WO2020184569A1

WO2020184569A1 - 回路基板及び回路基板の製造方法

Info

Publication number: WO2020184569A1
Application number: PCT/JP2020/010342
Authority: WO
Inventors: 文起深津; 聡蜂屋
Original assignee: 出光興産株式会社
Priority date: 2019-03-12
Filing date: 2020-03-10
Publication date: 2020-09-17
Also published as: US20220192033A1; JPWO2020184569A1; CN113557321A

Abstract

誘電正接が０．０１５以下である樹脂基材１と、置換又は無置換のポリアニリンを含むポリアニリン層２と、金属層３と、をこの順に積層して含み、前記金属層３における前記ポリアニリン層２側の面の表面粗さＲｚＪＩＳが０．５μｍ以下である、回路基板。

Description

回路基板及び回路基板の製造方法

　本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関する。

　昨今、例えば車載レーダーや次世代携帯電話等を含む多岐にわたる分野において高周波電気信号の利用が活発になっており、高周波電気信号の伝送に適した回路基板が求められている。
　従来の回路基板としては、例えば特許文献１に開示されるように、基材と金属層（銅箔等）とを接着剤により貼り合わせたもの等が用いられている。

特開平５－２２６８３１号公報

　従来のように基材と金属層とを接着剤により貼り合わせて回路基板を形成する場合、通常、エッチング処理等により金属表面を粗して凹凸を付与し（例えば表面粗さＲｚ_ＪＩＳ１μｍ以上）、アンカー効果によって密着性を確保する手法が採られる。高周波電気信号用の回路基板には誘電正接の低い樹脂基板が適しているが、低誘電正接の樹脂基板は接着剤との密着性が低いため、金属表面の粗面化によりアンカー効果を強める必要性はより大きくなる。

　一方、電気信号は周波数が高ければ高いほど電流が導体表面に集中するようになるため（表皮効果）、粗面化された金属においては高周波電気信号の伝送距離が長くなり、伝送損失や遅延が大きくなる。よって、高周波電気信号用の回路基板では金属表面が平滑であることが望まれるが、密着性との兼ね合いから、平滑性を高めることは困難であった。

　本発明の目的は、高周波電気信号の伝送に適した回路基板、及び当該回路基板の製造方法を提供することである。

　本発明者らが鋭意検討した結果、誘電正接の低い樹脂基板であっても、ポリアニリンを用いた無電解めっき技術により極めて平滑な金属層を形成でき、得られた積層体（回路基板）は密着性に優れることを見出し、本発明を完成した。

　本発明によれば、以下の回路基板等が提供される。
１．誘電正接が０．０１５以下である樹脂基材と、
　置換又は無置換のポリアニリンを含むポリアニリン層と、
　金属層と、をこの順に積層して含み、
　前記金属層における前記ポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳが０．５μｍ以下である、
　回路基板。
２．前記金属層における前記ポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳが０．２５μｍ以下である、前記１に記載の回路基板。
３．前記ポリアニリン層の厚さが５μｍ以下である、前記１又は２に記載の回路基板。
４．前記樹脂基材が、シンジオタクチックポリスチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、及びポリオレフィンからなる群から選択される１種以上を含む、前記１～３のいずれかに記載の回路基板。
５．前記樹脂基材がシンジオタクチックポリスチレンを含む、前記１～４のいずれかに記載の回路基板。
６．前記金属層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｏ及びＰｔからなる群から選択される１以上の金属を含む、前記１～５のいずれかに記載の回路基板。
７．前記金属層がＣｕを含む、前記１～６のいずれかに記載の回路基板。
８．前記ポリアニリン層が、置換又は無置換のポリアニリンを、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体として含む、前記１～７のいずれかに記載の回路基板。
９．前記ドーパントが下記式（III）で表されるスルホコハク酸誘導体から生じる有機酸イオンである、前記８に記載の回路基板。

（式（III）中、Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。ｍ’は、Ｍの価数である。Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に炭化水素基又は－（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ－Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は、それぞれ独立に炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ－基であり、ｒは１以上の整数である。Ｒ^１７は、それぞれ独立に炭化水素基である。）
１０．前記ドーパントがジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである、前記８又は９に記載の回路基板。
１１．周波数１ＧＨｚ以上の高周波電気信号を伝送する用途に用いられる、前記１～１０のいずれかに記載の回路基板。
１２．前記１～１１のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
　前記樹脂基材の表面に、活性エネルギー線照射処理、コロナ処理、及びフレーム処理からなる群から選ばれる１以上の処理を施す工程と、
　前記処理が施された前記樹脂基材の面に、前記ポリアニリン層を形成する工程と、
　前記ポリアニリン層上に無電解めっき触媒を担持する工程と、
　前記無電解めっき触媒が担持された前記ポリアニリン層上に、無電解めっきを施すことによって金属層を形成する工程と、を含む、
　回路基板の製造方法。
１３．前記樹脂基材の表面に、活性エネルギー線照射処理を施す、前記１２に記載の回路基板の製造方法。
１４．前記活性エネルギー線が紫外線である、前記１３に記載の回路基板の製造方法。
１５．前記紫外線の光源が高圧水銀ランプ又はメタルハライドランプである、前記１４に記載の回路基板の製造方法。
１６．前記ポリアニリン層を、置換又は無置換のポリアニリンを含む組成物を用いた塗布法によって形成する、前記１２～１５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
１７．前記組成物が、置換又は無置換のポリアニリンを、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体として含む、前記１６に記載の回路基板の製造方法。
１８．前記組成物中の前記ポリアニリン複合体の濃度が１５質量％以下である、前記１７に記載の回路基板の製造方法。
１９．前記無電解めっき触媒がＰｄである、前記１２～１８のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

　本発明によれば、高周波電気信号の伝送に適した回路基板、及び当該回路基板の製造方法が提供できる。

本発明の一実施形態に係る回路基板の層構成を示す概略図である。

　以下、本発明の一実施形態に係る回路基板等について説明する。
　尚、本明細書において、「ｘ～ｙ」は「ｘ以上、ｙ以下」の数値範囲を表すものとする。
　また、「（Ｘ）成分」という場合、例えば市販の試薬を用いる場合であっても、当該試薬中の（Ｘ）成分に該当する化合物のみを指すものとし、当該試薬中の他の成分（溶剤等）は含まない。
　さらに、好ましいとされている規定は任意に採用することができる。即ち、好ましいとされている一の規定を、好ましいとされている他の一又は複数の規定と組み合わせて採用することができる。好ましいもの同士の組み合わせはより好ましいと言える。

［回路基板］
　図１は、本発明の一実施形態に係る回路基板の層構成を示す概略図である。
　本発明の一実施形態に係る回路基板は、誘電正接が０．０１５以下である樹脂基材１と、置換又は無置換のポリアニリンを含むポリアニリン層２と、金属層３とをこの順に積層して含み、金属層３におけるポリアニリン層２側の表面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳが０．５μｍ以下である。
　以下、本発明の一実施形態に係る回路基板を構成する各層について説明する。

［樹脂基材］
　一実施形態において、樹脂基材は、誘電正接が０．０１５以下である。
　樹脂基材に用いる樹脂は格別限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリオレフィン（例えばポリエチレン又はポリプロピレンであり変性ポリオレフィンを含む）、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド等からなる群から選択される１種以上を含むことができる。
　一実施形態において、樹脂基材の誘電正接は低い方が望ましく、０．０１５以下であり、好ましくは０．０１以下、より好ましくは０．００５以下である。樹脂基材の誘電正接が高いと、高周波回路において減衰が大きくなる傾向がある。

　誘電正接は、測定装置（キーサイト・テクノロジー社製ネットワークアナライザー「Ｅ８３６１Ａ」）を用いて、測定周波数１０ＧＨｚ、温度２５℃において、空洞共振器法（ＪＩＳ　Ｒ１６４１：２００７）により測定される値である。

［ポリアニリン層］
（ポリアニリン）
　一実施形態において、ポリアニリン層は、置換又は無置換のポリアニリンを含む。
　置換又は無置換のポリアニリンは、単独（後述する「ポリアニリン複合体」を形成していない状態）で用いてもよいが、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体として、ポリアニリン層に含まれることが好ましい。

　ポリアニリンの重量平均分子量（以下、分子量という）は、好ましくは２０，０００以上である。分子量は、好ましくは２０，０００～５００，０００であり、より好ましくは２０，０００～３００，０００であり、さらに好ましくは２０，０００～２００，０００である。重量平均分子量はポリアニリン複合体の分子量ではなく、ポリアニリンの分子量である。

　分子量分布は、好ましくは１．５以上１０．０以下である。導電率の観点からは分子量分布は小さい方が好ましいが、溶剤への溶解性の観点では、分子量分布が広い方が好ましい場合もある。
　分子量と分子量分布は、ゲルパーミェションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算で測定する。

　置換ポリアニリンの置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分岐の炭化水素基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基（－ＣＦ_３基）等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
　ポリアニリンは、汎用性及び経済性の観点から無置換のポリアニリンが好ましい。

　置換又は無置換のポリアニリンは、好ましくは塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンである。塩素原子を含まない酸とは、例えば１族～１６族及び１８族に属する原子からなる酸である。具体的には、リン酸が挙げられる。塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンとして、リン酸の存在下で重合して得られるポリアニリンが挙げられる。
　塩素原子を含まない酸の存在下で得られたポリアニリンは、ポリアニリン複合体の塩素含有量をより低くすることができる。

　ポリアニリン複合体のドーパントとしては、例えばブレンステッド酸又はブレンステッド酸の塩から生じるブレンステッド酸イオンが挙げられ、好ましくは有機酸又は有機酸の塩から生じる有機酸イオンであり、さらに好ましくは下記式（Ｉ）で示される化合物（プロトン供与体）から生じる有機酸イオンである。
　本発明において、ドーパントが特定の酸であると表現する場合、及びドーパントが特定の塩であると表現する場合があるが、いずれも特定の酸又は特定の塩から生じる特定の酸イオンが、上述したπ共役ポリマーにドープするものとする。

Ｍ（ＸＡＲｎ）ｍ　　　（Ｉ）
　式（Ｉ）のＭは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。
　有機遊離基としては、例えば、ピリジニウム基、イミダゾリウム基、アニリニウム基等が挙げられる。無機遊離基としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、アンモニウム、カルシウム、マグネシウム、鉄等が挙げられる。
　式（Ｉ）のＸは、アニオン基であり、例えば－ＳＯ_３ ^－基、－ＰＯ_３ ^２－基、－ＰＯ_２（ＯＨ）^―基、－ＯＰＯ_３ ^２－基、－ＯＰＯ_２（ＯＨ）^－基、－ＣＯＯ^－基等が挙げられ、好ましくは－ＳＯ_３ ^－基である。

　式（Ｉ）のＡは、置換又は無置換の炭化水素基（炭素数は例えば１～２０）である。
　炭化水素基は、鎖状もしくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状もしくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基である。
　鎖状の飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖もしくは分岐状のアルキル基（炭素数は例えば１～２０）が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基（炭素数は例えば３～２０）が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基は、複数の環状の飽和脂肪族炭化水素基が縮合していてもよい。例えば、ノルボルニル基、アダマンチル基、縮合したアダマンチル基等が挙げられる。鎖状の不飽和脂肪族炭化水素（炭素数は例えば２～２０）としては、直鎖又は分岐状のアルケニル基が挙げられる。環状の不飽和脂肪族炭化水素基（炭素数は例えば３～２０）としては、環状アルケニル基が挙げられる。芳香族炭化水素基（炭素数は例えば６～２０）としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。

　Ａが置換の炭化水素基である場合の置換基は、アルキル基（炭素数は例えば１～２０）、シクロアルキル基（炭素数は例えば３～２０）、ビニル基、アリル基、アリール基（炭素数は例えば６～２０）、アルコキシ基（炭素数は例えば１～２０）、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル結合含有基である。

　式（Ｉ）のＲは、Ａと結合しており、－Ｈ、－Ｒ^１、－ＯＲ^１、－ＣＯＲ^１、－ＣＯＯＲ^１、－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＯＲ^１）、又は－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＯＯＲ^１）で表わされる置換基あり、Ｒ^１は、置換基を含んでもよい炭化水素基、シリル基、アルキルシリル基、－（Ｒ^２Ｏ）ｘ－Ｒ^３基、又は－（ＯＳｉＲ^３ _２）ｘ－ＯＲ^３基である。Ｒ^２はアルキレン基、Ｒ^３は炭化水素基であり、ｘは１以上の整数である。ｘが２以上の場合、複数のＲ^２はそれぞれ同一でも異なってもよく、複数のＲ^３はそれぞれ同一でも異なってもよい。

　Ｒ^１の炭化水素基（炭素数は例えば１～２０）としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基等が挙げられる。炭化水素基は直鎖状であってもよく、また、分岐状であってもよい。
　炭化水素基の置換基は、アルキル基（炭素数は例えば１～２０）、シクロアルキル基（炭素数は例えば３～２０）、ビニル基、アリル基、アリール基（炭素数は例えば６～２０）、アルコキシ基（炭素数は例えば１～２０）、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基又はエステル結合含有基である。Ｒ^３の炭化水素基もＲ^１と同様である。

　Ｒ^２のアルキレン基（炭素数は例えば１～２０）としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
　式（Ｉ）のｎは１以上の整数である。ｎが２以上の場合、複数のＲはそれぞれ同一でも異なってもよい。
　式（Ｉ）のｍは、Ｍの価数／Ｘの価数である。

　式（Ｉ）で示される化合物としては、ジアルキルベンゼンスルフォン酸、ジアルキルナフタレンスルフォン酸、又はエステル結合を２以上含有する化合物が好ましい。
　エステル結合を２以上含有する化合物は、スルホフタール酸エステル、又は下記式（ＩＩ）で表される化合物がより好ましい。

　式（ＩＩ）中、Ｍ及びＸは、式（Ｉ）と同様である。Ｘは、－ＳＯ_３ ^－基が好ましい。
　Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に水素原子、炭化水素基又はＲ^９ _３Ｓｉ－基である。３つのＲ^９はそれぞれ独立に炭化水素基である。
　Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数１～２４の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基（炭素数は例えば６～２０）、アルキルアリール基（炭素数は例えば７～２０）等が挙げられる。
　Ｒ^９の炭化水素基としては、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６の場合と同様である。

　式（ＩＩ）のＲ^７及びＲ^８は、それぞれ独立に、炭化水素基又は－（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ－Ｒ^１１基である。Ｒ^１０は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１１は水素原子、炭化水素基又はＲ^１２ _３Ｓｉ－であり、ｑは１以上の整数である。３つのＲ^１２は、それぞれ独立に炭化水素基である。

　Ｒ^７及びＲ^８が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数１～２４、好ましくは炭素数４以上の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基（炭素数は例えば６～２０）、アルキルアリール基（炭素数は例えば７～２０）等が挙げられ、具体例としては、例えば、いずれも直鎖又は分岐状の、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。

　Ｒ^７及びＲ^８における、Ｒ^１０が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、例えば炭素数１～２４の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基、芳香環を含むアリーレン基（炭素数は例えば６～２０）、アルキルアリーレン基（炭素数は例えば７～２０）、又はアリールアルキレン基（炭素数は例えば７～２０）である。また、Ｒ^７及びＲ^８における、Ｒ^１１及びＲ^１２が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６の場合と同様であり、ｑは、１～１０であることが好ましい。

　Ｒ^７及びＲ^８が－（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ－Ｒ^１１基である場合の式（ＩＩ）で表わされる化合物の具体例としては、下記式で表わされる２つの化合物である。

（式中、Ｘは式（Ｉ）と同様である。）

　上記式（ＩＩ）で表わされる化合物は、下記式（ＩＩＩ）で示されるスルホコハク酸誘導体であることがさらに好ましい。

　式（ＩＩＩ）中、Ｍは、式（Ｉ）と同様である。ｍ’は、Ｍの価数である。
　Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、炭化水素基又は－（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ－Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ－基であり、ｒは１以上の整数である。３つのＲ^１７はそれぞれ独立に炭化水素基である。ｒが２以上の場合、複数のＲ^１５はそれぞれ同一でも異なってもよい。

　Ｒ^１３及びＲ^１４が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、Ｒ^７及びＲ^８と同様である。
　Ｒ^１３及びＲ^１４において、Ｒ^１５が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記Ｒ^１０と同様である。また、Ｒ^１３及びＲ^１４において、Ｒ^１６及びＲ^１７が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６と同様である。
　ｒは、１～１０であることが好ましい。

　Ｒ^１３及びＲ^１４が－（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ－Ｒ^１６基である場合の具体例としては、Ｒ^７及びＲ^８における－（Ｒ^１０Ｏ）_ｑ－Ｒ^１１と同様である。
　Ｒ^１３及びＲ^１４の炭化水素基としては、Ｒ^７及びＲ^８と同様であり、ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、デシル基が好ましい。

　式（Ｉ）で示される化合物としては、ジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸、ジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム（エーロゾルＯＴ）が好ましい。

　ポリアニリン複合体のドーパントが置換又は無置換のポリアニリンにドープしていることは、紫外・可視・近赤外分光法やＸ線光電子分光法によって確認することができ、当該ドーパントは、ポリアニリンにキャリアを発生させるに十分な酸性を有していれば、特に化学構造上の制限なく使用できる。

　ポリアニリンに対するドーパントのドープ率は、好ましくは０．３５以上０．６５以下であり、より好ましくは０．４２以上０．６０以下であり、さらに好ましくは０．４３以上０．５７以下であり、特に好ましくは０．４４以上０．５５以下である。
　ドープ率は（ポリアニリンにドープしているドーパントのモル数）／（ポリアニリンのモノマーユニットのモル数）で定義される。例えば無置換ポリアニリンとドーパントを含むポリアニリン複合体のドープ率が０．５であることは、ポリアニリンのモノマーユニット分子２個に対し、ドーパントが１個ドープしていることを意味する。

　ドープ率は、ポリアニリン複合体中のドーパントとポリアニリンのモノマーユニットのモル数が測定できれば算出可能である。例えば、ドーパントが有機スルホン酸の場合、ドーパント由来の硫黄原子のモル数と、ポリアニリンのモノマーユニット由来の窒素原子のモル数を、有機元素分析法により定量し、これらの値の比を取ることでドープ率を算出できる。但し、ドープ率の算出方法は、当該手段に限定されない。

　ポリアニリン複合体は、さらにリンを含んでも含まなくてもよい。
　ポリアニリン複合体がリンを含む場合、リンの含有量は例えば１０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下である。
　上記リンの含有量は、ＩＣＰ発光分光分析法で測定することができる。
　また、ポリアニリン複合体は、不純物として第１２族元素（例えば亜鉛）を含まないことが好ましい。

　ポリアニリン複合体は、周知の製造方法で製造することができる。例えば、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、２つの液相を有する溶液中で、置換又は無置換のアニリンを化学酸化重合することにより製造できる。また、置換又は無置換のアニリン、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、２つの液相を有する溶液中に、酸化重合剤を加えることにより製造できる。

　ここで「２つの液相を有する溶液」とは、溶液中に相溶しない２つの液相が存在する状態を意味する。例えば、溶液中に「高極性溶媒の相」と「低極性溶媒の相」が存在する状態、を意味する。
　また、「２つの液相を有する溶液」は、片方の液相が連続相であり、他方の液相が分散相である状態も含む。例えば「高極性溶媒の相」が連続相であり「低極性溶媒の相」が分散相である状態、及び「低極性溶媒の相」が連続相であり「高極性溶媒の相」が分散相である状態が含まれる。
　上記ポリアニリン複合体の製造方法に用いる高極性溶媒としては、水が好ましく、低極性溶媒としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が好ましい。

　上記プロトン供与体は、好ましくは上記式（Ｉ）で表される化合物である。

　上記乳化剤は、親水性部分がイオン性であるイオン性乳化剤、及び親水性部分が非イオン性である非イオン性乳化剤のどちらでも使用でき、また、１種又は２種以上の乳化剤を混合して使用してもよい。

　化学酸化重合に用いる酸化剤としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素等の過酸化物；二クロム酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、硫酸カリウム鉄（ＩＩＩ）、三塩化鉄（ＩＩＩ）、二酸化マンガン、ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム又はパラトルエンスルホン酸鉄等が使用でき、好ましくは過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩である。
　これらは単独で使用してもよいし２種以上を併用してもよい。

（バインダー）
　ポリアニリン層は、置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上に加えて、バインダーを含むことができる。
　バインダーとして、例えば、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、ポリアミド系、ビニル系、ポリビニルアセタール系、ポリエステル系、ポリエステルポリオール系、ポリエーテルポリオール系及びポリカーボネート系からなる群から選ばれる１種以上を含むことができる。また、構造中にカルボキシ基やスルホキシ基等の酸性基を有するポリマー（例えばカルボキシル基を有するウレタンやカルボキシル基を有するポリエステル）が好ましい。
　また、ポリアニリン層は、末端にアクリレート又はメタクリレート等の反応性官能基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーを紫外線や電子線等で硬化させたバインダーを含むことも可能である。

（他の成分）
　ポリアニリン層は、ポリアニリン及びポリアニリン複合体、並びにバインダー以外の他の成分を、本発明の効果を損なわない範囲で含むことができる。他の成分として、例えば、無機材料、硬化剤、可塑剤、有機導電材料等の添加剤等が挙げられる。

　無機材料は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上、又は導電性等の電気特性を向上する目的で添加される。無機材料の具体例としては、例えば、シリカ（二酸化ケイ素）、チタニア（二酸化チタン）、アルミナ（酸化アルミニウム）、Ｓｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）、Ｚｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３の共置換化合物（４価元素及び２価元素が３価のＩｎに置換した酸化物）、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２（ＡＴＯ）、ＺｎＯ、Ａｌ含有ＺｎＯ（ＡＺＯ）、Ｇａ含有ＺｎＯ（ＧＺＯ）等が挙げられる。

　硬化剤は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加される。硬化剤の具体例としては、例えば、フェノール樹脂等の熱硬化剤、アクリレート系モノマーと光重合性開始剤による光硬化剤が挙げられる。

　可塑剤は、例えば、引張強度や曲げ強度等の機械的特性の向上等の目的で添加される。可塑剤の具体例としては、例えば、フタル酸エステル類やリン酸エステル類が挙げられる。

　有機導電材料としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブのような炭素材料等が挙げられる。

　ポリアニリン層の膜厚は格別限定されない。一実施形態において、ポリアニリン層の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１μｍ以上であってもよい。また、ポリアニリン層の膜厚は、例えば、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、又は０．５μｍ以下であってもよい。
　ポリアニリン層を薄く形成することによって、回路基板の厚さを薄くすることができる。これにより、回路基板をよりコンパクトにできるため機械装置中に搭載容易になる。また、ポリアニリン層を薄く形成することによって、ポリアニリン層の表面を平滑化でき、これにより金属層におけるポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳを好適に０．５μｍ以下にすることができる。

　一実施形態において、ポリアニリン層の、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、９９．９質量％以上又は１００質量％が、
　置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、
　置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上及びバインダー、又は
　置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー及び上述した他の成分から任意に選択される１種以上の成分であってもよい。
　本発明の一態様に係る樹脂組成物は、
　本質的に置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、
　本質的に置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上及びバインダー、又は
　本質的に置換又は無置換のポリアニリン及びポリアニリン複合体から選ばれる１種以上、バインダー及び上述した他の成分から任意に選択される１種以上の成分からなってもよい。
　この場合、不可避不純物を含んでもよい。

　一実施形態において、ポリアニリン層における置換又は無置換のポリアニリンの含有量は、５質量％以上、１０質量％以上、１５質量％以上、２０質量％以上、又は２５質量％以上であってもよい。ポリアニリン層における置換又は無置換のポリアニリンの含有量が５質量％以上であることにより、無電解めっきの析出性が良好になる。上限は格別限定されず、例えば、１００質量％以下、９０質量％以下、８０質量％、７０質量％以下、又は６５質量％以下等であり得る。ポリアニリン層における置換又は無置換のポリアニリンの含有量が１００質量％に満たない場合、例えば、９０質量％以下、８０質量％、７０質量％以下、さらには６５質量％以下等のように少ない場合は、バインダー等によってポリアニリン層の密着性や塗膜強度を向上できる。ここでいう置換又は無置換のポリアニリンの含有量は、ポリアニリン複合体を形成している置換又は無置換のポリアニリンと、ポリアニリン複合体を形成していない置換又は無置換のポリアニリンとの合計の含有量である。

［金属層］
　金属層は金属を含む層である。
　金属は格別限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｏ及びＰｔからなる群から選択される１以上の金属を含むことができる。一実施形態において金属層はＣｕを含む。
　金属層は、単層体、及び金属組成の異なる２層以上の積層体のいずれであってもよい。
　一実施形態において、金属層におけるポリアニリン層側の表面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳは、０．５μｍ以下、０．４５μｍ以下、０．４０μｍ以下、０．３５μｍ以下、０．３μｍ以下、０．２５μｍ以下、０．２μｍ以下、０．１５μｍ以下、０．１μｍ以下、０．０８μｍ以下、０．０５μｍ以下、又は０．０２μｍ以下であってもよい。かかる表面粗さＲｚ_ＪＩＳが小さいことによって、高周波電気信号の伝送損失をさらに防止することができる。かかる表面粗さＲｚ_ＪＩＳの下限は格別限定されず、例えば、０．００５μｍ以上、０．００７μｍ以上、又は０．０１μｍ以上であってもよい。
　表面粗さＲｚ_ＪＩＳは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２００１）に準拠して測定される十点平均粗さである。

　また、金属層をポリアニリン層上に無電解めっきによって形成する場合は、無電解めっきに供される前のポリアニリン層の表面（後に金属層が形成される面）について測定した表面粗さＲｚ_ＪＩＳを、金属層におけるポリアニリン層側の表面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳとする。

　金属層の膜厚は格別限定されない。一実施形態において、金属層の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、０．８μｍ以上、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上、１８μｍ以上、又は３０μｍ以上であってもよい。また、金属層の膜厚は、例えば、５００μｍ以下、又は３００μｍ以下、２００μｍ以下、１５０μｍ以下、１００μｍ以下、又は５０μｍ以下であってもよい。

［用途］
　一実施形態において、回路基板の金属層は、電気信号を伝送する用途に用いられる。一実施形態に係る回路基板によれば、電気信号の周波数によらず、伝送損失を防止できる。

　また、一実施形態において、金属層は、周波数１ＧＨｚ以上の高周波電気信号を伝送する用途に用いられる。高周波電気信号は、例えば、周波数が、３ＧＨｚ以上、４ＧＨｚ以上、５ＧＨｚ以上、７ＧＨｚ以上、１０ＧＨｚ以上、１５ＧＨｚ以上、２０ＧＨｚ以上、２５ＧＨｚ以上、３０ＧＨｚ以上、５０ＧＨｚ以上、８０ＧＨｚ以上、１００ＧＨｚ以上、又は１１０ＧＨｚ以上であってもよい。かかる周波数の上限は格別限定されず、例えば、２００ＧＨｚ以下であってもよい。一実施形態に係る回路基板によれば、このような高周波電気信号を伝送する際においても、伝送損失を防止できる。

　回路基板の形態は格別限定されず、例えば、プリント配線板（ＰＷＢ；ｐｒｉｎｔｅｄ　ｗｉｒｉｎｇ　ｂｏａｒｄ）、プリント回路板（ＰＣＢ；ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｂｏａｒｄ）、又はフレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ；ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ）等であってもよい。

［回路基板の製造方法］
　本発明の一実施形態に係る回路基板の製造方法は、以上に説明した回路基板を製造するために用いることができる。

　一実施形態において、回路基板の製造方法は、
（Ａ）樹脂基材の表面に、活性エネルギー線照射処理、コロナ処理、及びフレーム処理からなる群から選ばれる１以上の処理を施す工程と、
（Ｂ）前記処理が施された樹脂基材の表面にポリアニリン層を形成する工程と、
（Ｃ）ポリアニリン層上に無電解めっき触媒を担持する工程と、
（Ｄ）無電解めっき触媒が担持されたポリアニリン層上に、無電解めっきを施すことによって金属層を形成する工程と、を含む。

［工程（Ａ）］
　工程（Ａ）では、基材の表面に、活性エネルギー線照射処理、コロナ処理、及びフレーム処理からなる群から選ばれる１以上の処理を施す。
　本明細書において、「活性エネルギー線」は、基材の表面を改質する活性を有するものであり、そのような改質によって基材とポリアニリン層との密着性を向上できるものを用いることができる。密着性の向上を評価する方法には、実施例に記載の「めっき前の密着性」の評価方法を用いる。そのような活性エネルギー線として、例えば、紫外線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、これらの中でも紫外線が好ましい。紫外線は格別限定されず、例えば、高圧水銀ランプ又はメタルハライドランプを光源とする紫外線を用いることができる。

［工程（Ｂ）］
　工程（Ｂ）では、活性エネルギー線照射処理、コロナ処理、及びフレーム処理からなる群から選ばれる１以上の処理が施された基材の表面にポリアニリン層を形成する。ポリアニリン層の形成方法は格別限定されず、例えば塗布法等を用いることができる。塗布法は格別限定されず、塗液を付与することによってポリアニリン層を形成するものであればよく、種々のコート法や印刷法等を適用でき、例えば、バーコート、スピンコート、ナイフコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレーコート、ダイコート、ディッピング、コンマコート、ディスペンサー、パッド印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷からなる群から選択することができる。一実施形態において、塗布法として、バーコート法を用いると、ポリアニリン層の表面をより平滑化できる。

　一実施形態において、塗布法に用いる塗液は、置換又は無置換のポリアニリンと、溶媒とを含むことができる。この場合、溶媒を乾燥して除去することによって、ポリアニリン層が形成される。

　溶媒は格別限定されず、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、ジアセトンアルコール、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、エチルカルビトール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、ソルベントナフサ、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、酢酸ｎ－ブチル、ｎ－ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、テトラリン、２－ブトキシ－２－エトキシエタノール、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、１，３－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　また、上記溶媒に代えて、紫外線や電子線等で硬化可能なモノマー、オリゴマー又はポリマーを添加して粘度等液性を調整した無溶媒系として用いることも可能である。これらのモノマー、オリゴマー又はポリマーの硬化物は、ポリアニリン層中にバインダーとして含まれ得る。

　また、塗液は、ポリアニリン層に含むことができる成分として説明した成分を含むことができる。

　一態様において、塗液（組成物）は、置換又は無置換のポリアニリンを、上述した、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体として含む。組成物中のポリアニリン複合体の濃度は、例えば、５０質量％以下、４０質量％以下、３０質量％以下、２０質量％以下、又は１５質量％以下であり得る。組成物中のポリアニリン複合体の濃度が、上記のような低濃度であることによって、組成物のチクソトロピー性が低下し、塗工されるポリアニリン層の平滑性が向上し、金属層におけるポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳを好適に０．５μｍ以下にすることができる。組成物中のポリアニリン複合体の濃度は、さらに、１３質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は５質量％以下であってもよい。組成物中のポリアニリン複合体の濃度の下限は格別限定されず、例えば、１質量％以上とすることができる。

　ポリアニリン層を形成した後、金属層を形成する前に脱脂工程を行うことができる。脱脂工程は、界面活性剤や、アルコール等の溶剤で無電解めっき下地膜表面を脱脂洗浄して濡れ性を改善する。界面活性剤は、アニオン性、カチオン性又は非イオン性のものを適宜使用できる。カチオン性界面活性剤を用いる場合は、例えばイオン交換水等で１～３質量％に希釈して用いることができる。なお、希釈率は脱脂洗浄に用いる界面活性剤や溶剤等の種類によって適宜調整することができる。

［工程（Ｃ）］
　工程（Ｃ）では、ポリアニリン層上に無電解めっき触媒を担持する。工程（Ｃ）は、ポリアニリン層を形成後、好ましくは脱脂工程後に行うことができる。

　無電解めっき触媒として、例えば、Ｐｄ金属（触媒金属）等が挙げられる。ポリアニリン層上に無電解めっき触媒を担持させるために、ポリアニリン層を、無電解めっき触媒を含む溶液と接触させることができる。
　無電解めっき触媒としてＰｄを用いる場合、Ｐｄ化合物溶液を接触させると、ポリアニリン、好ましくはポリアニリン複合体は、Ｐｄイオンを吸着し、その還元作用により、ＰｄイオンがＰｄ金属に還元される。還元されたＰｄ、即ち金属状態のＰｄは、無電解めっきにおける触媒作用を発現する。単位面積当たりのＰｄ付着量（Ｐｄイオン及びＰｄ金属を含む）は、例えば、１．７μｇ／ｃｍ^２以上又は、２．５μｇ／ｃｍ^２以上であってもよい。

　Ｐｄ化合物としては、例えば塩化パラジウム等が挙げられる。Ｐｄ化合物溶液に用いられる溶媒としては、例えば塩酸等を用いることができる。Ｐｄ化合物溶液の具体例として、例えば、０．０２％塩化パラジウム－０．０１％塩酸水溶液（ｐＨ３）等が挙げられる。

　ポリアニリン層とＰｄ化合物溶液との接触温度は格別限定されず適宜設定可能であり、例えば、２０～５０℃、又は３０～４０℃であり、接触時間も格別限定されず適宜設定可能であり、例えば、０．１～２０分、又は１～１０分であり得る。

［工程（Ｄ）］
　工程（Ｄ）では、無電解めっき触媒が担持されたポリアニリン層上に、無電解めっきを施すことによって金属層を形成する。無電解めっき触媒が担持されたポリアニリン層を無電解めっき液に接触させることによって、ポリアニリン層上に、無電解めっき被膜として金属層が形成される。

　無電解めっき液に含まれる金属種（めっき金属）は格別限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｏ及びＰｔからなる群から選択される１以上の金属を含むことができる。一実施形態において、無電解めっき液はＣｕを含む。また、無電解めっき液は、これらの他にリン、ホウ素、鉄等の元素を含んでもよい。

　ポリアニリン層と無電解めっき液との接触温度は、めっき浴の種類や、所望される金属層の厚さ等を考慮して適宜設定可能であり、例えば低温浴であれば２０～５０℃程度、高温では５０～９０℃である。
　また、ポリアニリン層と無電解めっき液との接触時間も、めっき浴の種類や、所望される金属層の厚さ等を考慮して適宜設定可能であり、例えば１～１２０分である。

　金属層は、上記のようにして形成される無電解めっき被膜のみによって構成されてもよく、又は無電解めっき被膜を設けた後で電解めっきによりさらに同種又は異なる金属膜を設けたものであってもよい。

製造例１
［ポリアニリン複合体の製造］
　「エーロゾルＯＴ」（ジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム）（ＡＯＴ）３７．８ｇ及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル構造を有する非イオン乳化剤である「ソルボンＴ－２０」（東邦化学工業株式会社製）１．４７ｇをトルエン６００ｍＬに溶解した溶液を、窒素気流下においた６Ｌのセパラブルフラスコに入れ、さらにこの溶液に、２２．２ｇのアニリンを加えた。その後、１Ｍリン酸１８００ｍＬを溶液に添加し、トルエンと水の２つの液相を有する溶液の温度を５℃に冷却した。

　溶液内温が５℃に到達した時点で、毎分３９０回転で撹拌を行った。６５．７ｇの過硫酸アンモニウムを１Ｍリン酸６００ｍＬに溶解した溶液を、滴下ロートを用いて２時間かけて滴下した。滴下開始から１８時間、溶液内温を５℃に保ったまま反応を実施した。その後、反応温度を４０℃まで上昇させ、１時間反応を継続した。その後、静置し、トルエン相を分離した。得られたトルエン相にトルエンを１５００ｍＬ添加し、１Ｍリン酸５００ｍＬで１回、イオン交換水５００ｍＬで３回洗浄し、トルエン相を静置分離し、濃度調整のための濃縮を行い、ポリアニリン複合体トルエン溶液９００ｇを得た。このポリアニリン複合体トルエン溶液のポリアニリン複合体濃度は５．７質量％であった。

　得られたポリアニリン複合体トルエン溶液を、６０℃の湯浴で減圧乾燥し、乾固しポリアニリン複合体（粉末）を５１．３ｇ得た。
　このポリアニリン複合体中のポリアニリン分子の重量平均分子量は７２，０００ｇ／ｍｏｌであり、分子量分布は２．０であった。

実施例１
［塗液１の調製］
　プロピレングリコールモノブチルエーテル２７ｇ、アノン５３ｇ及びトルエン９ｇを混合して混合溶媒とした。当該混合溶媒へポリエステル樹脂（東洋紡株式会社製「バイロンＧＫ８１０」）１．２ｇ、ポリエステルウレタン樹脂（東洋紡株式会社製「バイロンＵＲ１３５０」）６ｇ、硬化剤（十条ケミカル株式会社製「ＪＡ－９８０」）１ｇを溶解させた後、製造例１で得られたポリアニリン複合体２．７ｇを溶解させ、樹脂改質剤（四国化成工業株式会社製「ＶＤ－３」）を分散させて塗液１を得た。塗液１中の全固形分に占めるポリアニリン複合体の濃度は３９％であった。

［回路基板の製造及び評価］
（活性エネルギー線照射工程）
　基材であるＳＰＳ樹脂成型シート（出光興産株式会社製「ザレック」（登録商標）、誘電正接０．００５（１０ＧＨｚ））の表面に、紫外線照射装置（ジーエス・ユアサコーポレーション社製「コンベヤーＵＶ照射装置」、光源：メタルハライドランプ）を用いて、活性エネルギー線である紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で照射した。

（ポリアニリン層の形成（印刷・塗布工程））
　ＳＰＳ樹脂フィルムにおける紫外線照射された面に、塗液１を、バーコーター（Ｎｏ．１６）を用いて塗布した。塗膜を１５０℃で３０分間乾燥して硬化させ、ポリアニリン層（無電解めっき下地膜）とした。ここで、塗液１の塗布量は、触針式膜厚計で測定されるポリアニリン層の膜厚が１μｍになるように調整した。ポリアニリン層を形成したＳＰＳ樹脂成型シートを５０ｍｍ×１００ｍｍに切断して試験片とした。

（表面粗さＲｚ_ＪＩＳの測定）
　得られた試験片におけるポリアニリン層の表面（ポリアニリン層における基材と反対側の面）の表面粗さＲｚ_ＪＩＳを、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２００１に準拠して測定した。当該測定値を、ポリアニリン層上に形成される金属層の表面粗さＲｚ_ＪＩＳとして表１に示す。

（めっき前の密着性評価）
　得られた試験片（密着性評価用のもの）について、ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６（１９９９）に準拠して密着性試験を行った。ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に規定される下記基準に沿って評価を行い、分類０及び１を「〇」（合格）とし、分類２～５を「×」（不合格）とした。結果を表１に示す。
０：カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがない。
１：カットの交差点における塗膜の小さなはがれ。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に５％を上回ることはない。
２：塗膜がカットの縁に沿って、及び／又は交差点においてはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは明確に５％を超えるが１５％を上回ることはない。
３：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及び／又は目のいろいろな部分が、部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に１５％を超えるが３５％を上回ることはない。
４：塗膜がカットの縁に沿って、部分的又は全面的に大はがれを生じており、及び／又は数か所の目が部分的又は全面的にはがれている。クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に３５％を上回ることはない。
５：分類４でも分類できないはがれ程度のいずれか。

（脱脂工程）
　上記試験片を、界面活性剤（奥野製薬工業株式会社製「エースクリーン」）の２．５質量％水溶液中へ５５℃で５分間浸漬した。その後、試験片の表面を流水で洗浄後、１０質量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液に６０℃で５分間浸漬した。さらに試験片の表面を流水で洗浄し脱脂処理を行った。

（触媒担持工程）
　脱脂処理後の試験片全体を、触媒化処理剤アクチベーター（塩酸酸性Ｐｄ化合物水溶液、奥野製薬工業株式会社製）の２０倍希釈液中に３０℃で５分間浸漬し、ポリアニリン層に金属Ｐｄ（無電解めっき触媒）を担持させる処理を行った。

（金属層形成工程）
　触媒担持処理後の試験片について、無電解銅めっき液（上村工業株式会社製「スルカップＥＬＣ－ＳＰ」）を用いて、６０℃で６０分間めっき処理を行って無電解銅めっき層（銅を含む金属層）を形成した後、流水洗浄及び温風乾燥（８０℃）を行い、回路基板を得た。

（めっき後の密着性評価）
　得られた回路基板について、（めっき前の密着性評価）と同じ方法で密着性試験を行い、基準で評価した。なお、本評価は（めっき前の密着性評価）が「○」であったものについてのみ行った。結果を表１に示す。

実施例２
　実施例１において、基材としてＳＰＳ樹脂フィルムに代えてポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製「カプトンＥＮ」、誘電正接０．０１２６（１０ＧＨｚ））を用いた以外は、実施例１と同じ方法で回路基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。

実施例３
　実施例１において、基材としてＳＰＳ樹脂フィルムに代えて液晶ポリマーフィルム（誘電正接０．０１５以下（１０ＧＨｚ））を用いた以外は、実施例１と同じ方法で回路基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。

比較例１
　３－メチル－３メトキシブタノール３５ｇ、ブチルカルビトール５ｇ、及び石油ナフサ１０ｇを混合して混合溶媒とした。当該混合溶媒へウレタン樹脂（大日精化工業株式会社製「ＭＡＵ１００８」）３０ｇ、ウレタン樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＡＳＰＵ－３６０」）６ｇ、エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＨＰ－４７１０」）０．３ｇ、及びポリビニルアセタール樹脂（積水樹脂株式会社製「ＫＳ－１０」）０．３ｇを溶解させ、製造例１で得られたポリアニリン複合体１３．３ｇを溶解させ塗液２を得た。塗液２中の全固形分中に占めるポリアニリン複合体濃度は５０質量％である。
　実施例１の（ポリアニリン層の形成（印刷・塗布工程））において、塗液１の代わりに塗液２を用い、スクリーン印刷にて厚さ６μｍのポリアニリン層を形成した以外は、実施例１と同じ方法で回路基板を製造し、評価した。結果を表１に示す。

比較例２
　実施例１の（活性エネルギー線照射工程）を行わなかった以外は、実施例１と同じ方法で回路基板の製造を試みたが、めっき前の密着性が「×」であり、また、（金属層形成工程）においてポリアニリン層が剥離してしまい、回路基板を形成できなかった。

実施例４
（銅張積層フィルムの作製）
　両面に紫外線照射処理が施されたＳＰＳ樹脂フィルム（厚さ５０μｍ、誘電正接０．０００４）の一方の面に、塗液１を、バーコーター（Ｎｏ．８）を用いて塗布（バーコート）し、１５０℃で１０分乾燥した。次いで、ＳＰＳ樹脂フィルムの他方の面に、塗液１を、バーコーター（Ｎｏ．８）を用いて塗布（バーコート）し、１５０℃で１５分間乾燥した。このようにして両面に形成されたポリアニリン層（無電解めっき下地膜）の乾燥後の膜厚はそれぞれ約０．８μｍであった。膜厚は、実施例１と同様の触針式膜厚計で測定される値である。
　得られた試験片の両面に、実施例１と同じ方法で、脱脂工程、触媒担持工程及び金属層形成工程（無電解めっき工程）を施し、１μｍ厚の無電解銅めっき層（銅を含む金属層）を形成させた。次いで、硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で電解めっきにより金属層（銅層）の膜厚（銅厚）を１２μｍまで増加させ、両面銅張フィルムを得た。

（マイクロストリップ線路の作製）
　得られた両面銅張フィルムに、以下に説明する手順で、マイクロストリップ線路とグランド（ＧＮＤ）端子とを形成した。
　まず、得られた両面銅張フィルムに、穴あけ加工とスルーホールめっきによって、該両面銅張フィルムの表裏の銅層を導通するＧＮＤ端子を形成した。ＧＮＤ端子は、マイクロストリップ線路（幅１４０μｍ、長さ１００ｍｍ；ＧＮＤ端子を形成する段階ではマイクロストリップ線路は未形成であるが、ＧＮＤ端子の形成位置について、マイクロストリップ線路の形成位置を基準に説明する。）の長手方向の一端側及び他端側のそれぞれにおいて、該マイクロストリップ線路の幅方向の両側に配置されるように、計４つ形成した。上記のスルーホールめっきに伴い、両面銅張フィルムの各面の最終的な銅厚は１８μｍになった。
　次に、両面銅張フィルムの一方の面（表面）の銅層をエッチングして、上述したマイクロストリップ線路を形成した。一方、両面銅張フィルムの他方の面（裏面）の銅層はエッチングせず、該銅層の全面をグランド（ＧＮＤ）とした。このようにして、伝送損失測定用基板を得た。
　銅層（金属層）におけるＳＰＳ樹脂フィルム（基材フィルム）側（ポリアニリン層側に相当）の表面粗さＲｚ_ＪＩＳは０．４μｍであった。表面粗さＲｚ_ＪＩＳは、実施例１と同じ方法により、ポリアニリン層の表面（ポリアニリン層における基材と反対側の面）の表面粗さＲｚ_ＪＩＳとして測定された値である。

（伝送損失測定）
　得られた伝送損失測定用基板のマイクロストリップ線路について、ネットワークアナライザー「Ｎ５２４７」（キーサイト・テクノロジー社）を用いて、１０ＭＨｚ－１１０ＧＨｚのＳパラメータから伝送損失を測定した。結果を表２に示す。

比較例３
　両面に紫外線照射処理が施されたＳＰＳ樹脂フィルム（厚さ５０μｍ、誘電正接０．０００４）の両面に、市販の銅箔（ＪＸ金属株式会社、銅厚１２μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳ＝４．０μｍ）を２２０℃加熱下で真空プレス装置により溶融圧着して、両面銅張フィルムを得た。実施例４と同様に、穴あけ加工とスルーホールめっきによりＧＮＤ端子を形成し、また、一方の面の銅箔をエッチングしてマイクロストリップ線路を形成して、伝送損失測定用基板を得た。得られた伝送損失測定用基板について、実施例４と同様に伝送損失を測定した結果を表２に示す。

比較例４
　市販の高周波向け両面銅張フレキシブル基板（基材：液晶ポリマー５０μｍ厚、銅厚１２μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳ＝１．０μｍ、１０ＧＨｚにおける比誘電率２．９、誘電正接０．００２）を用意し、実施例４と同様に、穴あけ加工とスルーホールめっきによりＧＮＤ端子を形成し、また、一方の面の銅箔をエッチングしてマイクロストリップ線路を形成して、伝送損失測定用基板を得た。得られた伝送損失測定用基板について、実施例４と同様に伝送損失を測定した結果を表２に示す。

比較例５
　市販の高周波向け両面銅張フレキシブル基板（基材：ポリイミド５０μｍ厚、銅厚１２μｍ、Ｒｚ_ＪＩＳ＝１．０μｍ、１０ＧＨｚにおける比誘電率３．２、誘電正接０．０２）を用意し、実施例４と同様に、穴あけ加工とスルーホールめっきによりＧＮＤ端子を形成し、また、一方の面の銅箔をエッチングしてマイクロストリップ線路を形成して、伝送損失測定用基板を得た。得られた伝送損失測定用基板について、実施例４と同様に伝送損失を測定した結果を表２に示す。

（電力減衰）
　伝送損失と電力減衰の間には下記の関係がある。
－６ｄＢ：電力として約１／４に減衰
－１０ｄＢ：電力として約１／１０に減衰
－２０ｄＢ：電力として約１／１００に減衰
　実施例４で得られた回路基板を用いれば、ミリ波以上の高周波の伝送損失を顕著に低減できることが分かる。

　本発明の回路基板は、車載レーダーや次世代携帯電話等の回路基板として利用できる。

　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献、及び本願のパリ条約による優先権の基礎となる出願の内容を全て援用する。

Claims

　誘電正接が０．０１５以下である樹脂基材と、
　置換又は無置換のポリアニリンを含むポリアニリン層と、
　金属層と、をこの順に積層して含み、
　前記金属層における前記ポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳが０．５μｍ以下である、
　回路基板。
　前記金属層における前記ポリアニリン層側の面の表面粗さＲｚ_ＪＩＳが０．２５μｍ以下である、請求項１に記載の回路基板。
　前記ポリアニリン層の厚さが５μｍ以下である、請求項１又は２に記載の回路基板。
　前記樹脂基材が、シンジオタクチックポリスチレン、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、及びポリオレフィンからなる群から選択される１種以上を含む、請求項１～３のいずれかに記載の回路基板。
　前記樹脂基材がシンジオタクチックポリスチレンを含む、請求項１～４のいずれかに記載の回路基板。
　前記金属層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｏ及びＰｔからなる群から選択される１以上の金属を含む、請求項１～５のいずれかに記載の回路基板。
　前記金属層がＣｕを含む、請求項１～６のいずれかに記載の回路基板。
　前記ポリアニリン層が、置換又は無置換のポリアニリンを、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体として含む、請求項１～７のいずれかに記載の回路基板。
　前記ドーパントが下記式（III）で表されるスルホコハク酸誘導体から生じる有機酸イオンである、請求項８に記載の回路基板。

（式（III）中、Ｍは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。ｍ’は、Ｍの価数である。Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に炭化水素基又は－（Ｒ^１５Ｏ）_ｒ－Ｒ^１６基である。Ｒ^１５は、それぞれ独立に炭化水素基又はシリレン基であり、Ｒ^１６は水素原子、炭化水素基又はＲ^１７ _３Ｓｉ－基であり、ｒは１以上の整数である。Ｒ^１７は、それぞれ独立に炭化水素基である。）
　前記ドーパントがジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである、請求項８又は９に記載の回路基板。
　周波数１ＧＨｚ以上の高周波電気信号を伝送する用途に用いられる、請求項１～１０のいずれかに記載の回路基板。
　請求項１～１１のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
　前記樹脂基材の表面に、活性エネルギー線照射処理、コロナ処理、及びフレーム処理からなる群から選ばれる１以上の処理を施す工程と、
　前記処理が施された前記樹脂基材の面に、前記ポリアニリン層を形成する工程と、
　前記ポリアニリン層上に無電解めっき触媒を担持する工程と、
　前記無電解めっき触媒が担持された前記ポリアニリン層上に、無電解めっきを施すことによって金属層を形成する工程と、を含む、
　回路基板の製造方法。
　前記樹脂基材の表面に、活性エネルギー線照射処理を施す、請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
　前記活性エネルギー線が紫外線である、請求項１３に記載の回路基板の製造方法。
　前記紫外線の光源が高圧水銀ランプ又はメタルハライドランプである、請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
　前記ポリアニリン層を、置換又は無置換のポリアニリンを含む組成物を用いた塗布法によって形成する、請求項１２～１５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
　前記組成物が、置換又は無置換のポリアニリンを、ドーパントによってドープされたポリアニリン複合体として含む、請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
　前記組成物中の前記ポリアニリン複合体の濃度が１５質量％以下である、請求項１７に記載の回路基板の製造方法。
　前記無電解めっき触媒がＰｄである、請求項１２～１８のいずれかに記載の回路基板の製造方法。