WO2020248750A1 - 一种微型led的转移方法和显示面板 - Google Patents

一种微型led的转移方法和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
WO2020248750A1
WO2020248750A1 PCT/CN2020/089373 CN2020089373W WO2020248750A1 WO 2020248750 A1 WO2020248750 A1 WO 2020248750A1 CN 2020089373 W CN2020089373 W CN 2020089373W WO 2020248750 A1 WO2020248750 A1 WO 2020248750A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
led dies
target substrate
led
hot melt
Prior art date
Application number
PCT/CN2020/089373
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
王莉莉
汪楚航
刘超
崔强伟
孟柯
龚林辉
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US17/295,036 priority Critical patent/US12033882B2/en
Publication of WO2020248750A1 publication Critical patent/WO2020248750A1/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the embodiment of the present disclosure relates to a method for transferring micro LEDs and a display panel.
  • Micro-Light-Emitting Diode (Micro-LED) display has the advantages of independent pixel control, self-luminescence, high brightness, wide color gamut, stable material performance and long life, so it has become the most promising next generation. New display technology.
  • the embodiments of the present disclosure provide a method for transferring Micro-LEDs and a display panel, which can realize the transfer of LED dies while reducing or eliminating the gap between the LED dies and the target substrate.
  • the bottom plate includes a plurality of through holes, and the hot melt adhesive film covers the through holes.
  • the moving the adhesive substrate above the donor substrate, and moving the adhesive substrate in a direction close to the donor substrate, using The sticking of the sticking substrate to the plurality of LED dies on the carrier substrate includes: moving the sticking substrate to the top of the donor substrate, and performing alignment, so that one of the plurality of LED dies The die is directly opposite to one of the through holes on the bottom plate, and the sticking substrate is moved in a direction close to the donor substrate, and the sticking substrate is used to stick the plurality of LED dies on the carrier substrate.
  • the moving the adhesive substrate above the donor substrate includes: moving the adhesive substrate above the donor substrate, And the bottom plate is closer to the plurality of LED dies than the hot melt adhesive film.
  • forming a transparent protective film on the side of the plurality of LED dies far away from the target substrate includes: using an atomizing spray process on the plurality of The transparent protective film is formed on the side of the LED die away from the target substrate.
  • the size of the protective film in a direction perpendicular to the target substrate is smaller than that of the hot melt adhesive film in a direction perpendicular to the target substrate. size.
  • the hot melt adhesive film is an insulating material film.
  • the target substrate is a circuit substrate.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a structure of a bonded substrate provided by another embodiment of the present disclosure.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种微型LED的转移方法可以实现LED晶粒的转移，同时降低或消除LED晶粒与目标基板之间的断差。微型LED的转移方法包括将粘贴基板移动至供体基板的上方，并向靠近供体基板的方向移动粘贴基板，利用粘贴基板粘贴承载基板上的多个LED晶粒，以使多个LED晶粒与承载基板分离；将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板移动至目标基板的上方，多个LED晶粒比粘贴基板更靠近目标基板，并进行对位使多个LED晶粒与目标基板上待设置多个LED晶粒的位置正对；将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板加热至第一温度，以使热熔胶膜熔化，多个LED晶粒与粘贴基板分离，LED晶粒转移至目标基板上；第一温度大于或等于热熔胶膜的熔化温度。

Description

一种微型LED的转移方法和显示面板
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2019年06月10日递交的中国专利申请第201910497258.X号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
技术领域
本公开的实施例涉及一种微型LED的转移方法和显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Light-Emitting Diode，Micro-LED)显示器由于具有像素独立控制、自发光、亮度高、色域广、材料性能稳定以及寿命长等优势，因而成为目前最具有潜力的下一代新型显示技术。
目前，Micro-LED显示器在制作过程中存在很多亟待解决的难题。例如，如何将微小化、高密度、阵列化的LED晶粒转移到电路基板上。
发明内容
本公开的实施例提供一种Micro-LED的转移方法和显示面板，可以实现LED晶粒的转移，同时降低或消除LED晶粒与目标基板之间的断差。
本公开实施例提供一种Micro-LED的转移方法，包括：提供供体基板；所述供体基板包括承载基板以及位于所述承载基板上阵列排布的多个LED晶粒；提供粘贴基板；所述粘贴基板包括底板以及设置在所述底板上的热熔胶膜；将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒，以使所述多个LED晶粒与所述承载基板分离；将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板移动至目标基板的上方，所述多个LED晶粒比所述粘贴基板更靠近所述目标基板，并进行对位使所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置正对；将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度，以使所述热熔胶膜熔化，所述多个 LED晶粒与所述粘贴基板分离，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上；所述第一温度大于或等于所述热熔胶膜的熔化温度。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述底板包括多个通孔，所述热熔胶膜覆盖所述通孔。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒，包括：将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并进行对位，以使一个所述多个LED晶粒与所述底板上的一个所述通孔正对，向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述通孔的在平行于所述承载基板的方向上的尺寸大于所述LED晶粒的在平行于所述承载基板的方向上的尺寸。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，包括：将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，且所述底板比所述热熔胶膜更靠近所述多个LED晶粒。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述底板在垂直于所述承载基板的方向上的厚度小于所述LED晶粒在垂直于所述承载基板的方向上的厚度。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置处设置有导电胶；在所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置正对之后，将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度之前，所述Micro-LED的转移方法还包括：将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板与所述目标基板压合，以使所述多个LED晶粒的电极与所述目标基板上的所述导电胶连接。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后，所述Micro-LED的转移方法还包括：将所述目标基板加热至第二温度；所述第二温度大于或等于所述导电胶的熔化温度。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述第二温度大于所述第一温度。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述导电胶包括锡膏。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述将所述目标基板加热至第二温度之后，所述Micro-LED的转移方法还包括：对所述目标基板进行降温，使流入到相邻LED晶粒之间的热熔胶固化。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后，所述Micro-LED的转移方法还包括：在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜，包括：利用雾化喷射工艺在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的所述保护膜。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述保护膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸小于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述LED晶粒在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸大于或等于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
在本公开的一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述热熔胶膜为绝缘材料膜。
在本公开的一些一些实施例提供的微型LED的转移方法中，所述目标基板为电路基板。
本公开的至少一实施例还提供一种显示面板，包括：目标基板；以及多个微型LED晶粒，位于所述目标基板上；相邻微型LED晶粒之间填充有热熔胶膜。
在本公开的一些实施例提供的显示面板中，所述微型LED晶粒在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸大于或等于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
在本公开的一些实施例提供的显示面板中，所述热熔胶膜为热塑性胶膜。
在本公开的一些实施例提供的显示面板中，显示面板还包括在所述多个微型LED晶粒的远离所述目标基板的一侧设置保护膜，其中，所述保护膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸小于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例提供的一种Micro-LED的转移方法的流程示意图；
图2为本公开一实施例提供的一种供体基板的结构示意图；
图3为本公开一实施例提供的一种LED晶粒的结构示意图；
图4为本公开一实施例提供的一种粘贴基板的结构示意图；
图5为本公开另一实施例提供的一种粘贴基板的结构示意图；
图6a为本公开一实施例提供的一种利用粘贴基板粘贴承载基板上的LED晶粒的结构示意图；
图6b为图6a的沿线AA的剖面示意图；
图7a为本公开一实施例提供的一种粘贴有LED晶粒的粘贴基板与目标基板正对的结构示意图一；
图7b为本公开一实施例提供的一种粘贴有LED晶粒的粘贴基板与目标基板正对的结构示意图二；
图8a为本公开一实施例提供的一种LED晶粒转移至目标基板上的侧视结构示意图；
图8b为本公开一实施例提供的一种LED晶粒转移至目标基板上的俯视结构示意图；
图9为本公开一实施例提供的一种底板的结构示意图；
图10为本公开另一实施例提供的一种粘贴基板的结构示意图；
图11a为本公开一实施例提供的一种底板上的通孔与LED晶粒正对的结 构示意图；
图11b为图11a的沿线BB的剖面示意图；
图11c为图11a的沿线BB的剖面示意图；
图11d为图11b中的LED晶粒粘贴至热熔胶膜的示意图；
图12为本公开另一实施例提供的一种粘贴有LED晶粒的粘贴基板与目标基板正对的结构示意图；
图13为本公开一实施例提供的一种LED晶粒与导电胶连接的结构示意图；以及
图14为本公开一实施例提供的一种在LED晶粒上形成保护膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本公开的实施例提供一种Micro-LED的转移方法，如图1所示，包括如下S100至S104的步骤。以下对各个步骤进行详细介绍。
S100、如图2所示，提供供体基板10；供体基板10包括承载基板100以及位于承载基板100上阵列排布的多个LED晶粒101。
例如，本公开的实施例提到的LED晶粒101均指的是Micro-LED(也可以称为μ-LED)晶粒。Micro-LED晶粒的尺寸为微米级，正常LED(Normal LED)晶粒的尺寸为毫米级，Micro-LED晶粒的尺寸缩小到为正常LED晶粒尺寸的百分之一左右。
本公开的实施例对于LED晶粒101的结构不进行限定，在一些实施例中，如图3所示，LED晶粒101包括依次层叠设置的第一电极1、n型半导体图案2、发光图案3、p型半导体图案4以及第二电极5。
例如，多个LED晶粒101的制作过程为先在衬底(衬底例如可以为蓝宝石衬底、硅衬底或氮化镓衬底)上依次生长n型半导体层、发光层、p型半导体层，之后，对n型半导体层、发光层以及p型半导体层进行刻蚀形成多 个层叠的n型半导体图案2、发光图案3以及p型半导体图案4，再形成与n型半导体图案2接触的第一电极1以及与p型半导体图案接触的第二电极5，从而在衬底上形成多个LED晶粒101。当然，多个LED晶粒101也可以采用其他任何适合的方法制作。
例如，在一些实施例中，承载基板100和用于生长上述n型半导体层、发光层、p型半导体层的衬底是不同的基板。在衬底上生长得到多个LED晶粒101后，通过对衬底进行处理(例如利用激光照射衬底，使衬底与LED晶粒分离，或者对衬底进行切割等)，可以得到多个相互不连接的LED晶粒101，再将多个LED晶粒101转移到承载基板100上，LED晶粒101在承载基板100上阵列排布。在另一些实施例中，本公开的实施例中的承载基板100即为上述用于生长n型半导体层、发光层、p型半导体层的衬底。
应当理解到，本公开的实施例提供的供体基板10中的承载基板100和LED晶粒101是相互不连接的，这样一来，利用下述粘贴基板粘贴承载基板100上的LED晶粒101时，LED晶粒101会与承载基板100分离。在承载基板100为上述生长n型半导体层、发光层、p型半导体层的衬底的情况下，应对衬底进行处理(例如利用激光照射衬底)，以使衬底与LED晶粒101相互不连接。
例如，在一些实施例中，可以利用自动光学检测(Automated Optical Inspection，AOI)检查多个LED晶粒101的排列情况，以使得多个LED晶粒101排列整齐，提升后续转移的质量。
例如，可以根据下述目标基板30上待设置LED晶粒101的位置的排布方式以及间距等设置承载基板100上多个LED晶粒101的排布方式以及间距。
S101、如图4和图5所示，提供粘贴基板20；粘贴基板20包括底板200以及设置在底板200上的热熔胶膜201。
在一些实施例中，热熔胶膜201为热塑性胶膜。
例如，热熔胶膜201可以如图4所示为一整层。热熔胶膜201也可以如图5所示包括多个阵列排布的热熔胶图案2011。在热熔胶膜201包括多个阵列排布的热熔胶图案2011的情况下，当粘贴基板20与供体基板10正对时，使一个LED晶粒101能与一个热熔胶图案2011正对。
在本公开的实施例提供的转移方法中，对于热熔胶膜201的厚度不进行限定，可以根据需要进行相应设置。
对于热熔胶膜201，当加热温度大于热熔胶膜201的熔化温度时，热熔胶膜201就会熔化。
S102、如图6a和图6b所示，将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101，以使LED晶粒101与承载基板100分离。
在本公开的实施例中，由于承载基板100与LED晶粒101相互不连接，可分离，因而利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101之后，移动粘贴基板20，承载基板100就会与LED晶粒101分离。
例如，利用粘贴基板20粘贴供体基板10上的LED晶粒101时，粘贴基板20中的热熔胶膜201可与LED晶粒101接触。
S103、如图7a和图7b所示，将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20移动至目标基板30的上方，LED晶粒101比粘贴基板20更靠近目标基板30，并进行对位使LED晶粒101与目标基板30上待设置LED晶粒101的位置正对。
在本公开的实施例中，对于目标基板30不进行限定，可以根据需要进行相应的选取。在一些实施例中，如图7b所示，目标基板30为电路基板。
在目标基板30为电路基板的情况下，如图7b所示，电路基板包括多个驱动电极对，每个驱动电极对包括两个驱动电极301。由于一个LED晶粒101与一个驱动电极对电连接，因而目标基板30上待设置LED晶粒101的位置即为驱动电极对所在的位置。LED晶粒101与目标基板30上待设置LED晶粒101的位置正对，也即，LED晶粒101与目标基板30上的驱动电极对正对。
例如，目标基板30包括多个待设置LED晶粒101的位置，一个待设置LED晶粒101的位置用于设置一个LED晶粒101。
S104、如图8a所示，将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20加热至第一温度，以使热熔胶膜201熔化，LED晶粒101与粘贴基板20分离，如图8a和图8b所示，LED晶粒101转移至目标基板30上；第一温度大于或等于热熔胶膜201的熔化温度。
例如，LED晶粒101与粘贴基板20分离，转移至目标基板30之后，应移走粘贴基板20，并对粘贴基板20进行清洗等处理。此外，可以利用超声波清洗粘贴基板20，以去除底板200上残留的热熔胶膜201。
将粘贴基板20加热至第一温度后，由于第一温度大于或等于热熔胶膜201的熔化温度，因而热熔胶膜201会熔化，这样一来，LED晶粒101就会与粘贴基板20分离。由于LED晶粒101与目标基板30上待设置LED晶粒101的位置正对，因此LED晶粒101与粘贴基板20分离后，LED晶粒101会转移到目标基板30上待设置LED晶粒101的位置。
在一些实施例中，可以将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20和目标基板30对置后放入加热炉中加热至第一温度。
例如，在粘贴基板20的尺寸小于目标基板30的尺寸的情况下，可以重复S102～S104，以将多个LED晶粒101转移到目标基板30上。或者将多个粘贴基板20与目标基板30对置，再加热至第一温度。
在目标基板30为电路基板的情况下，LED晶粒101转移至电路基板上后，LED晶粒101的第一电极1和第二电极5分别与电路基板上驱动电极对中的两个驱动电极301电连接。例如，将多个LED晶粒101转移至电路基板上，从而可以制备得到Micro-LED显示器。
例如，LED晶粒101转移至目标基板30上后，参考图8a，LED晶粒101与目标基板30之间存在断差H，而断差对显示、光效等均有影响。在本公开实施例中，热熔胶膜201熔化后，LED晶粒101与粘贴基板20分离，LED晶粒101转移至目标基板30上。与此同时，参考图8a，热熔胶膜201熔化后，热熔胶会流入相邻LED晶粒101之间的间隙中，可以填充断差，从而可以起到减小或消除LED晶粒101与目标基板30之间的断差的作用。附图8b中未示意出熔化的热熔胶膜201。例如，热熔胶膜201为绝缘材料膜以避免影响电路结构。
基于上述，在利用熔化了的热熔胶膜201填充LED晶粒101与目标基板30之间的断差的情况下，可以根据该断差的大小确定热熔胶膜201的厚度。
相关技术中，采用逐个吸取、压合LED晶粒101的方法，将巨量LED晶粒逐个转移到目标基板30上，由于LED晶粒的数量非常多，因而导致巨量转移难度太大。
本公开实施例提供的Micro-LED的转移方法，提供供体基板10和粘贴基板20；供体基板10包括承载基板100以及位于承载基板100上阵列排布的多个LED晶粒101，粘贴基板20包括底板200以及设置在底板200上的热熔胶膜201。将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101，以使LED晶粒101与承载基板100分离；再将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20移动至目标基板30的上方，并进行对位使LED晶粒101与目标基板30上待设置LED晶粒101的位置正对；将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20加热至第一温度，以使热熔胶膜201熔化，LED晶粒101与粘贴基板20分离，LED晶粒101便转移至目标基板30上。由于粘贴基板20可以同时对多个LED晶粒101进行粘贴，使多个LED晶粒101与承载基板100分离，并同时将多个LED晶粒101移动至目标基板30的上方，对粘贴基板20加热后，热熔胶膜201熔化，这样一来，多个LED晶粒101便可以同时转移至目标基板30上。相对于相关技术，本公开实施例可以同时对多个LED晶粒101进行转移，因而简化了巨量LED晶粒101的转移难度。
例如，由于本公开实施例中的热熔胶膜201熔化后，会流入相邻LED晶粒101之间的间隙中，填充LED晶粒101与目标基板30之间的断差，因而可以降低或消除断差，从而改善了断差对显示、光效等的影响。
在一些实施例中，如图9所示，底板200包括多个通孔202，如图10所示，热熔胶膜201覆盖通孔202。
在本公开的实施例中，对于通孔202的形状不进行限定，示例的，通孔202的形状可以为圆形、椭圆形或矩形等。
例如，可以根据承载基板100上多个LED晶粒101的排布方式以及间距等设置底板200上多个通孔202的排布方式以及间距。
将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101，包括如下步骤。
如图11a、图11b以及图11c所示，将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并进行对位，以使一个LED晶粒101与底板200上的一个通孔202 正对，向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101。
在一些实施例中，如图11b所示，通孔202的尺寸大于LED晶粒101的尺寸。如图11b所示，通孔202在平行于承载基板100的方向上的尺寸D1大于LED晶粒101在平行于承载基板100的方向上的尺寸L1。一方面，利于LED晶粒101的粘贴，另一方面，利于在LED晶粒101和底板200之间形成间隙，利于热熔胶膜201熔化后流至相邻LED晶粒101之间。例如，通孔202在平行于承载基板100的方向上的尺寸D1可为通孔202的直径。在另一些实施例中，通孔202的尺寸可以小于LED晶粒101的尺寸。
例如，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101时，可以是如图11b所示，底板200比热熔胶膜201更靠近LED晶粒101。也可以是如图11c所示，热熔胶膜201比底板200更靠近LED晶粒101。在通孔202的尺寸小于LED晶粒101的尺寸的情况下，为了确保粘贴基板20可以粘贴承载基板100上的LED晶粒101，因而利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101时，热熔胶膜201比底板200更靠近LED晶粒101。
例如，如图11b所示，为了利于LED晶粒与热熔胶膜201的粘贴，底板200在垂直于承载基板100的方向上的尺寸T1小于LED晶粒在垂直于承载基板100的方向上的尺寸T2。
例如，如图11d所示，LED晶粒101粘贴在热熔胶膜201上的情况下，间隙G形成在LED晶粒101和底板的位于相邻LED晶粒101之间的部分之间，以利于熔融的热熔胶膜201流动至相邻LED晶粒101之间。
例如，一个LED晶粒101与底板200上的一个通孔202正对，即指一个LED晶粒101的中心与一个通孔202的中心正对。
在本公开的实施例中，由于底板200包括多个通孔202，因而粘贴基板20与供体基板10进行对位时，有利于供体基板10中的LED晶粒101与底板200上的通孔202进行准确快速对位。例如，由于底板200包括通孔202，因而热熔胶膜201熔化后，可以从通孔202的缝隙流入并填充在相邻LED晶粒101之间，从而可以降低或消除LED晶粒101与目标基板30之间的断差。
在一些实施例中，如图11b所示，通孔202的尺寸大于LED晶粒101的尺寸；将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，包括：将粘贴基板20 移动至供体基板10的上方，且底板200比热熔胶膜201更靠近LED晶粒101。
在本公开的实施例中，将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，对LED晶粒101与通孔202对位时，由于底板200比热熔胶膜201更靠近LED晶粒101，因而有利于通孔202与LED晶粒101进行对位，且在对位过程中可以避免通孔202与LED晶粒101未对位准确时热熔胶膜201粘贴住LED晶粒101。
在一些实施例中，如图12所示，目标基板30上待设置LED晶粒101的位置处设置有导电胶40。
例如，如图12和图13所示，导电胶40与目标基板30上的驱动电极301接触。
在本公开的实施例中，对于导电胶40不进行限定，以能导电且具有粘性为准。例如，导电胶40为锡膏，但不限于此。
例如，可以利用印刷工艺在目标基板30上待设置LED晶粒101的位置处印刷导电胶40。
在目标基板30上待设置LED晶粒101的位置处设置有导电胶40的情况下，在步骤S103之后，在步骤S104之前，上述的Micro-LED的转移方法还包括如下步骤。
如图12所示，将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20与目标基板30压合，如图13所示，以使LED晶粒101的电极与目标基板上的导电胶40连接。例如，如图13所示，LED晶粒101的第一电极和第二电极分别通过导电胶40与驱动电极301相连，两个驱动电极301分别被输入不同的信号以驱动LED晶粒101发光。
在本公开实施例中，目标基板30上待设置LED晶粒101的位置处设置有导电胶40，驱动电极301与导电胶40接触，将粘贴有多个LED晶粒101的粘贴基板20与目标基板30压合后，可以使得LED晶粒101的电极与目标基板30上的导电胶40连接，进而与目标基板30上的驱动电极301牢固连接，防止LED晶粒101转移到目标基板30上后，LED晶粒101与目标基板30发生相对移动，防止LED晶粒101偏离待设置LED晶粒101的位置。
在一些实施例中，在步骤S104之后，上述Micro-LED的转移方法还包括：将目标基板30加热至第二温度；第二温度大于或等于导电胶40的熔化 温度。
例如，可以将目标基板30放入加热炉中加热至第二温度。
在本公开的实施例中，LED晶粒101转移到目标基板30上后，将目标基板30加热至第二温度，由于第二温度大于或等于导电胶40的熔化温度，因而导电胶40会熔化，这样一来，导电胶40会与LED晶粒101的电极充分接触，从而提高了焊接强度，以使得LED晶粒101与目标基板30牢固地固定在一起。例如，将目标基板30加热至第二温度后，流入并填充到相邻LED晶粒101之间的热熔胶会充分熔化，从而可以提高填充在相邻LED晶粒101之间的热熔胶的平整度。
在一些实施例中，将目标基板30加热至第二温度之后，上述Micro-LED的转移方法还包括：对目标基板30进行降温，使流入到相邻LED晶粒101之间的热熔胶固化。
例如，对目标基板30进行降温时，降低后的温度应小于或等于热熔胶的固化温度，这样流入到相邻LED晶粒101之间的热熔胶才会固化。
在本公开的实施例中，对目标基板30进行降温，可以加快流入到相邻LED晶粒101之间的热熔胶的固化。
在一些实施例中，在S104之后，上述Micro-LED的转移方法还包括：如图14所示，在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成透明的保护膜50。
本公开实施例对于保护膜50的厚度不进行限定，考虑到保护膜50的厚度太大会对显示以及光效等产生影响，因而可选的，保护膜50的厚度小于0.1mm。
在本公开的实施例中，在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成透明的保护膜50，保护膜50可以起到保护LED晶粒101的作用，防止LED晶粒101受到损坏。
本公开的实施例对于采取何种方式在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成透明的保护膜50不进行限定，在一些实施例中，利用雾化喷射工艺在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成透明的保护膜50。在另一些实施例中，利用涂覆工艺在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成透明的保护膜50。
在本公开的实施例中，利用雾化喷射工艺在LED晶粒101远离目标基板30的一侧形成保护膜50的厚度较小，且保护膜50的厚度比较均匀。
例如，LED晶粒101与目标基板30之间的断差的存在会影响保护膜50的形成，尤其是影响厚度较小的保护膜50的形成，而本公开实施例中，由于热熔胶膜201熔化后会流入到相邻LED晶粒101之间，降低或消除断差，因而有利于制备厚度较小，且平整度较好的保护膜50，以利于提高LED晶粒101的光效。
如图14所示，本公开的实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括目标基板30，位于目标基板30上的多个微型LED晶粒101，相邻微型LED晶粒101之间填充有热熔胶膜201，降低或消除断差，从而减轻或消除断差对显示、光效等的影响。热熔胶膜201的材料为绝缘材料。
如图14所示，保护膜50在垂直于目标基板30的方向上的尺寸小于热熔胶膜201在垂直于目标基板30的方向上的尺寸。图14中的热熔胶膜201为经历固态变为液态，再由液态变为固态的热熔胶膜。
如图14所示，LED晶粒101在垂直于目标基板30的方向上的尺寸大于热熔胶膜201在垂直于目标基板30的方向上的尺寸。在其他的实施例中，LED晶粒101在垂直于目标基板30的方向上的尺寸可以等于热熔胶膜201在垂直于目标基板30的方向上的尺寸。
如图14所示，为了更好的减小段差，热熔胶膜201在垂直于目标基板30的方向上的尺寸大于LED晶粒101在垂直于目标基板30的方向上的尺寸的一半。进一步例如，热熔胶膜201在垂直于目标基板30的方向上的尺寸大于或等于LED晶粒101在垂直于目标基板30的方向上的尺寸的三分之二。
例如，元件在垂直于目标基板30的方向上的尺寸可为该元件的厚度。
如图14所示，LED晶粒101与热熔胶膜201接触，LED晶粒101与保护膜50接触，保护膜50与LED晶粒101和热熔胶膜201均接触。
例如，本公开的实施例中，热熔胶膜210为苯乙烯和丙烯共聚物、环烯烃共聚物、环烯烃聚合物或聚苯乙烯，但不限于此。例如，所述热熔胶膜的光学透过率大于或等于90％，但不限于此。
例如，在本公开的实施例中，底板200可采用塑料制作，但不限于此。保护膜可采用透明绝缘材料制作，例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，但不限于此。
本公开实施例提供一种Micro-LED的转移方法，提供供体基板和粘贴基板；供体基板包括承载基板以及位于承载基板上阵列排布的多个LED晶粒，粘贴基板包括底板以及设置在底板上的热熔胶膜。将粘贴基板移动至供体基板的上方，并向靠近供体基板的方向移动粘贴基板，利用粘贴基板粘贴承载基板上的LED晶粒，以使LED晶粒与承载基板分离；再将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板移动至目标基板的上方，并进行对位使LED晶粒与目标基板上待设置LED晶粒的位置正对；将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板加热至第一温度，以使热熔胶膜熔化，LED晶粒与粘贴基板分离，LED晶粒便转移至目标基板上。由于粘贴基板可以同时对多个LED晶粒进行粘贴，使多个LED晶粒与承载基板分离，并同时将多个LED晶粒移动至目标基板的上方，对粘贴基板加热后，热熔胶膜熔化，这样一来，多个LED晶粒便可以同时转移至目标基板上。相比于相关技术，本公开实施例可以同时对多个LED晶粒进行转移，因而简化了巨量LED晶粒的转移难度。
例如，由于本公开实施例中的热熔胶膜熔化后，会流入相邻LED晶粒之间的间隙中，填充LED晶粒与目标基板之间的断差，因而可以降低或消除断差，从而减轻或消除断差对显示、光效等的影响。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (21)

  1. 一种微型发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)的转移方法，包括：
    提供供体基板，所述供体基板包括承载基板以及位于所述承载基板上阵列排布的多个LED晶粒；
    提供粘贴基板，所述粘贴基板包括底板以及设置在所述底板上的热熔胶膜；
    将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒，以使所述多个LED晶粒与所述承载基板分离；
    将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板移动至目标基板的上方，所述多个LED晶粒比所述粘贴基板更靠近所述目标基板，并进行对位使所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置正对；
    将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度，以使所述热熔胶膜熔化，所述多个LED晶粒与所述粘贴基板分离，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上，所述第一温度大于或等于所述热熔胶膜的熔化温度。
  2. 根据权利要求1所述的微型LED的转移方法，其中，所述底板包括多个通孔，所述热熔胶膜覆盖所述通孔。
  3. 根据权利要求2所述的微型LED的转移方法，其中，所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒，包括：
    将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，并进行对位，以使所述多个LED晶粒与所述底板上的所述多个通孔分别正对，向靠近所述供体基板的方向移动所述粘贴基板，利用所述粘贴基板粘贴所述承载基板上的所述多个LED晶粒。
  4. 根据权利要求3所述的微型LED的转移方法，其中，所述通孔的在平行于所述承载基板的方向上的尺寸大于所述LED晶粒的在平行于所述承载基板的方向上的尺寸。
  5. 根据权利要求4所述的微型LED的转移方法，其中，所述将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，包括：将所述粘贴基板移动至所述供体基板的上方，且所述底板比所述热熔胶膜更靠近所述多个LED晶粒。
  6. 根据权利要求5所述的微型LED的转移方法，其中，所述底板在垂直于所述承载基板的方向上的厚度小于所述LED晶粒在垂直于所述承载基板的方向上的厚度。
  7. 根据权利要求1-6任一项所述的微型LED的转移方法，其中，
    所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置处设置有导电胶；
    在所述多个LED晶粒与所述目标基板上待设置所述多个LED晶粒的位置正对之后，将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板加热至第一温度之前，所述微型LED的转移方法还包括：
    将粘贴有所述多个LED晶粒的所述粘贴基板与所述目标基板压合，以使所述多个LED晶粒的电极与所述目标基板上的所述导电胶连接。
  8. 根据权利要求7所述的微型LED的转移方法，其中，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后，所述微型LED的转移方法还包括：
    将所述目标基板加热至第二温度；所述第二温度大于或等于所述导电胶的熔化温度。
  9. 根据权利要求7或8所述的微型LED的转移方法，其中，所述第二温度大于所述第一温度。
  10. 根据权利要求7-9任一项所述的微型LED的转移方法，其中，所述导电胶包括锡膏。
  11. 根据权利要求8或9所述的微型LED的转移方法，其中，所述将所述目标基板加热至第二温度之后，所述微型LED的转移方法还包括：
    对所述目标基板进行降温，使流入到相邻LED晶粒之间的热熔胶固化。
  12. 根据权利要求1-11任一项所述的微型LED的转移方法，其中，所述多个LED晶粒转移至所述目标基板上之后，所述微型LED的转移方法还包括：
    在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜。
  13. 根据权利要求12所述的微型LED的转移方法，其中，在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的保护膜，包括：
    利用雾化喷射工艺在所述多个LED晶粒远离所述目标基板的一侧形成透明的所述保护膜。
  14. 根据权利要求12或13所述的微型LED的转移方法，其中，所述保护膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸小于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
  15. 根据权利要求12-14任一项所述的微型LED的转移方法，其中，所述LED晶粒在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸大于或等于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
  16. 根据权利要求1-15任一项所述的微型LED的转移方法，其中，所述热熔胶膜为绝缘材料膜。
  17. 根据权利要求1-16任一项所述的微型LED的转移方法，其中，所述目标基板为电路基板。
  18. 一种显示面板，包括：
    目标基板；以及
    多个微型LED晶粒，位于所述目标基板上，
    其中，相邻微型LED晶粒之间填充有热熔胶膜。
  19. 根据权利要求18所示的显示面板，其中，所述微型LED晶粒在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸大于或等于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
  20. 根据权利要求18或19所示的显示面板，其中，所述热熔胶膜为热塑性胶膜。
  21. 根据权利要求18-20任一项所示的显示面板，还包括在所述多个微型LED晶粒的远离所述目标基板的一侧设置保护膜，其中，所述保护膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸小于所述热熔胶膜在垂直于所述目标基板的方向上的尺寸。
PCT/CN2020/089373 2019-06-10 2020-05-09 一种微型led的转移方法和显示面板 WO2020248750A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/295,036 US12033882B2 (en) 2019-06-10 2020-05-09 Micro-LED transfer method and display panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910497258.XA CN110190014B (zh) 2019-06-10 2019-06-10 一种Micro-LED的转移方法
CN201910497258.X 2019-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020248750A1 true WO2020248750A1 (zh) 2020-12-17

Family

ID=67721046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2020/089373 WO2020248750A1 (zh) 2019-06-10 2020-05-09 一种微型led的转移方法和显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12033882B2 (zh)
CN (1) CN110190014B (zh)
WO (1) WO2020248750A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114220828A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190014B (zh) 2019-06-10 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种Micro-LED的转移方法
CN111063649B (zh) * 2019-12-03 2022-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
CN111063650A (zh) * 2019-12-17 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光二极管的转移方法及转移装置
CN112993090B (zh) * 2020-04-10 2022-03-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微型发光二极体转移方法及显示装置
CN111739987B (zh) * 2020-08-18 2021-02-05 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 Led芯片转移方法和光源板
CN112466795A (zh) * 2020-11-10 2021-03-09 南昌大学 一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底
CN113066801B (zh) * 2021-03-19 2024-02-09 合肥京东方光电科技有限公司 背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法
CN115411156A (zh) * 2021-05-28 2022-11-29 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 微型发光二极管的巨量转移方法
CN115440642B (zh) * 2022-09-19 2024-09-24 深圳市优界科技有限公司 一种适用于晶粒转移的载板承载装置
WO2024130431A1 (en) * 2022-12-23 2024-06-27 Vuereal Inc. Micro-leds integrated with a vehicle window

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150145305A (ko) * 2014-06-18 2015-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN106903978A (zh) * 2017-02-21 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
CN108231653A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 厦门大学 一种MicroLED芯片转印方法及装置
CN109285923A (zh) * 2018-10-22 2019-01-29 天马微电子股份有限公司 微型器件转印模具和微型器件转印方法
CN109728022A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法
TWI659486B (zh) * 2018-04-18 2019-05-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 轉移載板與晶粒載板
CN110183979A (zh) * 2019-06-24 2019-08-30 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 多层复合膜及其应用
CN110190014A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 一种Micro-LED的转移方法
CN110416139A (zh) * 2019-09-11 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法
CN110534627A (zh) * 2018-05-23 2019-12-03 青岛海信电器股份有限公司 一种led灯板、其制备方法及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244326B2 (en) * 2003-05-16 2007-07-17 Alien Technology Corporation Transfer assembly for manufacturing electronic devices
JP4788759B2 (ja) * 2008-11-20 2011-10-05 パナソニック株式会社 部品実装装置
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
CN106229287B (zh) * 2016-09-30 2019-04-05 厦门市三安光电科技有限公司 用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法
US10211363B2 (en) 2017-02-21 2019-02-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Transfer printing template and transfer printing device of micro light-emitting diode
CN207719162U (zh) * 2018-01-23 2018-08-10 河源创基电子科技有限公司 一种固晶机的稳定固晶结构

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150145305A (ko) * 2014-06-18 2015-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN106903978A (zh) * 2017-02-21 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 转印模板及微发光二极管的转印装置
CN109728022A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制造方法
CN108231653A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 厦门大学 一种MicroLED芯片转印方法及装置
TWI659486B (zh) * 2018-04-18 2019-05-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 轉移載板與晶粒載板
CN110534627A (zh) * 2018-05-23 2019-12-03 青岛海信电器股份有限公司 一种led灯板、其制备方法及显示装置
CN109285923A (zh) * 2018-10-22 2019-01-29 天马微电子股份有限公司 微型器件转印模具和微型器件转印方法
CN110190014A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 一种Micro-LED的转移方法
CN110183979A (zh) * 2019-06-24 2019-08-30 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 多层复合膜及其应用
CN110416139A (zh) * 2019-09-11 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114220828A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体
CN114220828B (zh) * 2021-12-13 2023-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体

Also Published As

Publication number Publication date
US12033882B2 (en) 2024-07-09
CN110190014B (zh) 2021-10-08
US20220013398A1 (en) 2022-01-13
CN110190014A (zh) 2019-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020248750A1 (zh) 一种微型led的转移方法和显示面板
KR102602393B1 (ko) 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
TWI653694B (zh) 微型發光元件陣列製造方法、轉移載板以及微型發光元件陣列
WO2020238099A1 (zh) 微发光二极管的转移方法及显示面板的制作方法
CN110993749A (zh) 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板
CN111739987B (zh) Led芯片转移方法和光源板
CN110546771A (zh) 微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备
JP6107060B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN111244017A (zh) 一种微型发光二极管显示背板及其制造方法
CN106469776A (zh) 电子装置与其制造方法
WO2021098094A1 (zh) Micro-led显示器件的制作方法
US20240055548A1 (en) Method for transferring light-emitting diode and light-emitting base plate
CN112424958B (zh) 微型发光二极管的巨量转移方法及系统
CN113284819A (zh) 一种巨量转移方法
CN112047297B (zh) 一种可定位温控的微区加热阵列及其选择性转移半导体微纳集成元件的使用方法
KR101387847B1 (ko) 롤러를 이용한 플렉서블 발광소자 전사방법, 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 발광소자
CN215342605U (zh) 显示装置
KR20190130082A (ko) 마이크로 발광소자 기판의 제조 방법
WO2021051535A1 (zh) 阵列基板及其制备方法
CN109390267B (zh) 批量移载微细元件的方法及其装置
CN112466795A (zh) 一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底
TWI762953B (zh) 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法
CN215418184U (zh) 转移头及转移头模具
US20240038744A1 (en) Substrate encapsulating method, display panel, and display device
TW202349739A (zh) 發光元件基板及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20821671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20821671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20821671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 26.07.2022)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20821671

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1