WO2018061721A1 - 加工装置及び該加工装置のセッティング方法 - Google Patents

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processing apparatus
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誠 下田
雅喜 金澤
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株式会社東京精密
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    • B24B7/04Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus that performs rough grinding and fine grinding on a wafer and a setting method of the processing apparatus.
  • wafer such as a silicon wafer (hereinafter referred to as “wafer”) into a thin film
  • backside grinding is performed by grinding the backside of the wafer.
  • Patent Document 1 includes a cassette storage stage, an alignment stage, a rough grinding stage, a precision grinding stage, a polishing stage, a polishing cloth cleaning stage, a polishing cloth dressing stage, and a wafer cleaning stage.
  • a planar processing apparatus in which an index table moves a wafer to each stage. In such a flat surface processing apparatus, the wafer is sucked and held by the same chuck in rough grinding and fine grinding.
  • the present invention has been proposed to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is characterized in that a column is straddled above the holding means, and a rough grinding means and a fine grinding means are provided on the column.
  • a processing apparatus for grinding the wafer held by a holding means with the rough grinding means and the fine grinding means, the holding means being capable of rotating around an axis of rotation of the holding means, and the index table A plurality of chucks arranged on a concentric circle around the rotation axis, and arranged on the outer peripheral side in the radial direction of the index table with respect to the chuck, and interposed between the index table and the chuck.
  • Two first movable support portions that are extendable in the vertical direction, and arranged on the inner peripheral side in the radial direction of the index table with respect to the chuck, Providing by that processing apparatus includes a first fixed support to secure a portion of the chuck in the vertical direction to the table, the.
  • the first movable support portion and the first fixed support portion are disposed so as to surround each chuck, so that when the first movable support portion expands and contracts, each chuck becomes the first
  • the angle of tilt of each chuck tilt angle
  • the first movable support portion is arranged on the outer peripheral side of the index table with respect to the chuck, an operator who performs maintenance of the first movable support portion can receive the first movable support portion from the side of the processing apparatus. Therefore, maintenance work can be performed efficiently.
  • the rough grinding means includes a rough grinding wheel for grinding the wafer, a spindle for rotating the rough grinding wheel, and the spindle as the A guide rail that is slidably supported with respect to a column; and tilting means for tilting the coarse grinding wheel, wherein the tilting means is interposed between the coarse grinding wheel and the spindle.
  • two second movable support portions that are interposed between the guide rail and the tilt table and are extendable in the vertical direction, and opposite to the second movable support portions with the rough grinding wheel interposed therebetween.
  • a second fixing support portion which is arranged on the side and fixes a part of the tilt table in the vertical direction.
  • the second movable support portion and the second fixed support portion are arranged so as to surround the rough grinding wheel, so that when the second movable support portion expands and contracts, the rough grinding wheel becomes the second. Therefore, the variation in the in-plane flatness of the wafer among the plurality of chucks can be further suppressed by adjusting the inclination with which the rough grinding wheel contacts the chuck.
  • the inclinations of the rotation axes of the plurality of chucks are set based on the rotation axis of the fine grinding means, the inclinations of the rotation axes of the rough grinding wheel are set based on the rotation axis of the chuck.
  • the variation in the in-plane flatness of the wafer between the plurality of chucks can be further suppressed.
  • the first movable support portion and the first fixed support portion are arranged so as to surround each chuck, so that when the first movable support portion expands and contracts, each chuck becomes the first fixed support portion. Since the tilt angle of each chuck can be individually adjusted by inclining with respect to the portion, variation in in-plane flatness of the wafer among a plurality of chucks can be suppressed. Furthermore, since the first movable support portion is arranged on the outer peripheral side of the index table with respect to the chuck, an operator who performs maintenance of the first movable support portion can receive the first movable support portion from the side of the processing apparatus. Therefore, maintenance work can be performed efficiently.
  • FIG. 3 The perspective view which shows the processing apparatus which concerns on one Example of this invention.
  • the front view of the processing apparatus shown in FIG. The top view which abbreviate
  • omitted a part of processing apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG. 2.
  • the elements on larger scale which show the B section in FIG.
  • the longitudinal cross-sectional enlarged view of the inclination means shown in FIG. The elements on larger scale which show the C section in FIG.
  • the flowchart which shows the procedure of the setting method of a processing apparatus.
  • a processing apparatus In order to achieve the object of uniformly grinding a wafer held by each of a plurality of chucks, a processing apparatus according to the present invention has a column straddled above the holding means, and the column is roughly ground and fine grinding means. And a processing device for grinding the wafer held by the holding means with the rough grinding means and the fine grinding means, the holding means being capable of rotating around the rotation axis of the holding means, and the index table A plurality of chucks arranged concentrically around the rotation axis, and arranged on the outer peripheral side of the index table in the radial direction with respect to the chuck. The chuck is interposed between the index table and the chuck and can be expanded and contracted in the vertical direction. Two first movable support portions and an index table radially disposed on the inner side of the index table with respect to the chuck. A first fixed support for fixing the parts in the vertical direction is realized by that it comprises a.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a basic configuration of the processing apparatus 1.
  • FIG. 2 is a front view of the processing apparatus 1.
  • FIG. 3A is a plan view showing the processing apparatus 1 in which the first spindle 52 and the second spindle 62 in FIG. 1 are omitted.
  • FIG. 3B is a plan view of the processing apparatus 1 in which the column 4 in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 5 is a partially enlarged view showing a portion B in FIG.
  • the processing apparatus 1 continuously grinds the wafer with two grindstones arranged in parallel.
  • the processing apparatus 1 forms the thin film by grinding the back surface of the wafer W.
  • the wafer W to be ground using the processing apparatus 1 is preferably a silicon wafer, silicon carbide wafer, or the like that exhibits high hardness and high brittleness, but is not limited thereto.
  • the processing apparatus 1 includes a holding unit 2 and a main unit 3 disposed above the holding unit 2.
  • the holding means 2 includes an index table 21 that is rotatable around a rotary shaft 2a that is connected to a motor (not shown), and three chucks 22 that are placed on the index table 21.
  • the chucks 22 are arranged at intervals of 120 degrees on the circumference around the rotating shaft 2a.
  • the chuck 22 includes an adsorbent 22a made of ceramic having a porous (porous) structure embedded in an upper surface thereof.
  • the conduit 22b formed in the chuck 22 is connected to a vacuum source (not shown), and adsorbs the wafer W placed on the chuck 22 with a negative pressure.
  • the chuck 22 is connected to a motor (not shown) and can rotate about the rotation axis a1.
  • An air bearing 22c is provided below the chuck 22, and the chuck 22 can be smoothly rotated.
  • the holding means 2 is divided into an alignment stage S1, a rough grinding stage S2, and a fine grinding stage S3.
  • a partition plate 23 is disposed between the chucks 22 to prevent the machining liquid used in each stage from splashing on adjacent stages.
  • the alignment stage S1 is a stage for transferring the wafer W onto the chuck 22 by a transfer device (not shown) and aligning the wafer W at a predetermined position.
  • the wafer W attracted and held on the chuck 22 is sent to the rough grinding stage S2.
  • the rough grinding stage S2 is a stage in which the wafer W is rough ground.
  • the roughly ground wafer W is sent to the precision grinding stage S3.
  • the precision grinding stage S3 is a stage on which the wafer W is precisely ground.
  • the finely ground wafer W is sent to the alignment stage S1, and is received from the chuck 22 in a rack (not shown) by a transfer device (not shown).
  • the main unit 3 includes an arch-like column 4 arranged so as to straddle the index table 2, rough grinding means 5 attached to the column 4 above the rough grinding stage S2, and column 4 above the fine grinding stage S3. And fine grinding means 6 attached to the.
  • the column 4 includes a base 41 formed in a U-shape when viewed from the front and a central column portion 42 protruding from the center of the base 41, and is formed in an E-shape when viewed in plan.
  • the base 41 is provided so as to straddle the rough grinding stage S2 and the fine grinding stage S3. Thereby, the alignment stage S1 is exposed to the side of the column 4 in plan view. Therefore, when the wafer W is transferred to the chuck 22 or unloaded from the chuck 22, the transfer device or the like can access the chuck 22 without being interfered with the column 4.
  • the base 41 has the rigidity of the base 41 increased by connecting two struts 41 a erected on the outer periphery of the index table 2.
  • the central column portion 42 is disposed between the rough grinding stage S2 and the fine grinding stage S3 in plan view.
  • the lower end of the central column part 42 is extended to above the index table 2.
  • grooves 4b and 4c that are recessed in the vertical direction V are arranged side by side.
  • Coarse grinding means 5 is accommodated in the groove 4b.
  • the fine grinding means 6 is accommodated in the groove 4c.
  • the rough grinding means 5 includes a rough grinding wheel 51, a first spindle 52 to which the rough grinding wheel 51 is attached at the lower end, a first spindle feed mechanism 53 that raises and lowers the first spindle 52 in the vertical direction V, It has.
  • the rough grinding wheel 51 is configured by arranging a plurality of cup-type wheels at the lower end in the circumferential direction.
  • the first spindle 52 includes a saddle 52a with a rough grinding wheel 51 attached to the lower end, and a motor (not shown) provided in the saddle 52a for rotating the rough grinding wheel 51.
  • the first spindle feed mechanism 53 connects the saddle 52a and a rear guide 72 described later, and feeds the first spindle 52 in the vertical direction V.
  • the first spindle feed mechanism 53 does not include a lifting / lowering means for feeding the first spindle 52.
  • a lifting / lowering means for example, a motor-driven ball screw can be considered.
  • the main unit 3 is provided with an in-process gauge (not shown) for measuring the thickness of the wafer W.
  • an in-process gauge (not shown) for measuring the thickness of the wafer W.
  • the fine grinding means 6 includes a fine grinding wheel 61, a second spindle 62 with the fine grinding wheel 61 attached to the lower end, a second spindle feed mechanism 63 that raises and lowers the second spindle 62 in the vertical direction V, It has. Note that the basic configuration of the fine grinding means 6 corresponds to the basic configuration of the rough grinding means 5, and thus redundant description is omitted.
  • the precision grinding wheel 61 is configured by arranging a plurality of cup-type grinding wheels at the lower end in the circumferential direction.
  • the second spindle 62 includes a saddle 62a having a precision grinding wheel 61 attached to the lower end thereof, and a motor (not shown) that is provided in the saddle 62a and rotates the precision grinding wheel 61.
  • the second spindle feed mechanism 63 has the same configuration as that of the first spindle feed mechanism 53, connects the saddle 62a and a rear guide 82 described later, and feeds the second spindle 62 in the vertical direction V.
  • the operation of the second spindle feed mechanism 63 is controlled based on the film thickness measured by the above-described in-process gauge.
  • the processing apparatus 1 includes a first guide 7 that supports the first spindle 52 slidably in the vertical direction V, and a second guide 8 that supports the second spindle 62 slidably in the vertical direction V. And are provided.
  • the first guide 7 includes a front guide 71 disposed on the front surface of each of the base portion 41 and the central column portion 42, and one rear guide 72 disposed in the groove 4b.
  • the front guide 71 and the rear guide 72 are, for example, linear guides.
  • a saddle 52 a is directly attached to the slider 71 a of the front guide 71.
  • a saddle 52 a is attached to the rear guide 72 via a first spindle feed mechanism 53.
  • the front guide 71 and the rear guide 72 are provided in parallel to each other along the vertical direction V. As a result, the front guide 71 and the rear guide 72 restrict the saddle 52a to move along the vertical direction V.
  • the second guide 8 includes a front guide 81 disposed on the front surface of each of the base portion 41 and the central column portion 42, and a single rear guide 82 disposed in the groove 4b.
  • the front guide 81 and the rear guide 82 are, for example, linear guides.
  • a saddle 62 a is directly attached to the front guide 81. Further, a saddle 62 a is attached to the rear guide 82 via a second spindle feed mechanism 63.
  • the front guide 81 and the rear guide 82 are provided parallel to each other along the vertical direction V. Accordingly, the front guide 81 and the rear guide 82 restrict the saddle 62a to move along the vertical direction V.
  • the operation of the machining apparatus 1 is controlled by a control unit (not shown).
  • the control unit controls each component constituting the processing apparatus 1.
  • the control unit includes, for example, a CPU, a memory, and the like.
  • the function of the control unit may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.
  • the processing apparatus 1 continuously sends the rough grinding stage S2 and the fine grinding stage S3 in this order with the wafer W sucked and held by the chuck 22 of the alignment stage S1 placed on the same chuck 22.
  • the chuck 22 for attracting and holding the wafer W can be formed with higher rigidity than other wafer holding devices such as a belt conveyor. Thereby, the throughput of the grinding process is improved and the wafer W can be ground with high quality.
  • the column 4 can be formed with a larger diameter and higher rigidity than the index table 21, the resonance and axial collapse of the rough grinding means 5 and the fine grinding means 6 due to the vertical drag generated during the grinding of the wafer W are suppressed.
  • the wafer W can be ground with high quality.
  • the holding unit 2 includes two first movable support portions 24 and one first fixed support portion 25 arranged around the chuck 22.
  • the first movable support portion 24 is disposed on the outer peripheral side in the radial direction of the index table 21 with respect to the chuck 22.
  • the first fixed support portion 25 is disposed on the radially inner peripheral side of the index table 21 with respect to the chuck 22.
  • the first movable support 24 is a differential screw mechanism including a slide block 24a, a fixed block 24b, and an adjustment screw 24c.
  • the slide block 24a is joined to the index table 21.
  • the slide block 24a has a threaded portion 24d formed at the center, and the pitch of the threaded portion 24d is set to, for example, 1.25 mm.
  • the fixed block 24b is joined to a tilt table 26 on which the chuck 22 is placed.
  • the fixed block 24b has a threaded portion 24e formed at the center, and the pitch of the threaded portion 24e is smaller than that of the threaded portion 24d, for example, 1.00 mm.
  • the adjustment screw 24c is screwed into the screw portion 25d of the slide block 24a and the screw portion 25e of the fixed block 24b.
  • the adjusting screw 24c is rotated forward or reverse by a drive motor (not shown).
  • a drive motor not shown.
  • the chuck 22 moves up and down by a pitch difference (0.25 mm) between the fixed block 24a and the slide block 24b.
  • the first fixed support portion 25 is a bolt that fastens the tilt table 26 to the index table 21.
  • the two first movable support 24 According to each expansion / contraction amount, the angle formed by the rotation axis a1 of the chuck 22 and the rotation axis a2 of the rough grinding wheel 51 or the rotation axis a3 of the fine grinding wheel 61 can be controlled.
  • FIG. 6 is a perspective view of the rough grinding means 5 from which the rough grinding wheel 51 is omitted as viewed from below.
  • FIG. 7 is an enlarged longitudinal sectional view of the tilting means 9.
  • FIG. 8 is a partially enlarged view showing a portion C in FIG.
  • the tilting means 9 includes two second movable support portions 91 and one second fixed support portion 92 arranged around the rough grinding wheel 51.
  • the second movable support portion 91 is disposed on the front side with respect to the rough grinding wheel 51.
  • the second fixed support portion 92 is disposed on the opposite side of the second movable support portion 91 with the rough grinding wheel 51 interposed therebetween.
  • the second movable support portion 91 is a differential screw mechanism including a slide block 91a, a fixed block 91b, and an adjustment screw 91c.
  • the slide block 91a is joined to the slider 71a of the front guide 71.
  • the slide block 91a has a threaded portion 91d formed at the center, and the pitch of the threaded portion 91d is set to 1.25 mm, for example.
  • the fixed block 91b is joined to the tilt table 93.
  • the fixed block 91b has a threaded portion 91e formed at the center, and the pitch of the threaded portion 91e is smaller than that of the threaded portion 91d, for example, set to 1.00 mm.
  • the adjustment screw 91c is screwed into the screw portion 91d of the slide block 91a and the screw portion 91e of the fixed block 91b.
  • the adjustment screw 91c is rotated forward or reverse by a drive motor (not shown).
  • the tilt table 93 is raised and lowered by a pitch difference (0.25 mm) between the slide block 91a and the fixed block 91b.
  • the second fixed support portion 92 is a bolt that fastens the tilt table 93 to the first spindle feed mechanism 53 as shown in FIG.
  • reference numeral 53 a in FIG. 8 is a lower end of a ball screw as a lifting / lowering means for feeding the first spindle 52.
  • the two second movable support portions 91 are arranged.
  • the angle formed by the rotation axis a2 of the rough grinding wheel 51 and the rotation axis a1 of the chuck 22 can be controlled according to the amount of expansion / contraction.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the procedure of the setting method of the processing apparatus 1.
  • the surfaces (chuck surfaces) 22a of the three chucks 22 are each ground with the precision grinding wheel 61 (S1).
  • the ground chuck surface 22 a is formed so as to be perpendicular to the rotation axis a ⁇ b> 1 of the chuck 22.
  • the flatness of the chuck surface 22a of each chuck 22 is measured, and the first movable support portion 24 is driven to incline the chucks 22 (S2).
  • the flatness of the chuck surface 22a is measured by a known measuring means.
  • the grinding amount corresponding to the contact state between the chuck 22 and the fine grinding wheel 61 and the amount of expansion / contraction of the first movable support portion 24 corresponding to this grinding amount are stored in advance. Based on the surface shape and the like, the chuck 22 is tilted at an optimum angle.
  • the precision grinding wheel 61 grinds the chuck surface 22a flatly (S3). Thereby, the chuck surface 22 a is formed flat and perpendicular to the rotation axis a ⁇ b> 1 of the chuck 22.
  • the angle formed by the rotation axis a1 of the chuck 22 and the rotation axis a3 of the precision grinding wheel 61 is measured (S4), and the angle formed by the rotation axis a1 of the chuck 22 and the rotation axis a3 of the precision grinding wheel 61 is predetermined.
  • the first movable support portion 24 is expanded and contracted to tilt the chuck 22 so as to be within a range (for example, within 0.06 °) (S5).
  • the angle formed by the rotation axis a1 of the chuck 22 and the rotation axis a2 of the rough grinding wheel 51 is measured (S6), and the angle formed by the rotation axis a1 of the chuck 22 and the rotation axis a2 of the rough grinding wheel 51 is predetermined.
  • the second movable support portion 91 is expanded and contracted to tilt the rough grinding wheel 51 so as to be within a range (for example, within 0.06 °) (S7).
  • the first movable support portion 24 and the first fixed support portion 25 are disposed so as to surround the chucks 22, whereby the first movable support portion 24. Since the chucks 22 are inclined with respect to the first fixed support portion 25 and the tilt angle of each chuck 22 can be individually adjusted, the in-plane flatness of the wafer W between the plurality of chucks 22 can be adjusted. Can suppress the variation of
  • the 1st movable support part 24 and the 2nd movable support part 91 are not limited to the differential screw mechanism mentioned above, What kind of structure may be sufficient.
  • Fine grinding means 61 Fine grinding wheel 62 ... 2nd spindle 63 ... 2nd spindle Feed mechanism 7 First guide 71 ... Front guide 71a ... Slider 72 ... Back guide 8 ... Second guide 81 ... Front guide 82 ... Back guide 9 ... Inclining means 91 ... 2nd movable support part 91a ... Slide block 91b ... Fixed block 91c ... Adjustment screw 92 ... 2nd fixed support part 93 ... Tilt table H ... Horizontal direction S1 ... Alignment stage S2 ... Rough grinding stage S3 ... Fine grinding stage V ... Vertical direction W ... Wafer

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Abstract

【課題】複数のチャックにそれぞれ保持されたウェハを均一に研削する加工装置及び該加工装置のセッティング方法を提供する。 【解決手段】加工装置1は、保持手段2の上方に跨設されたコラム4に粗研削手段5及び精研削手段6を設けている。保持手段2は、インデックステーブル21と、回転軸2a回りに同心円上に配置されたチャック22と、チャック22に対してインデックステーブルの径方向の外周側に配置された第1の可動支持部24と、チャック22に対してインデックステーブルの径方向の内周側に配置された第1の固定支持部25と、を備えている。第1の可動支持部24は、インデックステーブル21とチャック22との間に介装され、鉛直方向に伸縮自在である。

Description

加工装置及び該加工装置のセッティング方法
 本発明は、ウェハに粗研削加工及び精研削加工を行う加工装置及び加工装置のセッティング方法に関する。
 半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)を薄膜に形成するために、ウェハの裏面を研削する裏面研削が行われている。
 ウェハの裏面研削を行う加工装置として、特許文献1には、カセット収納ステージ、アライメントステージ、粗研削ステージ、精研削ステージ、研磨ステージ、研磨布洗浄ステージ、研磨布ドレッシングステージ、及びウェハ洗浄ステージが設けられ、インデックステーブルがウェハを各ステージに移動させる平面加工装置が開示されている。このような平面加工装置では、粗研削加工及び精研削加工において、ウェハは同一のチャックに吸着保持されている。
特開2003-7661号公報
 しかしながら、上述したような特許文献1記載の平面加工装置では、チャック毎に表面の平坦度が異なったり、一部のチャックの回転軸が傾斜している等してチャック間で加工条件が異なる場合、チャック毎のウェハの面内平坦度(TTV)にばらつきが生じる虞があるという問題があった。
 そこで、複数のチャックにそれぞれ保持されたウェハを均一に研削するという解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
 本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、保持手段の上方にコラムを跨設し、該コラムに粗研削手段及び精研削手段を設け、前記保持手段に保持された前記ウェハを前記粗研削手段及び精研削手段で研削加工する加工装置であって、前記保持手段は、該保持手段の回転軸回りに回転可能なインデックステーブルと、該インデックステーブル上に前記回転軸を中心に同心円上に配置された複数のチャックと、前記チャックに対して前記インデックステーブルの径方向の外周側に配置され、前記インデックステーブルと前記チャックとの間に介装されて、鉛直方向に伸縮自在な2つの第1の可動支持部と、前記チャックに対して前記インデックステーブルの径方向の内周側に配置され、前記インデックステーブルに前記チャックの一部を鉛直方向に固定する第1の固定支持部と、を備えている加工装置を提供する。
 この構成によれば、第1の可動支持部と第1の固定支持部とが、各チャックを囲むように配置されることにより、第1の可動支持部が伸縮すると、各チャックが第1の固定支持部を基準に傾斜して、各チャックの回転軸が傾いた角度(チルト角)を個別に調整可能なため、複数のチャック間でのウェハの面内平坦度のばらつきを抑制することができる。
 さらに、第1の可動支持部がチャックに対してインデックステーブルの外周側に配置されることにより、第1の可動支持部のメンテナンスを行う作業員が加工装置の側方から第1の可動支持部にアクセスし易いため、メンテナンス作業を効率的に行うことができる。
 請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に加えて、前記粗研削手段は、前記ウェハを研削する粗研削砥石と、該粗研削砥石を回転させるスピンドルと、前記スピンドルを前記コラムに対して摺動可能に支持するガイドレールと、前記粗研削砥石を傾斜させる傾斜手段と、を備え、前記傾斜手段は、前記粗研削砥石と前記スピンドルとの間に介装されたチルトテーブルと、前記ガイドレールと前記チルトテーブルとの間に介装されて、鉛直方向に伸縮自在な2つの第2の可動支持部と、前記粗研削砥石を挟んで前記第2の可動支持部の反対側に配置されて、前記チルトテーブルの一部を鉛直方向に固定する第2の固定支持部と、を備えている加工装置を提供する。
 この構成によれば、第2の可動支持部と第2の固定支持部とが粗研削砥石を囲むように配置されることにより、第2の可動支持部が伸縮すると、粗研削砥石が第2の固定支持部を基準に傾斜するため、粗研削砥石がチャックに当接する傾きを調整し、複数のチャック間でのウェハの面内平坦度のばらつきを更に抑制することができる。
 請求項3記載の発明は、請求項2記載の加工装置を用いて研削加工を実施する前に行う加工装置のセッティング方法であって、前記精研削手段の精研削砥石で前記チャックのチャック面を平坦且つ前記チャックの回転軸に対して垂直に形成し、前記精研削砥石の回転軸に対して前記チャックの回転軸が所定範囲内に収まるように、前記第1の可動支持部で前記回転軸を傾斜させ、前記チャックの回転軸に対して前記粗研削砥石の回転軸が所定範囲内に収まるように、前記粗研削砥石の回転軸を傾斜させる加工装置のセッティング方法を提供する。
 この構成によれば、精研削手段の回転軸を基準にして複数のチャックの回転軸の傾きが設定された後に、チャックの回転軸を基準に粗研削砥石の回転軸の傾きが設定されることにより、複数のチャック間でのウェハの面内平坦度のばらつきを更に抑制することができる。
 本発明は、第1の可動支持部と第1の固定支持部とが、各チャックを囲むように配置されることにより、第1の可動支持部が伸縮すると、各チャックが第1の固定支持部を基準に傾斜して、各チャックのチルト角を個別に調整可能なため、複数のチャック間でのウェハの面内平坦度のばらつきを抑制することができる。さらに、第1の可動支持部がチャックに対してインデックステーブルの外周側に配置されることにより、第1の可動支持部のメンテナンスを行う作業員が加工装置の側方から第1の可動支持部にアクセスし易いため、メンテナンス作業を効率的に行うことができる。
本発明の一実施例に係る加工装置を示す斜視図。 図1に示す加工装置の正面図。 図1に示す加工装置の一部を省略した平面図。 図2のA-A線断面図。 図4中のB部を示す部分拡大図。 図1に示す粗研削手段を下方から視た斜視図。 図6に示す傾斜手段の縦断面拡大図。 図4中のC部を示す部分拡大図。 加工装置のセッティング方法の手順を示すフローチャート。
 本発明に係る加工装置は、複数のチャックにそれぞれ保持されたウェハを均一に研削するという目的を達成するために、保持手段の上方にコラムを跨設し、コラムに粗研削手段及び精研削手段を設け、保持手段に保持されたウェハを粗研削手段及び精研削手段で研削加工する加工装置であって、保持手段は、保持手段の回転軸回りに回転可能なインデックステーブルと、インデックステーブル上に回転軸を中心に同心円上に配置された複数のチャックと、チャックに対してインデックステーブルの径方向の外周側に配置され、インデックステーブルとチャックとの間に介装されて、鉛直方向に伸縮自在な2つの第1の可動支持部と、チャックに対してインデックステーブルの径方向の内周側に配置され、インデックステーブルにチャックの一部を鉛直方向に固定する第1の固定支持部と、を備えていることにより実現する。
 以下、本発明の一実施例に係る加工装置1について、図面に基づいて説明する。なお、以下の実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
 また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
 また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
 図1は、加工装置1の基本的構成を示す斜視図である。図2は、加工装置1の正面図である。図3(a)は、図1の第1のスピンドル52、第2のスピンドル62を省略した加工装置1を示す平面図である。図3(b)は、図3(a)のコラム4を省略した加工装置1の平面図である。図4は、図2のA-A線断面図である。図5は、図4中のB部を示す部分拡大図である。
 加工装置1は、並列に並べられた2つの砥石でウェハを連続的に研削加工する。加工装置1は、ウェハWを裏面研削して薄膜に形成する。加工装置1を用いて研削加工が施されるウェハWは、シリコンウェハ、シリコンカーバイドウェハ等の高硬度・高脆性を示すものが好適であるが、これらに限定されるものではない。加工装置1は、保持手段2と、保持手段2の上方に配置されたメインユニット3と、を備えている。
 保持手段2は、図示しないモータに連結された回転軸2a回りに回転可能なインデックステーブル21と、インデックステーブル21上に載置された3つのチャック22と、を備えている。
 チャック22は、回転軸2aを中心として円周上に120度の間隔を空けて配置されている。チャック22は、上面に埋設されたポーラス(多孔質)構造のセラミックから成る吸着体22aを備えている。チャック22内に形成された管路22bには、図示しない真空源に接続されており、チャック22上に載置されたウェハWを負圧で吸着する。チャック22は、図示しないモータに連結されており回転軸a1回りに回転可能である。チャック22の下方には、エアベアリング22cが設けられており、チャック22を滑らかに回転させることができる。
 保持手段2は、アライメントステージS1、粗研削ステージS2、精研削ステージS3に区画されている。チャック22の間には仕切板23が配置されており、各ステージで使用する加工液が隣接するステージに飛散することを抑制する。
 アライメントステージS1は、図示しない搬送装置等によってウェハWをチャック22上に搬送し、ウェハWを所定の位置に位置合わせするステージである。チャック22上に吸着保持されたウェハWは、粗研削ステージS2に送られる。
 粗研削ステージS2は、ウェハWが粗研削加工されステージである。粗研削加工されたウェハWは、精研削ステージS3に送られる。
 精研削ステージS3は、ウェハWが精研削加工されるステージである。精研削加工されたウェハWは、アライメントステージS1に送られ、図示しない搬送装置等によってチャック22から図示しないラック等に収容される。
 メインユニット3は、インデックステーブル2を跨ぐように配置されたアーチ状のコラム4と、粗研削ステージS2の上方でコラム4に取り付けられた粗研削手段5と、精研削ステージS3の上方でコラム4に取り付けられた精研削手段6と、を備えている。
 コラム4は、正面視でコ字状に形成された基部41と、基部41の中央から突設された中央柱部42と、を備え、平面視でE字状に形成されている。
 基部41は、粗研削ステージS2及び精研削ステージS3を跨ぐように設けられている。これにより、平面視で、アライメントステージS1はコラム4の側方に露出している。したがって、ウェハWをチャック22に搬送したりチャック22から搬出したりする際に、搬送装置等が、コラム4に干渉されることなくチャック22にアクセスすることができる。基部41は、インデックステーブル2の外周に立設された2本の支柱41aを連結することで基部41の剛性が増大されている。
 中央柱部42は、平面視で粗研削ステージS2と精研削ステージS3の間に配置されている。中央柱部42の下端は、インデックステーブル2の上方までに延伸されている。
 コラム4の前面4aには、鉛直方向Vに亘って凹設された溝4b、4cが並んで配置されている。溝4bには、粗研削手段5が収容されている。また、溝4cには、精研削手段6が収容されている。
 粗研削手段5は、粗研削砥石51と、粗研削砥石51が下端に取り付けられた第1のスピンドル52と、第1のスピンドル52を鉛直方向Vに昇降させる第1のスピンドル送り機構53と、を備えている。
 粗研削砥石51は、周方向に複数のカップ型砥石を下端に配置して構成されている。
 第1のスピンドル52は、粗研削砥石51を下端に取り付けたサドル52aと、サドル52a内に設けられて粗研削砥石51を回転させる図示しないモータと、を備えている。
 第1のスピンドル送り機構53は、サドル52aと後述する後方ガイド72とを連結し、第1のスピンドル52を鉛直方向Vに送る。なお、第1のスピンドル送り機構53には、第1のスピンドル52を送る昇降手段が省略されているが、昇降手段としては、例えば、モータ駆動のボールネジ等が考えられる。
 メインユニット3には、ウェハWの厚みを計測する図示しないインプロセスゲージが設けられている。インプロセスゲージが計測したウェハWの厚みが所望の値に達すると、第1のスピンドル送り機構53が駆動してサドル52aを上昇させることで、ウェハWと粗研削砥石51とが離間する。
 精研削手段6は、精研削砥石61と、精研削砥石61が下端に取り付けられた第2のスピンドル62と、第2のスピンドル62を鉛直方向Vに昇降させる第2のスピンドル送り機構63と、を備えている。なお、精研削手段6の基本的な構成は、粗研削手段5の基本的構成に対応するため、重複する説明を省略する。
 精研削砥石61は、周方向に複数のカップ型砥石を下端に配置して構成されている。
 第2のスピンドル62は、精研削砥石61を下端に取り付けたサドル62aと、サドル62a内に設けられて精研削砥石61を回転させる図示しないモータと、を備えている。
 第2のスピンドル送り機構63は、第1のスピンドル送り機構53と同様の構成であり、サドル62aと後述する後方ガイド82とを連結し、第2のスピンドル62を鉛直方向Vに送る。第2のスピンドル送り機構63の運転は、上述したインプロセスゲージが計測した膜厚に基づいて制御される。
 加工装置1には、第1のスピンドル52を鉛直方向Vに摺動可能に支持する第1のガイド7と、第2のスピンドル62を鉛直方向Vに摺動可能に支持する第2のガイド8と、が設けられている。
 第1のガイド7は、基部41及び中央柱部42の前面にそれぞれ1つずつ配置された前方ガイド71と、溝4bに配置された1つの後方ガイド72と、で構成される。前方ガイド71及び後方ガイド72は、例えば、リニアガイドである。前方ガイド71のスライダ71aには、サドル52aが直接取り付けられている。また、後方ガイド72には、第1のスピンドル送り機構53を介してサドル52aが取り付けられている。
 前方ガイド71及び後方ガイド72は、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。これにより、前方ガイド71及び後方ガイド72は、サドル52aを鉛直方向Vに沿って移動するように規制する。
 第2のガイド8は、基部41及び中央柱部42の前面にそれぞれ1つずつ配置された前方ガイド81と、溝4bに配置された1つの後方ガイド82と、で構成される。前方ガイド81及び後方ガイド82は、例えば、リニアガイドである。前方ガイド81には、サドル62aが直接取り付けられている。また、後方ガイド82には、第2のスピンドル送り機構63を介してサドル62aが取り付けられている。
 前方ガイド81と後方ガイド82とは、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。これにより、前方ガイド81及び後方ガイド82は、サドル62aを鉛直方向Vに沿って移動するように規制する。
 加工装置1の動作は、図示しない制御ユニットによって制御される。制御ユニットは、加工装置1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御ユニットは、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御ユニットの機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
 このように、加工装置1は、アライメントステージS1のチャック22に吸着保持されたウェハWを同一のチャック22に載置した状態で、粗研削ステージS2、精研削ステージS3の順に連続して送る。また、ウェハWを吸着保持するチャック22は、ベルトコンベヤ等の他のウェハ保持装置に比べて、高剛性に形成可能である。これにより、研削加工のスループットが向上すると共に、ウェハWを高品位に研削加工することができる。
 また、コラム4がインデックステーブル21より広径で高剛性に形成可能なため、ウェハWの研削加工中に生じた垂直抗力に起因する粗研削手段5及び精研削手段6の共振及び軸倒れが抑制され、ウェハWを高品位で研削加工することができる。
 次に、保持手段2について詳しく説明する。保持手段2は、図3(b)に示すように、チャック22の周囲に配置された2つの第1の可動支持部24及び1つの第1の固定支持部25を備えている。第1の可動支持部24は、チャック22に対してインデックステーブル21の径方向の外周側に配置されている。第1の固定支持部25は、チャック22に対してインデックステーブル21の径方向の内周側に配置されている。
 図5に示すように、第1の可動支持部24は、スライドブロック24aと、固定ブロック24bと、調整ネジ24cと、を備えている差動ネジ機構である。
 スライドブロック24aは、インデックステーブル21に接合されている。スライドブロック24aは、中心にネジ部24dが穿設されており、ネジ部24dのピッチは、例えば1.25mmに設定されている。
 固定ブロック24bは、チャック22を載置するチルトテーブル26に接合されている。固定ブロック24bは、中心にネジ部24eが穿設されており、ネジ部24eのピッチは、ネジ部24dより小さく、例えば1.00mmに設定されている。
 調整ネジ24cは、スライドブロック24aのネジ部25d及び固定ブロック24bのネジ部25eに螺入されている。調整ネジ24cは、図示しない駆動モータによって正転又は逆転する。調整ネジ24cが1回転すると、固定ブロック24aとスライドブロック24bのピッチ差(0.25mm)だけチャック22が昇降する。
 第1の固定支持部25は、チルトテーブル26をインデックステーブル21に締結するボルトである。
 このようにして、第1の可動支持部24がチルトテーブル26を昇降させると共に第1の固定支持部25がチルトテーブル26を鉛直方向Vに固定するため、2つの第1の可動支持部24の各伸縮量に応じて、チャック22の回転軸a1が粗研削砥石51の回転軸a2又は精研削砥石61の回転軸a3となす角度を制御することができる。
 次に、粗研削砥石51を傾斜させる傾斜手段9について、図6~8に基づいて説明する。図6は、粗研削砥石51を省略した粗研削手段5を下方から視た斜視図である。図7は、傾斜手段9の縦断面拡大図である。図8は、図4中のC部を示す部分拡大図である。
 傾斜手段9は、図6に示すように、粗研削砥石51の周囲に配置された2つの第2の可動支持部91及び1つの第2の固定支持部92を備えている。第2の可動支持部91は、粗研削砥石51に対して手前側に配置されている。第2の固定支持部92は、粗研削砥石51を挟んで第2の可動支持部91の反対側に配置されている。
 図7に示すように、第2の可動支持部91は、スライドブロック91aと、固定ブロック91bと、調整ネジ91cと、を備えている差動ネジ機構である。
 スライドブロック91aは、前方ガイド71のスライダ71aに接合されている。スライドブロック91aは、中心にネジ部91dが穿設されており、ネジ部91dのピッチは、例えば1.25mmに設定されている。
 固定ブロック91bは、チルトテーブル93に接合されている。固定ブロック91bは、中心にネジ部91eが穿設されており、ネジ部91eのピッチは、ネジ部91dより小さく、例えば1.00mmに設定されている。
 調整ネジ91cは、スライドブロック91aのネジ部91d及び固定ブロック91bのネジ部91eに螺入されている。調整ネジ91cは、図示しない駆動モータによって正転又は逆転する。調整ネジ91cが1回転すると、スライドブロック91aと固定ブロック91bのピッチ差(0.25mm)だけチルトテーブル93が昇降する。
 第2の固定支持部92は、図8に示すように、チルトテーブル93を第1のスピンドル送り機構53に締結するボルトである。なお、図8中の符号53aは、第1のスピンドル52を送る昇降手段としてのボールネジの下端である。
 このようにして、第2の可動支持部91がチルトテーブル93を昇降させると共に第2の固定支持部92がチルトテーブル93を鉛直方向Vに固定するため、2つの第2の可動支持部91の各伸縮量に応じて、粗研削砥石51の回転軸a2がチャック22の回転軸a1となす角度を制御することができる。
 次に、上述した加工装置1が研削加工を行う前に実施する加工装置1のセッティング方法の手順について、図9に基づいて説明する。図9は、加工装置1のセッティング方法の手順を示すフローチャートである。
 まず、精研削砥石61で3つのチャック22の表面(チャック面)22aをそれぞれ研削する(S1)。研削後のチャック面22aは、チャック22の回転軸a1に対して垂直になるように形成される。
 次に、各チャック22のチャック面22aの平坦度を計測し、第1の可動支持部24を駆動して、チャック22をそれぞれ傾斜させる(S2)。チャック面22aの平坦度は公知の計測手段によって測定される。制御ユニットには、チャック22と精研削砥石61との当接状態に応じた研削量とこの研削量に対応する第1の可動支持部24の伸縮量が予め記憶されており、チャック面22aの表面形状等に基づいて、チャック22を最適な角度で傾ける。
 次に、精研削砥石61が、チャック面22aを平坦に研削する(S3)。これにより、チャック面22aは、平坦且つチャック22の回転軸a1に対して垂直に形成される。
 次に、チャック22の回転軸a1と精研削砥石61の回転軸a3とがなす角度を計測し(S4)、チャック22の回転軸a1と精研削砥石61の回転軸a3とがなす角度を所定範囲(例えば、0.06°以内)に収まるように、第1の可動支持部24を伸縮させてチャック22を傾斜させる(S5)。
 次に、チャック22の回転軸a1と粗研削砥石51の回転軸a2とがなす角度を計測し(S6)、チャック22の回転軸a1と粗研削砥石51の回転軸a2とがなす角度が所定範囲(例えば、0.06°以内)に収まるように、第2の可動支持部91を伸縮させて粗研削砥石51を傾斜させる(S7)。
 このようにして、上述した加工装置1は、第1の可動支持部24と第1の固定支持部25とが、各チャック22を囲むように配置されることにより、第1の可動支持部24が伸縮すると、各チャック22が第1の固定支持部25を基準に傾斜して、各チャック22のチルト角を個別に調整可能なため、複数のチャック22間でのウェハWの面内平坦度のばらつきを抑制することができる
 なお、第1の可動支持部24及び第2の可動支持部91は、上述した差動ネジ機構に限定されるものではなく、如何なる構成であっても構わない。
 なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
 1 ・・・ 加工装置
 2 ・・・ 保持手段
 2a・・・ 回転軸
 21・・・ インデックステーブル
 22・・・ チャック
 22a・・・チャック面
 23・・・ 仕切板
 24・・・ 第1の可動支持部
 24a・・・スライドブロック
 24b・・・固定ブロック
 24c・・・調整ネジ
 25・・・ 第1の固定支持部
 3 ・・・ メインユニット
 4 ・・・ コラム
 4a・・・ 前面
 4b・・・ (粗研削手段を収容する)溝
 4c・・・ (精研削手段を収容する)溝
 41・・・ 基部
 41a・・・支柱
 42・・・ 中央柱部
 5 ・・・ 粗研削手段
 51・・・ 粗研削砥石
 52・・・ 第1のスピンドル
 53・・・ 第1のスピンドル送り機構
 6 ・・・ 精研削手段
 61・・・ 精研削砥石
 62・・・ 第2のスピンドル
 63・・・ 第2のスピンドル送り機構
 7 ・・・ 第1のガイド
 71・・・ 前方ガイド
 71a・・・スライダ
 72・・・ 後方ガイド
 8 ・・・ 第2のガイド
 81・・・ 前方ガイド
 82・・・ 後方ガイド
 9 ・・・ 傾斜手段
 91・・・ 第2の可動支持部
 91a・・・スライドブロック
 91b・・・固定ブロック
 91c・・・調整ネジ
 92・・・ 第2の固定支持部
 93・・・ チルトテーブル
 H ・・・ 水平方向
 S1・・・ アライメントステージ
 S2・・・ 粗研削ステージ
 S3・・・ 精研削ステージ
 V ・・・ 鉛直方向
 W ・・・ ウェハ
 

Claims (3)

  1.  保持手段の上方にコラムを跨設し、該コラムに粗研削手段及び精研削手段を設け、前記保持手段に保持された前記ウェハを前記粗研削手段及び精研削手段で研削加工する加工装置であって、
     前記保持手段は、
     該保持手段の回転軸回りに回転可能なインデックステーブルと、
     該インデックステーブル上に前記回転軸を中心に同心円上に配置された複数のチャックと、
     前記チャックに対して前記インデックステーブルの径方向の外周側に配置され、前記インデックステーブルと前記チャックとの間に介装されて、鉛直方向に伸縮自在な2つの第1の可動支持部と、
     前記チャックに対して前記インデックステーブルの径方向の内周側に配置され、前記インデックステーブルに前記チャックの一部を鉛直方向に固定する第1の固定支持部と、を備えていることを特徴とする加工装置。
  2.  前記粗研削手段は、前記ウェハを研削する粗研削砥石と、該粗研削砥石を回転させるスピンドルと、前記スピンドルを前記コラムに対して摺動可能に支持するガイドレールと、前記粗研削砥石を傾斜させる傾斜手段と、を備え、
     前記傾斜手段は、前記粗研削砥石と前記スピンドルとの間に介装されたチルトテーブルと、前記ガイドレールと前記チルトテーブルとの間に介装されて、鉛直方向に伸縮自在な2つの第2の可動支持部と、前記粗研削砥石を挟んで前記第2の可動支持部の反対側に配置されて、前記チルトテーブルの一部を鉛直方向に固定する第2の固定支持部と、を備えていることを特徴とする請求項1記載の加工装置。
  3.  請求項2記載の加工装置を用いて研削加工を実施する前に行う加工装置のセッティング方法であって、
     前記精研削手段の精研削砥石で前記チャックのチャック面を平坦且つ前記チャックの回転軸に対して垂直に形成し、
     前記精研削砥石の回転軸に対して前記チャックの回転軸が所定範囲内に収まるように、前記第1の可動支持部で前記回転軸を傾斜させ、
     前記チャックの回転軸に対して前記粗研削砥石の回転軸が所定範囲内に収まるように、前記粗研削砥石の回転軸を傾斜させることを特徴とする加工装置のセッティング方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020143267A1 (zh) * 2019-01-11 2020-07-16 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多载盘晶圆传送设备及传送系统及传送方法
JP2021115669A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 株式会社ディスコ 加工装置、及び加工装置に用いる支持部

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6754272B2 (ja) * 2016-10-24 2020-09-09 株式会社ディスコ 研削装置
JP7082505B2 (ja) 2018-03-12 2022-06-08 株式会社東京精密 加工装置
CN110682191A (zh) * 2019-05-21 2020-01-14 新昌县乐意工艺品有限公司 一种陶瓷工艺品制作用外表面精细磨光机
CN111390697B (zh) * 2020-05-14 2021-04-06 恩迪(山东)智能装备有限公司 一种钢化玻璃定型切割后自动化磨边机

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001653A (ja) * 2000-06-20 2002-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd 微調整装置
JP2004082291A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2008044079A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Nachi Fujikoshi Corp 傾き調整機構及びそれを用いた研削装置
JP2010172999A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2014069261A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2016132071A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社ディスコ 研削装置
JP2016155204A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社東京精密 研削加工装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW377467B (en) * 1997-04-22 1999-12-21 Sony Corp Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad
JP2000005988A (ja) * 1998-04-24 2000-01-11 Ebara Corp 研磨装置
JP2003007661A (ja) 1999-01-06 2003-01-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
JP2000254857A (ja) * 1999-01-06 2000-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
US6656818B1 (en) 1999-09-20 2003-12-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Manufacturing process for semiconductor wafer comprising surface grinding and planarization or polishing
JP4455750B2 (ja) * 2000-12-27 2010-04-21 株式会社ディスコ 研削装置
DE102004005702A1 (de) * 2004-02-05 2005-09-01 Siltronic Ag Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
US10173296B2 (en) * 2015-09-30 2019-01-08 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Grinding machine
WO2017094646A1 (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 株式会社東京精密 加工装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001653A (ja) * 2000-06-20 2002-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd 微調整装置
JP2004082291A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2008044079A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Nachi Fujikoshi Corp 傾き調整機構及びそれを用いた研削装置
JP2010172999A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2014069261A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP2016132071A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社ディスコ 研削装置
JP2016155204A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社東京精密 研削加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020143267A1 (zh) * 2019-01-11 2020-07-16 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 多载盘晶圆传送设备及传送系统及传送方法
JP2021115669A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 株式会社ディスコ 加工装置、及び加工装置に用いる支持部
JP7431048B2 (ja) 2020-01-27 2024-02-14 株式会社ディスコ 加工装置、及び加工装置に用いる支持部

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