WO2018066783A1 - 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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신창주
이승재
김형선
장유나
유은선
정성현
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Definitions

  • compositions for organic optoelectronic devices for organic optoelectronic devices, organic optoelectronic devices and display devices
  • It relates to a composition for organic optoelectronic devices, an organic optoelectronic device and a display device,
  • Organic optoelectronic devices (organic c optoelectron c diode) is a device that can switch between electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which excitons formed by light energy are separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electrical energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from electrical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photosensitive drum.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting device has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the organic layer may include an emission layer and an auxiliary layer, and the auxiliary layer may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking charge, an electron transport layer, and an electron injection layer to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device. And at least one layer selected from a hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and in particular, by the organic materials included in the organic layer.
  • the organic light emitting diode in order for the organic light emitting diode to be applied to a large flat panel display, it is necessary to develop an organic material capable of increasing the mobility of holes and electrons and increasing electrochemical stability.
  • One embodiment provides a composition for an organic optoelectronic device capable of implementing high efficiency and long life organic optoelectronic devices.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device including the composition for an organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • composition for an organic optoelectronic device comprising a first host compound represented by Formula 1; and a second host compound represented by Formula 2 below.
  • X is 0 or S
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • X 1 to X 3 are each independently N or CR a ,
  • At least two of X 1 to X 3 are N,
  • R 1 to R 3 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof
  • R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof
  • R b , and ⁇ are each independently a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 anaryl group or a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof,
  • Substituted in Formula 1 means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, a C6 to C30 aryl group, a dibenzofuranyl group, or a dibenzothiophenyl group;
  • ⁇ and ⁇ 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to
  • X 1 and X 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • R 4 to R 9 are each independently hydrogen, hydrogen, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or their Combination,
  • n is one of integers from 0 to 2;
  • an organic optoelectronic device comprising an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer disposed between the anode and the cathode, the organic layer includes the above-described composition for organic optoelectronic devices do.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment.
  • At least one hydrogen of a substituent or a compound is a deuterium, a halogen group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, a nitro group, a substitution Or an unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C6 to C30 arylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, fluoro group, C1 to C10 trifluoroalkyl group, cyano group, or their It means substituted by a combination.
  • substituted at least one hydrogen of the substituent or compound is deuterium, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C6 to C30 arylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to Or a C30 heterocycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, or a C2 to C30 heteroaryl group.
  • 1 'substituted' means that at least one hydrogen of the substituent or compound is deuterium, C1 To C20 alkyl group, or C6 to C30 aryl group.
  • substituted means that at least one hydrogen of the substituent or compound is substituted with deuterium, C1 to C5 alkyl group, or C6 to C18 aryl group.
  • substituted means that at least one hydrogen of a substituent or compound compound is substituted with deuterium, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, tristunylene group, or fluorenyl group it means.
  • hetero means one to three hetero atoms selected from the group consisting of N, 0, S, P, and Si in one functional group, unless otherwise defined, and the remainder is carbon. .
  • alkyl group means an aliphatic hydrocarbon group
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group” that does not contain any double or triple bonds. .
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group.
  • a C1 to C4 alkyl group means that the alkyl chain contains 1 to 4 carbon atoms, and consists of methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl iso-butyl, sec-butyl and t-butyl. Selected from the group.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, nucleosil group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclonucleus It means a practical skill.
  • an "aryl group” refers to a hydrocarbon aromatic moiety. As a general concept of the group having more than
  • conjugate e.g., Fe and contains' group, a naphthyl group,
  • Two or more hydrocarbon aromatic moieties are linked via sigma bonds, such as biphenyl groups, terphenyl groups, quarterphenyl groups, etc.
  • It may also comprise a non-aromatic fused ring in which two or more hydrocarbon aromatic moieties are fused directly or indirectly.
  • a fluorenyl group may be mentioned.
  • Aryl groups include monocyclic, polycyclic or fused ring polycyclic (ie, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • heterocyclic group is a heteroaryl group, an aryl group, a cycloalkyl group, a carbon (C) in these ring compounds, such as a fused ring or a combination of N, It means that it contains at least one hetero atom selected from the group consisting of 0, S, P and Si.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for each or each ring.
  • heteroaryl group means containing at least one hetero atom selected from the group consisting of N, 0, S, P and Si in the aryl group.
  • Two or more heteroaryl groups may be directly connected through a sigma bond, or when the heteroaryl group includes two or more rings, the two or more rings may be fused to each other.
  • each ring may include 1 to 3 heteroatoms.
  • the heterocyclic group may include, for example, a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and the like.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group a substituted or unsubstituted phenyl group substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl Groups, substitutions or Unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted
  • P-terphenyl group substituted or unsubstituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted 0-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted pe
  • a arylenyl group a substituted or unsubstituted fluorenyl group, a substituted or unsubstituted indenyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group, a substituted or unsubstituted pyrrolyl group, a substituted or unsubstituted pyra Zolyl group, substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or unsubstituted triazolyl group, substituted or unsubstituted oxazolyl group, substitute
  • the hole property refers to a property that can form holes by donating electrons when an electric field is applied, and has a conduction property along the HOMO level, and injects holes formed at the anode into the light emitting layer. It means a characteristic that facilitates the movement of the holes formed in the light emitting layer to the anode and the movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied, and has a conduction characteristic along the LUM0 level. It refers to characteristics that facilitate injection into the light emitting layer, movement of electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and movement in the light emitting layer.
  • composition for an organic optoelectronic device includes a first host compound and a crab 2 host compound.
  • the crab 1 host compound may be represented by the following Chemical Formula 1.
  • X is 0 or S
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group
  • X 1 to X 3 are each independently N or CR a ,
  • At least two of X 1 to X 3 are N,
  • R 1 to R 3 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof,
  • R a is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof,
  • R b ⁇ and R c are each independently a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof,
  • Substituted of Formula 1 at least one hydrogen is deuterium, C6 to Mean substituted with a C30 aryl group, dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group.
  • substituted in Formula 1 means that at least one hydrogen is substituted with a C6 to C20 aryl group dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group, and more specifically "substituted” That at least one hydrogen is substituted by a phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, triphenylene group, fluorenyl group, dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group it means.
  • the hexagonal ring containing X 1 to X 3 is a phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, triphenylene group, fluorenyl group, di A pyrimidinyl group unsubstituted or substituted with a benzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group; Or a phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, triphenylene group, fluorenyl group, dibenzofuranyl group, 'or dibenzothiophenyl group or unsubstituted triazinyl group Can be.
  • the first host compound is strong because N-containing hexagon rings having electronic properties are substituted at the 1-position of dibenzofuran or dibenzothiophene. Due to the interaction, the LUM0 energy level can be lowered, which can result in excellent electron injection characteristics, and the crystallization of the material due to its molecular structure does not occur well. Can be represented. In particular, when a compound having relatively strong hole characteristics is used as the second host and used in the light emitting layer together with the first host compound, charges are balanced in the light emitting layer, thereby realizing a long life organic light emitting device.
  • Formula 1 may be represented by any one of Formula 1-A, Formula 1-B, and Formula 1-C.
  • R One To R 3 Can be each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C4 alkyl group, substituted or unsubstituted phenyl group, or substituted or unsubstituted biphenyl group In one specific embodiment of the present invention, R 1 to R 3 may be all hydrogen.
  • Formula 1 may be represented by any one of the following Formulas 1-A1, 1-B1, and 1-C1.
  • the L 1 to L 3 may be a single bond, or arylene date a substituted or unsubstituted C6 to C20, each independently, specifically a single bond, phenylene group, biphenyl group, naphthyl It may be a thilenyl group or a terphenylene group, and more specifically, it may be a single bond or selected from the linking groups listed in Group I below.
  • L 1 to L 3 may be each independently a single bond, para-phenylene group, meta-phenylene group, or biphenylene group.
  • R a is hydrogen, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted Anthracenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, and R b And ⁇ are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anth
  • R a may be hydrogen or selected from substituents listed in the following group ⁇
  • R b and R c may be each independently selected from substituents listed in the following group ⁇ .
  • * is a point of attachment to a neighboring atom.
  • R a may be hydrogen or a phenyl group
  • R b and ⁇ are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or It may be an unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylene group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
  • R a may be hydrogen.
  • substituted of the formula (1) means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, C6 to C20 aryl group, dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group, specifically, at least one hydrogen is Deuterium, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, triphenylene group, dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group.
  • At least one of the R b and R c may be a substituted or unsubstituted C10 to C18 fused aryl group, for example, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group or tri It may be a phenylene group, more specifically may be a triphenylene group.
  • L 1 to L 3 are each independently a single bond, par a-phenylene group, met a-phenylene group, or a biphenylene group, wherein R 1 to R 3 are each independently Is hydrogen, R a is hydrogen, or a phenyl group, R b and R c are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted Triphenylene groups, substituted or unsubstituted A dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, wherein "substituted” means that at least one hydrogen is a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a triphenylene group,
  • the first host compound represented by Chemical Formula 1 may be selected from, for example, compounds listed in Group 1 below, but is not limited thereto.
  • the second host compound applied in the form of a composition together with the aforementioned first host compound may be represented by the following Chemical Formula 2.
  • ⁇ ⁇ 1 and 2 are respectively a single bond, a C6 to independently, substituted or unsubstituted
  • X 1 and X 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof
  • R 4 to R 9 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof ego,
  • n is one of integers from 0 to 2
  • “Substituted” of the formula (2) is at least one hydrogen is deuterium, C1 to It is substituted with a C4 alkyl group, a C6 to C18 aryl group, or a C2 to C30 heteroaryl group.
  • Y 1 and Y 2 of Chemical Formula 2 may each independently be a single bond, or a substituted or unsubstituted C6 to C18 arylene group ⁇
  • Z 1 and Z 2 of Formula 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted Naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted triphenylenyl group, substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted quinazolyl group, substituted Or an unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted triazineyl group, a substituted or unsubstituted quinolinyl group, a substituted or
  • Z 1 and Z 2 of Chemical Formula 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or Unsubstituted triphenylenyl group substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted Carbazolyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, or a combination thereof, for example, may be a phenyl group, biphenyl group, dibenzofuranyl group, or dibenzothiophenyl group.
  • R 4 to R 9 of Chemical Formula 2 may be each independently hydrogen, deuterium, or a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group.
  • m in Formula 2 may be 0 or 1.
  • Formula 2 is one of the structures listed in the following group m, wherein -Y 1- ⁇ and * -Y 2 -Z 2 are listed in Group IV
  • substituted in Formula 2 means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, a C1 to C4 alkyl group, a C6 to C18 aryl group, or a C2 to C30 heteroaryl group.
  • the "substituted”, at least one hydrogen is deuterium, phenyl group, ortho-biphenyl group, meta-biphenyl group, para-vinylyl group, terphenyl group, naphthyl group, triphenylene group, Mean substituted by a pyridinyl group, a dibenzofuranyl group, or a dibenzothiophenyl group.
  • Chemical Formula 2 is represented by C-8 or C-17 of the group m, and -Y 1- ⁇ and * -Y 2 -Z 2 are each independently the Group IV May be selected from B-1 to ⁇ -6.
  • the second host compound represented by Formula 2 may be selected from, for example, a compound listed in Group 2, but is not limited thereto.
  • the first host compound and the second host compound described above may prepare various compositions by various combinations.
  • composition according to an embodiment of the present invention includes a compound represented by Chemical Formula 1-A or Chemical Formula 1-B as a first host, and a compound represented by Chemical Formula C-8 or Chemical Formula C-17 of Group m. It can be included as a second host.
  • ⁇ 1 of the general formula (2) - ⁇ , and * - ⁇ 2 - ⁇ 2 may be selected from B-1 to ⁇ -6 of the Group IV are each independently.
  • L 1 to L 3 of Formula 1-A and Formula 1-B are each independently a single bond, para-phenylene group, meta ⁇ phenylene group, or biphenylene group
  • R 1 R 3 are each independently hydrogen
  • R a is hydrogen, or a phenyl group
  • R b and R c are each independently a phenyl group, meta-biphenyl group, para-biphenyl group, triphenylene group, dibenzofuranyl group, Or a dibenzothiophenyl group and ⁇ Y 1 ⁇ 1
  • * - ⁇ 2 - ⁇ 2 of Formula 2 are each independently B-1 ⁇ -2, ⁇ -3, ⁇ -5 and ⁇ - of Group IV. Can be selected from 6.
  • the second host compound may be used in the light emitting layer together with the first host compound to improve light emission efficiency and lifespan by increasing charge mobility and stability.
  • the ratio of the second host compound and the first host compound it is possible to control the mobility of the charge.
  • the combination ratio thereof is used It may vary depending on the type of dopant or the propensity of the dopant.
  • Combination ratios of the compounds in the compositions of the present invention may be included, for example, in a weight ratio of about 1: 9 to 9: 1, and specifically 1: 9 to 8: 2, 1: 9 to 7: 3, 1: 9 to 6: 4, 1: 9 to 5: 5, 2: 8 to 8: 2, 2: 8 to 7: 3, 2: 8 to 6: 4, 2: 8 to 5: 5 May be included.
  • the compound for the first valuable optoelectronic device and the compound for the second organic optoelectronic device is 1: 9 to 5: 5, 2: 8 to 5: 5, 3: 7 to 5 It may be included in the weight ratio range of 5: 5.
  • the compound for the first organic optoelectronic device and the compound for the second organic optoelectronic device may be included in the range of 5: 5 or 3: 7.
  • the composition for an organic optoelectronic device may further include one or more organic compounds in addition to the above-described system 1 host compound and the second host compound.
  • composition for an organic optoelectronic device may further include a dopant.
  • the dopant may be a red, green or blue dopant.
  • the dopant is a small amount of mixed material that emits light, and a material such as a metal complex that emits light by multiple excitation that excites above a triplet state may be used.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • An example of the dopant may be a phosphorescent dopant, and an example of the phosphorescent dopant may be Ir, Pt, 0s, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or the like.
  • the organometallic compound containing a combination is mentioned.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by Chemical Formula Z, but is not limited thereto.
  • M is a metal
  • L and X are the same or different from each other and a ligand to form a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd or a combination thereof, wherein L and X are for example bidentate It may be a ligand.
  • an organic optoelectronic device may include an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, and the organic layer may include the composition for an organic optoelectronic device described above. have.
  • the organic layer may include a light emitting layer
  • the light emitting layer may include the composition for an organic optoelectronic device of the present invention.
  • composition for an organic optoelectronic device may be included as a host of the emission layer, for example, a green host.
  • the organic layer may include at least one auxiliary layer selected from a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, and the auxiliary layer may include the organic optoelectronic device composition. It may include.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as the device can switch electrical energy and light energy, and examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photosensitive drum.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment.
  • an organic light emitting diode 100 includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 105 positioned between the anode 120 and the cathode 110. Include.
  • the anode 120 may be made of, for example, a high work function conductor to facilitate hole injection, for example metal, metal oxide and / or conductive It can be made of a polymer.
  • the anode 120 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (IT0) and indium zinc oxide (IZ0); Combinations of metals and oxides such as ZnO and A1 or Sn3 ⁇ 4 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene Kpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), flippy and polyaniline, and the like. It is not.
  • the cathode 110 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the cathode 110 may be made of, for example, metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, calcium, barium, or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the organic layer 105 includes a light emitting layer 130 including the compound for an organic optoelectronic device described above.
  • the organic light emitting diode 200 further includes a hole auxiliary layer 140 in addition to the light emitting layer 130.
  • the hole auxiliary layer 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the organic layer 105 of FIG. 1 or 2 may further include an electron injection layer, an electron transport layer, an electron transport auxiliary layer, a hole transport layer, a hole transport auxiliary layer, a hole injection layer, or a combination thereof.
  • the compound for an organic optoelectronic device of the present invention may be included in these organic layers.
  • the organic light emitting diodes 100 and 200 may be formed by forming an anode or a cathode on a substrate, followed by a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating; Or spin coating, dipping, flow coating After forming an organic layer by a wet film method etc., it can manufacture by forming a cathode or an anode thereon.
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting display device. [Form for implementation of invention]
  • reaction solution was removed from the organic layer obtained by extracting with water and toluene using magnesium sulfate. Concentrated and the product was purified by silica gel column chromatography with n-nucleic acid / ethyl acetate (9: 1 volume ratio) to give the intermediate M-12 as a white solid (19.3 g, 84% yield).
  • the glass substrate coated with ITO (Indium tin oxide) to a thickness of 1500A was washed with distilled water ultrasonic waves. After washing the distilled water, ultrasonic cleaning with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol and the like was dried and then transferred to a plasma cleaner, and then the substrate was cleaned for 10 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum deposited on the ⁇ substrate using the prepared ⁇ transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A, and Compound B was deposited on top of the injection layer. After deposition at a thickness, compound C was deposited at a thickness of 1020A to form a hole transport layer.
  • the compound D and Liq are simultaneously vacuum deposited on the light emitting layer at a 1: 1 ratio to form an electron transport layer having a thickness of 300 A, and Liq 15 A and A1 1200 A are sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • An organic light emitting device was produced.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically as follows.
  • Example 2 to Example 14 using the method of
  • the organic light emitting diodes of Examples 15 and 16 were manufactured in the same manner as in Example 1, using Compound B-9 and Compound A-98 alone as light emitting layer hosts. Comparative Examples 1 to 3
  • the organic light emitting diodes of Comparative Examples 1 to 3 were prepared in the same manner as in Example 1, using the following Comparative Compounds ET-1 to ET-3 alone as light emitting layer hosts.
  • Example 1 instead of Compound A-43, Comparative Compounds ET-1 to ET-3 were used, and the organic light emitting diodes of Comparative Examples 4 to 7 were prepared in the same manner as in Example 1. Evaluation 1: Confirmation of Luminous Efficiency and Lifespan Increase Effect
  • the resulting organic light emitting device was measured using a luminance meter (Minol t a Cs-1000A) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the brightness, current density and voltage measured from (1) and (2).
  • the devices of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 7 emit light at an initial luminance ( c d / m 2 ) of 5000 cd / m 2 and then time-lapsed. By measuring the decrease in luminance according to the T95 lifetime was measured when the luminance was reduced to 95% compared to the initial luminance.
  • the driving voltage of each device was measured at 15 mA / cm 2 using a current-voltmeter (Kei thl ey 2400).
  • Example 4 D-14 HT-130 3: 7 5. 10 46.9 furnace Afl 365
  • Example 11 D-14 HT-138 3: 7 5. 15 47.5 furnace Afl 370
  • Comparative Example 1 ET-1--5.85 24.8 furnace Afl
  • the organic light emitting device using the single host according to Examples 15 and 16 also exhibits lower driving voltage and higher efficiency than Comparative Examples 1 to 3, and thus it can be seen that the first host of the present invention exhibits better electron transport characteristics.
  • the electron transporting crab host of the present invention is used as a phosphorescent light emitting host such as a suitable hole transporting second host such as the bicarbazole derivative of the present invention
  • a suitable hole transporting second host such as the bicarbazole derivative of the present invention
  • an organic light emitting device using an electron transporting first host as a light emitting layer host alone In comparison, it can be seen that the luminous efficiency and lifespan characteristics are remarkably improved simultaneously.

Landscapes

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 제 1 호스트 화합물; 및 하기 화학식 2로 표현되는 제 2 호스트 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물, 이를 적용한 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다. 상기 화학식 1 및 2에 대한 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자 소자용 조성물， 유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것아다,
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organi c optoelectroni c diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exci ton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자， 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organi c photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중， 유기 발광 소자 (organi c l ight emi tt ing diode , OLED)는 근래 평판 표시 장치 ( f lat panel di spl ay devi ce)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며， 상기 보조층은 예컨대 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층， 전자 차단 충， 전자 수송 층， 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며， 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다. 특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 제 1호스트 화합물； 및 하기 화학식 2로 표현되는 제 2 호스트 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서
X는 0또는 S이고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 N또는 CRa이고,
X1 내지 X3 증 적어도 둘은 N이고，
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기， 또는 이들의 조합이고 Ra는 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합이고，
Rb , 및 ^은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6내지 C30안릴기ᅳ 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합이고，
상기 화학식 1의 "치환''이란, 적어도 하나의 수소가 중수소， C6 내지 C30 아릴기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미하고；
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 2에서，
γι 및 γ2는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지
C30아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2내지 C30헤테로아릴렌기，또는 이들의 조합이고，
Ζ1 및 Ζ2은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합이고，
R4 내지 R9은 각각독립적으로 수소， 증수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합이고,
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이고;
상기 화학식 2의 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C4알킬기 , C6내지 C18아릴기，또는 C2내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 다른 구현예에 따르면， 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위차하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
<부호의 설명 >
100， 200： 유기 발광 소자
105： 유기층
110： 음극
120： 양극
130： 발광층
140： 정공 보조층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만， 이는 예시로서 제시되는 것으로， 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환''이란 별도의 정의가 없는 한， 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기， 히드록실기， 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기 , 니트로기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40실릴기 , C1내지 C30 알킬기 , C1내지 C10 알킬실릴기， C6내지 C30 아릴실릴기， C3내지 C30시클로알킬기， C3내지 C30헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， 플루오로기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기， 시아노기， 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서， "치환' '은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1내지 C30알킬기， C1내지 C10알킬실릴기， C6내지 C30아릴실릴기， C3내지 C30시클로알킬기 , C3내지 C30헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치 된 것을 의미한다. 또한， 본 발명의 구체적인 일 예에서， 1 '치환 "은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C20 알킬기， 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서， "치환''은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C5 알킬기， 또는 C6 내지 C18 아릴기로 치환된 것올 의미한다. 또한， 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환 "은 치환기 또는 화합물 증의 적어도 하나의 수소가 중수소， 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기, 페난트레닐기， 트리꿰닐렌기， 또는 플루오레닐기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로 "란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 N, 0， S, P및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl )기''이란 별도의 정의가 없는 한， 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl )기"일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어， C1내지 C4알킬기는 알킬쇄에 1내지 4개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며， 메틸， 에틸， 프로필， 이소-프로필， n-부틸 이소-부틸， sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기， 프로필기， 이소프로필기， 부틸기， 이소부틸기， t-부틸기， 펜틸기， 핵실기， 시클로프로필기， 시클로부틸기, 시클로펜틸기， 시클로핵실기 등을 의미한다. 본 명세서에서 "아릴 (aryl )기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서 ,
탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 P-오비탈을 가지면서， 이들
P-오비탈이 공액 (conjugat ion)을 형성하고 있는 형태， 예컨대 페'닐기， 나프틸기 등을 포함하고，
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태， 예컨대 바이페닐기, 터페닐기， 쿼터페닐기 등을 포함하며，
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대， 플루오레닐기 등을 들 수 있다.
아릴기는 모노시클릭， 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉， 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
' 본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocycl i c group) "는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기， 시클로알킬기， 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N , 0， S , P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우， 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴 (heteroaryl )기"는 아릴기 내에 N, 0， S , P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나ᅳ 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우， 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우， 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어， 피리디닐기， 피리미디닐기， 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기， 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2내지 C30헤테로고리기는， 치환 또는 비치환된 페닐기 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된
P-터페닐기， 치환 또는 비치환된 m-터페닐기， 치환 또는 비치환된 0-터페닐기， 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된 페릴레닐기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기ᅳ 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기， 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기， 치환 또는 비치환된 트리아졸일기， 치환 또는 비치환된 옥사졸일기， 치환 또는 비치환된 티아졸일기， 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된 피리딜기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기， 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기， 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기， 치환 또는 비치환된 페나진일기， 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 1디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서， 정공 특성이란， 전기장 (electr ic f ield)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수밌는 특성을 말하는 것으로， HOMO준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로， LUM0준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다 . ᅳ 이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 제 1 호스트 화합물과 게 2 호스트 화합물을 포함한다.
상기 게 1 호스트 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 1에서，
X는 0또는 S이고，
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고,
X1 내지 X3 중 적어도 둘은 N이고,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기， 또는 이들의 조합이고，
Ra는 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합이고，
Rbᅳ및 Rc은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합이고，
상기 화학식 1의 "치환 "이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， C6 내지 C30 아릴기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
구체적으로， 상기 화학식 1의 "치환 "이란， 적어도 하나의 수소가 C6 내지 C20 아릴기 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미하고， 더욱 구체적으로 상기 화학식 1의 "치환''이란， 적어도 하나의 수소가 페닐기， 바이페닐기，터페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트레닐기， 트리페닐렌기, 플루오레닐기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
예컨대，본 발명의 일 실시예에서,상기 X1내지 X3을 포함하는 6각환은 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트레닐기， 트리페닐렌기， 플루오레닐기， 디벤조퓨란일기, 또는 디벤조티오펜일기로 치환되거나 비치환된 피리미디닐기; 또는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트레닐기， 트리페닐렌기， 플루오레닐기， 디벤조퓨란일기， '또는 디벤조티오펜일기로 치환되가나 비치환된 트리아지닐기일 수 있다.
상기 제 1 호스트 화합물은 전자 특성을 갖는 N 함유 육각환이 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜의 1번 위치에 치환됨으로써 강한. 상호 작용으로 인하여 더욱 낮은 LUM0 에너지 레벨 갖게 되고， 이로 인해 우수한 전자 주입 특성을 가질 수 있으며， 또한 분자 구조상 재료의 결정화가 잘 일어나지 않아 제 2호스트 화합물과 함께 발광층에 사용되면 보다 균일하고 안정적인 박막특성을 나타낼수 있다. 특히， 정공 특성이 상대적으로 강한 화합물을 게 2 호스트로 사용하여 상기 제 1 호스트 화합물과 함께 발광층에 사용되면 발광층 내에서 전하가 균형을 이루게 되어 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 X1 내지 X3을 포함하는
6각환의 구체 누조에 따라 상기 화학식 1은 예컨대 화학식 1-A, 화학식 1-B , 및 화학식 1-C 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1-A] [화학식 1-B] [화학식 1-C]
Figure imgf000011_0001
상기 화학식 l-A, 화학식 l-B, 및 화학식 1-C 에서， X， R1 내지 R3 , L1 내지 L3, 및 Ra 내지 ^은 전술한 바와 같다.
본 발명의 일 실시예에서， 상기 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1내지 C4알킬기， 치환 또는 비치환된 페닐기， 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기일 수 있고， 본 발명의 구체적인 일 실시예에서 상기 R1 내지 R3은 모두 수소일 수 있다.
상기 R1 내지 R3가 모두 수소인 경우, 상기 화학식 1은 예컨대 하기 화학식 1-A1 , 화학식 1-B1 , 및 화학식 1-C1 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
Figure imgf000011_0002
상기 화학식 화학식 1-A1 , 화학식 1— B1 , 및 화학식 1-C1에서, X， L1 내지 L3, 및 Ra 내지 ！^는 전술한 바와 같다.
본 발명의 일: 실시예에서， 상기 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있고， 구체적으로 단일결합， 페닐렌기， 바이페닐렌기， 나프틸레닐기， 또는 터페닐렌기일 수 있으며， 더욱 구체적으로, 단일결합이거나 하기 그룹 I에 나열된 연결기에서 선택될 수 있다.
[그룹 I ]
Figure imgf000012_0001
원자와의 연결 지점이다.
예컨대， 상기 L1내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， para-페닐렌기， meta-페닐렌기， 또는 바이페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서，상기 Ra는 수소， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고， 상기 Rb 및 ^는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고,
구체적으로， 상기 Ra는 수소이거나 하기 그룹 Π에 나열된 치환기에서 선택되고， 상기 Rb 및 Rc는 각각 독립적으로， 하기 그룹 Π에 나열된 치환기에서 선택될 수 있다.
[그룹 Π ]
Figure imgf000013_0001
상기 그룹 π에서， *은 이웃 원자와의 연결 지점이다.
또한, 본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 Ra는 수소， 또는 페닐기일 수 있고, 상기 Rb 및 ^는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다. 예컨대， 상기 Ra는 수소일 수 있다.
한편， 상기 화학식 1의 "치환''이란, 적어도 하나의 수소가 중수소， C6 내지 C20 아릴기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미하고， 구체적으로 적어도 하나의 수소가 중수소， 페닐기， 바이페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트레닐기， 트리페닐렌기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. 구체적으로， 상기 화학식 1의 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 트리페닐렌기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 구체적인 다른 일 실시예에서， 상기 Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C10 내지 C18 융합아릴기일 수 있고， 예를 들어， 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트레닐기 또는 트리페닐렌기일 수 있으며，보다 구체적으로 트리페닐렌기일 수 있다. 본 발명의 가장 구체적인 일 실시예에서， 상기 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합, par a-페닐렌기， met a-페닐렌기， 또는 바이페닐렌기이고， 상기 R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소이고， Ra는 수소， 또는 페닐기이고, 상기 Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며， 상기 "치환"이란 적어도 하나의 수소가 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
상기 화학식 1로 표현되는 제 1호스트 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
-1] -2] -4]
Figure imgf000014_0001
[A-26] [A-27] [A-28] [A-29] [A-30]
Figure imgf000015_0001
[A-61] [A-62] [A-63] [A-64]
Figure imgf000016_0001
[A-89] [A-90] [A-91] [A-92]
Figure imgf000017_0001
[A-113] [A-114] [A-115] [A-116]
Figure imgf000018_0001
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
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전술한 제 1 호스트 화합물과 함께 조성물의 형태로 적용되는 제 2 호스트 화합물은 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
Figure imgf000028_0002
상기 화학식 2에서，
Υ1 및 Υ2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지
C30아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2내지 C30헤테로아릴렌기， 또는 이들의 조합이고, '
Ζ1 및 Ζ2은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합이고
R4 내지 R9은 각각독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합이고，
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이고，
상기 화학식 2의 "치환"이란 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C4알킬기， C6내지 C18아릴기，또는 C2내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에서， 상기 화학식 2의 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 단일 결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C18 아릴렌기일 수 있^
본 발명의 일 실시예에서， 상기 화학식 2의 Z1 및 Z2은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 트리아진일기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， '또는 이들의 조합일 수 있다. ,
구체적으로， 상기 화학식 2의 Z1 및 Z2은 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 또는 이들의 조합일 수 있으며， 예컨대 페닐기， 바이페닐기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다.
' 본 발명의 일 실시예에서， 상기 화학식 2의 R4 내지 R9은 각각 독립적으로 수소, 중수소， 또는 치환 또는 비치환된 C6내지 C12아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 2의 m은 0 또는 1일 수 있다. 본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 2는 하기 그룹 m에 나열된 구조 중 하나이고， 상기 -Y1-^ 및 *-Y2-Z2는 하기 그룹 IV에 나열된
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000030_0002
5 그룹 IV
Figure imgf000031_0001
상기 그룹 m 및 iv에서, *은 연결 지점이다.
한편 상기 화학식 2의 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C4알킬기， C6내지 C18아릴기，또는 C2내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， 페닐기， ortho-바이페닐기， meta-바이페닐기， para-바이쩨닐기， 터페닐기， 나프틸기， 트리페닐렌기， 피리디닐기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 가장 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 2는 상기 그룹 m의 C-8 또는 C-17로 표현되고， 상기 -Y1-^ 및 *-Y2-Z2는 각각 독립적으로 상기 그룹 IV의 B-1 내지 Β-6에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 제 2 호스트 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure imgf000031_0002
[HT-6] [HT-7] [HT-8] [HT-9] [HT-10]
Figure imgf000032_0001

-IH] [69-XH] [89-IH] [Z9-IH] [99-XH]
Figure imgf000033_0001
[09-IH] [6S-IH] [8S-XH] [Z9-IH] [99-IH]
Figure imgf000033_0002
3d C8Z.990/8T0Z OAV Ξ】≡J SS SSτ .Ι이T10237031--II
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
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Figure imgf000036_0002
상술한 게 1호스트 화합물과 제 2호스트 화합물은 다양한 조합에 의해 다양한 조성물을 준비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 조성물은 상기 화학식 1-A 또는 화학식 1-B로 표현되는 화합물을 제 1 호스트로서 포함하고， 상기 그룹 m의 화학식 C-8또는 화학식 C-17로 표현되는 화합물을 제 2호스트로서 포함할 수 있다. 예컨대， 상기 화학식 2의 Υ1-^ , 및 *-Υ2-Ζ2은 각각 독립적으로 상기 그룹 IV의 B-1 내지 Β-6에서 선택될 수 있다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 1-A 및 화학식 1-B의 L1내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， para-페닐렌기， metaᅳ페닐렌기 , 또는 바이페닐렌기이고, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소이고， 상기 Ra는 수소, 또는 페닐기이고, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 페닐기， meta-바이페닐기， para-바이페닐기，트리페닐렌기， 디벤조퓨란일기，또는 디벤조티오펜일기이고 상기 화학식 2의 ^Y1^1， 및 *-Υ2-Ζ2은 각각 독립적으로 상기 그룹 IV의 B-1 Β-2 , Β-3 , Β-5 및 Β-6에서 선택될 수 있다.
상기 제 2 호스트 화합물은 상기 제 1 호스트 화합물과 함께 발광층에 사용되어 전하의 이동성을 높이고 안정성을 높¾으로써 발광 효율 및 수명 특성을 개선시킬 수 있다. 또한 상기 제 2 호스트 화합물과 상기 제 1 호스트 화합물의 비율을 조절함으로써 전하의 이동성을 조절할 수 있다. 본 발명의 조성물이 호스트로 사용되는 경우 이들의 조합 비율은 사용된 도판트의 종류나 도판트의 성향에 따라 달라질 수 있다.
본 발명의 조성물 내 화합물의 조합 비율은 예컨대 약 1:9내지 9:1의 중량비로 포함될 수 있고， 구체적으로 1:9내지 8:2， 1:9내지 7:3， 1:9내지 6:4， 1:9내지 5:5의 범위로 포함될 수 있으며， 2:8내지 8:2， 2:8내지 7:3, 2:8 내지 6:4， 2:8 내지 5:5의 범위로 포함될 수 있다.
또한， 본 발명의 조성물이 호스트로 사용되는 경우， 제 1 유가 광전자 소자용 화합물 및 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 1:9 내지 5:5， 2:8 내지 5:5， 3:7 내지 5:5의 중량비 범위로 포함될 수 있다. 예컨대 제 1 유기 광전자 소자용 화합물 및 게 2 유기 광전자 소자용 화합물이 5:5 또는 3:7의 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 효율과 수명을 동시에 개선할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자용 조성.물은 전술한 계 1 호스트 화합물과 제 2 호스트 화합물 외에 1종 이상의 유기 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자용 조성물은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 적색， 녹색 또는 청색의 도펀트일 수 있다.
상기 도펀트는 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도편트는 예컨대 무기，유기，유무기 화합물일 수 있으며 , 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
상기 도펀트의 일 예로 인광 도펀트를 들 수 있으며， 인광 도편트의 예로는 Ir, Pt, 0s, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni , Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L2MX
상기 화학식 Z에서, M은 금속이고， L 및 X는 서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다. 상기 M은 예컨대 Ir , Pt , Os , Ti , Zr , Hf , Eu, Tb, Tm, Fe , Co , Ni， Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고， 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다.
이하 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
또 다른 구현예에 따른 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 양극과 음극， 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
일 예로 상기 유기층은 발광층을 포함하고， 상기 발광층은 본 발명의 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
구체적으로， 상기 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 발광층의 호스트, 예컨대 그린 호스트로서 포함될 수 있다.
또한， 상기 유기층은 발광층， 및 정공주입층, 정공수송층， 전자차단층， 전자수송층， 전자주입층 및 정공차단층에서 선택된 적어도 하나의 보조층을 포함하고， 상기 보조층은 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며， 예컨대 유기 광전 소자， 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 -광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면， 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 ( 120)과 음극 (110)， 그리고 양극 ( 120)과 음극 (110) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속， 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈， 백금， 바나듐,크롬， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물， 인듐산화물， 인듐주석산화물 (IT0), 인듐아연산화물 (IZ0)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn¾와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜)， 폴리 (3,4- (에틸렌 -1,2-디옥시 )티오펜 Kpolyehtylenedioxythiophene: PEDT)， 플리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속， 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘， 나트륨， 칼륨，타이타늄， 인듐， 이트륨， 리튬，가돌리늄，,알루미늄，은，주석，납，제슘， 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al , LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참고하면， 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공 보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130) 사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층， 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며， 적어도 1층을 포함할 수 있다.
도 1 또는 도 2의 유기층 (105)은 도시하지는 않았지만， 전자주입층, 전자수송층， 전자수송보조층， 정공수송층， 정공수송보조층, 정공주입층 또는 이들의 조합층을 추가로 더 포함할 수 있다. 본 발명의 유기 광전자 소자용 화합물은 이들 유기층에 포함될 수 있다. 유기 발광 소자 (100， 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후， 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 ; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침지법 (dipping) , 유동코팅법 (flow coat ing)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후， 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
전술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다. 【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만， 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며， 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반웅물질은 특별한 언급이 없는 한， Sigma-Aldr i ch 社 또는 TCI 社에서 구입하였거나， 공지된 방법을 통해 합성하였다.
(유기 광전자소자용화합물의 제조)
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물을 하기 단계- 통해 합성하였다.
(제 1유기 광전자소자용화합물)
(반응식 1)
Fe, HCI/EtOH
Figure imgf000040_0001
reflux, 12h
M-1 M-2
1) NaN02, H2S04, 0°C, 30min
2) Kl, 0°C-->reflux, 30min
Figure imgf000040_0002
합성예 1： 중간체 M-1의 합성
500mL 플라스크에 2-플루오로페놀 25 g (223 mmol ) , 2-클로로니트로벤젠 52.7 g (335隱 ol ) , 산화구리 ( I ) 32 g (223 mol )을 넣은 후 피리딘 223 mL를 가하고， 질소 기류 하에서 24시간 동안 환류하였다. 반응 종료 후 피리딘을 감압 농축하고 생성물을 를루엔으로 녹인 후 불용물을 거름 종이로 여과하였다. 여과액을 2M HC1 수용액으로 추출 후 유기층을 탄산나트륨 수용액으로 중화， 세척하였다. 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거， 여과， 농축하고， 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-1을 연한 노란색의 액체 (37 g, 71¾>의 수율)로 얻었다.
GC-Mass (이론치: 233.05g/mol, 측정치: M+1 = 234g/mol) 합성예 2: 중간체 M-2의 합성
1L플라스크에 중간체 M-137 g (159 mmol), 에탄올 320ml를 넣고 질소 분위기로 치환한다. 여기에 철 (Fe) 분말 26.6 g (335 mmol)을 가한 후 반응액을 o°C로 냉각하고 진한 염산 (12M) 66ml (795 mmol)을 가하고 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 반웅액을 수산화나트륨 수용액에 가하여 중화한 후 반웅물을 거름 종이로 여과하고 를루엔으로 세척한다. 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거，.여과， 농축하고， 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-2를 연한 베이지색의 고체 (24 g, 75%의 수율)로 얻었다.
GC-Mass (이론치: 203.07g/mol, 측정치: M+1 = 204g/mol) 합성예 3: 중간체 M-3의 합성
500mL플라스크에 중간체 M-224 g (118 mmol )을 넣고 0°C에서 6M황산 수용액 59ml를 넣고 0°C에서 교반하였다. 반웅액을 0°C로 유지하면서 여기에 아질산나트륨 9g (130mmol)을 증류수 36ml에 녹인 수용액을 천천히 가한다. 0°C에서 30분간 교반한다. 반웅액에 요오드화 칼륨 25g (153mmol)을 증류수 63ml에 녹인 수용액을 천천히 가하고 여기에 구리분말 O.llg (1.77mmol)을 가한 후 1시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 유기층을 탄산칼륨 수용액으로 세척한다. 유기층을 감압 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거， 여과， 농축하고， 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-3을 무색 액체 (28.5 g, 77%와수율)로 얻었다.
GC-Mass (이론치: 313.96g/mol, 측정치: M+1 - 315g/mol) 합성예 4: 중간체 M-4의 합성
1L 플라스크에 중간체 M-3 28 g (89.1 mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 268ml를 가한 후 교반하였다. 용액을 질소분위기하에서' -78°C로 유지하면서 여기에 터셔리부틸리튬 [1.7M in 펜탄] 173mL를 천천히 가한다. 20분간 교반 후 0°C에서 30분간 교반한다. 반웅액을 다시 -78°C로 넁각 후 여기에 트리에틸보레이트 16.9g (116mmol)을 천천히 가한다. 30분간 -78°C에서 교반 후 실온에서 1시간 동안 교반한다. 반웅 종료 후 소량의 메탄올을 가한다. 여기에 2MHC1수용액 13½L를 가하고 실온에서 2시간 동안 교반한다. 디에틸에테르와 증류수로 추출하고 유기층을 감압 농축 후 잔사를 에틸아세테이트에 녹여、실리카겔을 이용하여 여과한 후 여과액을 적당량 농축하고 여기에 핵산을 가하여 재결정 하였다. 생성된 고체를 여과하고 핵산으로 세척， 건조하여 중간체 M-4를 백색 고체 (13 g, 70¾>의 수율)로 얻었다. 합성예 5: 중간체 M-5의 합성
(반응식 2)
Figure imgf000042_0001
M-5 M-6
1) NaN02, H2S04, 0°C, 30min
2) Kl, 0°C-->reflux, 30min
Figure imgf000042_0002
3) 2M.aq HCI
M-8 상기 합성예 1에서 2-플루오로페놀 대신 2ᅳ플루오로티오페놀 39.6 g (223 隱 ol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-5 (50g, 9OT의 수율)을 노란색 고체로 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 249.03g/mol, 측정치: M+1 = 250g/mol) 합성예 6: 중간체 M-6의 합성
상기 합성예 2에서 중간체 M-1대신 M-528.6 g (159匪 ol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-6 (28g, 81%의 수율)을 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 219.05g/mol, 측정치: M+1 = 220g/mol) 합성예 7: 중간체 M-7의 합성
상기 합성예 3에서 중간체 M-2대신 M-625.9 g (118議 ol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-7 (28.8g, 74%의수율)을 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 329.94g/mol, 측정치: M+1 = 331g/mol) 합성예 8: 중간체 M-8의 합성
상기 합성예 4에서 중간체 M-3 대신 M-7 29.4 g (89.1 mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-8 (13.4g, 66%의 수을)을 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, DMS0-d6) δ 8.65(s, 2H)， 8.36(m, 1H)， 8.00(m, 1H), 7.45~7.51(m, 4H) 합성예 9: 중간체 M-9의 합성
Figure imgf000043_0001
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-4 20g(94.3匪 ol), 1-브로모—4-아이오도벤젠 26.7g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5瞧 ol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐
1.098(0.94匪01)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슴 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 / 디클로로메탄 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-9를 흰색 고체로 27g (수율 89%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 322.00g/mol, 측정치: M+ = 322.07g/mol, M+2 = 324.21g/mol)
Figure imgf000044_0001
상기 합성예 9에서 중간체 M-4대신 중간체 M-821.5 g (94.3醒 ol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-10을 흰색 고체로 29g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 337.98g/mol, 측정치 : M+ = 338. llg/mol , M+2 = 340.25g/mol)
Figure imgf000044_0002
상기 합성예 9에서 중간체 M-4대신 중간체 M-821.5 g (94.3隱 ol)을 사용하고， 1-브로모 -4-아이오도벤젠 대신 1-브로모 -3-아이오도벤젠 26.7g (94.3mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 중간체 M-11을 흰색 고체로 28.5g (수율 89%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 337.98g/mol， 측정치: M+ = 338.15g/mol, M+2 =
340.21g/mol) 합성예 12: 중간체 M-12의 합성
Figure imgf000045_0001
500 mL 플라스크에 중간체 M-9 (20 g, 61.9 隱 ol), 4,4,4' ,4' , 5，5，5' ,5'-옥타메틸 -2，2'-바이 (1,3,2—다이옥사보로란 ( 18.9 g, 74.3隱 ol), 아세트산칼륨 (KOAc, 0.505 g, 86.7 mmol) 및 1，1'-비스 (다이페닐포스피노) 페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (2.53 g, 0.619 mmol), 를루엔 200 mL에 넣은 후， 110°C에서 12시간 교반하였다. 반웅 완료 후， 반웅 용액을 물과 를루엔으로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하고， 생성물을 n-핵산 /에틸아세테이트 (9:1 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 M-12를 흰색의 고체 (19.3 g, 84%의 수율)로 얻었다.
LC-Mass (이론치: 370.17g/mol, 측정치: M+ = 370.31g/mol ) 합성예 13: 중간체 M-13의 합성
Figure imgf000045_0002
상기 합성예 12에서 중간체 M-9대신 M-1021g (61.9睡 ol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 중간체 M-13을 흰색 고체로 20.6g (수율 86¾>)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 386.15g/mo 1， 측정치 : M+ = 386.29g/mo 1 ) 합성예 14: 중간체 M-14의 합성
Figure imgf000046_0001
상기 합성예 12에서 중간체 M-9 대신 중간체 M-11 21g (61.9 mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 중간체 M-14를 흰색 고체로 20.8g (수율 87%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치: 386.15g/mol, 측정치: M+ = 386.29g/mo 1 ) 합성예 15: 중간체 M-15의 합성
Figure imgf000046_0002
등근 바닥 플라스크에 트리페닐렌 -2-일 보론산 8.2g(30圆 01)， 2-([1,1'-비페닐]-3-일；卜4，6-디클로로-1,3，5-트리아진 9.1g (30隱 ol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 (150ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 6.2g (45瞧 ol)을 녹인 수용액 62ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.35g(0.3mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료， 넁각 후 석출된 고체를 감압 여과 하고 를루엔과 증류수로 세척한다. 여과된 고체를 toluene에 가열， 및 용해한 용액을 실리카겔을 이용하여 감압 여과한다. 여과된 용액을 농축하여 재결정 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-15를 흰색 고체로 12g (수율 81%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 493. 13g/mol , 측정치: M+ = 493.54/mol ) 합성예 16: 중간체 M-16의 합성
Figure imgf000047_0001
250mL 둥근 바닥 플라스크에 마그네슘 조각 0.75g (30.9隱01 )을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 10mL를 가한 후 질소분위기하 실온에서 교반한다. 여기에 중간체 M-9 10 g (30.9 mmol )을 무수 테트라하이드로퓨란 50ml에 녹인 용액을 30분간 실온에서 천천히 가한 후 교반 하였다. 용액을 질소분위기하에서 3시간 동안 환류 교반한 후 실온으로 냉각하여 중간체 M-9의 그리냐드 시약 용액을 제조하였다. 250mL 등근 바닥 플라스크에 시아누릭 크로라이드 5.7g (30.9睡01 )을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 50ml를 가한후 질소분위기하에서 0 °C로 넁각 교반 하였다. 여기에 앞서 제조한 중간체 M-9의 그리냐드 시약 용액을 0°C에서 천천히 가하고 실온으로 상승 후 12시간 동안 교반 하였다. 반옹액을 1M HC1 얼음물 lOOmL에 천천히 가하고 디에틸에테르와 증류수로 추출하고 유기층을 감압 농축 후 잔사를 디클로로메탄에 녹여 실리카겔을 이용하여 여과한 후 여과액을 적당량 농축하고 여기에 핵산을 가하여 재결정 하였다. 생성된 고체를 여과하고 핵산으로 세척， 건조하여 증간체 M-16을 백색 고체 (7.9 g, 65%의 수율)로 얻었다
LC-Mass (이론치: 391.03g/mol , 측정치: M+ = 391.39g/mol ) 합성실시예 1내지 7: 화합물 A-2, A-21, A-43, A-63, 및 A-98의 합성 화합물 -2, A-21, A-43, A-63, 및 A-98을 합성하기 위해 각 대웅되는 중간체를 변경하여 상기 합성예 15와 동일한 방법으로 합성하였다.
합성실시예 1 내지 7에서 합성한 화합물 A-2, A-21, A-43, A-63, 및 A-98을 합성하기 위한 중간체, 수득량 및 수율， LC/MS 분석결과를 하기 표 1에 나타내었다 합성실시예 8: 화합물 B-9의 합성
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-14 11.6g(30mmol), 2,4-디클로로— 6-페닐 -1,3， 5-트리아진 3.4g (15隱 ol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 (100ml)을 가하여 용해 시킨 후 탄산칼륨 6.2g (45匪 ol)을 녹인 수용액 62ml를 첨가 시키고 교반 하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 0.35g(0.3mmol)을 가한 후 질소분위기하에서 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반웅 종료，' 넁각 후 석출된 고체를 감압 여과 하고 를루엔과 증류수로 세척한다. 여과된 고체를 toluene에 가열， 및 용해한 용액을 실리카겔을 이용하여 감압 여과한다. 여과된 용액을 농축하여 재결정 정제하여 목적 화합물인 화합물 B-9를 흰색 고체로 8.9g (수율 87%)을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 684.18g/mol, 측정치: M+1 = 685.21/mol) 합성실시예 9내지 11: 화합물 B-107, C-27 및 E-21의 합성
화합물 B-107, C-27 및 E-21의 화합물을 합성하기 위해 각 대웅되는 중간체를 변경하여 상기 합성실시예 8과 동일한 방법으로 합성하였다.
합성실시예 9 내지 11에서 합성한 화합물 B-107, C-27 및 E-21을 합성하기 위한 중간체， 수득량 및 수율， LC/MS 분석결과를 하기 표 1에 나타내었다
[표 1] 사용중간체 (사용량)
생성물 Hi LC/MS 합성실시예 보론 할로겐 구조 M+l=g/mol 중간체 중간체 M-8 15.5g
합성실시예 1 A-2 568.32
(6.8g) (91%)
M-13 M-21 - 15.
합성실시예 2 A-21 568.25
(11.6g) (10.3g) (89%)
—
M-14 M-18 17.8g
합성실시예 3 A-43 644.28
( 11.6g) (12.6g) (92%)
M-4 . 14.6g
합성실시예 4 A-63 552. 19
(6.4g) (88%)
M-15 18.3g
합성실시예 5 A-98 702.29
(14.8g) (87%)
M-4 M-19 14. Og
합성실시예 6 D-14 551.31
(6.4g) ( 12.6g) (85%)
2, 4-디클로로 -6-페닐-
- M-14 8.9g
합성실시예 7 1, 3, 5-트리아진 B-9 685.21
(11.6g) (87%)
(3.4g)
M-4 M-22 8.7g
합성실시예 8 B-107 642.22
(6.4g) (5.7g) (90%)
M-4 M-17 8. 1g
합성실시예 9 C-27 656.30
(6.4g) (5.9g) (82%)
4 , 6-디클로로 -2-
M-12 8.0g
합성실시예 10 페닐피리미딘 E-21 641.20
(11. lg) (83%)
(3.4g) 상기 합성실시예 1 내지 10에서 사용된 중간체 중
언급되지 않은 중간체의 화학구조를 하기에 나타내었다.
Figure imgf000049_0001
Figure imgf000050_0001
(제 2유기 광전자소자용 화합물의 합성 )
합성실시예 11: 화합물 HT-130의 합성
Figure imgf000050_0002
질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL 등근바닥 플라스크에 3-브로모—6-페닐 -N-메타바이페닐카바졸 20.00 g(42.16 腿 ol), N-페닐카바졸 -3-보로닉에스터 17.12 g(46.38 ' mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1:1) 175 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 75 mL를 흔합한 후， 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 1.46 g(1.26 mmol)을 넣고 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반웅 종결 후 반웅물을 메탄을에 부어 고형물을 여과한 다음 수득한 고형물을 물과 메탄올로 층분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 700 mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거한 후， 400mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 HT-130 18.52 g (수율 69%)을 수득하였다.
calcd. C42H32N2: C, 90.54； H, 5.07； N, 4.40； found: C, 90.54； H, 5.07；
N, 4.40 합성실시예 12: 화합물 HT-138의 합성
Figure imgf000051_0001
250 mL 등근 플라스크에서 N-페닐 -3 ,3-바이카바졸 6.3 g (15.4 mmol )， 4-(4-브로모페닐)다이벤조 [b,d]퓨란 5.0 g (15.4 隱 ol), 소듐 t-부특사이드 3.0g (30.7匪 ol),트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 0.9g(1.5™ol) 및 트리 t-부틸포스핀 1.2 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 100 mL과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 HT-138 (7.3 g, 73 >의 수율)를 수득하였다.
calcd. C48H30N20 ： C, 88.59； H, 4.65； N, 4.30； 0/2.46； found ： C, 88.56； H, 4.62； N, 4.20； 0， 2.43
(유기 발광소자의 제작)
실시예 1
IT0 (Indium tin oxide)가 1500A 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을， 아세톤， 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700 A 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 1020A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 합성실시예 3의 화합물 A-43 및 합성실시예 11의 화합물 HT-130을 동시에 호스트로 사용하고 도판트로 트리스 (2-페닐피리딘)이리듐 (ΙΠ) [Ir(ppy)3](Cas No. 94928-86— 6)를 10 %로 도핑하여 진공 증착으로 400A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-43과 화합물 HT-130은 3:7 중량비로 사용되었으며， 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15 A과 A1 1200 A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
상기 유기 발광 소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며， 구체적으로 다음과 같다.
IT0/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(1020A)/EML [화합물 A-43: HT-130: Ir(ppy)3=27wt :63wt%: 10wt%] (400 A)
/화합물 D:Liq(300A)/Liq(15A)/Al(1200A)의 구조로 제작하였다. 화합물 A: N4,N4'-di heny 1 -N4， N4 ' _b i s (9-pheny 1 -9H-carbazo 1 _3_y l)bi heny 1ᅳ 4， 4 ' _d i a mine
화합물 B: 1,4,5,8,9,11-hexaazat r i pheny 1 ene-hexacar bon i t r i 1 e
(HAT-CN) ,
화합물
C : N- ( b i pheny 1 -4-yl ) -9， 9_d i methyl -N- ( 4- ( 9-pheny 1 -9H-carbazo 1 -3-y 1 ) pheny 1 )—9H— f hioren— 2—amine
화합물 D:
8_ ( 4_ ( 4， 6_d i ( naphtha 1 en-2-y 1)ᅳ 1,3,5— triazi η-2-y 1 ) heny 1 )quinol ine 실시예 2내지 실시예 14
발광층 형성시 화합물 A-43 및 화합물 HT--130 대신 하기 표 2 및 표 3에 기재된 바와 같,이 각각의 호스트를 사용하여
방법을 이용하여 실시예 2 내지 실시예 14의
제작하였다. 실시예 15및 실시예 16
화합물 B-9 및 화합물 A-98을 각각 단독으로 발광층 호스트로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 15 및 16의 유기 발광 소자를 제작하였다. 비교예 1내지 3
하기의 비교 화합물 ET-1 내지 비교 화합물 ET-3을 각각 단독으로 발광층 호스트로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자를 제작하였다.
하기에 비교예 1 내지 3에서 사용한 전자수송성 호스트 화합물 ET-1 내지 ET-3의 화학 구조를 나타내었다.
Figure imgf000053_0001
비교예 4내지 7
실시예 1에서 화합물 A-43 대신에 비교 화합물 ET-1 내지 비교 화합물 ET-3을 각각 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 4 내지 7의 유기 발광 소자를 제작하였다. 평가 1: 발광효율 및 수명 상승 효과 확인
상기 실시예 1내지 16， 및 비교예 1내지 7에 따른 유기 발광 소자의 발광효율 및 수명 특성을 평가하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 2， 표 3， 및 표 4와 같다.
(1) 전압변화에 따론 전류밀도의 변화 측정 제조된 유기 발광 소자에 대해， 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계 (Kei thl ey 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기 발광 소자에 대해， 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minol t a Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 ( 1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 ( 10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정 ■
제조된 유기 발광 소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 비교예 7의 소자를 초기휘도 (cd/m2)를 5000cd/m2로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 95%로 휘도가 감소된 시점을 T95 수명으로 측정하였다.
' (5) 구동전압 측정
전류-전압계 (Kei thl ey 2400)를 이용하여 15 mA/cm2에서 각 소자의 구동전압을 측정하였다.
[표 2]
트리아진인 경우 J
Figure imgf000054_0001
실시예 6 C-27 HT-31 3：7 4.70 48.7 노 Afl
"I 480 실시예 7 A-98 HT-31 1 : 1 4.45 46.2 노 Afl 505 실시예 8 A-43 HT-138 3：7 4.88 42.5 녹색 400 실시예 9 A-63 HT-138 3：7 4.90 46.9 녹색 420 실시예 10 A-98 HT-138 3：7 4.70 49.8 녹색 580 실시예 12 B-9 HT-138 3：7 5.00 50.0 노 fl 415 실시예 13 C-27 HT-138 3：7 4.69 49.9 노 Afl 470 실시예 14 A-98 HT-138 1 : 1 4.50 46.7 노 Afl 510 비교예 5 ET-2 HT-130 3 : 7 5.45 45.0 노 Afl
ᅳ 360 비교예 6 ET-3 HT-130 3：7 5.37 44.2 노 Afl
ᅳ ᅳ 290 비교예 7 ET-2 HT-130 1：1 5.25 44.0 노 Afl 330
[표 3]
피리미딘인 경우
게 1호스트
구동 발광 수명 제 1호스
실시예 ,게 2호스트 전압 효율 T95
■E ^12호스트
(V) (cd/A) (h) (wt /wt )
실시예 4 D-14 HT-130 3：7 5. 10 46.9 노 Afl 365 실시예 11 D-14 HT-138 3 : 7 5. 15 47.5 노 Afl 370 비교예 1 ET-1 - - 5.85 24.8 노 Afl
ᄀ 55 비교예 4 ET-1 HT-130 3：7 5.95 39.5 노 125
[표 4]
단일 호스트인 경우
제 1호스트： 구동 발광 수명 게 1호스
실시예 제 2호스트 제 2호스트 전압 효율 T95 트.
(wt /wt ) (V) (cd/A) (h) 실시예 15 B-9 - - 4.25 26.9 녹색 180 실시예 16 A-98 - - 4. 15 29. 1 녹색 210 비교예 1 ET-1 - - 5.85 24.8 노ᅳ A—ll 55 비교예 2 ET-2 - - 5.25 25.5 노 Xfl 160 비교예 3 ET-3 - - 5. 15 24.0 노 Afl 115 상기 표 2 내지 표 4를 참고하면， 실시예 1 내지 14에 따라 전자수송성이 우수한 제 1호스트와 정공 수송성이 우수한 제 2호스트를 같이 사용한 유기 발광 소자는 비교예 4 내지 7에 비해 낮은 구동 전압과 높은 효율， 장수명 특성을 나타었다. 이는 본 발명의 제 1 호스트인 A— 43， A-63 , A-98 , B-9 , 및 C-27의 전자 수송 특성이 비교예의 제 1 호스트인 ET-1 내지 ET-3 보다 우수하기 때문이며 실시예 15 및 16에 따른 단독 호스트를 사용한 유기 발광 소자 또한 비교예 1 내지 3에 비해서 낮은 구동 전압과 높은 효율을 나타내므로 본 발명의 제 1 호스트가 보다 우수한 전자 수송 특성을 나타냄을 알 수 있다. 특히 본 발명의 전자수송성 게 1 호스트를 본 발명의 바이카바졸 유도체와 같은 적절한 정공수송성 제 2 호스트와 같이 인광 발광충 호스트로 사용할 경우 전자수송성 제 1 호스트를 단독으로 발광층 호스트로 사용한 유기 발광 .소자와 비교하여 발광효율과 수명특성이 동시에 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구위 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표현되는 게 1 호스트 화합물;
표현되는 제 2 호스트 화합물
을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물:
Figure imgf000057_0001
상기 화학식 1에서，
X는 0또는 S이고，
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
X1 내지 X3은 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고，
X1 내지 X3 중 적어도 둘은 N이고，
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기， 또는 이들의 조합이고，
Ra는 수소，중수소， 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합이고,
Rb , 및 Rc은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 이들의 조합이고，
상기 화학식 1의 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， C6 내지 C30 아릴기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미하고; [화학식 2]
Figure imgf000058_0001
상기 화학식 2에서，
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2내지 C30헤테로아릴렌기 , 또는 이들의 조합이고， .
Z1 및 Z2은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로고리기， 또는 이들의 조합이고,
R4 내지 R9은 각각독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 또는 이들의 조합이고，
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이고;
상기 화학식 2의 "치환''이란， 적어도 하나의 수소가 증수소， C1 내지 C4알킬기， C6내지 C18아릴기，또는 C2내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A , 화학식 1-B , 및 화학식 1-C중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
Figure imgf000058_0002
상기 화학식 l-A, 화학식 1-B , 및 화학식 1-C에서，
X는 0또는 S이고，
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고，
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기， 또는 이들의 조합이고，
Ra는 수소，중수소， 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합이고，
Rb , 및 Rc은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6내지 C30아릴기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기,, 또는 이들의 조합이다.
【청구항 3】
제 1항에 있어서，
상기 Ra는 수소， 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
상기 Rb 및 ！^는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 4]
거 U항에 있어서，
상기 Ra는 수소이거나 하기 그룹 Π에 나열된 치환기에서 선택되고, 상기 Rb 및 Rc는 각각 독립적으로， 하기 그룹 Π에 나열된 치환기에서 선택되는 유기 광전자 소자용 조성물:
Figure imgf000060_0001
상기 그룹 Π에서， *은 이웃 원자와의 연결 지점이다.
【청구항 5】
게 1항에 있어서,
L1내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， para-페닐렌기， meta-페닐렌기 , 또는 바이페닐렌기이고，
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소이고，
상기 Ra는 수소， 또는 페닐기이고，
상기 Rb 및 Rc는 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며，
상기 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기， 트리페닐렌기， 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미하는 것인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 2의 Z1 및 Z2은 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 7】
제 1항에 있어서ᅳ
상기 화학식 2는 하기 그룹 ΠΙ에 나열된 구조 중 하나이고， 상기 - -^ 및 *-γ2-ζ2은 하기 그룹 IV에 나열된 치환기 중 하나인 유기 광전자 소자용 조성물:
[그룹 m]
Figure imgf000061_0001
[그룹 IV]
Figure imgf000062_0001
상기 그룹 m 및 iv에서， *은 이웃 원자와의 연결 지점이다.
【청구항 8】
제 7항에 있어서，
상기 화학식 2는 상기 그룹 m의 화학식 C-8 또는 화학식 C-17로 표현되고，
상기 ^YLZ1및 *-Y2-Z2은 상기 그룹 IV의 B-1내지 Β-6에서 선택되는 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 9】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A또는 화학식 1-B로 표현되고， 상기 화학식 2는 하기 화학식 C-8 또는 화학식 C-17로 표현되며， 상기 화학식 2의 ^-Υ1-^ 및 Υ2— Ζ2은 Β— 1 Β-2 , Β-3 , Β—5 및 Β—6에서 선택되는 유기 광전자 소자용 조성물:
Figure imgf000062_0002
Figure imgf000063_0001
상기 화학식 l-A , 및 화학식 1-B에서，
X는 0또는 S이고，
L1내지 L3은 각각 독립적으로 단일결합， para-페닐렌기， meta-페닐렌기， 또는 바이페닐렌기이고，
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소이고，
상기 Ra는 수소， 또는 페닐기이고，
상기 Rb 및 Rc는 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며，
상기 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기， 나프틸기, 트리페닐렌기, 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. ,
【청구항 10】
서로 마주하는 양극과 음극， 그리고
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고，
상기 유기층은 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 유기 광.전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 11]
제 10항에 있어서，
상기 유기층은 발광층을 포함하고， 상기 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
【청구항 12】
제 10항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치 .
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