KR20200123828A - 반도체 다이의 픽업 시스템 - Google Patents

반도체 다이의 픽업 시스템 Download PDF

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KR20200123828A
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쿠니히코 마즈메
코우지 마츠시타
타이토 코바야시
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

반도체 다이(15)를 흡착하는 콜릿(18)과, 콜릿의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서(106)와, 다이싱 시트(12)의 이면(12b)을 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 픽업 시에 스테이지의 흡착면에 설치된 개구(23)의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)와, 제어부(150)를 갖추고, 제어부는 특정 반도체 다이를 픽업할 때 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화를 취득하고, 그 시간 변화로부터 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리 용이도를 구하고, 박리 용이도에 기초하여 이후의 반도체 다이의 픽업 시의 상기 변환 횟수를 변경한다. 이것에 의해, 픽업 시에 반도체 다이의 손상 억제와 픽업 고속화의 균형을 적정하게 할 수 있다.

Description

반도체 다이의 픽업 시스템
본 발명은 본딩 장치(본딩 시스템)에 사용하는 반도체 다이의 픽업 시스템에 관한 것이다.
반도체 다이는 6인치나 8인치 크기의 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하여 제조된다. 절단 시에는 절단한 반도체 다이가 뿔뿔이 흩어지지 않도록, 이면에 다이싱 시트를 붙이고, 표면측에서 다이싱 소어 등에 의해 웨이퍼를 절단한다. 이때, 이면에 붙여진 다이싱 시트는 약간 깊게 베어지지만 절단되지 않고 각 반도체 다이를 유지한 상태로 되어 있다. 그리고 절단된 각 반도체 다이는 하나씩 다이싱 시트로부터 픽업되어 다이본딩 등의 다음 공정으로 보내진다.
다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하는 방법으로서는, 원판 형상의 흡착 피스의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 흡착 피스의 중앙부에 배치된 밀어올림 블록으로 반도체 다이를 밀어올림과 아울러, 콜릿을 상승시키고, 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 방법이 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 1의 도 9 또는 23 참조). 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리 시킬 때는, 우선, 반도체 다이의 주변부를 박리시키고, 다음에 반도체 다이의 중앙부를 박리시키도록 하는 것이 효과적이므로, 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래기술에서는, 밀어올림 블록을 반도체 다이의 주위의 부분을 밀어올리는 것과 반도체 다이의 중앙을 밀어올리는 것과, 그 중간을 밀어올리는 것의 3개로 나누고, 최초에 3개의 블록을 소정의 높이까지 상승시킨 후, 중간과 중앙의 블록을 주변의 블록보다도 높게 상승시키고, 최후에 중앙의 블록을 중간의 블록보다도 높게 상승시키는 방법을 취하고 있다.
또한, 원판 형상의 이젝터 캡의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 콜릿 및 주변, 중간, 중앙의 각 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다 높은 소정의 높이까지 상승시킨 후, 콜릿의 높이를 그대로의 높이로 하고, 주위의 밀어올림 블록, 중간의 밀어올림 블록의 순으로 밀어올림 블록을 이젝터 캡 표면보다도 아래의 위치까지 강하시켜 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리하는 방법도 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1, 2에 기재된 방법으로 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리시키는 경우, 특허문헌 1의 도 40, 42, 44, 특허문헌 2의 도 4a 또는 4d 도 5a 또는 5d에 기재되어 있는 바와 같이, 반도체 다이가 박리되기 전에, 반도체 다이가 다이싱 시트에 붙여진 채 다이싱 시트와 함께 굽힘 변형되는 경우가 있다. 반도체 다이가 굽힘 변형된 상태에서 다이싱 시트의 박리 동작을 계속하면, 반도체 다이가 파손되어 버리는 경우가 있으므로, 특허문헌 1의 도 31에 기재되어 있는 바와 같이, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡을 검출하고, 특허문헌 1의 도 43에 기재되어 있는 바와 같이, 흡기 유량이 검출된 경우에는, 반도체 다이가 변형되었다고 판단하고 밀어올림 블록을 일단 강하시킨 후, 다시 밀어올림 블록을 상승시키는 방법이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 3에도, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡(휨)을 검출(판별)하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 제4945339호 공보 미국 특허 제8092645호 명세서 일본 특허 제5813432호 공보
최근, 반도체 다이는 대단히 얇아지고 있고, 예를 들면, 20㎛ 정도의 것도 있다. 한편, 다이싱 시트의 두께는 100㎛ 정도이므로, 다이싱 시트의 두께는 반도체 다이의 두께의 4∼5배나 되고 있다. 이러한 얇은 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리시키려고 하면, 다이싱 시트의 변형에 추종한 반도체 다이의 변형이 보다 현저하게 발생하기 쉽다. 종래기술에서는, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업할 때 반도체 다이를 손상시켜 버릴 가능성이 있어, 개량의 여지가 있다.
또한, 종래기술에서는, 반도체 다이의 픽업의 고속화에 대해 충분한 검토가 되어 있지 않다. 반도체 다이의 손상을 억제하기 위해, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리를 촉진시킬 필요가 있어, 박리 동작(픽업 동작)에 요하는 시간은 길어진다. 한편으로, 생산성을 높이기 위해, 박리 동작에 요하는 시간을 짧게 하여, 픽업을 고속화하는 것도 요망되고 있다.
예를 들면, 동종의 반도체 다이를 계속해서 픽업하고 있어도, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리성이 변화되어 가는 경우가 있다. 예를 들면, 최초에 픽업한 반도체 다이의 박리성은 양호했(박리 용이도가 높았)지만, 뒤에 픽업하는 반도체 다이의 박리성은 그것보다도 악화되어 있을(박리 용이도가 낮아져 있을) 가능성이 있다. 또는, 그 반대의 가능성도 있다. 전자의 경우에는, 보다 박리를 촉진시키는 박리 동작으로 변경하지 않으면, 반도체 다이의 손상을 초래하게 된다. 후자의 경우에는, 박리 동작을 변경하지 않아도 반도체 다이의 손상을 초래하는 일은 없지만, 본래, 보다 단시간에 반도체 다이를 픽업할 수 있음에도 불구하고, 장시간에 걸쳐 픽업하게 된다. 복수의 반도체 다이를 계속해서 픽업할 때, 반도체 다이의 손상의 발생의 억제와, 반도체 다이의 픽업의 고속화의 균형을 적정하게 하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은 반도체 다이를 픽업할 때의 반도체 다이의 손상을 적확하게 억제하고, 또한, 복수의 반도체 다이를 계속해서 픽업할 때, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업의 고속화의 균형을 적정하게 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템은 다이싱 시트의 표면에 붙여진 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템으로서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구가 흡인하는 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와, 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 바꾸는 개구 압력 변환 기구와, 반도체 다이를 픽업할 때 상기 개구 압력의 변환 횟수를 포함하는 픽업 파라미터를 설정하는 설정 수단을 갖추고, 설정 수단은 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 유량 변화를 취득하고, 유량 변화에 기초하여 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하는 박리성을 평가한 평가값을 산출하고, 평가값에 기초하여, 상기 반도체 다이를 픽업한 후의 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 픽업 파라미터를 변경하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 설정 수단은 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 개구 압력을 제1 압력으로 유지하는 시간을 평가값에 기초하여 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제1 위치와 제1 위치보다 낮은 제2 위치의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 더 구비하고, 반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 순차적으로, 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키고, 설정 수단은 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 소정 시간을 평가값에 기초하여 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 설정 수단은 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 이동 요소의 수를 평가값에 기초하여 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력 사이에서 변환하여 개구에서 흡인된 다이싱 시트를 반도체 다이로부터 박리시키는 초기 박리를 행하고, 상기 유량 변화는 초기 박리 시의 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 상기 변환 횟수는 초기 박리 시의 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력의 사이에서 변환하는 횟수로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 설정 수단은 상기 다른 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리할 때의 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 평가값에 기초하여 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이가 양호하게 다이싱 시트로부터 픽업된 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 흡인 공기 유량의 시간 변화인 기대 유량 변화를 기억하는 기억부를 갖추고, 설정 수단은 평가값을 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 유량 변화와 상기 기대 유량 변화와의 사이의 상관값에 기초하여 구하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이의 크랙 검사를 행하는 검사부를 더 갖추고, 반도체 다이를 픽업할 때 상기 변환을 미리 정한 횟수 이상 행한 반도체 다이를 크랙 검사의 대상으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 설정 수단은 1매 또는 복수매의 웨이퍼를 구성하는 반도체 다이의 상기 유량 변화를 취득하고, 각각의 유량 변화에 기초하여 평가값을 구하고, 복수의 평가값에 기초하여 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 픽업 파라미터를 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 복수의 레벨값의 각각에 대응되는 픽업 파라미터의 파라미터값의 테이블과, 현재 적용하고 있는 픽업 파라미터의 파라미터값의 레벨값인 현재 레벨값을 기억하는 기억부를 갖추고, 현재 레벨값을 키로 하여 테이블로부터 픽업 파라미터의 파라미터값을 읽어내고, 당해 픽업 파라미터의 파라미터값을 적용하여 반도체 다이를 픽업하고, 설정 수단은 평가값에 기초하여 현재 레벨값을 다른 레벨값으로 천이시킴으로써, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 픽업 파라미터의 파라미터값을 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고, 대표 다이 평가값이 제1 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 변환 횟수에 비해, 상기 변환 횟수를 적게 하고, 대표 다이 평가값이 제1 소정값보다 낮은 값인 제2 소정값보다 낮은 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 변환 횟수에 비해, 상기 변환 횟수를 많게 하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고, 대표 다이 평가값이 제3 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 개구 압력을 제1 압력에 유지한 시간에 비해, 당해 시간을 짧게 하고, 대표 다이 평가값이 제3 소정값보다 낮은 값인 제4 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 개구 압력을 제1 압력에 유지한 시간에 비해, 당해 시간을 길게 하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고, 대표 다이 평가값이 제5 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 소정 시간에 비해, 상기 소정 시간을 짧게 하고, 대표 다이 평가값이 제5 소정값보다 낮은 값인 제6 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 소정 시간에 비해, 상기 소정 시간을 길게 하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고, 대표 다이 평가값이 제7 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시킨 이동 요소의 수에 비해, 당해 이동 요소의 수를 많게 하고,
대표 다이 평가값이 제7 소정값보다 낮은 값인 제8 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시킨 이동 요소의 수에 비해, 당해 이동 요소의 수를 적게 하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고, 대표 다이 평가값이 제9 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 대기 시간에 비해, 당해 대기 시간을 짧게 하고, 대표 다이 평가값이 제9 소정값보다 낮은 값인 제10 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 대기 시간에 비해, 당해 대기 시간을 길게 하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 제11 소정값보다 높은 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고, 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 제12 소정값보다 낮은 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고, 박리 용이 검출수와 박리 곤란 검출수에 기초하여, 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 변환 횟수를 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 제11 소정값보다 높은 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고, 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 제12 소정값보다 낮은 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고, 박리 용이 검출수와 박리 곤란 검출수에 기초하여, 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 개구 압력을 제1 압력에 유지하는 시간을 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 제11 소정값보다 높은 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고, 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 제12 소정값보다 낮은 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고, 박리 용이 검출수와 박리 곤란 검출수에 기초하여, 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 소정 시간을 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 제11 소정값보다 높은 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고, 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 제12 소정값보다 낮은 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고, 박리 용이 검출수와 박리 곤란 검출수에 기초하여, 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 이동 요소의 수를 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며, 설정 수단은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 제11 소정값보다 높은 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고, 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이의 평가값의 각각을 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 제12 소정값보다 낮은 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고, 박리 용이 검출수와 박리 곤란 검출수에 기초하여, 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 대기 시간을 변경하는 것으로 해도 된다.
본 발명은 반도체 다이를 픽업할 때의 반도체 다이의 손상을 적확하게 억제할 수 있고, 또한, 복수의 반도체 다이를 계속해서 픽업할 때, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업의 고속화의 균형을 적정하게 할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 계통 구성을 도시하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 스테이지를 도시하는 사시도이다.
도 3은 다이싱 시트에 붙여진 웨이퍼를 도시하는 설명도이다.
도 4는 다이싱 시트에 붙여진 반도체 다이를 도시하는 설명도이다.
도 5a는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 5b는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상(柱狀) 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력과, 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에 있어서의 파라미터 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 또 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시형태에 있어서의 초기 박리의 소정 기간에서의 개구 압력의 시간 변화와, 기대 유량 변화 및 실제 유량 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시형태에 있어서의 레벨 천이 제어의 흐름을 나타내는 플로차트이다.
도 24는 본 발명의 실시형태에 있어서의 임계값 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 실시형태에 있어서의 레벨 천이의 설명도이다.
도 26은 본 발명의 실시형태에 있어서의 다른 레벨 천이의 설명도이다.
도 27a는 본 발명의 실시형태에 있어서의 다른 파라미터 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 27b는 본 발명의 실시형태에 있어서의 다른 파라미터 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 28은 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 레벨 천이 제어의 흐름을 나타내는 플로차트이다.
도 29는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 레벨 천이 제어의 흐름을 나타내는 플로차트이다.
도 30은 본 발명의 실시형태에 있어서의 제어부의 기능 블럭도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
<구성>
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템에 대하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이(15)가 표면(12a)에 붙여진 다이싱 시트(12)를 유지하고, 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 홀더(10)와, 웨이퍼 홀더(10)의 하면에 배치되어, 다이싱 시트(12)의 이면(12b)을 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)에 설치된 개구(23) 속에 배치되는 복수의 이동 요소(30)와, 흡착면(22)에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구(300)와, 단차면 형성 기구(300)를 구동하는 단차면 형성 기구 구동부(400)와, 반도체 다이(15)를 픽업하는 콜릿(18)과, 스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)와, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)와, 진공 장치(140)와, 웨이퍼 홀더(10)를 수평 방향으로 구동하는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)와, 스테이지(20)를 상하 방향으로 구동하는 스테이지 상하 방향 구동부(120)와, 콜릿(18)을 상하 좌우 방향으로 구동하는 콜릿 구동부(130)와, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)의 제어를 행하는 제어부(150)를 갖추고 있다.
단차면 형성 기구(300)와 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 기체부(24) 속에 수납된다. 단차면 형성 기구(300)는 스테이지(20)의 상부에 있고, 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 하부에 있다. 단차면 형성 기구(300)는 상하 방향으로 이동하는 복수의 이동 요소(30)를 갖추고 있다. 단차면 형성 기구 구동부(400)에 의해, 복수의 이동 요소(30)의 각 선단면이 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 하측으로 이동한다. 이동 요소(30)의 상세에 대해서는 뒤에서 설명한다.
스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)는 3방향 밸브(81)와 3방향 밸브(81)의 개폐 구동을 행하는 구동부(82)를 갖추고 있다. 3방향 밸브(81)는 3개의 포트를 가지며, 제1 포트는 스테이지(20)의 개구(23)와 연통하고 있는 기체부(24)와 배관(83)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(84)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(85)과 접속되어 있다. 구동부(82)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 하거나 함으로써, 개구(23)의 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)의 사이에서 변환한다.
스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(91)와, 3방향 밸브(91)의 개폐 구동을 행하는 구동부(92)를 갖추고, 제1 포트는 스테이지(20)의 홈(26)에 연통하는 흡착 구멍(27)과 배관(93)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(94)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(95)과 접속되어 있다. 구동부(92)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 하거나 함으로써, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변환한다.
콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(101)와, 3방향 밸브(101)의 개폐 구동을 행하는 구동부(102)를 갖추고, 제1 포트는 콜릿(18)의 표면(18a)에 연통한 흡인 구멍(19)과 배관(103)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(104)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(105)과 접속되어 있다. 구동부(102)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)로부터 공기를 흡입하여 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 진공에 가까운 압력으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 대기압에 가까운 압력으로 하거나 한다. 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 3방향 밸브(101) 사이를 접속하는 배관(103)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 진공 장치(140)로 흡인되는 공기 유량(흡인 공기 유량)을 검출하는 유량 센서(106)가 부착되어 있다.
웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130)는, 예를 들면, 내부에 설치한 모터와 기어에 의해 웨이퍼 홀더(10), 스테이지(20), 콜릿(18)을 수평 방향, 또는 상하 방향 등으로 구동하는 것이다.
제어부(150)는 각종 연산 처리나 제어 처리를 행하는 CPU(151)와, 기억부(152)와, 기기·센서 인터페이스(153)를 포함하고, CPU(151)와 기억부(152)와 기기·센서 인터페이스(153)는 데이터 버스(154)로 접속되어 있는 컴퓨터이다. 기억부(152)의 속에는, 제어 프로그램(155), 제어 데이터(156)가 저장되어 있다. 또한, 상세한 것은 후술하지만, 기억부(152)의 속에는, 콜릿(18)에 의해 반도체 다이(15)를 픽업할 때의 레벨값과 박리 파라미터의 파라미터값이 대응시켜진 파라미터 테이블(159)(도 19 참조), 임계값 테이블(160)(도 24 참조), 픽업 시에 적용하는 레벨값인 현재 레벨값(161), 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의 픽업 시의 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157), 픽업할 때 유량 센서(106)가 실제로 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)가 저장되어 있다. 도 30은 제어부(150)의 기능 블럭도이다. 제어부(150)는, 제어 프로그램(155)을 실행함으로써, 픽업 제어 수단(600)(제어 수단) 및 설정 수단(602)으로서 기능한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 개구 압력 변환 기구(80), 흡착 압력 변환 기구(90), 흡인 기구(100)의 각 3방향 밸브(81, 91, 101)의 각 구동부(82, 92, 102) 및, 단차면 형성 기구 구동부(400), 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130), 진공 장치(140)는 각각 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되어, 제어부(150)의 지령에 의해 구동된다. 또한, 유량 센서(106)는 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 검출 신호는 제어부(150)에 받아들여져 처리된다.
다음에, 스테이지(20)의 흡착면(22)과, 이동 요소(30)의 상세에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 스테이지(20)는 원통형이며, 상면에는 평면 형상의 흡착면(22)이 형성되어 있다. 흡착면(22)의 중앙에는, 사각의 개구(23)가 설치되고, 개구(23)에는 이동 요소(30)가 부착되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)의 사이에는 간극(d)이 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 주위에는, 홈(26)이 개구(23)를 둘러싸듯이 설치되어 있다. 각 홈(26)에는, 흡착 구멍(27)이 설치되어 있고, 각 흡착 구멍(27)은 흡착 압력 변환 기구(90)에 접속되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(30)는 중앙에 배치된 주상 이동 요소(45)와, 주상 이동 요소(45)의 주위에 배치된 2개의 중간 환상 이동 요소(40, 41)와, 중간 환상 이동 요소(40)의 주위에 배치되어 있고 최외주에 배치되어 있는 주변 환상 이동 요소(31)를 포함하고 있다. 또한, 여기에서는 중간 환상 이동 요소의 수는 2개이지만, 중간 환상 이동 요소의 수는 1개, 또는, 3개 이상이어도 된다. 도 6 이후의 도면에서는, 설명을 간단하게 하기 위해, 중간 환상 이동 요소(40)의 수는 1개로 되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45), 중간 환상 이동 요소(40), 주변 환상 이동 요소(31)의 각각의 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치에 있고, 동일면(흡착면(22)에 대한 단차면)을 구성하고 있다. 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 순으로 소정 시간의 간격으로 제1 위치로부터 제1 위치보다도 낮은 제2 위치로 이동시킨다. 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시킨다.
<다이싱 시트의 세트 공정>
여기에서, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)를 웨이퍼 홀더(10)에 세팅하는 공정에 대하여 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 이면에 점착성의 다이싱 시트(12)가 붙여져 있고, 다이싱 시트(12)는 금속제의 링(13)에 부착되어 있다. 웨이퍼(11)는 이와 같이 다이싱 시트(12)를 통하여 금속제의 링(13)에 부착된 상태에서 핸들링 된다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 절단 공정에서 표면측으로부터 다이싱 소어 등에 의해 절단되어 각 반도체 다이(15)가 된다. 각 반도체 다이(15)의 사이에는 다이싱 시에 생긴 칼자국 간극(14)이 생긴다. 칼자국 간극(14)의 깊이는 반도체 다이(15)로부터 다이싱 시트(12)의 일부에까지 도달하고 있지만, 다이싱 시트(12)는 절단되어 있지 않아, 각 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)에 의해 유지되어 있다.
이와 같이, 다이싱 시트(12)와 링(13)이 부착된 반도체 다이(15)는 도 5a 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)에 부착된다. 웨이퍼 홀더(10)는 플랜지부를 가지는 둥근 고리 형상의 익스팬드 링(16)과 익스팬드 링(16)의 플랜지의 위에 링(13)을 고정하는 링 누름부(17)를 갖추고 있다. 링 누름부(17)는 도시하지 않은 링 누름 부구동부에 의해 익스팬드 링(16)의 플랜지를 향하여 진퇴하는 방향으로 구동된다. 익스팬드 링(16)의 내경은 반도체 다이(15)가 배치되어 있는 웨이퍼의 직경보다도 크고, 익스팬드 링(16)은 소정의 두께를 갖추고 있고, 플랜지는 익스팬드 링(16)의 외측에 있어서, 다이싱 시트(12)로부터 떨어진 방향의 끝면측에 외측으로 돌출하도록 부착되어 있다. 또한 익스팬드 링(16)의 다이싱 시트(12)측의 외주는 다이싱 시트(12)를 익스팬드 링(16)에 부착할 때, 다이싱 시트(12)를 원활하게 잡아 늘일 수 있도록 곡면 구성으로 되어 있다. 도 5b에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되기 전은 대략 평면 상태로 되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되면 익스팬드 링(16)의 상면과 플랜지면과의 단차분만큼 익스팬드 링 상부의 곡면을 따라 잡아 늘여지므로, 익스팬드 링(16) 위에 고정된 다이싱 시트(12)에는 다이싱 시트(12)의 중심으로부터 주위를 향하는 인장력이 작용하고 있다. 또한, 이 인장력에 의해 다이싱 시트(12)가 늘어나므로, 다이싱 시트(12) 위에 붙여진 각 반도체 다이(15) 사이의 간극(14)이 벌어져 있다.
<픽업 동작>
다음에 반도체 다이(15)의 픽업 동작에 대하여 설명한다. 각 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리 용이성은 반도체 다이(15)의 두께, 다이싱 시트(12)의 두께, 각 반도체 다이(15)에 대한 다이싱 시트(12)의 점착성, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)이 놓여진 환경(기온, 습도 등) 등에 따라 변화한다. 또한 동종의 반도체 다이(15)를 계속해서 픽업하고 있을 때, 각 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리 용이성이 변화하는 경우도 있다. 그래서, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은, 반도체 다이(15)마다, 픽업 시의 박리 동작(픽업 동작)을 변경할 수 있도록 되어 있다. 기억부(152)에는, 도 19에 도시하는 파라미터 테이블(159)이 저장되어 있고, 파라미터 테이블(159)에는, 복수의 레벨값의 각각에 대응한 박리 파라미터(픽업 파라미터)의 파라미터값이 규정되어 있다. 파라미터 테이블(159)에는, 픽업 시간이 가장 짧은 레벨 1부터, 가장 긴 레벨 8까지가 규정되어 있다. 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리 용이성(박리 용이도)이 높을수록 레벨 1 또는 레벨 1에 가까운 레벨값이 픽업 시에 설정되고, 그 레벨값에 규정된 각 박리 파라미터의 파라미터값을 사용하여 박리 동작(픽업 동작)이 행해진다. 또한, 이 설정은 제어부(150)가 설정 수단으로서 기능하여 행한다. 각 박리 파라미터의 상세에 대해서는, 나중에 설명한다. 이하에서는, 파라미터 테이블(159)의 레벨 4가 설정(선택)된 경우를 예로 들어, 반도체 다이의 픽업 동작을 설명한다.
제어부(150)는 도 1에 도시하는 제어 프로그램(155)을 실행함으로써 픽업 제어 수단으로서 기능하여 반도체 다이(15)의 픽업 동작의 제어를 행한다. 제어부(150)는, 픽업 동작의 일부로서, 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어한다. 최초에, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해 웨이퍼 홀더(10)를 스테이지(20)의 대기 위치의 위까지 수평 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더(10)가 스테이지(20)의 대기 위치의 위의 소정의 위치까지 이동하면, 웨이퍼 홀더(10)의 수평 방향의 이동을 일단 정지한다. 앞에 기술한 바와 같이, 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 제어부(150)는 스테이지 상하 방향 구동부(120)에 의해, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하고, 또한, 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착할 때까지 스테이지(20)를 상승시킨다. 그리고, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a) 및 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하면, 제어부(150)는 스테이지(20)의 상승을 정지한다. 그리고, 제어부(150)는, 다시, 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해, 픽업하려고 하는 반도체 다이(15)가 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 약간 돌출해 있는 이동 요소(30)의 선단면(단차면)의 바로 위에 오도록 수평 위치를 조정한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 크기는 스테이지(20)의 개구(23)보다도 작고, 이동 요소(30)의 폭 혹은 안길이보다도 크므로, 스테이지(20)의 위치 조정이 종료되면, 반도체 다이(15)의 외주끝은 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이, 즉, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이의 간극(d)의 바로 위로 되어 있다. 초기 상태에서는, 스테이지(20)의 홈(26), 혹은 흡착면(22)의 압력은 대기압이며, 개구(23)의 압력도 대기압으로 되어 있다. 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 각 선단면(47, 38b, 38a)에 접해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)의 높이도 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리에서는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 흡착면(22)으로부터 약간 떠 있고, 개구(23)로부터 떨어진 영역에서는 흡착면(22)에 밀착한 상태로 되어 있다. 수평 방향의 위치 조정이 종료되면, 제어부(150)는, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)에 의해 콜릿(18)을 반도체 다이(15)의 위로 강하시켜 콜릿(18)의 표면(18a)을 반도체 다이(15)에 착지시킨다.
도 18은 레벨 4의 박리 동작(픽업 동작) 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력과, 콜릿(18)의 공기 리크량의 시간 변화를 도시하는 도면이다. 도 18(a)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이가 도시되어 있고, 콜릿(18)을, 시각(t=0)으로부터 조금 경과한 시각으로부터 시각(t2)에 걸쳐 이동시킨 상태가 도시되어 있다. 제어부(150)는, 콜릿(18)을 이동시키고 있는 동안의 시각(t1)에서, 흡인 기구(100)의 구동부(102)에 의해 3방향 밸브(101)를 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 이것에 의해, 흡인 구멍(19)은 부압이 되어, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 오므로, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량(공기 리크량)은 시각(t1)으로부터 시각(t2)에 걸쳐 증가해 간다. 시각(t2)에서, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하면, 표면(18a)에 반도체 다이(15)가 흡착 고정되고, 표면(18a)으로부터 공기 유입할 수 없게 된다. 그것에 의해, 시각(t2)에서, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량은 감소로 바뀐다. 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지했을 때의 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)의 높이(흡착면(22)으로부터의 높이(H0))에 다이싱 시트(12)의 두께와 반도체 다이(15)의 두께를 더한 높이(Hc)로 되어 있다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 나타내는 시각(t2)에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력(도시하지 않음)을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 변환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 흡착 구멍(27)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 7의 화살표(201)로 나타내는 바와 같이, 흡착 구멍(27)을 통하여 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)로 빨아 내어져, 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 된다. 그리고, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 도 7의 화살표(202)로 나타내는 바와 같이, 흡착면(22)의 표면에 진공 흡착된다. 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로 다이싱 시트(12)에는, 비스듬히 하향의 인장력(F1)이 걸린다. 이 인장력(F1)은 다이싱 시트(12)를 가로 방향으로 잡아당기는 인장력(F2)과, 다이싱 시트(12)를 하측 방향으로 잡아당기는 인장력(F3)으로 분해할 수 있다. 가로 방향의 인장력(F2)은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 전단 응력(τ)을 발생시킨다. 이 전단 응력(τ)에 의해, 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)과의 사이에 어긋남이 발생한다. 이 어긋남은 다이싱 시트(12)와 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과의 박리의 근거가 된다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 8의 화살표(206)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)에는 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 이것에 의해, 도 8의 화살표(203)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 잡아 당겨진다. 또한, 간극(d)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 주변부는 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형된다. 이것에 의해 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)이 되었을 때 반도체 다이(15)의 외주 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)의 사이에 발생한 어긋남 때문에, 반도체 다이(15)의 주변부에는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되는 근거가 형성되어 있으므로, 반도체 다이(15)의 주변부는 도 8의 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 굽힘 변형하면서도 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되기 시작하고 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지면, 도 8의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 유입된 공기 유량(공기 리크량)은 유량 센서(106)에 의해 검출된다. 이것에 의해, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에서 감소로 바뀌고, 감소를 계속하고 있던 공기 리크량은 시각(t3)에서 다시 증가하기 시작한다. 구체적으로는, 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하되어 감에 따라, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)와 함께 하측 방향으로 잡아 당겨져 굽힘 변형되어 가므로, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오는 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 증가해 간다.
그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)으로부터 시각(t5)의 동안(시간(HT4)), 스테이지(20)의 개구(23)를 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 유지한다. 이 시간(HT4)은 도 19의 파라미터 테이블(159)에 규정되어 있는 레벨 4의 「제1 압력의 유지 시간」이다. HT4는 도 19의 예에서는 130ms이다. 제1 압력(P1)으로 유지하고 있는 동안에, 도 9의 화살표(207)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공과, 반도체 다이(15)의 탄성에 의해 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아간다. 이것에 의해, 도 18(f)의 시각(t4)에 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 감소를 계속하여, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 시각(t5)의 조금 전에 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 이때, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(초기 박리). 그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 대기 개방의 배관(85)과 개구(23)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 10에 도시하는 화살표(210)와 같이, 공기가 개구(23)에 유입되어 오므로, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)으로부터 시각(t6)을 향하여, 개구 압력은 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승해 간다.
도 18의 시각(t1∼t6)이 초기 박리이다. 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 나쁜(박리 용이도가 낮은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지 많은 시간이 걸린다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간(도 18(e)의 시각(t4∼t5)의 시간)이 길거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 많은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 반도체 다이(15)의 주변부와 다이싱 시트(12)와의 박리를 촉진한다.
한편으로, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 좋은(박리 용이도가 높은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 짧다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간이 짧거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 적은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 픽업을 고속화한다. 또한, 도 18의 레벨 4의 예에서는, 초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수는 1회(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우)이다. 이것은 도 19의 파라미터 테이블(159)에 규정되어 있는 레벨 4의 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」(FSN4)이다.
또한, 상기한 바와 같이, 반도체 다이(15)의 박리 용이도에 따라, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 변화되기 때문에, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량의 시간 변화(실제로 유량 변화)도 변화된다. 그래서, 뒤에서 상세하게 설명하는 바와 같이, 실제 유량 변화에 기초하여, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성(박리 용이도)을 판단하는 것이 가능하다.
픽업 동작의 설명을 계속한다. 도 18의 t6에서, 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승하면, 도 10의 화살표(212)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 하측 방향으로 잡아 당겨져 있던 간극(d)의 바로 위에 위치하는 다이싱 시트(12)는 웨이퍼 홀더(10)에 고정할 때 인가된 인장력에 의해 상측 방향으로 되돌아온다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)는, 상기의 인장력에 의해, 흡착면(22)으로부터 약간 들뜬 상태로 되어 있다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)에 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되면, 도 18(d)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 높이를 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 11의 화살표(214)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 하측이며, 흡착면(22)보다도 약간 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 높이(H1-H0)만큼 낮은 위치)로 이동한다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)으로부터 시각(t7)까지 상태를 유지한다. 이때, 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되어 있으므로, 도 11에 도시하는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)과 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)과의 사이에는 간극이 만들어져 있다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해 도 12의 화살표(215)로 나타내는 바와 같이, 개구(23) 속의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 시각(t8)에는, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하하면, 도 12의 화살표(216)로 나타내는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는(대향하는) 다이싱 시트(12)는 이면(12b)이 선단면(38a)에 접하도록 하측으로 잡아 당겨진다. 이것에 의해, 도 12의 화살표(217)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 일부가 하측 방향으로 굽힘 변형하여, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져, 공기가 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속으로 유입된다. 흡인 구멍(19)으로 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t7)으로부터 시각(t8) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t8) 부근에서, 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는 도 13에 나타내는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t8) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 또 거의 제로로 돌아간다. 이때, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역은 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다. 또한, 도 12의 화살표(217)와 같이 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 13의 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성에 따라 변화된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)이 되면, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(220)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 시각(t10)에서 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)으로부터 떨어져 상측 방향으로 변위한다.
도 18의 시각(t10)에, 제어부(150)는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하고, 도 14의 화살표(227)로 나타내는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시켜, 화살표(226)로 나타내는 바와 같이 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동하고, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 이것에 의해, 도 14에 도시하는 바와 같이, 선단면(38a, 38b, 47)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면이 된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t10)부터 시각(t11)까지 상태를 유지한다. 그리고, 제어부(150)는 도 18(e)의 시각(t11)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키도록 변환한다. 이것에 의해, 도 15의 화살표(228)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기는 진공 장치(140)에 흡인되고, 개구 압력은 시각(t12)에 진공에 가까운 제1 압력(P1)이 된다. 그러면, 도 15에 나타내는 화살표(229, 230)와 같이 다이싱 시트(12)는 제3 위치로 강하해 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a), 제2 위치로 강하해 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 향하여 잡아 당겨지고, 하방향으로 변위한다. 이것에 따라, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역도 도 15의 화살표(231)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져 하향으로 구부러짐 변형한다. 그러면, 도 15의 화살표(232)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)과 반도체 다이(15) 사이에서 공기가 흡인 구멍(19)으로 유입된다. 흡인 구멍(19)에 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t11)으로부터 시각(t12) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t12) 부근에서, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는, 도 16에 나타내는 화살표(244)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t12) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 16에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 또한, 이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 박리성에 따라 변화된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t13)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통시키도록 변환한다. 그러면, 도 16의 화살표(241)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 개구 압력이 상승하므로, 다이싱 시트(12)는, 도 16에 나타내는 화살표(243)로 나타내는 바와 같이, 상측 방향으로 변위한다. 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t14)에, 개구 압력은 대기에 가까운 제2 압력(P2)이 된다. 이 상태에서는, 도 16에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다.
다음에 제어부(150)는, 도 18의 시각(t14)에, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 17의 화살표(260)로 나타내는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)를 하강시키고, 화살표(246)로 나타내는 바와 같이 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시킨다. 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하고, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치로 이동한다. 이것에 의해, 도 17에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태가 된다.
제어부(150)는 도 18의 시각(t15)에 콜릿(18)을 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)는 모터를 구동하여, 도 17에 도시하는 바와 같이, 콜릿(18)을 상승시킨다. 콜릿(18)이 상승하면, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)에 흡착된 상태에서 픽업된다.
반도체 다이(15)를 픽업하면, 제어부(150)는, 시각(t16)에, 각 이동 요소(31, 40, 45)의 각 선단면(38a, 38b, 47)을 제1 위치로 되돌리고, 흡착 압력 변환 기구(90)에 의해 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 변환한다. 이것으로 픽업이 종료된다.
이상에서 설명한 도 18의 시각(t6∼t16)이 본박리이다. 본박리에서는, 외측의 이동 요소(30)로부터 내측의 이동 요소(30)를 향하여 차례차례, 선단면을 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키고, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주변부보다 내측의 영역을 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리한다. 또한, 이상에서 설명한 본박리에서는, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환하고 있었지만, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력에 유지한 상태에서, 각 이동 요소(30)를 차례차례, 이동시키도록 해도 된다.
여기에서, 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작의 박리 파라미터에 대하여 확인한다. 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작은 도 19의 파라미터 테이블(159)의 레벨 4에 규정된 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 행했다. 구체적으로는, 다음 박리 파라미터의 파라미터값을 적용했다. 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우, 이하 동일)」는 FSN4=1회로 했다. 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 SSN4=2회로 했다. 개구 압력을 제1 압력(P1)에 유지하는 시간인 「제1 압력의 유지 시간」은 HT4=130ms로 했다. 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 DN4=0개로 했다. 각 이동 요소(30)의 선단면을 차례차례, 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때의 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 IT4=240ms로 했다. 또한, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하고 나서 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시할 때까지의 시간인 「콜릿 대기 시간」은 WT4=710ms로 했다. 그리고, 「픽업 시간」은 PT4=820ms이었다.
<파라미터 테이블>
여기에서, 도 19의 파라미터 테이블(159)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성에 따라, 파라미터 테이블(159)의 레벨 1∼8로부터 1개의 레벨값을 선택(설정)하고, 그 레벨값에 규정된 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 박리 동작을 행할 수 있다. 박리하기 어려울수록, 보다 높은 레벨값(저속 레벨)을 선택한다.
파라미터 테이블(159)의 각 박리 파라미터의 파라미터값은 레벨값의 변화에 따라 다음과 같은 경향을 가지고 있다. 도 19에 도시하는 바와 같이, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 단, 이것은 레벨값이 바뀔 때마다 반드시 변환 횟수가 많아지고 있는 것을 의미하고 있지 않으며, 인접하는 복수의 레벨값에서 변환 횟수가 동일한 경우가 있다. 이것은 다른 박리 파라미터도 마찬가지로, 레벨값이 바뀔 때마다 파라미터값이 변화되는 것을 의미하고 있지 않으며, 인접하는 복수의 레벨값에서 파라미터값이 동일한 경우가 있다. 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 또한, 「제1 압력의 유지 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간 간격을 길게 하고 있다. 또한 「콜릿 대기 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「픽업 시간」은 레벨값이 바뀔 때마다 변화되고, 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 길어진다. 또한, 「픽업 시간」은 「콜릿 대기 시간」을 닮아 있지만, 콜릿 대기 시간에 더하여, 콜릿(18)을 소정 위치로부터 강하시켜 반도체 다이(15)에 착지할 때까지의 시간과, 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시하고 나서 소정 위치까지 상승할 때까지의 시간을 포함한다. 또한, 박리 파라미터는 「픽업 파라미터」라고 할 수도 있다. 「픽업 파라미터를 설정한다」란 픽업 파라미터(박리 파라미터)의 파라미터값을 설정하는 것으로 정의할 수 있고, 「픽업 파라미터를 변경한다」란 픽업 파라미터(박리 파라미터)의 파라미터값을 변경하는 것으로 정의할 수 있다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(159)은 「조건 테이블」이라고 할 수도 있고, 박리 파라미터의 파라미터값은 「픽업 조건」이라고 할 수도 있다. 또한, 도 19에 나타내어져 있는 구체적인 각 파라미터값은 어디까지나 일례이며, 다른 값이어도 되는 것은 당연하다.
여기에서, 전술한 레벨 4의 박리 동작 이외의 박리 동작의 예로서, 레벨 1과 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 우선, 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 8은 대단히 박리하기 어려운 반도체 다이(15)에 설정하는 레벨값이다. 도 20은 레벨 8의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 20의 레벨 8의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음을 알 수 있다.
도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(FSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)의 주위를 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리할 수 있다. 개구 압력을 몇 번이고 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주위에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내는 이미지이며, 시간은 들지만 확실하게 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms(도 19 참조, 이하 마찬가지로, 상세한 파라미터값에 대해서는 동 도면을 참조)로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19의 예에서는, 「제1 압력의 유지 시간」에 대하여, 레벨 4와 8에서 큰 차가 없지만, 차를 보다 크게 하는 것도 생각할 수 있다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(SSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내도록, 확실한 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 본박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19에 도시하는 파라미터 테이블(159)에서는, 초기 박리 시와 본박리 시에서 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 공통으로 하고 있지만, 초기 박리 시와 본박리 시에서 각각의 「제1 압력의 유지 시간」이 파라미터 테이블(159)에 규정되어 있어도 된다. 또한, 도 20에 도시하는 바와 같이, 초기 박리 시, 또는, 본박리 시에 개구 압력을 복수회 변환함으로써, 제1 압력(P1)에 유지하는 시간이 복수개 있는 경우에는, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」의 각각을 파라미터 테이블(159)에 규정하고, 그것들의 파라미터값을 서로 다르게 해도 된다. 예를 들면, 박리 동작에 있어서 적용하는 순서로, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」을 나열하여 파라미터 테이블(159)에 규정한다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」(IT8)을 450ms로 하여, 길게 하고 있다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 마찬가지로, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격과, 중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격을 다르게 해도 되고, 그 경우에는, 각각의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(159)에 규정된다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상인 경우가 있고, 그 경우에는, 박리 동작에 있어서 외주측의 중간 환상 이동 요소(40)로부터 내주측의 중간 환상 이동 요소(41)를 향하여 차례로 강하시킨다. 이와 같이 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상 있을 경우에는, 중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(159)에 규정되어도 된다. 또한, 예를 들면, 픽업 동작을 개시한 시점(도 20의 시각(t1))으로부터, 주변 환상 이동 요소(31)(최초에 강하시키는 이동 요소(30))를 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키는 시점까지의 시간이 파라미터 테이블(159)에 규정되어도 된다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT8)을 1590ms로 하여, 길게 하고 있다. 그리고, 도 20에서는, 「픽업 시간」(PT8)이 1700ms로 되어, 길게 되어 있다.
다음에 레벨 1의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 1은 대단히 박리하기 쉬운 반도체 다이(15)에 설정할 레벨값이다. 도 21은 레벨 1의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 21의 레벨 1의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음의 것을 알 수 있다.
도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT1)을 100ms로 하여, 짧게 하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 해도, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 충분하게 박리된다. 이와 같이 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 함으로써, 박리 동작에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 1회(SSN1)로 줄이고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」가 1회이어도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리된다. 또한, 도 21에서는, 3개의 이동 요소(30)(주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45))의 선단면(38a, 38b, 47)을 동시에 제1 위치로부터 제2 위치 이하로 강하시키고 있고, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 3개 (DN1)로 증가하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시켜도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 바로 박리된다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40)를 동시에 강하시키고, 그 소정 시간 후에 주상 이동 요소(45)를 강하시키는 경우에는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 2개가 된다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(159)에서는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」와 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」의 2개의 박리 파라미터를 규정하고 있지만, 그것들 대신에, 상기한 「주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격」을 규정할 수 있다. 이 경우, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시키도록 하기 위해서는, 이것들의 강하 시간 간격의 1개 또는 2개 이상이 0으로 설정된다.
또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT1)을 460ms로 하여, 짧게 하고 있다. 그리고, 도 21에서는, 「픽업 시간」(PT1)이 570ms로, 짧게 되어 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 레벨값에 따라 각 박리 파라미터의 파라미터값을 다르게 하고 있고, 즉, 박리 동작(픽업 동작)을 다르게 하고 있다. 박리하기 어려운 반도체 다이(15)에는 레벨 8에 가까운 레벨값을 설정하여 박리 동작을 행함으로써, 픽업 시의 반도체 다이(15)의 파손이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 한편, 박리하기 쉬운 반도체 다이(15)에는 레벨 1에 가까운 레벨값을 설정하여 박리 동작을 행함으로써, 픽업을 단시간에 행할 수 있다. 또한, 복수의 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값이라고 할 수 있다.
<박리성의 검출 방법>
다음에 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성의 검출 방법에 대하여 설명한다. 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성은 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 흡인 공기 유량의 시간 변화(실제 유량 변화)로부터 검출할 수 있다.
도 22는 초기 박리 시의 개구 압력과 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 공기 리크량(흡인 공기 유량)의 시간 변화를 나타내는 도면으로, t1, t2, t3, t4의 각 타이밍의 의미는 도 18에 나타낸 그들 각 타이밍의 의미와 같다. 도 22의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 실선(157)은 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우(박리 용이도가 대단히 높을 경우)에 있어서의 공기 리크량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157)이며, 기대 유량 변화(157)는 미리 기억부(152)에 저장해 두는 것이다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장해 두는 기대 유량 변화(157)는 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 도 22의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 1점 쇄선(158a)과 2점 쇄선(158b)은 실제로 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 픽업할 때 검출되는 공기 리크량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)의 예이다. 실제 유량 변화(158)는 특정 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 기억부(152)에 저장된다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장되는 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)와 대비할 수 있는 형태이면 되고, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)와 마찬가지로, 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 또한, 실제 유량 변화를, 단지 「유량 변화」라고 할 수 있다. 또한, 실제 유량 변화를 「실제 유량 정보」라고 할 수 있고, 기대 유량 변화를 「기대 유량 정보」라고 할 수 있다.
반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지지(도 8 참조)만, 바로 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아온다(도 9 참조). 그 때문에, 도 22의 기대 유량 변화(157)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)부터 증가하기 시작하지만, 바로 감소로 바뀐다(시각(tr_exp)에서 감소로 바뀜). 기대 유량 변화(157)에서는, 증가하는 공기 리크량도 적다.
한편, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나쁠 경우(박리 용이도가 낮을 경우)에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지고, 어느 정도 시간이 지나고 나서, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아온다. 그 때문에, 도 22의 실제 유량 변화(158a)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)부터 증가하기 시작하고, 증가를 계속한 후, 시각(tr_exp)보다도 느린 시각(tr_rel)에서 감소로 바뀐다. 또한, 실제 유량 변화(158a)에서는, 증가하는 공기 리크량이 많다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 대단히 나쁠 경우(박리 용이도가 대단히 낮을 경우)에는, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진 후, 어느 정도 시간이 경과해도, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아오지 않는다. 그 때문에, 도 22의 실제 유량 변화(158b)와 같이, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각(tc_end)에서도, 공기 리크량은 큰 상태 그대로이다.
이와 같이, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나빠질수록, 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)로부터 괴리된다. 그래서, 실제 유량 변화(158)를 기대 유량 변화(157)와 비교하여, 실제 유량 변화(158)가 기대 유량 변화(157)에 유사해 있을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 또는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관이 강할수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 본 실시형태에서는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하여, 그것들의 상관값을 구한다. 상관값은 0∼1.0의 값이며, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)가 완전히 일치할 때 1.0으로 하고, 0으로부터 1.0에 근접할수록 박리 용이도가 높다고 판단한다. 또한, 본 실시형태에서는, 상관값이 취하는 값의 범위를 0∼1.0로 하지만, 그것 이외이어도 되는 것은 말할 필요도 없다.
실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하는 기간은, 예를 들면, 초기 박리 기간의 일부인 도 22의 시각(t1)(콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하기 시작한 시각)∼시각(tc_end)(최초에 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각)으로 한다. 또는, 비교하는 기간은 초기 박리의 기간의 일부인 시각(t3)(개구 압력이 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작한 시각)∼tc_end의 기간이어도 된다. 또한, 대비하는 기간은 그 밖의 기간이어도 되지만, 상기한 레벨값을 변경해도 박리 동작이 변경되지 않는 기간인 방법이 바람직하다. 이렇게 하면, 기대 유량 변화(157)를 1 패턴만 기억부(152)에 저장하면 되어, 레벨값마다의 기대 유량 변화(157)의 패턴을 기억부(152)에 저장해둘 필요가 없다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성으로서 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)와의 상관값 이외를 구해도 된다. 예를 들면, 도 22의 시각(tc_end)에 있어서의 기대 유량 변화(157)의 값과, 동시각에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값과의 차이가 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_exp)과, 실제 유량 변화(158)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_rel)과의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다. 또, 예를 들면, 도 22의 시각(t3) 이후에 검출되는 기대 유량 변화(157)의 공기 리크 유량의 최대값과, 동시간 이후에 검출되는 실제 유량 변화(158)의 공기 리크 유량의 최대값과의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 기대 유량 변화(157)를 사용하지 않고 검출하는 것도 생각할 수 있다. 예를 들면, 도 22의 시각(tc_end)에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값이 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 실제 유량 변화(158)에 기초하여 얻어진, 상기의 상관값, 또는, 그것을 대신하는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 나타내는 지표값을 「평가값」이라고 해도 된다.
<박리성에 기초하는 레벨 천이>
다음에, 픽업 시에 적용하는 레벨값(파라미터 테이블(159)의 레벨값)의 천이에 대하여 설명한다. 이후 설명한 바와 같이, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 1개 또는 복수의 특정 반도체 다이(15)를 픽업할 때 실제 유량 변화(158)를 취득하고, 취득된 1개 또는 복수의 실제 유량 변화(158)의 각각에 기초하여, 특정 반도체 다이(15)의 각각의 상기한 상관값을 구하고, 1개 또는 복수의 상관값에 기초하여, 특정 반도체 다이(15)를 픽업한 후의 다른 반도체 다이(15)의 픽업 시에 적용하는 레벨값을 변경한다.
예를 들면, 동종의 다이싱 시트(12)로부터 동종의 반도체 다이(15)를 계속해서 픽업하고 있어도, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 변화되어 가는 경우가 있다. 박리성의 변화에 맞추고, 픽업 시에 적용하는 레벨값을 천이시킴으로써, 박리성이 나쁘게(박리 용이도가 낮게) 변화되어도, 반도체 다이(15)를 손상시키지 않고 안정하게 픽업할 수 있고, 한편으로, 박리성이 좋게(박리 용이도가 높게) 변화되었을 경우에는 픽업을 보다 단시간에 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 예를 들면, 반도체 다이(15)의 종류나, 다이싱 시트(12)의 종류 등이 변경이 되어, 픽업에 최적의 레벨값이 불분명한 경우가 있다. 이러한 경우에는, 우선은, 픽업을 가장 안정하게 행할 수 있는 파라미터 테이블(159)의 레벨 8(도 19 참조)을 적용하여 픽업을 행하고, 특정 반도체 다이(15)의 상관값에 기초하여 서서히 레벨값을, 레벨 1(최고속)을 향하여 천이시켜 간다. 이것에 의해, 최적의 레벨값이 탐색되어, 안정과 고속의 밸런스가 잡힌 최적의 픽업을 실현할 수 있다.
다음에 구체적인 레벨값의 천이 제어에 대하여 설명한다. 도 23은 본 실시형태에 있어서의 레벨 천이 제어의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 이 실시형태에서는, 모든 반도체 다이(15)를 특정 반도체 다이(15)로서 취급하여, 1매 또는 복수매의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 레벨값을 천이시키는 기회가 있다. 레벨값의 천이는, 현재의 픽업에 적용하고 있는 레벨값(현재 레벨값)으로부터 1개 이웃의 레벨값으로의 천이(도 25 참조)와, 천이 장소의 레벨값을 한정하지 않는 것(도 26 참조)이 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.
우선, 제어부(150)는 최초에 픽업을 할 때 적용하는 레벨값(현재 레벨(161))을 설정하고, 기억부(152)에 저장한다. 여기에서는, 현재 레벨값(161)은 도 19의 파라미터 테이블(159)의 레벨 4로 설정한다. 또한, 이 설정과, 도 23의 플로차트의 각 스텝은 제어부(150)가 설정 수단으로서 기능하여 행한다. 단, 반도체 다이(15)의 픽업 동작의 제어는 제어부(150)가 픽업 제어 수단으로서 기능하여 행한다. 도 23의 S100에서, 제어부(150)는 변수(n)를 0으로 초기화한다. 변수(n)는 픽업된 웨이퍼의 매수를 카운트하는 변수이다. 그리고, S102에서, 웨이퍼의 교환을 행하고, 새로운 웨이퍼의 반도체 다이(15)의 픽업의 준비를 한다. S104에서, 제어부(150)는, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이것은 현재 레벨값=4를 키로 하여, 파라미터 테이블(159)로부터 레벨 4의 각 박리 파라미터의 파라미터값을 읽어내고, 읽어낸 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이때, 유량 센서(106)에 의해 콜릿(18)의 흡인 공기 유량이 검출되고, 흡인 공기 유량은 제어부(150)에 입력된다. 제어부(150)(설정 수단)는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)를 취득하고, 기억부(152)에 저장한다(S1041).
그리고, S106에서, 제어부(150)는 실제 유량 변화(158)와, 미리 기억부(152)에 저장되어 있는 기대 유량 변화(157)과의 상관값(평가값)을 산출하고, 그 상관값을 기억부(152)에 저장한다. 그리고, S108에서, 제어부(150)는 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)의 픽업이 완료되었는지를 확인한다. 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)의 픽업이 완료되어 있지 않으면(S108: No), S104의 반도체 다이(15)의 픽업 및 S1041의 실제 유량 변화(158)의 취득과, S106의 상관값의 산출을 반복하여 행한다. 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)의 픽업이 완료되면(S108: Yes), S110으로 진행된다.
다음에 S110에서, 제어부(150)는 변수(n)에 1을 더한다(변수(n)를 인크리먼트 함). 그리고, S112에서, 제어부(150)는 변수(n)가 상수(Y) 이상인지를 확인한다. 상수(Y)는 1 이상의 정수이며, 웨이퍼의 매수를 규정하고 있다. S112에서, 제어부(150)는 픽업한 웨이퍼 매수(변수(n))가 상수(Y)로 나타내어진 웨이퍼 매수에 도달했는지를 확인한다. S112가 No의 경우에는, S102로 되돌아오고, S102∼S110을 반복하여 행한다. S112가 Yes의 경우에는, S114로 진행한다.
S114에서, 제어부(150)는 S106을 반복하여 실행함으로써 얻어진 복수의 반도체 다이(15)(특정 반도체 다이(15))의 상관값(평가값)으로부터, 그것들의 대표값인 대표 상관값(대표 다이 평가값)을 취득한다. 대표 상관값은, 예를 들면, 복수의 상관값의 평균값이나 중심값 등이지만, 그것들에 한정되지 않고, 공지의 통계적 처리를 사용하여 얻어지는 대표적인 값이면 된다.
다음에, S116에서, 제어부(150)는 S114에서 취득한 대표 상관값이 임계값(TH1)보다 작은지를 확인한다. 도 24는 임계값 테이블(160)의 일례이다. 임계값 테이블(160)은 미리 기억부(152)에 저장되어 있다. 임계값 테이블(160)은 레벨값마다 임계값(TH1, TH2)이 규정된 테이블이며, 각 레벨값이 상정하고 있는 반도체 다이(15)의 박리 용이도(상관값)의 범위를 규정하고 있다. 예를 들면, 현재 레벨값인 레벨 4는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리 용이도(상관값)가 0.81(임계값(TH1))∼0.85(임계값(TH2))에 있을 때에 사용해야 할 레벨값인 것을 나타내고 있고, 그 범위에 없을 경우에는, 다른 레벨값을 사용해야 하는 것을 나타내고 있다. 다른 레벨값의 임계값(TH1, TH2)도 마찬가지이며, 임계값(TH2)이 규정되어 있지 않은 레벨 1은 박리 용이도(상관값)가 0.96(임계값(TH1)) 이상일 때 사용해야 할 레벨값인 것을 나타내고 있고, 임계값(TH1)이 규정되어 있지 않은 레벨 8은 박리 용이도(상관값)가 0.65(임계값(TH2)) 이하일 때 사용해야 할 레벨값인 것을 나타내고 있다.
S116에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)인 레벨 4의 임계값(TH1)=0.81을 기억부(152)에 있는 임계값 테이블(160)로부터 읽어내고, 대표 상관값이 0.81(임계값(TH1))보다 작은지를 확인한다. 그리고, S116이 Yes의 경우에는, S120에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 1개 올려서(저속의 레벨값으로 변경하여), 레벨 5로 하고, 현재 레벨(161)=5를 기억부(152)에 저장한다. 이것은 도 25에 나타내는 레벨 천이도에 있어서의, 레벨 4로부터 레벨 5로의 천이이다. 그리고, S120의 후는, 다시, S100으로 돌아가 처리를 행한다. 이와 같이 대표 상관값이 레벨 4(현재 레벨값(161))의 임계값(TH1)보다 작을 경우에는, 실제의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 레벨 4에서 상정되는 박리 용이도보다도 낮기 때문에, 보다 저속의 레벨값으로 천이시켜, 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스를 억제한 픽업을 행한다.
한편, S116이 No의 경우에는, S118로 진행한다. S118에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)인 레벨 4의 임계값(TH2)=0.85를 기억부(152)에 있는 임계값 테이블(160)로부터 읽어내고, 대표 상관값이 0.85(임계값(TH2))보다 큰지를 확인한다. 그리고, S118이 Yes의 경우에는, S122에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 1개 내려(고속의 레벨값으로 변경하여), 레벨 3으로 하고, 현재 레벨값(161)=3을 기억부(152)에 저장한다. 이것은, 도 25에 나타내는 레벨 천이도에 있어서의, 레벨 4로부터 레벨 3으로의 천이이다. 그리고, S122의 후는, 다시, S100으로 돌아가 처리를 행한다. 이와 같이 대표 상관값이 레벨 4(현재 레벨값(161))의 임계값(TH2)보다 클 경우에는, 실제의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 레벨 4에서 상정되는 박리 용이도보다도 높기 때문에, 보다 고속의 레벨값으로 천이시켜, 반도체 다이(15)의 픽업 시간을 짧게 한다.
도 23의 S118이 No의 경우에는, 레벨값을 변경하지 않고, 다시, S100으로 돌아가서 처리를 행한다. 이 경우에는, 실제의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 레벨 4(현재 레벨값(161))에서 상정되는 박리 용이도의 범위에 있기 때문에, 계속해서 레벨 4의 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 픽업을 행한다. 제어부(150)는 이상에서 설명한 레벨 천이의 제어를 반복하여 행한다.
또한, 이상의 설명에서는, S116, S118의 각각에서, 대표 상관값과, 임계값 테이블(160)의 1개의 레벨값(현재 레벨값인 레벨 4)의 임계값(TH1, TH2)의 각각을 비교하여, S120에서 1개 레벨값을 올리거나(저속 레벨로 변경), 또는, S122에서 1개 레벨값을 내리거나(고속 레벨로 변경), 또는, 레벨값을 유지했다. 그러나, S116, S118의 각각에서, 대표 상관값과, 임계값 테이블(160)의 복수의 레벨값의 임계값(TH1, TH2)의 각각을 비교하여, S120에서 레벨값을 2레벨 이상 단번에 올리거나, 또는, S122에서 레벨값을 2레벨 이상 단번에 내리거나, 또는, 레벨값을 유지하도록 해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, 현재 레벨값=4의 경우에, S116에서, 제어부(150)는 대표 상관값과, 도 24의 임계값 테이블(160)의 레벨 4, 5, 6, 7의 각각의 임계값(TH1)을 비교하고, (대표 상관값<TH1)의 조건을 충족시키는 레벨값 중 가장 큰 레벨값을 취득한다. 예를 들면, 대표 상관값이 0.70이면, (대표 상관값<TH1)의 조건을 충족시키는 레벨값 중 가장 큰 레벨값인 레벨 6이 취득된다. 그리고, S120에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 S116에서 취득한 레벨값=6의 1개 위의 레벨값인 레벨 7로 천이시킨다. 이것은, 도 26에 나타내는 레벨 천이도에 있어서의, 레벨 4로부터 레벨 7로의 천이이다. 또한, 도 26의 레벨 천이도에서는, 레벨 4로부터 다른 레벨값으로의 천이를 나타내는 선만이 그려져 있고, 다른 레벨값으로부터, 당해 다른 레벨값 이외의 레벨값으로 천이하는 선은 생략되어 있다. 또한, 마찬가지로, 예를 들면, 현재 레벨값(161)=4의 경우에, S118에서, 제어부(150)는 대표 상관값과, 도 24의 임계값 테이블(160)의 레벨 4, 3, 2의 각각의 임계값(TH2)을 비교하여, (대표 상관값>TH2)의 조건을 충족시키는 레벨값 중 가장 작은 레벨값을 취득한다. 예를 들면, 대표 상관값이 0.92이면, (대표 상관값>TH2)의 조건을 충족시키는 레벨값 중 가장 작은 레벨값으로서, 레벨 3이 취득된다. 그리고, S122에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 S118에서 취득한 레벨값=3의 1개 아래의 레벨값인 레벨 2로 천이시킨다. 이것은, 도 26에 나타내는 레벨 천이도에 있어서의, 레벨 4로부터 레벨 2로의 천이이다. 이와 같이, 레벨값을 2레벨 이상 단번에 올리거나, 또는, 2레벨 이상 단번에 내리는 것을 가능하게 하면, 픽업에 최적인 레벨값에 보다 빨리 도달할 수 있다.
<작용 효과>
다음에 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)의 작용 효과에 대하여 설명한다. 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)에 의하면, 스테이지(20)의 흡착면(22)에 설치된 개구(23)의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 것을 포함하는 반도체 다이(15)의 박리 동작을 적용함으로써, 픽업 시의 반도체 다이(15)의 손상이나, 픽업 미스를 적확하게 억제할 수 있다.
또한, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 특정 반도체 다이(15)(도 23의 플로우에서는 1매 또는 복수매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15))를 픽업할 때 콜릿(18)의 흡인 공기 유량의 시간 변화(실제로 유량 변화158)를 취득한다. 그리고, 취득한 실제 유량 변화(158)에 기초하여, 특정 반도체 다이(15)를 픽업한 후의 다른 반도체 다이(15)를 픽업할 때 적용하는 레벨값을 변경한다. 즉, 다른 반도체 다이(15)를 픽업할 때 적용하는 박리 동작(각 박리 파라미터의 파라미터값(픽업 파라미터))을 변경한다. 따라서, 예를 들면, 반도체 다이(15)를 계속해서 픽업하고 있을 경우에, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 변화되었을 때, 박리성의 변화에 맞추어, 박리 동작(픽업 동작)이 변경된다. 박리성이 나쁘게(박리 용이도가 낮게) 변화되었을 경우에는, 박리를 보다 촉진하는 박리 동작으로 변경되기 때문에, 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스를 적확하게 억제할 수 있다. 한편으로, 박리성이 좋게(박리 용이도가 높게) 변화되었을 경우에는, 보다 짧은 박리 동작으로 변경되기 때문에, 픽업 시간을 단축할 수 있다. 이와 같이, 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스의 억제와, 반도체 다이(15)의 픽업의 고속화와의 균형을 적정하게 할 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 콜릿(18)의 흡인 공기 유량을 확인하면서, 현재 픽업하려고 하고 있는 반도체 다이(15)의 박리 동작을 리얼타임으로 변경해 가는 경우에 비해 압도적으로 유리하다.
우선, 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 경우에는, (1) 흡인 공기 유량의 검출, (2) 검출 결과로부터 박리 동작을 변경할지의 판정, (3) 판정 결과로부터 박리 동작을 변경하거나, 혹은, 변경하지 않고 동작을 앞으로 진행시킨다고 하는 일련의 처리가 1개의 반도체 다이(15)의 픽업 시에 몇 번이나 반복된다. 상기 (2)의 판정이 완료하지 않으면, 상기 (3)으로는 진행시키지 않기(동작은 앞으로 진행시키지 않기) 때문에, 픽업에 지연이 생길 우려가 있다. 반도체 다이(15)의 픽업은, 예를 들면, 몇 백만개로 실행되기 때문에, 반도체 다이(15)의 1개당 픽업의 지연은 최종적으로는 방대한 지연이 되어 버린다. 한편, 이상에서 설명한 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 픽업 시에 흡인 공기 유량을 검출하지만, 그것은 이후의 반도체 다이(15)의 픽업을 위해 사용되는 것이며, 현재의 픽업 동작에는 아무런 영향을 주지 않는다. 즉, 픽업 동작 중에 상기 (2), (3)가 없어, 판정이 완료되지 않으면 동작이 앞으로 진행되지 않는다고 하는 일이 없다. 따라서, 픽업 동작이 대단히 고속으로 될 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)에서는, 예를 들면, 제어부(150)에 복수의 CPU(151)를 설치하여, 어떤 CPU(151)에서는 픽업 동작의 제어를 행하고, 다른 CPU(151)에서는, 동시에 (백그라운드에서), 실제 유량 변화(158)의 취득, 실제 유량 변화(158)로부터의 상관값의 산출, 상관값으로부터의 이후의 반도체 다이의 레벨값의 취득을 행하는 것이 가능하여, 더한층의 고속화가 가능하다.
또한, 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 경우에는, 픽업 동작 중에 상기 (1)∼(3)을 행하므로, 제어가 대단히 복잡하게 되어 버린다. 한편, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 제어를 대단히 간소하게 할 수 있다.
또한, 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 경우에는, 오퍼레이터가 반도체 다이(15)마다, 어떤 박리 동작을 적용하여 픽업이 행해졌는지를 파악하는 것이 대단히 어렵다. 한편, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 픽업 동작 중에 박리 동작을 변경하지 않으므로, 각 반도체 다이(15)에 대하여 어떤 박리 동작을 적용하여 픽업이 행해졌는지를 파악하는 것이 대단히 용이하다. 이 파악은 매우 중요하다. 예를 들면, 박리 파라미터의 1개인 개구 압력의 변환 횟수를 많게 하면, 박리하기 어려운 경우에도, 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)로부터 충분하게 박리되어, 반도체 다이(15)의 손상의 발생이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 한편으로, 개구 압력의 변환 횟수를 많게 함으로써, 반도체 다이(15)가 몇 번이나 굽힘 변형될 가능성이 있어, 반도체 다이(15)에 대한 데미지가 커질 가능성 있다. 이러한 반도체 다이(15)에 대해서는, 예를 들면, 크랙 검사를 적극적으로 행하는 편이 바람직하다. 즉, 각 반도체 다이(15)에 적용된 박리 동작을 파악하여, 각 반도체 다이(15)의 품질관리를 행하는 것이 바람직하다. 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 이 품질관리를 대단히 용이하게 행할 수 있다.
또한, 이상에서는, 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 경우에 대한, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)의 이점을 말했지만, 이것은 본 발명으로부터 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 실시형태를 배제하는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)에 있어서, 콜릿(18)의 흡인 공기 유량을 확인하면서, 현재 픽업하려고 하고 있는 반도체 다이(15)의 박리 동작을 리얼타임으로 변경하도록 해도 된다. 예를 들면, 현재 픽업하려고 하고 있는 반도체 다이(15)에 있어서, 초기 박리 시에 취득된 실제 유량 변화(158)에 기초하여 본박리 시의 박리 동작을 변경하도록 해도 된다.
<박리 파라미터의 종류마다의 레벨값>
다음에 박리 파라미터의 종류마다 레벨값을 마련하는 경우에 대하여 설명한다. 이상에서 설명한 도 19의 파라미터 테이블(159)은 복수 종류의 박리 파라미터에 공통되어 사용되는 레벨값이 준비되어 있었다. 그러나, 도 27a, 도 27b에 도시하는 바와 같이, 박리 파라미터의 종류마다 파라미터 테이블(159a, 159b)이 준비되고, 박리 파라미터의 종류마다 레벨값이 준비되어도 된다. 도 27a의 파라미터 테이블(159a)에는, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」의 레벨(A-1∼A-8)이 규정되어 있고, 도 27b의 파라미터 테이블(159b)에는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」의 레벨(B-1∼B-8)이 규정되어 있다. 또한, 도시되어 있지 않지만, 다른 박리 파라미터에 대해서도, 개별적으로 동일한 파라미터 테이블을 준비한다. 그리고, 도 24에 나타낸 임계값 테이블(160)에 대해서도, 박리 파라미터의 종류마다 준비하고, 각 박리 파라미터의 레벨값에 대응한 임계값(TH1, TH2)을 규정해 둔다. 예를 들면, 도 27a의 레벨(A-1∼A-8)의 각각에 대응시켜, 도 24와 같은 임계값(TH1, TH2)의 각각을 규정한 임계값 테이블을 준비하고, 도 27b의 레벨(B-1∼B-8)의 각각에 대응시켜, 도 24와 같은 임계값(TH1, TH2)의 각각을 규정한 별도의 임계값 테이블을 준비해 둔다. 다른 박리 파라미터에 대해서도, 마찬가지로, 각각의 임계값 테이블을 준비해 둔다. 또한, 박리 파라미터의 종류마다, 현재 레벨값을 기억부(152)에 저장해 둔다.
그리고, 도 23의 플로우에 있어서, S104에서, 박리 파라미터의 종류마다의 현재 레벨값을 키로 하여, 박리 파라미터의 종류마다의 파라미터 테이블의 각각으로부터 파라미터값을 읽어 내고, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 예를 들면, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(A-1∼A-8 중 어느 하나의 레벨값)을 키로 하여, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 파라미터 테이블(159a)(도 27a)로부터, 당해 현재 레벨값에 대응하는 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」를 읽어 내고, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 마찬가지로, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(B-1∼B-8 중 어느 하나의 레벨값)을 키로 하여, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 파라미터 테이블(159b)(도 27b)로부터, 당해 현재 레벨값에 대응하는 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」를 읽어 내고, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다.
또한, 도 23의 플로차트에 있어서, 박리 파라미터의 종류마다 준비한 임계값 테이블과 박리 파라미터의 종류마다의 현재 레벨값을 사용하고, 박리 파라미터의 종류마다 S116, S118, S120, S122를 실행하고, 박리 파라미터의 종류마다의 현재 레벨값을 개별적으로 천이시킨다. 예를 들면, S116, 118에서, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(A-1∼A-8 중 어느 하나의 레벨값)과 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 임계값 테이블을 사용하여, 당해 현재 레벨값을 키로 하여 당해 임계값 테이블로부터 임계값(TH1, TH2)을 읽어 내고, 읽어 낸 임계값(TH1, TH2)의 각각과 대표 상관값의 비교를 행하고, 그 비교 결과에 따라, S120, 122에서, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(A-1∼A-8 중 어느 하나의 레벨값)을 다른 레벨값(A-1∼A-8 중 어느 하나의 레벨값)으로 천이시킨다. 마찬가지로, S116, 118에서, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(B-1∼B-8 중 어느 하나의 레벨값)과 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 임계값 테이블을 사용하여, 당해 현재 레벨값을 키로 하여 당해 임계값 테이블로부터 임계값(TH1, TH2)을 읽어 내고, 읽어 낸 임계값(TH1, TH2)의 각각과 대표 상관값과의 비교를 행하고, 그 비교 결과에 따라, S120, 122에서, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」에 대한 현재 레벨값(B-1∼B-8 중 어느 하나의 레벨값)을 다른 레벨(B-1∼B-8 중 어느 하나의 레벨값)로 천이시킨다. 다른 박리 파라미터에 대해서도 마찬가지이다.
이렇게 하면, 박리 파라미터의 종류마다 현재 레벨값이 관리되어, 박리 파라미터의 종류마다 저속 레벨, 또는 고속 레벨로 천이하기 때문에, 반도체 다이(15)의 박리성에 따라, 보다 다양한 박리 파라미터의 파라미터값의 조합으로, 반도체 다이(15)를 픽업할 수 있게 된다.
<다른 실시형태의 레벨 천이 제어>
다음에 다른 실시형태의 레벨 천이 제어에 대하여 설명한다. 도 28, 29는 다른 실시형태에 있어서의 레벨 천이 제어의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 이 실시형태에서도, 모든 반도체 다이(15)가 특정 반도체 다이(15)로 되어, 1매 또는 복수매의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 레벨값을 천이시키는 기회가 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.
우선, 제어부(150)는 최초에 픽업을 할 때 적용하는 레벨값(현재 레벨값(161))을 기억부(152)에 저장한다. 여기에서는, 현재 레벨값(161)을, 도 19의 파라미터 테이블(159)의 레벨 4로 설정한다. 또한, 이 설정과, 도 28, 29의 플로차트의 각 스텝은 제어부(150)가 설정 수단으로서 기능하여 행한다. 단, 반도체 다이(15)의 픽업 동작의 제어는 제어부(150)가 픽업 제어 수단으로서 기능하여 행한다. 도 28의 S200에서, 제어부(150)는 변수(n1, n2)를 0으로 초기화한다. 변수(n1, n2)는 웨이퍼 매수를 카운트하는 변수이다. 그리고, S202에서, 웨이퍼의 교환을 행하고, 새로운 웨이퍼의 반도체 다이(15)의 픽업의 준비를 한다. S204에서, 제어부(150)는 변수(m1, m2)를 0으로 초기화한다. 변수(m1)는 1매의 웨이퍼에 있어서 박리 곤란으로 검출된 반도체 다이(15)의 수(박리 곤란 검출수)를 카운트하는 변수이며, 변수(m2)는 1매의 웨이퍼에 있어서 박리 용이로 검출된 반도체 다이(15)의 수(박리 용이 검출수)를 카운트하는 변수이다.
다음에, S206에서, 제어부(150)는 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이것은 현재 레벨값=4를 키로 하여, 파라미터 테이블(159)로부터 각 박리 파라미터의 파라미터값을 읽어 내고, 읽어 낸 파라미터값을 적용하여 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이때, 유량 센서(106)에 의해 콜릿(18)의 흡인 공기 유량이 검출되고, 흡인 공기 유량은 제어부(150)에 입력된다. 제어부(150)(설정 수단)는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)를 취득하고, 기억부(152)에 저장한다(S2061). 그리고, S208에서, 제어부(150)는 실제 유량 변화(158)와, 미리 기억부(152)에 저장되어 있는 기대 유량 변화(157)와의 상관값(평가값)을 산출하고, 그 상관값을 기억부(152)에 저장한다.
그리고, S210에서, 제어부(150)는 S208에서 산출한 상관값이 임계값(TH1)(제12 소정값)보다 낮은지를 확인한다. 이 임계값(TH1)은 도 24에 나타내는 임계값 테이블(160)에 규정된 임계값(TH1)이며, 여기에서는 현재 레벨값(161)의 레벨 4의 임계값(TH1)=0.81을 사용한다. S210이 Yes이면, S212에서, 제어부(150)는 변수(m1)(박리 곤란 검출수)에 1을 더한다(변수(m1)를 인크리먼트 함). S210이 No이면, 제어부(150)는 S212를 실행하지 않고 S214로 진행한다.
S214에서, 제어부(150)는 S208에서 산출한 상관값이 임계값(TH2)(제11 소정값)보다 높은지를 확인한다. 이 임계값(TH2)은 도 24에 나타내는 임계값 테이블(160)에 규정된 임계값(TH2)이며, 여기에서는 현재 레벨값(161)의 레벨 4의 임계값(TH2)=0.85를 사용한다. S214가 Yes이면, S216에서, 제어부(150)는 변수(m2)(박리 용이 검출수)에 1을 더한다(변수(m2)를 인크리먼트 함). S214가 No이면, 제어부(150)는 S216을 실행하지 않고 S218로 진행한다.
S218에서, 제어부(150)는 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)의 픽업이 완료되었는지를 확인한다. 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)의 픽업이 완료되어 있지 않으면(S218: No), S206∼S216을 반복하여 행하고, 완료되어 있으면(S218: Yes), 도 29의 S220로 진행한다.
도 29의 S220에서, 제어부(150)는 변수(m1)(박리 곤란 검출수)가 상수(Q)보다 많은지를 확인한다. 상수(Q)는 0 이상의 정수이다. S220이 Yes의 경우에는, S224에서, 제어부(150)는 변수(n2)를 0으로 초기화한다. 그리고, S226에서, 제어부(150)는 변수(n1)에 1을 더한다(변수(n1)를 인크리먼트 함). 이와 같이, 변수(n1)는 S220의 조건을 충족시킨 웨이퍼 매수를 카운트한다. 그리고, S228에서, 제어부(150)는 변수(n1)가 상수(Y1)보다 큰지 확인한다. 상수(Y1)는 0 이상의 정수이다. S228에서는, S220의 조건을 충족시킨 웨이퍼 매수(변수(n1))가 미리 정한 매수(상수(Y1))보다 많아졌는지를 확인한다. S228이 Yes이면, S230에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 1개 올려서(저속의 레벨값으로 변경하여), 레벨 5로 하고, 현재 레벨값=5를 기억부(152)에 저장한다. 그리고, S240에서 제어부(150)는 변수(n1, n2)를 0으로 초기화한다. 그리고, S240의 후는, 다시, 도 28의 S202로 돌아가서 처리를 반복하여 행한다. 이와 같이, S220의 조건(1매의 웨이퍼당의 박리 곤란 검출수(m1)가 상수(Q)보다 많음)을 충족시킨 웨이퍼 매수(변수(n1))가 미리 정한 매수(상수(Y1))보다 많아진 경우에는, 실제의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 레벨 4로 상정되는 박리 용이도보다도 낮다고 판단하고, 보다 저속의 레벨값으로 천이시켜, 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스를 억제한 픽업을 행한다. S228이 No의 경우에는, 레벨값을 변경하지 않고, 다시, 도 28의 S202로 돌아가서 처리를 반복하여 행한다.
한편, S220이 No의 경우에는, S222로 진행한다. S222에서, 제어부(150)는 변수(m2)(박리 용이 검출수)가 상수(P)보다 많은지를 확인한다. 상수(P)는 0 이상의 정수이다. S222가 Yes의 경우에는, S232에서, 제어부(150)는 변수(n1)를 0으로 초기화한다. 그리고, S234에서, 제어부(150)는 변수(n2)에 1을 더한다(변수(n2)를 인크리먼트 함). 이와 같이, 변수(n2)는 S222의 조건을 충족시킨 웨이퍼 매수를 카운트한다. 그리고, S236에서, 제어부(150)는 변수(n2)가 상수(Y2)보다 큰지 확인한다. 상수(Y2)는 0 이상의 정수이다. S236에서는, S222의 조건을 충족시킨 웨이퍼 매수(변수(n2))가 미리 정한 매수(상수(Y2))보다 많아졌는지를 확인한다. S236이 Yes이면, S238에서, 제어부(150)는 현재 레벨값(161)을 1개 내려(고속의 레벨값으로 변경하여), 레벨 3으로 하고 현재 레벨값=3을 기억부(152)에 저장한다. 그리고, S240에서, 제어부(150)는 변수(n1, n2)를 0으로 초기화한다. 그리고, S240의 후는, 다시, 도 28의 S202로 돌아가서 처리를 반복하여 행한다. 이와 같이, S222의 조건(1매의 웨이퍼당의 박리 용이 검출수(m2)가 상수(P)보다 많음)을 충족시킨 웨이퍼 매수(변수(n2))가 미리 정한 매수(상수(Y2))보다 많아진 경우에는, 실제의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 레벨 4(현재 레벨값)에서 상정되는 박리 용이도보다도 높다고 판단하고, 보다 고속의 레벨값으로 천이시켜, 반도체 다이(15)의 픽업 시간을 짧게 한다. S222가 No의 경우, 및 S236이 No의 경우에는, 레벨값을 변경하지 않고, 다시, 도 28의 S202로 돌아가서 처리를 반복하여 행한다.
이상에서 설명한 실시형태에서도, 반도체 다이(15)를 픽업할 때의 반도체 다이(15)의 손상을 적확하게 억제할 수 있고, 또한, 복수의 반도체 다이(15)를 계속해서 픽업할 때, 반도체 다이(15)의 손상의 억제와, 반도체 다이(15)의 픽업의 고속화의 균형을 적정하게 할 수 있다.
<그 외>
이상에서 설명한 각 실시형태에서는, 모든 반도체 다이(15)에 대해 실제 유량 변화(158)를 취득했다. 즉, 모든 반도체 다이(15)를 특정 반도체 다이(15)로 했다. 그러나, 실제 유량 변화(158)를 취득하는 반도체 다이(15)(특정 반도체 다이(15))는 모든 반도체 다이(15)가 아니어도 된다. 예를 들면, 1매의 웨이퍼 속의 1개 또는 복수개의 반도체 다이(15)를 특정 반도체 다이(15)로 해도 된다.
또한, 이상에서 설명한 각 실시형태에서는, 1매 또는 복수매의 웨이퍼의 반도체 다이(15)가 픽업될 때마다, 레벨값을 천이시키는 기회가 주어졌다. 그러나, 레벨값을 천이시키는 기회는, 1개의 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 또는, 복수개의 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 주어져도 된다. 예를 들면, 다수의 반도체 다이(15)를 순차 픽업하고 있을 때, 반도체 다이(15)의 박리성의 변동(또는, 상정되는 변동)이 클수록, 레벨값을 천이시키는 기회를 빈번하게 부여한다.
또한, 이상에서 설명한 각 실시형태에서는, 특정 반도체 다이(15)(실제 유량 변화(158)를 취득한 반도체 다이(15))을 픽업한 직후의 반도체 다이(15)로부터, 새로운 레벨값을 적용하여 픽업을 행했다. 그러나, 특정 반도체 다이(15)를 픽업한 후, 소정 개수의 반도체 다이(15)의 픽업을 행하고, 그 후 새로운 레벨값을 적용하여 반도체 다이(15)의 픽업을 행해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「특정 반도체 다이(15)를 픽업한 후의 다른 반도체 다이(15)의 픽업」이란, 「특정 반도체 다이(15)를 픽업한 직후의 반도체 다이(15)의 픽업」만을 의미하는 것이 아니고, 상기한 바와 같은, 소정 개수의 반도체 다이(15)의 픽업을 사이에 끼운 후의 반도체 다이(15)의 픽업도 포함된다.
전술한 바와 같이 개구 압력의 변환 횟수를 많게 하여 픽업을 행한 반도체 다이(15)는 그 밖의 반도체 다이(15)에 비교하여 데미지가 클 가능성이 있다. 그래서, 반도체 다이(15)를 픽업할 때 개구 압력의 변환을 미리 정한 횟수 이상 행한 반도체 다이(15)를 크랙 검사 등의 대상으로 해도 된다. 예를 들면, 개구 압력의 변환을 미리 정한 횟수 이상 행한 반도체 다이(15)를, 콜릿(18)이 다른 반도체 다이(15)와는 다른 장소(검사 모듈, 크랙 검사를 행하는 검사부 등)로 반송하고, 검사 모듈 등에 의해 반도체 다이(15)에 균열이나, 휨이 없는지를 검사한다.
또한, 이상에서 설명한 각 실시형태에서는, 상관값(평가값)을 구하기 위한 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리에 있어서의 소정의 기간이었다. 그러나, 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리의 전체 기간, 또는, 본박리의 전체 기간, 또는, 본박리에 있어서의 소정의 기간, 또는, 초기 박리와 본박리를 합친 기간 등이어도 된다. 기대 유량 변화(157)는 실제 유량 변화(158)와 대비되는 기간만큼, 미리 기억부(152)에 저장해 둔다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하기 위한 지표로서, 실제 유량 변화와 기대 유량 변화와의 상관값을 구했다. 상관값은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬운 것을 나타내고 있어, 박리 용이도라고 할 수 있다. 한편, 1.0에서 상관값을 뺀 값(1.0-상관값)은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 어려운 것을 나타내고 있어, 박리 곤란도라고 할 수 있다. 반도체 다이(15)의 박리성의 지표(평가값)로서 상관값(박리 용이도) 대신에, 박리 곤란도를 사용할 수도 있다. 이상에서 설명한 실시형태에서는, 상관값(박리 용이도)과, 상관값이 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 도 24의 임계값 테이블(160)(낮은 레벨값일수록, 큰 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용했다. 그러나, 박리 곤란도(1.0-상관값)와, 박리 곤란도가 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 임계값 테이블(160)(낮은 레벨값일수록, 작은 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용해도 된다. 또한, 박리 용이도, 또는 박리 곤란도를 박리도라고 할 수도 있다.
또한, 이상에서 설명한 박리 동작에서는, 초기 박리 시 및 본박리 시에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 유지했다. 그러나, 초기 박리 시, 또는 본박리 시, 또는 초기 박리 시 및 본박리 시에, 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)과 대기압에 가까운 제4 압력(P4)의 사이에서 1회 또는 복수회 변환하도록 해도 된다. 박리 파라미터의 하나로서, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변경하는 횟수인 「흡착 압력의 변환 횟수」를 추가하고, 반도체 다이(15)의 박리성이 나쁠수록, 「흡착 압력의 변환 횟수」를 늘리고, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리를 촉진시키도록 해도 된다.
반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이의 픽업 장치라고 할 수도 있다. 또한, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 본딩 장치(본더, 본딩 시스템), 또는 다이본딩 장치(다이본더, 다이본딩 시스템)의 일부일 수 있고, 그것들의 명칭으로 부를 수도 있다.
<부기>
또한, 「과제를 해결하기 위한 수단」에 기재되어 있는 제1 소정값, 제3 소정값, 제5 소정값, 제7 소정값, 제9 소정값은 도 23의 플로차트의 S118에서 대표 상관값(대표 다이 평가값)과 비교되는 임계값(TH2)에 대응하고 있다. 마찬가지로, 「과제를 해결하기 위한 수단」에 기재되어 있는 제2 소정값, 제4 소정값, 제6 소정값, 제8 소정값, 제10 소정값은 도 23의 플로차트의 S116에서 대표 상관값(대표 다이 평가값)과 비교되는 임계값(TH1)에 대응하고 있다.
이상, 본 발명의 각 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 각 실시형태에 조금도 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 다양한 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
10 웨이퍼 홀더, 11 웨이퍼, 12 다이싱 시트, 12a 표면, 12b 이면, 13 링, 14 간극, 15 반도체 다이, 16 익스팬드 링, 17 링 누름부, 18 콜릿, 18a 표면, 19 흡인 구멍, 20 스테이지, 22 흡착면, 23 개구, 23a 내면, 24 기체부, 26 홈, 27 흡착 구멍, 30 이동 요소, 31 주변 환상 이동 요소, 33 외주면, 38a, 38b, 47 선단면, 40, 41 중간 환상 이동 요소, 45 주상 이동 요소, 80 개구 압력 변환 기구, 81, 91, 101 3방향 밸브, 82, 92, 102 구동부, 83-85, 93-95, 103-105 배관, 90 흡착 압력 변환 기구, 100 흡인 기구, 106 유량 센서, 110 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부, 120 스테이지 상하 방향 구동부, 130 콜릿 구동부, 140 진공 장치, 150 제어부, 151 CPU, 152 기억부, 153 기기·센서 인터페이스, 154 데이터 버스, 155 제어 프로그램, 156 제어 데이터, 157 기대 유량 변화, 158, 158a, 158b 실제 유량 변화, 159, 159a, 159b 파라미터 테이블, 160 임계값 테이블, 161 현재 레벨값, 300 단차면 형성 기구, 400 단차면 형성 기구 구동부, 500 반도체 다이의 픽업 시스템, 600 픽업 제어 수단(제어 수단), 602 설정 수단.

Claims (21)

  1. 다이싱 시트의 표면에 붙여진 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템으로서,
    반도체 다이를 흡착하는 콜릿과,
    상기 콜릿에 접속되어, 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와,
    상기 흡인 기구가 흡인하는 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와,
    상기 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와,
    상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구와,
    반도체 다이를 픽업할 때 상기 개구 압력의 변환 횟수를 포함하는 픽업 파라미터를 설정하는 설정 수단
    을 갖추고,
    상기 설정 수단은
    반도체 다이를 픽업할 때, 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화인 유량 변화를 취득하고, 상기 유량 변화에 기초하여, 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 박리하는 박리성을 평가한 평가값을 산출하고,
    상기 평가값에 기초하여, 상기 반도체 다이를 픽업한 후의 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 픽업 파라미터를 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 설정 수단은
    상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 개구 압력을 상기 제1 압력으로 유지하는 시간을 상기 평가값에 기초하여 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제1 위치와 상기 제1 위치보다 낮은 제2 위치의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 더 갖추고,
    반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 상기 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 차례로, 또는 소정의 상기 이동 요소의 조합으로 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고,
    상기 설정 수단은
    상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 소정 시간을 상기 평가값에 기초하여 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 설정 수단은
    상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 상기 이동 요소의 수를 상기 평가값에 기초하여 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  5. 제3항에 있어서,
    반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하여 상기 개구에서 흡인된 상기 다이싱 시트를 반도체 다이로부터 박리시키는 초기 박리를 행하고,
    상기 유량 변화는 상기 초기 박리 시의 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 변환 횟수는 상기 초기 박리 시의 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하는 횟수인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 설정 수단은
    상기 다른 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 박리할 때의 상기 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 상기 평가값에 기초하여 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반도체 다이가 양호하게 상기 다이싱 시트로부터 픽업된 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화인 기대 유량 변화를 기억하는 기억부를 갖추고,
    상기 설정 수단은
    상기 평가값을 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 유량 변화와 상기 기대 유량 변화의 사이의 상관값에 기초하여 구하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반도체 다이의 크랙 검사를 행하는 검사부를 더 갖추고,
    반도체 다이를 픽업할 때 상기 변환을 미리 정한 횟수 이상 행한 반도체 다이를 크랙 검사의 대상으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 설정 수단은
    1매 또는 복수매의 웨이퍼를 구성하는 반도체 다이의 상기 유량 변화를 취득하고, 각각의 상기 유량 변화에 기초하여 상기 평가값을 구하고,
    복수의 상기 평가값에 기초하여 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 픽업 파라미터를 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 레벨값의 각각에 대응시켜진 상기 픽업 파라미터의 파라미터값의 테이블과,
    현재 적용하고 있는 상기 픽업 파라미터의 파라미터값의 레벨값인 현재 레벨값를 기억하는 기억부를 갖추고,
    상기 현재 레벨값을 키로 하여 상기 테이블로부터 상기 픽업 파라미터의 파라미터값을 읽어 내고, 당해 픽업 파라미터의 파라미터값을 적용하여 반도체 다이를 픽업하고,
    상기 설정 수단은
    상기 평가값에 기초하여, 상기 현재 레벨값을 다른 레벨값으로 천이시킴으로써, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때의 상기 픽업 파라미터의 파라미터값을 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고,
    상기 대표 다이 평가값이 제1 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 변환 횟수에 비해, 상기 변환 횟수를 적게 하고,
    상기 대표 다이 평가값이 상기 제1 소정값보다 낮은 값인 제2 소정값보다 낮은 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 변환 횟수에 비해, 상기 변환 횟수를 많게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고,
    상기 대표 다이 평가값이 제3 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 개구 압력을 상기 제1 압력으로 유지한 시간에 비해, 당해 시간을 짧게 하고,
    상기 대표 다이 평가값이 상기 제3 소정값보다 낮은 값인 제4 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 개구 압력을 상기 제1 압력으로 유지한 시간에 비해, 당해 시간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고,
    상기 대표 다이 평가값이 제5 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 소정 시간에 비해, 상기 소정 시간을 짧게 하고,
    상기 대표 다이 평가값이 상기 제5 소정값보다 낮은 값인 제6 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 소정 시간에 비해, 상기 소정 시간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  15. 제4항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고,
    상기 대표 다이 평가값이 제7 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시킨 상기 이동 요소의 수에 비해, 당해 이동 요소의 수를 많게 하고,
    상기 대표 다이 평가값이 상기 제7 소정값보다 낮은 값인 제8 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시킨 상기 이동 요소의 수에 비해, 당해 이동 요소의 수를 적게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  16. 제7항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값으로부터, 그것들의 대표값인 대표 다이 평가값을 구하고,
    상기 대표 다이 평가값이 제9 소정값보다 높을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 대기 시간에 비해, 상기 대기 시간을 짧게 하고,
    상기 대표 다이 평가값이 상기 제9 소정값보다 낮은 값인 제10 소정값보다 낮을 경우에는, 상기 다른 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 특정 반도체 다이를 픽업했을 때의 상기 대기 시간에 비해, 상기 대기 시간을 길게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 상기 제11 소정값보다 높은 상기 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고,
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 상기 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 상기 제12 소정값보다 낮은 상기 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고,
    상기 박리 용이 검출수와 상기 박리 곤란 검출수에 기초하여, 상기 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 변환 횟수를 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  18. 제2항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 상기 제11 소정값보다 높은 상기 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고,
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 상기 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 상기 제12 소정값보다 낮은 상기 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고,
    상기 박리 용이 검출수와 상기 박리 곤란 검출수에 기초하여, 상기 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 개구 압력을 상기 제1 압력에 유지하는 시간을 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  19. 제3항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 상기 제11 소정값보다 높은 상기 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고,
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 상기 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 상기 제12 소정값보다 낮은 상기 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고,
    상기 박리 용이 검출수와 상기 박리 곤란 검출수에 기초하여, 상기 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 소정 시간을 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  20. 제4항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 상기 제11 소정값보다 높은 상기 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고,
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 상기 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 상기 제12 소정값보다 낮은 상기 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고,
    상기 박리 용이 검출수와 상기 박리 곤란 검출수에 기초하여, 상기 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 이동 요소의 수를 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  21. 제7항에 있어서,
    상기 평가값을 산출하는 반도체 다이는 특정 반도체 다이이며,
    상기 설정 수단은
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 제11 소정값과 비교하여, 상기 제11 소정값보다 높은 상기 평가값의 수인 박리 용이 검출수를 구하고,
    1개 또는 복수의 상기 특정 반도체 다이의 상기 평가값의 각각을 상기 제11 소정값보다 낮은 값인 제12 소정값과 비교하여, 상기 제12 소정값보다 낮은 상기 평가값의 수인 박리 곤란 검출수를 구하고,
    상기 박리 용이 검출수와 상기 박리 곤란 검출수에 기초하여, 상기 특정 반도체 다이를 픽업한 후의 상기 다른 반도체 다이의 픽업 시의 상기 대기 시간을 변경하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
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