TWI661596B - 蓄電裝置及固體電解質層的製造方法 - Google Patents

蓄電裝置及固體電解質層的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI661596B
TWI661596B TW107108265A TW107108265A TWI661596B TW I661596 B TWI661596 B TW I661596B TW 107108265 A TW107108265 A TW 107108265A TW 107108265 A TW107108265 A TW 107108265A TW I661596 B TWI661596 B TW I661596B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
storage device
power storage
layer
solid electrolyte
oxide semiconductor
Prior art date
Application number
TW107108265A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201840038A (zh
Inventor
Takashi Tonokawa
殿川孝司
Kazuyuki Tsunokuni
津國和之
Juri Ogasawara
小笠原樹理
Yuki Sato
佐藤祐樹
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Nihon Micronics
日商日本麥克隆尼股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Nihon Micronics, 日商日本麥克隆尼股份有限公司 filed Critical Kabushiki Kaisha Nihon Micronics
Publication of TW201840038A publication Critical patent/TW201840038A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI661596B publication Critical patent/TWI661596B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/54—Electrolytes
    • H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025—Solid electrolytes
    • H01G9/032—Inorganic semiconducting electrolytes, e.g. MnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/46—Metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

本發明係提供一種即使增大蓄電容量且增加充電電壓也不會劣化而能夠充電之可靠性提高的蓄電裝置。
本發明之蓄電裝置30係具備：第1導電型的第1氧化物半導體層14、配置在第1氧化物半導體層14上且包含質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層18K、配置在固體電解質層18K和第1氧化物半導體層14之間且具備絕緣體的絕緣體層18N、以及配置在固體電解質層18K上之第2導電型的第2氧化物半導體層24。

Description

蓄電裝置及固體電解質層的製造方法
本實施的形態係有關一種蓄電裝置及固體電解質層的製造方法。
電容器一般為以電極從兩側夾持絕緣層的構造。
另外，亦提議一種依序積層n型半導體、含水性多孔質絕緣層、p型半導體後於上下形成電極之構造的蓄電裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-82445號公報
本實施形態係提供一種即使增大蓄電容量且增加充電電壓也不會劣化而能夠充電之可靠性提高的蓄電裝置及固體電解質層的製造方法。
根據本實施形態的一態樣，係提供一種蓄電裝置，具備：第1導電型的第1氧化物半導體層、配置在前述第1氧化物半導體層上且包含質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層、以及配置在前述固體電解質層上之第2導電型的第2氧化物半導體層。
根據本實施形態的另一態樣，係提供一種固體電解質層的製造方法，係包含塗布經稀釋之矽酮油的步驟、煅燒所塗布之矽酮油的步驟、對已煅燒之矽酮油照射紫外線的步驟而製造固體電解質。
根據本實施形態，可提供一種即使增大蓄電容量且增加充電電壓也不會劣化而能夠充電之可靠性提高的蓄電裝置及固體電解質層的製造方法。
12‧‧‧第1電極(E1)
14‧‧‧第1氧化物半導體層(TiO2層)
15N、18N‧‧‧絕緣體層
16K、18K‧‧‧固體電解質層
24‧‧‧第2氧化物半導體層(NiO)
26‧‧‧第2電極(E2)
30、30A‧‧‧蓄電裝置
p‧‧‧p型氧化物半導體層
n‧‧‧n型氧化物半導體層
第1圖(a)係比較例1之蓄電裝置的示意性剖面構造圖，(b)係比較例1之蓄電裝置的充放電特性圖。
第2圖(a)係比較例2之蓄電裝置的示意性剖面構造圖，(b)係比較例2之蓄電裝置的充放電特性圖。
第3圖(a)係實施形態之蓄電裝置的示意性剖面構造圖，(b)係實施形態之蓄電裝置的充放電特性圖。
接著，參照圖式針對本實施形態做說明。 在以下所說明之圖式的記載中，對於同樣或類似的部分係賦與同樣或類似的符號。但圖式為示意性，應留意各構成元件的厚度與平面尺寸的關係等與實物不同。因此，具體的厚度或尺寸應參照以下的說明來判斷。另外，當然包含圖式之間彼此的尺寸關係或比率不同的部分。
又，以下所示的實施形態係例示用來使技術思想具體化的裝置或方法，並非將各構成元件的材質、形狀、構造、配置等予以特定者。此實施形態在申請專利範圍中可加入各種變化。
以下之實施形態的說明中，第1導電型係表示例如n型，第2導電型係表示與第1導電型為相反導電型的p型。
[比較例1]
比較例1之蓄電裝置30A的示意性剖面構造係如第1圖(a)所示，其充放電特性係示意性顯示如第1圖(b)。
比較例1之蓄電裝置30A係如第1圖(a)所示，在第1電極(E1)12和第2電極(E2)26之間具備第1氧化物半導體層14、配置在第1氧化物半導體層14上的絕緣體層15N、配置在絕緣體層15N上的第2氧化物半導體層24。
絕緣體層15N例如可藉由SiNy形成。
第2氧化物半導體層24可藉由屬於p型氧化物半導體的氧化鎳(NiO)形成。
比較例1之蓄電裝置的充放電特性係如第1 圖(b)所示，相對於充電時的電壓V(V1~V5)，在時刻t0之後的時刻t1之電壓V1變為0V，時刻t2之電壓V2變為0V，時刻t3之電壓V3變為0V，時刻t4之電壓V4變為0V，時刻t5之電壓V5變為0V，分別成為放電狀態。亦即，第1圖(b)所示的充放電特性係與電容器的的充放電特性對應。比較例1之蓄電裝置的放電特性係如第1圖(b)所示，顯示線性的特性。
依據比較例1的蓄電裝置，僅在絕緣體層15N形成電容器，蓄電量也小。
[比較例2]
比較例2之蓄電裝置30A的示意性剖面構造係如第2圖(a)所示，其充放電特性係示意性顯示如第2圖(b)。
比較例2之蓄電裝置30A係如第2圖(a)所示，在第1電極(E1)12和第2電極(E2)26之間具備第1氧化物半導體層14、配置在第1氧化物半導體層14上且具有質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層16K、配置在固體電解質層16K上的第2氧化物半導體層24。
固體電解質層16K例如可藉由氧化矽(SiOx)形成。其他構成與比較例1相同。
比較例2之蓄電裝置的充放電特性係如第2圖(b)所示，相對於充電時的電壓V(V1~V5)，在時刻t0之後的時刻t3之電壓V3變為0V，在時刻t4之電壓V4變為0V，在時刻t5之電壓V5變為0V，分別成為放電狀態。比較例2之蓄電裝置的放電特性係如第2圖(b)所示，顯示減 少的特性。
依據比較例2的蓄電裝置的充放電特性，即使在以定電流長時間充電的情況，能夠比比較例1的蓄電裝置得到較大的蓄電量。
比較例1之蓄電裝置30A因顯示電容器特性故蓄電量小。但是比起比較例1之蓄電裝置30A，比較例2之蓄電裝置30A由於具備固體電解質層16K與第2氧化物半導體層24接觸的構造，相對於第1電極(E1)12，將第2電極(E2)26做為高電位的電壓施加狀態中，質子容易從第2氧化物半導體層24向第1氧化物半導體層14移動。因此，相對於比較例1之蓄電裝置30A，比較例2之蓄電裝置30A能夠蓄電更多。
在比較例1之蓄電裝置30A中，由於具備絕緣體層15N與第2氧化物半導體層24接觸的構造，認為來自第2氧化物半導體層24的質子移動被絕緣體層15N阻礙，朝向第1氧化物半導體層14的移動變得困難。
但是，在比較例2之蓄電裝置30A中，如第2圖(b)所示，在洩漏試驗中，若充電時的電壓V達到V3(例如：約3.0V)以上，因固體電解質層16K無法承受電壓，故蓄電量明顯下降。
[實施形態]
實施形態之蓄電裝置30的示意性剖面構造係如第3圖(a)所示，其充放電特性係示意性顯示如第3圖(b)。
實施形態之蓄電裝置30係如第3圖(a)所示，在第1電極(E1)12和第2電極(E2)26之間具備第1導電型的第1氧化物半導體層14、配置在第1氧化物半導體層14上且具有質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層18K、配置在固體電解質層18K上的第2導電型的第2氧化物半導體層24。
在此，第1導電型的第1氧化物半導體層14係指由第1導電型之第1氧化物半導體構成的氧化物半導體層。第2導電型的第2氧化物半導體層24係指由第2導電型之第2氧化物半導體構成的氧化物半導體層。以下亦同。
又，亦可在固體電解質層18K和第1氧化物半導體層14之間配置具備絕緣體的絕緣體層18N。
又，在固體電解質層18K亦可進一步包含絕緣體。在此，在固體電解質層18K例如可含有由SiO構成的固體電解質及由SiN構成的絕緣體。
又，在固體電解質層18K的第2氧化物半導體層24側，固體電解質亦可比絕緣體存在更多。亦即，在固體電解質層18K的第2氧化物半導體層24側，例如由SiO構成的固體電解質亦可比由SiN構成的絕緣體存在更多。
在實施形態之蓄電裝置30中，相較於比較例2之蓄電裝置30A，由於絕緣體層18N與固體電解質層18K接觸，故耐壓上升。
固體電解質層16K例如可藉由SiOx形成。絕緣體層18N例如具備非含水性、非多孔質的P-(電漿)-SiNy(第2絕緣體)。絕緣體層18N具備膜密度高的層，相較於SiOx具有難以含水的性質。
SiOx的厚度例如約為20nm~70nm左右。
絕緣體層18N例如可藉由SiNy形成。在此，形成電漿-氮化矽(P-SiNy)做為SiNy的情況，其厚度例如約為10nm以下。更理想例如約為7nm~10nm左右。
第1電極12例如藉由鎢和鈦的積層或鉻(Cr)、第2電極26例如藉由鋁可分別形成。第1電極12係配置在第1氧化物半導體層14的不與絕緣體層18N相對向的面。又，第2電極26係配置在第2氧化物半導體層24的不與固體電解質層18K相對向的面。
第1氧化物半導體層14例如可藉由屬於n型氧化物半導體的氧化鈦(TiO2)形成。
第2氧化物半導體層24可藉由屬於p型氧化物半導體的氧化鎳(NiO)形成。氧化鎳(NiO)的厚度例如約為200nm。
依據實施形態之蓄電裝置30，如第3圖(b)所示，相對於充電時的電壓V(V1~V5)，在時刻t0之後的時刻t5之電壓V5變為0V，成為放電狀態。
實施形態之蓄電裝置30的情況係如第3圖(b)所示，充電時的電壓V成為V5(例如：約5.0V)以上時，才觀察到因固體電解質層18K的劣化導致蓄電量減少。 又，實施形態之蓄電裝置30的情況，在比較例2之蓄電裝置30A中所看到的氧化矽(SiOx)，在5V可見到單層時之減少。
實施形態之蓄電裝置30的放電特性係如第3圖(b)所示，充電時的電壓V在(V1~V4)顯示大致平坦的特性，充電時的電壓V成為V5(例如：約5.0V)以上時開始顯示放電時間減少的特性(在比較例2中，在3V時放電時間減少)。
依據實施形態之蓄電裝置30，即使以定電流進行長時間充電的情況，也可確認比比較例1和比較例2之蓄電裝置的蓄電量大。
依據實施形態之蓄電裝置30，藉由插入絕緣體層18N之SiNy/SiOx的雙層構造，可維持比電容器大幅增大的蓄電量，並提高充電時的耐壓。即使以定電流進行長時間充電，亦確認蓄電量也比電容器大。此係藉由構成為雙層來減少因電壓導致SiOx劣化的結果。
另外，由於SiNy的膜耐壓高，藉由構成插入絕緣體層18N之SiNy/SiOx的雙層構造提高耐壓，提高蓄電裝置30整體的耐壓。
又，SiOx可由矽酮油形成。
又，SiOx亦可由包含矽酮的金屬形成。
此外，固體電解質層18K亦可藉由包含在第1氧化物半導體層14上塗布經稀釋之矽酮油的步驟、煅燒所塗布之矽酮油的步驟、以及對已煅燒之矽酮油照射紫 外線的步驟而製造。
又，上述固體電解質層18K的製造方法亦可包含塗布經稀釋之矽酮油的步驟、煅燒所塗布之矽酮油的步驟、以及對已煅燒之矽酮油照射紫外線的步驟。
根據實施形態，可提供一種即使增大蓄電容量且增加充電電壓也不會劣化而能夠充電之可靠性提高的蓄電裝置。
[其他實施形態]
雖如上述針對實施形態進行說明，但是成為揭示的一部分之論述及圖式係例示性，不應理解為限定條件。本發明所屬技術領域中具有通常知識者由以上揭示進行各種代替的實施形態、實施例、及技術運用為顯而易見的。
如上所述，本實施形態包含未記載於本說明書的各種實施形態。
[產業上之可利用性]
本實施形態的蓄電裝置可利用在各種民生用機器、產業機器，並可應用於通信終端及無線感測器網路導向的蓄電裝置等、能夠以低功率傳送各種感測器訊息的系統導向的蓄電裝置等廣泛的應用領域。

Claims (13)

  1. 一種蓄電裝置，其特徵為具備：第1導電型的第1氧化物半導體層、配置在前述第1氧化物半導體層上且包含質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層、以及配置在前述固體電解質層上之第2導電型的第2氧化物半導體層，其中，在前述固體電解質層和第1氧化物半導體層之間配置有絕緣體層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蓄電裝置，其中，在前述固體電解質層進一步包含絕緣體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之蓄電裝置，其中，在前述固體電解質層的前述第2氧化物半導體層側，前述固體電解質比前述絕緣體存在更多。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之蓄電裝置，其中，前述固體電解質層包含SiOx。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之蓄電裝置，其中，前述絕緣體層包含SiNy。
  6. 如申請專利範圍第1項或第5項所述之蓄電裝置，其中，前述絕緣體層的厚度為10nm以下。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之蓄電裝置，其中，前述絕緣體層係非含水性、非多孔質的電漿-SiNy。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之蓄電裝置，其中，前述第1氧化物半導體層包含TiO2。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之蓄電裝置，其中，前述第2氧化物半導體層包含NiO。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之蓄電裝置，其中，具備：配置在前述第1氧化物半導體層的不與前述絕緣體層相對向的面之第1電極、以及配置在前述第2氧化物半導體層的不與前述固體電解質層相對向的面之第2電極。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之蓄電裝置，其中，前述SiOx係由矽酮油形成。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之蓄電裝置，其中，前述SiOx係由包含矽酮的金屬形成。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之蓄電裝置，其中，前述固體電解質層係藉由包含下列步驟而製造者：在第1氧化物半導體層上塗布經稀釋之矽酮油的步驟、煅燒所塗布之矽酮油的步驟、以及對已煅燒之矽酮油照射紫外線的步驟。
TW107108265A 2017-03-15 2018-03-12 蓄電裝置及固體電解質層的製造方法 TWI661596B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017049589A JP6961370B2 (ja) 2017-03-15 2017-03-15 蓄電デバイス
JP2017-049589 2017-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201840038A TW201840038A (zh) 2018-11-01
TWI661596B true TWI661596B (zh) 2019-06-01

Family

ID=63523745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107108265A TWI661596B (zh) 2017-03-15 2018-03-12 蓄電裝置及固體電解質層的製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20200006009A1 (zh)
EP (1) EP3598466A4 (zh)
JP (1) JP6961370B2 (zh)
KR (1) KR20190117679A (zh)
CN (1) CN110419088A (zh)
CA (1) CA3056044C (zh)
TW (1) TWI661596B (zh)
WO (1) WO2018168494A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7138020B2 (ja) * 2018-11-13 2022-09-15 株式会社日本マイクロニクス 二次電池、及び製造方法
JP7269020B2 (ja) * 2019-01-31 2023-05-08 株式会社日本マイクロニクス 二次電池
JP7122981B2 (ja) * 2019-01-31 2022-08-22 株式会社日本マイクロニクス 二次電池

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679123A (zh) * 2002-07-01 2005-10-05 罗尔夫·艾塞霖 在量子电池中存储电能的方法
JP2014154505A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Ricoh Co Ltd 薄膜固体二次電池素子
WO2016208116A1 (ja) * 2015-06-25 2016-12-29 株式会社日本マイクロニクス 二次電池の製造方法
TW201717415A (zh) * 2015-08-31 2017-05-16 日本麥克隆尼股份有限公司 氧化物半導體二次電池及其製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369627B (zh) * 2007-08-16 2010-12-08 财团法人工业技术研究院 固态电解质存储元件及其制造方法
JP6265580B2 (ja) * 2011-10-06 2018-01-24 株式会社村田製作所 電池およびその製造方法
JP6181948B2 (ja) * 2012-03-21 2017-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置及び電気機器
JP2015082445A (ja) 2013-10-23 2015-04-27 旭化成株式会社 二次電池
JP2016082125A (ja) * 2014-10-20 2016-05-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蓄電素子及び蓄電素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679123A (zh) * 2002-07-01 2005-10-05 罗尔夫·艾塞霖 在量子电池中存储电能的方法
JP2014154505A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Ricoh Co Ltd 薄膜固体二次電池素子
WO2016208116A1 (ja) * 2015-06-25 2016-12-29 株式会社日本マイクロニクス 二次電池の製造方法
TW201717415A (zh) * 2015-08-31 2017-05-16 日本麥克隆尼股份有限公司 氧化物半導體二次電池及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018152532A (ja) 2018-09-27
WO2018168494A1 (ja) 2018-09-20
EP3598466A4 (en) 2021-01-13
CA3056044A1 (en) 2018-09-20
CA3056044C (en) 2021-10-26
TW201840038A (zh) 2018-11-01
US20200006009A1 (en) 2020-01-02
CN110419088A (zh) 2019-11-05
JP6961370B2 (ja) 2021-11-05
KR20190117679A (ko) 2019-10-16
EP3598466A1 (en) 2020-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661596B (zh) 蓄電裝置及固體電解質層的製造方法
US10991518B2 (en) Vacuum-capacitor apparatus and method
US9928966B2 (en) Nanostructured electrolytic energy storage devices
CN110326134B (zh) 具有用于抑制多重接线片短路的结构的二次电池
CN112189244B (zh) 集成储能部件
CN110383409B (zh) 具有分离体的电极双电层电容器
US11469439B2 (en) Secondary battery
KR102004806B1 (ko) 커패시터 및 그 제조 방법
KR20170125229A (ko) 복합 전극 구조를 갖는 에너지 저장 커패시터
US20220077373A1 (en) Thermoelectric cell, thermoelectric cell manufacturing method, and thermoelectric body manufacturing method
WO2020158448A1 (ja) 二次電池
KR101476331B1 (ko) 견고한 실링 구조를 갖는 전기 이중층 커패시터
EP3499533A1 (en) Electric double layer capacitor
JP2015526893A (ja) エネルギー貯蔵装置