WO2018168494A1 - 蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法 - Google Patents

蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法 Download PDF

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Definitions

  • This embodiment relates to a method for manufacturing an electricity storage device and a solid electrolyte layer.
  • a capacitor is generally used as a structure in which an insulating layer is sandwiched between electrodes from both sides.
  • an electricity storage device having a structure in which an n-type semiconductor layer, a hydrous porous insulating layer, and a p-type semiconductor layer are sequentially laminated to form electrodes on the upper and lower sides has been proposed.
  • This embodiment provides a storage device with improved reliability that can be charged without increasing deterioration even when the storage capacity is increased and the charging voltage is increased, and a method for manufacturing a solid electrolyte layer.
  • a first oxide semiconductor layer of a first conductivity type and a solid electrolyte layer that is disposed on the first oxide semiconductor layer and includes a solid electrolyte to which protons can move
  • an electricity storage device including a second conductivity type second oxide semiconductor layer disposed on the solid electrolyte layer.
  • a solid produced including a step of applying diluted silicone oil, a step of baking the applied silicone oil, and a step of irradiating the baked silicone oil with ultraviolet rays.
  • a method for producing an electrolyte layer is provided.
  • the present embodiment it is possible to provide a storage device with improved reliability that can be charged without increasing deterioration even when the storage capacity is increased and the charging voltage is increased, and a method for manufacturing a solid electrolyte layer.
  • FIG. 1 The typical cross-section figure of the electrical storage device which concerns on embodiment, (b) The charging / discharging characteristic view of the electrical storage device which concerns on embodiment.
  • the first conductivity type indicates, for example, n-type
  • the second conductivity type indicates p-type opposite to the first conductivity type
  • Comparative Example 1 The cross-sectional structure of the electricity storage device 30A according to Comparative Example 1 is schematically represented as shown in FIG. 1A, and the charge / discharge characteristics thereof are schematically represented as shown in FIG.
  • the electricity storage device 30A includes a first oxide semiconductor layer 14 between the first electrode (E1) 12 and the second electrode (E2) 26, An insulating layer 15N disposed on the first oxide semiconductor layer 14 and a second oxide semiconductor layer 24 disposed on the insulating layer 15N are provided.
  • the insulator layer 15N can be formed of, for example, SiN y .
  • the second oxide semiconductor layer 24 can be formed of nickel oxide (NiO) which is a p-type oxide semiconductor.
  • the charge / discharge characteristics of the electricity storage device according to Comparative Example 1 are the voltage at time t 1 after time t 0 with respect to the voltage V (V 1 to V 5 ) during charging.
  • V 1 was changed to 0V
  • the voltage V 2 is changed to 0V at time t 2
  • the voltage V 3 at time 3 is changed to 0V
  • the voltage V 4 at time t 4 is changed to 0V
  • voltage V 5 is changed to 0V at time t 5, the respective discharge state.
  • the charge / discharge characteristics shown in FIG. 1B correspond to the charge / discharge characteristics of the capacitor.
  • the discharge characteristics of the electricity storage device according to Comparative Example 1 are linear characteristics.
  • Comparative Example 2 A schematic cross-sectional structure of the electricity storage device 30A according to Comparative Example 2 is represented as shown in FIG. 2A, and its charge / discharge characteristics are schematically represented as shown in FIG.
  • the power storage device 30A includes a first oxide semiconductor layer 14 between the first electrode (E1) 12 and the second electrode (E2) 26,
  • the solid electrolyte layer 16K which has the solid electrolyte which can be arrange
  • the solid electrolyte layer 16K can be formed of, for example, silicon oxide (SiO x ). Other configurations are the same as those of the first comparative example.
  • the electricity storage device 30A according to Comparative Example 1 has a small amount of electricity storage because it exhibits capacitor characteristics.
  • the electricity storage device 30A according to Comparative Example 2 has a structure in which the solid electrolyte layer 16K is in contact with the second oxide semiconductor layer 24 as compared with the electricity storage device 30A according to Comparative Example 1, the first electrode (E1) 12
  • the second electrode (E2) 26 is at a high potential, protons easily move from the second oxide semiconductor layer 24 toward the first oxide semiconductor layer 14. Therefore, the power storage device 30A of Comparative Example 2 can store more power than the power storage device 30A of Comparative Example 1.
  • FIG. 3A The schematic cross-sectional structure of the electricity storage device 30 according to the embodiment is represented as shown in FIG. 3A, and the charge / discharge characteristics thereof are schematically represented as shown in FIG.
  • the power storage device 30 includes a first conductivity type first oxide semiconductor between the first electrode (E1) 12 and the second electrode (E2) 26.
  • Layer 14 solid electrolyte layer 18 ⁇ / b> K having a solid electrolyte to which protons can move and disposed on first oxide semiconductor layer 14, and a second conductivity type second oxide semiconductor disposed on solid electrolyte layer 18 ⁇ / b> K Layer 24.
  • the first conductivity type first oxide semiconductor layer 14 is an oxide semiconductor layer made of the first conductivity type first oxide semiconductor.
  • the second conductivity type second oxide semiconductor layer 24 is an oxide semiconductor layer made of the second conductivity type second oxide semiconductor. The same applies hereinafter.
  • an insulator layer 18N including an insulator may be disposed between the solid electrolyte layer 18K and the first oxide semiconductor layer 14.
  • the solid electrolyte layer 18K may further contain an insulator.
  • the solid electrolyte layer 18K may include, for example, a solid electrolyte made of SiO and an insulator made of SiN.
  • more solid electrolyte may exist than the insulator on the second oxide semiconductor layer 24 side of the solid electrolyte layer 18K. That is, more solid electrolyte made of SiO may be present on the second oxide semiconductor layer 24 side of the solid electrolyte layer 18K than an insulator made of SiN, for example.
  • the withstand voltage is increased compared to the electricity storage device 30A according to Comparative Example 2 because the insulator layer 18N is in contact with the solid electrolyte layer 18K.
  • the solid electrolyte layer 16K can be formed of, for example, SiO x .
  • the insulating layer 18N includes, for example, P (plasma) -SiN y (second insulating material) that is non-hydrous and not porous.
  • the insulating layer 18N includes a layer having a high film density, and has a property that it is hard to contain water as compared with SiO x .
  • the thickness of SiO x is, for example, about 20 nm to 70 nm.
  • the insulator layer 18N can be formed of, for example, SiN y .
  • SiN y plasma - its thickness when forming a silicon nitride (P-SiN y) is, for example, about 10nm or less. More desirably, it is about 7 nm to 10 nm, for example.
  • the first electrode 12 can be formed by, for example, a laminate of W and Ti or chromium (Cr), and the second electrode 26 can be formed by, for example, Al.
  • the first electrode 12 is disposed on the surface of the first oxide semiconductor layer 14 that does not face the insulator layer 18N.
  • the second electrode 26 is disposed on the surface of the second oxide semiconductor layer 24 that does not face the solid electrolyte layer 18K.
  • the first oxide semiconductor layer 14 can be formed of, for example, titanium oxide (TiO 2 ) that is an n-type oxide semiconductor.
  • the second oxide semiconductor layer 24 can be formed of nickel oxide (NiO) which is a p-type oxide semiconductor.
  • the thickness of nickel oxide (NiO) is, for example, about 200 nm.
  • the solid electrolyte layer 18K deteriorates only when the voltage V during charging becomes V 5 (for example, about 5.0 V) or more. A decrease in the amount of electricity stored is observed. Further, in the case of the electricity storage device 30 according to the embodiment, the decrease in the case of the silicon oxide (SiO x ), single layer seen in the electricity storage device 30A according to Comparative Example 2 is seen at 5V.
  • the discharge characteristics of the electricity storage device 30 according to the embodiment are such that the charging voltage V is substantially flat with respect to (V 1 to V 4 ), and the charging voltage V Only when V becomes V 5 (for example, about 5.0 V) or higher, the discharge time decreases (the discharge time decreases at 3 V in Comparative Example 2).
  • the electricity storage device 30 even in the case of long-time charging with a constant current, it was possible to confirm a larger amount of electricity storage than the electricity storage devices according to Comparative Example 1 and Comparative Example 2.
  • the SiN y / SiO x two-layer structure in which the insulator layer 18N is inserted can improve the withstand voltage during charging while maintaining the amount of electricity greatly increased as compared with the capacitor. is there. Even when charged for a long time at a constant current, the amount of electricity stored was larger than that of the capacitor. This is a result of reducing deterioration due to the voltage of SiO x by using two layers.
  • the two-layer structure of SiN y / SiO x with the insulator layer 18N inserted improves the breakdown voltage and improves the overall breakdown voltage of the electricity storage device 30.
  • SiO x can be formed from silicone oil.
  • SiO x may be formed of a metal containing silicone.
  • the solid electrolyte layer 18K includes a step of applying diluted silicone oil on the first oxide semiconductor layer 14, a step of baking the applied silicone oil, and a step of irradiating the baked silicone oil with ultraviolet rays. It may be manufactured including.
  • the method for producing the solid electrolyte layer 18K may include a step of applying diluted silicone oil, a step of baking the applied silicone oil, and a step of irradiating the baked silicone oil with ultraviolet rays. .
  • an electricity storage device with improved reliability that can be charged without increasing deterioration even when the electricity storage capacity is increased and the charging voltage is increased.
  • the present embodiment includes various embodiments that are not described here.
  • the power storage device of this embodiment can be used for various consumer devices and industrial devices, and is intended for system applications that can transmit various sensor information with low power consumption, such as power storage devices for communication terminals and wireless sensor networks. It can be applied to a wide range of application fields such as power storage devices.

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Abstract

蓄電デバイス(30)は、第1導電型の第1酸化物半導体層(14)と、第1酸化物半導体層(14)上に配置されプロトンが移動可能な固体電解質を含む固体電解質層(18K)と、固体電解質層(18K)と第1酸化物半導体層(14)との間に配置され、絶縁物を備えた絶縁物層(18N)と、固体電解質層(18K)上に配置された第2導電型の第2酸化物半導体層(24)とを備える。蓄電容量を増大し、かつ充電電圧を増加させても劣化せず充電可能な信頼性の向上した蓄電デバイスを提供する。

Description

蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法
 本実施の形態は、蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法に関する。
 絶縁層を両側から電極で挟んだ構造としては、キャパシタが一般的である。
 また、n型半導体層、含水性多孔質な絶縁層、p型半導体層を順次積層し、上下に電極を形成した構造の蓄電デバイスも提案されている。
特開2015-82445号公報
 本実施の形態は、蓄電容量を増大し、かつ充電電圧を増加させても劣化せず充電可能な信頼性の向上した蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法を提供する。
 本実施の形態の一態様によれば、第1導電型の第1酸化物半導体層と、前記第1酸化物半導体層上に配置され、プロトンが移動可能な固体電解質を含む固体電解質層と、前記固体電解質層上に配置された第2導電型の第2酸化物半導体層とを備える蓄電デバイスが提供される。
 本実施の形態の他の態様によれば、希釈したシリコーンオイルを塗布する工程と、塗布したシリコーンオイルを焼成する工程と、焼成したシリコーンオイルに紫外線照射する工程と、を含んで製造される固体電解質層の製造方法が提供される。
 本実施の形態によれば、蓄電容量を増大し、かつ充電電圧を増加させても劣化せず充電可能な信頼性の向上した蓄電デバイスおよび固体電解質層の製造方法を提供することができる。
(a)比較例1に係る蓄電デバイスの模式的断面構造図、(b)比較例1に係る蓄電デバイスの充放電特性図。 (a)比較例2に係る蓄電デバイスの模式的断面構造図、(b)比較例2に係る蓄電デバイスの充放電特性図。 (a)実施の形態に係る蓄電デバイスの模式的断面構造図、(b)実施の形態に係る蓄電デバイスの充放電特性図。
 次に、図面を参照して、本実施の形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
 また、以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置などを特定するものではない。この実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
 以下の実施の形態の説明において、第1導電型とは、例えば、n型、第2導電型とは、第1導電型と反対導電型のp型であることを示す。
 (比較例1)
 比較例1に係る蓄電デバイス30Aの模式的に断面構造は、図1(a)に示すように表され、その充放電特性は、図1(b)に示すように模式的に表される。
 比較例1に係る蓄電デバイス30Aは、図1(a)に示すように、第1電極(E1)12と第2電極(E2)26との間に、第1酸化物半導体層14と、第1酸化物半導体層14上に配置された絶縁物層15Nと、絶縁物層15N上に配置された第2酸化物半導体層24とを備える。
 絶縁物層15Nは、例えば、SiNyによって形成可能である。
 第2酸化物半導体層24は、p型の酸化物半導体である酸化ニッケル(NiO)によって形成可能である。
 比較例1に係る蓄電デバイスの充放電特性は、例えば図1(b)に示すように、充電時の電圧V(V~V)に対して、時刻t0後の時刻tにおいて電圧Vは0Vへと変化し、時刻tにおいて電圧Vは0Vへと変化し、時刻において電圧Vは0Vへと変化し、時刻tにおいて電圧Vは0Vへと変化し、時刻tにおいて電圧Vは0Vへと変化し、それぞれ放電状態となる。すなわち、図1(b)に示す充放電特性は、キャパシタの充放電特性に対応している。比較例1に係る蓄電デバイスの放電特性は、図1(b)に示すように、直線的な特性を示す。
 比較例1に係る蓄電デバイスによれば、絶縁物層15Nのみではキャパシタが形成されるにすぎず、蓄電量も小さい。
 (比較例2)
 比較例2に係る蓄電デバイス30Aの模式的断面構造は、図2(a)に示すように表され、その充放電特性は、図2(b)に示すように模式的に表される。
 比較例2に係る蓄電デバイス30Aは、図2(a)に示すように、第1電極(E1)12と第2電極(E2)26との間に、第1酸化物半導体層14と、第1酸化物半導体層14上に配置され、プロトンが移動可能な固体電解質を有する固体電解質層16Kと、固体電解質層16K上に配置された第2酸化物半導体層24とを備える。
 固体電解質層16Kは、例えば、酸化ケイ素(SiOx)によって形成可能である。その他の構成は、比較例1と同様である。
 比較例2に係る蓄電デバイスの充放電特性は、図2(b)に示すように、充電時の電圧V(V~V)に対して、時刻t0後の時刻t3において電圧V3は0Vへと変化し、時刻t4において電圧V4は0Vへと変化し、時刻t5において電圧V5は0Vへと変化し、それぞれ放電状態となる。比較例2に係る蓄電デバイスの放電特性は、図2(b)に示すように、減少する特性を示す。
 比較例2に係る蓄電デバイスの充放電特性によれば、定電流での長時間充電の場合でも、比較例1に係る蓄電デバイスよりも大きい蓄電量が得られている。
 比較例1に係る蓄電デバイス30Aは、キャパシタ特性を示すため蓄電量が小さい。しかし、比較例2に係る蓄電デバイス30Aは比較例1に係る蓄電デバイス30Aに比べて、第2酸化物半導体層24に固体電解質層16Kが接触する構造を備えるため、第1電極(E1)12に対して、第2電極(E2)26を高電位とする電圧印加状態において、第2酸化物半導体層24から、プロトンが、第1酸化物半導体層14に向かって移動し易くなる。従って、比較例1の蓄電デバイス30Aに対して比較例2の蓄電デバイス30Aの方が多く蓄電できる。
 比較例1に係る蓄電デバイス30Aでは、第2酸化物半導体層24に絶縁物層15Nが接触する構造を備えるため、第2酸化物半導体層24からのプロトン移動が、絶縁物層15Nによって妨げられ、第1酸化物半導体層14に向かっての移動が困難になると考えられている。
 しかしながら、比較例2に係る蓄電デバイス30Aにおいては、図2(b)に示すように、リーク試験においても充電時の電圧VがV3(例えば、約3.0V)以上になると、固体電解質層16Kが電圧に耐えられなくなるため、蓄電量の低下が著しい。
 (実施の形態)
 実施の形態に係る蓄電デバイス30の模式的断面構造は、図3(a)に示すように表され、その充放電特性は、図3(b)に示すように模式的に表される。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30は、図3(a)に示すように、第1電極(E1)12と第2電極(E2)26との間に、第1導電型の第1酸化物半導体層14と、第1酸化物半導体層14上に配置され、プロトンが移動可能な固体電解質を有する固体電解質層18Kと、固体電解質層18K上に配置された第2導電型の第2酸化物半導体層24とを備える。
 ここで、第1導電型の第1酸化物半導体層14とは、第1導電型の第1酸化物半導体からなる酸化物半導体層であることを表す。第2導電型の第2酸化物半導体層24とは、第2導電型の第2酸化物半導体からなる酸化物半導体層であることを表す。以下同様である。
 また、固体電解質層18Kと第1酸化物半導体層14との間に、絶縁物を備えた絶縁物層18Nが配置されていても良い。
 また、固体電解質層18Kには、絶縁物が更に含まれていても良い。ここで、固体電解質層18Kには、例えば、SiOからなる固体電解質とSiNからなる絶縁物が含まれていても良い。
 また、固体電解質層18Kの第2酸化物半導体層24側には、絶縁物よりも固体電解質が多く存在していても良い。すなわち、固体電解質層18Kの第2酸化物半導体層24側には、例えばSiNからなる絶縁物よりも、SiOからなる固体電解質が多く存在していても良い。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30においては、比較例2に係る蓄電デバイス30Aと比べて、固体電解質層18Kに絶縁物層18Nが接触しているため、耐圧が上昇している。
 固体電解質層16Kは、例えば、SiOxによって形成可能である。絶縁物層18Nは、例えば、非含水性であり、多孔質でないP(プラズマ)-SiNy(第2絶縁物)を備える。絶縁物層18Nは、膜密度の高い層を備え、SiOxに比べて含水し難い性質を有する。
 SiOxの厚さは、例えば、約20nm~70nm程度である。
 絶縁物層18Nは、例えば、SiNyによって形成可能である。ここで、SiNyとして、プラズマ―窒化ケイ素(P-SiNy)を形成した場合その厚さは、例えば、約10nm以下である。更に望ましくは、例えば、約7nm~10nm程度である。
 第1電極12は、例えば、WとTiとの積層またはクロム(Cr)によって、第2電極26は、例えば、Alによって、それぞれ形成可能である。第1電極12は、第1酸化物半導体層14の絶縁物層18Nと対向しない面に配置されている。また、第2電極26は、第2酸化物半導体層24の固体電解質層18Kと対向しない面に配置されている。
 第1酸化物半導体層14は、例えば、n型の酸化物半導体である酸化チタン(TiO)によって形成可能である。
 第2酸化物半導体層24は、p型の酸化物半導体である酸化ニッケル(NiO)によって形成可能である。酸化ニッケル(NiO)の厚さは、例えば約200nmである。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30によれば、図3(b)に示すように、充電時の電圧V(V~V)に対して、時刻t0後の時刻t5において電圧V5は0Vへと変化し、放電状態となる。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30の場合、例えば図3(b)に示すように、充電時の電圧VがV5(例えば、約5.0V)以上になってはじめて固体電解質層18Kの劣化による蓄電量の低下が観測される。また、実施の形態に係る蓄電デバイス30の場合、比較例2に係る蓄電デバイス30Aにおいて見られた酸化ケイ素(SiOx)、単層のときの減少が、5Vで見られる。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30の放電特性は、図3(b)に示すように、充電時の電圧Vが(V~V4)に対し略平坦な特性を示し、充電時の電圧VがV5(例えば、約5.0V)以上になってはじめて、放電時間が減少する特性を示す(比較例2では3Vで放電時間が減少する)。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30によれば、定電流での長時間充電の場合でも、比較例1や比較例2に係る蓄電デバイスよりも大きい蓄電量を確認できた。
 実施の形態に係る蓄電デバイス30によれば、絶縁物層18Nを挿入したSiNy/SiOxの2層構造で、キャパシタより大幅に増大した蓄電量を維持しつつ充電時の耐圧も向上可能である。定電流での長時間充電でも、キャパシタより大きい蓄電量が確認された。これは、2層にすることで、SiOxの電圧による劣化が低減した結果である。
 また、SiNyの膜耐圧が高いため、絶縁物層18Nを挿入したSiNy/SiOxの2層構造とすることで耐圧が向上し、蓄電デバイス30全体の耐圧が向上する。
 また、SiOxは、シリコーンオイルから形成可能である。
 また、SiOxは、シリコーンを含んだ金属から形成されていても良い。
 また、固体電解質層18Kは、希釈したシリコーンオイルを、第1酸化物半導体層14上に塗布する工程と、塗布したシリコーンオイルを焼成する工程と、焼成したシリコーンオイルに紫外線照射する工程と、を含んで製造されていても良い。
 また、上記の固体電解質層18Kの製造方法は、希釈したシリコーンオイルを塗布する工程と、塗布したシリコーンオイルを焼成する工程と、焼成したシリコーンオイルに紫外線照射する工程と、を含んでいても良い。
 実施の形態によれば、蓄電容量を増大し、かつ充電電圧を増加させても劣化せず充電可能な信頼性の向上した蓄電デバイスを提供することができる。
 [その他の実施の形態]
 上記のように、実施の形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
 このように、本実施の形態は、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
 本実施の形態の蓄電デバイスは、様々な民生用機器、産業機器に利用することができ、通信端末、無線センサネットワーク向けの蓄電デバイスなど、各種センサ情報を低消費電力伝送可能なシステム応用向けの蓄電デバイスなど、幅広い応用分野に適用可能である。
12…第1電極(E1)
14…第1酸化物半導体層(TiO2層)
15N、18N…絶縁物層
16K,18K…固体電解質層
24…第2酸化物半導体層(NiO)
26…第2電極(E2)
30、30A…蓄電デバイス

Claims (15)

  1.  第1導電型の第1酸化物半導体層と、
     前記第1酸化物半導体層上に配置され、プロトンが移動可能な固体電解質を含む固体電解質層と、
     前記固体電解質層上に配置された第2導電型の第2酸化物半導体層と
     を備えることを特徴とする蓄電デバイス。
  2.  前記固体電解質層と前記第1酸化物半導体層との間に、絶縁物層が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の蓄電デバイス。
  3.  前記固体電解質層には、絶縁物が更に含まれていることを特徴とする請求項1に記載の蓄電デバイス。
  4.  前記固体電解質層の前記第2酸化物半導体層側には、前記絶縁物よりも前記固体電解質が多く存在することを特徴とする請求項3に記載の蓄電デバイス。
  5.  前記固体電解質層は、SiOxを含むことを特徴とする請求項1または3に記載の蓄電デバイス。
  6.  前記絶縁物層は、SiNyを含むことを特徴とする請求項2に記載の蓄電デバイス。
  7.  前記絶縁物層の厚さが、10nm以下であることを特徴とする請求項2又は6に記載の蓄電デバイス。
  8.  前記絶縁物層は、非含水性であって多孔質でないプラズマ-SiNyであることを特徴とする請求項2,6若しくは7のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。
  9.  前記第1酸化物半導体層は、TiOを含むことを特徴とする請求項1又は3に記載の蓄電デバイス。
  10.  前記第2酸化物半導体層は、NiOを含むことを特徴とする請求項1又は3に記載の蓄電デバイス。
  11.  前記第1酸化物半導体層の前記絶縁物層と対向しない面に配置された第1電極と、
     前記第2酸化物半導体層の前記固体電解質層と対向しない面に配置された第2電極と
     を備えることを特徴とする請求項2,6若しくは7のいずれか1項に記載の蓄電デバイス。
  12.  前記SiOxは、シリコーンオイルから形成されることを特徴とする請求項5に記載の蓄電デバイス。
  13.  前記SiOxは、シリコーンを含んだ金属から形成されることを特徴とする請求項5に記載の蓄電デバイス。
  14.  前記固体電解質層は、
     希釈したシリコーンオイルを、第1酸化物半導体層上に塗布する工程と、
     塗布したシリコーンオイルを焼成する工程と、
     焼成したシリコーンオイルに紫外線照射する工程と、
    を含んで製造されることを特徴とする請求項1又は3に記載の蓄電デバイス。
  15.  請求項1又は3に記載の前記固体電解質層の製造方法であって、
     希釈したシリコーンオイルを塗布する工程と、
     塗布したシリコーンオイルを焼成する工程と、
     焼成したシリコーンオイルに紫外線照射する工程と、
    を含んで製造されることを特徴とする固体電解質層の製造方法。
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