CN110416139A - 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法 - Google Patents

一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110416139A
CN110416139A CN201910858485.0A CN201910858485A CN110416139A CN 110416139 A CN110416139 A CN 110416139A CN 201910858485 A CN201910858485 A CN 201910858485A CN 110416139 A CN110416139 A CN 110416139A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
substrate
backlight unit
diode chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910858485.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110416139B (zh
Inventor
麦轩伟
曹占锋
王珂
李海旭
梁志伟
吕志军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910858485.0A priority Critical patent/CN110416139B/zh
Publication of CN110416139A publication Critical patent/CN110416139A/zh
Priority to US16/984,511 priority patent/US11798919B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110416139B publication Critical patent/CN110416139B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，该转移载板，包括：基底，具有贯穿基底厚度的多个通孔；基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，热塑性结构填充对应的通孔，且热塑性结构的一端凸出于基底的第二表面，另一端覆盖对应的通孔周围区域的第一表面。本发明实施例提供的转移载板，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。

Description

一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于其自发光、发光效率高、对比度高、工作温度范围宽、寿命长、功耗低以及非常快的响应时间等优良特性，在显示器领域正受到越来越多的人的关注。
其中，微型发光二极管(MiniLED/MicroLED)芯片由于自发光、结构简单、体积小和节能等优点，微型发光二极管显示技术将成为下一代具有革命性的技术，然而，目前微型发光二极管芯片转移固晶技术，由于速度慢且成本过高是而导致商用化困难，虽然，目前已有诸如基于凡德瓦尔力、静电力、电磁力的转移技术，但都有成本高、效率低、大尺寸化困难的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片的转移工艺成本高、效率低、大尺寸化困难的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种转移载板，包括：
基底，具有贯穿所述基底厚度的多个通孔；所述基底包括相对的第一表面和第二表面；
热塑性结构，所述热塑性结构填充对应的所述通孔，且所述热塑性结构的一端凸出于所述基底的第二表面，另一端覆盖对应的所述通孔周围区域的所述第一表面。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移载板中，各所述热塑性结构覆盖所述第一表面的部分相互连接为一体结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移载板中，所述基底具有导热性。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移载板中，所述基底的材料为金属或陶瓷。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移载板中，还包括：位于所述基底的所述第一表面与所述热塑性结构之间的多条加热导线；
多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域；和/或，
所述转移载板，还包括：位于所述基底的所述第二表面的多条加热导线；
多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移载板中，所述热塑性结构的材料为蜡、橡胶或硅胶。
第二方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管芯片的转移方法，包括：
提供一表面具有多个发光二极管芯片的基板，以及提供一具有多个驱动电极的驱动背板；
将上述转移载板的第二表面与所述基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位，并将所述转移载板的多个热塑性结构与对应的所述发光二极管芯片接触；
对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，之后对各所述发光二极管芯片及对应的各所述热塑性结构进行冷却，以使各所述热塑性结构抓取对应的所述发光二极管芯片；
移走所述转移载板，以使所述转移载板抓取的各所述发光二极管芯片与所述基板分离；
将所述转移载板抓取有所述发光二极管芯片的一面与所述驱动背板具有所述驱动电极的一面进行对位并贴合；
对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，之后移走所述转移载板。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移方法中，对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，包括：
对表面具有多个所述发光二极管芯片的所述基板进行加热。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移方法中，所述转移载板与所述驱动背板进行对位贴合后，各所述发光二极管通过焊接材料与对应的驱动电极接触；
所述对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，包括：
对所述驱动背板进行加热，以使各所述发光二极管芯片与对应的所述驱动电极固定，同时，使各所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片。
第三方面，本发明实施例还提供了一种上述转移载板的制作方法，包括：
提供一基底；
形成贯穿所述基底的多个通孔；
在所述基底的第一表面形成热塑性膜层；
对所述热塑性膜层进行加热，并在所述热塑性膜层软化后挤压所述热塑性膜层，以使部分所述热塑性膜层填充各所述通孔并由所述基底的第二表面溢出；
对所述热塑性膜层进行冷却，以形成各热塑性结构。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，该转移载板，包括：基底，具有贯穿基底厚度的多个通孔；基底包括相对的第一表面和第二表面；热塑性结构，热塑性结构填充对应的通孔，且热塑性结构的一端凸出于基底的第二表面，另一端覆盖对应的通孔周围区域的第一表面。本发明实施例提供的转移载板，通过设置贯穿基底的多个通孔，以及多个热塑性结构，就能够实现对发光二极管芯片的转移，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转移载板的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的转移载板的结构示意图之二；
图3为本发明实施例中转移载板的俯视结构示意图之一；
图4为本发明实施例中转移载板的俯视结构示意图之二；
图5为本发明实施例提供的发光二极管芯片的转移方法的流程图；
图6a至图6g本发明实施例提供的发光二极管芯片的转移方法中各步骤对应的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的转移载板的制作方法的流程图；
图8a至图8d为本发明实施例中转移载板的制作方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
针对现有技术中存在的发光二极管芯片的转移工艺成本高、效率低、大尺寸化困难的问题，本发明实施例提供了一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法。
下面结合附图，对本发明实施例提供的转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种转移载板，如图1所示，该转移载板11，包括：
基底111，具有贯穿基底111厚度的多个通孔U；基底111包括相对的第一表面T1和第二表面T2；
热塑性结构112，热塑性结构112填充对应的通孔U，且热塑性结构112的一端凸出于基底111的第二表面T2，另一端覆盖对应的通孔U周围区域的第一表面T1。
本发明实施例提供的转移载板，通过设置贯穿基底的多个通孔，以及多个热塑性结构，就能够实现对发光二极管芯片的转移，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低，在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，转移工艺成本低且易于实施，并且转移效率较高。
本发明实施例中的转移载板11包括多个通孔U，多个通孔U的分布可根据将要转移的发光二极管芯片的分布进行设置，并且，为了使热塑性结构112能够抓取发光二极管芯片，可将通孔U的尺寸设置为大于发光二极管芯片的尺寸。在具体实施时，可将多个热塑性结构112设置为分别与多个通孔U一一对应，或者也可以设置为通孔U的数量多于热塑性结构112的数量，此处不对通孔与热塑性结构的对应关系进行限定。
在实际工艺过程中，在晶片上形成发光二极管芯片后，会将晶片上的各发光二极管芯片转移到基板上。若基板上的发光二极管芯片的数量较少，且相邻的发光二极管芯片之间具有一定的间距，可将转移载板11中的多个通孔U设置为与基板上的多个发光二极管芯片一一对应，也就是说，相邻的通孔U之间的间距与相邻的发光二极管芯片之间的间距大致相同，从而可以通过一次转移工艺对发光二极管芯片进行转移。
若基板上的发光二极管芯片过多，且相邻的发光二极管芯片距离很近时，可将相邻的通孔U之间的间距设置为发光二极管芯片尺寸的整数倍(忽略相邻的发光二极管芯片的间距的尺寸)，例如，发光二极管芯片的尺寸约为50μm×100μm，则相邻的通孔U之间的间距可设置为300μm，这样，横向分布的发光二极管芯片每6颗抓取1颗，纵向分布的发光二极管芯片每3颗抓取1颗，从而实现选择性拾取发光二极管芯片的效果，经过多次转移，可实现基板上各发光二极管芯片的转移。此处只是举例说明，在具体实施时，可根据基板上发光二极管芯片的实际分布情况，来设置转移载板中通孔的分布，此处不做限定。
本发明实施例提供的上述转移载板中，通过在每一个通孔U的位置处设置一个热塑性结构112，热塑性结构112填充对应的通孔U，且热塑性结构112的一端凸出于基底111的第二表面T2，热塑性结构112加热后容易融化或软化，且冷却后能够固化成型。
在实际工艺过程中，热塑性结构112凸出于第二表面T2的一端与发光二极管芯片接触后，通过对发光二极管芯片进行加热，可使热塑性结构112凸出于第二表面T2的一端软化，以使发光二极管芯片嵌入到热塑性结构112内，之后降温冷却，使热塑性结构112固化抓住发光二极管芯片，同时由于热胀冷缩效应使发光二极管芯片嵌入的空间形成负压，使发光二极管芯片被牢固的嵌入到热塑性结构112，从而实现发光二极管芯片的选择性拾取。
并且，热塑性结构112的另一端覆盖对应的通孔U周围区域的第一表面T1，从而可以保证热塑性结构112经加热和冷却等过程后，不会由于热胀冷缩效应而从通孔U漏出，使热塑性结构112牢固地固定于基底111上，保证后续转移工艺过程中，转移载板11可通过多个热塑性结构112携带多个发光二极管芯片移动。
可选地，本发明实施例提供的上述转移载板中，如图1所示，各热塑性结构112覆盖第一表面T1的部分相互连接为一体结构。这样，可以进一步提高热塑性结构112的牢固性，并且，在实际制作过程中，可直接在基底111的第一表面形成热塑性膜层，通过对热塑性膜层进行加热，并在热塑性膜层软化后挤压热塑性膜层，使部分热塑性膜层填充各通孔并由基底111的第二表面T2溢出，之后冷却固定成型，以得到多个热塑性结构，因此，可通过一次制作工艺形成多个热塑性结构，制作工艺简单、成本低。
此外，如图2所示，在具体实施时，上述转移载板11中的各热塑性结构112也可以不设置为一体结构，即各热塑性结构112也可以相互独立，从而可以节省热塑性结构112的材料，节约成本。与图1所示的结构不同的是，在实际制作过程中，需要在各通孔U的位置处分别形成块状的热塑性膜层，然后可对相互独立的各热塑性膜层同时进行加热，待各热塑性膜层软化后，挤压各热塑性膜层，使每一个热塑性膜层的部分填充对应的通孔U，并由基底111的第二表面T2溢出，之后固定成型，以形成图2所示的多个热塑性结构。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转移载板中，上述基底具有导热性。在上述转移载板的制作工艺过程中，可直接对基底进行加热，利用基底的导热性能，间接向热塑性膜层进行加热。此外，在具体实施时，上述基底也可以不具有导热性，可通过外部手段向热塑性膜层进行加热，此处不对基底的性能进行限定。
具体地，本发明实施例提供的上述转移载板中，上述基底的材料可以为金属或陶瓷。金属材料或陶瓷材料具有较好的导热性能，例如，可采用铁、钢、合金等金属材料，因而，采用金属材料或陶瓷材料制作上述基底，可保证基底具有较好的导热性。此外，上述基底也可以采用其他导热性材料，此处不对基底的材料进行限定。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转移载板中，还可以包括：位于基底的第一表面与热塑性结构之间的多条加热导线；
多条加热导线均匀分布于基底除各通孔以外的区域；
将加热导线设置在基底的第一表面与热塑性结构之间，加热导线与热塑性结构直接接触，在转移载板的制作过程中，可通过向加热导线加电的方式，直接对热塑性膜层。
和/或，
转移载板，还包括：位于基底的第二表面的多条加热导线；
多条加热导线均匀分布于基底除各通孔以外的区域。
由于基底具有导热性，因而，也可以将加热导线设置在基底的第二表面，在转移载板的制作过程中，可通过对加热导线加电，通过基底将热量传递至热塑性膜层。
图3和图4为基底的俯视结构示意图，图中所示的表面可以表示第一表面也可以表示第二表面，如图3和图4所示，加热导线113可均匀分布于基底的表面(第一表面或第二表面)，如图3所示，可以设置多条相互平行的加热导线113，图中以各加热导线113沿水平方向延伸为例，也可以将各加热导线113设置为沿竖直方向延伸。如图4所示，可以设置多条沿水平方向延伸的加热导线113，以及多条沿竖直方向延伸的加热导线113，基底111表面的各加热导线113构成网格状，此外，基底表面的各加热结构也可以为其他排列方式，只要各加热导线能够均匀分布于基底表面即可，以保证对热塑性膜层加热的均匀性，此处不对各加热导线的具体排列方式进行限定。
在具体实施时，可以仅在基底的第一表面设置加热导线，或仅在基底的第二表面设置加热导线，也可以在基底的第一表面和第二表面均设置加热导线，此处不做限定。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转移载板中，热塑性结构的材料为蜡、橡胶或硅胶。蜡、橡胶或硅胶等材料具有较低的熔点，可通过加热比较容易融化或软化，并且冷却后能固化成型，且热胀冷缩的程度较大，能够比较容易形成负压抓取发光二极管芯片，此处只是以热塑性结构采用蜡、橡胶或硅胶材料进行举例，在具体实施时，热塑性结构也可以采用其他材料，此处不做限定。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种发光二极管芯片的转移方法。由于该转移方法解决问题的原理与上述转移载板相似，因此该转移方法的实施可以参见上述转移载板的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的上述发光二极管芯片的转移方法，如图5所示，包括：
S201、提供一表面具有多个发光二极管芯片122的基板121，如图6a所示，以及提供一具有多个驱动电极131的驱动背板13，如图6b所示；在实际工艺过程中，发光二极管芯片中的外延结构需要在特定的晶片上生长形成，在外延结构形成后，可将形成的多个发光二极管芯片转移到基板上，从而保证后续步骤中发光二极管芯片可以比较容易的与基板分离。
S202、如图6c所示，将上述转移载板11的第二表面T2与基板121具有发光二极管芯片122的一面进行对位，并将转移载板11的多个热塑性结构112与对应的发光二极管芯片122接触；
S203、对各发光二极管芯片122进行加热，以使发光二极管芯片122嵌入到对应的热塑性结构112中，如图6d所示，之后对各发光二极管芯片122及对应的各热塑性结构112进行冷却，以使各热塑性结构112抓取对应的发光二极管芯片122；
由于发光二极管芯片122与热塑性结构112接触，因而对发光二极管芯片122加热，可使热塑性结构112间接受热，热塑性结构112受热融化或软化后，由于热塑性结构112的自身重力，或者可施加一定的压力，可使发光二极管芯片122嵌入到对应的热塑性结构112中，之后，停止加热使发光二极管芯片122和热塑性结构112冷却，由于热胀冷缩效应可使发光二极管芯片122嵌入到热塑性结构112的空间处形成一负压，从而使热塑性结构牢固地抓住发光二极管芯片122。具体地，上述冷却过程中，至少需要将热塑性结构112冷却至熔点或玻璃化温度(Tg)以下，例如热塑性结构112采用石蜡时，温度降至80°左右即可达到玻璃化温度。
S204、如图6e所示，移走转移载板11，以使转移载板11抓取的各发光二极管芯片122与基板分离；
S205、将转移载板11抓取有发光二极管芯片122的一面与驱动背板13具有驱动电极131的一面进行对位并贴合，如图6f所示；
S206、对各热塑性结构112进行加热，以使热塑性结构112软化后释放发光二极管芯片122，之后移走转移载板11，得到如图6g所示的结构，以使发光二极管芯片122转移至驱动背板13上。通过对热塑性结构112进行加热，可使热塑性结构112再次融化或软化，从而减小热塑性结构112与对应的发光二极管芯片122之间的负压，使发光二极管芯片122脱离对应的热塑性结构112，从而将发光二极管芯片122放置于驱动背板13上。
本发明实施例提供的上述转移方法中，采用上述转移载板对发光二极管芯片进行转移，利用嵌入式吸附拾取机制，实现了发光二极管芯片的巨量转移。在转移过程中，只需加热和冷却工艺就能实现发光二极管芯片的抓取，并通过再次加热工艺可以释放发光二极管芯片，在高精度和高效率转移发光二极管芯片的基础上，工艺成本低且转移效率高。
具体地，本发明实施例提供的上述转移方法中，上述步骤S203，对各发光二极管芯片进行加热，以使发光二极管芯片嵌入到对应的热塑性结构中，包括：
对表面具有多个发光二极管芯片的基板进行加热。
通过对基板进行加热，可实现对各发光二极管芯片的间接加热，具体地，发光二极管芯片的基板可以为蓝膜、抗紫外线(ultraviolet，UV)膜或其他基板，例如玻璃基板、钢板等，此处只是举例说明，不对基板的材料进行限定。
进一步地，本发明实施提供的上述转移方法中，转移载板与驱动背板进行对位贴合后，各发光二极管通过焊接材料与对应的驱动电极接触；
在实际应用中，可在步骤S205之前，在发光二极管芯片的表面或驱动电极的表面涂布焊接材料，在步骤S205之后，发光二极管芯片可通过焊接材料与对一个的驱动电极接触，具体地，焊接材料可以为锡膏、银胶、铜胶或高吸水树脂(self-alignment paste，SAP)等热固型或紫外固化型导电胶，此处只是举例说明，在具体实施时，也可以采用其他焊接材料，此处不做限定。
上述步骤S206中，对各热塑性结构进行加热，以使热塑性结构软化后释放发光二极管芯片，包括：
对驱动背板进行加热，以使各发光二极管芯片与对应的驱动电极固定，同时，使各热塑性结构软化后释放发光二极管芯片。
采用对驱动背板进行加热的方式，可间接对发光二极管芯片、焊接材料、热塑性结构进行加热，焊接材料在加热后，可使发光二极管芯片与对应的驱动电极绑定连接，从而将发光二极管芯片固定于驱动电极上，同时，热塑性结构受热后软化释放发光二极管芯片，从而后续移走转移载板后，发光二极管芯片可与转移载板分离，从而实现发光二极管芯片的转移。
应该说明的是，本发明实施例中的各加热过程，只要能够使热塑性材料融化或软化，或者可使焊接材料融化即可，不会破坏转移载板、具有发光二极管芯片的基材和驱动背板中的其他结构，可根据热塑性材料或焊接材料的性质设置合理的加热温度，此处不做限定。
此外，在本发明实施例的图6a至图6g中，以图1所示的转移载板为例进行示意，在具体实施时，也可以采用图2所示的结构进行转移，此处不做限定，并且，以引出电极位于发光二极管芯片的同一侧的结构为例进行示意，在具体实施时，本发明实施例中的转移方法也可以转移引出电极位于发光二极管芯片的异侧的结构，此处不做限定。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种转移载板的制作方法。由于该制作方法解决问题的原理与上述转移载板相似，因此该制作方法的实施可以参见上述转移载板的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的上述转移载板的制作方法，如图7所示，包括：
S301、如图8a所示，提供一基底111；具体地，基底111可选择厚度均匀、表面平整的基底，例如可采用具有导热性的金属片或陶瓷片等。
S302、如图8b所示，形成贯穿基底111的多个通孔U；具体地，可采用激光打孔、光刻、或电铸等工艺对基底111进行打孔，以形成具有设定间距和适当尺寸的多个通孔U。
S303、如图8c所示，在基底111的第一表面T1形成热塑性膜层114；热塑性膜层114可采用石蜡、橡胶或硅胶等材料。具体地，可以按图8c所示的结构，将热塑性膜层114置于基底111上，也可以将基底111置于热塑性膜层114上，此处不做限定。
S304、对热塑性膜层114进行加热，例如，可通过基底表面的加热导线对热塑性膜层114进行加热，并在热塑性膜层114软化后挤压热塑性膜层114，如图8d中，热塑性膜层114和基底111受到压力F的作用而相互挤压，以使部分热塑性膜层114填充各通孔U并由基底111的第二表面T2溢出，如图8d所示；在具体实施时，可在热塑性膜层114背离基底111的一侧施加压力，也可以在基材111背离热塑性膜层114的一侧施加压力，或者在两侧都施加压力，以使热塑性膜层114受到挤压后从基底111的第二表面T2溢出，此外，由于热塑性膜层114已经软化，因而只需施加较小的压力，就能够将热塑性膜层114从通孔U中挤出。
S305、对热塑性膜层114进行冷却，以形成各热塑性结构112，以得到如图1所示的结构。具体地，可通过停止加热的方式对热塑性膜层114进行冷却，冷却过程中至少需要将基底111冷却至热塑性材料的熔点或玻璃化温度(Tg)以下。
本发明实施例中，仅通过基材和热塑性材料就能够得到上述转移载板，上述载板的材料成本较低，并且，利用具有多个通孔的基底将热塑性膜层从通孔中挤出，可经济快速的得到转移载板，制作工艺较简单，工艺成本较低，从而更容易实现大尺寸化和量产。
本发明实施例提供的转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法，通过设置贯穿基底的多个通孔，以及多个热塑性结构，就能够实现对发光二极管芯片的转移，结构简单、容易实现大尺寸化，且材料成本低。在发光二极管芯片转移的过程中，加热的发光二极管芯片可以嵌入到热塑性结构中，然后冷却后可使热塑性结构抓住发光二极管芯片，从而可实现发光二极管芯片的巨量转移，且可选择性的拾取发光二极管芯片，并且，转移工艺成本低且易于实施，转移效率较高。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种转移载板，其特征在于，包括：
基底，具有贯穿所述基底厚度的多个通孔；所述基底包括相对的第一表面和第二表面；
热塑性结构，所述热塑性结构填充对应的所述通孔，且所述热塑性结构的一端凸出于所述基底的第二表面，另一端覆盖对应的所述通孔周围区域的所述第一表面。
2.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，各所述热塑性结构覆盖所述第一表面的部分相互连接为一体结构。
3.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，所述基底具有导热性。
4.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，所述基底的材料为金属或陶瓷。
5.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，还包括：位于所述基底的所述第一表面与所述热塑性结构之间的多条加热导线；
多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域；和/或，所述转移载板，还包括：位于所述基底的所述第二表面的多条加热导线；
多条所述加热导线均匀分布于所述基底除各所述通孔以外的区域。
6.如权利要求1～5任一项所述的转移载板，其特征在于，所述热塑性结构的材料为蜡、橡胶或硅胶。
7.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括：
提供一表面具有多个发光二极管芯片的基板，以及提供一具有多个驱动电极的驱动背板；
将如权利要求1～6任一项所述的转移载板的第二表面与所述基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位，并将所述转移载板的多个热塑性结构与对应的所述发光二极管芯片接触；
对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，之后对各所述发光二极管芯片及对应的各所述热塑性结构进行冷却，以使各所述热塑性结构抓取对应的所述发光二极管芯片；
移走所述转移载板，以使所述转移载板抓取的各所述发光二极管芯片与所述基板分离；
将所述转移载板抓取有所述发光二极管芯片的一面与所述驱动背板具有所述驱动电极的一面进行对位并贴合；
对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，之后移走所述转移载板。
8.如权利要求7所述的转移方法，其特征在于，对各所述发光二极管芯片进行加热，以使所述发光二极管芯片嵌入到对应的所述热塑性结构中，包括：
对表面具有多个所述发光二极管芯片的所述基板进行加热。
9.如权利要求7所述的转移方法，其特征在于，所述转移载板与所述驱动背板进行对位贴合后，各所述发光二极管通过焊接材料与对应的驱动电极接触；
所述对各所述热塑性结构进行加热，以使所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片，包括：
对所述驱动背板进行加热，以使各所述发光二极管芯片与对应的所述驱动电极固定，同时，使各所述热塑性结构软化后释放所述发光二极管芯片。
10.一种如权利要求1～6任一项所述的转移载板的制作方法，包括：
提供一基底；
形成贯穿所述基底的多个通孔；
在所述基底的第一表面形成热塑性膜层；
对所述热塑性膜层进行加热，并在所述热塑性膜层软化后挤压所述热塑性膜层，以使部分所述热塑性膜层填充各所述通孔并由所述基底的第二表面溢出；
对所述热塑性膜层进行冷却，以形成各热塑性结构。
CN201910858485.0A 2019-09-11 2019-09-11 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法 Active CN110416139B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910858485.0A CN110416139B (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法
US16/984,511 US11798919B2 (en) 2019-09-11 2020-08-04 Transfer carrier and manufacturing method thereof, and method for transferring light-emitting diode chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910858485.0A CN110416139B (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110416139A true CN110416139A (zh) 2019-11-05
CN110416139B CN110416139B (zh) 2021-08-31

Family

ID=68370488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910858485.0A Active CN110416139B (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11798919B2 (zh)
CN (1) CN110416139B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111118579A (zh) * 2020-03-09 2020-05-08 点栈(绍兴)智能科技有限公司 基于电泳机器人的Micro LED排列方法
CN111244014A (zh) * 2020-01-10 2020-06-05 福州京东方光电科技有限公司 一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置
CN111383967A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 武汉大学 一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法
WO2020248750A1 (zh) * 2019-06-10 2020-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种微型led的转移方法和显示面板
CN113327883A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 东莞市中麒光电技术有限公司 转移载板
WO2021238681A1 (zh) * 2020-05-25 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板、发光二极管芯片的转移方法及显示装置
CN113764558A (zh) * 2021-08-31 2021-12-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113777465A (zh) * 2020-06-09 2021-12-10 台湾爱司帝科技股份有限公司 芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构
CN114220828A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体
WO2023087144A1 (zh) * 2021-11-16 2023-05-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led 芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115207173B (zh) * 2022-06-29 2024-07-05 上海天马微电子有限公司 发光芯片的转移方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5447264A (en) * 1994-07-01 1995-09-05 Mcnc Recessed via apparatus for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips, and for placing solder bumps thereon
US20020055237A1 (en) * 2000-04-05 2002-05-09 Keyvan Sayyah Method for transferring semiconductor device layers to different substrates
WO2002084631A1 (fr) * 2001-04-11 2002-10-24 Sony Corporation Procede de transfert d'element, procede de disposition d'element mettant en oeuvre ce procede et procede de production d'un appareil d'affichage d'image
CN207116403U (zh) * 2017-04-21 2018-03-16 厦门市三安光电科技有限公司 一种用于微元件转移的转置头
CN107818931A (zh) * 2017-09-30 2018-03-20 厦门市三安光电科技有限公司 半导体微元件的转移方法及转移装置
CN108010994A (zh) * 2017-12-15 2018-05-08 惠州雷通光电器件有限公司 微发光二极管转移方法
CN108231653A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 厦门大学 一种MicroLED芯片转印方法及装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105487723B (zh) * 2016-02-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 触控基板、制备方法及显示装置
WO2020073265A1 (zh) * 2018-10-11 2020-04-16 深圳市修颐投资发展合伙企业（有限合伙） 扇出封装方法及扇出封装板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5447264A (en) * 1994-07-01 1995-09-05 Mcnc Recessed via apparatus for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips, and for placing solder bumps thereon
US20020055237A1 (en) * 2000-04-05 2002-05-09 Keyvan Sayyah Method for transferring semiconductor device layers to different substrates
WO2002084631A1 (fr) * 2001-04-11 2002-10-24 Sony Corporation Procede de transfert d'element, procede de disposition d'element mettant en oeuvre ce procede et procede de production d'un appareil d'affichage d'image
CN207116403U (zh) * 2017-04-21 2018-03-16 厦门市三安光电科技有限公司 一种用于微元件转移的转置头
CN107818931A (zh) * 2017-09-30 2018-03-20 厦门市三安光电科技有限公司 半导体微元件的转移方法及转移装置
CN108010994A (zh) * 2017-12-15 2018-05-08 惠州雷通光电器件有限公司 微发光二极管转移方法
CN108231653A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 厦门大学 一种MicroLED芯片转印方法及装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020248750A1 (zh) * 2019-06-10 2020-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种微型led的转移方法和显示面板
US12033882B2 (en) 2019-06-10 2024-07-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Micro-LED transfer method and display panel
CN111244014B (zh) * 2020-01-10 2023-02-03 福州京东方光电科技有限公司 一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置
CN111244014A (zh) * 2020-01-10 2020-06-05 福州京东方光电科技有限公司 一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置
CN111118579A (zh) * 2020-03-09 2020-05-08 点栈(绍兴)智能科技有限公司 基于电泳机器人的Micro LED排列方法
CN111383967A (zh) * 2020-03-20 2020-07-07 武汉大学 一种采用压电材料的微型发光二极管转印组件及转印方法
WO2021238681A1 (zh) * 2020-05-25 2021-12-02 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板、发光二极管芯片的转移方法及显示装置
CN113777465A (zh) * 2020-06-09 2021-12-10 台湾爱司帝科技股份有限公司 芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构
CN113777465B (zh) * 2020-06-09 2024-03-26 台湾爱司帝科技股份有限公司 芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构
CN113327883A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 东莞市中麒光电技术有限公司 转移载板
CN113764558A (zh) * 2021-08-31 2021-12-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113764558B (zh) * 2021-08-31 2024-09-03 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法
WO2023087144A1 (zh) * 2021-11-16 2023-05-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led 芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法
CN114220828A (zh) * 2021-12-13 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体
CN114220828B (zh) * 2021-12-13 2023-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体

Also Published As

Publication number Publication date
US20210074689A1 (en) 2021-03-11
CN110416139B (zh) 2021-08-31
US11798919B2 (en) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416139A (zh) 一种转移载板、其制作方法及发光二极管芯片的转移方法
CN108231653B (zh) 一种MicroLED芯片转印方法及装置
CN101666433B (zh) 利用室温液态金属导热的大功率led光源
CN205900541U (zh) 一种双色多芯大功率led光源
CN101924176B (zh) 一种发光二极管封装结构及其封装方法
CN107577085A (zh) 一种灯条、背光模组及液晶显示器
CN102297351B (zh) 一种led光源模组及其制造方法
CN202871787U (zh) 一种均温板上直接封装芯片的结构
CN103489993A (zh) 一种高可靠性倒装led光源及其led模组光源
CN102956761B (zh) 发光二极管的封装方法
CN109801902B (zh) 一种封装基板、半导体器件及其制作方法
CN203521475U (zh) 用于led倒装晶片封装的浮动散热铜片支架及led封装件
CN202082649U (zh) 一种基于液态金属散热的螺纹连接结构的大功率led光源
CN107369647A (zh) 一种led阵列基板及其制备方法、显示装置
CN102842668B (zh) 一种均温板上直接封装芯片的结构及其制作方法
CN201303426Y (zh) 一种波纹状发热器
CN201502898U (zh) 一种利用室温液态金属导热的大功率led光源
CN102593332A (zh) 一种led发光器件及其制作方法
CN102969436A (zh) 一种相变恒温散热导热led封装模块
CN103346243B (zh) 承载散热板和远程荧光粉结构的led光源及其生产方法
CN215342605U (zh) 显示装置
CN214175893U (zh) 静电驱动热开关
CN102263195A (zh) 采用荧光粉导热结构的功率型发光二极管
CN209169140U (zh) 一种新能源汽车电源铜基板
CN100481543C (zh) 发光二极管封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant