KR20200124735A - 반도체 다이의 픽업 시스템 - Google Patents

반도체 다이의 픽업 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20200124735A
KR20200124735A KR1020207027930A KR20207027930A KR20200124735A KR 20200124735 A KR20200124735 A KR 20200124735A KR 1020207027930 A KR1020207027930 A KR 1020207027930A KR 20207027930 A KR20207027930 A KR 20207027930A KR 20200124735 A KR20200124735 A KR 20200124735A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor die
pickup
pressure
time
peeling
Prior art date
Application number
KR1020207027930A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102424153B1 (ko
Inventor
쿠니히코 마즈메
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20200124735A publication Critical patent/KR20200124735A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102424153B1 publication Critical patent/KR102424153B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

반도체 다이(15)를 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 픽업 시에 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어하는 제어부(150)와, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)와 미리 규정된 복수 종류의 박리 동작 중 어느 하나를 대응시킨 대응 관계(레벨 테이블(159), 파라미터 테이블(160))를 기억하는 기억부(152)를 갖춘다. 제어부(150)는 상기 대응 관계를 기억부(152)로부터 읽어 내고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때 반도체 다이(15)마다 대응시켜진 박리 동작에 따라 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하여 픽업을 행한다. 이것에 의해, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이의 픽업을 행할 수 있다.

Description

반도체 다이의 픽업 시스템
본 발명은 본딩 장치(본딩 시스템)에 사용하는 반도체 다이의 픽업 시스템에 관한 것이다.
반도체 다이는 6인치나 8인치 크기의 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하여 제조된다. 절단 시에는 절단한 반도체 다이가 뿔뿔이 흩어지지 않도록, 이면에 다이싱 시트를 붙이고, 표면측에서 다이싱 소어 등에 의해 웨이퍼를 절단한다. 이때, 이면에 붙여진 다이싱 시트는 약간 깊게 베어지지만 절단되지 않고 각 반도체 다이를 유지한 상태로 되어 있다. 그리고 절단된 각 반도체 다이는 하나씩 다이싱 시트로부터 픽업되어 다이본딩 등의 다음 공정으로 보내진다.
다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하는 방법으로서는, 원판 형상의 흡착 피스의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 흡착 피스의 중앙부에 배치된 밀어올림 블록으로 반도체 다이를 밀어올림과 아울러, 콜릿을 상승시키고, 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 방법이 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 1의 도 9 또는 23 참조). 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리 시킬 때는, 우선, 반도체 다이의 주변부를 박리시키고, 다음에 반도체 다이의 중앙부를 박리시키도록 하는 것이 효과적이므로, 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래기술에서는, 밀어올림 블록을 반도체 다이의 주위의 부분을 밀어올리는 것과 반도체 다이의 중앙을 밀어올리는 것과, 그 중간을 밀어올리는 것의 3개로 나누고, 최초에 3개의 블록을 소정의 높이까지 상승시킨 후, 중간과 중앙의 블록을 주변의 블록보다도 높게 상승시키고, 최후에 중앙의 블록을 중간의 블록보다도 높게 상승시키는 방법을 취하고 있다.
또한, 원판 형상의 이젝터 캡의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 콜릿 및 주변, 중간, 중앙의 각 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다 높은 소정의 높이까지 상승시킨 후, 콜릿의 높이를 그대로의 높이로 하고, 주위의 밀어올림 블록, 중간의 밀어올림 블록의 순으로 밀어올림 블록을 이젝터 캡 표면보다도 아래의 위치까지 강하시켜 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리하는 방법도 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1, 2에 기재된 방법으로 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리시키는 경우, 특허문헌 1의 도 40, 42, 44, 특허문헌 2의 도 4a 또는 4d 도 5a 또는 5d에 기재되어 있는 바와 같이, 반도체 다이가 박리되기 전에, 반도체 다이가 다이싱 시트에 붙여진 채 다이싱 시트와 함께 굽힘 변형되는 경우가 있다. 반도체 다이가 굽힘 변형된 상태에서 다이싱 시트의 박리 동작을 계속하면, 반도체 다이가 파손되어 버리는 경우가 있으므로, 특허문헌 1의 도 31에 기재되어 있는 바와 같이, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡을 검출하고, 특허문헌 1의 도 43에 기재되어 있는 바와 같이, 흡기 유량이 검출된 경우에는, 반도체 다이가 변형되었다고 판단하고 밀어올림 블록을 일단 강하시킨 후, 다시 밀어올림 블록을 상승시키는 방법이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 3에도, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡(휨)을 검출(판별)하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 제4945339호 공보 미국 특허 제8092645호 명세서 일본 특허 제5813432호 공보
최근, 반도체 다이는 대단히 얇아지고 있고, 예를 들면, 20㎛ 정도의 것도 있다. 한편, 다이싱 시트의 두께는 100㎛ 정도이므로, 다이싱 시트의 두께는 반도체 다이의 두께의 4∼5배나 되고 있다. 이러한 얇은 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리시키려고 하면, 다이싱 시트의 변형에 추종한 반도체 다이의 변형이 보다 현저하게 발생하기 쉽다. 특허문헌 1에 의하면, 반도체 다이의 만곡을 검출하여 박리 동작을 변경하기 때문에, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업할 때 반도체 다이의 손상을 억제할 수 있을 가능성이 있다.
그러나, 픽업을 행하고 있는 반도체 다이의 만곡을 검출하면서 박리 동작을 변경해 가기(리얼타임으로 변경해 가기) 때문에, 픽업의 제어가 대단히 복잡해져 버린다. 반도체 다이의 만곡의 검출, 검출 결과로부터 박리 동작을 변경할지 판정, 판정 결과로부터 박리 동작을 변경하거나, 또는, 변경하지 않고 동작을 앞으로 진행시킨다고 하는 일련의 처리가 몇 번이나 되풀이되기 때문에, 박리 동작에 드는 시간이 길어져 버리는 것도 염려된다. 그래서, 실제로는, 이러한 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 것은 행하지 않고, 가장 박리하기 어려운 반도체 다이를 상정한 박리 동작을, 모든 반도체 다이에 일률적으로 적용하고 있는 경우가 많다. 그러나, 이 경우에는, 본래, 간이화된 단시간의 박리 동작을 적용할 수 있는 박리하기 쉬운 반도체 다이에 대해서도, 장시간의 박리 동작을 적용하게 되어, 픽업이 저속으로 되고 있다. 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이마다, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업 고속화와의 균형을 적정하게 하는 것이 요망되고 있다.
그런데, 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이의 위치에 따라, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리성이 변화하는 경우가 있다. 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 중심 부근의 반도체 다이로부터 외주 부근의 반도체 다이를 향하여, 박리성(박리하기 쉬움 또는 박리하기 어려움)이 서서히 변화되어 가는 경우가 있다. 또는, 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 특정 영역의 반도체 다이의 박리성이 다른 영역의 반도체 다이의 박리성과 크게 상이한 경우가 있다. 이러한 웨이퍼의 반도체 다이의 위치에 따른 박리성의 경향은 연속하여 픽업을 행하는 복수의 웨이퍼에서 공통되고 있는 경우가 많다. 복수의 웨이퍼의 반도체 다이를 연속하여 픽업할 때, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이에는, 단시간의 박리 동작을 적용함으로써, 픽업을 고속화할 수 있다. 반도체 다이의 위치의 각각의 박리성에 따라, 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업 고속화와의 균형을 적정하게 할 수 있다. 이것들을 실현하기 위해, 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악하기 위한 기구가 필요한 것으로 되어 있다. 또한, 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악한 후에, 또는, 사전에 파악할 수 있는 경우에, 웨이퍼의 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하기 위한 기구가 필요한 것으로 되어 있다.
본 발명은 각 반도체 다이에 적합한 박리 동작(픽업 동작)을 적용하여, 각 반도체 다이의 픽업을 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. 또는, 본 발명은 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템은 웨이퍼를 다이싱한 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하여 픽업하는 픽업 시스템으로서, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하기 위한 픽업 조건에 기초하여, 픽업 동작을 제어하는 제어 수단과, 복수의 픽업 조건 중 어느 하나의 픽업 조건과, 반도체 다이의 개별 정보를 대응시킨 대응 정보를 생성하는 생성 수단을 갖추고, 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 반도체 다이마다 대응시켜진 상기 대응 정보에 따라 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 생성 수단은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 복수의 픽업 조건의 식별자인 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블과, 복수의 레벨값 중 어느 하나와, 픽업 조건 중 어느 하나를 대응시킨 조건 테이블을 생성하고, 상기 대응 정보는 레벨 테이블 및 조건 테이블에 의해 정해지는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 복수의 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값인 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 화면을 표시하는 표시부와, 표시 제어 수단을 갖추고, 표시 제어 수단은, 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고, 맵 화상에서, 레벨값이 대응시켜진 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 정보를 입력하는 입력부를 갖추고, 생성 수단은 입력부로부터 맵 화상상의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상의 선택과, 복수의 레벨값 중에서 1개의 레벨값의 선택을 접수하고, 선택된 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이에, 선택된 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블을 생성, 또는, 갱신하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 기대 유량 정보를 기억한 기억부를 갖추고, 생성 수단은, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하고, 복수의 반도체 다이의 각각의 실제 유량 정보와 기대 유량 정보와의 상관값을 구하고, 복수의 상관값의 각각에 기초하여, 복수의 반도체 다이의 각각에 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블을 생성, 또는, 갱신하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 표시 제어 수단은, 표시부의 맵 화상에 있어서, 각 반도체 다이 화상 또는 각 반도체 다이 화상의 근방에, 각 반도체 다이 화상에 대응한 각 반도체 다이의 상관값을 표시하고, 또는, 표시부에 있어서, 특정 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이의 상관값을 화면상의 소정 위치에 표시하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 레벨 테이블에 있어서, 1매의 웨이퍼의 외주측으로부터 내주측을 향함에 따라, 각 반도체 다이에, 보다 픽업에 요하는 시간이 짧은 레벨값이 대응시켜져 있는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구를 갖추고, 제어 수단은 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력의 사이에서 변환하는 제어를 행하고, 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력의 사이에서 변환하는 변한 횟수를 포함하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 제1 압력에 유지하는 유지 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제1 위치와 제1 위치보다 낮은 제2 위치와의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구를 갖추고, 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 차례로, 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키는 제어를 행하고, 픽업 조건의 종류에는, 상기 소정 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 픽업 조건의 종류에는, 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키는 상기 이동 요소의 수를 포함하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿을 갖추고, 픽업 조건의 종류에는, 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.
본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템은 다이싱 시트의 표면에 붙여진 반도체 다이를 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템으로서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되고, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와, 픽업 시에 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어하는 제어부와, 화면을 표시하는 표시부를 갖추고, 제어부는, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화를 취득하고, 복수의 반도체 다이의 각각의 실제 유량 변화에 기초하여 복수의 반도체 다이의 각각의 다이싱 시트로부터의 박리 용이도 또는 박리 곤란도인 박리도를 구하고, 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고, 맵 화상에 있어서, 박리도를 구한 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 당해 반도체 다이의 박리도에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 각 반도체 다이에 적합한 박리 동작(픽업 동작)을 적용하여, 각 반도체 다이를 픽업할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 또는, 본 발명은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 계통 구성을 도시하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 스테이지를 도시하는 사시도이다.
도 3은 다이싱 시트에 붙여진 웨이퍼를 도시하는 설명도이다.
도 4는 다이싱 시트에 붙여진 반도체 다이를 도시하는 설명도이다.
도 5a는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 5b는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상(柱狀) 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력과, 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에 있어서의 파라미터 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 또 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시형태에 있어서의 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이의 식별 번호에 대한 설명도이다.
도 23은 본 발명의 실시형태에 있어서의 레벨 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 24는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 25는 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 27은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시형태에 있어서의 초기 박리의 소정 기간에 있어서의 개구 압력의 시간 변화와, 기대 유량 변화 및 실제 유량 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시형태에 있어서의 임계값 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 30은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 31은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 33은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 34는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 또 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 35는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 또 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 36은 본 발명의 실시형태에 있어서의 제어부의 기능 블럭도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
<구성>
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템에 대하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이(15)가 표면(12a)에 붙여진 다이싱 시트(12)를 유지하고, 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 홀더(10)와, 웨이퍼 홀더(10)의 하면에 배치되어, 다이싱 시트(12)의 이면(12b)을 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)에 설치된 개구(23) 속에 배치되는 복수의 이동 요소(30)와, 흡착면(22)에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구(300)와, 단차면 형성 기구(300)를 구동하는 단차면 형성 기구 구동부(400)와, 반도체 다이(15)를 픽업하는 콜릿(18)과, 스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)와, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)와, 진공 장치(140)와, 웨이퍼 홀더(10)를 수평 방향으로 구동하는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)와, 스테이지(20)를 상하 방향으로 구동하는 스테이지 상하 방향 구동부(120)와, 콜릿(18)을 상하 좌우 방향으로 구동하는 콜릿 구동부(130)와, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)의 제어를 행하는 제어부(150)와, 정보를 입력하는 키보드나 마우스 등인 입력부(410)와, 화면을 표시하는 디스플레이인 표시부(450)를 갖추고 있다.
단차면 형성 기구(300)와 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 기체부(24) 속에 수납된다. 단차면 형성 기구(300)는 스테이지(20)의 상부에 있고, 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 하부에 있다. 단차면 형성 기구(300)는 상하 방향으로 이동하는 복수의 이동 요소(30)를 갖추고 있다. 단차면 형성 기구 구동부(400)에 의해, 복수의 이동 요소(30)의 각 선단면이 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 하측으로 이동한다. 이동 요소(30)의 상세에 대해서는 뒤에서 설명한다.
스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)는 3방향 밸브(81)와 3방향 밸브(81)의 개폐 구동을 행하는 구동부(82)를 갖추고 있다. 3방향 밸브(81)는 3개의 포트를 가지며, 제1 포트는 스테이지(20)의 개구(23)와 연통하고 있는 기체부(24)와 배관(83)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(84)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(85)과 접속되어 있다. 구동부(82)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 하거나 함으로써, 개구(23)의 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)의 사이에서 변환한다.
스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(91)와, 3방향 밸브(91)의 개폐 구동을 행하는 구동부(92)를 갖추고, 제1 포트는 스테이지(20)의 홈(26)에 연통하는 흡착 구멍(27)과 배관(93)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(94)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(95)과 접속되어 있다. 구동부(92)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 하거나 함으로써, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변환한다.
콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(101)와, 3방향 밸브(101)의 개폐 구동을 행하는 구동부(102)를 갖추고, 제1 포트는 콜릿(18)의 표면(18a)에 연통한 흡인 구멍(19)과 배관(103)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(104)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(105)과 접속되어 있다. 구동부(102)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)로부터 공기를 흡입하여 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 진공에 가까운 압력으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 대기압에 가까운 압력으로 하거나 한다. 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 3방향 밸브(101) 사이를 접속하는 배관(103)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 진공 장치(140)로 흡인되는 공기 유량(흡인 공기 유량)을 검출하는 유량 센서(106)가 부착되어 있다.
웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130)는, 예를 들면, 내부에 설치한 모터와 기어에 의해 웨이퍼 홀더(10), 스테이지(20), 콜릿(18)을 수평 방향, 또는 상하 방향 등으로 구동하는 것이다.
제어부(150)는 각종의 연산 처리나 제어 처리를 행하는 CPU(151)와, 기억부(152)와, 기기·센서 인터페이스(153)를 포함하고, CPU(151)와 기억부(152)와 기기·센서 인터페이스(153)는 데이터 버스(154)로 접속되어 있는 컴퓨터이다. 기억부(152)의 속에는, 반도체 다이(15)의 픽업 제어를 위한 제어 프로그램(155), 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 픽업 시의 박리 동작을 대응시키기 위한 설정 표시 프로그램(156), 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)와 박리 동작의 레벨값이 대응시켜진 레벨 테이블(159)(도 23 참조), 레벨값과 각종 박리 파라미터의 파라미터값이 대응시켜진 파라미터 테이블(160)(도 19 참조), 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의 픽업 시의 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157), 픽업 시에 유량 센서(106)가 실제로 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)가 저장되어 있다. 도 36은 제어부(150)의 기능 블럭도이다. 제어부(150)는 제어 프로그램(155)을 실행함으로써 픽업 제어 수단(600)(제어 수단)으로서 기능한다. 또한, 제어부(150)는 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써 후술하는 생성 수단(602) 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 개구 압력 변환 기구(80), 흡착 압력 변환 기구(90), 흡인 기구(100)의 각 3방향 밸브(81, 91, 101)의 각 구동부(82, 92, 102) 및, 단차면 형성 기구 구동부(400), 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130), 진공 장치(140)는 각각 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되어, 제어부(150)의 지령에 의해 구동된다. 또한, 유량 센서(106)는 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 검출 신호는 제어부(150)에 받아들여져 처리된다. 또한, 입력부(410) 및 표시부(450)도 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 입력부(410)로부터의 입력 정보가 제어부(150)에 받아들여져, 제어부(150)로부터의 출력 화상 정보가 표시부(450)로 보내진다.
다음에, 스테이지(20)의 흡착면(22)과, 이동 요소(30)의 상세에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 스테이지(20)는 원통형이며, 상면에는 평면 형상의 흡착면(22)이 형성되어 있다. 흡착면(22)의 중앙에는, 사각의 개구(23)가 설치되고, 개구(23)에는 이동 요소(30)가 부착되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)의 사이에는 간극(d)이 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 주위에는, 홈(26)이 개구(23)를 둘러싸듯이 설치되어 있다. 각 홈(26)에는, 흡착 구멍(27)이 설치되어 있고, 각 흡착 구멍(27)은 흡착 압력 변환 기구(90)에 접속되어 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(30)는 중앙에 배치된 주상 이동 요소(45)와, 주상 이동 요소(45)의 주위에 배치된 2개의 중간 환상 이동 요소(40, 41)와, 중간 환상 이동 요소(40)의 주위에 배치되어 있고 최외주에 배치되어 있는 주변 환상 이동 요소(31)를 포함하고 있다. 또한, 여기에서는 중간 환상 이동 요소의 수는 2개이지만, 중간 환상 이동 요소의 수는 1개, 또는, 3개 이상이어도 된다. 도 6 이후의 도면에서는, 설명을 간단하게 하기 위해, 중간 환상 이동 요소(40)의 수는 1개로 되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45), 중간 환상 이동 요소(40), 주변 환상 이동 요소(31)의 각각의 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치에 있고, 동일면(흡착면(22)에 대한 단차면)을 구성하고 있다. 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 순으로 소정 시간의 간격으로 제1 위치로부터 제1 위치보다도 낮은 제2 위치로 이동시킨다. 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시킨다.
<다이싱 시트의 세트 공정>
여기에서, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)를 웨이퍼 홀더(10)에 세팅하는 공정에 대하여 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 이면에 점착성의 다이싱 시트(12)가 붙여져 있고, 다이싱 시트(12)는 금속제의 링(13)에 부착되어 있다. 웨이퍼(11)는 이와 같이 다이싱 시트(12)를 통하여 금속제의 링(13)에 부착된 상태에서 핸들링 된다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 절단 공정에서 표면측으로부터 다이싱 소어 등에 의해 절단되어 각 반도체 다이(15)가 된다. 각 반도체 다이(15)의 사이에는 다이싱 시에 생긴 칼자국 간극(14)이 생긴다. 칼자국 간극(14)의 깊이는 반도체 다이(15)로부터 다이싱 시트(12)의 일부에까지 도달하고 있지만, 다이싱 시트(12)는 절단되어 있지 않아, 각 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)에 의해 유지되어 있다.
이와 같이, 다이싱 시트(12)와 링(13)이 부착된 반도체 다이(15)는 도 5a 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)에 부착된다. 웨이퍼 홀더(10)는 플랜지부를 가지는 둥근 고리 형상의 익스팬드 링(16)과 익스팬드 링(16)의 플랜지의 위에 링(13)을 고정하는 링 누름부(17)를 갖추고 있다. 링 누름부(17)는 도시하지 않은 링 누름부 구동부에 의해 익스팬드 링(16)의 플랜지를 향하여 진퇴하는 방향으로 구동된다. 익스팬드 링(16)의 내경은 반도체 다이(15)가 배치되어 있는 웨이퍼의 직경보다도 크고, 익스팬드 링(16)은 소정의 두께를 갖추고 있고, 플랜지는 익스팬드 링(16)의 외측에 있어서, 다이싱 시트(12)로부터 떨어진 방향의 끝면측에 외측으로 돌출하도록 부착되어 있다. 또한 익스팬드 링(16)의 다이싱 시트(12)측의 외주는 다이싱 시트(12)를 익스팬드 링(16)에 부착할 때, 다이싱 시트(12)를 원활하게 잡아 늘일 수 있도록 곡면 구성으로 되어 있다. 도 5b에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되기 전은 대략 평면 상태로 되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되면 익스팬드 링(16)의 상면과 플랜지면과의 단차분만큼 익스팬드 링 상부의 곡면을 따라 잡아 늘여지므로, 익스팬드 링(16) 위에 고정된 다이싱 시트(12)에는 다이싱 시트(12)의 중심으로부터 주위를 향하는 인장력이 작용하고 있다. 또한, 이 인장력에 의해 다이싱 시트(12)가 늘어나므로, 다이싱 시트(12) 위에 붙여진 각 반도체 다이(15) 사이의 간극(14)이 벌어져 있다.
<픽업 동작>
다음에 반도체 다이(15)의 픽업 동작에 대해 설명한다. 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따라, 각 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 변화되는 경우가 있다. 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우가 있다. 이것은 다이싱 시트(12)가 웨이퍼 홀더(10)의 익스팬드 링(16)에 세팅되면, 다이싱 시트(12)의 중심 부근이 외주 부근에 비해 크게 잡아 당겨지기 때문에, 웨이퍼의 중심 부근의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 보다 높아진다고 생각된다. 이러한 웨이퍼의 반도체 다이(15)의 위치에 따른 박리성의 경향은 연속하여 픽업을 행하는 복수의 웨이퍼에서 공통되고 있는 경우가 많다. 복수의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 연속하여 픽업할 때, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는, 간이화된 단시간의 박리 동작(픽업 동작)을 적용함으로써 픽업을 고속화할 수 있고, 한편으로, 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는, 장시간의 박리 동작(픽업 동작)을 적용함으로써 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 그래서, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이(15)마다, 픽업 시의 박리 동작을 변경할 수 있도록 되어 있다.
기억부(152)에는, 도 23에 도시하는 바와 같은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치를 따라 붙여진 각 반도체 다이(15)의 식별 번호(다이 식별 번호 또는 개별 정보라고도 함)와 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블(159)과, 도 19에 도시하는 바와 같은 각 레벨값과 복수 종류의 박리 파라미터의 파라미터값(픽업 조건이라고도 함)을 대응시킨 파라미터 테이블(160)(조건 테이블)이 저장되어 있다. 레벨 테이블(159) 및 파라미터 테이블(160)에 의해, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)에 적용하는 박리 동작(박리 파라미터의 파라미터값)이 대응시켜져 있다. 본 실시형태에서는, 레벨값은, 박리 동작에 필요로 하는 시간(픽업 시간)이 가장 짧은 레벨 1부터, 가장 긴 레벨 8까지가 규정되어 있다. 픽업 동작 전에, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성을 고려하여, 후술하는 설정 표시 화면(460)(도 25 참조)을 통하여, 오퍼레이터 등이 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 픽업 동작 시에는, 레벨 테이블(159)이 참조되어, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이(15)마다, 대응시켜진 레벨값에 따른 박리 동작(픽업 동작)이 행해진다. 이하에서는, 파라미터 테이블(160)의 레벨 4의 박리 동작을 적용한 반도체 다이(15)의 픽업을 예로 들어, 픽업의 동작을 설명한다. 또한, 파라미터 테이블(160)의 각종의 박리 파라미터, 및 설정 표시 화면(460)에 대해서는 나중에 상세하게 설명한다.
제어부(150)는 도 1에 도시하는 제어 프로그램(155)을 실행함으로써 픽업 제어 수단으로서 기능하여 반도체 다이(15)의 픽업 동작의 제어를 행한다. 제어부(150)는, 픽업 동작의 일부로서, 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어한다. 최초에, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해 웨이퍼 홀더(10)를 스테이지(20)의 대기 위치의 위까지 수평 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더(10)가 스테이지(20)의 대기 위치의 위의 소정의 위치까지 이동하면, 웨이퍼 홀더(10)의 수평 방향의 이동을 일단 정지한다. 앞에 기술한 바와 같이, 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 제어부(150)는 스테이지 상하 방향 구동부(120)에 의해, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하고, 또한, 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착할 때까지 스테이지(20)를 상승시킨다. 그리고, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a) 및 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하면, 제어부(150)는 스테이지(20)의 상승을 정지한다. 그리고, 제어부(150)는, 다시, 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해, 픽업하려고 하는 반도체 다이(15)가 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 약간 돌출해 있는 이동 요소(30)의 선단면(단차면)의 바로 위에 오도록 수평 위치를 조정한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 크기는 스테이지(20)의 개구(23)보다도 작고, 이동 요소(30)의 폭 혹은 안길이보다도 크므로, 스테이지(20)의 위치 조정이 종료되면, 반도체 다이(15)의 외주끝은 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이, 즉, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이의 간극(d)의 바로 위로 되어 있다. 초기 상태에서는, 스테이지(20)의 홈(26), 혹은 흡착면(22)의 압력은 대기압이며, 개구(23)의 압력도 대기압으로 되어 있다. 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 각 선단면(47, 38b, 38a)에 접해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)의 높이도 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리에서는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 흡착면(22)으로부터 약간 떠 있고, 개구(23)로부터 떨어진 영역에서는 흡착면(22)에 밀착한 상태로 되어 있다. 수평 방향의 위치 조정이 종료되면, 제어부(150)는, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)에 의해 콜릿(18)을 반도체 다이(15)의 위로 강하시켜 콜릿(18)의 표면(18a)을 반도체 다이(15)에 착지시킨다.
도 18은 레벨 4의 박리 동작(픽업 동작) 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력과, 콜릿(18)의 공기 리크량의 시간 변화를 도시하는 도면이다. 도 18(a)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이가 도시되어 있고, 콜릿(18)을, 시각(t=0)으로부터 조금 경과한 시각으로부터 시각(t2)에 걸쳐 이동시킨 상태가 도시되어 있다. 제어부(150)는, 콜릿(18)을 이동시키고 있는 동안의 시각(t1)에서, 흡인 기구(100)의 구동부(102)에 의해 3방향 밸브(101)를 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 이것에 의해, 흡인 구멍(19)은 부압이 되어, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 오므로, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량(공기 리크량)은 시각(t1)으로부터 시각(t2)에 걸쳐 증가해 간다. 시각(t2)에서, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하면, 표면(18a)에 반도체 다이(15)가 흡착 고정되고, 표면(18a)으로부터 공기 유입할 수 없게 된다. 그것에 의해, 시각(t2)에서, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량은 감소로 바뀐다. 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지했을 때의 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)의 높이(흡착면(22)으로부터의 높이(H0))에 다이싱 시트(12)의 두께와 반도체 다이(15)의 두께를 더한 높이(Hc)로 되어 있다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 나타내는 시각(t2)에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력(도시하지 않음)을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 변환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 흡착 구멍(27)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 7의 화살표(201)로 나타내는 바와 같이, 흡착 구멍(27)을 통하여 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)로 빨아 내어져, 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 된다. 그리고, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 도 7의 화살표(202)로 나타내는 바와 같이, 흡착면(22)의 표면에 진공 흡착된다. 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로 다이싱 시트(12)에는, 비스듬히 하향의 인장력(F1)이 걸린다. 이 인장력(F1)은 다이싱 시트(12)를 가로 방향으로 잡아당기는 인장력(F2)과, 다이싱 시트(12)를 하측 방향으로 잡아당기는 인장력(F3)으로 분해할 수 있다. 가로 방향의 인장력(F2)은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 전단 응력(τ)을 발생시킨다. 이 전단 응력(τ)에 의해, 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)과의 사이에 어긋남이 발생한다. 이 어긋남은 다이싱 시트(12)와 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과의 박리의 근거가 된다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 8의 화살표(206)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)에는 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 이것에 의해, 도 8의 화살표(203)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 잡아 당겨진다. 또한, 간극(d)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 주변부는 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형된다. 이것에 의해 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)이 되었을 때 반도체 다이(15)의 외주 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)의 사이에 발생한 어긋남 때문에, 반도체 다이(15)의 주변부에는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되는 근거가 형성되어 있으므로, 반도체 다이(15)의 주변부는 도 8의 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 굽힘 변형하면서도 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되기 시작하고 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지면, 도 8의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 유입된 공기 유량(공기 리크량)은 유량 센서(106)에 의해 검출된다. 이것에 의해, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에서 감소로 바뀌고, 감소를 계속하고 있던 공기 리크량은 시각(t3)에서 다시 증가하기 시작한다. 구체적으로는, 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하되어 감에 따라, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)와 함께 하측 방향으로 잡아 당겨져 굽힘 변형되어 가므로, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오는 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 증가해 간다.
그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)으로부터 시각(t5)의 동안(시간(HT4)), 스테이지(20)의 개구(23)를 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 유지한다. 이 시간(HT4)은 도 19의 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있는 레벨 4의 「제1 압력의 유지 시간」이다. HT4는 도 19의 예에서는 130ms이다. 제1 압력(P1)으로 유지하고 있는 동안에, 도 9의 화살표(207)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공과, 반도체 다이(15)의 탄성에 의해 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아간다. 이것에 의해, 도 18(f)의 시각(t4)에 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 감소를 계속하여, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 시각(t5)의 조금 전에 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 이때, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(초기 박리). 그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 대기 개방의 배관(85)과 개구(23)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 10에 도시하는 화살표(210)와 같이, 공기가 개구(23)에 유입되어 오므로, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)으로부터 시각(t6)을 향하여, 개구 압력은 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승해 간다.
도 18의 시각(t1∼t6)이 초기 박리이다. 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 나쁜(박리 용이도가 낮은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지 많은 시간이 걸린다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간(도 18(e)의 시각(t4∼t5)의 시간)이 길거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 많은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 반도체 다이(15)의 주변부와 다이싱 시트(12)와의 박리를 촉진한다.
한편으로, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 좋은(박리 용이도가 높은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 짧다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간이 짧거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 적은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 픽업을 고속화한다. 또한, 도 18의 레벨 4의 예에서는, 초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수는 1회(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우)이다. 이것은 도 19의 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있는 레벨 4의 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」(FSN4)이다.
또한, 상기한 바와 같이, 반도체 다이(15)의 박리 용이도에 따라, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 변화되기 때문에, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량의 시간 변화(실제로 유량 변화)도 변화된다. 그래서, 뒤에서 상세하게 설명하는 바와 같이, 실제 유량 변화에 기초하여, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성(박리 용이도)을 판단하는 것이 가능하다.
픽업 동작의 설명을 계속한다. 도 18의 t6에서, 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승하면, 도 10의 화살표(212)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 하측 방향으로 잡아 당겨져 있던 간극(d)의 바로 위에 위치하는 다이싱 시트(12)는 웨이퍼 홀더(10)에 고정할 때 인가된 인장력에 의해 상측 방향으로 되돌아온다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)는, 상기의 인장력에 의해, 흡착면(22)으로부터 약간 들뜬 상태로 되어 있다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)에 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되면, 도 18(d)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 높이를 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 11의 화살표(214)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 하측이며, 흡착면(22)보다도 약간 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 높이(H1-H0)만큼 낮은 위치)로 이동한다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)으로부터 시각(t7)까지 상태를 유지한다. 이때, 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되어 있으므로, 도 11에 도시하는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)과 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)과의 사이에는 간극이 만들어져 있다.
제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해 도 12의 화살표(215)로 나타내는 바와 같이, 개구(23) 속의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 시각(t8)에는, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하하면, 도 12의 화살표(216)로 나타내는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는(대향하는) 다이싱 시트(12)는 이면(12b)이 선단면(38a)에 접하도록 하측으로 잡아 당겨진다. 이것에 의해, 도 12의 화살표(217)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 일부가 하측 방향으로 굽힘 변형하여, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져, 공기가 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속으로 유입된다. 흡인 구멍(19)으로 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t7)으로부터 시각(t8) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t8) 부근에서, 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는 도 13에 나타내는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t8) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 또 거의 제로로 돌아간다. 이때, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역은 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다. 또한, 도 12의 화살표(217)와 같이 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 13의 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성에 따라 변화된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)이 되면, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(220)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 시각(t10)에서 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)으로부터 떨어져 상측 방향으로 변위한다.
도 18의 시각(t10)에, 제어부(150)는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하고, 도 14의 화살표(227)로 나타내는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시켜, 화살표(226)로 나타내는 바와 같이 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동하고, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 이것에 의해, 도 14에 도시하는 바와 같이, 선단면(38a, 38b, 47)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면이 된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t10)부터 시각(t11)까지 상태를 유지한다. 그리고, 제어부(150)는 도 18(e)의 시각(t11)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키도록 변환한다. 이것에 의해, 도 15의 화살표(228)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기는 진공 장치(140)에 흡인되고, 개구 압력은 시각(t12)에 진공에 가까운 제1 압력(P1)이 된다. 그러면, 도 15에 나타내는 화살표(229, 230)와 같이 다이싱 시트(12)는 제3 위치로 강하해 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a), 제2 위치로 강하해 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 향하여 잡아 당겨지고, 하방향으로 변위한다. 이것에 따라, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역도 도 15의 화살표(231)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져 하향으로 구부러짐 변형한다. 그러면, 도 15의 화살표(232)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)과 반도체 다이(15) 사이에서 공기가 흡인 구멍(19)으로 유입된다. 흡인 구멍(19)에 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t11)으로부터 시각(t12) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t12) 부근에서, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는, 도 16에 나타내는 화살표(244)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t12) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 16에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 또한, 이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 박리성에 따라 변화된다.
다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t13)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통시키도록 변환한다. 그러면, 도 16의 화살표(241)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 개구 압력이 상승하므로, 다이싱 시트(12)는, 도 16에 나타내는 화살표(243)로 나타내는 바와 같이, 상측 방향으로 변위한다. 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t14)에, 개구 압력은 대기에 가까운 제2 압력(P2)이 된다. 이 상태에서는, 도 16에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다.
다음에 제어부(150)는, 도 18의 시각(t14)에, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 17의 화살표(260)로 나타내는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)를 하강시키고, 화살표(246)로 나타내는 바와 같이 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시킨다. 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하고, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치로 이동한다. 이것에 의해, 도 17에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태가 된다.
제어부(150)는 도 18의 시각(t15)에 콜릿(18)을 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)는 모터를 구동하여, 도 17에 도시하는 바와 같이, 콜릿(18)을 상승시킨다. 콜릿(18)이 상승하면, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)에 흡착된 상태에서 픽업된다.
반도체 다이(15)를 픽업하면, 제어부(150)는, 시각(t16)에, 각 이동 요소(31, 40, 45)의 각 선단면(38a, 38b, 47)을 제1 위치로 되돌리고, 흡착 압력 변환 기구(90)에 의해 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 변환한다. 이것으로 픽업이 종료된다.
이상에서 설명한 도 18의 시각(t6∼t16)이 본박리이다. 본박리에서는, 외측의 이동 요소(30)로부터 내측의 이동 요소(30)를 향하여 차례차례, 선단면을 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키고, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주변부보다 내측의 영역을 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리한다. 또한, 이상에서 설명한 본박리에서는, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환하고 있었지만, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력에 유지한 상태에서, 각 이동 요소(30)를 차례차례, 이동시키도록 해도 된다.
여기에서, 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작의 박리 파라미터에 대하여 확인한다. 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작은 도 19의 파라미터 테이블(160)의 레벨 4에 규정된 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 행했다. 구체적으로는, 다음 박리 파라미터의 파라미터값을 적용했다. 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우, 이하 동일)」는 FSN4=1회로 했다. 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 SSN4=2회로 했다. 개구 압력을 제1 압력(P1)에 유지하는 시간인 「제1 압력의 유지 시간」은 HT4=130ms로 했다. 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 DN4=0개로 했다. 각 이동 요소(30)의 선단면을 차례차례, 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때의 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 IT4=240ms로 했다. 또한, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하고 나서 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시할 때까지의 시간인 「콜릿 대기 시간」은 WT4=710ms로 했다. 그리고, 「픽업 시간」은 PT4=820ms이었다.
<파라미터 테이블>
여기에서, 도 19의 파라미터 테이블(160)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 파라미터 테이블(160)의 각 박리 파라미터의 파라미터값은 레벨값의 변화에 따라 다음과 같은 경향을 가지고 있다. 도 19에 도시하는 바와 같이, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 단, 이것은 레벨값이 바뀔 때마다 반드시 변한 횟수가 많아지고 있는 것을 의미하고 있는 것은 아니고, 인접하는 복수의 레벨값에서 변한 횟수가 같은 경우가 있다. 이것은 다른 박리 파라미터도 마찬가지로, 레벨값이 바뀔 때마다 파라미터값이 변화되는 것을 의미하고 있지 않고, 인접하는 복수의 레벨값에서 파라미터값이 같은 경우가 있다. 「본 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 또한, 「제1 압력의 유지 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간 간격을 길게 하고 있다. 또한, 「콜릿 대기 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「픽업 시간」은 레벨값이 바뀔 때마다 변화되고, 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 길어진다. 또한, 「픽업 시간」은 「콜릿 대기 시간」을 닮아 있지만, 콜릿 대기 시간에 더하여, 콜릿(18)을 소정 위치로부터 강하시켜 반도체 다이(15)에 착지할 때까지의 시간과, 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시하고 나서 소정 위치까지 상승할 때까지의 시간을 포함한다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(160)은 「조건 테이블」이라고 할 수도 있고, 박리 파라미터는 「픽업 파라미터」라고 할 수도 있다. 도 19에 도시되어 있는 구체적인 각 파라미터값은 어디까지나 일례이며, 다른 값이어도 되는 것은 당연하다.
여기에서, 전술한 레벨 4의 박리 동작 이외의 박리 동작의 예로서, 레벨 1과 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 우선, 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 8은 대단히 박리하기 어려운 반도체 다이(15)에 대응시키는 레벨값이다. 도 20은 레벨 8의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 20의 레벨 8의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음을 알 수 있다.
도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(FSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)의 주위를 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리할 수 있다. 개구 압력을 몇 번이고 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주위에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내는 이미지이며, 시간은 들지만 확실하게 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms(도 19 참조, 이하 마찬가지로, 상세한 파라미터값에 대해서는 동 도면을 참조)로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19의 예에서는, 「제1 압력의 유지 시간」에 대하여, 레벨 4와 8에서 큰 차가 없지만, 차를 보다 크게 하는 것도 생각할 수 있다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(SSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내도록, 확실한 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 본박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19에 도시하는 파라미터 테이블(160)에서는, 초기 박리 시와 본박리 시에서 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 공통으로 하고 있지만, 초기 박리 시와 본박리 시에서 각각의 「제1 압력의 유지 시간」이 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있어도 된다. 또한, 도 20에 도시하는 바와 같이, 초기 박리 시, 또는, 본박리 시에 개구 압력을 복수회 변환함으로써, 제1 압력(P1)에 유지하는 시간이 복수개 있는 경우에는, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」의 각각을 파라미터 테이블(160)에 규정하고, 그것들의 파라미터값을 서로 다르게 해도 된다. 예를 들면, 박리 동작에 있어서 적용하는 순서로, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」을 나열하여 파라미터 테이블(160)에 규정한다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」(IT8)을 450ms로 하여, 길게 하고 있다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 마찬가지로, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격과, 중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격을 다르게 해도 되고, 그 경우에는, 각각의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(160)에 규정된다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상인 경우가 있고, 그 경우에는, 박리 동작에 있어서 외주측의 중간 환상 이동 요소(40)로부터 내주측의 중간 환상 이동 요소(41)를 향하여 차례로 강하시킨다. 이와 같이 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상 있을 경우에는, 중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(160)에 규정되어도 된다. 또한, 예를 들면, 픽업 동작을 개시한 시점(도 20의 시각(t1))으로부터, 주변 환상 이동 요소(31)(최초에 강하시키는 이동 요소(30))를 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키는 시점까지의 시간이 파라미터 테이블(160)에 규정되어도 된다.
또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT8)을 1590ms로 하여, 길게 하고 있다. 그리고, 도 20에서는, 「픽업 시간」(PT8)이 1700ms로 되어, 길게 되어 있다.
다음에 레벨 1의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 1은 대단히 박리하기 쉬운 반도체 다이(15)에 대응시킬 레벨값이다. 도 21은 레벨 1의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 21의 레벨 1의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음의 것을 알 수 있다.
도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT1)을 100ms로 하여, 짧게 하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 해도, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 충분하게 박리된다. 이와 같이 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 함으로써, 박리 동작에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 1회(SSN1)로 줄이고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」가 1회이어도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리된다. 또한, 도 21에서는, 3개의 이동 요소(30)(주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45))의 선단면(38a, 38b, 47)을 동시에 제1 위치로부터 제2 위치 이하로 강하시키고 있고, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 3개 (DN1)로 증가하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시켜도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 바로 박리된다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40)를 동시에 강하시키고, 그 소정 시간 후에 주상 이동 요소(45)를 강하시키는 경우에는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 2개가 된다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(160)에서는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」와 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」의 2개의 박리 파라미터를 규정하고 있지만, 그것들 대신에, 상기한 「주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격」을 규정할 수 있다. 이 경우, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시키도록 하기 위해서는, 이것들의 강하 시간 간격의 1개 또는 2개 이상이 0으로 설정된다.
또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT1)을 460ms로 하여, 짧게 하고 있다. 그리고, 도 21에서는, 「픽업 시간」(PT1)이 570ms로, 짧게 되어 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 레벨값에 따라 각 박리 파라미터의 파라미터값을 다르게 하고 있고, 즉, 박리 동작(픽업 동작)을 다르게 하고 있다. 1매의 웨이퍼 중의 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는 레벨 8에 가까운 레벨값을 대응시켜 박리 동작을 행함으로써, 픽업 시의 반도체 다이(15)의 파손이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 한편, 1매의 웨이퍼 중의 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는 레벨 1에 가까운 레벨값을 대응시켜 박리 동작을 행함으로써, 픽업을 단시간에 행할 수 있다. 또한, 복수의 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값이라고 할 수 있다. 각 박리 파라미터의 파라미터값은 「픽업 조건」이라고 할 수 있고, 동종의 박리 파라미터(예를 들면 「초기 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」)의 레벨 1∼8의 파라미터값은 「복수의 픽업 조건」이다. 또한 도 19에 나타내는 박리 파라미터의 종류는 「픽업 조건의 종류」로 정의할 수 있다.
<레벨 테이블>
다음에 레벨 테이블(159)에 대해 상세하게 설명한다. 도 22는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 식별 번호(다이 식별 번호, 개별 정보)의 설명도이며, 도 23은 레벨 테이블(159)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 22에 도시하는 바와 같이, 1매의 웨이퍼(11)의 각 반도체 다이(15)의 X 방향의 위치(X 좌표)와 Y 방향의 위치(Y 좌표)로 이루어지는 식별 번호가 각 반도체 다이(15)에 대응시켜져 있다. 예를 들면, 웨이퍼(11)의 가장 좌측 위에 있는 반도체 다이(15)는 X 방향의 위치가 「1」이고 Y 방향의 위치가 「9」이기 때문에, 식별 번호 「1-9」가 대응시켜져 있고, 마찬가지로, 그 반도체 다이(15)의 우측 옆의 반도체 다이(15)는 X 방향의 위치가 「1」이고 Y 방향의 위치가 「10」이기 때문에, 식별 번호 「1-10」이 대응시켜져 있다.
도 23에 도시하는 바와 같이, 레벨 테이블(159)은 각 반도체 다이의 식별 번호(다이 식별 번호, 개별 정보)와, 레벨값을 대응시키고 있다. 즉, 레벨 테이블(159)은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 박리 파라미터의 파라미터값(복수의 픽업 조건)의 식별자인 레벨값을 대응시키고 있다. 레벨 테이블(159)과 파라미터 테이블(160)에 의해, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에, 레벨값에 따른 박리 동작이 대응시켜져 있다. 레벨 테이블(159)과 파라미터 테이블(160)에 의해, 각종의 박리 파라미터에 있어서의 복수의 픽업 조건(레벨 1∼8의 파라미터값) 중 하나의 픽업 조건(파라미터값)과, 반도체 다이의 개별 정보(식별 정보)를 대응시킨 대응 정보가 정해져 있다.
도 24는, 도 23의 레벨 테이블(159)에 따라, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에, 각 반도체 다이(15)에 대응시켜진 레벨값에 따른 농담 또는 해칭을 넣은 도면이다. 전술한 바와 같이, 1매의 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우가 있다. 그 경우에는, 도 24와 같이, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 대응시키는 레벨값이 낮아지도록 한다(박리 동작을 간이화하여, 박리 동작에 요하는 시간이 짧아지도록 함). 도 24에서는, 최외주의 반도체 다이(15e)(좌상향 사선의 해칭이 넣어진 반도체 다이)에는 레벨 7을 대응시킬 수 있고 있어, 반도체 다이(15e)의 내주측의 반도체 다이(15d)(우상향 사선의 해칭이 넣어진 반도체 다이)에는 레벨 6이 대응시켜져 있고, 반도체 다이(15d)의 내주측의 반도체 다이(15c)(진한 그레이로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 5, 반도체 다이(15c)의 내주측의 반도체 다이(15b)(연한 그레이로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 4, 중심 부근의 반도체 다이(15a)(백색으로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 3이 각각 대응시켜져 있다. 또한, 이하에 설명하는 도 25∼27, 30∼35에 있어서의, 각 반도체 다이(15) 또는 각 반도체 화상(후술)에 넣어진 도 24와 동일한 농담 또는 해칭은 도 24의 각 레벨값과 동일한 레벨값이 대응시켜져 있는 것을 의미하고 있다. 도 24와 같이, 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에 대해서는 충분히 박리를 촉진할 수 있는 박리 동작(높은 레벨값)을 적용함으로써, 픽업 시의 반도체 다이의 손상이나 픽업 미스를 억제할 수 있고, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에 대해서는 간이한 박리 동작(낮은 레벨값)을 적용하여 단시간의 픽업을 행할 수 있다. 복수의 웨이퍼에 있어서 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성은 동일한 경향을 나타내기 때문에, 도 23, 24와 같은 레벨 테이블(159)을 사용하여, 복수의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 연속하여 픽업한다.
<설정 표시 화면>
다음에 오퍼레이터 등이 레벨 테이블(159)의 생성이나 편집(갱신)을 행하기 위한 설정 표시 화면(460)에 대해 설명한다. 도 25∼27은 설정 표시 화면(460)의 일례를 나타내는 도면이다. 제어부(150)는 기억부(152)에 저장되어 있는 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써, 표시부(450)(디스플레이)에 설정 표시 화면(460)을 표시하고, 레벨 테이블(159)의 읽어 내기, 생성, 갱신을 접수한다. 제어부(150)는 표시 제어 수단으로서 기능함으로써, 표시부(450)에 설정 표시 화면(460)을 표시한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써, 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성의 자동 취득의 지시를 접수한다. 도 25에 도시하는 바와 같이, 설정 표시 화면(460)은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상(480)이며 다수의 반도체 다이 화상(482)으로 이루어지는 맵 화상(480)과, 각종 조작용의 버튼(468)으로 이루어지는 조작 버튼군(464)과, 「레벨 1」∼「레벨 8」의 각 버튼(466)으로 이루어지는 레벨값 버튼군(462)을 가지고 있다.
도 23, 24와 같이 각 반도체 다이(15)에 레벨값이 이미 대응시켜져 있는 경우, 즉, 이미 레벨 테이블(159)이 생성된 경우에는, 오퍼레이터 등은 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에, 레벨 테이블(159)에 규정된 대응 관계를 표시할 수 있다. 구체적으로는, 오퍼레이터 등은, 마우스(입력부(410))에 의해, 도 25와 같이 설정 표시 화면(460)상에 있는 포인터(478)를 「읽어 내기」의 버튼(468)의 위치까지 이동하고, 그 버튼을 클릭(선택)한다. 그것에 의해, 레벨 테이블(159)에 규정된 대응 관계가 읽어 내지고, 그 대응 관계가 맵 화상(480)에 표시된다. 구체적으로는, 맵 화상(480)에 있어서, 각 반도체 다이(15)에 대응하는 반도체 다이 화상(482)의 각각, 각 반도체 다이(15)에 대응시켜진 레벨값에 따른 색이 넣어진다. 도 25에는, 도 23, 24에 나타내는 각 반도체 다이(15)와 레벨값과의 대응 관계를 가지는 레벨 테이블(159)이 읽어 내진 경우가 도시되어 있다. 이와 같이, 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣음으로써, 오퍼레이터 등은 각 위치에 있는 반도체 다이에 어느 레벨값이 대응시켜져 있는지를 용이하게 파악할 수 있다. 또한, 여기에서는, 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣는 것으로 했지만, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이도록 해도 된다.
오퍼레이터 등은 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 낸 레벨 테이블(159)을 편집할 수 있다. 이것에 대해서는, 레벨 테이블(159)을 신규로 생성하는 방법을 설명한 후에 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는, 포인터(478)의 이동이나 버튼의 선택에 마우스를 사용하는 것으로 하지만, 조이 스틱 등이 사용되어도 된다.
도 26은 신규로 레벨 테이블(159)을 생성하는 경우의 설정 표시 화면(460)의 일례를 나타내는 도면이다. 오퍼레이터 등이 포인터(478)를 「신규 작성」의 버튼(468)으로 이동하고, 그 버튼(468)을 클릭함으로써, 설정 표시 화면(460)이 레벨 테이블(159)의 신규 작성의 화면으로 된다. 이때, 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)에 디폴트의 레벨값이 대응시켜진 임시 레벨 테이블(159)이 작성되고, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에는 디폴트의 레벨값에 대응한 색이 넣어진다. 도 26에서는, 디폴트의 레벨값은 레벨 3이며, 각 반도체 다이 화상(482)에는 레벨 3에 대응한 색(백색)이 넣어져 있다. 오퍼레이터 등은 이 상태로부터 각 반도체 다이 화상(482)에 원하는 레벨값을 대응시켜 감으로써, 각 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜 간다.
구체적으로는, 우선, 도 26과 같이 포인터(478)를 원하는 레벨값(도 26에서는 레벨 5)의 버튼(466)까지 이동시키고, 그 버튼(466)을 클릭함으로써 레벨값을 선택한다. 그리고, 도 27과 같이, 포인터(478)를, 선택한 레벨값을 대응시키고 싶은 반도체 다이 화상(482b)으로 이동시키고, 그 반도체 다이 화상(482b)을 클릭한다. 그것에 의해, 클릭된 반도체 다이 화상(482b)에 대응하는 반도체 다이에 선택한 레벨값이 대응시켜진다. 또한, 반도체 다이 화상(482b)에 선택한 레벨값에 따른 색이 넣어진다. 도 27에는, 3개의 반도체 다이 화상(482b)을 클릭함으로써, 그것들의 반도체 다이 화상(482b)에, 선택한 레벨 5에 따른 색이 넣어진 상태가 도시되어 있다. 오퍼레이터 등은, 이렇게 하여, 레벨값의 선택과, 선택한 레벨값을 대응시키는 반도체 다이 화상(반도체 다이)의 선택을 반복함으로써, 레벨 테이블(159)을 작성, 또는, 편집해 간다. 제어부(150)는 생성 수단으로서 기능하여, 이 레벨값의 선택과 반도체 다이 화상(반도체 다이)의 선택을 접수한다.
그리고, 레벨 테이블(159)의 작성, 또는 편집이 완료되면, 포인터(478)를 「덮어쓰기 보존」의 버튼(468)으로 이동시키고, 그 버튼(468)을 클릭(선택)함으로써, 레벨 테이블(159)의 작성(생성)이 종료된다. 제어부(150)는, 「덮어쓰기 보존」의 버튼(468)이 클릭되면, 생성 수단으로서 기능하여, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 또한, 레벨 테이블(159)이 복수 존재하는 경우에는, 각 레벨 테이블(159)을 식별하기 위해, 레벨 테이블(159)에 파일명을 붙여 기억부(152)에 저장하고, 읽어 낼 때는 파일명을 지정하여 레벨 테이블(159)을 기억부(152)로부터 읽어 내는 형태를 생각할 수 있다. 이 형태의 경우에는, 포인터(478)에 의해 「다른 이름으로 저장」의 버튼(468)을 클릭하고, 입력부(410)의 키보드 등으로부터 파일명이 붙여지고, 레벨 테이블(159)이 기억부(152)에 저장된다. 또한, 이 경우에는, 제어부(150)는, 「다른 이름으로 저장」의 버튼(468)이 클릭되면, 생성 수단으로서 기능하여, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 그리고, 전술한 「읽어 내기」의 버튼(468)이 포인터(478)에 의해 클릭되었을 때, 복수의 레벨 테이블(159) 속에서 읽어 내고 싶은 레벨 테이블(159)의 파일명을 지정함으로써, 원하는 레벨 테이블(159)이 설정 표시 화면(460)에 읽어 내지게 된다.
전술한 도 25와 같이, 레벨 테이블(159)이 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 내진 후, 레벨 테이블(159)을 편집(갱신)하는 경우도, 상기한 신규 작성의 경우와 동일한 방법으로 행해진다. 즉, 도 25에 있어서, 포인터(478)에 의해 원하는 레벨값의 버튼(466)을 클릭(선택)한 후, 선택한 레벨값으로 변경하고 싶은 반도체 다이 화상(482)(반도체 다이)을 포인터(478)에 의해 클릭한다. 그것에 의해, 클릭된 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)에, 선택한 레벨값이 대응시켜지고, 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따라 색이 넣어진다.
오퍼레이터 등은, 설정 표시 화면(460)에 레벨 테이블(159)을 읽어 낸 상태, 즉, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색이 넣어져 있는 상태에서, 도시하지 않은 픽업 실행의 버튼을 누름으로써, 반도체 다이(15)의 픽업을 스타트한다. 또한, 픽업 실행의 버튼은 화면상에 표시된 버튼을 입력부(410)의 마우스로 클릭하는 형태, 또는, 물리적으로 존재하는 버튼을 오퍼레이터 등이 손이나 손가락으로 누르는 형태일 수 있다. 픽업 실행의 버튼이 내리눌림으로써, 제어부(150)는 기억부(152)에 저장되어 있는 제어 프로그램(155)을 실행하고, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이때, 각 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 대하여, 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 내어진 레벨 테이블(159)을 따라 박리 동작이 행해진다.
<1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이의 박리성의 취득>
다음에 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 박리성의 취득에 대해 설명한다. 오퍼레이터 등은 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성(박리하기 쉬움, 또는 박리하기 어려움)을 파악함으로써, 각 반도체 다이(15)에 대하여 보다 정확한 레벨값을 대응시킬 수 있다. 그래서, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 자동으로 취득하는 것이 가능하게 되어 있다. 이하에, 각 반도체 다이(15)의 박리성의 자동 취득에 대해 상세하게 설명한다.
<박리성의 검출 방법>
우선, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)이 행하는, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성의 검출 방법에 대해 설명한다. 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성은 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 흡인 공기 유량의 시간 변화(실제 유량 변화)로부터 검출할 수 있다.
도 28은 초기 박리 시의 개구 압력과 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 공기 리크량(흡인 공기 유량)의 시간 변화를 나타내는 도면으로, t1, t2, t3, t4의 각 타이밍의 의미는 도 18에 도시한 그것들의 각 타이밍의 의미와 같다. 도 28의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 실선(157)은 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호할 경우(박리 용이도가 대단히 높을 경우)에 있어서의 공기 리크량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157)이며, 기대 유량 변화(157)는 미리 기억부(152)에 저장해 두는 것이다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장해 두는 기대 유량 변화(157)는 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 도 28의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 1점 쇄선(158a)과 2점 쇄선(158b)은 실제로 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 픽업할 때 검출되는 공기 리크량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)의 예이다. 실제 유량 변화(158)는 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 기억부(152)에 저장된다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장되는 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)와 대비할 수 있는 형태이면 되고, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)와 마찬가지로, 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 또한, 실제 유량 변화를 「실제 유량 정보」라고 할 수 있고, 기대 유량 변화를 「기대 유량 정보」라고 할 수 있다.
반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지지만(도 8 참조), 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 바로 되돌아온다(도 9 참조). 그 때문에, 도 28의 기대 유량 변화(157)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 증가하기 시작하지만, 바로 감소로 바뀐다(시각(tr_exp)에서 감소로 바뀜). 기대 유량 변화(157)에서는, 증가하는 공기 리크량도 적다.
한편, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나쁠 경우(박리 용이도가 낮을 경우)에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지고, 어느 정도 시간이 지나고 나서, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아온다. 그 때문에, 도 28의 실제 유량 변화(158a)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 증가하기 시작하고, 증가를 계속한 후, 시각(tr_exp)보다도 느린 시각(tr_rel)에서 감소로 바뀐다. 또한, 실제 유량 변화(158a)에서는 증가하는 공기 리크량이 많다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 대단히 나쁠 경우(박리 용이도가 대단히 낮을 경우)에는, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진 후, 어느 정도 시간이 경과해도, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아오지 않는다. 그 때문에, 도 28의 실제 유량 변화(158b)와 같이, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각(tc_end)에서도, 공기 리크량은 큰 상태 그대로이다.
이와 같이, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나빠질수록, 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)로부터 괴리한다. 그래서, 실제 유량 변화(158)를 기대 유량 변화(157)와 비교하여, 실제 유량 변화(158)가 기대 유량 변화(157)에 유사해 있을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 또는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관이 강할수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 본 실시형태에서는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하여, 그것들의 상관값을 구한다. 상관값은 0∼1.0의 값이며, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)가 완전히 일치할 때 1.0으로 하고, 0으로부터 1.0에 근접할수록 박리 용이도가 높다고 판단한다. 또한, 본 실시형태에서는, 상관값이 취하는 값의 범위를 0∼1.0으로 하지만, 그 이외이어도 되는 것은 말할 필요도 없다.
실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하는 기간은, 예를 들면, 초기 박리의 기간의 일부인 도 28의 시각(t1)(콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하기 시작한 시각)∼시각(tc_end)(최초에 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각)으로 한다. 또는, 비교하는 기간은 초기 박리의 기간의 일부인 시각(t3(개구 압력이 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작한 시각)∼tc_end)의 기간이어도 된다. 또한, 비교하는 기간은 그 밖의 기간일 수도 있다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성으로서 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관값 이외를 구해도 된다. 예를 들면, 도 28의 시각(tc_end)에 있어서의 기대 유량 변화(157)의 값과, 동 시각에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값과의 차이가 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_exp)과, 실제 유량 변화(158)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_rel)의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 28의 시각(t3) 이후에 검출되는 기대 유량 변화(157)의 공기 리크 유량의 최대값과, 동 시각 이후에 검출되는 실제 유량 변화(158)의 공기 리크 유량의 최대값과의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다.
또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을, 기대 유량 변화(157)를 사용하지 않고 검출하는 것도 생각할 수 있다. 예를 들면, 도 28의 시각(tc_end)에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값이 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 실제 유량 변화(158)에 기초하여 얻어진, 상기의 상관값, 또는 그것을 대신하는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 나타내는 지표값을 「평가값」이라고 해도 된다.
<박리성의 설정 표시 화면에의 표시>
다음에 상기한 바와 같이 하여 검출되는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 설정 표시 화면(460)에 표시하는 방법에 대해 설명한다. 오퍼레이터 등은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하고 싶을 경우에, 도 30과 같이, 포인터(478)에 의해 「자동 취득」의 버튼(468)을 클릭한다. 그것에 의해, 제어부(150)는 기억부(152)의 제어 프로그램(155)을 실행하고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 소정 레벨값의 박리 동작(픽업 동작)으로 픽업한다. 이때, 제어부(150)는 생성 수단으로서 기능하고, 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 실제 유량 변화(158)를 취득하고, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관값을 구하고, 실제 유량 변화(158)와 상관값을 기억부(152)에 저장한다.
그리고, 제어부(150)(생성 수단)는, 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 상관값을, 도 29에 도시하는 임계값 테이블(161)의 각 레벨값의 임계값(TH1, TH2)과 비교한다. 도 29는 임계값 테이블(161)의 일례이며, 임계값 테이블(161)은 미리 기억부(152)에 저장해 두는 테이블이고, 상관값에 기초하여 반도체 다이(15)에 대하여 어느 레벨값을 적용할 것인지를 결정하기 위한 테이블이다. 임계값 테이블(161)에는, 각 레벨값의 범위가 하측 임계값(TH1), 상측 임계값(TH2)으로 설정되어 있고, 낮은 레벨값일수록 큰 임계값(TH1, TH2)이 설정되어 있다. 예를 들면, 레벨 4의 범위는 0.81(하측 임계값(TH1))∼0.85(상측 임계값(TH2))이고, 레벨 1의 범위는 0.96(하측 임계값(TH1)) 이상이며, 레벨 8의 범위는 0.65(상측 임계값(TH2)) 이하이다. 제어부(150)(생성 수단)는 구해진 상관값이 어느 레벨값의 범위에 속해 있는지를 탐색하고, 상관값이 속하는 레벨값을 취득한다. 예를 들면, 구해진 상관값이 0.78이면, 레벨 5(범위: 0.76∼0.80)를 취득한다. 이렇게 하여, 제어부(150)는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 상관값이 속하는 레벨값을 임계값 테이블(161)로부터 취득한다. 그리고, 제어부(150)는 그 레벨값을 상관값이 구해진 반도체 다이(15)(다이 식별 번호)에 대응시켜 간다. 즉, 제어부(150)(생성 수단)는 레벨 테이블(159)을 작성해 간다. 그리고, 제어부(150)는 서서히 작성되어 가는 레벨 테이블(159)에 기초하여, 도 30에 도시하는 바와 같이, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣어 간다.
이와 같이, 각 반도체 다이(15)의 상관값(박리 용이도)의 크기를 레벨값으로 단계적으로 맵 화상(480)에 표시한다. 오퍼레이터 등은 도 30과 같은 맵 화상(480)을 보는 것으로, 어느 위치의 반도체 다이가 어느 정도의 박리 용이도를 가지고 있을지를 용이하게 파악할 수 있다. 또한 「자동 취득」의 버튼(468)을 클릭하는 것만으로 레벨 테이블(159)이 작성되므로, 이후의 복수매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 이 레벨 테이블(159)을 그대로 적용할 수도 있다. 또한, 오퍼레이터 등은 도 30과 같이 자동으로 각 반도체 다이(15)에 레벨값이 대응시켜진 레벨 테이블(159)을 편집할 수도 있다. 즉, 전술한 레벨 테이블(159)을 편집하는 경우와 마찬가지로, 도 30의 설정 표시 화면(460)에 있어서, 원하는 레벨값의 버튼(466)을 포인터(478)로 선택한 후, 맵 화상(480) 속의 레벨값을 변경하고 싶은 반도체 다이 화상(482)을 포인터(478)로 선택하면 된다. 또한, 여기에서는, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣는 것으로 했지만, 각 반도체 다이 화상(482)에, 상관값(박리 용이도)의 크기에 따라 보다 미세하게 변화되는 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이도록 해도 된다.
또한, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 오퍼레이터 등이 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 박리성을 상세하게 파악할 수 있는 구조를 가지고 있다. 도 31에 도시하는 바와 같이, 맵 화상(480)의 소정의 반도체 다이 화상(482c)에 포인터(478)를 이동시키면 말풍선(486)이 나타나고, 말풍선(486) 속에, 포인터(478)가 위치하고 있는 반도체 다이 화상(482c)에 대응하는 반도체 다이(15)의 실제 유량 변화의 파형과 상관값이 표시된다. 도 31에 나타내는 말풍선(486) 속에는, 실선으로 실제로 유량 변화가 표시되어 있는 것 외에, 파선으로 기대 유량 변화도 표시되어 있다. 이와 같이, 각 반도체 다이(15)의 실제 유량 변화와 상관값이 설정 표시 화면(460)에 표시되기 때문에, 오퍼레이터 등은 각 반도체 다이(15)의 박리성을 상세하게 알 수 있다. 또한, 맵 화상(480)에 있어서, 각 반도체 다이 화상(482)에, 각 반도체 다이 화상(482)에 대응한 각 반도체 다이(15)의 상관값을 붙이도록 해도 된다. 또는, 특정의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)의 상관값을, 설정 표시 화면(460)상의 소정 위치에 표시하도록 해도 된다.
<작용 효과>
이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)와, 각종 박리 파라미터에 있어서의 복수의 픽업 조건(레벨 1∼8의 파라미터값) 중 하나의 픽업 조건(파라미터값)을 대응시킨 대응 정보(레벨 테이블(159) 및 파라미터 테이블(160))을 기억부(152)에 기억해 둔다. 그리고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 그 대응 정보를 참조하여, 반도체 다이(15)마다 대응시켜진 박리 동작에 따라 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하여 픽업을 행한다. 그 때문에, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)에 적합한 박리 동작을 적용하여, 픽업을 행할 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)에 의하면, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성을 파악할 수 있다.
<그 외>
이상에서 설명한 실시형태에서는, 설정 표시 화면(460)은 레벨 테이블(159)의 작성이나 갱신 등을 행하기 위한 화면이었다. 그러나, 설정 표시 화면(460)에 있어서, 파라미터 테이블(160)(조건 테이블)의 각 파라미터값의 설정을 행할 수 있어도 된다. 예를 들면, 도 32에 도시하는 바와 같이, 파라미터값의 설정용의 윈도우(490)를 설정 표시 화면(460)에 표시시켜, 파라미터값의 설정을 행할 수 있도록 한다. 구체적으로는, 우선, 파라미터값을 설정하고 싶은 레벨값의 버튼(466)을 포인터(478)로 선택(클릭)하고, 그 후, 「상세 설정」의 버튼(470)을 포인터(478)로 클릭한다. 그것에 의해, 도 32와 같이 선택한 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값 설정용의 윈도우(490)가 나타난다. 그리고, 윈도우(490) 내의 변경, 또는, 새롭게 설정하고 싶은 파라미터값의 텍스트 박스(492)를 포인터(478)로 클릭하고, 입력부(410)의 키보드로부터 파라미터값을 입력한다. 그리고, 모든 파라미터값의 입력이 종료되면, 윈도우(490) 내의 「보존」의 버튼(472)을 포인터(478)로 클릭한다. 이것에 의해, 선택한 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값이 변경 또는 새롭게 설정된다. 이 파라미터값의 접수와, 「보존」의 버튼(472)이 클릭되는 것에 의한 파라미터 테이블(160)의 갱신, 또는, 생성은 제어부(150)가 생성 수단으로서 기능하여 행한다. 이와 같이, 설정 표시 화면(460)에 있어서 파라미터 테이블(160)의 각 파라미터값을 변경, 설정할 수 있으면, 각 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값을 대단히 간단하게 조정할 수 있다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우를 예로 들어 설명을 행했다. 그러나, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성의 패턴은 이외에도 여러 가지 있다. 반도체 다이(15)의 이면에는 DAF(다이 어태치먼트 필름)이라고 불리는 필름이 붙여지는 경우가 있다. DAF는 반도체 다이(15)의 이면에 붙은 상태에서 반도체 다이(15)와 함께 픽업된 후, 반도체 다이(15)가 기판에 다이본딩될 때, 반도체 다이(15)와 기판 사이의 접착제로서 기능한다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 붙여져 있는 상태에서는, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12) 사이에 DAF가 존재한다. 반도체 다이(15)의 이면에 붙여진 DAF와 다이싱 시트(12)와의 박리성을 양호하게 하기 위해, 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업하기 전에, 다이싱 시트(12)에 대하여 자외선이 조사되는 경우가 있다. 자외선을 조사하여 다이싱 시트(12)의 점착력을 저하시킨다. 이 자외선의 조사에 불균일이 생기는 경우가 있어, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따라 각 반도체 다이(15)의 박리성이 변화되는 경우가 있다. 이러한 요인에 의해, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성은 여러 가지 패턴이 있고, 오퍼레이터 등은 그것을 파악하고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 적절한 레벨값을 대응시킨다. 예를 들면, 도 33과 같이 웨이퍼를 둘레 방향으로 2개 이상(도 33에서는 4개)으로 분할하여, 복수의 분할 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d)에 다른 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다. 또는, 예를 들면, 도 34와 같이 웨이퍼를 직경 방향으로 2개 이상(도 34에서는 6개)으로 분할하고, 복수의 분할 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f)에 상이한 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다. 또는, 예를 들면, 도 35와 같이, 웨이퍼를 부분적으로 구분하여, 각 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d)에 상이한 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하기 위한 지표로서, 실제 유량 변화와 기대 유량 변화와의 상관값을 구했다. 상관값은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬운 것을 표시하고 있어, 박리 용이도이다. 한편, 1.0으로부터 상관값을 뺀 값(1.0-상관값)은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 어려운 것을 표시하고 있어, 박리 곤란도이다. 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하기 위한 지표로서, 상관값(박리 용이도) 대신에, 박리 곤란도를 사용할 수 있다. 이상에서 설명한 실시형태에서는, 상관값(박리 용이도)과, 상관값이 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 도 29의 임계값 테이블(161)(낮은 레벨값일수록, 큰 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용하여, 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켰다. 그러나, 박리 곤란도(1.0-상관값)와, 박리 곤란도가 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 임계값 테이블(161)(낮은 레벨값일수록, 작은 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용하여, 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜도 된다. 또한, 박리 용이도, 또는 박리 곤란도를 박리도라고 할 수도 있다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 상관값을 구하기 위한 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리에 있어서의 소정의 기간이었다. 그러나, 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리의 전체 기간, 또는 본 박리의 전체 기간, 또는 본 박리에 있어서의 소정의 기간, 또는 초기 박리와 본 박리를 합친 기간이어도 된다. 기대 유량 변화(157)는 실제 유량 변화(158)와 대비되는 기간만큼, 미리 기억부(152)에 저장해 둔다.
또한, 이상에서 설명한 박리 동작에서는, 초기 박리 시 및 본 박리 시에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)에 유지했다. 그러나, 초기 박리 시, 또는 본 박리 시, 또는 초기 박리 시 및 본 박리 시에, 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)과 대기압에 가까운 제4 압력(P4)의 사이에서 1회 또는 복수회 변환하도록 해도 된다. 즉, 파라미터 테이블(160)의 박리 파라미터의 하나로서, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변환하는 횟수인 「흡착 압력의 변환 횟수」가 마련되어도 된다. 파라미터 테이블(160)에 있어서, 레벨값이 높아질수록, 「흡착 압력의 변환 횟수」가 많아지도록 파라미터값을 설정해 둔다. 박리성이 나쁜 반도체 다이(15)에는 높은 레벨값을 대응시켜, 「흡착 압력의 변환 횟수」가 많아지도록 하고, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리를 촉진시킨다.
또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 도 36에 도시하는 바와 같이, 1개의 제어부(150)가 픽업 제어 수단(600), 생성 수단(602), 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능했다. 그러나, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)이 2개 이상의 제어부(150)를 구비하고, 예를 들면, 1개의 제어부(150)가 픽업 제어 수단(600)으로서 기능하고, 다른 제어부(150)가 생성 수단(602) 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능해도 된다.
반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이의 픽업 장치라고 할 수도 있다. 또한, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 본딩 장치(본더, 본딩 시스템), 또는 다이본딩 장치(다이 본더, 다이본딩 시스템)의 일부일 수 있고, 그것들의 명칭으로 부를 수도 있다.
<부기>
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시형태에 조금도 한정되는 것은 아니고, 본 발명 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 다양한 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
10 웨이퍼 홀더, 11 웨이퍼, 12 다이싱 시트, 12a 표면, 12b 이면, 13 링, 14 간극, 15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f 반도체 다이, 16 익스팬드 링, 17 링 누름부, 18 콜릿, 18a 표면, 19 흡인 구멍, 20 스테이지, 22 흡착면, 23 개구, 23a 내면, 24 기체부, 26 홈, 27 흡착 구멍, 30 이동 요소, 31 주변 환상 이동 요소, 33 외주면, 38a, 38b, 47 선단면, 40, 41 중간 환상 이동 요소, 45 주상 이동 요소, 80 개구 압력 변환 기구, 81, 91, 101 3방향 밸브, 82, 92, 102 구동부, 83-85, 93-95, 103-105 배관, 90 흡착 압력 변환 기구, 100 흡인 기구, 106 유량 센서, 110 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부, 120 스테이지 상하 방향 구동부, 130 콜릿 구동부, 140 진공 장치, 150 제어부, 151 CPU, 152 기억부, 153 기기·센서 인터페이스, 154 데이터 버스, 155 제어 프로그램, 156 설정 표시 프로그램, 157 기대 유량 변화, 158, 158a, 158b 실제 유량 변화, 159 레벨 테이블, 160 파라미터 테이블, 161 임계값 테이블, 300 단차면 형성 기구, 400 단차면 형성 기구 구동부, 410 입력부, 450 표시부, 460 설정 표시 화면, 462 레벨값 버튼군, 464 조작 버튼군, 466, 468, 470, 472 버튼, 478 포인터, 480 맵 화상, 482, 482a, 482b, 482c 반도체 다이 화상, 486 말풍선, 490 윈도우, 492 텍스트 박스, 500 반도체 다이의 픽업 시스템, 600 픽업 제어 수단(제어 수단), 602 생성 수단, 604 표시 제어 수단.

Claims (14)

  1. 웨이퍼를 다이싱한 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하여 픽업하는 픽업 시스템으로서,
    상기 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하기 위한 픽업 조건에 기초하여, 픽업 동작을 제어하는 제어 수단과,
    복수의 상기 픽업 조건 중 어느 하나의 상기 픽업 조건과, 반도체 다이의 개별 정보를 대응시킨 대응 정보를 생성하는 생성 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은
    반도체 다이를 픽업할 때, 반도체 다이마다 대응시켜진 상기 대응 정보에 따라 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 픽업하는 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 생성 수단은
    1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 복수의 상기 픽업 조건의 식별자인 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블과,
    복수의 상기 레벨값 중 어느 하나와, 상기 픽업 조건 중 어느 하나를 대응시킨 조건 테이블을 생성하고,
    상기 대응 정보는 상기 레벨 테이블 및 상기 조건 테이블에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    복수의 상기 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    화면을 표시하는 표시부와,
    표시 제어 수단을 갖추고,
    상기 표시 제어 수단은
    상기 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고,
    상기 맵 화상에서, 상기 레벨값이 대응시켜진 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    정보를 입력하는 입력부를 갖추고,
    상기 생성 수단은,
    상기 입력부로부터, 상기 맵 화상상의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상의 선택과, 복수의 상기 레벨값 중에서 1개의 레벨값의 선택을 접수하고,
    선택된 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이에, 선택된 레벨값을 대응시켜, 상기 레벨 테이블을 생성, 또는 갱신하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  6. 제4항에 있어서,
    반도체 다이를 흡착하는 콜릿과,
    상기 콜릿에 접속되어, 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와,
    상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와,
    반도체 다이의 상기 다이싱 시트로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 기대 유량 정보를 기억한 기억부를 갖추고,
    상기 생성 수단은
    1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하고,
    복수의 반도체 다이의 각각의 상기 실제 유량 정보와 상기 기대 유량 정보와의 상관값을 구하고,
    복수의 상기 상관값의 각각에 기초하여, 복수의 반도체 다이의 각각에 상기 레벨값을 대응시켜, 상기 레벨 테이블을 생성, 또는 갱신하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 표시 제어 수단은,
    상기 표시부의 상기 맵 화상에서, 각 반도체 다이 화상 또는 각 반도체 다이 화상의 근방에, 각 반도체 다이 화상에 대응한 각 반도체 다이의 상기 상관값을 표시하거나, 또는,
    상기 표시부에서, 특정 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이의 상기 상관값을 화면상의 소정 위치에 표시하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 레벨 테이블에서, 1매의 웨이퍼의 외주측으로부터 내주측을 향함에 따라, 각 반도체 다이에, 보다 픽업에 요하는 시간이 짧은 레벨값이 대응시켜져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와,
    상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구를 갖추고,
    상기 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하는 제어를 행하고,
    상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하는 변한 횟수를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력에 유지하는 유지 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제1 위치와 상기 제1 위치보다 낮은 제2 위치의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 상기 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구를 갖추고,
    상기 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 상기 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 차례로, 또는 소정의 상기 이동 요소의 조합으로 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 제어를 행하고,
    상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 소정 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 픽업 조건의 종류에는, 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 상기 이동 요소의 수를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  13. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    반도체 다이를 흡착하는 콜릿을 갖추고,
    상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
  14. 다이싱 시트의 표면에 붙여진 반도체 다이를 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템으로서,
    반도체 다이를 흡착하는 콜릿과,
    상기 콜릿에 접속되어, 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와,
    상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와,
    픽업 시에, 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어하는 제어부와,
    화면을 표시하는 표시부를 갖추고,
    상기 제어부는,
    1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화를 취득하고,
    복수의 반도체 다이의 각각의 상기 실제 유량 변화에 기초하여, 복수의 반도체 다이의 각각의 상기 다이싱 시트로부터의 박리 용이도 또는 박리 곤란도인 박리도를 구하고,
    상기 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고,
    상기 맵 화상에서, 박리도를 구한 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 당해 반도체 다이의 박리도에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.
KR1020207027930A 2018-07-06 2019-07-05 반도체 다이의 픽업 시스템 KR102424153B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-129334 2018-07-06
JP2018129334 2018-07-06
PCT/JP2019/026910 WO2020009243A1 (ja) 2018-07-06 2019-07-05 半導体ダイのピックアップシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200124735A true KR20200124735A (ko) 2020-11-03
KR102424153B1 KR102424153B1 (ko) 2022-07-25

Family

ID=69060529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207027930A KR102424153B1 (ko) 2018-07-06 2019-07-05 반도체 다이의 픽업 시스템

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6883369B2 (ko)
KR (1) KR102424153B1 (ko)
CN (1) CN112368817B (ko)
SG (1) SG11202012864QA (ko)
TW (1) TWI745710B (ko)
WO (1) WO2020009243A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7421412B2 (ja) 2020-05-01 2024-01-24 株式会社Fuji 吸着装置の状態判定装置
WO2021241065A1 (ja) * 2020-05-26 2021-12-02 キヤノン株式会社 吸着機構、物品の製造装置、半導体製造装置
CN112599467B (zh) * 2020-12-15 2022-08-09 长江存储科技有限责任公司 裸片拾取方法及装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945339B1 (ko) 1970-08-12 1974-12-03
JPS5813432B2 (ja) 1978-10-11 1983-03-14 日立造船株式会社 可燃性液体の洋上備蓄用タンクヤ−ド
JP2002299418A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微小ワークの移載装置および移載方法
US8092645B2 (en) 2010-02-05 2012-01-10 Asm Assembly Automation Ltd Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up
JP2012028364A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Panasonic Corp チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
JP2013065628A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
KR20150145255A (ko) * 2014-02-24 2015-12-29 가부시키가이샤 신가와 반도체 다이의 픽업 장치 및 픽업 방법
JP2016072381A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法
JP2016195194A (ja) * 2015-04-01 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 半導体製造装置および半導体片の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235795B2 (en) * 2004-08-12 2007-06-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor device manufacturing apparatus and a method of controlling a semiconductor device manufacturing process
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP5805411B2 (ja) * 2011-03-23 2015-11-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダのピックアップ方法およびダイボンダ
AT512859B1 (de) * 2012-05-11 2018-06-15 Hanmi Semiconductor Co Ltd Halbleiterchip Wende- und Befestigungseinrichtung
JP5717910B1 (ja) * 2014-02-26 2015-05-13 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945339B1 (ko) 1970-08-12 1974-12-03
JPS5813432B2 (ja) 1978-10-11 1983-03-14 日立造船株式会社 可燃性液体の洋上備蓄用タンクヤ−ド
JP2002299418A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微小ワークの移載装置および移載方法
US8092645B2 (en) 2010-02-05 2012-01-10 Asm Assembly Automation Ltd Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up
JP2012028364A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Panasonic Corp チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
JP2013065628A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
KR20150145255A (ko) * 2014-02-24 2015-12-29 가부시키가이샤 신가와 반도체 다이의 픽업 장치 및 픽업 방법
JP2016072381A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法
JP2016195194A (ja) * 2015-04-01 2016-11-17 富士ゼロックス株式会社 半導体製造装置および半導体片の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6883369B2 (ja) 2021-06-09
CN112368817B (zh) 2024-03-12
SG11202012864QA (en) 2021-01-28
CN112368817A (zh) 2021-02-12
KR102424153B1 (ko) 2022-07-25
TW202006836A (zh) 2020-02-01
TWI745710B (zh) 2021-11-11
WO2020009243A1 (ja) 2020-01-09
JPWO2020009243A1 (ja) 2021-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200124735A (ko) 반도체 다이의 픽업 시스템
JP5888455B1 (ja) 半導体製造装置および半導体片の製造方法
JP6349496B2 (ja) 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
JP5717910B1 (ja) 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR102362985B1 (ko) 반도체 다이의 픽업 시스템
US8801352B2 (en) Pick and place tape release for thin semiconductor dies
KR101780359B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011018734A (ja) ダイボンダ
JP2000195877A (ja) ダイシングシ―ト上のチップの分離方法及び分離装置
JP5924446B1 (ja) 半導体製造装置および半導体片の製造方法
CN210325719U (zh) 一种晶粒分选机构
JPH0376139A (ja) 半導体素子突上げ方法
JP2006318972A (ja) 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
CN211254700U (zh) 一种3m胶带预留助拨头的剥离装置
US20050139525A1 (en) Chip sorting apparatus and method for fabricating the same
CN210115259U (zh) 一种用于晶圆目检的扩晶环承载装置
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
JP2009123794A (ja) チップ剥離装置およびチップ剥離方法ならびにチップピックアップ装置
CN110834997A (zh) 一种3m胶带预留助拨头的剥离装置
JPH04162445A (ja) ペレット突上げ機構
JP2024019098A (ja) ウェハフィルムフレームからチップを取り出すための方法及び装置、実装システム、並びにコンピュータプログラム
JPH0661347A (ja) チップ剥離の方法及び装置
JPH04148547A (ja) 半導体ペレットのピックアップ方法
JPS63204624A (ja) ペレツトマウント装置
JPH0217480Y2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant