WO2018025962A1 - 弾性表面波フィルタ、高周波モジュールおよびマルチプレクサ - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave filter, a high-frequency module using the surface acoustic wave filter, and the like.
  • the high-frequency module includes other components such as a low noise amplifier (LNA) at the subsequent stage or the front stage of the surface acoustic wave filter (see, for example, Patent Document 1).
  • LNA low noise amplifier
  • the impedance (output impedance) at the output end of the surface acoustic wave filter connected to the other component is the impedance at the input end of the other component.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter is adjusted to match (input impedance).
  • Adjustment of the output impedance of the surface acoustic wave filter is generally performed by changing the crossing width of the IDT (InterDigital Transducer) electrode, the pitch or logarithm of the electrode fingers in the resonator constituting the surface acoustic wave filter, and the capacitance of the IDT electrode. It is done by changing.
  • IDT InterDigital Transducer
  • the passband width is expanded while maintaining low loss characteristics. There was a problem that it was difficult to do.
  • an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter, a high-frequency module, and a multiplexer that can adjust the output impedance of the surface acoustic wave filter while realizing a wide band and low loss. .
  • a surface acoustic wave filter is a longitudinally coupled surface acoustic wave filter, wherein the surface acoustic wave filter is continuous in the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • Each of the plurality of resonators includes a pair of comb-shaped electrodes each having a bus bar electrode and a plurality of parallel electrode fingers connected to the bus bar electrode; The comb electrode is arranged such that the plurality of electrode fingers are alternately positioned in the surface acoustic wave propagation direction, and the first electrode connected to the output terminal of the surface acoustic wave filter among the plurality of resonators.
  • the resonator has four or more regions with different pitches of the electrode fingers, and the pitch of the electrode fingers is constant in each of the four or more regions, and the resonance of the four or more regions Child surface acoustic wave
  • the pitch of the electrode fingers in a region other than the pair of first regions is larger than the pitch of the electrode fingers in the pair of first regions arranged on both ends in the propagation direction, and the pair of first regions
  • the pitch of the electrode fingers in the second region adjacent to one of the two is different from the pitch of the electrode fingers in the third region adjacent to the other of the pair of first regions.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter can be moved in two or more directions. Thereby, the output impedance of the surface acoustic wave filter can be adjusted without reducing the passband width.
  • the pitch of the electrode fingers in the third region may be larger than the pitch of the electrode fingers in the second region.
  • the pitch of the electrode fingers in the second region may be larger than the pitch of the electrode fingers in the third region.
  • the four or more regions may be five regions.
  • the pitch of the electrode fingers in the fourth region arranged in the center of the five regions is the pitch of the electrode fingers in the second region and the pitch of the electrode fingers in the third region. It may be smaller than at least one of them.
  • the number of pairs of the electrode fingers in each of the regions other than the pair of first regions may be the same.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter can be moved in two or more directions on the Smith chart.
  • an aspect of the high-frequency module according to the present invention includes a surface acoustic wave filter having the characteristics described above, and a high-frequency wave connected to the surface acoustic wave filter and passed through the surface acoustic wave filter. And a low noise amplifier for amplifying the signal.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter can be adjusted in two or more directions, so that the output impedance can be adjusted without narrowing the pass bandwidth of the high frequency module.
  • an aspect of the multiplexer according to the present invention includes a plurality of surface acoustic wave filters having the above-described characteristics, and each of the plurality of surface acoustic wave filters is connected to a common terminal. Yes.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter in two or more directions, the output impedance can be adjusted without narrowing the passband width of the multiplexer.
  • a surface acoustic wave filter a high-frequency module, and a multiplexer that can adjust the output impedance of the surface acoustic wave filter without reducing the passband width.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic diagram illustrating a configuration of the surface acoustic wave filter according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 2B is a schematic diagram illustrating a specific example of the configuration of the surface acoustic wave filter illustrated in FIG. 2A.
  • 3A and 3B are schematic views showing a configuration of a general surface acoustic wave filter, in which FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the dashed line in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of one resonator of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to the comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 1 of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 2 of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 3 of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 4 of the first embodiment.
  • FIG. 11A is a diagram illustrating an output impedance characteristic of the surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 11B is a diagram illustrating pass characteristics of the surface acoustic wave filter according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 11C is a diagram illustrating pass characteristics of the surface acoustic wave filter according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 11D is a diagram illustrating pass characteristics of the surface acoustic wave filter according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 5 of the second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to Example 6 of the second embodiment.
  • each figure is a schematic diagram and is not necessarily shown strictly. In each figure, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted or simplified.
  • the number of electrode fingers in the resonator and the reflector is smaller than the actual number of electrode fingers.
  • the portion of the output impedance in the passband of the surface acoustic wave filter is indicated by a bold line.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a high-frequency module 1 according to the present embodiment.
  • the high-frequency module 1 includes a surface acoustic wave filter 10 and a low noise amplifier (LNA) 20.
  • the surface acoustic wave filter 10 is once connected to an antenna (not shown) and the other end is connected to the low noise amplifier 20.
  • the low noise amplifier 20 is an amplifier that amplifies a weak radio wave after reception without increasing noise as much as possible.
  • the input impedance refers to the impedance of the surface acoustic wave filter 10 when the surface acoustic wave filter 10 is viewed from the input terminal IN side of the high frequency module 1. That is, it means the SAW (Surface Acoustic Wave) input side impedance indicated by an arrow in FIG.
  • the output impedance refers to the impedance of the surface acoustic wave filter 10 when the surface acoustic wave filter 10 is viewed from a terminal (not shown) to which the low noise amplifier 20 that is the output destination of the high frequency signal is connected. That is, it means the SAW output side impedance indicated by an arrow in FIG.
  • the surface acoustic wave filter 10 is a longitudinally coupled surface acoustic wave filter. As shown in FIG. 2A, the surface acoustic wave filter 10 includes a resonator 13, a resonator 14, and a resonator 15, and a reflector 16 and a reflector 17 between the input terminal 11 and the output terminal 12. Yes.
  • the resonator 13, the resonator 14, and the resonator 15 are arranged in this order from the reflector 16 side to the reflector 17 side.
  • the resonator 13 has a configuration in which two IDT electrodes 13a and 13b are combined.
  • the IDT electrode 13 a of the resonator 13 is connected to the input terminal 11.
  • the IDT electrode 13b is connected to the ground.
  • the resonator 15 has a configuration in which two IDT electrodes 15a and 15b are combined.
  • the IDT electrode 15 a of the resonator 15 is connected to the input terminal 11.
  • the IDT electrode 15b is connected to the ground.
  • the resonator 14 disposed between the resonator 13 and the resonator 15 has a configuration in which two IDT electrodes 14a and 14b are combined.
  • the IDT electrode 14a of the resonator 14 is connected to the ground.
  • the IDT electrode 14 b is connected to the output terminal 12.
  • the reflector 16 is provided with a plurality of bus bar electrodes 16a and 16b, and between the bus bar electrode 16a and the bus bar electrode 16b, and electrode fingers 16c having both ends connected to the bus bar electrode 16a and the bus bar electrode 16b, respectively.
  • a plurality of reflectors 17 are provided between two bus bar electrodes 17a and 17b and between the bus bar electrode 17a and the bus bar electrode 17b, and electrode fingers having both ends connected to the bus bar electrode 17a and the bus bar electrode 17b, respectively. 17c.
  • FIG. 3A and 3B are schematic views showing a configuration of a general surface acoustic wave filter, in which FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the dashed line in FIG.
  • the resonator 100 includes a piezoelectric substrate 123 and an IDT electrode 101a and an IDT electrode 101b which are comb-shaped electrodes (comb-shaped electrodes).
  • the piezoelectric substrate 123 is made of, for example, a single crystal of LiNbO 3, which is cut at a predetermined cut angle. In the piezoelectric substrate 123, a surface acoustic wave propagates in a predetermined direction.
  • the IDT electrode 101a includes a plurality of electrode fingers 110a that are parallel to each other and a bus bar electrode 111a that connects the plurality of electrode fingers 110a.
  • the IDT electrode 101b includes a plurality of electrode fingers 110b that are parallel to each other and a bus bar electrode 111b that connects the plurality of electrode fingers 110b.
  • the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b are arranged such that a plurality of electrode fingers 110a and 110b are alternately positioned in the surface acoustic wave propagation direction. That is, the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b are configured such that each of the plurality of electrode fingers 110b of the IDT electrode 101b is disposed between each of the plurality of electrode fingers 110a of the IDT electrode 101a.
  • the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b have a structure in which an adhesion layer 124a and a main electrode layer 124b are laminated as shown in FIG.
  • the adhesion layer 124a is a layer for improving the adhesion between the piezoelectric substrate 123 and the main electrode layer 124b, and as a material, for example, NiCr is used.
  • the main electrode layer 124b may have a single layer structure composed of one layer, or may have a stacked structure in which a plurality of layers are stacked.
  • the protective layer 125 is formed so as to cover the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b.
  • the protective layer 125 is a layer for the purpose of protecting the main electrode layer 124b from the external environment, adjusting frequency temperature characteristics, and improving moisture resistance.
  • the protective layer 125 is a film containing, for example, silicon dioxide as a main component.
  • the protective layer 125 may have a single layer structure or a laminated structure.
  • the materials forming the adhesion layer 124a, the main electrode layer 124b, and the protective layer 125 are not limited to the materials described above. Furthermore, the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b do not have to have the above laminated structure.
  • the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b may be made of, for example, a metal or alloy such as Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, or Pd, and a plurality of layers made of the above metal or alloy may be used. You may be comprised by the laminated structure laminated
  • ⁇ shown in FIG. 3B is referred to as the pitch between the electrode finger 110a and the electrode finger 110b constituting the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b.
  • the wavelength is defined by the pitch ⁇ of the plurality of electrode fingers 110a and electrode fingers 110b constituting the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b.
  • the pitch ⁇ refers to the length from the center of the width of one electrode finger to the center of the width of the other electrode finger in adjacent electrode fingers connected to the same bus bar electrode. For example, in FIG.
  • W shown in FIG. 3B refers to the width of the electrode finger 110a of the IDT electrode 101a and the electrode finger 110b of the IDT electrode 101b in the resonator 100.
  • S shown in (b) of FIG. 3 refers to an interval between the electrode finger 110a and the electrode finger 110b.
  • L shown in FIG. 3A is the cross width of the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b, and is the length of the electrode finger where the electrode finger 110a of the IDT electrode 101a and the electrode finger 110b of the IDT electrode 101b overlap. I mean.
  • the logarithm means the number of electrode fingers 110a or 110b.
  • the structure of the resonator 100 is not limited to the structure described in (a) and (b) of FIG.
  • the resonator 13, the resonator 14, and the resonator 15 according to the present embodiment are not limited to the configuration described above.
  • the resonator 13, the resonator 14, and the resonator 15 may have configurations in which the pitches and logarithms of the electrode fingers are different as described below.
  • the resonator 14 connected to the output terminal 12 of the surface acoustic wave filter 10 is the reflector 17 from the reflector 16 side.
  • the reflector 17 is the reflector 17 from the reflector 16 side.
  • five regions 141 to 145 having different electrode finger pitches are provided.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the resonator 14 and shows a configuration in which regions are divided into regions having different pitches.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the resonator 14 more specifically.
  • the resonator 14 is adjacent to the first regions 141 and 145 disposed on both ends in the propagation direction of the surface acoustic wave in the resonator 14, and the first region 141.
  • the resonator 14 includes an IDT electrode 14a and an IDT electrode 14b as shown in FIG.
  • the IDT electrode 14a and the IDT electrode 14b correspond to comb-shaped electrodes in the present invention.
  • the IDT electrode 14a and the IDT electrode 14b form a pair of comb electrodes.
  • the IDT electrode 14a has a bus bar electrode 140a arranged in common in the regions 141 to 145.
  • the IDT electrode 14a has a plurality of electrode fingers 141a, 142a, 143a, 144a, and 145a, one end of which is connected to the bus bar electrode 140a in each of the regions 141 to 145.
  • the IDT electrode 14b has a bus bar electrode 140b arranged in common in the regions 141 to 145.
  • the IDT electrode 14b has a plurality of electrode fingers 141b, 142b, 143b, 144b, and 145b, one end of which is connected to the bus bar electrode 140b in each of the regions 141 to 145.
  • the pitch of the electrode fingers is different in the regions 141 to 145.
  • the first regions 141 and 145 are so-called narrow pitch regions where the pitch is narrower than other regions.
  • the second region, the third region, and the fourth region other than the narrow pitch region are so-called main pitch regions in which the pitch of the electrode fingers is larger than the pitch of the electrode fingers in the narrow pitch region.
  • the pitch of the electrode fingers in the first region 141 is ⁇ 1
  • the pitch of the electrode fingers in the second region 142 is ⁇ 2
  • the pitch of the electrode fingers in the fourth region 143 is ⁇ 3
  • the electrode finger pitch in the third region 144 is ⁇ 4
  • the electrode finger pitch in the first region 145 is ⁇ 5.
  • the relationship between the pitches of the electrode fingers in each region is as follows.
  • the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, and ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are larger than the electrode finger pitches ⁇ 1, ⁇ 5 in the first regions 141 and 145, respectively.
  • the electrode finger pitch ⁇ 2 in the second region 142 and the electrode finger pitch ⁇ 4 in the third region 144 are different.
  • the number of pairs of electrode fingers 142a and 142b in the second region 142 is three, and the number of pairs of electrode fingers 144a and 144b in the third region 144 is five.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 changes to the inductive side.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 changes to the capacitive side.
  • the electrode finger pitch ⁇ 3 in the fourth region 143 is smaller than at least one of the electrode finger pitch ⁇ 2 in the second region 142 and the electrode finger pitch ⁇ 4 in the third region 144.
  • ⁇ 3 0.09 ⁇ m.
  • the logarithm of the electrode fingers 143a and 143b in the fourth region 143 is two.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 changes to the capacitive side.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5, respectively, as an example.
  • the number of pairs of electrode fingers in each region of the resonator 14 is not limited to the number of pairs described above, and may be changed.
  • the resonator 13 adjacent to the resonator 14 has two regions 131 and 132 having different electrode finger pitches in order from the reflector 16 side to the reflector 17 side. That is, the region 132 is disposed on the center side of the surface acoustic wave filter 10, that is, at a position close to the resonator 14. The region 131 is disposed outside the surface acoustic wave filter 10, that is, on the side close to the reflector 16.
  • the pitch of the electrode fingers in the region 132 is formed smaller than the pitch of the electrode fingers in the region 131.
  • the region 132 is a so-called narrow pitch region.
  • the electrode finger pitch in the region 131 is 5.15 ⁇ m
  • the electrode finger pitch in the region 132 is 4.61 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers in the region 131 is 22, and the number of electrode fingers in the region 132 is 3.
  • the resonator 15 adjacent to the resonator 14 and disposed on the opposite side of the resonator 13 with respect to the resonator 14 has different electrode finger pitches in order from the reflector 16 side to the reflector 17 side 2. It has two areas 151 and 152. That is, the region 151 is disposed at the center side of the surface acoustic wave filter 10, that is, at a position close to the resonator 14. The region 152 is disposed outside the surface acoustic wave filter 10, that is, on the side close to the reflector 17.
  • the pitch of the electrode fingers in the region 151 is formed smaller than the pitch of the electrode fingers in the region 152.
  • the region 151 is a so-called narrow pitch region.
  • the pitch of the electrode fingers in the region 151 is 4.87 ⁇ m
  • the pitch of the electrode fingers in the region 152 is 5.12 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers in the region 151 is 5, and the number of electrode fingers in the region 152 is 20.
  • the pitch of the electrode fingers in the regions 132 and 151 may be the same as or different from that of the first region 141 or 145 in the resonator 14. Further, the pitch of the electrode fingers in the region 131 and the region 152 may be the same or different. Further, the number of pairs of electrode fingers in each region is not limited to the above-described number, and may be changed. For example, as will be described later, the number of pairs of electrode fingers in each region may be the same.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter 10 according to the comparative example.
  • the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, and ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are made the same, and the pitch of the same electrode finger is changed to small, medium, and large.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 will be described.
  • the pitch of the electrode fingers when the pitch of the electrode fingers is small, the pitch of the electrode fingers is 5.08 ⁇ m.
  • the pitch of the electrode fingers when the pitch of the electrode fingers is medium is 5.02 ⁇ m.
  • the pitch of the electrode fingers is 5.14 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5, respectively, as an example. At this time, the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 when the pitch of the electrode fingers is small, medium, and large is indicated by a broken line, an alternate long and short dash line, and a solid line, respectively.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 moves from the left to the right in the Smith chart shown in FIG. Yes. That is, it can be seen that the output impedance in the passband of the surface acoustic wave filter 10 increases as the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 is increased to small, medium, and large. Specifically, it can be seen that the real component of the output impedance increases.
  • the resistance of 4 can be increased by increasing the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143.
  • the output impedance characteristic of the surface acoustic wave filter 10 when the relationship between the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 of the resonator 14 is ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4.
  • the electrode finger pitches ⁇ 1 and ⁇ 5 in the first regions 141 and 145 are not changed from the values in the comparative example described above. That is, the electrode finger pitches ⁇ 1 and ⁇ 5 are smaller than the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, and ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143.
  • FIG. 7 is a diagram showing the output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter 10 according to this example.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is a broken line
  • the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is changed
  • the case where the pitch of the electrode fingers is changed into a different pitch by dividing the pitch of the electrode fingers into a plurality of regions Is shown by a solid line.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is a case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is not changed from the configuration when it is small. Further, the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is a case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is changed from when it is small to when it is inside.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5, respectively, as an example.
  • the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 is obtained when the pitch of the electrode fingers is not changed. Compared to the Smith chart shown in FIG. 7, it moves in the right direction and the upward direction. That is, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 moves in the upper right direction in the Smith chart, unlike the comparative example in which only the pitch of the electrode fingers is changed.
  • the output impedance within the pass band of the surface acoustic wave filter 10 has a large resistance by changing the pitch of the electrode fingers so that the relationship of the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 becomes ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4. And move to capacitive impedance.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted so that the resistance and capacitive impedance are increased.
  • the output impedance characteristic of the surface acoustic wave filter 10 when the relationship between the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 of the resonator 14 is ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4.
  • the electrode finger pitches ⁇ 1 and ⁇ 5 are the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, and ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143. Smaller than.
  • FIG. 8 is a diagram showing the output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to this example.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is indicated by a broken line
  • the case where only the pitch of the electrode fingers is changed a dashed line
  • the pitch of the electrode fingers is changed so as to be divided into a plurality of different areas. Is shown by a solid line.
  • the pitch of the electrode fingers is not changed and the case where only the pitch of the electrode fingers is changed are the same as in the case of the first embodiment.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4.
  • the number of pairs of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5 as an example, as in the first embodiment.
  • the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 is shown in FIG. 8 as compared with the case where the pitch of the electrode fingers is not changed. Move to the right in the Smith chart. At this time, the upward movement in the Smith chart is smaller than that in the first embodiment.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 has a large resistance by changing the pitch of the electrode fingers so that the relationship of the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 becomes ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4. It shows that it has become.
  • the shift to capacitive is weaker than in the case of Example 1.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted so that the resistance is large and the capacitive impedance is slightly increased.
  • FIG. 9 is a graph showing the output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to this example.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is a broken line
  • the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is a one-dot chain line
  • the pitch of the electrode fingers is changed so as to be divided into a plurality of different areas. Is shown by a solid line.
  • the pitch of the electrode fingers is not changed and the case where only the pitch of the electrode fingers is changed are the same as in the case of the first embodiment.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 2.
  • the number of pairs of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5 as an example, as in the first embodiment.
  • the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is higher in the Smith chart shown in FIG. 9 than when the pitch of the electrode fingers is not changed. Move to the right and down. That is, the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 moves in the lower right direction in the Smith chart, unlike the comparative example in which only the pitch of the electrode fingers is changed.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 has a large resistance by changing the pitch of the electrode fingers so that the relationship of the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 becomes ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 2. And move inductively.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted so that the resistance and inductive impedance are increased.
  • FIG. 10 is a diagram showing the output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter according to this example.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is indicated by a broken line
  • the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is changed, the alternate long and short dash line, and the pitch of the electrode fingers is changed so as to be divided into a plurality of different areas. Is shown by a solid line.
  • the pitch of the electrode fingers is not changed and the case where only the pitch of the electrode fingers is changed are the same as in the case of the first embodiment.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed in such a way that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 2.
  • the number of pairs of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is 3, 2, and 5 as an example, as in the first embodiment.
  • the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is higher in the Smith chart shown in FIG. 10 than when the pitch of the electrode fingers is not changed. Move to the right and down. That is, the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 moves in the lower right direction in the Smith chart, unlike the comparative example in which only the pitch of the electrode fingers is changed. At this time, the downward movement in the Smith chart is larger than that in the third embodiment.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted so that the resistance is large and the capacitive impedance is larger.
  • FIG. 11A is a diagram showing an output impedance characteristic of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is indicated by a broken line
  • the case where the crossing width of the electrode fingers is changed is changed, the alternate long and short dash line, and the pitch of the electrode fingers is changed to a different pitch by dividing the plurality of regions. Is shown by a solid line.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is a case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is not changed from the configuration when it is small.
  • the case where the cross width of the electrode fingers is changed is a case where only the cross width is changed from the configuration when the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is small.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 2.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 is smaller than when the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is small. Move to the right on the Smith chart.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is as shown in FIG. 11A compared to the case where the pitch of the electrode fingers is not changed. Move further to the right in the Smith chart shown.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 increases both when the crossing width of the electrode fingers is changed and when the pitch of the electrode fingers is changed to a different pitch by dividing the plurality of regions. To do.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is changed more greatly when the pitch of the electrode fingers is divided into a plurality of regions and changed to be different than when the cross width of the electrode fingers is changed. be able to.
  • FIGS. 11B to 11D are diagrams showing pass characteristics of the surface acoustic wave filter 10 according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 11C shows the pass characteristics of the surface acoustic wave filter 10 when mismatch loss is removed in order to make the change in bandwidth easier to understand.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is indicated by a broken line
  • the case where the cross width of the electrode fingers is changed is indicated by a one-dot chain line
  • the pitch of the electrode fingers is divided into a plurality of regions.
  • the change is indicated by a solid line.
  • the pitch of the electrode fingers is divided into a plurality of regions to be different pitches, the pitch of the electrode fingers is not changed, and the cross width of the electrode fingers is changed Compared to the case, the passband width of the surface acoustic wave filter 10 is widened. In particular, the passband on the low frequency side is widened so as to be easily understood when viewing FIG. 11C. Therefore, changing the pitch of the electrode fingers so as to have different pitches by dividing the plurality of regions is more effective for widening the band than changing the cross width of the electrode fingers.
  • the resonance frequency of the zeroth-order resonance mode and the resonance frequency of the second-order resonance mode of the surface acoustic wave filter 10 move to the low frequency side as shown in FIG. 11D.
  • the pass characteristics of the surface acoustic wave filter 10 when the pitch of the electrode fingers is divided into a plurality of regions and changed so as to be different from each other are as follows. Compared with the pass characteristic of the surface acoustic wave filter when the cross width of the finger is changed, the resonance frequency of the zeroth-order resonance mode moves to the low frequency side.
  • the pass bandwidth of the surface acoustic wave filter 10 is the same as that when the pitch of the electrode fingers is not changed and the cross width of the electrode fingers. Is larger than the pass characteristic of the surface acoustic wave filter when the value is changed.
  • both the resonance frequency of the zeroth-order resonance mode and the resonance frequency of the second-order resonance mode move to the low frequency side.
  • the resonance frequency of the secondary resonance mode moves to a lower frequency side than the resonance frequency of the zeroth resonance mode. Accordingly, since the interval between the resonance frequencies of the zeroth-order resonance mode and the second-order resonance mode is widened, the coupling between these resonance modes is weakened.
  • the surface acoustic wave filter 10 in the case where the pitch of the electrode fingers is changed so as to be different from each other by dividing into a plurality of regions passes.
  • the input impedance in the band deviates from the Smith chart center compared to the input impedance of the surface acoustic wave filter when the pitch of the electrode fingers is not changed and when the cross width of the electrode fingers is changed. It will be. That is, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 changes in the direction in which the resistance increases.
  • the output impedance can be changed while widening the passband width of the surface acoustic wave filter 10. That is, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted without deteriorating the pass characteristic of the surface acoustic wave filter 10.
  • the crossing width of the electrode fingers of the surface acoustic wave filter 10 is changed, it is better to divide the pitch of the electrode fingers into a plurality of regions and change the pitch so that the passing characteristics are better.
  • the output impedance can be adjusted.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted without deteriorating the pass characteristics of the surface acoustic wave filter 10.
  • the relationship between the electrode finger pitches ⁇ 2 and ⁇ 4 in the second region 142 and the third region 144 of the resonator 14 is set to ⁇ 2 ⁇ 4, so that the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is only a resistance. Instead of inductive impedance. Further, by setting the relationship between the pitches ⁇ 2 and ⁇ 4 of the electrode fingers to ⁇ 4 ⁇ 2, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be moved not only to the resistance but also to the capacitive impedance.
  • the surface acoustic wave filter 10. can be moved inductively.
  • the output impedance can be moved in two or more directions. That is, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted including resistance, capacitive and inductive impedance.
  • the resonator 14 is divided into five regions having different electrode finger pitches, but is not limited to five regions, and may be four regions or six or more regions. .
  • the pitch of the electrode fingers By setting the pitch of the electrode fingers to a different value for each of the five regions, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted more finely than in the case of using four regions.
  • the surface acoustic wave filter 10 includes three resonators, but the number of resonators is not limited to this and may be changed.
  • the surface acoustic wave filter may include five resonators.
  • the pitch of electrode fingers and the number of pairs of electrode fingers are not limited to those described above, and may be changed as appropriate.
  • the pitch of the electrode fingers in the fourth region may be smaller than the pitch of the electrode fingers in one of the second region and the third region, or smaller than the pitch of the electrode fingers in both regions. May be.
  • the high-frequency module 1 according to the present embodiment is different from the high-frequency module 1 according to the first embodiment in that the number of pairs of electrode fingers in each region other than the first region is the same.
  • the surface acoustic wave filter 10 in comparison with the surface acoustic wave filter 10 in Example 1 of the first embodiment described above.
  • the surface acoustic wave filter 10 in which the relationship between the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 of the resonator 14 is ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4 did.
  • the numbers of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are set to 3, 2, and 5 as an example. Note that the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 at this time was 3 and 8, respectively.
  • the relationship between the electrode finger pitches ⁇ 2, ⁇ 4, and ⁇ 3 in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 of the resonator 14 is expressed as ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4 (Example 5), ⁇ 2 As ⁇ 3 ⁇ 4 (Example 6), the output impedance when the number of pairs of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is the same will be described.
  • FIG. 12 is a diagram showing the output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter 10 according to this example.
  • a broken line when only the pitch of the electrode fingers is changed, an alternate long and short dash line, when the pitch of the electrode fingers is divided into a plurality of areas and changed to be different pitches Is shown by a solid line.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is the case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is not changed from the configuration when it is small as in the first embodiment. Further, the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is a case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is changed from when it is small to when it is inside.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is the same, for example, six. At this time, the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is the same, and the pitch between the electrode fingers is in a relationship of ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 moves in the upper right direction in the Smith chart shown in FIG. 12 as compared with the case where the pitch of the electrode fingers is not changed.
  • the output impedance within the pass band of the surface acoustic wave filter 10 has a large resistance by changing the pitch of the electrode fingers so that the relationship of the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 becomes ⁇ 3 ⁇ 2 ⁇ 4. And move to capacitive impedance.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 is smaller in comparison with the surface acoustic wave filter 10 in the first embodiment shown in FIG.
  • the output impedance in the passband of the surface acoustic wave filter 10 is slightly changed to an inductive impedance. This is because the number of electrode fingers in the fourth region 143 is increased from 2 to 3 and the number of electrode fingers in the third region 144 is decreased from 5 to 3, so that the output impedance in the pass band in the Smith chart is increased. It can be said that this shows a change that rotates to the left. In FIG. 12, since the winding of the output impedance in the Smith chart is widened, it can be said that the output impedance in the pass band tends to vary.
  • the output impedance within the pass band of the surface acoustic wave filter 10 can be finely adjusted by making the number of pairs of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 the same. Can do. Thereby, the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can be adjusted without deteriorating the pass characteristic of the surface acoustic wave filter 10.
  • FIG. 13 is a diagram showing output impedance characteristics of the surface acoustic wave filter 10 according to the present example.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is indicated by a broken line
  • the case where only the pitch of the electrode fingers is changed a dashed line
  • the pitch of the electrode fingers is changed so as to be divided into a plurality of different areas. Is shown by a solid line.
  • the case where the pitch of the electrode fingers is not changed is the case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is not changed from the configuration when it is small as in the first embodiment. Further, the case where only the pitch of the electrode fingers is changed is a case where the pitch of the electrode fingers shown in the comparative example is changed from when it is small to when it is inside.
  • the pitches of the electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 are ⁇ 2, ⁇ 4.
  • ⁇ 3 is changed so that the relationship between the pitches of the electrode fingers becomes ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is the same, and as an example, each is six. At this time, the number of electrode fingers in the first regions 141 and 145 is 3 and 8, respectively.
  • the number of electrode fingers in the second region 142, the third region 144, and the fourth region 143 is the same, and the pitch between the electrode fingers is in a relationship of ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4.
  • the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 moves in the right direction in the Smith chart shown in FIG. 13 as compared with the case where the pitch of the electrode fingers is not changed. This is because the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 has a large resistance by changing the pitch of the electrode fingers so that the relationship of the pitch of the electrode fingers of the resonator 14 becomes ⁇ 2 ⁇ 3 ⁇ 4. It shows that it becomes.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 according to the present example is smaller in overall change as in the case of Example 5 than the surface acoustic wave filter 10 in Example 2 shown in FIG.
  • the shift to capacitive is larger than the output impedance in the pass band of the surface acoustic wave filter 10 in the second embodiment. This is because the number of electrode fingers in the fourth region 143 is increased from 2 to 3 and the number of electrode fingers in the third region 144 is decreased from 5 to 3, so that the output impedance in the pass band in the Smith chart is increased. It can be said that this shows a change that rotates to the left.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 is balanced between capacitive and inductive properties. Can be adjusted. That is, in the Smith chart, the output impedance of the surface acoustic wave filter can be moved in two or more directions.
  • the output impedance of the surface acoustic wave filter 10 can also be adjusted by changing the logarithm of the electrode fingers.
  • the surface acoustic wave filter according to the above-described embodiment may be used for a high-frequency module.
  • the surface acoustic wave filter 10 may be connected to a low noise amplifier 20 that amplifies the high-frequency signal that has passed through the surface acoustic wave filter 10.
  • the surface acoustic wave filter according to the above-described embodiment may be used for a multiplexer.
  • the multiplexer has a plurality of surface acoustic wave filters, and each of the plurality of surface acoustic wave filters is connected to a common terminal.
  • the resonator is divided into five regions having different electrode finger pitches.
  • the region is not limited to five regions, and may be four regions or six or more regions. .
  • the surface acoustic wave filter 10 includes three resonators, but the number of resonators is not limited to this and may be changed.
  • the surface acoustic wave filter may include five resonators.
  • the pitch of electrode fingers and the number of pairs of electrode fingers are not limited to those described above, and may be changed as appropriate.
  • the pitch of the electrode fingers in the fourth region may be smaller than the pitch of the electrode fingers in one of the second region and the third region, or smaller than the pitch of the electrode fingers in both regions. May be.
  • the resonator arranged in the center portion among the three resonators used in the surface acoustic wave filter has four or more regions having different electrode finger pitches.
  • the present invention is not limited to this, and the resonator may have four regions, or the number of regions may be increased as long as the resonator includes three or more regions.
  • the number of resonators having three or more regions having different electrode finger pitches is not limited to one, and two resonators disposed at both ends of three resonators used in a surface acoustic wave filter. Also good.
  • the pitches of the electrode fingers in the corresponding regions of the two resonators may be the same or different.
  • the number of electrode fingers in each corresponding region of the two resonators may be the same or different.
  • the materials for the substrate, electrodes, protective layer, etc. constituting the resonator are not limited to those described above, and may be appropriately changed.
  • the pitch and logarithm of the electrode fingers of each resonator may be changed as long as the above-described conditions are satisfied.
  • the present invention can be used for high-frequency modules, duplexers, multiplexers, receivers, etc. using surface acoustic wave filters.

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Abstract

弾性表面波フィルタは、共振子（１３、１４、１５）を備え、共振子（１４）は、電極指のピッチが異なる４つ以上の領域を有し、４つ以上の領域のそれぞれでは電極指のピッチは一定であり、４つ以上の領域のうち、共振子の弾性表面波の伝搬方向の両端側に配置された第１の領域（１４１、１４５）における電極指のピッチよりも、第１の領域（１４１、１４５）以外の領域（１４２～１４４）における電極指のピッチは大きく、第１の領域（１４１）に隣接する第２の領域（１４２）における電極指のピッチと、第１の領域（１４５）に隣接する第３の領域（１４４）における電極指のピッチとは、異なっている。

Description

弾性表面波フィルタ、高周波モジュールおよびマルチプレクサ
　本発明は、弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタを用いた高周波モジュール等に関する。
　従来、移動体通信機器の回路モジュールとして、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）フィルタが使用された高周波モジュールが開発されている。近年の通信周波数帯域の広帯域化に伴い、高周波モジュールの受信感度の向上のため、受信回路モジュールには低損失かつ低雑音化の要求が高まっている。そのため、高周波モジュールは、弾性表面波フィルタの後段または前段に、低雑音増幅器（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）等の他の部品を備えている（例えば、特許文献１参照）。
　一般的に、高周波モジュールに他の部品が接続されている場合には、他の部品に接続された側の弾性表面波フィルタの出力端におけるインピーダンス（出力インピーダンス）が他の部品の入力端におけるインピーダンス（入力インピーダンス）に整合するように、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを調整する。
　弾性表面波フィルタの出力インピーダンスの調整は、一般的に、弾性表面波フィルタを構成する共振子におけるＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の交叉幅、電極指のピッチまたは対数等を変更してＩＤＴ電極の容量を変化させることにより行われている。
特開２００８－３０１２２３号公報
　しかし、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の交叉幅、電極指のピッチまたは対数等を変更することにより、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを調整する場合、低損失特性を維持しつつで通過帯域幅を拡大させることは難しいという問題が生じていた。
　上記課題に鑑み、本発明は、広帯域化、低損失化を実現しつつ、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを調整することができる弾性表面波フィルタおよび高周波モジュールおよびマルチプレクサを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明にかかる弾性表面波フィルタの一態様は、縦結合型の弾性表面波フィルタであって、前記弾性表面波フィルタは、弾性表面波の伝搬方向に連続して配置された複数の共振子を備え、前記複数の共振子のそれぞれは、バスバー電極と前記バスバー電極に接続された互いに平行な複数の電極指とを有する一対の櫛形電極を有し、一対の前記櫛形電極は、前記複数の電極指が前記弾性表面波伝搬方向に交互に位置するように配置されており、前記複数の共振子のうち前記弾性表面波フィルタの出力端子に接続された第１の共振子は、前記電極指のピッチが異なる４つ以上の領域を有し、前記４つ以上の領域のそれぞれでは前記電極指のピッチは一定であり、前記４つ以上の領域のうち、前記共振子の弾性表面波の伝搬方向の両端側に配置された一対の第１の領域における前記電極指のピッチよりも、前記一対の第１の領域以外の領域における前記電極指のピッチは大きく、前記一対の第１の領域の一方に隣接する第２の領域における前記電極指のピッチと、前記一対の第１の領域の他方に隣接する第３の領域における前記電極指のピッチとは、異なっている。
　これにより、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを、抵抗、容量性および誘導性のインピーダンスを含めて調整することができる。したがって、スミスチャートにおいて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることができる。これにより、通過帯域幅を狭小化させることなく、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを調整することができる。
　また、前記第３の領域における前記電極指のピッチは、前記第２の領域における前記電極指のピッチよりも大きくてもよい。
　これにより、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを、抵抗だけでなく誘導性のインピーダンスに移動させることができる。
　また、前記第２の領域における前記電極指のピッチは、前記第３の領域における前記電極指のピッチよりも大きくてもよい。
　これにより、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを、抵抗だけでなく容量性のインピーダンスに移動させることができる。
　また、前記４つ以上の領域とは、５つの領域であってもよい。
　これにより、電極指のピッチを４つの領域ごとに異なる値とする場合に比べて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスをより細かく調整することができる。
　また、前記５つの領域のうちの中央に配置された第４の領域における前記電極指のピッチは、前記第２の領域における前記電極指のピッチおよび前記第３の領域における前記電極指のピッチの少なくともいずれかよりも小さくてもよい。
　これにより、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを、誘導性に移動させることができる。
　また、前記一対の第１の領域以外の領域のそれぞれにおける前記電極指の対数は、同数であってもよい。
　これにより、電極指の対数が同数の場合であっても、スミスチャートにおいて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることができる。
　また、上記目的を達成するために、本発明にかかる高周波モジュールの一態様は、上述した特徴を有する弾性表面波フィルタと、前記弾性表面波フィルタに接続され、前記弾性表面波フィルタを通過した高周波信号を増幅する低雑音増幅器とを備える。
　これにより、スミスチャートにおいて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることで、高周波モジュールの通過帯域幅を狭小化させることなく、出力インピーダンスを調整することができる。
　また、上記目的を達成するために、本発明にかかるマルチプレクサの一態様は、上述した特徴を有する弾性表面波フィルタを複数備え、前記複数の弾性表面波フィルタのそれぞれは、共通端子に接続されている。
　これにより、スミスチャートにおいて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることで、マルチプレクサの通過帯域幅を狭小化させることなく、出力インピーダンスを調整することができる。
　本発明によれば、通過帯域幅を狭小化させることなく、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを調整することができる弾性表面波フィルタおよび高周波モジュールおよびマルチプレクサを提供することができる。
図１は、実施の形態１にかかる高周波モジュールの構成を示す概念図である。 図２Ａは、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの構成を示す概略図である。 図２Ｂは、図２Ａに示した弾性表面波フィルタの構成の具体例を示す概略図である。 図３は、一般的な弾性表面波フィルタの構成を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した一点鎖線における矢視断面図である。 図４は、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの構成を示す概略図である。 図５は、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの１つの共振子の構成を示す概略図である。 図６は、比較例にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図７は、実施の形態１における実施例１にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図８は、実施の形態１における実施例２にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図９は、実施の形態１における実施例３にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図１０は、実施の形態１における実施例４にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図１１Ａは、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図１１Ｂは、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの通過特性を示す図である。 図１１Ｃは、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの通過特性を示す図である。 図１１Ｄは、実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタの通過特性を示す図である。 図１２は、実施の形態２における実施例５にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。 図１３は、実施の形態２における実施例６にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。また、図示した電極構造では、本発明の理解を容易とするために、共振子および反射器における電極指の本数を実際の電極指の本数よりも少なく図示している。また、図示したスミスチャートでは、弾性表面波フィルタの通過帯域における出力インピーダンスの部分を太線で示している。
　（実施の形態１）
　以下、実施の形態について、図１～図１１Ｄを用いて説明する。
　［１．弾性表面波フィルタおよび高周波モジュールの構成］
　はじめに、本実施の形態にかかる高周波モジュール１の構成について説明する。図１は、本実施の形態にかかる高周波モジュール１の構成を示す概念図である。
　図１に示すように、本実施の形態にかかる高周波モジュール１は、弾性表面波フィルタ１０と低雑音増幅器（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）２０とを備えている。弾性表面波フィルタ１０は、一旦がアンテナ（図示せず）に接続され、他端が低雑音増幅器２０に接続されている。低雑音増幅器２０は、受信後の微弱な電波をできるだけ雑音を増加させずに増幅する増幅器である。
　なお、弾性表面波フィルタ１０において、入力インピーダンスとは、高周波モジュール１の入力端子ＩＮ側から弾性表面波フィルタ１０をみたときの弾性表面波フィルタ１０のインピーダンスのことをいう。つまり、図１に矢印で示したＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）入力側インピーダンスのことをいう。また、出力インピーダンスとは、高周波信号の出力先である低雑音増幅器２０が接続された端子（図示せず）から弾性表面波フィルタ１０をみたときの弾性表面波フィルタ１０のインピーダンスのことをいう。つまり、図１に矢印で示したＳＡＷ出力側インピーダンスのことをいう。
　弾性表面波フィルタ１０は、縦結合型の弾性表面波フィルタである。図２Ａに示すように、弾性表面波フィルタ１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に、共振子１３、共振子１４および共振子１５と、反射器１６および反射器１７とを備えている。共振子１３、共振子１４および共振子１５は、反射器１６側から反射器１７側へと、この順に配置されている。
　図２Ｂに示すように、共振子１３は、２つのＩＤＴ電極１３ａおよび１３ｂが組み合わされた構成をしている。共振子１３のＩＤＴ電極１３ａは、入力端子１１に接続されている。ＩＤＴ電極１３ｂは、グランドに接続されている。同様に、共振子１５は、２つのＩＤＴ電極１５ａおよび１５ｂが組み合わされた構成をしている。共振子１５のＩＤＴ電極１５ａは、入力端子１１に接続されている。ＩＤＴ電極１５ｂは、グランドに接続されている。また、共振子１３と共振子１５との間に配置された共振子１４は、２つのＩＤＴ電極１４ａおよび１４ｂが組み合わされた構成をしている。共振子１４のＩＤＴ電極１４ａは、グランドに接続されている。ＩＤＴ電極１４ｂは、出力端子１２に接続されている。
　また、反射器１６は、２つのバスバー電極１６ａおよびバスバー電極１６ｂと、バスバー電極１６ａとバスバー電極１６ｂとの間に複数設けられ、バスバー電極１６ａおよびバスバー電極１６ｂにそれぞれ両端が接続された電極指１６ｃとを備えている。同様に、反射器１７は、２つのバスバー電極１７ａおよびバスバー電極１７ｂと、バスバー電極１７ａとバスバー電極１７ｂとの間に複数設けられ、バスバー電極１７ａおよびバスバー電極１７ｂにそれぞれ両端が接続された電極指１７ｃとを備えている。
　ここで、共振子の構成について、一般的な共振子１００を用いてより詳細に説明する。図３は、一般的な弾性表面波フィルタの構成を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した一点鎖線における矢視断面図である。
　図３の（ａ）および（ｂ）に示すように、共振子１００は、圧電基板１２３と、櫛形形状を有する電極（櫛形電極）であるＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂとで構成されている。
　圧電基板１２３は、例えば、所定のカット角で切断されたＬｉＮｂＯ３の単結晶からなる。圧電基板１２３では、所定の方向に弾性表面波が伝搬する。
　図３の（ａ）に示すように、圧電基板１２３の上には、対向する一対のＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂが形成されている。ＩＤＴ電極１０１ａは、互いに平行な複数の電極指１１０ａと、複数の電極指１１０ａを接続するバスバー電極１１１ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極１０１ｂは、互いに平行な複数の電極指１１０ｂと、複数の電極指１１０ｂを接続するバスバー電極１１１ｂとで構成されている。ＩＤＴ電極１０１ａとＩＤＴ電極１０１ｂとは、互いの複数の電極指１１０ａおよび１１０ｂが弾性表面波伝搬方向に交互に位置するように配置されている。すなわち、ＩＤＴ電極１０１ａとＩＤＴ電極１０１ｂとは、ＩＤＴ電極１０１ａの複数の電極指１１０ａのそれぞれの間に、ＩＤＴ電極１０１ｂの複数の電極指１１０ｂのそれぞれが配置される構成となっている。
　また、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂは、図３の（ｂ）に示すように、密着層１２４ａと主電極層１２４ｂとが積層された構造となっている。
　密着層１２４ａは、圧電基板１２３と主電極層１２４ｂとの密着性を向上させるための層であり、材料としては、例えば、ＮｉＣｒが用いられる。
　主電極層１２４ｂは、材料として、例えば、Ｐｔが用いられる。主電極層１２４ｂは、１つの層で構成された単層構造であってもよいし、複数の層が積層された積層構造であってもよい。
　保護層１２５は、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂを覆うように形成されている。保護層１２５は、主電極層１２４ｂを外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層である。保護層１２５は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。保護層１２５は、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。
　なお、密着層１２４ａ、主電極層１２４ｂおよび保護層１２５を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂは、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂは、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属又は合金から構成されてもよく、また、上記の金属又は合金から構成される層が複数積層された積層構造で構成されてもよい。また、保護層１２５は、形成されていなくてもよい。
　ここで、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂの設計パラメータについて説明する。図３の（ｂ）に示すλは、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂを構成する電極指１１０ａおよび電極指１１０ｂのピッチという。弾性表面波フィルタにおいて、波長は、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂを構成する複数の電極指１１０ａおよび電極指１１０ｂのピッチλで規定される。ピッチλとは、詳細には、同一のバスバー電極に接続された隣り合う電極指において、一方の電極指の幅の中央から他方の電極指の幅の中央までの長さのことをいう。例えば、図３の（ｂ）では、バスバー電極１１１ａに接続された一の電極指１１０ａの幅の中央から、当該一の電極指１１０ａが接続されたバスバー電極１１１ａと同一のバスバー電極１１１ａに接続され、一の電極指１１０ａに隣り合う他の電極指１１０ａの幅の中央までの長さである。
　なお、図３の（ｂ）に示すＷは、共振子１００におけるＩＤＴ電極１０１ａの電極指１１０ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂの電極指１１０ｂの幅のことをいう。また、図３の（ｂ）に示すＳは、電極指１１０ａと電極指１１０ｂとの間隔のことをいう。また、図３の（ａ）に示すＬは、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂの交叉幅といい、ＩＤＴ電極１０１ａの電極指１１０ａとＩＤＴ電極１０１ｂの電極指１１０ｂとが重複する電極指の長さのことをいう。また、対数とは、電極指１１０ａまたは電極指１１０ｂの本数のことをいう。
　なお、共振子１００の構造は、図３の（ａ）および（ｂ）に記載された構造に限定されない。また、本実施の形態にかかる共振子１３、共振子１４および共振子１５は、上述した構成に限らない。共振子１３、共振子１４および共振子１５は、以下に示すように、電極指のピッチおよび対数がそれぞれ異なる構成であってもよい。
　図２Ａおよび図２Ｂに示した３つの共振子１３、共振子１４および共振子１５のうち、弾性表面波フィルタ１０の出力端子１２に接続された共振子１４は、反射器１６側から反射器１７側へと順に、電極指のピッチが異なる５つの領域１４１～１４５を有している。
　図４は、共振子１４の構成を示す概略図であり、ピッチの異なる領域ごとに領域を分割して構成を示している。図５は、共振子１４の構成をより具体的に示す概略図である。
　詳細には、共振子１４は、図４に示すように、共振子１４において弾性表面波の伝搬方向の両端側に配置された第１の領域１４１および１４５と、第１の領域１４１に隣接する第２の領域１４２と、第１の領域１４５に隣接する第３の領域１４４と、第２の領域１４２と第３の領域１４４との間の領域である第４の領域１４３とを有している。
　また、共振子１４は、図５に示すように、ＩＤＴ電極１４ａとＩＤＴ電極１４ｂとで構成されている。ＩＤＴ電極１４ａおよびＩＤＴ電極１４ｂは、本発明における櫛形電極に相当する。ＩＤＴ電極１４ａとＩＤＴ電極１４ｂとで、一対の櫛形電極を成している。
　ＩＤＴ電極１４ａは、領域１４１～１４５に共通して配置されたバスバー電極１４０ａを有している。また、ＩＤＴ電極１４ａは、領域１４１～１４５のそれぞれにおいてバスバー電極１４０ａに一端が接続された、複数の電極指１４１ａ、１４２ａ、１４３ａ、１４４ａおよび１４５ａを有している。
　同様に、ＩＤＴ電極１４ｂは、領域１４１～１４５に共通して配置されたバスバー電極１４０ｂを有している。また、ＩＤＴ電極１４ｂは、領域１４１～１４５のそれぞれにおいてバスバー電極１４０ｂに一端が接続された、複数の電極指１４１ｂ、１４２ｂ、１４３ｂ、１４４ｂおよび１４５ｂを有している。電極指のピッチは、領域１４１～１４５で異なっている。
　なお、第１の領域１４１および１４５は、他の領域よりもピッチが狭い、いわゆる狭ピッチ領域である。また、狭ピッチ領域以外の第２の領域、第３の領域および第４の領域は、電極指のピッチが狭ピッチ領域における電極指のピッチよりも大きい、いわゆるメインピッチ領域である。
　ここで、図５に示すように、第１の領域１４１における電極指のピッチをλ１、第２の領域１４２における電極指のピッチをλ２、第４の領域１４３における電極指のピッチをλ３、第３の領域１４４における電極指のピッチをλ４、第１の領域１４５における電極指のピッチをλ５とする。それぞれの領域における電極指のピッチの関係は、以下のとおりである。
　第２の領域１４２、第３の領域１４４および第４の領域１４３のそれぞれにおける電極指のピッチλ２、λ４およびλ３は、第１の領域１４１および１４５における電極指のピッチλ１、λ５よりも大きい。また、第２の領域１４２における電極指のピッチλ２と、第３の領域１４４における電極指のピッチλ４とは、異なっている。
　例えば、第２の領域１４２における電極指のピッチλ２は、第３の領域１４４における電極指のピッチλ４よりも小さい。つまり、λ２＜λ４の関係を満たすように、第２の領域１４２の電極指１４２ａおよび１４２ｂと第３の領域１４４の電極指１４４ａおよび１４４ｂが形成されている。一例として、λ２＝５.００μｍ、λ４＝５．２０μｍである。また、第２の領域１４２における電極指１４２ａおよび１４２ｂの対数は３、第３の領域１４４における電極指１４４ａおよび１４４ｂの対数は５である。
　これにより、後に詳述するように、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、誘導性側に変化する。
　なお、第２の領域１４２における電極指のピッチλ２と第３の領域１４４における電極指のピッチλ４との関係は、第３の領域１４４における電極指のピッチλ４が、第２の領域１４２における電極指のピッチλ２よりも小さいとしてもよい。つまり、λ４＜λ２の関係を満たすように、第２の領域１４２の電極指１４２ａおよび１４２ｂと第３の領域１４４の電極指１４４ａおよび１４４ｂを形成してもよい。一例として、λ２＝５．３０μｍ、λ４＝５．１４μｍとしてもよい。また、第２の領域１４２における電極指１４２ａおよび１４２ｂの対数を３、第３の領域１４４における電極指１４４ａおよび１４４ｂの対数を５としてもよい。
　これにより、後に詳述するように、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、容量性側に変化する。
　また、第４の領域１４３における電極指のピッチλ３は、第２の領域１４２における電極指のピッチλ２および第３の領域１４４における電極指のピッチλ４のすくなくともいずれかよりも小さい。一例として、λ３＝５．０９μｍである。また、第４の領域１４３における電極指１４３ａおよび１４３ｂの対数は２である。
　これにより、後に詳述するように、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、容量性側に変化する。
　なお、第１の領域１４１における電極指のピッチλ１と、第１の領域１４５における電極指のピッチλ５は、λ１＜λ２およびλ１＜λ４、並びに、λ５＜λ２およびλ５＜λ４の関係を満たしていれば、同一であってもよいし異なっていてもよい。一例として、λ１＝４．６９μｍ、λ５＝４．７７μｍである。また、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、一例として、それぞれ３、２、５である。
　なお、共振子１４の各領域における電極指の対数は、上述した対数に限らず、変更してもよい。
　また、共振子１４に隣接する共振子１３は、反射器１６側から反射器１７側へと順に、電極指のピッチが異なる２つの領域１３１および１３２を有している。つまり、領域１３２は、弾性表面波フィルタ１０における中央側、すなわち、共振子１４に近い位置に配置されている。領域１３１は、弾性表面波フィルタ１０における外側、すなわち、反射器１６に近い側に配置されている。
　領域１３２における電極指のピッチは、領域１３１における電極指のピッチよりも小さく形成されている。領域１３２は、いわゆる狭ピッチ領域である。例えば、領域１３１における電極指のピッチは５．１５μｍ、領域１３２における電極指のピッチは４．６１μｍである。また、領域１３１における電極指の対数は２２、領域１３２における電極指の対数は３である。
　また、共振子１４に隣接し、共振子１４に対して共振子１３と反対側に配置された共振子１５は、反射器１６側から反射器１７側へと順に、電極指のピッチが異なる２つの領域１５１および１５２を有している。つまり、領域１５１は、弾性表面波フィルタ１０における中央側、すなわち、共振子１４に近い位置に配置されている。領域１５２は、弾性表面波フィルタ１０における外側、すなわち、反射器１７に近い側に配置されている。
　領域１５１における電極指のピッチは、領域１５２における電極指のピッチよりも小さく形成されている。領域１５１は、いわゆる狭ピッチ領域である。例えば、領域１５１における電極指のピッチは４．８７μｍ、領域１５２における電極指のピッチは５．１２μｍである。また、領域１５１における電極指の対数は５、領域１５２における電極指の対数は２０である。
　なお、領域１３２および１５１における電極指のピッチは、共振子１４における第１の領域１４１または１４５と同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、領域１３１および領域１５２における電極指のピッチは、同一であってもよいし異なっていてもよい。また、各領域における電極指の対数は、上述した対数に限らず、変更してもよい。例えば、後述するように、各領域における電極指の対数は、同一であってもよい。
　［２．弾性表面波フィルタのインピーダンス特性］
　次に、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。以下では、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係を、λ３＜λ２＜λ４（実施例１）、λ２＜λ３＜λ４（実施例２）、λ３＜λ４＜λ２（実施例３）、λ４＜λ３＜λ２（実施例４）とするときの出力インピーダンスについて説明する。
　［２－１．比較例］
　はじめに、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタにおける出力インピーダンスについて理解を容易にするために、比較例にかかる弾性表面波フィルタ１０のインピーダンス特性について説明する。図６は、比較例にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性を示す図である。
　比較例として、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を同一とし、この同一の電極指のピッチを小、中、大と変更した場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスについて説明する。
　ここで、電極指のピッチが小のときの当該電極指のピッチは、５．０８μｍである。電極指のピッチが中のときの当該電極指のピッチは、５．０２μｍである。電極指のピッチが大のときの当該電極指のピッチは、５．１４μｍである。また、第１の領域１４１における電極指のピッチλ１は、λ１＝４．６９μｍ、第１の領域１４５における電極指のピッチλ５は、４．７７μｍである。また、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、一例として、それぞれ３、２、５である。また、このときの第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　なお、図６において、電極指のピッチを小、中、大の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを、それぞれ破線、一点鎖線、実線で示している。
　共振子１４の電極指のピッチを小、中、大と大きくするにつれて、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、図６に示すスミスチャートにおいて、左から右の方向に移動している。すなわち、共振子１４の電極指のピッチを小、中、大と大きくするにつれて、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、増加することがわかる。詳細には、出力インピーダンスの実数成分が増加することがわかる。
　つまり、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を増加することにより、４の抵抗を増加することができる。
　［２－２．実施例１］
　次に、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４である場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。なお、第１の領域１４１および１４５における電極指のピッチλ１およびλ５については、上述した比較例のときの値から変更しないものとする。つまり、電極指のピッチλ１およびλ５は、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３よりも小さい。
　図７は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性を示す図である。図７において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合とは、比較例に示した電極指のピッチを小の時の構成から変更していない場合である。また、電極指のピッチのみを変更した場合とは、比較例に示した電極指のピッチが小のときから中のときに変更した場合である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４となるように変更した場合である。例えば、λ３＜λ２＜λ４を満たす電極指のピッチとして、λ２＝５．００μｍ、λ３＝４．８０μｍ、λ４＝５．１９μｍとする。また、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、一例として、それぞれ３、２、５である。なお、このときの第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図７に示すように、電極指のピッチをλ３＜λ２＜λ４の関係となるように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図７に示したスミスチャートにおいて右の方向および上の方向に移動する。すなわち、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、スミスチャートにおいて、電極指のピッチのみを変更した比較例の場合とは異なり、右上の方向に移動する。
　これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなるとともに容量性のインピーダンスに移動することを示している。
　したがって、電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係がλ３＜λ２＜λ４となるように第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を変更することにより、抵抗および容量性のインピーダンスが大きくなるように弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　［２－３．実施例２］
　次に、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。なお、本実施例においても、実施例１と同様、電極指のピッチλ１およびλ５は、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３よりも小さい。
　図８は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。図８において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合および電極指のピッチのみを変更した場合については、実施例１の場合と同様である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４となるように変更した場合である。例えば、λ２＜λ３＜λ４を満たす電極指のピッチとして、λ２＝４．９０μｍ、λ３＝５．００μｍ、λ４＝５．１９μｍとする。なお、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、実施例１と同様、一例として、それぞれ３、２、５である。また、第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図８に示すように、電極指のピッチを上述のように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図８に示したスミスチャートにおいて右の方向に移動する。このとき、スミスチャートにおける上方向への移動は、実施例１の場合と比べて小さい。
　これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなっていることを示している。また、容量性への移動もあるものの、実施例１の場合よりも容量性への移動が弱くなっていることを示している。
　したがって、電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係がλ２＜λ３＜λ４となるように第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を変更することにより、抵抗が大きく、かつ、容量性のインピーダンスが若干大きくなるように弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　［２－４．実施例３］
　次に、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチの関係がλ３＜λ４＜λ２の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。なお、本実施例においても、実施例１と同様、電極指のピッチλ１およびλ５は、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３よりも小さい。
　図９は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。図９において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合および電極指のピッチのみを変更した場合については、実施例１の場合と同様である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ３＜λ４＜λ２となるように変更した場合である。例えば、λ３＜λ４＜λ２を満たす電極指のピッチとして、λ２＝５．２９μｍ、λ３＝５．０９μｍ、λ４＝５．１４μｍとする。なお、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、実施例１と同様、一例として、それぞれ３、２、５である。また、第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図９に示すように、電極指のピッチを上述のように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図９に示したスミスチャートにおいて右の方向および下の方向に移動する。すなわち、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、スミスチャートにおいて、電極指のピッチのみを変更した比較例の場合とは異なり、右下の方向に移動する。
　これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ３＜λ４＜λ２となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなるとともに誘導性に移動することを示している。
　したがって、電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係がλ３＜λ４＜λ２となるように第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を変更することにより、抵抗および誘導性のインピーダンスが大きくなるように弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　［２－５．実施例４］
　次に、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチの関係がλ４＜λ３＜λ２の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。なお、本実施例においても、実施例１と同様、電極指のピッチλ１およびλ５は、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３よりも小さい。
　図１０は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。図１０において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合および電極指のピッチのみを変更した場合については、実施例１の場合と同様である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ４＜λ３＜λ２となるように変更した場合である。例えば、λ４＜λ３＜λ２を満たす電極指のピッチとして、λ２＝５．２９μｍ、λ３＝５．１６μｍ、λ４＝５．１４μｍとする。なお、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数は、実施例１と同様、一例として、それぞれ３、２、５である。また、第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図１０に示すように、電極指のピッチを上述のように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図１０に示したスミスチャートにおいて右の方向および下の方向に移動する。すなわち、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、スミスチャートにおいて、電極指のピッチのみを変更した比較例の場合とは異なり、右下の方向に移動する。このとき、スミスチャートにおける下方向への移動は、実施例３の場合と比べて大きい。
　これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ４＜λ３＜λ２となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなるとともに、実施例３の場合よりも大きく誘導性に移動することを示している。
　したがって、電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係がλ４＜λ３＜λ２となるように第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を変更することにより、抵抗が大きく、かつ、容量性のインピーダンスがより大きくなるように弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　［３．弾性表面波フィルタの伝送特性］
　次に、弾性表面波フィルタ１０の伝送特性について説明する。以下では、共振子１４の電極指のピッチを変更しない場合、共振子１４の交叉幅を変更する場合、および、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更する場合について説明する。
　図１１Ａは、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタの出力インピーダンス特性を示す図である。図１１Ａにおいて、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指の交叉幅を変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合とは、比較例に示した電極指のピッチを小のときの構成から変更していない場合である。また、電極指の交叉幅を変更した場合とは、比較例に示した電極指のピッチが小のときの構成から交叉幅のみを変更した場合である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ３＜λ４＜λ２となるように変更した場合である。例えば、λ３＜λ４＜λ２を満たす電極指のピッチとして、λ２＝５．０７μｍ、λ３＝５．０２μｍ、λ４＝５．０６μｍとする。
　図１１Ａに示すように、電極指の交叉幅を変更した場合には、比較例に示した電極指のピッチを小としたときに比べて、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、スミスチャート上において右の方向に移動する。また、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図１１Ａに示したスミスチャートにおいてさらに右の方向に移動する。
　つまり、電極指の交叉幅を変更した場合も電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合も、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは増加する。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更する場合のほうが、電極指の交叉幅を変更する場合よりも、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスをより大きく変化させることができる。
　また、図１１Ｂ～図１１Ｄは、本実施の形態１にかかる弾性表面波フィルタ１０の通過特性を示す図である。なお、図１１Ｃは、帯域幅の変化を分かりやすくするために、不整合損失を除去したときの弾性表面波フィルタ１０の通過特性を示している。図１１Ｂ～図１１Ｄにおいて、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指の交叉幅を変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合、電極指のピッチを変更しない場合および電極指の交叉幅を変更した場合と比べて、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域幅は広がっている。特に、図１１Ｃを見ると分かり易いように、低周波側の通過帯域が広がっている。したがって、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更することは、電極指の交叉幅を変更するよりも広帯域化に有効である。
　これは、図１１Ｄに示すように、弾性表面波フィルタ１０の０次の共振モードの共振周波数および２次の共振モードの共振周波数が低周波側に移動するためである。図１１Ｄに示すように、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合の弾性表面波フィルタ１０の通過特性は、電極指のピッチを変更しない場合および電極指の交叉幅を変更した場合の弾性表面波フィルタの通過特性に比べて、０次の共振モードの共振周波数が低周波側に移動する。したがって、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域幅は、電極指のピッチを変更しない場合および電極指の交叉幅を変更した場合の弾性表面波フィルタの通過特性よりも拡大する。
　また、０次の共振モードの共振周波数および２次の共振モードの共振周波数の両方が低周波側に移動する。このとき、２次の共振モードの共振周波数のほうが０次の共振モードの共振周波数よりも低周波数側に移動する。したがって、０次の共振モードと２次の共振モードの共振周波数の間隔は広がるため、これらの共振モードの結合は弱まる。
　また、０次の共振モードと２次の共振モードの結合は弱まるため、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合の弾性表面波フィルタ１０では、通過帯域内における入力インピーダンスは、図１１Ａに示したように、電極指のピッチを変更しない場合および電極指の交叉幅を変更した場合の弾性表面波フィルタの入力インピーダンスと比べてスミスチャートの中心から外れることとなる。つまり、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、抵抗が増加する方向に変化する。
　このように、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域幅を広げつつ、出力インピーダンスを変更することができる。つまり、弾性表面波フィルタ１０の通過特性を劣化させることなく、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。また、弾性表面波フィルタ１０の電極指の交叉幅を変更する場合よりも、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更するほうが、より通過特性を良好に保ちながら出力インピーダンスを調整することができる。
　［４．効果等］
　以上、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ１０によると、弾性表面波フィルタ１０の通過特性を劣化させることなく、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　このとき、共振子１４の第２の領域１４２および第３の領域１４４における電極指のピッチλ２、λ４の関係を、λ２＜λ４とすることにより、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを、抵抗だけでなく誘導性のインピーダンスに移動させることができる。また、電極指のピッチλ２、λ４の関係を、λ４＜λ２とすることにより、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを、抵抗だけでなく容量性のインピーダンスに移動させることができる。
　また、共振子１４の第４の領域１４３における電極指のピッチλ３を、第２の領域１４２および第３の領域１４４における電極指のピッチλ２、λ４よりも小さくすることにより、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを、誘導性に移動させることができる。
　このように、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ１０によると、出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることができる。すなわち、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを、抵抗、容量性および誘導性のインピーダンスを含めて調整することができる。
　なお、本実施の形態では、共振子１４を電極指ピッチの異なる５つの領域に分割するとしたが、５つの領域に限らず、４つの領域でもよいし、６つ以上の領域であってもよい。電極指のピッチを５つの領域ごとに異なる値とすることにより、４つの領域とする場合に比べて、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスをより細かく調整することができる。
　また、本実施の形態では、弾性表面波フィルタ１０は共振子を３つ備える構成としたが、共振子の数はこれに限らず変更してもよい。例えば、弾性表面波フィルタは、５つの共振子を備えてもよい。
　また、電極指のピッチおよび電極指の対数は、上述したものに限らず適宜変更してもよい。また、第４の領域における電極指のピッチは、第２の領域および第３の領域のいずれか一方における電極指のピッチよりも小さくてもよいし、両方の領域における電極指のピッチよりも小さくてもよい。
　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態にかかる高周波モジュール１が実施の形態１にかかる高周波モジュール１と異なる点は、第１の領域以外の領域のそれぞれにおける電極指の対数が同数である点である。
　以下、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ１０について、上述した実施の形態１の実施例１における弾性表面波フィルタ１０と比較しながら説明する。なお、実施例１では、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４である弾性表面波フィルタ１０について説明した。実施例１における弾性表面波フィルタ１０では、電極指のピッチは、λ２＝５．００μｍ、λ３＝４．７９μｍ、λ４＝５．１９μｍとした。また、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の本数は、一例として、それぞれ３、２、５とした。なお、このときの第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本とした。
　以下では、共振子１４の第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３の関係を、λ３＜λ２＜λ４（実施例５）、λ２＜λ３＜λ４（実施例６）として、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数を同一とするときの出力インピーダンスについて説明する。
　［５．実施例５］
　まず、共振子１４における電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４であって、かつ、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数が同一の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。
　図１２は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性を示す図である。図１２において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合とは、実施例１と同様、比較例に示した電極指のピッチを小の時の構成から変更していない場合である。また、電極指のピッチのみを変更した場合とは、比較例に示した電極指のピッチが小のときから中のときに変更した場合である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４となるように変更した場合である。例えば、λ３＜λ２＜λ４を満たす電極指のピッチとして、λ２＝５．００μｍ、λ３＝４．７９μｍ、λ４＝５．１９μｍとする。また、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の本数は同一であり、一例として、それぞれ６本である。なお、このときの第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図１２に示すように、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の本数を同一にして、電極指のピッチをλ３＜λ２＜λ４の関係となるように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図１２に示したスミスチャートにおいて右上の方向に移動する。
　これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ３＜λ２＜λ４となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなるとともに容量性のインピーダンスに移動することを示している。
　また、本実施例にかかる弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、図７に示した実施例１における弾性表面波フィルタ１０と比較すると、全体的に変化が小さいものの、実施例１における弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスよりも、若干誘導性のインピーダンスへ変化している。これは、第４の領域１４３における電極指の対数を２から３に増加し、第３の領域１４４における電極指の対数を５から３に減少したことにより、スミスチャートにおいて通過帯域内における出力インピーダンスが左方向へ回転する変化を示したためであるといえる。なお、図１２において、スミスチャートにおける出力インピーダンスの巻きは広がっているため、通過帯域内における出力インピーダンスにばらつきが生じやすいともいえる。
　このように、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数を同数にすることにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスを微調整することができる。これにより、弾性表面波フィルタ１０の通過特性を劣化させることなく、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　［６．実施例６］
　次に、共振子１４における電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４であって、かつ、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数が同一の場合の弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性について説明する。
　図１３は、本実施例にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンス特性を示す図である。図１３において、電極指のピッチを変更しない場合を破線、電極指のピッチのみを変更した場合を一点鎖線、電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合を実線で示している。
　ここで、電極指のピッチを変更しない場合とは、実施例１と同様、比較例に示した電極指のピッチを小の時の構成から変更していない場合である。また、電極指のピッチのみを変更した場合とは、比較例に示した電極指のピッチが小のときから中のときに変更した場合である。電極指のピッチを複数の領域ごとに分割して異なるピッチとなるように変更した場合とは、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチλ２、λ４、λ３を、電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４となるように変更した場合である。例えば、λ２＜λ３＜λ４を満たす電極指のピッチとして、λ２＝４．８９μｍ、λ３＝５．００μｍ、λ４＝５．１９μｍとする。また、実施例５と同様、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の本数は同一であり、一例として、それぞれ６本である。なお、このときの第１の領域１４１および１４５における電極指の本数は、それぞれ３本および８本である。
　図１３に示すように、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の本数を同一にして、電極指のピッチをλ２＜λ３＜λ４の関係となるように変更した場合、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、電極指のピッチを変更しない場合に比べて、図１３に示したスミスチャートにおいて右の方向に移動する。これは、共振子１４の電極指のピッチの関係がλ２＜λ３＜λ４となるように電極指のピッチを変更することにより、弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスは、抵抗が大きくなることを示している。
　また、本実施例にかかる弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスは、図８に示した実施例２における弾性表面波フィルタ１０と比較すると、実施例５の場合と同様、全体的に変化が小さいものの、実施例２における弾性表面波フィルタ１０の通過帯域内における出力インピーダンスよりも容量性への移動が大きくなっている。これは、第４の領域１４３における電極指の対数を２から３に増加し、第３の領域１４４における電極指の対数を５から３に減少したことにより、スミスチャートにおいて通過帯域内における出力インピーダンスが左方向へ回転する変化を示したためであるといえる。つまり、電極指の対数を同数にすることにより、第３の領域１４４における電極指のピッチが示す誘導性のインピーダンスへの変化が小さくなる。なお、図１３において、スミスチャートにおける通過帯域内における出力インピーダンスの巻きは広がっているため、出力インピーダンスにばらつきが生じやすいともいえる。
　このように、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数を同数にすることにより、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを容量性および誘導性にバランスよく調整することができる。すなわち、スミスチャートにおいて、弾性表面波フィルタの出力インピーダンスを２以上の方向に移動させることができる。
　したがって、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指のピッチを変更することだけでなく、第２の領域１４２、第３の領域１４４、第４の領域１４３における電極指の対数を変更することによっても、弾性表面波フィルタ１０の出力インピーダンスを調整することができる。
　（その他の実施の形態）
　なお、本発明は、上述した実施の形態に記載した構成に限定されるものではなく、例えば以下に示す変形例のように、適宜変更を加えてもよい。
　例えば、上述した実施の形態にかかる弾性表面波フィルタは、高周波モジュールに用いられてもよい。このとき、図１に示したように、弾性表面波フィルタ１０は、弾性表面波フィルタ１０を通過した高周波信号を増幅する低雑音増幅器２０に接続されていてもよい。
　また、上述した実施の形態にかかる弾性表面波フィルタは、マルチプレクサに用いられてもよい。この場合、マルチプレクサは、複数の弾性表面波フィルタを有し、複数の弾性表面波フィルタのそれぞれは、共通端子に接続されている構成となっている。
　また、上述した実施の形態では、共振子を電極指ピッチの異なる５つの領域に分割するとしたが、５つの領域に限らず、４つの領域でもよいし、６つ以上の領域であってもよい。
　また、本実施の形態では、弾性表面波フィルタ１０は共振子を３つ備える構成としたが、共振子の数はこれに限らず変更してもよい。例えば、弾性表面波フィルタは、５つの共振子を備えてもよい。
　また、電極指のピッチおよび電極指の対数は、上述したものに限らず適宜変更してもよい。また、第４の領域における電極指のピッチは、第２の領域および第３の領域のいずれか一方における電極指のピッチよりも小さくてもよいし、両方の領域における電極指のピッチよりも小さくてもよい。
　また、上述した実施の形態では、弾性表面波フィルタに用いられる３つの共振子のうち中央部分に配置された共振子が、電極指のピッチの異なる４つ以上の領域を有するとした。しかし、これに限らず、当該共振子は、４つの領域を有してもよいし、３つ以上の領域を含む構成であればさらに領域数を多くしてもよい。
　また、電極指のピッチの異なる３つ以上の領域を有する共振子は１つに限らず、弾性表面波フィルタに用いられる３つの共振子のうちの両端に配置された２つの共振子であってもよい。この場合、２つの共振子の対応する各領域における電極指のピッチを同一にしてもよいし、異ならせてもよい。また、２つの共振子の対応する各領域における電極指の対数を同一にしてもよいし、異ならせてもよい。
　また、共振子を構成する基板、電極、保護層等の材料は、上述したものに限らず、適宜変更してもよい。また、各共振子の電極指のピッチおよび対数は、上述した条件をみたすものであれば変更してもよい。
　その他、上述の実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上述の実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、弾性表面波フィルタを用いた高周波モジュール、デュプレクサ、マルチプレクサ、受信装置等に利用することができる。
　１　高周波モジュール
　１０　弾性表面波フィルタ
　１１　入力端子
　１２　出力端子
　１３、１４、１５、１００　共振子
　１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂ、１０１ａ、１０１ｂ　ＩＤＴ電極
　１６、１７　反射器
　１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１１１ａ、１１１ｂ、１４０ａ、１４０ｂ　バスバー電極
　１１０ａ、１１０ｂ、１４１ａ、１４１ｂ、１４２ａ、１４２ｂ、１４３ａ、１４３ｂ、１４４ａ、１４４ｂ、１４５ａ、１４５ｂ　電極指
　１２３　圧電基板
　１２４ａ　密着層
　１２４ｂ　主電極層
　１２５　保護層
　１３１、１３２、１５１、１５２　領域
　１４１、１４５　第１の領域
　１４２　第２の領域
　１４３　第４の領域
　１４４　第３の領域

Claims (8)

  1. 　縦結合型の弾性表面波フィルタであって、
    　前記弾性表面波フィルタは、弾性表面波の伝搬方向に連続して配置された複数の共振子を備え、
    　前記複数の共振子のそれぞれは、バスバー電極と前記バスバー電極に接続された互いに平行な複数の電極指とを有する一対の櫛形電極を有し、
    　一対の前記櫛形電極は、互いの前記複数の電極指が前記弾性表面波伝搬方向に交互に位置するように配置されており、
    　前記複数の共振子のうち前記弾性表面波フィルタの出力端子に接続された第１の共振子は、前記電極指のピッチが異なる４つ以上の領域を有し、前記４つ以上の領域のそれぞれでは前記電極指のピッチは一定であり、
    　前記４つ以上の領域のうち、前記共振子の弾性表面波の伝搬方向の両端側に配置された一対の第１の領域における前記電極指のピッチよりも、前記一対の第１の領域以外の領域における前記電極指のピッチは大きく、
    　前記一対の第１の領域の一方に隣接する第２の領域における前記電極指のピッチと、前記一対の第１の領域の他方に隣接する第３の領域における前記電極指のピッチとは、異なっている、
    　弾性表面波フィルタ。
  2. 　前記第３の領域における前記電極指のピッチは、前記第２の領域における前記電極指のピッチよりも大きい、
    　請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
  3. 　前記第２の領域における前記電極指のピッチは、前記第３の領域における前記電極指のピッチよりも大きい、
    　請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
  4. 　前記４つ以上の領域とは、５つの領域である、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ。
  5. 　前記５つの領域のうちの中央に配置された第４の領域における前記電極指のピッチは、前記第２の領域における前記電極指のピッチおよび前記第３の領域における前記電極指のピッチの少なくともいずれかよりも小さい、
    　請求項４に記載の弾性表面波フィルタ。
  6. 　前記一対の第１の領域以外の領域のそれぞれにおける前記電極指の対数は、同数である、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタと、
    　前記弾性表面波フィルタに接続され、前記弾性表面波フィルタを通過した高周波信号を増幅する低雑音増幅器とを備える、
    　高周波モジュール。
  8. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタを複数備え、前記複数の弾性表面波フィルタのそれぞれは、共通端子に接続されている、
    　マルチプレクサ。
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