JP5888463B1 - 半導体製造装置および半導体片の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この技術においては、保持部材から半導体片をピックアップの際に、半導体片と保持部材との間の接着状態に起因してピックアップ不良が発生する場合があった。
請求項2は、前記検知手段は、前記接着状態として、前記拡張された状態における前記半導体片と前記保持部材との接着面積の大きさまたは接着幅の大きさを検知し、前記ピックアップ手段は、前記大きさが大きい半導体片ほど前記吸着圧を大きくする請求項1に記載の半導体製造装置。
請求項3は、前記検知手段は、前記基板を撮像する撮像手段を有し、当該撮像手段によって撮像された画像の濃度に基づき前記接着状態を検知する請求項2に記載の半導体製造装置。
請求項4は、前記ピックアップ手段は、前記基板が接着された保持部材を下方に吸着する吸着手段を有し、前記吸着手段は、前記検知された接着状態に基づき前記吸着圧を変更する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体製造装置。
請求項5は、前記ピックアップ手段は、前記基板が接着された保持部材を下方に吸着する吸着手段と、前記基板の前記保持部材が接着された面側から、前記保持部材とともに前記半導体片を突上げる突上げ手段と、を有し、前記接着面積または前記接着幅が大きい半導体片ほど、当該半導体片を前記突上げ手段で突上げる際の前記吸着圧が大きくなるように、前記吸着手段を制御する、請求項2に記載の半導体製造装置。
請求項6は、前記検知手段は、同一基板内における半導体片ごとに前記接着状態を検知し、前記ピックアップ手段は、前記検知された接着状態に基づき、前記半導体片ごとに前記吸着圧を変更する、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体製造装置。
請求項7は、前記検知手段は、前記基板内の領域であって、複数の前記半導体片が含まれる大きさの領域ごとに前記接着状態を検知し、前記ピックアップ手段は、前記半導体片と前記保持部材との接着が強い領域ほど、前記吸着圧が大きくなるように、当該領域ごとに吸着圧を変更する、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体製造装置。
請求項8は、前記領域は、前記基板の中心からの距離が異なる複数の領域を含む請求項7に記載の半導体製造装置。
請求項9は、前記領域は、前記基板の中心からの距離に応じて区分けされた同心円状の複数の領域を含む請求項7に記載の半導体製造装置。
請求項10は、同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材を拡張した状態で、当該半導体片と当該保持部材との接着状態を、複数の当該半導体片が含まれる大きさの領域ごとに検知する検知手段と、前記半導体片と前記保持部材との接着が強い前記領域ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、前記領域ごとに吸着圧を変更してピックアップするピックアップ手段と、を備える半導体製造装置。
請求項11は、幅または長さよりも高さが大きい形状の半導体片であって、同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材を拡張した状態で、前記半導体片と前記保持部材との接着状態を検知する工程と、前記保持部材との接着が強い半導体片ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、同一基板内で当該吸着圧を変更してピックアップする工程と、を備える半導体片の製造方法。
請求項12は、同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材が拡張された状態で、当該半導体片と当該保持部材との接着状態を、複数の当該半導体片が含まれる大きさの領域ごとに検知する工程と、前記半導体片と前記保持部材との接着が強い前記領域ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、前記領域ごとに吸着圧を変更してピックアップする工程と、を備える半導体片の製造方法。
請求項2、5によれば、常に一定の吸着圧で吸着する場合と比較し、ピックアップ不良を低減できる。
請求項6によれば、半導体片ごとに、接着状態に応じたピックアップができる。
請求項7ないし10によれば、基板の領域ごとに、接着状態に応じたピックアップができる。
110:ステージ
120:突上げ装置
130:コレット
140:上部撮像カメラ
150:下部撮像カメラ
160:ニードルキャップ
162:貫通孔
164:ニードル
166:突上げ駆動装置
168:吸着孔
170:吸着装置
Claims (12)
- 幅または長さよりも高さが大きい形状の半導体片であって、同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材を拡張した状態で、前記半導体片と前記保持部材との接着状態を検知する検知手段と、
前記保持部材との接着が強い半導体片ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、同一基板内で当該吸着圧を変更してピックアップするピックアップ手段と、
を備える半導体製造装置。 - 前記検知手段は、前記接着状態として、前記拡張された状態における前記半導体片と前記保持部材との接着面積の大きさまたは接着幅の大きさを検知し、
前記ピックアップ手段は、前記大きさが大きい半導体片ほど前記吸着圧を大きくする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記検知手段は、前記基板を撮像する撮像手段を有し、当該撮像手段によって撮像された画像の濃度に基づき前記接着状態を検知する請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記ピックアップ手段は、前記基板が接着された保持部材を下方に吸着する吸着手段を有し、
前記吸着手段は、前記検知された接着状態に基づき前記吸着圧を変更する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体製造装置。 - 前記ピックアップ手段は、
前記基板が接着された保持部材を下方に吸着する吸着手段と、
前記基板の前記保持部材が接着された面側から、前記保持部材とともに前記半導体片を突上げる突上げ手段と、を有し、
前記接着面積または前記接着幅が大きい半導体片ほど、当該半導体片を前記突上げ手段で突上げる際の前記吸着圧が大きくなるように、前記吸着手段を制御する、請求項2に記載の半導体製造装置。 - 前記検知手段は、同一基板内における半導体片ごとに前記接着状態を検知し、
前記ピックアップ手段は、前記検知された接着状態に基づき、前記半導体片ごとに前記吸着圧を変更する、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体製造装置。 - 前記検知手段は、前記基板内の領域であって、複数の前記半導体片が含まれる大きさの領域ごとに前記接着状態を検知し、
前記ピックアップ手段は、前記半導体片と前記保持部材との接着が強い領域ほど、前記吸着圧が大きくなるように、当該領域ごとに吸着圧を変更する、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体製造装置。 - 前記領域は、前記基板の中心からの距離が異なる複数の領域を含む請求項7に記載の半導体製造装置。
- 前記領域は、前記基板の中心からの距離に応じて区分けされた同心円状の複数の領域を含む請求項7に記載の半導体製造装置。
- 同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材を拡張した状態で、当該半導体片と当該保持部材との接着状態を、複数の当該半導体片が含まれる大きさの領域ごとに検知する検知手段と、
前記半導体片と前記保持部材との接着が強い前記領域ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、前記領域ごとに吸着圧を変更してピックアップするピックアップ手段と、
を備える半導体製造装置。 - 幅または長さよりも高さが大きい形状の半導体片であって、同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材を拡張した状態で、前記半導体片と前記保持部材との接着状態を検知する工程と、
前記保持部材との接着が強い半導体片ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、同一基板内で当該吸着圧を変更してピックアップする工程と、
を備える半導体片の製造方法。 - 同一サイズの複数の半導体片に個片化された基板を接着層上に保持した保持部材が拡張された状態で、当該半導体片と当該保持部材との接着状態を、複数の当該半導体片が含まれる大きさの領域ごとに検知する工程と、
前記半導体片と前記保持部材との接着が強い前記領域ほど、当該半導体片を突上げる際に前記保持部材を下方に吸着させる吸着圧が大きくなるように、前記領域ごとに吸着圧を変更してピックアップする工程と、
を備える半導体片の製造方法。
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