WO2020009242A1 - 半導体ダイのピックアップシステム - Google Patents

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WO2020009242A1
WO2020009242A1 PCT/JP2019/026908 JP2019026908W WO2020009242A1 WO 2020009242 A1 WO2020009242 A1 WO 2020009242A1 JP 2019026908 W JP2019026908 W JP 2019026908W WO 2020009242 A1 WO2020009242 A1 WO 2020009242A1
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semiconductor die
value
time
die
pickup
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邦彦 馬詰
晃児 松下
泰人 小林
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株式会社新川
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor die pickup system used for a bonding apparatus (bonding system).
  • Semiconductor dies are manufactured by cutting a 6 inch or 8 inch wafer into a predetermined size. At the time of cutting, a dicing sheet is attached to the back surface so that the cut semiconductor dies do not fall apart, and the wafer is cut from the front side by a dicing saw or the like. At this time, the dicing sheet affixed to the back surface is slightly cut, but is not cut, and holds each semiconductor die. Each of the cut semiconductor dies is picked up one by one from the dicing sheet and sent to the next step such as die bonding.
  • a dicing sheet As a method of picking up a semiconductor die from a dicing sheet, a dicing sheet is sucked on the surface of a disk-shaped suction piece, and the semiconductor die is sucked by a collet.
  • a method has been proposed in which a semiconductor die is picked up from a dicing sheet by raising a collet and raising a collet (see, for example, FIGS. 9 to 23 of Patent Document 1).
  • peeling the semiconductor die from the dicing sheet it is effective to first peel the peripheral portion of the semiconductor die and then peel the central portion of the semiconductor die.
  • the push-up block is divided into three parts: one that pushes up the peripheral portion of the semiconductor die, one that pushes up the center of the semiconductor die, and one that pushes up the middle of the die.
  • the three blocks are raised to a predetermined height.
  • the middle and middle blocks are raised higher than the surrounding blocks, and finally the center block is raised higher than the middle block.
  • the collet and the peripheral, intermediate, and center push-up blocks are set at a predetermined height higher than the surface of the ejector cap. After raising the collet, leave the collet at the same height, lower the surrounding push-up block, the middle push-up block, and then the push-up block to a position below the ejector cap surface, and peel the dicing sheet from the semiconductor die A method has been proposed (for example, see Patent Document 2).
  • Patent Document 3 also discloses that the bending (bending) of a semiconductor die is detected (determined) by a change in the flow rate of suction air from a collet.
  • semiconductor dies have become extremely thin, for example, some are about 20 ⁇ m.
  • the thickness of the dicing sheet is about 100 ⁇ m, the thickness of the dicing sheet is four to five times the thickness of the semiconductor die. If such a thin semiconductor die is to be separated from the dicing sheet, the deformation of the semiconductor die following the deformation of the dicing sheet is more likely to occur.
  • the semiconductor die when a semiconductor die is picked up from a dicing sheet, the semiconductor die may be damaged, and there is room for improvement.
  • the peeling properties of the semiconductor dies from the dicing sheet may change.
  • the peelability of the semiconductor die picked up at the beginning was good (the peelability was high), but the peelability of the semiconductor die picked up at the later side was worse than that (easy peeling). Degree is lower).
  • the reverse is also possible.
  • the semiconductor die will be damaged.
  • the semiconductor die is not damaged, but the semiconductor die is originally picked up over a long period of time although the semiconductor die can be picked up in a shorter time. .
  • the present invention appropriately suppresses damage to a semiconductor die when picking up a semiconductor die, and suppresses damage to the semiconductor die when continuously picking up a plurality of semiconductor dies, and increases the speed of pickup of the semiconductor die.
  • the purpose is to make the balance with the optimization appropriate.
  • the semiconductor die pick-up system of the present invention is a semiconductor die pick-up system for picking up a semiconductor die attached to a surface of a dicing sheet from a dicing sheet.
  • a suction mechanism for sucking air from the front surface a flow sensor for detecting a suction air flow rate sucked by the suction mechanism, a stage including a suction surface for suctioning the back surface of the dicing sheet, and an opening provided on the suction surface of the stage.
  • An opening pressure switching mechanism for switching an opening pressure between a first pressure close to a vacuum and a second pressure close to the atmospheric pressure, and setting means for setting a pickup parameter including the number of times the opening pressure is switched when a semiconductor die is picked up.
  • Setting means when picking up a semiconductor die, a flow rate sensor. Obtains a flow rate change that is a time change of the suction air flow rate detected by the apparatus, calculates an evaluation value that evaluates the releasability of peeling the semiconductor die from the dicing sheet based on the flow rate change, and, based on the evaluation value, A pickup parameter for picking up another semiconductor die after picking up the die is changed.
  • the setting means may change a time for keeping the opening pressure at the first pressure when picking up the other semiconductor die based on an evaluation value.
  • the semiconductor die pickup system further includes a plurality of moving elements disposed in the opening and moving between a first position whose tip surface is higher than the suction surface and a second position lower than the first position.
  • a plurality of moving elements disposed in the opening and moving between a first position whose tip surface is higher than the suction surface and a second position lower than the first position.
  • each of the plurality of moving elements is sequentially moved from the first position to the second position at predetermined time intervals or at the same time by a combination of predetermined moving elements.
  • the predetermined time for picking up the semiconductor die may be changed based on the evaluation value.
  • the setting unit changes the number of moving elements to be moved from the first position to the second position at the same time as the pickup of the other semiconductor die based on an evaluation value. It may be.
  • the opening pressure is switched between the first pressure and the second pressure and the dicing sheet sucked at the opening is peeled off from the semiconductor die.
  • the flow rate change may be a time change of the suction air flow rate detected by the flow rate sensor at the time of initial peeling.
  • the number of times of switching may be the number of times that the opening pressure at the time of initial peeling is switched between the first pressure and the second pressure.
  • the setting means sets a waiting time from when the collet lands on the semiconductor die to when the other semiconductor die separates from the dicing sheet to start lifting the semiconductor die based on the evaluation value. May be changed.
  • a storage unit that stores an expected flow rate change that is a time change of the suction air flow rate when the semiconductor die is picked up
  • the setting means may determine the evaluation value based on a correlation value between the change in the flow rate when picking up the semiconductor die and the change in the expected flow rate.
  • the semiconductor die further includes an inspection unit for inspecting a crack of the semiconductor die, and when the semiconductor die is picked up, the semiconductor die that has been subjected to the switching at least a predetermined number of times is subjected to the crack inspection. , May be.
  • the setting means acquires the flow rate change of the semiconductor die constituting one or more wafers, obtains an evaluation value based on each flow rate change, and obtains a plurality of evaluation values.
  • the pickup parameter for picking up the other semiconductor die may be changed based on the above.
  • a table of parameter values of the pickup parameters associated with each of the plurality of level values a current level value that is the level value of the parameter value of the currently applied pickup parameter, and a storage unit for storing the parameter value of the pickup parameter from the table using the current level value as a key, picking up the semiconductor die by applying the parameter value of the pickup parameter, and setting means based on the evaluation value.
  • the parameter value of the pickup parameter for picking up the other semiconductor die may be changed.
  • the semiconductor die for which the evaluation value is calculated is a specific semiconductor die
  • the setting means calculates the representative value which is a representative value of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies.
  • a die evaluation value is obtained, and when the representative die evaluation value is higher than the first predetermined value, when the other semiconductor die is picked up, the number of times of switching is smaller than the number of times of switching when a specific semiconductor die is picked up.
  • the representative die evaluation value is lower than a second predetermined value which is a value lower than the first predetermined value, when picking up the other semiconductor die, when picking up a specific semiconductor die
  • the number of times of switching may be increased as compared with the number of times of switching.
  • the semiconductor die for which the evaluation value is calculated is a specific semiconductor die
  • the setting means calculates the representative value which is a representative value of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies.
  • a die evaluation value is obtained, and when the representative die evaluation value is higher than the third predetermined value, when picking up the other semiconductor die, the opening pressure at the time of picking up a specific semiconductor die is held at the first pressure.
  • the representative die evaluation value is lower than the fourth predetermined value, which is lower than the third predetermined value, when the representative die evaluation value is lower than the fourth predetermined value, the specific semiconductor
  • the opening time when the die is picked up may be set to be longer than the time when the opening pressure is maintained at the first pressure.
  • the semiconductor die for which the evaluation value is calculated is a specific semiconductor die
  • the setting means calculates the representative value which is a representative value of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies.
  • a die evaluation value is obtained, and when the representative die evaluation value is higher than a fifth predetermined value, when the other semiconductor die is picked up, the predetermined semiconductor die is compared with the predetermined time when the specific semiconductor die is picked up.
  • the time is shortened and the representative die evaluation value is lower than the sixth predetermined value which is a value lower than the fifth predetermined value, when picking up the other semiconductor die, the above-described time when the specific semiconductor die is picked up
  • the predetermined time may be set longer than the predetermined time.
  • the semiconductor die for which the evaluation value is calculated is a specific semiconductor die
  • the setting means calculates the representative value which is a representative value of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies.
  • a die evaluation value is obtained, and when the representative die evaluation value is higher than a seventh predetermined value, the second semiconductor die is picked up from the first position at the same time as the specific semiconductor die is picked up when picking up the other semiconductor die.
  • the representative die evaluation value is lower than the eighth predetermined value, which is lower than the seventh predetermined value, when picking up the other semiconductor die, at the same time when picking up a specific semiconductor die, the first die is moved from the first position.
  • the number of moving elements may be smaller than the number of moving elements moved to the second position.
  • the semiconductor die for which the evaluation value is calculated is a specific semiconductor die
  • the setting means calculates the representative value which is a representative value of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies.
  • a die evaluation value is obtained, and when the representative die evaluation value is higher than the ninth predetermined value, when the other semiconductor die is picked up, the standby time is shorter than the standby time when a specific semiconductor die is picked up.
  • the standby time may be set longer than the standby time.
  • the semiconductor die for calculating the evaluation value is a specific semiconductor die
  • the setting means compares each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies with an eleventh predetermined value. Then, the number of easily peelable detections, which is the number of evaluation values higher than the eleventh predetermined value, is determined, and each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies is determined with a twelfth predetermined value that is a value lower than the eleventh predetermined value. In comparison, the number of difficult-to-peel detections, which is the number of evaluation values lower than the twelfth predetermined value, is determined. The number of times of switching at the time of pickup may be changed.
  • the semiconductor die for calculating the evaluation value is a specific semiconductor die
  • the setting means compares each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies with an eleventh predetermined value. Then, the number of easily peelable detections, which is the number of evaluation values higher than the eleventh predetermined value, is determined, and each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies is determined with a twelfth predetermined value that is a value lower than the eleventh predetermined value. In comparison, the number of difficult-to-peel detections, which is the number of evaluation values lower than the twelfth predetermined value, is determined. The time during which the opening pressure at the time of pickup is maintained at the first pressure may be changed.
  • the semiconductor die for calculating the evaluation value is a specific semiconductor die
  • the setting means compares each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies with an eleventh predetermined value. Then, the number of easily peelable detections, which is the number of evaluation values higher than the eleventh predetermined value, is determined, and each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies is determined with a twelfth predetermined value that is a value lower than the eleventh predetermined value. In comparison, the number of difficult-to-peel detections, which is the number of evaluation values lower than the twelfth predetermined value, is determined.
  • the predetermined time at the time of pickup may be changed.
  • the semiconductor die for calculating the evaluation value is a specific semiconductor die
  • the setting means compares each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies with an eleventh predetermined value. Then, the number of easily peelable detections, which is the number of evaluation values higher than the eleventh predetermined value, is determined, and each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies is determined with a twelfth predetermined value that is a value lower than the eleventh predetermined value. In comparison, the number of difficult-to-peel detections, which is the number of evaluation values lower than the twelfth predetermined value, is determined. The number of the moving elements at the time of pickup may be changed.
  • the semiconductor die for calculating the evaluation value is a specific semiconductor die
  • the setting means compares each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies with an eleventh predetermined value. Then, the number of easily peelable detections, which is the number of evaluation values higher than the eleventh predetermined value, is determined, and each of the evaluation values of one or more specific semiconductor dies is determined with a twelfth predetermined value that is a value lower than the eleventh predetermined value. In comparison, the number of difficult-to-peel detections, which is the number of evaluation values lower than the twelfth predetermined value, is determined. The standby time at the time of pickup may be changed.
  • the present invention can accurately suppress damage to a semiconductor die when picking up a semiconductor die, and can suppress damage to the semiconductor die when picking up a plurality of semiconductor dies continuously, and can increase the speed of pickup of the semiconductor die. This has the effect of making it possible to make the balance with the optimization appropriate.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a stage of a semiconductor die pickup system according to an embodiment of the present invention. It is explanatory drawing which shows the wafer stuck on the dicing sheet. It is explanatory drawing which shows the semiconductor die stuck on the dicing sheet. It is explanatory drawing which shows the structure of a wafer holder. It is explanatory drawing which shows the structure of a wafer holder.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation at a predetermined level value of the semiconductor die pickup system in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a time change of the air leak amount of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a parameter table according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a time change of the scalar. It is a figure which shows an example of the time change of the opening pressure, the expected flow rate change, and the actual flow rate change in the predetermined period of initial peeling in embodiment of this invention.
  • 6 is a flowchart illustrating a flow of level transition control according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a threshold table according to the embodiment of the present invention.
  • a semiconductor die pickup system 500 includes a wafer holder 10 that holds a dicing sheet 12 on which a semiconductor die 15 is adhered to a front surface 12a and moves in a horizontal direction.
  • a drive unit 120, a collet drive unit 130 that drives the collet 18 in the vertical and horizontal directions, and a control unit 150 that controls the semiconductor die pickup system 500 are provided.
  • the step surface forming mechanism 300 and the step surface forming mechanism driving section 400 are housed in the base portion 24 of the stage 20.
  • the step surface forming mechanism 300 is located above the stage 20, and the step surface forming mechanism driving unit 400 is located below the stage 20.
  • the step surface forming mechanism 300 includes a plurality of moving elements 30 that move in the vertical direction. The distal end surfaces of the plurality of moving elements 30 move downward as shown by the arrow a in FIG. 1 by the step surface forming mechanism driving unit 400. Details of the moving element 30 will be described later.
  • the opening pressure switching mechanism 80 that switches the pressure of the opening 23 of the stage 20 includes a three-way valve 81 and a drive unit 82 that drives the three-way valve 81 to open and close.
  • the three-way valve 81 has three ports. The first port is connected to the base portion 24 communicating with the opening 23 of the stage 20 by a pipe 83, the second port is connected to a vacuum device 140 by a pipe 84, and the third port The port is connected to a pipe 85 that is open to the atmosphere.
  • Driving unit 82 the first port and the second port and blocks the third port communicates, the pressure in the opening 23 or the first pressure P 1 near vacuum, made to communicate with the first port and the third port blocking the second port, switching the pressure of the opening 23 by or to a second pressure P 2 close to atmospheric pressure, the pressure of the opening 23 between the first pressure P 1 and the second pressure P 2.
  • the suction pressure switching mechanism 90 for switching the suction pressure of the suction surface 22 of the stage 20 includes a three-way valve 91 having three ports, and a driving unit 92 for opening and closing the three-way valve 91.
  • the first port is connected to a suction hole 27 communicating with the groove 26 of the stage 20 via a pipe 93
  • the second port is connected to a vacuum device 140 via a pipe 94
  • the third port is connected to a pipe 95 open to the atmosphere. I have.
  • the first port and the second port and blocks the third port communicates, groove 26, or the pressure of the suction surface 22 or the third pressure P 3 closer to the vacuum, the first port and the third port blocking the second port to communicate with each other, by or with the fourth pressure P 4 close grooves 26, or the pressure of the suction surface 22 to the atmospheric pressure, the grooves 26, or the pressure of the suction surface 22 third pressure switching between P 3 and the fourth pressure P 4.
  • the suction mechanism 100 that sucks air from the surface 18a of the collet 18 includes a three-way valve 101 having three ports and a driving unit 102 that opens and closes the three-way valve 101, like the opening pressure switching mechanism 80.
  • the port is connected to a suction hole 19 communicating with the surface 18a of the collet 18 by a pipe 103, the second port is connected to a vacuum device 140 by a pipe 104, and the third port is connected to a pipe 105 open to the atmosphere.
  • the drive unit 102 communicates the first port with the second port to shut off the third port, sucks air from the surface 18a of the collet 18 to make the pressure on the surface 18a of the collet 18 close to a vacuum,
  • the port is communicated with the third port to block the second port, and the pressure on the surface 18a of the collet 18 is set to a pressure close to the atmospheric pressure.
  • a flow sensor 106 for detecting the flow rate of air (suction air flow rate) sucked into the vacuum device 140 from the surface 18a of the collet 18 is attached to the pipe 103 connecting the suction hole 19 of the collet 18 and the three-way valve 101. ing.
  • the wafer holder horizontal driving unit 110, the stage vertical driving unit 120, and the collet driving unit 130 drive the wafer holder 10, the stage 20, and the collet 18 in the horizontal direction or the vertical direction, for example, by a motor and gears provided inside. Is what you do.
  • the control unit 150 includes a CPU 151 that performs various arithmetic processes and control processes, a storage unit 152, and a device / sensor interface 153.
  • the CPU 151, the storage unit 152, and the device / sensor interface 153 are connected by a data bus 154. Computer.
  • a control program 155 and control data 156 are stored in the storage unit 152.
  • the storage unit 152 includes a parameter table 159 (see FIG. 19) in which the level value when the semiconductor die 15 is picked up by the collet 18 and the parameter value of the peeling parameter are associated.
  • a threshold table 160 see FIG.
  • FIG. 30 is a functional block diagram of the control unit 150.
  • the control unit 150 functions as the pickup control unit 600 (control unit) and the setting unit 602 by executing the control program 155.
  • the opening pressure switching mechanism 80, the suction pressure switching mechanism 90, the driving units 82, 92, 102 of the three-way valves 81, 91, 101 of the suction mechanism 100, and the step surface forming mechanism driving unit 400 The wafer holder horizontal drive unit 110, stage vertical drive unit 120, collet drive unit 130, and vacuum device 140 are connected to the device / sensor interface 153, respectively, and are driven by instructions from the control unit 150. Further, the flow sensor 106 is connected to the device / sensor interface 153, and the detection signal is taken into the control unit 150 and processed.
  • the stage 20 has a cylindrical shape, and a flat suction surface 22 is formed on the upper surface.
  • a square opening 23 is provided at the center of the suction surface 22, and a moving element 30 is attached to the opening 23.
  • a gap d is provided between the inner surface 23a of the opening 23 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30.
  • a groove 26 is provided around the opening 23 so as to surround the opening 23.
  • Each groove 26 is provided with a suction hole 27, and each suction hole 27 is connected to a suction pressure switching mechanism 90.
  • the moving element 30 includes a columnar moving element 45 arranged in the center, two intermediate annular moving elements 40 and 41 arranged around the columnar moving element 45, and And a peripheral annular moving element 31 disposed at the periphery and disposed at the outermost periphery.
  • the number of intermediate annular moving elements is two, but the number of intermediate annular moving elements may be one, or three or more. In the drawings after FIG. 6, the number of the intermediate annular moving elements 40 is one for the sake of simplicity. As shown in FIG.
  • the columnar moving element 45, the intermediate annular mobile elements 40, each of the distal end surface 47,38b near annular mobile elements 31, 38a is first projected by the height H 0 from the suction surface 22 of the stage 20 It is located at one position and forms the same surface (a step surface with respect to the suction surface 22).
  • the peripheral annular moving element 31, the intermediate annular moving element 40, and the columnar moving element 45 are sequentially moved from the first position to the second position lower than the first position at predetermined time intervals. Alternatively, it is simultaneously moved from the first position to the second position by a combination of predetermined moving elements.
  • an adhesive dicing sheet 12 is attached to the back surface of the wafer 11, and the dicing sheet 12 is attached to a metal ring 13.
  • the wafer 11 is handled while being attached to the metal ring 13 via the dicing sheet 12 in this manner.
  • the wafer 11 is cut from the front side by a dicing saw or the like in a cutting step to be each semiconductor die 15. Cut gaps 14 formed during dicing are formed between the semiconductor dies 15. The depth of the cut gap 14 extends from the semiconductor die 15 to a part of the dicing sheet 12, but the dicing sheet 12 is not cut, and each semiconductor die 15 is held by the dicing sheet 12.
  • the wafer holder 10 includes an annular expand ring 16 having a flange portion, and a ring retainer 17 for fixing the ring 13 on the flange of the expand ring 16.
  • the ring presser 17 is driven by a ring press drive unit (not shown) in a direction to advance and retreat toward the flange of the expand ring 16.
  • the inside diameter of the expanding ring 16 is larger than the diameter of the wafer on which the semiconductor die 15 is disposed, the expanding ring 16 has a predetermined thickness, and the flange is outside the expanding ring 16 and is separated from the dicing sheet 12.
  • the outer periphery of the expanding ring 16 on the dicing sheet 12 side has a curved surface configuration so that the dicing sheet 12 can be stretched smoothly when the dicing sheet 12 is attached to the expanding ring 16. As shown in FIG. 5B, the dicing sheet 12 to which the semiconductor die 15 is attached is in a substantially planar state before being set on the expanding ring 16.
  • the dicing sheet 12 when the dicing sheet 12 is set on the expanding ring 16, the dicing sheet 12 is extended along the curved surface above the expanding ring by a step difference between the upper surface of the expanding ring 16 and the flange surface. Is applied to the dicing sheet 12 fixed to the dicing sheet 12 from the center to the periphery. Further, since the dicing sheet 12 is extended by the pulling force, the gap 14 between the semiconductor dies 15 stuck on the dicing sheet 12 is widened.
  • the ease (peelability) of each semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 includes the thickness of the semiconductor die 15, the thickness of the dicing sheet 12, the adhesiveness of the dicing sheet 12 to each semiconductor die 15, and the pickup of the semiconductor die. It changes depending on the environment (temperature, humidity, etc.) where the system 500 is placed. Further, when semiconductor chips 15 of the same kind are continuously picked up, the ease of peeling of each semiconductor die from the dicing sheet may change. Therefore, the semiconductor die pickup system 500 of the present embodiment can change the peeling operation (pickup operation) at the time of pickup for each semiconductor die 15.
  • the parameter table 159 defines the parameter values of the peeling parameters (pickup parameters) associated with each of the plurality of level values.
  • the parameter table 159 defines levels 1 from the shortest pickup time to level 8 the longest. The higher the ease with which the semiconductor die 15 is peeled from the dicing sheet 12 (the degree of ease of peeling), the more the level 1 or a level value close to the level 1 is set at the time of pickup, and the parameters of the respective peeling parameters defined by the level value A peeling operation (pickup operation) is performed using the value.
  • This setting is performed by the control unit 150 functioning as setting means. Details of each peeling parameter will be described later.
  • the pick-up operation of the semiconductor die will be described by taking as an example a case where level 4 of the parameter table 159 is set (selected).
  • the control unit 150 functions as a pickup control unit by executing the control program 155 shown in FIG. 1 and controls the pickup operation of the semiconductor die 15.
  • the controller 150 controls a peeling operation for peeling the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 as a part of the pickup operation.
  • the control unit 150 causes the wafer holder horizontal driving unit 110 to move the wafer holder 10 in the horizontal direction to a position above the standby position of the stage 20.
  • the controller 150 temporarily stops the horizontal movement of the wafer holder 10.
  • the control unit 150 uses the stage vertical drive unit 120 to bring the tip surfaces 47, 38b, 38a of the moving elements 45, 40, 31 into close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12, and open the suction surface 22.
  • the stage 20 is raised until a region slightly away from 23 comes into close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12.
  • control unit 150 raises the stage 20. To stop. Then, the control unit 150 again controls the wafer holder horizontal driving unit 110 to immediately above the front end surface (step surface) of the moving element 30 where the semiconductor die 15 to be picked up slightly protrudes from the suction surface 22 of the stage 20. Adjust the horizontal position to come to.
  • the size of the semiconductor die 15 is smaller than the opening 23 of the stage 20 and larger than the width or the depth of the moving element 30.
  • the end is between the inner surface 23 a of the opening 23 of the stage 20 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30, that is, right above the gap d between the inner surface 23 a of the opening 23 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30.
  • the pressure of the groove 26 or the suction surface 22 of the stage 20 is atmospheric pressure
  • the pressure of the opening 23 is also atmospheric pressure.
  • each tip surface 47,38b in an initial state each mobile element 45,40,31, 38a, so that a first position protruding by a height H 0 from the suction surface 22 of the stage 20, the distal end surface 47, 38b, the height of the back surface 12b of the dicing sheet 12 in contact with the 38a has a first position protruding by a height H 0 from the suction surface 22.
  • the back surface 12b of the dicing sheet 12 slightly floats from the suction surface 22 at the periphery of the opening 23, and is in close contact with the suction surface 22 in a region away from the opening 23.
  • the control unit 150 lowers the collet 18 on the semiconductor die 15 by the collet driving unit 130 shown in FIG. 1 to land the surface 18 a of the collet 18 on the semiconductor die 15.
  • FIG. 18 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, the position of the peripheral annular moving element 31, and the opening 23 during the level 4 peeling operation (pickup operation).
  • FIG. 6 is a diagram showing a change over time of the opening pressure of the collet and the air leak amount of the collet 18.
  • the control unit 150 switches the three-way valve 101 to a direction in which the suction hole 19 of the collet 18 and the vacuum device 140 communicate with each other by the driving unit 102 of the suction mechanism 100.
  • the suction hole 19 becomes a negative pressure, and air flows into the suction hole 19 from the surface 18a of the collet 18, so that the suction air flow rate detected by the flow rate sensor 106 as shown in FIG. (Air leak amount) increases from time t1 to time t2.
  • the semiconductor die 15 is fixed by suction to the surface 18a, and air cannot flow from the surface 18a.
  • the amount of air leak detected by the flow sensor 106 starts to decrease.
  • the height of the front surface 18a of the collet 18 when the collet 18 lands on the semiconductor die 15 is the height of the tip surfaces 47, 38b, 38a of the moving elements 45, 40, 31 (adsorption).
  • the height Hc is obtained by adding the thickness of the dicing sheet 12 and the thickness of the semiconductor die 15 to the height H 0 from the surface 22).
  • control unit 150 switches the time t2 shown in FIG. 18, the third pressure P 3 closer to the vacuum suction pressure of the suction surface 22 (not shown) from the fourth pressure P 4 close to the atmospheric pressure of the stage 20 a command Is output.
  • the drive unit 92 of the suction pressure switching mechanism 90 switches the three-way valve 91 to a direction that allows the suction hole 27 and the vacuum device 140 to communicate with each other. Then, as shown by the arrow 201 in FIG. 7, the air groove 26 is sucked out into the vacuum device 140 through the suction holes 27, the suction pressure becomes the third pressure P 3 near vacuum.
  • each tip surface 47,38b of each mobile element 45,40,31, 38a is a first dicing sheet 12 since a position protruding by a height H 0 from the suction surface 22 of the stage 20, obliquely downward pulling force F 1 is applied.
  • the tensile force F 1 and the pulling force F 2 to pull the dicing sheet 12 in the lateral direction can be decomposed into a tensile force F 3 for pulling the dicing sheet 12 in the downward direction.
  • the shear stress ⁇ is generated between the surface 12a of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12. Due to the shear stress ⁇ , a gap occurs between the outer peripheral portion or the peripheral portion of the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12. This displacement triggers the separation between the dicing sheet 12 and the outer peripheral portion or the peripheral portion of the semiconductor die 15.
  • Control unit 150 As shown in FIG. 18 (e), and outputs an instruction for switching the opening pressure at time t3 the second from the pressure P 2 is close to the atmospheric pressure in the first pressure P 1 near vacuum.
  • the drive unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 in a direction that allows the opening 23 to communicate with the vacuum device 140.
  • the air of the opening 23 is sucked into the vacuum apparatus 140, as shown in FIG. 18 (e), at time t4 the first pressure P 1 opening pressure close to vacuum Become.
  • the dicing sheet 12 immediately above the gap d between the inner surface 23a of the opening 23 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30 is pulled downward. Further, the peripheral portion of the semiconductor die 15 located immediately above the gap d is pulled by the dicing sheet 12 and is bent and deformed downward as indicated by an arrow 204. Thereby, the peripheral portion of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18.
  • time HT4 is a level 4 “first pressure holding time” defined in the parameter table 159 of FIG. HT4 is 130 ms in the example of FIG.
  • the peripheral portion of the semiconductor die 15 causes the vacuum of the suction hole 19 of the collet 18 and the elasticity of the semiconductor die 15 to move the collet 18. It returns to the surface 18a.
  • the amount of air leakage starts to decrease at time t4 in FIG. 18F, and continues to decrease.
  • the control unit 150 As shown in FIG. 18 (e), outputs a command for switching to the time t5 the opening pressure from the first pressure P 1 closer to the vacuum in the second pressure P 2 close to atmospheric pressure.
  • the driving unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the piping 85 that opens to the atmosphere and the opening 23 communicate with each other.
  • Time t1 to t6 in FIG. 18 is the initial peeling.
  • the peeling property between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 is poor (the peeling degree is low)
  • the periphery of the semiconductor die 15 is pulled by the dicing sheet 12 as shown by an arrow 204 in FIG. It takes a lot of time for the peripheral portion of the semiconductor die 15 to return to the surface 18a of the collet 18 as indicated by the arrow 207.
  • the time during which the opening pressure is maintained at the first pressure P 1 time from time t4 to time t5 in FIG. 18E) is long, or the opening pressure is reduced to the first pressure P close to vacuum. 1 by applying a large number of times peeling operation for switching between the second pressure P 2 close to atmospheric pressure (level values), encourage separation of the peripheral portion and the dicing sheet 12 of the semiconductor die 15.
  • the peeling property between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 is good (the peeling degree is high)
  • the periphery of the semiconductor die 15 is pulled by the dicing sheet 12 as indicated by an arrow 204 in FIG. 9, the time required for the peripheral portion of the semiconductor die 15 to return to the surface 18a of the collet 18 is short.
  • the speed of the pickup is increased by applying a peeling operation (level value) in which the number of times of switching is small. In the example of the level 4 of FIG.
  • the peripheral portion of the semiconductor die 15 is pulled by the dicing sheet 12 until the peripheral portion of the semiconductor die 15 returns to the surface 18 a of the collet 18 in accordance with the degree of easy detachment of the semiconductor die 15.
  • the actual flow rate change also changes. Therefore, as described later in detail, it is possible to determine the releasability (easiness of peeling) of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 based on the actual flow rate change.
  • Control unit 150 When the opening pressure at time t6 becomes the second pressure P 2 close to atmospheric pressure, as shown in FIG. 18 (d), near the annular mobile elements 31 the height of the distal end surface 38a first position (height from the suction surface 22 is the initial position of the H 0) and outputs a command to only lower second position the height H 1 from.
  • the step surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven to lower the peripheral annular moving element 31 as shown by the arrow 214 in FIG.
  • Tip surface 38a of the peripheral annular mobile element 31 has a height from a first position (initial position) from the height H 1 by the lower, lower slightly than the suction surface 22 second position (attracting surface 22 (H 1 - H 0 ).
  • control unit 150 holds the state from time t6 to time t7 as shown in FIG.
  • the pressure of the opening 23 is in the second pressure P 2 close to atmospheric pressure, as shown in FIG. 11, the back surface 12b and a peripheral annular moving element of the dicing sheet 12 is located immediately above the gap d There is a gap between the tip 31 and the tip end surface 38a.
  • Control unit 150 As shown in FIG. 18 (e), and outputs an instruction for switching the opening pressure at time t7 second from the pressure P 2 is close to the atmospheric pressure in the first pressure P 1 near vacuum.
  • the drive unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 and the vacuum device 140 communicate with each other.
  • the opening pressure is the first pressure P 1 near vacuum.
  • the semiconductor die 15 in a region facing the distal end surface 38a is returned toward the surface 18a of the collet 18 as shown by an arrow 224 shown in FIG. 13 come.
  • the air leakage amount starts to decrease around time t8 in FIG. 18F, and when the semiconductor die 15 is vacuum-adsorbed to the surface 18a of the collet 18 as shown in FIG. , Return to almost zero.
  • the region of the semiconductor die 15 facing the front end surface 38a is separated from the surface 12a of the dicing sheet 12. It should be noted that the region of the semiconductor die 15 facing the tip end surface 38a as shown by the arrow 217 in FIG. 12 is pulled from the dicing sheet 12 until it returns to the surface 18a of the collet 18 as shown by the arrow 224 in FIG.
  • the time changes according to the releasability of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12.
  • the control unit 150 becomes a time t9, the output a command to increase the opening pressure to the second pressure P 2 closer to the first pressure P 1 near vacuum to atmospheric pressure I do.
  • the drive unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 communicates with the pipe 85 that is open to the atmosphere.
  • the air flows into opening 23, the pressure of the opening 23 at time t10 is increased to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure. This causes the dicing sheet 12 immediately above the gap d to be displaced upward away from the distal end surface 38a of the peripheral annular moving element 31, as shown by the arrow 223 in FIG.
  • the control unit 150 a distal end face 38b of the intermediate annular mobile element 40 to the first position (height position of H 0 from the suction surface 22) by a height H 1 from the lower second position a moving command, the distal end surface 38a of the peripheral annular mobile elements 31 in the second position, lower by H 2 -H 0 from the first position (initial position) height H 2 as low as third position from the (suction surface 22 Command to move to the position).
  • the step surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven to lower the intermediate annular moving element 40 as shown by the arrow 227 in FIG. 14 and to move the peripheral annular moving element 31 as shown by the arrow 226. Lower it.
  • the first position by a lower second position the height H 1 from (higher position by the height H 0 from the suction surface) (lower from the suction surface 22 by H 1 -H 0 position) Go to the tip face 38a of the peripheral annular mobile element 31 is moved to the first position (initial position) only from a height H 2 lower third position (lower by H 2 -H 0 from the suction surface 22 position).
  • the end surfaces 38a, 38b, and 47 are step surfaces having a step difference with each other, and at the same time, are step surfaces with respect to the suction surface 22.
  • control unit 150 holds the state from time t10 to time t11 as shown in FIG. Then, the control unit 150 outputs an instruction to switch the opening pressure at a time t11 in FIG. 18 (e) second from the pressure P 2 is close to the atmospheric pressure in the first pressure P 1 near vacuum.
  • the drive unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 communicates with the vacuum device 140.
  • the opening pressure is the first pressure P 1 near vacuum at time t12.
  • the dicing sheet 12 has the distal end surface 38a of the peripheral annular moving element 31 descending to the third position and the intermediate annular moving element 40 descending to the second position. It is pulled toward the distal end surface 38b and displaced downward.
  • the region of the semiconductor die 15 facing the tip surfaces 38a and 38b also bends downward and away from the surface 18a of the collet 18 as shown by an arrow 231 in FIG.
  • an arrow 232 in FIG. 15 air flows into the suction hole 19 from between the surface 18 a of the collet 18 and the semiconductor die 15. The amount of air leaking into the suction hole 19 is detected by the flow sensor 106. As shown in FIG.
  • the amount of air leak increases from time t11 when the opening pressure decreases to time t12. Then, in the vicinity of time t12 that the opening pressure reaches the first pressure P 1, the semiconductor die 15 in a region facing the distal end surface 38a, and 38b are towards the surface 18a of the collet 18 as shown by an arrow 244 shown in FIG. 16 Come back. As a result, the air leak amount starts to decrease around time t12 in FIG. 18F, and when the semiconductor die 15 is vacuum-adsorbed to the surface 18a of the collet 18 as shown in FIG. It becomes. The time required to return to the surface 18a of the collet 18 changes according to the releasability between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12.
  • the control unit 150 outputs a command for switching to the time t13 the opening pressure from the first pressure P 1 closer to the vacuum in the second pressure P 2 close to atmospheric pressure.
  • the drive unit 82 of the opening pressure switching mechanism 80 switches the three-way valve 81 so that the opening 23 communicates with the pipe 85 that is open to the atmosphere.
  • the opening pressure is the second pressure P 2 closer to the atmosphere. In this state, although the semiconductor die 15 in the region corresponding to the tip end surface 47 of the columnar moving element 45 adheres to the dicing sheet 12 as shown in FIG. It is in a peeled state.
  • the control unit 150 FIG. 18 at time t14, the columnar moving element 45 of the distal end surface 47 of the first position (attracting surface height from 22 the position of H 0) the height from H 1 by a lower second a command to move to a position, H 2 -H 0 the leading end surface 38b of the intermediate annular mobile element 40 from a first position (initial position) only from a height H 2 lower third position (suction surface 22 in the second position Command to move to a lower position).
  • the step surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven to lower the columnar moving element 45 as shown by the arrow 260 in FIG. 17 and to lower the intermediate annular moving element 40 as shown by the arrow 246. Let it.
  • the distal end surface 47 of the columnar moving element 45 has a first position to move to a lower second position by the height H 1 from (position higher height H 0 from the suction surface), the distal end surface 38b of the intermediate annular mobile element 40, moves in the first position (initial position) only from a height H 2 lower third position.
  • the semiconductor die 15 is in a state of being separated from the dicing sheet 12.
  • the control unit 150 outputs a command to raise the collet 18 at time t15 in FIG.
  • the collet driving section 130 shown in FIG. 1 drives the motor to raise the collet 18 as shown in FIG.
  • the semiconductor die 15 is picked up while being attracted to the collet 18.
  • the control unit 150 returns the tip surfaces 38a, 38b, 47 of the moving elements 31, 40, 45 to the first position at time t16, and the suction pressure switching mechanism 90 causes the stage 20 to be suctioned. switching the suction pressure of the surface 22 from the third pressure P 3 closer to the vacuum in the fourth pressure P 4 close to atmospheric pressure. This ends the pickup.
  • the time t6 to t16 in FIG. 18 described above is the main peeling.
  • this peeling sequentially from the outside of the mobile element 30 towards the inside of the moving element 30, the distal end surface is moved from the first position to the second position, the opening pressure first pressure P 1 and the second pressure P 2 By switching between the two, the region inside the peripheral portion of the semiconductor die 15 is separated from the surface 12a of the dicing sheet 12.
  • the opening pressure has been switched between the first pressure P 1 and the second pressure P 2
  • the moving element 30 may be sequentially moved.
  • the above-described peeling operation in FIG. 18 was performed by applying the parameter values of the respective peeling parameters defined in level 4 of the parameter table 159 in FIG. Specifically, the following peel parameter values were applied.
  • “Was FSN4 1.
  • the “collet waiting time”, which is the time from when the collet 18 lands on the semiconductor die 15 to when the semiconductor die 15 starts to be lifted, is set to WT4 710 ms.
  • One level value is selected (set) from the levels 1 to 8 of the parameter table 159 in accordance with the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12, and the parameter value of each release parameter specified in the level value is applied.
  • a peeling operation can be performed. The higher the level value (slower level), the harder it is to peel off.
  • each peeling parameter in the parameter table 159 has the following tendency according to the change in the level value. As shown in FIG. 19, the number of “switching times of the opening pressure at the time of initial peeling” increases from level 1 to level 8. However, this does not mean that the number of times of switching always increases every time the level value changes, and the number of times of switching may be the same for a plurality of adjacent level values. This also applies to other peeling parameters, and does not mean that the parameter value changes each time the level value changes, and the parameter value may be the same at a plurality of adjacent level values. The “number of times of switching of the opening pressure during the main peeling” is increased from level 1 to level 8.
  • first pressure holding time is made longer from level 1 to level 8.
  • “Descent time interval between moving elements” has a longer time interval from level 1 to level 8.
  • the “collet standby time” increases the time from level 1 to level 8.
  • the “pickup time” changes each time the level value changes, and increases from level 1 to level 8.
  • the “pickup time” is similar to the “collet standby time”, but in addition to the collet standby time, the time required for the collet 18 to descend from a predetermined position and land on the semiconductor die 15, It includes the time from the start of lifting to the rising to a predetermined position.
  • the peeling parameter can also be referred to as a “pickup parameter”.
  • “Setting the pickup parameter” can be defined as setting the parameter value of the pickup parameter (peeling parameter). “Changing the pickup parameter” means changing the parameter value of the pickup parameter (peeling parameter). Can be defined as Further, the parameter table 159 in FIG. 19 can also be referred to as a “condition table”, and the parameter value of the peeling parameter can be referred to as a “pickup condition”. It should be noted that the specific parameter values shown in FIG. 19 are merely examples, and it is obvious that other parameter values may be used.
  • Level 8 is a level value to be set for the semiconductor die 15 that is very difficult to peel.
  • FIG. 20 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, the position of the peripheral annular moving element 31, the opening pressure of the opening 23, FIG.
  • the “number of times of switching of the opening pressure at the time of initial peeling” is increased to four times (FSN8). Accordingly, even when the periphery of the semiconductor die 15 is difficult to peel from the dicing sheet 12, the periphery of the semiconductor die 15 can be sufficiently peeled from the dicing sheet 12. By switching the opening pressure many times, the dicing sheet 12 attached to the periphery of the semiconductor die 15 is shaken off, and it takes a long time, but the peeling can be surely performed. Further, in FIG. 20, the “holding time of the first pressure” (HT8) at the time of the initial peeling is set to 150 ms (see FIG. 19, and similarly, see FIG. .
  • the “number of times of switching of the opening pressure at the time of the final peeling” is increased to four times (SSN8).
  • SSN8 the “number of times of switching of the opening pressure at the time of the final peeling”
  • the “first pressure holding time” (HT8) at the time of the main peeling is set to 150 ms to be longer. Accordingly, it is possible to promote that the region inside the periphery of the semiconductor die 15 is naturally peeled off from the dicing sheet 12.
  • the “first pressure holding time” (HT8) is common between the initial peeling and the main peeling, but the “first pressure holding time” (HT8) is different for the initial peeling and the main peeling.
  • the “first pressure holding time” may be defined in the parameter table 159. Further, as shown in FIG. 20, during the initial peeling, or by switching a plurality of times an opening pressure during the stripping, if the time for maintaining the first pressure P 1 there is a plurality, the plurality of "first Each of the "pressure holding times” may be defined in the parameter table 159, and their parameter values may be different from each other. For example, a plurality of “first pressure holding times” are arranged in the order applied in the peeling operation and defined in the parameter table 159.
  • the “descent time interval between moving elements” is set to 450 ms to be longer. If the time from lowering the distal end surface 38a of the peripheral annular moving element 31 from the first position to the second position to lowering the distal end surface 38b of the intermediate annular moving element 40 from the first position to the second position is lengthened. In this way, it is possible to encourage the region of the semiconductor die 15 facing the distal end surface 38a of the peripheral annular moving element 31 to be spontaneously peeled off from the dicing sheet 12.
  • the time from lowering the distal end surface 38b of the intermediate annular moving element 40 from the first position to the second position to lowering the distal end surface 47 of the columnar moving element 45 from the first position to the second position is longer. Then, the region of the semiconductor die 15 facing the distal end surface 38b of the intermediate annular moving element 40 can be encouraged to be naturally separated from the dicing sheet 12.
  • the descent time interval between the peripheral annular moving element 31 and the intermediate annular moving element 40 may be different from the descent time interval between the intermediate annular moving element 40 and the columnar moving element 45. Is defined in the parameter table 159 for each descent time interval. As shown in FIG. 2, there are cases where the number of intermediate annular moving elements 40 and 41 is two or more.
  • the intermediate annular moving element 40 on the outer peripheral side and the intermediate annular moving element 40 on the inner peripheral side are used. It descends toward the moving element 41 in order.
  • the number of the intermediate annular moving elements 40 and 41 is two or more, even if the descent time interval between the intermediate annular moving element 40 and another intermediate annular moving element 41 is specified in the parameter table 159, Good.
  • the time from when the pickup operation is started (time t1 in FIG. 20) to when the peripheral annular moving element 31 (moving element 30 to be lowered first) is lowered from the first position to the second position is a parameter. It may be defined in the table 159.
  • the “collet standby time” (WT8) is set to 1590 ms to be longer.
  • the “pickup time” (PT8) is 1700 ms, which is longer.
  • Level 1 is a level value to be set for the semiconductor die 15 which is very easily peeled.
  • FIG. 21 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, the position of the peripheral annular moving element 31, the opening pressure of the opening 23, FIG.
  • the “first pressure holding time” (HT1) at the time of initial peeling is set to 100 ms, which is shortened.
  • the semiconductor die 15 is easily separated from the dicing sheet 12
  • the periphery of the semiconductor die 15 is sufficiently separated from the dicing sheet 12 even if the “first pressure holding time” is shortened.
  • the time required for the peeling operation can be shortened.
  • the “number of times of switching of the opening pressure during the final peeling” is reduced to one (SSN1).
  • SSN1 the “number of times of switching of the opening pressure at the time of the final peeling”
  • the area inside the periphery of the semiconductor die 15 is sufficiently peeled from the dicing sheet 12.
  • the tip surfaces 38a, 38b, and 47 of the three moving elements 30 are simultaneously lowered from the first position to the second position or lower. Therefore, the “number of moving elements to be simultaneously lowered” has increased to three (DN1).
  • the semiconductor die 15 is easily peeled off from the dicing sheet 12, even if the plurality of moving elements 30 are lowered at the same time, a region inside the periphery of the semiconductor die 15 is immediately peeled off from the dicing sheet 12.
  • the “number of moving elements to be simultaneously lowered” is two.
  • two separation parameters of “the number of moving elements to be lowered at the same time” and “descent time interval between moving elements” are defined.
  • a descent time interval with the moving element 41 can be defined. In this case, in order to simultaneously lower the plurality of moving elements 30, one or more of these lowering time intervals are set to zero.
  • the “collet standby time” (WT1) is set to 460 ms, which is shortened.
  • the “pickup time” (PT1) is 570 ms, which is short.
  • the parameter value of each peeling parameter is made different according to the level value, that is, the peeling operation (pickup operation) is made different.
  • the peeling operation pickup operation
  • the level value close to level 8 to the semiconductor die 15 that is difficult to peel
  • the peeling operation damage to the semiconductor die 15 at the time of pickup and mistakes in pickup can be suppressed.
  • the plurality of level values can be said to be values indicating the length of time required for pickup.
  • the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 can be detected from the time change (actual flow rate change) of the suction air flow rate of the collet 18 detected by the flow rate sensor 106.
  • FIG. 22 is a diagram showing a time change between the opening pressure at the time of the initial peeling and the air leak amount (suction air flow rate) of the collet 18 detected by the flow rate sensor 106, and the meaning of each timing of t1, t2, t3, and t4. Has the same meaning as those timings shown in FIG.
  • the solid line 157 in the air leak amount graph of FIG. 22 is an expected flow rate change 157 which is a time change of the air leak amount when the semiconductor die 15 is separated from the dicing sheet 12 in a good state (when the degree of separation is very high).
  • the expected flow rate change 157 is stored in the storage unit 152 in advance.
  • the expected flow rate change 157 stored in the storage unit 152 is a set of a large number of suction air flow rates acquired in a predetermined sampling cycle, and is a suction rate corresponding to a large number of discrete times t.
  • the air flow rate can be.
  • the one-dot chain line 158a and the two-dot chain line 158b in the graph of the air leak amount in FIG. 22 are examples of the actual flow rate change 158 which is the time change of the air leak amount detected when the semiconductor die 15 is actually picked up from the dicing sheet 12. It is.
  • the actual flow rate change 158 is stored in the storage unit 152 each time a specific semiconductor die 15 is picked up.
  • the actual flow rate change 158 stored in the storage unit 152 may be in a form that can be compared with the expected flow rate change 157.
  • the actual flow rate change 158 And a set of suction air flow rates associated with a number of discrete times t.
  • the actual flow rate change can be simply referred to as “flow rate change”.
  • the actual flow rate change can be referred to as “actual flow rate information”
  • the expected flow rate change can be referred to as “expected flow rate information”.
  • the time t3 when the opening pressure begins to change toward the first pressure P 1 near vacuum the periphery of the semiconductor die 15 is the surface 18a of the collet 18 (See FIG. 8), but immediately the periphery of the semiconductor die 15 returns to the surface 18a of the collet 18 (see FIG. 9). Therefore, like the expected flow rate change 157 in FIG. 22, the air leak amount starts to increase at time t3, but immediately starts to decrease (turns to decrease at time tr_exp). In the expected flow rate change 157, the increasing air leak amount is also small.
  • the peeling property from the dicing sheet 12 of the semiconductor die 15 is bad (is low peeling easiness)
  • opening the pressure at time t3 begins to change toward the first pressure P 1 near vacuum
  • semiconductor The periphery of the die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18 and after a certain period of time, the periphery of the semiconductor die 15 returns to the surface 18a of the collet 18. Therefore, like the actual flow rate change 158a in FIG. 22, the air leak amount starts increasing at time t3, continues to increase, and then starts decreasing at time tr_rel later than time tr_exp. In the actual flow rate change 158a, the amount of air leak that increases is large.
  • the actual flow rate change 158 is compared with the expected flow rate change 157, and it is determined that the more the actual flow rate change 158 is similar to the expected flow rate change 157, the better the peelability (the higher the ease of peeling). Alternatively, it is determined that the stronger the correlation between the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 is, the better the peelability is (the higher the ease of peeling is). In the present embodiment, the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 are compared, and their correlation values are obtained.
  • the correlation value is a value of 0 to 1.0, and is set to 1.0 when the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 are completely coincident. to decide.
  • the value range of the correlation value is 0 to 1.0, but it goes without saying that other values may be used.
  • the period in which the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 are compared is, for example, a part of the initial separation period from time t1 (time at which air is started to be sucked from the surface 18a of the collet 18) to time tc_end in FIG. and (first time the opening pressure predetermined time has elapsed from the time t4 that has reached the first pressure P 1).
  • a period to be compared may be a period of which is part time t3 (time opening pressure starts to change toward the first pressure P 1) ⁇ tc_end period initial peel.
  • the period to be compared may be another period, but is preferably a period in which the peeling operation is not changed even if the above-described level value is changed.
  • a value other than the correlation between the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 may be obtained as the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12. For example, it may be determined that the smaller the difference between the value of the expected flow rate change 157 at the time tc_end in FIG. 22 and the value of the actual flow rate change 158 at the same time is, the better the peelability (the higher the ease of peeling). Also, for example, the smaller the difference between the time tr_exp at which the air leak flow rate at the expected flow rate change 157 changes from increasing to decreasing and the time tr_rel at which the air leak flow rate at the actual flow rate change 158 changes from increasing to decreasing.
  • the peeling degree is high. Further, for example, the difference between the maximum value of the air leak flow rate of the expected flow rate change 157 detected after time t3 in FIG. 22 and the maximum value of the air leak flow rate of the actual flow rate change 158 detected after the same time is small. It may be determined that the higher the degree of ease of peeling, the higher the degree.
  • the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 without using the expected flow rate change 157. For example, it may be determined that the smaller the value of the actual flow rate change 158 at the time tc_end in FIG. 22, the better the peelability (the higher the ease of peeling).
  • the above-described correlation value obtained based on the actual flow rate change 158 or an index value indicating the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 instead of the correlation value may be referred to as an “evaluation value”.
  • the semiconductor die pickup system 500 obtains the actual flow rate change 158 when picking up one or more specific semiconductor dies 15, and calculates the obtained one or more actual flow rate changes 158. Based on each of them, the above-mentioned correlation value of each of the specific semiconductor dies 15 is determined, and based on one or a plurality of correlation values, after picking up the specific semiconductor die 15 and picking up another semiconductor die 15 Change the level value applied to.
  • the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 may change.
  • the semiconductor die 15 can be stably picked up without damaging the semiconductor die 15 even if the peeling property changes poorly (the peeling degree is low).
  • the peeling property changes the peeling degree is high
  • the pickup can be performed in a shorter time.
  • the type of the semiconductor die 15 and the type of the dicing sheet 12 are changed, and the optimum level value for the pickup may not be known.
  • pickup is performed by applying level 8 (see FIG. 19) of the parameter table 159 in which pickup can be performed most stably, and the level value is gradually set based on the correlation value of the specific semiconductor die 15.
  • level 1 highest speed.
  • an optimal level value is searched for, and an optimal pickup with a balance between stability and high speed can be realized.
  • FIG. 23 is a flowchart illustrating the flow of the level transition control according to the present embodiment.
  • all the semiconductor dies 15 are treated as specific semiconductor dies 15, and there is an opportunity to change the level value every time the semiconductor dies 15 of one or more wafers are picked up.
  • the transition of the level value is a transition from the level value (current level value) applied to the current pickup to the next next level value (see FIG. 25) and a transition of the level value of the transition destination (FIG. 26). See).
  • FIG. 25 the level value applied to the current pickup to the next next level value
  • FIG. 26 a transition of the level value of the transition destination
  • the control unit 150 sets a level value (current level 161) to be applied when picking up for the first time, and stores it in the storage unit 152.
  • the current level value 161 is set to level 4 of the parameter table 159 in FIG. Note that this setting and each step of the flow in FIG. 23 are performed by the control unit 150 functioning as setting means. However, the control of the pickup operation of the semiconductor die 15 is performed by the control unit 150 functioning as pickup control means.
  • the control unit 150 initializes a variable n to 0.
  • the variable n is a variable for counting the number of picked-up wafers. Then, in S102, the wafer is exchanged to prepare for picking up a semiconductor die 15 of a new wafer.
  • the flow rate sensor 106 detects the suction air flow rate of the collet 18, and the suction air flow rate is input to the control unit 150.
  • the control unit 150 (setting unit) acquires the actual flow rate change 158 which is a time change of the suctioned air flow rate, and stores it in the storage unit 152 (S1041).
  • control unit 150 calculates a correlation value (evaluation value) between actual flow rate change 158 and expected flow rate change 157 previously stored in storage unit 152, and stores the correlation value in storage unit 152. I do. Then, in S108, the control unit 150 checks whether the pickup of all the semiconductor dies 15 of one wafer is completed. If the pickup of all the semiconductor dies 15 of one wafer is not completed (S108: No), the pickup of the semiconductor dies 15 in S104, the acquisition of the actual flow rate change 158 in S1041, and the calculation of the correlation value in S106 are repeated. Do. If the pickup of all the semiconductor dies 15 of one wafer is completed (S108: Yes), the process proceeds to S110.
  • control unit 150 adds 1 to the variable n (increment the variable n). Then, in S112, control unit 150 checks whether variable n is greater than or equal to constant Y.
  • the constant Y is an integer of 1 or more, and defines the number of wafers.
  • control unit 150 checks whether the number of picked-up wafers (variable n) has reached the number of wafers indicated by constant Y. If S112 is No, the process returns to S102 and repeats S102 to S110. If S112 is Yes, the process proceeds to S114.
  • the control unit 150 determines a representative correlation value (representative value) as a representative value of the correlation values (evaluation values) of the plurality of semiconductor dies 15 (specific semiconductor dies 15) obtained by repeatedly executing S106. Die evaluation value).
  • the representative correlation value is, for example, an average value or a central value of a plurality of correlation values, but is not limited thereto, and may be any representative value obtained by using a known statistical process.
  • FIG. 24 is an example of the threshold table 160.
  • the threshold table 160 is stored in the storage unit 152 in advance.
  • the threshold value table 160 is a table in which threshold values TH1 and TH2 are defined for each level value, and defines a range of the degree of ease of peeling (correlation value) of the semiconductor die 15 assumed by each level value. For example, level 4, which is the current level value, should be used when the ease of separation (correlation value) of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is between 0.81 (threshold value TH1) and 0.85 (threshold value TH2). This indicates that the value is a level value.
  • Level 1 for which the threshold value TH2 is not defined is a level value to be used when the ease of peeling (correlation value) is 0.96 (threshold value TH1) or more.
  • the level 8 in which the threshold value TH1 is not defined is a level value to be used when the peeling degree (correlation value) is equal to or less than 0.65 (threshold value TH2). I have.
  • the representative correlation value is smaller than the threshold value TH1 of the level 4 (current level value 161) as described above, the actual ease of peeling of the semiconductor die 15 is lower than the ease of peeling assumed at the level 4; By making transition to a low-speed level value, pickup is performed in which damage to the semiconductor die 15 and pickup errors are suppressed.
  • the representative correlation value is larger than the threshold value TH2 of the level 4 (current level value 161) as described above, the actual ease of peeling of the semiconductor die 15 is higher than the assumed ease of peeling at the level 4, so that By making the transition to a high-speed level value, the pickup time of the semiconductor die 15 is shortened.
  • the representative correlation value is compared with each of the threshold values TH1 and TH2 of one level value (current level value of level 4) of the threshold value table 160, and 1 is determined in S120.
  • the level value was increased (changed to a low-speed level), or one level value was decreased (changed to a high-speed level) in S122, or the level value was maintained.
  • the representative correlation value is compared with each of the threshold values TH1 and TH2 of the plurality of level values in the threshold value table 160, and the level value is immediately increased by two or more levels in S120, or the level value is increased in S122.
  • the opening pressure of the opening 23 provided on the suction surface 22 of the stage 20 is switched between the first pressure close to vacuum and the second pressure close to atmospheric pressure.
  • the semiconductor die pickup system 500 described above uses the time of the suction air flow rate of the collet 18 when picking up a specific semiconductor die 15 (each semiconductor die 15 of one or a plurality of wafers in the flow of FIG. 23).
  • Change actual flow rate change 158 is acquired.
  • the level value applied when picking up another semiconductor die 15 after picking up a specific semiconductor die 15 is changed. That is, the peeling operation (parameter value (pickup parameter) of each peeling parameter) applied when picking up another semiconductor die 15 is changed.
  • the peeling operation (pickup operation) is performed according to the change in the peelability. Be changed.
  • the peeling property is changed poorly (the peeling degree is low)
  • the peeling operation is changed to a peeling action that further promotes the peeling, so that damage to the semiconductor die 15 and a pick-up mistake can be accurately suppressed.
  • the peeling property changes the peeling degree is high
  • the operation is changed to a shorter peeling operation, so that the pickup time can be reduced. As described above, it is possible to properly balance the suppression of damage to the semiconductor die 15 and the pickup error and the speedup of the pickup of the semiconductor die 15.
  • the semiconductor die pickup system 500 described above is overwhelmingly advantageous compared to a case where the peeling operation of the semiconductor die 15 that is currently being picked up is changed in real time while checking the suction air flow rate of the collet 18. .
  • the semiconductor die pickup system 500 of the above-described embodiment detects the suction air flow rate at the time of the pickup, which is used for the subsequent pickup of the semiconductor die 15, and is not used for the current pickup operation. Has no effect. That is, the above-mentioned (2) and (3) do not occur during the pickup operation, and the operation does not proceed forward unless the determination is completed. Therefore, the pick-up operation can be very fast.
  • a plurality of CPUs 151 are provided in the control unit 150, one CPU 151 controls the pickup operation, and another CPU 151 simultaneously (in the background) changes the actual flow rate. Acquisition of 158, calculation of the correlation value from the actual flow rate change 158, and acquisition of the subsequent semiconductor die level value from the correlation value can further increase the speed.
  • the semiconductor die pickup system 500 described above does not change the peeling operation during the pickup operation, it is possible to grasp what kind of peeling operation is applied to each semiconductor die 15 and the pickup is performed. Very easy. This grasp is very important. For example, if the number of switching of the opening pressure, which is one of the peeling parameters, is increased, the semiconductor die 15 is sufficiently peeled from the dicing sheet 12 even when the peeling is difficult, thereby suppressing the occurrence of damage to the semiconductor die 15 and a pickup error. it can.
  • the semiconductor die 15 may be bent and deformed many times, and the damage to the semiconductor die 15 may be increased.
  • the semiconductor die pickup system 500 described above can perform this quality control very easily.
  • the advantage of the semiconductor die pickup system 500 of the present embodiment over the case of changing the peeling operation in real time has been described.
  • the peeling operation of the semiconductor die 15 that is currently being picked up may be changed in real time while checking the suction air flow rate of the collet 18.
  • the peeling operation at the time of the actual peeling may be changed based on the actual flow rate change 158 acquired at the time of the initial peeling.
  • Level value for each type of peeling parameter ⁇ Level value for each type of peeling parameter>
  • level values commonly used for a plurality of types of peeling parameters are prepared.
  • parameter tables 159a and 159b may be prepared for each type of peeling parameter, and a level value may be prepared for each type of peeling parameter.
  • the levels A-1 to A-8 of the "number of times of opening pressure switching at the time of initial peeling" are defined, and in the parameter table 159b of FIG.
  • Levels B-1 to B-8 of "the number of times of pressure switching" are defined.
  • the threshold table 160 shown in FIG. 24 is also prepared for each type of peeling parameter, and thresholds TH1 and TH2 corresponding to the level values of each peeling parameter are defined.
  • a threshold table defining each of the threshold values TH1 and TH2 as shown in FIG. 24 is prepared in association with each of the levels A-1 to A-8 in FIG. 27A, and the levels B-1 to B- in FIG. 27B are prepared.
  • another threshold value table that defines each of the threshold values TH1 and TH2 as shown in FIG. 24 is prepared.
  • Separate threshold tables are similarly prepared for other peel parameters.
  • the current level value is stored in the storage unit 152 for each type of peeling parameter.
  • parameter values are read from each parameter table for each type of peeling parameter using the current level value for each type of peeling parameter as a key, and the semiconductor die 15 is picked up.
  • the current level value any one of A-1 to A-8
  • the "number of times of opening pressure switching at the time of initial peeling” is used as a key
  • the "number of times of opening pressure switching at the time of initial peeling” is used as a key.
  • the “number of times of opening pressure switching at the time of main peeling” is used. From the parameter table 159b (FIG. 27B) corresponding to the current level value, the semiconductor die 15 is picked up.
  • S116, S118, S120, and S122 are executed for each type of peeling parameter using a threshold table prepared for each type of peeling parameter and the current level value for each type of peeling parameter.
  • the current level value for each parameter type is changed individually.
  • the current level value (the level value of any of A-1 to A-8) for the "number of times of opening pressure switching during initial peeling" and the “number of times of opening pressure switching during initial peeling”
  • the current level value is changed to another level value (A-1 to A-8). To any level value).
  • steps S116 and S118 the current level value (the level value of any of B-1 to B-8) for the "number of times of opening pressure switching at the time of main peeling" and the “number of times of opening pressure switching at the time of main peeling"
  • the threshold values TH1 and TH2 are read from the threshold table using the current level value as a key, and each of the read threshold values TH1 and TH2 is compared with the representative correlation value.
  • steps S120 and S122 the current level value (the level value of any of B-1 to B-8) for the "number of times of opening pressure switching at the time of main peeling" is changed to another level (B-1 to B-8). To any level value). The same applies to other peeling parameters.
  • the current level value is managed for each type of peeling parameter, and transition to a low-speed level or a high-speed level is performed for each type of peeling parameter.
  • the semiconductor die 15 can be picked up by a combination of the parameter values of the peel parameters.
  • FIGS. 28 and 29 are flowcharts showing the flow of level transition control in another embodiment. Also in this embodiment, all the semiconductor dies 15 are the specific semiconductor dies 15, and there is an opportunity to change the level value every time the semiconductor dies 15 of one or more wafers are picked up. Hereinafter, a specific description will be given.
  • the control unit 150 stores in the storage unit 152 a level value (current level value 161) to be applied when picking up for the first time.
  • the current level value 161 is set to level 4 of the parameter table 159 in FIG. Note that this setting and each step of the flow in FIGS. 28 and 29 are performed by the control unit 150 functioning as setting means.
  • the control of the pickup operation of the semiconductor die 15 is performed by the control unit 150 functioning as pickup control means.
  • the control unit 150 initializes variables n1 and n2 to 0.
  • Variables n1 and n2 are variables for counting the number of wafers.
  • the wafer is exchanged to prepare for pickup of the semiconductor die 15 of a new wafer.
  • control unit 150 initializes variables m1 and m2 to 0.
  • the variable m1 is a variable that counts the number of semiconductor dies 15 that have been detected as difficult to peel in one wafer (the number of hard-to-peel detections), and the variable m2 is the semiconductor die that has been detected as easy to peel in one wafer. It is a variable for counting the number of 15 (the number of easily peelable detections).
  • the flow rate sensor 106 detects the suction air flow rate of the collet 18, and the suction air flow rate is input to the control unit 150.
  • the control unit 150 (setting means) acquires the actual flow rate change 158 which is a time change of the suction air flow rate, and stores it in the storage unit 152 (S2061).
  • control unit 150 calculates a correlation value (evaluation value) between actual flow rate change 158 and expected flow rate change 157 stored in storage unit 152 in advance, and stores the correlation value in storage unit 152. I do.
  • control unit 150 checks whether the correlation value calculated in S208 is lower than threshold value TH1 (twelfth predetermined value).
  • the control unit 150 checks whether the correlation value calculated in S208 is higher than a threshold value TH2 (an eleventh predetermined value).
  • control unit 150 confirms whether pickup of all the semiconductor dies 15 of one wafer has been completed. If pickup of all the semiconductor dies 15 of one wafer is not completed (S218: No), S206 to S216 are repeated, and if completed (S218: Yes), the process proceeds to S220 in FIG.
  • control unit 150 checks whether the variable m1 (the number of difficulties in peeling detection) is larger than the constant Q.
  • the constant Q is an integer of 0 or more. If S220 is Yes, in S224, the control unit 150 initializes a variable n2 to 0. Then, in S226, control unit 150 adds 1 to variable n1 (increments variable n1). Thus, the variable n1 counts the number of wafers satisfying the condition of S220. Then, in S228, control unit 150 checks whether variable n1 is larger than constant Y1.
  • the constant Y1 is an integer of 0 or more.
  • control unit 150 checks whether variable m2 (the number of easily peelable detections) is greater than constant P.
  • the constant P is an integer of 0 or more. If S222 is Yes, in S232, the control unit 150 initializes the variable n1 to 0. Then, in S234, the control unit 150 adds 1 to the variable n2 (increments the variable n2). Thus, the variable n2 counts the number of wafers satisfying the condition of S222. Then, in S236, control unit 150 checks whether variable n2 is larger than constant Y2.
  • the constant Y2 is an integer of 0 or more.
  • damage to the semiconductor die 15 when the semiconductor die 15 is picked up can be accurately suppressed, and when the semiconductor die 15 is continuously picked up, the semiconductor die 15 The balance between the suppression of damage and the speeding up of the pickup of the semiconductor die 15 can be made appropriate.
  • the actual flow rate change 158 is obtained for all the semiconductor dies 15. That is, all of the semiconductor dies 15 were set as specific semiconductor dies 15. However, the semiconductor die 15 (specific semiconductor die 15) that acquires the actual flow rate change 158 may not be all the semiconductor die 15. For example, one or a plurality of semiconductor dies 15 in one wafer may be a specific semiconductor die 15.
  • each time the semiconductor die 15 of one or more wafers is picked up an opportunity to change the level value is given.
  • an opportunity to change the level value may be given each time one semiconductor die 15 is picked up or each time a plurality of semiconductor dies 15 are picked up. For example, when a large number of semiconductor dies 15 are sequentially picked up, the greater the change in the releasability of the semiconductor dies 15 (or the expected change), the more frequently the opportunity to change the level value is given.
  • pickup is performed by applying a new level value from the semiconductor die 15 immediately after picking up the specific semiconductor die 15 (the semiconductor die 15 that has acquired the actual flow rate change 158).
  • a predetermined number of semiconductor dies 15 may be picked up, and thereafter, the semiconductor die 15 may be picked up by applying a new level value.
  • pickup of another semiconductor die 15 after picking up a specific semiconductor die 15 means only “pickup of the semiconductor die 15 immediately after picking up a specific semiconductor die 15”. Instead, the pickup of the semiconductor die 15 after the pickup of the predetermined number of semiconductor dies 15 as described above is also included.
  • the semiconductor die 15 picked up by increasing the number of switching of the opening pressure may be more damaged than the other semiconductor die 15. Therefore, the semiconductor die 15 that has been subjected to switching of the opening pressure a predetermined number of times or more when the semiconductor die 15 is picked up may be subjected to crack inspection or the like.
  • the collet 18 conveys the semiconductor die 15 that has performed the switching of the opening pressure at least a predetermined number of times to another place (an inspection module, an inspection unit that performs a crack inspection, etc.) other than the other semiconductor dies 15, and The semiconductor die 15 is inspected for cracks or bending using an inspection module or the like.
  • the period in which the expected flow rate change 157 and the actual flow rate change 158 for obtaining the correlation value (evaluation value) are compared is the predetermined period in the initial peeling.
  • the period in which the expected flow rate change 157 and the actual flow rate change 158 are compared is the entire period of the initial peeling, the entire period of the main peeling, or a predetermined period in the main peeling, or a combination of the initial peeling and the main peeling.
  • the expected flow rate change 157 is stored in the storage unit 152 in advance only during a period that is compared with the actual flow rate change 158.
  • the correlation value between the actual flow rate change and the expected flow rate change was obtained as an index for grasping the detachability of the semiconductor die 15.
  • the correlation value takes a value of 0 to 1.0, and indicates that the larger the value is, the easier the semiconductor die 15 is to be peeled off from the dicing sheet 12, which can be said to be the degree of ease of peeling.
  • a value obtained by subtracting the correlation value from 1.0 (1.0-correlation value) takes a value of 0 to 1.0, and indicates that the larger the value, the more difficult it is for the semiconductor die 15 to separate from the dicing sheet 12. It can be said that it is the degree of difficulty in peeling.
  • the degree of difficulty of separation can be used instead of the correlation value (degree of ease of separation).
  • the threshold value table 160 of FIG. 24 (the lower the threshold value, the larger the threshold value TH1, the lower the threshold value) on the assumption that the correlation value (easiness of peeling) and the value range of the correlation value (0 to 1.0) are assumed. Table in which TH2 is set) was used. However, the threshold table 160 (the lower the threshold value, the smaller the threshold values TH1 and TH2 are set) based on the peeling difficulty (1.0-correlation value) and the range of the peeling difficulty (0 to 1.0). Table). The ease of peeling or the difficulty of peeling can also be referred to as the degree of peeling.
  • the release operation described above during the initial peeling and during the stripping and retaining the suction pressure of the suction face 22 of the stage 20 to the third pressure P 3 near vacuum.
  • the peeling parameters “the number of times of changing the suction pressure”, which is the number of times the suction pressure of the suction surface 22 of the stage 20 is switched between the third pressure P 3 and the fourth pressure P 4 , is added.
  • the “number of times the suction pressure is switched” may be increased to promote the separation of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12.
  • the semiconductor die pickup system 500 can also be called a semiconductor die pickup device.
  • the semiconductor die pickup system 500 can be a part of a bonding apparatus (bonder, bonding system) or a die bonding apparatus (die bonder, die bonding system), and can also be referred to by their names.
  • the first predetermined value, third predetermined value, fifth predetermined value, seventh predetermined value, and ninth predetermined value described in “Means for Solving the Problems” are represented by S118 in the flow of FIG. This corresponds to the threshold value TH2 to be compared with the correlation value (representative die evaluation value).
  • the second predetermined value, the fourth predetermined value, the sixth predetermined value, the eighth predetermined value, and the tenth predetermined value described in “Means for solving the problem” are determined in S116 of the flow of FIG. This corresponds to a threshold value TH1 to be compared with the representative correlation value (representative die evaluation value).

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Abstract

半導体ダイ（１５）を吸着するコレット（１８）と、コレットの表面（１８ａ）から空気を吸引する吸引機構（１００）と、吸引機構の吸引空気流量を検出する流量センサ（１０６）と、ダイシングシート（１２）の裏面（１２ｂ）を吸着する吸着面（２２）を含むステージ（２０）と、ピックアップの際にステージの吸着面に設けられた開口（２３）の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構（８０）と、制御部（１５０）とを備え、制御部は、特定の半導体ダイをピックアップする際に流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化を取得し、その時間変化から半導体ダイのダイシングシートからの剥離容易度を求め、剥離容易度に基づいて以降の半導体ダイのピックアップの際の上記切換え回数を変更する。これにより、ピックアップの際に半導体ダイの損傷抑制とピックアップ高速化とのバランスを適正にすることができる。

Description

半導体ダイのピックアップシステム
　本発明は、ボンディング装置（ボンディングシステム）に用いる半導体ダイのピックアップシステムに関する。
　半導体ダイは、６インチや８インチの大きさのウェーハを所定の大きさに切断して製造される。切断の際には切断した半導体ダイがバラバラにならないように、裏面にダイシングシートを貼り付け、表面側からダイシングソーなどによってウェーハを切断する。この際、裏面に貼り付けられたダイシングシートは若干切り込まれるが切断されないで各半導体ダイを保持した状態となっている。そして切断された各半導体ダイは一つずつダイシングシートからピックアップされてダイボンディング等の次の工程に送られる。
　ダイシングシートから半導体ダイをピックアップする方法としては、円板状の吸着駒の表面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、吸着駒の中央部に配置された突き上げブロックで半導体ダイを突き上げると共に、コレットを上昇させて、半導体ダイをダイシングシートからピックアップする方法が提案されている（例えば、特許文献１の図９ないし２３参照）。半導体ダイをダイシングシートから剥離させる際には、まず、半導体ダイの周辺部を剥離させ、次に半導体ダイの中央部を剥離させるようにすることが効果的なので、特許文献１に記載されている従来技術では、突き上げブロックを半導体ダイの周囲の部分を突き上げるものと半導体ダイの中央を突き上げるものと、その中間を突き上げるものの３つに分け、最初に３つのブロックを所定の高さまで上昇させた後、中間と中央のブロックを周辺のブロックよりも高く上昇させ、最後に中央のブロックを中間のブロックよりも高く上昇させる方法をとっている。
　また、円板状のエジェクターキャップの表面にダイシングシートを吸着させ、半導体ダイをコレットに吸着させた状態で、コレット及び、周辺、中間、中央の各突き上げブロックをエジェクターキャップの表面より高い所定の高さまで上昇させた後、コレットの高さをそのままの高さとし、周囲の突き上げブロック、中間の突き上げブロック、の順に突き上げブロックをエジェクターキャップ表面よりも下の位置まで降下させて半導体ダイからダイシングシートを剥離する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
　特許文献１，２に記載された方法で半導体ダイからダイシングシートを剥離させる場合、特許文献１の図４０，４２，４４，特許文献２の図４Ａないし４Ｄ、図５Ａないし５Ｄに記載されているように、半導体ダイが剥離する前に、半導体ダイがダイシングシートに貼りついたままダイシングシートと共に曲げ変形する場合がある。半導体ダイが曲げ変形した状態でダイシングシートの剥離動作を継続すると、半導体ダイが破損してしまう場合があるので、特許文献１の図３１に記載されているように、コレットからの吸引空気の流量の変化によって半導体ダイの湾曲を検出し、特許文献１の図４３に記載されているように、吸気流量が検出された場合には、半導体ダイが変形していると判断して突き上げブロックを一旦降下させた後、再度突き上げブロックを上昇させる方法が提案されている。なお、特許文献３にも、コレットからの吸引空気の流量の変化によって半導体ダイの湾曲（撓み）を検出（判別）することが開示されている。
特許第４９４５３３９号公報 米国特許第８０９２６４５号明細書 特許第５８１３４３２号公報
　近年、半導体ダイは、非常に薄くなってきており、例えば、２０μｍ程度のものもある。一方、ダイシングシートの厚さは１００μｍ程度であるから、ダイシングシートの厚みは、半導体ダイの厚みの４～５倍にもなっている。このような薄い半導体ダイをダイシングシートから剥離させようとすると、ダイシングシートの変形に追従した半導体ダイの変形がより顕著に発生しやすい。従来技術では、ダイシングシートから半導体ダイをピックアップする際に半導体ダイを損傷してしまう可能性があり、改良の余地がある。
　また、従来技術では、半導体ダイのピックアップの高速化について十分な検討がなされていない。半導体ダイの損傷を抑制するために、半導体ダイのダイシングシートからの剥離を促進させる必要があり、剥離動作（ピックアップ動作）に要する時間は長くなる。一方で、生産性を高めるために、剥離動作に要する時間を短くして、ピックアップを高速化することも望まれている。
　例えば、同種の半導体ダイを継続してピックアップしていても、半導体ダイのダイシングシートからの剥離性が変化してくる場合がある。例えば、最初の方にピックアップした半導体ダイの剥離性は良好であった（剥離容易度が高かった）が、後の方にピックアップする半導体ダイの剥離性はそれよりも悪化している（剥離容易度が低くなっている）可能性がある。または、その逆の可能性もある。前者の場合には、より剥離を促進させる剥離動作に変更しなければ、半導体ダイの損傷を招くことになる。後者の場合には、剥離動作を変更しなくても半導体ダイの損傷を招くことはないが、本来、より短時間で半導体ダイをピックアップできるにも拘わらず、長時間かけてピックアップすることになる。複数の半導体ダイを継続してピックアップする際に、半導体ダイの損傷の発生の抑制と、半導体ダイのピックアップの高速化とのバランスを適正にすることが望まれている。
　本発明は、半導体ダイをピックアップする際の半導体ダイの損傷を的確に抑制し、かつ、複数の半導体ダイを継続してピックアップする際に、半導体ダイの損傷の抑制と、半導体ダイのピックアップの高速化とのバランスを適正にすることを目的とする。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムは、ダイシングシートの表面に貼り付けられた半導体ダイをダイシングシートからピックアップする半導体ダイのピックアップシステムであって、半導体ダイを吸着するコレットと、コレットに接続され、コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、吸引機構が吸引する吸引空気流量を検出する流量センサと、ダイシングシートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、ステージの吸着面に設けられた開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、半導体ダイをピックアップする際に上記開口圧力の切換回数を含むピックアップパラメータを設定する設定手段と、を備え、設定手段は、半導体ダイをピックアップする際に、流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化である流量変化を取得し、流量変化に基づいて、半導体ダイをダイシングシートから剥離する剥離性を評価した評価値を算出し、評価値に基づいて、上記半導体ダイをピックアップした後の他の半導体ダイをピックアップする際のピックアップパラメータを変更する、ことを特徴とする。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、設定手段は、上記他の半導体ダイをピックアップする際の上記開口圧力を第１圧力に保持する時間を評価値に基づいて変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、上記開口の中に配置され、先端面が吸着面より高い第１位置と第１位置より低い第２位置との間で移動する複数の移動要素をさらに備え、半導体ダイをピックアップする際に、複数の移動要素のそれぞれを所定時間の間隔で順に、又は、所定の移動要素の組合せで同時に第１位置から第２位置に移動させ、設定手段は、上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記所定時間を評価値に基づいて変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、設定手段は、上記他の半導体ダイのピックアップの際の同時に上記第１位置から上記第２位置に移動させる移動要素の数を評価値に基づいて変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、半導体ダイをピックアップする際に、上記開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で切換えて開口で吸引されたダイシングシートを半導体ダイから剥離させる初期剥離を行い、上記流量変化は、初期剥離の際の流量センサが検出する吸引空気流量の時間変化である、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、上記切換回数は、初期剥離の際の上記開口圧力を第１圧力と第２圧力との間で切換える回数である、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、設定手段は、上記他の半導体ダイをダイシングシートから剥離する際のコレットが半導体ダイに着地してからその持ち上げを開始するまでの待機時間を評価値に基づいて変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、半導体ダイが良好にダイシングシートからピックアップされた場合における、当該半導体ダイのピックアップの際の吸引空気流量の時間変化である期待流量変化を記憶する記憶部を、備え、設定手段は、評価値を、半導体ダイをピックアップする際の上記流量変化と上記期待流量変化との間の相関値に基づいて求める、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、半導体ダイのクラック検査を行う検査部をさらに備え、半導体ダイをピックアップする際に上記切換えを予め定めた回数以上行った半導体ダイを、クラック検査の対象とする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、設定手段は、１枚又は複数枚のウェーハを構成する半導体ダイの上記流量変化を取得し、それぞれの流量変化に基づいて評価値を求め、複数の評価値に基づいて、上記他の半導体ダイをピックアップする際のピックアップパラメータを変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、複数のレベル値のそれぞれに対応付けられたピックアップパラメータのパラメータ値のテーブルと、現在適用しているピックアップパラメータのパラメータ値のレベル値である現在レベル値と、を記憶する記憶部を、備え、現在レベル値をキーとしてテーブルからピックアップパラメータのパラメータ値を読み出し、当該ピックアップパラメータのパラメータ値を適用して半導体ダイをピックアップし、設定手段は、評価値に基づいて、現在レベル値を他のレベル値に遷移させることで、上記他の半導体ダイをピックアップする際のピックアップパラメータのパラメータ値を変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、代表ダイ評価値が第１所定値より高い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記切換回数に比べて、上記切換回数を少なくし、代表ダイ評価値が第１所定値より低い値である第２所定値より低い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記切換回数に比べて、上記切換回数を多くする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、代表ダイ評価値が第３所定値より高い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記開口圧力を第１圧力に保持した時間に比べて、当該時間を短くし、代表ダイ評価値が第３所定値より低い値である第４所定値より低い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記開口圧力を第１圧力に保持した時間に比べて、当該時間を長くする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、代表ダイ評価値が第５所定値より高い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記所定時間に比べて、上記所定時間を短くし、代表ダイ評価値が第５所定値より低い値である第６所定値より低い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記所定時間に比べて、上記所定時間を長くする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、代表ダイ評価値が第７所定値より高い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の同時に上記第１位置から上記第２位置に移動させた移動要素の数に比べて、当該移動要素の数を多くし、
　代表ダイ評価値が第７所定値より低い値である第８所定値より低い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の同時に上記第１位置から上記第２位置に移動させた移動要素の数に比べて、当該移動要素の数を少なくする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、代表ダイ評価値が第９所定値より高い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記待機時間に比べて、当該待機時間を短くし、代表ダイ評価値が第９所定値より低い値である第１０所定値より低い場合には、上記他の半導体ダイをピックアップする際に、特定の半導体ダイをピックアップした際の上記待機時間に比べて、当該待機時間を長くする、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、第１１所定値より高い評価値の数である剥離容易検出数を求め、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、第１２所定値より低い評価値の数である剥離困難検出数を求め、剥離容易検出数と剥離困難検出数に基づいて、特定の半導体ダイをピックアップした後の上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記切換回数を変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、第１１所定値より高い評価値の数である剥離容易検出数を求め、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、第１２所定値より低い評価値の数である剥離困難検出数を求め、剥離容易検出数と剥離困難検出数に基づいて、特定の半導体ダイをピックアップした後の上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記開口圧力を第１圧力に保持する時間を変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、第１１所定値より高い評価値の数である剥離容易検出数を求め、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、第１２所定値より低い評価値の数である剥離困難検出数を求め、剥離容易検出数と剥離困難検出数に基づいて、特定の半導体ダイをピックアップした後の上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記所定時間を変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、第１１所定値より高い評価値の数である剥離容易検出数を求め、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、第１２所定値より低い評価値の数である剥離困難検出数を求め、剥離容易検出数と剥離困難検出数に基づいて、特定の半導体ダイをピックアップした後の上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記移動要素の数を変更する、としてもよい。
　本発明の半導体ダイのピックアップシステムにおいて、評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、設定手段は、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、第１１所定値より高い評価値の数である剥離容易検出数を求め、１つ又は複数の特定の半導体ダイの評価値のそれぞれを第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、第１２所定値より低い評価値の数である剥離困難検出数を求め、剥離容易検出数と剥離困難検出数に基づいて、特定の半導体ダイをピックアップした後の上記他の半導体ダイのピックアップの際の上記待機時間を変更する、としてもよい。
　本発明は、半導体ダイをピックアップする際の半導体ダイの損傷を的確に抑制でき、かつ、複数の半導体ダイを継続してピックアップする際に、半導体ダイの損傷の抑制と、半導体ダイのピックアップの高速化とのバランスを適正にすることができる、という効果を奏する。
本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの系統構成を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムのステージを示す斜視図である。 ダイシングシートに貼り付けられたウェーハを示す説明図である。 ダイシングシートに貼り付けられた半導体ダイを示す説明図である。 ウェーハホルダの構成を示す説明図である。 ウェーハホルダの構成を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作を示す説明図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの所定レベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力と、コレットの空気リーク量の時間変化を示す図である。 本発明の実施形態におけるパラメータテーブルの一例を示す図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムの別のレベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力との時間変化を示す図である。 本発明の実施形態における半導体ダイのピックアップシステムのさらに別のレベル値での動作の際のコレット高さと、柱状移動要素位置と、中間環状移動要素位置と、周辺環状移動要素位置と、開口圧力との時間変化を示す図である。 本発明の実施形態における初期剥離の所定期間における開口圧力の時間変化と、期待流量変化および実流量変化との一例を示す図である。 本発明の実施形態におけるレベル遷移制御の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態における閾値テーブルの一例を示す図である。 本発明の実施形態におけるレベル遷移の説明図である。 本発明の実施形態における別のレベル遷移の説明図である。 本発明の実施形態における別のパラメータテーブルの一例を示す図である。 本発明の実施形態における別のパラメータテーブルの一例を示す図である。 本発明の別の実施形態におけるレベル遷移制御の流れを示すフローチャートである。 本発明の別の実施形態におけるレベル遷移制御の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態における制御部の機能ブロック図である。
＜構成＞
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態の半導体ダイのピックアップシステムについて説明する。図１に示す様に、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、半導体ダイ１５が表面１２ａに貼り付けられたダイシングシート１２を保持し、水平方向に移動するウェーハホルダ１０と、ウェーハホルダ１０の下面に配置され、ダイシングシート１２の裏面１２ｂを吸着する吸着面２２を含むステージ２０と、ステージ２０の吸着面２２に設けられた開口２３の中に配置される複数の移動要素３０と、吸着面２２に対する段差面を形成する段差面形成機構３００と、段差面形成機構３００を駆動する段差面形成機構駆動部４００と、半導体ダイ１５をピックアップするコレット１８と、ステージ２０の開口２３の圧力を切換える開口圧力切換機構８０と、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を切換える吸着圧力切換機構９０と、コレット１８の表面１８ａから空気を吸引する吸引機構１００と、真空装置１４０と、ウェーハホルダ１０を水平方向に駆動するウェーハホルダ水平方向駆動部１１０と、ステージ２０を上下方向に駆動するステージ上下方向駆動部１２０と、コレット１８を上下左右方向に駆動するコレット駆動部１３０と、半導体ダイのピックアップシステム５００の制御を行う制御部１５０と、を備えている。
　段差面形成機構３００と段差面形成機構駆動部４００とは、ステージ２０の基体部２４の中に収納される。段差面形成機構３００は、ステージ２０の上部にあり、段差面形成機構駆動部４００は、ステージ２０の下部にある。段差面形成機構３００は、上下方向に移動する複数の移動要素３０を備えている。段差面形成機構駆動部４００により、複数の移動要素３０の各先端面が図１に示す矢印ａのように下側に移動する。移動要素３０の詳細については後で説明する。
　ステージ２０の開口２３の圧力を切換える開口圧力切換機構８０は、三方弁８１と、三方弁８１の開閉駆動を行う駆動部８２とを備えている。三方弁８１は３つのポートを持ち、第１ポートはステージ２０の開口２３と連通している基体部２４と配管８３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管８４で接続され、第３ポートは大気開放の配管８５と接続されている。駆動部８２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、開口２３の圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、開口２３の圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２としたりすることによって、開口２３の圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切換える。
　ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を切換える吸着圧力切換機構９０は、開口圧力切換機構８０と同様、３つのポートを持つ三方弁９１と、三方弁９１の開閉駆動を行う駆動部９２とを備え、第１ポートはステージ２０の溝２６に連通する吸着孔２７と配管９３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管９４で接続され、第３ポートは大気開放の配管９５と接続されている。駆動部９２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を大気圧に近い第４圧力Ｐ４としたりすることによって、溝２６、或いは吸着面２２の圧力を第３圧力Ｐ３と第４圧力Ｐ４との間で切換える。
　コレット１８の表面１８ａから空気を吸引する吸引機構１００は、開口圧力切換機構８０と同様、３つのポートを持つ三方弁１０１と、三方弁１０１の開閉駆動を行う駆動部１０２とを備え、第１ポートはコレット１８の表面１８ａに連通した吸引孔１９と配管１０３で接続され、第２ポートは真空装置１４０と配管１０４で接続され、第３ポートは大気開放の配管１０５と接続されている。駆動部１０２は、第１ポートと第２ポートを連通させて第３ポートを遮断し、コレット１８の表面１８ａから空気を吸い込んでコレット１８の表面１８ａの圧力を真空に近い圧力としたり、第１ポートと第３ポートを連通させて第２ポートを遮断し、コレット１８の表面１８ａの圧力を大気圧に近い圧力としたりする。コレット１８の吸引孔１９と三方弁１０１との間を接続する配管１０３には、コレット１８の表面１８ａから真空装置１４０に吸引される空気流量（吸引空気流量）を検出する流量センサ１０６が取り付けられている。
　ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０、ステージ上下方向駆動部１２０、コレット駆動部１３０は、例えば、内部に設けたモータとギヤによりウェーハホルダ１０、ステージ２０、コレット１８を水平方向、或いは上下方向等に駆動するものである。
　制御部１５０は、各種の演算処理や制御処理を行うＣＰＵ１５１と、記憶部１５２と、機器・センサインターフェース１５３とを含み、ＣＰＵ１５１と記憶部１５２と機器・センサインターフェース１５３とは、データバス１５４で接続されているコンピュータである。記憶部１５２の中には、制御プログラム１５５、制御データ１５６が格納されている。また、詳細は後述するが、記憶部１５２の中には、コレット１８により半導体ダイ１５をピックアップする際のレベル値と剥離パラメータのパラメータ値とが対応づけられたパラメータテーブル１５９（図１９参照）、閾値テーブル１６０（図２４参照）、ピックアップの際に適用するレベル値である現在レベル値１６１、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合におけるピックアップの際の流量センサ１０６が検出する吸引空気流量の時間変化である期待流量変化１５７、ピックアップする際に流量センサ１０６が実際に検出する吸引空気流量の時間変化である実流量変化１５８が格納されている。図３０は、制御部１５０の機能ブロック図である。制御部１５０は、制御プログラム１５５を実行することにより、ピックアップ制御手段６００（制御手段）および設定手段６０２として機能する。
　図１に示す様に、開口圧力切換機構８０、吸着圧力切換機構９０、吸引機構１００の各三方弁８１，９１，１０１の各駆動部８２，９２，１０２及び、段差面形成機構駆動部４００、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０、ステージ上下方向駆動部１２０、コレット駆動部１３０、真空装置１４０は、それぞれ機器・センサインターフェース１５３に接続され、制御部１５０の指令によって駆動される。また、流量センサ１０６は、機器・センサインターフェース１５３に接続され、検出信号は、制御部１５０に取り込まれて処理される。
　次に、ステージ２０の吸着面２２と、移動要素３０の詳細について説明する。図２に示すように、ステージ２０は、円筒形で、上面には、平面状の吸着面２２が形成されている。吸着面２２の中央には、四角い開口２３が設けられ、開口２３には、移動要素３０が取り付けられている。図６に示すように、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間には隙間ｄが設けられている。図２に示すように、開口２３の周囲には、溝２６が開口２３を取り巻くように設けられている。各溝２６には、吸着孔２７が設けられており、各吸着孔２７は、吸着圧力切換機構９０に接続されている。
　図２に示すように、移動要素３０は、中央に配置された柱状移動要素４５と、柱状移動要素４５の周囲に配置された２つの中間環状移動要素４０，４１と、中間環状移動要素４０の周囲に配置されており最外周に配置されている周辺環状移動要素３１とを含んでいる。なお、ここでは中間環状移動要素の数は２つであるが、中間環状移動要素の数は１つ、又は、３つ以上であってもよい。図６以降の図面では、説明を簡単にするために、中間環状移動要素４０の数は１つとなっている。図６に示すように、柱状移動要素４５、中間環状移動要素４０、周辺環状移動要素３１のそれぞれの先端面４７，３８ｂ、３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置にあり、同一面（吸着面２２に対する段差面）を構成している。半導体ダイ１５をピックアップする際に、周辺環状移動要素３１、中間環状移動要素４０、柱状移動要素４５の順に所定時間の間隔で第１位置から第１位置よりも低い第２位置に移動させる。或いは、所定の移動要素の組合せで同時に第１位置から第２位置に移動させる。
＜ダイシングシートのセット工程＞
　ここで、半導体ダイ１５が貼り付けられたダイシングシート１２をウェーハホルダ１０にセットする工程について説明する。
　図３に示すように、ウェーハ１１は裏面に粘着性のダイシングシート１２が貼り付けられており、ダイシングシート１２は金属製のリング１３に取り付けられている。ウェーハ１１はこのようにダイシングシート１２を介して金属製のリング１３に取り付けられた状態でハンドリングされる。そして、図４に示すように、ウェーハ１１は切断工程で表面側からダイシングソーなどによって切断されて各半導体ダイ１５となる。各半導体ダイ１５の間にはダイシングの際に出来た切り込み隙間１４が出来る。切り込み隙間１４の深さは半導体ダイ１５からダイシングシート１２の一部にまで達しているが、ダイシングシート１２は切断されておらず、各半導体ダイ１５はダイシングシート１２によって保持されている。
　このように、ダイシングシート１２とリング１３とが取り付けられた半導体ダイ１５は図５Ａ及び図５Ｂに示すように、ウェーハホルダ１０に取り付けられる。ウェーハホルダ１０は、フランジ部を持つ円環状のエキスパンドリング１６とエキスパンドリング１６のフランジの上にリング１３を固定するリング押さえ１７とを備えている。リング押さえ１７は図示しないリング押さえ駆動部によってエキスパンドリング１６のフランジに向かって進退する方向に駆動される。エキスパンドリング１６の内径は半導体ダイ１５が配置されているウェーハの径よりも大きく、エキスパンドリング１６は所定の厚さを備えており、フランジはエキスパンドリング１６の外側にあって、ダイシングシート１２から離れた方向の端面側に外側に突出するように取り付けられている。また、エキスパンドリング１６のダイシングシート１２側の外周はダイシングシート１２をエキスパンドリング１６に取り付ける際に、ダイシングシート１２をスムーズに引き伸ばすことができるように曲面構成となっている。図５Ｂに示すように、半導体ダイ１５が貼り付けられたダイシングシート１２はエキスパンドリング１６にセットされる前は略平面状態となっている。
　図１に示すように、ダイシングシート１２は、エキスパンドリング１６にセットされるとエキスパンドリング１６の上面とフランジ面との段差分だけエキスパンドリング上部の曲面に沿って引き伸ばされるので、エキスパンドリング１６の上に固定されたダイシングシート１２にはダイシングシート１２の中心から周囲に向かう引っ張り力が働いている。また、この引っ張り力によってダイシングシート１２が延びるので、ダイシングシート１２の上に貼り付けられた各半導体ダイ１５間の隙間１４が広がっている。
＜ピックアップ動作＞
　次に、半導体ダイ１５のピックアップ動作について説明する。各半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離し易さ（剥離性）は、半導体ダイ１５の厚さ、ダイシングシート１２の厚さ、各半導体ダイ１５に対するダイシングシート１２の粘着性、半導体ダイのピックアップシステム５００の置かれた環境（気温、湿度等）などによって変化する。また、同種の半導体ダイ１５を継続してピックアップしている際に、各半導体ダイのダイシングシートからの剥離し易さが変化する場合もある。そこで、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、半導体ダイ１５ごとに、ピックアップの際の剥離動作（ピックアップ動作）を変更できるようになっている。記憶部１５２には、図１９に示すパラメータテーブル１５９が格納されており、パラメータテーブル１５９には、複数のレベル値のそれぞれに対応付けた剥離パラメータ（ピックアップパラメータ）のパラメータ値が規定されている。パラメータテーブル１５９には、ピックアップ時間が最も短いレベル１から、最も長いレベル８までが規定されている。半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離し易さ（剥離容易度）が高いほどレベル１又はレベル１に近いレベル値がピックアップの際に設定され、そのレベル値に規定された各剥離パラメータのパラメータ値を用いて剥離動作（ピックアップ動作）が行われる。なお、この設定は、制御部１５０が設定手段として機能して行う。各剥離パラメータの詳細については、後で説明する。以下では、パラメータテーブル１５９のレベル４が設定（選択）された場合を例に挙げて、半導体ダイのピックアップ動作を説明する。
　制御部１５０は、図１に示す制御プログラム１５５を実行することでピックアップ制御手段として機能して半導体ダイ１５のピックアップ動作の制御を行う。制御部１５０は、ピックアップ動作の一部として、半導体ダイ１５をダイシングシート１２から剥離するための剥離動作を制御する。最初に、制御部１５０は、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０によってウェーハホルダ１０をステージ２０の待機位置の上まで水平方向に移動させる。そして、制御部１５０は、ウェーハホルダ１０がステージ２０の待機位置の上の所定の位置まで移動したら、ウェーハホルダ１０の水平方向の移動を一旦停止する。先に述べたように、初期状態では各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているので、制御部１５０は、ステージ上下方向駆動部１２０によって、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａがダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着し、且つ、吸着面２２の開口２３から少し離れた領域がダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着するまでステージ２０を上昇させる。そして、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａ及び吸着面２２の開口２３から少し離れた領域がダイシングシート１２の裏面１２ｂに密着したら、制御部１５０はステージ２０の上昇を停止する。そして、制御部１５０は、再度、ウェーハホルダ水平方向駆動部１１０によって、ピックアップしようとする半導体ダイ１５がステージ２０の吸着面２２から僅かに突出している移動要素３０の先端面（段差面）の直上に来るように水平位置を調整する。
　図６に示すように、半導体ダイ１５の大きさは、ステージ２０の開口２３よりも小さく、移動要素３０の幅あるいは奥行よりも大きいので、ステージ２０の位置調整が終了すると、半導体ダイ１５の外周端は、ステージ２０の開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間、つまり、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との間の隙間ｄの直上となっている。初期状態では、ステージ２０の溝２６、あるいは吸着面２２の圧力は大気圧で、開口２３の圧力も大気圧になっている。初期状態では各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているので、各先端面４７，３８ｂ，３８ａに接しているダイシングシート１２の裏面１２ｂの高さも吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっている。また、開口２３の周縁ではダイシングシート１２の裏面１２ｂは吸着面２２から僅かに浮いており、開口２３から離れた領域では吸着面２２に密着した状態となっている。水平方向の位置調整が終了したら、制御部１５０は、図１に示すコレット駆動部１３０によってコレット１８を半導体ダイ１５の上に降下させてコレット１８の表面１８ａを半導体ダイ１５に着地させる。
　図１８は、レベル４の剥離動作（ピックアップ動作）の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力と、コレット１８の空気リーク量の時間変化を示す図である。図１８（ａ）には、コレット１８の表面１８ａの高さが示されており、コレット１８を、時刻ｔ＝０から少し経った時刻から時刻ｔ２にかけて移動させた状態が示されている。制御部１５０は、コレット１８を移動させている間の時刻ｔ１で、吸引機構１００の駆動部１０２によって三方弁１０１をコレット１８の吸引孔１９と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。これにより、吸引孔１９は負圧となり、コレット１８の表面１８ａから吸引孔１９の中に空気が流入してくるので、図１８（ｆ）に示すように、流量センサ１０６が検出する吸引空気流量（空気リーク量）は、時刻ｔ１から時刻ｔ２にかけて増加していく。時刻ｔ２で、コレット１８が半導体ダイ１５に着地すると、表面１８ａに半導体ダイ１５が吸着固定され、表面１８ａから空気流入できなくなる。それにより、時刻ｔ２で、流量センサ１０６が検出する空気リーク量は減少に転じる。コレット１８が半導体ダイ１５に着地した際のコレット１８の表面１８ａの高さは、図６に示すように、各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａの高さ（吸着面２２からの高さＨ０）にダイシングシート１２の厚さと半導体ダイ１５の厚さを加えた高さＨｃとなっている。
　次に制御部１５０は、図１８に示す時刻ｔ２に、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力（不図示）を大気圧に近い第４圧力Ｐ４から真空に近い第３圧力Ｐ３に切換える指令を出力する。この指令により、吸着圧力切換機構９０の駆動部９２は、三方弁９１を吸着孔２７と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。すると、図７の矢印２０１に示すように、吸着孔２７を通して溝２６の空気が真空装置１４０に吸い出され、吸着圧力が真空に近い第３圧力Ｐ３となる。そして、開口２３の周縁のダイシングシート１２の裏面１２ｂは図７の矢印２０２に示す様に、吸着面２２の表面に真空吸着される。各移動要素４５，４０，３１の各先端面４７，３８ｂ，３８ａは、ステージ２０の吸着面２２から高さＨ０だけ突出した第１位置となっているのでダイシングシート１２には、斜め下向きの引っ張り力Ｆ１が掛かる。この引っ張り力Ｆ１はダイシングシート１２を横方向に引っ張る引っ張り力Ｆ２と、ダイシングシート１２を下方向に引っ張る引っ張り力Ｆ３とに分解できる。横方向の引っ張り力Ｆ２は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２の表面１２ａとの間にせん断応力τを発生させる。このせん断応力τによって、半導体ダイ１５の外周部分あるいは周辺部分とダイシングシート１２の表面１２ａとの間にズレが発生する。このズレは、ダイシングシート１２と半導体ダイ１５の外周部分あるいは周辺部分との剥離のきっかけとなる。
　制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ３に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とを連通させる方向に切換える。すると、図８の矢印２０６に示す様に、開口２３の空気が真空装置１４０に吸引され、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ４には開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ1となる。これによって、図８の矢印２０３に示す様に、開口２３の内面２３ａと移動要素３０の外周面３３との隙間ｄの直上にあるダイシングシート１２が下側に引っ張られる。また、隙間ｄの直上に位置する半導体ダイ１５の周辺部は、ダイシングシート１２に引っ張られて矢印２０４に示す様に下向きに曲げ変形する。これによって半導体ダイ１５の周辺部はコレット１８の表面１８ａから離れる。吸着圧力が真空に近い第３圧力Ｐ３となった際に半導体ダイ１５の外周部分とダイシングシート１２の表面１２ａとの間に発生したズレのため、半導体ダイ１５の周辺部にはダイシングシート１２の表面１２ａから剥離するきっかけが形成されているので、半導体ダイ１５の周辺部は、図８の矢印２０４に示すように曲げ変形しながらもダイシングシート１２の表面１２ａから剥離し始めている。
　図８に示すように、半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａから離れると、図８の矢印２０５で示すように、コレット１８の吸引孔１９の中に空気が流入してくる。流入した空気流量（空気リーク量）は、流量センサ１０６によって検出される。これにより、図１８（ｆ）に示すように、時刻ｔ２で減少に転じ、減少を続けていた空気リーク量は、時刻ｔ３で再び増加し始める。具体的には、時刻ｔ３から時刻ｔ４に向かって開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に低下してくるにつれ、半導体ダイ１５がダイシングシート１２と共に下方向に引っ張られて曲げ変形してくるので、コレット１８の吸引孔１９に流入してくる空気リーク量は時刻ｔ３から時刻ｔ４に向かって増加していく。
　そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ４から時刻ｔ５の間（時間ＨＴ４）、ステージ２０の開口２３を真空に近い第１圧力Ｐ１に保持する。この時間ＨＴ４は、図１９のパラメータテーブル１５９に規定されているレベル４の「第１圧力の保持時間」である。ＨＴ４は、図１９の例では１３０ｍｓである。第１圧力Ｐ１に保持している間に、図９の矢印２０７に示すように、半導体ダイ１５の周辺部は、コレット１８の吸引孔１９の真空と、半導体ダイ１５の弾性によってコレット１８の表面１８ａに戻っていく。これにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ４に空気リーク量は減少に転じ、減少を続けて、半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、時刻ｔ５の少し前に空気リーク量はほぼゼロとなる。この際、半導体ダイ１５の周辺部は、隙間ｄの直上に位置しているダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する（初期剥離）。そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ５に開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に切換える指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を大気開放の配管８５と開口２３とが連通するように切換える。これにより、図１０に示す矢印２１０のように、空気が開口２３に流入してくるので、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ５から時刻ｔ６に向かって、開口圧力は、真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇していく。
　図１８の時刻ｔ１～ｔ６が初期剥離である。半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性が悪い（剥離容易度が低い）場合には、図８の矢印２０４のように半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから、図９の矢印２０７のように半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまで多くの時間がかかる。そのような半導体ダイ１５には、開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間（図１８（ｅ）の時刻ｔ４～ｔ５の時間）が長く、或いは、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で切換える回数が多い剥離動作（レベル値）を適用して、半導体ダイ１５の周辺部とダイシングシート１２との剥離を促す。
　一方で、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性が良い（剥離容易度が高い）場合には、図８の矢印２０４のように半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから、図９の矢印２０７のように半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間が短い。そのような半導体ダイ１５には、開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間が短く、或いは、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１と大気圧に近い第２圧力Ｐ２との間で切換える回数が少ない剥離動作（レベル値）を適用して、ピックアップを高速化する。なお、図１８のレベル４の例では、初期剥離時の開口圧力の切換回数は１回（第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に切換え、その後、第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に切換えて１回と数えた場合）である。これは、図１９のパラメータテーブル１５９に規定されているレベル４の「初期剥離時の開口圧力の切換回数」（ＦＳＮ４）である。
　また、上記のように、半導体ダイ１５の剥離容易度に応じて、半導体ダイ１５の周辺部がダイシングシート１２に引っ張られてから半導体ダイ１５の周辺部がコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間が変化するため、流量センサ１０６が検出する空気リーク量の時間変化（実流量変化）も変化する。そこで、後で詳細に説明するように、実流量変化に基づいて、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性（剥離容易度）を判断することが可能である。
　ピックアップ動作の説明を続ける。図１８のｔ６で、開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇すると、図１０の矢印２１２に示すように、真空で下方向に引っ張られていた隙間ｄの直上に位置するダイシングシート１２は、ウェーハホルダ１０に固定する際に印加された引っ張り力によって上方向に戻る。また、開口２３の周縁のダイシングシート１２は、上記の引っ張り力により、吸着面２２から若干浮いた状態になっている。
　制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ６に開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２になったら、図１８（ｄ）に示すように、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａの高さを第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の初期位置）から高さＨ１だけ低い第２位置とする指令を出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１１の矢印２１４に示すように周辺環状移動要素３１を下降させる。周辺環状移動要素３１の先端面３８ａは、第１位置（初期位置）から高さＨ１だけ下側で、吸着面２２よりも僅かに低い第２位置（吸着面２２から高さ（Ｈ１－Ｈ０）だけ低い位置）に移動する。
　次に、制御部１５０は、図１８に示すように時刻ｔ６から時刻ｔ７まで状態を保持する。この際、開口２３の圧力は大気圧に近い第２圧力Ｐ２になっているので、図１１に示すように、隙間ｄの直上に位置しているダイシングシート１２の裏面１２ｂと周辺環状移動要素３１の先端面３８ａとの間には隙間が空いている。
　制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ７に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とが連通するように切換える。これによって図１２の矢印２１５に示すように、開口２３の中の空気が真空装置１４０に吸引され、時刻ｔ８には、開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１となる。開口圧力が大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に低下すると、図１２の矢印２１６に示すように、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａの直上に位置する（対向する）ダイシングシート１２は、裏面１２ｂが先端面３８ａに接するように下側に引っ張られる。これによって、図１２の矢印２１７に示すように、半導体ダイ１５の先端面３８ａの直上に位置する半導体ダイ１５の一部が下方向に曲げ変形し、コレット１８の表面１８ａから離れ、空気がコレット１８の吸引孔１９の中に流入する。吸引孔１９に流入した空気リーク量は流量センサ１０６で検出される。空気リーク量は、図１８（ｆ）に示すように、開口圧力が低下していく時刻ｔ７から時刻ｔ８の間増加していく。そして、開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ８付近で、先端面３８ａに対向する領域の半導体ダイ１５は、図１３に示す矢印２２４のようにコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくる。それにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ８付近で空気リーク量は減少に転じて、図１３に示すように半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、空気リーク量は、また、ほぼゼロに戻る。この時、先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域はダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する。なお、図１２の矢印２１７のように先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２に引っ張られてから、図１３の矢印２２４のようにコレット１８の表面１８ａに戻ってくるまでの時間は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性に応じて変化する。
　次に、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ９になると、開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇させる指令を出力する。この指令によって、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は三方弁８１を開口２３と大気開放の配管８５とを連通するように切換える。これによって、図１３の矢印２２０で示す様に、開口２３に空気が流入し、時刻ｔ１０で開口２３の圧力は大気圧に近い第２圧力Ｐ２に上昇する。これによって、図１３の矢印２２３に示す様に、隙間ｄの直上のダイシングシート１２は、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａから離れて上方向に変位する。
　図１８の時刻ｔ１０に、制御部１５０は、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動する指令と、第２位置にある周辺環状移動要素３１の先端面３８ａを、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２－Ｈ０だけ低い位置）に移動する指令とを出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１４の矢印２２７に示すように中間環状移動要素４０を下降させ、矢印２２６に示すように周辺環状移動要素３１を下降させる。中間環状移動要素４０の先端面３８ｂは、第１位置（吸着面から高さＨ０だけ高い位置）から高さＨ１だけ低い第２位置（吸着面２２からＨ１－Ｈ０だけ低い位置）に移動し、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａは、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２－Ｈ０だけ低い位置）に移動する。これにより、図１４に示すように、先端面３８ａ、３８ｂ、４７は相互に段差がある段差面であると同時に吸着面２２に対する段差面となる。
　次に、制御部１５０は、図１８に示すように時刻ｔ１０から時刻ｔ１１まで状態を保持する。そして、制御部１５０は、図１８（ｅ）の時刻ｔ１１に開口圧力を大気圧に近い第２圧力Ｐ２から真空に近い第１圧力Ｐ１に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と真空装置１４０とを連通させるように切換える。これによって、図１５の矢印２２８に示すように、開口２３の空気は真空装置１４０に吸引され、開口圧力は時刻ｔ１２に真空に近い第１圧力Ｐ１となる。すると、図１５に示す矢印２２９，２３０のようにダイシングシート１２は、第３位置に降下している周辺環状移動要素３１の先端面３８ａ、第２位置に降下している中間環状移動要素４０の先端面３８ｂに向かって引っ張られ、下方向に変位する。これに伴って、先端面３８ａ，３８ｂに対向する半導体ダイ１５の領域も図１５の矢印２３１に示す様にコレット１８の表面１８ａから離れて下向きに曲がり変形する。すると、図１５の矢印２３２に示すように、コレット１８の表面１８ａと半導体ダイ１５との間から空気が吸引孔１９に流入する。吸引孔１９に流入した空気リーク量は流量センサ１０６で検出される。空気リーク量は、図１８（ｆ）に示すように、開口圧力が低下していく時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の間増加していく。そして、開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ１２付近で、先端面３８ａ，３８ｂに対向する領域の半導体ダイ１５は、図１６に示す矢印２４４のようにコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくる。それにより、図１８（ｆ）の時刻ｔ１２付近で空気リーク量は減少に転じて、図１６に示すように半導体ダイ１５がコレット１８の表面１８ａに真空吸着されると、空気リーク量はほぼゼロとなる。なお、このコレット１８の表面１８ａに向かって戻ってくるまでの時間は、半導体ダイ１５とダイシングシート１２との剥離性に応じて変化する。
　次に、制御部１５０は、図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ１３に開口圧力を真空に近い第１圧力Ｐ１から大気圧に近い第２圧力Ｐ２に切換える指令を出力する。この指令により、開口圧力切換機構８０の駆動部８２は、三方弁８１を開口２３と大気開放の配管８５とを連通させるように切換える。すると、図１６の矢印２４１に示すように開口２３に空気が流入し、開口圧力が上昇するので、ダイシングシート１２は、図１６に示す矢印２４３に示すように、上方向に変位する。図１８（ｅ）に示すように、時刻ｔ１４に、開口圧力は大気に近い第２圧力Ｐ２となる。この状態では、図１６に示すように柱状移動要素４５の先端面４７に対応する領域の半導体ダイ１５がダイシングシート１２に張り付いているものの、半導体ダイ１５の大部分の領域はダイシングシート１２から剥離した状態となっている。
　次に、制御部１５０は、図１８の時刻ｔ１４に、柱状移動要素４５の先端面４７を第１位置（吸着面２２からの高さがＨ０の位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動する指令と、第２位置にある中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置（吸着面２２からＨ２－Ｈ０だけ低い位置）に移動する指令と、を出力する。この指令によって、図１に示す段差面形成機構駆動部４００が駆動して、図１７の矢印２６０に示すように柱状移動要素４５を下降させ、矢印２４６に示すように中間環状移動要素４０を下降させる。柱状移動要素４５の先端面４７は、第１位置（吸着面から高さＨ０だけ高い位置）から高さＨ１だけ低い第２位置に移動し、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂは、第１位置（初期位置）から高さＨ２だけ低い第３位置に移動する。これにより、図１７に示すように、半導体ダイ１５はダイシングシート１２から剥離した状態となる。
　制御部１５０は、図１８の時刻ｔ１５にコレット１８を上昇させる指令を出力する。この指令によって、図１に示すコレット駆動部１３０は、モータを駆動して、図１７に示すようにコレット１８を上昇させる。コレット１８が上昇すると、半導体ダイ１５がコレット１８に吸着された状態でピックアップされる。
　半導体ダイ１５をピックアップしたら、制御部１５０は、時刻ｔ１６に、各移動要素３１，４０，４５の各先端面３８ａ，３８ｂ，４７を第１位置に戻し、吸着圧力切換機構９０によりステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３から大気圧に近い第４圧力Ｐ４に切替える。これでピックアップが終了する。
　以上説明した図１８の時刻ｔ６～ｔ１６が本剥離である。本剥離では、外側の移動要素３０から内側の移動要素３０に向かって順次、先端面を第１位置から第２位置に移動させ、開口圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切替えることで、半導体ダイ１５の周辺部より内側の領域をダイシングシート１２の表面１２ａから剥離する。なお、以上説明した本剥離では、開口圧力を第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２との間で切替えていたが、開口圧力を真空に近い第１圧力に保持した状態で、各移動要素３０を順次、移動させるようにしてもよい。
　ここで、以上説明した図１８の剥離動作の剥離パラメータについて確認する。以上説明した図１８の剥離動作は、図１９のパラメータテーブル１５９のレベル４に規定された各剥離パラメータのパラメータ値を適用して行った。具体的には、次の剥離パラメータのパラメータ値を適用した。「初期剥離時の開口圧力の切換回数（第２圧力Ｐ２から第１圧力Ｐ１に切換え、その後、第１圧力Ｐ１から第２圧力Ｐ２に切換えて１回と数えた場合、以下同じ）」はＦＳＮ４＝１回とした。「本剥離時の開口圧力の切換回数」はＳＳＮ４＝２回とした。開口圧力を第１圧力Ｐ１に保持する時間である「第１圧力の保持時間」はＨＴ４＝１３０ｍｓとした。「同時に降下させる移動要素の数」はＤＮ４＝０個とした。各移動要素３０の先端面を順次、第１位置から第２位置に降下させる際の「移動要素間の降下時間間隔」はＩＴ４＝２４０ｍｓとした。また、コレット１８が半導体ダイ１５に着地してから半導体ダイ１５の持ち上げを開始するまでの時間である「コレット待機時間」はＷＴ４＝７１０ｍｓとした。そして、「ピックアップ時間」はＰＴ４＝８２０ｍｓであった。
＜パラメータテーブル＞
　ここで、図１９のパラメータテーブル１５９についてさらに詳しく説明する。半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性に応じて、パラメータテーブル１５９のレベル１～８から１つのレベル値を選択（設定）し、そのレベル値に規定された各剥離パラメータのパラメータ値を適用して剥離動作を行うことができる。剥離し難いほど、より高いレベル値（低速レベル）を選択する。
　パラメータテーブル１５９の各剥離パラメータのパラメータ値は、レベル値の変化に応じて次のような傾向を有している。図１９に示す様に、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」は、レベル１からレベル８に向かって数を多くしている。ただし、これはレベル値が変わるごとに必ず切換回数が多くなっていることを意味しておらず、隣接する複数のレベル値で切換回数が同じである場合がある。これは、他の剥離パラメータも同様であり、レベル値が変わるごとにパラメータ値が変化することを意味しておらず、隣接する複数のレベル値でパラメータ値が同じである場合がある。「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、レベル１からレベル８に向かって数を多くしている。また、「第１圧力の保持時間」は、レベル１からレベル８に向かって時間を長くしている。「移動要素間の降下時間間隔」は、レベル１からレベル８に向かって時間間隔を長くしている。また、「コレット待機時間」は、レベル１からレベル８に向かって時間を長くしている。「ピックアップ時間」は、レベル値が変わるごとに変化し、レベル１からレベル８に向かって長くなる。なお、「ピックアップ時間」は、「コレット待機時間」と似ているが、コレット待機時間に加えて、コレット１８を所定位置から降下させて半導体ダイ１５に着地するまでの時間と、半導体ダイ１５の持ち上げを開始してから所定位置まで上昇するまでの時間とを含む。なお、剥離パラメータは、「ピックアップパラメータ」と言うこともできる。「ピックアップパラメータを設定する」とは、ピックアップパラメータ（剥離パラメータ）のパラメータ値を設定することと定義でき、「ピックアップパラメータを変更する」とは、ピックアップパラメータ（剥離パラメータ）のパラメータ値を変更することと定義できる。また、図１９のパラメータテーブル１５９は、「条件テーブル」と言うこともでき、剥離パラメータのパラメータ値は、「ピックアップ条件」と言うこともできる。なお、図１９に示されている具体的な各パラメータ値は、あくまで一例であり、他の値であってもよいことは当然である。
　ここで、前述したレベル４の剥離動作以外の剥離動作の例として、レベル１とレベル８の剥離動作について説明する。まず、レベル８の剥離動作について説明する。レベル８は、非常に剥離し難い半導体ダイ１５に設定するべきレベル値である。図２０は、レベル８の剥離動作の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力とを示す図である。図２０のレベル８の剥離動作と、図１８のレベル４の剥離動作とを比べれば、次のことがわかる。
　図２０のレベル８の剥離動作では、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」は、４回（ＦＳＮ８）に増えている。これにより、半導体ダイ１５の周囲がダイシングシート１２から剥離し難い場合でも、半導体ダイ１５の周囲をダイシングシート１２から十分に剥離することができる。開口圧力を何度も切換えることで、半導体ダイ１５の周囲に付いたダイシングシート１２を振り払うイメージであり、時間はかかるが確実に剥離を行うことができる。また、図２０では、初期剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を１５０ｍｓ（図１９参照、以下同様に、詳細なパラメータ値については同図を参照）にして、長くしている。これにより、半導体ダイ１５の周囲が自然にダイシングシート１２から剥がれるのを促すことができる。なお、図１９の例では、「第１圧力の保持時間」について、レベル４と８で大きな差がないが、差をより大きくすることも考えられる。
　また、図２０のレベル８の剥離動作では、「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、４回（ＳＳＮ８）に増えている。これにより、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２から剥離し難い場合であっても、半導体ダイ１５に付いたダイシングシート１２を振り払うように、確実な剥離を行うことができる。また、図２０では、本剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を１５０ｍｓにして、長くしている。これにより、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域が自然にダイシングシート１２から剥がれるのを促すことができる。なお、図１９に示すパラメータテーブル１５９では、初期剥離時と本剥離時とで「第１圧力の保持時間」（ＨＴ８）を共通にしているが、初期剥離時と本剥離時とで別々の「第１圧力の保持時間」がパラメータテーブル１５９に規定されていてもよい。また、図２０に示すように、初期剥離時、または、本剥離時に開口圧力を複数回切換えることで、第１圧力Ｐ１に保持する時間が複数個ある場合には、複数個の「第１圧力の保持時間」のそれぞれをパラメータテーブル１５９に規定し、それらのパラメータ値を互いに異ならせてもよい。例えば、剥離動作において適用する順番に、複数個の「第１圧力の保持時間」を並べてパラメータテーブル１５９に規定する。
　また、図２０のレベル８の剥離動作では、「移動要素間の降下時間間隔」（ＩＴ８）を４５０ｍｓにして、長くしている。周辺環状移動要素３１の先端面３８ａを第１位置から第２位置に降下させてから、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置から第２位置に降下させるまでの時間を長くすれば、周辺環状移動要素３１の先端面３８ａに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２から自然に剥がれるのを促すことができる。同様に、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂを第１位置から第２位置に降下させてから、柱状移動要素４５の先端面４７を第１位置から第２位置に降下させるまでの時間を長くすれば、中間環状移動要素４０の先端面３８ｂに対向する半導体ダイ１５の領域がダイシングシート１２から自然に剥がれるのを促すことできる。なお、周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０との間の降下時間間隔と、中間環状移動要素４０と柱状移動要素４５との間の降下時間間隔とを異ならせてもよく、その場合には、それぞれの降下時間間隔がパラメータテーブル１５９に規定される。なお、図２に示すように、中間環状移動要素４０，４１の数が２つ以上の場合があり、その場合には、剥離動作において外周側の中間環状移動要素４０から内周側の中間環状移動要素４１へ向かって順に降下させる。このように中間環状移動要素４０，４１の数が２つ以上ある場合には、中間環状移動要素４０と別の中間環状移動要素４１との間の降下時間間隔がパラメータテーブル１５９に規定されてもよい。なお、例えばピックアップ動作を開始した時点（図２０の時刻ｔ１）から、周辺環状移動要素３１（最初に降下させる移動要素３０）を第１位置から第２位置に降下させる時点までの時間が、パラメータテーブル１５９に規定されてもよい。
　また、図２０のレベル８の剥離動作では、「コレット待機時間」（ＷＴ８）を１５９０ｍｓにして、長くしている。そして、図２０では、「ピックアップ時間」（ＰＴ８）が、１７００ｍｓになり、長くなっている。
　次に、レベル１の剥離動作について説明する。レベル１は、非常に剥離し易い半導体ダイ１５に設定するべきレベル値である。図２１は、レベル１の剥離動作の際のコレット１８の高さと、柱状移動要素４５の位置と、中間環状移動要素４０の位置と、周辺環状移動要素３１の位置と、開口２３の開口圧力とを示す図である。図２１のレベル１の剥離動作と、図１８のレベル４の剥離動作とを比べれば、次のことがわかる。
　図２１のレベル１の剥離動作では、初期剥離時の「第１圧力の保持時間」（ＨＴ１）を１００ｍｓにし、短くしている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、「第１圧力の保持時間」を短くしても、半導体ダイ１５の周囲がダイシングシート１２から十分に剥離される。このように「第１圧力の保持時間」を短くすることで、剥離動作に要する時間を短くすることができる。
　また、図２１のレベル１の剥離動作では、「本剥離時の開口圧力の切換回数」は、１回（ＳＳＮ１）に減らしている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、「本剥離時の開口圧力の切換回数」が１回でも、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２から十分に剥離される。また、図２１では、３つの移動要素３０（周辺環状移動要素３１、中間環状移動要素４０、柱状移動要素４５）の先端面３８ａ，３８ｂ，４７を同時に第１位置から第２位置以下に降下させており、「同時に降下させる移動要素の数」は３つ（ＤＮ１）に増えている。半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易い場合には、複数の移動要素３０を同時に降下させても、半導体ダイ１５の周囲よりも内側の領域がダイシングシート１２からすぐに剥離される。なお、周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０とを同時に降下させ、その所定時間後に柱状移動要素４５を降下させる場合には、「同時に降下させる移動要素の数」は２つとなる。なお、図１９のパラメータテーブル１５９では、「同時に降下させる移動要素の数」と「移動要素間の降下時間間隔」の２つの剥離パラメータを規定してあるが、それらに代えて、上記した「周辺環状移動要素３１と中間環状移動要素４０との間の降下時間間隔」、「中間環状移動要素４０と柱状移動要素４５との間の降下時間間隔」、「中間環状移動要素４０と別の中間環状移動要素４１との間の降下時間間隔」を規定することができる。この場合、複数の移動要素３０を同時に降下させるようにするには、これらの降下時間間隔の１つ又は２つ以上が０に設定される。
　また、図２１のレベル１の剥離動作では、「コレット待機時間」（ＷＴ１）を４６０ｍｓにし、短くしている。そして、図２１では、「ピックアップ時間」（ＰＴ１）が、５７０ｍｓであり、短くなっている。
　以上説明したように、レベル値に応じて各剥離パラメータのパラメータ値を異ならせており、すなわち、剥離動作（ピックアップ動作）を異ならせている。剥離し難い半導体ダイ１５にはレベル８に近いレベル値を設定して剥離動作を行うことで、ピックアップの際の半導体ダイ１５の破損やピックアップミスを抑制することができる。一方、剥離し易い半導体ダイ１５にはレベル１に近いレベル値を設定して剥離動作を行うことで、ピックアップを短時間に行うことができる。なお、複数のレベル値は、ピックアップに要する時間の長短を示す値と言うことができる。
＜剥製性の検出方法＞
　次に、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性の検出方法について説明する。半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性は、流量センサ１０６が検出するコレット１８の吸引空気流量の時間変化（実流量変化）から検出することができる。
　図２２は、初期剥離時の開口圧力と流量センサ１０６が検出するコレット１８の空気リーク量（吸引空気流量）との時間変化を示す図であり、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４の各タイミングの意味は、図１８に示したそれらの各タイミングの意味と同じである。図２２の空気リーク量のグラフにおける実線１５７は、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合（剥離容易度が非常に高い場合）における空気リーク量の時間変化である期待流量変化１５７であり、期待流量変化１５７は、予め記憶部１５２に格納しておくものである。具体的には、記憶部１５２に格納しておく期待流量変化１５７は、所定のサンプリング周期で取得された多数の吸引空気流量の集合であり、多数の離散的な時刻ｔに対応づけられた吸引空気流量であることができる。図２２の空気リーク量のグラフにおける一点鎖線１５８ａと二点鎖線１５８ｂは、実際に半導体ダイ１５をダイシングシート１２からピックアップする際に検出される空気リーク量の時間変化である実流量変化１５８の例である。実流量変化１５８は、特定の半導体ダイ１５をピックアップするたびに記憶部１５２に格納される。具体的には、記憶部１５２に格納される実流量変化１５８は、期待流量変化１５７と対比できる形態であればよく、例えば、期待流量変化１５７と同様に、所定のサンプリング周期で取得された多数の吸引空気流量の集合であり、多数の離散的な時刻ｔに対応づけられた吸引空気流量であることができる。なお、実流量変化を、単に「流量変化」と言うことができる。また、実流量変化を「実流量情報」と言うことができ、期待流量変化を「期待流量情報」と言うことができる。
　半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離が良好な場合には、時刻ｔ３に開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めると、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れる（図８参照）が、すぐに半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってくる（図９参照）。そのため、図２２の期待流量変化１５７のように、空気リーク量は、時刻ｔ３から増加し始めるが、すぐに減少に転じる（時刻ｔｒ＿ｅｘｐで減少に転じる）。期待流量変化１５７では、増加する空気リーク量も少ない。
　一方、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が悪い場合（剥離容易度が低い場合）には、時刻ｔ３に開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めると、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れ、ある程度時間が経ってから、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってくる。そのため、図２２の実流量変化１５８ａのように、空気リーク量は、時刻ｔ３から増加し始め、増加を続けた後、時刻ｔｒ＿ｅｘｐよりも遅い時刻ｔｒ＿ｒｅｌで減少に転じる。また、実流量変化１５８ａでは、増加する空気リーク量が多い。
　また、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が非常に悪い場合（剥離容易度が非常に低い場合）には、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａから離れた後、ある程度時間が経過しても、半導体ダイ１５の周囲がコレット１８の表面１８ａに戻ってこない。そのため、図２２の実流量変化１５８ｂのように、開口圧力が真空に近い第１圧力Ｐ１に到達した時刻ｔ４から所定時間経過した時刻ｔｃ＿ｅｎｄでも、空気リーク量は大きいままである。
　このように、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が悪くなるほど、実流量変化１５８は、期待流量変化１５７から乖離する。そこで、実流量変化１５８を期待流量変化１５７と比べて、実流量変化１５８が期待流量変化１５７に類似しているほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断する。或いは、実流量変化１５８と期待流量変化１５７との相関が強いほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断する。本実施形態では、実流量変化１５８と期待流量変化１５７とを比較して、それらの相関値を求める。相関値は、０～１．０の値であり、実流量変化１５８と期待流量変化１５７とが完全に一致するときに１．０とし、０から１．０に近づくほど剥離容易度が高いと判断する。なお、本実施形態では、相関値がとる値の範囲を０～１．０とするが、それ以外でもよいことは言うまでもない。
　実流量変化１５８と期待流量変化１５７とを比較する期間は、例えば、初期剥離の期間の一部である図２２の時刻ｔ１（コレット１８の表面１８ａから空気を吸引し始めた時刻
）～時刻ｔｃ＿ｅｎｄ（最初に開口圧力が第１圧力Ｐ１に達した時刻ｔ４から所定時間経過した時刻）とする。または、比較する期間は、初期剥離の期間の一部である時刻ｔ３（開口圧力が第１圧力Ｐ１に向かって変化し始めた時刻）～ｔｃ＿ｅｎｄの期間であってもよい。また、対比する期間は、その他の期間であってもよいが、上記したレベル値を変更しても剥離動作が変更されない期間である方が好ましい。このようにすれば、期待流量変化１５７を１パターンだけ記憶部１５２に格納しておけばよく、レベル値毎の期待流量変化１５７のパターンを記憶部１５２に格納しておく必要がない。
　なお、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性として、実流量変化１５８と期待流量変化１５７との相関値以外を求めてもよい。例えば、図２２の時刻ｔｃ＿ｅｎｄにおける期待流量変化１５７の値と、同時刻における実流量変化１５８の値との差が小さいほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断してもよい。また、例えば、期待流量変化１５７における空気リーク流量が増加から減少に転じるタイミングである時刻ｔｒ＿ｅｘｐと、実流量変化１５８における空気リーク流量が増加から減少に転じるタイミングである時刻ｔｒ＿ｒｅｌとの差が小さいほど、剥離容易度が高いと判断してもよい。また、例えば、図２２の時刻ｔ３以降に検出される期待流量変化１５７の空気リーク流量の最大値と、同時刻以降で検出される実流量変化１５８の空気リーク流量の最大値との差が小さいほど、剥離容易度が高いと判断してもよい。
　また、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性を、期待流量変化１５７を使わずに検出することも考えられる。例えば、図２２の時刻ｔｃ＿ｅｎｄにおける実流量変化１５８の値が小さいほど、剥離性が良い（剥離容易度が高い）と判断してもよい。なお、実流量変化１５８に基づいて得られた、上記の相関値、或いは、それに代わる半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性を示す指標値を、「評価値」と言ってもよい。
＜剥離性に基づくレベル遷移＞
　次に、ピックアップの際に適用するレベル値（パラメータテーブル１５９のレベル値）の遷移について説明する。以降説明するように、半導体ダイのピックアップシステム５００は、１つ又は複数の特定の半導体ダイ１５をピックアップする際に実流量変化１５８を取得し、取得された１つ又は複数の実流量変化１５８のそれぞれに基づいて、特定の半導体ダイ１５のそれぞれの上記した相関値を求め、１つ又は複数の相関値に基づいて、特定の半導体ダイ１５をピックアップした後の他の半導体ダイ１５のピックアップの際に適用するレベル値を変更する。
　例えば、同種のダイシングシート１２から同種の半導体ダイ１５を継続してピックアップしていても、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が変化してくることがある。剥離性の変化に合わせて、ピックアップの際に適用するレベル値を遷移させることで、剥離性が悪く（剥離容易度が低く）変化しても、半導体ダイ１５を損傷させることなく安定してピックアップすることができ、一方で、剥離性が良く（剥離容易度が高く）変化した場合にはピックアップをより短時間に行うことが可能になる。
　また、例えば、半導体ダイ１５の種類や、ダイシングシート１２の種類などが変更になり、ピックアップに最適なレベル値が不明である場合がある。このような場合は、まずは、ピックアップが最も安定して行えるパラメータテーブル１５９のレベル８（図１９参照）を適用してピックアップを行い、特定の半導体ダイ１５の相関値に基づいて、徐々にレベル値を、レベル１（最高速）に向かって遷移させていく。これにより、最適なレベル値が探索され、安定と高速とのバランスがとれた最適なピックアップを実現することができる。
　次に、具体的な、レベル値の遷移制御について説明する。図２３は、本実施形態におけるレベル遷移制御の流れを示すフローチャートである。この実施形態では、全ての半導体ダイ１５を特定の半導体ダイ１５として扱い、１枚または複数枚のウェーハの半導体ダイ１５をピックアップする毎にレベル値を遷移させる機会がある。レベル値の遷移は、現在のピックアップに適用しているレベル値（現在レベル値）から１つ隣のレベル値への遷移（図２５参照）と、遷移先のレベル値を限定しないもの（図２６参照）がある。以下、具体的に説明する。
　まず、制御部１５０は、最初にピックアップをする際に適用するレベル値（現在レベル１６１）を設定し、記憶部１５２に格納する。ここでは、現在レベル値１６１は、図１９のパラメータテーブル１５９のレベル４に設定する。なお、この設定と、図２３のフローの各ステップは、制御部１５０が設定手段として機能して行う。但し、半導体ダイ１５のピックアップ動作の制御は、制御部１５０がピックアップ制御手段として機能して行う。図２３のＳ１００で、制御部１５０は、変数ｎを０に初期化する。変数ｎは、ピックアップ済みのウェーハの枚数をカウントする変数である。そして、Ｓ１０２で、ウェーハの交換を行い、新たなウェーハの半導体ダイ１５のピックアップの準備をする。Ｓ１０４で、制御部１５０は、半導体ダイ１５のピックアップを行う。これは、現在レベル値＝４をキーとして、パラメータテーブル１５９からレベル４の各剥離パラメータのパラメータ値を読み出し、読み出した各剥離パラメータのパラメータ値を適用して半導体ダイ１５のピックアップを行う。この際、流量センサ１０６によりコレット１８の吸引空気流量が検出され、吸引空気流量は、制御部１５０に入力される。制御部１５０（設定手段）は、吸引空気流量の時間変化である実流量変化１５８を取得し、記憶部１５２に格納する（Ｓ１０４１）。
　そして、Ｓ１０６で、制御部１５０は、実流量変化１５８と、予め記憶部１５２に格納されている期待流量変化１５７との相関値（評価値）を算出し、その相関値を記憶部１５２に格納する。そして、Ｓ１０８で、制御部１５０は、１枚のウェーハの全ての半導体ダイ１５のピックアップが完了したかを確認する。１枚のウェーハの全ての半導体ダイ１５のピックアップが完了していなければ（Ｓ１０８：Ｎｏ）、Ｓ１０４の半導体ダイ１５のピックアップおよびＳ１０４１の実流量変化１５８の取得と、Ｓ１０６の相関値の算出を繰り返し行う。１枚のウェーハの全ての半導体ダイ１５のピックアップが完了すれば（Ｓ１０８：Ｙｅｓ）、Ｓ１１０に進む。
　次に、Ｓ１１０で、制御部１５０は、変数ｎに１を足す（変数ｎをインクリメントする）。そして、Ｓ１１２で、制御部１５０は、変数ｎが定数Ｙ以上であるかを確認する。定数Ｙは、１以上の整数であり、ウェーハの枚数を規定している。Ｓ１１２で、制御部１５０は、ピックアップしたウェーハ枚数（変数ｎ）が定数Ｙに示されたウェーハ枚数に達したかを確認する。Ｓ１１２がＮｏの場合には、Ｓ１０２で戻って、Ｓ１０２～Ｓ１１０を繰り返し行う。Ｓ１１２がＹｅｓの場合には、Ｓ１１４に進む。
　Ｓ１１４で、制御部１５０は、Ｓ１０６を繰り返し実行することで得られた複数の半導体ダイ１５（特定の半導体ダイ１５）の相関値（評価値）から、それらの代表値である代表相関値（代表ダイ評価値）を取得する。代表相関値は、例えば複数の相関値の平均値や中心値などであるが、それらに限定されず、公知の統計的処理を用いて得られる代表的な値であればよい。
　次に、Ｓ１１６で、制御部１５０は、Ｓ１１４で取得した代表相関値が、閾値ＴＨ１より小さいかを確認する。図２４は、閾値テーブル１６０の一例である。閾値テーブル１６０は、予め記憶部１５２に格納されている。閾値テーブル１６０は、レベル値毎に閾値ＴＨ１，ＴＨ２が規定されたテーブルであり、各レベル値が想定している半導体ダイ１５の剥離容易度（相関値）の範囲を規定している。例えば、現在レベル値であるレベル４は、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離容易度（相関値）が０．８１（閾値ＴＨ１）～０．８５（閾値ＴＨ２）にあるときに使用すべきレベル値であることを示しており、その範囲にない場合には、他のレベル値を使用すべきであることを示している。他のレベル値の閾値ＴＨ１，ＴＨ２も同様であり、閾値ＴＨ２が規定されていないレベル１は、剥離容易度（相関値）が０．９６（閾値ＴＨ１）以上であるときに使用すべきレベル値であることを示しており、閾値ＴＨ１が規定されていないレベル８は、剥離容易度（相関値）が０．６５（閾値ＴＨ２）以下であるときに使用すべきレベル値であることを示している。
　Ｓ１１６で、制御部１５０は、現在レベル値１６１であるレベル４の閾値ＴＨ１＝０．８１を記憶部１５２にある閾値テーブル１６０から読み出し、代表相関値が０．８１（閾値ＴＨ１）より小さいかを確認する。そして、Ｓ１１６がＹｅｓの場合には、Ｓ１２０で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を１つ上げて（低速のレベル値に変更して）、レベル５とし、現在レベル１６１＝５を記憶部１５２に格納する。これは、図２５に示すレベル遷移図における、レベル４からレベル５への遷移である。そして、Ｓ１２０の後は、再び、Ｓ１００に戻って処理を行う。このように代表相関値がレベル４（現在レベル値１６１）の閾値ＴＨ１より小さい場合には、実際の半導体ダイ１５の剥離容易度が、レベル４で想定される剥離容易度よりも低いため、より低速のレベル値に遷移させて、半導体ダイ１５の損傷やピックアップミスを抑制したピックアップを行う。
　一方、Ｓ１１６がＮｏの場合は、Ｓ１１８に進む。Ｓ１１８で、制御部１５０は、現在レベル値１６１であるレベル４の閾値ＴＨ２＝０．８５を記憶部１５２にある閾値テーブル１６０から読み出し、代表相関値が０．８５（閾値ＴＨ２）より大きいかを確認する。そして、Ｓ１１８がＹｅｓの場合には、Ｓ１２２で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を１つ下げて（高速のレベル値に変更して）、レベル３とし、現在レベル値１６１＝３を記憶部１５２に格納する。これは、図２５に示すレベル遷移図における、レベル４からレベル３への遷移である。そして、Ｓ１２２の後は、再び、Ｓ１００に戻って処理を行う。このように代表相関値がレベル４（現在レベル値１６１）の閾値ＴＨ２より大きい場合には、実際の半導体ダイ１５の剥離容易度が、レベル４で想定される剥離容易度よりも高いため、より高速のレベル値に遷移させて、半導体ダイ１５のピックアップ時間を短くする。
　図２３のＳ１１８がＮｏの場合は、レベル値を変更せずに、再び、Ｓ１００に戻って処理を行う。この場合には、実際の半導体ダイ１５の剥離容易度が、レベル４（現在レベル値１６１）で想定される剥離容易度の範囲にあるため、継続してレベル４の各剥離パラメータのパラメータ値を適用してピックアップを行う。制御部１５０は、以上説明したレベル遷移の制御を繰り返し行う。
なお、以上の説明では、Ｓ１１６，Ｓ１１８のそれぞれで、代表相関値と、閾値テーブル１６０の１つのレベル値（現在レベル値であるレベル４）の閾値ＴＨ１，ＴＨ２のそれぞれを比較し、Ｓ１２０で１つレベル値を上げ（低速レベルに変更）、または、Ｓ１２２で１つレベル値を下げ（高速レベルに変更）、または、レベル値を維持した。しかし、Ｓ１１６，Ｓ１１８のそれぞれで、代表相関値と、閾値テーブル１６０の複数のレベル値の閾値ＴＨ１，ＴＨ２のそれぞれを比較し、Ｓ１２０でレベル値を２レベル以上一気に上げ、または、Ｓ１２２でレベル値を２レベル以上一気に下げ、または、レベル値を維持するようにしてもよい。具体的には、例えば、現在レベル値＝４の場合に、Ｓ１１６で、制御部１５０は、代表相関値と、図２４の閾値テーブル１６０のレベル４，５，６，７のそれぞれの閾値ＴＨ１とを比較し、（代表相関値＜ＴＨ１）の条件を満たすレベル値のうち最も大きいレベル値を取得する。例えば、代表相関値が０．７０であれば、（代表相関値＜ＴＨ１）の条件を満たすレベル値のうち最も大きいレベル値であるレベル６が取得される。そして、Ｓ１２０で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を、Ｓ１１６で取得したレベル値＝６の１つ上のレベル値であるレベル７に遷移させる。これは、図２６に示すレベル遷移図における、レベル４からレベル７への遷移である。なお、図２６のレベル遷移図では、レベル４から他のレベル値への遷移を示す線のみが描かれており、他のレベル値から、当該他のレベル値以外のレベル値に遷移する線は省略されている。また、同様に、例えば、現在レベル値１６１＝４の場合に、Ｓ１１８で、制御部１５０は、代表相関値と、図２４の閾値テーブル１６０のレベル４，３，２のそれぞれの閾値ＴＨ２とを比較し、（代表相関値＞ＴＨ２）の条件を満たすレベル値のうち最も小さいレベル値を取得する。例えば、代表相関値が０．９２であれば、（代表相関値＞ＴＨ２）の条件を満たすレベル値のうち最も小さいレベル値として、レベル３が取得される。そして、Ｓ１２２で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を、Ｓ１１８で取得したレベル値＝３の１つ下のレベル値であるレベル２に遷移させる。これは、図２６に示すレベル遷移図における、レベル４からレベル２への遷移である。このように、レベル値を２レベル以上一気に上げ、または、２レベル以上一気に下げることを可能にすれば、ピックアップに最適なレベル値により早く到達することができる。
＜作用効果＞
　次に、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００の作用効果について説明する。以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００によれば、ステージ２０の吸着面２２に設けられた開口２３の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換えることを含む半導体ダイ１５の剥離動作を適用することにより、ピックアップの際の半導体ダイ１５の損傷や、ピックアップミスを的確に抑制することができる。
　また、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、特定の半導体ダイ１５（図２３のフローでは１枚又は複数枚のウェーハの各半導体ダイ１５）をピックアップする際にコレット１８の吸引空気流量の時間変化（実流量変化１５８）を取得する。そして、取得した実流量変化１５８に基づいて、特定の半導体ダイ１５をピックアップした後の他の半導体ダイ１５をピックアップする際に適用するレベル値を変更する。すなわち、他の半導体ダイ１５をピックアップする際に適用する剥離動作（各剥離パラメータのパラメータ値（ピックアップパラメータ））を変更する。よって、例えば、半導体ダイ１５を継続してピックアップしている場合に、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離性が変化した際に、剥離性の変化に合わせて、剥離動作（ピックアップ動作）が変更される。剥離性が悪く（剥離容易度が低く）変化した場合には、剥離をより促す剥離動作に変更されるため、半導体ダイ１５の損傷やピックアップミスを的確に抑制することができる。一方で、剥離性が良く（剥離容易度が高く）変化した場合には、より短い剥離動作に変更されるため、ピックアップ時間を短縮することができる。このように、半導体ダイ１５の損傷やピックアップミスの抑制と、半導体ダイ１５のピックアップの高速化とのバランスを適正にすることができる。
　以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、コレット１８の吸引空気流量を確認しながら、現在ピックアップしようとしている半導体ダイ１５の剥離動作をリアルタイムに変更していく場合に比べて圧倒的に有利である。
　まず、リアルタイムで剥離動作を変更する場合には、（１）吸引空気流量の検出、（２）検出結果から剥離動作を変更するかの判定、（３）判定結果から剥離動作を変更して、或るいは、変更しないで動作を前に進める、という一連の処理が、１つの半導体ダイ１５のピックアップの際に何度も繰り返される。上記（２）の判定が完了しなければ、上記（３）には進めない（動作は前に進めない）ため、ピックアップに遅延が生じる虞がある。半導体ダイ１５のピックアップは、例えば何百万個と実行されるため、半導体ダイ１５の１個あたりピックアップの遅延は、最終的には膨大な遅延となってしまう。一方、以上説明した実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００は、ピックアップ時に吸引空気流量を検出するが、それは、以降の半導体ダイ１５のピックアップのために使われるものであり、現在のピックアップ動作には何ら影響を与えない。すなわち、ピックアップ動作中に上記（２）、（３）が無く、判定が完了しなければ動作が前に進めないということがない。よって、ピックアップ動作が非常に高速になり得る。また、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００では、例えば、制御部１５０に複数のＣＰＵ１５１を設け、あるＣＰＵ１５１ではピックアップ動作の制御を行い、別のＣＰＵ１５１では、同時に（バックグラウンドで）、実流量変化１５８の取得、実流量変化１５８からの相関値の算出、相関値からの以降の半導体ダイのレベル値の取得を行うことが可能であり、さらなる高速化が可能である。
　また、リアルタイムで剥離動作を変更する場合には、ピックアップ動作中に上記（１）～（３）を行うので、制御が非常に複雑になってしまう。一方、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、制御を非常に簡素にできる。
　また、リアルタイムで剥離動作を変更する場合には、オペレータが、半導体ダイ１５毎に、どのような剥離動作を適用してピックアップが行われたかを把握することが非常に難しい。一方、以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、ピックアップ動作中に剥離動作を変更しないので、各半導体ダイ１５に対してどのような剥離動作を適用してピックアップが行われたかを把握することが非常に容易である。この把握はとても重要である。例えば、剥離パラメータの１つである開口圧力の切換回数を多くすれば、剥離し難い場合でも、半導体ダイ１５はダイシングシート１２から十分に剥離され、半導体ダイ１５の損傷の発生やピックアップミスを抑制できる。一方で、開口圧力の切換回数を多くすることによって、半導体ダイ１５が何度も曲げ変形する可能性があり、半導体ダイ１５へのダメージが大きくなる可能性ある。このような半導体ダイ１５に対しては、例えばクラック検査を積極的に行った方が好ましい。すなわち、各半導体ダイ１５に適用された剥離動作を把握して、各半導体ダイ１５の品質管理を行うことが好ましい。以上説明した半導体ダイのピックアップシステム５００は、この品質管理を非常に容易に行うことができる。
　なお、以上では、リアルタイムに剥離動作を変更する場合に対する、本実施形態の半導体ダイのピックアップシステム５００の利点を述べたが、これは、本発明からリアルタイムで剥離動作を変更する実施形態を排除するものではない。すなわち、本発明の半導体ダイのピックアップシステム５００において、コレット１８の吸引空気流量を確認しながら、現在ピックアップしようとしている半導体ダイ１５の剥離動作をリアルタイムに変更するようにしてもよい。例えば、現在ピックアップしようとしている半導体ダイ１５において、初期剥離時に取得された実流量変化１５８に基づいて、本剥離時の剥離動作を変更するようにしてもよい。
＜剥離パラメータの種類ごとのレベル値＞
　次に、剥離パラメータの種類ごとにレベル値を設ける場合について説明する。以上説明した図１９のパラメータテーブル１５９は、複数種類の剥離パラメータに共通して使われるレベル値が用意されていた。しかし、図２７Ａ，図２７Ｂに示すように、剥離パラメータの種類ごとにパラメータテーブル１５９ａ，１５９ｂが用意され、剥離パラメータの種類ごとにレベル値が用意されてもよい。図２７Ａのパラメータテーブル１５９ａには、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」のレベルＡ－１～Ａ－８が規定されており、図２７Ｂのパラメータテーブル１５９ｂには、「本剥離時の開口圧力の切換回数」のレベルＢ－１～Ｂ－８が規定されている。なお、図示されていないが、他の剥離パラメータについても、個別に同様のパラメータテーブルを用意する。そして、図２４に示した閾値テーブル１６０についても、剥離パラメータの種類ごとに用意し、各剥離パラメータのレベル値に対応した閾値ＴＨ１，ＴＨ２を規定しておく。例えば、図２７ＡのレベルＡ－１～Ａ－８の各々に対応づけて、図２４のような閾値ＴＨ１，ＴＨ２の各々を規定した閾値テーブルを用意し、図２７ＢのレベルＢ－１～Ｂ－８の各々に対応づけて、図２４のような閾値ＴＨ１，ＴＨ２の各々を規定した別の閾値テーブルを用意しておく。他の剥離パラメータについても、同様に、別々の閾値テーブルを用意しておく。また、剥離パラメータの種類ごとに、現在レベル値を記憶部１５２に格納しておく。
　そして、図２３のフローにおいて、Ｓ１０４で、剥離パラメータの種類毎の現在レベル値をキーとして、剥離パラメータの種類毎のパラメータテーブルのそれぞれからパラメータ値を読み出して、半導体ダイ１５のピックアップを行う。例えば、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ａ－１～Ａ－８のいずれかのレベル値）をキーとして、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」についてのパラメータテーブル１５９ａ（図２７Ａ）から、当該現在レベル値に対応する「初期剥離時の開口圧力の切換回数」を読み出して、半導体ダイ１５のピックアップを行う。同様に、「本剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ｂ－１～Ｂ－８のいずれかのレベル値）をキーとして、「本剥離時の開口圧力の切換回数」についてのパラメータテーブル１５９ｂ（図２７Ｂ）から、当該現在レベル値に対応する「本剥離時の開口圧力の切換回数」を読み出して、半導体ダイ１５のピックアップを行う。
　また、図２３のフローにおいて、剥離パラメータの種類毎に用意した閾値テーブルと剥離パラメータの種類毎の現在レベル値を用いて、剥離パラメータの種類毎にＳ１１６，Ｓ１１８，Ｓ１２０，Ｓ１２２を実行し、剥離パラメータの種類毎の現在レベル値を個別に遷移させる。例えば、Ｓ１１６，１１８で、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ａ－１～Ａ－８のいずれかのレベル値）と「初期剥離時の開口圧力の切換回数」についての閾値テーブルとを用いて、当該現在レベル値をキーとして当該閾値テーブルから閾値ＴＨ１，ＴＨ２を読み出し、読み出した閾値ＴＨ１，ＴＨ２のそれぞれと代表相関値との比較を行い、その比較結果により、Ｓ１２０，１２２で、「初期剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ａ－１～Ａ－８のいずれかのレベル値）を他のレベル値（Ａ－１～Ａ－８のいずれかのレベル値）に遷移させる。同様に、Ｓ１１６，１１８で、「本剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ｂ－１～Ｂ－８のいずれかのレベル値）と「本剥離時の開口圧力の切換回数」についての閾値テーブルとを用いて、当該現在レベル値をキーとして当該閾値テーブルから閾値ＴＨ１，ＴＨ２を読み出し、読み出した閾値ＴＨ１，ＴＨ２のそれぞれと代表相関値との比較を行い、その比較結果により、Ｓ１２０，１２２で、「本剥離時の開口圧力の切換回数」についての現在レベル値（Ｂ－１～Ｂ－８のいずれかのレベル値）を他のレベル（Ｂ－１～Ｂ－８のいずれかのレベル値）に遷移させる。他の剥離パラメータについても同様である。
　このようにすれば、剥離パラメータの種類毎に現在レベル値が管理されて、剥離パラメータの種類毎に低速レベル、或いは、高速レベルに遷移するため、半導体ダイ１５の剥離性に応じて、より様々な剥離パラメータのパラメータ値の組合せで、半導体ダイ１５をピックアップできるようになる。
＜他の実施形態のレベル遷移制御＞
　次に、他の実施形態のレベル遷移制御について説明する。図２８，２９は、他の実施形態におけるレベル遷移制御の流れを示すフローチャートである。この実施形態でも、全ての半導体ダイ１５が特定の半導体ダイ１５とされ、１枚または複数枚のウェーハの半導体ダイ１５をピックアップする毎にレベル値を遷移させる機会がある。以下、具体的に説明する。
　まず、制御部１５０は、最初にピックアップをする際に適用するレベル値（現在レベル値１６１）を記憶部１５２に格納する。ここでは、現在レベル値１６１を、図１９のパラメータテーブル１５９のレベル４に設定する。なお、この設定と、図２８，２９のフローの各ステップは、制御部１５０が設定手段として機能して行う。但し、半導体ダイ１５のピックアップ動作の制御は、制御部１５０がピックアップ制御手段として機能して行う。図２８のＳ２００で、制御部１５０は、変数ｎ１，ｎ２を０に初期化する。変数ｎ１，ｎ２はウェーハ枚数をカウントする変数である。そして、Ｓ２０２で、ウェーハの交換を行い、新たなウェーハの半導体ダイ１５のピックアップの準備をする。Ｓ２０４で、制御部１５０は、変数ｍ１，ｍ２を０に初期化する。変数ｍ１は、１枚のウェーハにおいて剥離困難と検出された半導体ダイ１５の数（剥離困難検出数）をカウントする変数であり、変数ｍ２は、１枚のウェーハにおいて剥離容易と検出された半導体ダイ１５の数（剥離容易検出数）をカウントする変数である。
　次に、Ｓ２０６で、制御部１５０は、半導体ダイ１５のピックアップを行う。これは、現在レベル値＝４をキーとして、パラメータテーブル１５９から各剥離パラメータのパラメータ値を読み出し、読み出したパラメータ値を適用して半導体ダイ１５のピックアップを行う。この際、流量センサ１０６によりコレット１８の吸引空気流量が検出され、吸引空気流量は、制御部１５０に入力される。制御部１５０（設定手段）は、吸引空気流量の時間変化である実流量変化１５８を取得し、記憶部１５２に格納する（Ｓ２０６１）。そして、Ｓ２０８で、制御部１５０は、実流量変化１５８と、予め記憶部１５２に格納されている期待流量変化１５７との相関値（評価値）を算出し、その相関値を記憶部１５２に格納する。
　そして、Ｓ２１０で、制御部１５０は、Ｓ２０８で算出した相関値が、閾値ＴＨ１（第１２所定値）より低いかを確認する。この閾値ＴＨ１は、図２４に示す閾値テーブル１６０に規定された閾値ＴＨ１であり、ここでは現在レベル値１６１のレベル４の閾値ＴＨ１＝０．８１を使う。Ｓ２１０がＹｅｓであれば、Ｓ２１２で、制御部１５０は、変数ｍ１（剥離困難検出数）に１を足す（変数ｍ１をインクリメントする）。Ｓ２１０がＮｏであれば、制御部１５０は、Ｓ２１２を実行せずにＳ２１４に進む。
　Ｓ２１４で、制御部１５０は、Ｓ２０８で算出した相関値が、閾値ＴＨ２（第１１所定値）より高いかを確認する。この閾値ＴＨ２は、図２４に示す閾値テーブル１６０に規定された閾値ＴＨ２であり、ここでは現在レベル値１６１のレベル４の閾値ＴＨ２＝０．８５を使う。Ｓ２１４がＹｅｓであれば、Ｓ２１６で、制御部１５０は、変数ｍ２（剥離容易検出数）に１を足す（変数ｍ２をインクリメントする）。Ｓ２１４がＮｏであれば、制御部１５０は、Ｓ２１６を実行せずにＳ２１８に進む。
　Ｓ２１８で、制御部１５０は、１枚のウェーハの全ての半導体ダイ１５のピックアップが完了したかを確認する。１枚のウェーハの全ての半導体ダイ１５のピックアップが完了していなければ（Ｓ２１８：Ｎｏ）、Ｓ２０６～Ｓ２１６を繰り返し行い、完了していれば（Ｓ２１８：Ｙｅｓ）、図２９のＳ２２０に進む。
　図２９のＳ２２０で、制御部１５０は、変数ｍ１（剥離困難検出数）が定数Ｑより多いかを確認する。定数Ｑは、０以上の整数である。Ｓ２２０がＹｅｓの場合には、Ｓ２２４で、制御部１５０は、変数ｎ２を０に初期化する。そして、Ｓ２２６で、制御部１５０は、変数ｎ１に１を足す（変数ｎ１をインクリメントする）。このように、変数ｎ１は、Ｓ２２０の条件を満たしたウェーハ枚数をカウントする。そして、Ｓ２２８で、制御部１５０は、変数ｎ１が定数Ｙ１より大きいか確認する。定数Ｙ１は、０以上の整数である。Ｓ２２８では、Ｓ２２０の条件を満たしたウェーハ枚数（変数ｎ１）が、予め定めた枚数（定数Ｙ１）より多くなったかを確認する。Ｓ２２８がＹｅｓであれば、Ｓ２３０で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を１つ上げて（低速のレベル値に変更して）、レベル５とし、現在レベル値＝５を記憶部１５２に格納する。そして、Ｓ２４０で制御部１５０は、変数ｎ１，ｎ２を０に初期化する。そして、Ｓ２４０の後は、再び、図２８のＳ２０２に戻って処理を繰り返し行う。このように、Ｓ２２０の条件（１枚のウェーハあたりの剥離困難検出数ｍ１が定数Ｑより多い）を満たしたウェーハ枚数（変数ｎ１）が、予め定めた枚数（定数Ｙ１）より多くなった場合には、実際の半導体ダイ１５の剥離容易度が、レベル４で想定される剥離容易度よりも低いと判断し、より低速のレベル値に遷移させて、半導体ダイ１５の損傷やピックアップミスを抑制したピックアップを行う。Ｓ２２８がＮｏの場合には、レベル値を変更せずに、再び、図２８のＳ２０２に戻って処理を繰り返し行う。
　一方、Ｓ２２０がＮｏの場合には、Ｓ２２２に進む。Ｓ２２２で、制御部１５０は、変数ｍ２（剥離容易検出数）が定数Ｐより多いかを確認する。定数Ｐは、０以上の整数である。Ｓ２２２がＹｅｓの場合には、Ｓ２３２で、制御部１５０は、変数ｎ１を０に初期化する。そして、Ｓ２３４で、制御部１５０は、変数ｎ２に１を足す（変数ｎ２をインクリメントする）。このように、変数ｎ２は、Ｓ２２２の条件を満たしたウェーハ枚数をカウントする。そして、Ｓ２３６で、制御部１５０は、変数ｎ２が定数Ｙ２より大きいか確認する。定数Ｙ２は、０以上の整数である。Ｓ２３６では、Ｓ２２２の条件を満たしたウェーハ枚数（変数ｎ２）が、予め定めた枚数（定数Ｙ２）より多くなったかを確認する。Ｓ２３６がＹｅｓであれば、Ｓ２３８で、制御部１５０は、現在レベル値１６１を１つ下げて（高速のレベル値に変更して）、レベル３とし、現在レベル値＝３を記憶部１５２に格納する。そして、Ｓ２４０で、制御部１５０は、変数ｎ１，ｎ２を０に初期化する。そして、Ｓ２４０の後は、再び、図２８のＳ２０２に戻って処理を繰り返し行う。このように、Ｓ２２２の条件（１枚のウェーハあたりの剥離容易検出数ｍ２が定数Ｐより多い）を満たしたウェーハ枚数（変数ｎ２）が、予め定めた枚数（定数Ｙ２）より多くなった場合には、実際の半導体ダイ１５の剥離容易度が、レベル４（現在レベル値）で想定される剥離容易度よりも高いと判断し、より高速のレベル値に遷移させて、半導体ダイ１５のピックアップ時間を短くする。Ｓ２２２がＮｏの場合、および、Ｓ２３６がＮｏの場合には、レベル値を変更せずに、再び、図２８のＳ２０２に戻って処理を繰り返し行う。
　以上説明した実施形態においても、半導体ダイ１５をピックアップする際の半導体ダイ１５の損傷を的確に抑制することができ、かつ、複数の半導体ダイ１５を継続してピックアップする際に、半導体ダイ１５の損傷の抑制と、半導体ダイ１５のピックアップの高速化とのバランスを適正にすることができる。
＜その他＞
　以上説明した各実施形態では、全ての半導体ダイ１５について実流量変化１５８を取得した。すなわち、全ての半導体ダイ１５を特定の半導体ダイ１５とした。しかし、実流量変化１５８を取得する半導体ダイ１５（特定の半導体ダイ１５）は、全ての半導体ダイ１５でなくてもよい。例えば、１枚のウェーハの中の１個又は複数個の半導体ダイ１５を、特定の半導体ダイ１５としてもよい。
　また、以上説明した各実施形態では、１枚又は複数枚のウェーハの半導体ダイ１５がピックアップされる毎に、レベル値を遷移させる機会が与えられた。しかし、レベル値を遷移させる機会は、１つの半導体ダイ１５をピックアップする毎に、或いは、複数個の半導体ダイ１５をピックアップする毎に与えられてもよい。例えば、多数の半導体ダイ１５を順次ピックアップしている際に、半導体ダイ１５の剥離性の変動（或いは、想定される変動）が大きいほど、レベル値を遷移させる機会を頻繁に与える。
　また、以上説明した各実施形態では、特定の半導体ダイ１５（実流量変化１５８を取得した半導体ダイ１５）をピックアップした直後の半導体ダイ１５から、新たなレベル値を適用してピックアップを行った。しかし、特定の半導体ダイ１５をピックアップした後、所定個の半導体ダイ１５のピックアップを行い、その後、新たなレベル値を適用して半導体ダイ１５のピックアップを行ってもよい。なお、本明細書において、「特定の半導体ダイ１５をピックアップした後の他の半導体ダイ１５のピックアップ」とは、「特定の半導体ダイ１５をピックアップした直後の半導体ダイ１５のピックアップ」だけを意味するのではなく、上記のような、所定個の半導体ダイ１５のピックアップを挟んだ後の半導体ダイ１５のピックアップも含まれる。
　前述したように開口圧力の切換え回数を多くしてピックアップを行った半導体ダイ１５は、その他の半導体ダイ１５に比べてダメージが大きい可能性がある。そこで、半導体ダイ１５をピックアップする際に開口圧力の切換えを予め定めた回数以上行った半導体ダイ１５を、クラック検査等の対象としてもよい。例えば、開口圧力の切換えを予め定めた回数以上行った半導体ダイ１５を、コレット１８が、他の半導体ダイ１５とは別の場所（検査モジュール、クラック検査を行う検査部等）に搬送して、検査モジュール等により半導体ダイ１５に割れや、たわみがないかを検査する。
　また、以上説明した各実施形態では、相関値（評価値）を求めるための期待流量変化１５７と実流量変化１５８とを対比する期間は、初期剥離における所定の期間であった。しかし、期待流量変化１５７と実流量変化１５８とを対比する期間は、初期剥離の全期間、または、本剥離の全期間、または、本剥離における所定の期間、または、初期剥離と本剥離と合わせた期間などであってもよい。期待流量変化１５７は、実流量変化１５８と対比される期間だけ、予め記憶部１５２に格納しておく。
　また、以上説明した実施形態では、半導体ダイ１５の剥離性を把握するための指標として、実流量変化と期待流量変化との相関値を求めた。相関値は、０～１．０の値をとり、値が大きくなるほど半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し易いことを表しており、剥離容易度と言える。一方、１．０から相関値を引いた値（１．０－相関値）は、０～１．０の値をとり、値が大きくなるほど半導体ダイ１５がダイシングシート１２から剥離し難いことを表しており、剥離困難度と言える。半導体ダイ１５の剥離性の指標（評価値）として、相関値（剥離容易度）に代えて、剥離困難度を使うこともできる。以上説明した実施形態では、相関値（剥離容易度）と、相関値のとる値の範囲（０～１．０）を前提にした図２４の閾値テーブル１６０（低いレベル値ほど、大きい閾値ＴＨ１，ＴＨ２が設定されたテーブル）を用いた。しかし、剥離困難度（１．０－相関値）と、剥離困難度がとる値の範囲（０～１．０）を前提にした閾値テーブル１６０（低いレベル値ほど、小さい閾値ＴＨ１，ＴＨ２が設定されたテーブル）を用いてもよい。なお、剥離容易度、または、剥離困難度を、剥離度と言うこともできる。
　また、以上説明した剥離動作では、初期剥離時および本剥離時に、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３に保持した。しかし、初期剥離時、または、本剥離時、または、初期剥離時および本剥離時に、吸着圧力を真空に近い第３圧力Ｐ３と大気圧に近い第４圧力Ｐ４との間で１回または複数回切換えるようにしてもよい。剥離パラメータの１つとして、ステージ２０の吸着面２２の吸着圧力を第３圧力Ｐ３と第４圧力Ｐ４との間で切換える回数である「吸着圧力の切換回数」を追加し、半導体ダイ１５の剥離性が悪いほど、「吸着圧力の切換え回数」を増やして、半導体ダイ１５のダイシングシート１２からの剥離を促進させるようにしてもよい。
　半導体ダイのピックアップシステム５００は、半導体ダイのピックアップ装置と言うこともできる。また、半導体ダイのピックアップシステム５００は、ボンディング装置（ボンダ、ボンディングシステム）、或いは、ダイボンディング装置（ダイボンダ、ダイボンディングシステム）の一部であることができ、それらの名称で呼ぶこともできる。
＜付記＞
　なお、「課題を解決するための手段」に記載されている第１所定値，第３所定値，第５所定値，第７所定値，第９所定値は、図２３のフローのＳ１１８で代表相関値（代表ダイ評価値）と比較される閾値ＴＨ２に対応している。同様に、「課題を解決するための手段」に記載されている第２所定値，第４所定値，第６所定値，第８所定値，第１０所定値は、図２３のフローのＳ１１６で代表相関値（代表ダイ評価値）と比較される閾値ＴＨ１に対応している。
　以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明はこうした各実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
　１０　ウェーハホルダ、１１　ウェーハ、１２　ダイシングシート、１２ａ　表面、１２ｂ　裏面、１３　リング、１４　隙間、１５　半導体ダイ、１６　エキスパンドリング、１７　リング押さえ、１８　コレット、１８ａ　表面、１９　吸引孔、２０　ステージ、２２　吸着面、２３　開口、２３ａ　内面、２４　基体部、２６　溝、２７　吸着孔、３０　移動要素、３１　周辺環状移動要素、３３　外周面、３８ａ，３８ｂ，４７　先端面、４０，４１　中間環状移動要素、４５　柱状移動要素、８０　開口圧力切換機構、８１，９１，１０１　三方弁、８２，９２，１０２　駆動部、８３－８５，９３－９５，１０３－１０５　配管、９０　吸着圧力切換機構、１００　吸引機構、１０６　流量センサ、１１０　ウェーハホルダ水平方向駆動部、１２０　ステージ上下方向駆動部、１３０　コレット駆動部、１４０　真空装置、１５０　制御部、１５１　ＣＰＵ、１５２　記憶部、１５３　機器・センサインターフェース、１５４　データバス、１５５　制御プログラム、１５６　制御データ、１５７　期待流量変化、１５８，１５８ａ，１５８ｂ　実流量変化、１５９，１５９ａ，１５９ｂ　パラメータテーブル、１６０　閾値テーブル、１６１　現在レベル値、３００　段差面形成機構、４００　段差面形成機構駆動部、５００　半導体ダイのピックアップシステム、６００　ピックアップ制御手段（制御手段）、６０２　設定手段。
 

Claims (21)

  1. 　ダイシングシートの表面に貼り付けられた半導体ダイを前記ダイシングシートからピックアップする半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　半導体ダイを吸着するコレットと、
    　前記コレットに接続され、前記コレットの表面から空気を吸引する吸引機構と、
    　前記吸引機構が吸引する吸引空気流量を検出する流量センサと、
    　前記ダイシングシートの裏面を吸着する吸着面を含むステージと、
    　前記ステージの前記吸着面に設けられた開口の開口圧力を真空に近い第１圧力と大気圧に近い第２圧力との間で切換える開口圧力切換機構と、
    　半導体ダイをピックアップする際に前記開口圧力の切換回数を含むピックアップパラメータを設定する設定手段と、
    を備え、
    　前記設定手段は、
    　半導体ダイをピックアップする際に、前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化である流量変化を取得し、前記流量変化に基づいて、半導体ダイを前記ダイシングシートから剥離する剥離性を評価した評価値を算出し、
    　前記評価値に基づいて、前記半導体ダイをピックアップした後の他の半導体ダイをピックアップする際の前記ピックアップパラメータを変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  2. 　請求項１に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記設定手段は、
    　前記他の半導体ダイをピックアップする際の前記開口圧力を前記第１圧力に保持する時間を前記評価値に基づいて変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  3. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記開口の中に配置され、先端面が前記吸着面より高い第１位置と前記第１位置より低い第２位置との間で移動する複数の移動要素をさらに備え、
    　半導体ダイをピックアップする際に、複数の前記移動要素のそれぞれを所定時間の間隔で順に、又は、所定の前記移動要素の組合せで同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させ、
    　前記設定手段は、
    　前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記所定時間を前記評価値に基づいて変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  4. 　請求項３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記設定手段は、
    　前記他の半導体ダイのピックアップの際の同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させる前記移動要素の数を前記評価値に基づいて変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  5. 　請求項３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　半導体ダイをピックアップする際に、前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で切換えて前記開口で吸引された前記ダイシングシートを半導体ダイから剥離させる初期剥離を行い、
    　前記流量変化は、前記初期剥離の際の前記流量センサが検出する前記吸引空気流量の時間変化である、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  6. 　請求項５に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記切換回数は、前記初期剥離の際の前記開口圧力を前記第１圧力と前記第２圧力との間で切換える回数である、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  7. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記設定手段は、
    　前記他の半導体ダイを前記ダイシングシートから剥離する際の前記コレットが半導体ダイに着地してからその持ち上げを開始するまでの待機時間を前記評価値に基づいて変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  8. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　半導体ダイが良好に前記ダイシングシートからピックアップされた場合における、当該半導体ダイのピックアップの際の前記吸引空気流量の時間変化である期待流量変化を記憶する記憶部を、備え、
    　前記設定手段は、
    　前記評価値を、半導体ダイをピックアップする際の前記流量変化と前記期待流量変化との間の相関値に基づいて求める、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  9. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　半導体ダイのクラック検査を行う検査部をさらに備え、
    　半導体ダイをピックアップする際に前記切換えを予め定めた回数以上行った半導体ダイを、クラック検査の対象とする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  10. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記設定手段は、
    　１枚又は複数枚のウェーハを構成する半導体ダイの前記流量変化を取得し、それぞれの前記流量変化に基づいて前記評価値を求め、
    　複数の前記評価値に基づいて、前記他の半導体ダイをピックアップする際の前記ピックアップパラメータを変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  11. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　複数のレベル値のそれぞれに対応付けられた前記ピックアップパラメータのパラメータ値のテーブルと、
    　現在適用している前記ピックアップパラメータのパラメータ値のレベル値である現在レベル値と、を記憶する記憶部を、備え、
    　前記現在レベル値をキーとして前記テーブルから前記ピックアップパラメータのパラメータ値を読み出し、当該ピックアップパラメータのパラメータ値を適用して半導体ダイをピックアップし、
    　前記設定手段は、
    　前記評価値に基づいて、前記現在レベル値を他のレベル値に遷移させることで、前記他の半導体ダイをピックアップする際の前記ピックアップパラメータのパラメータ値を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  12. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、
    　前記代表ダイ評価値が第１所定値より高い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記切換回数に比べて、前記切換回数を少なくし、
    　前記代表ダイ評価値が前記第１所定値より低い値である第２所定値より低い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記切換回数に比べて、前記切換回数を多くする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  13. 　請求項２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、
    　前記代表ダイ評価値が第３所定値より高い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記開口圧力を前記第１圧力に保持した時間に比べて、当該時間を短くし、
    　前記代表ダイ評価値が前記第３所定値より低い値である第４所定値より低い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記開口圧力を前記第１圧力に保持した時間に比べて、当該時間を長くする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  14. 　請求項３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、
    　前記代表ダイ評価値が第５所定値より高い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記所定時間に比べて、前記所定時間を短くし、
    　前記代表ダイ評価値が前記第５所定値より低い値である第６所定値より低い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記所定時間に比べて、前記所定時間を長くする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  15. 　請求項４に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、
    　前記代表ダイ評価値が第７所定値より高い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させた前記移動要素の数に比べて、当該移動要素の数を多くし、
    　前記代表ダイ評価値が前記第７所定値より低い値である第８所定値より低い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の同時に前記第１位置から前記第２位置に移動させた前記移動要素の数に比べて、当該移動要素の数を少なくする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  16. 　請求項７に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値から、それらの代表値である代表ダイ評価値を求め、
    　前記代表ダイ評価値が第９所定値より高い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記待機時間に比べて、前記待機時間を短くし、
    　前記代表ダイ評価値が前記第９所定値より低い値である第１０所定値より低い場合には、前記他の半導体ダイをピックアップする際に、前記特定の半導体ダイをピックアップした際の前記待機時間に比べて、前記待機時間を長くする、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  17. 　請求項１又は２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、前記第１１所定値より高い前記評価値の数である剥離容易検出数を求め、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを前記第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、前記第１２所定値より低い前記評価値の数である剥離困難検出数を求め、
    　前記剥離容易検出数と前記剥離困難検出数に基づいて、前記特定の半導体ダイをピックアップした後の前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記切換回数を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  18. 　請求項２に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、前記第１１所定値より高い前記評価値の数である剥離容易検出数を求め、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを前記第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、前記第１２所定値より低い前記評価値の数である剥離困難検出数を求め、
    　前記剥離容易検出数と前記剥離困難検出数に基づいて、前記特定の半導体ダイをピックアップした後の前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記開口圧力を前記第１圧力に保持する時間を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  19. 　請求項３に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、前記第１１所定値より高い前記評価値の数である剥離容易検出数を求め、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを前記第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、前記第１２所定値より低い前記評価値の数である剥離困難検出数を求め、
    　前記剥離容易検出数と前記剥離困難検出数に基づいて、前記特定の半導体ダイをピックアップした後の前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記所定時間を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  20. 　請求項４に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、前記第１１所定値より高い前記評価値の数である剥離容易検出数を求め、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを前記第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、前記第１２所定値より低い前記評価値の数である剥離困難検出数を求め、
    　前記剥離容易検出数と前記剥離困難検出数に基づいて、前記特定の半導体ダイをピックアップした後の前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記移動要素の数を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
  21. 　請求項７に記載の半導体ダイのピックアップシステムであって、
    　前記評価値を算出する半導体ダイは特定の半導体ダイであり、
    　前記設定手段は、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを第１１所定値と比較し、前記第１１所定値より高い前記評価値の数である剥離容易検出数を求め、
    　１つ又は複数の前記特定の半導体ダイの前記評価値のそれぞれを前記第１１所定値より低い値である第１２所定値と比較し、前記第１２所定値より低い前記評価値の数である剥離困難検出数を求め、
    　前記剥離容易検出数と前記剥離困難検出数に基づいて、前記特定の半導体ダイをピックアップした後の前記他の半導体ダイのピックアップの際の前記待機時間を変更する、
    　ことを特徴とする半導体ダイのピックアップシステム。
     
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