動用リード４１０は、横方向Ｘにおいて互いに離間した４個の素子側接続部４１１，４１２，４１３，４１４が形成されている。しかし、各駆動用リード４１０において素子側接続部４１１と素子側接続部４１２との横方向Ｘの間の部分、素子側接続部４１２と素子側接続部４１３との横方向Ｘの間の部分、素子側接続部４１３と素子側接続部４１４との横方向Ｘの間の部分はそれぞれ、ソース電極３３から厚さ方向Ｚに離間している。これらのソース電極３３から厚さ方向Ｚに離間する部分は、超音波溶接を行う際に横方向Ｘに各駆動用リード４１０を構成する金属板を振動させる関係上、形成せざるを得ない部分である。このため、平面視において、ソース電極３３の面積に対する素子側接続部４１１～４１４の面積が占める割合は、平面視において、ソース電極３３の面積に対する第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の素子側接続部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの面積が占める割合よりも大きくなるものの、未だ改善の余地がある。
　加えて、駆動用リード３１０，４１０をソース電極３３に超音波溶接によって接合するときにソース電極３３に加えられる負荷が大きくなる。超音波溶接によってソース電極３３に接合された素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４はそれぞれ、駆動用リード３１０，４１０を縦方向Ｙからみた側面視において、凸凹状である。これは、超音波溶接を行うときに金属板を組成変形させるまでソース電極３３に押し付けながら振動を加えるためである。その結果、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４は、金属板を厚さ方向Ｚに積層した構造とすることが困難である。仮に、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４は、金属板を厚さ方向Ｚに積層することが可能であるとしても、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４における厚さ方向Ｚに隣り合う金属板同士の接触面積が小さくなる。
　このような実情に鑑み、本実施形態では、レーザ溶接によって第１駆動用リード６０が第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合され、レーザ溶接によって第２駆動用リード７０が第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このため、第１駆動用リード６０の第１接続部６１がその略全面にわたりソース電極３３と接触した状態でソース電極３３と接合できる。したがって、ソース電極３３の面積に対する第１接続部６１（６１Ａ）の面積を大きくすることができる。またレーザ溶接による接合は、超音波溶接による接合と比較して、ソース電極３３に対する機械的負荷が小さい。このため、ソース電極３３に対する機械的負荷に起因する悪影響をソース電極３３が受け難くなる。
　（効果）
　本実施形態の半導体装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌに接続された金属板６０Ａ、及び金属板６０Ａに積層された金属板６０Ｂを有する。金属板６０Ａは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接続された第１接続部６１Ａを有し、金属板６０Ｂは、第１接続部６１Ａに接続された第１接続部６１Ｂを有する。第１接続部６１Ａ及び第１接続部６１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第１接続部６１におけるソース電極３３の接合面積を大きくすることができ、かつ第１駆動用リード６０の第１接続部６１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０に流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
　第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕに接続された金属板７０Ａ、及び金属板７０Ａに積層された金属板７０Ｂを有する。金属板７０Ａは、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接続された第１接続部７１Ａを有し、金属板７０Ｂは、第１接続部７１Ａに接続された第１接続部７１Ｂを有する。第１接続部７１Ａ及び第１接続部７１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における断面積を大きくすることができ、第２駆動用リード７０の第１接続部７１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０に流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
　（１－２）第１駆動用リード６０は、金属板６０Ｂに積層された金属板６０Ｃを有する。金属板６０Ｃは、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂに接続された第１接続部６１Ｃを有する。第１接続部６１Ｂ及び第１接続部６１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第１接続部６１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０への許容電流量をより増大させることができる。
　第２駆動用リード７０は、金属板７０Ｂに積層された金属板７０Ｃを有する。金属板７０Ｃは、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂに接続された第１接続部７１Ｃを有する。第１接続部７１Ｂ及び第１接続部７１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第１接続部７１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０への許容電流量をより増大させることができる。
　（１－３）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ａに形成されたレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板６０Ａ，６０Ｂの第１接続部６１Ａ，６１Ｂのレーザ接合部６４Ａ～６４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第１接続部６１Ａと第１接続部６１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板６０Ａから金属板６０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
　第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ａに形成されたレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板７０Ａ，７０Ｂの第１接続部７１Ａ，７１Ｂのレーザ接合部７４Ａ～７４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第１接続部７１Ａと第１接続部７１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板７０Ａから金属板７０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
　（１－４）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂの平坦面と金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃが接触した状態でレーザ接合部６４Ｆによって第１接続部６１Ｂ，６１Ｃ同士が接合される。したがって、第１接続部６１Ｂと第１接続部６１Ｃとを接合し易くなる。
　第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ｃに形成されたレーザ接合部７４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂの平坦面と金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃが接触した状態でレーザ接合部７４Ｆによって第１接続部７１Ｂ，７１Ｃ同士が接合される。したがって、第１接続部７１Ｂと第１接続部７１Ｃとを接合し易くなる。
　（１－５）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ｃのレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ａのレーザ接合部６４Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部６４Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部６４Ｆの位置をレーザ接合部６４Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部６４Ｆがレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重なり難くなる。
　第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ｃのレーザ接合部７４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部７４Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部７４Ｆの位置をレーザ接合部７４Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部７４Ｆがレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重なり難くなる。
　（１－６）金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂにおけるレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの数は、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａにおけるレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの数よりも少なく、金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃにおけるレーザ接合部６４Ｆの数は、第１接続部６１Ｂにおけるレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数を少なくできる。
　金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅの数は、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａにおけるレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃの数よりも少なく、金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃにおけるレーザ接合部７４Ｆの数は、第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数が少なくなる。
　（１－７）第１駆動用リード６０の金属板６０Ａは、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接続された第２接続部６２Ａを有し、金属板６０Ｂは、第２接続部６２Ａに接続された第２接続部６２Ｂを有する。第２接続部６２Ａ及び第２接続部６２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２における延長部２２ｃの主面２２ｃｓの接合面積を大きくすることができ、かつ第１駆動用リード６０の第２接続部６２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から延長部２２ｃに流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
　第２駆動用リード７０の金属板７０Ａは、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接続された第２接続部７２Ａを有し、金属板７０Ｂは、第２接続部７２Ａに接続された第２接続部７２Ｂを有する。第２接続部７２Ａ及び第２接続部７２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における断面積を大きくすることができ、第２接続部７２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂに流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
　（１－８）第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃは、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに接続された第２接続部６２Ｃを有する。第２接続部６２Ｂ及び第２接続部６２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から延長部２２ｃへの許容電流量をより増大させることができる。
　第２駆動用リード７０の金属板７０Ｃは、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂに接続された第２接続部７２Ｃを有する。第２接続部７２Ｂ及び第２接続部７２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第２接続部７２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂへの許容電流量をより増大させることができる。
　（１－９）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ａに形成されたレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板６０Ａ，６０Ｂの第２接続部６２Ａ，６２Ｂのレーザ接合部６５Ａ～６５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第２接続部６２Ａと第２接続部６２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板６０Ａから金属板６０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
　第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ａに形成されたレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板７０Ａ，７０Ｂの第２接続部７２Ａ，７２Ｂのレーザ接合部７５Ａ～７５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第２接続部７２Ａと第２接続部７２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板７０Ａから金属板７０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
　（１－１０）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂの平坦面と金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃが接触した状態でレーザ接合部６５Ｆによって第２接続部６２Ｂ，６２Ｃ同士が接合される。したがって、第２接続部６２Ｂと第２接続部６２Ｃとを接合し易くなる。
　第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ｃに形成されたレーザ接合部７５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂのレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂの平坦面と金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃが接触した状態でレーザ接合部７５Ｆによって第２接続部７２Ｂ，７２Ｃ同士が接合される。したがって、第２接続部７２Ｂと第２接続部７２Ｃとを接合し易くなる。
　（１－１１）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部６５Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部６５Ｆの位置をレーザ接合部６５Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部６５Ｆがレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重なり難くなる。
　第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ｃのレーザ接合部７５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ａのレーザ接合部７５Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部７５Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂのレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部７５Ｆの位置をレーザ接合部７５Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部７５Ｆがレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重なり難くなる。
　（１－１２）金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂにおけるレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの数は、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａにおけるレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの数よりも少なく、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃにおけるレーザ接合部６５Ｆの数は、第２接続部６２Ｂにおけるレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数を少なくできる。
　金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂにおけるレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅの数は、金属板７０Ａの第２接続部７２Ａにおけるレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃの数よりも少なく、金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃにおけるレーザ接合部７５Ｆの数は、第２接続部７２Ｂにおけるレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数が少なくなる。
　（１－１３）金属板６０Ａの連結部６３Ａ及び金属板６０Ｂの連結部６３Ｂは積層されている。このため、連結部６３Ａと連結部６３Ｂとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部６３Ａと連結部６３Ｂとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板６０Ａ，６０Ｂとの熱膨張係数の差に起因して金属板６０Ａと金属板６０Ｂとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第１駆動用リード６０の信頼性の低下を抑制できる。
　また、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂ及び金属板６０Ｃの連結部６３Ｃは積層されている。このため、連結部６３Ｂと連結部６３Ｃとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部６３Ｂと連結部６３Ｃとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板６０Ｂ，６０Ｃとの熱膨張係数の差に起因して金属板６０Ｂと金属板６０Ｃとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第１駆動用リード６０の信頼性の低下を抑制できる。
　金属板７０Ａの連結部７３Ａ及び金属板７０Ｂの連結部７３Ｂは積層されている。このため、連結部７３Ａと連結部７３Ｂとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部７３Ａと連結部７３Ｂとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板７０Ａ，７０Ｂとの熱膨張係数の差に起因して金属板７０Ａと金属板７０Ｂとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第２駆動用リード７０の信頼性の低下を抑制できる。
　また、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂ及び金属板７０Ｃの連結部７３Ｃは積層されている。このため、連結部７３Ｂと連結部７３Ｃとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部７３Ｂと連結部７３Ｃとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板７０Ｂ，７０Ｃとの熱膨張係数の差に起因して金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第２駆動用リード７０の信頼性の低下を抑制できる。
　（１－１４）金属板６０Ａの第１接続部６１Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合にソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と第１接続部６１Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０への許容電流量を増大させることができる。
　金属板７０Ａの第１接続部７１Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合にソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と第１接続部７１Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０への許容電流量を増大させることができる。
　（１－１５）金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部６１Ａに接合される。この構成によれば、第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される場合に第１接続部６１Ａを介して第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される場合と比較して、第１接続部６１Ａと第１接続部６１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部６１Ａから第１接続部６１Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
　金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部７１Ａに接合される。この構成によれば、第１接続部７１Ｂが第１接続部７１Ａに接合される場合に第１接続部７１Ａを介して第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ｂが第１接続部７１Ａに接合される場合と比較して、第１接続部７１Ａと第１接続部７１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部７１Ａから第１接続部７１Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
　（１－１６）金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部６１Ｂに接合される。この構成によれば、第１接続部６１Ｃが第１接続部６１Ｂに接合される場合に第１接続部６１Ａ，６１Ｂを介して第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ｃが第１接続部６１Ｂに接合される場合と比較して、第１接続部６１Ｂと第１接続部６１Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部６１Ｂから第１接続部６１Ｃへスムーズに電流を流すことができる。
　金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部７１Ｂに接合される。この構成によれば、第１接続部７１Ｃが第１接続部７１Ｂに接合される場合に第１接続部７１Ａ，７１Ｂを介して第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
　加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ｃが第１接続部７１Ｂに接合される場合と比較して、第１接続部７１Ｂと第１接続部７１Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部７１Ｂから第１接続部７１Ｃへスムーズに電流を流すことができる。
　（１－１７）金属板６０Ａの第２接続部６２Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ａが延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される場合と比較して、延長部２２ｃの主面２２ｃｓと第２接続部６２Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から入力リード２２への許容電流量を増大させることができる。
　金属板７０Ａの第２接続部７２Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ａが導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される場合と比較して、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂと第２接続部７２Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂへの許容電流量を増大させることができる。
　（１－１８）金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部６２Ａに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ｂが第２接続部６２Ａに接合される場合と比較して、第２接続部６２Ａと第２接続部６２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部６２Ｂから第２接続部６２Ａへスムーズに電流を流すことができる。
　金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部７２Ａに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ｂが第２接続部７２Ａに接合される場合と比較して、第２接続部７２Ａと第２接続部７２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部７２Ｂから第２接続部７２Ａへスムーズに電流を流すことができる。
　（１－１９）金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部６２Ｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ｃが第２接続部６２Ｂに接合される場合と比較して、第２接続部６２Ｂと第２接続部６２Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部６２Ｃから第２接続部６２Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
　金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部７２Ｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ｃが第２接続部７２Ｂに接合される場合と比較して、第２接続部７２Ｂと第２接続部７２Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部７２Ｃから第２接続部７２Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
　（１－２０）検出層４５Ａ，４５Ｂは、横方向Ｘにいてゲート層４４Ａ，４４Ｂよりも半導体素子３０の近くに配置されている。この構成によれば、半導体素子３０のソース電極３３と検出層４５Ａ，４５Ｂとの間の距離を短くすることができるため、第１検出用ワイヤ５５及び第２検出用ワイヤ５６のそれぞれを短くすることができる。したがって、第１検出用ワイヤ５５及び第２検出用ワイヤ５６に起因するインダクタンスを低減できる。
　［第２実施形態］
　図３０～図３２を参照して、第２実施形態の半導体装置１Ｂについて説明する。本実施形態では、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、入力リード２２の構成、及び第１駆動用リード６０が省略された点が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
　図３０及び図３１に示すように、入力リード２２は、第１実施形態と同様に、パッド部２２ａ、端子部２２ｂ、複数の延長部２２ｃ、連結部２２ｄ、及び中間部２２ｅを有する。本実施形態の入力リード２２は、第１実施形態の入力リード２２と比較して、複数の延長部２２ｃの形状が異なる。
　図３２（ａ）に示すように、複数の延長部２２ｃは、横方向Ｘにおいて支持台２９よりも第２半導体素子３０Ｌに向かって延びている。各延長部２２ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と重なるように形成されている。図３２（ｂ）に示すように、各延長部２２ｃにおいて第２半導体素子３０Ｌと厚さ方向Ｚに対向する先端部は、厚さ方向Ｚに延びる接続部２２ｇが設けられている。接続部２２ｇは、各延長部２２ｃと一体形成されている。各接続部２２ｇによって、延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌとの厚さ方向Ｚにおける高低差を解消している。接続部２２ｇは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このように、入力リード２２が第２半導体素子３０Ｌと直接的に接続されるため、第１駆動用リード６０が不要となる。なお、接続部２２ｇは、延長部２２ｃと別体として形成されてもよい。
　本実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法では、第１実施形態の半導体装置１Ａの製造方法と比較して、第１接合工程における入力リード２２の接合方法と、第３接合工程から第１駆動用リード６０による第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３及び延長部２２ｃの接合工程が省略された点が異なる。
　第１接合工程では、まず、入力リード２１を導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。次に、入力リード２１に絶縁部材２８を取り付ける。次に、絶縁部材２８に入力リード２２を取り付ける。これにより、絶縁部材２８は、入力リード２１と入力リード２２とによって厚さ方向Ｚに挟み込まれる。また、入力リード２２の複数の延長部２２ｃはそれぞれ、支持台２９に載置される。また各延長部２２ｃの先端部に設けられた接続部２２ｇは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３上に載置される。そして、接続部２２ｇをソース電極３３に例えば超音波溶接によって接合する。なお、接続部２２ｇが延長部２２ｃと別体として形成される場合、例えば、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接続部２２ｇを接合した後、接続部２２ｇと延長部２２ｃとを接合する。また、この接合の順番は任意に変更可能である。接続部２２ｇを延長部２２ｃに接合した後、接続部２２ｇをソース電極３３に接合してもよい。
　本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（２－１）入力リード２２の複数の延長部２２ｃが第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に直接的に接合されるため、すなわち第１駆動用リード６０が省略されるため、半導体装置１Ｂの部品点数が少なくなる。また延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合のための工数は、第１駆動用リード６０と第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合のための工数よりも少ないため、第３接合工程の工数を少なくすることができる。
　［第３実施形態］
　図３３を参照して、第３実施形態の半導体装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｃでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、封止樹脂１０の形状が異なる。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　図３３に示すように、本実施形態の封止樹脂１０Ｃは、第１実施形態の封止樹脂１０と比較して、縦方向Ｙの両端部が横方向Ｘに延びている。封止樹脂１０Ｃの横方向Ｘの長さＬＸ１は、横方向Ｘにおける絶縁部材２８の先端部と出力リード２３の先端部とを結ぶ長さＬＸ２よりも長い。このように、封止樹脂１０Ｃは、入力リード２１の端子部２１ｂ（図３３では図示略）の一部、入力リード２２の端子部２２ｂの一部、絶縁部材２８の一部を覆うように構成されている。
　封止樹脂１０Ｃには、入力リード２１，２２の一部及び絶縁部材２８の一部を露出する第１凹部１９Ａと、出力リード２３の一部を露出する第２凹部１９Ｂとが設けられている。第１凹部１９Ａ及び第２凹部１９Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂１０Ｃを貫通するように形成されている。第１凹部１９Ａは、封止樹脂１０Ｃのうちの第１樹脂側面１１側の部分に設けられ、第１樹脂側面１１から第２樹脂側面１２に向けて横方向Ｘに凹んでいる。第２凹部１９Ｂは、封止樹脂１０Ｃのうちの第２樹脂側面１２側の部分に設けられ、第２樹脂側面１２から第１樹脂側面１１に向けて横方向Ｘに凹んでいる。
　本実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（３－１）封止樹脂１０Ｃが入力リード２１の端子部２１ｂの一部、入力リード２２の端子部２２ｂの一部、絶縁部材２８の一部を覆うことにより、半導体装置１Ａの封止樹脂１０から突出した端子部２１ｂ，２２ｂ及び絶縁部材２８を保護できる。
　［第４実施形態］
　図３４及び図３５を参照して、第４実施形態の半導体装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｄでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、支持基板の構成が異なる。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　本実施形態の支持基板４０Ｄは、例えばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板と呼ばれる構造体である。なお、ＤＢＣに代えて、ＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）基板と呼ばれる構造体を用いてもよい。支持基板４０Ｄの少なくとも一部は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。支持基板４０Ｄは、絶縁基板４６、主面金属層４７、及び裏面金属層４８を備える。
　絶縁基板４６は、電気絶縁性を有する。絶縁基板４６の構成材料は、絶縁基板４１と同様に、セラミックスである。なお、絶縁基板４６は、絶縁樹脂シートが用いられてもよい。絶縁基板４６は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。絶縁基板４６は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４６ａ及び基板裏面４６ｂを有する。
　主面金属層４７は、基板主面４６ａの一部を覆うように形成されている。主面金属層４７の構成材料は、銅である。なお、支持基板４０ＤがＤＢＡである場合、主面金属層４７の構成材料はアルミニウムである。主面金属層４７は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。主面金属層４７は、例えばエッチングによってパターニングされており、互いに離間する複数のパターン電極４７Ａ～４７Ｅを含む。
　平面視におけるパターン電極４７Ａの形状は、Ｌ字状である。パターン電極４７Ａには、複数の第１半導体素子３０Ｕが例えば銀ペーストを介して導通接合されている。パターン電極４７Ａは、各第１半導体素子３０Ｕの裏面側電極であるドレイン電極３５に導通する。パターン電極４７Ａには、図示しないＰ端子（入力リード２１に対応）が接続されている。このＰ端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
　平面視におけるパターン電極４７Ｂの形状は、Ｌ字状である。パターン電極４７Ｂは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ａと隣り合うように配置されている。パターン電極４７ＢのＬ字の向きがパターン電極４７ＡのＬ字の向きと逆である。パターン電極４７Ｂには、複数の第２半導体素子３０Ｌが例えば銀ペーストを介して導通接合されている。パターン電極４７Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌの裏面側電極であるドレイン電極３５に導通する。パターン電極４７Ｂには、図示しない出力端子（出力リード２３に対応）が接続されている。この出力端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
　平面視におけるパターン電極４７Ｃの形状は、略Ｔ字状である。パターン電極４７Ｃは、パターン電極４７Ｂに対してパターン電極４７Ａとは縦方向Ｙの反対側かつパターン電極４７Ｂと隣り合うように配置されている。パターン電極４７Ｃには、図示しないＮ端子（入力リード２２に対応）が接続されている。このＮ端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
　一対のパターン電極４７Ｄは、支持基板４０Ｄの縦方向Ｙの両端部に配置されている。平面視における各パターン電極４７Ｄの形状は、横方向Ｘに延びる略直線状である。一方のパターン電極４７Ｄは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ａに対してパターン電極４７Ｂとは反対側にパターン電極４７Ａと隣り合うように配置されている。他方のパターン電極４７Ｄは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ｃに対してパターン電極４７Ｂとは反対側にパターン電極４７Ｃと隣り合うように配置されている。一方のパターン電極４７Ｄは、図示しない第１制御用ワイヤを介して各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４に導通している。他方のパターン電極４７Ｄは、図示しない第２制御用ワイヤを介して各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４に導通している。一対のパターン電極４７Ｄにはそれぞれ、図示しないゲート端子（制御リード２４Ａ，２４Ｂに対応）が接続されている。ゲート端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
　一対のパターン電極４７Ｅは、支持基板４０Ｄの縦方向Ｙの両端部に配置されている。平面視における各パターン電極４７Ｅの形状は、横方向Ｘに延びる直線状である。一方のパターン電極４７Ｅは、縦方向Ｙにおいて一方のパターン電極４７Ｄに対してパターン電極４７Ａとは反対側にパターン電極４７Ｄと隣り合うように配置されている。他方のパターン電極４７Ｅは、縦方向Ｙにおいて他方のパターン電極４７Ｄに対してパターン電極４７Ｃとは反対側にパターン電極４７Ｄと隣り合うように配置されている。一方のパターン電極４７Ｅは、図示しない第１検出用ワイヤを介して各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に導通している。他方のパターン電極４７Ｅは、図示しない第２検出用ワイヤを介して各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に導通している。一対のパターン電極４７Ｅにはそれぞれ、図示しない検出端子（検出リード２５Ａ，２５Ｂに対応）が接続されている。検出端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
　裏面金属層４８は、絶縁基板４６の基板裏面４６ｂの少なくとも一部を覆うように形成されている。裏面金属層４８の構成材料は、銅である。なお、支持基板４０ＤがＤＢＡである場合、裏面金属層４８の構成材料はアルミニウムである。裏面金属層４８は、図示しない封止樹脂１０に覆われていてもよいし、厚さ方向Ｚに向く面が封止樹脂１０から露出していてもよい。
　半導体装置１Ｄは、複数の第１駆動用リード８０及び複数の第２駆動用リード９０を備える。第１駆動用リード８０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とパターン電極４７Ｂとを接続している。このため、パターン電極４７Ｂは駆動用導電体の一例である。第１駆動用リード８０の個数は、第１半導体素子３０Ｕの個数に応じて決められる。第２駆動用リード９０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とパターン電極４７Ｃとを接続している。このため、パターン電極４７Ｃは駆動用導電体の一例である。第２駆動用リード９０の個数は、第２半導体素子３０Ｌの個数に応じて決められる。
　図３４及び図３５に示すように、第１駆動用リード８０及び第２駆動用リード９０の構成は、第１実施形態の第１駆動用リード６０及び第２駆動用リード７０の構成と同様である。すなわち、第１駆動用リード８０は、金属板８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部８１、第２接続部８２、及び連結部８３を有する。第２駆動用リード９０は、金属板９０Ａ，９０Ｂ，９０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部９１、第２接続部９２、及び連結部９３を有する。また、本実施形態では、横方向Ｘからみた側面視において、第１駆動用リード８０の形状と第２駆動用リード９０の形状とは互いに等しい。なお、側面視における第１駆動用リード８０の形状及び第２駆動用リード９０の形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば側面視における第１駆動用リード８０の形状と第２駆動用リード９０の形状とは互いに異なってもよい。
　第１駆動用リード８０の第１接続部８１は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部８１における第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３との接合構造は、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部８１における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部７１における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　第１駆動用リード８０の第２接続部８２は、パターン電極４７Ｂとレーザ溶接によって接合されている。第２接続部８２におけるパターン電極４７Ｂとの接合構造は、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における導電部材４２Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部８２における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第２接続部７２における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　第１駆動用リード８０を横方向Ｘからみた側面視における第１駆動用リード８０の連結部８３の形状は、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状と同じである。
　第２駆動用リード９０の第１接続部９１は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部９１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造は、第１駆動用リード８０の第１接続部８１における第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部９１における金属板９０Ａと金属板９０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板９０Ｂと金属板９０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部８１における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　第２駆動用リード９０の第２接続部９２は、パターン電極４７Ｃとレーザ溶接によって接合されている。第２接続部９２におけるパターン電極４７Ｃとの接合構造は、第１駆動用リード８０の第２接続部８２におけるパターン電極４７Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部９２における金属板９０Ａと金属板９０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板９０Ｂと金属板９０Ｃとのレーザ溶接による接続構造は、第２接続部８２における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　第２駆動用リード９０を横方向Ｘからみた側面視における第２駆動用リード９０の連結部９３の形状は、第１駆動用リード８０を横方向Ｘからみた側面視における連結部８３の形状と同じである。なお、本実施形態の半導体装置１Ｄによれば、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。
　また、金属板８０Ａ，９０Ａはそれぞれ半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部８１Ａ，９１Ａはそれぞれ第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ａ，９２Ａはそれぞれ第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ａ，９３Ａはそれぞれ第１連結部の一例である。第１接続部８１Ａ，９１Ａに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ａ，９２Ａに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
　金属板８０Ｂ，９０Ｂはそれぞれ第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、第１接続部８１Ｂ，９１Ｂはそれぞれ第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ｂ，９２Ｂはそれぞれ第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ｂ，９３Ｂはそれぞれ第２連結部の一例である。第１接続部８１Ｂ，９１Ｂに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ｂ，９２Ｂに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
　金属板８０Ｃ，９０Ｃはそれぞれ第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部８１Ｃ，９１Ｃはそれぞれ第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ｃ，９２Ｃはそれぞれ第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ｃ，９３Ｃはそれぞれ第３連結部の一例である。第１接続部８１Ｃ，９１Ｃに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ｃ，９２Ｃに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
　本実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法では、第３接合工程を第１実施形態の半導体装置１Ａの第３接合工程と異なる。半導体装置１Ｄの製造方法の第３接合工程では、金属板８０Ａを第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とパターン電極４７Ｂとに接合した後、金属板９０Ａを第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とパターン電極４７Ｃに接合する。次に、金属板８０Ｂを金属板８０Ａに接合した後、金属板９０Ｂを金属板９０Ａに接合する。最後に、金属板８０Ｃを金属板８０Ｂに接合した後、金属板９０Ｃを金属板９０Ｂに接合する。本実施形態では、上記工程を３回繰り返すことによって、３個の第１駆動用リード８０及び第２駆動用リード９０が形成される。なお、本実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法の第３接合工程を、第１実施形態の半導体装置１Ａの製造方法の第３接合工程と同様の工程としてもよい。
　［第５実施形態］
　図３６及び図３７を参照して、第５実施形態の半導体装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｅでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、１つの半導体素子３０を備えたディスクリート半導体である点が異なる。なお、本実施形態では、半導体素子３０はＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子に限られず、ダイオードなどの各種の半導体素子であってもよい。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。なお、便宜上、図３６では、封止樹脂１０Ｅを二点鎖線で示している。
　本実施形態の半導体装置１Ｅは、リードフレーム１００を備える、いわゆるリードフレーム構造である。リードフレーム１００の構成材料は、特に限定されないが、例えば銅又は銅合金である。リードフレーム１００は、ダイパッド部１１０及び複数の端子部１２０を有する。
　図３６及び図３７に示すように、ダイパッド部１１０は、半導体素子３０が搭載される部分である。本実施形態では、ダイパッド部１１０には、１個の半導体素子３０が搭載されている。半導体素子３０は、例えば銀ペーストによってダイパッド部１１０に接合されている。半導体素子３０の裏面側電極であるドレイン電極３５は、ダイパッド部１１０と導通する。本実施形態の半導体素子３０は、素子主面３１に形成された検出電極３７をさらに有する。一例では、検出電極３７は、ゲート電極３４とソース電極３３とによって囲まれた領域に形成されている。
　複数の端子部１２０は、駆動端子部１２０Ａ、制御端子部１２０Ｂ、及び検出端子部１２０Ｃを含む。駆動端子部１２０Ａは、半導体素子３０のソース電流が流れる端子である。制御端子部１２０Ｂは、半導体素子３０のゲート電極３４にゲート電圧を印加するための端子である。検出端子部１２０Ｃは、例えば半導体素子３０の温度を検出するための端子である。
　駆動端子部１２０Ａは、パッド部１２１及び複数の端子部１２２を有する。本実施形態では、駆動端子部１２０Ａは、パッド部１２１及び複数の端子部１２２が一体形成された単一部材である。平面視におけるパッド部１２１の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。厚さ方向Ｚにおいて、パッド部１２１は、ダイパッド部１１０よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５側となるように配置されている。またパッド部１２１は、半導体素子３０のソース電極３３よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５側となるように配置されている。複数の端子部１２２は、横方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。
　制御端子部１２０Ｂは、パッド部１２３及び端子部１２４を有する。本実施形態では、制御端子部１２０Ｂは、パッド部１２３及び端子部１２４が一体形成された単一部材である。パッド部１２３は、厚さ方向Ｚにおいて駆動端子部１２０Ａのパッド部１２１と揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。制御端子部１２０Ｂとゲート電極３４とは、制御用ワイヤ１３１によって接続されている。制御用ワイヤ１３１は、例えばワイヤボンディングによって制御端子部１２０Ｂのパッド部１２３とゲート電極３４とのそれぞれに接合されている。
　検出端子部１２０Ｃは、パッド部１２５及び端子部１２６を有する。本実施形態では、検出端子部１２０Ｃは、パッド部１２５及び端子部１２６が一体形成された単一部材である。パッド部１２５は、厚さ方向Ｚにおいて制御端子部１２０Ｂのパッド部１２３と揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。本実施形態では、検出端子部１２０Ｃの形状は、制御端子部１２０Ｂの形状と同じである。検出端子部１２０Ｃと検出電極３７とは、検出用ワイヤ１３２によって接続されている。検出用ワイヤ１３２は、例えばワイヤボンディングによって検出端子部１２０Ｃのパッド部１２５と検出電極３７とのそれぞれに接合されている。
　封止樹脂１０Ｅは、ダイパッド部１１０の一部、半導体素子３０、各端子部１２０の一部、制御用ワイヤ１３１、及び検出用ワイヤ１３２を封止する。封止樹脂１０Ｅは、第１実施形態の封止樹脂１０を構成する材料と同じ材料が用いられている。一例では、封止樹脂１０Ｅを構成する材料は、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
　図３７に示すように、ダイパッド部１１０の裏面１１１は、封止樹脂１０Ｅから露出している。また、駆動端子部１２０Ａの端子部１２２、制御端子部１２０Ｂの端子部１２４、及び検出端子部１２０Ｃの端子部１２６はそれぞれ、封止樹脂１０Ｅから縦方向Ｙに突出している。
　半導体装置１Ｅは、駆動用リード１４０を備える。駆動用リード１４０は、駆動端子部１２０Ａとソース電極３３とを接続している。このため、駆動端子部１２０Ａは駆動用導電体の一例である。駆動用リード１４０は、封止樹脂１０Ｅによって封止されている。
　図３７に示すように、駆動用リード１４０の構成は、第１実施形態の第２駆動用リード７０の構成と同様である。すなわち、駆動用リード１４０は、金属板１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部１４１、第２接続部１４２、及び連結部１４３を有する。
　駆動用リード１４０の第１接続部１４１は、半導体素子３０のソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部１４１における半導体素子３０のソース電極３３との接合構造は、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部１４１における金属板１４０Ａと金属板１４０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板１４０Ｂと金属板１４０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部７１における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　駆動用リード１４０の第２接続部１４２は、駆動端子部１２０Ａのパッド部１２１とレーザ溶接によって接合されている。第２接続部１４２におけるパッド部１２１との接合構造は、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における導電部材４２Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部１４２における金属板１４０Ａと金属板１４０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板１４０Ｂと金属板１４０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第２接続部７２における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
　駆動用リード１４０を横方向Ｘからみた側面視における駆動用リード１４０の連結部１４３の形状は、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状と概ね同じである。なお、本実施形態の半導体装置１Ｅによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａと同様の効果が得られる。
　また、金属板１４０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、金属板１４０Ａの第１接続部１４１は第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ａの第２接続部１４２は第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ａの連結部１４３は第１連結部の一例である。金属板１４０Ａの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ａの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
　金属板１４０Ｂは第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、金属板１４０Ｂの第１接続部１４１は第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ｂの第２接続部１４２は第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ｂの連結部１４３は第２連結部の一例である。金属板１４０Ｂの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ｂの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
　金属板１４０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、金属板１４０Ｃの第１接続部１４１は第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ｃの第２接続部１４２は第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ｃの連結部１４３は第３連結部の一例である。金属板１４０Ｃの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ｃの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
　［各実施形態に共通の変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
　・上記各実施形態において、半導体素子３０のソース電極３３に接合される駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の数は任意に変更可能である。例えば、第１実施形態の半導体素子３０のサイズよりも大きいサイズの半導体素子３０が用いられる一方、第１実施形態のリボン材２３０と同じサイズのリボン材２３０によって駆動用リードが形成される場合、複数の駆動用リード（複数の駆動用接続部材）を半導体素子３０のソース電極３３に接続できる。この場合、複数の駆動用リード（複数の駆動用接続部材）は、縦方向Ｙに並んで配置される。一例として、図３８では、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に２個の第２駆動用リード７０が接合される構成を例示している。
　図３８に示すように、ソース電極３３には、２個の第２駆動用リード７０の第１接続部７１がレーザ溶接によって接合されている。各第１接続部７１のソース電極３３への接合構造はそれぞれ、第１実施形態の第２駆動用リード７０の第１接続部７１のソース電極３３への接合構造と同じである。また図３８の各第１接続部７１の金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１実施形態の第２駆動用リード７０の第１接続部７１の金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。この構成によれば、２個の第２駆動用リード７０を共通のリボン材２３０によって形成されるため、２個の第２駆動用リード７０を個別のリボン材によって形成される場合と比較して、第３接合工程を簡素化できる。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第１接続部及び第２接続部におけるレーザ接合部の縦方向Ｙの大きさはそれぞれ任意に変更可能である。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第１接続部を構成する複数の金属板の先端縁が厚さ方向Ｚからみて揃っていてもよい。また、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第２接続部を構成する複数の金属板の先端縁が厚さ方向Ｚからみて揃っていてもよい。
　・上記各実施形態において、リード供給部２１０とレーザ照射部２２０とが別体として設けられてもよい。この場合、リード供給部２１０とレーザ照射部２２０とは個別に移動可能である。これにより、レーザ照射部２２０によって形成されるレーザ接合部の平面視における形状の自由度を高めることができる。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）について、平面視におけるレーザ接合部の形状は任意に変更可能である。ここでは、例えば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２を用いてレーザ接合部の形状について説明する。
　（Ａ）図３９Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚが同心円となる。レーザ接合部６５Ｘの直径は、レーザ接合部６５Ｙの直径及びレーザ接合部６５Ｚの直径よりも大きい。レーザ接合部６５Ｙの直径は、レーザ接合部６５Ｚの直径よりも大きい。
　図３９Ｂに示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。
　なお、レーザ接合部６５Ｘの直径、レーザ接合部６５Ｙの直径、及びレーザ接合部６５Ｚの直径はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの直径がレーザ接合部６５Ｙの直径よりも大きくてもよい。
　また、各第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部の数は任意に変更可能である。一例では、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｘと同心円となり、レーザ接合部６５Ｚの直径と同じ直径を有するレーザ接合部を追加してもよい。また、第２接続部６２Ａにおいて、レーザ接合部６５Ｘの直径は、レーザ接合部６５Ｚと同じ直径に変更してもよい。これらの場合、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｚと重なる。
　（Ｂ）図４０Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚが互いに相似となる矩形枠状に形成されている。レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさがそれぞれ、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさ、並びにレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きい。レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きい。このため、平面視において、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｙ及びレーザ接合部６５Ｚの周囲を取り囲むように形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ｙは、レーザ接合部６５Ｚの周囲を取り囲むように形成されている。
　図４０Ｂに示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。
　なお、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさがそれぞれレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きくてもよい。この場合、平面視において、レーザ接合部６５Ｚがレーザ接合部６５Ｙの周囲を取り囲むように形成される。
　また、各第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部の数は任意に変更可能である。一例では、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさと同じ大きさのレーザ接合部を追加してもよい。このレーザ接合部は、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｚと重なるように形成される。また、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｘとして、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさと同じ大きさのレーザ接合部を形成してもよい。これらの場合、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｚと重なる。
　（Ｃ）図４１Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚがそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。
　図４１Ｂに示すように、第２接続部６２Ａには、３個のレーザ接合部６５Ｘが形成されている。第２接続部６２Ｂには、２個のレーザ接合部６５Ｙが形成されている。第２接続部６２Ｃには、１個のレーザ接合部６５Ｚが形成されている。３個のレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、２個のレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。２個のレーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、１個のレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。１個のレーザ接合部６５Ｚは、厚さ方向Ｚからみて、３個のレーザ接合部６５Ｘのうちの縦方向Ｙの中央のレーザ接合部６５Ｘと重なっている。
　図４１Ａ及び図４１Ｃに示すように、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさよりも小さい。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさよりも小さい。またレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさとレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさとの差が、例えばレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。
　なお、３個のレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。また２個のレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさよりも大きくてもよい。また、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさよりも大きくてもよい。また、２個のレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさが互いに異なってもよい。また、３個のレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさが互いに異なってもよい。
　また、レーザ接合部６５Ｘ，６５Ｙ，６５Ｚの数はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、３個のレーザ接合部６５Ｘのうちの横方向Ｘの中央部のレーザ接合部６５Ｘを省略してもよい。また一例では、レーザ接合部６５Ｚの数がレーザ接合部６５Ｘの数と同じであってもよい。この場合、例えば、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｚがレーザ接合部６５Ｘと重なっている。これにより、各レーザ接合部６５Ｚは、厚さ方向Ｚからみて、２個のレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の連結部の形状は任意に変更可能である。一例では、駆動用リードの側面視における連結部の形状が湾曲状であってもよい。図４２では、変更例の第２駆動用リード７０の構成を例示している。第２駆動用リード７０の連結部７３は、連結部７３の横方向Ｘの中央部が厚さ方向Ｚにおいて支持基板４０から最も離れるように湾曲している。連結部７３は、その横方向Ｘの中央部に向かうにつれて厚さ方向Ｚにおいて支持基板４０から徐々に離れている。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）を構成する各金属板について、隣り合う金属板の連結部の間に隙間が形成されてもよい。図４３では、図４２の変更例の第２駆動用リード７０の連結部７３について、金属板７０Ａの連結部７３Ａと金属板７０Ｂの連結部７３Ｂとの間に隙間Ｇ１が形成され、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂと金属板７０Ｃの連結部７３Ｃとの間に隙間Ｇ２が形成された構成を例示している。図４３では、隙間Ｇ１は、連結部７３Ａ，７３Ｂの横方向Ｘの中央部に向けて徐々に大きくなる。隙間Ｇ２は、連結部７３Ｂ，７３Ｃの横方向Ｘの中央部に向けて徐々に大きくなる。
　・図４３に示す駆動用リードの連結部は、隣り合う金属板の連結部が非接触となるように形成されているが、これに限られない。例えば、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の連結部について、隣り合う金属板の連結部が部分的に接触した状態であってもよい。
　・上記各実施形態において、第１駆動用リード６０の第１接続部６１における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、第２接続部６２における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、及び、第２接続部７２における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチはそれぞれ任意に変更可能である。
　一例では、図４４に示すように、第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ａにおけるレーザ接合部７４Ａとレーザ接合部７４ＢとのピッチＰＣ１と、レーザ接合部７４Ｂとレーザ接合部７４ＣとのピッチＰＣ２とがそれぞれ、第１実施形態の第２駆動用リード７０のピッチＰＣ１，ＰＣ２（図２１参照）よりも大きい。すなわち、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ａの先端部にレーザ接合部６４Ａが形成され、第１接続部７１Ａの横方向Ｘの中央部にレーザ接合部６４Ｂが形成され、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ａの基端部にレーザ接合部６４Ｃが形成されている。また、第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄとレーザ接合部７４ＥとのピッチＰＤが第１実施形態の第２駆動用リード７０のピッチＰＤ（図２１参照）よりも大きい。また、レーザ接合部７４Ｆは、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ｃの中央部に形成されている。
　・上記各実施形態において、第１駆動用リード６０の第１接続部６１におけるレーザ接合部の数、第２接続部６２におけるレーザ接合部の数、第２駆動用リード７０の第１接続部７１におけるレーザ接合部の数、及び、第２接続部７２におけるレーザ接合部の数はそれぞれ任意に変更可能である。
　一例では、図４５に示すように、第１接続部７１Ａには、５個のレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈが形成されている。レーザ接合部７４Ｇ，７４Ｈは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ａのうちのレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃよりも基端寄り（連結部７３Ａ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｇは、レーザ接合部７４Ｃと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｈは、レーザ接合部７４Ｇと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ａに形成されている。
　第１接続部７１Ｂには、４個のレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊが形成されている。レーザ接合部７４Ｉ，７４Ｊは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ｂのうちのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅよりも基端寄り（連結部７３Ｂ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｉは、レーザ接合部７４Ｅと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｊは、レーザ接合部７４Ｉと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ｂに形成されている。厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊは、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部７４Ｉは、レーザ接合部７４Ｃとレーザ接合部７４Ｇとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部７４Ｊは、レーザ接合部７４Ｇとレーザ接合部７４Ｈとの横方向Ｘの間に位置している。
　第１接続部７１Ｃには、３個のレーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌが形成されている。レーザ接合部７４Ｋ，７４Ｌは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ｃのうちのレーザ接合部７４Ｆよりも基端寄り（連結部７３Ｃ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｋは、レーザ接合部７４Ｆと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｋと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ｃに形成されている。厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部７４Ｋは、レーザ接合部７４Ｅとレーザ接合部７４Ｉとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｉとレーザ接合部７４Ｊとの横方向Ｘの間に位置している。また、厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｋは第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｃと重なっており、レーザ接合部７４Ｌは第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｇと重なっている。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）を構成する金属板の数は任意に変更可能である。一例として、図４６では、図４２の変更例の第２駆動用リード７０から金属板７０Ｂ，７０Ｃを省略した構成を示している。すなわち、図４６では、金属板が積層されていない第２駆動用リード７０の構成を示している。
　図４６に示すように、第２駆動用リード７０は、金属板７０Ａからなる。このため、第２駆動用リード７０の第１接続部７１は金属板７０Ａの第１接続部７１Ａからなり、第２駆動用リード７０の第２接続部７２は金属板７０Ａの第２接続部７２Ａからなり、第２駆動用リード７０の連結部７３は金属板７０Ａの連結部７３Ａからなる。第１接続部７１（７１Ａ）は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３にレーザ溶接によって接合されている。第１接続部７１（７１Ａ）には、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃが形成されている。第２接続部７２（７２Ａ）は、導電部材４２Ｂにレーザ溶接によって接合されている。第２接続部７２（７２Ａ）には、レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃが形成されている。
　・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第２接続部の構成は任意に変更可能である。第２接続部は、例えば金属板の積層構造でなくてもよい。
　［付記］
　上記各実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
　（付記１）駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる金属製の薄板によって形成された駆動用接続部材と、を備え、前記駆動用接続部材は、前記駆動電極に接続された素子側接続部を有し、前記素子側接続部は、レーザ加工によって前記駆動電極に接合された素子側接合部を有する、半導体装置。
　（付記２）前記駆動用接続部材は、前記駆動用導電体に接続された導電体側接続部を有し、前記導電体側接続部は、レーザ加工によって前記駆動用導電体に接合された導電体側接合部を有する、付記１に記載の半導体装置。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…半導体装置
１０，１０Ｃ，１０Ｅ…封止樹脂
２２…入力リード（駆動用導電体）
２２ｃ…延長部
２２ｃｓ…主面（駆動用接続表面）
３０…半導体素子
３０Ｕ…第１半導体素子
３０Ｌ…第２半導体素子
３１…素子主面
３２…素子裏面
３３…ソース電極（駆動電極）
３４…ゲート電極（制御電極）
４２Ｂ…導電部材（駆動用導電体）
４２ｓｂ…主面（駆動用接続表面）
４４Ａ…ゲート層（接続用導電体）
４４Ｂ…ゲート層（接続用導電体）
４５Ａ…検出層（接続用導電体）
４５Ｂ…検出層（接続用導電体）
５１…第１制御用ワイヤ
５２…第２制御用ワイヤ
５３…第１接続用ワイヤ
５４…第２接続用ワイヤ
５５…第１検出用ワイヤ
５６…第２検出用ワイヤ
５７…第１接続用ワイヤ
５８…第２接続用ワイヤ
６０…第１駆動用リード（駆動用接続部材、第２駆動用接続部材）
６０Ａ…金属板（第１金属板）
６０Ｂ…金属板（第２金属板）
６０Ｃ…金属板（第３金属板）
６１…第１接続部
６１Ａ…第１接続部（第１素子側接続部）
６１Ｂ…第１接続部（第２素子側接続部）
６１Ｃ…第１接続部（第３素子側接続部）
６２…第２接続部
６２Ａ…第２接続部（第１導電体側接続部）
６２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接続部）
６２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接続部）
６３…連結部
６３Ａ…連結部（第１連結部）
６３Ｂ…連結部（第２連結部）
６３Ｃ…連結部（第３連結部）
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ…レーザ接合部（第１素子側接合部）
６４Ｄ，６４Ｅ…レーザ接合部（第２素子側接合部）
６４Ｆ…レーザ接合部（第３素子側接合部）
６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…レーザ接合部（第１導電体側接合部）
６５Ｄ，６５Ｅ…レーザ接合部（第２導電体側接合部）
６５Ｆ…レーザ接合部（第３導電体側接合部）
７０…第２駆動用リード（駆動用接続部材、第１駆動用接続部材）
７０Ａ…金属板（第１金属板）
７０Ｂ…金属板（第２金属板）
７０Ｃ…金属板（第３金属板）
７１…第１接続部
７１Ａ…第１接続部（第１素子側接続部）
７１Ｂ…第１接続部（第２素子側接続部）
７１Ｃ…第１接続部（第３素子側接続部）
７２…第２接続部
７２Ａ…第２接続部（第１導電体側接続部）
７２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接続部）
７２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接続部）
７３…連結部
７３Ａ…連結部（第１連結部）
７３Ｂ…連結部（第２連結部）
７３Ｃ…連結部（第３連結部）
７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ…レーザ接合部（第１素子側接合部）
７４Ｄ，７４Ｅ…レーザ接合部（第２素子側接合部）
７５Ｆ…レーザ接合部（第３素子側接合部）
７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃ…レーザ接合部（第１導電体側接合部）
７５Ｄ，７５Ｅ…レーザ接合部（第２導電体側接合部）
７５Ｆ…レーザ接合部（第３導電体側接合部）
８０…第１駆動用リード（駆動用接続部材）
８０Ａ…金属板（第１金属板）
８０Ｂ…金属板（第２金属板）
８０Ｃ…金属板（第３金属板）
８１…第１接続部
８１Ａ…第１接続部（第１素子側接合部）
８１Ｂ…第１接続部（第２素子側接合部）
８１Ｃ…第１接続部（第３素子側接合部）
８２…第２接続部
８２Ａ…第２接続部（第１導電体側接合部）
８２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接合部）
８２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接合部）
８３…連結部
８３Ａ…連結部（第１連結部）
８３Ｂ…連結部（第２連結部）
８３Ｃ…連結部（第３連結部）
９０…第２駆動用リード（駆動用接続部材）
９０Ａ…金属板（第１金属板）
９０Ｂ…金属板（第２金属板）
９０Ｃ…金属板（第３金属板）
９１…第１接続部
９１Ａ…第１接続部（第１素子側接合部）
９１Ｂ…第１接続部（第２素子側接合部）
９１Ｃ…第１接続部（第３素子側接合部）
９２…第２接続部
９２Ａ…第２接続部（第１導電体側接合部）
９２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接合部）
９２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接合部）
９３…連結部
９３Ａ…連結部（第１連結部）
９３Ｂ…連結部（第２連結部）
９３Ｃ…連結部（第３連結部）
１４０…駆動用リード（駆動用接続部材）
１４０Ａ…金属板（第１金属板）
１４０Ｂ…金属板（第２金属板）
１４０Ｃ…金属板（第３金属板）
１４１…第１接続部
１４２…第２接続部
１４３…連結部

Claims (31)

  1. 　駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
    　前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、
    　前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる金属製の薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、
    を備え、
    　前記複数の駆動用接続部材は、前記半導体素子に接続された第１金属板、及び前記第１金属板に積層された第２金属板を少なくとも有し、
    　前記第１金属板は、前記駆動電極に接続された第１素子側接続部を有し、
    　前記第２金属板は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有し、
    　前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層されている
    　半導体装置。
  2. 　前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
    　前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第２素子側接合部は、前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と重ならないようにずれて配置されている
    　請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    　前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層された第３素子側接続部を有する
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 　前記第３素子側接続部には、レーザ加工によって前記第２素子側接続部と接合する第３素子側接合部が形成されている
    　請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
    　前記第２素子側接合部と前記第３素子側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    　請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
    　前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と前記第３素子側接合部とは重なっている
    　請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
    　前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
    　前記第１素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少なく、
    　前記第３素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少ない
    　請求項５～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１方向からみて、前記駆動用接続部材が延びる方向において、積層された前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、互いにずれている
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 　前記複数の駆動用接続部材は、同一の材料であって、前記第１方向からみて、前記駆動用接続部材の幅の大きさが互いに等しい
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１金属板は、前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面に接続される第１導電体側接続部を有し、
    　前記第２金属板は、前記第１導電体側接続部に接続された第２導電体側接続部を有し、
    　前記第１導電体側接続部及び前記第２導電体側接続部は、前記第１方向において積層されている
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 　前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    　前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されている
    　請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記第１導電体側接合部と前記第２導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    　請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    　前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層された第３導電体側接続部を有する
    　請求項１１～１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  15. 　前記第３導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第２導電体側接続部と接合する第３導電体側接合部が形成されている
    　請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
    　前記第２導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    　請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    　前記第１方向からみて、前記第１導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは重なっている
    　請求項１６に記載の半導体装置。
  18. 　前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    　前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
    　前記第１導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少なく、
    　前記第３導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少ない
    　請求項１５～１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  19. 　前記第１金属板は、前記第１素子側接続部と前記第１導電体側接続部とを連結する第１連結部を有し、
    　前記第２金属板は、前記第２素子側接続部と前記第２導電体側接続部とを連結する第２連結部を有し、
    　前記第１連結部及び前記第２連結部は、積層されている
    　請求項１１～１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  20. 　前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    　前記第３金属板は、前記第２素子側接続部に接続された第３素子側接続部、前記第２導電体側接続部に接続された第３導電体側接続部、及び前記第３素子側接続部と前記第３導電体側接続部とを連結する第３連結部を有し、
    　前記第２連結部及び前記第３連結部は、積層されている
    　請求項１９に記載の半導体装置。
  21. 　前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴである
    　請求項１～２０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  22. 　前記半導体素子を封止する封止樹脂をさらに備える
    　請求項１～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  23. 　前記半導体素子の前記素子主面には、制御電極が形成され、
    　前記半導体装置は、制御用導電体と、前記制御電極と前記制御用導電体とを接続する制御用接続部材と、をさらに備え、
    　前記制御用接続部材は、ワイヤにより形成されている
    　請求項１～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
  24. 　前記半導体素子は、前記駆動用接続部材によって直列に接続された第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
    　前記複数の駆動用接続部材は、前記第１半導体素子の駆動電極に接続されている第１駆動用接続部材、及び前記第２半導体素子の駆動電極に接続されている第２駆動用接続部材を含む
    　請求項１～２３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  25. 　前記半導体素子は、複数の前記第１半導体素子及び複数の前記第２半導体素子を含み、
    　前記複数の駆動用接続部材は、複数の前記第１駆動用接続部材及び複数の前記第２駆動用接続部材を含む
    　請求項２４に記載の半導体装置。
  26. 　１個の前記半導体素子の前記駆動電極に対して複数の前記駆動用接続部材が接続され、
    　前記複数の駆動用接続部材は、前記第１方向からみて、前記素子主面に沿う方向において並んで配置されている
    　請求項１～２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  27. 　駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
    　前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、
    　前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、
    を備える半導体装置の製造方法であって、
    　前記複数の駆動用接続部材としての第１金属板を前記半導体素子の前記駆動電極に接続して第１素子側接続部を形成する駆動電極接続工程と、
    　前記複数の駆動用接続部材としての第２金属板を前記第１方向において前記第１素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１素子側接続部に接続して第２素子側接続部を形成する第１素子側積層工程と、
    を備える
    　半導体装置の製造方法。
  28. 　前記複数の駆動用接続部材としての第３金属板を前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２素子側接続部に接続する第２素子側積層工程をさらに備える
    　請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
  29. 　前記駆動電極接続工程の後、かつ、前記第１素子側積層工程の前に、前記第１金属板をレーザ加工によって前記駆動用導電体に接続して第１導電体側接続部を形成する導電体接続工程をさらに備える
    　請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
  30. 　前記第１素子側積層工程の後、かつ、前記第２素子側積層工程の前に、前記第２金属板を前記第１方向において前記第１導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１導電体側接続部に接続して第２導電体側接続部を形成する第１導電体側積層工程をさらに備える
    　請求項２９に記載の半導体装置の製造方法。
  31. 　前記第２素子側積層工程の後に、前記第３金属板を前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２導電体側接続部に接続して第３導電体側接続部を形成する第２導電体側積層工程をさらに備える
    　請求項３０に記載の半導体装置の製造方法。
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