WO2020071361A1 - レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 105
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 80
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 23
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 18
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 13
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 12
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 8
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 24
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 119
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- -1 heptylene group Chemical group 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N Diethyl disulfide Chemical compound CCSSCC CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFCOXVISFBRIKN-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)NC(=O)N1CC1CO1 WFCOXVISFBRIKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RZJKZTPKSRPUFJ-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethyl-1,3-bis(oxiran-2-ylmethyl)imidazolidine-2,4-dione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)C(C)(C)N1CC1CO1 RZJKZTPKSRPUFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfide Chemical compound CCSCC LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQOXQRCZOLPYPM-UHFFFAOYSA-N dimethyl disulfide Chemical compound CSSC WQOXQRCZOLPYPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 3
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- MCEKOERWHIKDFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(butoxymethyl)urea Chemical compound CCCCOCN(COCCCC)C(=O)N(COCCCC)COCCCC MCEKOERWHIKDFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQNTZAWVZSKJKE-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(methoxymethyl)urea Chemical compound COCN(COC)C(=O)N(COC)COC GQNTZAWVZSKJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=CC=C21 SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 2-(furan-2-yl)-3h-benzimidazole-5-carboxylic acid Chemical compound N1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2N=C1C1=CC=CO1 DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJBWNNKDUMXZLM-UHFFFAOYSA-N 4-methylsulfonylbenzoic acid Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 AJBWNNKDUMXZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 5-sulfosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHUIUXNAPJIDOG-UHFFFAOYSA-N Piperonol Chemical compound OCC1=CC=C2OCOC2=C1 BHUIUXNAPJIDOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 244000245420 ail Species 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000004611 garlic Nutrition 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)C(O)C(C)C YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUBQYFYWUJJAAK-UHFFFAOYSA-N oxymethurea Chemical compound OCNC(=O)NCO QUBQYFYWUJJAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Definitions
- Patent Document 1 discloses an antireflection film for a semiconductor having a condensation polymer.
- Patent Literature 2 discloses a resist underlayer film for lithography containing a polymer having an optionally substituted aryl ester group at its terminal.
- Patent Document 3 discloses a resist underlayer film forming composition containing a polymer having a sulfonyl group introduced into a terminal.
- a method capable of dissolving the resist film is used to remove the unexposed portions of the resist film and leave the exposed portions of the resist film as a resist pattern. May be adopted.
- improvement of the adhesiveness of the resist pattern is a major issue.
- LWR Line Width Roughness, Line Widness Roughness, Line Width Fluctuation (Roughness)
- Roughness Line Width Fluctuation
- the polymer having the structural unit represented by the formula (3) is a polymer obtained by reacting a compound represented by the formula (10) with a compound represented by the formula (11), [6]. Resist underlayer film forming composition. (In the formulas (10) and (11), A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 , A 6 , Y 1 and Q have the same meaning as defined in [6].)
- the polymer having a structural unit represented by the formula (3) is a polymer obtained by reacting a compound represented by the formula (12) with a compound represented by the formula (13). Resist underlayer film forming composition. (Wherein, A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 , A 6 , Y 1 and Q represent the same meaning as defined in [6])
- the resist underlayer film forming composition for lithography of the present invention is characterized in that the terminal of the polymer contained in the resist underlayer film forming composition is capped with the structure represented by the formula (1) or (2).
- Specific examples of the above X include an ester bond, an ether bond, an amide bond, a urethane bond or a urea bond, and among these, an ester bond or an ether bond is preferable.
- Specific examples of the above A are groups derived from benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene or pyrene, and among these, groups derived from benzene, naphthalene or anthracene are preferred.
- Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
- the compound having the partial structure represented by the above formula (1) is represented, for example, by the following formula (1-1).
- X is a divalent organic group
- A is an aryl group having 6 to 40 carbon atoms
- R 1 is a halogen atom, an alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or
- It is an alkoxy group having 1 to 40 carbon atoms
- n1 is an integer of 1 to 12
- n2 is an integer of 0 to 11.
- Q 1 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a phenylene group, a naphthylene group, or an anthrylene group
- the phenylene group, the naphthylene group, and the anthrylene group are: Each is at least selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, a hydroxyl group, and an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms.
- N4 and n5 each independently represent a number of 0 or 1
- Y 2 represents formula (4), formula (5) or formula (7)).
- alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, and a pentyl group, and preferably a methyl group.
- alkenyl group having 3 to 6 carbon atoms are groups derived from propylene, isobutylene and amylene, and are preferably propenyl groups.
- alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a hexoxy group and a pentoxy group, and a methoxy group is preferable.
- the ratio of the polymer to the solid content of the resist underlayer film forming composition of the present invention is 50% by mass or more, preferably 60% by mass or more, for example, 50 to 100% by mass, or 60 to 99% by mass. % Or 70 to 95% by mass.
- the proportion of the solid content in the resist underlayer film forming composition of the present invention is not particularly limited as long as each component is uniformly dissolved in a solvent, and is, for example, 0.5 to 50% by mass, or It is 1 to 30% by mass, or 3 to 20% by mass.
- the solid content is a value obtained by removing the solvent component from all components of the resist underlayer film forming composition.
- the resist underlayer film according to the present invention can be produced by applying the above-described composition for forming a resist underlayer film on a semiconductor substrate and baking the composition.
- the semiconductor substrate on which the resist underlayer film forming composition of the present invention is applied include a silicon wafer, a germanium wafer, and a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride.
- the polymer solution does not cause cloudiness or the like even when cooled to room temperature, and has good solubility in propylene glycol monomethyl ether.
- GPC analysis revealed that the polymer in the obtained solution had a weight-average molecular weight of 3,402 in terms of standard polystyrene and a dispersity of 2.23.
- the polymer obtained in this synthesis example has structural units represented by the following formulas (1a) and (2a), and has a structure represented by the following formula (6a) at the terminal.
- Example 5 To 0.21 g of the polymer solution containing 0.031 g of the polymer obtained in Synthesis Example 5, 0.0077 g of tetramethoxymethyl glycoluril (manufactured by Nippon Cytec Industries, Ltd.) and pyridinium p-phenolsulfonate (Tokyo Kasei) 0.0012 g) (produced by Kogyo Co., Ltd.), 47.81 g of propylene glycol monomethyl ether and 2.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate were added and dissolved. Thereafter, the solution was filtered using a polyethylene microfilter having a pore size of 0.05 ⁇ m to obtain a resist underlayer film forming composition for lithography.
- the exposure amount (EOP) at the time of forming the 16 nm line / 32 nm pitch is shown as the optimum exposure amount, and the exposure amount (EOP) at that time is shown. An improvement in sensitivity was seen in comparison.
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Abstract
本発明は、所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。 下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至４０のアルキル基又は炭素原子数１乃至４０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基、炭素原子数６乃至４０のアリール基又はハロゲン原子であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
Description
本発明は、半導体素子製造時のリソグラフィー工程において、レジストパターン形成時のＬＷＲ（Line Width Roughness（ライン・ウィドス・ラフネス）、レジストパターン線幅の揺らぎ）の悪化の抑制及びレジスト感度の向上を目的としたリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法に関するものである。
従来から半導体装置の製造において、レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。前記微細加工は、シリコンウェハー等の半導体基板上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上にデバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜として基板をエッチング処理することにより、基板表面に、前記パターンに対応する微細凹凸を形成する加工法である。近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線も、従来使用されていたｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）に加え、最先端の微細加工にはＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の実用化が検討されている。これに伴い、活性光線の半導体基板からの乱反射、定在波の影響が大きな問題となっている。そこでこの問題を解決すべく、レジストと半導体基板の間に反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ：ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されている。当該反射防止膜はレジスト下層膜とも称される。かかる反射防止膜としては、その使用の容易さなどから、吸光部位を有するポリマー等からなる有機反射防止膜について数多くの検討が行われている。
特許文献１には、縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜が開示されている。特許文献２には、置換されていてもよいアリールエステル基を末端に有するポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜が開示されている。特許文献３には末端にスルホニル基が導入されたポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物が開示されている。
特許文献１には、縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜が開示されている。特許文献２には、置換されていてもよいアリールエステル基を末端に有するポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜が開示されている。特許文献３には末端にスルホニル基が導入されたポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物が開示されている。
レジスト下層膜に要求される特性としては、例えば、上層に形成されるレジスト膜とのインターミキシングが起こらないこと（レジスト溶剤に不溶であること）、レジスト膜に比べてドライエッチング速度が速いことが挙げられる。
ＥＵＶ露光を伴うリソグラフィーの場合、形成されるレジストパターンの線幅は３２ｎｍ以下となり、ＥＵＶ露光用のレジスト下層膜は、従来よりも膜厚を薄く形成して用いられる。このような薄膜を形成する際、基板表面、使用するポリマーなどの影響により、ピンホール、凝集などが発生しやすく、欠陥のない均一な膜を形成することが困難であった。
一方、レジストパターン形成の際、現像工程において、レジスト膜を溶解し得る溶剤、通常は有機溶剤を用いて前記レジスト膜の未露光部を除去し、当該レジスト膜の露光部をレジストパターンとして残す方法が採用されることがある。このようなネガ現像プロセスにおいては、レジストパターンの密着性の改善が大きな課題となっている。
また、レジストパターン形成時のＬＷＲ（Line Width Roughness、ライン・ウィドス・ラフネス、線幅の揺らぎ（ラフネス））の悪化を抑制し、良好な矩形形状を有するレジストパターンを形成すること、及びレジスト感度の向上が求められている。
本発明は、上記課題を解決した、所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
ＥＵＶ露光を伴うリソグラフィーの場合、形成されるレジストパターンの線幅は３２ｎｍ以下となり、ＥＵＶ露光用のレジスト下層膜は、従来よりも膜厚を薄く形成して用いられる。このような薄膜を形成する際、基板表面、使用するポリマーなどの影響により、ピンホール、凝集などが発生しやすく、欠陥のない均一な膜を形成することが困難であった。
一方、レジストパターン形成の際、現像工程において、レジスト膜を溶解し得る溶剤、通常は有機溶剤を用いて前記レジスト膜の未露光部を除去し、当該レジスト膜の露光部をレジストパターンとして残す方法が採用されることがある。このようなネガ現像プロセスにおいては、レジストパターンの密着性の改善が大きな課題となっている。
また、レジストパターン形成時のＬＷＲ（Line Width Roughness、ライン・ウィドス・ラフネス、線幅の揺らぎ（ラフネス））の悪化を抑制し、良好な矩形形状を有するレジストパターンを形成すること、及びレジスト感度の向上が求められている。
本発明は、上記課題を解決した、所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明は以下を包含する。
［１］
下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。
（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
［２］
前記式（１）及び式（２）中、Ｘはエステル結合又はエーテル結合である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［３］
前記式（１）及び式（２）中、Ａはフェニル基、ナフチル基又はアントラセニル基である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［４］
前記式（２）中、Ｒ２及びＲ３が水素原子である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［５］
前記式（１）中、ｎ２が０である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［１］
下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。
（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
［２］
前記式（１）及び式（２）中、Ｘはエステル結合又はエーテル結合である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［３］
前記式（１）及び式（２）中、Ａはフェニル基、ナフチル基又はアントラセニル基である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［４］
前記式（２）中、Ｒ２及びＲ３が水素原子である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［５］
前記式（１）中、ｎ２が０である、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［６］
前記ポリマーが、下記式（３）で表される構造単位を有する、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（（式（４）～（７）中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、また、Ｒ４とＲ５は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよく、Ｒ６は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）を表し、Ｑは式（８）または式（９）：
（式（８）及び（９）中、Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、またはアントリレン基を表し、そして、前記フェニレン基、ナフチレン基、及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に０又は１の整数を表し、Ｙ２は式（４）、式（５）又は式（７）を表す）を表す。）
前記ポリマーが、下記式（３）で表される構造単位を有する、［１］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（（式（４）～（７）中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、また、Ｒ４とＲ５は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよく、Ｒ６は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）を表し、Ｑは式（８）または式（９）：
（式（８）及び（９）中、Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、またはアントリレン基を表し、そして、前記フェニレン基、ナフチレン基、及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に０又は１の整数を表し、Ｙ２は式（４）、式（５）又は式（７）を表す）を表す。）
［７］
前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１０）で表される化合物と式（１１）で表される化合物との反応で得られるポリマーである、［６］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（１０）及び（１１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、［６］で定義されたと同じ意味を表す）
前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１０）で表される化合物と式（１１）で表される化合物との反応で得られるポリマーである、［６］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（１０）及び（１１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、［６］で定義されたと同じ意味を表す）
［８］
前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１２）で表される化合物と式（１３）で表される化合物との反応で得られるポリマーである、［６］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、［６］で定義されたと同じ意味を表す）
前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１２）で表される化合物と式（１３）で表される化合物との反応で得られるポリマーである、［６］に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、［６］で定義されたと同じ意味を表す）
［９］
架橋酸触媒をさらに含む［１］乃至［８］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［１０］
架橋剤をさらに含む［１］乃至［９］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［１１］
［１］乃至［１０］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
［１２］
半導体基板上に、［１］乃至［１０］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジストを塗布しベークしてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光する工程、露光後の前記レジスト膜を現像し、パターニングする工程を含む、パターニングされた基板の製造方法。
［１３］
半導体基板上に、［１］乃至［１０］の何れか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなるレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンを介して前記レジスト下層膜をエッチングすることによりパターン化されたレジスト下層膜を形成する工程と、
パターン化された前記レジスト下層膜により半導体基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
架橋酸触媒をさらに含む［１］乃至［８］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［１０］
架橋剤をさらに含む［１］乃至［９］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
［１１］
［１］乃至［１０］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
［１２］
半導体基板上に、［１］乃至［１０］のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジストを塗布しベークしてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光する工程、露光後の前記レジスト膜を現像し、パターニングする工程を含む、パターニングされた基板の製造方法。
［１３］
半導体基板上に、［１］乃至［１０］の何れか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなるレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンを介して前記レジスト下層膜をエッチングすることによりパターン化されたレジスト下層膜を形成する工程と、
パターン化された前記レジスト下層膜により半導体基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、当該レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの末端が、前記式（１）もしくは（２）で表される構造でキャッピングされていることを特徴とするものであり、斯かるポリマー及び有機溶媒、好ましくはさらに架橋剤及び／又は架橋反応を促進させる化合物を含有する組成物である。本願のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、このような構成としたことにより、レジストパターン形成時のＬＷＲ悪化の抑制及び感度の向上を達成することができる。
＜レジスト下層膜形成組成物＞
本願のレジスト下層膜形成組成物は、下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む。
（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至４０のアルキル基又は炭素原子数１乃至４０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基、置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
本願のレジスト下層膜形成組成物は、下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む。
（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至４０のアルキル基又は炭素原子数１乃至４０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基、置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
上記Ｘの具体例としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合であり、これらの中でもエステル結合又はエーテル結合が好ましい。
上記Ａの具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン又はピレンから誘導される基であり、これらの中でもベンゼン、ナフタレン、又はアントラセンから誘導される基が好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
上記炭素原子数１乃至１０アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基又はペンチル基であり、これらの中でもメチル基が好ましい。
上記炭素原子数１乃至１０アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、これらの中でもメトキシ基が好ましい。
上記置換されてもよいとは、上記炭素原子数１乃至１０のアルキル基の一部又は全部の水素原子が、例えば、フルオロ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよいことを言う。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基又はペンチル基が挙げられるが、好ましくはメチル基である。
上記炭素原子数６乃至４０のアリール基の具体例としては、ベンジル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基又はピレニル基が挙げられるが、これらの中でもフェニル基が好ましい。
ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であるが、１乃至６の整数が好ましい。
ｎ２は０乃至１１の整数であるが、０乃至２の整数が好ましい。
前記式（２）中、Ｒ２及びＲ３が水素原子であることが好ましい。
前記式（１）中、ｎ２が０であることが好ましい。
上記Ａの具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン又はピレンから誘導される基であり、これらの中でもベンゼン、ナフタレン、又はアントラセンから誘導される基が好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
上記炭素原子数１乃至１０アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基又はペンチル基であり、これらの中でもメチル基が好ましい。
上記炭素原子数１乃至１０アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、これらの中でもメトキシ基が好ましい。
上記置換されてもよいとは、上記炭素原子数１乃至１０のアルキル基の一部又は全部の水素原子が、例えば、フルオロ基又はヒドロキシ基で置換されていてもよいことを言う。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基又はペンチル基が挙げられるが、好ましくはメチル基である。
上記炭素原子数６乃至４０のアリール基の具体例としては、ベンジル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基又はピレニル基が挙げられるが、これらの中でもフェニル基が好ましい。
ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であるが、１乃至６の整数が好ましい。
ｎ２は０乃至１１の整数であるが、０乃至２の整数が好ましい。
前記式（２）中、Ｒ２及びＲ３が水素原子であることが好ましい。
前記式（１）中、ｎ２が０であることが好ましい。
上記式（１）で示される部分構造を有する化合物は、例えば下記式（１－１）で表される。
（上記式（１－１）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至４０のアルキル基又は炭素原子数１乃至４０のアルコキシ基であり、ｎ１は１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
（上記式（１－１）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至４０のアルキル基又は炭素原子数１乃至４０のアルコキシ基であり、ｎ１は１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。）
上記式（１－１）中、本発明にて、各々好ましいＸ、Ａ、Ｒ１、ｎ１及びｎ２は上記のとおりである。
上記式（１－１）で表される化合物の具体例を例示すると、以下のとおりである。
下記の化合物を、ポリマーの末端と自体公知の方法で反応させて、本願のレジスト下層膜形成組成物が含有するポリマーが製造できる。
上記式（１－１）で表される化合物の具体例を例示すると、以下のとおりである。
下記の化合物を、ポリマーの末端と自体公知の方法で反応させて、本願のレジスト下層膜形成組成物が含有するポリマーが製造できる。
上記式（２）で示される部分構造を有する化合物は、例えば下記式（２－１）で表される。
（上記式（２－１）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基、置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基又はハロゲン原子であり、ｎ３は１乃至１２の整数である。）
（上記式（２－１）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基、置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基又はハロゲン原子であり、ｎ３は１乃至１２の整数である。）
上記式（２－１）中、本発明にて、各々好ましいＸ、Ａ、Ｒ２、Ｒ３及びｎ３は上記のとおりである。
上記式（２－１）で表される化合物の具体例を例示すると、以下のとおりである。
下記の化合物を、ポリマー末端と自体公知の方法で反応させて、本願のレジスト下層膜形成組成物が含有するポリマーが製造できる。
上記式（２－１）で表される化合物の具体例を例示すると、以下のとおりである。
下記の化合物を、ポリマー末端と自体公知の方法で反応させて、本願のレジスト下層膜形成組成物が含有するポリマーが製造できる。
前記ポリマーは、レジスト下層膜形成組成物に使用される自体公知のポリマーであれば特に限定されない。具体的にはオレフィンが反応したビニル重合ポリマー、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタンが挙げられるが、下記式（３）で表される構造単位を有することが好ましい。
（式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（（式（４）～（７）中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、また、Ｒ４とＲ５は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよく、Ｒ６は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）を表し、Ｑは式（８）または式（９）：
（式（８）及び（９）中、Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、またはアントリレン基を表し、そして、前記フェニレン基、ナフチレン基、及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に０または１の数を表し、Ｙ２は式（４）、式（５）または式（７）を表す）を表す）
上記炭素原子数１乃至６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ペンチル基であり、好ましくはメチル基である。
上記炭素原子数３乃至６のアルケニル基の具体例としては、プロピレン、イソブチレン、アミレンから誘導される基であり、好ましくはプロペニル基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、好ましくはメトキシ基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィドから誘導される基であり、好ましくはジエチルジスルフィドから誘導される基である。
上記炭素原子数３乃至６の環の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロヘキサン環又はチオフェン環である。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、ペンチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基である。
上記炭素原子数３乃至６のアルケニル基の具体例としては、プロピレン、イソブチレン、アミレンから誘導される基であり、好ましくはプロペニル基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、好ましくはメトキシ基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィドから誘導される基であり、好ましくはジエチルジスルフィドから誘導される基である。
上記炭素原子数３乃至６の環の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロヘキサン環又はチオフェン環である。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、ペンチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基である。
前記ポリマーは、再公表２００５／０９８５４２に記載のポリマー末端に、特定構造の化合物を反応させて使用してもよい。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１０）で表される化合物と、式（１１）で表される化合物との反応で得られるコポリマーの末端に、特定構造の化合物を反応させて得られる。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、下記式（１０）で表される化合物、下記式（１１）で表される化合物、並びに上記式（１－１）若しくは式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物の反応生成物であってもよい。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１０）で表される化合物と、式（１１）で表される化合物との反応で得られるコポリマーの末端に、特定構造の化合物を反応させて得られる。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、下記式（１０）で表される化合物、下記式（１１）で表される化合物、並びに上記式（１－１）若しくは式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物の反応生成物であってもよい。
（式（１０）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（（式（４）～（７）中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、また、Ｒ４とＲ５は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよく、Ｒ６は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）を表し、Ｑは式（８）または式（９）：
（式（８）及び（９）中、Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、またはアントリレン基を表し、そして、前記フェニレン基、ナフチレン基、及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に０または１の数を表し、Ｙ２は式（４）、式（５）または式（７）を表す）を表す）。
上記炭素原子数１乃至６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ペンチル基であり、好ましくはメチル基である。
上記炭素原子数３乃至６のアルケニル基の具体例としては、プロピレン、イソブチレン、アミレンから誘導される基であり、好ましくはプロペニル基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、好ましくはメトキシ基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィドから誘導される基であり、好ましくはジエチルジスルフィドから誘導される基である。
上記炭素原子数３乃至６の環の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロヘキサン環又はチオフェン環である。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、ペンチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基である。
上記炭素原子数３乃至６のアルケニル基の具体例としては、プロピレン、イソブチレン、アミレンから誘導される基であり、好ましくはプロペニル基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキソキシ基又はペントキシ基であり、好ましくはメトキシ基である。
上記炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィドから誘導される基であり、好ましくはジエチルジスルフィドから誘導される基である。
上記炭素原子数３乃至６の環の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロヘキサン環又はチオフェン環である。
上記炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、ペンチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はブチレン基である。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１２）で表される化合物と、式（１３）で表される化合物との反応で得られるコポリマーの末端に、特定構造の化合物を反応させて得られる。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１２）で表される化合物、式（１３）で表される化合物、及び上記式（１－１）又は式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物の反応で得られるポリマーであってもよい。
本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１２）で表される化合物、式（１３）で表される化合物、及び上記式（１－１）又は式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物の反応で得られるポリマーであってもよい。
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、上記で定義されたと同じ意味を表す）
本発明のレジスト下層膜形成組成物の固形分に占めるポリマーの割合としては、５０質量％以上であり、好ましくは６０質量％以上であり、例えば５０～１００質量％であり、または６０～９９質量％であり、または７０～９５質量％である。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物における固形分の割合は、各成分が溶剤に均一に溶解している限りは特に限定はないが、例えば０．５～５０質量％であり、または、１～３０質量％であり、または３～２０質量％である。ここで固形分とは、レジスト下層膜形成組成物の全成分から溶剤成分を除いたものである。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの分子量としては、重量平均分子量として、例えば、１０００～２０００００であり、または１２００～１０００００であり、または１５００～３００００であり、または２０００～２００００、または２０００～４０００である。
重量平均分子量は、例えば実施例に記載のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定法により求めることができる。
重量平均分子量は、例えば実施例に記載のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定法により求めることができる。
＜ポリマーの製造方法＞
重合方法の一例として、本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、下記式（１０）で表される化合物、下記式（１１）で表される化合物、並びに上記式（１－１）若しくは式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物に、重合触媒を加えて加熱重合を行い合成することができる。重合方法の一例として、本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１２）で表される化合物、式（１３）で表される化合物、及び上記式（１－１）又は式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物に、重合触媒を加えて加熱重合を行い合成することができる。ここで使用する有機溶媒は、後述する本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる有機溶媒として好ましい例示の中より適宜選択できる。当該重合触媒として、例えば、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドを挙げることができ、例えば５０℃乃至１６０℃、好ましくは７０℃乃至１３０℃に加熱して重合できる。反応時間としては例えば１時間乃至１００時間、好ましくは２時間乃至４８時間である。
重合方法の一例として、本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、下記式（１０）で表される化合物、下記式（１１）で表される化合物、並びに上記式（１－１）若しくは式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物に、重合触媒を加えて加熱重合を行い合成することができる。重合方法の一例として、本願のレジスト下層膜形成組成物が含むポリマーは、式（１２）で表される化合物、式（１３）で表される化合物、及び上記式（１－１）又は式（２－１）で表される化合物を含む、化合物の混合物に、重合触媒を加えて加熱重合を行い合成することができる。ここで使用する有機溶媒は、後述する本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる有機溶媒として好ましい例示の中より適宜選択できる。当該重合触媒として、例えば、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドを挙げることができ、例えば５０℃乃至１６０℃、好ましくは７０℃乃至１３０℃に加熱して重合できる。反応時間としては例えば１時間乃至１００時間、好ましくは２時間乃至４８時間である。
＜有機溶媒＞
本願のレジスト下層膜が含む有機溶媒の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチル等であり、最も好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合溶媒である。
本願のレジスト下層膜が含む有機溶媒の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２－ヒドロキシ－３－メチルブタン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチル等であり、最も好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合溶媒である。
＜架橋酸触媒＞
本願のレジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋酸触媒を含んでいてもよい。架橋酸触媒とは、熱酸発生剤であり、具体例としてはｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、５－スルホサリチル酸、４－クロロベンゼンスルホン酸、４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１－ナフタレンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物が挙げられる。
本願のレジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋酸触媒を含んでいてもよい。架橋酸触媒とは、熱酸発生剤であり、具体例としてはｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、５－スルホサリチル酸、４－クロロベンゼンスルホン酸、４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１－ナフタレンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物が挙げられる。
本願のレジスト下層膜形成組成物は、架橋剤を含んでいてもよい。架橋剤とは、少なくとも二つの架橋形成置換基（例えば、メチロール基、メトキシメチル基、ブトキシメチル基）を有する含窒素化合物であり、具体例としてはヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６－テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６－テトラキス（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３－ビス（ヒドロキシメチル）尿素、１，１，３，３－テトラキス（ブトキシメチル）尿素、１，１，３，３－テトラキス（メトキシメチル）尿素が挙げられる。
＜レジスト下層膜＞
本発明に係るレジスト下層膜は、上述したレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成することにより製造することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布される半導体基板としては、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、及びヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の化合物半導体ウエハが挙げられる。
表面に無機膜が形成された半導体基板を用いる場合、当該無機膜は、例えば、ＡＬＤ（原子層堆積）法、ＣＶＤ（化学気相堆積）法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコーティング法（スピンオングラス：ＳＯＧ）により形成される。前記無機膜として、例えば、ポリシリコン膜、酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ－Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、窒化チタン膜、窒化酸化チタン膜、タングステン膜、窒化ガリウム膜、及びヒ化ガリウム膜が挙げられる。
このような半導体基板上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布する。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることによりレジスト下層膜を形成する。ベーク条件としては、ベーク温度１００℃～４００℃、ベーク時間０．３分～６０分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度１２０℃～３５０℃、ベーク時間０．５分～３０分間、より好ましくは、ベーク温度１５０℃～３００℃、ベーク時間０．８分～１０分間である。
形成されるレジスト下層膜の膜厚としては、例えば０．００１μｍ（１ｎｍ）～１０μｍ、好ましくは０．００２μｍ（２ｎｍ）～１μｍ、より好ましくは０．００５μｍ（５ｎｍ）～０．５μｍ（５００ｎｍ）である。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となることがある。一方、ベーク時の温度が上記範囲より高い場合は、レジスト下層膜が熱によって分解してしまうことがある。
本発明に係るレジスト下層膜は、上述したレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成することにより製造することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布される半導体基板としては、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、及びヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の化合物半導体ウエハが挙げられる。
表面に無機膜が形成された半導体基板を用いる場合、当該無機膜は、例えば、ＡＬＤ（原子層堆積）法、ＣＶＤ（化学気相堆積）法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコーティング法（スピンオングラス：ＳＯＧ）により形成される。前記無機膜として、例えば、ポリシリコン膜、酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ－Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、窒化チタン膜、窒化酸化チタン膜、タングステン膜、窒化ガリウム膜、及びヒ化ガリウム膜が挙げられる。
このような半導体基板上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布する。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることによりレジスト下層膜を形成する。ベーク条件としては、ベーク温度１００℃～４００℃、ベーク時間０．３分～６０分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度１２０℃～３５０℃、ベーク時間０．５分～３０分間、より好ましくは、ベーク温度１５０℃～３００℃、ベーク時間０．８分～１０分間である。
形成されるレジスト下層膜の膜厚としては、例えば０．００１μｍ（１ｎｍ）～１０μｍ、好ましくは０．００２μｍ（２ｎｍ）～１μｍ、より好ましくは０．００５μｍ（５ｎｍ）～０．５μｍ（５００ｎｍ）である。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となることがある。一方、ベーク時の温度が上記範囲より高い場合は、レジスト下層膜が熱によって分解してしまうことがある。
＜パターニングされた基板の製造方法、半導体装置の製造方法＞
パターニングされた基板の製造方法は以下の工程を経る。通常、レジスト下層膜の上にフォトレジスト層を形成して製造される。レジスト下層膜の上に自体公知の方法で塗布、焼成して形成されるフォトレジストとしては露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。ノボラック樹脂と１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、メタル元素を含有するレジストなどがある。例えば、ＪＳＲ（株）製商品名Ｖ１４６Ｇ、シプレー社製商品名ＡＰＥＸ－Ｅ、住友化学（株）製商品名ＰＡＲ７１０、及び信越化学工業（株）製商品名ＡＲ２７７２、ＳＥＰＲ４３０等が挙げられる。また、例えば、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３３０－３３４（２０００）、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３５７－３６４（２０００）、やＰｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３６５－３７４（２０００）に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。
露光は、所定のパターンを形成するためのマスク（レチクル）を通して行われ、例えば、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ（極端紫外線）またはＥＢ（電子線）が使用される。現像にはアルカリ現像液が用いられ、現像温度５℃～５０℃、現像時間１０秒～３００秒から適宜選択される。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジーｎ－ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。アルカリ現像液に代えて、酢酸ブチル等の有機溶媒で現像を行い、フォトレジストのアルカリ溶解速度が向上していない部分を現像する方法を用いることもできる。上記工程を経て、上記レジストがパターニングされた基板が製造できる。
次いで、形成したレジストパターンをマスクとして、前記レジスト下層膜をドライエッチングする。その際、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されている場合、その無機膜の表面を露出させ、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されていない場合、その半導体基板の表面を露出させる。その後基板を自体公知の方法（ドライエッチング法等）により基板を加工する工程を経て、半導体装置が製造できる。
パターニングされた基板の製造方法は以下の工程を経る。通常、レジスト下層膜の上にフォトレジスト層を形成して製造される。レジスト下層膜の上に自体公知の方法で塗布、焼成して形成されるフォトレジストとしては露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。ノボラック樹脂と１，２－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、メタル元素を含有するレジストなどがある。例えば、ＪＳＲ（株）製商品名Ｖ１４６Ｇ、シプレー社製商品名ＡＰＥＸ－Ｅ、住友化学（株）製商品名ＰＡＲ７１０、及び信越化学工業（株）製商品名ＡＲ２７７２、ＳＥＰＲ４３０等が挙げられる。また、例えば、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３３０－３３４（２０００）、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３５７－３６４（２０００）、やＰｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３９９９，３６５－３７４（２０００）に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。
露光は、所定のパターンを形成するためのマスク（レチクル）を通して行われ、例えば、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ（極端紫外線）またはＥＢ（電子線）が使用される。現像にはアルカリ現像液が用いられ、現像温度５℃～５０℃、現像時間１０秒～３００秒から適宜選択される。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジーｎ－ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。アルカリ現像液に代えて、酢酸ブチル等の有機溶媒で現像を行い、フォトレジストのアルカリ溶解速度が向上していない部分を現像する方法を用いることもできる。上記工程を経て、上記レジストがパターニングされた基板が製造できる。
次いで、形成したレジストパターンをマスクとして、前記レジスト下層膜をドライエッチングする。その際、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されている場合、その無機膜の表面を露出させ、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されていない場合、その半導体基板の表面を露出させる。その後基板を自体公知の方法（ドライエッチング法等）により基板を加工する工程を経て、半導体装置が製造できる。
以下、本発明について合成例及び実施例を挙げて詳述するが、本発明は下記記載に何ら限定されるものではない。
本明細書の下記合成例１乃至合成例７に示す重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、本明細書ではＧＰＣと略称する。）による測定結果である。測定には東ソー（株）製ＧＰＣ装置を用い、測定条件は下記のとおりである。また、本明細書の下記合成例に示す分散度は、測定された重量平均分子量、及び数平均分子量から算出される。
ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ〔登録商標〕・Ａｓａｈｉｐａｋ〔登録商標〕（昭和電工（株））
カラム温度：４０℃
溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：０．６ｍｌ／分
標準試料：ポリスチレン（東ソー（株）製）
ディテクター：ＲＩディテクター（東ソー（株）製、ＲＩ－８０２０）
ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ〔登録商標〕・Ａｓａｈｉｐａｋ〔登録商標〕（昭和電工（株））
カラム温度：４０℃
溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：０．６ｍｌ／分
標準試料：ポリスチレン（東ソー（株）製）
ディテクター：ＲＩディテクター（東ソー（株）製、ＲＩ－８０２０）
＜合成例１＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）７．５０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）４．６１ｇ、３-ヒドロキシ安息香酸（東京化成工業（株）製）１．３４ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．６０ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル６２.３０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２５９１、分散度は１．４１であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（4ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）７．５０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）４．６１ｇ、３-ヒドロキシ安息香酸（東京化成工業（株）製）１．３４ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．６０ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル６２.３０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２５９１、分散度は１．４１であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（4ａ）で表される構造を末端に有する。
＜合成例２＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）７．５０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）４．６１ｇ、３，４-ジヒドロキシ安息香酸（東京化成工業（株）製）１．４８ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．６０ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル６３．０１ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２９５０、分散度は１．４６であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（3ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）７．５０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）４．６１ｇ、３，４-ジヒドロキシ安息香酸（東京化成工業（株）製）１．４８ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．６０ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル６３．０１ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２９５０、分散度は１．４６であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（3ａ）で表される構造を末端に有する。
＜合成例３＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）５．４０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）３．３２ｇ、1-Hydroxy-2-naphthoic Acid（東京化成工業（株）製）１．３０ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．４３ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４６．７４ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２３８６、分散度は２．２１であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（5ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）５．４０ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）３．３２ｇ、1-Hydroxy-2-naphthoic Acid（東京化成工業（株）製）１．３０ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．４３ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４６．７４ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２３８６、分散度は２．２１であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（5ａ）で表される構造を末端に有する。
＜合成例４＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、ガリック酸（東京化成工業（株）製）１．９６ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．９９ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量３４０２、分散度は２．２３であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（6ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、ガリック酸（東京化成工業（株）製）１．９６ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．９９ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量３４０２、分散度は２．２３であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（6ａ）で表される構造を末端に有する。
＜合成例５＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、ピペロニルアルコール（東京化成工業（株）製）１．９１ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量３１８６、分散度は２．５７であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（７ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、ピペロニルアルコール（東京化成工業（株）製）１．９１ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量３１８６、分散度は２．５７であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（７ａ）で表される構造を末端に有する。
＜比較合成例１＞
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、4-(Methylsulfonyl)benzoic Acid（東京化成工業（株）製）１．９１ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２６００、分散度は２．１３であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（8ａ）で表される構造を末端に有する。
ジグリシジルジメチルヒダントイン（四国化成（株）製）９．００ｇ、モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）５．５３ｇ、4-(Methylsulfonyl)benzoic Acid（東京化成工業（株）製）１．９１ｇ及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド（ＡＣＲＯＳＳ社製）０．７１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８０ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量２６００、分散度は２．１３であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式（1ａ）及び式（2ａ）で表される構造単位を有すると共に、下記式（8ａ）で表される構造を末端に有する。
＜実施例１＞
上記合成例１で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例１で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例２＞
上記合成例２で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例２で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例３＞
上記合成例３で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例３で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例４＞
上記合成例４で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例４で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例５＞
上記合成例５で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例５で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜比較例１＞
上記比較合成例１で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記比較合成例１で得られた、ポリマー０．０３１ｇを含むポリマー溶液０．２１ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製）０．００７７ｇとｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩（東京化成工業（株）製）０．００１２ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル４７．８１ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２．００ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
〔フォトレジスト溶剤への溶出試験〕
実施例１乃至実施例５、及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーにより、半導体基板であるシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、２１５℃で１分間ベークし、レジスト下層膜（膜厚５ｎｍ）を形成した。これらのレジスト下層膜をフォトレジストに使用する溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
実施例１乃至実施例５、及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーにより、半導体基板であるシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、２１５℃で１分間ベークし、レジスト下層膜（膜厚５ｎｍ）を形成した。これらのレジスト下層膜をフォトレジストに使用する溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
〔ＫｒＦ露光によるレジストパターンの形成〕
DUV-30J（日産化学（株）製反射防止膜）を反射防止膜としてスピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーを、ホットプレート上で２０５℃で６０秒間ベークし、膜厚１８nmの膜を得た。その膜上に実施例１乃至実施例５及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウェハー上にそれぞれ塗布した。そのシリコンウェハーを、ホットプレート上で２１５℃で６０秒間ベークし、膜厚５ｎｍのレジスト下層膜を得た。そのレジスト下層膜上に、ＫｒＦエキシマレーザー用ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、１１０℃で６０秒間加熱し、ＫｒＦレジスト膜を形成した。そのレジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザー用露光装置（（株）ニコン製、ＮＳＲ Ｓ２０５C）を用い、所定の条件で露光した。露光後、１１０℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）を行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、酢酸ブチルで現像した後、酢酸ブチルでリンス処理をし、１７０ｎｍライン／３４０ｎｍピッチのレジストパターンを形成した。レジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズ製、CG４１００）を用いた。上記レジストパターンの形成において、１７０ｎｍライン／３４０ｎｍピッチ（ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した露光量を最適露光量とした。評価は、１７０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の形成可否、形成されたラインパターン上面からの観察による当該ラインパターンのライン幅のラフネス（ＬＷＲ）の大小、及びレジストパターンの倒壊が認められない最小の線幅である最小倒壊前寸法により行った。表１に評価の結果を示す。ラインアンドスペースが形成された場合を「良好」とした。また、ＬＷＲについて、形成されたラインパターンの線幅のバラツキの大きさをｎｍで示した。ＬＷＲは小さい値ほど好ましいことから実施例１乃至実施例５は比較例１と比べて、良好なＬＷＲを示した。
DUV-30J（日産化学（株）製反射防止膜）を反射防止膜としてスピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーを、ホットプレート上で２０５℃で６０秒間ベークし、膜厚１８nmの膜を得た。その膜上に実施例１乃至実施例５及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウェハー上にそれぞれ塗布した。そのシリコンウェハーを、ホットプレート上で２１５℃で６０秒間ベークし、膜厚５ｎｍのレジスト下層膜を得た。そのレジスト下層膜上に、ＫｒＦエキシマレーザー用ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、１１０℃で６０秒間加熱し、ＫｒＦレジスト膜を形成した。そのレジスト膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザー用露光装置（（株）ニコン製、ＮＳＲ Ｓ２０５C）を用い、所定の条件で露光した。露光後、１１０℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）を行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、酢酸ブチルで現像した後、酢酸ブチルでリンス処理をし、１７０ｎｍライン／３４０ｎｍピッチのレジストパターンを形成した。レジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズ製、CG４１００）を用いた。上記レジストパターンの形成において、１７０ｎｍライン／３４０ｎｍピッチ（ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した露光量を最適露光量とした。評価は、１７０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の形成可否、形成されたラインパターン上面からの観察による当該ラインパターンのライン幅のラフネス（ＬＷＲ）の大小、及びレジストパターンの倒壊が認められない最小の線幅である最小倒壊前寸法により行った。表１に評価の結果を示す。ラインアンドスペースが形成された場合を「良好」とした。また、ＬＷＲについて、形成されたラインパターンの線幅のバラツキの大きさをｎｍで示した。ＬＷＲは小さい値ほど好ましいことから実施例１乃至実施例５は比較例１と比べて、良好なＬＷＲを示した。
〔ＥＵＶ露光試験〕
シリコンウェハー上に、本発明の実施例１、実施例２及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物をスピンコートし、２１５℃で１分間加熱することにより、レジスト下層膜を形成した。そのレジスト下層膜上に、ＥＵＶ用レジスト溶液をスピンコートし加熱を行い、ＥＵＶ露光装置（ＡＳＭＬ社製、ＮＸＥ３３００Ｂ）を用い、ＮＡ＝０．３３ Ｄｉｐｏｌｅの条件で露光した。露光後、ＰＥＢ（露光後加熱）を行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、現像及びリンス処理を行い、シリコンウェハー上にレジストパターンを形成した。評価は、１６ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の形成可否を示す。また１６ｎｍライン／３２ｎｍピッチ（ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した露光量を最適露光量とし、その時の露光量(EOP)を示す。実施例１及び２は比較例１と比較して感度の向上が見られた。
シリコンウェハー上に、本発明の実施例１、実施例２及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物をスピンコートし、２１５℃で１分間加熱することにより、レジスト下層膜を形成した。そのレジスト下層膜上に、ＥＵＶ用レジスト溶液をスピンコートし加熱を行い、ＥＵＶ露光装置（ＡＳＭＬ社製、ＮＸＥ３３００Ｂ）を用い、ＮＡ＝０．３３ Ｄｉｐｏｌｅの条件で露光した。露光後、ＰＥＢ（露光後加熱）を行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、現像及びリンス処理を行い、シリコンウェハー上にレジストパターンを形成した。評価は、１６ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の形成可否を示す。また１６ｎｍライン／３２ｎｍピッチ（ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した露光量を最適露光量とし、その時の露光量(EOP)を示す。実施例１及び２は比較例１と比較して感度の向上が見られた。
本発明に係るレジスト下層膜形成組成物は、所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することができる。
Claims (13)
- 下記式（１）又は（２）で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。
（上記式（１）及び式（２）中、Ｘは２価の有機基であり、Ａは炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、Ｒ１はハロゲン原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基であり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、置換されてもよい炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は置換されてもよい炭素原子数６乃至４０のアリール基であり、ｎ１及びｎ３は各々独立に１乃至１２の整数であり、ｎ２は０乃至１１の整数である。） - 前記式（１）及び式（２）中、Ｘはエステル結合又はエーテル結合である、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記式（１）及び式（２）中、Ａはベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから誘導される基である、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記式（２）中、Ｒ２及びＲ３が水素原子である、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記式（１）中、ｎ２が０である、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記ポリマーが、下記式（３）で表される構造単位を有する、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（３）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｙ１は式（４）、式（５）、式（６）または式（７）：
（（式（４）～（７）中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、また、Ｒ４とＲ５は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよく、Ｒ６は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、そして、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい）を表し、Ｑは式（８）または式（９）：
（式（８）及び（９）中、Ｑ１は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、またはアントリレン基を表し、そして、前記フェニレン基、ナフチレン基、及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、水酸基、及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、ｎ４及びｎ５はそれぞれ独立に０又は１の整数を表し、Ｙ２は式（４）、式（５）又は式（７）を表す）を表す。） - 前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１０）で表される化合物と式（１１）で表される化合物とをコモノマーとするポリマーである、請求項６に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式（１０）及び（１１）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、請求項６で定義されたと同じ意味を表す） - 前記式（３）で表される構造単位を有するポリマーが、式（１２）で表される化合物と式（１３）で表される化合物とをコモノマーとするポリマーである、請求項６に記載のレジスト下層膜形成組成物。
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ｙ１及びＱは、請求項６で定義されたと同じ意味を表す） - 架橋酸触媒をさらに含む請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 架橋剤をさらに含む請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなる塗布膜の焼成物であることを特徴とするレジスト下層膜。
- 半導体基板上に、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジストを塗布しベークしてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光する工程、露光後の前記レジスト膜を現像し、パターニングする工程を含む、パターニングされた基板の製造方法。
- 半導体基板上に、請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載のレジスト下層膜形成組成物からなるレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
形成された前記レジストパターンを介して前記レジスト下層膜をエッチングすることによりパターン化されたレジスト下層膜を形成する工程と、
パターン化された前記レジスト下層膜により半導体基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020550450A JP7268684B2 (ja) | 2018-10-05 | 2019-10-01 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| US17/281,362 US20210397090A1 (en) | 2018-10-05 | 2019-10-01 | Resist underlayer film-forming composition and method for forming resist pattern using the same |
| CN201980064842.4A CN112789556A (zh) | 2018-10-05 | 2019-10-01 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 |
| KR1020217009844A KR20210071980A (ko) | 2018-10-05 | 2019-10-01 | 레지스트 하층막 형성 조성물 및 그것을 이용한 레지스트패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018190024 | 2018-10-05 | ||
| JP2018-190024 | 2018-10-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020071361A1 true WO2020071361A1 (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=70055524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/038741 WO2020071361A1 (ja) | 2018-10-05 | 2019-10-01 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210397090A1 (ja) |
| JP (2) | JP7268684B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210071980A (ja) |
| CN (1) | CN112789556A (ja) |
| TW (1) | TWI814915B (ja) |
| WO (1) | WO2020071361A1 (ja) |
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| WO2009104552A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | 日産化学工業株式会社 | 環状アミノ基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
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| US9910354B2 (en) | 2014-04-25 | 2018-03-06 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film-forming composition and method for forming resist pattern using the same |
| US20220187707A1 (en) * | 2019-05-08 | 2022-06-16 | Nissan Chemical Corporation | Resist underlayer film-forming composition containing alicyclic compound-terminated polymer |
-
2019
- 2019-10-01 JP JP2020550450A patent/JP7268684B2/ja active Active
- 2019-10-01 CN CN201980064842.4A patent/CN112789556A/zh active Pending
- 2019-10-01 WO PCT/JP2019/038741 patent/WO2020071361A1/ja active Application Filing
- 2019-10-01 KR KR1020217009844A patent/KR20210071980A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-01 US US17/281,362 patent/US20210397090A1/en active Pending
- 2019-10-04 TW TW108136001A patent/TWI814915B/zh active
-
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- 2023-04-18 JP JP2023067837A patent/JP2023100689A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210071980A (ko) | 2021-06-16 |
| TW202028869A (zh) | 2020-08-01 |
| CN112789556A (zh) | 2021-05-11 |
| US20210397090A1 (en) | 2021-12-23 |
| JP2023100689A (ja) | 2023-07-19 |
| JPWO2020071361A1 (ja) | 2021-09-24 |
| TWI814915B (zh) | 2023-09-11 |
| JP7268684B2 (ja) | 2023-05-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| ENP | Entry into the national phase |
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|
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Ref country code: DE |
|
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