JP7464116B2 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7464116B2 JP7464116B2 JP2022526936A JP2022526936A JP7464116B2 JP 7464116 B2 JP7464116 B2 JP 7464116B2 JP 2022526936 A JP2022526936 A JP 2022526936A JP 2022526936 A JP2022526936 A JP 2022526936A JP 7464116 B2 JP7464116 B2 JP 7464116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- electrode
- film
- electrode fingers
- elastic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 steatite Chemical compound 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
- H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
2…圧電性基板
3A,3B,3C…IDT電極
4…第1のバスバー
5…第2のバスバー
6,7…第1,第2の電極指
8A,8B…反射器
9a,9b…第1,第2の質量付加膜
9c…質量付加膜
13…支持基板
14…高音速膜
15…低音速膜
16…圧電体層
19d,19e…第1,第2の主面
19f…側面
26,27…第1,第2の電極指
29b…第2の質量付加膜
36,37…第1,第2の電極指
36a,36b,37a,37b…幅広部
49a…第1の質量付加膜
51…弾性波装置
52…圧電性基板
59…質量付加膜
64…保護膜
74,75…第1,第2のバスバー
74a,75a…内側バスバー部
74b,75b…接続電極
74c,75c…外側バスバー部
74d,75d…開口部
A…交叉領域
B…中央領域
Ca,Cb…第1,第2のエッジ領域
Da,Db…第1,第2のギャップ領域
E,F…第1,第2のピッチ部
Ga,Gb…第1,第2の開口部形成領域
Claims (11)
- 圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に並んでおり、かつそれぞれ、一対のバスバーと、複数の電極指と、を有する複数のIDT電極と、
を備え、
少なくとも1つの前記IDT電極が、電極指ピッチが相対的に広い第1のピッチ部と、電極指ピッチが相対的に狭い第2のピッチ部と、を含み、
隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向における両側に配置されており、かつ前記複数の電極指の先端部をそれぞれ含む一対のエッジ領域と、を含み、
各前記IDT電極において、前記交叉領域と、前記一対のバスバーとの間に、一対のギャップ領域が配置されており、
前記複数の電極指の前記一対のエッジ領域に位置する部分と、平面視において重なるように設けられている複数の質量付加膜をさらに備え、
前記複数の質量付加膜が、前記第1のピッチ部に配置されている複数の第1の質量付加膜と、前記第2のピッチ部に配置されている複数の第2の質量付加膜と、を含み、
前記第1の質量付加膜が、平面視において、少なくとも1つの前記電極指と重なるように設けられており、
それぞれの前記第2の質量付加膜が、平面視において、1つの前記電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられており、
前記第1の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さが、前記第2の質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う長さよりも長い、弾性波装置。 - 前記第2のピッチ部における前記複数の電極指の、前記一対のエッジ領域における幅が前記中央領域における幅以下である、請求項1に記載の弾性波装置。
- それぞれの前記第1の質量付加膜が、平面視において、前記第1のピッチ部における前記複数の電極指、及び、前記複数の電極指間に位置する部分と重なるように設けられている、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- それぞれの前記第1の質量付加膜が、平面視において、1つの前記電極指と重なり、該電極指と隣接する電極指と重ならないように設けられている、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記第1の質量付加膜の前記複数の電極指が延びる方向に沿う長さと、前記第2の質量付加膜の前記複数の電極指が延びる方向に沿う長さとが同じである、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の電極指の前記圧電性基板側とは反対側に前記複数の質量付加膜が設けられている、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の質量付加膜がそれぞれ、前記IDT電極に接触している第1の主面と、前記第1の主面と対向している第2の主面と、前記第1の主面及び前記第2の主面に接続されている側面と、を有し、前記側面が前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜しており、
前記IDT電極及び前記複数の質量付加膜を覆うように、前記圧電性基板上に設けられている保護膜をさらに備え、
前記保護膜において、前記質量付加膜の前記側面を覆っている部分の厚みが、前記質量付加膜の前記第2の主面を覆っている部分の厚み、及び前記IDT電極を直接的に覆っている部分の厚みよりも薄い、請求項6に記載の弾性波装置。 - 前記複数の電極指と前記圧電性基板との間に前記複数の質量付加膜が設けられている、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極の前記一対のバスバーにそれぞれ、弾性波伝搬方向に沿って複数の開口部が設けられている、請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板は、支持基板と、高音速膜と、低音速膜と、圧電体層とが、この順序において積層された積層基板であり、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項1~9のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電性基板上における前記複数のIDT電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている反射器をさらに備える、縦結合共振子型弾性波フィルタである、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020092069 | 2020-05-27 | ||
JP2020092069 | 2020-05-27 | ||
PCT/JP2021/019015 WO2021241364A1 (ja) | 2020-05-27 | 2021-05-19 | 弾性波装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021241364A1 JPWO2021241364A1 (ja) | 2021-12-02 |
JPWO2021241364A5 JPWO2021241364A5 (ja) | 2023-01-24 |
JP7464116B2 true JP7464116B2 (ja) | 2024-04-09 |
Family
ID=78744643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022526936A Active JP7464116B2 (ja) | 2020-05-27 | 2021-05-19 | 弾性波装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230071909A1 (ja) |
JP (1) | JP7464116B2 (ja) |
KR (1) | KR20220160662A (ja) |
CN (1) | CN115668768A (ja) |
WO (1) | WO2021241364A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018131952A1 (de) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustischer Resonator mit unterdrückter Anregungtransversaler Spaltmoden und verringerten transversalen Moden |
WO2023234144A1 (ja) * | 2022-05-30 | 2023-12-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186808A (ja) | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Triquint Semiconductor Inc | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
WO2015182522A1 (ja) | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US20170155373A1 (en) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers |
WO2018025962A1 (ja) | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、高周波モジュールおよびマルチプレクサ |
WO2018116680A1 (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
WO2018123657A1 (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ |
WO2020045442A1 (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びラダー型フィルタ |
WO2020100744A1 (ja) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261370A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
JP4583243B2 (ja) | 2005-05-27 | 2010-11-17 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波共振器および弾性表面波装置並びに通信装置 |
WO2017110586A1 (ja) | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2021
- 2021-05-19 KR KR1020227037783A patent/KR20220160662A/ko unknown
- 2021-05-19 JP JP2022526936A patent/JP7464116B2/ja active Active
- 2021-05-19 CN CN202180037473.7A patent/CN115668768A/zh active Pending
- 2021-05-19 WO PCT/JP2021/019015 patent/WO2021241364A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-11-16 US US17/987,926 patent/US20230071909A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186808A (ja) | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Triquint Semiconductor Inc | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
WO2015182522A1 (ja) | 2014-05-26 | 2015-12-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US20170155373A1 (en) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers |
WO2018025962A1 (ja) | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、高周波モジュールおよびマルチプレクサ |
WO2018116680A1 (ja) | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
WO2018123657A1 (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ |
WO2020045442A1 (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びラダー型フィルタ |
WO2020100744A1 (ja) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115668768A (zh) | 2023-01-31 |
WO2021241364A1 (ja) | 2021-12-02 |
KR20220160662A (ko) | 2022-12-06 |
US20230071909A1 (en) | 2023-03-09 |
JPWO2021241364A1 (ja) | 2021-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6819834B1 (ja) | 弾性波装置 | |
US10009009B2 (en) | Elastic wave device including electrode fingers with elongated sections | |
US9035725B2 (en) | Acoustic wave device | |
JPWO2020100744A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US20220029601A1 (en) | Acoustic wave device | |
JP7464116B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP7268747B2 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2023002858A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2020250572A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2019194140A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US11996828B2 (en) | Filter device | |
US20230155569A1 (en) | Acoustic wave device | |
US20230143523A1 (en) | Acoustic wave device | |
WO2023002823A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2022202916A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2021220936A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US20230163749A1 (en) | Acoustic wave device | |
WO2022059586A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2021220974A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024085062A1 (ja) | 弾性波装置及び弾性波素子 | |
WO2020080463A1 (ja) | 弾性波装置、帯域通過型フィルタ、デュプレクサ及びマルチプレクサ | |
CN117981220A (zh) | 弹性波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7464116 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |