JP7451521B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本開示は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
例えば、半導体素子の駆動電極と、半導体素子の外部に配置された導電体としての導電部材とを線状のワイヤによって接続されている半導体装置が知られている。半導体装置に大電流を供給するため、ワイヤに代えて帯状のクリップによって駆動電極と導電部材とを接続する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１９－８７７４１号公報
ところで、クリップによって駆動電極と導電部材とを接続する構成であっても、駆動電極とクリップとの接触面積が小さい場合、又はクリップ自体が薄く、幅寸法が小さい場合には、半導体装置に大電流を供給することが困難となる。
本開示の目的は、許容電流量を増加できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決する半導体装置は、半導体素子と、駆動用導電体と、複数の駆動用接続部材と、を含む。前記半導体素子は、駆動電極が形成された素子主面を有する。前記駆動用導電体は、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する。前記複数の駆動用接続部材は、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成されている。前記複数の駆動用接続部材は、前記半導体素子に接続された第１接続部材、及び前記第１接続部材に接続された第２接続部材を少なくとも有する。前記第１接続部材は、前記駆動電極に接続された第１素子側接続部を有する。前記第２接続部材は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有する。前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層されている。
この構成によれば、第１素子側接続部と第２素子側接続部との積層構造によって、第１方向と第１方向に直交する方向とに沿う平面で駆動用接続部材を切った場合の断面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材に流すことが可能な電流の上限値である許容電流量を増加できる。
上記課題を解決する半導体装置の製造方法は、駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記複数の駆動用接続部材として、前記半導体素子に接続する第１接続部材、及び前記第１接続部材に接続する第２接続部材を少なくとも準備する接続部材準備工程と、前記第１接続部材の第１素子側接続部をレーザ加工によって前記駆動電極に接続する駆動電極接続工程と、前記第２接続部材の第２素子側接続部を、前記第１方向において前記第１素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１素子側接続部に接続する第１積層接続工程と、を備える。
この構成によれば、第１素子側接続部と第２素子側接続部との積層構造によって、第１方向と第１方向に直交する方向とに沿う平面で駆動用接続部材を切った場合の断面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材に流すことが可能な電流の上限値である許容電流量を増加できる。
加えて、レーザ加工によって第１素子側接続部を駆動電極に接合するため、例えば超音波溶接によって第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合と比較して、第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合に駆動電極に加えられる負荷が小さくなる。また、例えば超音波溶接によって第１素子側接続部を駆動電極に接合する場合と比較して、第１素子側接続部と駆動電極との接触面積が大きくなる。したがって、半導体素子から駆動用接続部材への許容電流量を増加できる。
上記半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、許容電流量を増加できる。
第１実施形態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置から封止樹脂を除いた状態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置の平面図。 図３の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。 図４の半導体素子及びその周辺の拡大図。 図１の半導体装置の側面図。 図１の半導体装置の底面図。 図１の半導体装置について、図６とは異なる方向からみた側面図。 図１の半導体装置について、図６及び図８とは異なる方向からみた側面図。 （ａ）は図４の１０－１０線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子の拡大図。 （ａ）は図４の１１－１１線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子の拡大図。 図１の半導体装置について、第１駆動用リードの斜視図。 図１２の第１駆動用リードの分解斜視図。 第１駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 図１４の１５－１５線に沿った断面図。 第１駆動用リードと入力リードとの接合構造を示す平面図。 図１６の１７－１７線に沿った断面図。 図１の半導体装置について、第２駆動用リードの斜視図。 図１８の第２駆動用リードの分解斜視図。 第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 図２０の２１－２１線に沿った断面図。 第２駆動用リードと導電部材との接合構造を示す平面図。 図２２の２３－２３線に沿った断面図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャート。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 半導体装置の製造方法における第３接合工程の一例を示す説明図。 第１比較例の半導体装置について、半導体素子と駆動用リードとの接合構造を示す斜視図。 第２比較例の半導体装置について、半導体素子と駆動用リードとの接合構造を示す斜視図。 第２実施形態の半導体装置について、半導体装置から封止樹脂を除いた状態の半導体装置の斜視図。 第２実施形態の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。 （ａ）は図３１の３２－３２線に沿った断面図、（ｂ）は半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の斜視図。 第４実施形態の半導体装置について、半導体装置から封止樹脂、入力リード、出力リード、制御リード、及び検出リードを除いた状態の半導体装置の斜視図。 図３４の３５－３５線に沿った断面図。 第５実施形態の半導体装置について、封止樹脂を二点鎖線で示した半導体装置の斜視図。 図３６の３７－３７線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す平面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図３９Ａの３９Ｂ－３９Ｂ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図４０Ａの４０Ｂ－４０Ｂ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第１駆動用リードの第２接続部を示す平面図。 図４１Ａの４１Ｂ－４１Ｂ線に沿った断面図。 図４１Ａの４１Ｃ－４１Ｃ線に沿った断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子との接合構造を示す断面図。 変更例の半導体装置について、第２駆動用リードと半導体素子及び導電部材との接合構造を示す断面図。
以下、半導体装置及び半導体装置の製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
［第１実施形態］
（半導体装置の構成）
図１～図２３を参照して、第１実施形態の半導体装置１Ａの構成について説明する。なお、説明の便宜上、図２では半導体装置１Ａから封止樹脂１０を省略し、図４及び図５では封止樹脂１０を二点鎖線で示している。
図１及び図２に示すように、半導体装置１Ａは、筐体となる封止樹脂１０と、封止樹脂１０から突出する部分を有する複数のリード２０と、複数のリード２０と電気的に接続される複数の半導体素子３０と、複数のリード２０及び複数の半導体素子３０を支持する支持基板４０とを備える。半導体装置１Ａは、例えばハーフブリッジ型のスイッチング回路を有する。以降の説明において、説明の便宜上、互いに直交する方向を、横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚと定義する。横方向Ｘは、例えば半導体装置１Ａにおいて、後述する入力リード２１，２２と出力リード２３とが配列する方向を示す。縦方向Ｙは、半導体装置１Ａを厚さ方向Ｚからみて（以下、「平面視」という）、横方向Ｘと直交する方向を示す。
図１に示すとおり、封止樹脂１０は、略平板状に形成されている。図３に示すように、平面視における封止樹脂１０の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における封止樹脂１０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。なお、平面視における封止樹脂１０の形状は、任意に変更可能である。例えば平面視における封止樹脂１０の形状は、正方形であってもよい。また、封止樹脂１０の材料としては、熱硬化性樹脂が用いられている。本実施形態では、封止樹脂１０の材料として、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
図１に示すように、封止樹脂１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂天面１５及び樹脂裏面１６と、樹脂天面１５及び樹脂裏面１６の厚さ方向Ｚの間に形成される第１樹脂側面１１、第２樹脂側面１２、第３樹脂側面１３、及び第４樹脂側面１４とを有する。本実施形態では、第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４はそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。平面視において、第１樹脂側面１１及び第２樹脂側面１２は封止樹脂１０の短辺となり、第３樹脂側面１３及び第４樹脂側面１４は封止樹脂１０の長辺となる。
図６及び図７に示すように、封止樹脂１０のうちの樹脂裏面１６側の部分には、樹脂裏面１６から厚さ方向Ｚに凹む溝１７，１８が形成されている。溝１７は、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０のうちの第１樹脂側面１１側の端部に設けられている。溝１７は、横方向Ｘに互いに離間して３個設けられている。溝１８は、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０のうちの第２樹脂側面１２側の端部に設けられている。溝１８は、横方向Ｘに互いに離間して３個設けられている。溝１７，１８はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。一例では、溝１７，１８は、封止樹脂１０の第３樹脂側面１３から第４樹脂側面１４までにわたり形成されている。なお、溝１７の個数及び溝１８の個数はそれぞれ任意に変更可能である。また、封止樹脂１０から溝１７，１８の少なくとも一方を省略してもよい。
図１及び図２に示すように、本実施形態の複数のリード２０は、２個の入力リード２１，２２、出力リード２３、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂを有する。図９に示すように、入力リード２１，２２はそれぞれ、封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出している。側方リード２７Ａは、第１樹脂側面１１から露出している。図６及び図８に示すように、出力リード２３は、封止樹脂１０の第２樹脂側面１２から突出している。側方リード２７Ｂは、第２樹脂側面１２から露出している。図３及び図４に示すように、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６はそれぞれ、封止樹脂１０の第３樹脂側面１３から突出している。
なお、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６のそれぞれが封止樹脂１０の樹脂側面から突出する位置は任意に変更可能である。例えば、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６の一部が第３樹脂側面１３から突出し、残りが第４樹脂側面１４から突出してもよい。
図２及び図４に示すように、半導体装置１Ａは、スイッチング回路を構成するスイッチング素子として、複数の半導体素子３０を備える。複数の半導体素子３０は、封止樹脂１０によって封止されている。各半導体素子３０は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）を主とする半導体材料を用いて構成されている。なお、半導体材料は、ＳｉＣに限定されず、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）などであってもよい。また、本実施形態の各半導体素子３０は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。なお、複数の半導体素子３０は、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor FET）を含む電界効果トランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタ、ＬＳＩなどのＩＣチップであってもよい。本実施形態では、各半導体素子３０は、同一素子であり、かつ、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。各半導体素子３０は、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子３０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子３０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。
本実施形態では、複数の半導体素子３０は、スイッチング回路の上側アームを構成する４個の第１半導体素子３０Ｕと、スイッチング回路の下側アームを構成する４個の第２半導体素子３０Ｌとに区分できる。本実施形態の半導体装置１Ａは、互いに直列に接続された第１半導体素子３０Ｕと第２半導体素子３０Ｌとからなるスイッチングアームが４個並列に接続された構成である。なお、半導体素子３０の個数は、半導体装置１Ａに要求される性能に応じて任意に変更可能である。
以下、複数の半導体素子３０の詳細な構成について説明する。なお、複数の半導体素子３０は互いに同一構成であるため、所定の半導体素子３０の構成について説明し、残りの半導体素子３０の構成については、同一構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図２に示すように、半導体素子３０は、平板状に形成されている。図５に示すように、平面視における半導体素子３０の形状は、正方形である。なお、平面視における半導体素子３０の形状は任意に変更可能である。例えば、平面視における半導体素子３０の形状は横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。
図１０（ｂ）に示すように、半導体素子３０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面３１及び素子裏面３２を有する。図５及び図１０（ｂ）に示すように、素子主面３１には主面側駆動電極（駆動電極）となるソース電極３３と制御電極となるゲート電極３４とが設けられ、素子裏面３２には裏面側駆動電極となるドレイン電極３５が設けられている。ゲート電極３４には、半導体素子３０を駆動させるためのゲート電圧が印加される。半導体素子３０は、ゲート電極３４に印加されるゲート電圧がしきい値以上となると、ドレイン電極３５にドレイン電流が流れ、ソース電極３３にソース電流が流れる。
図５に示すように、平面視において、ソース電極３３が形成される領域は、ゲート電極３４が形成される領域よりも大きい。ソース電極３３は、素子主面３１の大部分にわたり形成されている。ゲート電極３４は、ソース電極３３に形成された凹部３３ａ内に配置されている。図１０に示すように、ドレイン電極３５は、素子裏面３２の全体にわたり形成されている。
図５に示すように、ソース電極３３及びゲート電極３４上には、絶縁膜３６が設けられている。絶縁膜３６は、電気的絶縁性を有する。平面視において、絶縁膜３６は、ソース電極３３及びゲート電極３４を取り囲んでいる。絶縁膜３６は、例えばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）層、ＳｉＮ４（窒化ケイ素）層、及びポリベンゾオキサゾール層が、素子主面３１からこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜３６は、ポリベンゾオキサゾール層に代えて、ポリイミド層であってもよい。
図４に示すように、各半導体素子３０は、一対の入力リード２１，２２、出力リード２３、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、及び一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂと電気的に接続されている。本実施形態では、各半導体素子３０は、複数のダミーリード２６と電気的に接続されていない。入力リード２１は、各第１半導体素子３０Ｕのドレイン電極３５（図１１（ｂ）参照）に電気的に接続され、入力リード２２は、各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３（図５参照）に電気的に接続されている。出力リード２３は、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３（図５参照）と各第２半導体素子３０Ｌのドレイン電極３５（図１０参照）とに電気的に接続されている。図５に示すように、制御リード２４Ａは、各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４に電気的に接続され、制御リード２４Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４に電気的に接続されている。検出リード２５Ａは、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に電気的に接続され、検出リード２５Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に電気的に接続されている。以下、各半導体素子３０及び各リードの配置構成、及び各リードの詳細な構成について説明する。
図４に示すように、半導体装置１Ａは、支持基板４０を備える。各半導体素子３０、一対の入力リード２１，２２、出力リード２３、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂはそれぞれ、支持基板４０に搭載されている。一対の制御リード２４Ａ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、支持基板４０に搭載されていない。一対の制御リード２４Ａ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、縦方向Ｙにおいて支持基板４０の隣に位置している。
支持基板４０は、絶縁基板４１、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ、制御用導電体の一例である一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂを備える。支持基板４０は、絶縁基板４１、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、及び一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの順に積層された構成である。絶縁層４３Ａにはゲート層４４Ａ及び検出層４５Ａが積層され、絶縁層４３Ｂにはゲート層４４Ｂ及び検出層４５Ｂが積層されている。
絶縁基板４１は、電気的絶縁性を有する。絶縁基板４１は、例えば熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）などが挙げられる。本実施形態では、平面視における絶縁基板４１の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。図１０に示すように、絶縁基板４１は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ａ及び基板裏面４１ｂを有する。基板主面４１ａには、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂが配置されている。基板主面４１ａは、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂ、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ、一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂとともに封止樹脂１０によって封止されている。図７に示すように、基板裏面４１ｂは、封止樹脂１０から露出している。基板裏面４１ｂには、例えば図示しないヒートシンクなどが接続される。基板裏面４１ｂは、横方向Ｘにおいて封止樹脂１０の溝１７と溝１８との間に配置されている。この構成によれば、溝１７によって入力リード２１，２２と基板裏面４１ｂとの間の沿面距離が長くなり、溝１８によって出力リード２３と基板裏面４１ｂとの間の沿面距離が長くなる。したがって、半導体装置１Ａの絶縁耐圧が向上する。なお、絶縁基板４１の構成は上述した構成に限られず、任意に変更可能である。一例では、絶縁基板４１は、導電部材４２Ａ，４２Ｂに応じて２個に分割して構成される。
一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂはそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金である。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、複数のリード２０とともに複数の半導体素子３０との導電経路を構成している。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、絶縁基板４１の基板主面４１ａにおいて縦方向Ｙに離間して配置されている。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、例えば銀ペースト、半田などの接合材によって基板主面４１ａに接合されている。なお、接合材は、銀ペーストや半田などの導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよい。本実施形態では、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、絶縁基板４１の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚い。また、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、半導体素子３０、入力リード２１，２２、及び出力リード２３のそれぞれの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚い。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さは、例えば０．４ｍｍ～３．０ｍｍである。なお、一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂの表面はそれぞれ、銀めっきで覆われていてもよい。一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂは、互いに同一形状である。平面視における一対の導電部材４２Ａ，４２Ｂのそれぞれの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
図４及び図１０に示すように、導電部材４２Ａは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１の近くに配置されている。導電部材４２Ａは、４個の第１半導体素子３０Ｕ、入力リード２１、及び側方リード２７Ａと電気的に接続されている。導電部材４２Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓａ及び裏面４２ｒａを有する。主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板主面４１ａと同じ方向を向いている。また、主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕの素子主面３１と同じ方向を向いている。主面４２ｓａには、４個の第１半導体素子３０Ｕ及び入力リード２１が配置されている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板裏面４１ｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕの素子裏面３２と同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、接合材を介して絶縁基板４１の基板主面４１ａに接続されている。４個の第１半導体素子３０Ｕは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。４個の第１半導体素子３０Ｕは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの導電部材４２Ｂ寄りの部分に配置されている。入力リード２１は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて導電部材４２Ａの中央部に配置されている。側方リード２７Ａは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第３樹脂側面１３側の端部に配置されている。
導電部材４２Ｂは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２の近くに配置されている。導電部材４２Ｂは、４個の第２半導体素子３０Ｌ、出力リード２３、及び側方リード２７Ｂと電気的に接続されている。導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓｂ及び裏面４２ｒｂを有する。主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板主面４１ａと同じ方向を向いている。また、主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２半導体素子３０Ｌの素子主面３１と同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１の基板裏面４１ｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２半導体素子３０Ｌの素子裏面３２と同じ方向を向いている。主面４２ｓｂには、４個の第２半導体素子３０Ｌ及び出力リード２３が配置されている。裏面４２ｒｂは、接合材を介して絶縁基板４１の基板主面４１ａに接続されている。４個の第２半導体素子３０Ｌは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。４個の第２半導体素子３０Ｌは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの導電部材４２Ａ寄りの部分に配置されている。横方向Ｘからみて、４個の第２半導体素子３０Ｌはそれぞれ、４個の第１半導体素子３０Ｕと重ならないようにずれて配置されている。図４に示すとおり、４個の第２半導体素子３０Ｌ及び４個の第１半導体素子３０Ｕは、縦方向Ｙにおいて交互に配置されている。出力リード２３は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて導電部材４２Ｂの中央部に配置されている。側方リード２７Ｂは、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ｂのうちの第２樹脂側面１２側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第３樹脂側面１３側の端部に配置されている。
一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂは、電気絶縁性を有する。一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの構成材料は、例えばガラスエポキシ樹脂である。一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。平面視における一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂの形状はそれぞれ、縦方向Ｙに延びる帯状である。
絶縁層４３Ａは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合されている。絶縁層４３Ａは、横方向Ｘからみて、４個の第１半導体素子３０Ｕ、入力リード２１、及び側方リード２７Ａと重なるように配置されている。絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて４個の第１半導体素子３０Ｕよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１の近くに配置されている。詳細には、絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて４個の第１半導体素子３０Ｕよりも第１樹脂側面１１の近くに各第１半導体素子３０Ｕと隣り合うように配置されている。また絶縁層４３Ａは、横方向Ｘにおいて入力リード２１よりも４個の第１半導体素子３０Ｕの近くに配置されている。
絶縁層４３Ｂは、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合されている。絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘからみて、４個の第２半導体素子３０Ｌ、出力リード２３、及び側方リード２７Ｂと重なるように配置されている。絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて４個の第２半導体素子３０Ｌよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２の近くに配置されている。詳細には、絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて４個の第２半導体素子３０Ｌよりも第２樹脂側面１２側に各第２半導体素子３０Ｌと隣り合うように配置されている。また絶縁層４３Ｂは、横方向Ｘにおいて出力リード２３よりも４個の第２半導体素子３０Ｌの近くに配置されている。
一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂは、導電性を有する。一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの構成材料は、例えばＣｕである。平面視における一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの形状はそれぞれ、例えば縦方向Ｙに延びる帯状である。
ゲート層４４Ａは、絶縁層４３Ａ上に配置されている。ゲート層４４Ａは、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ａのうちの第１樹脂側面１１寄りの部分に配置されている。ゲート層４４Ａは、後述する制御用接続部材の一例である第１制御用ワイヤ５１を介して、各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４（図５参照）と導通している。またゲート層４４Ａは、後述する第１接続用ワイヤ５３を介して、制御リード２４Ａと導通している。
ゲート層４４Ｂは、絶縁層４３Ｂ上に配置されている。ゲート層４４Ｂは、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ｂのうちの第２樹脂側面１２寄りの部分に配置されている。ゲート層４４Ｂは、後述する制御用接続部材の一例である第２制御用ワイヤ５２を介して、各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４（図５参照）と導通している。またゲート層４４Ｂは、後述する第２接続用ワイヤ５７を介して、制御リード２４Ｂと導通している。
一対の検出層４５Ａ，４５Ｂは、導電性を有する。一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの構成材料は、例えばＣｕである。平面視における一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの形状はそれぞれ、例えば縦方向Ｙに延びる帯状である。本実施形態では、一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの横方向Ｘの大きさは一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの横方向Ｘの大きさと等しく、一対の検出層４５Ａ，４５Ｂの縦方向Ｙの大きさは一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。
検出層４５Ａは、ゲート層４４Ａとともに絶縁層４３Ａ上に配置されている。検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａと離間し、かつゲート層４４Ａと隣り合うように配置されている。本実施形態では、検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａよりも４個の第１半導体素子３０Ｕの近くとなるように配置されている。なお、横方向Ｘにおける検出層４５Ａの配置位置は任意に変更可能である。例えば検出層４５Ａは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ａよりも第１樹脂側面１１の近くであってもよい。検出層４５Ａは、後述する第１検出用ワイヤ５５を介して、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導通している。また検出層４５Ａは、後述する第１接続用ワイヤ５４を介して、検出リード２５Ａと導通している。
検出層４５Ｂは、ゲート層４４Ｂとともに絶縁層４３Ｂ上に配置されている。検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂと離間し、かつゲート層４４Ｂと隣り合うように配置されている。本実施形態では、検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂよりも４個の第２半導体素子３０Ｌの近くとなるように配置されている。なお、横方向Ｘにおける検出層４５Ｂの配置位置は任意に変更可能である。例えば検出層４５Ｂは、横方向Ｘにおいてゲート層４４Ｂよりも出力リード２３の近くであってもよい。検出層４５Ｂは、後述する第２検出用ワイヤ５６を介して、各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導通している。また検出層４５Ｂは、後述する第２接続用ワイヤ５８を介して、検出リード２５Ｂと導通している。
図１０に示すように、入力リード２１，２２はそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。本実施形態では、入力リード２１，２２の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、０．８ｍｍであるが、これに限られない。入力リード２１，２２はそれぞれ、封止樹脂１０の第１樹脂側面１１寄りとなるように配置されている。入力リード２１，２２にはそれぞれ、例えば電源電圧が印加される。本実施形態では、入力リード２１に第１電源電圧が印加され、入力リード２２に第１電源電圧よりも低い第２電源電圧が印加される。このように、入力リード２１は正極（Ｐ端子）であり、入力リード２２は負極（Ｎ端子）である。厚さ方向Ｚにおいて、入力リード２１と入力リード２２とは、互いに重なるように配置されている。入力リード２１と入力リード２２とは、厚さ方向Ｚにおいて離間して配置されている。
図４に示すように、入力リード２１は、横方向Ｘに延びる平板状に形成されている。入力リード２１は、パッド部２１ａ及び端子部２１ｂを有する。本実施形態では、パッド部２１ａ及び端子部２１ｂは、一体に形成された単一部材である。
パッド部２１ａは、入力リード２１のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２１ａのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２側の端部には、複数の櫛歯部２１ｃが設けられている。各櫛歯部２１ｃは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに導通接合されている。この接合方法としては、レーザ光を用いたレーザ溶接であってもよいし、超音波接合であってもよいし、導電性接合材を用いた接合であってもよい。本実施形態では、各櫛歯部２１ｃは、導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部、かつ縦方向Ｙの中央部に配置されている。パッド部２１ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１寄りの部分には、複数の貫通孔（図示略）が設けられている。各貫通孔は、パッド部２１ａを厚さ方向Ｚに貫通している。各貫通孔には、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と入力リード２１とが分離し難くなる。
端子部２１ｂは、入力リード２１のうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出した部分である。平面視における端子部２１ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
入力リード２２は、パッド部２２ａ及び端子部２２ｂを有する。本実施形態では、パッド部２２ａ及び端子部２２ｂは、一体に形成された単一部材である。
パッド部２２ａは、入力リード２２のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２２ａは、駆動用導電体の一例である複数（本実施形態では４個）の延長部２２ｃと、複数の延長部２２ｃを連結する連結部２２ｄと、連結部２２ｄと端子部２２ｂとの間の部分となる中間部２２ｅとに区分できる。複数の延長部２２ｃ及び連結部２２ｄは、縦方向Ｙにおいて封止樹脂１０の第４樹脂側面１４寄りとなるように配置されている。
図４及び図１０（ａ）に示すように、複数の延長部２２ｃは、第２半導体素子３０Ｌの数に応じて設けられている。複数の延長部２２ｃは、縦方向Ｙにおいて離間して配置されている。平面視における延長部２２ｃの形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。各延長部２２ｃは、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子３０の素子主面３１と同じ方向を向く駆動用接続表面の一例である主面２２ｃｓと、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子３０の素子裏面３２と同じ方向を向く裏面２２ｃｒとを有する。各延長部２２ｃの先端部は、支持台２９によって支持されている。本実施形態では、支持台２９は、延長部２２ｃの数に応じて設けられている。複数の支持台２９は、横方向Ｘにおいて導電部材４２Ａのうちの導電部材４２Ｂ側の端部に配置されている。複数の支持台２９は、縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。各支持台２９は、例えば電気的絶縁性を有する。各支持台２９の構成材料は、例えばセラミックスである。各支持台２９は、導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合されている。また、各支持台２９は、延長部２２ｃの裏面２２ｃｒに接合されている。複数の支持台２９は、横方向Ｘにおいて互いに揃った状態で縦方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配列されている。各支持台２９の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、入力リード２１の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と絶縁部材２８の厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）との合計と略等しい。各支持台２９には、延長部２２ｃの先端部が接合されている。これにより、各支持台２９は、入力リード２２の姿勢を安定させている。
平面視において、複数の延長部２２ｃは、複数の第２半導体素子３０Ｌと縦方向Ｙにおいて揃うように配置されている。換言すると、横方向Ｘからみて、複数の延長部２２ｃは、複数の第２半導体素子３０Ｌと重なるように配置されている。また複数の延長部２２ｃの先端縁は、第２半導体素子３０Ｌと横方向Ｘに離間している。
連結部２２ｄは、横方向Ｘにおいて複数の延長部２２ｃのうちの第１樹脂側面１１側の端部に連結されている。平面視における連結部２２ｄの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。中間部２２ｅは、横方向Ｘにおいて連結部２２ｄのうちの第１樹脂側面１１側の端部、かつ、縦方向Ｙにおいて連結部２２ｄの中央部に連続している。平面視における中間部２２ｅの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。中間部２２ｅには、複数の貫通孔２２ｆが設けられている。複数の貫通孔２２ｆはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて中間部２２ｅを貫通している。各貫通孔２２ｆには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と入力リード２２とが分離し難くなる。
端子部２２ｂは、入力リード２２のうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１から突出した部分である。平面視における端子部２２ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。平面視における端子部２２ｂのサイズは、平面視における端子部２１ｂのサイズと同じである。
厚さ方向Ｚにおいて入力リード２１と入力リード２２との間には、入力リード２１と入力リード２２とを電気的に絶縁する絶縁部材２８が介在している。入力リード２１及び入力リード２２は、例えば接合材によって絶縁部材２８に接合されている。接合材は、導電性材料であってもよいし、絶縁性材料であってもよい。絶縁部材２８の構成材料は、例えば絶縁紙などである。平面視における絶縁部材２８の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。厚さ方向Ｚにおいて、絶縁部材２８は、入力リード２１のパッド部２１ａ及び端子部２１ｂと重なっている。厚さ方向Ｚにおいて、絶縁部材２８は、入力リード２２の連結部２２ｄ、中間部２２ｅ、及び端子部２２ｂと重なっている。このように、絶縁部材２８の一部は、封止樹脂１０によって覆われている。縦方向Ｙにおける絶縁部材２８の大きさは、縦方向Ｙにおける入力リード２１，２２の端子部２１ｂ，２２ｂの大きさよりも大きい。図４に示すとおり、平面視において、絶縁部材２８は、端子部２１ｂ，２２ｂの縦方向Ｙの両側から突出している。また、絶縁部材２８は、横方向Ｘにおいて端子部２１ｂ，２２ｂの先端よりも突出している。
出力リード２３は、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。出力リード２３は、封止樹脂１０の第２樹脂側面１２寄りに配置されている。複数の半導体素子３０により電力変換された交流電力（電圧）は、出力リード２３から出力される。
出力リード２３は、横方向Ｘに延びる平板状に形成されている。出力リード２３は、入力リード２１と同一形状である。出力リード２３は、パッド部２３ａ及び端子部２３ｂを有する。本実施形態では、パッド部２３ａ及び端子部２３ｂは、一体に形成された単一部材である。
パッド部２３ａは、出力リード２３のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。パッド部２３ａのうちの封止樹脂１０の第１樹脂側面１１側の端部には、複数の櫛歯部２３ｃが設けられている。各櫛歯部２３ｃは、後述する導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに導通接合されている。この接合方法としては、レーザ光を用いたレーザ溶接であってもよいし、超音波接合であってもよいし、導電性接合材を用いた接合であってもよい。パッド部２３ａのうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２寄りの部分には、複数の貫通孔２３ｄが設けられている。各貫通孔２３ｄは、パッド部２３ａを厚さ方向Ｚに貫通している。各貫通孔２３ｄには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と出力リード２３とが分離し難くなる。
端子部２３ｂは、出力リード２３のうちの封止樹脂１０の第２樹脂側面１２から突出した部分である。平面視における端子部２３ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。端子部２３ｂは、入力リード２１の端子部２３ｂとは反対側に向けて延びている。
図５に示すように、平面視において、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、横方向Ｘに沿って配列されている。より詳細には、平面視において、制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６は、支持基板４０の導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に位置している。平面視において、制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６は、支持基板４０の導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に位置している。制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６からなる一群のリードと、制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６からなる一群のリードとの横方向Ｘの間隔は、一群のリードにおける制御リード２４Ａ、検出リード２５Ａ、及び３個のダミーリード２６のうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔、及び一群のリードにおける制御リード２４Ｂ、検出リード２５Ｂ、及び別の３個のダミーリード２６のうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔よりも大きい。また、本実施形態では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６は、同一のリードフレームから形成されている。
平面視において、制御リード２４Ａは、ゲート層４４Ａ及び検出層４５Ａよりも横方向Ｘの第１半導体素子３０Ｕ側となるように配置されている。制御リード２４Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子３０Ｕと重なるように配置されている。制御リード２４Ａには、複数の第１半導体素子３０Ｕを駆動させるためのゲート電圧が印加される。制御リード２４Ｂは、ゲート層４４Ｂ及び検出層４５Ｂよりも横方向Ｘの第２半導体素子３０Ｌ側となるように配置されている。制御リード２４Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子３０Ｌと重なるように配置されている。制御リード２４Ｂには、複数の第２半導体素子３０Ｌを駆動させるためのゲート電圧が印加される。
一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂはそれぞれ、パッド部２４ａ及び端子部２４ｂを有する。一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状は互いに同じである。本実施形態では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂはそれぞれ、パッド部２４ａ及び端子部２４ｂが一体形成された単一部材である。
パッド部２４ａは、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂのうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂは、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２４ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２４ａには、貫通孔２４ｃが設けられている。貫通孔２４ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２４ａを貫通している。貫通孔２４ｃには、封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂとが分離し難くなる。端子部２４ｂは、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂのうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２４ｂは、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。
制御リード２４Ａとゲート層４４Ａとは、第１接続用ワイヤ５３によって接続されている。詳細には、第１接続用ワイヤ５３のうちのゲート層４４Ａに接続される端部は、縦方向Ｙにおいてゲート層４４Ａのうちの制御リード２４Ａ側の端部に接続されている。第１接続用ワイヤ５３のうちの制御リード２４Ａに接続される端部は、制御リード２４Ａのパッド部２４ａに接続されている。
制御リード２４Ｂとゲート層４４Ｂとは、第２接続用ワイヤ５７によって接続されている。詳細には、第２接続用ワイヤ５７のうちのゲート層４４Ｂに接続される側の端部は、縦方向Ｙにおいてゲート層４４Ｂのうちの制御リード２４Ｂ側の端部に接続されている。第２接続用ワイヤ５７のうちの制御リード２４Ｂに接続される端部は、制御リード２４Ｂのパッド部２４ａに接続されている。
検出リード２５Ａは、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ａの隣に位置している。平面視において、検出リード２５Ａは、検出層４５Ａよりも横方向Ｘの第１半導体素子３０Ｕ側、かつ縦方向Ｙからみて、第１半導体素子３０Ｕのうちの横方向Ｘの絶縁層４３Ａ側の部分と重なるように配置されている。検出リード２５Ａを介して、複数の第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。検出リード２５Ｂは、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ｂの隣に位置している。検出リード２５Ｂは、検出層４５Ｂよりも横方向Ｘの第２半導体素子３０Ｌ側、かつ縦方向Ｙからみて、第２半導体素子３０Ｌのうちの横方向Ｘの絶縁層４３Ｂ側の部分と重なるように配置されている。検出リード２５Ｂを介して、複数の第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。
一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂはそれぞれ、パッド部２５ａ及び端子部２５ｂを有する。一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂの形状は、互いに同じであり、かつ一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状と同じである。本実施形態では、パッド部２５ａ及び端子部２５ｂが一体形成された単一部材である。
パッド部２５ａは、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂのうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂは、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２５ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２５ａには、貫通孔２５ｃが設けられている。貫通孔２５ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２５ａを貫通している。貫通孔２５ｃには封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂとが分離し難くなる。端子部２５ｂは、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂのうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２５ｂは、端子部２４ｂと同様に、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。
検出リード２５Ａと検出層４５Ａとは、第１接続用ワイヤ５４によって接続されている。詳細には、第１接続用ワイヤ５４のうちの検出層４５Ａに接続される端部は、縦方向Ｙにおいて検出層４５Ａのうちの検出リード２５Ａ側の端部に接続されている。第１接続用ワイヤ５４のうちの検出リード２５Ａに接続される端部は、検出リード２５Ａのパッド部２５ａに接続されている。
検出リード２５Ｂと検出層４５Ｂとは、第２接続用ワイヤ５８によって接続されている。詳細には、第２接続用ワイヤ５８のうちの検出層４５Ｂに接続される端部は、縦方向Ｙにおいて検出層４５Ｂのうちの検出リード２５Ｂ側の端部に接続されている。第２接続用ワイヤ５８のうちの検出リード２５Ｂに接続される端部は、検出リード２５Ｂのパッド部２５ａに接続されている。
図５に示すとおり、３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ａの検出リード２５Ａとは反対側となる隣に位置している。３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されている。この３個のダミーリード２６のうちの制御リード２４Ａ側の２個のダミーリード２６は、縦方向Ｙからみて、絶縁層４３Ａと重なるように配置されている。残りの１個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ａよりも封止樹脂１０の第１樹脂側面１１（図４参照）の近くとなるように配置されている。
別の３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて制御リード２４Ｂの検出リード２５Ｂとは反対側となる隣に位置している。別の３個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されている。この別の３個のダミーリード２６のうちの制御リード２４Ｂ側の２個のダミーリード２６は、縦方向Ｙからみて、絶縁層４３Ｂと重なるように配置されている。残りの１個のダミーリード２６は、横方向Ｘにおいて絶縁層４３Ｂよりも封止樹脂１０の第２樹脂側面１２（図４参照）の近くとなるように配置されている。
複数のダミーリード２６はそれぞれ、パッド部２６ａ及び端子部２６ｂを有する。複数のダミーリード２６の形状は、互いに同じであり、かつ一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの形状と同じである。本実施形態では、パッド部２６ａ及び端子部２６ｂが一体形成された単一部材である。
パッド部２６ａは、複数のダミーリード２６のうちの封止樹脂１０によって覆われた部分である。これにより、複数のダミーリード２６は、封止樹脂１０によって支持されている。なお、パッド部２６ａの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。パッド部２６ａには貫通孔２６ｃが設けられている。各貫通孔２６ｃは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部２６ａを貫通している。各貫通孔２６ｃには封止樹脂１０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂１０と複数のダミーリード２６とが分離し難くなる。端子部２６ｂは、複数のダミーリード２６のうちの封止樹脂１０から突出した部分である。端子部２６ｂは、端子部２４ｂと同様に、横方向Ｘからみて、Ｌ字状をなしている（図１及び図２参照）。本実施形態では、６個のダミーリード２６はそれぞれ、導電部材４２Ａ，４２Ｂ、ゲート層４４Ａ，４４Ｂ、及び検出層４５Ａ，４５Ｂとワイヤ等の接続部材によって接続されていない。なお、６個のダミーリード２６のうちの少なくとも１個を省略してもよい。
次に、第１半導体素子３０Ｕと入力リード２２との接続構造、及び第２半導体素子３０Ｌと導電部材４２Ｂとの接続構造について説明する。
図４に示すように、半導体装置１Ａは、複数の第２半導体素子３０Ｌと入力リード２２とを接続する複数の第１駆動用リード６０と、複数の第１半導体素子３０Ｕと導電部材４２Ｂとを接続する複数の第２駆動用リード７０を備える。複数の第１駆動用リード６０及び複数の第２駆動用リード７０は、複数の駆動用接続部材の一例である。また第１駆動用リード６０は第２半導体素子の駆動電極と接続する第２駆動用接続部材の一例であり、第２駆動用リード７０は第１半導体素子の駆動電極と接続する第１駆動用接続部材の一例である。複数の第１駆動用リード６０及び複数の第２駆動用リード７０はそれぞれ、封止樹脂１０によって封止されている。複数の第１駆動用リード６０は、複数の第２半導体素子３０Ｌの数に応じて設けられている。本実施形態では、第２半導体素子３０Ｌが４個であるため、半導体装置１Ａは、４個の第１駆動用リード６０を備える。複数の第２駆動用リード７０は、複数の第１半導体素子３０Ｕの数に応じて設けられている。本実施形態では、第１半導体素子３０Ｕが４個であるため、半導体装置１Ａは、４個の第２駆動用リード７０を備える。
図５に示すように、第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２の延長部２２ｃに接合されている。すなわち第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２とを接続している。平面視における第１駆動用リード６０の形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。第１駆動用リード６０は、複数の金属製の薄板を厚さ方向Ｚに積層した構成である。本実施形態では、図５、図１２、及び図１３に示すように、第１駆動用リード６０は、３枚の金属製の薄板である金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを、この順番で厚さ方向Ｚに積層した構成である。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃは、同一の金属材料からなる。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃを構成する材料の一例は、Ｃｕ（銅）である。なお、第１駆動用リード６０を構成する金属板の枚数は、任意に変更可能である。一例では、第１駆動用リード６０を構成する金属板の枚数は、第２半導体素子３０Ｌの許容電流の大きさに応じて設定される。金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）はそれぞれ、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍである。本実施形態では、０．０５ｍｍの厚さの金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃが用いられている。
図５に示すように、第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合される第１接続部６１と、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される第２接続部６２と、第１接続部６１と第２接続部６２とを連結する連結部６３とを有する。なお、金属板６０Ａ～６０Ｃの積層により第１駆動用リード６０が構成されるため、金属板６０Ａ～６０Ｃのそれぞれが第１接続部６１、第２接続部６２、及び連結部６３を有する。このため、金属板６０Ａ～６０Ｃのそれぞれの第１接続部６１、第２接続部６２、及び連結部６３については、符号の後にアルファベットのＡ～Ｃを付して区分する。本実施形態では、図１２及び図１３に示すように、金属板６０Ａは、第１接続部６１Ａ、第２接続部６２Ａ、及び連結部６３Ａが一体形成された単一部材である。金属板６０Ｂは、第１接続部６１Ｂ、第２接続部６２Ｂ、及び連結部６３Ｂが一体形成された単一部材である。金属板６０Ｃは、第１接続部６１Ｃ、第２接続部６２Ｃ、及び連結部６３Ｃが一体形成された単一部材である。連結部６３Ａは第１連結部の一例であり、連結部６３Ｂは第２連結部の一例であり、連結部６３Ｃは第３連結部の一例である。第１接続部６１は、第１接続部６１Ａ、第１接続部６１Ｂ、及び第１接続部６１Ｃがこの順番で厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。第２接続部６２は、第２接続部６２Ａ、第２接続部６２Ｂ、及び第２接続部６２Ｃがこの順番で厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。
図１４及び図１５に示すように、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このため、金属板６０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部６１Ａは、第１金属板の第１素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ａは、その全面にわたりソース電極３３に接触している。平面視における第１接続部６１Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ａは、ソース電極３３の大部分にわたり接合されている。一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの５０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。好ましくは、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの６０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。本実施形態では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの６０％以上かつ７０％未満の範囲の面積と接合している。
なお、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合する面積の大きさは任意に変更可能である。一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの７０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。また一例では、第１接続部６１Ａは、平面視においてソース電極３３の面積のうちの８０％以上かつ１００％未満の範囲の面積と接合している。
図１４及び図１５に示すように、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ａに積層されている。このため、金属板６０Ｂは第１金属板に接続された第２金属板の一例であり、第１接続部６１Ｂは第２金属板の第２素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ｂは、その略全面にわたり第１接続部６１Ａと接触している。平面視における第１接続部６１Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ａの先端縁に対してずれている。具体的には、第１接続部６１Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ａの先端縁よりも入力リード２２の延長部２２ｃ側に位置している。このため、平面視において、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。また、平面視において、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第１接続部６１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第１接続部６１Ａの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第１接続部６１Ｂの厚さと第１接続部６１Ａの厚さとの差が例えば第１接続部６１Ａの厚さの５％以内であれば、第１接続部６１Ｂの厚さが第１接続部６１Ａの厚さと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁は、第１接続部６１Ａの先端縁と揃っていてもよい。
金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ｂに積層されている。このため、金属板６０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部６１Ｃは第３金属板の第３素子側接続部の一例である。第１接続部６１Ｃは、その略全面にわたり第１接続部６１Ｂと接触している。平面視における第１接続部６１Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１接続部６１Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁に対してずれている。具体的には、第１接続部６１Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｂの先端縁よりも入力リード２２の延長部２２ｃ側に位置している。このため、平面視において、第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。本実施形態では、第１接続部６１Ｂの先端縁に対する第１接続部６１Ｃの先端縁のずれ量は、第１接続部６１Ａの先端縁に対する第１接続部６１Ｂの先端縁のすれ量よりも大きい。また、平面視において、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第１接続部６１Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第１接続部６１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさが第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第１接続部６１Ｃの厚さと第１接続部６１Ｂの厚さとの差が例えば第１接続部６１Ｂの厚さの５％以内であれば、第１接続部６１Ｃの厚さが第１接続部６１Ｂの厚さと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第１接続部６１Ｃの先端縁は、第１接続部６１Ｂの先端縁と揃っていてもよい。
第１接続部６１Ａは、レーザ光を用いたレーザ加工の一例であるレーザ溶接によってソース電極３３に接合されている。第１接続部６１Ｂは、レーザ溶接によって第１接続部６１Ａに接合されている。第１接続部６１Ｃは、レーザ溶接によって第１接続部６１Ｂに接合されている。
より詳細には、第１接続部６１Ａには、３個のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃが形成されている。レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と接合している。このため、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、第１接続部６１Ａのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。ここで、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。
レーザ接合部６４Ａは、第１接続部６１Ａのうちのレーザ接合部６４Ｂ，６４Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６４Ａは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ａのうちの第１接続部６１Ｂの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６４Ａは、第１接続部６１Ａのうちの第１接続部６１Ｂの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｂは、第１接続部６１Ａにおいてレーザ接合部６４Ａよりも基端寄りかつレーザ接合部６４Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｃは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの中央部に形成されている。図１５に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４ＢとのピッチＰＡ１と、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４ＣとのピッチＰＡ２とが互いに等しい。ここで、ピッチＰＡ１とピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＡ１とピッチＰＡ２とが互いに等しいと言える。なお、ピッチＰＡ１，ＰＡ２はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、ピッチＰＡ２がピッチＰＡ１よりも大きくてもよい。
図１４及び図１５に示すように、第１接続部６１Ｂには、２個のレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅが形成されている。レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第１接続部６１Ａと接合している。このため、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、第１接続部６１Ｂのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。また、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。
ここで、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさの差が例えばレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
レーザ接合部６４Ｄは、第１接続部６１Ｂのうちのレーザ接合部６４Ｅよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６４Ｄは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｃの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６４Ｄは、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｃの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。また厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｄは、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部６４Ｅは、第１接続部６１Ｂのうちの第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４Ｃとの横方向Ｘの間に位置している。このように、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃと重ならないようにずれて配置されている。また図１５に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４ＥとのピッチＰＢは、ピッチＰＡ１，ＰＡ２と等しい。ここで、ピッチＰＢとピッチＰＡ１又はピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＢがピッチＰＡ１，ＰＡ２と等しいと言える。なお、ピッチＰＢは任意に変更可能である。一例では、ピッチＰＢは、ピッチＰＡ１，ＰＡ２よりも大きくてもよい。
図１４及び図１５に示すように、第１接続部６１Ｃには、１個のレーザ接合部６４Ｆが形成されている。レーザ接合部６４Ｆは、第１接続部６１Ｂを接合している。このため、レーザ接合部６４Ｆは、第３素子側接合部の一例である。レーザ接合部６４Ｆは、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
レーザ接合部６４Ｆは、第１接続部６１Ｃのうちの第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６４Ｆは、横方向Ｘにおいてレーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４Ｅとの間に位置している。このように、レーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。また、レーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６４Ｂと重なる位置に設けられている。
このように、第１駆動用リード６０の第１接続部６１では、金属板の積層方向に隣り合う金属板に形成されたレーザ接合部が厚さ方向に重ならないようにずれて配置されている。一方、第１駆動用リード６０の第１接続部６１では、金属板の積層方向において離間した金属板に形成されたレーザ接合部は厚さ方向に重なるように配置されている。
本実施形態では、図１５に示すとおり、平面視において、３個のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ、２個のレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅ、及び１個のレーザ接合部６４Ｆは、横方向Ｘにおいて等ピッチとなるように形成されている。
また図１５の拡大図で示すように、厚さ方向Ｚにおけるレーザ接合部６４Ｂの金属板６０Ｂ側の端部には、凹部６４ｘが形成されている。横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で凹部６４ｘを切った断面視における凹部６４ｘの形状は、湾曲状である。この凹部６４ｘによって、レーザ接合部６４Ｂは、金属板６０Ｂと接触していない。なお、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｃ、及び金属板６０Ｂのレーザ接合部６４Ｅ，６４Ｆについても、レーザ接合部６４Ｂと同様に凹部６４ｘを有する。このため、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６４Ａ，６４Ｃは、金属板６０Ｂと接触していない。また、レーザ接合部６４Ｅ，６４Ｆは、金属板６０Ｃと接触していない。
図１６に示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａは、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合されている。このため、第２接続部６２Ａは、第１金属板の第１導電体側接続部の一例である。第２接続部６２Ａは、その全面にわたり延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接触している。平面視における第２接続部６２Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、延長部２２ｃの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）よりも僅かに小さい。なお、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、延長部２２ｃの縦方向Ｙの大きさと等しくてもよい。本実施形態では、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ａの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
図１６及び図１７に示すように、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２接続部６２Ａに積層されている。第２接続部６２Ｂは、その略全面にわたり第２接続部６２Ａと接触している。このため、第２接続部６２Ｂは、第２金属板の第２導電体側接続部の一例である。平面視における第２接続部６２Ｂの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２接続部６２Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ａの先端縁に対してずれている。具体的には、第２接続部６２Ｂの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ａの先端縁よりも第２半導体素子３０Ｌの近くに位置している。このため、平面視において、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさは、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの大きさよりも小さい。また、平面視において、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第２接続部６２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第２接続部６２Ａの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第２接続部６２Ｂの厚さと第２接続部６２Ａの厚さとの差が例えば第２接続部６２Ａの厚さの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの厚さが第２接続部６２Ａの厚さと等しいと言える。本実施形態では、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ｂの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁は、第２接続部６２Ａの先端縁と揃っていてもよい。
金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて第２接続部６２Ｂに積層されている。第２接続部６２Ｃは、その略全面にわたり第２接続部６２Ｂと接触している。このため、第２接続部６２Ｃは、第３金属板の第３導電体側接続部の一例である。平面視における第２接続部６２Ｃの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２接続部６２Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁に対してずれている。具体的には、第２接続部６２Ｃの先端縁は、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｂの先端縁よりも第２半導体素子３０Ｌの近くに位置している。このため、平面視において、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさは、第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの大きさよりも小さい。本実施形態では、第１接続部６１Ｂの先端縁に対する第１接続部６１Ｃの先端縁のずれ量は、第１接続部６１Ａの先端縁に対する第１接続部６１Ｂの先端縁のすれ量よりも大きい。また、平面視において、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）は、第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさ（幅寸法）と等しい。第２接続部６２Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）は、第２接続部６２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの大きさ）と等しい。ここで、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさと第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさが第２接続部６２Ｂの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また第２接続部６２Ｃの厚さと第２接続部６２Ｂの厚さとの差が例えば第２接続部６２Ｂの厚さの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの厚さが第２接続部６２Ｂの厚さと等しいと言える。本実施形態では、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさは、第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさと等しく、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさと第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの大きさが第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。また、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさと、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさとの差が例えば第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、第２接続部６２Ｃの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。なお、横方向Ｘにおいて第２接続部６２Ｃの先端縁は、第２接続部６２Ｂの先端縁と揃っていてもよい。
第２接続部６２Ａは、レーザ溶接によって入力リード２２の延長部２２ｃの先端部に接合されている。第２接続部６２Ｂは、レーザ溶接によって第２接続部６２Ａに接合されている。第２接続部６２Ｃは、レーザ溶接によって第２接続部６２Ｂに接合されている。
より詳細には、図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ａには、３個のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃが形成されている。レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合されている。このため、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、第１導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、第２接続部６２Ａのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。ここで、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、レーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさとの差がレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｂの縦方向Ｙの大きさとの関係、及び、レーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｃの縦方向Ｙの大きさとの関係についても、上述のレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ａの縦方向Ｙの大きさとの関係と同様である。
レーザ接合部６５Ａは、第２接続部６２Ａのうちのレーザ接合部６５Ｂ，６５Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６５Ａは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ａのうちの第２接続部６２Ｂの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６５Ａは、第２接続部６２Ａのうちの第２接続部６２Ｂの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｂは、第２接続部６２Ａにおいてレーザ接合部６５Ａよりも基端寄りかつレーザ接合部６５Ｃよりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｃは、第２接続部６２Ａの横方向Ｘの中央部に形成されている。本実施形態では、図１７に示すように、レーザ接合部６５Ａとレーザ接合部６５ＢとのピッチＰＣ１と、レーザ接合部６５Ｂとレーザ接合部６５ＣとのピッチＰＣ２とが互いに等しい。ここで、ピッチＰＣ１とピッチＰＣ２との差が例えばピッチＰＣ１の５％以内であれば、ピッチＰＣ１とピッチＰＣ２とが互いに等しいと言える。本実施形態では、ピッチＰＣ１は、レーザ接合部６４Ａとレーザ接合部６４Ｂとの間のピッチＰＡ１（図１５参照）と等しく、ピッチＰＣ２は、レーザ接合部６４Ｂとレーザ接合部６４Ｃとの間のピッチＰＡ２（図１５参照）と等しい。ここで、ピッチＰＣ１とピッチＰＡ１との差が例えばピッチＰＡ１の５％以内であれば、ピッチＰＣ１がピッチＰＡ１と等しいと言える。ピッチＰＣ２とピッチＰＡ２との差が例えばピッチＰＡ２の５％以内であれば、ピッチＰＣ２がピッチＰＡ２と等しいと言える。
図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ｂには、２個のレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅが形成されている。レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２接続部６２Ａに接合されている。このため、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、第２接続部６２Ｂのうちの横方向Ｘに離間した部分に形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、互いに等しい。また、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。
ここで、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさの差が例えばレーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの縦方向Ｙの大きさが互いに等しいと言える。また、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｅ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさとの差が例えばレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｄの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｄの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさとの差が例えばレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｅの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｅの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
レーザ接合部６５Ｄは、第２接続部６２Ｂのうちのレーザ接合部６５Ｅよりも先端寄りの部分に形成されている。一例では、レーザ接合部６５Ｄは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｃの先端部と重なる部分に形成されている。より詳細には、レーザ接合部６５Ｄは、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｃの先端縁と横方向Ｘに隣り合う部分に形成されている。また厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｄは、レーザ接合部６５Ａとレーザ接合部６５Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部６５Ｅは、第２接続部６２Ｂのうちの第２接続部６２Ｂの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｂとレーザ接合部６５Ｃとの横方向Ｘの間に位置している。このように、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃと重ならないようにずれて配置されている。また図１７に示すように、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｄとレーザ接合部６５ＥとのピッチＰＤは、ピッチＰＣ１，ＰＣ２と等しい。ここで、ピッチＰＤとピッチＰＣ１又はピッチＰＣ２との差が例えばピッチＰＣ１の５％以内であれば、ピッチＰＤがピッチＰＣ１，ＰＣ２と等しいと言える。また、本実施形態では、ピッチＰＤは、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄとレーザ接合部６４ＥとのピッチＰＢと等しい。ここで、ピッチＰＤとピッチＰＢとの差が例えばピッチＰＢの５％以内であれば、ピッチＰＤがピッチＰＢと等しいと言える。
図１６及び図１７に示すように、第２接続部６２Ｃには、１個のレーザ接合部６５Ｆが形成されている。レーザ接合部６５Ｆは、第２接続部６２Ｂを接合している。このため、レーザ接合部６５Ｆは、第３導電体側接合部の一例である。レーザ接合部６５Ｆは、縦方向Ｙに沿って延びている。本実施形態では、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさと、レーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさ、レーザ接合部６５Ｂの縦方向Ｙの大きさ、及びレーザ接合部６５Ｃの縦方向Ｙの大きさとの最大のずれ量が例えばレーザ接合部６５Ａの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。また、本実施形態では、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさは、第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６４Ｆ（ともに図１４参照）の縦方向Ｙの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさとレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさとの差がたとえばレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｆの縦方向Ｙの大きさがレーザ接合部６４Ｆの縦方向Ｙの大きさと等しいと言える。
レーザ接合部６５Ｆは、第２接続部６２Ｃのうちの第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの中央部よりも先端寄りの部分に形成されている。レーザ接合部６５Ｆは、横方向Ｘにおいてレーザ接合部６５Ｄとレーザ接合部６５Ｅとの間に位置している。このように、レーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。また、レーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｂと重なる位置に設けられている。
このように、第１駆動用リード６０の第２接続部６２では、金属板の積層方向に隣り合う金属板に形成されたレーザ接合部が厚さ方向に重ならないようにずれて配置されている。一方、第１駆動用リード６０の第２接続部６２では、金属板の積層方向において離間した金属板に形成されたレーザ接合部は厚さ方向に重なるように配置されている。
本実施形態では、図１７に示すとおり、平面視において、３個のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ、２個のレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅ、及び１個のレーザ接合部６５Ｆは、横方向Ｘにおいて等ピッチとなるように形成されている。
また図１７の拡大図で示すように、厚さ方向Ｚにおけるレーザ接合部６５Ｂの金属板６０Ｂ側の端部には、凹部６５ｘが形成されている。横方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で凹部６５ｘを切った断面視における凹部６５ｘの形状は、湾曲状である。この凹部６５ｘによって、レーザ接合部６５Ｂは、金属板６０Ｂと接触していない。なお、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｃ、及び金属板６０Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅについても、レーザ接合部６５Ｂと同様に凹部６５ｘを有する。このため、金属板６０Ａの他のレーザ接合部６５Ａ，６５Ｃは、金属板６０Ｂと接触していない。また、レーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅは、金属板６０Ｃと接触していない。
図１２及び図１３に示すように、金属板６０Ａを縦方向Ｙからみた側面視における金属板６０Ａの連結部６３Ａの形状は、支持基板４０（図１０（ａ）参照）に向けて開口する矩形凹状である。連結部６３Ａは、第１垂直部６６Ａ、第２垂直部６７Ａ、及び水平部６８Ａに区分できる。第１垂直部６６Ａ及び第２垂直部６７Ａは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。水平部６８Ａは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ａと第２垂直部６７Ａとを繋いでいる。第１垂直部６６Ａは、第１接続部６１Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第２垂直部６７Ａは、第２接続部６２Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第１垂直部６６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも大きい。水平部６８Ａは、第１垂直部６６Ａのうちの厚さ方向Ｚの第１接続部６１Ａとは反対側の端部と、第２垂直部６７Ａのうちの厚さ方向Ｚの第２接続部６２Ａとは反対側の端部とを繋いでいる。このため、厚さ方向Ｚにおいて、水平部６８Ａは、入力リード２２よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５（図１０（ａ）参照）の近くに配置されている。
金属板６０Ｂの連結部６３Ｂは、金属板６０Ａの連結部６３Ａ上に積層されている。より詳細には、金属板６０Ｂを縦方向Ｙからみた側面視における連結部６３Ｂの形状は、連結部６３Ａと同様に矩形凹状である。連結部６３Ｂは、第１垂直部６６Ｂ、第２垂直部６７Ｂ、及び水平部６８Ｂに区分できる。第１垂直部６６Ｂは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ａに積層されている。第１垂直部６６Ｂはその全面にわたり第１垂直部６６Ａと接触している。第２垂直部６７Ｂは、横方向Ｘにおいて第２垂直部６７Ａに積層されている。第２垂直部６７Ｂはその全面にわたり第２垂直部６７Ａと接触している。水平部６８Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて水平部６８Ａに積層されている。水平部６８Ｂはその全面にわたり水平部６８Ａと接触している。
金属板６０Ｃの連結部６３Ｃは、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂ上に積層されている。より詳細には、金属板６０Ｃを縦方向Ｙからみた側面視における連結部６３Ｃの形状は、連結部６３Ａと同様に矩形凹状である。連結部６３Ｃは、第１垂直部６６Ｃ、第２垂直部６７Ｃ、及び水平部６８Ｃに区分できる。第１垂直部６６Ｃは、横方向Ｘにおいて第１垂直部６６Ｂに積層されている。第１垂直部６６Ｃはその全面にわたり第１垂直部６６Ｂと接触している。第２垂直部６７Ｃは、横方向Ｘにおいて第２垂直部６７Ｂに積層されている。第２垂直部６７Ｃはその全面にわたり第２垂直部６７Ｂと接触している。水平部６８Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて水平部６８Ｂに積層されている。水平部６８Ｃはその全面にわたり水平部６８Ｂと接触している。
図５に示すように、第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と横方向Ｘにおける導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの導電部材４２Ａ側の端部とに接合されている。このように、導電部材４２Ｂは駆動用導電体の一例であり、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂは駆動用導電体の駆動用接続表面の一例である。
平面視における第２駆動用リード７０の形状は、横方向Ｘに延びる帯状である。第２駆動用リード７０は、複数の金属製の薄板を厚さ方向Ｚに積層した構成である。本実施形態では、図１８及び図１９に示すように、第２駆動用リード７０は、３枚の金属製の薄板である金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを、この順番で厚さ方向Ｚに積層した構成である。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃは、同一の金属材料から構成されている。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを構成する材料の一例は、Ｃｕ（銅）である。なお、第２駆動用リード７０を構成する金属板の枚数は、任意に変更可能である。一例では、第２駆動用リード７０を構成する金属板の枚数は、第１半導体素子３０Ｕの許容電流の大きさに応じて設定される。金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）はそれぞれ、金属板６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ（図１２及び図１３参照）と同様に、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍである。本実施形態では、０．０５ｍｍの厚さの金属板７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃが用いられている。
第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合される第１接続部７１と、導電部材４２Ｂに接合される第２接続部７２と、第１接続部７１と第２接続部７２とを連結する連結部７３とを有する。なお、金属板７０Ａ～７０Ｃの積層により第２駆動用リード７０が構成されるため、金属板７０Ａ～７０Ｃのそれぞれが第１接続部７１、第２接続部７２、及び連結部７３を有する。このため、金属板７０Ａ～７０Ｃのそれぞれの第１接続部７１、第２接続部７２、及び連結部７３については、符号の後にアルファベットのＡ～Ｃを付して区分する。本実施形態では、金属板７０Ａは、第１接続部７１Ａ、第２接続部７２Ａ、及び連結部７３Ａが一体形成された単一部材である。金属板７０Ｂは、第１接続部７１Ｂ、第２接続部７２Ｂ、及び連結部７３Ｂが一体形成された単一部材である。金属板７０Ｃは、第１接続部７１Ｃ、第２接続部７２Ｃ、及び連結部７３Ｃが一体形成された単一部材である。第１接続部７１は、第１接続部７１Ａ、第１接続部７１Ｂ、及び第１接続部７１Ｃが厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。第２接続部７２は、第２接続部７２Ａ、第２接続部７２Ｂ、及び第２接続部７２Ｃが厚さ方向Ｚにおいて積層されることによって構成されている。
図２０及び図２１に示すように、第２駆動用リード７０の第１接続部７１の構成は、第１駆動用リード６０の第２接続部６２（図１６及び図１７参照）の構成と同じである。より詳細には、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａの構成は金属板６０Ａの第２接続部６２Ａの構成と同じであり、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂの構成は金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂの構成と同じであり、金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃの構成は金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃの構成と同じである。また、第１接続部７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃの積層態様は、第２接続部６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃの積層態様と同じである。
第１接続部７１Ａは、レーザ溶接によって第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合されている。第１接続部７１Ｂは、レーザ溶接によって第１接続部７１Ａに接合されている。第１接続部７１Ｃは、レーザ溶接によって第１接続部７１Ｂに接合されている。第１接続部７１Ａには、第２接続部６２Ａと同様に、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃが形成されている。レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ａに形成されたレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第１接続部７１Ｂには、第２接続部６２Ｂと同様に、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅが形成されている。レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第１接続部７１Ｃには、第２接続部６２Ｃと同様に、レーザ接合部７４Ｆが形成されている。レーザ接合部７４Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。レーザ接合部７４Ａ～７４Ｆのそれぞれには、レーザ接合部６５Ａ～６５Ｆの凹部６５ｘ（図１７参照）と同様に凹部７４ｘが形成されている。
図２２及び図２３に示すように、第２駆動用リード７０の第２接続部７２の構成は、第１駆動用リード６０の第１接続部６１（図１４及び図１５参照）の構成と同じである。より詳細には、金属板７０Ａの第２接続部７２Ａの構成は金属板６０Ａの第１接続部６１Ａの構成と同じであり、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂの構成は金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂの構成と同じであり、金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃの構成は金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃの構成と同じである。また、第２接続部７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃの積層態様は、第１接続部６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃの積層態様と同じである。
第２接続部７２Ａは、レーザ溶接によって導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合されている。第２接続部７２Ｂは、レーザ溶接によって第２接続部７２Ａに接合されている。第２接続部７２Ｃは、レーザ溶接によって第２接続部７２Ｂに接合されている。第２接続部７２Ａには、第１接続部６１Ａと同様に、レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃが形成されている。レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ａに形成されたレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第２接続部７２Ｂには、第１接続部６１Ｂと同様に、レーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅが形成されている。レーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅのそれぞれの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。第２接続部７２Ｃには、第１接続部６１Ｃと同様に、レーザ接合部７５Ｆが形成されている。レーザ接合部７５Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様は、第１接続部６１Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆの形状及び大きさ、並びに配置態様と同じである。レーザ接合部７５Ａ～７５Ｆのそれぞれには、レーザ接合部６４Ａ～６４Ｆの凹部６４ｘ（図１５参照）と同様に凹部７５ｘが形成されている。
図１８及び図１９に示すように、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状は、第１駆動用リード６０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部６３の形状と異なる。具体的には、上記側面視における連結部７３の形状は、連結部６３と同様に、支持基板４０に向けて開口する矩形凹状に形成されている。一方、第１半導体素子３０Ｕと導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとの間の厚さ方向Ｚの距離が入力リード２２の延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌとの間の厚さ方向Ｚの距離よりも小さいため、連結部７３の凹状の深さが連結部６３の凹状の深さよりも浅い。
金属板７０Ａを縦方向Ｙからみた側面視における金属板７０Ａの連結部７３Ａの形状は、支持基板４０（図１１（ａ）参照）に向けて開口する矩形凹状である。金属板７０Ａの連結部６３Ａは、第１垂直部７６Ａ、第２垂直部７７Ａ、及び水平部７８Ａに区分できる。第１垂直部７６Ａ及び第２垂直部７７Ａは、横方向Ｘにおいて離間して配置されている。水平部７８Ａは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ａと第２垂直部７７Ａとを繋いでいる。第１垂直部７６Ａは、第２接続部７２Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第２垂直部７７Ａは、第１接続部７１Ａの基端部から厚さ方向Ｚに延びている。第１垂直部７６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも大きい。本実施形態では、第１垂直部７６Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、第１駆動用リード６０の金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａの厚さ方向Ｚの大きさよりも小さい。第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさは、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと等しい。水平部７８Ａは、第１垂直部７６Ａのうちの厚さ方向Ｚの第２接続部７２Ａとは反対側の端部と、第２垂直部７７Ａのうちの厚さ方向Ｚの第１接続部７１Ａとは反対側の端部とを繋いでいる。水平部７８Ａの横方向Ｘの長さは、金属板６０Ａの水平部６８Ａの横方向Ｘの長さと等しい。ここで、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさとの差が例えば第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさの５％以内であれば、第２垂直部７７Ａの厚さ方向Ｚの大きさが第２垂直部６７Ａの厚さ方向Ｚの大きさと等しいと言える。また、水平部７８Ａの横方向Ｘの長さと水平部６８Ａの横方向Ｘの長さとの差が例えば水平部６８Ａの横方向Ｘの長さの５％以内であれば、水平部７８Ａの横方向Ｘの長さが水平部６８Ａの横方向Ｘの長さと等しいと言える。
金属板７０Ｂの連結部７３Ｂは、金属板７０Ａの連結部７３Ａ上に積層されている。より詳細には、金属板７０Ｂを縦方向Ｙからみた側面視における連結部７３Ｂの形状は、連結部７３Ａと同様に矩形凹状である。連結部７３Ｂは、第１垂直部７６Ｂ、第２垂直部７７Ｂ、及び水平部７８Ｂに区分できる。第１垂直部７６Ｂは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ａに積層されている。第１垂直部７６Ｂはその全面にわたり第１垂直部７６Ａと接触している。第２垂直部７７Ｂは、横方向Ｘにおいて第２垂直部７７Ａに積層されている。第２垂直部７７Ｂはその全面にわたり第２垂直部７７Ａと接触している。水平部７８Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて水平部７８Ａに積層されている。水平部７８Ｂはその全面にわたり水平部７８Ａと接触している。
金属板７０Ｃの連結部７３Ｃは、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂ上に積層されている。より詳細には、金属板７０Ｃを縦方向Ｙからみた側面視における連結部７３Ｃの形状は、連結部７３Ａと同様に矩形凹状である。連結部７３Ｃは、第１垂直部７６Ｃ、第２垂直部７７Ｃ、及び水平部７８Ｃに区分できる。第１垂直部７６Ｃは、横方向Ｘにおいて第１垂直部７６Ｂに積層されている。第１垂直部７６Ｃはその全面にわたり第１垂直部７６Ｂと接触している。第２垂直部７７Ｃは、横方向Ｘにおいて第２垂直部７７Ｂに積層されている。第２垂直部７７Ｃはその全面にわたり第２垂直部７７Ｂと接触している。水平部７８Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて水平部７８Ｂに積層されている。水平部７８Ｃはその全面にわたり水平部７８Ｂと接触している。
このように、金属板７０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部７１Ａは第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ａは第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ａは第１連結部の一例である。第１接続部７１Ａに形成されたレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃは第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ａに形成されたレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃは第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
金属板７０Ｂは第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、第１接続部７１Ｂは第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ｂは第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ｂは第２連結部の一例である。第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅは第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅは第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
金属板７０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部７１Ｃは第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、第２接続部７２Ｃは第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、連結部７３Ｃは第３連結部の一例である。第１接続部７１Ｃに形成されたレーザ接合部７４Ｆは第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、第２接続部７２Ｃに形成されたレーザ接合部７５Ｆは第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
（製造方法）
次に、図２４～図２７を参照して、本実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。以下の説明において、半導体装置１Ａの符号が付された各構成要素は、図１～図２３の半導体装置１Ａの各構成要素を示す。
図２４に示すように、半導体装置１Ａの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ１）、素子実装工程（ステップＳ２）、接合工程（ステップＳ３）、ワイヤ形成工程（ステップＳ４）、及び封止工程（ステップＳ５）を有する。本実施形態では、支持基板準備工程、素子実装工程、接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって、半導体装置１Ａが製造される。
支持基板準備工程では、支持基板４０（図２参照）が準備される。具体的には、まず絶縁基板４１上に導電部材４２Ａ及び導電部材４２Ｂを互いに離間して接合する。そして、導電部材４２Ａ，４２Ｂ上に、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ及び複数の支持台２９を接合する。そして、一対の絶縁層４３Ａ，４３Ｂ上に一対のゲート層４４Ａ，４４Ｂ及び一対の検出層４５Ａ，４５Ｂを接合する。
素子実装工程では、導電部材４２Ａに第１半導体素子３０Ｕを実装し、導電部材４２Ｂに第２半導体素子３０Ｌを実装する。具体的には、導電部材４２Ａにおける第１半導体素子３０Ｕの実装領域に銀ペーストを塗布し、導電部材４２Ｂにおける第２半導体素子３０Ｌの実装領域に銀ペーストを塗布する。この塗布方法としては、例えばマスクを用いたスクリーン印刷が挙げられる。そして導電部材４２Ａにおける第１半導体素子３０Ｕの実装領域に第１半導体素子３０Ｕの素子裏面３２を接合し、導電部材４２Ｂにおける第２半導体素子３０Ｌの実装領域に第２半導体素子３０Ｌの素子裏面３２を接合する。なお、第１半導体素子３０Ｕ及び第２半導体素子３０Ｌの実装について、銀ペーストにかえて半田等の導電性接合材を用いてもよい。
接合工程は、第１接合工程（ステップＳ３１）、第２接合工程（ステップＳ３２）、及び第３接合工程（ステップＳ３３）を含む。
第１接合工程は、入力リード２１，２２及び出力リード２３を支持基板４０に接合する工程である。本実施形態では、まず、入力リード２１を導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。次に、入力リード２１に絶縁部材２８を取り付ける。次に、絶縁部材２８に入力リード２２を取り付ける。これにより、絶縁部材２８は、入力リード２１と入力リード２２とによって厚さ方向Ｚに挟み込まれる。また、入力リード２２の複数の延長部２２ｃはそれぞれ、支持台２９に載置される。次に、出力リード２３を導電部材４２Ｂに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。なお、入力リード２１，２２を導電部材４２Ａに接合する工程と、出力リード２３を導電部材４２Ｂに接合する工程との順番は任意に変更可能である。
第２接合工程は、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂを形成するためのリードフレームを準備する第１工程と、側方リード２７Ａ，２７Ｂを支持基板４０に接合する第２工程とを含む。
第１工程では、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂ、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂ、複数のダミーリード２６、及び一対の側方リード２７Ａ，２７Ｂが繋がったリードフレームを準備する。リードフレームでは、各リード２４Ａ，２４Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，２６の端子部２４ｂ，２５ｂ，２６ｂがＬ字状に折り曲げられる前の状態で形成されている。
第２工程では、リードフレームに繋げられた側方リード２７Ａを導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、リードフレームに繋げられた側方リード２７Ｂを導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合する。これらの接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。
第３接合工程は、複数の第１駆動用リード６０を複数の第１半導体素子３０Ｕと入力リード２２の複数の延長部２２ｃとに接合する工程、及び複数の第２駆動用リード７０を複数の第２半導体素子３０Ｌと導電部材４２Ｂとに接合する工程である。第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕとの接合方法、第１駆動用リード６０と延長部２２ｃとの接合方法、第２駆動用リード７０と第２半導体素子３０Ｌとの接合方法、及び第２駆動用リード７０と導電部材４２Ｂとの接合方法は互いに同じである。このため、第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕとの接合方法について詳細に説明し、他の接合の説明を省略する。
図２５～図２７に示すように、接合装置２００を用いて、第１駆動用リード６０と第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とに第１駆動用リード６０が接合される。接合装置２００は、金属板を供給するリード供給部２１０と、レーザ溶接を行うためのレーザ照射部２２０とを備える。本実施形態では、リード供給部２１０の内部にレーザ照射部２２０が設けられている。リード供給部２１０及びレーザ照射部２２０はそれぞれ独立して横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚに移動可能なように構成されている。
第１駆動用リード６０における第３接合工程は、駆動電極接続工程、第１連結部形成工程、及び導電体接続工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。
図２５は、駆動電極接続工程を示している。駆動電極接続工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ａの第１接続部６１Ａを第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接続する工程である。
図２５に示すように、リード供給部２１０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に金属製のリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。リボン材２３０は、例えばＣｕ（銅）である。レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいてソース電極３３側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査され、一直線状に照射される。これにより、ソース電極３３とリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、ソース電極３３上にレーザ接合部６４Ａが形成可能な横方向Ｘの長さのリボン材２３０を載置するように横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ａが形成される。次に、リード供給部２１０は、ソース電極３３上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｂが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｂが形成される。次に、リード供給部２１０は、ソース電極３３上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｃが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、ソース電極３３上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｃが形成される。以上の工程を経て、ソース電極３３上に金属板６０Ａの第１接続部６１Ａが形成され、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される。
第１連結部形成工程では、金属板６０Ａの連結部６３Ａを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａが形成される。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに沿って第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ａの水平部６８Ａが形成される。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａが形成される。
導電体接続工程は、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａを駆動用導電体である入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、延長部２２ｃの主面２２ｃｓにリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、延長部２２ｃ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。接合装置２００は、第１接続部６１Ａと同様に、延長部２２ｃへのリボン材２３０の供給とレーザ光による接合を繰り返すことによって、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃを形成する。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａが形成される。すなわち、金属板６０Ａが第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓとに接合される。
次に、第１駆動用リード６０における第３接合工程では、第１素子側積層工程、第２連結部形成工程、及び第１導電体側積層工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。すなわち、導電体接続工程は、駆動電極接続工程の後、かつ第１素子側積層工程よりも前に行われる。
図２６は、第１素子側積層工程を示している。第１素子側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂを金属板６０Ａの第１接続部６１Ａに積層した状態で第１接続部６１Ａに接続する工程である。
図２６に示すように、リード供給部２１０は、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ａ側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査されて一直線状に照射される。これにより、第１接続部６１Ａとリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、まず、第１接続部６１Ａの先端縁に対して横方向Ｘにずれた位置にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。そしてリボン材２３０にレーザ接合部６４Ｄを形成可能な横方向Ｘの長さになるまでリード供給部２１０が移動したときにリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止する。そしてレーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｄが形成される。次に、リード供給部２１０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さをレーザ接合部６４Ｅが形成可能な横方向Ｘの長さとなるようにリボン材２３０を供給しつつ横方向Ｘに移動する。そしてリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止した後、レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｅが形成される。以上の工程を経て、第１接続部６１Ａ上に金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂが形成され、第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される。
第２連結部形成工程は、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、金属板６０Ａの第１垂直部６６Ａに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｂの第１垂直部６６Ｂが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ａの水平部６８Ａに対して厚さ方向Ｚから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｂの水平部６８Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ａの第２垂直部６７Ａに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ｂの第２垂直部６７Ｂが形成される。
第１導電体側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂを金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに積層した状態で第２接続部６２Ａに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、第２接続部６２Ａ上にリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、第２接続部６２Ａ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。接合装置２００は、第２接続部６２Ａと同様に、第２接続部６２Ａ上へのリボン材２３０の供給とレーザ光による接合を繰り返すことによって、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅを形成する。そしてリード供給部２１０は、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂが形成される。すなわち、金属板６０Ｂが金属板６０Ａに積層され、かつ金属板６０Ａの第１接続部６１Ａと第２接続部６２Ａとに接合される。
次に、第１駆動用リード６０における第３接合工程では、第２素子側積層工程、第３連結部形成工程、及び第２導電体側積層工程を順に経て金属板６０Ａが形成される。すなわち、第１導電体側積層工程は、第１素子側積層工程の後、かつ第２素子側積層工程よりも前に行われる。
図２７は、第２素子側積層工程を示している。第２素子側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃを金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂに積層した状態で第１接続部６１Ｂに接続する工程である。
図２７に示すように、リード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂ上にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。レーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ｂ上に載置されたリボン材２３０に対して厚さ方向Ｚにおいて第１接続部６１Ｂ側とは反対側からレーザ光を照射する。レーザ光は、リボン材２３０に対して縦方向Ｙに沿って走査されて一直線状に照射される。これにより、第１接続部６１Ｂとリボン材２３０とを接合するレーザ接合部６４Ｆが形成される。詳細には、リード供給部２１０は、まず、第１接続部６１Ｂの先端縁に対して横方向Ｘにずれた位置にリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。そしてリボン材２３０にレーザ接合部６４Ｆを形成可能な横方向Ｘの長さになるまでリード供給部２１０が移動したときにリード供給部２１０の横方向Ｘへの移動を停止する。そしてレーザ照射部２２０は、第１接続部６１Ｂ上のリボン材２３０に対してレーザ光を照射する。これにより、レーザ接合部６４Ｆが形成される。次に、リード供給部２１０は、第１接続部６１Ａ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さを第１接続部６１Ｃの横方向Ｘの長さと同じ長さになるまでリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃが形成される。
第３連結部形成工程は、金属板６０Ｃの連結部６３Ｃを形成する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第１垂直部６６Ｂに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｃの第１垂直部６６Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ｂの水平部６８Ｂに対して厚さ方向Ｚから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘにおいて第１半導体素子３０Ｕから離れるように移動する。これにより、金属板６０Ｃの水平部６８Ｃが形成される。そしてリード供給部２１０は、金属板６０Ｂの第２垂直部６７Ｂに対して横方向Ｘから接触するようにリボン材２３０を供給しつつ、厚さ方向Ｚにおいて延長部２２ｃに向けて移動する。これにより、金属板６０Ｃの第２垂直部６７Ｃが形成される。
第２導電体側積層工程は、第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃを金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに積層した状態で第２接続部６２Ｂに接続する工程である。具体的には、リード供給部２１０は、リボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。これにより、第２接続部６２Ｂ上にリボン材２３０が載置される。そしてレーザ照射部２２０は、第２接続部６２Ｂ上に載置されたリボン材２３０にレーザ光を照射する。これにより、リボン材２３０にレーザ接合部６５Ｆを形成する。そしてリード供給部２１０は、第２接続部６２Ｂ上のリボン材２３０の横方向Ｘの長さが第２接続部６２Ｃの横方向Ｘの長さになるまでリボン材２３０を供給しつつ、横方向Ｘに移動する。その後、リボン材２３０を切断する。これにより、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃが形成される。すなわち、金属板６０Ｃが金属板６０Ｂに積層され、かつ金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂと第２接続部６２Ｂとに接合される。以上の工程を経て、第１駆動用リード６０が形成される。
第３接合工程では、第１駆動用リード６０の形成と同様に、第２駆動用リード７０が形成される。概略を述べると、接合装置２００によって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとを接合する金属板７０Ａが形成される。次に、金属板７０Ａに積層され、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａと第２接続部７２Ａのそれぞれに接合される金属板７０Ｂが形成される。最後に、金属板７０Ｂに積層され、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂと第２接続部７２Ｂのそれぞれに接合される金属板７０Ｃが形成される。
ワイヤ形成工程は、ゲート層４４Ａ，４４Ｂ及び検出層４５Ａ，４５Ｂと、複数の半導体素子３０、制御リード２４Ａ，２４Ｂ、及び検出リード２５Ａ，２５Ｂを各ワイヤ５１～５８によって接続する工程である。換言すれば、接続工程は、各ワイヤ５１～５８を形成する工程である。各ワイヤ５１～５８は、ワイヤボンディングによって形成される。
ワイヤ形成工程では、まず、複数の第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４とゲート層４４Ａとを接続する複数の第１制御用ワイヤ５１と、複数の第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４とゲート層４４Ｂとを接続する複数の第２制御用ワイヤ５２とを形成する。次に、複数の第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と検出層４５Ａとを接続する複数の第１検出用ワイヤ５５と、複数の第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と検出層４５Ｂとを接続する複数の第２検出用ワイヤ５６とを形成する。次に、ゲート層４４Ａと制御リード２４Ａとを接続する第１接続用ワイヤ５３と、ゲート層４４Ｂと制御リード２４Ｂとを接続する第２接続用ワイヤ５７とを形成する。最後に、検出層４５Ａと検出リード２５Ａとを接続する第１接続用ワイヤ５４と、検出層４５Ｂと検出リード２５Ｂとを接続する第２接続用ワイヤ５８とを形成する。なお、各ワイヤ５１～５８の形成順番は、上記の順番に限定されず、任意に変更可能である。
封止工程では、例えば黒色のエポキシ樹脂を用いたトランスファーモールド成形によって封止樹脂１０を形成する。本実施形態では、入力リード２１，２２の一部、出力リード２３の一部、一対の制御リード２４Ａ，２４Ｂの一部、一対の検出リード２５Ａ，２５Ｂの一部、複数のダミーリード２６の一部、複数の半導体素子３０、支持基板４０のうちの絶縁基板４１の基板裏面４１ｂ以外の部分、各ワイヤ５１～５８、複数の第１駆動用リード６０、及び複数の第２駆動用リード７０を覆うように封止樹脂１０を形成する。形成された封止樹脂１０からは、入力リード２１，２２の端子部２１ｂ，２２ｂ、出力リード２３の端子部２３ｂ、制御リード２４Ａ，２４Ｂの端子部２４ｂ、検出リード２５Ａ，２５Ｂの端子部２５ｂ、複数のダミーリード２６の端子部２６ｂ、及び絶縁基板４１の基板裏面４１ｂが露出する。
その後、リードフレームから複数のリード２０の不要な部分を切断したり、制御リード２４Ａ，２４Ｂ、検出リード２５Ａ，２５Ｂ、及び複数のダミーリード２６を折り曲げたりすることによって、半導体装置１Ａが製造される。なお、上述の製造方法は、半導体装置の製造方法の一例であって、これに限定されず、適宜順序を入れ替えてもよい。
（作用）
本実施形態の半導体装置１Ａの作用について説明する。
近年、ＳｉＣ等によって大電流を供給可能な半導体素子の開発が進められている。
一方、半導体装置全体として、すなわち半導体装置における半導体素子以外の部品が半導体素子と同様に大電流化に対応しているとは言い難い。特に、半導体素子から端子までの間の接続ラインにおける大電流化において改善の余地がある。
図２８及び図２９は、このような大電流化に対して改善の余地がある比較例の半導体装置の構成である。図２８は、第１比較例の半導体装置３００における３個の駆動用リード３１０と半導体素子３０との接合構造を示している。図２９は、第２比較例の半導体装置４００における４個の駆動用リード４１０と半導体素子３０との接合構造を示している。
図２８に示すように、半導体装置３００における駆動用リード３１０は、半導体素子３０のソース電極３３に接合されている。駆動用リード３１０は、一対の第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３を有する。第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３はそれぞれ、１枚の金属板からなる。平面視における第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の形状はそれぞれ、横方向Ｘに延びる帯状である。一対の第１駆動用リード３１１，３１２は、縦方向Ｙに互いに隣り合うように配置されている。第２駆動用リード３１３は、厚さ方向Ｚからみて、第１駆動用リード３１２と重なるように配置されている。第２駆動用リード３１３は、第１駆動用リード３１２よりも厚さ方向Ｚの半導体素子３０側に位置している。
第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３はそれぞれ、ソース電極３３に超音波溶接によって接合されている。第１駆動用リード３１１においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１１Ａの横方向Ｘの長さ、第１駆動用リード３１２においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１２Ａの横方向Ｘの長さ、及び第２駆動用リード３１３においてソース電極３３に接合される素子側接続部３１３Ａの横方向Ｘの長さはそれぞれ、本実施形態の第１駆動用リード６０の第１接続部６１の横方向Ｘの長さよりも短い。このため、平面視において、ソース電極３３の面積に対する第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の素子側接続部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの面積が占める割合が小さい。
この問題を解決するため、図２９に示すように、半導体装置４００における１個の駆動用リード４１０が半導体素子３０のソース電極３３に対して複数箇所で接合されている。図２９に示すとおり、各駆動用リード４１０は、横方向Ｘにおいて互いに離間した４個の素子側接続部４１１，４１２，４１３，４１４が形成されている。しかし、各駆動用リード４１０において素子側接続部４１１と素子側接続部４１２との横方向Ｘの間の部分、素子側接続部４１２と素子側接続部４１３との横方向Ｘの間の部分、素子側接続部４１３と素子側接続部４１４との横方向Ｘの間の部分はそれぞれ、ソース電極３３から厚さ方向Ｚに離間している。これらのソース電極３３から厚さ方向Ｚに離間する部分は、超音波溶接を行う際に横方向Ｘに各駆動用リード４１０を構成する金属板を振動させる関係上、形成せざるを得ない部分である。このため、平面視において、ソース電極３３の面積に対する素子側接続部４１１～４１４の面積が占める割合は、平面視において、ソース電極３３の面積に対する第１駆動用リード３１１，３１２及び第２駆動用リード３１３の素子側接続部３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａの面積が占める割合よりも大きくなるものの、未だ改善の余地がある。
加えて、駆動用リード３１０，４１０をソース電極３３に超音波溶接によって接合するときにソース電極３３に加えられる負荷が大きくなる。超音波溶接によってソース電極３３に接合された素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４はそれぞれ、駆動用リード３１０，４１０を縦方向Ｙからみた側面視において、凸凹状である。これは、超音波溶接を行うときに金属板を組成変形させるまでソース電極３３に押し付けながら振動を加えるためである。その結果、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４は、金属板を厚さ方向Ｚに積層した構造とすることが困難である。仮に、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４は、金属板を厚さ方向Ｚに積層することが可能であるとしても、素子側接続部３１１Ａ～３１３Ａ，４１１～４１４における厚さ方向Ｚに隣り合う金属板同士の接触面積が小さくなる。
このような実情に鑑み、本実施形態では、レーザ溶接によって第１駆動用リード６０が第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合され、レーザ溶接によって第２駆動用リード７０が第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このため、第１駆動用リード６０の第１接続部６１がその略全面にわたりソース電極３３と接触した状態でソース電極３３と接合できる。したがって、ソース電極３３の面積に対する第１接続部６１（６１Ａ）の面積を大きくすることができる。またレーザ溶接による接合は、超音波溶接による接合と比較して、ソース電極３３に対する機械的負荷が小さい。このため、ソース電極３３に対する機械的負荷に起因する悪影響をソース電極３３が受け難くなる。
（効果）
本実施形態の半導体装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
（１－１）第１駆動用リード６０は、第２半導体素子３０Ｌに接続された金属板６０Ａ、及び金属板６０Ａに積層された金属板６０Ｂを有する。金属板６０Ａは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接続された第１接続部６１Ａを有し、金属板６０Ｂは、第１接続部６１Ａに接続された第１接続部６１Ｂを有する。第１接続部６１Ａ及び第１接続部６１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第１接続部６１におけるソース電極３３の接合面積を大きくすることができ、かつ第１駆動用リード６０の第１接続部６１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０に流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
第２駆動用リード７０は、第１半導体素子３０Ｕに接続された金属板７０Ａ、及び金属板７０Ａに積層された金属板７０Ｂを有する。金属板７０Ａは、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接続された第１接続部７１Ａを有し、金属板７０Ｂは、第１接続部７１Ａに接続された第１接続部７１Ｂを有する。第１接続部７１Ａ及び第１接続部７１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における断面積を大きくすることができ、第２駆動用リード７０の第１接続部７１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０に流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
（１－２）第１駆動用リード６０は、金属板６０Ｂに積層された金属板６０Ｃを有する。金属板６０Ｃは、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂに接続された第１接続部６１Ｃを有する。第１接続部６１Ｂ及び第１接続部６１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第１接続部６１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０への許容電流量をより増大させることができる。
第２駆動用リード７０は、金属板７０Ｂに積層された金属板７０Ｃを有する。金属板７０Ｃは、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂに接続された第１接続部７１Ｃを有する。第１接続部７１Ｂ及び第１接続部７１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第１接続部７１を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０への許容電流量をより増大させることができる。
（１－３）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ａに形成されたレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板６０Ａ，６０Ｂの第１接続部６１Ａ，６１Ｂのレーザ接合部６４Ａ～６４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第１接続部６１Ａと第１接続部６１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板６０Ａから金属板６０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ａに形成されたレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板７０Ａ，７０Ｂの第１接続部７１Ａ，７１Ｂのレーザ接合部７４Ａ～７４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第１接続部７１Ａと第１接続部７１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板７０Ａから金属板７０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
（１－４）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂに形成されたレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂの平坦面と金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃが接触した状態でレーザ接合部６４Ｆによって第１接続部６１Ｂ，６１Ｃ同士が接合される。したがって、第１接続部６１Ｂと第１接続部６１Ｃとを接合し易くなる。
第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ｃに形成されたレーザ接合部７４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂに形成されたレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂの平坦面と金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃが接触した状態でレーザ接合部７４Ｆによって第１接続部７１Ｂ，７１Ｃ同士が接合される。したがって、第１接続部７１Ｂと第１接続部７１Ｃとを接合し易くなる。
（１－５）第１駆動用リード６０の第１接続部６１Ｃのレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ａのレーザ接合部６４Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部６４Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部６１Ｂのレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部６４Ｆの位置をレーザ接合部６４Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部６４Ｆがレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅと重なり難くなる。
第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ｃのレーザ接合部７４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部７４Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第１接続部７１Ｂのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部７４Ｆの位置をレーザ接合部７４Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部７４Ｆがレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅと重なり難くなる。
（１－６）金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂにおけるレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅの数は、金属板６０Ａの第１接続部６１Ａにおけるレーザ接合部６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃの数よりも少なく、金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃにおけるレーザ接合部６４Ｆの数は、第１接続部６１Ｂにおけるレーザ接合部６４Ｄ，６４Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数を少なくできる。
金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅの数は、金属板７０Ａの第１接続部７１Ａにおけるレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃの数よりも少なく、金属板７０Ｃの第１接続部７１Ｃにおけるレーザ接合部７４Ｆの数は、第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数が少なくなる。
（１－７）第１駆動用リード６０の金属板６０Ａは、入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接続された第２接続部６２Ａを有し、金属板６０Ｂは、第２接続部６２Ａに接続された第２接続部６２Ｂを有する。第２接続部６２Ａ及び第２接続部６２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２における延長部２２ｃの主面２２ｃｓの接合面積を大きくすることができ、かつ第１駆動用リード６０の第２接続部６２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から延長部２２ｃに流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
第２駆動用リード７０の金属板７０Ａは、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接続された第２接続部７２Ａを有し、金属板７０Ｂは、第２接続部７２Ａに接続された第２接続部７２Ｂを有する。第２接続部７２Ａ及び第２接続部７２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における断面積を大きくすることができ、第２接続部７２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積が大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂに流すことが可能な電流の上限値（許容電流量）を増大させることができる。
（１－８）第１駆動用リード６０の金属板６０Ｃは、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに接続された第２接続部６２Ｃを有する。第２接続部６２Ｂ及び第２接続部６２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から延長部２２ｃへの許容電流量をより増大させることができる。
第２駆動用リード７０の金属板７０Ｃは、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂに接続された第２接続部７２Ｃを有する。第２接続部７２Ｂ及び第２接続部７２Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて積層されている。この構成によれば、第２駆動用リード７０の第２接続部７２を厚さ方向Ｚ及び縦方向Ｙに沿う平面で切った断面積がさらに大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂへの許容電流量をより増大させることができる。
（１－９）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ａに形成されたレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板６０Ａ，６０Ｂの第２接続部６２Ａ，６２Ｂのレーザ接合部６５Ａ～６５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第２接続部６２Ａと第２接続部６２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板６０Ａから金属板６０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ａに形成されたレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、厚さ方向Ｚにおいて隣り合う金属板７０Ａ，７０Ｂの第２接続部７２Ａ，７２Ｂのレーザ接合部７５Ａ～７５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、第２接続部７２Ａと第２接続部７２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、金属板７０Ａから金属板７０Ｂに電流をスムーズに流すことができる。
（１－１０）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ｃに形成されたレーザ接合部６４Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂに形成されたレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂの平坦面と金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃが接触した状態でレーザ接合部６５Ｆによって第２接続部６２Ｂ，６２Ｃ同士が接合される。したがって、第２接続部６２Ｂと第２接続部６２Ｃとを接合し易くなる。
第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ｃに形成されたレーザ接合部７５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂに形成されたレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されている。この構成によれば、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂのレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅ以外の部分が平坦面として形成されるため、金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂの平坦面と金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃが接触した状態でレーザ接合部７５Ｆによって第２接続部７２Ｂ，７２Ｃ同士が接合される。したがって、第２接続部７２Ｂと第２接続部７２Ｃとを接合し易くなる。
（１－１１）第１駆動用リード６０の第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部６５Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部６５Ｆの位置をレーザ接合部６５Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部６５Ｆがレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅと重なり難くなる。
第２駆動用リード７０の第２接続部７２Ｃのレーザ接合部７５Ｆは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ａのレーザ接合部７５Ｂと重なっている。この構成によれば、レーザ接合部７５Ｂは、厚さ方向Ｚからみて、第２接続部７２Ｂのレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重ならないようにずれて配置されているため、レーザ接合部７５Ｆの位置をレーザ接合部７５Ｂの位置に合わせることによって、レーザ接合部７５Ｆがレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅと重なり難くなる。
（１－１２）金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂにおけるレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅの数は、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａにおけるレーザ接合部６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃの数よりも少なく、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃにおけるレーザ接合部６５Ｆの数は、第２接続部６２Ｂにおけるレーザ接合部６５Ｄ，６５Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数を少なくできる。
金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂにおけるレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅの数は、金属板７０Ａの第２接続部７２Ａにおけるレーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃの数よりも少なく、金属板７０Ｃの第２接続部７２Ｃにおけるレーザ接合部７５Ｆの数は、第２接続部７２Ｂにおけるレーザ接合部７５Ｄ，７５Ｅよりも少ない。この構成によれば、レーザ接合部の数が少なくなることによって、レーザ接合部を形成する工数が少なくなる。したがって、第３接合工程の工数が少なくなる。
（１－１３）金属板６０Ａの連結部６３Ａ及び金属板６０Ｂの連結部６３Ｂは積層されている。このため、連結部６３Ａと連結部６３Ｂとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部６３Ａと連結部６３Ｂとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板６０Ａ，６０Ｂとの熱膨張係数の差に起因して金属板６０Ａと金属板６０Ｂとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第１駆動用リード６０の信頼性の低下を抑制できる。
また、金属板６０Ｂの連結部６３Ｂ及び金属板６０Ｃの連結部６３Ｃは積層されている。このため、連結部６３Ｂと連結部６３Ｃとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部６３Ｂと連結部６３Ｃとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板６０Ｂ，６０Ｃとの熱膨張係数の差に起因して金属板６０Ｂと金属板６０Ｃとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第１駆動用リード６０の信頼性の低下を抑制できる。
金属板７０Ａの連結部７３Ａ及び金属板７０Ｂの連結部７３Ｂは積層されている。このため、連結部７３Ａと連結部７３Ｂとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部７３Ａと連結部７３Ｂとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板７０Ａ，７０Ｂとの熱膨張係数の差に起因して金属板７０Ａと金属板７０Ｂとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第２駆動用リード７０の信頼性の低下を抑制できる。
また、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂ及び金属板７０Ｃの連結部７３Ｃは積層されている。このため、連結部７３Ｂと連結部７３Ｃとが接触した状態となるため、例えば封止工程において、封止樹脂１０の一部が連結部７３Ｂと連結部７３Ｃとの間に入り込み難くなる。したがって、封止樹脂１０と金属板７０Ｂ，７０Ｃとの熱膨張係数の差に起因して金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとが離間するように変形することが抑制される。したがって、第２駆動用リード７０の信頼性の低下を抑制できる。
（１－１４）金属板６０Ａの第１接続部６１Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合にソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と第１接続部６１Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３から第１駆動用リード６０への許容電流量を増大させることができる。
金属板７０Ａの第１接続部７１Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合にソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ａがソース電極３３に接合される場合と比較して、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３と第１接続部７１Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３から第２駆動用リード７０への許容電流量を増大させることができる。
（１－１５）金属板６０Ｂの第１接続部６１Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部６１Ａに接合される。この構成によれば、第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される場合に第１接続部６１Ａを介して第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ｂが第１接続部６１Ａに接合される場合と比較して、第１接続部６１Ａと第１接続部６１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部６１Ａから第１接続部６１Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部７１Ａに接合される。この構成によれば、第１接続部７１Ｂが第１接続部７１Ａに接合される場合に第１接続部７１Ａを介して第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ｂが第１接続部７１Ａに接合される場合と比較して、第１接続部７１Ａと第１接続部７１Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部７１Ａから第１接続部７１Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
（１－１６）金属板６０Ｃの第１接続部６１Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部６１Ｂに接合される。この構成によれば、第１接続部６１Ｃが第１接続部６１Ｂに接合される場合に第１接続部６１Ａ，６１Ｂを介して第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第２半導体素子３０Ｌの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部６１Ｃが第１接続部６１Ｂに接合される場合と比較して、第１接続部６１Ｂと第１接続部６１Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部６１Ｂから第１接続部６１Ｃへスムーズに電流を流すことができる。
金属板７０Ｂの第１接続部７１Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第１接続部７１Ｂに接合される。この構成によれば、第１接続部７１Ｃが第１接続部７１Ｂに接合される場合に第１接続部７１Ａ，７１Ｂを介して第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に加えられる負荷が小さい。したがって、第１半導体素子３０Ｕの信頼性の低下を抑制できる。
加えて、例えば超音波溶接によって第１接続部７１Ｃが第１接続部７１Ｂに接合される場合と比較して、第１接続部７１Ｂと第１接続部７１Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第１接続部７１Ｂから第１接続部７１Ｃへスムーズに電流を流すことができる。
（１－１７）金属板６０Ａの第２接続部６２Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって入力リード２２の延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ａが延長部２２ｃの主面２２ｃｓに接合される場合と比較して、延長部２２ｃの主面２２ｃｓと第２接続部６２Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第１駆動用リード６０から入力リード２２への許容電流量を増大させることができる。
金属板７０Ａの第２接続部７２Ａは、レーザ加工（レーザ溶接）によって導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ａが導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される場合と比較して、導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂと第２接続部７２Ａとの接触面積が大きくなる。したがって、第２駆動用リード７０から導電部材４２Ｂへの許容電流量を増大させることができる。
（１－１８）金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部６２Ａに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ｂが第２接続部６２Ａに接合される場合と比較して、第２接続部６２Ａと第２接続部６２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部６２Ｂから第２接続部６２Ａへスムーズに電流を流すことができる。
金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｂは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部７２Ａに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ｂが第２接続部７２Ａに接合される場合と比較して、第２接続部７２Ａと第２接続部７２Ｂとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部７２Ｂから第２接続部７２Ａへスムーズに電流を流すことができる。
（１－１９）金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部６２Ｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部６２Ｃが第２接続部６２Ｂに接合される場合と比較して、第２接続部６２Ｂと第２接続部６２Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部６２Ｃから第２接続部６２Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
金属板７０Ｂの第２接続部７２Ｃは、レーザ加工（レーザ溶接）によって第２接続部７２Ｂに接合される。この構成によれば、例えば超音波溶接によって第２接続部７２Ｃが第２接続部７２Ｂに接合される場合と比較して、第２接続部７２Ｂと第２接続部７２Ｃとの接触面積が大きくなる。したがって、第２接続部７２Ｃから第２接続部７２Ｂへスムーズに電流を流すことができる。
（１－２０）検出層４５Ａ，４５Ｂは、横方向Ｘにいてゲート層４４Ａ，４４Ｂよりも半導体素子３０の近くに配置されている。この構成によれば、半導体素子３０のソース電極３３と検出層４５Ａ，４５Ｂとの間の距離を短くすることができるため、第１検出用ワイヤ５５及び第２検出用ワイヤ５６のそれぞれを短くすることができる。したがって、第１検出用ワイヤ５５及び第２検出用ワイヤ５６に起因するインダクタンスを低減できる。
［第２実施形態］
図３０～図３２を参照して、第２実施形態の半導体装置１Ｂについて説明する。本実施形態では、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、入力リード２２の構成、及び第１駆動用リード６０が省略された点が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図３０及び図３１に示すように、入力リード２２は、第１実施形態と同様に、パッド部２２ａ、端子部２２ｂ、複数の延長部２２ｃ、連結部２２ｄ、及び中間部２２ｅを有する。本実施形態の入力リード２２は、第１実施形態の入力リード２２と比較して、複数の延長部２２ｃの形状が異なる。
図３２（ａ）に示すように、複数の延長部２２ｃは、横方向Ｘにおいて支持台２９よりも第２半導体素子３０Ｌに向かって延びている。各延長部２２ｃは、厚さ方向Ｚからみて、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３と重なるように形成されている。図３２（ｂ）に示すように、各延長部２２ｃにおいて第２半導体素子３０Ｌと厚さ方向Ｚに対向する先端部は、厚さ方向Ｚに延びる接続部２２ｇが設けられている。接続部２２ｇは、各延長部２２ｃと一体形成されている。各接続部２２ｇによって、延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌとの厚さ方向Ｚにおける高低差を解消している。接続部２２ｇは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接合されている。このように、入力リード２２が第２半導体素子３０Ｌと直接的に接続されるため、第１駆動用リード６０が不要となる。なお、接続部２２ｇは、延長部２２ｃと別体として形成されてもよい。
本実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法では、第１実施形態の半導体装置１Ａの製造方法と比較して、第１接合工程における入力リード２２の接合方法と、第３接合工程から第１駆動用リード６０による第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３及び延長部２２ｃの接合工程が省略された点が異なる。
第１接合工程では、まず、入力リード２１を導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合する。この接合方法としては、例えば超音波溶接による接合又はレーザ溶接による接合が挙げられる。次に、入力リード２１に絶縁部材２８を取り付ける。次に、絶縁部材２８に入力リード２２を取り付ける。これにより、絶縁部材２８は、入力リード２１と入力リード２２とによって厚さ方向Ｚに挟み込まれる。また、入力リード２２の複数の延長部２２ｃはそれぞれ、支持台２９に載置される。また各延長部２２ｃの先端部に設けられた接続部２２ｇは、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３上に載置される。そして、接続部２２ｇをソース電極３３に例えば超音波溶接によって接合する。なお、接続部２２ｇが延長部２２ｃと別体として形成される場合、例えば、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に接続部２２ｇを接合した後、接続部２２ｇと延長部２２ｃとを接合する。また、この接合の順番は任意に変更可能である。接続部２２ｇを延長部２２ｃに接合した後、接続部２２ｇをソース電極３３に接合してもよい。
本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
（２－１）入力リード２２の複数の延長部２２ｃが第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に直接的に接合されるため、すなわち第１駆動用リード６０が省略されるため、半導体装置１Ｂの部品点数が少なくなる。また延長部２２ｃと第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合のための工数は、第１駆動用リード６０と第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合のための工数よりも少ないため、第３接合工程の工数を少なくすることができる。
［第３実施形態］
図３３を参照して、第３実施形態の半導体装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｃでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、封止樹脂１０の形状が異なる。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図３３に示すように、本実施形態の封止樹脂１０Ｃは、第１実施形態の封止樹脂１０と比較して、縦方向Ｙの両端部が横方向Ｘに延びている。封止樹脂１０Ｃの横方向Ｘの長さＬＸ１は、横方向Ｘにおける絶縁部材２８の先端部と出力リード２３の先端部とを結ぶ長さＬＸ２よりも長い。このように、封止樹脂１０Ｃは、入力リード２１の端子部２１ｂ（図３３では図示略）の一部、入力リード２２の端子部２２ｂの一部、絶縁部材２８の一部を覆うように構成されている。
封止樹脂１０Ｃには、入力リード２１，２２の一部及び絶縁部材２８の一部を露出する第１凹部１９Ａと、出力リード２３の一部を露出する第２凹部１９Ｂとが設けられている。第１凹部１９Ａ及び第２凹部１９Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂１０Ｃを貫通するように形成されている。第１凹部１９Ａは、封止樹脂１０Ｃのうちの第１樹脂側面１１側の部分に設けられ、第１樹脂側面１１から第２樹脂側面１２に向けて横方向Ｘに凹んでいる。第２凹部１９Ｂは、封止樹脂１０Ｃのうちの第２樹脂側面１２側の部分に設けられ、第２樹脂側面１２から第１樹脂側面１１に向けて横方向Ｘに凹んでいる。
本実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
（３－１）封止樹脂１０Ｃが入力リード２１の端子部２１ｂの一部、入力リード２２の端子部２２ｂの一部、絶縁部材２８の一部を覆うことにより、半導体装置１Ａの封止樹脂１０から突出した端子部２１ｂ，２２ｂ及び絶縁部材２８を保護できる。
［第４実施形態］
図３４及び図３５を参照して、第４実施形態の半導体装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｄでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、支持基板の構成が異なる。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
本実施形態の支持基板４０Ｄは、例えばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板と呼ばれる構造体である。なお、ＤＢＣに代えて、ＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）基板と呼ばれる構造体を用いてもよい。支持基板４０Ｄの少なくとも一部は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。支持基板４０Ｄは、絶縁基板４６、主面金属層４７、及び裏面金属層４８を備える。
絶縁基板４６は、電気絶縁性を有する。絶縁基板４６の構成材料は、絶縁基板４１と同様に、セラミックスである。なお、絶縁基板４６は、絶縁樹脂シートが用いられてもよい。絶縁基板４６は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。絶縁基板４６は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４６ａ及び基板裏面４６ｂを有する。
主面金属層４７は、基板主面４６ａの一部を覆うように形成されている。主面金属層４７の構成材料は、銅である。なお、支持基板４０ＤがＤＢＡである場合、主面金属層４７の構成材料はアルミニウムである。主面金属層４７は、図示しない封止樹脂１０によって覆われている。主面金属層４７は、例えばエッチングによってパターニングされており、互いに離間する複数のパターン電極４７Ａ～４７Ｅを含む。
平面視におけるパターン電極４７Ａの形状は、Ｌ字状である。パターン電極４７Ａには、複数の第１半導体素子３０Ｕが例えば銀ペーストを介して導通接合されている。パターン電極４７Ａは、各第１半導体素子３０Ｕの裏面側電極であるドレイン電極３５に導通する。パターン電極４７Ａには、図示しないＰ端子（入力リード２１に対応）が接続されている。このＰ端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
平面視におけるパターン電極４７Ｂの形状は、Ｌ字状である。パターン電極４７Ｂは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ａと隣り合うように配置されている。パターン電極４７ＢのＬ字の向きがパターン電極４７ＡのＬ字の向きと逆である。パターン電極４７Ｂには、複数の第２半導体素子３０Ｌが例えば銀ペーストを介して導通接合されている。パターン電極４７Ｂは、各第２半導体素子３０Ｌの裏面側電極であるドレイン電極３５に導通する。パターン電極４７Ｂには、図示しない出力端子（出力リード２３に対応）が接続されている。この出力端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
平面視におけるパターン電極４７Ｃの形状は、略Ｔ字状である。パターン電極４７Ｃは、パターン電極４７Ｂに対してパターン電極４７Ａとは縦方向Ｙの反対側かつパターン電極４７Ｂと隣り合うように配置されている。パターン電極４７Ｃには、図示しないＮ端子（入力リード２２に対応）が接続されている。このＮ端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
一対のパターン電極４７Ｄは、支持基板４０Ｄの縦方向Ｙの両端部に配置されている。平面視における各パターン電極４７Ｄの形状は、横方向Ｘに延びる略直線状である。一方のパターン電極４７Ｄは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ａに対してパターン電極４７Ｂとは反対側にパターン電極４７Ａと隣り合うように配置されている。他方のパターン電極４７Ｄは、縦方向Ｙにおいてパターン電極４７Ｃに対してパターン電極４７Ｂとは反対側にパターン電極４７Ｃと隣り合うように配置されている。一方のパターン電極４７Ｄは、図示しない第１制御用ワイヤを介して各第１半導体素子３０Ｕのゲート電極３４に導通している。他方のパターン電極４７Ｄは、図示しない第２制御用ワイヤを介して各第２半導体素子３０Ｌのゲート電極３４に導通している。一対のパターン電極４７Ｄにはそれぞれ、図示しないゲート端子（制御リード２４Ａ，２４Ｂに対応）が接続されている。ゲート端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
一対のパターン電極４７Ｅは、支持基板４０Ｄの縦方向Ｙの両端部に配置されている。平面視における各パターン電極４７Ｅの形状は、横方向Ｘに延びる直線状である。一方のパターン電極４７Ｅは、縦方向Ｙにおいて一方のパターン電極４７Ｄに対してパターン電極４７Ａとは反対側にパターン電極４７Ｄと隣り合うように配置されている。他方のパターン電極４７Ｅは、縦方向Ｙにおいて他方のパターン電極４７Ｄに対してパターン電極４７Ｃとは反対側にパターン電極４７Ｄと隣り合うように配置されている。一方のパターン電極４７Ｅは、図示しない第１検出用ワイヤを介して各第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３に導通している。他方のパターン電極４７Ｅは、図示しない第２検出用ワイヤを介して各第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に導通している。一対のパターン電極４７Ｅにはそれぞれ、図示しない検出端子（検出リード２５Ａ，２５Ｂに対応）が接続されている。検出端子の一部は、図示しない封止樹脂１０から露出する。
裏面金属層４８は、絶縁基板４６の基板裏面４６ｂの少なくとも一部を覆うように形成されている。裏面金属層４８の構成材料は、銅である。なお、支持基板４０ＤがＤＢＡである場合、裏面金属層４８の構成材料はアルミニウムである。裏面金属層４８は、図示しない封止樹脂１０に覆われていてもよいし、厚さ方向Ｚに向く面が封止樹脂１０から露出していてもよい。
半導体装置１Ｄは、複数の第１駆動用リード８０及び複数の第２駆動用リード９０を備える。第１駆動用リード８０は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とパターン電極４７Ｂとを接続している。このため、パターン電極４７Ｂは駆動用導電体の一例である。第１駆動用リード８０の個数は、第１半導体素子３０Ｕの個数に応じて決められる。第２駆動用リード９０は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とパターン電極４７Ｃとを接続している。このため、パターン電極４７Ｃは駆動用導電体の一例である。第２駆動用リード９０の個数は、第２半導体素子３０Ｌの個数に応じて決められる。
図３４及び図３５に示すように、第１駆動用リード８０及び第２駆動用リード９０の構成は、第１実施形態の第１駆動用リード６０及び第２駆動用リード７０の構成と同様である。すなわち、第１駆動用リード８０は、金属板８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部８１、第２接続部８２、及び連結部８３を有する。第２駆動用リード９０は、金属板９０Ａ，９０Ｂ，９０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部９１、第２接続部９２、及び連結部９３を有する。また、本実施形態では、横方向Ｘからみた側面視において、第１駆動用リード８０の形状と第２駆動用リード９０の形状とは互いに等しい。なお、側面視における第１駆動用リード８０の形状及び第２駆動用リード９０の形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば側面視における第１駆動用リード８０の形状と第２駆動用リード９０の形状とは互いに異なってもよい。
第１駆動用リード８０の第１接続部８１は、第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部８１における第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３との接合構造は、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部８１における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部７１における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
第１駆動用リード８０の第２接続部８２は、パターン電極４７Ｂとレーザ溶接によって接合されている。第２接続部８２におけるパターン電極４７Ｂとの接合構造は、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における導電部材４２Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部８２における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第２接続部７２における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
第１駆動用リード８０を横方向Ｘからみた側面視における第１駆動用リード８０の連結部８３の形状は、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状と同じである。
第２駆動用リード９０の第１接続部９１は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部９１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造は、第１駆動用リード８０の第１接続部８１における第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部９１における金属板９０Ａと金属板９０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板９０Ｂと金属板９０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部８１における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
第２駆動用リード９０の第２接続部９２は、パターン電極４７Ｃとレーザ溶接によって接合されている。第２接続部９２におけるパターン電極４７Ｃとの接合構造は、第１駆動用リード８０の第２接続部８２におけるパターン電極４７Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部９２における金属板９０Ａと金属板９０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板９０Ｂと金属板９０Ｃとのレーザ溶接による接続構造は、第２接続部８２における金属板８０Ａと金属板８０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板８０Ｂと金属板８０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
第２駆動用リード９０を横方向Ｘからみた側面視における第２駆動用リード９０の連結部９３の形状は、第１駆動用リード８０を横方向Ｘからみた側面視における連結部８３の形状と同じである。なお、本実施形態の半導体装置１Ｄによれば、第１実施形態の効果と同様の効果が得られる。
また、金属板８０Ａ，９０Ａはそれぞれ半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、第１接続部８１Ａ，９１Ａはそれぞれ第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ａ，９２Ａはそれぞれ第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ａ，９３Ａはそれぞれ第１連結部の一例である。第１接続部８１Ａ，９１Ａに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ａ，９２Ａに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
金属板８０Ｂ，９０Ｂはそれぞれ第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、第１接続部８１Ｂ，９１Ｂはそれぞれ第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ｂ，９２Ｂはそれぞれ第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ｂ，９３Ｂはそれぞれ第２連結部の一例である。第１接続部８１Ｂ，９１Ｂに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ｂ，９２Ｂに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
金属板８０Ｃ，９０Ｃはそれぞれ第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、第１接続部８１Ｃ，９１Ｃはそれぞれ第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、第２接続部８２Ｃ，９２Ｃはそれぞれ第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、連結部８３Ｃ，９３Ｃはそれぞれ第３連結部の一例である。第１接続部８１Ｃ，９１Ｃに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、第２接続部８２Ｃ，９２Ｃに形成されたレーザ接合部はそれぞれ第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
本実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法では、第３接合工程を第１実施形態の半導体装置１Ａの第３接合工程と異なる。半導体装置１Ｄの製造方法の第３接合工程では、金属板８０Ａを第１半導体素子３０Ｕのソース電極３３とパターン電極４７Ｂとに接合した後、金属板９０Ａを第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３とパターン電極４７Ｃに接合する。次に、金属板８０Ｂを金属板８０Ａに接合した後、金属板９０Ｂを金属板９０Ａに接合する。最後に、金属板８０Ｃを金属板８０Ｂに接合した後、金属板９０Ｃを金属板９０Ｂに接合する。本実施形態では、上記工程を３回繰り返すことによって、３個の第１駆動用リード８０及び第２駆動用リード９０が形成される。なお、本実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法の第３接合工程を、第１実施形態の半導体装置１Ａの製造方法の第３接合工程と同様の工程としてもよい。
［第５実施形態］
図３６及び図３７を参照して、第５実施形態の半導体装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｅでは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、１つの半導体素子３０を備えたディスクリート半導体である点が異なる。なお、本実施形態では、半導体素子３０はＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子に限られず、ダイオードなどの各種の半導体素子であってもよい。以下の説明において、半導体装置１Ａと同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。なお、便宜上、図３６では、封止樹脂１０Ｅを二点鎖線で示している。
本実施形態の半導体装置１Ｅは、リードフレーム１００を備える、いわゆるリードフレーム構造である。リードフレーム１００の構成材料は、特に限定されないが、例えば銅又は銅合金である。リードフレーム１００は、ダイパッド部１１０及び複数の端子部１２０を有する。
図３６及び図３７に示すように、ダイパッド部１１０は、半導体素子３０が搭載される部分である。本実施形態では、ダイパッド部１１０には、１個の半導体素子３０が搭載されている。半導体素子３０は、例えば銀ペーストによってダイパッド部１１０に接合されている。半導体素子３０の裏面側電極であるドレイン電極３５は、ダイパッド部１１０と導通する。本実施形態の半導体素子３０は、素子主面３１に形成された検出電極３７をさらに有する。一例では、検出電極３７は、ゲート電極３４とソース電極３３とによって囲まれた領域に形成されている。
複数の端子部１２０は、駆動端子部１２０Ａ、制御端子部１２０Ｂ、及び検出端子部１２０Ｃを含む。駆動端子部１２０Ａは、半導体素子３０のソース電流が流れる端子である。制御端子部１２０Ｂは、半導体素子３０のゲート電極３４にゲート電圧を印加するための端子である。検出端子部１２０Ｃは、例えば半導体素子３０の温度を検出するための端子である。
駆動端子部１２０Ａは、パッド部１２１及び複数の端子部１２２を有する。本実施形態では、駆動端子部１２０Ａは、パッド部１２１及び複数の端子部１２２が一体形成された単一部材である。平面視におけるパッド部１２１の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。厚さ方向Ｚにおいて、パッド部１２１は、ダイパッド部１１０よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５側となるように配置されている。またパッド部１２１は、半導体素子３０のソース電極３３よりも封止樹脂１０の樹脂天面１５側となるように配置されている。複数の端子部１２２は、横方向Ｘにおいて等ピッチで配列されている。
制御端子部１２０Ｂは、パッド部１２３及び端子部１２４を有する。本実施形態では、制御端子部１２０Ｂは、パッド部１２３及び端子部１２４が一体形成された単一部材である。パッド部１２３は、厚さ方向Ｚにおいて駆動端子部１２０Ａのパッド部１２１と揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。制御端子部１２０Ｂとゲート電極３４とは、制御用ワイヤ１３１によって接続されている。制御用ワイヤ１３１は、例えばワイヤボンディングによって制御端子部１２０Ｂのパッド部１２３とゲート電極３４とのそれぞれに接合されている。
検出端子部１２０Ｃは、パッド部１２５及び端子部１２６を有する。本実施形態では、検出端子部１２０Ｃは、パッド部１２５及び端子部１２６が一体形成された単一部材である。パッド部１２５は、厚さ方向Ｚにおいて制御端子部１２０Ｂのパッド部１２３と揃った状態で横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。本実施形態では、検出端子部１２０Ｃの形状は、制御端子部１２０Ｂの形状と同じである。検出端子部１２０Ｃと検出電極３７とは、検出用ワイヤ１３２によって接続されている。検出用ワイヤ１３２は、例えばワイヤボンディングによって検出端子部１２０Ｃのパッド部１２５と検出電極３７とのそれぞれに接合されている。
封止樹脂１０Ｅは、ダイパッド部１１０の一部、半導体素子３０、各端子部１２０の一部、制御用ワイヤ１３１、及び検出用ワイヤ１３２を封止する。封止樹脂１０Ｅは、第１実施形態の封止樹脂１０を構成する材料と同じ材料が用いられている。一例では、封止樹脂１０Ｅを構成する材料は、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
図３７に示すように、ダイパッド部１１０の裏面１１１は、封止樹脂１０Ｅから露出している。また、駆動端子部１２０Ａの端子部１２２、制御端子部１２０Ｂの端子部１２４、及び検出端子部１２０Ｃの端子部１２６はそれぞれ、封止樹脂１０Ｅから縦方向Ｙに突出している。
半導体装置１Ｅは、駆動用リード１４０を備える。駆動用リード１４０は、駆動端子部１２０Ａとソース電極３３とを接続している。このため、駆動端子部１２０Ａは駆動用導電体の一例である。駆動用リード１４０は、封止樹脂１０Ｅによって封止されている。
図３７に示すように、駆動用リード１４０の構成は、第１実施形態の第２駆動用リード７０の構成と同様である。すなわち、駆動用リード１４０は、金属板１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃが厚さ方向Ｚに積層することによって構成され、第１接続部１４１、第２接続部１４２、及び連結部１４３を有する。
駆動用リード１４０の第１接続部１４１は、半導体素子３０のソース電極３３とレーザ溶接によって接合されている。第１接続部１４１における半導体素子３０のソース電極３３との接合構造は、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３との接合構造と同じである。また、第１接続部１４１における金属板１４０Ａと金属板１４０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板１４０Ｂと金属板１４０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１接続部７１における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
駆動用リード１４０の第２接続部１４２は、駆動端子部１２０Ａのパッド部１２１とレーザ溶接によって接合されている。第２接続部１４２におけるパッド部１２１との接合構造は、第２駆動用リード７０の第２接続部７２における導電部材４２Ｂとの接合構造と同じである。また、第２接続部１４２における金属板１４０Ａと金属板１４０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板１４０Ｂと金属板１４０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第２接続部７２における金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。
駆動用リード１４０を横方向Ｘからみた側面視における駆動用リード１４０の連結部１４３の形状は、第２駆動用リード７０を縦方向Ｙからみた側面視における第２駆動用リード７０の連結部７３の形状と概ね同じである。なお、本実施形態の半導体装置１Ｅによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａと同様の効果が得られる。
また、金属板１４０Ａは半導体素子に接続された第１金属板の一例であり、金属板１４０Ａの第１接続部１４１は第１金属板の第１素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ａの第２接続部１４２は第１金属板の第１導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ａの連結部１４３は第１連結部の一例である。金属板１４０Ａの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第１素子側接続部の第１素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ａの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第１導電体側接続部の第１導電体側接合部の一例である。
金属板１４０Ｂは第１金属板に積層された第２金属板の一例であり、金属板１４０Ｂの第１接続部１４１は第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ｂの第２接続部１４２は第２金属板の第２導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ｂの連結部１４３は第２連結部の一例である。金属板１４０Ｂの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第２素子側接続部の第２素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ｂの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第２導電体側接続部の第２導電体側接合部の一例である。
金属板１４０Ｃは第２金属板に積層された第３金属板の一例であり、金属板１４０Ｃの第１接続部１４１は第３金属板の第３素子側接続部の一例であり、金属板１４０Ｃの第２接続部１４２は第３金属板の第３導電体側接続部の一例であり、金属板１４０Ｃの連結部１４３は第３連結部の一例である。金属板１４０Ｃの第１接続部１４１に形成されたレーザ接合部は第３素子側接続部の第３素子側接合部の一例であり、金属板１４０Ｃの第２接続部１４２に形成されたレーザ接合部は第３導電体側接続部の第３導電体側接合部の一例である。
［各実施形態に共通の変更例］
上記各実施形態は本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置及び半導体装置の製造方法は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
・上記各実施形態において、半導体素子３０のソース電極３３に接合される駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の数は任意に変更可能である。例えば、第１実施形態の半導体素子３０のサイズよりも大きいサイズの半導体素子３０が用いられる一方、第１実施形態のリボン材２３０と同じサイズのリボン材２３０によって駆動用リードが形成される場合、複数の駆動用リード（複数の駆動用接続部材）を半導体素子３０のソース電極３３に接続できる。この場合、複数の駆動用リード（複数の駆動用接続部材）は、縦方向Ｙに並んで配置される。一例として、図３８では、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３に２個の第２駆動用リード７０が接合される構成を例示している。
図３８に示すように、ソース電極３３には、２個の第２駆動用リード７０の第１接続部７１がレーザ溶接によって接合されている。各第１接続部７１のソース電極３３への接合構造はそれぞれ、第１実施形態の第２駆動用リード７０の第１接続部７１のソース電極３３への接合構造と同じである。また図３８の各第１接続部７１の金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造は、第１実施形態の第２駆動用リード７０の第１接続部７１の金属板７０Ａと金属板７０Ｂとのレーザ溶接による接合構造、及び金属板７０Ｂと金属板７０Ｃとのレーザ溶接による接合構造と同じである。この構成によれば、２個の第２駆動用リード７０を共通のリボン材２３０によって形成されるため、２個の第２駆動用リード７０を個別のリボン材によって形成される場合と比較して、第３接合工程を簡素化できる。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第１接続部及び第２接続部におけるレーザ接合部の縦方向Ｙの大きさはそれぞれ任意に変更可能である。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第１接続部を構成する複数の金属板の先端縁が厚さ方向Ｚからみて揃っていてもよい。また、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第２接続部を構成する複数の金属板の先端縁が厚さ方向Ｚからみて揃っていてもよい。
・上記各実施形態において、リード供給部２１０とレーザ照射部２２０とが別体として設けられてもよい。この場合、リード供給部２１０とレーザ照射部２２０とは個別に移動可能である。これにより、レーザ照射部２２０によって形成されるレーザ接合部の平面視における形状の自由度を高めることができる。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）について、平面視におけるレーザ接合部の形状は任意に変更可能である。ここでは、例えば、第１駆動用リード６０の第２接続部６２を用いてレーザ接合部の形状について説明する。
（Ａ）図３９Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚが同心円となる。レーザ接合部６５Ｘの直径は、レーザ接合部６５Ｙの直径及びレーザ接合部６５Ｚの直径よりも大きい。レーザ接合部６５Ｙの直径は、レーザ接合部６５Ｚの直径よりも大きい。
図３９Ｂに示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。
なお、レーザ接合部６５Ｘの直径、レーザ接合部６５Ｙの直径、及びレーザ接合部６５Ｚの直径はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの直径がレーザ接合部６５Ｙの直径よりも大きくてもよい。
また、各第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部の数は任意に変更可能である。一例では、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｘと同心円となり、レーザ接合部６５Ｚの直径と同じ直径を有するレーザ接合部を追加してもよい。また、第２接続部６２Ａにおいて、レーザ接合部６５Ｘの直径は、レーザ接合部６５Ｚと同じ直径に変更してもよい。これらの場合、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｚと重なる。
（Ｂ）図４０Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚが互いに相似となる矩形枠状に形成されている。レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさがそれぞれ、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさ、並びにレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きい。レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさは、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きい。このため、平面視において、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｙ及びレーザ接合部６５Ｚの周囲を取り囲むように形成されている。平面視において、レーザ接合部６５Ｙは、レーザ接合部６５Ｚの周囲を取り囲むように形成されている。
図４０Ｂに示すように、金属板６０Ａの第２接続部６２Ａのレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂのレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃのレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。
なお、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさがそれぞれレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさよりも大きくてもよい。この場合、平面視において、レーザ接合部６５Ｚがレーザ接合部６５Ｙの周囲を取り囲むように形成される。
また、各第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部の数は任意に変更可能である。一例では、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさと同じ大きさのレーザ接合部を追加してもよい。このレーザ接合部は、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｚと重なるように形成される。また、第２接続部６２Ａには、レーザ接合部６５Ｘとして、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさ及び縦方向Ｙの大きさと同じ大きさのレーザ接合部を形成してもよい。これらの場合、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｘは、レーザ接合部６５Ｚと重なる。
（Ｃ）図４１Ａに示すように、レーザ溶接によって金属板６０Ａの第２接続部６２Ａに形成されるレーザ接合部６５Ｘ、金属板６０Ｂの第２接続部６２Ｂに形成されるレーザ接合部６５Ｙ、及び金属板６０Ｃの第２接続部６２Ｃに形成されるレーザ接合部６５Ｚがそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。
図４１Ｂに示すように、第２接続部６２Ａには、３個のレーザ接合部６５Ｘが形成されている。第２接続部６２Ｂには、２個のレーザ接合部６５Ｙが形成されている。第２接続部６２Ｃには、１個のレーザ接合部６５Ｚが形成されている。３個のレーザ接合部６５Ｘは、厚さ方向Ｚからみて、２個のレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。２個のレーザ接合部６５Ｙは、厚さ方向Ｚからみて、１個のレーザ接合部６５Ｚと重ならないようにずれて配置されている。１個のレーザ接合部６５Ｚは、厚さ方向Ｚからみて、３個のレーザ接合部６５Ｘのうちの縦方向Ｙの中央のレーザ接合部６５Ｘと重なっている。
図４１Ａ及び図４１Ｃに示すように、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさよりも小さい。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさよりも小さい。またレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさは、レーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさと等しい。ここで、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさとレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさとの差が、例えばレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさの５％以内であれば、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさと等しいと言える。
なお、３個のレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。また２個のレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。またレーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさは、任意に変更可能である。一例では、レーザ接合部６５Ｚの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさよりも大きくてもよい。また、レーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさがレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさよりも大きくてもよい。また、２個のレーザ接合部６５Ｙの横方向Ｘの大きさが互いに異なってもよい。また、３個のレーザ接合部６５Ｘの横方向Ｘの大きさが互いに異なってもよい。
また、レーザ接合部６５Ｘ，６５Ｙ，６５Ｚの数はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、３個のレーザ接合部６５Ｘのうちの横方向Ｘの中央部のレーザ接合部６５Ｘを省略してもよい。また一例では、レーザ接合部６５Ｚの数がレーザ接合部６５Ｘの数と同じであってもよい。この場合、例えば、厚さ方向Ｚからみて、レーザ接合部６５Ｚがレーザ接合部６５Ｘと重なっている。これにより、各レーザ接合部６５Ｚは、厚さ方向Ｚからみて、２個のレーザ接合部６５Ｙと重ならないようにずれて配置されている。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の連結部の形状は任意に変更可能である。一例では、駆動用リードの側面視における連結部の形状が湾曲状であってもよい。図４２では、変更例の第２駆動用リード７０の構成を例示している。第２駆動用リード７０の連結部７３は、連結部７３の横方向Ｘの中央部が厚さ方向Ｚにおいて支持基板４０から最も離れるように湾曲している。連結部７３は、その横方向Ｘの中央部に向かうにつれて厚さ方向Ｚにおいて支持基板４０から徐々に離れている。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）を構成する各金属板について、隣り合う金属板の連結部の間に隙間が形成されてもよい。図４３では、図４２の変更例の第２駆動用リード７０の連結部７３について、金属板７０Ａの連結部７３Ａと金属板７０Ｂの連結部７３Ｂとの間に隙間Ｇ１が形成され、金属板７０Ｂの連結部７３Ｂと金属板７０Ｃの連結部７３Ｃとの間に隙間Ｇ２が形成された構成を例示している。図４３では、隙間Ｇ１は、連結部７３Ａ，７３Ｂの横方向Ｘの中央部に向けて徐々に大きくなる。隙間Ｇ２は、連結部７３Ｂ，７３Ｃの横方向Ｘの中央部に向けて徐々に大きくなる。
・図４３に示す駆動用リードの連結部は、隣り合う金属板の連結部が非接触となるように形成されているが、これに限られない。例えば、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の連結部について、隣り合う金属板の連結部が部分的に接触した状態であってもよい。
・上記各実施形態において、第１駆動用リード６０の第１接続部６１における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、第２接続部６２における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、第２駆動用リード７０の第１接続部７１における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチ、及び、第２接続部７２における横方向Ｘに隣り合うレーザ接合部のピッチはそれぞれ任意に変更可能である。
一例では、図４４に示すように、第２駆動用リード７０の第１接続部７１Ａにおけるレーザ接合部７４Ａとレーザ接合部７４ＢとのピッチＰＣ１と、レーザ接合部７４Ｂとレーザ接合部７４ＣとのピッチＰＣ２とがそれぞれ、第１実施形態の第２駆動用リード７０のピッチＰＣ１，ＰＣ２（図２１参照）よりも大きい。すなわち、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ａの先端部にレーザ接合部６４Ａが形成され、第１接続部７１Ａの横方向Ｘの中央部にレーザ接合部６４Ｂが形成され、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ａの基端部にレーザ接合部６４Ｃが形成されている。また、第１接続部７１Ｂにおけるレーザ接合部７４Ｄとレーザ接合部７４ＥとのピッチＰＤが第１実施形態の第２駆動用リード７０のピッチＰＤ（図２１参照）よりも大きい。また、レーザ接合部７４Ｆは、横方向Ｘにおける第１接続部７１Ｃの中央部に形成されている。
・上記各実施形態において、第１駆動用リード６０の第１接続部６１におけるレーザ接合部の数、第２接続部６２におけるレーザ接合部の数、第２駆動用リード７０の第１接続部７１におけるレーザ接合部の数、及び、第２接続部７２におけるレーザ接合部の数はそれぞれ任意に変更可能である。
一例では、図４５に示すように、第１接続部７１Ａには、５個のレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈが形成されている。レーザ接合部７４Ｇ，７４Ｈは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ａのうちのレーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃよりも基端寄り（連結部７３Ａ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｇは、レーザ接合部７４Ｃと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｈは、レーザ接合部７４Ｇと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ａに形成されている。
第１接続部７１Ｂには、４個のレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊが形成されている。レーザ接合部７４Ｉ，７４Ｊは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ｂのうちのレーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅよりも基端寄り（連結部７３Ｂ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｉは、レーザ接合部７４Ｅと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｊは、レーザ接合部７４Ｉと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ｂに形成されている。厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊは、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｇ，７４Ｈと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部７４Ｉは、レーザ接合部７４Ｃとレーザ接合部７４Ｇとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部７４Ｊは、レーザ接合部７４Ｇとレーザ接合部７４Ｈとの横方向Ｘの間に位置している。
第１接続部７１Ｃには、３個のレーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌが形成されている。レーザ接合部７４Ｋ，７４Ｌは、横方向Ｘにおいて第１接続部７１Ｃのうちのレーザ接合部７４Ｆよりも基端寄り（連結部７３Ｃ寄り）に形成されている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｋは、レーザ接合部７４Ｆと隣り合っている。横方向Ｘにおいてレーザ接合部７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｋと隣り合っている。横方向Ｘにおいて、レーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌは、等ピッチとなるように第１接続部７１Ｃに形成されている。厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｆ，７４Ｋ，７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｄ，７４Ｅ，７４Ｉ，７４Ｊと重ならないようにずれて配置されている。レーザ接合部７４Ｋは、レーザ接合部７４Ｅとレーザ接合部７４Ｉとの横方向Ｘの間に位置している。レーザ接合部７４Ｌは、レーザ接合部７４Ｉとレーザ接合部７４Ｊとの横方向Ｘの間に位置している。また、厚さ方向Ｚにおいて、レーザ接合部７４Ｋは第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｃと重なっており、レーザ接合部７４Ｌは第１接続部７１Ａのレーザ接合部７４Ｇと重なっている。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）を構成する金属板の数は任意に変更可能である。一例として、図４６では、図４２の変更例の第２駆動用リード７０から金属板７０Ｂ，７０Ｃを省略した構成を示している。すなわち、図４６では、金属板が積層されていない第２駆動用リード７０の構成を示している。
図４６に示すように、第２駆動用リード７０は、金属板７０Ａからなる。このため、第２駆動用リード７０の第１接続部７１は金属板７０Ａの第１接続部７１Ａからなり、第２駆動用リード７０の第２接続部７２は金属板７０Ａの第２接続部７２Ａからなり、第２駆動用リード７０の連結部７３は金属板７０Ａの連結部７３Ａからなる。第１接続部７１（７１Ａ）は、第２半導体素子３０Ｌのソース電極３３にレーザ溶接によって接合されている。第１接続部７１（７１Ａ）には、レーザ接合部７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃが形成されている。第２接続部７２（７２Ａ）は、導電部材４２Ｂにレーザ溶接によって接合されている。第２接続部７２（７２Ａ）には、レーザ接合部７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃが形成されている。
・上記各実施形態において、駆動用リード（第１駆動用リード６０，８０、第２駆動用リード７０，９０、及び駆動用リード１４０）の第２接続部の構成は任意に変更可能である。第２接続部は、例えば金属板の積層構造でなくてもよい。
［付記］
上記各実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
（付記１）
駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、
前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる金属製の薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、
を備え、
前記複数の駆動用接続部材は、前記半導体素子に接続された第１金属板、及び前記第１金属板に積層された第２金属板を少なくとも有し、
前記第１金属板は、前記駆動電極に接続された第１素子側接続部を有し、
前記第２金属板は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有し、
前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層されている
半導体装置。
（付記２）
前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されている
付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記第２素子側接合部は、前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と重ならないようにずれて配置されている
付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層された第３素子側接続部を有する
付記１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記５）
前記第３素子側接続部には、レーザ加工によって前記第２素子側接続部と接合する第３素子側接合部が形成されている
付記４に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
前記第２素子側接合部と前記第３素子側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
付記５に記載の半導体装置。
（付記７）
前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と前記第３素子側接合部とは重なっている
付記６に記載の半導体装置。
（付記８）
前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記駆動電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
前記第１素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少なく、
前記第３素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少ない
付記５～７のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記９）
前記第１方向からみて、前記駆動用接続部材が延びる方向において、積層された前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、互いにずれている
付記１～８のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１０）
前記複数の駆動用接続部材は、同一の材料であって、前記第１方向からみて、前記駆動用接続部材の幅の大きさが互いに等しい
付記１～９のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１１）
前記第１金属板は、前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面に接続される第１導電体側接続部を有し、
前記第２金属板は、前記第１導電体側接続部に接続された第２導電体側接続部を有し、
前記第１導電体側接続部及び前記第２導電体側接続部は、前記第１方向において積層されている
付記１～１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１２）
前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されている
付記１１に記載の半導体装置。
（付記１３）
前記第１導電体側接合部と前記第２導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
付記１２に記載の半導体装置。
（付記１４）
前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層された第３導電体側接続部を有する
付記１１～１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１５）
前記第３導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第２導電体側接続部と接合する第３導電体側接合部が形成されている
付記１４に記載の半導体装置。
（付記１６）
前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
前記第２導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
付記１５に記載の半導体装置。
（付記１７）
前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
前記第１方向からみて、前記第１導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは重なっている
付記１６に記載の半導体装置。
（付記１８）
前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記駆動用導電体の前記駆動用接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
前記第１導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少なく、
前記第３導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少ない
付記１５～１７のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１９）
前記第１金属板は、前記第１素子側接続部と前記第１導電体側接続部とを連結する第１連結部を有し、
前記第２金属板は、前記第２素子側接続部と前記第２導電体側接続部とを連結する第２連結部を有し、
前記第１連結部及び前記第２連結部は、積層されている
付記１１～１８のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２０）
前記複数の駆動用接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
前記第３金属板は、前記第２素子側接続部に接続された第３素子側接続部、前記第２導電体側接続部に接続された第３導電体側接続部、及び前記第３素子側接続部と前記第３導電体側接続部とを連結する第３連結部を有し、
前記第２連結部及び前記第３連結部は、積層されている
付記１９に記載の半導体装置。
（付記２１）
前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴである
付記１～２０のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２２）
前記半導体素子を封止する封止樹脂をさらに備える
付記１～２１のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２３）
前記半導体素子の前記素子主面には、制御電極が形成され、
前記半導体装置は、制御用導電体と、前記制御電極と前記制御用導電体とを接続する制御用接続部材と、をさらに備え、
前記制御用接続部材は、ワイヤにより形成されている
付記１～２２のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２４）
前記半導体素子は、前記駆動用接続部材によって直列に接続された第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
前記複数の駆動用接続部材は、前記第１半導体素子の駆動電極に接続されている第１駆動用接続部材、及び前記第２半導体素子の駆動電極に接続されている第２駆動用接続部材を含む
付記１～２３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２５）
前記半導体素子は、複数の前記第１半導体素子及び複数の前記第２半導体素子を含み、
前記複数の駆動用接続部材は、複数の前記第１駆動用接続部材及び複数の前記第２駆動用接続部材を含む
付記２４に記載の半導体装置。
（付記２６）
１個の前記半導体素子の前記駆動電極に対して複数の前記駆動用接続部材が接続され、
前記複数の駆動用接続部材は、前記第１方向からみて、前記素子主面に沿う方向において並んで配置されている
付記１～２５のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記２７）
駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、
前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成された複数の駆動用接続部材と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記複数の駆動用接続部材としての第１金属板を前記半導体素子の前記駆動電極に接続して第１素子側接続部を形成する駆動電極接続工程と、
前記複数の駆動用接続部材としての第２金属板を前記第１方向において前記第１素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１素子側接続部に接続して第２素子側接続部を形成する第１素子側積層工程と、
を備える
半導体装置の製造方法。
（付記２８）
前記複数の駆動用接続部材としての第３金属板を前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２素子側接続部に接続する第２素子側積層工程をさらに備える
付記２７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記２９）
前記駆動電極接続工程の後、かつ、前記第１素子側積層工程の前に、前記第１金属板をレーザ加工によって前記駆動用導電体に接続して第１導電体側接続部を形成する導電体接続工程をさらに備える
付記２８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３０）
前記第１素子側積層工程の後、かつ、前記第２素子側積層工程の前に、前記第２金属板を前記第１方向において前記第１導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１導電体側接続部に接続して第２導電体側接続部を形成する第１導電体側積層工程をさらに備える
付記２９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３１）
前記第２素子側積層工程の後に、前記第３金属板を前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２導電体側接続部に接続して第３導電体側接続部を形成する第２導電体側積層工程をさらに備える
付記３０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３２）
駆動電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、前記素子主面と同じ方向を向く駆動用接続表面を有する駆動用導電体と、前記駆動電極と前記駆動用導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる金属製の薄板によって形成された駆動用接続部材と、を備え、前記駆動用接続部材は、前記駆動電極に接続された素子側接続部を有し、前記素子側接続部は、レーザ加工によって前記駆動電極に接合された素子側接合部を有する、半導体装置。
（付記３３）
前記駆動用接続部材は、前記駆動用導電体に接続された導電体側接続部を有し、前記導電体側接続部は、レーザ加工によって前記駆動用導電体に接合された導電体側接合部を有する、付記３２に記載の半導体装置。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…半導体装置
１０，１０Ｃ，１０Ｅ…封止樹脂
２２…入力リード（駆動用導電体）
２２ｃ…延長部
２２ｃｓ…主面（駆動用接続表面）
３０…半導体素子
３０Ｕ…第１半導体素子
３０Ｌ…第２半導体素子
３１…素子主面
３２…素子裏面
３３…ソース電極（駆動電極）
３４…ゲート電極（制御電極）
４２Ｂ…導電部材（駆動用導電体）
４２ｓｂ…主面（駆動用接続表面）
４４Ａ…ゲート層（接続用導電体）
４４Ｂ…ゲート層（接続用導電体）
４５Ａ…検出層（接続用導電体）
４５Ｂ…検出層（接続用導電体）
５１…第１制御用ワイヤ
５２…第２制御用ワイヤ
５３…第１接続用ワイヤ
５４…第２接続用ワイヤ
５５…第１検出用ワイヤ
５６…第２検出用ワイヤ
５７…第１接続用ワイヤ
５８…第２接続用ワイヤ
６０…第１駆動用リード（駆動用接続部材、第２駆動用接続部材）
６０Ａ…金属板（第１金属板）
６０Ｂ…金属板（第２金属板）
６０Ｃ…金属板（第３金属板）
６１…第１接続部
６１Ａ…第１接続部（第１素子側接続部）
６１Ｂ…第１接続部（第２素子側接続部）
６１Ｃ…第１接続部（第３素子側接続部）
６２…第２接続部
６２Ａ…第２接続部（第１導電体側接続部）
６２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接続部）
６２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接続部）
６３…連結部
６３Ａ…連結部（第１連結部）
６３Ｂ…連結部（第２連結部）
６３Ｃ…連結部（第３連結部）
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ…レーザ接合部（第１素子側接合部）
６４Ｄ，６４Ｅ…レーザ接合部（第２素子側接合部）
６４Ｆ…レーザ接合部（第３素子側接合部）
６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…レーザ接合部（第１導電体側接合部）
６５Ｄ，６５Ｅ…レーザ接合部（第２導電体側接合部）
６５Ｆ…レーザ接合部（第３導電体側接合部）
７０…第２駆動用リード（駆動用接続部材、第１駆動用接続部材）
７０Ａ…金属板（第１金属板）
７０Ｂ…金属板（第２金属板）
７０Ｃ…金属板（第３金属板）
７１…第１接続部
７１Ａ…第１接続部（第１素子側接続部）
７１Ｂ…第１接続部（第２素子側接続部）
７１Ｃ…第１接続部（第３素子側接続部）
７２…第２接続部
７２Ａ…第２接続部（第１導電体側接続部）
７２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接続部）
７２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接続部）
７３…連結部
７３Ａ…連結部（第１連結部）
７３Ｂ…連結部（第２連結部）
７３Ｃ…連結部（第３連結部）
７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ…レーザ接合部（第１素子側接合部）
７４Ｄ，７４Ｅ…レーザ接合部（第２素子側接合部）
７５Ｆ…レーザ接合部（第３素子側接合部）
７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃ…レーザ接合部（第１導電体側接合部）
７５Ｄ，７５Ｅ…レーザ接合部（第２導電体側接合部）
７５Ｆ…レーザ接合部（第３導電体側接合部）
８０…第１駆動用リード（駆動用接続部材）
８０Ａ…金属板（第１金属板）
８０Ｂ…金属板（第２金属板）
８０Ｃ…金属板（第３金属板）
８１…第１接続部
８１Ａ…第１接続部（第１素子側接合部）
８１Ｂ…第１接続部（第２素子側接合部）
８１Ｃ…第１接続部（第３素子側接合部）
８２…第２接続部
８２Ａ…第２接続部（第１導電体側接合部）
８２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接合部）
８２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接合部）
８３…連結部
８３Ａ…連結部（第１連結部）
８３Ｂ…連結部（第２連結部）
８３Ｃ…連結部（第３連結部）
９０…第２駆動用リード（駆動用接続部材）
９０Ａ…金属板（第１金属板）
９０Ｂ…金属板（第２金属板）
９０Ｃ…金属板（第３金属板）
９１…第１接続部
９１Ａ…第１接続部（第１素子側接合部）
９１Ｂ…第１接続部（第２素子側接合部）
９１Ｃ…第１接続部（第３素子側接合部）
９２…第２接続部
９２Ａ…第２接続部（第１導電体側接合部）
９２Ｂ…第２接続部（第２導電体側接合部）
９２Ｃ…第２接続部（第３導電体側接合部）
９３…連結部
９３Ａ…連結部（第１連結部）
９３Ｂ…連結部（第２連結部）
９３Ｃ…連結部（第３連結部）
１４０…駆動用リード（駆動用接続部材）
１４０Ａ…金属板（第１金属板）
１４０Ｂ…金属板（第２金属板）
１４０Ｃ…金属板（第３金属板）
１４１…第１接続部
１４２…第２接続部
１４３…連結部

Claims (29)

  1. 表面に第１電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
    前記素子主面と同じ方向を向く接続表面を有する第１導電体と、
    前記第１電極と前記第１導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる複数の金属製の薄板によって形成された第１接続部材と、
    を備え、
    前記第１接続部材は、前記半導体素子に接続された第１金属板、及び前記第１金属板に積層された第２金属板を少なくとも有し、
    前記第１金属板は、前記第１電極に接続された第１素子側接続部を有し、
    前記第２金属板は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有し、
    前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層されており、
    前記第１素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
    前記第２素子側接続部には、レーザ加工によって前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
    前記第２素子側接合部は、前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と重ならないようにずれて配置されている
    半導体装置。
  2. 前記第１接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層された第３素子側接続部を有し、
    前記第３素子側接続部には、レーザ加工によって前記第２素子側接続部と接合する第３素子側接合部が形成されている
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 表面に第１電極及び制御電極が形成された素子主面を有するＳｉＣを主とする半導体材料を用いて構成された半導体素子と、
    前記素子主面と同じ方向を向く接続表面を有し、前記第１電極と電気的に接続される第１導電体と、
    前記第１電極と前記第１導電体とを電気的に接続し、前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる複数の金属製の薄板によって形成された第１接続部材と、
    を備え、
    前記第１接続部材は、前記半導体素子に接続された第１金属板、及び前記第１金属板に積層された第２金属板を少なくとも有し、
    前記第１金属板は、前記第１電極に接続された第１素子側接続部を有し、
    前記第２金属板は、前記第１素子側接続部に接続された第２素子側接続部を有し、
    前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、前記第１方向において積層され、
    前記第１素子側接続部には、前記第１電極と接合する第１素子側接合部が形成されており、
    前記第２素子側接続部には、前記第１素子側接続部と接合する第２素子側接合部が形成されており、
    前記第２素子側接合部は、前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と重ならないようにずれて配置されている
    半導体装置。
  4. 前記第２素子側接合部と前記第３素子側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    請求項２に記載の半導体装置。
  5. 前記第１方向からみて、前記第１素子側接合部と前記第３素子側接合部とは重なっている
    請求項４に記載の半導体装置。
  6. 前記第１素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少なく、
    前記第３素子側接合部の数は、前記第２素子側接合部の数よりも少ない
    請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 前記第１方向からみて、前記第１接続部材が延びる方向において、積層された前記第１素子側接続部及び前記第２素子側接続部は、互いにずれている
    請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記第１接続部材の前記複数の金属製の薄板は、同一の材料であって、前記第１方向からみて、前記複数の金属製の薄板の幅の大きさが互いに等しい
    請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 前記第１金属板は、前記第１導電体の前記接続表面に接続される第１導電体側接続部を有し、
    前記第２金属板は、前記第１導電体側接続部に接続された第２導電体側接続部を有し、
    前記第１導電体側接続部及び前記第２導電体側接続部は、前記第１方向において積層されている
    請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体の前記接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されている
    請求項９に記載の半導体装置。
  11. 前記第１導電体側接合部と前記第２導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記第１接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    前記第３金属板は、前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層された第３導電体側接続部を有する
    請求項９～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 前記第３導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第２導電体側接続部と接合する第３導電体側接合部が形成されている
    請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
    前記第２導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは、前記第１方向からみて重ならないように互いにずれて配置されている
    請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体の前記接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    前記第１方向からみて、前記第１導電体側接合部と前記第３導電体側接合部とは重なっている
    請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 前記第１導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体の前記接続表面と接合する第１導電体側接合部が形成されており、
    前記第２導電体側接続部には、レーザ加工によって前記第１導電体側接続部と接合する第２導電体側接合部が形成されており、
    前記第１導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少なく、
    前記第３導電体側接合部の数は、前記第２導電体側接合部の数よりも少ない
    請求項１３～１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  17. 前記第１金属板は、前記第１素子側接続部と前記第１導電体側接続部とを連結する第１連結部を有し、
    前記第２金属板は、前記第２素子側接続部と前記第２導電体側接続部とを連結する第２連結部を有し、
    前記第１連結部及び前記第２連結部は、積層されている
    請求項９～１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  18. 前記第１接続部材は、前記第２金属板に積層された第３金属板を含み、
    前記第３金属板は、前記第２素子側接続部に接続された第３素子側接続部、前記第２導電体側接続部に接続された第３導電体側接続部、及び前記第３素子側接続部と前記第３導電体側接続部とを連結する第３連結部を有し、
    前記第２連結部及び前記第３連結部は、積層されている
    請求項１７に記載の半導体装置。
  19. 前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴであり、前記第１電極はソース電極であり、前記第１導電体とは素子裏面に形成されたドレイン電極が接続される
    請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  20. 前記半導体素子は、ＳｉＣを主とする半導体材料を用いて構成され、
    前記半導体素子を封止する封止樹脂をさらに備える
    請求項１～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  21. 前記半導体素子の前記素子主面には、制御電極が形成され、
    前記半導体装置は、制御用導電体と、前記制御電極と前記制御用導電体とを接続する制御用接続部材と、をさらに備え、
    前記制御用接続部材は、ワイヤにより形成されている
    請求項１～２０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  22. 前記半導体素子は、前記第１接続部材によって直列に接続された第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
    前記第１接続部材は、前記第１半導体素子の第１電極に接続されている第２接続部材、及び前記第２半導体素子の第１電極に接続されている第３接続部材を含む
    請求項１～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
  23. 前記半導体素子は、複数の前記第１半導体素子及び複数の前記第２半導体素子を含み、
    前記第１接続部材は、複数の前記第２接続部材及び複数の前記第３接続部材を含む
    請求項２２に記載の半導体装置。
  24. １個の前記半導体素子の前記第１電極に対して複数の前記第１接続部材が接続され、
    前記複数の第１接続部材は、前記第１方向からみて、前記素子主面に沿う方向において並んで配置されている
    請求項１～２３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  25. 第１電極が形成された素子主面を有する半導体素子と、
    前記素子主面と同じ方向を向く接続表面を有する第１導電体と、
    前記第１電極と前記第１導電体とを接続し、前記半導体素子の前記素子主面に対して垂直な方向である第１方向からみて帯状となる薄板によって形成された第１接続部材と、
    を備える半導体装置の製造方法であって、
    前記第１接続部材としての第１金属板を前記半導体素子の前記第１電極に接続して第１素子側接続部を形成する第１電極接続工程と、
    前記第１接続部材としての第２金属板を前記第１方向において前記第１素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１素子側接続部に接続して第２素子側接続部を形成する第１素子側積層工程と、
    を備える
    半導体装置の製造方法。
  26. 前記第１接続部材としての第３金属板を前記第１方向において前記第２素子側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２素子側接続部に接続する第２素子側積層工程をさらに備える
    請求項２５に記載の半導体装置の製造方法。
  27. 前記第１電極接続工程の後、かつ、前記第１素子側積層工程の前に、前記第１金属板をレーザ加工によって前記第１導電体に接続して第１導電体側接続部を形成する導電体接続工程をさらに備える
    請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
  28. 前記第１素子側積層工程の後、かつ、前記第２素子側積層工程の前に、前記第２金属板を前記第１方向において前記第１導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第１導電体側接続部に接続して第２導電体側接続部を形成する第１導電体側積層工程をさらに備える
    請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
  29. 前記第２素子側積層工程の後に、前記第３金属板を前記第１方向において前記第２導電体側接続部に積層した状態でレーザ加工によって前記第２導電体側接続部に接続して第３導電体側接続部を形成する第２導電体側積層工程をさらに備える
    請求項２８に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023100681A1 (ja) * 2021-12-01 2023-06-08 ローム株式会社 半導体装置
EP4278380A1 (en) * 2022-04-08 2023-11-22 Hitachi Energy Switzerland AG Arrangement for a power module, power module and method for producing an arrangement for a power module
WO2024057847A1 (ja) * 2022-09-15 2024-03-21 ローム株式会社 半導体装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005071733A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Hitachi, Ltd. 半導体装置、それを用いた電力変換装置、それを用いたモータ、それを用いたハイブリッド自動車及びそれを用いたモータ駆動システム
WO2007125939A1 (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Neomax Materials Co., Ltd. 配線接続用クラッド材及びそのクラッド材から加工された配線接続部材
JP2008212977A (ja) 2007-03-05 2008-09-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd レーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置
JP2009105266A (ja) 2007-10-24 2009-05-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009147103A (ja) 2007-12-14 2009-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011204968A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2013171084A2 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische kontaktierung für halbleiter
JP2015149326A (ja) 2014-02-05 2015-08-20 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281267B2 (ja) 2017-11-06 2023-05-25 ローム株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
US20220352105A1 (en) * 2019-10-03 2022-11-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic component production method
JP7428018B2 (ja) * 2020-03-06 2024-02-06 富士電機株式会社 半導体モジュール

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005071733A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Hitachi, Ltd. 半導体装置、それを用いた電力変換装置、それを用いたモータ、それを用いたハイブリッド自動車及びそれを用いたモータ駆動システム
WO2007125939A1 (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Neomax Materials Co., Ltd. 配線接続用クラッド材及びそのクラッド材から加工された配線接続部材
JP2008212977A (ja) 2007-03-05 2008-09-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd レーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置
JP2009105266A (ja) 2007-10-24 2009-05-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009147103A (ja) 2007-12-14 2009-07-02 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011204968A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2013171084A2 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische kontaktierung für halbleiter
JP2015149326A (ja) 2014-02-05 2015-08-20 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法

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