WO2020206726A1 - 有机发光二极管显示面板及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示面板及其制造方法 Download PDF

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display panel
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diode display
light emitting
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唐甲
任章淳
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular to an organic light emitting diode display panel and a manufacturing method thereof.
  • OLED display devices have many advantages such as thinness, active light emission, fast response speed, large viewing angle, wide color gamut, high brightness and low power consumption. Therefore, OLED display devices have been popular in recent years. s concern.
  • FIGS. 1A to 1E show a schematic flow chart of a method for manufacturing an organic light emitting diode display panel according to the prior art.
  • a substrate 110 is provided, and a thin film transistor array (not shown) is formed on the substrate 110.
  • the area where the thin film transistor array is located is a thin film transistor array area surrounding The area of the thin film transistor array area is a peripheral area.
  • Figure 1A shows the film structure of the peripheral area.
  • a flat layer 120 is formed on the thin film transistor array.
  • an anode layer 130 is formed on the flat layer 120.
  • the anode layer 130 is patterned, so that the patterned anode layer 130 has a predetermined pattern in the thin film transistor array area to serve as the anode of the OLED device.
  • a photoresist layer 140 may be formed on the anode layer 130 first, as shown in FIG. 1C; and the photoresist layer 140 may be exposed and developed, as shown in FIG. 1D.
  • an etching process is performed, as shown in FIG. 1E, to remove the anode layer 130 in the peripheral area.
  • the taper angle for example, as shown in FIG. 1A, the inclination angle a is greater than 70 °
  • the photoresist layer 140 located at the bottom of the flat layer 120 cannot be completely removed after the exposure and development processes. This further causes the anode layer 130 to remain after the etching process, such as the X area marked in FIG. 1E, resulting in a short circuit of the product.
  • the purpose of the present invention is to provide an organic light emitting diode display panel and a manufacturing method thereof to solve the technical problems of the anode layer remaining in the peripheral area and the low product yield in the prior art.
  • an organic light emitting diode display panel including:
  • the stepped structure is formed by a photolithography process using a half-tone mask.
  • the material of the flat layer is a positive or negative organic photoresist material.
  • the stepped structure has a plurality of steps.
  • the stepped structure has three steps.
  • the thickness of each step of the stepped structure is less than or equal to 1.5 microns.
  • the present invention also provides a method for manufacturing an organic light emitting diode display panel, including:
  • the flat layer is patterned so that the patterned flat layer has a stepped structure in the peripheral area.
  • the material of the flat layer is a positive or negative organic photoresist material.
  • the stepped structure is formed by a photolithography process using a half-tone mask.
  • the stepped structure has a plurality of steps.
  • the stepped structure has three steps.
  • the thickness of each step of the stepped structure is less than or equal to 1.5 microns.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display panel.
  • the organic light emitting diode display panel has a thin film transistor array area and a peripheral area surrounding the thin film transistor array area.
  • the organic light emitting diode display panel includes:
  • a patterned flat layer disposed on the substrate
  • the patterned flat layer has a stepped structure in the peripheral area.
  • the stepped structure has a plurality of steps.
  • the stepped structure has three steps.
  • the thickness of each step of the stepped structure is less than or equal to 1.5 microns.
  • the present invention provides an organic light emitting diode display panel and a manufacturing method thereof.
  • the flat layer By forming the flat layer into a stepped structure with multiple steps in the peripheral area, and the thickness of each step is less than 1.5 micrometers, the flat layer has a smaller inclination angle in the peripheral area.
  • the invention can prevent the anode layer from remaining in the peripheral area and solve the technical problem of low product yield.
  • 1A to 1E show a schematic flow chart of a method for manufacturing an organic light emitting diode display panel according to the prior art.
  • 2A to 2E show a schematic flow chart of a method for manufacturing an organic light emitting diode display panel according to the present invention.
  • FIG. 2A to 2E show a schematic flow chart of a method for manufacturing an organic light emitting diode display panel according to the present invention.
  • the invention proposes an organic light emitting diode (organic light emitting diode) Emitting diode (OLED) display panel method.
  • the method includes the following steps.
  • a substrate 210 is provided, and a thin film transistor array (not shown) is formed on the substrate 210, wherein the area where the thin film transistor array is located is a thin film transistor array area surrounding The area of the thin film transistor array area is a peripheral area.
  • Figure 2A shows the film structure of the peripheral area.
  • a flat layer 220 is formed on the thin film transistor array.
  • the flat layer 220 is patterned so that the patterned flat layer 220 has a stepped structure in the peripheral area.
  • an anode layer 230 is formed on the patterned flat layer 220, and a photoresist layer 240 is formed on the anode layer 230.
  • the photoresist layer 240 is exposed and developed.
  • an etching process is performed to remove the anode layer 230 in the peripheral area.
  • the material of the flat layer 220 is a positive or negative organic photoresist material.
  • the stepped structure may use a halftone mask (halftone mask) through a photolithography process.
  • mask 300 is formed, as shown in FIG. 2A and FIG. 2B.
  • the halftone mask 300 has four areas A, B, C, and D.
  • the four regions A, B, C, and D respectively have light transmittance a%, b%, c%, d%, where d%> c%> b%> a%.
  • the material of the flat layer 220 is a positive organic photoresist material. Therefore, after exposing and developing the flat layer 220 using the halftone mask 300, the flat layer 220 can be patterned to form a stepped structure with three steps as shown in FIG. 2B.
  • the halftone mask 300 has four areas A, B, C, and D.
  • the four regions A, B, C, and D respectively have light transmittance a%, b%, c%, d%, where a%>b%> c%> d%.
  • the material of the flat layer 220 is a negative organic photoresist material. Therefore, after exposing and developing the flat layer 220 using the halftone mask 300, the flat layer 220 can be patterned to form a stepped structure with three steps as shown in FIG. 2B.
  • the anode layer 230 Since the thickness of the flat layer 220 is greater than 1.5 microns, the anode layer 230 will remain after the etching process. Therefore, as long as the thickness of each step of the formed stepped structure is less than or equal to 1.5 microns, the anode layer 230 can be prevented from being damaged. Will remain after etching.
  • a half-tone mask 300 with multiple regions of different light transmittance can be used according to product requirements to form a stepped structure with multiple steps.
  • the present invention does not specifically limit the number of regions with different light transmittances that the halftone mask 300 should have.
  • a stepped structure with two steps should be formed so that the thickness of each step is less than 1.5 microns; accordingly, two regions with different light transmittances can be used
  • the halftone mask 300 is used to form a stepped structure with two steps. If the thickness of the flat layer 220 is 5 microns, a stepped structure with four steps should be formed so that the thickness of each step is less than 1.5 microns; accordingly, halftone masks with four regions of different light transmittance can be used.
  • the mold 300 is used to form a stepped structure with four steps.
  • the flat layer has a stepped structure of multiple steps in the peripheral area, and the thickness of each step is less than 1.5 micrometers, the flat layer has a smaller taper angle in the peripheral area.
  • the present invention can prevent the anode layer in the peripheral area from remaining after being etched.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display panel.
  • the organic light emitting diode display panel has a thin film transistor array area and a peripheral area surrounding the thin film transistor array area.
  • the organic light emitting diode display panel includes:
  • a substrate 210 A substrate 210;
  • a patterned flat layer 220 is disposed on the substrate 210;
  • the patterned flat layer 220 has a stepped structure in the peripheral area.
  • the stepped structure has a plurality of steps.
  • the stepped structure has three steps.
  • the thickness of each step of the stepped structure is less than or equal to 1.5 microns.
  • the present invention provides an organic light emitting diode display panel and a manufacturing method thereof.
  • the flat layer By forming the flat layer into a stepped structure with multiple steps in the peripheral area, and the thickness of each step is less than 1.5 micrometers, the flat layer has a smaller inclination angle in the peripheral area.
  • the invention can prevent the anode layer from remaining in the peripheral area and solve the technical problem of low product yield.

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Abstract

一种有机发光二极管显示面板及其制造方法，包括：提供一基板（210）；形成一薄膜晶体管阵列在所述基板（210）上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域；形成一平坦层（220）在所述薄膜晶体管阵列上；图案化所述平坦层（220），使得所述图案化的平坦层（220）在所述外围区域中具有一阶梯状结构。

Description

有机发光二极管显示面板及其制造方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
 背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示装置具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，因此OLED显示装置近几年受到人们的关注。
请参考图1A至1E，图1A至1E显示根据现有技术制造有机发光二极管显示面板的方法的流程示意图。首先，如图1A所示，提供一基板110，并形成一薄膜晶体管阵列(未示出)在所述基板110上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域。图1A所显示的是外围区域的膜层结构。其次，形成一平坦层120在所述薄膜晶体管阵列上。
然后，如图1B所示，形成一阳极层130在所述平坦层120上。
接着，将所述阳极层130予以图案化，以使得被图案化后的阳极层130在薄膜晶体管阵列区域中具有一预定图案，以作为OLED器件的阳极。例如，可以先形成一光阻层140在所述阳极层130上，如图1C所示；并将所述光阻层140予以曝光和显影，如图1D所示。最后，再执行蚀刻制程，如图1E所示，以移除外围区域中的阳极层130。
然而，由于平坦层120在外围区域中的段差甚大，尤其是平坦层120的厚度在大于1.5微米时具有较陡的倾斜角度(taper angle)(例如，如图1A所示，倾斜角度a大于70°)，以致后续形成的光阻层140容易沿着段差从高处流向低处，即平坦层120的底部的光阻层140的厚度较大，如图1C所示。因此，如图1D所示，位在平坦层120的底部的光阻层140在曝光和显影制程后无法完全去除。这进一步使得在蚀刻制程后造成阳极层130会残留，如图1E中所标示的X区域，导致产品的短路。
因此，有必要提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
 技术问题
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法，以解决现有技术中阳极层在外围区域中残留及产品良率低的技术问题。
 技术解决方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种制造有机发光二极管显示面板的方法，包括：
提供一基板；
形成一薄膜晶体管阵列在所述基板上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域；
形成一平坦层在所述薄膜晶体管阵列上；
图案化所述平坦层，使得所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构；
其中，所述阶梯状结构是通过光刻工艺使用一半色调掩模来形成的。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述平坦层的材质为正性或负性有机光阻材料。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
本发明还提供一种制造有机发光二极管显示面板的方法，包括：
提供一基板；
形成一薄膜晶体管阵列在所述基板上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域；
形成一平坦层在所述薄膜晶体管阵列上；
图案化所述平坦层，使得所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述平坦层的材质为正性或负性有机光阻材料。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构是通过光刻工艺使用一半色调掩模来形成的。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
在本发明的制造有机发光二极管显示面板的方法中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
本发明还提供一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板具有一薄膜晶体管阵列区域与围绕所述薄膜晶体管阵列区域的一外围区域，所述有机发光二极管显示面板包括：
一基板；及
一图案化的平坦层，设置在所述基板上；
其中所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
在本发明的有机发光二极管显示面板中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
在本发明的有机发光二极管显示面板中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
在本发明的有机发光二极管显示面板中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
 有益效果
相较于现有技术，本发明提出一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。通过将平坦层在外围区域中形成为具有多个台阶的阶梯状结构，且每一个台阶的厚度小于1.5微米，因此，平坦层在外围区域中具有较小的倾斜角度。本发明可以避免阳极层在外围区域中残留，解决产品良率低的技术问题。
 附图说明
图1A至1E显示根据现有技术制造有机发光二极管显示面板的方法的流程示意图。
图2A至2E显示根据本发明制造有机发光二极管显示面板的方法的流程示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图2A至2E。图2A至2E显示根据本发明制造有机发光二极管显示面板的方法的流程示意图。本发明提出一种制造有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板的方法。所述方法包括以下步骤。
首先，如图2A所示，提供一基板210，并形成一薄膜晶体管阵列(未示出)在所述基板210上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域。图2A所显示的是外围区域的膜层结构。其次，形成一平坦层220在所述薄膜晶体管阵列上。
然后，如图2B所示，图案化所述平坦层220，使得所述图案化的平坦层220在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
再来，如图2C所示，形成一阳极层230在所述图案化的平坦层220上，及形成一光阻层240在所述阳极层230上。
接着，如图2D所示，将所述光阻层240予以曝光和显影。
最后，如图2E所示，再执行蚀刻制程，以移除所述外围区域中的阳极层230。
至此，完成了有机发光二极管显示面板的制造。
根据本发明，所述平坦层220的材质为正性或负性有机光阻材料。所述阶梯状结构可以通过光刻工艺使用一半色调掩模(halftone mask)300来形成，如图2A和图2B所示。
例如，半色调掩模300具有四个区域A、B、C、D。所述四个区域A、B、C、D分别具有透光率a%、b%、c%、d%，其中d% > c% > b% > a%。另外，所述平坦层220的材质为正性有机光阻材料。因此，在使用半色调掩模300对所述平坦层220曝光和显影后，所述平坦层220得以被图案化而形成如图2B所示的具有三个台阶的阶梯状结构。
又例如，半色调掩模300具有四个区域A、B、C、D。所述四个区域A、B、C、D分别具有透光率a%、b%、c%、d%，其中a% > b% > c% > d%。另外，所述平坦层220的材质为负性有机光阻材料。因此，在使用半色调掩模300对所述平坦层220曝光和显影后，所述平坦层220得以被图案化而形成如图2B所示的具有三个台阶的阶梯状结构。
由于平坦层220的厚度在大于1.5微米时会在蚀刻制程后造成阳极层230残留，因此只要所形成的阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米，就能避免阳极层230在被蚀刻后会残留。
在本发明的一实施例中，可以根据产品需要来使用具有多个不同透光率区域的半色调掩模300，以形成具有多个台阶的阶梯状结构。本发明对半色调掩模300要具有多少数量的不同透光率区域不作具体限定。
举例而言，若平坦层220的厚度为2微米，则应形成具有两个台阶的阶梯状结构，才能使得每一个台阶的厚度小于1.5微米；依此，可以使用具有两个不同透光率区域的半色调掩模300来形成具有两个台阶的阶梯状结构。若平坦层220的厚度为5微米，则应形成具有四个台阶的阶梯状结构，才能使得每一个台阶的厚度小于1.5微米；依此，可以使用具有四个不同透光率区域的半色调掩模300来形成具有四个台阶的阶梯状结构。
根据本发明，由于平坦层在外围区域中具有多个台阶的阶梯状结构，且每一个台阶的厚度小于1.5微米，因此平坦层在外围区域中具有较小的倾斜角度(taper angle)。本发明可以避免外围区域中的阳极层在被蚀刻后会残留。
本发明还提供一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板具有一薄膜晶体管阵列区域与围绕所述薄膜晶体管阵列区域的一外围区域。所述有机发光二极管显示面板包括：
一基板210；及
一图案化的平坦层220，设置在所述基板210上；
其中所述图案化的平坦层220在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
在本发明的一实施例中，所述阶梯状结构具有多个台阶。例如，所述阶梯状结构具有三个台阶。
在本发明的一实施例中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
相较于现有技术，本发明提出一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。通过将平坦层在外围区域中形成为具有多个台阶的阶梯状结构，且每一个台阶的厚度小于1.5微米，因此，平坦层在外围区域中具有较小的倾斜角度。本发明可以避免阳极层在外围区域中残留，解决产品良率低的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (15)

  1. 一种制造有机发光二极管显示面板的方法，包括：
    提供一基板；
    形成一薄膜晶体管阵列在所述基板上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域；
    形成一平坦层在所述薄膜晶体管阵列上；
    图案化所述平坦层，使得所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构；
    其中，所述阶梯状结构是通过光刻工艺使用一半色调掩模来形成的。
  2. 根据权利要求1所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述平坦层的材质为正性或负性有机光阻材料。
  3. 根据权利要求1所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
  4. 根据权利要求3所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
  5. 根据权利要求3所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
  6. 一种制造有机发光二极管显示面板的方法，包括：
    提供一基板；
    形成一薄膜晶体管阵列在所述基板上，其中所述薄膜晶体管阵列所位在的区域为一薄膜晶体管阵列区域，围绕所述薄膜晶体管阵列区域的区域为一外围区域；
    形成一平坦层在所述薄膜晶体管阵列上；
    图案化所述平坦层，使得所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
  7. 根据权利要求6所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述平坦层的材质为正性或负性有机光阻材料。
  8. 根据权利要求7所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构是通过光刻工艺使用一半色调掩模来形成的。
  9. 根据权利要求6所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
  10. 根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
  11. 根据权利要求9所述的制造有机发光二极管显示面板的方法，其中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
  12. 一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板具有一薄膜晶体管阵列区域与围绕所述薄膜晶体管阵列区域的一外围区域，所述有机发光二极管显示面板包括：
    一基板；及
    一图案化的平坦层，设置在所述基板上；
    其中所述图案化的平坦层在所述外围区域中具有一阶梯状结构。
  13. 根据权利要求12所述的有机发光二极管显示面板，其中，所述阶梯状结构具有多个台阶。
  14. 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示面板，其中，所述阶梯状结构具有三个台阶。
  15. 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示面板，其中，所述阶梯状结构的每个台阶的厚度小于或等于1.5微米。
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