CN115051672A - 分波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及分波器。分波器具备：共用端口；第一信号端口；第二信号端口；第一滤波器，其设置于共用端口和第一信号端口之间，使第一通频带内的频率的信号选择性地通过；第二滤波器，其设置于共用端口和第二信号端口之间，使与第一通频带不同的第二通频带内的频率的信号选择性地通过；电容器，其具有第一端和第二端，将第一滤波器和第二滤波器连接。

Description

分波器

技术领域

本发明涉及将频率互不相同的多个信号分离的分波器。

背景技术

在小型移动体通信设备中广泛使用如下结构：设置在系统及使用频带不同的多个应用中共用的天线，将该天线收发的多个信号使用分波器进行分离。

一般而言，将第一频带内的频率的第一信号和高于第一频带的第二频带内的频率的第二信号进行分离的分波器具备：共用端口、第一信号端口、第二信号端口、设置于从共用端口到第一信号端口的第一信号路径的第一滤波器、设置于从共用端口到第二信号端口的第二信号路径的第二滤波器。作为第一及第二滤波器，例如使用LC谐振器，该LC谐振器使用电感器和电容器构成。

作为分波器，如中国专利申请公开第107408932A号说明书所公开的那样，已知有使用了包含层叠的多个电介质层的层叠体的分波器。

近年来，在小型移动体通信设备中，利用多个频率的信号的多系统(多频带)化不断发展。这样，当利用多个频率的信号时，在分波器中也要求满足比现有更严格的特性。例如，在高于第二频带的频带下，要求增大第二滤波器的通过衰减量。但是，目前存在如下问题：当要在高频带下增大第二滤波器的通过衰减量时，第一滤波器的插入损失恶化。

发明内容

本发明的目的在于，提供具备第一滤波器和第二滤波器的分波器，其能够防止第一滤波器的插入损失恶化并且在高频带下增大第二滤波器的通过衰减量。

本发明的分波器，具备：共用端口；第一信号端口；第二信号端口；第一滤波器，其设置于共用端口和第一信号端口之间，使第一通频带内的频率的信号选择性地通过；第二滤波器，其设置于共用端口和第二信号端口之间，使与第一通频带不同的第二通频带内的频率的信号选择性地通过；电容器，其具有第一端和第二端，将第一滤波器和第二滤波器连接。

在本发明的分波器中，第二通频带也可以是比第一通频带靠高频侧的频带。在该情况下，本发明的分波器也可以还具备将共用端口和第一信号端口连接的第一路径。第一滤波器也可以包含设置于第一路径的第一电感器。电容器的第一端也可以在第一电感器和第一信号端口之间与第一路径连接。

另外，在第二通频带为比第一通频带靠高频侧的频带的情况下，本发明的分波器也可以还具备将共用端口和第二信号端口连接的第二路径。第二滤波器也可以包含设置于第二路径和地线之间的第二电感器。电容器的第二端也可以与将第二路径和第二电感器连接的第三路径连接。

另外，在本发明的分波器中，在第二通频带为比第一通频带靠高频侧的频带的情况下，电容器也可以在第二滤波器的通过衰减特性中，在第二通频带的高频侧形成衰减极。

另外，在本发明的分波器中，第一滤波器和第二滤波器也可以构成双工器。

另外，本发明的分波器也可以还具备：第三信号端口；第三滤波器，其设置于共用端口和第三信号端口之间，使与第一通频带及第二通频带不同的第三通频带内的频率的信号选择性地通过。在该情况下，第三通频带也可以是比第一通频带及第二通频带靠高频侧的频带。另外，第一滤波器、第二滤波器及第三滤波器也可以构成三工器。

本发明的分波器具备：第一滤波器、第二滤波器、将第一滤波器和第二滤波器连接的电容器。由此，根据本发明，能够防止第一滤波器的插入损失恶化，同时在高频带下增大第二滤波器的通过衰减量。

本发明的其它的目的、特征及优点根据以下的说明而变得充分清晰。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的分波器的电路结构的电路图。

图2是表示图1所示的第三滤波器的电路结构的电路图。

图3是表示本发明的第一实施方式的分波器的外观的立体图。

图4A～图4C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第1层～第3层的电介质层的图案形成面的说明图。

图5A～图5C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第4层～第6层的电介质层的图案形成面的说明图。

图6A～图6C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第7层～第9层的电介质层的图案形成面的说明图。

图7A～图7C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第10层～第12层的电介质层的图案形成面的说明图。

图8A～图8C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第13层～第15层的电介质层的图案形成面的说明图。

图9A～图9C是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第16层～第18层的电介质层的图案形成面的说明图。

图10是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体中的第19层的图案形成面的说明图。

图11是表示本发明的第一实施方式的分波器的层叠体的内部的立体图。

图12是表示通过模拟求得的各模型的第一滤波器的通过衰减特性的特性图。

图13是将图12所示的通过衰减特性的一部分放大表示的特性图。

图14是表示通过模拟求得的各模型的第二滤波器的通过衰减特性的特性图。

图15是表示将图14所示的通过衰减特性的一部分放大表示的特性图。

图16是表示通过模拟求得的各模型的第三滤波器的通过衰减特性的特性图。

图17是表示将图16所示的通过衰减特性的一部分放大表示的特性图。

图18是表示本发明的第二实施方式的分波器的电路结构的电路图。

图19是表示本发明的第二实施方式的分波器的第一滤波器的通过衰减特性的一个例子的特性图。

图20是将图19所示的通过衰减特性的一部分放大表示的特性图。

图21是表示本发明的第二实施方式的分波器的第二滤波器的通过衰减特性的一个例子的特性图。

图22是将图21所示的通过衰减特性的一部分放大表示的特性图。

具体实施方式

[第一实施方式]

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细的说明。首先，参照图1对本发明的第一实施方式的分波器1的结构的概略进行说明。图1是表示分波器1的电路结构的电路图。分波器1具备：共用端口2、第一信号端口3、第二信号端口4、第三信号端口5、第一滤波器10、第二滤波器20、第三滤波器30。分波器1是由第一～第三滤波器10、20、30构成的三工器。

在电路结构上，第一滤波器10设置于共用端口2和第一信号端口3之间。在电路结构上，第二滤波器20设置于共用端口2和第二信号端口4之间。在电路结构上，第三滤波器30设置于共用端口2和第三信号端口5之间。此外，在本申请中，“在电路结构上”之类的表达不是物理结构上的配置，用于是指电路图上的配置。

第一滤波器10使第一通频带内的频率的信号选择性地通过。第二滤波器20使与第一通频带不同的第二通频带内的频率的信号选择性地通过。第三滤波器30使与第一通频带及第二通频带不同的第三通频带内的频率的信号选择性地通过。在本实施方式中，特别是第二通频带为比第一通频带靠高频侧的频带。另外，第三通频带为比第一通频带及第二通频带靠高频侧的频带。

分波器1还具备LC电路40和电容器C42。在电路结构上，LC电路40设置于共用端口2和第一及第二滤波器10、20之间。电容器C42具有第一端和第二端，将第一滤波器10和第二滤波器20连接。在后面进行详细的说明，但电容器C42在第二滤波器20的通过衰减特性中，在第二通频带的高频侧形成衰减极。

分波器1还具备将共用端口2和第一信号端口3连接的第一路径11、将共用端口2和第二信号端口4连接的第二路径21。第一路径11是从共用端口2经由LC电路40和第一滤波器10到达第一信号端口3的路径。第二路径21是从共用端口2经由LC电路40和第二滤波器20到达第二信号端口4的路径。第一路径11和第二路径21在LC电路40和第一及第二滤波器10、20之间进行分支。

第一滤波器10包含设置于第一路径11的第一电感器。电容器C42的第一端在第一电感器和第一信号端口3之间与第一路径11连接。

第二滤波器20包含设置于第二路径21和地线之间的第二电感器。电容器C42的第二端与将第二路径21和第二电感器连接的第三路径22连接。

接着，参照图1及图2对第一滤波器10、第二滤波器20、第三滤波器30及LC电路40的结构的一个例子进行说明。图2是表示第三滤波器30的电路结构的电路图。

LC电路40包含电感器L41和电容器C41。电感器L41的一端与共用端口2连接。电容器C41相对于电感器L41并联地连接。

第一滤波器10包含电感器L11、L12和电容器C11、C12。电感器L11的一端与LC电路40的电感器L41的另一端连接。电感器L11的另一端与第一信号端口3连接。电容器C11相对于电感器L11并联地连接。电容器C12的一端与电感器L11的另一端连接。电感器L12的一端与电容器C12的另一端连接。电感器L12的另一端与地线连接。

电感器L11设置于第一路径11中。电感器L11与第一电感器对应。

第二滤波器20包含电感器L21、L22和电容器C21、C22、C23、C24。电容器C21的一端与LC电路40的电感器L41的另一端连接。电容器C22的一端与电容器C21的另一端连接。电容器C22的另一端与第二信号端口4连接。电容器C23的一端与电容器C21的一端连接。电容器C23的另一端与电容器C22的另一端连接。

电感器L21的一端与电容器C21和电容器C22的连接点连接。电感器L22的一端与电感器L21的另一端连接。电感器L22的另一端与地线连接。电容器C24相对于电感器L21并联地连接。

电感器L21设置于第二路径21和地线之间。第三路径22将第二路径21和电感器L21连接。电感器L21与第二电感器对应。

电容器C42的第一端在电感器L11和第一信号端口3之间与第一路径11连接。电容器C42的第二端与第三路径22连接。

第三滤波器30包含电感器L31、L32、L33、L34、和电容器C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37。电容器C31的一端与共用端口2连接。电容器C32的一端与电容器C31的另一端连接。电容器C33的一端与电容器C31的一端连接。电容器C33的另一端与电容器C32的另一端连接。

电感器L31的一端与电容器C31和电容器C32的连接点连接。电感器L32的一端与电感器L31的另一端连接。电感器L32的另一端与地线连接。电容器C34相对于电感器L31并联地连接。

电感器L33的一端与电容器C32的另一端连接。电感器L33的另一端与第三信号端口5连接。电容器C35相对于电感器L33并联地连接。电容器C36的一端与电感器L33的一端连接。电容器C37的一端与电感器L33的另一端连接。电感器L34的一端与电容器C36、C37的各另一端连接。电感器L35的另一端与地线连接。

接着，参照图3对分波器1的其它的结构进行说明。图3是表示分波器1的外观的立体图。

分波器1还具备包含层叠的多个电介质层和多个导体层的层叠体50。层叠体50是用于将共用端口2、第一信号端口3、第二信号端口4、第三信号端口5、第一滤波器10、第二滤波器20、第三滤波器30、LC电路40及电容器C42一体化的层叠体。第一滤波器10、第二滤波器20、第三滤波器30及LC电路40所含的多个电感器及多个电容器和电容器C42使用多个导体层构成。

层叠体50具有位于多个电介质层的层叠方向T的两端的底面50A及上表面50B、和将底面50A和上表面50B连接的四个侧面50C～50F。侧面50C、50D朝向相互相反侧，侧面50E、50F也朝向相互相反侧。侧面50C～50F相对于上表面50B及底面50A成垂直。

在此，如图3所示，定义X方向、Y方向、Z方向。X方向、Y方向、Z方向相互正交。在本实施方式中，将与层叠方向T平行的一方向设为Z方向。另外，将与X方向相反的方向设为－X方向，将与Y方向相反的方向设为－Y方向，将与Z方向相反的方向设为－Z方向。

如图3所示，底面50A位于层叠体50中的－Z方向的端部。上表面50B位于层叠体50中的Z方向的端部。底面50A及上表面50B各自的形状为在X方向上长的矩形形状。侧面50C位于层叠体50中的－X方向的端部。侧面50D位于层叠体50中的X方向的端部。侧面50E位于层叠体50中的－Y方向的端部。侧面50F位于层叠体50中的Y方向的端部。

分波器1还具备设置于层叠体50的底面50A的多个端子111、112、113、114、115、116。端子111、112、116在比侧面50E更接近侧面50F的位置，在－X方向上依次排列。端子113、114、115在比侧面50F更接近侧面50E的位置，在－X方向上依次排列。

端子112与共用端口2对应，端子113与第一信号端口3对应，端子114与第二信号端口4对应，端子115与第三信号端口5对应。因此，共用端口2以及第一～第三信号端口3～5设置于层叠体50的底面50A。端子111、116的各个与地线连接。

接着，参照图4A～图10对构成层叠体50的多个电介质层及多个导体层的一个例子进行说明。在该例子中，层叠体50具有层叠的19层的电介质层。以下，将该19层的电介质层从下依次称为第1层～第19层的电介质层。另外，将第1层～第19层的电介质层以符号51～69表示。

在图4A～图9C中，多个圆表示多个通孔。在电介质层51～67的各个形成有多个通孔。多个通孔的各个与导体层或其它的通孔连接。

图4A表示第1层的电介质层51的图案形成面。在电介质层51的图案形成面形成有端子111～116。图4B表示第2层的电介质层52的图案形成面。在电介质层52的图案形成面形成有导体层521、522、523、524、525。

图4C表示第3层的电介质层53的图案形成面。在电介质层53的图案形成面形成有导体层531、532、533、534、535、536。导体层532与导体层531连接。导体层534与导体层533连接。在图4C中，将导体层531和导体层532的边界、导体层533和导体层534的边界分别以虚线表示。

图5A表示第4层的电介质层54的图案形成面。在电介质层54的图案形成面形成有导体层541、542、543、544、545。导体层542与导体层541连接。在图5A中，将导体层541和导体层542的边界以虚线表示。

图5B表示第5层的电介质层55的图案形成面。在电介质层55的图案形成面形成有导体层551、552、553。图5C表示第6层的电介质层56的图案形成面。在电介质层56的图案形成面形成有导体层561。

图6A表示第7层的电介质层57的图案形成面。在电介质层57的图案形成面未形成构成电感器的导体层和构成电容器的导体层。图6B表示第8层的电介质层58的图案形成面。在电介质层58的图案形成面形成有导体层581。图6C表示第9层的电介质层59的图案形成面。在电介质层59的图案形成面形成有导体层591、592、593。

图7A表示第10层的电介质层60的图案形成面。在电介质层60的图案形成面形成有导体层601、602、603。图7B表示第11层的电介质层61的图案形成面。在电介质层61的图案形成面形成有导体层612。图7C表示第12层的电介质层62的图案形成面。在电介质层62的图案形成面形成有导体层622。

图8A表示第13层的电介质层63的图案形成面。在电介质层63的图案形成面形成有导体层631、632、633。图8B表示第14层的电介质层64的图案形成面。在电介质层64的图案形成面形成有导体层641、642、643。图8C表示第15层的电介质层65的图案形成面。在电介质层65的图案形成面形成有导体层651、652、653。

图9A表示第16层的电介质层66的图案形成面。在电介质层66的图案形成面形成有导体层661、662、663。图9B表示第17层的电介质层67的图案形成面。在电介质层67的图案形成面形成有导体层671、672、673。图9C表示第18层的电介质层68的图案形成面。在电介质层68的图案形成面形成有导体层681、682、683。

图10表示第19层的电介质层69的图案形成面。在电介质层69的图案形成面形成有由导体层构成的标记691。

图3所示的层叠体50以第1层的电介质层51的图案形成面成为层叠体50的底面50A，且第19层的电介质层69的图案形成面的相反侧的面成为层叠体50的上表面50B的方式层叠第1层～第19层的电介质层51～69而构成。

在层叠第1层～第18层的电介质层51～68时，图4A～图9B所示的多个通孔的各个与在层叠方向T上重叠的导体层或在层叠方向T上重叠的其它的通孔连接。另外，图4A～图9B所示的多个通孔中，位于端子内或导体层内的通孔与该端子或该导体层连接。

图11表示层叠第1层～第19层的电介质层51～69而构成的层叠体50的内部。如图11所示，在层叠体50的内部，将图4A～图9C所示的多个导体层和多个通孔层叠。此外，在图11中省略标记691。

以下，对图1及图2所示的分波器1的电路的构成要素和图4A～图8C所示的层叠体50的内部的构成要素的对应关系进行说明。首先，对第一滤波器10的构成要素进行说明。电感器L11由图6B～图7A所示的导体层581、591、601和与这些导体层连接的多个通孔构成。

电感器L12由图4B及图4C所示的导体层521、531、和与这些导体层连接的通孔构成。

电容器C11由图5A及图5B所示的导体层541、551和这些导体层之间的电介质层54构成。

电容器C12由图4C及图5A所示的导体层532、541、和这些导体层之间的电介质层53构成。

接着，对第二滤波器20的构成要素进行说明。电感器L21由图6C～图9C所示的导体层592、602、612、622、632、642、652、662、672、682、和与这些导体层连接的多个通孔构成。

电感器L22由图4A～图5A所示的端子116及导体层523、545、将端子116和导体层523连接的多个通孔、以及将导体层523和导体层545连接的多个通孔构成。

电容器C21由图5B及图6C所示的导体层552、592、和这些导体层之间的电介质层55～58构成。

电容器C22由图4B～图5A所示的导体层522、533、543、和这些导体层之间的电介质层52、53构成。

电容器C23由图5A及图5B所示的导体层543、551、和这些导体层之间的电介质层54构成。

电容器C24由图7A～图9B所示的导体层602、612、622、632、642、652、662、672、导体层602、612之间的电介质层60、导体层622、632之间的电介质层62、导体层642、652之间的电介质层64、以及导体层662、672之间的电介质层66构成。

接着，对第三滤波器30的构成要素进行说明。电感器L31由图8C～图9C所示的导体层653、663、673、683、和与这些导体层连接的多个通孔构成。

电感器L32、L34的各个由图4A～图5A所示的端子116及导体层523、545、将端子116和导体层523连接的多个通孔、以及将导体层523和导体层545连接的多个通孔构成。电感器L22、L32、L34由层叠体50的内部的共用的构成要素构成。

电感器L33由图6C～图8B所示的导体层593、603、633、643、和与这些导体层连接的多个通孔构成。

电容器C31由图5A及图5B所示的导体层544、552、和这些导体层之间的电介质层54构成。

电容器C32由图4C～图5B所示的导体层535、544、553、和这些导体层之间的电介质层53、54构成。

电容器C33由图5B及图5C所示的导体层553、561、和这些导体层之间的电介质层55构成。

电容器C34由图9A及图9B所示的导体层663、673、和这些导体层之间的电介质层66构成。

电容器C35由图7A及图8B所示的导体层603、633、和这些导体层之间的电介质层60～63构成。

电容器C36由图5A及图5B所示的导体层544、553、和这些导体层之间的电介质层54构成。

电容器C37由图4B～图5A所示的导体层523、536、545、和这些导体层之间的电介质层52、53构成。

接着，对LC电路40的构成要素和电容器C42进行说明。电感器L41由图8A～图9C所示的导体层631、641、651、661、671、681、和与这些导体层连接的多个通孔构成。

电容器C41由图8B～图9B所示的导体层641、651、661、671、导体层641、651之间的电介质层64、以及导体层661、671之间的电介质层66构成。

电容器C42由图4C及图5A所示的导体层534、542、和这些导体层之间的电介质层53构成。

接着，对本实施方式的分波器1的作用及效果进行说明。本实施方式的分波器1具备第一滤波器10、第二滤波器20、将第一滤波器10和第二滤波器20连接的电容器C42。电容器C42的第一端在第一滤波器10的电感器L11(第一电感器)和第一信号端口3之间与第一路径11连接。电容器C42的第二端与将第二路径21和第二滤波器20的电感器L21(第二电感器)连接的第三路径22连接。由此，根据本实施方式，能够防止第一滤波器10的插入损失恶化，同时在高频带下增大第二滤波器20的通过衰减量。

以下，参照模拟的结果对电容器C42的作用及效果进行说明。首先，对模拟中使用的模型进行说明。在模拟中，使用了本实施方式的分波器1的模型(以下，称为实施例的模型。)、和未设置电容器C42的第一～第四比较例的分波器的模型(以下，称为第一～第四比较例的模型。)。

在实施例的模型中，将电容器C42的电容设为0.036pF，将电容器C11的电容设为1.608pF，将第一信号端口3和第二信号端口4之间的电容设为0pF。

第一比较例的模型的结构除了未设置电容器C42的方面之外，与实施例的模型的结构相同。

第二及第三比较例的模型的各个结构除了电容器C11的电容之外，与第一比较例的模型的结构相同。在第二比较例的模型中，使电容器C11的电容比第一比较例的模型大0.25pF。在第三比较例的模型中，使电容器C11的电容比第一比较例的模型大0.75pF。

第四比较例的模型的结构除了第一信号端口3和第二信号端口4之间的电容之外，与第一比较例的模型的结构相同。在第四比较例的模型中，使第一信号端口3和第二信号端口4之间的电容比第一比较例的模型大0.14pF。

在模拟中，对实施例的模型和第一～第四比较例的模型的各个，求得第一～第三滤波器10、20、30各自的通过衰减特性。

接着，对模拟的结果进行说明。图12是表示各模型的第一滤波器10的通过衰减特性的特性图。图13将图12的一部分放大表示。图14表示各模型的第二滤波器20的通过衰减特性。图15将图14的一部分放大表示。图16表示各模型的第三滤波器30的通过衰减特性。图17将图16的一部分放大表示。在图12～图17中，横轴表示频率，纵轴表示衰减量。此外，在以下的说明中，将第一滤波器10的第一通频带下的衰减量称为第一滤波器10的插入损失，将第二滤波器20的第二通频带下的衰减量称为第二滤波器20的插入损失，将第三滤波器30的第三通频带下的衰减量称为第三滤波器30的插入损失。

首先，比较实施例的模型和第一比较例的模型。如图14所示，在实施例的模型中，在比第二滤波器20的第二通频带高的7GHz附近的频带中，能够使第二滤波器20的通过衰减量比第一比较例的模型增大。根据该结果可知，通过设置电容器C42，在第二滤波器20的通过衰减特性中，能够在第二通频带的高频侧形成衰减极。

另外，如图13所示，实施例的模型的第一滤波器10的插入损失和第一比较例的模型的第一滤波器10的插入损失几乎相同。根据该结果可知，通过设置电容器C42，能够防止第一滤波器10的插入损失恶化，同时在高频带下增大第二滤波器20的通过衰减量。

此外，根据图12可知，在第一比较例的模型中，第一滤波器10的通过衰减特性中的衰减极从实施例的模型大幅变动。

接着，比较实施例的模型和第二及第三比较例的模型。如上所述，在第二及第三比较例的模型中，增大电容器C11的电容。电容器C11能够看作将第一滤波器10的电感器L11的另一端和第二滤波器20的电容器C21的一端连接的电容器。

如图14所示，在第二比较例的模型中，在比第二滤波器20的第二通频带高的7GHz附近的频带中，能够增大第二滤波器20的通过衰减量。但是，如图13及图15所示，在第二比较例的模型中，第一滤波器10的插入损失和第二滤波器20的插入损失比实施例的模型变大。另外，如图13及图15所示，在第三比较例的模型中，第二滤波器20的插入损失与实施例的模型几乎相同，第一滤波器10的插入损失比实施例的模型变大。另外，如图14所示，在第三比较例的模型中，在比第二滤波器20的第二通频带高的频带中，不能增大第二滤波器20的通过衰减量。根据该结果可知，在电容器C11中，得不到与电容器C42相同的效果。

此外，根据图12可知，在第三比较例的模型中，第一滤波器10的通过衰减特性中的衰减极从实施例的模型大幅变动。

接着，比较实施例的模型和第四比较例的模型。如上所述，在第四比较例的模型中，增大第一信号端口3和第二信号端口4之间的电容。在第四比较例的模型中，可以说实质上设置有将电感器L11的另一端和电容器C22的另一端连接的电容器。

如图14所示，在第四比较例的模型中，在比第二滤波器20的第二通频带高的7GHz附近的频带中，能够增大第二滤波器20的通过衰减量。但是，如图13所示，在第四比较例的模型中，第一滤波器10的插入损失比实施例的模型变大。根据该结果可知，在将电感器L11的另一端和电容器C22的另一端连接的电容器中，得不到与电容器C42相同的效果。

此外，根据图12可知，在第四比较例的模型中，第一滤波器10的通过衰减特性中的衰减极从实施例的模型大幅变动。

由于以上，根据本实施方式，通过设置电容器C42，能够防止第一滤波器10的插入损失恶化，同时在高频带下增大第二滤波器20的通过衰减量。

此外，如图16及图17所示，第三滤波器30的通过衰减特性及插入损失在各模型之间几乎无变化。

但是，作为形成衰减极的方法，考虑增多滤波器的级数。但是，这样的话，则滤波器及包含该滤波器的分波器会变大。与之相对，在本实施方式中，通过设置电容器C42，不增多第二滤波器20的级数，就能够形成衰减极。

[第二实施方式]

接着，对本发明的第二实施方式进行说明。首先，参照图18简单地说明本实施方式的分波器的电路结构。图18表示本实施方式的分波器的电路结构。本实施方式的分波器101的结构除了未设置第三滤波器30及第三信号端口5的方面之外，与第一实施方式的分波器1的结构相同。分波器101为由第一滤波器10和第二滤波器20构成的双工器。

接着，参照图19～图22说明分波器101的特性的一个例子。图19是表示分波器101的第一滤波器10的通过衰减特性的一个例子的特性图。图20将图19的一部分放大表示。图21表示分波器101的第二滤波器20的通过衰减特性的一个例子。图22将图21的一部分放大表示。在图19～图22中，横轴表示频率，纵轴表示衰减量。

如图21所示，分波器101中，在第二滤波器20的通过衰减特性中，在7GHz附近的频带形成有衰减极。如第一实施方式中说明的那样，该衰减极由电容器C42形成。由此，分波器101中，在比第二滤波器20的第二通频带高的7GHz附近的频带中，能够增大第二滤波器20的通过衰减量。

本实施方式的其它的结构、作用及效果与第一实施方式一样。

此外，本发明不限定于上述各实施方式，可进行各种变更。例如，只要满足权利要求书的要件，本发明的第一～第三滤波器10、20、30的各个结构就不限于各实施方式所示的例子，是任意的。

另外，在本发明的分波器中，也可以代替将第一滤波器10和第二滤波器20连接的电容器C42或除了该电容器C42之外，设置将第一滤波器10和第三滤波器30连接的第二电容器。与电容器C42一样，第二电容器的第一端在第一滤波器10的电感器L11(第一电感器)和第一信号端口3之间与第一路径11连接。第二电容器的第二端也可以与设置于将共用端口2和第三信号端口5连接的路径与地线之间的第三滤波器30的电感器的一端连接。

基于以上的说明，显然可实施本发明的各种方式及变形例。因此，在权利要求书的等同的范围内，即使是上述最佳方式以外的方式也能够实施本发明。

Claims (9)

1.一种分波器，其特征在于，

具备：

共用端口；

第一信号端口；

第二信号端口；

第一滤波器，其设置于所述共用端口和所述第一信号端口之间，使第一通频带内的频率的信号选择性地通过；

第二滤波器，其设置于所述共用端口和所述第二信号端口之间，使与所述第一通频带不同的第二通频带内的频率的信号选择性地通过；及

电容器，其具有第一端和第二端，将所述第一滤波器和所述第二滤波器连接。

2.根据权利要求1所述的分波器，其特征在于，

所述第二通频带是比所述第一通频带靠高频侧的频带。

3.根据权利要求2所述的分波器，其特征在于，

还具备将所述共用端口和所述第一信号端口连接的第一路径，

所述第一滤波器包含设置于所述第一路径的第一电感器，

所述电容器的所述第一端在所述第一电感器和所述第一信号端口之间与所述第一路径连接。

4.根据权利要求2所述的分波器，其特征在于，

还具备将所述共用端口和所述第二信号端口连接的第二路径，

所述第二滤波器包含设置于所述第二路径和地线之间的第二电感器，

所述电容器的所述第二端与将所述第二路径和所述第二电感器连接的第三路径连接。

5.根据权利要求2所述的分波器，其特征在于，

所述电容器在所述第二滤波器的通过衰减特性中，在所述第二通频带的高频侧形成衰减极。

6.根据权利要求1所述的分波器，其特征在于，

所述第一滤波器和所述第二滤波器构成双工器。

7.根据权利要求1所述的分波器，其特征在于，

还具备：

第三信号端口；

第三滤波器，其设置于所述共用端口和所述第三信号端口之间，使与所述第一通频带及所述第二通频带不同的第三通频带内的频率的信号选择性地通过。

8.根据权利要求7所述的分波器，其特征在于，

所述第三通频带是比所述第一通频带及所述第二通频带靠高频侧的频带。

9.根据权利要求7所述的分波器，其特征在于，

所述第一滤波器、所述第二滤波器及所述第三滤波器构成三工器。

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