WO2019146441A1 - バンドパスフィルタ - Google Patents

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WO2019146441A1
WO2019146441A1 PCT/JP2019/000849 JP2019000849W WO2019146441A1 WO 2019146441 A1 WO2019146441 A1 WO 2019146441A1 JP 2019000849 W JP2019000849 W JP 2019000849W WO 2019146441 A1 WO2019146441 A1 WO 2019146441A1
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inductor
capacitor
circuit
ground
resonant circuit
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PCT/JP2019/000849
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谷口　哲夫
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
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    • H03H7/0161—Bandpass filters
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to a band pass filter, and more particularly to a band pass filter provided with a plurality of resonant circuits formed of an inductor and a capacitor.
  • a high frequency band pass filter suitable for miniaturization and cost reduction is formed by forming a plurality of resonant circuits having capacitors and inductors in a laminate including dielectric layers, pattern conductors and via conductors.
  • a band pass filter described in WO2007 / 119356 Patent Document 1 can be mentioned.
  • FIG. 19 is an explanatory view of a band pass filter described in Patent Document 1.
  • FIG. 19A is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 200.
  • FIG. 19B is a filter characteristic diagram of the band pass filter 200.
  • S21 represents a passing characteristic using the amount of attenuation as an index.
  • S11 represents a reflection characteristic using the attenuation amount as an index.
  • the band pass filter 200 includes capacitors C211, C221, C231, C241, inductors L211, L221, L231, a first signal port P201, and a second signal port P202. There is.
  • the capacitor C211 and the inductor L211 constitute a resonant circuit.
  • the capacitor C221 and the inductor L221, and the capacitor C231 and the inductor L231 respectively constitute different resonance circuits. That is, the band pass filter 200 is composed of three stages of parallel resonant circuits.
  • band pass filter 200 electromagnetic field coupling as shown by arrows is generated between the inductor L211 and the inductor L221 and between the inductor L221 and the inductor L231.
  • S21 of the band pass filter 200 has an attenuation pole of about ⁇ 80 dB on the low frequency side and about ⁇ 60 dB on the high frequency side of the pass band.
  • the absolute value of S21 in the frequency range lower than the attenuation pole on the low frequency side significantly decreases compared to the value at the attenuation pole.
  • the absolute value of S21 in the frequency region higher than the attenuation pole on the high frequency side also decreases significantly as compared with the value at the attenuation pole, and the degree of the decrease gradually increases with the increase of the frequency.
  • an object of the present invention is to provide a band pass filter capable of obtaining sufficient attenuation characteristics even in frequency regions on the high frequency side and low frequency side of the pass band.
  • the band pass filter according to the present invention can improve the structure in which the plurality of resonant circuits are electromagnetically coupled to each other.
  • a first aspect of the band pass filter according to the present invention includes a first filter circuit, a second filter circuit, and a fifth resonant circuit.
  • a first filter circuit comprises a first resonant circuit having a first signal port, a first inductor and a first capacitor, and a second resonant circuit having a second inductor and a second capacitor. And contains.
  • the second filter circuit includes a third resonant circuit having a second signal port, a third inductor and a third capacitor, and a fourth resonant circuit having a fourth inductor and a fourth capacitor. And contains.
  • the fifth resonant circuit includes a fifth capacitor connected to ground, a sixth capacitor connected to ground, and a fifth inductor connected between the fifth capacitor and the sixth capacitor. have.
  • the fifth inductor is electromagnetically coupled to each of the first inductor, the second inductor, the third inductor, and the fourth inductor.
  • a second aspect of the band pass filter according to the present invention comprises a first filter circuit, a second filter circuit, a fifth resonant circuit, and a sixth resonant circuit.
  • a first filter circuit comprises a first resonant circuit having a first signal port, a first inductor and a first capacitor, and a second resonant circuit having a second inductor and a second capacitor. And contains.
  • the second filter circuit includes a third resonant circuit having a second signal port, a third inductor and a third capacitor, and a fourth resonant circuit having a fourth inductor and a fourth capacitor. And contains.
  • the fifth resonant circuit includes a fifth capacitor connected to ground, a sixth capacitor connected to ground, and a fifth inductor connected between the fifth capacitor and the sixth capacitor. have.
  • the sixth resonant circuit includes a seventh capacitor connected to ground, an eighth capacitor connected to ground, and a sixth inductor connected between the seventh capacitor and the eighth capacitor. have.
  • the fifth inductor is electromagnetically coupled to each of the first and second inductors.
  • the sixth inductor is electromagnetically coupled to each of the third and fourth inductors. Furthermore, the fifth inductor and the sixth inductor are electromagnetically coupled.
  • a third aspect of the band pass filter according to the present invention comprises a first filter circuit, a second filter circuit, and a seventh resonant circuit.
  • a first filter circuit comprises a first resonant circuit having a first signal port, a first inductor and a first capacitor, and a second resonant circuit having a second inductor and a second capacitor. And contains.
  • the second filter circuit includes a third resonant circuit having a second signal port, a third inductor and a third capacitor, and a fourth resonant circuit having a fourth inductor and a fourth capacitor. And contains.
  • the seventh resonant circuit includes a fifth capacitor connected to the ground and a fifth inductor connected between the ground and the fifth capacitor.
  • the fifth inductor is electromagnetically coupled to each of the first inductor, the second inductor, the third inductor, and the fourth inductor.
  • a fourth aspect of the band pass filter according to the present invention comprises a first filter circuit, a second filter circuit, a seventh resonant circuit, and an eighth resonant circuit.
  • a first filter circuit comprises a first resonant circuit having a first signal port, a first inductor and a first capacitor, and a second resonant circuit having a second inductor and a second capacitor. And contains.
  • the second filter circuit includes a third resonant circuit having a second signal port, a third inductor and a third capacitor, and a fourth resonant circuit having a fourth inductor and a fourth capacitor. And contains.
  • the seventh resonant circuit includes a fifth capacitor connected to the ground and a fifth inductor connected between the ground and the fifth capacitor.
  • the eighth resonant circuit includes a seventh capacitor connected to the ground, and a sixth inductor connected between the ground and the seventh capacitor.
  • the fifth inductor is electromagnetically coupled to each of the first and second inductors.
  • the sixth inductor is electromagnetically coupled to each of the third and fourth inductors. Furthermore, the fifth inductor and the sixth inductor are electromagnetically coupled.
  • a multilayer body in which a plurality of dielectric layers are stacked, a plurality of pattern conductors disposed between the dielectric layers, and a dielectric layer being penetrated. And a plurality of via conductors.
  • the 5th aspect of the band pass filter concerning this invention is equipped with the 1st filter circuit, the 2nd filter circuit, and the 5th resonance circuit.
  • the first filter circuit includes a first resonant circuit having a first signal electrode, a first ground electrode, a first inductor and a first capacitor, a second inductor and a second capacitor. And a second resonant circuit having The first signal electrode, the first ground electrode, the first resonant circuit, and the second resonant circuit are formed of the pattern conductor or the pattern conductor and the via conductor described above.
  • the second filter circuit includes a third resonance circuit having a second signal electrode, a second ground electrode, a third inductor and a third capacitor, a fourth inductor and a fourth capacitor. And a fourth resonant circuit having The second signal electrode, the second ground electrode, the third resonant circuit, and the fourth resonant circuit are formed of the above-described pattern conductor or pattern conductor and via conductor.
  • the fifth resonant circuit includes a third ground electrode, a fifth capacitor, a sixth capacitor, and a fifth inductor.
  • the fifth capacitor and the sixth capacitor are connected to the third ground electrode.
  • the fifth inductor is connected between the fifth capacitor and the sixth capacitor.
  • the fifth resonant circuit is formed of the pattern conductor or the pattern conductor and the via conductor described above.
  • the fifth resonant circuit is arranged in parallel between the first filter circuit and the second filter circuit as follows. That is, a virtual plane on which the fifth inductor is disposed is taken as a first plane. Then, when the first inductor and the second inductor are projected onto the first plane, at least a portion of the first inductor and at least a portion of the second inductor overlap the fifth inductor. .
  • the third and fourth inductors are projected onto the first plane, at least a portion of the third inductor and at least a portion of the fourth inductor overlap the fifth inductor.
  • a multilayer body in which a plurality of dielectric layers are stacked, a plurality of pattern conductors disposed between the dielectric layers, and a dielectric layer. And a plurality of via conductors.
  • the 6th aspect of the band pass filter concerning this invention is equipped with the 1st filter circuit, the 2nd filter circuit, the 5th resonance circuit, and the 6th resonance circuit.
  • the first filter circuit, the second filter circuit, and the fifth resonant circuit respectively correspond to the first filter circuit, the second filter circuit, and the fifth filter circuit in the fifth aspect of the band pass filter according to the present invention. It is similar to the resonant circuit.
  • the sixth resonant circuit includes a fourth ground electrode, a seventh capacitor, an eighth capacitor, and a sixth inductor.
  • the seventh capacitor and the eighth capacitor are connected to the fourth ground electrode.
  • the sixth inductor is connected between the seventh capacitor and the eighth capacitor.
  • the sixth resonant circuit is formed of the pattern conductor or the pattern conductor and the via conductor described above.
  • the fifth resonant circuit and the sixth resonant circuit are arranged in parallel between the first filter circuit and the second filter circuit as follows. That is, a virtual plane on which the fifth inductor is disposed is taken as a first plane. Then, when the first inductor and the second inductor are projected onto the first plane, at least a portion of the first inductor and at least a portion of the second inductor overlap the fifth inductor. .
  • a virtual plane on which the sixth inductor is disposed is taken as a second plane. Then, when the third and fourth inductors are projected onto the second plane, at least a portion of the third inductor and at least a portion of the fourth inductor overlap the sixth inductor. .
  • the sixth inductor when projected onto the first plane described above, at least a portion of the sixth inductor overlaps the fifth inductor.
  • a seventh aspect of the band pass filter of the present invention there is provided a multilayer body in which a plurality of dielectric layers are stacked, a plurality of pattern conductors disposed between the dielectric layers, and a dielectric layer. And a plurality of via conductors.
  • the 6th aspect of the band pass filter concerning this invention is equipped with the 1st filter circuit, the 2nd filter circuit, and the 7th resonance circuit.
  • the first filter circuit and the second filter circuit are respectively similar to the first filter circuit and the second filter circuit in the fifth aspect of the band pass filter according to the present invention.
  • the seventh resonant circuit includes a third ground electrode, a fifth capacitor, and a fifth inductor.
  • the fifth capacitor is connected to the third ground electrode.
  • the fifth inductor is connected between the third ground electrode and the fifth capacitor.
  • the seventh resonant circuit is formed of the above-described pattern conductor or pattern conductor and via conductor.
  • the fifth inductor is disposed to be electromagnetically coupled to each of the first inductor, the second inductor, the third inductor, and the fourth inductor.
  • a laminated body in which a plurality of dielectric layers are laminated, a plurality of pattern conductors disposed between the dielectric layers, and a dielectric layer being penetrated. And a plurality of via conductors.
  • the 8th aspect of the band pass filter concerning this invention is equipped with the 1st filter circuit, the 2nd filter circuit, the 7th resonance circuit, and the 8th resonance circuit.
  • the first filter circuit, the second filter circuit and the seventh resonant circuit respectively correspond to the first filter circuit, the second filter circuit and the seventh resonant circuit in the seventh aspect of the band pass filter according to the present invention. Is the same as
  • the eighth resonant circuit includes a fourth ground electrode, a seventh capacitor, and a sixth inductor.
  • the seventh capacitor is connected to the fourth ground electrode.
  • the sixth inductor is connected between the fourth ground electrode and the seventh capacitor.
  • the eighth resonant circuit is formed by the pattern conductor or the pattern conductor and the via conductor described above.
  • a fifth inductor is arranged to be electromagnetically coupled to each of the first inductor and the second inductor.
  • the sixth inductor is arranged to be electromagnetically coupled to each of the third inductor and the fourth inductor. Further, the fifth inductor and the sixth inductor are arranged to be electromagnetically coupled.
  • a ninth aspect of the band pass filter according to the present invention includes a first filter circuit, a second filter circuit, and an intermediate circuit which are formed as a laminate of a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor layers.
  • the intermediate circuit is formed on any of the conductor layer and the ground conductor formed on any of the conductor layers, and is disposed to face the ground conductor via the dielectric layer, the first capacitor conductor and the second capacitor conductor And a first line conductor formed in any of the conductor layers, and a first via conductor and a second via conductor formed in the stacking direction of the stacked body.
  • the first capacitor conductor and the first line conductor are connected via the first via conductor.
  • the second capacitor conductor and the first line conductor are connected via the second via conductor.
  • the first filter circuit, the intermediate circuit, and the second filter circuit are arranged in this order.
  • Each of the first filter circuit and the intermediate circuit, and the second filter circuit and the intermediate circuit are electromagnetically coupled.
  • the first filter circuit and the intermediate circuit are electromagnetically coupled
  • the second filter circuit and the intermediate circuit are electromagnetically coupled
  • the inductor constituting the second filter circuit and the inductor constituting the intermediate circuit are electromagnetically coupled.
  • the band pass filter according to the present invention can obtain sufficient attenuation characteristics even in the frequency range higher and lower than the pass band.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a band pass filter 100 that is a first embodiment of a band pass filter according to the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the band pass filter 100.
  • 5 is a filter characteristic diagram of the band pass filter 100.
  • FIG. It is an equivalent circuit schematic of band pass filter 100A which is a 2nd embodiment of a band pass filter concerning this invention. It is a disassembled perspective view of band pass filter 100A.
  • band pass filter 100B which is a 3rd embodiment of a band pass filter concerning this invention. It is a disassembled perspective view of band pass filter 100B.
  • It is a filter characteristic view of band pass filter 100B.
  • band pass filter 100C which is a 4th embodiment of a band pass filter concerning this invention. It is a disassembled perspective view of band pass filter 100C. It is an equivalent circuit schematic of band pass filter 100D which is a 5th embodiment of a band pass filter concerning this invention. It is a disassembled perspective view of bandpass filter 100D. It is a filter characteristic view of band pass filter 100D. It is an equivalent circuit schematic of the band pass filter 100E which is 6th Embodiment of the band pass filter which concerns on this invention. It is an equivalent circuit schematic of the band pass filter 100F which is 7th Embodiment of the band pass filter which concerns on this invention.
  • band pass filter 100G which is 8th Embodiment of the band pass filter which concerns on this invention. It is the equivalent circuit schematic of the band pass filters 100H to 100K of a reference example. It is a disassembled perspective view of band pass filter 100H. It is an equivalent circuit schematic and filter characteristic view of the band pass filter 200 of background art.
  • the band pass filter to which the present invention is applied includes, for example, a laminated ceramic filter obtained by co-firing a low temperature fired ceramic and a pattern conductor and a via conductor, but is not limited thereto.
  • a band pass filter 100 which is a first embodiment of a band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • the disassembled perspective view mentioned later is a schematic diagram.
  • the thicknesses of the dielectric layer and the pattern conductor, the thickness of the via conductor, and the like are schematic.
  • variations in the shape of each component generated in the manufacturing process are not necessarily reflected in the respective drawings.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100. As shown in FIG.
  • the band pass filter 100 includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a fifth resonant circuit RC5.
  • the first filter circuit FC1 includes a first signal port P1, a first resonant circuit RC1, and a second resonant circuit RC2.
  • the first resonant circuit RC1 includes a first inductor L11, a first capacitor C11, and a seventh inductor L13 shared with the second resonant circuit RC2.
  • the second resonant circuit RC2 includes a second inductor L12, a second capacitor C12, and a seventh inductor L13 shared with the first resonant circuit RC1.
  • the seventh inductor L13 is not an essential component in the present invention.
  • the first inductor L11 and the seventh inductor L13 are connected in series between the first signal port P1 and the ground.
  • the first capacitor C11 is connected in parallel with the first inductor L11 and the seventh inductor L13 between the first signal port P1 and the ground.
  • the second inductor L12 and the second capacitor C12 are connected in series between the first inductor L11 and the ground.
  • the seventh inductor L13 is connected in parallel with the second inductor L12 and the second capacitor C12 between the first inductor L11 and the ground.
  • the second filter circuit FC2 includes a second signal port P2, a third resonant circuit RC3, and a fourth resonant circuit RC4.
  • the third resonant circuit RC3 includes a third inductor L21, a third capacitor C21, and an eighth inductor L23 shared with the fourth resonant circuit RC4.
  • the fourth resonant circuit RC4 includes a fourth inductor L22, a fourth capacitor C22, and an eighth inductor L23 shared with the third resonant circuit RC3.
  • the eighth inductor L23 is not an essential component in the present invention.
  • the fourth inductor L22 and the fourth capacitor C22 are connected in series between the third inductor L21 and the ground.
  • the eighth inductor L23 is connected in parallel with the fourth inductor L22 and the fourth capacitor C22 between the third inductor L21 and the ground.
  • the fifth resonant circuit RC5 includes a fifth capacitor C31, a sixth capacitor C32, and a fifth inductor L31.
  • the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32 are each connected to the ground.
  • the fifth inductor L31 is connected between the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to each of the first inductor L11, the second inductor L12, the third inductor L21, and the fourth inductor L22.
  • the pattern conductor P21 is connected to the pattern conductors P61 and P101 via the via conductor v1.
  • the pattern conductor P21 is connected to the pattern conductor P113 via the via conductor v2.
  • the pattern conductor P21 is connected to the pattern conductor P102 via the via conductor v3.
  • the pattern conductor P61 is connected to the pattern conductors P111 and P131 via the via conductor v4.
  • the pattern conductor P111 is connected to the first terminal electrode P131 via the via conductor v4.
  • a first inductor L11 is configured by a part of the pattern conductor P21 (a portion from the connection portion with the via conductor v1 to the connection portion with the via conductor v2) and the via conductor v1.
  • a seventh inductor L13 is configured by the via conductor v2 that connects the pattern conductor P21 and the pattern conductor P113. As described above, the seventh inductor L13 is not an essential component in the present invention. That is, the seventh inductor L13 can also be realized by inductive coupling between the first inductor L11 and a second inductor L12 described later.
  • a first capacitor C11 is configured by the pattern conductor P101 and the pattern conductor P113.
  • the pattern conductor P113 is a ground-side capacitor electrode common to the first capacitor C11 and a second capacitor C12 described later (this is referred to as "first ground-side capacitor electrode").
  • the first terminal electrode P131 corresponds to the first signal port P1 in FIG.
  • the pattern conductor P61 is a pattern conductor connected to the first signal port P1.
  • the first resonant circuit RC1 is configured of the first inductor L11, the seventh inductor L13, and the first capacitor C11.
  • a second inductor L12 is configured by a part of the pattern conductor P21 (a portion from the connection portion with the via conductor v2 to the connection portion with the via conductor v3) and the via conductor v3.
  • a second capacitor C12 is configured by the pattern conductor P102 and the pattern conductor P113.
  • the pattern conductor P113 is connected to a pattern conductor P121 which is a ground electrode to be described later via via conductors v5 and v6 formed in the dielectric layer DL12 from the dielectric layer DL11.
  • the second resonant circuit RC2 is configured of the second inductor L12, the seventh inductor L13, and the second capacitor C12.
  • the second filter circuit FC2 includes pattern conductors P22, P62, P103, P104, P112, and P114, and via conductors.
  • the rectangular pattern conductor P22 is formed on the dielectric layer DL2.
  • the bent plate-like pattern conductor P62 is formed on the dielectric layer DL6.
  • the rectangular pattern conductors P103 and P104 are formed on the dielectric layer DL10.
  • a rectangular pattern conductor P112 and an angular C-shaped pattern conductor P114 are formed on the dielectric layer DL11.
  • the plurality of via conductors are formed in the dielectric layers DL2 to DL11, respectively.
  • the second filter circuit FC2 includes a second signal electrode (a second terminal electrode P132 described later), a second ground-side capacitor electrode described later, and the third resonant circuit RC3 and the fourth resonant circuit described above. And RC4 are included.
  • the pattern conductor P112 is connected to the second terminal electrode P132 via the via conductor v12.
  • a third inductor L21 is configured by a portion of the pattern conductor P22 (a portion from the connection portion with the via conductor v9 to the connection portion with the via conductor v10) and the via conductor v9.
  • a seventh inductor L13 is configured by the via conductor v10 connecting the pattern conductor P22 and the pattern conductor P114.
  • the eighth inductor L23 is not an essential component in the present invention. That is, the eighth inductor L23 can also be realized by inductive coupling between the third inductor L21 and a fourth inductor L22 described later.
  • the pattern conductor P103 and the pattern conductor P114 constitute a third capacitor C21.
  • the pattern conductor P114 is a ground-side capacitor electrode common to the third capacitor C21 and a fourth capacitor C22 described later (this is referred to as a "second ground-side capacitor electrode").
  • the second terminal electrode P132 corresponds to the second signal port P2 in FIG.
  • the pattern conductor P62 is a pattern conductor connected to the second signal port P2.
  • a fourth inductor L22 is configured by a part of the pattern conductor P22 (a portion from the connection portion with the via conductor v10 to the connection portion with the via conductor v11) and the via conductor v11.
  • a fourth capacitor C22 is configured by the pattern conductor P104 and the pattern conductor P114.
  • the third capacitor C21 and the fourth capacitor C22 share the pattern conductor P114.
  • the pattern conductor P114 is connected to a pattern conductor P121, which is a ground electrode to be described later, via via conductors v13 and v14 formed in the dielectric layer DL11 to the dielectric layer DL12.
  • the fourth resonance circuit RC4 is configured of the fourth inductor L22, the eighth inductor L23, and the fourth capacitor C22.
  • the fifth resonant circuit RC5 includes a ground electrode, a fifth capacitor C31, a sixth capacitor C32, and a fifth inductor L31 connected between the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32. It is composed of The ground electrode is a pattern conductor P121.
  • the pattern conductor P121 is connected to the third terminal electrode P133 via the via conductor v15 formed in the dielectric layers DL12 to DL13.
  • the pattern conductor P121 is connected to the fourth terminal electrode P134 via the via conductor v16 formed in the dielectric layers DL12 to DL13.
  • the pattern conductor P121 is connected to the fifth terminal electrode P135 via the via conductor v17 formed in the dielectric layers DL12 to DL13.
  • the pattern conductor P121 is connected to the sixth terminal electrode P136 via the via conductor v18 formed in the dielectric layers DL12 to DL13.
  • the fifth capacitor C31 is configured of pattern conductors P115 and P121.
  • the sixth capacitor C32 is configured of pattern conductors P116 and P121. That is, the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32 share the pattern conductor P121.
  • the fifth inductor L31 includes a pattern conductor P23 and via conductors v7 and v8 formed in the dielectric layers DL2 to DL11 connected to both ends thereof.
  • the fifth resonant circuit RC5 is disposed in parallel between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 as follows. That is, a virtual plane on which the pattern conductor P23 forming the fifth inductor L31 and the via conductors connected to both ends thereof are arranged is taken as a first plane. That is, the first plane refers to a plane including the central axis of each via conductor and the central cross section along the longitudinal direction of pattern conductor P23, including a manufacturing error.
  • the first inductor L11 and the second inductor L12 are projected onto the first plane, the first inductor L11 and the second inductor L12 overlap the fifth inductor L31.
  • the third inductor L21 and the fourth inductor L22 are projected on the first plane, the third inductor L21 and the fourth inductor L22 overlap the fifth inductor L31.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to each of the first inductor L11, the second inductor L12, the third inductor L21 and the fourth inductor L22 as shown by arrows in FIG. .
  • the entire first inductor L11 and the entire second inductor L12 overlap with the fifth inductor L31, respectively.
  • the entire third inductor L21 and the entire fourth inductor L22 overlap with the fifth inductor L31, respectively.
  • at least a part of each of the first inductor L11, the second inductor L12, the third inductor L21, and the fourth inductor L22 may be overlapped with the fifth inductor L31.
  • the pattern conductor P23 may be formed to be longer or shorter than the pattern conductor P21 and the pattern conductor P22.
  • pattern conductor P23 is formed to adjust electromagnetic field coupling between fifth inductor L31 and each of first inductor L11, second inductor L12, third inductor L21, and fourth inductor L22.
  • the dielectric layer in question may be different from the dielectric layer in which the pattern conductor P21 and the pattern conductor P22 are formed.
  • a partial coupling state between the coils is realized, so that the electromagnetic field coupling between the coils can be weakened.
  • desired electromagnetic field coupling can be realized without increasing the physical dimensions of the pattern conductors P21 to P23.
  • FIG. 3 shows the filter characteristics of the band pass filter 100 when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, it has an attenuation pole of about -83 dB on the lower frequency side and about -44 dB on the higher frequency side than the pass band.
  • an attenuation amount exceeding -53 dB is secured on the low frequency side from the low frequency side attenuation pole. Further, the amount of attenuation exceeding -38 dB is secured on the high frequency side from the high frequency side attenuation pole. In particular, in S21 on the higher frequency side than the high frequency attenuation pole, there is no tendency for the absolute value to gradually decrease as the frequency increases (see FIG. 19B).
  • the band pass filter 100 as a result of the electromagnetic field coupling being effectively generated by the above-described structure, sufficient attenuation characteristics can be obtained even in the frequency range higher and lower than the pass band.
  • each capacitance which comprises the band pass filter 100 can be set with the area of the conductor pattern which comprises them, and the dielectric constant of a dielectric material.
  • the value of each inductance can be set by the number of connected via conductors constituting them. That is, the value of each inductance is changed by adjusting the number of dielectric layers in which only via conductors such as dielectric layers DL3 to DL4 and dielectric layers DL7 to DL9 in band pass filter 100 are formed. be able to. Also in each embodiment described later, the value of each capacitance and the value of each inductance are adjusted.
  • FIG. 1 A band pass filter 100A which is a second embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 1 A band pass filter 100A which is a second embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 1 A band pass filter 100A which is a second embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100A. Similar to the band pass filter 100, the band pass filter 100A includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a fifth resonant circuit RC5.
  • the first filter circuit FC1 further includes a ninth capacitor C13.
  • the ninth capacitor C13 is connected between the connection point of the first capacitor C11, the second capacitor C12, and the seventh inductor L13, and the ground.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the tenth capacitor C23 is connected between the connection point of the third capacitor C21, the fourth capacitor C22, and the eighth inductor L23, and the ground.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • FIG. 5 is an exploded perspective view of the band pass filter 100A. Similar to the band pass filter 100, the band pass filter 100A includes a stacked body in which dielectric layers DL1 to DL13 are stacked, a plurality of pattern conductors, and a plurality of via conductors. A first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a fifth resonant circuit RC5 are formed by these dielectric layers, pattern conductors and via conductors.
  • the first filter circuit FC1 further includes the ninth capacitor C13.
  • the ninth capacitor C13 is configured of pattern conductors P113 and P121. That is, in the band pass filter 100A, the pattern conductor P113 and the pattern conductor P121 are not connected by via conductors. As described above, the pattern conductor P121 is a ground electrode.
  • the first capacitor C11, the second capacitor C12, and the ninth capacitor C13 share the pattern conductor P113.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the tenth capacitor C23 is configured of pattern conductors P114 and P121. That is, in the band pass filter 100A, the pattern conductor P114 and the pattern conductor P121 are not connected by the via conductor. As described above, the pattern conductor P121 is a ground electrode.
  • the third capacitor C21, the fourth capacitor C22, and the tenth capacitor C23 share the pattern conductor P114.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • band pass filter 100A With the above-described structure, isolation between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 can be effectively obtained. As a result, in addition to the above-described effects, it is possible to further enhance the attenuation characteristics particularly on the high frequency side with respect to the pass band.
  • band pass filter 100B which is a third embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100B.
  • the band pass filter 100B includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a fifth resonant circuit RC5, and a sixth resonant circuit RC6.
  • the first filter circuit FC1, the second filter circuit FC2, and the fifth resonant circuit RC5 in the band pass filter 100B are the same as those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the sixth resonant circuit RC6 includes a seventh capacitor C41, an eighth capacitor C42, and a sixth inductor L41.
  • the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42 are connected to the ground, respectively.
  • the sixth inductor L41 is connected between the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to each of the first inductor L11 and the second inductor L12.
  • the sixth inductor L41 is electromagnetically coupled to each of the third inductor L21 and the fourth inductor L22. Further, the fifth inductor L31 and the sixth inductor L41 are electromagnetically coupled.
  • another resonant circuit having another capacitor and another inductor may be provided between the fifth resonant circuit RC5 and the sixth resonant circuit RC6.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to the above-described inductor
  • the above-described inductor is electromagnetically coupled to the sixth inductor L41.
  • the fifth inductor L31 and the sixth inductor L41 are indirectly and electromagnetically coupled.
  • the number of additional resonant circuits provided between the fifth resonant circuit RC5 and the sixth resonant circuit RC6 is not particularly limited.
  • FIG. 7 is an exploded perspective view of the band pass filter 100B. Similar to the band pass filters 100 and 100A, the band pass filter 100B includes a stacked body in which dielectric layers DL1 to DL13 are stacked, a plurality of pattern conductors, and a plurality of via conductors. A first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a fifth resonant circuit RC5, and a sixth resonant circuit RC6 are formed by these dielectric layers, pattern conductors and via conductors. Although the direction mark P11 is disposed on the dielectric layer DL1 also in FIG. 7, this is not essential.
  • the arrangement of the pattern conductor P61 formed in the dielectric layer DL6 is different from that of the band pass filter 100.
  • the shapes of the pattern conductors P101 and P102 formed on the dielectric layer DL10 are different from those of the band pass filter 100.
  • they are not essential differences in the present invention, and are otherwise similar to the components of the first filter circuit FC1 of the band pass filter 100. Therefore, the further description of the first filter circuit FC1 is omitted here.
  • the shapes of the pattern conductors P103 and P104 formed on the dielectric layer DL10 are different from those of the band pass filter 100. However, they are not essential differences in the present invention, and are otherwise similar to the components of the second filter circuit FC2 of the band pass filter 100. Therefore, further description of the second filter circuit FC2 is omitted here.
  • the fifth resonance circuit RC5 is connected between the third ground-side capacitor electrode, the fifth capacitor C31, the sixth capacitor C32, and the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32. And an inductor L31 of five.
  • the third ground-side capacitor electrode is a pattern conductor P215 formed on the dielectric layer DL11.
  • the pattern conductor P113 which is the first ground-side capacitor electrode, is connected to the pattern conductor P121 via via conductors v5 and v6 formed in the dielectric layers DL11 to DL12.
  • the pattern conductor P114 which is the second ground-side capacitor electrode, is connected to the pattern conductor P121 via via conductors v13 and v14 formed in the dielectric layers DL11 to DL12.
  • the pattern conductor P215 described above is connected to the pattern conductor P121 via the via conductors v21 and v22 formed in the dielectric layers DL11 to DL12. That is, the pattern conductor P121 is a common ground electrode.
  • the pattern conductor P121 is connected to each of the third terminal electrode P133, the fourth terminal electrode P134, the fifth terminal electrode P135, and the sixth terminal electrode P136 as described above.
  • the fifth capacitor C31 is configured by the pattern conductors P105 and P215.
  • the sixth capacitor C32 is configured of pattern conductors P106 and P215. That is, the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32 share the pattern conductor P215 which is the third ground-side capacitor electrode.
  • the fifth inductor L31 includes a pattern conductor P23 and via conductors v7 and v8 formed in dielectric layers DL2 to DL10 connected to both ends thereof.
  • the sixth resonant circuit RC6 is connected between the third ground-side capacitor electrode, the seventh capacitor C41, the eighth capacitor C42, and the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42. And an inductor L41 of six.
  • the third ground-side capacitor electrode is the pattern conductor P215 formed on the dielectric layer DL11. The connection between the pattern conductor P215 and other components is as described above.
  • the seventh capacitor C41 is composed of pattern conductors P107 and P215.
  • the eighth capacitor C42 is configured of pattern conductors P108 and P215. That is, the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42 share the pattern conductor P215 which is the third ground-side capacitor electrode.
  • the sixth inductor L41 is composed of a patterned conductor P24 and via conductors v19 and v20 formed in the dielectric layers DL2 to DL10 connected to both ends thereof.
  • the fifth resonance circuit RC5 and the sixth resonance circuit RC6 are arranged in parallel between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 as follows. That is, a first plane similar to the band pass filter 100 described above is defined. Then, when the first inductor L11 and the second inductor L12 are projected onto the first plane, the first inductor L11 and the second inductor L12 overlap the fifth inductor L31. .
  • a virtual plane on which the sixth inductor L41 is disposed is taken as a second plane. That is, the second plane refers to a plane including the central axis of each via conductor and the central cross section along the longitudinal direction of pattern conductor P23, including a manufacturing error.
  • the third inductor L21 and the fourth inductor L22 are projected on the second plane, the third inductor L21 and the fourth inductor L22 overlap the sixth inductor L41. Furthermore, when the sixth inductor L41 is projected onto the first plane, the sixth inductor L41 overlaps the fifth inductor L31.
  • each of the first inductor L11 and the second inductor L12 is electromagnetically coupled to the fifth inductor L31 as shown by the arrows in FIG.
  • the third inductor L21 and the fourth inductor L22 are electromagnetically coupled to the sixth inductor L41, respectively.
  • the fifth inductor L31 and the sixth inductor L41 are similarly electromagnetically coupled.
  • the entire first inductor L11 and the entire second inductor L12 overlap the fifth inductor L31, respectively.
  • the entire third inductor L21 and the entire fourth inductor L22 overlap the sixth inductor L41, respectively.
  • the entire fifth inductor L31 overlaps the entire sixth inductor L41.
  • each of the first inductor L11 and the second inductor L12 may be overlapped with the fifth inductor L31.
  • at least a part of each of the third inductor L21 and the fourth inductor L22 may be overlapped with the sixth inductor L41.
  • at least a part of the sixth inductor L41 may overlap with the fifth inductor L31.
  • the pattern conductor P23 may be formed to be longer or shorter than the pattern conductor P21.
  • the pattern conductor P24 may be formed to be longer or shorter than the pattern conductor P22.
  • FIG. 8 shows the filter characteristics of the band pass filter 100B when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, it has an attenuation pole of about ⁇ 78 dB on the lower frequency side and about ⁇ 45 dB on the higher frequency side than the pass band.
  • an attenuation amount exceeding -62 dB is secured on the low frequency side from the low frequency side attenuation pole. Further, the amount of attenuation exceeding -42 dB is secured on the high frequency side from the high frequency side attenuation pole. In particular, in S21 on the higher frequency side than the high frequency attenuation pole, there is no tendency for the absolute value to gradually decrease as the frequency increases (see FIG. 19B).
  • the width of the pass band is about 1.5 times wider than that of the band pass filter 100.
  • the degree of decrease of the absolute value of the attenuation amount on the low frequency side from the low frequency side attenuation pole is reduced. Then, the attenuation from the passband to the high frequency side attenuation pole is further steep (see FIG. 3).
  • the band pass filter 100B as a result of the electromagnetic field coupling occurring more effectively by the above structure, the attenuation characteristics on the high frequency side and the low frequency side of the pass band can be further enhanced.
  • FIG. 9 A band pass filter 100C which is a fourth embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
  • FIG. 9 A band pass filter 100C which is a fourth embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
  • FIG. 9 A band pass filter 100C which is a fourth embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
  • FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100C. Similar to the bandpass filter 100B, the bandpass filter 100C includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a fifth resonant circuit RC5, and a sixth resonant circuit RC6.
  • the first filter circuit FC1 further includes a ninth capacitor C13.
  • the ninth capacitor C13 is the same as that included in the first filter circuit FC1 of the bandpass filter 100A.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the tenth capacitor C23 is the same as that included in the second filter circuit FC2 of the bandpass filter 100A.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100B. Therefore, further description about them is omitted here.
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of the band pass filter 100C. Similar to the band pass filter 100B, the band pass filter 100C includes a stacked body in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked, a plurality of pattern conductors, and a plurality of via conductors. A first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a fifth resonant circuit RC5, and a sixth resonant circuit RC6 are formed by these dielectric layers, pattern conductors and via conductors.
  • the first filter circuit FC1 further includes the ninth capacitor C13.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the ninth capacitor C13 and the tenth capacitor C23 are configured in the same manner as the band pass filter 100A.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100B. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the band pass filter 100C can effectively obtain the isolation between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 by the above-described structure. As a result, in addition to the above-described effects, it is possible to further enhance the attenuation characteristics particularly on the high frequency side with respect to the pass band.
  • a band pass filter 100D which is a fourth embodiment of the band pass filter according to the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100D.
  • the band pass filter 100D includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a seventh resonant circuit RC7.
  • the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 in the band pass filter 100D are similar to those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the seventh resonant circuit RC7 includes a fifth capacitor C31 and a fifth inductor L31.
  • the fifth capacitor C31 is connected to the ground.
  • the fifth inductor L31 is connected between the ground and the fifth capacitor C31.
  • the fifth inductor is electromagnetically coupled to each of the first inductor, the second inductor, the third inductor, and the fourth inductor.
  • FIG. 12 is an exploded perspective view of the band pass filter 100D. Similar to the band pass filter 100, the band pass filter 100D includes a stacked body in which dielectric layers DL1 to DL13 are stacked, a plurality of pattern conductors, and a plurality of via conductors. A first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a seventh resonant circuit RC7 are formed by these dielectric layers, pattern conductors and via conductors. Although the direction mark P11 is disposed on the dielectric layer DL1 also in FIG. 12, this is not essential.
  • the arrangement of the pattern conductor P61 formed in the dielectric layer DL6 is different from that of the band pass filter 100.
  • the seventh resonant circuit RC7 is configured of a ground electrode, a fifth capacitor C31, and a fifth inductor L31 connected between the ground electrode and the fifth capacitor C31.
  • one of the pattern conductors constituting the fifth capacitor C31 is not formed on the dielectric layer DL11, and is formed as a pattern conductor P105 on the dielectric layer DL10. There is. However, this is not an essential difference in the present invention, and as with the band pass filter 100, even if one of the pattern conductors constituting the fifth capacitor C31 is formed on the dielectric layer DL11 Good.
  • a via conductor v7 connected to one end of the pattern conductor P23 forming the fifth inductor L31 and formed in the dielectric layers DL2 to DL10 is disposed at the central portion of each dielectric layer. That is, the pattern conductor P23 in the band pass filter 100D is formed shorter than the pattern conductor P23 in the band pass filter 100.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the seventh resonant circuit RC7 is disposed between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 as follows. That is, the fifth inductor L31 is arranged to be electromagnetically coupled to each of the first inductor L11, the second inductor L12, the third inductor L21, and the fourth inductor L22 (arrow in FIG. 11). reference).
  • FIG. 13 shows the filter characteristics of the band pass filter 100 when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, it has an attenuation pole of about -87 dB on the low frequency side and about -20 dB on the high frequency side of the pass band.
  • an attenuation amount exceeding -53 dB is secured on the low frequency side of the low frequency side attenuation pole.
  • the amount of attenuation exceeding -14 dB is secured on the high frequency side from the high frequency side attenuation pole.
  • the band pass filter 100D as a result of the electromagnetic field coupling being effectively generated by the above-described structure, it is possible to suppress the decrease in the absolute value of S21 in the frequency range higher and lower than the passband.
  • FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100E. Similar to the bandpass filter 100D, the bandpass filter 100E includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a seventh resonant circuit RC7.
  • the first filter circuit FC1 further includes a ninth capacitor C13.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100D. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the band pass filter 100E can effectively obtain the isolation between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 due to the above-described structure. As a result, in addition to the above-described effects, it is possible to increase the absolute value of the attenuation on the high frequency side particularly from the pass band.
  • FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100F.
  • the band pass filter 100F includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a seventh resonant circuit RC7, and an eighth resonant circuit RC8.
  • the first filter circuit FC1, the second filter circuit FC2, and the seventh resonant circuit RC7 in the band pass filter 100F are the same as those in the band pass filter 100D. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the eighth resonant circuit RC8 includes a seventh capacitor C41 and a sixth inductor L41.
  • the seventh capacitor C41 is connected to the ground.
  • the sixth inductor L41 is connected between the ground and the seventh capacitor C41.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to each of the first inductor L11 and the second inductor L12.
  • the sixth inductor L41 is electromagnetically coupled to each of the third inductor L21 and the fourth inductor L22. Further, the fifth inductor L31 and the sixth inductor L41 are electromagnetically coupled.
  • another resonant circuit having another capacitor and another inductor may be provided between the seventh resonant circuit RC7 and the eighth resonant circuit RC8.
  • the fifth inductor L31 is electromagnetically coupled to the above-described inductor
  • the above-described inductor is electromagnetically coupled to the sixth inductor L41.
  • the fifth inductor L31 and the sixth inductor L41 are indirectly and electromagnetically coupled.
  • the number of additional resonant circuits provided between the seventh resonant circuit RC7 and the eighth resonant circuit RC8 is not particularly limited.
  • the balance of the electromagnetic field coupling is considered to be improved by increasing the number of resonance circuits disposed between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 to two.
  • the band pass filter 100F as a result of the electromagnetic field coupling occurring more effectively due to the above structure, the attenuation characteristics on the high frequency side and the low frequency side of the pass band can be further enhanced.
  • FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100G. Similar to the bandpass filter 100F, the bandpass filter 100G includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a seventh resonant circuit RC7, and an eighth resonant circuit RC8.
  • the first filter circuit FC1 further includes a ninth capacitor C13.
  • the second filter circuit FC2 further includes a tenth capacitor C23.
  • the other components are similar to those of the band pass filter 100F. Therefore, further description about them is omitted here.
  • band pass filter 100G With the above-described structure, isolation between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 can be effectively obtained. As a result, in addition to the above-described effects, it is possible to further enhance the attenuation characteristics particularly on the high frequency side with respect to the pass band.
  • FIG. 17A is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100H.
  • FIG. 17B is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100I.
  • FIG. 17C is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100J.
  • FIG. 17D is an equivalent circuit diagram of the band pass filter 100K.
  • Each of the band pass filters described above includes a first filter circuit FC1 and a second filter circuit FC2.
  • the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 are similar to those of the band pass filter 100. Therefore, further description about them is omitted here.
  • the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2 are coupled by an eleventh capacitor C51.
  • an eleventh capacitor C51 couples between the second inductor L12 and the second capacitor C12 and between the fourth inductor L22 and the fourth capacitor C22.
  • an eleventh capacitor C51 couples the second capacitor C12 to the ground and the fourth capacitor C22 to the ground.
  • an eleventh capacitor C51 couples the seventh inductor L13 to the ground and the eighth inductor L23 to the ground.
  • an eleventh capacitor C51 couples between the first inductor L11 and the second inductor L12 and between the third inductor L21 and the fourth inductor L22.
  • the coupling by the eleventh capacitor C51 may be either coupling by connection of capacitor elements or electric field coupling between components of each resonant circuit.
  • the first filter circuit FC1 may further include a ninth capacitor C13
  • the second filter circuit FC2 may further include a tenth capacitor C23.
  • the connection positions of the ninth capacitor C13 and the tenth capacitor C23 are as described above. Therefore, further description about them is omitted here.
  • FIG. 18 is an exploded perspective view of the band pass filter 100H. Similar to the band pass filter 100, the band pass filter 100H includes a stacked body in which dielectric layers DL1 to DL13 are stacked, a plurality of pattern conductors, and a plurality of via conductors. A first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and an eleventh capacitor C51 are formed by these dielectric layers, pattern conductors and via conductors. Although the direction mark P11 is disposed on the dielectric layer DL1 also in FIG. 18, this is not essential.
  • the second inductor L12 is configured of the pattern conductor P21 and the via conductors v2 and v3 formed in the dielectric layers DL2 to DL10 connected to the other end.
  • the second capacitor C12 is composed of pattern conductors P102 and P113.
  • the fourth inductor L22 is composed of a pattern conductor P22 and via conductors v10 and v11 connected to the other end and formed in the dielectric layers DL2 to DL10.
  • the fourth capacitor C22 is configured by the pattern conductors P104 and P114.
  • the eleventh capacitor C51 is configured of a pattern conductor P91 formed on the dielectric layer DL9 and pattern conductors P102 and P104 formed on the dielectric layer DL10. That is, between the second inductor L12 and the second capacitor C12 in the equivalent circuit diagram of FIG. 17A and between the fourth inductor L22 and the fourth capacitor C22, an eleventh capacitor C51 is provided. Will be combined by
  • band pass filters 100I to 100K can be configured instead of the band pass filter 100H.
  • FC1 first filter circuit FC2 second filter circuit, P1 first signal port, P2 second signal port, RC1 first resonant circuit, RC2 second resonant circuit, RC3 third Resonance circuit, RC4 fourth resonance circuit, RC5 fifth resonance circuit, L11 first inductor, L12 second inductor, L21 third inductor, L22 fourth inductor, L31 fifth inductor, C11 fifth 1 capacitor, C12 second capacitor, C21 third capacitor, C22 fourth capacitor, C31 fifth capacitor, C32 sixth capacitor, v1 to v21 via conductor.

Landscapes

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  • Filters And Equalizers (AREA)
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Abstract

通過帯域より高周波側および低周波側の周波数領域におけるＳ２１の絶対値の低下が抑制されたバンドパスフィルタを提供する。バンドパスフィルタ（１００）は、第１のインダクタ（Ｌ１１）を有する第１の共振回路（ＲＣ１）と、第２のインダクタ（Ｌ１２）を有する第２の共振回路（ＲＣ２）とを含む第１のフィルタ回路（ＦＣ１）と、第３のインダクタ（Ｌ２１）を有する第３の共振回路（ＲＣ３）と、第４のインダクタ（Ｌ２２）を有する第４の共振回路（ＲＣ４）とを含む第２のフィルタ回路（ＦＣ２）と、第５のインダクタ（Ｌ３１）を有する第５の共振回路（ＲＣ５）とを備える。第５のインダクタ（Ｌ３１）は、第１のインダクタ（Ｌ１１）、第２のインダクタ（Ｌ１２）、第３のインダクタ（Ｌ２１）および第４のインダクタ（Ｌ２２）のそれぞれと電磁界結合する。

Description

バンドパスフィルタ
　この発明は、バンドパスフィルタに関するものであり、特にインダクタとキャパシタとで構成される複数の共振回路を備えたバンドパスフィルタに関する。
　従来、小型化および低廉化に適した高周波のバンドパスフィルタは、誘電体層とパターン導体とビア導体とを含む積層体内に、キャパシタとインダクタとを有する共振回路が複数形成されてなる。複数の共振回路を備えたバンドパスフィルタの一例として、国際公開第２００７／１１９３５６号（特許文献１）に記載されたバンドパスフィルタが挙げられる。
　図１９は、特許文献１に記載のバンドパスフィルタの説明図である。図１９（Ａ）は、バンドパスフィルタ２００の等価回路図である。図１９（Ｂ）は、バンドパスフィルタ２００のフィルタ特性図である。Ｓ２１は、減衰量を指標とした通過特性を表す。Ｓ１１は、減衰量を指標とした反射特性を表す。
　図１９（Ａ）に示されるように、バンドパスフィルタ２００は、キャパシタＣ２１１、Ｃ２２１、Ｃ２３１、Ｃ２４１とインダクタＬ２１１、Ｌ２２１、Ｌ２３１と第１の信号ポートＰ２０１と第２の信号ポートＰ２０２とを備えている。キャパシタＣ２１１とインダクタＬ２１１とは、共振回路を構成している。同様に、キャパシタＣ２２１とインダクタＬ２２１、およびキャパシタＣ２３１とインダクタＬ２３１とは、それぞれ別の共振回路を構成している。すなわち、バンドパスフィルタ２００は、３段の並列共振回路からなっている。
　バンドパスフィルタ２００では、インダクタＬ２１１とインダクタＬ２２１との間、およびインダクタＬ２２１とインダクタＬ２３１との間に、それぞれ矢印で示されるような電磁界結合が生じている。その結果、図１９（Ｂ）に示されるように、バンドパスフィルタ２００のＳ２１は、通過帯域より低周波側に約－８０ｄＢ、高周波側に約－６０ｄＢの減衰極を有している。
国際公開第２００７／１１９３５６号
　一方、上記のバンドパスフィルタ２００では、低周波側の減衰極より低い周波数領域におけるＳ２１の絶対値が、減衰極での値に比較して大きく低下する。また、高周波側の減衰極より高い周波数領域におけるＳ２１の絶対値も、減衰極での値に比較して大きく低下し、かつ周波数の増加に伴い、その低下の度合いが次第に大きくなる。
　すなわち、この発明の目的は、通過帯域より高周波側および低周波側の周波数領域においても十分な減衰量特性を得ることのできるバンドパスフィルタを提供することである。
　この発明に係るバンドパスフィルタでは、複数の共振回路を互いに電磁界結合させる構造についての改良が図られる。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第１の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第５の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路は、第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含んでいる。第２のフィルタ回路は、第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含んでいる。
　第５の共振回路は、グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドに接続された第６のキャパシタと、第５のキャパシタと第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有している。そして、第５のインダクタは、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第２の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第５の共振回路と、第６の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路は、第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含んでいる。第２のフィルタ回路は、第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含んでいる。
　第５の共振回路は、グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドに接続された第６のキャパシタと、第５のキャパシタと第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有している。
　第６の共振回路は、グランドに接続された第７のキャパシタと、グランドに接続された第８のキャパシタと、第７のキャパシタと第８のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有している。
　そして、第５のインダクタは、第１のインダクタおよび第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。また、第６のインダクタは、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。さらに、第５のインダクタと第６のインダクタとが電磁界結合する。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第３の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第７の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路は、第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含んでいる。第２のフィルタ回路は、第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含んでいる。
　第７の共振回路は、グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドと第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有している。そして、第５のインダクタは、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第４の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第７の共振回路と、第８の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路は、第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含んでいる。第２のフィルタ回路は、第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含んでいる。
　第７の共振回路は、グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドと第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有している。第８の共振回路は、グランドに接続された第７のキャパシタと、グランドと第７のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有している。
　そして、第５のインダクタは、第１のインダクタおよび第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。第６のインダクタは、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。さらに、第５のインダクタと第６のインダクタとが電磁界結合する。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第５の態様は、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含んでいる。そして、この発明に係るバンドパスフィルタの第５の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第５の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路には、第１の信号電極と、第１のグランド電極と、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とが含まれる。第１の信号電極と、第１のグランド電極と、第１の共振回路と、第２の共振回路とは、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　第２のフィルタ回路には、第２の信号電極と、第２のグランド電極と、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とが含まれる。第２の信号電極と、第２のグランド電極と、第３の共振回路と、第４の共振回路とは、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　第５の共振回路は、第３のグランド電極と、第５のキャパシタと、第６のキャパシタと、第５のインダクタとを有している。第５のキャパシタおよび第６のキャパシタは、第３のグランド電極に接続されている。第５のインダクタは、第５のキャパシタと第６のキャパシタとの間に接続されている。第５の共振回路は、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　第５の共振回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に、以下のようにして並列配置されている。すなわち、第５のインダクタが配置されている仮想的な面を第１の平面とする。そして、第１のインダクタと第２のインダクタとが第１の平面上に投影されたときに、第１のインダクタの少なくとも一部と第２のインダクタの少なくとも一部とが第５のインダクタと重なる。
　また、第３のインダクタと第４のインダクタとが第１の平面上に投影されたときに、第３のインダクタの少なくとも一部と第４のインダクタの少なくとも一部とが第５のインダクタと重なる。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第６の態様は、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含んでいる。そして、この発明に係るバンドパスフィルタの第６の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第５の共振回路と、第６の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路、第２のフィルタ回路、および第５の共振回路は、それぞれこの発明に係るバンドパスフィルタの第５の態様における第１のフィルタ回路、第２のフィルタ回路、および第５の共振回路と同様である。
　第６の共振回路は、第４のグランド電極と、第７のキャパシタと、第８のキャパシタと、第６のインダクタとを有している。第７のキャパシタおよび第８のキャパシタは、第４のグランド電極に接続されている。第６のインダクタは、第７のキャパシタと第８のキャパシタとの間に接続されている。第６の共振回路は、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　第５の共振回路および第６の共振回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に、以下のようにして並列配置されている。すなわち、第５のインダクタが配置されている仮想的な面を第１の平面とする。そして、第１のインダクタと第２のインダクタとが第１の平面上に投影されたときに、第１のインダクタの少なくとも一部と第２のインダクタの少なくとも一部とが第５のインダクタと重なる。
　また、第６のインダクタが配置されている仮想的な面を第２の平面とする。そして、第３のインダクタと第４のインダクタとが第２の平面上に投影されたときに、第３のインダクタの少なくとも一部と第４のインダクタの少なくとも一部とが第６のインダクタと重なる。
　さらに、第６のインダクタが上記の第１の平面上に投影されたときに、第６のインダクタの少なくとも一部が第５のインダクタと重なる。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第７の態様は、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含んでいる。そして、この発明に係るバンドパスフィルタの第６の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第７の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路は、それぞれこの発明に係るバンドパスフィルタの第５の態様における第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と同様である。
　第７の共振回路は、第３のグランド電極と、第５のキャパシタと、第５のインダクタとを有している。第５のキャパシタは、第３のグランド電極に接続されている。第５のインダクタは、第３のグランド電極と第５のキャパシタとの間に接続されている。第７の共振回路は、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　そして、第５のインダクタは、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合するように配置されている。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第８の態様は、複数の誘電体層が積層された積層体と、誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含んでいる。そして、この発明に係るバンドパスフィルタの第８の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第７の共振回路と、第８の共振回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路、第２のフィルタ回路および第７の共振回路は、それぞれこの発明に係るバンドパスフィルタの第７の態様における第１のフィルタ回路、第２のフィルタ回路および第７の共振回路と同様である。
　第８の共振回路は、第４のグランド電極と、第７のキャパシタと、第６のインダクタとを有している。第７のキャパシタは、第４のグランド電極に接続されている。第６のインダクタは、第４のグランド電極と第７のキャパシタとの間に接続されている。第８の共振回路は、上記のパターン導体またはパターン導体およびビア導体により形成されている。
　そして、第５のインダクタは、第１のインダクタおよび第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合するように配置されている。第６のインダクタは、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合するように配置されている。さらに、第５のインダクタと第６のインダクタとが電磁界結合するように配置されている。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第９の態様は、複数の誘電体層と複数の導体層との積層体に構成された、第１のフィルタ回路、第２のフィルタ回路、中間回路を含む。中間回路は、導体層のいずれかに形成される接地導体と導体層のいずれかに形成され、誘電体層を介して接地導体と対向配置される、第１のキャパシタ導体および第２のキャパシタ導体と、導体層のいずれかに形成される第１の線路導体と、積層体の積層方向に形成される第１のビア導体、第２のビア導体と、を備える。第１のキャパシタ導体と第１の線路導体は、第１のビア導体を介して接続される。第２のキャパシタ導体と第１の線路導体は、第２のビア導体を介して接続される。また、積層方向と直交する方向において、第１のフィルタ回路、中間回路、第２のフィルタ回路は、この順に並んで配置される。第１のフィルタ回路と中間回路、第２のフィルタ回路と中間回路のそれぞれは電磁界結合される。
　ここで、「第１のフィルタ回路と中間回路が電磁界結合される」とは、第１のフィルタ回路を構成するインダクタと中間回路を構成するインダクタが電磁界結合することを指す。同様に、「第２のフィルタ回路と中間回路が電磁界結合される」とは、第２のフィルタ回路を構成するインダクタと中間回路を構成するインダクタが電磁界結合することを指す。
　この発明に係るバンドパスフィルタは、通過帯域より高周波側および低周波側の周波数領域においても十分な減衰量特性を得ることができる。
この発明に係るバンドパスフィルタの第１の実施形態であるバンドパスフィルタ１００の等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００の分解斜視図である。 バンドパスフィルタ１００のフィルタ特性図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第２の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ａの等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００Ａの分解斜視図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第３の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｂの等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００Ｂの分解斜視図である。 バンドパスフィルタ１００Ｂのフィルタ特性図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第４の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｃの等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００Ｃの分解斜視図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第５の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｄの等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００Ｄの分解斜視図である。 バンドパスフィルタ１００Ｄのフィルタ特性図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第６の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｅの等価回路図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第７の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｆの等価回路図である。 この発明に係るバンドパスフィルタの第８の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｇの等価回路図である。 参考例のバンドパスフィルタ１００Ｈないし１００Ｋの等価回路図である。 バンドパスフィルタ１００Ｈの分解斜視図である。 背景技術のバンドパスフィルタ２００の等価回路図およびフィルタ特性図である。
　以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明が適用されるバンドパスフィルタとしては、例えば低温焼成セラミックと、パターン導体およびビア導体とを同時焼成して得られる積層セラミックフィルタが挙げられるが、これに限られるものではない。
　－バンドパスフィルタの第１の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第１の実施形態であるバンドパスフィルタ１００について、図１ないし図３を用いて説明する。
　なお、後述する分解斜視図は、模式図である。例えば誘電体層およびパターン導体の厚み、ならびにビア導体の太さなどは、模式的なものである。また、製造工程上で発生する各構成要素の形状のばらつきなどは、各図面に必ずしも反映されていない。
　図１は、バンドパスフィルタ１００の等価回路図である。バンドパスフィルタ１００は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５とを備えている。
　第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第１の信号ポートＰ１と、第１の共振回路ＲＣ１と、第２の共振回路ＲＣ２とを含んでいる。第１の共振回路ＲＣ１は、第１のインダクタＬ１１と、第１のキャパシタＣ１１と、第２の共振回路ＲＣ２と共有される第７のインダクタＬ１３とを有している。第２の共振回路ＲＣ２は、第２のインダクタＬ１２と、第２のキャパシタＣ１２と、第１の共振回路ＲＣ１と共有される第７のインダクタＬ１３とを有している。なお、第７のインダクタＬ１３は、この発明における必須の構成要素ではない。
　第１の共振回路ＲＣ１において、第１のインダクタＬ１１および第７のインダクタＬ１３は、第１の信号ポートＰ１とグランドとの間に直列に接続されている。第１のキャパシタＣ１１は、第１の信号ポートＰ１とグランドとの間に、第１のインダクタＬ１１および第７のインダクタＬ１３と並列に接続されている。
　第２の共振回路ＲＣ２において、第２のインダクタＬ１２および第２のキャパシタＣ１２は、上記の第１のインダクタＬ１１とグランドとの間に直列に接続されている。第７のインダクタＬ１３は、上記の第１のインダクタＬ１１とグランドとの間に、第２のインダクタＬ１２および第２のキャパシタＣ１２と並列に接続されている。
　第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第２の信号ポートＰ２と、第３の共振回路ＲＣ３と、第４の共振回路ＲＣ４とを含んでいる。第３の共振回路ＲＣ３は、第３のインダクタＬ２１と、第３のキャパシタＣ２１と、第４の共振回路ＲＣ４と共有される第８のインダクタＬ２３とを有している。第４の共振回路ＲＣ４は、第４のインダクタＬ２２と、第４のキャパシタＣ２２と、第３の共振回路ＲＣ３と共有される第８のインダクタＬ２３とを有している。なお、第８のインダクタＬ２３は、この発明における必須の構成要素ではない。
　第３の共振回路ＲＣ３において、第３のインダクタＬ２１および第８のインダクタＬ２３は、第２の信号ポートＰ２とグランドとの間に直列に接続されている。第３のキャパシタＣ２１は、第２の信号ポートＰ２とグランドとの間に、第３のインダクタＬ２１および第８のインダクタＬ２３と並列に接続されている。
　第４の共振回路ＲＣ４において、第４のインダクタＬ２２および第４のキャパシタＣ２２は、上記の第３のインダクタＬ２１とグランドとの間に直列に接続されている。第８のインダクタＬ２３は、上記の第３のインダクタＬ２１とグランドとの間に、第４のインダクタＬ２２および第４のキャパシタＣ２２と並列に接続されている。
　第５の共振回路ＲＣ５は、第５のキャパシタＣ３１と、第６のキャパシタＣ３２と、第５のインダクタＬ３１とを有している。第５のキャパシタＣ３１および第６のキャパシタＣ３２は、それぞれグランドに接続されている。第５のインダクタＬ３１は、第５のキャパシタＣ３１と第６のキャパシタＣ３２との間に接続されている。
　そして、第５のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１、第２のインダクタＬ１２、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと電磁界結合する。
　図２は、バンドパスフィルタ１００の分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００は、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、誘電体層の層間に配置された、後述する複数のパターン導体と、誘電体層を貫通して配置された、後述する複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５とが形成されている。なお、図２では、誘電体層ＤＬ１上に方向目印Ｐ１１が配置されているが、これは必須ではない。
　第１のフィルタ回路ＦＣ１は、パターン導体Ｐ２１、Ｐ６１、Ｐ１０１、Ｐ１０２、Ｐ１１１、Ｐ１１３と、ビア導体とから構成されている。矩形状のパターン導体Ｐ２１は、誘電体層ＤＬ２上に形成されている。屈曲した板状のパターン導体Ｐ６１は、誘電体層ＤＬ６上に形成されている。矩形状のパターン導体Ｐ１０１、Ｐ１０２は、誘電体層ＤＬ１０上に形成されている。矩形状のパターン導体Ｐ１１１と、角ばったＣ字状のパターン導体Ｐ１１３とは、誘電体層ＤＬ１１上に形成されている。複数のビア導体は、誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１１にそれぞれ形成されている。
　第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第１の信号電極（後述する第１の端子電極Ｐ１３１）と、後述する第１のグランド側キャパシタ電極と、第１の共振回路ＲＣ１および第２の共振回路ＲＣ２とを含んでいる。
　パターン導体Ｐ２１は、ビア導体ｖ１を介してパターン導体Ｐ６１及びＰ１０１と接続されている。パターン導体Ｐ２１は、ビア導体ｖ２を介してパターン導体Ｐ１１３と接続されている。パターン導体Ｐ２１は、ビア導体ｖ３を介してパターン導体Ｐ１０２と接続されている。パターン導体Ｐ６１はビア導体ｖ４を介してパターン導体Ｐ１１１及びＰ１３１と接続されている。
　パターン導体Ｐ１１１は、ビア導体ｖ４を介して第１の端子電極Ｐ１３１に接続されている。パターン導体Ｐ２１の一部（ビア導体ｖ１との接続箇所からビア導体ｖ２との接続箇所までの部分）と、ビア導体ｖ１とにより、第１のインダクタＬ１１が構成される。パターン導体Ｐ２１とパターン導体Ｐ１１３とを接続するビア導体ｖ２により、第７のインダクタＬ１３が構成される。上述したように、第７のインダクタＬ１３は、この発明における必須の構成要素ではない。すなわち、第７のインダクタＬ１３は、第１のインダクタＬ１１と後述する第２のインダクタＬ１２との誘導結合でも実現可能である。
　パターン導体Ｐ１０１とパターン導体Ｐ１１３とにより、第１のキャパシタＣ１１が構成される。パターン導体Ｐ１１３は、第１のキャパシタＣ１１と後述する第２のキャパシタＣ１２とに共通するグランド側のキャパシタ電極（これを「第１のグランド側キャパシタ電極」と呼ぶ。）である。第１の端子電極Ｐ１３１は図１における第１の信号ポートＰ１に対応する。パターン導体Ｐ６１は、図１に図示はないが、第１の信号ポートＰ１に接続されるパターン導体である。
　このように、第１の共振回路ＲＣ１は、第１のインダクタＬ１１と第７のインダクタＬ１３と第１のキャパシタＣ１１とにより構成されている。
　パターン導体Ｐ２１の一部（ビア導体ｖ２との接続箇所からビア導体ｖ３との接続箇所までの部分）と、ビア導体ｖ３とにより、第２のインダクタＬ１２が構成される。パターン導体Ｐ１０２とパターン導体Ｐ１１３とにより、第２のキャパシタＣ１２が構成される。
　上述のように、第１のキャパシタＣ１１と第２のキャパシタＣ１２とは、パターン導体Ｐ１１３を共用している。パターン導体Ｐ１１３は、後述するグランド電極であるパターン導体Ｐ１２１に、誘電体層ＤＬ１１から誘電体層ＤＬ１２に形成されたビア導体ｖ５及びｖ６を介して接続されている。
　このように、第２の共振回路ＲＣ２は、第２のインダクタＬ１２と第７のインダクタＬ１３と第２のキャパシタＣ１２とにより構成されている。
　第２のフィルタ回路ＦＣ２は、パターン導体Ｐ２２、Ｐ６２、Ｐ１０３、Ｐ１０４、Ｐ１１２、Ｐ１１４と、ビア導体とから構成されている。矩形状のパターン導体Ｐ２２は、誘電体層ＤＬ２上に形成されている。屈曲した板状のパターン導体Ｐ６２は、誘電体層ＤＬ６上に形成されている。矩形状のパターン導体Ｐ１０３、Ｐ１０４は、誘電体層ＤＬ１０上に形成されている。矩形状のパターン導体Ｐ１１２と、角ばったＣ字状のパターン導体Ｐ１１４は、誘電体層ＤＬ１１上に形成されている。複数のビア導体は、誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１１にそれぞれ形成されている。
　第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第２の信号電極（後述する第２の端子電極Ｐ１３２）と、後述する第２のグランド側キャパシタ電極と、前述した第３の共振回路ＲＣ３および第４の共振回路ＲＣ４とを含んでいる。
　パターン導体Ｐ２２は、ビア導体ｖ９を介してパターン導体Ｐ６２及びＰ１０３と接続されている。パターン導体Ｐ２２は、ビア導体ｖ１０を介してパターン導体Ｐ１１４と接続されている。パターン導体Ｐ２２は、ビア導体ｖ１１を介してパターン導体Ｐ１０４と接続されている。パターン導体Ｐ６２はビア導体ｖ１２を介してパターン導体Ｐ１１２及びＰ１３２と接続されている。
　パターン導体Ｐ１１２は、ビア導体ｖ１２を介して第２の端子電極Ｐ１３２に接続されている。パターン導体Ｐ２２の一部（ビア導体ｖ９との接続箇所からビア導体ｖ１０との接続箇所までの部分）と、ビア導体ｖ９とにより、第３のインダクタＬ２１が構成される。パターン導体Ｐ２２とパターン導体Ｐ１１４とを接続するビア導体ｖ１０により、第７のインダクタＬ１３が構成される。上述したように、第８のインダクタＬ２３は、この発明における必須の構成要素ではない。すなわち、第８のインダクタＬ２３は、第３のインダクタＬ２１と後述する第４のインダクタＬ２２との誘導結合でも実現可能である。
　パターン導体Ｐ１０３とパターン導体Ｐ１１４とにより、第３のキャパシタＣ２１が構成される。パターン導体Ｐ１１４は、第３のキャパシタＣ２１と後述する第４のキャパシタＣ２２とに共通するグランド側のキャパシタ電極（これを「第２のグランド側キャパシタ電極」と呼ぶ。）である。第２の端子電極Ｐ１３２は図１における第２の信号ポートＰ２に対応する。パターン導体Ｐ６２は、図１に図示はないが、第２の信号ポートＰ２に接続されるパターン導体である。
　このように、第３の共振回路ＲＣ３は、第３のインダクタＬ２１と第８のインダクタＬ２３と第３のキャパシタＣ２１とにより構成されている。
　パターン導体Ｐ２２の一部（ビア導体ｖ１０との接続箇所からビア導体ｖ１１との接続箇所までの部分）と、ビア導体ｖ１１とにより、第４のインダクタＬ２２が構成される。パターン導体Ｐ１０４とパターン導体Ｐ１１４とにより、第４のキャパシタＣ２２が構成される。
　上述のように、第３のキャパシタＣ２１と第４のキャパシタＣ２２とは、パターン導体Ｐ１１４を共用している。パターン導体Ｐ１１４は、後述するグランド電極であるパターン導体Ｐ１２１に、誘電体層ＤＬ１１ないし誘電体層ＤＬ１２に形成されたビア導体ｖ１３及びｖ１４を介して接続されている。
　このように、第４の共振回路ＲＣ４は、第４のインダクタＬ２２と第８のインダクタＬ２３と第４のキャパシタＣ２２とにより構成されている。
　第５の共振回路ＲＣ５は、グランド電極と、第５のキャパシタＣ３１と、第６のキャパシタＣ３２と、第５のキャパシタＣ３１と第６のキャパシタＣ３２との間に接続された第５のインダクタＬ３１とにより構成されている。グランド電極は、パターン導体Ｐ１２１である。パターン導体Ｐ１２１は、誘電体層ＤＬ１２からＤＬ１３に形成されたビア導体ｖ１５を介して、第３の端子電極Ｐ１３３と接続されている。パターン導体Ｐ１２１は、誘電体層ＤＬ１２からＤＬ１３に形成されたビア導体ｖ１６を介して、第４の端子電極Ｐ１３４と接続されている。パターン導体Ｐ１２１は、誘電体層ＤＬ１２からＤＬ１３に形成されたビア導体ｖ１７を介して、第５の端子電極Ｐ１３５と接続されている。パターン導体Ｐ１２１は、誘電体層ＤＬ１２からＤＬ１３に形成されたビア導体ｖ１８を介して、第６の端子電極Ｐ１３６と接続されている。
　第５のキャパシタＣ３１は、パターン導体Ｐ１１５、Ｐ１２１により構成されている。第６のキャパシタＣ３２は、パターン導体Ｐ１１６、Ｐ１２１により構成されている。すなわち、第５のキャパシタＣ３１および第６のキャパシタＣ３２とは、パターン導体Ｐ１２１を共用している。第５のインダクタＬ３１は、パターン導体Ｐ２３と、その両端部に接続された誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１１に形成されたビア導体ｖ７及びｖ８とにより構成されている。
　第５の共振回路ＲＣ５は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に、以下のようにして並列配置されている。すなわち、第５のインダクタＬ３１を構成しているパターン導体Ｐ２３とその両端部に接続された各ビア導体が配置されている仮想的な面を第１の平面とする。すなわち、第１の平面は、製造上の誤差を含んだ上での、各ビア導体の中心軸およびパターン導体Ｐ２３の長手方向に沿った中央断面を含む平面を指す。
　そして、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２とが第１の平面上に投影されたときに、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２とは、第５のインダクタＬ３１と重なっている。また、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とが第１の平面上に投影されたときに、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とは、第５のインダクタＬ３１と重なっている。
　上記の配置により、第５のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１、第２のインダクタＬ１２、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと、図１の矢印のように電磁界結合する。
　図２に示されたバンドパスフィルタ１００では、第１のインダクタＬ１１の全体および第２のインダクタＬ１２の全体が、それぞれ第５のインダクタＬ３１と重なっている。また、第３のインダクタＬ２１の全体および第４のインダクタＬ２２の全体が、それぞれ第５のインダクタＬ３１と重なっている。ただし、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２と第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とは、それぞれの少なくとも一部が第５のインダクタＬ３１と重なっていればよい。
　例えば、パターン導体Ｐ２３がパターン導体Ｐ２１およびパターン導体Ｐ２２より長くなるように、あるいは短くなるように形成されていてもよい。また、第５のインダクタＬ３１と、第１のインダクタＬ１１、第２のインダクタＬ１２、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれとの電磁界結合を調整するため、パターン導体Ｐ２３が形成されている誘電体層は、パターン導体Ｐ２１およびパターン導体Ｐ２２が形成されている誘電体層と異なってもよい。例えば、パターン導体Ｐ２３を誘電体層ＤＬ３に形成することにより、コイル間の部分的な結合状態が実現されるため、コイル間の電磁界結合を弱めることができる。パターン導体Ｐ２３を誘電体層ＤＬ３に形成することにより、パターン導体Ｐ２１～Ｐ２３の物理寸法を大きくすることなく、所望の電磁界結合を実現することができる。
　図３に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００のフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、通過帯域より低周波側に約－８３ｄＢ、高周波側に約－４４ｄＢの減衰極を有している。
　そして、バンドパスフィルタ１００では、低周波側減衰極より低周波側において－５３ｄＢを越える減衰量が確保されている。また、高周波側減衰極より高周波側において－３８ｄＢを越える減衰量が確保されている。特に、高周波側減衰極より高周波側のＳ２１には、周波数の増加に伴い、絶対値が次第に低下する傾向（図１９（Ｂ）参照）が見られない。
　したがって、バンドパスフィルタ１００では、上記の構造により効果的に電磁界結合が生じた結果、通過帯域より高周波側および低周波側の周波数領域においても十分な減衰量特性を得ることができる。
　なお、バンドパスフィルタ１００を構成する各キャパシタンスの値は、それらを構成する導体パターンの面積と、誘電体材料の比誘電率とにより設定することができる。また、各インダクタンスの値は、それらを構成するビア導体の接続個数により設定することができる。すなわち、バンドパスフィルタ１００における誘電体層ＤＬ３ないしＤＬ４および誘電体層ＤＬ７ないしＤＬ９のようなビア導体のみが形成されている誘電体層の層数を調整することで、各インダクタンスの値を変更することができる。後述する各実施形態においても、各キャパシタンスの値および各インダクタンスの値が調整される。
　－バンドパスフィルタの第２の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第２の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ａについて、図４および図５を用いて説明する。
　図４は、バンドパスフィルタ１００Ａの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ａは、バンドパスフィルタ１００と同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５とを備えている。
　バンドパスフィルタ１００Ａでは、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。第９のキャパシタＣ１３は、第１のキャパシタＣ１１と、第２のキャパシタＣ１２と、第７のインダクタＬ１３との接続点と、グランドとの間に接続されている。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。第１０のキャパシタＣ２３は、第３のキャパシタＣ２１と、第４のキャパシタＣ２２と、第８のインダクタＬ２３との接続点と、グランドとの間に接続されている。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００と同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　図５は、バンドパスフィルタ１００Ａの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ａは、バンドパスフィルタ１００と同様に、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、複数のパターン導体と、複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５とが形成されている。
　前述したように、バンドパスフィルタ１００Ａでは、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。第９のキャパシタＣ１３は、パターン導体Ｐ１１３、Ｐ１２１により構成されている。すなわち、バンドパスフィルタ１００Ａでは、パターン導体Ｐ１１３とパターン導体Ｐ１２１とはビア導体より接続されていない。上述のように、パターン導体Ｐ１２１がグランド電極である。そして、第１のキャパシタＣ１１と第２のキャパシタＣ１２と第９のキャパシタＣ１３とは、パターン導体Ｐ１１３を共有している。
　また、バンドパスフィルタ１００Ａでは、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。第１０のキャパシタＣ２３は、パターン導体Ｐ１１４、Ｐ１２１により構成されている。すなわち、バンドパスフィルタ１００Ａでは、パターン導体Ｐ１１４とパターン導体Ｐ１２１とはビア導体により接続されていない。上述のように、パターン導体Ｐ１２１がグランド電極である。そして、第３のキャパシタＣ２１と第４のキャパシタＣ２２と第１０のキャパシタＣ２３とは、パターン導体Ｐ１１４を共有している。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００と同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　バンドパスフィルタ１００Ａでは、上記の構造により、第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２との間のアイソレーションを効果的に得ることができる。その結果、前述の効果に加え、特に通過帯域より高周波側の減衰特性をさらに高めることができる。
　－バンドパスフィルタの第３の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第３の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｂについて、図６ないし図８を用いて説明する。
　図６は、バンドパスフィルタ１００Ｂの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｂは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５と、第６の共振回路ＲＣ６とを備えている。バンドパスフィルタ１００Ｂにおける、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２と第５の共振回路ＲＣ５とは、バンドパスフィルタ１００のそれらと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　第６の共振回路ＲＣ６は、第７のキャパシタＣ４１と、第８のキャパシタＣ４２と、第６のインダクタＬ４１とを有している。第７のキャパシタＣ４１および第８のキャパシタＣ４２は、それぞれグランドに接続されている。第６のインダクタＬ４１は、第７のキャパシタＣ４１と第８のキャパシタＣ４２との間に接続されている。
　そして、第５のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１および第２のインダクタＬ１２のそれぞれと電磁界結合する。また、第６のインダクタＬ４１は、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと電磁界結合する。さらに、第５のインダクタＬ３１と第６のインダクタＬ４１とが電磁界結合する。
　なお、第５の共振回路ＲＣ５と第６の共振回路ＲＣ６との間に、さらに別のキャパシタと別のインダクタとを有する別の共振回路が備えられていてもよい。この場合、第５のインダクタＬ３１は、上記のインダクタと電磁界結合し、上記のインダクタは、第６のインダクタＬ４１と電磁界結合する。その結果、第５のインダクタＬ３１と第６のインダクタＬ４１とは、間接的に電磁界結合することになる。第５の共振回路ＲＣ５と第６の共振回路ＲＣ６との間に備えられる別の共振回路の数は、特に限定されない。
　図７は、バンドパスフィルタ１００Ｂの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｂは、バンドパスフィルタ１００、１００Ａと同様に、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、複数のパターン導体と、複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５と、第６の共振回路ＲＣ６とが形成されている。なお、図７でも、誘電体層ＤＬ１上に方向目印Ｐ１１が配置されているが、これは必須ではない。
　バンドパスフィルタ１００Ｂにおける第１のフィルタ回路ＦＣ１では、誘電体層ＤＬ６に形成されているパターン導体Ｐ６１の配置が、バンドパスフィルタ１００のものと異なっている。また、誘電体層ＤＬ１０上に形成されているパターン導体Ｐ１０１、Ｐ１０２の形状が、バンドパスフィルタ１００のものと異なっている。しかしながら、それらはこの発明において本質的な違いではなく、かつそれら以外はバンドパスフィルタ１００の第１のフィルタ回路ＦＣ１の構成要素と同様である。そのため、ここでは第１のフィルタ回路ＦＣ１についてのさらなる説明を省略する。
　また、バンドパスフィルタ１００Ｂにおける第２のフィルタ回路ＦＣ２では、誘電体層ＤＬ１０上に形成されているパターン導体Ｐ１０３、Ｐ１０４の形状が、バンドパスフィルタ１００のものと異なっている。しかしながら、それらはこの発明において本質的な違いではなく、かつそれら以外はバンドパスフィルタ１００の第２のフィルタ回路ＦＣ２の構成要素と同様である。そのため、ここでは第２のフィルタ回路ＦＣ２についてのさらなる説明を省略する。
　第５の共振回路ＲＣ５は、第３のグランド側キャパシタ電極と、第５のキャパシタＣ３１と、第６のキャパシタＣ３２と、第５のキャパシタＣ３１と第６のキャパシタＣ３２との間に接続された第５のインダクタＬ３１とにより構成されている。第３のグランド側キャパシタ電極は、誘電体層ＤＬ１１上に形成されたパターン導体Ｐ２１５である。
　第１のグランド側キャパシタ電極であるパターン導体Ｐ１１３は、誘電体層ＤＬ１１からＤＬ１２に形成されたビア導体ｖ５及びｖ６を介して、パターン導体Ｐ１２１に接続されている。第２のグランド側キャパシタ電極であるパターン導体Ｐ１１４は、誘電体層ＤＬ１１からＤＬ１２に形成されたビア導体ｖ１３及びｖ１４を介して、パターン導体Ｐ１２１に接続されている。上記のパターン導体Ｐ２１５は、誘電体層ＤＬ１１からＤＬ１２に形成されたビア導体ｖ２１及びｖ２２を介して、パターン導体Ｐ１２１に接続されている。すなわち、パターン導体Ｐ１２１は、共通のグランド電極となっている。パターン導体Ｐ１２１は、前述したように第３の端子電極Ｐ１３３、第４の端子電極Ｐ１３４、第５の端子電極Ｐ１３５および第６の端子電極Ｐ１３６のそれぞれと接続されている。
　第５のキャパシタＣ３１は、パターン導体Ｐ１０５、Ｐ２１５により構成されている。第６のキャパシタＣ３２は、パターン導体Ｐ１０６、Ｐ２１５により構成されている。すなわち、第５のキャパシタＣ３１および第６のキャパシタＣ３２は、第３のグランド側キャパシタ電極であるパターン導体Ｐ２１５を共用している。第５のインダクタＬ３１は、パターン導体Ｐ２３と、その両端部に接続された誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１０に形成されたビア導体ｖ７及びｖ８により構成されている。
　第６の共振回路ＲＣ６は、第３のグランド側キャパシタ電極と、第７のキャパシタＣ４１と、第８のキャパシタＣ４２と、第７のキャパシタＣ４１と第８のキャパシタＣ４２との間に接続された第６のインダクタＬ４１とにより構成されている。第３のグランド側キャパシタ電極は、前述の通り、誘電体層ＤＬ１１上に形成されたパターン導体Ｐ２１５である。パターン導体Ｐ２１５と他の構成要素との接続については、前述の通りである。
　第７のキャパシタＣ４１は、パターン導体Ｐ１０７、Ｐ２１５により構成されている。第８のキャパシタＣ４２は、パターン導体Ｐ１０８、Ｐ２１５により構成されている。すなわち、第７のキャパシタＣ４１および第８のキャパシタＣ４２は、第３のグランド側キャパシタ電極であるパターン導体Ｐ２１５を共用している。第６のインダクタＬ４１は、パターン導体Ｐ２４と、その両端部に接続された誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１０に形成されたビア導体ｖ１９及びｖ２０により構成されている。
　第５の共振回路ＲＣ５および第６の共振回路ＲＣ６は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に、以下のようにして並列配置されている。すなわち、前述のバンドパスフィルタ１００と同様の第１の平面が規定される。そして、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２とが第１の平面上に投影されたときに、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２とは、第５のインダクタＬ３１と重なっている。
　また、第６のインダクタＬ４１が配置されている仮想的な面を第２の平面とする。すなわち、第２の平面は、製造上の誤差を含んだ上での、各ビア導体の中心軸およびパターン導体Ｐ２３の長手方向に沿った中央断面を含む平面を指す。
　そして、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とが第２の平面上に投影されたときに、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とが第６のインダクタＬ４１と重なっている。さらに、第６のインダクタＬ４１が上記の第１の平面上に投影されたときに、第６のインダクタＬ４１が第５のインダクタＬ３１と重なっている。
　上記の配置により、第１のインダクタＬ１１および第２のインダクタＬ１２のそれぞれと、第５のインダクタＬ３１とが、図７の矢印のように電磁界結合する。また、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと、第６のインダクタＬ４１とが、同様に電磁界結合する。さらに、第５のインダクタＬ３１と第６のインダクタＬ４１とが、同様に電磁界結合する。
　図７に示されたバンドパスフィルタ１００Ｂでは、第１のインダクタＬ１１の全体および第２のインダクタＬ１２の全体が、それぞれ第５のインダクタＬ３１と重なっている。また、第３のインダクタＬ２１の全体および第４のインダクタＬ２２の全体が、それぞれ第６のインダクタＬ４１と重なっている。さらに、第５のインダクタＬ３１の全体が、第６のインダクタＬ４１の全体と重なっている。
　ただし、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２とは、それぞれの少なくとも一部が第５のインダクタＬ３１と重なっていればよい。また、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２とは、それぞれの少なくとも一部が第６のインダクタＬ４１と重なっていればよい。さらに、第６のインダクタＬ４１の少なくとも一部が、第５のインダクタＬ３１と重なっていればよい。
　例えば、パターン導体Ｐ２３がパターン導体Ｐ２１より長くなるように、あるいは短くなるように形成されていてもよい。また、パターン導体Ｐ２４がパターン導体Ｐ２２より長くなるように、あるいは短くなるように形成されていてもよい。
　図８に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００Ｂのフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、通過帯域より低周波側に約－７８ｄＢ、高周波側に約－４５ｄＢの減衰極を有している。
　そして、バンドパスフィルタ１００Ｂでは、低周波側減衰極より低周波側において－６２ｄＢを越える減衰量が確保されている。また、高周波側減衰極より高周波側において－４２ｄＢを越える減衰量が確保されている。特に、高周波側減衰極より高周波側のＳ２１には、周波数の増加に伴い、絶対値が次第に低下する傾向（図１９（Ｂ）参照）が見られない。
　加えて、バンドパスフィルタ１００Ｂでは、バンドパスフィルタ１００に比べて、通過帯域の幅が約１．５倍に広くなっている。また、低周波側減衰極より低周波側における減衰量の絶対値の低下の度合いが小さくなっている。そして、通過帯域から高周波側減衰極にかけての減衰がさらに急峻となっている（図３参照）。
　これは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に並列配置された共振回路の数を２つに増やしたことにより、電磁界結合のバランスが向上したためと考えられる。
　したがって、バンドパスフィルタ１００Ｂでは、上記の構造によりさらに効果的に電磁界結合が生じた結果、通過帯域より高周波側および低周波側の減衰特性をさらに高めることができる。
　－バンドパスフィルタの第４の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第４の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｃについて、図９および図１０を用いて説明する。
　図９は、バンドパスフィルタ１００Ｃの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｃは、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５と、第６の共振回路ＲＣ６とを備えている。
　バンドパスフィルタ１００Ｃでは、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。第９のキャパシタＣ１３は、バンドパスフィルタ１００Ａの第１のフィルタ回路ＦＣ１が備えるものと同様である。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。第１０のキャパシタＣ２３は、バンドパスフィルタ１００Ａの第２のフィルタ回路ＦＣ２が備えるものと同様である。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　図１０は、バンドパスフィルタ１００Ｃの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｃは、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様に、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、複数のパターン導体と、複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第５の共振回路ＲＣ５と、第６の共振回路ＲＣ６とが形成されている。
　前述したように、バンドパスフィルタ１００Ｃでは、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。第９のキャパシタＣ１３および第１０のキャパシタＣ２３は、バンドパスフィルタ１００Ａと同様にして構成されている。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　バンドパスフィルタ１００Ｃでは、上記の構造により、第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２との間のアイソレーションを効果的に得ることができる。その結果、前述の効果に加え、特に通過帯域より高周波側の減衰特性をさらに高めることができる。
　－バンドパスフィルタの第５の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第４の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｄについて、図１１ないし図１３を用いて説明する。
　図１１は、バンドパスフィルタ１００Ｄの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｄは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第７の共振回路ＲＣ７とを備えている。バンドパスフィルタ１００Ｄにおける、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２とは、バンドパスフィルタ１００のそれらと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　第７の共振回路ＲＣ７は、第５のキャパシタＣ３１と、第５のインダクタＬ３１とを有している。第５のキャパシタＣ３１は、グランドに接続されている。第５のインダクタＬ３１は、グランドと第５のキャパシタＣ３１との間に接続されている。
　そして、第５のインダクタは、第１のインダクタ、第２のインダクタ、第３のインダクタおよび第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合する。
　図１２は、バンドパスフィルタ１００Ｄの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｄは、バンドパスフィルタ１００と同様に、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、複数のパターン導体と、複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第７の共振回路ＲＣ７とが形成されている。なお、図１２でも、誘電体層ＤＬ１上に方向目印Ｐ１１が配置されているが、これは必須ではない。
　バンドパスフィルタ１００Ｄにおける第１のフィルタ回路ＦＣ１では、誘電体層ＤＬ６に形成されているパターン導体Ｐ６１の配置が、バンドパスフィルタ１００のものと異なっている。しかしながら、それはこの発明において本質的な違いではなく、かつそれら以外はバンドパスフィルタ１００の第１のフィルタ回路ＦＣ１の構成要素と同様である。そのため、ここでは第１のフィルタ回路ＦＣ１についてのさらなる説明を省略する。
　第７の共振回路ＲＣ７は、グランド電極と、第５のキャパシタＣ３１と、グランド電極と第５のキャパシタＣ３１との間に接続された第５のインダクタＬ３１とにより構成されている。
　なお、第７の共振回路ＲＣ７では、第５のキャパシタＣ３１を構成するパターン導体のうちの１つが誘電体層ＤＬ１１上に形成されておらず、誘電体層ＤＬ１０上にパターン導体Ｐ１０５として形成されている。しかしながら、それもこの発明において本質的な違いではなく、バンドパスフィルタ１００と同様に、第５のキャパシタＣ３１を構成するパターン導体のうちの１つは、誘電体層ＤＬ１１上に形成されていてもよい。
　また、第５のインダクタＬ３１を構成するパターン導体Ｐ２３の一端に接続され、誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１０に形成されたビア導体ｖ７は、各誘電体層の中央部に配置されている。すなわち、バンドパスフィルタ１００Ｄにおけるパターン導体Ｐ２３は、バンドパスフィルタ１００におけるパターン導体Ｐ２３より短く形成されている。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００と同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　第７の共振回路ＲＣ７は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に、以下のようにして配置されている。すなわち、第５のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１、第２のインダクタＬ１２、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと電磁界結合するように配置されている（図１１の矢印参照）。
　図１３に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００のフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、通過帯域より低周波側に約－８７ｄＢ、高周波側に約－２０ｄＢの減衰極を有している。
　そして、バンドパスフィルタ１００Ｄでは、低周波側減衰極より低周波側において－５３ｄＢを越える減衰量が確保されている。また、高周波側減衰極より高周波側において－１４ｄＢを越える減衰量が確保されている。特に、高周波側減衰極より高周波側のＳ２１には、周波数の増加に伴い、絶対値が次第に低下する傾向（図１９（Ｂ）参照）が見られない。
　したがって、バンドパスフィルタ１００Ｄでは、上記の構造により効果的に電磁界結合が生じた結果、通過帯域より高周波側および低周波側の周波数領域におけるＳ２１の絶対値の低下が抑制できる。
　－バンドパスフィルタの第６の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第６の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｅについて、図１４を用いて説明する。
　図１４は、バンドパスフィルタ１００Ｅの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｅは、バンドパスフィルタ１００Ｄと同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第７の共振回路ＲＣ７とを備えている。
　バンドパスフィルタ１００Ｅでは、バンドパスフィルタ１００Ａと同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１が第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２が第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ｄと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　バンドパスフィルタ１００Ｅでは、上記の構造により、第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２との間のアイソレーションを効果的に得ることができる。その結果、前述の効果に加え、特に通過帯域より高周波側の減衰量の絶対値を大きくすることができる。
　－バンドパスフィルタの第７の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第７の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｆについて、図１５を用いて説明する。
　図１５は、バンドパスフィルタ１００Ｆの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｆは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第７の共振回路ＲＣ７と、第８の共振回路ＲＣ８とを備えている。バンドパスフィルタ１００Ｆにおける、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２と第７の共振回路ＲＣ７とは、バンドパスフィルタ１００Ｄのそれらと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　第８の共振回路ＲＣ８は、第７のキャパシタＣ４１と、第６のインダクタＬ４１とを有している。第７のキャパシタＣ４１は、グランドに接続されている。第６のインダクタＬ４１は、グランドと第７のキャパシタＣ４１との間に接続されている。
　そして、第５のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１および第２のインダクタＬ１２のそれぞれと電磁界結合する。また、第６のインダクタＬ４１は、第３のインダクタＬ２１および第４のインダクタＬ２２のそれぞれと電磁界結合する。さらに、第５のインダクタＬ３１と第６のインダクタＬ４１とが電磁界結合する。
　なお、第７の共振回路ＲＣ７と第８の共振回路ＲＣ８との間に、さらに別のキャパシタと別のインダクタとを有する別の共振回路が備えられていてもよい。この場合、第５のインダクタＬ３１は、上記のインダクタと電磁界結合し、上記のインダクタは、第６のインダクタＬ４１と電磁界結合する。その結果、第５のインダクタＬ３１と第６のインダクタＬ４１とは、間接的に電磁界結合することになる。第７の共振回路ＲＣ７と第８の共振回路ＲＣ８との間に備えられる別の共振回路の数は、特に限定されない。
　バンドパスフィルタ１００Ｆでは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に配置される共振回路の数を２つに増やしたことにより、電磁界結合のバランスが向上すると考えられる。
　したがって、バンドパスフィルタ１００Ｆでは、上記の構造によりさらに効果的に電磁界結合が生じた結果、通過帯域より高周波側および低周波側の減衰特性をさらに高めることができる。
　－バンドパスフィルタの第８の実施形態－
　この発明に係るバンドパスフィルタの第８の実施形態であるバンドパスフィルタ１００Ｇについて、図１６を用いて説明する。
　図１６は、バンドパスフィルタ１００Ｇの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｇは、バンドパスフィルタ１００Ｆと同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第７の共振回路ＲＣ７と、第８の共振回路ＲＣ８とを備えている。
　バンドパスフィルタ１００Ｇでは、バンドパスフィルタ１００Ｅと同様に、第１のフィルタ回路ＦＣ１が第９のキャパシタＣ１３をさらに備えている。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２が第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えている。
　それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ｆと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　バンドパスフィルタ１００Ｇでは、上記の構造により、第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２との間のアイソレーションを効果的に得ることができる。その結果、前述の効果に加え、特に通過帯域より高周波側の減衰特性をさらに高めることができる。
　－バンドパスフィルタの参考例－
　バンドパスフィルタの参考例であるバンドパスフィルタ１００Ｈないし１００Ｋについて、図１７および図１８を用いて説明する。
　図１７（Ａ）は、バンドパスフィルタ１００Ｈの等価回路図である。図１７（Ｂ）は、バンドパスフィルタ１００Ｉの等価回路図である。図１７（Ｃ）は、バンドパスフィルタ１００Ｊの等価回路図である。図１７（Ｄ）は、バンドパスフィルタ１００Ｋの等価回路図である。
　上記の各バンドパスフィルタは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２とを備えている。第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２とは、バンドパスフィルタ１００のそれらと同様である。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　上記の各バンドパスフィルタは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２とが、第１１のキャパシタＣ５１により結合されている。バンドパスフィルタ１００Ｈでは、第２のインダクタＬ１２と第２のキャパシタＣ１２との間と、第４のインダクタＬ２２と第４のキャパシタＣ２２との間とが、第１１のキャパシタＣ５１により結合されている。
　バンドパスフィルタ１００Ｉでは、第２のキャパシタＣ１２とグランドとの間と、第４のキャパシタＣ２２とグランドとの間とが、第１１のキャパシタＣ５１により結合されている。バンドパスフィルタ１００Ｊでは、第７のインダクタＬ１３とグランドとの間と、第８のインダクタＬ２３とグランドとの間とが、第１１のキャパシタＣ５１により結合されている。バンドパスフィルタ１００Ｋでは、第１のインダクタＬ１１と第２のインダクタＬ１２との間と、第３のインダクタＬ２１と第４のインダクタＬ２２との間とが、第１１のキャパシタＣ５１により結合されている。
　この第１１のキャパシタＣ５１による結合は、キャパシタ素子の接続による結合、または各共振回路の構成要素間における電界結合のいずれであってもよい。
　また、この発明に係るバンドパスフィルタ１００Ａと同じく、第１のフィルタ回路ＦＣ１が第９のキャパシタＣ１３をさらに備え、第２のフィルタ回路ＦＣ２が第１０のキャパシタＣ２３をさらに備えるようにしてもよい。第９のキャパシタＣ１３および第１０のキャパシタＣ２３の接続位置は、前述の通りである。そのため、ここではそれらについてのさらなる説明を省略する。
　図１８は、バンドパスフィルタ１００Ｈの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｈは、バンドパスフィルタ１００と同様に、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３が積層されてなる積層体と、複数のパターン導体と、複数のビア導体とを含んでいる。これらの誘電体層、パターン導体およびビア導体により、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１１のキャパシタＣ５１とが形成されている。なお、図１８でも、誘電体層ＤＬ１上に方向目印Ｐ１１が配置されているが、これは必須ではない。
　前述したように、第２のインダクタＬ１２は、パターン導体Ｐ２１と、その他端部に接続された、誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１０に形成されたビア導体ｖ２及びｖ３とにより構成されている。第２のキャパシタＣ１２は、パターン導体Ｐ１０２、Ｐ１１３により構成されている。また、第４のインダクタＬ２２は、パターン導体Ｐ２２と、その他端部に接続された、誘電体層ＤＬ２ないしＤＬ１０に形成されたビア導体ｖ１０及びｖ１１とにより構成されている。第４のキャパシタＣ２２は、パターン導体Ｐ１０４、Ｐ１１４により構成されている。
　第１１のキャパシタＣ５１は、誘電体層ＤＬ９上に形成されたパターン導体Ｐ９１と、誘電体層ＤＬ１０上に形成されたパターン導体Ｐ１０２、Ｐ１０４とにより構成されている。すなわち、図１７（Ａ）の等価回路図における第２のインダクタＬ１２と第２のキャパシタＣ１２との間と、第４のインダクタＬ２２と第４のキャパシタＣ２２との間とは、第１１のキャパシタＣ５１により結合されることになる。
　なお、パターン導体の配置を変更することにより、バンドパスフィルタ１００Ｈに替えて、バンドパスフィルタ１００Ｉないし１００Ｋを構成することができる。
　この明細書に記載の実施形態は、例示的なものであって、この発明は上記の実施形態および変形例に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１００　バンドパスフィルタ、ＦＣ１　第１のフィルタ回路、ＦＣ２　第２のフィルタ回路、Ｐ１　第１の信号ポート、Ｐ２　第２の信号ポート、ＲＣ１　第１の共振回路、ＲＣ２　第２の共振回路、ＲＣ３　第３の共振回路、ＲＣ４　第４の共振回路、ＲＣ５　第５の共振回路、Ｌ１１　第１のインダクタ、Ｌ１２　第２のインダクタ、Ｌ２１　第３のインダクタ、Ｌ２２　第４のインダクタ、Ｌ３１　第５のインダクタ、Ｃ１１　第１のキャパシタ、Ｃ１２　第２のキャパシタ、Ｃ２１　第３のキャパシタ、Ｃ２２　第４のキャパシタ、Ｃ３１　第５のキャパシタ、Ｃ３２　第６のキャパシタ、ｖ１～ｖ２１　ビア導体。

Claims (13)

  1. 　第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含む第１のフィルタ回路と、
    　第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含む第２のフィルタ回路と、
    　グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドに接続された第６のキャパシタと、前記第５のキャパシタと前記第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第５の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合することを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  2. 　第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含む第１のフィルタ回路と、
    　第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含む第２のフィルタ回路と、
    　グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドに接続された第６のキャパシタと、前記第５のキャパシタと前記第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第５の共振回路と、
    　グランドに接続された第７のキャパシタと、グランドに接続された第８のキャパシタと、前記第７のキャパシタと前記第８のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有する第６の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第６のインダクタは、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第５のインダクタと前記第６のインダクタとが電磁界結合することを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  3. 　第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含む第１のフィルタ回路と、
    　第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含む第２のフィルタ回路と、
    　グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドと前記第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第７の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合することを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  4. 　第１の信号ポートと、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含む第１のフィルタ回路と、
    　第２の信号ポートと、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含む第２のフィルタ回路と、
    　グランドに接続された第５のキャパシタと、グランドと前記第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第７の共振回路と、
    　グランドに接続された第７のキャパシタと、グランドと前記第７のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有する第８の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第６のインダクタは、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第５のインダクタと前記第６のインダクタとが電磁界結合することを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  5. 　前記第１のフィルタ回路は、前記第１の共振回路と前記第２の共振回路とにより共有される第７のインダクタをさらに有し、
    　前記第１の共振回路において、前記第１のインダクタおよび前記第７のインダクタは、前記第１の信号ポートとグランドとの間に直列に接続され、前記第１のキャパシタは、前記第１の信号ポートとグランドとの間に、前記第１のインダクタおよび前記第７のインダクタと並列に接続され、
    　前記第２の共振回路において、前記第２のインダクタおよび前記第２のキャパシタは、前記第１のインダクタとグランドとの間に直列に接続され、前記第７のインダクタは、前記第１のインダクタとグランドとの間に、前記第２のインダクタおよび前記第２のキャパシタと並列に接続され、
    　前記第２のフィルタ回路は、前記第３の共振回路と前記第４の共振回路とにより共有される第８のインダクタをさらに有し、
    　前記第３の共振回路において、前記第３のインダクタおよび前記第８のインダクタは、前記第２の信号ポートとグランドとの間に直列に接続され、前記第３のキャパシタは、前記第２の信号ポートとグランドとの間に、前記第３のインダクタおよび前記第８のインダクタと並列に接続され、
    　前記第４の共振回路において、前記第４のインダクタおよび前記第４のキャパシタは、前記第３のインダクタとグランドとの間に直列に接続され、前記第８のインダクタは、前記第３のインダクタとグランドとの間に、前記第４のインダクタおよび前記第４のキャパシタと並列に接続されていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  6. 　前記第１のフィルタ回路は、第９のキャパシタをさらに有し、
    　前記第９のキャパシタは、前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタと前記第７のインダクタとの接続点と、グランドとの間に接続され、
    　前記第２のフィルタ回路は、第１０のキャパシタをさらに有し、
    　前記第１０のキャパシタは、前記第３のキャパシタと前記第４のキャパシタと前記第８のインダクタとの接続点と、グランドとの間に接続されていることを特徴とする、請求項５に記載のバンドパスフィルタ。
  7. 　複数の誘電体層が積層された積層体と、
    　前記誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、
    　前記誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含み、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第１の信号電極と、第１のグランド側キャパシタ電極と、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とが含まれる、第１のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第２の信号電極と、第２のグランド側キャパシタ電極と、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とが含まれる、第２のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、グランド電極と、前記グランド電極に接続された第５のキャパシタと、前記グランド電極に接続された第６のキャパシタと、前記第５のキャパシタと前記第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第５の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタが配置されている仮想的な面を第１の平面とし、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが前記第１の平面上に投影されたときに、前記第１のインダクタの少なくとも一部と前記第２のインダクタの少なくとも一部とが前記第５のインダクタと重なり、前記第３のインダクタと前記第４のインダクタとが前記第１の平面上に投影されたときに、前記第３のインダクタの少なくとも一部と前記第４のインダクタの少なくとも一部とが前記第５のインダクタと重なるように、前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に、前記第５の共振回路が並列配置されていることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  8. 　複数の誘電体層が積層された積層体と、
    　前記誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、
    　前記誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含み、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第１の信号電極と、第１のグランド側キャパシタ電極と、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とが含まれる、第１のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第２の信号電極と、第２のグランド側キャパシタ電極と、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とが含まれる、第２のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、グランド電極と、前記グランド電極に接続された第５のキャパシタと、前記グランド電極に接続された第６のキャパシタと、前記第５のキャパシタと前記第６のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第５の共振回路と、
    　前記グランド電極と、前記グランド電極に接続された第７のキャパシタと、前記グランド電極に接続された第８のキャパシタと、前記第７のキャパシタと前記第８のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有する第６の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタが配置されている仮想的な面を第１の平面とし、前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとが前記第１の平面上に投影されたときに、前記第１のインダクタの少なくとも一部と前記第２のインダクタの少なくとも一部とが前記第５のインダクタと重なり、前記第６のインダクタが配置されている仮想的な面を第２の平面とし、前記第３のインダクタと前記第４のインダクタとが前記第２の平面上に投影されたときに、前記第３のインダクタの少なくとも一部と前記第４のインダクタの少なくとも一部とが前記第６のインダクタと重なり、前記第６のインダクタが前記第１の平面上に投影されたときに、前記第６のインダクタの少なくとも一部が前記第５のインダクタと重なるように、前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に、前記第５の共振回路および前記第６の共振回路が並列配置されていることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  9. 　複数の誘電体層が積層された積層体と、
    　前記誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、
    　前記誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含み、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第１の信号電極と、第１のグランド側キャパシタ電極と、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とが含まれる、第１のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第２の信号電極と、第２のグランド側キャパシタ電極と、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とが含まれる、第２のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、グランド電極と、前記グランド電極に接続された第５のキャパシタと、前記グランド電極と前記第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第７の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合するように配置されていることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  10. 　複数の誘電体層が積層された積層体と、
    　前記誘電体層の層間に配置された複数のパターン導体と、
    　前記誘電体層を貫通して配置された複数のビア導体とを含み、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第１の信号電極と、第１のグランド側キャパシタ電極と、第１のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とが含まれる、第１のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、第２の信号電極と、第２のグランド側キャパシタ電極と、第３のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第４のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とが含まれる、第２のフィルタ回路と、
    　前記パターン導体または前記パターン導体および前記ビア導体により形成された、グランド電極と、前記グランド電極に接続された第５のキャパシタと、前記グランド電極と前記第５のキャパシタとの間に接続された第５のインダクタとを有する第７の共振回路と、
    　前記グランド電極と、前記グランド電極に接続された第７のキャパシタと、前記グランド電極と前記第７のキャパシタとの間に接続された第６のインダクタとを有する第８の共振回路とを備え、
    　前記第５のインダクタは、前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第６のインダクタは、前記第３のインダクタおよび前記第４のインダクタのそれぞれと電磁界結合し、
    　前記第５のインダクタと前記第６のインダクタとが電磁界結合するように配置されていることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  11. 　前記第１のフィルタ回路は、前記第１の共振回路と前記第２の共振回路とにより共有される第７のインダクタをさらに有し、
    　前記第２のフィルタ回路は、前記第３の共振回路と前記第４の共振回路とにより共有される第８のインダクタをさらに有することを特徴とする、請求項７ないし１０のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  12. 　前記第１のフィルタ回路は、第９のキャパシタをさらに有し、
    　前記第９のキャパシタは、前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタと前記第７のインダクタとの接続点と、前記第１のグランド側キャパシタ電極との間に接続され、
    　前記第２のフィルタ回路は、第１０のキャパシタをさらに有し、
    　前記第１０のキャパシタは、前記第３のキャパシタと前記第４のキャパシタと前記第８のインダクタとの接続点と、前記第２のグランド側キャパシタ電極との間に接続されていることを特徴とする、請求項１１に記載のバンドパスフィルタ。
  13. 　複数の誘電体層と複数の導体層との積層体に構成された、第１フィルタ回路、第２フィルタ回路、中間回路を含むバンドパスフィルタにおいて、
    　前記中間回路は、
    　前記導体層のいずれかに形成され、接地電位に接続される接地導体と、
    　前記導体層のいずれかに形成され、前記誘電体層を介して前記接地導体と対向配置される、第１キャパシタ導体および第２キャパシタ導体と、
    　前記導体層のいずれかに形成される第１線路導体と、
    　前記積層体の積層方向に形成される第１ビア導体、第２ビア導体と、を備え、
    　前記接地導体と前記第１キャパシタ導体は第１キャパシタを構成し、
    　前記接地導体と前記第２キャパシタ導体は第２キャパシタを構成し、
    　前記第１キャパシタと前記第１線路導体は、前記第１ビア導体を介して接続され、
    　前記第２キャパシタと前記第１線路導体は、前記第２ビア導体を介して接続され、
    　前記積層方向と直交する方向において、前記第１フィルタ回路、前記中間回路、前記第２フィルタ回路は、この順に並んで配置され、
    　前記第１フィルタ回路と前記中間回路、前記第２フィルタ回路と前記中間回路、のそれぞれは電磁界結合される、
    バンドパスフィルタ。
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