CN205900541U - 一种双色多芯大功率led光源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于LED照明技术领域，提供了一种双色多芯大功率LED光源，包括基板、设置在所述基板上的若干个固晶层，以及焊接在所述固晶层上的LED倒装芯片；所述基板包括基底层、设置在所述基底层表面的高导热绝缘层、设置在所述高导热绝缘层表面且用于布置多条独立电路通道的电路铜层，以及设置在所述电路铜层表面且与所述固晶层一一对应的焊盘层。本实用新型采用了LED倒装芯片和高导热绝缘层及其共晶或其它焊料焊接的方式解决光源热通道中的瓶颈问题，大大提升了产品的散热性能，使产品的可靠性得以提升。
Description
技术领域
本实用新型属于LED照明技术领域，尤其涉及一种双色多芯大功率LED光源。
背景技术
随着LED技术的发展，半导体照明的不断普及，大功率多芯COB光源已越来越多地应用于室外照明及特种照明中，目前市面上的多芯集成光源主要由基板、LED正装芯片、固晶胶、金线、荧光粉和硅胶组成，其生产工艺方法也主要采用固晶、焊线和点胶工艺方式。
LED的电致发光原理决定了其60％-70％能量转化为了热量，散热问题直接影响了LED光源使用过程中的可靠性及其光电转换效率，由于此种结构的多芯大功率LED光源使用金线串联的方式形成电路通路，此种结构和电路设计决定了只能采用了正装的LED芯片，而通常正装芯片都采用蓝宝石为衬底，而其蓝宝石的导热系数低成为了LED光源使用的热导道的主要瓶颈，最终表现的是LED使用中的光衰和可靠性降低；另一方面，从目前市面上常规LED多芯片光源的生产工艺来看，其工艺复杂，特别是其焊线工艺耗时较长，而焊线多采用金线进焊接连接芯片间的通路，增加了物料成本和生产成本；再者，现阶段上市面上通用的大功率LED多芯光源多为单色温发光，满足不了双色温的发光的特殊市需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术中大功率LED光源散热性能不好及生产工艺复杂的缺陷，提供了一种双色多芯大功率LED光源，其散热性能优异、工艺简洁且可靠性高。
本实用新型是这样实现的：提供了一种双色多芯大功率LED光源，包括基板、设置在所述基板上的若干个固晶层，以及焊接在所述固晶层上的LED倒装芯片；所述基板包括基底层、设置在所述基底层表面的高导热绝缘层、设置在所述高导热绝缘层表面且用于布置多条独立电路通道的电路铜层，以及设置在所述电路铜层表面且与所述固晶层一一对应的焊盘层。
进一步地，所述基板上设置有封闭的塑胶围坝圈，所述电路铜层上布置有两条独立的电路通道，所述塑胶围坝圈内采用点胶的方式形成用于将所述塑胶围坝圈分成两个分别与所述电路通道对应的发光区域的围坝隔离带。
进一步地，两个所述发光区域上分别设置有两种不同配比的荧光胶。
进一步地，两个所述发光区域分别对应所述基板上的第一电极和第二电极。
进一步地，所述围坝隔离带的宽度为0.5mm至1mm。
进一步地，所述围坝隔离带的宽度为0.8mm。
进一步地，所述基底层为铜材制件或铝材制件或氮化铝制件或氧化铝制件或氧化钡制件。
进一步地，所述高导热绝缘层为石墨烯制件。
实施本实用新型的一种双色多芯大功率LED光源，具有以下有益效果：采用了LED倒装芯片和高导热绝缘层及其共晶或其它焊料焊接的方式解决光源热通道中的瓶颈问题，大大提升了产品的散热性能，使产品的可靠性得以提升。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的双色多芯大功率LED光源的部分结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的双色多芯大功率LED光源的俯视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接或间接在另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接或间接连接到另一个元件。
还需要说明的是，本实用新型实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
本实用新型实施例解决了传统LED多芯大功率集成光源由于采用正装的芯片而导热散热性能不佳的问题，其采用基板的电路设计和倒装芯片的固焊工艺解决采用正装的芯片需使用打线的方式进电路通道而造成工艺复杂的问题，同时工艺和结构进行优化后去除金线焊接解决了金线易断线而死灯的问题，同时因去除了金线也较大地降低了成本；采用高导热的铝基板，进行特定的基板电路设计而满足电路上的双通道控制，同时采用在光源发光面正中间点一条围坝胶将出光面隔离，在隔离后的区域分别点上不同配比的荧光胶，最终实现同一个光源上可满足双色温出光的光源。
如图1和图2所示，本实用新型实施例提供的双色多芯大功率LED光源包括基板10、若干个固晶层5和LED倒装芯片6。其中，若干个固晶层5设置在基板10上，LED倒装芯片6焊接在固晶层5上。具体地，基板10包括基底层1、高导热绝缘层2、电路铜层3和焊盘层4。其中，高导热绝缘层2设置在基底层1表面，电路铜层3设置在高导热绝缘层2表面且用于布置多条独立的电路通道，焊盘层4设置在电路铜层3的表面且与固晶层5一一对应。优选地，基底层1主要采用导热性能优异的铜材或铝材，亦可采用氮化铝或氧化铝或氧化钡等陶瓷板材；高导热绝缘层2必须同时满足高热导率和绝缘耐高压的条件，可采用石墨烯或DLC(类金钢石薄膜)等特殊材料；焊焊层4采用沉金或电银或喷锡的方式制作；电路铜层3的电路设计是根据光源实际电路控制情况来确定，如光源出几种色温，则设计几种对应的独立的电路通道。
进一步地，在上述电路铜层3上布置有两条独立的电路通道。上述基板10上还设置有封闭的塑胶围坝圈20，该封闭的塑胶围坝圈为PPA塑胶围坝圈，并在基板10上对应的两路电路通道中采用点胶的方式形成一个围坝隔离带30，该围坝隔离带30带将封闭的PPA塑胶围坝圈内的区域分成了两个发光区域，即发光A区域40和发光B区域50，且电路通道对应于发光区域的正下方。另外，在发光A区域40和发光B区域50两个区域分别点上两种不同配比的荧光胶，通过LED倒装芯片6激发两种不同配比的荧光胶，从而产生两种不同色温的白光。
进一步地，发光A区域40对应引出第一电极70，即正负电极；发光B区域50对应引出第二电极60。
优选地，围坝隔离带30的宽度为0.5mm至1mm。进一步优选地，围坝隔离带30的宽度为0.8mm。
综上所述，相比较于现有技术，本实用新型实施例采用了倒装芯片技术和高导热基板及其共晶或其它焊料焊接的方式解决光源热通道中的瓶颈问题，大大提升了产品的散热性能，可靠性得以提升。通过基板的电路设计，及点胶区域的特殊的结构设计生产工艺实现双色发光，稳定性提升，性价比得以提升。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种双色多芯大功率LED光源，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的若干个固晶层，以及焊接在所述固晶层上的LED倒装芯片；所述基板包括基底层、设置在所述基底层表面的高导热绝缘层、设置在所述高导热绝缘层表面且用于布置多条独立电路通道的电路铜层，以及设置在所述电路铜层表面且与所述固晶层一一对应的焊盘层。
2.如权利要求1所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，所述基板上设置有封闭的塑胶围坝圈，所述电路铜层上布置有两条独立的电路通道，所述塑胶围坝圈内采用点胶的方式形成用于将所述塑胶围坝圈分成两个分别与所述电路通道对应的发光区域的围坝隔离带。
3.如权利要求2所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，两个所述发光区域上分别设置有两种不同配比的荧光胶。
4.如权利要求2所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，两个所述发光区域分别对应所述基板上的第一电极和第二电极。
5.如权利要求2所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，所述围坝隔离带的宽度为0.5mm至1mm。
6.如权利要求5所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，所述围坝隔离带的宽度为0.8mm。
7.如权利要求1所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，所述基底层为铜材制件或铝材制件或氮化铝制件或氧化铝制件或氧化钡制件。
8.如权利要求1所述的双色多芯大功率LED光源，其特征在于，所述高导热绝缘层为石墨烯制件。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107994102A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-05-04 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种led灯丝制作方法 |
| CN108682663A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 |
| CN109216214A (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-15 | 欣兴电子股份有限公司 | 半导体封装结构及其制作方法 |
| CN110242877A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-09-17 | 华芯半导体研究中心(广州)有限公司 | 一种高散热大功率led灯珠及其制作方法 |
| CN111415914A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-07-14 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种新型固晶材料及其封装结构 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109216214A (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-15 | 欣兴电子股份有限公司 | 半导体封装结构及其制作方法 |
| CN109216214B (zh) * | 2017-07-07 | 2021-03-30 | 欣兴电子股份有限公司 | 半导体封装结构及其制作方法 |
| CN107994102A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-05-04 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种led灯丝制作方法 |
| CN108682663A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-19 | 中国科学院微电子研究所 | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 |
| CN108682663B (zh) * | 2018-05-22 | 2021-01-12 | 中国科学院微电子研究所 | 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法 |
| CN110242877A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-09-17 | 华芯半导体研究中心(广州)有限公司 | 一种高散热大功率led灯珠及其制作方法 |
| CN111415914A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-07-14 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种新型固晶材料及其封装结构 |
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