CN114220828B - Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法和巨量转移载体，巨量转移方法包括：制备具有网孔的金属膜层；涂布第一胶材至金属膜层，并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔；在金属膜层的一侧涂布第二胶材，第二胶材与网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体；将晶圆上的Micro‑LED芯片转移至转移载体，并使Micro‑LED芯片对应网孔内的第一胶材设置；将转移载体上的Micro‑LED芯片转移至目标基板。本申请实施例可以增加转移载体的刚度，使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移，从而增大Micro‑LED芯片的转移精度和效率。
Description
技术领域
本申请属于Micro-LED技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体。
背景技术
Micro-LED发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD、OLED显示器件相比，Micro-LED具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势；但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术巨量转移技术、LED颗粒微型化成为技术瓶颈。
巨量转移方案主要包括固晶方案、刺晶方案、激光转移、转印、流体自组装等方案。其中，刺晶方案及激光转移方案均为将Micro-LED预先从蓝膜上转移至过渡膜层上，然后利用机械顶针、激光烧灼或者感光的形式将Micro-LED转移到目标基板上。然而，由于蓝膜以及过渡膜层本身特性，在转移过程中会出现弹性变化及应力变化，导致转移偏移，从而影响Micro-LED转移的精度和效率。
发明内容
本申请实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体，以解决现有的由于蓝膜以及过渡膜层本身特性，在转移过程中会出现弹性变化及应力变化，导致转移偏移，从而影响Micro-LED转移的精度和效率的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，包括：
制备具有网孔的金属膜层；
涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔；
在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体；
将晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro-LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置；
将所述转移载体上的Micro-LED芯片转移至目标基板。
可选的，所述将所述转移载体上的Micro-LED芯片转移至目标基板，包括：
移动所述转移载体并带动所述Micro-LED芯片对准所述目标基板；
对所述第二胶材背离所述第一胶材的一侧照射激光，以使所述第二胶材受到所述激光照射后带动所述第一胶材与所述Micro-LED芯片分离，并使所述Micro-LED芯片落在所述目标基板上。
可选的，所述涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔之后，包括：
固化所述第一胶材以使所述第一胶材的粘度为第一粘度。
可选的，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体之后，包括：
固化所述第二胶材以使所述第二胶材的粘度为第二粘度，所述第二粘度小于所述第一粘度。
可选的，所述制备具有网孔的金属膜层，包括：
提供基板；
在所述基板上沉积一层金属膜层；
刻蚀所述金属膜层以得到具有网孔的金属膜层；
将具有网孔的所述金属膜层从所述基板上剥离。
可选的，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体，还包括：
所述金属膜层、所述第一胶材和所述第二胶材粘合形成中转载体；
切割所述中转载体以得到预设尺寸的所述转移载体。
可选的，所述将晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro-LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置，包括：
移动所述晶圆并带动所述Micro-LED芯片对准所述网孔内的第一胶材；
转移对准后的Micro-LED芯片至所述转移载体。
第二方面，本申请实施例还提供一种用于Micro-LED芯片巨量转移的转移载体，包括：
金属膜层，所述金属膜层设置有网孔；
第一胶材，至少部分所述第一胶材填充于所述网孔；
第二胶材，设置于所述金属膜层的一侧，且与所述网孔内的第一胶材连接。
可选的，所述第一胶材和所述第二胶材均为聚酰亚胺材料，和/或
所述第一胶材的第一粘度大于所述第二胶材的第二粘度。
可选的，所述第一胶材和所述第二胶材的厚度范围均为0.5mm至3mm。
本申请实施例的Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体中，将转移载体设置为带有网孔的金属膜层填充第一胶材以及覆盖第二胶材的方式，且第一胶材穿过网孔与第二胶材连接，可以增加转移载体的刚度，使得转移载体不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移，从而增大Micro-LED芯片的转移精度和效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的转移载体的结构示意图。
图2为图1所示的转移载体沿A-A方向的剖面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移场景示意图。
图4为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第一流程示意图。
图5为图4所示的巨量转移方法的转移过程的结构示意图。
图6为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第二流程示意图。
图7为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第三流程示意图。
图8为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第四流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为解决现有的由于蓝膜以及过渡膜层本身特性，在转移过程中会出现弹性变化及应力变化，导致转移偏移，从而影响Micro-LED转移的精度和效率的问题，本申请实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体，以下将结合附图进行说明。
示例性的，请参阅图1和图2，图1为本申请实施例提供的转移载体的结构示意图，图2为图1所示的转移载体沿A-A方向的剖面结构示意图。本申请实施例提供一种用于Micro-LED的巨量转移的转移载体10，转移载体10包括金属膜层11、第一胶材13和第二胶材15。金属膜层11设置有网孔112。至少部分第一胶材13填充于网孔112。第二胶材15设置于金属膜层11的一侧，且与网孔112内的第一胶材13连接。将转移载体10设置为带有网孔112的金属膜层11填充第一胶材13以及覆盖第二胶材15的方式，且第一胶材13穿过网孔112与第二胶材15连接，可以增加转移载体10的刚度，使得转移载体10不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移，从而增大Micro-LED芯片的转移精度和效率。
需要说明的是，Micro-LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
其中，Micro-LED芯片技术也可以定义为MLED技术。它是将LED转移到背板，背板自身或转移上去的器件驱动LED发光的技术，此类产品可以作为背光，LED蓝光起到分区控制的作用。另外，RGB三类Micro-LED可以作为一个像素单元，相邻像素单元之间的小间距的Micro-LED组成的产品可以作为直接显示产品，即直显技术。
示例性的，MLED产品工艺可以分为：背板制作、黑油制作、SMT（Surface MountedTechnology，表面贴装技术）打件、COF bonding（Chip on film or flex，覆晶薄膜）、组装等工序。其中，SMT打件目的是将MLED转移到背板上，主要工序可以包括：上料、锡膏网印、SPI、LED转移、AOI（光学检测）、回流焊、AOI（焊点检测）、自动返修机、整面封胶、点灯老化测试等。
需要说明的是，MLED直显随着像素单元间距的减小，巨量转移技术成为主要技术瓶颈。巨量转移方案主要包括固晶方案、刺晶方案、激光转移、转印、流体自组装等方案。其中，刺晶方案及激光转移方案均为将Micro-LED预先从蓝膜上转移至过渡膜层上，然后利用机械顶针、激光烧灼或者感光的形式将Micro-LED转移到目标基板上。然而，由于蓝膜以及过渡膜层本身特性，在转移过程中会出现弹性变化及应力变化，导致转移偏移，从而影响Micro-LED转移的精度和效率。
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种用于Micro-LED芯片的巨量转移的转移载体10，请结合图1和图2并参阅图3，图3为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移场景示意图。转移载体10可以理解为Micro-LED芯片20转移的中间载体，即转移载体10将晶圆40上的Micro-LED芯片20转移至目标基板30上。晶圆40是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆40。Micro-LED芯片20即形成在晶圆40上。目标基板30可以是背板，将Micro-LED芯片20转移至背板以便于进行MLED产品后续的制程。
由于现有的中间载体本身的特性，在转移过程中会出现弹性变化及应力变化，比如由于中间载体长宽与厚度的比值过大而造成中间载体的弯折，导致转移偏移，从而影响Micro-LED芯片20的转移精度和效率。本申请实施例的转移载体10包括金属膜层11、第一胶材13和第二胶材15，第一胶材13穿过金属膜层11的网孔112与第二胶材15连接，且第一胶材13的第一粘度大于第二胶材15的第二粘度，使用第一胶材13固定Micro-LED芯片20。第二胶材15可以接收激光照射而带动第一胶材13变形，进而将Micro-LED芯片20脱离。
其中，金属膜层11的材料可以为Cu、Al、Fe等具有一定刚性的金属。金属膜层11的网孔112的尺寸可以为Micro-LED芯片20尺寸的60%至130%，这样设置的金属膜层11可以使得Micro-LED芯片20在受到激光照射后气化形成的气泡精准将Micro-LED芯片弹到以脱离。
其中，示例性的，第一胶材13和第二胶材15可以均为聚酰亚胺材料。并且，第一胶材13的第一粘度大于第二胶材15的第二粘度。可以理解的是，第一胶材13保持一定的粘度以固定Micro-LED芯片20，进而可以防止Micro-LED芯片20从转移载体10脱落。示例性的，第一胶材13和第二胶材15的厚度范围可以均为0.5mm至3mm，第一胶材13的厚度可以与第二胶材15的厚度相等，也可以不相同。
需要说明的是，第一胶材13可以全部填充于金属膜层11的网孔112内，此时第二胶材15可以选择金属膜层11的任意一侧进行设置。第一胶材13也可以部分填充于金属膜层11的网孔112内，部分凸出于金属膜层11的一侧，并与金属膜层11共同形成平整的表面。在第一胶材13凸出部分的情况下，第二胶材15可以设置于与凸出的第一胶材13相对的金属膜层11的另一侧。
其中，为了更清楚的说明转移载体10的制备方法以及Micro-LED芯片的巨量转移方法，以下将从制备流程或者说制备工艺的角度进行说明。
示例性的，请参阅图4和图5，图4为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第一流程示意图，图5为图4所示的巨量转移方法的转移过程的结构示意图。本申请实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，其中，转移载体10、Micro-LED芯片20、目标基板30和晶圆40可以参照图1至图3以及上述说明，这里不再赘述。Micro-LED芯片的巨量转移方法包括：
101、制备具有网孔的金属膜层。
金属膜层11可以作为转移载体10的主体框架，金属膜层11的材料采用具有一定刚度的Cu、Al、Fe等，以使得转移载体10具有一定的刚性，从而可以防止转移载体10由于自身应力造成的如弯曲情况的发生。
其中，示例性的，金属膜层11可以具有呈阵列排布的网孔112。相邻网孔112之间的距离可以根据需要设置，这里不作限制。网孔112的数量取决于金属膜层11的尺寸以及每一网孔112的尺寸，因此，这里也不作限制。
102、涂布第一胶材至金属膜层，并使至少部分第一胶材填充于金属膜层的网孔。
在制备转移载体10的过程中，首先可以在金属膜层11的一侧涂布第一胶材13，并使部分第一胶材13填充于金属膜层11的网孔112。需要说明的是，在涂布第一胶材13时，可以直接涂布一定厚度的第一胶材13，并经过压力时第一胶材13进入金属膜层11的网孔112内。之后可以进行第一胶材13的固化使第一胶材13呈现第一粘度，第一粘度可以为中强粘度。其中，第一胶材13的材料可以为聚酰亚胺材料。第一胶材13的厚度范围为0.5mm至3mm。
需要说明的是，第一胶材13的一部分可以位于网孔112内，另一部分可以覆盖于金属膜层11的一侧。这是由于在涂布第一胶材13的过程中，一次倾倒第一胶材13的体积大于所有网孔112的体积。当然，第一胶材13也可以均设置于网孔112内。
上述过程可以在基板或者操作平台上进行，因此，金属膜层11的另一侧可以为金属膜层11与第一胶材13组成的平整表面。
103、在金属膜层的一侧涂布第二胶材，第二胶材与网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体。
在第一胶材13进行固化后，可以翻转金属膜层11至金属膜层11的另一侧朝向用户。在金属膜层11的另一侧涂布第二胶材15，第二胶材15与网孔112内的第一胶材13连接。第二胶材15的涂布方式与第一胶材13的涂布方式相同。第二胶材15的厚度范围也可以为0.5mm至3mm，第二胶材15的材料可以为聚酰亚胺材料。
涂布完成第二胶材15后，对第二胶材15进行固化至第二粘度，第二粘度可以为轻微粘度。由于第二胶材15用于接收激光照射，因此，第二胶材15的粘度不作要求，为便于制程不受干扰，可以将第二粘度设置为小于第一粘度。需要说明的是，对第二胶材15进行固化的目的是金属膜层11两侧的第一胶材13和第二胶材15进行分子扩散并通过金属膜层11的网孔112内衔接为整体，从而增加转移载体10的强度，增加转移的精准度和转移效率。
需要说明的是，将金属膜层11的两侧进行胶材渗透并将胶膜镶嵌在网孔112内，可以得到转移载体10，由此可以增加转移载体10的强度，使其在转移Micro-LED芯片20时不受自身应力影响，从而提高转移精度和转移效率。
示例性的，在转移载体10制作完成后，也即将金属膜层11、第一胶材13和第二胶材15粘合形成中转载体，对中转载体进行切割可以得到预设尺寸的转移载体10。可以理解的是，对中转载体进行切割可以得到不同尺寸的转移载体10，从而对不同的目标基板30使用相对应尺寸的转移载体10进行Micro-LED芯片20的转移，以满足目标基板30的Micro-LED芯片20的数量要求。
104、将晶圆上的Micro-LED芯片转移至转移载体，并使Micro-LED芯片对应网孔内的第一胶材设置。
需要说明的是，Micro-LED芯片20制备完成后通常设置在晶圆40上，晶圆40也是制备Micro-LED芯片20的工具或者说载体。将晶圆40上的Micro-LED芯片20转移至转移载体10上，转移载体10作为中间载体将Micro-LED芯片20最终转移至目标基板30上。
其中，Micro-LED芯片20需对应转移载体10上对应网孔112内的第一胶材13设置，以便于后续的Micro-LED芯片20的剥离过程。
105、将转移载体上的Micro-LED芯片转移至目标基板。
将转移载体10上的Micro-LED芯片20转移至目标基板30上的过程可以为：转移载体10带动Micro-LED芯片20移动、翻转、定位等动作，然后转移载体10接收激光照射而使Micro-LED芯片20与转移载体10剥离，并落在目标基板30的相应位置。
本申请实施例的Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体10中，将转移载体10设置为带有网孔112的金属膜层11填充第一胶材13以及覆盖第二胶材15的方式，且第一胶材13穿过网孔112与第二胶材15连接，可以增加转移载体10的刚度，且由于Micro-LED芯片20设置于对应网孔112的第一胶材13上，网孔112与第一胶材13的配合可以实现在激光照射转移载体10凸出特定的气泡而使Micro-LED芯片20与转移载体10精准分离，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移，从而增大Micro-LED芯片20的转移精度和效率。
其中，请结合图1至图5并参阅图6，图6为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第二流程示意图。对于设置有网孔112的金属膜层11的制备方法可以为：
201、提供基板。
基板可以作为制作金属膜层11的承载或者基底材料。基板的材料可以为玻璃透明材料。
202、在基板上沉积一层金属膜层。
采用黄光制程，在基板上采用PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）将金属材料沉积或者涂布，以形成金属膜层11的第一步形态。
203、刻蚀金属膜层以得到具有网孔的金属膜层。
将上述制作完成的金属膜层的第一步形态进行刻蚀，经曝光以及显影等工序完成对于网孔112的制作。网孔112可以呈阵列排布，由此得到金属膜层11的第二步形态。
204、将具有网孔的金属膜层从基板上剥离。
采用如激光剥离的方式将金属膜层11从基板上剥离以得到制作完成的金属膜层11，制作完成的金属膜层11具有网孔112。
其中，请结合图1至图6并参阅图7，图7为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第三流程示意图。对于将晶圆40上的Micro-LED芯片20转移至转移载体10，并对应网孔112内的第一胶材13设置的方法可以为：
301、移动晶圆并带动Micro-LED芯片对准网孔内的第一胶材。
在转移载体10制备完成并切割出预设尺寸的转移载体10后，将晶圆40上的Micro-LED芯片20转移至转移载体10，将Micro-LED芯片20与转移载体10上对准网孔112位置的第一胶材13一一对应定位，以便于后续的激光照射。
302、转移对准后的Micro-LED芯片至转移载体。
在Micro-LED芯片20定位完成后，可以使用激光照射或者机械顶针等方式将Micro-LED芯片20转移至转移载体10上。此时即完成了Micro-LED芯片20与转移载体10的定位与固定。
其中，请结合图1至图7并参阅图8，图8为本申请实施例提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法的第四流程示意图。对于将转移载体10上的Micro-LED芯片20转移至目标基板30的方法可以为：
401、移动转移载体并带动Micro-LED芯片对准目标基板。
转移Micro-LED芯片20完成后的转移载体10，在使用前将带有Micro-LED芯片20的转移载体10翻转，因为第一胶材13具有第一粘度，因此翻转后的Micro-LED芯片20依然粘在对应网孔112的第一胶材13上。
然后将翻转后的Micro-LED芯片20和转移载体10对准目标基板30的正上方。需要说明的是，翻转与定位的顺序可以根据需要选择，比如，可以先对带有Micro-LED芯片20的转移载体10进行翻转，然后移动并对准目标基板30的正上方。再比如，可以先将带有Micro-LED芯片20的转移载体10定位至目标基板30的正上方，然后再翻转，并再一次定位。
402、对第二胶材背离第一胶材的一侧照射激光，以使第二胶材受到激光照射后带动第一胶材与Micro-LED芯片分离，并使Micro-LED芯片落在目标基板上。
需要说明的是，当带有Micro-LED芯片20的转移载体10定位完成之前，可以进行激光源的位置设定，以便于后续照射。当带有Micro-LED芯片20的转移载体10定位完成之后，也即转移载体10、激光源以及目标基板30精准对位后，采用激光源的固定波段对第二胶材15进行照射，同时移动激光源和转移载体10，使Micro-LED芯片20掉落至目标基板30的相应位置。
其中，激光的波长可以为248至428范围内的任意一种。照射激光的目的是使第二胶材15带动第一胶材13凸起气泡，气泡破裂的弹力将Micro-LED芯片20弹落在目标基板30的焊接板位置处。需要说明的是，将激光源对准金属膜层11的网孔112照射，可以使得对应网孔112位置处的第一胶材13的凸起与网孔112相关，进而可以控制凸起气泡的范围，使得Micro-LED芯片20精准脱落在目标基板30上。
本申请实施例的Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体10中，将转移载体10设置为带有网孔112的金属膜层11填充第一胶材13以及覆盖第二胶材15的方式，且第一胶材13穿过网孔112与第二胶材15连接，可以增加转移载体10的刚度，使得转移载体10不容易因为自身应力而弯曲，进而可以避免现有的过渡膜层由于应力变化造成的转移偏移。且由于Micro-LED芯片20设置于对应网孔112的第一胶材13上，网孔112与第一胶材13的配合可以实现在激光照射转移载体10凸出特定的气泡而使Micro-LED芯片20与转移载体10精准分离，从而增大Micro-LED芯片20的转移精度和效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
以上对本申请实施例所提供的Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：
制备具有网孔的金属膜层；
涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔；
在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体，所述第二胶材的粘度小于所述第一胶材的粘度；
将晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro-LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置；
移动所述转移载体并带动所述Micro-LED芯片对准目标基板；
对所述第二胶材背离所述第一胶材的一侧照射激光，以使所述第二胶材受到所述激光照射后带动所述第一胶材凸起气泡，气泡破裂的弹力将所述第一胶材与所述Micro-LED芯片分离，并使所述Micro-LED芯片落在所述目标基板上。
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述涂布第一胶材至所述金属膜层，并使至少部分所述第一胶材填充于所述金属膜层的网孔之后，包括：
固化所述第一胶材以使所述第一胶材的粘度为第一粘度。
3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体之后，包括：
固化所述第二胶材以使所述第二胶材的粘度为第二粘度，所述第二粘度小于所述第一粘度。
4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述制备具有网孔的金属膜层，包括：
提供基板；
在所述基板上沉积一层金属膜层；
刻蚀所述金属膜层以得到具有网孔的金属膜层；
将具有网孔的所述金属膜层从所述基板上剥离。
5.根据权利要求1至4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述金属膜层的一侧涂布第二胶材，所述第二胶材与所述网孔内的第一胶材连接，以得到转移载体，还包括：
所述金属膜层、所述第一胶材和所述第二胶材粘合形成中转载体；
切割所述中转载体以得到预设尺寸的所述转移载体。
6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述转移载体，并使所述Micro-LED芯片对应所述网孔内的第一胶材设置，包括：
移动所述晶圆并带动所述Micro-LED芯片对准所述网孔内的第一胶材；
转移对准后的Micro-LED芯片至所述转移载体。
7.一种用于Micro-LED芯片巨量转移的转移载体，其特征在于，所述转移载体用于执行如权利要求1-6任一项所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，所述转移载体包括：
金属膜层，所述金属膜层设置有网孔；
第一胶材，至少部分所述第一胶材填充于所述网孔；
第二胶材，设置于所述金属膜层的一侧，且与所述网孔内的第一胶材连接，所述第二胶材的粘度小于所述第一胶材的粘度；
其中，在所述转移载体转移Micro-LED芯片时，所述第二胶材背离所述第一胶材的一侧受到激光照射，所述第二胶材带动所述第一胶材凸起气泡，气泡破裂的弹力将所述第一胶材与所述Micro-LED芯片分离，并使所述Micro-LED芯片落在目标基板上。
8.根据权利要求7所述的转移载体，其特征在于，所述第一胶材和所述第二胶材均为聚酰亚胺材料，和/或
所述第一胶材的第一粘度大于所述第二胶材的第二粘度。
9.根据权利要求7或8所述的转移载体，其特征在于，所述第一胶材和所述第二胶材的厚度范围均为0.5mm至3mm。
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