CN111244014A - 一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置，该转移基板，包括：基材，位于基材之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的发光二极管之间的连接结构；连接结构，用于连接相邻的发光二极管；多个连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应，且多个连接结构在发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。本发明实施例提供的转移基板，多个连接结构可以将多个发光二极管连成一个整体，在发光二极管转移过程中，发光二极管不容易丢失和磨损，并且在发光二极管的转移过程中，可以通过多个连接结构与对应的连接结构进行对位，将发光二极管与对应的驱动电极组对齐，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。

Description

一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置。
背景技术
由于微型发光二极管(Micro LED)具有自发光、结构简单、体积小和节能等优点，因而微型发光二极管显示技术将成为下一代具有革命性的技术，具体地，Micro LED显示器的耗电量仅为液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的10％，为有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的50％。另外，与同样属于自发光显示器的OLED显示器相较，在同样的电力下，Micro LED显示器的荧幕亮度比OLED显示器高出三倍，显示色域高达120％以上，并具有较佳的材料稳定性与无影像残留。
由于制程中需要将Micro-LED阵列巨量式转移至电路基板上，在这个过程中，由于对位以及器件粘合应力等因素影响，多发错位、磨损、丢失等状况，导致Micro-LED阵列的转移良率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的微型发光二极管的转移良率较低的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种转移基板，包括：基材，位于所述基材之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的所述发光二极管之间的连接结构；
所述连接结构，用于连接相邻的所述发光二极管；
多个所述连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应，且多个所述连接结构在所述发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移基板中，还包括：位于所述基材之上的多个第一触控电极；
所述连接结构，还用于连接相邻的所述第一触控电极。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移基板中，多个所述发光二极管呈阵列排布；任意相邻两个所述发光二极管之间均设有所述连接结构；
各所述第一触控电极分别位于多个所述发光二极管的行间隙和列间隙的交叉位置。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移基板中，所述发光二极管包括引出电极；
所述第一触控电极与相邻的所述发光二极管的引出电极电连接；
所述引出电极用于在显示时间段向所述发光二极管提供显示信号，以及在触控检测时间段向所述第一触控电极提供触控扫描信号或接收所述第一触控电极的反馈信号。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移基板中，还包括：位于所述基材与所述发光二极管之间的隔离层；
所述隔离层的亲和性随温度变化而变化。
第二方面，本发明实施例还提供了一种驱动背板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的多个驱动电极组，以及多个分别位于相邻的所述驱动电极组之间的对位结构；
多个所述驱动电极组的位置分别与转移基板中的各发光二极管的位置相对应；
多个所述对位结构分别与所述转移基板中的各连接结构相对应。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述驱动背板中，还包括：位于所述衬底基板之上的多个第二触控电极；
所述第二触控电极位于所述驱动电极组之间的间隙中，且多个所述第二触控电极分别与所述转移基板中的各第一触控电极一一对应。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述驱动背板中，所述驱动电极组包括驱动电极；
所述第二触控电极与相邻的所述驱动电极电连接；
所述驱动电极用于在显示时间段向所述发光二极管提供显示信号，以及在触控检测时间段向所述第二触控电极提供触控扫描信号或接收所述第二触控电极的反馈信号。
第三方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的转移方法，包括：
对形成在晶片上的多个发光二极管进行剥离，并将剥离得到的多个所述发光二极管转移到基材之上；
在相邻的所述发光二极管之间的位置处形成多个连接结构，以得到上述转移基板；
将所述转移基板中的各发光二极管及各连接结构与基材分离；
转印装置将各所述发光二极管及各连接结构移动至上述驱动背板之上，且所述发光二极管具有引出电极的一面朝向所述驱动背板具有驱动电极组的一面；
将各所述连接结构与所述驱动背板上的各对位结构进行对位，并控制各所述发光二极管分别与对应的所述驱动电极组贴合；
将各发光二极管与对应的所述驱动电极组固定连接，并移走所述转印装置。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：上述驱动背板，以及位于所述驱动背板之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的所述发光二极管之间的连接结构；
所述连接结构，用于连接相邻的所述发光二极管；
多个所述连接结构分别与所述驱动背板上的各对位结构相对应；
所述发光二极管与所述驱动背板上对应的驱动电极组电连接。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置，该转移基板，包括：基材，位于基材之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的发光二极管之间的连接结构；连接结构，用于连接相邻的发光二极管；多个连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应，且多个连接结构在发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。本发明实施例提供的转移基板，通过设置用于连接相邻的发光二极管的多个连接结构，可以将多个发光二极管连成一个整体，在多个发光二极管转移过程中，发光二极管不容易丢失和磨损，并且在发光二极管的转移过程中，可以通过多个连接结构与对应的连接结构进行对位，将发光二极管与对应的驱动电极组对齐，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转移基板的平面结构示意图；
图2为图1中虚线L1处的截面示意图；
图3为图1中虚线L2处的截面示意图；
图4为图1中虚线L3处的截面示意图；
图5为向引出电极或驱动电极施加的信号的时序图；
图6为本发明实施例提供的驱动背板的平面结构示意图；
图7为图6中虚线L4处的截面示意图；
图8为图6中虚线L5处的截面示意图；
图9为图6中虚线L6处的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的发光二极管的转移方法的流程图；
图11至图15为本发明实施例的转移方法中各步骤对应的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
针对现有技术中存在的微型发光二极管的转移良率较低的问题，本发明实施例提供了一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种转移基板，图1为本发明实施例提供的转移基板的平面结构示意图，图2为图1中虚线L1处的截面示意图，图3为图1中虚线L2处的截面示意图，图4为图1中虚线L3处的截面示意图，如图1～图4所示，包括：基材10，位于基材10之上的多个发光二极管11，以及多个分别位于相邻的发光二极管11之间的连接结构12；
连接结构12，用于连接相邻的发光二极管11；
多个连接结构12分别与驱动背板上的各对位结构相对应，且多个连接结构12在发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。
本发明实施例提供的转移基板，通过设置用于连接相邻的发光二极管的多个连接结构，可以将多个发光二极管连成一个整体，在多个发光二极管转移过程中，发光二极管不容易丢失和磨损，并且在发光二极管的转移过程中，可以通过多个连接结构与对应的连接结构进行对位，将发光二极管与对应的驱动电极组对齐，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。
微型发光二极管是将普通的发光二极管进行薄膜化、微小化及阵列化得到的，微型发光二极管的尺寸仅在1～10μm等级左右。
在实际工艺过程中，在晶片上形成发光二极管后，可以采用单晶硅湿法刻蚀工艺，利用各向异性的特点对晶片进行快速刻蚀，在发光二极管底部形成底切结构，不需要牺牲层就可以将各发光二极管从晶片上剥离，然后通过转印装置将多个发光二极管转移到基材上，再通过转移工艺将多个发光二极管转移到驱动背板上。
图1中仅示出了三行五列的发光二极管11，并不对发光二极管的排布方和数量进行限定，在具体实施时，可以根据驱动背板上对应的驱动电极组的排布方式，对基材10上的多个发光二极管11进行排布。
通过在相邻的发光二极管11之间设置连接结构12，可以将多个发光二极管11连成一个整体，例如，可以将基材10之上的所有发光二极管11连成一个整体，也可以将某个或多个区域中的发光二极管11分别连成一个整体，此处不做限定，这样在转移过程中，多个发光二极管11会被转印装置一起移动，避免了在转移过程中发光二极管容易丢失和磨损的现象，并且，在转移工艺过程中，多个连接结构12可以作为对位标记，与驱动背板上对应的各对位结构进行对位，具体地，为了便于对位，可以采用不透明的材料制作连接结构12。
如图1所示，对于在行方向上相邻的两个发光二极管11之间的连接结构12，连接结构12在列方向上的尺寸可以与相邻的发光二极管11的尺寸一致，对于在列方向上相邻的两个发光二极管11之间的连接结构12，连接结构12在行方向上的尺寸可以与相邻的发光二极管11的尺寸一致，这样，可以使连接结构12填满相邻两个发光二极管11之间的区域，从而增大连接结构12对发光二极管11的粘接能力，并且，可以使连接结构12的面积较大，使连接结构12便于与对位结构进行对位，且对位精度更高。
如图3所示，连接结构12与发光二极管11可以位于同一膜层，也就是在垂直于基材10的方向上，连接结构12与发光二极管11互不交叠，因而连接结构12不会对发光二极管11产生影响，具体地，在工艺过程中，可以在将发光二极管11转移到基材10上之后，再在发光二极管11之间的位置处形成连接结构12。
进一步地，本发明实施例提供的上述转移基板中，如图1～图4所示，还包括：位于基材10之上的多个第一触控电极13；
连接结构12，还用于连接相邻的第一触控电极13。
通过在基材10之上形成多个第一触控电极13，可以使发光二极管转移到驱动背板上以后，得到的显示装置具有触控功能，具体地，该显示装置可以利用第一触控电极13采用自电容的方式进行触控检测，也可以在驱动背板上设置第二触控电极，利用第一触控电极和第二触控电极形成的互电容进行触控检测。采用互电容的方式进行触控，可以避免发光二极管的驱动信号影响触控信号，触控检测准确度更高。具体地，第一触控电极13可以采用透明导电材料制作，例如可以采用氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)材料，也可以采用其他材料，此处不做限定。
参照图1和图4，第一触控电极13可以与连接结构12位于同一膜层，同时参照图2，第一触控电极13可以与发光二极管11位于同一膜层，也就是第一触控电极13、连接结构12及发光二极管11可以位于同一膜层，通过连接结构12对发光二极管11和第一触控电极13的连接作用，可以将发光二极管11、连接结构12和第一触控电极13连为一个整体，从而在转移过程中可以一起移动。在实际工艺过程中，可以在将发光二极管11转移到基材10上之后，再在发光二极管11之间的位置处形成连接结构12和第一触控电极13，可以先制作连接结构12后制作第一触控电极13，也可以先制作第一触控电极13后制作连接结构12，此处不对连接结构12和第一触控电极13的制作顺序进行限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转移基板中，如图1～图4所示，多个发光二极管11呈阵列排布；任意相邻两个发光二极管11之间均设有连接结构12；
各第一触控电极13分别位于多个发光二极管11的行间隙和列间隙的交叉位置。
任意相邻两个发光二极管11之间均设有连接结构12，可以使转移基板中的各发光二极管11、连接结构12及第一触控电极13构成一个整体，在转移过程中可以实现一体化转移，进一步保证转移过程中不会有发光二极管11丢失。
将各第一触控电极13分为设置在多个发光二极管11的行间隙与列间隙的交叉位置处，可以使第一触控电极13均匀分布，并且，设置第一触控电极13不会影响发光二极管11之间的粘接性能。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转移基板中，如图2所示，发光二极管11包括引出电极111；
第一触控电极13与相邻的发光二极管11的引出电极111电连接；
引出电极111用于在显示时间段向发光二极管11提供显示信号，以及在触控检测时间段向第一触控电极13提供触控扫描信号或接收第一触控电极13的反馈信号。
将第一触控电极13设置为与相邻的发光二极管11的引出电极111电连接，可以使第一触控电极13与发光二极管11共用引出电极111及信号线等，通过分时复用可以实现显示和触控功能，从而可以简化驱动电路，降低驱动制造的工艺成本，并减少驱动芯片的使用数量，从而降低形成的显示装置的成本。
图5为向引出电极111施加的信号的时序图，如图5所示，一帧的时间T可以分为显示时间段t1和触控检测时间段t2，在显示时间段t1，可以向引出电极111施加用于驱动发光二极管11显示的显示信号，从而实现正常显示，在触控检测时间段t2，可以向引出电极111施加触控扫描信号，或者，可以通过引出电极111接收的第一触控电极13的反馈信号，从而实现触控检测。
以第一触控电极和第二触控电极形成的互电容进行触控检测为例，在具体实施时，驱动背板中的第二触控电极可以作为触控扫描电极，第一触控电极可以作为触控检测电极，通过向第二触控电极施加扫描信号，第一触控电极和第二触控电极形成电场，通过第一触控电极可以接收到耦合信号(即反馈信号)，当手指触摸屏幕时，第一触控电极接收到的耦合信号发生变化，通过分析反馈回来的耦合信号，可以检测到触控位置，实现触控功能。本发明实施例中以第一触控电极作为触控检测电极，第二触控电极作为触控扫描电极为例进行说明，在具体实施时，第一触控电极也可以作为触控扫描电极，第二触控电极也可以作为触控检测电极。
此外，由于第一触控电极设置在发光二极管的行间隙和列间隙之间的间隙中，不会对发光二极管产生影响，因而，可以将第一触控电极设置的较密集，以满足指纹识别的精度，由于手指谷和脊的位置对应的反馈信号的大小不同，因而，可以通过分析多个第一触控电极的反馈信号，得到手指谷和脊的图案，以实现指纹识别，从而也可以实现待机状态下的指纹识别唤醒功能，在显示的时候用于触控报点使用。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述转移基板中，如图2～图4所示，还可以包括：位于基材10与发光二极管11之间的隔离层14；
隔离层14的亲和性随温度变化而变化。
在实际工艺过程中，将多个发光二极管11从晶片上剥离之后，可以通过转印装置将多个发光二极管11转移到涂覆有隔离层14的基材10上，然后在基材10之上形成连接结构12和第一触控电极13。在转移工艺过程中，可以对转移基板进行加热，当加热到设定温度范围内时，隔离层14的亲和性较低，从而可以使转印装置将多个发光二极管11、连接结构12和第一触控电极13构成的整体与基材10分离，而移走发光二极管11。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种驱动背板，由于该驱动背板解决问题的原理与上述转移基板相似，因此该驱动背板的实施可以参见上述转移基板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的驱动背板，图6为本发明实施例提供的驱动背板的平面结构示意图，图7为图6中虚线L4处的截面示意图，图8为图6中虚线L5处的截面示意图，图9为图6中虚线L6处的截面示意图，如图6～图9所示，包括：衬底基板20，位于衬底基板20之上的多个驱动电极组21，以及多个分别位于相邻的驱动电极组21之间的对位结构22；
多个驱动电极组21的位置分别与转移基板中的各发光二极管的位置相对应；
多个对位结构22分别与转移基板中的各连接结构相对应。
本发明实施例提供的驱动背板，通过设置位于相邻的驱动电极组之间的对位结构，在发光二极管的转移过程中，可以将驱动背板中的对位结构与转移基板中的连接结构进行对位，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。
在具体实施时，上述驱动电极组21中至少包括一个驱动电极，可以根据将要转移的发光二极管的结构来设置驱动电极组21中驱动电极的数量，具体地，若发光二极管中两个引出电极分为位于两侧，则驱动电极组中包括一个驱动电极，若发光二极管中两个引出电极位于同一侧，则驱动电极组中包括两个驱动电极，本发明实施例中，均以发光二极管中两个引出电极位于同一侧的结构为例进行示意和说明。
如图6所示，对位结构22位于相邻的驱动电极组21之间，对位结构22可以与驱动电极组21连接，也可以与驱动电极组21具有一定的间距，此处不做限定，只要将多个对位结构22分别与转移基板中的各连接结构相对应，能够起到对位标记的作用即可。
如图8所示，对位结构22与驱动电极组21可以位于同一膜层，也就是在垂直于衬底基板20的方向上，对位结构22与驱动电极组21互不交叠，因而对位结构22不会对驱动电极组21产生影响。在具体工艺过程中，可以在衬底基板20之上形成各驱动电极组21，然后在驱动电极组21之间的位置处形成对位结构。
进一步地，本发明实施例提供的上述驱动背板中，如图6～图9所示，还可以包括：位于衬底基板20之上的多个第二触控电极23；
第二触控电极23位于驱动电极组21之间的间隙中，且多个第二触控电极23分别与转移基板中的各第一触控电极一一对应。
通过在衬底基板20之上形成多个第二触控电极23，可以使转移基板中的第一触控电极与驱动背板中的第二触控电极构成互电容结构，从而实现触控功能。采用互电容的方式进行触控，可以避免发光二极管的驱动信号影响触控信号，触控检测准确度更高。具体地，第二触控电极23可以采用透明导电材料制作，例如可以采用氧化铟锡(Indium tinoxide，ITO)材料，也可以采用其他材料，此处不做限定。
如图6～图9所示，第二触控电极23可以与对位结构22位于同一膜层，第二触控电极23可以与驱动电极组21位于同一膜层，也就是第二触控电极23、对位结构22及驱动电极组21可以位于同一膜层，从而不会增加驱动背板的厚度，使得到的显示装置更轻薄化。
在实际工艺过程中红，可以先在衬底基板20之上制作多个驱动电极组21，然后在触控电极组21之间的间隙中形成对位结构22和第二触控电极23，可以先制作第二触控电极23再制作对位结构22，也可以先制作对位结构22再制作第二触控电极23，此处不对第二触控电极23和对位结构22的制作顺序进行限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述驱动背板中，如图7所示，驱动电极组21包括驱动电极211；
第二触控电极23与相邻的驱动电极211电连接；
驱动电极211用于在显示时间段向发光二极管提供显示信号，以及在触控检测时间段向第二触控电极23提供触控扫描信号或接收第二触控电极的反馈信号。
为了避免第一触控电极与第二触控电极之间的信号发生串扰，对于同一位置处相对应的第一触控电极与第二触控电极，与二者分别电连接的引出电极与驱动电极的位置不同，对比图2和图7，如图2所示，左侧的发光二极管11的引出电极111与第一个第一触控电极13电连接，右侧的发光二极管11的引出电极111与第三个第一触控电极13电连接，如图7所示，左侧和右侧的驱动电极组21不与第二触控电极23电连接，从而可以避免发光二极管与对应的驱动电极组固定连接后，发生触控信号串扰的现象。
将第二触控电极23设置为与相邻的驱动电极211电连接，可以使第二触控电极23与发光二极管共用驱动电极211及信号线等，通过分时复用可以实现显示和触控功能，从而可以简化驱动电路，降低驱动制造的工艺成本，并减少驱动芯片的使用数量，从而降低形成的显示装置的成本。
向驱动电极211施加的信号也可以参照图5所示的时序图，如图5所示，一帧的时间T可以分为显示时间段t1和触控检测时间段t2，在显示时间段t1，可以向驱动电极211施加用于驱动发光二极管显示的显示信号，从而实现正常显示，在触控检测时间段t2，可以向驱动电极211施加触控扫描信号，或者，可以通过驱动电极211接收的第二触控电极23的反馈信号，从而实现触控检测。第一触控电极与第二触控电极构成的互电容结构的触控检测原理已经在上述第一方面中进行了详细说明，此处不再赘述。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种发光二极管的转移方法，由于该转移方法解决问题的原理与上述转移基板和驱动背板相似，因此该转移方法的实施可以参见上述转移基板和驱动背板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的发光二极管的转移方法，如图10所示，包括：
S301、对形成在晶片上的多个发光二极管进行剥离，并将剥离得到的多个发光二极管转移到基材之上，得到如图11所示的结构，并且为了后续能够将发光二极管11与基材10分离，在基材10与发光二极管11之间涂覆有隔离层14；
S302、在相邻的发光二极管之间的位置处形成多个连接结构，以得到上述转移基板，即得到如图1～图4所示的结构；
S303、同时参照图12，将上述转移基板中的各发光二极管11及各连接结构12与基材10分离；在具体实施时，可以将转移基板加热到设定温度范围内，使隔离层14的亲和性降低，然后通过转印装置40将发光二极管11和连接结构12与基材10分离；
S304、参照图13，转印装置40将各发光二极管11及各连接结构12移动至上述驱动背板之上，且发光二极管11具有引出电极111的一面朝向驱动背板具有驱动电极组21的一面；
S305、参照图14，将各连接结构与驱动背板上的各对位结构进行对位，并控制各发光二极管分别与对应的驱动电极组贴合；
S306、将各发光二极管与对应的驱动电极组固定连接，并移走转印装置，得到图15所示的结构。
本发明实施例提供的发光二极管的转移方法，通过将各连接结构与驱动背板上的各对位结构进行对位，从而将发光二极管与对应的驱动电极组对齐，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。
第四方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述转移基板和驱动背板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述转移基板和驱动背板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置，如图16所示，包括：上述驱动背板，以及位于驱动背板之上的多个发光二极管11，以及多个分别位于相邻的发光二极管11之间的连接结构12；
连接结构12，用于连接相邻的发光二极管11；
多个连接结构12分别与驱动背板上的各对位结构22相对应；
发光二极管11与驱动背板上对应的驱动电极组21电连接。
本发明实施例提供的显示装置，连接结构与发光二极管同层设置，对位结构与驱动电极组同层设置，使显示装置的厚度较小，更容易实现轻薄化，此外，通过在发光二极管11的间隙中设置第一触控电极，以及在驱动电极组的间隙中设置第二触控电极，可以实现触控功能，且第一触控电极与发光二极管的引出电极电连接，第二触控电极与驱动电极电连接，通过分时控制的方式实现显示和触控检测，从而可以简化驱动电路，降低驱动制造的工艺成本，并减少驱动芯片的使用数量，从而降低形成的显示装置的成本。
本发明实施例提供的转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置，通过设置用于连接相邻的发光二极管的多个连接结构，可以将多个发光二极管连成一个整体，在多个发光二极管转移过程中，发光二极管不容易丢失和磨损，并且在发光二极管的转移过程中，可以通过多个连接结构与对应的连接结构进行对位，将发光二极管与对应的驱动电极组对齐，提高对位精度，减少错位，提高发光二极管的转移良率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种转移基板，其特征在于，包括：基材，位于所述基材之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的所述发光二极管之间的连接结构；
所述连接结构，用于连接相邻的所述发光二极管；
多个所述连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应，且多个所述连接结构在所述发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。
2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，还包括：位于所述基材之上的多个第一触控电极；
所述连接结构，还用于连接相邻的所述第一触控电极。
3.如权利要求2所述的转移基板，其特征在于，多个所述发光二极管呈阵列排布；任意相邻两个所述发光二极管之间均设有所述连接结构；
各所述第一触控电极分别位于多个所述发光二极管的行间隙和列间隙的交叉位置。
4.如权利要求3所述的转移基板，其特征在于，所述发光二极管包括引出电极；
所述第一触控电极与相邻的所述发光二极管的引出电极电连接；
所述引出电极用于在显示时间段向所述发光二极管提供显示信号，以及在触控检测时间段向所述第一触控电极提供触控扫描信号或接收所述第一触控电极的反馈信号。
5.如权利要求1～4任一项所述的转移基板，其特征在于，还包括：位于所述基材与所述发光二极管之间的隔离层；
所述隔离层的亲和性随温度变化而变化。
6.一种驱动背板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的多个驱动电极组，以及多个分别位于相邻的所述驱动电极组之间的对位结构；
多个所述驱动电极组的位置分别与转移基板中的各发光二极管的位置相对应；
多个所述对位结构分别与所述转移基板中的各连接结构相对应。
7.如权利要求6所述的驱动背板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板之上的多个第二触控电极；
所述第二触控电极位于所述驱动电极组之间的间隙中，且多个所述第二触控电极分别与所述转移基板中的各第一触控电极一一对应。
8.如权利要求7所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动电极组包括驱动电极；
所述第二触控电极与相邻的所述驱动电极电连接；
所述驱动电极用于在显示时间段向所述发光二极管提供显示信号，以及在触控检测时间段向所述第二触控电极提供触控扫描信号或接收所述第二触控电极的反馈信号。
9.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：
对形成在晶片上的多个发光二极管进行剥离，并将剥离得到的多个所述发光二极管转移到基材之上；
在相邻的所述发光二极管之间的位置处形成多个连接结构，以得到如权利要求1～5任一项所述的转移基板；
将所述转移基板中的各发光二极管及各连接结构与基材分离；
转印装置将各所述发光二极管及各连接结构移动至如权利要求6～8任一项所述的驱动背板之上，且所述发光二极管具有引出电极的一面朝向所述驱动背板具有驱动电极组的一面；
将各所述连接结构与所述驱动背板上的各对位结构进行对位，并控制各所述发光二极管分别与对应的所述驱动电极组贴合；
将各发光二极管与对应的所述驱动电极组固定连接，并移走所述转印装置。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求6～8任一项所述的驱动背板，以及位于所述驱动背板之上的多个发光二极管，以及多个分别位于相邻的所述发光二极管之间的连接结构；
所述连接结构，用于连接相邻的所述发光二极管；
多个所述连接结构分别与所述驱动背板上的各对位结构相对应；
所述发光二极管与所述驱动背板上对应的驱动电极组电连接。
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