TWI546831B - 電雙層電容之碳電極、其製造方法以及電雙層電容 - Google Patents

Description

電雙層電容之碳電極、其製造方法以 及電雙層電容

本發明是有關於電雙層電容器(electric double layer capacitor)，且特別是有關於電雙層電容之碳電極、其製造方法以及具有該電雙層電容之碳電極的電雙層電容。

電雙層電容器又叫超級電容器，是一種新型儲能裝置，它具有充電時間短、使用壽命長、溫度特性好、節約能源和綠色環保等特點。電雙層電容器用途廣泛，例如，用作起重裝置的電力平衡電源，可提供超大電流的電力；用作車輛啟動電源，啟動效率和可靠性都比傳統的蓄電池高，可以全部或部分替代傳統的蓄電池；用作車輛的牽引能源，可以生產電動汽車、替代傳統的內燃機、改造現有的無軌電車；用在軍事上可保證坦克車、裝甲車等戰車的順利啟動(尤其是在寒冷的冬季)、作為鐳射武器的脈衝能源。此外還可用於其他機電設備的儲能能源。

電雙層電容器是建立在界面電雙層理論基礎上的一種全新電容器。眾所周知，插入電解質溶液中的金屬電極表面與液面兩側會出現符號相反的過剩電荷，從而使期間產生電位差。那麼，如果在電解液中同時插入兩個電極，並在其間施加一個小於電解質溶液分解電壓的電壓，這時電解液中的正、負離子在電場的作用下會迅速向兩極運動，並分別在兩電極的表面形成緊密的電荷層，即電雙層，它所形成的電雙層和傳統電容器中的電介質在電場作用下產生的極化電荷相似，從而亦產生電容效應，緊密的電雙層近似於平板電容器，但是，由於緊密的電荷層間距比普通電容器電荷層間的距離更小得多，因而具有比普通電容器更大的容量。

為了強化電雙層電容器的表現，具有超大比表面積的活性碳常被用來作為電雙層電容器的電極。儘管電雙層電容器具有前述優勢，但是，當前的活性碳電極仍有介面附著力不佳，介面接觸阻抗過高等缺點。

因此，本發明提供一種電雙層電容之碳電極及其製造方法。此碳電極為由活性碳電極層和導電金屬底箔構成的三明治結構。導電金屬底箔表面有孔洞分布。活性碳電極層則包括活性碳、導電碳及黏結劑。前述電雙層電容之碳電極之製造，是將由活性碳、導電碳及黏結劑所製成之漿料透過例如塗布的方式被覆在導電金屬底箔上，使 活性碳和導電碳進入導電金屬底箔的孔洞。導電金屬底箔的孔洞可增加與活性碳電極層的接觸介面面積，進而提昇介面附著力，降低介面接觸阻抗，並提高電雙層電容的使用壽命。

根據本發明之上述態樣，提出一種電雙層電容之碳電極，其包括金屬底箔、第一碳電極層和第二碳電極層。金屬底箔具有彼此相對的第一表面和第二表面，且第一表面和第二表面上具有複數個通孔。第一碳電極層和第二碳電極層分別設於該第一表面和該第二表面上，其中該第一碳電極層和該第二碳電極層分別為一單層結構，該單層結構包含一活性碳、一導電碳和一黏結劑，該單層結構嵌入該些通孔，使該第一碳電極層與該金屬底箔之間以及該第二碳電極層與該金屬底箔之間具有複數個導電介面，且基於該活性碳的含量為100重量份，該導電碳的含量大於0重量份且不大於30重量份，該黏結劑的含量為10~12重量份。

依據本發明一實施例，金屬底箔為厚度5μm~30μm的鋁箔，且前述孔洞的孔徑範圍為200nm~5μm。

依據本發明一實施例，黏結劑為聚苯乙烯-丁二烯或聚苯乙烯-丁二烯和聚四氟乙烯的混合物。

依據本發明一實施例，導電碳為由乙炔碳黑組成的立體結構。

依據本發明一實施例，活性碳的比表面積為 1000m²/g~3000m²/g，活性碳的粒徑範圍為500nm~10μm。

依據本發明一實施例，以活性碳的重量份為100計，導電碳的重量份大於0且不大於30，黏結劑的重量份為10~12。

依據本發明一實施例，金屬底箔更包括保護層，直接配置於第一表面和第二表面上，且前述保護層是對金屬底箔進行磷酸鹽皮膜處理所獲得。

根據本發明之上述態樣，提出一種電雙層電容之碳電極的製造方法，包括以下步驟。提供金屬底箔，其具有彼此相對的第一表面和第二表面，且第一表面和第二表面各自具有多個孔洞。將含有活性碳、導電碳和黏結劑的漿料塗布於前述第一表面和第二表面上，使活性碳和導電碳分別嵌入前述孔洞。

根據本發明之上述態樣，提出一種電雙層電容，包括前述之電雙層電容之碳電極。

100‧‧‧電雙層電容之碳電極

102‧‧‧金屬底箔

102a‧‧‧第一表面

102b‧‧‧第二表面

102c‧‧‧孔洞

104‧‧‧第一碳電極層

106‧‧‧第二碳電極層

110‧‧‧活性碳

120‧‧‧導電碳

300‧‧‧電雙層電容

302‧‧‧活性碳電極層

304‧‧‧鋁箔

306‧‧‧隔離紙

308‧‧‧正負極導針

310‧‧‧橡膠蓋

312‧‧‧鋁質圓筒

401‧‧‧曲線

403‧‧‧曲線

圖1是根據本發明的一種實施方式所繪示的一種電雙層電容之碳電極。

圖2是實施例1的孔蝕鋁箔的顯微鏡照片。

圖3是圓筒型電雙層電容的構造示意。

圖4為1F電雙層電容碳電極於高溫老化過程中的交 流阻抗變化趨勢。

在本文中，為了描述的方便，可以使用空間相對術語，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」等，來描述一個元件或特徵與另一元件或特徵在圖式中的關係。應該理解的是，空間相對術語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外物件在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的物件被翻轉，則被描述為在其他元件或特徵「下方」或「下」的元件將取向在所述元件或特徵的「上方」。因此，示範性術語「下方」可以包含下方和上方兩個方向。物件也可以有其他取向(旋轉90度或其他取向)且應對本文使用的空間相對術語作出相應的解釋。

以下將參照隨附圖式更全面地描述本發明的示範性實施方式；然而，本發明可按不同的形式體現，且不侷限於本文闡述的實施方式。為了進行清楚的說明，圖式所示的結構，尺寸可能有所誇大；亦即，圖式不一定是按真實比例繪製的。也應理解的是，當某一特徵被稱為在另一特徵或基板「上」時，可能是直接位於另一特徵或基板上，也可能存在中介層；對其他空間相對用語(如「下方」、「左側」、「旁」等)和描述特徵間關係的用語(如「連接」、「覆蓋」等)也應作如此理解。

在本文中，由「一數值至另一數值」表示的範 圍，是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此，記載了某一特定數值範圍，等同於揭露了該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍，如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。例如，記載「用量為10重量份~100重量份」的範圍，就等同於揭露了「用量為25重量份~75重量份」的範圍，無論說明書中是否列舉其他數值。

根據本發明的一種實施方式，圖1繪示了一種電雙層電容之碳電極100。以下將參照圖1詳述之。電雙層電容之碳電極100包括金屬底箔102、第一碳電極層104和第二碳電極層106。

金屬底箔102的厚度可介於5μm到30μm之間，其材料沒有特別限制，舉例而言，鋁箔是常見的實例之一。如圖1所示，金屬底箔102具有彼此相對的第一表面102a和第二表面102b，且第一表面102a和第二表面102b上分布有多個孔洞102c。孔洞102c例如是透過化學或電化學方式，對原本具有平整上下表面的金屬底箔102進行腐蝕所產生的。前述過程的腐蝕深度例如可達到5μm，而孔洞102c的孔徑範圍則介於200nm~5μm之間。

第一碳電極層104是含有活性碳110、導電碳120和黏結劑(未標示)的單層結構。第一碳電極層104被覆於金屬底箔102的第一表面102a上，其中活性 碳110和導電碳120分別嵌入前述孔洞102c，使第一碳電極層104與金屬底箔102之間形成複數個導電介面。

類似地，第二碳電極層106是含有活性碳110、導電碳120和黏結劑(未標示)的單層結構。第二碳電極層106被覆於金屬底箔102的第二表面102b上，其中活性碳110和導電碳120分別嵌入前述孔洞102c，使第二碳電極層106與金屬底箔102之間形成複數個導電介面。

前述內含於第一碳電極層104和第二碳電極層106中的活性碳110可為市售產品，或者可以是以任何已知方法合成的活性碳產物。活性碳110具有相當大的比表面積，例如介於1000m²/g~3000m²/g之間，而活性碳110的粒徑範圍例如介於500nm~10μm之間。

前述內含於第一碳電極層104和第二碳電極層106中的導電碳120可以是碳黑、石墨等具導電性質的碳材料。在一實施例中，導電碳120是由乙炔碳黑構成的立體結構。就此立體結構而言，其一次粒徑例如為10nm~100nm，其二次粒徑例如為100nm~500nm。導電碳120可能分布於活性碳110的堆積孔隙中，或是位於金屬底箔102的孔洞102c中，負責傳遞電場。

前述內含於第一碳電極層104和第二碳電極層106中的黏結劑並沒有特別限制，只要是能夠固定活性碳110和導電碳120的材料均可使用。在一實施例中，黏結劑為顆粒狀的聚苯乙烯-丁二烯橡膠或顆粒狀的聚苯乙 烯-丁二烯橡膠和纖維狀聚四氟乙烯的混合物。顆粒狀聚苯乙烯-丁二烯橡膠可於活性碳110、導電碳120、金屬底箔102的介面提供附著力；纖維狀的聚四氟乙烯則以其網狀結構將活性碳110和導電碳120固定於其中，並可嵌入金屬底箔102的孔洞102c，使碳電極層錨定金屬底箔102表面，且聚四氟乙烯纖維具有延展性，可賦予碳電極層可撓性，以承受碳電極於卷繞時的彎曲形變。

碳電極層中各成份的相對比例需視實際應用時所使用的成份為何作適當調整；大致上，以活性碳110的重量份為100計，導電碳120的重量份例如大於0且不大於30，而黏結劑的重量份例如為10~12(例如，當黏結劑為聚苯乙烯-丁二烯橡膠與聚四氟乙烯的混合物時，兩者的重量份可分別為5)。

再者，在本發明的一種實施方式中，金屬底箔102可以更包括直接配置於第一表面102a和第二表面102b上的保護層(圖1中未繪示)，且前述保護層是對金屬底箔102進行磷酸鹽皮膜處理所獲得。在一實施例中，此保護層可以是一層具有導電性的氧化層，其能賦予金屬底箔102足夠的電壓耐受性，以承受電雙層電容器的額定工作電壓，不會在充/放電時發生電化學腐蝕現象。

根據本發明的另一實施方式，本文也提出一種電雙層電容之碳電極的製造方法，現在亦參照圖1說明如下。首先，提供金屬底箔102，金屬底箔102具有彼此相對的第一表面102a和第二表面102b，且第一表面102a 和第二表面102b各自具有多個孔洞102c。金屬底箔102的實例以及孔洞102c的示範性形成方法可和前文的記載相同，於此不再贅述。

然後，將含有活性碳110、導電碳120和黏結劑的漿料塗布於前述第一表面102a和第二表面102b上，使活性碳110和導電碳120分別嵌入前述孔洞102c。除了活性碳110、導電碳120和黏結劑以外，所述漿料的成分還可包括用以拌合前述三者的溶劑。在漿料塗覆以後，透過乾燥步驟移除溶劑，此外還可再輔以輥軋製程，以提高碳電極層的密度、碳電極層內部活性碳110和導電碳120的附著強度、以及碳電極層和金屬底箔102介面的附著強度。

根據本發明的另一實施方式，本文也提出一種電雙層電容，包括前述之電雙層電容之碳電極100。除了電雙層電容之碳電極100之外，電雙層電容的隔離膜、電解液等等構成元素可從本技術領域所知者中任意選擇，於此不再贅述。

〈實驗〉

下文將列舉實施例以更具體地描述本發明。雖然描述了以下實驗，但是在不逾越本發明範疇之前提下，可適當地改變所用材料、其量及比率、處理細節以及處理流程等等。因此，不應根據下文所述的實驗對本發明作出限制性的解釋。

-實施例-

實施例1之碳電極為碳電極層與孔蝕鋁箔所構成的三明治結構，孔蝕鋁箔厚度為30μm，其表面透過電蝕處理(孔蝕鋁箔為日本蓄電器工業株式會社所生產之型號JCC 30CB的產品)而產生孔洞結構，孔洞直徑範園為200nm~5μm，孔洞深度約為5μm(如圖2所示)；碳電極層厚度為100μm，由活性碳、導電碳及黏結劑(活性碳為中碳超電容用活性碳產品[型號ACS20]、導電碳為TIMCAL Graphite & Carbon公司產品[型號Super P Li]、黏結劑為Zeon公司產品[型號BM400B])所構成。活性碳重量份為100，導電碳及黏結劑之重量份皆為12。由活性碳、導電碳及黏結劑所製成之漿料，以塗布方式被覆於孔蝕鋁箔表面，塗布過程中，活性碳、導電碳及黏結劑可隨漿料滲透進入鋁箔的孔洞結構之中。

-比較例-

比較例1之碳電極採用光面鋁箔，鋁箔箔厚度為20μm。碳電極層之組成與塗布製程方式則與實施例1相同。

比較例2的碳電極層採用厚度20μm的光面鋁箔，且其碳電極層為多層結構，光面鋁箔表面為厚度0.5μm~1μm的導電碳層，其組成僅為導電碳與黏結劑，活性碳層則塗布於導電碳層上，其組成僅為活性碳與黏結劑，而活性碳與導電碳的雙層結構的厚度為100μm。

比較例3的碳電極採用厚度30μm的孔蝕鋁箔，而碳電極層則為多層結構。孔蝕鋁箔表面為厚度0.5μm~1μm的導電碳層，其組成僅為導電碳與黏結劑，活性碳層則採用貼合方式被覆於導電碳層上，其活性碳層是以聚四氟乙烯與活性碳經過捏合方式所製成之薄膜，活性碳與導電碳的雙層結構的厚度亦為100μm。

對實施例及各比較例進行各類測試，其說明如下，而其結果總結於表1。

附著強度比較

附著強度測試，採用3M膠帶(型號618，寬18mm)，取長度2cm平貼於碳電極的塗層表面，透過拉力計紀錄膠帶剝離塗層表面的最大荷重g，而附著強度則為最大荷重g除以膠帶寬度18mm。實施例1與比較例1在碳電極層組成條件相同之下，其附著強度分別為141g/cm、17g/cm。對於附著強度而言，實施例1採用孔蝕鋁箔之故，使得碳電極層與鋁箔之間的介面附著強度明顯高於採用光面鋁箔的比較例1。其中，觀察比較例1的剝離面可發現已裸露出光面鋁箔，僅零星殘留點狀的活性碳、導電碳；若觀察實施例1的剝離面，則可發現孔蝕鋁箔表面的碳電極層仍具有相當厚度，證實孔蝕鋁箔確實可提供較高的附著強度。

比較例2的電極層屬於多層結構，導電碳層被覆於光面鋁箔表面，而活性碳層再被覆於導電碳層上，亦 即，塗布製程分兩次進行。而比較例1僅採取單層塗布碳電極層，其結構由活性碳、導電碳、黏結劑所構成。活性碳、導電碳的粒徑差異極大，其粒徑大小(D₅₀)分別約為6μm與0.2μm。比較例2可透過粒徑較小的導電碳提高導電碳層與光面鋁箔的接觸面積，而導電碳的高度立體結構會使得導電碳層較為蓬鬆，活性碳層與導電碳層之介面則可透過輥軋而產生適形(conformity)，進而提高活性碳層與導電碳層介面的接觸面積。在同使用光面鋁箔的條件下，因比較例2多層結構的介面接觸面積相對高於比較例1，比較例2的附著強度為32g/cm，相對高於比較例1。

比較例2、3的碳電極層皆屬於多層結構，兩者皆可透過活性碳層與導電碳層介面的通形而提高附著強度，然而比較例3所採用的孔蝕鋁箔可再強化與導電碳層之間的附著強度，比較例3的附著強度46g/cm主要來自活性碳層與導電碳層之介面。

交流阻抗比較

圖3為圓筒型電雙層電容的構造示意。電雙層電容300之電解質採用四乙基胺四氟硼酸，以1M之重量莫耳濃度溶於乙腈溶劑，成為電解液。電雙層電容之正/負兩極採用相同的碳電極(包括活性碳電極層302和鋁箔304)，正/負碳電極中間夾以隔離紙306，捲繞成元件；電雙層電容之正/負極以正負極導針308與鋁箔304壓 合，透過橡膠蓋310向外延伸；待元件進行真空乾燥除水之後，透過橡膠蓋310將元件與電解液密封於鋁質圓筒312，而完成電雙層電容300之製作。以1F電雙層電容進行交流阻抗分析，交流電頻率1KHz、電壓維持於2V，可用於評估碳電極的結構導電性。

實施例1與比較例1的碳電極皆屬於單層結構，然實施例1採用孔蝕鋁箔之故，碳電極層與鋁箔的接觸面積相對高於比較例1所採用的光面鋁箔，使得實施例1的碳電極結構導電性較具優勢，實施例1的交流阻抗以102mΩ低於比較例1的379mΩ。實施例1的碳電極層中，其活性碳、導電碳可分別嵌入孔蝕鋁箔不同孔徑的孔洞，進而提高碳電極層與鋁箔的接觸面積，使得實施例1的碳電極的結構阻抗相對低於比較例1。

在同採用光面鋁箔的條件下，比較例2的碳電極的多層結稱雖具有較高的附著強度，然交流阻抗則以418mΩ略遜於比較例1。這是因為比較例1的碳電極層為活性碳、導電碳彼此交錯堆積而成，導電碳可均勻嵌入於活性碳的堆積孔隙位置，進而強化活性碳電極層的導電網路。而比較例2的碳電極層屬於多層結構，導電碳層雖可分別於活性碳層、鋁箔之介面提高接觸面積，然活性碳層的堆積孔隙則無導電碳嵌入，且黏結劑於漿料乾燥時會隨溶液揮發而遷移至表面，對於多層結構的介面附著強度有提升之作用，但卻造成介面之問接觸阻抗的負面影響。

比較例3的碳電極層亦屬於多層結構，然而比 較例3的交流阻抗為221mΩ，導電性相對優於比較例2。這是由於比較例3採用孔蝕鋁箔之故，導電碳層與孔蝕鋁箔相嵌的介面接觸面積相對高於比較例2，使得比較例3的活性碳層貼合於導電碳層表面的碳電極結構具有更為健全的導電網路。

碳電極交流阻抗差異(ESR/AC change)對於電雙層電容使用壽命之影響

圖4為1F電雙層電容碳電極於高溫老化過程中的交流阻抗變化趨勢，其中，曲線401為實施例1的測試結果，曲線403為比較例3的測試結果。測試條件為環境溫度65℃、電壓維持2.7V。依據1F電雙層電容的初始電性，其交流阻抗規範為315mΩ，高溫老化1344小時之後，其交流阻抗偏差率不得超過200%。

交流阻抗偏差率之估算如下所示：交流阻抗偏差率(%)=(量測值-規範值)/規範值*100%

實施例1與比較例3的碳電極採用孔蝕鋁箔，初始交流阻抗皆符合<315mΩ之規範。而比較例1、2，其碳電極採用光面鋁箔，初始交流阻抗則已超出規範。碳電極結構的交流阻抗越低，代表電荷傳遞效率越高，碳電極於充/放電時較不易因阻抗所轉換成的熱能而造成結構的溫度上升，有助於減緩黏結劑附著機制的老化現象。將實施例1與比較例3的高溫老化測試作比較，於336小時的 高溫老化初期，實施例1的交流阻抗偏差率稍高於比較例3，然672小時之後，比較例3的交流阻抗偏差率逐漸偏高，而實施例1的交流阻抗偏差率趨於平穩，於1344小時的最終結果，實施例1與比較例3的交流阻抗分別為316、663mΩ，交流阻抗偏差率分別為0%、110%。於65℃的加速老化過程中，實施例1不但具備低交流阻抗，其交流阻抗偏差率也相對低於比較例3，換言之，相較之下，實施例1的碳電極結構具有延長電雙層電容使用壽命之優勢。

由以上實驗可知，本發明提出的將活性碳和導電碳製作於單層結構的碳電極，相較於習知的多層結構碳電極，至少具有附著強度更強、交流阻抗更低以及使用壽命更長等優點。

雖然已以數種實施方式/實施例對本發明作說明如上，然而這些內容並非用以限制本發明，在本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和 範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧電雙層電容之碳電極

102‧‧‧金屬底箔

102a‧‧‧第一表面

102b‧‧‧第二表面

102c‧‧‧孔洞

104‧‧‧第一碳電極層

106‧‧‧第二碳電極層

110‧‧‧活性碳

120‧‧‧導電碳

Claims (9)

1. 一種電雙層電容之碳電極，包括：一金屬底箔，其具有彼此相對的一第一表面和一第二表面，且該第一表面和該第二表面上具有複數個孔洞，其中該些孔洞的孔徑範圍為200nm~5μm，且該些孔洞不貫穿該金屬底箔；以及一第一碳電極層和一第二碳電極層分別設於該第一表面和該第二表面上，其中該第一碳電極層和該第二碳電極層分別為一單層結構，該單層結構包含一活性碳、一導電碳和一黏結劑，該單層結構嵌入該些孔洞，使該第一碳電極層與該金屬底箔之間以及該第二碳電極層與該金屬底箔之間具有複數個導電介面，且基於該活性碳的含量為100重量份，該導電碳的含量大於0重量份且不大於30重量份，該黏結劑的含量為10~12重量份。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電雙層電容之碳電極，其中該金屬底箔為厚度5μm~30μm的鋁箔。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電雙層電容之碳電極，其中該黏結劑為聚苯乙烯-丁二烯或聚苯乙烯-丁二烯和聚四氟乙烯的混合物。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電雙層電容之碳電極，其中該導電碳為由乙炔碳黑組成的立體結 構。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電雙層電容之碳電極，其中該活性碳的比表面積為1000m²/g~3000m²/g，且該活性碳的粒徑範圍為500nm~10μm。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電雙層電容之碳電極，其中該金屬底箔更包括一保護層，直接配置於該第一表面和該第二表面上，且該保護層是對該金屬底箔進行磷酸鹽皮膜處理所獲得。
7. 一種電雙層電容之碳電極的製造方法，包括：提供一金屬底箔，其具有彼此相對的一第一表面和一第二表面，且該第一表面和該第二表面各自具有多個孔洞，其中該些孔洞的孔徑範圍為200nm~5μm，且該些孔洞不貫穿該金屬底箔；以及將含有一活性碳、一導電碳和一黏結劑的一漿料塗布於該第一表面和該第二表面上，使該活性碳和該導電碳分別嵌入該些孔洞。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電雙層電容之碳電極的製造方法，更至少包含：對該金屬底箔進行磷酸鹽皮膜處理，以於該第一表面 和該第二表面上形成一保護層。
9. 一種電雙層電容，包括如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之電雙層電容之碳電極。