WO2020220942A1 - 一种化合物、包含其的有机电致发光器件及其应用 - Google Patents

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黄金华
曾礼昌
张维宏
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to the field of organic light-emitting compounds and organic electronic light-emitting devices, and in particular to a compound, an organic electroluminescent device containing the compound, and applications thereof.
  • OLED organic light-emitting diodes
  • OLED organic field effect tubes
  • organic photovoltaic cells organic sensors
  • OLED has developed particularly rapidly and has achieved commercial success in the field of information display.
  • OLED can provide high saturation of red, green, and blue colors.
  • the full-color display device made of it does not require an additional backlight source, and has the advantages of dazzling colors, light, thin and soft.
  • TADF Thermally Excited Delayed Fluorescence
  • the thermally excited sensitized fluorescence (TASF) technology uses materials with TADF properties to sensitize the luminous body through energy transfer, which can also achieve higher luminous efficiency.
  • TASF thermally excited sensitized fluorescence
  • the object of the present invention is to provide a compound, an organic electroluminescent device containing the compound, and applications thereof, which can improve and balance the mobility of holes in an OLED device; an OLED device made based on the compound of the present invention With low starting voltage, high luminous efficiency and better service life, it can meet the requirements of current panel manufacturers for high-performance materials.
  • naphthalene triarylamine refers to a tri"aryl” amine containing a naphthalene ring structure directly connected to nitrogen, where "aryl” is a general term, including heteroaryl, condensed ring aryl, Condensed ring heteroaryl groups are included, and the three “aryl groups” and the central nitrogen atom of "naphthalene triarylamine” can be connected directly or via a linking group.
  • the inventors found that if there is a specific substituent at the ortho position of the diarylamine group on the naphthalene ring in the "naphthalene triarylamine", or one of the aryl groups in the tri"aryl” amine is a binaphthyl group ( That is, when there is a substituted or unsubstituted naphthyl group on the naphthalene ring, the other aryl group is a substituted or unsubstituted benzodimethylfluorenyl group, and the third aryl group is a specific substituent, the target molecule has suitable Triplet energy level.
  • the aforementioned specific substituent refers to a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl group.
  • the present invention provides a compound characterized by having the structure shown in (I):
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from hydrogen, substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl, substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl, and substituted or unsubstituted C 6 to C 50 fused aryl group, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 fused heteroaryl group, and when Ar 1 is hydrogen, L 1 is not a single bond, and when Ar 2 is hydrogen, L 2 is not a single bond, Ar 3 is selected from substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 aryl groups, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl groups, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 fused aryl groups, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 fused heteroaryl group;
  • L 1 to L 3 are each independently selected from a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 arylene group, and a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 Heteroarylene
  • n is an integer of 0-15;
  • R 1 is each independently selected from hydrogen, halogen, carbonyl, carboxy, amino, amine, cyano, nitro, ester, hydroxyl, silyl, substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl, substituted or unsubstituted Substituted C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl, substituted or unsubstituted C 2 ⁇ C 20 alkenyl, substituted or unsubstituted C 2 ⁇ C 20 alkynyl, substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 20 alkoxy , Substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 10 cycloalkoxy, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 aryl, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl, C 6 ⁇ C 50 fused Aryl;
  • R 2 is Ar 1 to Ar 3 , L 1 to L 3 , R 1 and a substituent on the naphthalene ring in formula (I), each independently selected from hydrogen, halogen, carbonyl, carboxy, cyano, nitro, Ester group, hydroxyl group, amino group, C 1 ⁇ C 10 silyl group, substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl group, C 2 ⁇ C 12 alkenyl group , C 2 ⁇ C 12 alkynyl, substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 12 alkoxy, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 10 cycloalkoxy, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 aryl , Substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl groups, C 6 ⁇ C 50 fused aryl groups;
  • R 1 and R 2 are not amino groups, or Ar 1 is a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group, and Ar 2 is Substituted or unsubstituted benzodimethylfluorenyl, and Ar 3 is substituted or unsubstituted naphthyl;
  • the substituent is selected from halogen, cyano, nitro, ester, hydroxyl, carbonyl, carboxy, cyano, amino, C 1 to C 10 silyl group, C 1 ⁇ C 20 alkyl, C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl, C 2 ⁇ C 20 alkenyl, C 2 ⁇ C 10 alkynyl, C 1 ⁇ C 20 alkoxy or thioalkoxy, C 6 ⁇ C 30 arylamino, C 3 ⁇ C 30 heteroarylamino, C 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl or condensed ring aryl, C 3 ⁇ C 30 monocyclic heteroaryl or condensed heteroaryl One or more of the base.
  • the above-mentioned compound of the present invention is a tri"aryl"amine containing a naphthalene ring structure directly connected to nitrogen.
  • One aryl group is binaphthyl
  • the other aryl group is substituted or unsubstituted benzodimethylfluorenyl
  • the third aryl group is substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group or substituted or unsubstituted Substituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group.
  • the above-mentioned compound of the present invention has good hole transport performance and high triplet energy level, and is suitable for use as a hole transport material.
  • the expressions of Ca to Cb represent that the number of carbon atoms of the group is a to b. Unless otherwise specified, the number of carbon atoms generally does not include the number of carbon atoms of the substituent. The limitation of the number of carbon atoms also means that the number of carbon atoms of the group can be any integer within the numerical range.
  • the expression of chemical elements includes the concept of isotopes with the same chemical properties, for example, the expression of "hydrogen” also includes the concepts of "deuterium” and "tritium” with the same chemical properties.
  • — is not connected to the ring but is the expression of a crossed ring structure, which means that the connection site is at any position on the ring structure that can form a bond.
  • aryl and heteroaryl refer to monocyclic aryl and monocyclic heteroaryl, respectively.
  • the number of carbon atoms in the substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group or the condensed aryl group may be, for example, 6 , 8, 10, 12, 14, 15, 16, 18 , 20, 23, 25 , 26, 28, 30, 33, 35, 38, 40, 45, 50, etc.
  • the substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 aryl group or fused aryl group is preferably a C 6 ⁇ C 30 aryl group or a fused aryl group, more preferably a phenyl group or a biphenyl group.
  • biphenyl is selected from 2-biphenyl, 3-biphenyl and 4-biphenyl; terphenyl includes p-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-3-yl, p-terphenyl-3-yl -Terphenyl-2-yl, meta-terphenyl-4-yl, meta-terphenyl-3-yl and meta-terphenyl-2-yl; the naphthyl group includes 1-naphthyl and 2-naphthyl; Anthryl is selected from 1-anthryl, 2-anthryl and 9-anthryl; said fluorenyl is selected from 1-fluorenyl, 2-fluorenyl, 3-fluorenyl, 4-fluorenyl and 9-fluorenyl; The fluorenyl derivative is selected from 9,9'-dimethylfluorenyl, 9,9'-spirobifluorenyl and benzofluorenyl; the
  • phenyl, biphenyl, naphthyl, anthryl, phenanthryl, fluorenyl, etc. are preferred, phenyl and naphthyl are more preferred, and phenyl is most preferred.
  • the C 6 -C 50 arylene group in this specification is obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned C 6 -C 50 aryl group.
  • the C 6 -C 50 arylene group for example, a phenylene group, a naphthylene group, and the like can be given.
  • the heteroatom in this specification generally refers to an atom or group of atoms selected from N, O, S, P, Si and Se, preferably selected from N, O, S, and more preferably N.
  • the heteroaryl group mentioned in this specification means that at least one ring carbon atom in the aryl group is substituted by a heteroatom.
  • the number of carbon atoms in the substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl group or fused heteroaryl group may be, for example, 3 , 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 16, 18 , 20, 23, 25, 26, 28, 30, etc.
  • the substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group or condensed heteroaryl group is preferably C 4 ⁇ C 20 heteroaryl group or condensed heteroaryl group, more preferably nitrogen-containing Heteroaryl or condensed heteroaryl, oxygen-containing heteroaryl or condensed heteroaryl, sulfur-containing heteroaryl or condensed heteroaryl, etc.
  • pyridyl examples include furyl, thienyl, pyrrolyl , Bipyridyl, benzofuranyl, benzothienyl, isobenzofuranyl, indolyl, quinolinyl, dibenzofuranyl, dibenzothienyl, carbazolyl and their derivatives, of which The carbazolyl derivative is preferably 9-phenylcarbazole, 9-naphthylcarbazole benzocarbazole, dibenzocarbazole, or indolocarbazole. Unless otherwise specified, pyridyl, quinolinyl, dibenzofuranyl, and dibenzothienyl are preferred, and pyridyl is more preferred.
  • the C 3 -C 30 heteroarylene group in this specification is obtained by removing one hydrogen from the above-mentioned C 3 -C 30 heteroaryl group.
  • C 3 ⁇ C 30, and preferably the number of carbon atoms Example heteroarylene group with said C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group, and the number of carbon atoms corresponding to a preferred embodiment (removal of one hydrogen).
  • the C 3 to C 30 heteroarylene group for example, a pyridylene group, a pyrrolylene group, and the like can be given.
  • the alkyl group means a chain alkyl group, and the chain alkyl group may be a straight chain alkyl group or may contain a branch.
  • the number of carbon atoms in the C 1 to C 20 chain alkyl group may be 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20 , etc., for example.
  • the C 1 to C 20 chain alkyl group is preferably a C 1 to C 10 chain alkyl group, and more preferably a C 1 to C 6 chain alkyl group.
  • chain alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-hexyl, n-octyl, isopropyl, isobutyl, tert-butyl and the like. Unless otherwise specified, the alkyl group is preferably selected from methyl, ethyl, n-propyl, and isopropyl, more preferably methyl.
  • an alkylene group means a chain alkylene group, and the chain alkylene group may be a linear alkylene group or may contain a branch.
  • the C 1 to C 10 alkylene group in this specification can be obtained by removing one hydrogen from the above C 1 to C 10 chain alkyl group.
  • Examples of the C 1 to C 10 alkylene group include, for example, methylene, ethylene, and propylene.
  • the number of carbon atoms in the C 3 to C 20 cycloalkyl group may be 4, 5 , 6, 7, 8, 9, 10, etc., for example.
  • Examples of C 3 to C 20 cycloalkyl groups include cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl.
  • the number of carbon atoms in the C 2 ⁇ C 20 alkenyl group can be, for example, 2 , 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, etc.
  • Examples of the C 2 ⁇ C 20 alkenyl group can include: Ethyl, propenyl, 1-butenyl, etc.; the number of carbon atoms in the C 2 ⁇ C 20 alkynyl group can be 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, etc., C 2 ⁇ C
  • Examples of 20 alkynyl groups include ethynyl, propynyl, 1-butynyl and the like.
  • the number of carbon atoms in the C 1 -C 20 alkoxy group may be 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, etc., for example.
  • Examples of C 1 ⁇ C 20 alkoxy groups include groups obtained by linking the above C 1 ⁇ C 20 chain alkyl with -O-, such as methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy, Pentyloxy, hexyloxy, heptyloxy, octyloxy, nonyloxy, decyloxy, undecyloxy, dodecyloxy, etc., among which methoxy, ethoxy, and propoxy are preferred , More preferably a methoxy group.
  • the number of carbon atoms in the C 3 to C 10 cycloalkoxy group may be 4, 5 , 6, 7, 8, 9, 10 , etc., for example.
  • Examples of C 3 ⁇ C 10 cycloalkoxy groups include the above-mentioned C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl groups and -O- groups, such as cyclobutoxy, cyclopentyloxy, cyclohexoxy, cyclo Octyloxy and so on.
  • examples of thioalkoxy C 1 ⁇ C 20 groups include the above-described C 1 ⁇ C 20 alkoxy substituted with oxygen sulfur obtained, for example, methylthio, octyl thio group ( Octylthio) and so on.
  • halogen examples include fluorine, chlorine, bromine, iodine, etc., and unless otherwise specified, fluorine is preferred.
  • an amino group refers to a -NH 2 group
  • an amino group refers to a group obtained by replacing at least one hydrogen in an amino group with an organic group (ie, N and C are directly connected), Including alkylamino, arylamino, heteroarylamino and the like.
  • the number of carbon atoms in the C 6 -C 30 arylamino group may be, for example, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 26, 28 and the like.
  • Examples of C 6 ⁇ C 30 aryl group may include the above C 6 ⁇ C 30 aryl group connected with -NH- obtained, for example, a phenyl group, a naphthyl group and the like.
  • the number of carbon atoms in the C 3 -C 30 heteroarylamino group may be, for example, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 26, 28 and the like.
  • Examples of C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group may include the above C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group connected with -NH- obtained, for example, pyridyl group, pyrrolyl group and the like.
  • examples of the C 1 to C 10 silyl group include a methylsilyl group, a trimethylsilyl group, and a triethylsilyl group.
  • the compound of the present invention preferably has the structure shown in (I):
  • Group is located Ortho position of the group
  • Ar 1 to Ar 3 are each independently selected from a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl group;
  • L 1 to L 3 are each independently selected from a single bond, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 arylene group, or a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 heteroarylene group;
  • R 1 is independently selected from hydrogen, C 1 ⁇ C 20 chain alkyl, C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl, C 2 ⁇ C 20 alkenyl, C 2 ⁇ C 20 alkynyl, C 1 ⁇ C 20 alkoxy One of group, halogen, cyano, nitro, hydroxyl, silyl, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 aryl, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl;
  • R 2 is Ar 1 ⁇ Ar 3 , L 1 ⁇ L 3 , R 1 and the substituent on the naphthalene ring in formula (I), independently selected from hydrogen, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 20 cycloalkane One of the groups, and at least one R 2 is selected from substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl groups;
  • n is an integer of 1 to 15;
  • the substituent is selected from halogen, C 1 to C 20 alkyl, C 3 to C 20 cycloalkyl, C 2 to C 20 alkenyl, and C 1 to C 20 One or more of alkoxy or thioalkoxy, C 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl or fused ring aryl, C 3 ⁇ C 30 monocyclic heteroaryl or fused ring heteroarylkind of combination.
  • the "naphthalene triarylamine” of the present invention has specific aryl or heteroaryl substituents at the ortho position, which can effectively adjust the triplet energy level of the polymer, and at the same time, by introducing cycloalkyl groups into the molecule, it can promote the molecule to adopt plane spreading
  • the arrangement of improves the carrier transmission performance and also improves the light extraction efficiency, thereby improving the photoelectric and lifetime performance of the device.
  • Ar 3 is a substituted or unsubstituted C 10 -C 30 condensed ring aryl group or a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 condensed ring heteroaryl group.
  • organic compound of the present invention may specifically have the following structures (a) to (c):
  • the above-mentioned organic compound of the present invention preferably has a structure shown in (A-1) to (A-3):
  • R 3 is independently selected from hydrogen, C 1 ⁇ C 20 chain alkyl, C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl, C 2 ⁇ C 20 alkenyl, C 2 ⁇ C 20 alkynyl, C 1 ⁇ C 20 One of alkoxy, halogen, cyano, nitro, hydroxyl, silyl, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 aryl, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl;
  • X is O, S, NR 4 , CR 5 R 6 or SiR 7 R 8 ;
  • R 4 to R 8 are each independently selected from hydrogen, C 1 to C 20 chain alkyl, C 3 to C 20 cycloalkyl, substituted or Unsubstituted C 6 ⁇ C 30 aryl or substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl,
  • R 5 and R 6 are each independently preferably a methyl group;
  • the organic compound is represented by formula (A
  • the above-mentioned organic compound of the present invention preferably has a structure:
  • Ar 3 is a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzoX heterocyclopentadiene, X It is oxygen, nitrogen, sulfur, or silicon.
  • the above-mentioned organic compound of the present invention preferably has
  • the aforementioned organic compound of the present invention is preferably The group is located at the 1-position or 2-position of the naphthalene ring, and When the group is at the 1-position of the naphthalene ring, The group is located at the 2-position of the naphthalene ring.
  • R 2 is each independently preferably selected from one of the following structures:
  • R 2 each independently is more preferably one selected from cyclopentyl, cyclohexyl, and cycloheptyl.
  • Ar 1 is preferably a substituted or unsubstituted C 10 ⁇ C 30 fused ring aryl group or a substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 fused ring heteroaryl group
  • Ar 2 is a substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 non-fused ring aryl groups or substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 non-fused ring heteroaryl groups can also improve the carrier transport performance.
  • Ar 1 is selected from one of the following structures:
  • Ar 2 is selected from one of the following structures:
  • the dotted line indicates the access point of the group, and the dashed line crosses the benzene ring representation method, and the connection point of the representative group can be any bondable position on the benzene ring.
  • the above-mentioned organic compound of the present invention preferably has at least one of Ar 1 and Ar 2 with a substituted or unsubstituted C 3 to C 20 cycloalkyl substituent, which is beneficial to adjust the spatial conformation and realize the regulation of molecular spacing. More preferably, Ar 2 has a substituted or unsubstituted C 3 to C 20 cycloalkyl substituent.
  • L 1 and L 2 are each independently preferably selected from a single bond, a phenylene group, or a naphthylene group, and it is more preferred that L 1 to L 3 are all single bonds. This is conducive to tighter accumulation of molecules and improved hole transport performance.
  • the above-mentioned organic compound of the present invention is preferably selected from the structures shown in P1 to P291 below, but these compounds are only representative.
  • the present invention provides the application of the above-mentioned organic compounds in organic electronic devices.
  • the specific application fields of the above-mentioned organic compounds include but are not limited to organic electroluminescent materials, lighting elements, organic thin film transistors, organic field effect transistors, and organic thin film solar cells. , Information labels, electronic artificial skin sheets, sheet-type scanners, electronic paper or organic EL panels and other technical fields, more preferably used in organic electroluminescent materials, especially as hole transport materials for organic electroluminescent devices Or electron blocking material.
  • the present invention provides an organic electroluminescence device, comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer inserted between the first electrode and the second electrode, wherein the organic layer contains at least one The above-mentioned organic compounds. More specifically, the organic layer can be divided into multiple regions.
  • the organic layer may include a hole transport area, a light emitting layer, an electron transport area, and the like.
  • the present invention also provides an organic electroluminescent device, which includes an anode layer, a plurality of light-emitting functional layers, and a cathode layer; the multiple light-emitting functional layers include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, At least one of a light-emitting layer and an electron transport layer, the hole injection layer is formed on the anode layer, and the cathode layer is formed on the electron transport layer; wherein, the hole transport layer and /Or the above-mentioned organic compound is contained in the electron blocking layer.
  • the compound of the present invention preferably has a structure represented by the following formula (II):
  • L 1 and L 2 are each independently selected from a single bond, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 arylene group, and a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroarylene group;
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from hydrogen, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 fused aryl, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 Heteroaryl, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 fused heteroaryl, and when Ar 1 is hydrogen, L 1 is not a single bond, and when Ar 2 is hydrogen, L 2 is not a single bond;
  • R 1 and R 2 are each independently selected from hydrogen, halogen, carbonyl, carboxyl, cyano, amine, C 1 to C 20 alkyl, C 3 to C 20 cycloalkyl, C 2 to C 12 alkene Group, C 2 ⁇ C 12 alkynyl group, C 1 ⁇ C 12 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 50 aryl group, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group, C 6 ⁇ C 50 fused aryl group, and R 1 and R 2 are connected to the naphthalene ring by a single bond;
  • n is an integer of 0-7;
  • the substituents are each independently selected from halogen, carbonyl, carboxyl, cyano, amino, C 1 to C 10 alkyl, C 3 to C 10 cycloalkyl, C 2 ⁇ C 10 alkenyl group, C 1 ⁇ C 6 alkoxy group, C 1 ⁇ C 6 thioalkoxy group, C 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl or condensed ring aryl group, C 3 ⁇ C 30 One or more of monocyclic heteroaryl or condensed heteroaryl.
  • the 1-position of the naphthalene ring in the compound is connected to another naphthalene ring, and the 2-position of the naphthalene ring is connected to the diarylamine group.
  • a binaphthyl compound serves as a hole in an organic electroluminescent device.
  • the transmission layer material or the electron blocking layer material can further reduce the driving voltage, improve the luminous efficiency and prolong the service life.
  • the 1-position of the naphthalene is connected to another naphthalene ring, and the 2-position is connected to the diarylamine group, and the other substituents on the two naphthalene rings are not substituted by amines or arylamines.
  • the group, that is, R 1 and R 2 are not amine or arylamine substituents.
  • Ar 1 and Ar 2 are preferably independently selected from substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl or fused aryl, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl or
  • L 1 and L 2 are single bonds, and preferably R 1 and R 2 are hydrogen.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from
  • the above-mentioned compound of the present invention may specifically be a structure represented by formula (II-1) or formula (II-2):
  • L 1 , L 2 , Ar 1 , Ar 2 , R 1 , R 2 , m and n are the same as defined in formula (II).
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from
  • the compound of the structure represented by the above formula (II) of the present invention is preferably any one of the following compounds N1-N419, but these compounds are only representative.
  • the present invention provides an organic electroluminescent device, comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic layer contains the above-mentioned compound .
  • the organic layer includes a hole transport region, the hole transport region includes the above-mentioned compound, and more preferably the hole transport region includes a hole transport layer and/or an electron blocking layer, Wherein, at least one of the hole transport layer and the electron blocking layer contains the above-mentioned compound.
  • the present invention provides the application of the above compound as a hole transport layer and/or electron blocking layer in an organic electroluminescent device, but the organic layer containing the compound of the present invention is not limited to the hole transport layer and electron blocking layer.
  • the compound of the present invention can be applied to organic electronic devices, such as organic electroluminescent devices, lighting elements, organic thin film transistors, organic field effect transistors, organic thin film solar cells, information labels, electronic Large-area sensors such as artificial skin sheets, sheet-type scanners, electronic paper and organic EL panels, etc.
  • the compound of the present invention preferably has a structure represented by the following formula (III):
  • L 1 is selected from the group consisting of a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 arylene group, a substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroarylene group
  • Ar 1 is selected from one of substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 aryl groups and substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl groups;
  • R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are independently selected from halogen, amino, cyano, nitro, ester, hydroxyl, C 1 ⁇ C 10 silyl group, substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 10- chain alkyl, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 10 cycloalkyl, substituted or unsubstituted C 2 ⁇ C 10 alkenyl, substituted or unsubstituted C 2 ⁇ C 10 alkynyl, substituted or unsubstituted C 1 ⁇ C 10 chain alkoxy group, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 10 cycloalkoxy group, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 arylamino group, substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C One of 30 heteroarylamino, substituted or unsubstituted C 6 ⁇ C 30 aryl, substituted or unsubstituted C 3
  • n is an integer of 0-6, such as 1, 2, 3, 4, 5, etc., and when m ⁇ 2, R 1 is the same or different;
  • n is an integer of 0-7, such as 1, 2, 3, 4, 5, 6, etc., and when n ⁇ 2, R 2 is the same or different;
  • q is an integer from 0 to 3, such as 1, 2, 3, etc., and when q ⁇ 2, R 4 is the same or different;
  • s is an integer of 0-4, and when s ⁇ 2, R 5 is the same or different;
  • the substituents are selected from halogen, cyano, C 1 ⁇ C 10 chain alkyl, C 3 ⁇ C 10 cycloalkyl, C 1 ⁇ C 6 alkoxy, C 1 ⁇ C 6 thioalkoxy, C 6 ⁇ C 30 arylamino, C 3 ⁇ C 30 heteroarylamino, C 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl, C 10 ⁇ C 30 condensed ring aryl, C 3 -C 30 monocyclic heteroaryl group, C 6 -C 30 condensed ring heteroaryl group or a combination of at least two.
  • the present invention provides a new type of compound, which contains a structure in which two units of binaphthyl and benzofluorene are connected to the N atom, and Ar 1 is added to make the compound have good hole injection and hole transport properties,
  • the good refractive index and high phase transition temperature enable the OLED device containing the compound to have the characteristics of high luminous efficiency, low driving voltage and long service life.
  • the R 6 has the same selection range as R 1 to R 5 ; the r is an integer from 0 to 6, and when r ⁇ 2, R 6 is the same or different.
  • the above-mentioned compound of the present invention preferably has the structure represented by the formula (III-2), that is, it is preferable that the fluorenyl group and the benzene ring are fused at the position represented by the formula (III-2), which is due to the condensed at the 6 and 7 positions.
  • the molecular configuration has a better arrangement during film formation, which can effectively reduce the energy barrier of hole injection and improve the hole transport ability, thereby further improving the performance of the device.
  • the above-mentioned compound of the present invention also preferably has a structure represented by the following formula (3-1):
  • the L 1 , Ar 1 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , s, p, n, m, and q all have the same selection range as above.
  • the naphthyl group and the arylamine group are substituted at adjacent positions.
  • This specific structure can effectively reduce the energy barrier of hole injection, and can also improve the hole transport ability, thereby further improving the luminous efficiency of the device and reducing the drive Voltage, prolong service life.
  • the L 1 , Ar 1 , R 1 , R 2 , R 6 , R 4 , m, n, r, and q all have the same selection range as the foregoing.
  • the above formula (3-1) is more preferably that the formula (A-1) and the formula (B) are fused at the b position, that is, the structure represented by the formula (3-1-2) is preferred.
  • the above-mentioned compound of the present invention also preferably has a structure represented by the following formula (3-2):
  • the L 1 , Ar 1 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , s, p, n, m, and q all have the same selection range as above.
  • the L 1 , Ar 1 , R 1 , R 2 , R 6 , R 4 , m, n, r, and q all have the same selection range as the foregoing.
  • the above formula (3-2) is more preferably that the formula (A-2) and the formula (B) are fused at the b position, that is, the structure represented by the formula (3-2-2) is preferred.
  • the above-mentioned compound of the present invention preferably has a structure in which n, m, q and r are all 0 in formula (3-2-1), formula (3-2-2) or formula (3-2-3), more preferably In formula (3-2-2), n, m, q and r are all 0 structures.
  • L 1 is preferably selected from a single bond or a substituted or unsubstituted phenylene group, more preferably a single bond; when the above group has a substituent, the substituent is selected from halogen, cyano, C 1 ⁇ C 10 chain alkyl group, C 3 ⁇ C 10 cycloalkyl group, C 1 ⁇ C 6 alkoxy group, C 1 ⁇ C 6 thioalkoxy group, C 6 ⁇ C 30 arylamino group, C 3 ⁇ C 30 heteroarylamino, C 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl, C 10 ⁇ C 30 fused ring aryl, C 3 ⁇ C 30 monocyclic heteroaryl, C 6 ⁇ C 30 fused ring heteroaryl One or a combination of at least two.
  • Ar 1 is preferably selected from substituted or unsubstituted phenyl, substituted or unsubstituted naphthyl, substituted or unsubstituted phenanthryl, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl, substituted or unsubstituted One of substituted dibenzothienyl, substituted or unsubstituted carbazolyl; when the above group has a substituent, the substituent is selected from halogen, cyano, C 1 ⁇ C 10 chain alkyl , C 3 ⁇ C 10 cycloalkyl, C 1 ⁇ C 6 alkoxy, C 1 ⁇ C 6 thioalkoxy, C 6 ⁇ C 30 arylamino, C 3 ⁇ C 30 heteroarylamino, C One or a combination of 6 ⁇ C 30 monocyclic aryl groups, C 10 ⁇ C 30 fused ring aryl groups, C 3 ⁇ C 30 monocycl
  • -L-Ar 1 is preferably one selected from phenyl, biphenyl, terphenyl, dibenzofuran, dibenzothiophene, carbazolyl or phenanthryl.
  • the compound of the structure represented by the above formula (III) of the present invention is preferably any one of the following compounds T1-T255, but these compounds are only representative.
  • the present invention provides the application of the above compounds in organic electroluminescent devices.
  • the above-mentioned compound is preferably used as an electron blocking layer material of an organic electroluminescence device.
  • the present invention provides an organic electroluminescent device, comprising a substrate, a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer located between the first electrode and the second electrode, and the organic layer contains at least one The above compound.
  • the organic layer includes an electron blocking layer, and the electron blocking layer contains the above-mentioned compound.
  • the present invention can effectively control the triplet energy level of the target molecule, thereby obtaining a new hole transport material with good hole transport performance and high triplet energy level.
  • naphthalene triarylamine as a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 ⁇ C 30 heteroaryl group at the ortho position of the diarylamino group on the naphthalene ring
  • the structure of the group, or the "naphthalene triarylamine” is set to three "aryl” amine in which one aryl group is a binaphthyl group, the other aryl group is a substituted or unsubstituted benzodimethylfluorenyl group, and the first Three aryl groups are substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl groups or substituted or unsubstituted C 3
  • the molecule can be promoted to adopt a plane spreading arrangement, which improves the carrier transport.
  • the performance can also improve the light extraction efficiency, thereby improving the photoelectricity and life performance of the device.
  • the material When the material is used as the hole transport layer material or the electron blocking layer of the organic electroluminescent device, it can improve the luminous efficiency, reduce the starting voltage and extend The service life of the device; if the 1-position of the naphthalene ring of the above molecule is connected with another naphthalene ring, and the 2-position is connected with the diarylamine group, the compound of the present invention has a large ⁇ plane structure, which can effectively change the molecular space structure, It is beneficial to improve the molecular accumulation in the film, and because the ortho substitution restricts the rotation of the aromatic ring on the N atom, the stability of this type of material is enhanced, so that the compound can be used as the hole transport layer material of the organic electroluminescent device and/ Or electron blocking layer can improve the luminous efficiency, reduce the starting voltage, and make the device have a longer service life.
  • the compound has good hole injection and hole transport properties, good refractive index, and high phase transition Temperature, using it in the device can improve the luminous efficiency of the OLED device, reduce the driving voltage, and prolong the service life.
  • Figure 1 is a molecular structure model diagram of compound N1 of the present invention.
  • Figure 2 is a model diagram of the molecular structure of the compound N191 of the present invention.
  • Figure 3 is a molecular structure model diagram of the comparative compound EMT-3.
  • Figure 4 is a molecular structure model diagram of the comparative compound EMT-4.
  • a substrate may be used below the first electrode or above the second electrode.
  • the substrates are all glass or polymer materials with excellent mechanical strength, thermal stability, water resistance, and transparency.
  • thin film transistors TFT may also be provided on the substrate as a display.
  • the first electrode may be formed by sputtering or depositing a material used as the first electrode on the substrate.
  • transparent conductive materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin dioxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and any combination thereof can be used.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • SnO 2 tin dioxide
  • ZnO zinc oxide
  • magnesium (Mg) silver
  • silver (Ag) aluminum
  • Al-lithium (Al-Li) aluminum-lithium (Al-Li)
  • magnesium-silver can be used (Mg-Ag) and other metals or alloys and any combination between them.
  • the organic layer can be formed on the electrode by methods such as vacuum thermal evaporation, spin coating, and printing.
  • the compound used as the organic layer may be organic small molecules, organic macromolecules, and polymers, and combinations thereof.
  • the hole transport region is located between the anode and the light-emitting layer.
  • the hole transport region may be a single-layered hole transport layer (HTL), including a single-layer hole transport layer containing only one compound and a single-layer hole transport layer containing multiple compounds.
  • the hole transport region may also be a multilayer structure including at least one of a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an electron blocking layer (EBL).
  • HIL hole injection layer
  • HTL hole transport layer
  • EBL electron blocking layer
  • the electron blocking layer of the hole transport region may be selected from one or more compounds of the present invention.
  • the hole transport layer of the hole transport region may be selected from, but not limited to, phthalocyanine derivatives such as CuPc, conductive polymers, or conductive dopant-containing polymers such as polyphenylene vinylene, polyaniline/dodecane Benzenesulfonic acid (Pani/DBSA), poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrene sulfonate) (PEDOT/PSS), polyaniline/camphorsulfonic acid (Pani/CSA) , Polyaniline/poly(4-styrene sulfonate) (Pani/PSS), aromatic amine derivatives such as the following compounds HT-1 to HT-34, or any combination thereof.
  • the hole transport layer of the hole transport region may be selected from one or more compounds of the present invention.
  • the electron blocking layer of the hole transport region can be selected from, but not limited to, phthalocyanine derivatives such as CuPc, conductive polymers, or conductive dopant-containing polymers such as polyphenylene vinylene, polyaniline/dodecyl Benzenesulfonic acid (Pani/DBSA), poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate) (PEDOT/PSS), polyaniline/camphorsulfonic acid (Pani/CSA), Polyaniline/poly(4-styrene sulfonate) (Pani/PSS), aromatic amine derivatives such as the following compounds HT-1 to HT-34, or any combination thereof.
  • the hole injection layer is located between the anode and the hole transport layer.
  • the hole injection layer can be a single compound material or a combination of multiple compounds.
  • the hole injection layer may use one or more of the above-mentioned HT-1 to HT-34 compounds, or use one or more of the following HI-1 to HI-3; it may also use HT-1
  • One or more compounds to HT-34 are doped with one or more compounds in the following HI-1 to HI-3.
  • the luminescent layer includes luminescent dyes (ie, dopants) that can emit different wavelength spectra, and may also include a host material (Host) at the same time.
  • the light-emitting layer may be a monochromatic light-emitting layer emitting a single color such as red, green, and blue.
  • the monochromatic light-emitting layers of multiple different colors can be arranged in a plane according to the pixel pattern, or stacked together to form a color light-emitting layer. When light-emitting layers of different colors are stacked together, they can be separated from each other or connected to each other.
  • the light-emitting layer may also be a single-color light-emitting layer capable of emitting red, green, and blue at the same time.
  • the light-emitting layer material can use different materials such as fluorescent electroluminescent materials, phosphorescent electroluminescent materials, and thermally activated delayed fluorescent luminescent materials.
  • a single light-emitting technology can be used, or a combination of multiple different light-emitting technologies can be used.
  • These different luminescent materials classified by technology can emit light of the same color or different colors of light.
  • the light-emitting layer adopts fluorescent electroluminescence technology.
  • the fluorescent host material of the light-emitting layer can be selected from, but not limited to, one or more combinations of BFH-1 to BFH-17 listed below.
  • the light-emitting layer adopts fluorescent electroluminescence technology.
  • the fluorescent dopant of the light-emitting layer can be selected from, but not limited to, one or more combinations of BFD-1 to BFD-12 listed below.
  • the light-emitting layer adopts phosphorescent electroluminescence technology.
  • the host material of the light-emitting layer is selected from, but not limited to, one or a combination of GPH-1 to GPH-80.
  • the light-emitting layer adopts phosphorescent electroluminescence technology.
  • the phosphorescent dopant of the light-emitting layer can be selected from, but not limited to, one or more combinations of GPD-1 to GPD-47 listed below.
  • the light-emitting layer adopts phosphorescent electroluminescence technology.
  • the phosphorescent dopant of the light-emitting layer can be selected from, but not limited to, one or a combination of RPD-1 to RPD-28 listed below.
  • the light-emitting layer adopts phosphorescent electroluminescence technology.
  • the phosphorescent dopant of the light-emitting layer may be selected from, but not limited to, one or a combination of YPD-1 to YPD-11 listed below.
  • the light-emitting layer adopts thermally activated delayed fluorescent light emission technology.
  • the fluorescent dopant of the light-emitting layer can be selected from, but not limited to, one or a combination of TDE-1 to TDE-39 listed below.
  • the light-emitting layer adopts thermally activated delayed fluorescent light emission technology.
  • the host material of the light-emitting layer is selected from, but not limited to, one or a combination of TDH1 to TDH24.
  • the OLED organic layer may also include an electron transport region between the light-emitting layer and the cathode.
  • the electron transport region can be a single-layered electron transport layer (ETL), including a single-layer electron transport layer containing only one compound and a single-layer electron transport layer containing multiple compounds.
  • the electron transport region may also be a multilayer structure including at least one of an electron injection layer (EIL), an electron transport layer (ETL), and a hole blocking layer (HBL).
  • EIL electron injection layer
  • ETL electron transport layer
  • HBL hole blocking layer
  • the electron transport layer material can be selected from, but not limited to, one or more combinations of ET-1 to ET-57 listed below.
  • the device may also include an electron injection layer located between the electron transport layer and the cathode.
  • the material of the electron injection layer includes but is not limited to one or a combination of the following: LiQ, LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, Cs 2 CO 3 , BaO, Na, Li or Ca.
  • Solvents and reagents used in the following synthesis examples such as aryl bromide, 2-bromo-9,9'-dimethylfluorene, 2-bromodibenzofuran, 2-bromodibenzothiophene, 4-bromo Biphenyl, 4-cyclohexylbromobenzene, 4-(4'-cyclohexylphenyl)bromobenzene, tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, 1,3-bis(2,6-diisopropylbenzene) Base) imidazolium chloride, toluene, tetrahydrofuran, petroleum ether, n-hexane, dichloromethane, acetone, sodium sulfate, ethyl acetate, ethanol, acetic acid, potassium phosphate, tri-tert-butyl phosphine, potassium/sodium tert-butylate , Aniline, 1-na
  • the representative synthesis route of the compound of the general formula (I) of the present invention is as follows, but the synthesis method of the compound of the present invention is not limited thereto.
  • synthesis examples of the present invention exemplarily provide specific synthesis methods of representative compounds.
  • the mass spectrometer used for the determination of the following compounds was measured by ZAB-HS type mass spectrometer (manufactured by Micromass, UK).
  • This embodiment provides an organic electroluminescent device, and the specific preparation process is as follows:
  • the glass plate coated with a transparent conductive layer of ITO is ultrasonically treated in a commercial cleaning agent, rinsed in deionized water, degreasing ultrasonically in a mixed solvent of acetone and ethanol, and baked in a clean environment until the water is completely removed. Light and ozone cleaning, and bombard the surface with low-energy cation beams;
  • the above-mentioned glass substrate with anode in a vacuum chamber evacuate to less than 1 ⁇ 10 -5 Pa, and vacuum-evaporate HT-4:HI-3(97/3,w/w) on the above-mentioned anode film )
  • the mixture is used as the hole injection layer, the evaporation rate is 0.1nm/s, and the evaporation film thickness is 10nm;
  • Vacuum evaporate HT-4 on the hole injection layer as the hole transport layer of the device the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total evaporation film thickness is 60nm;
  • the compound P1 synthesized in Synthesis Example 1-1 was vacuum vapor deposited on the hole transport layer as the electron blocking layer material of the device, the vapor deposition rate was 0.1 nm/s, and the total vapor deposition thickness was 60 nm;
  • the light-emitting layer of the device is vacuum-evaporated on the electron blocking layer.
  • the light-emitting layer includes the host material and the dye material.
  • the evaporation rate of the host material GPH-59 is adjusted to 0.1nm/s, and the dye RPD-8
  • the evaporation rate is set at 3% ratio, and the total film thickness of evaporation is 40nm;
  • the electron transport layer material ET-46 of the device is vacuum-evaporated on the light-emitting layer.
  • the ratio is set at 50% and the ratio of ET-57 is set at 50%.
  • the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total film is evaporated.
  • the thickness is 25nm;
  • ETL electron transport layer
  • LiF with a thickness of 0.5 nm was vacuum-evaporated as the electron injection layer
  • Al layer with a thickness of 150 nm was used as the cathode of the device.
  • Examples 1-2 to 1-25 The manufacturing process of Examples 1-2 to 1-25 is the same as that of Example 1-1, except that the electron blocking layer material compound P1 is replaced with the compound shown in Table 1 respectively.
  • Comparative Examples 1-1 to 1-2 The manufacturing process of Comparative Examples 1-1 to 1-2 is the same as that of Example 1-1, except that the electron blocking layer material compound P1 is replaced with compounds R-1 and R-2, respectively, and Comparative Examples 1-1 to 1-2 adopt The structure of the compound is as follows:
  • the organic electroluminescent device prepared by the above process was tested as follows:
  • the life test of LT95 is as follows: use a luminance meter to maintain a constant current at a luminance of 5000 cd/m 2 , and measure the time for the luminance of the organic electroluminescent device to drop to 4750 cd/m 2 in hours.
  • the compounds of the present invention is used for an organic electroluminescent device hole transport material, the device luminance of 5000cd / m 2, the driving voltage as low as 5.0V, and the current efficiency of up 12.8cd / Above A, compared with Comparative Examples 1-1 to 1-2, it can effectively reduce the driving voltage and improve the current efficiency, and it is an electron blocking material with good performance.
  • the compound R-2 used in Comparative Example 1-2 only lacks the aromatic substituent at the ortho position of the amine group, and cannot achieve high efficiency, and the voltage remains high. It can be seen that this type of molecule cannot achieve the present invention.
  • the advantageous molecular arrangement of the compound The above analysis shows that the unique molecular structure of the compound of the present invention is the key to achieving the excellent performance of the device embodiment.
  • the compound of the present invention is an organic electroluminescent device luminance of 5000cd / m 2, the driving voltage down to 5.0V and below, high current efficiency 12.8cd / A and above, LT95 for 21h and reached above.
  • This embodiment provides an organic electroluminescent device, and the specific preparation process is as follows:
  • the glass plate coated with a transparent conductive layer of ITO is ultrasonically treated in a commercial cleaning agent, rinsed in deionized water, degreasing ultrasonically in a mixed solvent of acetone and ethanol, and baked in a clean environment until the water is completely removed. Light and ozone cleaning, and bombard the surface with low-energy cation beams;
  • the evaporation rate is 0.1nm /s, the evaporation film thickness is 10nm;
  • the compound N1 prepared in Synthesis Example 2-1 was vacuum-evaporated on the hole injection layer as the hole transport layer of the device, the evaporation rate was 0.1 nm/s, and the total evaporation film thickness was 80 nm;
  • vacuum evaporate HT-14 as the electron blocking layer of the device, the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total film thickness of the evaporation is 80nm;
  • the light-emitting layer of the device is vacuum-evaporated on the electron blocking layer.
  • the light-emitting layer includes the host material and the dye material.
  • the evaporation rate of the host material GPH-59 is adjusted to 0.1nm/s, and the dye RPD-8
  • the evaporation rate is set at 3% ratio, and the total film thickness of evaporation is 30nm;
  • the electron transport layer material ET-46 of the device is vacuum-evaporated on the light-emitting layer.
  • the ratio is set at 50% and the ratio of ET-57 is set at 50%.
  • the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total film is evaporated.
  • the thickness is 30nm;
  • ETL electron transport layer
  • LiF with a thickness of 0.5 nm was vacuum-evaporated as the electron injection layer
  • Al layer with a thickness of 150 nm was used as the cathode of the device.
  • the driving voltage and current efficiency of the organic electroluminescent devices prepared in Examples 2-1 to 2-33 and Comparative Examples 2-1 to 2-4 were measured using a digital source meter and a brightness meter. life. Specifically, the voltage is increased at a rate of 0.1V per second, and the voltage when the brightness of the organic electroluminescent device reaches 3000cd/m 2 is the driving voltage, and the current density at this time is measured at the same time; the ratio of brightness to current density It is the current efficiency; the life test of LT95 is as follows: Use a luminance meter to maintain a constant current at 5000cd/m 2 brightness, and measure the time for the brightness of the organic electroluminescent device to drop to 4750cd/m 2 in hours. The measurement results are shown in Table 2.
  • This embodiment provides an organic electroluminescent device, and the specific preparation process is as follows:
  • the glass plate coated with a transparent conductive layer of ITO is ultrasonically treated in a commercial cleaning agent, rinsed in deionized water, degreasing ultrasonically in a mixed solvent of acetone and ethanol, and baked in a clean environment until the water is completely removed. Light and ozone cleaning, and bombard the surface with low-energy cation beams;
  • the evaporation rate is 0.1nm /s, the evaporation film thickness is 10nm;
  • Vacuum evaporate HT-4 on the hole injection layer as the hole transport layer of the device the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total evaporation film thickness is 80nm;
  • the compound N1 synthesized in Synthesis Example 1 was vacuum vapor deposited on the hole transport layer as the electron blocking layer of the device, the vapor deposition rate was 0.1 nm/s, and the total vapor deposition thickness was 80 nm;
  • the light-emitting layer of the device is vacuum-evaporated on the electron blocking layer.
  • the light-emitting layer includes the host material and the dye material.
  • the evaporation rate of the host material GPH-59 is adjusted to 0.1nm/s, and the dye RPD-8
  • the evaporation rate is set at 3% ratio, and the total film thickness of evaporation is 30nm;
  • the electron transport layer material ET-46 of the device is vacuum-evaporated on the light-emitting layer.
  • the ratio is set at 50% and the ratio of ET-57 is set at 50%.
  • the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total film is evaporated.
  • the thickness is 30nm;
  • ETL electron transport layer
  • LiF with a thickness of 0.5 nm was vacuum-evaporated as the electron injection layer
  • Al layer with a thickness of 150 nm was used as the cathode of the device.
  • Examples 2-35 to 2-71 and Comparative Examples 2-5 to 2-8 are the same as those of Example 2-34, except that the compound N1 is replaced with the compound shown in Table 3 as the electron blocking layer material.
  • the driving voltage and current efficiency of the organic electroluminescent devices prepared in Examples 2-34 to 2-71 and Comparative Examples 2-5 to 2-8 were measured using a digital source meter and a luminance meter. life. Specifically, the voltage is increased at a rate of 0.1V per second, and the voltage when the brightness of the organic electroluminescent device reaches 3000cd/m 2 is the driving voltage, and the current density at this time is measured at the same time; the ratio of brightness to current density It is the current efficiency; the life test of LT95 is as follows: use a luminance meter to maintain a constant current at 5000cd/m 2 brightness, and measure the time when the brightness of the organic electroluminescent device drops to 4750cd/m 2 in hours. The measurement result as shown in Table 3.
  • the driving voltage is as low as 3.8 when the brightness of the device reaches 3000 cd/m 2 Below V, the current efficiency is above 12.5cd/A; LT95 reaches above 167h, which can effectively reduce the driving voltage, improve the current efficiency, and prolong the service life of the device. It is a good electronic barrier material.
  • the organic electroluminescent devices using the compounds of Comparative Examples 2-5 to 2-8 as the material of the electron blocking layer have various degrees of deficiencies in terms of driving voltage, current efficiency, and service life.
  • the above compounds can be used as HTL (hole transport) materials, and can also be used as EBL (electron blocking layer) materials in combination with other hole transport materials.
  • HTL hole transport
  • EBL electron blocking layer
  • This embodiment provides an organic electroluminescent device, and the specific preparation process is as follows:
  • the glass plate coated with a transparent conductive layer of ITO is ultrasonically treated in a commercial cleaning agent, rinsed in deionized water, degreasing ultrasonically in a mixed solvent of acetone and ethanol, and baked in a clean environment until the water is completely removed. Light and ozone cleaning, and bombard the surface with low-energy cation beams;
  • Vacuum evaporate HT-4 on the hole injection layer as the hole transport layer of the device the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total evaporation film thickness is 60nm;
  • vacuum-evaporated compound T1 is used as the electron blocking layer of the device, the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total evaporation film thickness is 60nm;
  • the light-emitting layer of the device is vacuum-evaporated on the electron blocking layer.
  • the light-emitting layer includes the host material and the dye material.
  • the evaporation rate of the host material GPH-59 is adjusted to 0.1nm/s, and the dye RPD-8
  • the evaporation rate is set at 3% ratio, and the total film thickness of evaporation is 40nm;
  • the electron transport layer material ET-46 of the device is vacuum-evaporated on the light-emitting layer.
  • the ratio is set at 50% and the ratio of ET-57 is set at 50%.
  • the evaporation rate is 0.1nm/s, and the total film is evaporated.
  • the thickness is 25nm;
  • ETL electron transport layer
  • LiF with a thickness of 0.5 nm was vacuum-evaporated as the electron injection layer
  • Al layer with a thickness of 150 nm was used as the cathode of the device.
  • Example 3-2 to 3-12 and Comparative Example 3-1 are the same as those of Example 3-1, except that the electron blocking layer material compound T1 is replaced with the compound shown in Table 3, respectively.
  • the organic electroluminescent device prepared by the above process was tested as follows:
  • the voltage is increased at a rate of 0.1V per second, and the voltage when the brightness of the organic electroluminescent device reaches 5000cd/m 2 is the driving voltage, and the current density at this time is measured at the same time; the ratio of brightness to current density It is the current efficiency; the life test of LT95 is as follows: Use a luminance meter to maintain a constant current at 5000cd/m 2 brightness, and measure the time for the brightness of the organic electroluminescent device to drop to 4750cd/m 2 in hours. Take the life of Comparative Example 3-1 as the standard 100%, and the others as the ratio.
  • the compounds of the present invention provides a barrier layer material for the organic electroluminescent electronic device, the device luminance of 5000cd / m 2, the driving voltage is as low as 4.5 ⁇ 5.2V, the current efficiency was 16.4 ⁇ 18.3cd/A, which can effectively reduce the driving voltage, improve current efficiency, and prolong the service life of the device. It is an electronic blocking material with good performance.
  • the group substituted on the naphthalene ring is a phenyl group, and the binaphthyl group in the present invention does not exist. Therefore, the performance of the device of Comparative Example 1-1 is better than The embodiment is significantly reduced, the driving voltage is as high as 5.5V, and the current efficiency is only 13cd/A.

Abstract

一种化合物、包含该化合物的有机电致发光器件及其应用，化合物具有如(I)所示的结构。

Description

一种化合物、包含其的有机电致发光器件及其应用 技术领域
本发明涉及有机发光化合物及有机电子发光器件领域，尤其涉及一种化合物、包含该化合物的有机电致发光器件及其应用。
背景技术
近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。
随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果。为了制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件，实现OLED器件的性能不断提升，不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新，更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新，以制备出具有更高性能的功能材料。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。
目前，人们已经开发出多种有机材料，结合各种奇特的器件结构，可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因，常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。然而，磷光主体材料在发光性能方面例如载流子传输能力等仍然存在较大的改进空间。
随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。因此，本 领域亟待开发更多种类、更高性能的OLED材料，以提升器件性能。
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，当前使用的OLED材料和器件结构越来越无法满足对人们OLED器件的效率、寿命、成本等各方面的需要。因此，人们期望能开发一种新型化合物，能够应用于OLED器件并提升器件性能。
本申请的发明人着眼于新型OLED材料的研究，开发出可适用于空穴传输层、电子阻挡层的优良的材料。具体而言，本发明的目的在于提供一种化合物、包含该化合物的有机电致发光器件及其应用，该化合物可提高和平衡OLED器件中空穴的迁移率；基于本发明的化合物制作的OLED器件具有低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命，能够满足当前面板制造企业对高性能材料的要求。
解决问题的方案
发明人经过潜心研究，发现：通过控制“萘三芳胺”的结构，能够有效地调控目标分子的三线态能级，从而获得空穴传输性能好、三线态能级高的新型空穴传输材料。这里提到的“萘三芳胺”是指含有与氮直接相连的萘环结构的三“芳基”胺，此处的“芳基”是一个泛指，包括杂芳基、稠环芳基、稠环杂芳基的情况在内，且这三个“芳基”与“萘三芳胺”的中心氮原子可以直接相连，也可以经由连接基团相连。
进一步地，发明人发现，若“萘三芳胺”中，萘环上二芳基胺基的邻位存在特定取代基时，或者，三“芳基”胺中的一个芳基为联萘基(即，萘环上存在取代或未取代的萘基)，另一个芳基为取代或未取代的苯并二甲基芴基，且第三个芳基为特定取代基时，目标分子具有合适的三线态能级。上述特定取代基是指取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基。
本发明提供一种化合物，其特征在于，具有如(I)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000001
Figure PCTCN2020083499-appb-000002
其中，Ar 1和Ar 2各自独立地选自氢、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基，且Ar 1为氢时，L 1不为单键，Ar 2为氢时，L 2不为单键，Ar 3选自取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基；
L 1～L 3各自独立地选自单键、取代或未取代C 1～C 10亚烷基、取代或未取代的C 6～C 50亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30亚杂芳基；
m为0～6的整数，n为0～15的整数；
R 1各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氨基、胺基、氰基、硝基、酯基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C 1～C 20烷基、取代或未取代的C 3～C 20环烷基、取代或未取代的C 2～C 20烯基、取代或未取代的C 2～C 20炔基、取代或未取代的C 1～C 20烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基；
R 2为Ar 1～Ar 3、L 1～L 3、R 1及式(I)中的萘环上的取代基，各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氰基、硝基、酯基、羟基、胺基、C 1～C 10硅烷基、取代或未取代的C 1～C 20烷基、取代或未取代的C 3～C 20环烷基、C 2～C 12烯基、C 2～C 12炔基、取代或未取代的C 1～C 12烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基；
Figure PCTCN2020083499-appb-000003
基团位于
Figure PCTCN2020083499-appb-000004
基团的邻位且R 1和R 2不为胺基，或者Ar 1为取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、Ar 2为取代或未取代的苯并二甲基芴基、且Ar 3为取代或未取代的萘基；
上述取代或未取代的各基团具有取代基时，该取代基选自卤素、氰基、硝基、酯基、羟基、羰基、羧基、氰基、胺基、C 1～C 10硅烷基、C 1～C 20烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 2～C 10炔基、C 1～C 20的烷氧基或硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者多种。
本发明如上所述的化合物是含有与氮直接相连的萘环结构的三“芳基”胺。其中，萘环上二芳基胺基的邻位存在取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基，或者，三“芳基”胺中的一个芳基为联萘基，另一个芳基为取代或未取代的苯并二甲基芴基，且第三个芳基为取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基。本发明如上所述的化合物空穴传输性能良好，三线态能级高，适合用作空穴传输材料。
需要说明的是，本说明书中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。碳原子数范围的限定也表示该基团的碳原子数可以取到所述数值范围内的任何一个整数。本发明中，对于化学元素的表述包含化学性质相同的同位素的概念，例如“氢”的表述，也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念。
本说明书中，“—”未连接在环上而是划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。
本说明书中，在没有特别说明的情况下，芳基、杂芳基分别指单环芳基、单环杂芳基。
本说明书中，取代或未取代的C 6～C 50芳基或稠合芳基中的碳原子数例如可以为6、8、10、12、14、15、16、18、20、23、25、26、28、30、33、35、38、40、45、50等。在没有特别说明的情况下，取代或未取代的C 6～C 50芳基或稠合芳基优选为C 6～C 30芳基或稠合芳基，更优选为由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、
Figure PCTCN2020083499-appb-000005
基和并四苯基所组成的组中的基团。具体而言，联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基；三联苯基包括对-三联苯-4-基、对-三联苯-3-基、对-三联苯-2-基、间-三联苯-4-基、间-三联苯-3-基和间-三联苯-2-基；所述萘基包括1-萘基和2-萘基；蒽基选自1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基；所述芴基选自1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基；所述芴基衍生物选自9,9’-二甲基芴基、9,9’-螺二芴基和苯并芴基；所述芘基选自1-芘基、2-芘基和4-芘基；并四苯基选自1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基。在没有特别说明的情况下，优选苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基等，更优选苯基、萘基，最优选苯基。
本说明书中的C 6～C 50亚芳基是在上述C 6～C 50芳基的基础上去掉一个氢而得到。在没有特别说明的情况下，C 6～C 50亚芳基的碳原子数和优选例与上述C 6～C 50芳基的碳原子数和优选例相对应(去掉一个氢)。作为C 6～C 50亚芳基的具体例子，可以举出例如亚苯基、亚萘基等。
本说明书中的杂原子，通常指选自N、O、S、P、Si和Se中的原子或原子团，优选选自N、O、S，更优选为N。本说明书中提到的杂芳基是指芳基中的至少一个环碳原子被杂原子取代。
本说明书中，取代或未取代的C 3～C 30杂芳基或稠合杂芳基中的碳原子数例如可以为3、5、6、8、10、12、14、15、16、18、20、23、25、26、28、30等。在没有特别说明的情况下，取代或未取代的作为C 3～C 30杂芳基或稠合杂芳基优选为C 4～C 20杂芳基或稠合杂芳基，更优选为含氮杂芳基或稠合杂芳基、含氧杂芳基或稠合杂芳基、含硫杂芳基或稠合杂芳基等，具体的例子可举出：呋喃基、噻吩基、吡咯基、联吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物，其中，所述咔唑基衍生物优选为9-苯基咔唑、9-萘基咔唑苯并咔唑、二苯并咔唑、或吲哚并咔唑。在没有特别说明的情况下，优选吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，更优选吡啶基。
本说明书中的C 3～C 30亚杂芳基是在上述C 3～C 30杂芳基的基础上去掉一个氢而得到。在没有特别说明的情况下，C 3～C 30亚杂芳基的碳原子数和优选例与上述C 3～C 30杂芳基的碳原子数和优选例相对应(去掉一个氢)。作为C 3～C 30亚杂芳基的具体例子，可以举出例如亚吡啶基、亚吡咯基等。
本说明书中，烷基是指链状烷基，链状烷基可以是直链烷基，也可以含有支链。C 1～C 20链状烷基中碳原子数例如可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、15、18、20等。在没有特别说明的情况下，C 1～C 20链状烷基优选为C 1～C 10的链状烷基，更优选为C 1～C 6的链状烷基。链状烷基的例子可举出例如：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基、正辛基、异丙基、异丁基、叔丁 基等。在没有特别说明的情况下，烷基优选选自甲基、乙基、正丙基、异丙基，更优选甲基。
本说明书中，亚烷基是指链状亚烷基，链状亚烷基可以是直链亚烷基，也可以含有支链。在没有特别说明的情况下，本说明书中的C 1～C 10亚烷基可以在上述C 1～C 10的链状烷基的基础上去掉一个氢而得到。C 1～C 10亚烷基的例子可以举出例如：亚甲基、亚乙基、亚丙基等。
本说明书中，C 3～C 20环烷基中碳原子数例如可以为4、5、6、7、8、9、10等。C 3～C 20环烷基的例子可举出：环丁基、环戊基、环己基、环辛基等。
本说明书中，C 2～C 20烯基中碳原子数例如可以为2、3、4、5、6、7、8、9、10等，C 2～C 20烯基的例子可举出：乙烯基、丙烯基、1-丁烯基等；C 2～C 20炔基中碳原子数例如可以为2、3、4、5、6、7、8、9、10等，C 2～C 20炔基的例子可举出：乙炔基、丙炔基、1-丁炔基等。
本说明书中，C 1～C 20烷氧基中碳原子数例如可以为2、3、4、5、6、7、8、9、10等。C 1～C 20烷氧基的例子可举出上述C 1～C 20链状烷基与-O-连接得到的基团，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基等，其中优选甲氧基、乙氧基、丙氧基、更优选甲氧基。
本说明书中，C 3～C 10环烷氧基中碳原子数例如可以为4、5、6、7、8、9、10等。C 3～C 10环烷氧基的例子可举出上述C 3～C 20环烷基与-O-连接得到的基团，例如环丁氧基、环戊氧基、环己氧基、环辛氧基等。
本说明书中，C 1～C 20硫代烷氧基的例子可举出上述C 1～C 20烷氧基中的氧被硫取代得到的基团，例如甲硫基、硫代辛氧基(辛硫基)等。
本说明书中，卤素的例子可举出：氟、氯、溴、碘等，在没有特别说明的情况下，优选为氟。
本说明书中，在没有特别说明的情况下，氨基是指-NH 2基团，胺基是指氨基中的至少一个氢被有机基团取代(即，N与C直接相连)得到的基团，包括烷基氨基、芳基氨基、杂芳基氨基等。C 6～C 30芳基氨基中碳原子数例如可以为10、12、14、16、18、20、26、28等。C 6～C 30芳基氨基的例子可举出上述C 6～C 30芳基与-NH-连接得到的基团，例如苯基氨基、萘基氨基等。C 3～C 30杂芳基氨基中碳原子数例如可以为6、8、10、12、14、16、18、20、26、28等。C 3～C 30杂芳基氨基的例子可举出上述C 3～C 30杂芳基与-NH-连接得到的基团，例如吡啶基氨基、吡咯基氨基等。
本说明书中，C 1～C 10硅烷基的例子可举出甲基硅烷基、三甲基硅烷基、三乙基硅烷基等。
在本发明上述化合物的基础上进一步对其结构(取代基的种类、连接位点等)进行限定，可以得到性能更加优良的化合物。下面对三种优选方案进行说明。
<优选实施方案一>
本发明的化合物优选具有如(I)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000006
其中，
Figure PCTCN2020083499-appb-000007
基团位于
Figure PCTCN2020083499-appb-000008
基团的邻位；
Ar 1～Ar 3各自独立地选自取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基；
L 1～L 3各自独立地选自单键、取代或未取代的C 6～C 30亚芳基或者取代或未取代的C 6～C 30亚杂芳基；
R 1独立地选自氢、C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 2～C 20炔基、C 1～C 20烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
R 2为Ar 1～Ar 3、L 1～L 3、R 1及式(I)中的萘环上的取代基，独立地选自氢、取代或未取代的C 3～C 20的环烷基中的一种，且至少有一个R 2选自取代或未取代的C 3～C 20环烷基；
m为1～6的整数，n为1～15的整数；
上述取代或未取代的基团具有取代基时，该取代基选自卤素、C 1～C 20烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 1～C 20的烷氧基或硫代烷氧基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者多种的组合。
本发明的“萘三芳胺”的邻位具有特定的芳基或杂芳基取代基，可以有效调高分子的三线态能级，同时通过向分子中引入环烷基，可以促进分子采取平面铺展的排列，提升载流子传输性能的同时亦提高光取出效率，从而提升器件的光电、寿命性能。
进一步地，Ar 3为取代或未取代的C 10～C 30稠环芳基或者取代或未取代的C 6～C 30稠环杂芳基。
本发明的上述有机化合物具体可以是以下(a)～(c)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000009
本发明的上述有机化合物优选具有(A-1)～(A-3)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000010
其中，R 3独立地选自氢、C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 2～C 20炔基、C 1～C 20烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；X为O、S、NR 4、CR 5R 6或SiR 7R 8；R 4～R 8各自独立地选自氢、C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、取代或未取代的C 6～C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基，R 5和R 6各自独立地优选为甲基；所述有机化合物为式(A-1)所示结构时a为1～7的整数，所述有机化合物为式(A-2)所示结构时a为1～8的整数，所述有机化合物为式(A-3)所示结构时a为1～7的整数。换言之，本发明的上述有机化合物优选具有这样的结构：Ar 3为取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、或者取代或未取代的二苯并X杂环戊二烯，X为氧、氮、硫、或者硅。
上述优选结构作为空穴传输材料的性能更加优异的具体原因尚不明确，推测是萘三芳胺的Ar 3为前述稠环芳基或稠环杂芳基时，可以扩展分子平面而有利于空穴传输。
本发明的上述有机化合物优选具有
Figure PCTCN2020083499-appb-000011
任一所示的结构。换言之，本发明的上述有机化合物优选
Figure PCTCN2020083499-appb-000012
基团位于萘环的1-位或2-位，且
Figure PCTCN2020083499-appb-000013
基团位于萘环的1-位时，
Figure PCTCN2020083499-appb-000014
基团位于萘环的2-位。
本发明的上述有机化合物中，R 2各自独立地优选选自以下结构之一：
Figure PCTCN2020083499-appb-000015
R 2各自独立地更优选选自环戊基、环己基和环庚基中的一种。
本发明的上述有机化合物优选Ar 1为取代或未取代的C 10～C 30稠环芳基或者取代或未取代的C 6～C 30稠环杂芳基，Ar 2为取代或未取代的C 6～C 30非稠环芳基或者取代或未取代的C 3～C 30非稠环杂芳基，亦可以提升载流子的传输性能。
Ar 1选自以下结构之一：
Figure PCTCN2020083499-appb-000016
Ar 2选自以下结构之一：
Figure PCTCN2020083499-appb-000017
其中，虚线表示基团的接入位点，虚线划过苯环的表示方法，代表基团的连接位点可以为苯环上的任意可成键位置。
本发明的上述有机化合物优选Ar 1和Ar 2中至少有一个具有取代或未取代的C 3～C 20环烷基取代基，这有利于调整空间立体构象，实现对分子间距的调控。更优选为Ar 2上具有取代或未取代的C 3～C 20环烷基取代基。通过在Ar 2上引入环烷基，可以有效地调控目标分子的空间形态堆积和分子结晶度，从而获得空穴传输性能好、三线态能级高、非晶态薄膜稳定的新型空穴传输材料。
本发明的上述有机化合物中，L 1和L 2各自独立地优选选自单键、亚苯基或亚萘基，更优选L 1～L 3均为单键。这有利于分子更加紧密地堆积，提高空穴传输性能。
本发明的上述有机化合物优选选自下述P1～P291所示的结构，但这些化合物仅为代表性的。
Figure PCTCN2020083499-appb-000018
Figure PCTCN2020083499-appb-000019
Figure PCTCN2020083499-appb-000020
Figure PCTCN2020083499-appb-000021
Figure PCTCN2020083499-appb-000022
Figure PCTCN2020083499-appb-000023
Figure PCTCN2020083499-appb-000024
Figure PCTCN2020083499-appb-000025
Figure PCTCN2020083499-appb-000026
Figure PCTCN2020083499-appb-000027
Figure PCTCN2020083499-appb-000028
Figure PCTCN2020083499-appb-000029
Figure PCTCN2020083499-appb-000030
Figure PCTCN2020083499-appb-000031
Figure PCTCN2020083499-appb-000032
Figure PCTCN2020083499-appb-000033
Figure PCTCN2020083499-appb-000034
Figure PCTCN2020083499-appb-000035
Figure PCTCN2020083499-appb-000036
Figure PCTCN2020083499-appb-000037
Figure PCTCN2020083499-appb-000038
Figure PCTCN2020083499-appb-000039
Figure PCTCN2020083499-appb-000040
Figure PCTCN2020083499-appb-000041
Figure PCTCN2020083499-appb-000042
本发明提供上述有机化合物在有机电子器件中的应用，优选地，上述有机化合物具体的应用领域包括但不限于有机电致发光材料、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器、电子纸或有机EL面板等技术领域，更优选应用于有机电致发光材料，尤其是用作有机电致发光器件的空穴传输材料或电子阻挡材料。
本发明提供一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极和插入在所述第一电极和第二电极之间的至少一个有机层，其中，所述有机层中含有至少一种上述的有机化合物。更具体地，该有机层又可以分为多个区域。比如，该有机层可以包括空穴传输区、发光层、电子传输区等。
本发明还提供一种有机电致发光器件，包括阳极层、多个发光功能层和阴极层；所述多个发光功能层包括依次形成的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层中的至少之一，所述空穴注入层形成在所述阳极层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上；其中，所述空穴传输层和/或电子阻挡层中含有上述的有机化合物。
<优选实施方案二>
本发明的化合物优选具有如下式(II)所示结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000043
其中，L 1和L 2各自独立地选自单键、取代或未取代的C 6～C 50的亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30的亚杂芳基；
Ar 1和Ar 2各自独立地选自氢、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基，且Ar 1为氢时，L 1不为单键，Ar 2为氢时，L 2不为单键；
R 1和R 2各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氰基、胺基、C 1～C 20的烷基、C 3～C 20的环烷基、C 2～C 12的烯基、C 2～C 12的炔基、C 1～C 12的烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基，且R 1和R 2以单键的方式连接在萘环上；
m为0～6的整数，n为0～7的整数；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、羰基、羧基、氰基、氨基、C 1～C 10的烷基、C 3～C 10的环烷基、C 2～C 10烯基、C 1～C 6的烷氧基、C 1～C 6的硫代烷氧基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或多种。
在本发明中，所述化合物中萘环的1-位与另一个萘环相连，萘环的2-位与二芳基胺基相连，这样的联萘化合物作为有机电致发光器件的空穴传输层材料或者电子阻挡层材料时，相比现有技术，能够进一步降低驱动电压、提高发光效率和延长使用寿命。
在本发明的化合物中，萘1-位与另外一个萘环相连，而2-位则与二芳基胺基相连，并且在两个萘环上其他取代基不为胺类或芳胺类取代基，即R 1和R 2不为胺类或芳胺类取代基。
在本发明的上述化合物中，优选Ar 1和Ar 2独立地选自取代或未取代的C 6-C 50芳基或稠合芳基、取代或未取代的C 3-C 30杂芳基或稠合杂芳基，优选L 1和L 2为单键，优选R 1和R 2为氢。
在本发明的上述化合物中，更优选Ar 1和Ar 2各自独立地选自
Figure PCTCN2020083499-appb-000044
Figure PCTCN2020083499-appb-000045
Figure PCTCN2020083499-appb-000046
其中
Figure PCTCN2020083499-appb-000047
代表基团的接入位置。
本发明的上述化合物具体可以是式(II-1)或式(II-2)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000048
其中，L 1、L 2、Ar 1、Ar 2、R 1、R 2、m和n与式(II)中定义相同。
本发明的上述化合物中，进一步优选Ar 1和Ar 2各自独立地选自
Figure PCTCN2020083499-appb-000049
Figure PCTCN2020083499-appb-000050
本发明的上述式(II)所示结构的化合物优选为如下化合物N1-N419中的任意一种，但这些化合物仅为代表性的。
Figure PCTCN2020083499-appb-000051
Figure PCTCN2020083499-appb-000052
Figure PCTCN2020083499-appb-000053
Figure PCTCN2020083499-appb-000054
Figure PCTCN2020083499-appb-000055
Figure PCTCN2020083499-appb-000056
Figure PCTCN2020083499-appb-000057
Figure PCTCN2020083499-appb-000058
Figure PCTCN2020083499-appb-000059
Figure PCTCN2020083499-appb-000060
Figure PCTCN2020083499-appb-000061
Figure PCTCN2020083499-appb-000062
Figure PCTCN2020083499-appb-000063
Figure PCTCN2020083499-appb-000064
Figure PCTCN2020083499-appb-000065
Figure PCTCN2020083499-appb-000066
本发明提供一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极和插入在所述第一电极和第二电极之间的至少一个有机层，其中，所述有机层中含有上述的化合物。
上述有机电致发光器件中，优选所述有机层包括空穴传输区，所述空穴传输区包含上述的化合物，更优选所述空穴传输区包括空穴传输层和/或电子阻挡层，其中，所述空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层中包含上述的化合物。
本发明提供上述化合物在作为有机电致发光器件中的空穴传输层和/或电子阻挡层的应用，但含有本发明所述化合物的有机层不限于用在空穴传输层和电子阻挡层。此外，本发明的化合物可以应用于有机电子器件中，所述有机电子器件可举出例如有机电致发光器件、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器等大面积传感器、电子纸及有机EL面板等。
<优选实施方案三>
本发明的化合物优选具有如下式(III)所示结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000067
式(A)和式(B)于虚线位置相稠合；
L 1选自单键、取代或未取代C 1～C 10亚烷基、取代或未取代的C 6～C 30亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30亚杂芳基中的一种；
Ar 1选自取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
R 1、R 2、R 3、R 4和R 5独立地选自卤素、氨基、氰基、硝基、酯基、羟基、C 1～C 10硅烷基、取代或未取代的C 1～C 10链状烷基、取代或未取代的C 3～C 10环烷基、取代或未取代的C 2～C 10烯基、取代或未取代的C 2～C 10炔基、取代或未取代的C 1～C 10链状烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 30芳基氨基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基氨基、取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
m为0～6的整数，例如1、2、3、4、5等，且m≥2时，R 1相同或不同；
n为0～7的整数，例如1、2、3、4、5、6等，且n≥2时，R 2相同或不同；
p为0～2的整数，例如1、2、3、4、5等，且p＝2时，R 3相同或不同；
q为0～3的整数，例如1、2、3等，且q≥2时，R 4相同或不同；
s为0～4的整数，且s≥2时，R 5相同或不同；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、C 1～C 10链状烷基、C 3～C 10环烷基、C 1～C 6烷氧基、C 1～C 6硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30单环芳基、C 10～C 30稠环芳基、C 3～C 30单环杂芳基、C 6～C 30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
本发明提供了一种新型的化合物，该化合物中含有联萘及苯并芴两个单元分别同N原子相连的结构，再配合Ar 1，使化合物具有良好的空穴注入及空穴传输性能、良好的折光系数、较高的相变温度，从而使包含该化合物的OLED器件具有发光效率高，驱动电压低，使用寿命长的特点。
本发明的上述化合物中存在a、b和c三个稠合位点，根据稠合的位置不同，具体可以分为如下式(III-1)、式(III-2)、式(III-3)所示的三种结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000068
所述R 6具有与R 1～R 5相同的选择范围；所述r为0～6的整数，且r≥2时，R 6相同或不同。
本发明的上述化合物优选具有式(III-2)所示的结构，即，优选芴基和苯环在式(III-2)所示的位置稠合，这是由于6，7位稠合的分子构向在成膜时具有更优的排列，既能够有效降低空穴注入的能垒，又能够提高空穴传输能力，从而进一步提高器件性能。
本发明的上述化合物也优选具有下式(3-1)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000069
式(A-1)和式(B)于虚线位置相稠合；
所述L 1、Ar 1、R 1、R 2、R 3、R 4、R 5、s、p、n、m和q均具有与前文相同的选择范围。
本发明优选萘基和芳胺基取代在相邻的位置，这种特定的结构既能够有效降低空穴注入的能垒，又能够提高空穴传输能力，从而进一步提高器件的发光效率，降低驱动电压，延长使用寿命。
本发明的式(3-1)中存在a、b和c三个稠合位点，根据稠合的位置不同，具体可以分为如下式(3-1-1)、式(3-1-2)、式(3-1-3)所示的三种结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000070
所述L 1、Ar 1、R 1、R 2、R 6、R 4、m、n、r和q均具有与前文相同的选择范围。
上述式(3-1)进一步优选式(A-1)和式(B)于b位置稠合，即优选式(3-1-2)所示结构。
本发明的上述化合物还优选具有下式(3-2)所示的结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000071
式(A-2)和式(B)于虚线位置相稠合；
所述L 1、Ar 1、R 1、R 2、R 3、R 4、R 5、s、p、n、m和q均具有与前文相同的选择范围。
本发明的式(3-2)中存在a、b和c三个稠合位点，根据稠合的位置不同，具体可以分为如下式(3-2-1)、式(3-2-2)、式(3-2-3)所示的三种结构：
Figure PCTCN2020083499-appb-000072
所述L 1、Ar 1、R 1、R 2、R 6、R 4、m、n、r和q均具有与前文相同的选择范围。
上述式(3-2)进一步优选式(A-2)和式(B)于b位置稠合，即优选式(3-2-2)所示结构。
上述式(III)、式(3-1)、式(3-2)中，优选s、p、n、m和q均为0。上述式(III-1)、式(III-2)、式(III-3)、式(3-1-1)、式(3-1-2)、式(3-1-3)、式(3-2-1)、式(3-2-2)和式(3-2-3)中，优选n、m、q和r均为0。
本发明的上述化合物优选具有式(3-2-1)、式(3-2-2)或式(3-2-3)中n、m、q和r均为0的结构，更优选具有式(3-2-2)中n、m、q和r均为0的结构。
本发明的上述化合物中，L 1优选选自单键或者取代或未取代的亚苯基，更优选为单键；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、C 1～C 10链状烷基、C 3～C 10环烷基、C 1～C 6烷氧基、C 1～C 6硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30单环芳基、C 10～C 30稠环 芳基、C 3～C 30单环杂芳基、C 6～C 30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
本发明的上述化合物中，Ar 1优选选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基中的一种；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、C 1～C 10链状烷基、C 3～C 10环烷基、C 1～C 6烷氧基、C 1～C 6硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30单环芳基、C 10～C 30稠环芳基、C 3～C 30单环杂芳基、C 6～C 30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
本发明的上述化合物中，-L-Ar 1优选选自苯基、联苯基、三联苯基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑基或菲基中的一种。
本发明的上述式(III)所示结构的化合物优选为如下化合物T1-T255中的任意一种，但这些化合物仅为代表性的。
Figure PCTCN2020083499-appb-000073
Figure PCTCN2020083499-appb-000074
Figure PCTCN2020083499-appb-000075
Figure PCTCN2020083499-appb-000076
Figure PCTCN2020083499-appb-000077
Figure PCTCN2020083499-appb-000078
Figure PCTCN2020083499-appb-000079
Figure PCTCN2020083499-appb-000080
Figure PCTCN2020083499-appb-000081
本发明提供上述化合物在有机电致发光器件中的应用。上述化合物优选用作有机电致发光器件的电子阻挡层材料。
本发明提供一种有机电致发光器件，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的至少一层有机层，所述有机层中包含至少一种上述化合物。优选所述有机层包括电子阻挡层，且所述电子阻挡层中含有上述化合物。
<发明效果>
本发明通过设计“萘三芳胺”的结构，能够有效地调控目标分子的三线态能级，从而获得空穴传输性能好、三线态能级高的新型空穴传输材料。具体而言，通过将“萘三芳胺”设为萘环上二芳基胺基的邻位存在取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基的结构，或者，将“萘三芳胺”设为三“芳基”胺中的一个芳基为联萘基、另一个芳基为取代或未取代的苯并二甲基芴基、且第三个芳基为取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基的结构，就能调高分子的三线态能级，得到空穴传输性能好的新型空穴传输材料。
在萘环上二芳基胺基的邻位存在上述特定取代基的情况下，若进一步在分子的特定位点引入环烷基，则可以促进分子采取平面铺展的排列，在提升载流子传输性能的同时也能提高光取出效率，从而提升器件的光电、寿命性能，使该材料作为有机电致发光器件的空穴传输层材料或者电子阻挡层时，可以提高发光效率、降低启动电压及延长器件的使用寿命；若上述分子的萘环1-位上连接有另一个萘环，而2-位与二芳胺基相连，则本发明化合物具有大π平面结构，能有效改变分子空间结构，有利于改善膜内分子堆积，且由于邻位取代限制了N原子上芳环的转动，增强了该类材料的稳定性，使得利用该化合物作为有机电致发光器件的空穴传输层材料和/或电子阻挡层时，可以提高发光效率，降低启动电压，并且使得器件具有更长的使用寿命。
在芳胺中含有与氮相连的联萘基、苯并芴基和特定的芳香基团的情况下，化合物具有良好的空穴注入及空穴传输性能、良好的折光系数、较高的相变温度，将其用于器件中可以提高OLED器件的发光效率，降低驱动电压，延长使用寿命。
附图说明
图1为本发明化合物N1的分子结构模型图。
图2为本发明化合物N191的分子结构模型图。
图3为比较例化合物EMT-3的分子结构模型图。
图4为比较例化合物EMT-4的分子结构模型图。
具体实施方式
下面通过具体的实施方案来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施方案仅仅是用来帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
<本发明的有机电致发光器件的构成>
在具体实施例中，在第一电极下方或者第二电极上方可以使用基板。基板均为具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。此外，作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶体管(TFT)。
第一电极可以通过在基板上溅射或者沉积用作第一电极的材料的方式来形成。当第一电极作为阳极时，可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO 2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合。第一电极作为阴极时，可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
有机层可以通过真空热蒸镀、旋转涂敷、打印等方法形成于电极之上。用作有机层的化合物可以为有机小分子、有机大分子和聚合物，以及它们的组合。
空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL)，包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)中的至少一层的多层结构。
在本发明的一方面，空穴传输区的电子阻挡层可以选自本发明的一种或多种化合物。此时，空穴传输区的空穴传输层可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物如下面HT-1至HT-34所示的化合物，或者其任意组合。
在本发明的另一方面，空穴传输区的空穴传输层可以选自本发明的一种或多种化合物。此时，空穴传输区的电子阻挡层可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物如下面HT-1至HT-34所示的化合物，或者其任意组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000082
Figure PCTCN2020083499-appb-000083
Figure PCTCN2020083499-appb-000084
空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物，或者采用下述HI-1至HI-3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述HI-1至HI-3中的一种或多种化合物。
Figure PCTCN2020083499-appb-000085
发光层包括可以发射不同波长光谱的发光染料(即掺杂剂，dopant)，还可以同时包括主体材料(Host)。发光层可以是发射红、绿、蓝等单一颜色的单色发光层。多种不同颜色的单色发光层可以按照像素图形进行平面排列，也可以堆叠在一起而形成彩色发光层。当不同颜色的发光层堆叠在一起时，它们可以彼此隔开，也可以彼此相连。发光层也可以是能同时发射红、绿、蓝等不同颜色的单一彩色发光层。
根据不同的技术，发光层材料可以采用荧光电致发光材料、磷光电致发光材料、热活化延迟荧光发光材料等不同的材料。在一个OLED器件中，可以采用单一的发光技术，也可以采用多种不同的发光技术的组合。这些按技术分类的不同发光材料可以发射同种颜色的光，也可以发射不同种颜色的光。
在本发明的一方面，发光层采用荧光电致发光的技术。其发光层荧光主体材料可以选自、但不限于以下所罗列的BFH-1至BFH-17的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000086
在本发明的一方面，发光层采用荧光电致发光的技术。其发光层荧光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的BFD-1至BFD-12的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000087
Figure PCTCN2020083499-appb-000088
在本发明的一方面，发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层主体材料选自、但不限于GPH-1至GPH-80中的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000089
Figure PCTCN2020083499-appb-000090
Figure PCTCN2020083499-appb-000091
在本发明的一方面，发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的GPD-1至GPD-47的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000092
Figure PCTCN2020083499-appb-000093
Figure PCTCN2020083499-appb-000094
其中D为氘。
在本发明的一方面，发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的RPD-1至RPD-28的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000095
Figure PCTCN2020083499-appb-000096
在本发明的一方面，发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的YPD-1至YPD-11的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000097
在本发明的一方面，发光层采用热活化延迟荧光发光的技术。其发光层荧光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的TDE-1至TDE-39的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000098
Figure PCTCN2020083499-appb-000099
Figure PCTCN2020083499-appb-000100
在本发明的一方面，发光层采用热活化延迟荧光发光的技术。其发光层主体材料选自、但不限于TDH1至TDH24中的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000101
Figure PCTCN2020083499-appb-000102
OLED有机层还可以包括发光层与阴极之间的电子传输区。电子传输区可以为单层结构的电子传输层(ETL)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一层的多层结构。
本发明的一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57的一种或多种的组合。
Figure PCTCN2020083499-appb-000103
Figure PCTCN2020083499-appb-000104
Figure PCTCN2020083499-appb-000105
器件中还可以包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合：LiQ、LiF、NaCl、CsF、Li 2O、Cs 2CO 3、BaO、Na、Li或Ca。
<本发明化合物的制备方法>
下面通过具体合成实施例对本发明有机化合物的合成方法进行简要的说明。
以下合成例中所用溶剂和试剂，例如芳基溴代物、2-溴-9,9’-二甲基芴、2-溴代二苯并呋喃、2-溴代二苯并噻吩、4-溴联苯、4-环己基溴苯、4-(4’-环己基苯基)溴苯、三(二亚苄基丙酮)二钯、1,3-双(2，6-二异丙基苯基)氯化咪唑翁、甲苯、四氢呋喃、石油醚、正己烷、二氯甲烷、丙酮、硫酸钠、乙酸乙酯、乙醇、乙酸、磷酸钾、三特丁基膦、叔丁基醇钾/钠、苯胺、1-萘胺、2-萘胺、2-氨基联苯、2-氨基-4-甲氧基-5'-甲氧基-1,2'-联萘，2-氨基-1,2'-联萘、2-氨基-4-甲氧基-5'-甲氧基-1,1'-联萘，2-氨基-1,1'-联萘、[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、三苯基膦等化学试剂，均可以从国内化工产品市场购买或定制，例如购买自国药集团试剂公司、上海泰坦科技股份有限公司、西陇化工股份有限公司、Sigma-Aldrich公司、百灵威试剂公司。另外，中间体通过试剂公司定制，本领域技术人员也可以通过公知方法合成。
本发明通式(I)的化合物的代表性合成路径如下，但本发明化合物的合成方法并不受限于此。
Figure PCTCN2020083499-appb-000106
其中，m、n、R 1、R 2、L 1、L 2、L 3、Ar 1、Ar 2和Ar 3均与通式(I)中的符号具有相同的意义。
更具体的，本发明如下合成例示例性地提供了代表化合物的具体合成方法。确定下述化合物所用的质谱仪采用的是ZAB-HS型质谱仪测定(英国Micromass公司制造)。
<优选实施方案一的化合物的合成>
合成例1-1：化合物P1的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000107
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P1。
M/Z理论值：619；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：620。
合成例1-2：化合物P3的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000108
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、 0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-1、16g(100mmol)4-(4-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P3。
M/Z理论值：695；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：696。
合成例1-3：化合物P11的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000109
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-1、16g(100mmol)2-环己基-4苯基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P11。
M/Z理论值：695；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：696。
合成例1-4：化合物P31的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000110
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-1、20g(100mmol)2-苯基-4(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P31。
M/Z理论值：771；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：772。
合成例1-5：化合物P37的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000111
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-2、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P37。
M/Z理论值：619；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：620。
合成例1-6：化合物P39的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000112
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M1、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M1-2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M1-2、16g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P39。
M/Z理论值：695；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：696。
合成例1-7：化合物P61的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000113
在1000mL单口瓶中，加入16.5g(50mmol)M2、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M2-1。
在1000mL单口瓶中，加入26.5g(50mmol)M2-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P61。
M/Z理论值：685；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：686。
合成例1-8：化合物P62的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000114
在1000mL单口瓶中，加入16.5g(50mmol)M2、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M2-1。
在1000mL单口瓶中，加入26.5g(50mmol)M2-1、16g(100mmol)4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P62。
M/Z理论值：762；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：763。
合成例1-9：化合物P73的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000115
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M3、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M3-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M3-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P73。
M/Z理论值：619；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：620。
合成例1-10：化合物P75的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000116
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M3、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M3-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M3-1、16g(100mmol)4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P75。
M/Z理论值：695；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：696。
合成例1-11：化合物P97的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000117
在1000mL单口瓶中，加入15.5g(50mmol)M4、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M4-1。
在1000mL单口瓶中，加入25g(50mmol)M4-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P97。
M/Z理论值：659；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：660。
合成例1-12：化合物P109的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000118
在1000mL单口瓶中，加入16.2g(50mmol)M5、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M5-1。
在1000mL单口瓶中，加入26g(50mmol)M5-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P109。
M/Z理论值：675；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：676。
合成例1-13：化合物P121的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000119
在1000mL单口瓶中，加入19.5g(50mmol)M6、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M6-1。
在1000mL单口瓶中，加入29g(50mmol)M6-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P121。
M/Z理论值：734；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：735。
合成例1-14：化合物P133的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000120
在1000mL单口瓶中，加入19.5g(50mmol)M7、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M7-1。
在1000mL单口瓶中，加入29g(50mmol)M7-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P133。
M/Z理论值：734；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：735。
合成例1-15：化合物P173的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000121
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M8、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol) 叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M8-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M8-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P173。
M/Z理论值：619；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：620。
合成例1-16：化合物P189的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000122
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M8、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M8-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M8-1、20g(100mmol)2-苯基-4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P189。
M/Z理论值：771；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：772。
合成例1-17：化合物P198的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000123
在1000mL单口瓶中，加入15.5g(50mmol)M9、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M9-1。
在1000mL单口瓶中，加入25g(50mmol)M9-1、16g(100mmol)4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P198。
M/Z理论值：735；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：736。
合成例1-18：化合物P209的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000124
在1000mL单口瓶中，加入16g(50mmol)M10、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M10-1。
在1000mL单口瓶中，加入26g(50mmol)M10-1、12g(100mmol)4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P209。
M/Z理论值：675；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：676。
合成例1-19：化合物P224的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000125
在1000mL单口瓶中，加入19g(50mmol)M11、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M11-1。
在1000mL单口瓶中，加入29g(50mmol)M11-1、16g(100mmol)2-苯基-4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P224。
M/Z理论值：810；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：811。
合成例1-20：化合物P229的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000126
在1000mL单口瓶中，加入19g(50mmol)M12、16g(50mmol)4-(4-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M12-1。
在1000mL单口瓶中，加入31g(50mmol)M12-1、12g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P229。
M/Z理论值：776；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：777。
合成例1-21：化合物P269的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000127
在1000mL单口瓶中，加入16g(50mmol)M13、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M13-1。
在1000mL单口瓶中，加入26.5g(50mmol)M13-1、12g(100mmol)4-(4’-环己基苯基)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P269。
M/Z理论值：685；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：686。
合成例1-22：化合物P179的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000128
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)M8、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M8-1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)M8-1、16.5g(100mmol)1-环己基-4溴二苯并呋喃、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P179。
M/Z理论值：709；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：710。
合成例1-23：化合物P287的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000129
在1000mL单口瓶中，加入26g(50mmol)M15、24g(100mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol) 三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P287。
M/Z理论值：839；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：840。
合成例1-24：化合物P42的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000130
在1000mL单口瓶中，加入17g(50mmol)M16、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M16-1。
在1000mL单口瓶中，加入27g(50mmol)M16-1、12g(50mmol)4-溴联苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P42。
M/Z理论值：695；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：696。
合成例1-25：化合物P278的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000131
在1000mL单口瓶中，加入11g(50mmol)M17、13.6g(50mmol)3-溴-9,9-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5g IPr.HCl，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末M17-1。
在1000mL单口瓶中，加入21g(50mmol)M17-1、12g(50mmol)4-环己基溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦((t-Bu) 3P)，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末P278。
M/Z理论值：569；ZAB-HS型质谱仪(英国Micromass公司制造)M/Z实测值：570。
<优选实施方案二的化合物的合成>
在本发明中，对所述化合物的合成方法进行简要说明，所述化合物的代表性合成路径如下：
Figure PCTCN2020083499-appb-000132
基于以上化合物的合成路线和思路，本领域人员能够获得取代基为Ar 1、Ar 2、R 1和R 2的化合物。
合成例2-1：化合物N1合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000133
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、15.7g(100mmol)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯(Toluene)，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N1，M/Z理论值:421,M/Z实测值:422。
合成例2-2：化合物N13合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000134
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、8.5g(50mmol)2-甲基溴苯、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl 2)、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(Sphos)、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S0。
在1000mL单口瓶中，加入18g(50mmol)S0，9.5g(50mmol)对溴苯甲醚，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N13,M/Z理论值:465,M/Z实测值:466。
合成例2-3：化合物N34合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000135
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、12g(50mmol)2-溴联苯、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl 2)、2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S0-1。
在1000mL单口瓶中，加入21g(50mmol)S0-1，12g(50mmol)对溴联苯，0.9g(1mmol) 三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N34,M/Z理论值:573,M/Z实测值:574。
合成例2-4：化合物N63合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000136
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、27g(100mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)、500mL甲苯(Toluene)，14.4g(150mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N63,M/Z理论值:653,M/Z实测值:654。
合成例2-5：化合物N93合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000137
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl 2)、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，16.1g(50mmol)4-(4-溴-苯基)-二苯并呋喃，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到 N93,M/Z理论值:703,M/Z实测值:704。
合成例2-6：化合物N94合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000138
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，16.1g(50mmol)3-(4-溴-苯基)-二苯并呋喃，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N94，M/Z理论值:703，M/Z实测值:704。
合成例2-7：化合物N100合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000139
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、10.3g(50mmol)2-溴萘、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S2，8.3g(50mmol)溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500ml甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N100，M/Z理论值:471,M/Z实测值:472。
合成例2-8：化合物N120合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000140
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13g(50mmol)9-溴菲、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl 2)、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S0-2。
在1000mL单口瓶中，加入22g(50mmol)S0-2，15g(50mmol)3,5-二苯基溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N120，M/Z理论值:673,M/Z实测值:674。
合成例2-9：化合物N134合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000141
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，11.5g(50mmol)3-溴-联苯，0.9g(1mmol) 三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N134,M/Z理论值:613,M/Z实测值:614。
合成例2-10：化合物N147合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000142
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，10.4g(50mmol)2-溴萘，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N147,M/Z理论值:587,M/Z实测值:588。
合成例2-11：化合物N170合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000143
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、27g(100mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕， 停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N170,M/Z理论值:653,M/Z实测值:654。
合成例2-12：化合物N176合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000144
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N176,M/Z理论值:653,M/Z实测值:654。
合成例2-13：化合物N191合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000145
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,2'-联萘、15.7g(100mmol)溴苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N191,M/Z理论值:421,M/Z实测值:422。
合成例2-14：化合物N314合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000146
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13g(50mmol)9-溴蒽、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl 2)、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S0-3。
在1000mL单口瓶中，加入22g(50mmol)S0-3，15g(50mmol)3,5-二苯基溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦(P(t-Bu) 3)甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N314,M/Z理论值:673,M/Z实测值:674。
合成例2-15：化合物N325合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000147
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,2'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，11.5g(50mmol)3-溴-联苯，0.9g(1mmol) 三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N325,M/Z理论值:613,M/Z实测值:614。
合成例2-16：化合物N331合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000148
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,2'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S2，12.3g(50mmol)2-溴-二苯并呋喃，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N331,M/Z理论值:627,M/Z实测值:628。
合成例2-17：化合物N337合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000149
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,2'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S2，10.4g(50mmol)2-溴萘，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N337,M/Z理论值:587,M/Z实测值:588。
合成例2-18：化合物N371合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000150
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、32.2g(100mmol)9-(4-溴苯基)-咔唑、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N371,M/Z理论值:751,M/Z实测值:752。
合成例2-19：化合物N372合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000151
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、32.2g(100mmol)9-(3-溴苯基)-咔唑、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N372,M/Z理论值:751,M/Z实测值:752。
合成例2-20：化合物N373合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000152
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、30.9g(100mmol)3-溴三联苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N373,M/Z理论值:725,M/Z实测值:726。
合成例2-21：化合物N374合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000153
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、24.5g(100mmol)4-溴二苯并呋喃、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N374,M/Z理论值:601.31M/Z实测值:602。
合成例2-22：化合物N375合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000154
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、32.3g(100mmol)4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止 反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N375,M/Z理论值:753,M/Z实测值:754。
合成例2-23：化合物N376合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000155
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基0.5mL-1,1'-联萘、10g(100mmol)2-溴萘、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N376,M/Z理论值:521,M/Z实测值:522。
合成例2-24：化合物N377合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000156
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、32.2g(100mmol)(9-苯基)-3-溴代咔唑、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N377,M/Z理论值:751,M/Z实测值:752。
合成例2-25：化合物N378合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000157
在1000mL单口瓶中，加入6.7g(25mmol)2-氨基-1,1'-联萘、20g(100mmol)4-溴-9,9'-螺二芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦、500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温， 对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N378,M/Z理论值:898,M/Z实测值:898。
合成例2-26：化合物N379合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000158
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，32.2g(100mmol)9-(4-溴苯基)-咔唑，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N379,M/Z理论值:702,M/Z实测值:703。
合成例2-27：化合物N380合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000159
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，32.2g(100mmol)9-(3-溴苯基)-咔唑，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦 甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N380,M/Z理论值:702,M/Z实测值:703。
合成例2-28：化合物N381合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000160
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，16.1g(100mmol)(9-苯基)-3-溴代咔唑，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N381,M/Z理论值:702,M/Z实测值:703。
合成例2-29：化合物N382合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000161
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-4-甲氧基-5'-甲氧基-1,1'-联萘、27g(100mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、0.5mL三特丁基膦，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末N382,M/Z理论值:713,M/Z实测值:714。
合成例2-30：化合物N383合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000162
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-4-甲氧基-5'-甲氧基-1,2'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S2。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S2，12.3g(50mmol)2-溴-二苯并呋喃，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N383,M/Z理论值:687,M/Z实测值:688。
合成例2-31：化合物N387合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000163
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)2-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S1。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S1，13.5g(100mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N387，M/Z理论值:653,M/Z实测值:654。
合成例2-32：化合物N389合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000164
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，12g(100mmol)对溴联苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N389，M/Z理论值:633,M/Z实测值:634。
合成例2-33：化合物N396合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000165
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，10.5g(100mmol)2-溴萘，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N396，M/Z理论值:587,M/Z实测值:588。
合成例2-34：化合物N405合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000166
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，8.7g(100mmol)溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N405，M/Z理论值:537,M/Z实测值:538。
合成例2-35：化合物N406合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000167
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，12g(100mmol)2-溴联苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N405，M/Z理论值:613,M/Z实测值:614。
合成例2-36：化合物N409合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000168
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，17.5g(100mmol)3-(2-(9,9-二甲基芴基))溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N409，M/Z理论值:729,M/Z实测值:730。
合成例2-37：化合物N414合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000169
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，15g(100mmol)3，5-二苯基溴苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N414，M/Z理论值:689,M/Z实测值:690。
合成例2-38：化合物N418合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000170
在1000mL单口瓶中，加入13.5g(50mmol)2-氨基-1,1'-联萘、13.5g(50mmol)3-溴-9,9'-二甲基芴、0.7g(1mmol)[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯、0.5g 2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，500mL甲苯，14.4g(150mmol)叔丁醇钠，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应5h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，加入甲醇搅拌1h，抽滤得到淡黄色粉末S4。
在1000mL单口瓶中，加入23g(50mmol)S4，15g(100mmol)2-苯基-1-溴-联苯，0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯，500mL甲苯，抽真空换氮气3次，加入0.5mL三特丁基膦甲苯溶液，升温至110℃反应12h，反应完毕，蒸除溶剂，硅胶柱层析，得到N414，M/Z理论值:689,M/Z实测值:690。
<优选实施方案三的化合物的合成>
本发明式(III-1)、式(III-2)和式(III-3)所示的化合物的合成路径如下：
Figure PCTCN2020083499-appb-000171
Figure PCTCN2020083499-appb-000172
下面将以多个合成例为例来详述本发明的上述新化合物的具体制备方法，但本发明的制备方法并不限于这些合成例。
合成例3-1：化合物T1的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000173
在500mL单口瓶中，加入15g(55.69mmol)化合物P、18g(55.69mmol)3-溴-11，11-二甲基-苯并芴、0.4g(556.92μmol)1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯(即Pd(dppf)Cl 2)、0.45g(1.1mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，200mL甲苯(toluene)，16.06g(167.08mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应12h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物PM。M/Z理论值:511，M/Z实测值:512。
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PM、7.9g(50.82mmol溴苯、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯，300mL甲苯(Toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T1。M/Z理论值:587，M/Z实测值:588。
合成例3-2：化合物T2的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000174
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PM、11.85g(50.82mmol)4-溴联苯、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T2。M/Z理论值:663，M/Z实测值:664。
合成例3-3：化合物T11的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000175
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PM、13.07g(50.82mmol)9-溴菲、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T11。M/Z理论值:687，M/Z实测值:688。
合成例3-4：化合物T12的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000176
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PM、8.69g(50.82mmol)1-溴-4-甲基苯、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T12。M/Z理论值:601，M/Z实测值:602。
合成例3-5：化合物T81的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000177
在500mL单口瓶中，加入15g(55.69mmol)化合物P、18g(55.69mmol)2-溴-11,11-二甲基-苯并芴、0.4g(556.92μmol)1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯(即Pd(dppf)Cl 2)、0.45g(1.1mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，200mL甲苯(toluene)，16.06g(167.08mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应12h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物PN。M/Z理论值:511，M/Z实测值:512。
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PN、13.37g(50.82mmol)4-溴二苯并噻吩、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(Toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T81。M/Z理论值:693，M/Z实测值:694。
合成例3-6：化合物T163的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000178
在500mL单口瓶中，加入15g(55.69mmol)化合物PA、18g(55.69mmol)4-溴-11,11-二甲基-苯并芴、0.4g(556.92μmol)1,1'-双二苯基膦二茂铁二氯化钯(即Pd(dppf)Cl 2)、0.45g (1.1mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，200mL甲苯(Toluene)，16.06g(167.08mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至90℃反应12h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物PQ。M/Z理论值:511，M/Z实测值:512。
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PQ、11.85g(50.82mmol)间溴甲苯、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(Toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T163。M/Z理论值:663，M/Z实测值:664。
合成例3-7：化合物T170的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000179
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PQ、10.52g(50.82mmol)2-溴萘、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T170。M/Z理论值:637，M/Z实测值:638。
合成例3-8：化合物T232的合成
Figure PCTCN2020083499-appb-000180
在500mL单口瓶中，加入20g(39.09mmol)化合物PQ、16.42g(50.82mmol)4-(4-溴苯基)-二苯并呋喃、0.71g(781.78μmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(即Pd 2(dba) 3)、0.64g(1.56mmol)2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(即sphos)，300mL甲苯(toluene)，11.27g(117.27mmol)叔丁醇钠(NaOBu-t)，抽真空换氮气3次，反应升温至110℃反应10h。反应完毕，停止反应。冷却至室温，对反应液分液，浓缩有机相，进行硅胶柱层析得化合物T232。M/Z理论值:753，M/Z实测值:754。
下面通过将本发明的化合物具体应用到有机电致发光器件中测试实际使用性能来展示和验证本发明的技术效果和优点。
<使用了优选实施方案一的化合物的器件>
实施例1-1
本实施例提供一种有机电致发光器件，具体制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至小于1×10 -5Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-4:HI-3(97/3,w/w)混合物作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-4作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为60nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀合成例1-1合成的化合物P1作为器件的电子阻挡层材料，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为60nm；
在电子阻挡层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-59蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-8蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为40nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-46，50％的比例设定和ET-57，50％的比例设定，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为25nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例1-2～1-25
实施例1-2～1-25的制作过程同实施例1-1，区别是将电子阻挡层材料化合物P1分别替换为如表1中所示化合物。
比较例1-1～1-2
比较例1-1～1-2的制作过程同实施例1-1，区别是将电子阻挡层材料化合物P1分别替换为化合物R-1、R-2，比较例1-1～1-2采用的化合物的结构如下：
Figure PCTCN2020083499-appb-000181
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
(1)在同样亮度下，使用数字源表(Keithley2400)及亮度计(ST-86LA型亮度计，北京师范大学光电仪器厂)测定实施例1-1～1-25和比较例1-1～1-2制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到5000cd/m 2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率；
(2)LT95的寿命测试如下：使用亮度计在5000cd/m 2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为4750cd/m 2的时间，单位为小时。
测试结果见表1。
表1
Figure PCTCN2020083499-appb-000182
从表1结果可以看出，本发明所述化合物用于有机电致发光器件的空穴传输材料时，器件亮度达到5000cd/m 2时，驱动电压低至5.0V以下，电流效率高达12.8cd/A以上，和比较例1-1～1-2相比，可以有效的降低驱动电压、提高电流效率，是性能良好的电子阻挡材料。其原因尚不明确， 但推测如下：与比较例1-1的化合物R-1相比，本发明实施例1-1～1-25的化合物用作有机电致发光器件的电子阻挡材料时，由于具有特定位置取代的环烷基，且在萘环上胺基的邻位具有芳香取代基，从而可以促进分子在器件平面上进行铺展，诱导其后沉积的发光层分子也采取如此的平面空间堆叠；而以平面铺展的方式堆叠的发光分子有利于提升光取出效率，从而提升电流效率。而比较例1-2所采用的化合物R-2，只是缺少了在胺基邻位的芳香取代基，竟也无法实现高的效率，且电压也居高不下，可见该类分子无法实现本发明化合物所具有的有利分子排列。以上分析足见本发明化合物之独特分子结构，是实现器件实施例所表现优异性能的关键所在。使用本发明的化合物的有机电致发光器件亮度达到5000cd/m 2时，驱动电压低至5.0V及以下，电流效率高达12.8cd/A及以上，LT95达到21h及以上。
<使用了优选实施方案二的化合物的器件>
实施例2-1
本实施例提供一种有机电致发光器件，具体制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至<1×10 -5Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HI-3作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀合成例2-1制备的化合物N1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上，真空蒸镀HT-14作为器件的电子阻挡层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在电子阻挡层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-59蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-8蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为30nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-46，50％的比例设定和ET-57，50％的比例设定，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例2-2～2-33和比较例2-1～2-4
实施例2-2～2-33、比较例2-1～2-4的制作过程同实施例2-1，区别是将化合物N1分别替换为表2中所示的化合物作为空穴传输材料。
比较例2-1～2-4中的空穴传输材料EMT-1～EMT-4的结构如下：
Figure PCTCN2020083499-appb-000183
对实施例2-1～2-33以及比较例2-1～2-4制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用数字源表及亮度计测定实施例2-1～2-33以及比较例2-1～2-4中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到3000cd/m 2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率；LT95的寿命测试如下：使用亮度计在5000cd/m 2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为4750cd/m 2的时间，单位为小时。测定结果如表2所示。
表2
Figure PCTCN2020083499-appb-000184
Figure PCTCN2020083499-appb-000185
从表2结果可以看出，本发明实施例2-1～2-33的化合物用于有机电致发光器件的空穴传输材料时，器件亮度达到3000cd/m 2时，驱动电压低至3.5V以下，电流效率高达10.5cd/A以上；LT95达到152h以上，可以有效的降低驱动电压、提高电流效率、延长器件使用寿命，是性能良好的空穴传输材料。与此相对，使用了比较例2-1～2-4的化合物作为空穴传输材料的有机电致发光器件在驱动电压、电流效率、使用寿命等方面均存在不同程度的不足。其原因尚不明确，但推测如下：比较例2-1和2-2中使用的化合物EMT-1和EMT-2的分子结构中，R 2为芳胺基；比较例2-3和2-4中使用的化合物EMT-3和EMT-4的分子结构中，萘环上的芳胺基与萘基不处于邻位；这些化合物均不满 足本发明权利要求1的限定，因此无法实现本发明的技术效果。
实施例2-34
本实施例提供一种有机电致发光器件，具体制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至<1×10 -5Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HI-3作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-4作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀合成例1合成的化合物N1作为器件的电子阻挡层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在电子阻挡层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-59蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-8蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为30nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-46，50％的比例设定和ET-57，50％的比例设定，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例2-35～2-71和比较例2-5～2-8
实施例2-35～2-71、比较例2-5～2-8的制作过程同实施例2-34，区别是将化合物N1分别替换为表3中所示的化合物作为电子阻挡层材料。
对实施例2-34～2-71以及比较例2-5～2-8制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用数字源表及亮度计测定实施例2-34～2-71以及比较例2-5～2-8中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到3000cd/m 2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率；LT95的寿命测试如下：使用亮度计在5000cd/m 2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为4750cd/m 2的时间，单位为小时，测定结果如表3所示。
表3
Figure PCTCN2020083499-appb-000186
Figure PCTCN2020083499-appb-000187
Figure PCTCN2020083499-appb-000188
由表3中数据可以看出，本发明实施例2-34～2-71的化合物用于有机电致发光器件的电子阻挡层材料时，器件亮度达到3000cd/m 2时，驱动电压低至3.8V以下，电流效率高达12.5cd/A以上；LT95达到167h以上，可以有效的降低驱动电压、提高电流效率、延长器件使用寿命，是性能良好的电子阻挡层材料。与此相对，使用了比较例2-5～2-8的化合物作为电子阻挡层材料的有机电致发光器件在驱动电压、电流效率、使用寿命等方面均存在不同程度的不足。其原因尚不明确，但推测如下：比较例2-5和2-6中使用的化合物EMT-1和EMT-2的分子结构中，R 2为芳胺基；比较例2-7和2-8中使用的化合物EMT-3和EMT-4的分子结构中，萘环上的芳胺基与萘基不处于邻位；这些化合物均不满足本发明权利要求1的限定，因此无法实现本发明的技术效果。
从上述结果可知，上述化合物既能作为HTL(空穴传输)材料使用，也可以同其他空穴传输材料搭配作为EBL(电子阻挡层)材料使用。当其作为空穴传输材料使用时，所有实施例的电压均显著降低、性能和寿命明显提高。当其作为EBL材料同其他空穴传输材料搭配使用时，所有实施例的器件电压略有升高，但器件的效率和寿命均进一步大幅提升。根据本发明化合物的分子结构模型图(图1和图2)与对比化合物的分子结构模型图(图3和图4)的对比可以得出，本发明提供的邻位取代萘基的联萘化合物不仅保留了对比例化合物(例如EMT-3～EMT-4)的大π平面结构，同时能有效改变分子空间结构，有利于改善膜内分子堆积，从而导致该类材料同对比例相比具有更好的效率；进一步的高斯计算(Gaussian)表明，由于同时由于邻位取代限制了N原子上芳环的转动，从而增强了该类材料的稳定性，因而材料具有更长的使用寿命。
<使用了优选实施方案三的化合物的器件>
实施例3-1
本实施例提供一种有机电致发光器件，具体制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至小于1×10 -5Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HI-3作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-4作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为60nm；
在空穴传输层之上，真空蒸镀化合物T1作为器件的电子阻挡层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为60nm；
在电子阻挡层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-59蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-8蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为40nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-46，50％的比例设定和ET-57，50％的比例设定，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为25nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例3-2～3-25和比较例3-1
实施例3-2～3-12、比较例3-1的制作过程同实施例3-1，区别是将电子阻挡层材料化合物T1分别替换为表3中所示的化合物。
比较例3-1中电子阻挡层材料的结构如下(详见专利WO2019/004587A1)
Figure PCTCN2020083499-appb-000189
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用Photo Research公司的PR750型光辐射计、ST-86LA型亮度计(北京师范大学光电仪器厂)及Keithley4200测试系统测定实施例和比较例制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到5000cd/m 2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率；LT95的寿命测试如下：使用亮度计在5000cd/m 2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为4750cd/m 2的时间，单位为小时。以比较例3-1的寿命为标准100％，其他为与其比值。
测定结果如表4所示。
表4
Figure PCTCN2020083499-appb-000190
从表4的结果可以看出，本发明提供的化合物用于有机电致发光器件的电子阻挡层材料时，器件亮度达到5000cd/m 2时，驱动电压低为4.5～5.2V，电流效率为16.4～18.3cd/A，可以有效的降低驱动电压、提高电流效率、延长器件使用寿命，是性能良好的电子阻挡材料。
比较例1-1所使用的电子阻挡层材料C1中取代在萘环上的基团为苯基，不存在本发明中的联萘基团，因此比较例1-1的器件的性能相较于实施例明显下降，驱动电压高达5.5V，电流效率仅为13cd/A。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方案的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方案予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (17)

  1. 一种化合物，其特征在于，具有如(I)所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100001
    式(I)中，Ar 1和Ar 2各自独立地选自氢、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基，且Ar 1为氢时，L 1不为单键，Ar 2为氢时，L 2不为单键，Ar 3选自取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基；
    L 1～L 3各自独立地选自单键、取代或未取代C 1～C 10亚烷基、取代或未取代的C 6～C 50亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30亚杂芳基；
    m为0～6的整数，n为0～15的整数；
    R 1各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氨基、胺基、氰基、硝基、酯基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C 1～C 20烷基、取代或未取代的C 3～C 20环烷基、取代或未取代的C 2～C 20烯基、取代或未取代的C 2～C 20炔基、取代或未取代的C 1～C 20烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基；
    R 2为Ar 1～Ar 3、L 1～L 3、R 1及式(I)中的萘环上的取代基，各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氨基、胺基、氰基、硝基、酯基、羟基、C 1～C 10硅烷基、取代或未取代的C 1～C 20烷基、取代或未取代的C 3～C 20环烷基、C 2～C 12烯基、C 2～C 12炔基、取代或未取代的C 1～C 12烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基；
    Figure PCTCN2020083499-appb-100002
    基团位于
    Figure PCTCN2020083499-appb-100003
    基团的邻位且R 1和R 2不为胺基，或者Ar 1为取代或未取代的C 6-C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、Ar 2为取代或未取代的苯并二甲基芴基、且Ar 3为取代或未取代的萘基；
    上述取代或未取代的各基团具有取代基时，该取代基选自卤素、氰基、硝基、酯基、羟基、羰基、羧基、氰基、胺基、C 1～C 10硅烷基、C 1～C 20烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 2～C 10炔基、C 1～C 20的烷氧基或硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者多种。
  2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，
    Figure PCTCN2020083499-appb-100004
    基团位于
    Figure PCTCN2020083499-appb-100005
    基团的邻位，
    Ar 1～Ar 3各自独立地选自取代或未取代的C 6～C 30芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基；
    L 1～L 3各自独立地选自单键、取代或未取代的C 6～C 30亚芳基或者取代或未取代的C 6～C 30亚杂芳基；
    m为1～6的整数，n为1～15的整数；
    R 1各自独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 2～C 20炔基、C 1～C 20烷氧基、取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
    R 2为Ar 1～Ar 3、L 1～L 3、R 1及式(I)中的萘环上的取代基，各自独立地选自氢、取代或未取代的C 3～C 20的环烷基中的一种，且至少有一个R 2选自取代或未取代的C 3～C 20环烷基；
    上述取代或未取代的各基团具有取代基时，该取代基选自卤素、C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、C 2～C 20烯基、C 1～C 20的烷氧基或硫代烷氧基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者多种的组合。
  3. 根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，
    L 1和L 2各自独立地选自单键、亚苯基或亚萘基，L 3为单键；Ar 1为取代或未取代的C 10～C 30稠环芳基或者取代或未取代的C 6～C 30稠环杂芳基；Ar 2为取代或未取代的C 6～C 30单环单环芳基或者取代或未取代的C 3～C 30杂芳基；Ar 3为取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、或者取代或未取代的二苯并X杂环戊二烯，X为氧、氮、硫、或者硅，上述取代或未取代的各基团具有取代基时，该取代基选自C 1～C 20链状烷基、C 3～C 20环烷基、C 6～C 30芳基或者C 3～C 30杂芳基；
    R 2选自以下结构之一：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100006
    优选Ar 1选自以下结构之一：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100007
    Ar 2选自以下结构之一：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100008
    其中，虚线表示基团的接入位点，虚线划过苯环的表示方法，代表基团的连接位点可以为苯环上的任意可成键位置；
    优选
    Figure PCTCN2020083499-appb-100009
    基团位于萘环的1-位或2-位，且
    Figure PCTCN2020083499-appb-100010
    基团位于萘环的1-位时，
    Figure PCTCN2020083499-appb-100011
    基团位于萘环的2-位；
    优选R 2各自独立地选自环戊基、环己基和环庚基；
    更优选Ar 1和Ar 2中至少有一个具有取代或未取代的C 3～C 20环烷基取代基；
    进一步优选为Ar 2上具有取代或未取代的C 3～C 20环烷基取代基。
  4. 根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有如P1～P291所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100012
    Figure PCTCN2020083499-appb-100013
    Figure PCTCN2020083499-appb-100014
    Figure PCTCN2020083499-appb-100015
    Figure PCTCN2020083499-appb-100016
    Figure PCTCN2020083499-appb-100017
    Figure PCTCN2020083499-appb-100018
    Figure PCTCN2020083499-appb-100019
    Figure PCTCN2020083499-appb-100020
    Figure PCTCN2020083499-appb-100021
    Figure PCTCN2020083499-appb-100022
    Figure PCTCN2020083499-appb-100023
    Figure PCTCN2020083499-appb-100024
    Figure PCTCN2020083499-appb-100025
    Figure PCTCN2020083499-appb-100026
    Figure PCTCN2020083499-appb-100027
    Figure PCTCN2020083499-appb-100028
    Figure PCTCN2020083499-appb-100029
    Figure PCTCN2020083499-appb-100030
    Figure PCTCN2020083499-appb-100031
    Figure PCTCN2020083499-appb-100032
    Figure PCTCN2020083499-appb-100033
    Figure PCTCN2020083499-appb-100034
    Figure PCTCN2020083499-appb-100035
    Figure PCTCN2020083499-appb-100036
  5. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，
    所述化合物具有如下式(II)所示结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100037
    其中，L 1和L 2各自独立地选自单键、取代或未取代的C 6～C 50的亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30的亚杂芳基；
    Ar 1和Ar 2各自独立地选自氢、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 6～C 50稠合芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、取代或未取代的C 3～C 30稠合杂芳基，且Ar 1为氢时，L 1不为单键，Ar 2为氢时，L 2不为单键；
    R 1和R 2各自独立地选自氢、卤素、羰基、羧基、氰基、胺基、C 1～C 20的烷基、C 3～C 20的环烷基、C 2～C 12的烯基、C 2～C 12的炔基、C 1～C 12的烷氧基、取代或未取代的C 6～C 50芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基、C 6～C 50稠合芳基，且R 1和R 2以单键的方式连接在萘环上；
    m为0～6的整数，n为0～7的整数；
    当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、羰基、羧基、氰基、胺基、C 1～C 10的烷基、C 3～C 10的环烷基、C 2～C 10烯基、C 1～C 6的烷氧基、C 1～C 6的硫代烷氧基、C 6～C 30的单环芳基或稠环芳基、C 3～C 30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或多种。
  6. 根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，
    L 1和L 2为单键；R 1和R 2为氢；Ar 1和Ar 2各自独立地选自C 6～C 50的芳基或稠合芳基、C 3～C 30的杂芳基或稠合杂芳基；
    优选Ar 1和Ar 2各自独立地选自
    Figure PCTCN2020083499-appb-100038
    Figure PCTCN2020083499-appb-100039
    其中
    Figure PCTCN2020083499-appb-100040
    代表基团的接入位置；
    更优选Ar 1和Ar 2各自独立地选自
    Figure PCTCN2020083499-appb-100041
  7. 根据权利要求1或5所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有如N1～N419所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100042
    Figure PCTCN2020083499-appb-100043
    Figure PCTCN2020083499-appb-100044
    Figure PCTCN2020083499-appb-100045
    Figure PCTCN2020083499-appb-100046
    Figure PCTCN2020083499-appb-100047
    Figure PCTCN2020083499-appb-100048
    Figure PCTCN2020083499-appb-100049
    Figure PCTCN2020083499-appb-100050
    Figure PCTCN2020083499-appb-100051
    Figure PCTCN2020083499-appb-100052
    Figure PCTCN2020083499-appb-100053
    Figure PCTCN2020083499-appb-100054
    Figure PCTCN2020083499-appb-100055
    Figure PCTCN2020083499-appb-100056
    Figure PCTCN2020083499-appb-100057
  8. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，
    所述化合物如下式(III)所示：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100058
    式(A)和式(B)于虚线位置相稠合；
    L 1选自单键、取代或未取代C 1～C 10亚烷基、取代或未取代的C 6～C 30亚芳基、取代或未取代的C 3～C 30亚杂芳基中的一种；
    Ar 1选自取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
    R 1、R 2、R 3、R 4和R 5独立地选自卤素、氨基、氰基、硝基、酯基、羟基、C 1～C 10硅烷基、取代或未取代的C 1～C 10链状烷基、取代或未取代的C 3～C 10环烷基、取代或未取代的C 2～C 10烯基、取代或未取代的C 2～C 10炔基、取代或未取代的C 1～C 10链状烷氧基、取代或未取代的C 3～C 10环烷氧基、取代或未取代的C 6～C 30芳基氨基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基氨基、取代或未取代的C 6～C 30芳基、取代或未取代的C 3～C 30杂芳基中的一种；
    m为0～6的整数，且m≥2时，R 1相同或不同；
    n为0～7的整数，且n≥2时，R 2相同或不同；
    p为0～2的整数，且p＝2时，R 3相同或不同；
    q为0～3的整数，且q≥2时，R 4相同或不同；
    s为0～4的整数，且s≥2时，R 5相同或不同；
    当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、C 1～C 10链状烷基、C 3～C 10环烷基、C 1～C 6烷氧基、C 1～C 6硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30单环芳基、C 10～C 30稠环芳基、C 3～C 30单环杂芳基、C 6～C 30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
  9. 根据权利要求8所述的化合物，其特征在于，
    具有下式(3-1)所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100059
    式(A-1)和式(B)于虚线位置相稠合。
  10. 根据权利要求8所述的化合物，其特征在于，
    具有下式(3-2)所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100060
    式(A-2)和式(B)于虚线位置相稠合。
  11. 根据权利要求10所述的化合物，其特征在于，
    s、p、n、m和q均为0。
  12. 根据权利要求8至11中任一项所述的化合物，其特征在于，
    芴基和苯环于b位置稠合。
  13. 根据权利要求8至11中任一项所述的化合物，其特征在于，
    所述L 1选自单键或者取代或未取代的亚苯基，优选单键；
    所述Ar 1选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基中的一种；
    所述-L 1-Ar 1选自苯基、联苯基、三联苯基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑基或菲基中的一种；
    当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、C 1～C 10链状烷基、C 3～C 10环烷基、C 1～C 6烷氧基、C 1～C 6硫代烷氧基、C 6～C 30芳基氨基、C 3～C 30杂芳基氨基、C 6～C 30单环芳基、C 10～C 30稠环芳基、C 3～C 30单环杂芳基、C 6～C 30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
  14. 根据权利要求1或8所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有如T1～T255所示的结构：
    Figure PCTCN2020083499-appb-100061
    Figure PCTCN2020083499-appb-100062
    Figure PCTCN2020083499-appb-100063
    Figure PCTCN2020083499-appb-100064
    Figure PCTCN2020083499-appb-100065
    Figure PCTCN2020083499-appb-100066
    Figure PCTCN2020083499-appb-100067
    Figure PCTCN2020083499-appb-100068
    Figure PCTCN2020083499-appb-100069
  15. 权利要求1～14中任一项所述的化合物在有机电致发光器件、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器、电子纸或有机EL面板中的应用，优选作为空穴传输材料或电子阻挡材料的应用。
  16. 一种有机电致发光器件，包括基板、第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的至少一个有机层，其特征在于，所述有机层中含有至少一种权利要求1～14中任一项所述的化合物。
  17. 根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其中，所述有机层包括空穴传输区，且所述空穴传输区包含权利要求1-14中任一项所述的化合物；
    优选所述空穴传输区包括空穴传输层和/或电子阻挡层，所述空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层中包含权利要求1～14中任一项所述的化合物。
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