CN107689784B - 高频模块 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够实现低损耗化以及低噪声化双方的高频模块。高频模块(1)具备：纵耦合型的声表面波滤波器(10)；和连接于声表面波滤波器(10)的低噪声放大器(20)，连接至低噪声放大器(20)的声表面波滤波器(10)的输入阻抗与输出阻抗不同，在史密斯圆图中，声表面波滤波器(10)的通带中的输出阻抗存在于低噪声放大器(20)的增益最大时的声表面波滤波器(10)的输出阻抗即第1输出阻抗与低噪声放大器(20)的噪声指数最小时的声表面波滤波器(10)的输出阻抗即第2输出阻抗之间的区域。

Description

高频模块

技术领域

本发明涉及高频模块。

背景技术

以往，作为移动体通信设备的电路模块，开发了使用声表面波(Surface AcousticWave：SAW)滤波器的高频模块。伴随着近年来的通信频带的宽频带化，为了高频模块的接收灵敏度的提高，接收电路模块中，低损耗并且低噪声化的要求提高。因此，在高频模块中，在声表面波滤波器的后级或者前级具备其他部件(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1所述的高频模块中，在声表面波滤波器的后级连接低噪声放大器(Low Noise Amplifier：LNA)。一般地，为了在高频模块中提高噪声特性，调整声表面波滤波器的输出阻抗，以使得连接于低噪声放大器的一侧的声表面波滤波器的输出端中的阻抗(输出阻抗)与低噪声放大器的输入端中的阻抗(输入阻抗)匹配。

一般地，声表面波滤波器的输出阻抗的调整通过对构成声表面波滤波器的谐振器中的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极的交叉宽度、或者IDT电极中的电极指的对数进行变更来进行。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2008-301223号公报

但是，在通过变更IDT电极的交叉宽度来调整声表面波滤波器的输出阻抗的情况下，由于在交叉宽度较大时构成IDT电极的电极指的电阻变大，因此信号损耗变大。此外，由于在交叉宽度较小时，IDT电极中产生衍射损耗，因此信号损耗变大。因此，在变更IDT电极的交叉宽度来实现声表面波滤波器的低噪声化的情况下，难以实现高频模块的低损耗化。

此外，在通过变更IDT电极中的电极指的对数来调整声表面波滤波器的输出阻抗的情况下，由于在电极指的对数较大时，声表面波滤波器的频带的形成所需的谐振模式的间隔变窄，因此声表面波滤波器的通带宽度变窄。此外，由于在电极指的对数较小时，该谐振模式的间隔变宽，电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio：VSWR)的特性劣化，信号损耗变大。因此，在变更IDT电极中的电极指的对数来实现声表面波滤波器的低噪声化的情况下，也难以实现高频模块的低损耗化。

发明内容

鉴于上述课题，本发明的目的在于，提供一种能够提高低损耗化以及低噪声化这两方的高频模块。

为了实现上述目的，本发明所涉及的高频模块的一方式具备：纵耦合型的声表面波滤波器，具备多个谐振器；和低噪声放大器，连接于所述声表面波滤波器，对通过所述声表面波滤波器的高频信号进行放大，连接至所述低噪声放大器的所述声表面波滤波器的输入阻抗与输出阻抗不同，在史密斯圆图中，所述声表面波滤波器的通带中的所述输出阻抗存在于所述低噪声放大器的增益最大时的所述声表面波滤波器的输出阻抗即第1输出阻抗与所述低噪声放大器的噪声指数最小时的所述声表面波滤波器的输出阻抗即第2输出阻抗之间的区域。

由此，由于在史密斯圆图中，将声表面波滤波器的输出阻抗调整到低噪声放大器的增益最大时的声表面波滤波器的输出阻抗与低噪声放大器的噪声指数最小时的声表面波滤波器的输出阻抗之间，因此能够实现声表面波滤波器以及高频模块的低损耗化以及低噪声化这两方。

此外，也可以所述声表面波滤波器具有用于在史密斯圆图中，将所述声表面波滤波器的通带中的所述输出阻抗调整到所述区域的电极参数。

由此，通过在声表面波滤波器中调整电极参数，能够实现低损耗化以及低噪声化这两方。

此外，也可以连接至所述声表面波滤波器的输出端子的至少一个所述谐振器的IDT电极具有抽取电极，所述电极参数是所述抽取电极的根数。

由此，通过调整抽取电极的根数，能够对形成有抽取电极的谐振器的电容性的阻抗进行调整。因此，能够对声表面波滤波器的输出阻抗进行调整。

此外，也可以所述抽取电极被设置于所述谐振器的中央部分。

由此，通过在对谐振模式影响少的谐振器的中央部分设置抽取电极，能够实现声表面波滤波器的低损耗化。

此外，也可以所述抽取电极被设置于所述谐振器的中央部分的46％的范围。

由此，通过在对谐振模式影响少的谐振器的中央部分的规定区域设置抽取电极，能够进一步实现声表面波滤波器的低损耗化。

此外，也可以连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器的IDT电极在交叉宽度方向被分割，所述电极参数是所述IDT电极的交叉宽度方向的分割数。

由此，能够在不受到基于IDT电极被分割的谐振器的衍射损耗的影响的情况下，对声表面波滤波器的输出阻抗进行调整。

此外，也可以所述电极参数是连接至所述声表面波滤波器的输入端子的所述谐振器中的主波长的平均值即第1主波长、和连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器中的主波长的平均值即第2主波长，所述第1主波长与所述第2主波长不同。

由此，能够使声表面波滤波器的输出阻抗从50Ω变更。因此，能够对声表面波滤波器的输出阻抗进行变更，使声表面波滤波器与低噪声放大器的阻抗匹配。

此外，也可以所述电极参数是连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器中的主波长的平均值即第2主波长相对于连接至所述声表面波滤波器的输入端子的所述谐振器中的主波长的平均值即第1主波长之比即主波长比，所述主波长比是1.01以上。

由此，能够使声表面波滤波器的输出阻抗高于50Ω。因此，能够使声表面波滤波器与低噪声放大器的阻抗更加匹配。

此外，也可以所述电极参数是连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器中的主占空比，所述主占空比大于0.55并且小于0.75。

由此，通过对连接至声表面波滤波器的输出端子的谐振器的主占空比进行增减，能够对声表面波滤波器的输出阻抗进行增减。此外，由于能够使声表面波滤波器的输出阻抗从50Ω变更，能够对声表面波滤波器的输出阻抗进行变更，使声表面波滤波器与低噪声放大器的阻抗匹配。

此外，也可以在所述声表面波滤波器中，连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器的IDT电极与所述声表面波滤波器的输出端子之间的布线形成于在基板上形成的层间绝缘膜上。

由此，通过减小布线与基板的电容耦合，能够将声表面波滤波器的输出阻抗向感应性的阻抗调整。

此外，也可以连接至所述声表面波滤波器的输出端子的所述谐振器的IDT电极具有：形成于基板上的第1电极层、和形成于所述第1电极层上的第2电极层，配置有所述层间绝缘膜的位置处的所述布线由所述第1电极层和所述第2电极层构成。

由此，由于布线与基板的电容耦合的减少宽度较小，因此能够以较小的调整量将声表面波滤波器的输出阻抗向感应性的阻抗调整。

此外，也可以配置有所述层间绝缘膜的位置处的所述布线取代所述第1电极层而具有所述层间绝缘膜。

由此，由于能够更加减小布线与基板的电容耦合，因此能够将声表面波滤波器的输出阻抗更加向感应性侧调整。

根据本发明，能够提供一种能够实现低损耗化以及低噪声化这两方的高频模块。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的构成的概念图。

图2A是表示实施方式1所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。

图2B是表示图2A所示的声表面波滤波器的构成的基本构成的概略图。

图3是表示一般的声表面波滤波器的构成的概略图，(a)是俯视图，(b)是(a)所示的点划线处的箭头方向的剖视图。

图4是表示实施方式1所示的声表面波滤波器的构成的详细的概略图。

图5是表示在实施方式1所涉及的声表面波滤波器中，抽取电极为1根时的谐振器的构成的概略图。

图6A是表示在实施方式1所涉及的声表面波滤波器中，抽取电极为2根时的谐振器的构成的概略图。

图6B是表示在实施方式1所涉及的声表面波滤波器中，抽取电极为3根时的谐振器的构成的概略图。

图7是表示实施方式1所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图8是用于对实施方式1所涉及的声表面波滤波器中，设置抽取电极位置进行说明的、表示谐振器的构成的概略图。

图9是表示实施方式1所涉及的声表面波滤波器中，设置抽取电极的位置与声表面波滤波器的输出端子侧的信号损耗的关系的图。

图10是用于对实施方式1所涉及的声表面波滤波器的输出阻抗的调整方法进行说明的图。

图11A是表示对实施方式1所涉及的声表面波滤波器的输出阻抗进行调整时的声表面波滤波器的通过特性的图。

图11B是表示对实施方式1所涉及的声表面波滤波器的输出阻抗进行调整时的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图11C是表示对实施方式1所涉及的声表面波滤波器的输出阻抗进行调整时的高频模块的通过特性的图。

图12A是表示实施方式2所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。

图12B是表示实施方式2所涉及的声表面波滤波器中，谐振器的构成的概略图。

图13是表示实施方式2所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图14A是表示实施方式2所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的通过特性的图。

图14B是表示具有实施方式2所涉及的声表面波滤波器的高频模块整体的输出端子侧的噪声特性的图。

图15是表示实施方式3所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。

图16A是表示实施方式3所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图16B是表示实施方式3所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的通过特性的图。

图17是表示实施方式3所涉及的声表面波滤波器的另一构成的概略图。

图18A是表示实施方式3所涉及的他的构成的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图18B是表示实施方式3所涉及的他的构成的声表面波滤波器的输出端子侧的通过特性的图。

图19是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。

图20A是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图20B是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的通过特性的图。

图21是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的另一构成的概略图。

图22A是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图22B是表示实施方式4所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的通过特性的图。

图23是表示实施方式5所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。

图24A是表示图23所示的声表面波滤波器的B-B线处的构成的剖视图。

图24B是表示图23所示的声表面波滤波器的C-C线处的构成的剖视图。

图25A是表示实施方式5所涉及的他的构成的声表面波滤波器的输出端子侧的反射特性的图。

图25B是表示实施方式5所涉及的声表面波滤波器的输出端子侧的噪声特性的图。

图26是表示图23所示的声表面波滤波器的C-C线处的另一构成的剖视图。

-符号说明-

1高频模块 10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g声表面波滤波器 10ga第1声表面波谐振器 10gb第2声表面波谐振器 11输入端子 12输出端子 13、14、14a、14b、14c、14d、15、23a、23b、24a、24b、25a、25b、26a、26b、27a、27b、33a、33b、34a、34b、35a、35b、100谐振器16、17、36a、36b、37a、37b反射器 16a、16b、17a、17b、111a、111b、141a、141b、141c汇流条电极 16c、17c、110a、110b、142a、142b、142c、142d电极指 38、39布线 38a、39a第1电极层38b、39b第2电极层 40层间绝缘膜 42、123压电基板 44、125保护层 101a、101b、130a、130b、140a、140b、140c、150a、150b IDT电极 143、143a、143b、143c抽取电极 124a密接层124b主电极层 145a第1IDT电极 145b第2IDT电极

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示本发明的优选的一具体例。因此，以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式等是一例，并不是限定本发明的主旨。因此，以下的实施方式中的构成要素之中，针对表示本发明的最上位概念的独立权利要求中未记载的构成要素，被说明为任意的构成要素。

此外，各图是示意图，不必为严格图示的附图。在各图中，对实质相同的构成赋予同一符号，省略或者简化重复的说明。此外，在图示的电极构造中，为了容易理解本发明，比实际的电极指的根数更少地图示谐振器以及反射器中的电极指的根数。此外，在图示的史密斯圆图中，通过粗线来表示声表面波滤波器的通带中的输出阻抗的部分。

(实施方式1)

以下，使用图1～图11C来对实施方式1进行说明。

[1.高频模块的构成]

首先，对本实施方式所涉及的高频模块1的构成进行说明。图1是表示本实施方式所涉及的高频模块1的构成的概念图。

如图1所示，本实施方式所涉及的高频模块1具备声表面波滤波器10和低噪声放大器20。声表面波滤波器10的一端与高频模块1的输入端子IN，另一端与低噪声放大器20连接。低噪声放大器20是在尽量不增加噪声的情况下对接收后的微弱的电波进行放大的放大器。

另外，在声表面波滤波器10中，所谓输入阻抗，是指从高频模块1的输入端子IN侧观察声表面波滤波器10时的声表面波滤波器10的阻抗。换句话说，是指图1中箭头所示的SAW输入侧阻抗。此外，所谓输出阻抗，是指从高频信号的输出目的地即低噪声放大器20所连接的一侧的端子(未图示)观察声表面波滤波器10时的声表面波滤波器10阻抗。换句话说，是指图1中箭头所示的SAW输出侧阻抗。与低噪声放大器20连接的声表面波滤波器10的输入阻抗与输出阻抗不同。

[2.声表面波滤波器的构成]

图2A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器的构成的概略图。图2B是表示图2A所示的声表面波滤波器的构成的基本构成的概略图。

声表面波滤波器10是纵耦合型的声表面波滤波器。如图2A所示，声表面波滤波器10在输入端子11与输出端子12之间，具备谐振器13、谐振器14以及谐振器15、反射器16以及反射器17。谐振器13、谐振器14以及谐振器15被从反射器16侧向反射器17侧依次配置。

如图2B所示，谐振器13采取2个IDT电极130a以及130b组合而成的构成。谐振器13的IDT电极130a与输入端子11连接。IDT电极130b与接地连接。同样地，谐振器15为2个IDT电极150a以及150b组合而成的构成。谐振器15的IDT电极150a与输入端子11连接。IDT电极150b与接地连接。

此外，被配置于谐振器13与谐振器15之间的谐振器14采取2个IDT电极140a以及140b组合而成的构成。谐振器14的IDT电极140a与接地连接。IDT电极140b与输出端子12连接。另外，关于谐振器14的构成，后面详细进行叙述。

此外，反射器16具备：2个汇流条电极16a以及汇流条电极16b、和在汇流条电极16a与汇流条电极16b之间被设置多个并且两端分别连接于汇流条电极16a以及汇流条电极16b的电极指16c。同样地，反射器17具备：2个汇流条电极17a以及汇流条电极17b、和在汇流条电极17a与汇流条电极17b之间被设置多个并且两端分别连接于汇流条电极17a以及汇流条电极17b的电极指17c。

这里，关于谐振器的构成，使用一般的谐振器100来更加详细地进行说明。图3是表示一般的声表面波滤波器的构成的概略图，(a)是俯视图，(b)是(a)所示的点划线处的箭头方向的剖视图。

如图3的(a)以及(b)所示，谐振器100由压电基板123、具有梳形形状的IDT(Inter-Digital Transducer，叉指换能器)电极101a以及IDT电极101b构成。

压电基板123例如由以规定的切割角被切断的LiNbO₃的单晶构成。在压电基板123中，在规定的方向上传输声表面波。

如图3的(a)所示，在压电基板123上，形成对置的一对IDT电极101a以及IDT电极101b。IDT电极101a由相互平行的多个电极指110a、和将多个电极指110a连接的汇流条电极111a构成。此外，IDT电极101b由相互平行的多个电极指110b、和将多个电极指110b连接的汇流条电极111b构成。IDT电极101a和IDT电极101b为在IDT电极101a的多个电极指110a的每一个之间分别配置IDT电极101b的多个电极指110b的构成。

此外，如图3的(b)所示，IDT电极101a以及IDT电极101b为密接层124a与主电极层124b层叠的构造。

密接层124a是用于提高压电基板123与主电极层124b的密接性的层，作为材料，例如能够使用NiCr。

主电极层124b作为材料，例如能够使用Pt。主电极层124b可以是由一层构成的单层构造，也可以是多个层进行层叠而成的层叠构造。

保护层125形成为覆盖IDT电极101a以及IDT电极101b。保护层125是以保护主电极层124b不受外部环境的影响、调整频率温度特性以及提高耐湿性等为目的的层。保护层125例如是以二氧化硅为主成分的膜。保护层125可以是单层构造也可以是层叠构造。

另外，构成密接层124a、主电极层124b以及保护层125的材料并不限定于上述的材料。进一步地，IDT电极101a以及IDT电极101b也可以不是上述层叠构造。IDT电极101a以及IDT电极101b例如也可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或者合金构成，此外，也可以由上述的金属或者合金所构成的层进行层叠多个而成的层叠构造构成。此外，也可以不形成保护层125。

这里，对IDT电极101a以及IDT电极101b的设计参数进行说明。图3的(b)所示的λ为构成IDT电极101a以及IDT电极101b的电极指110a以及电极指110b的间距。声表面波滤波器的主波长由构成IDT电极101a以及IDT电极101b的多个电极指110a以及电极指110b的间距λ规定。另外，所谓主波长，是指后述的IDT电极101a以及101b的主间距区域中的波长。

所谓间距λ，详细地，是指在连接于同一汇流条电极的相邻的电极指，从一个电极指的宽度的中央到另一个电极指的宽度的中央的长度。例如，在图3的(b)中，是指从连接于汇流条电极111a的一个电极指110a的宽度的中央到连接于与该一个电极指110a所连接的汇流条电极111a相同的汇流条电极111a并且与一个电极指110a相邻的另一个电极指110a的宽度的中央的长度。

此外，图3的(b)所示的W是指谐振器100中的IDT电极101a的电极指110a以及IDT电极101b的电极指110b的宽度。另外，图3的(b)所示的S是指电极指110a与电极指110b的间隔。此外，图3的(a)所示的L是指IDT电极101a以及IDT电极101b的交叉宽度，是指IDT电极101a的电极指110a与IDT电极101b的电极指110b重叠的电极指的长度。此外，所谓对数，是指电极指110a或者电极指110b的根数。

此外，所谓IDT电极101a以及101b的占空比是指电极指110a以及110b的宽度相对于电极指110a以及110b的反复间距λ所占的比例。更具体而言，所谓IDT电极101a以及101b的占空比，是指如图3的(b)所示，将IDT电极101a以及101b的电极指110a以及110b的宽度设为W、将电极指110a与电极指110b的间隔设为S时的W/(W+S)。此外，所谓主占空比，是指后述的IDT电极101a以及101b的主间距区域中的占空比。

此外，所谓谐振器100的中央部分，是指在谐振器100的IDT电极101a以及IDT电极101b，从声表面波的传输方向的中央起规定的范围的部分。关于规定的范围，如后面详细叙述那样，例如是指相对于谐振器100的整体为中央部分的46％。关于规定的范围，也可以适当地变更。

另外，谐振器100的构造并不限定于图3的(a)以及(b)中所述的构造。此外，本实施方式所涉及的声表面波滤波器10的构造并不局限于上述的构成。

以下，对谐振器14的构成更加详细地进行说明。

图4是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的构成的详细的概略图。图5是表示在本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a中，抽取电极(withdrawal electrode)为1根时的谐振器14a的构成的概略图。图6A是表示抽取电极为2根时的谐振器14a的构成的概略图。图6B是表示抽取电极为3根时的谐振器14a的构成的概略图。

如图4所示，谐振器14a为2个IDT电极140a以及140b组合而成的构成。IDT电极140a具有：汇流条电极141a、和一端连接于汇流条电极141a的多个电极指142a。同样地，IDT电极140b具有：汇流条电极141b、和一端连接于汇流条电极141b的多个电极指142b。关于电极指142a以及142b的间距，谐振器14a的两端附近处的电极指的间距比两端附近以外的中央部分的电极指的间距窄。另外，将电极指的间距变窄的区域称为窄间距区域，将其他的区域称为主间距区域。窄间距区域中的电极指142a以及142b的对数例如为3。

此外，谐振器14a在连接于接地的IDT电极140a具有抽取电极143。所谓抽取电极143，是指如图5的(a)所示，与连接于输出端子12的IDT电极140b的汇流条电极141b连接的多个电极指142b之中的一部分被抽取，如图5的(b)所示，连接于并非汇流条电极141b而是连接于接地的IDT电极140a的汇流条电极141a的电极。

在将抽取电极143设为1根的情况下，如图5的(b)所示，在IDT电极140a中，在连接于汇流条电极141a的2根电极指142a之间设置抽取电极143a。因此，在构成IDT电极140b的2根电极指142b之间，连续排列3根连接于汇流条电极141a的电极指。

另外，抽取电极143的根数并不局限于1根，也可以是2根以上。此时，可以将连接于汇流条电极141b的连续的2根以上的电极指142b设为抽取电极143，也可以将不连续的2根以上的电极指142b设为抽取电极143。

例如，在设置连续的2根抽取电极143a以及143b的情况下，如图6A所示，在构成IDT电极140b的2根电极指142b之间，连续排列5根连接于汇流条电极141a的电极指142a和抽取电极143a以及143b。此外，在设置连续的3根抽取电极143a、143b以及143c的情况下，如图6B所示，在构成IDT电极140b的2根电极指142b之间，连续地排列7根连接于汇流条电极141a的电极指142a和抽取电极143a、143b以及143c。如后面详述那样，能够通过变更抽取电极143的根数，来取得声表面波滤波器10a与低噪声放大器20的噪声指数以及增益的匹配。也就是说，抽取电极的根数是用于取得声表面波滤波器10a与低噪声放大器20的噪声指数以及增益的匹配的电极参数。

另外，抽取电极143可以如上述那样连接于与接地连接的汇流条电极141a，也可以连接于与输出端子12连接的汇流条电极141b。

图7是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的输出端子侧的反射特性的图。在图7中，分别通过实线、虚线、点划线、双点划线来表示连续设置0根、1根、2根、3根抽取电极143时的声表面波滤波器10a的输出端子侧的反射特性。

若使抽取电极143的根数增加为0根、1根、2根、3根，则如图7所示，输出阻抗在史密斯圆图上向电容性侧移动。因此可知，在希望使声表面波滤波器10a的输出阻抗向电容性侧变化时，使用抽取电极143是有效的。此外，通过增加连续设置的抽取电极143的根数，能够使输出阻抗更加向电容性侧变化。

这里，对谐振器14a中抽取电极143被设置的位置进行说明。图8是用于对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a中设置抽取电极143a的位置进行说明的表示谐振器14a的构成的概略图。图9是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a中，设置抽取电极143的位置与声表面波滤波器10a的输出端子侧的信号损耗的关系的图。另外，图9的纵轴表示越向纸面下方，信号损耗越大，越向纸面上方，信号损耗越小。

如图8所示，抽取电极143相对于谐振器14a的整体被设置于中央部分。另外，将设置抽取电极143的区域称为抽取区域。

在谐振器14a中，在声表面波的传输方向的两端附近，如上所述，设置窄间距区域。这里，在谐振器14a中变更设置抽取电极143的位置的情况下，假定在窄间距区域变更电极指142a以及142b的配置会对谐振模式有某些影响。

例如，为了取得声表面波滤波器10a的输出端子侧的阻抗的匹配，在谐振器14a的两端的规定的范围设置抽取电极143的情况下，如图9所示可知，声表面波滤波器10a的输出端子侧的阻抗的不匹配所导致的信号损耗(不匹配损耗)劣化，即，变大，不能取得输出端子侧的阻抗的匹配。另一方面，在谐振器14a的中央部分设置抽取电极143a的情况下，可知不匹配损耗变小(例如，5dB左右)，能够取得输出端子侧的阻抗的匹配。另外，未设置抽取电极143的情况下的不匹配损耗为5.5dB左右，在谐振器14a的中央部分设置抽取电极143的情况下，即将抽取区域设为谐振器14的中央部分的情况下，可知与未设置抽取电极143a的情况同等地不匹配损耗不劣化。更具体而言，在图9中，用于不匹配损耗不劣化的抽取区域相对于谐振器14a整体为中央部分的46％左右。

由以上可知，抽取电极143最好设置于谐振器14a的中央部分。例如，抽取电极143也可以设置于谐振器14a的中央部分的46％的范围。

[3.声表面波滤波器的输出阻抗的调整]

接下来，如图1所示，对声表面波滤波器10a与低噪声放大器20连接的情况下的声表面波滤波器10a的输出阻抗的调整进行说明。

图10是用于对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的输出阻抗的调整方法进行说明的图。

如图1所示，由于声表面波滤波器10a连接于低噪声放大器20并被用作为高频模块1，因此需要调整输出阻抗，以使得高频模块1整体的传输特性变好。换句话说，结合低噪声放大器20的输入阻抗，调整声表面波滤波器10a的输出阻抗。

详细地，调整声表面波滤波器10a的输出阻抗，以使得在史密斯圆图中，声表面波滤波器10a的输出阻抗位于从声表面波滤波器10a侧观察低噪声放大器20时的低噪声放大器20的输入阻抗的复共轭的位置。这里，所谓低噪声放大器20的输入阻抗，是指满足低噪声放大器20的增益和噪声指数这两方的特性提高的输入阻抗。换句话说，是指在史密斯圆图中，位于低噪声放大器20的增益最大的低噪声放大器20的输入阻抗与低噪声放大器20的噪声指数最小的低噪声放大器20的输入阻抗之间的区域的输入阻抗。将声表面波滤波器10a的输出阻抗调整到与该区域对应的复共轭的区域(图10所示的SAW输出端的目标Imp区域)。

换句话说，如图10所示，调整声表面波滤波器10a的输出阻抗，以使得在史密斯圆图中，声表面波滤波器10a的通带中的输出阻抗存在于低噪声放大器20的增益最大时的声表面波滤波器10a的输出阻抗(第1输出阻抗)与低噪声放大器20的噪声指数最小时的声表面波滤波器10a的输出阻抗(第2输出阻抗)之间的区域(SAW输出端的目标Imp区域)。

此时，通过设置上述的抽取电极143，来调整声表面波滤波器10a的输出阻抗。此外，通过增减抽取电极143的根数，来调整声表面波滤波器10a的输出阻抗。也就是说，将抽取电极143的根数设为用于将声表面波滤波器10a的输出阻抗调整为SAW输出端的目标Imp区域的电极参数。此外，为了调整声表面波滤波器10a的输出阻抗，将声表面波滤波器10a的输出端子12侧的IDT电极140b中的电极指142b连接于汇流条电极141a并设为抽取电极143即可。由此，由于在谐振器14a中仅在一部分的区域排列相同极性的电极指，因此与未设置抽取电极143的情况相比，谐振器14a的电容变小。由此，设置有抽取电极143的谐振器14a所连接的声表面波滤波器10a的输出端子侧的阻抗发生变化。此外，如图7所示，由于通过设置抽取电极143，声表面波滤波器10a的输出端子侧的阻抗向电容性侧变化，因此能够容易地将声表面波滤波器10a的输出端子侧的阻抗调整到史密斯圆图上的SAW输出端的目标Imp区域。

图11A是表示对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的输出阻抗进行调整时的声表面波滤波器10a的通过特性的图。图11B是表示用于对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的输出阻抗进行调整时的声表面波滤波器10a的输出端子侧的反射特性的图。图11C是表示对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10a的输出阻抗进行调整时的高频模块1的通过特性的图。在图11A～图11C中，通过实线来表示未设置抽取电极143a的情况下的特性，通过虚线来表示设置抽取电极143的情况下的特性。

如图11A所示，在调整了声表面波滤波器10a的输出阻抗的情况下，在声表面波滤波器10a单体中，与未调整声表面波滤波器10a的输出阻抗的情况相比，插入损耗变大。此时的声表面波滤波器10a的通带中的输出阻抗如图11B所示，被调整到上述的SAW输出端的目标Imp区域。

另一方面，针对声表面波滤波器10a中包含低噪声放大器20的高频模块1整体的通过特性，如图11C所示，可知在通带中插入损耗提高。因此，在声表面波滤波器10a中，在输出端子侧的谐振器14a设置抽取电极143，通过在史密斯圆图上将声表面波滤波器10a的输出阻抗调整到上述的SAW输出端的目标Imp区域，从而能够提高声表面波滤波器10a中包含低噪声放大器20的高频模块1整体的传输特性。

[4.效果等]

以上，根据本实施方式所涉及的高频模块，通过在声表面波滤波器10a中，在输出端子侧的谐振器14a设置抽取电极143，在史密斯圆图上将声表面波滤波器10a的输出阻抗调整到上述的SAW输出端的目标Imp区域，从而能够提高声表面波滤波器10a中包含低噪声放大器20的高频模块1整体的传输特性。

此外，此时，通过增加连续设置的抽取电极143的根数，能够使声表面波滤波器10a的输出阻抗更加向电容性变化。

(实施方式2)

接下来，使用图12A～图14B来对实施方式2进行说明。本实施方式所涉及的高频模块与实施方式1所涉及的高频模块1不同的方面是，作为声表面波滤波器10b的输出阻抗的调整方法，输出端子侧的谐振器14b的IDT电极在交叉宽度方向被分割为2个。

首先，对本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b的构成进行说明。图12A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b的构成的概略图。图12B是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b中，谐振器14b的构成的概略图。

如图12A所示，声表面波滤波器10b具有：谐振器13、谐振器14b以及谐振器15。由于谐振器13以及谐振器15的构成与实施方式1所示的谐振器13以及谐振器15相同，因此省略说明。

如图12A所示，谐振器14b具有在交叉宽度方向被分割为2个的IDT电极。换句话说，如图12B所示，谐振器14b具有在交叉宽度方向串联连接的第1IDT电极145a和第2IDT电极145b。换句话说，在声表面波滤波器10b中，IDT电极的分割数为2。

详细地，如图12B所示，谐振器14b采取IDT电极140a、IDT电极140b以及IDT电极140c组合而成的构成。IDT电极140a与实施方式1所示的IDT电极140a同样地，具有：汇流条电极141a、一端连接于汇流条电极141a的多个电极指142a。同样地，IDT电极140b具有：汇流条电极141b、一端连接于汇流条电极141b的多个电极指142b。IDT电极140c具有：汇流条电极141c、一端连接于汇流条电极141c并且从汇流条电极141c向汇流条电极141a设置的电极指142c、和一端连接于汇流条电极141c并且从汇流条电极141c向汇流条电极141b设置的电极指142d。电极指142a与电极指142c在声表面波的传输方向被交替配置。同样地，电极指142b与电极指142d在声表面波的传输方向被交替配置。

由此，第1IDT电极145a由IDT电极140a与IDT电极140c的汇流条电极141c以及电极指142c构成。此外，第2IDT电极145b由IDT电极140b与IDT电极140c的汇流条电极141c以及电极指142d构成。汇流条电极141c被第1IDT电极145a与第2IDT电极145b共通使用。

此外，在谐振器14b中，汇流条电极141a与汇流条电极141b之间的距离与IDT电极在交叉宽度方向未被分割的谐振器14中的汇流条电极141a与汇流条电极141b之间的距离相同。换句话说，第1IDT电极145a与第2IDT电极145b的交叉宽度方向的长度比IDT电极在交叉宽度方向未被分割的谐振器14的交叉宽度方向的长度短。例如，第1IDT电极145a与第2IDT电极145b的交叉宽度方向的长度分别为IDT电极在交叉宽度方向未被分割的情况下的交叉宽度方向的长度的1/2左右。

通过该构成，如以下所示，能够增加声表面波滤波器10b的输出阻抗。

这里，对通过上述的谐振器14b来调整声表面波滤波器10b的输出阻抗的情况下的声表面波滤波器10b以及高频模块1的传输特性进行说明。

图13是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b的输出端子侧的反射特性的图。图14A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b的输出端子侧的通过特性的图。图14B是表示具有本实施方式所涉及的声表面波滤波器10b的高频模块1整体的输出端子侧的噪声特性的图。在图13中，通过实线来表示使用了未将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14的声表面波滤波器10的特性，通过点划线来表示使用了将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14b的声表面波滤波器10b的特性。在图14A以及图14B中，通过实线来表示使用了未将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14的声表面波滤波器10的特性，通过虚线来表示使用了将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14b的声表面波滤波器10b的特性。

如上述那样，如图13所示，使用了将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14b的声表面波滤波器10b的输出阻抗相对于使用了未将IDT电极在交叉宽度方向分割的谐振器14的声表面波滤波器10的输出阻抗，在史密斯圆图上，向通带中的输出阻抗增加的方向移动。

这是由于通过将IDT电极2分割，成为交叉宽度方向的长度的1/2左右的第1IDT电极145a与第2IDT电极145b在交叉宽度方向串联连接，作为结果，阻抗成为4倍左右。因此，如图13所示，在声表面波滤波器10b中，输出阻抗增加。

此外，如图14A所示，在调整声表面波滤波器10b的输出阻抗的情况下，在声表面波滤波器10b单体中，与未调整声表面波滤波器10b的输出阻抗的情况相比，插入损耗变大。另外，在此时的声表面波滤波器10b的通带中的输出阻抗在实施方式1中被调整为图11B所示的SAW输出端的目标Imp区域。

另一方面，针对声表面波滤波器10b中包含低噪声放大器20的高频模块1整体，如图14B所示，可知若使用将IDT电极2分割的声表面波滤波器10b，与未将IDT电极2分割的情况相比，在高频模块1的通带中，噪声指数减少。认为这是由于通过利用将IDT电极分割的谐振器14b来构成声表面波滤波器10b，声表面波滤波器10b的输出阻抗在史密斯圆图上接近于低噪声放大器20的NF圆，因此高频模块1整体的噪声特性提高。

因此，在声表面波滤波器10b中，设为将输出端子侧的谐振器14b的IDT电极分割的构成，在史密斯圆图上，に将声表面波滤波器10b的输出阻抗调整到SAW输出端的目标Imp区域，从而能够提高声表面波滤波器10b中包含低噪声放大器20的高频模块1整体的传输特性。

另外，在上述的声表面波滤波器10b中，仅对将谐振器14的IDT电极分割为2个的谐振器14b进行了说明，但谐振器14b的IDT电极的分割数并不局限于2个，也可以是3个以上。

此外，在上述的声表面波滤波器10b中，为了调整声表面波滤波器10b的输出阻抗，设为将连接于声表面波滤波器10b的输出端子的谐振器14bIDT电极分割的构成，但在调整声表面波滤波器10b的输入阻抗的情况下，也可以将连接于声表面波滤波器10的输入端子的谐振器的IDT电极分割。

(实施方式3)

接下来，使用图15～图18B来对实施方式3进行说明。本实施方式所涉及的高频模块与实施方式1所涉及的高频模块1不同的方面是，作为声表面波滤波器10c的输出阻抗的调整方法，对连接于声表面波滤波器10c的输入端子侧的谐振器中的主波长与连接于输出端子侧的谐振器中的主波长进行调整。

首先，作为本实施方式所涉及的声表面波滤波器的构成的一例，对具有3个谐振器的纵耦合型的声表面波滤波器10c进行说明。

图15是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10c的构成的概略图。如图15所示，声表面波滤波器10c是纵耦合型的声表面波滤波器。声表面波滤波器10c在输入端子11与输出端子12之间，具备：谐振器13、谐振器14c以及谐振器15、反射器16以及反射器17。谐振器13、谐振器14c以及谐振器15从反射器16侧向反射器17侧被依次配置。

此外，谐振器13和谐振器15连接于声表面波滤波器10c的输入端子11。谐振器14c连接于声表面波滤波器10c的输出端子12。声表面波滤波器10c的输入端子11处的输入阻抗以及输出端子12处的输出阻抗分别为50Ω。

谐振器13、谐振器15的构成与实施方式1所示的声表面波滤波器10相同。此外，反射器16以及反射器17的构成与实施方式1所示的声表面波滤波器10相同。

谐振器14c与实施方式1所示的谐振器14相同，为2个IDT电极140a以及140b组合而成的构成。IDT电极140a具有：汇流条电极141a、和一端连接于汇流条电极141a的多个电极指142a。同样地，IDT电极140b具有：汇流条电极141b、和一端连接于汇流条电极141b的多个电极指142b。

连接于声表面波滤波器10c的输入端子11的谐振器13以及谐振器15的主波长的平均值不同于连接于声表面波滤波器10c的输出端子12的谐振器14c的主波长的平均值。另外，关于连接于输出端子12的谐振器14c，由于连接于输出端子12的谐振器仅是一个，因此谐振器14c的主波长本身为主波长的平均值。谐振器13以及谐振器15的主波长可以相同，也可以不同。

例如，谐振器13以及谐振器15中的主波长分别为4.515μm、4.525μm，这些主波长的平均值也可以为4.520μm。此外，谐振器14c的主波长也可以设为4.542μm。此外，此时，连接于声表面波滤波器10c的输出端子12的谐振器14c中的主波长的平均值相对于连接于声表面波滤波器10c的输入端子11的谐振器13以及15中的主波长的平均值的比(主波长比)为1.005。

另外，连接于声表面波滤波器10c的输入端子11的谐振器13以及谐振器15的主波长的平均值相当于本发明中的第1主波长。此外，连接于声表面波滤波器10c的输出端子12的谐振器14c的主波长的平均值相当于本发明中的第2主波长。

这样，通过改变连接于声表面波滤波器10c的输出端子12的谐振器14c的主波长的平均值(第2主波长)相对于连接于声表面波滤波器10c的输入端子11的谐振器13以及谐振器15的主波长的平均值(第1主波长)之比(主波长比)，如以下说明那样，能够调整声表面波滤波器10c的输出阻抗。

以下，对通过如上述那样变更主波长比来调整声表面波滤波器10c的输出阻抗的情况下的声表面波滤波器10c的传输特性进行说明。在图16A以及图16B中，对声表面波滤波器10c中将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10c的传输特性进行说明。

图16A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10c的输出端子侧的反射特性的图。图16B是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10c的输出端子侧的通过特性的图。在图16A以及图16B中，分别通过实线、点划线、虚线来表示将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10c的特性。

如图16A所示，将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10c的通带中的输出阻抗随着主波长比变大，在史密斯圆图中向右方移动。也就是说，可知随着使主波长比变大，声表面波滤波器10c的输出阻抗增加。

因此，在声表面波滤波器10c中，通过增大谐振器13、14c以及15的主波长比，能够使声表面波滤波器10c的输出阻抗比50Ω增加。

另外，如图1所示的高频模块1那样，在声表面波滤波器10c的后级设置低噪声放大器20的情况下，优选声表面波滤波器10c的输出阻抗为70Ω左右。为了使声表面波滤波器10c的输出阻抗增加到70Ω左右，最好主波长比设为1.01以上。

此外，如图16B所示，在将主波长比设为1.005、1.008、1.012时，声表面波滤波器10c的通带宽度扩大。也就是说，可知随着增大主波长比，声表面波滤波器10c的通带扩大。

此外，图17是表示作为本实施方式所涉及的声表面波滤波器的另一构成，具有5个谐振器的纵耦合型的声表面波滤波器10d的构成的概略图。

如图17所示，声表面波滤波器10d在输入端子11与输出端子12之间，具备：谐振器23a、谐振器24a、谐振器25a、谐振器26a以及谐振器27a、反射器16以及反射器17。谐振器23a、谐振器24a、谐振器25a、谐振器26a以及谐振器27a从反射器16侧向反射器17侧被依次配置。

谐振器23a、谐振器25a以及谐振器27a连接于声表面波滤波器10d的输入端子11。谐振器24a以及谐振器26a连接于声表面波滤波器10d的输出端子12。声表面波滤波器10d的输入端子11中的输入阻抗以及输出端子12中的输出阻抗分别为50Ω。

谐振器23a、谐振器25a以及谐振器27a的构成与上述的声表面波滤波器10c的谐振器13相同。此外，谐振器24a以及谐振器26a的构成与上述的声表面波滤波器10c的谐振器14相同。

连接于声表面波滤波器10d的输入端子11的谐振器23a谐振器25a以及谐振器27a的主波长的平均值与连接于声表面波滤波器10d的输出端子12的谐振器24a以及谐振器26a的主波长的平均值不同。谐振器23a、谐振器25a以及谐振器27a各自的主波长可以相同也可以不同。此外，谐振器24a以及谐振器26a的主波长可以相同也可以不同。

另外，连接于声表面波滤波器10d的输入端子11的谐振器23a、谐振器25a以及谐振器27a的主波长的平均值相当于本发明中的第1主波长。此外，连接于声表面波滤波器10d的输出端子12的谐振器24a以及谐振器26a的主波长的平均值相当于本发明中的第2主波长。

通过使连接于声表面波滤波器10d的输出端子12的谐振器24a以及谐振器26a的主波长的平均值(第2主波长)相对于连接于声表面波滤波器10d的输入端子11的谐振器23a、谐振器25a以及谐振器27a的主波长的平均值(第1主波长)之比(主波长比)不同，如以下说明那样，能够调整声表面波滤波器10d的输出阻抗。

以下，对通过如上述那样变更主波长比来调整声表面波滤波器10d的输出阻抗的情况下的声表面波滤波器10d的传输特性进行说明。在图18A以及图18B中，对声表面波滤波器10d中将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10d的传输特性进行说明。

图18A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10d的输出端子侧的反射特性的图。图18B是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10d的输出端子侧的通过特性的图。在图18A以及图18B中，分别通过实线、点划线、虚线来表示将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10d的特性。

如图18A所示，将主波长比设为1.005、1.008、1.012时的声表面波滤波器10d的通带中的输出阻抗与上述的声表面波滤波器10c的情况同样地，随着主波长比变大，在史密斯圆图中向右方移动。也就是说，可知随着使主波长比增大，声表面波滤波器10d的输出阻抗增加。

因此，在声表面波滤波器10d中，通过增大谐振器23a、谐振器24a、谐振器25a、谐振器26a以及谐振器27a的主波长比，能够使声表面波滤波器10d的输出阻抗比50Ω更增加。

此外，若对图18A与图16A进行比较，可知具有5个谐振器的声表面波滤波器10d的输出阻抗与具有3个谐振器的声表面波滤波器10c的输出阻抗相比，声表面波滤波器10d的通带中的输出阻抗的卷绕较小。换句话说，通过如声表面波滤波器10d那样增加谐振器，能够增加声表面波滤波器10d的输出阻抗并且使其稳定。

另外，为了在声表面波滤波器10d中也使输出阻抗增加到70Ω左右，主波长比最好为1.01以上。

此外，如图18B所示，在将主波长比设为1.005、1.008、1.012时，声表面波滤波器10d的通带宽度与上述的声表面波滤波器10c同样地放大。也就是说，可知随着增大主波长比，声表面波滤波器10d的通带放大。

另外，在本实施方式中，对具有3个谐振器的声表面波滤波器10c和具有5个谐振器的声表面波滤波器10d进行了说明，但谐振器的数量并不限定于这些，也可以变更。

(实施方式4)

接下来，使用图19～图22B来对实施方式4进行说明。本实施方式所涉及的高频模块与实施方式1所涉及的高频模块1不同的方面是，作为声表面波滤波器10的输出阻抗的调整方法，对连接于声表面波滤波器10的输出端子侧的谐振器中的主占空比进行调整。

首先，作为本实施方式所涉及的声表面波滤波器的构成的一个例子，对具有3个谐振器的纵耦合型的声表面波滤波器10e进行说明。

图19是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10e的构成的概略图。

如图19所示，声表面波滤波器10e是纵耦合型的声表面波滤波器。声表面波滤波器10e与实施方式3所示的声表面波滤波器10c同样地，在输入端子11与输出端子12之间，具备：谐振器13、谐振器14d以及谐振器15、反射器16以及反射器17。谐振器13、谐振器14d以及谐振器15从反射器16侧向反射器17侧，被依次配置。

此外，谐振器13与谐振器15连接于声表面波滤波器10e的输入端子11。谐振器14d连接于声表面波滤波器10e的输出端子12。谐振器13以及谐振器15的构成与实施方式1所示的声表面波滤波器10相同。谐振器14d的除主占空比以外的构成与实施方式1所示的谐振器14相同。

谐振器14d的主占空比例如为0.64。通过改变连接于声表面波滤波器10e的输出端子12的谐振器14d的主占空比，如以下说明那样，能够调整声表面波滤波器10e的输出阻抗。

以下，对通过如上述那样变更主占空比来调整声表面波滤波器10e的输出阻抗的情况下的声表面波滤波器10e的传输特性进行说明。在图20A以及图20B中，对声表面波滤波器10e中将主占空比设为0.64、0.71、0.75时的声表面波滤波器10e的传输特性进行说明。

图20A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10e的输出端子侧的反射特性的图。图20B是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10e的输出端子侧的通过特性的图。在图20A以及图20B中，分别通过点划线、实线、虚线来表示将谐振器14d的主占空比设为0.64、0.71、0.75时的声表面波滤波器10e的特性。

如图20A所示，将谐振器14d的主占空比设为0.64、0.71、0.75时的声表面波滤波器10e的通带中的输出阻抗随着主占空比变大，在史密斯圆图中向左方移动。也就是说，随着增大主占空比，声表面波滤波器10e的输出阻抗减少。

因此，在声表面波滤波器10e中，通过减小谐振器14d的主占空比，能够使声表面波滤波器10e的输出阻抗比50Ω更增加。

另外，在如图1所示的高频模块1那样，在声表面波滤波器10e的后级设置低噪声放大器20的情况下，优选声表面波滤波器10e的输出阻抗设为70Ω左右。为了使声表面波滤波器10e的输出阻抗增加到70Ω左右，谐振器14d的主占空比最好大于0.55且小于0.75。另外，在将声表面波滤波器10e的输出阻抗设为50Ω的情况下，谐振器14d的主占空比例如为大于0.4且小于0.6的值。

另外，如图20B所示，即使使主占空比变化为0.64、0.71、0.75，声表面波滤波器10e的通带宽度也几乎不会变化。也就是说，通过使主占空比变化，能够在不使声表面波滤波器10e的通带变化的情况下，改变声表面波滤波器10e的输出阻抗。

图21是表示作为本实施方式所涉及的声表面波滤波器的另一构成，表示具有5个谐振器的纵耦合型的声表面波滤波器10f的构成的概略图。

如图21所示，声表面波滤波器10f在输入端子11与输出端子12之间，具备：谐振器23b、谐振器24b、谐振器25b、谐振器26b以及谐振器27b、反射器16以及反射器17。谐振器23b、谐振器24b、谐振器25b、谐振器26b以及谐振器27b从反射器16侧向反射器17侧被依次配置。

谐振器24b以及谐振器26b连接于声表面波滤波器10f的输入端子11。谐振器23b、谐振器25b以及谐振器27b连接于声表面波滤波器10f的输出端子12。声表面波滤波器10f的输入端子11中的输入阻抗以及输出端子12中的输出阻抗分别为50Ω。

谐振器24b以及谐振器26b的构成与上述的声表面波滤波器10e的谐振器13相同。此外，谐振器23b、谐振器25b以及谐振器27b的构成与上述的声表面波滤波器10e的谐振器14d相同。

这里，如上所述，对通过变更主占空比来调整声表面波滤波器10f的输出阻抗的情况下的声表面波滤波器10f的传输特性进行说明。在图22A以及图22B中，对声表面波滤波器10f中将主占空比设为小、中、大时的声表面波滤波器10f的传输特性进行说明。所谓声表面波滤波器10f中主占空比为小的时候是指，将谐振器23b以及27b的主占空比设为0.64、将谐振器25b的主占空比设为0.67的情况。此外，所谓声表面波滤波器10f中主占空比为中的时候是指，将谐振器23b以及27b的主占空比设为0.70、将谐振器25b的主占空比设为0.74的情况。所谓声表面波滤波器10f中主占空比为大的时候是指，将谐振器23b以及27b的主占空比设为0.74、将谐振器25b的主占空比设为0.77的情况。

图22A是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10f的输出端子侧的反射特性的图。图22B是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10f的输出端子侧的通过特性的图。在图22A以及图22B中，分别通过实线、点划线、虚线来表示将主占空比设为上述的小、中、大时的声表面波滤波器10f的特性。

将连接于输出端子12的谐振器23b、25b以及27b的主占空比设为上述的小、中、大时的声表面波滤波器10f的通带中的输出阻抗与声表面波滤波器10e相同，如图22A所示，随着谐振器23b、25b以及27b的主占空比变大，在史密斯圆图中向左方移动。也就是说，随着使谐振器23b、25b以及27b的主占空比增大，声表面波滤波器10f的输出阻抗减少。

因此，在声表面波滤波器10f中，通过减小谐振器23b、25b以及27b的主占空比小，能够使声表面波滤波器10f的输出阻抗比50Ω更增加。

另外，如图1所示的高频模块1那样，在声表面波滤波器10f的后级设置低噪声放大器20的情况下，优选声表面波滤波器10f的输出阻抗设为70Ω左右。为了使声表面波滤波器10f的输出阻抗增加到70Ω左右，谐振器23b、25b以及27b各自的主占空比最好大于0.55且小于0.75。

另外，如图22B所示，即使使谐振器23b、25b以及27b的主占空比变化为上述的小、中、大，声表面波滤波器10f的通带宽度也几乎不会变化。也就是说，通过使谐振器23b、25b以及27b的主占空比变化，能够在不使声表面波滤波器10f的通带变化的情况下，改变声表面波滤波器10f的输出阻抗。

另外，主占空比的值并不局限于上述的值，也可以适当地变更。

(实施方式5)

接下来，使用图23～图25B来对实施方式5进行说明。本实施方式所涉及的高频模块与实施方式1所涉及的高频模块1不同的方面是，在声表面波滤波器10g中，关于连接于输出端子的谐振器与输出端子之间的布线，在该布线与基板之间配置层间绝缘膜40。

图23是表示本实施方式所涉及的声表面波滤波器10g的构成的概略图。如图23所示，本实施方式所涉及的声表面波滤波器10g为2个纵耦合型的声表面波谐振器10ga以及10gb串联连接而成的构成。

如图23所示，第1声表面波谐振器10ga具备：谐振器33a、谐振器34a以及谐振器35a、反射器36a以及反射器37a。谐振器33a、谐振器34a以及谐振器35a从反射器36a侧向反射器37a侧被依次配置。谐振器33a、谐振器34a以及谐振器35a、反射器36a以及反射器37a的构成与实施方式1所示的声表面波滤波器10的谐振器13、谐振器14以及谐振器15、反射器16以及反射器17的构成相同。

同样地，如图23所示，第2声表面波谐振器10gb具备：谐振器33b、谐振器34b以及谐振器35b、反射器36b以及反射器37b。谐振器33b、谐振器34b以及谐振器35b从反射器36b侧向反射器37b侧被依次配置。谐振器33b、谐振器34b以及谐振器35b、反射器36b以及反射器37b的构成与实施方式1所示的声表面波滤波器10的谐振器13、谐振器14以及谐振器15、反射器16以及反射器17的构成相同。

在谐振器34a中，一对IDT电极之中的一个连接于声表面波滤波器10g的输入端子11。在谐振器34b中，一对IDT电极之中的一个连接于声表面波滤波器10g的输出端子12。此外，谐振器34a的一对IDT电极之中的另一个和谐振器34b的一对IDT电极之中的另一个分别连接于接地。

此外，在谐振器33a中，一对IDT电极之中的一个连接于谐振器33b的一对IDT电极之中的一个。此外，谐振器33a的一对IDT电极之中的另一个和谐振器33b的一对IDT电极之中的另一个分别连接于接地。

同样地，在谐振器35a中，一对IDT电极之中的一个连接于谐振器35b的一对IDT电极之中的一个。此外，谐振器35a的一对IDT电极之中的另一个和谐振器35b的一对IDT电极之中的另一个分别连接于接地。

通过该构成，声表面波滤波器10g为在输入端子11与输出端子12之间，纵耦合型的第1声表面波谐振器10ga以及第2声表面波谐振器10gb直接连接的构成。这样，在声表面波滤波器10g由多级声表面波谐振器构成的情况下，为了确保各声表面波谐振器的接地，存在使用层间绝缘膜来立体地进行布线的情况。也就是说，可能在一个迂回布线上设置层间绝缘膜，在该层间绝缘膜上形成其他迂回布线。

在本实施方式所涉及的声表面波滤波器10g中，不在需要这种立体的布线的位置，而在不需要立体地布线的、将谐振器34b的一个IDT电极与输出端子12连接的布线39的位置，在布线39与压电基板42之间设置层间绝缘膜40。

图24A是表示图23所示的声表面波滤波器10g的B-B线处的构成的剖视图。图24B是表示图23所示的声表面波滤波器10g的C-C线处的构成的剖视图。

如图24A以及图24B所示，声表面波滤波器10g与实施方式1所示的声表面波滤波器10同样地，形成在压电基板42上。此外，连接于谐振器的IDT电极的布线设为与IDT电极相同的构成。

具体而言，在图23中，将谐振器34b的一个IDT电极与接地连接的布线38如图24A所示，由形成于压电基板42的第1电极层38a和形成于第1电极层38a上的第2电极层38b构成。

第1电极层38a与IDT电极的主电极层一体地形成，例如由Pt、Cu、Au、Ag、Ta、W等构成。另外，第1电极层38a也可以在压电基板42侧具备密接层(参照图3的(b))。第1电极层38a的厚度是亚微米级，例如是0.2μm。第2电极层38b例如由Pt、Cu、Au、Ag、Ta、W等构成。第2电极层38b的厚度是微米级，例如是2μm。

此外，形成保护层44以使得覆盖第2电极层38b。保护层44例如由SiO₂等构成。保护层44的厚度是几十nm，例如是30nm。

此外，在图23中，将谐振器34b的另一个IDT电极与输出端子12连接的布线39如图24B所示，形成于在压电基板42形成的层间绝缘膜40上。也就是说，与上述的布线38相比，在布线39中，取代第1电极层38a而形成层间绝缘膜40。

层间绝缘膜40例如由聚酰亚胺等构成。层间绝缘膜的厚度是微米级，例如是3μm。此外，布线39由与图24A所示的第2电极层38b相同的材料构成。布线39例如由Pt、Cu、Au、Ag、Ta、W等构成。另外，如图24B所示，在压电基板42上形成保护层44以使得覆盖层间绝缘膜40以及布线39。

通过在连接于输出端子12的布线39与压电基板42之间设置层间绝缘膜40，与未设置层间绝缘膜40的布线38的构成相比，能够减小压电基板42与布线39之间的电容耦合。由此，能够将声表面波滤波器10g的输出阻抗向感应性调整。

此外，如图24B所示，通过使层间绝缘膜40的面积比布线39的面积大，能够进一步缩小压电基板42与布线39之间的电容耦合。由此，能够将声表面波滤波器10g的输出阻抗更加向感应性调整。

以下，对设置有层间绝缘膜40的情况和未设置层间绝缘膜40的情况下的声表面波滤波器10g的传输特性进行说明。

图25A是表示本实施方式所涉及的他的构成的声表面波滤波器10g的输出端子侧的反射特性的图。图25B是表示在本实施方式所涉及的声表面波滤波器10g连接低噪声放大器20之后的噪声特性的图。在图25A以及图25B中，通过实线来表示在连接于输出端子12的布线39与压电基板42之间未设置层间绝缘膜40的情况下的声表面波滤波器10g的特性，通过虚线来表示取代第1电极层38a而设置层间绝缘膜40的情况下的声表面波滤波器10g的特性。

可知取代第1电极层38a而设置层间绝缘膜40时的声表面波滤波器10g的通带中的输出阻抗如图25A所示，与未设置层间绝缘膜40的情况下的声表面波滤波器10g的通带中的输出阻抗相比，在史密斯圆图上向右上、即感应性侧移动。因此，通过设置层间绝缘膜40，能够减小压电基板42与布线39之间的电容耦合。

此外，在声表面波滤波器10g的输出侧连接有低噪声放大器20的高频模块1中，如图25B所示，可知通过在布线39与压电基板42之间设置层间绝缘膜40，与未设置层间绝缘膜40的情况相比，噪声指数减少。因此，通过在声表面波滤波器10g中在布线39与压电基板42之间设置层间绝缘膜40，能够在高频模块1整体中提高噪声特性。

另外，在上述的声表面波滤波器10g中，连接于输出端子12的布线39与布线38相比，取代第1电极层38a而形成了层间绝缘膜40，但布线39也可以是具有第1电极层和第2电极层这两个的构成。

图26是表示图23所示的声表面波滤波器10g的C-C线处的另一构成的剖视图。图26所示的布线39与图24A所示的布线38同样地，具有第1电极层39a和第2电极层39b。第1电极层39a以及第2电极层39b的构成与第1电极层38a以及第2电极层38b相同。在布线39与压电基板42之间，形成层间绝缘膜40。在压电基板42上形成保护层44以使得覆盖层间绝缘膜40以及布线39。

在布线39与压电基板42之间设置层间绝缘膜40的情况下，取代第1电极层39a而设置层间绝缘膜40的情况与保留第1电极层39a地设置层间绝缘膜40的情况相比，声表面波滤波器10g的输出阻抗的变化更大。因此，在希望将声表面波滤波器10g的输出阻抗的变化较大调整的情况下，取代第1电极层39a而设置层间绝缘膜40，在希望将声表面波滤波器10g的输出阻抗的变化较小调整的情况下，可以保留第1电极层39a地设置层间绝缘膜40。

另外，虽然本实施方式所涉及的声表面波滤波器10g设为具备第1声表面波谐振器10ga和第2声表面波谐振器10gb的构成，但并不局限于此，声表面波滤波器10g可以由1级纵耦合型的声表面波谐振器构成，也可以由多级纵耦合型的声表面波谐振器构成。

(其他的实施方式)

另外，本发明并不限定于上述的实施方式中所述的构成，例如也可以如以下所示的变形例那样施加适当的变更。

例如，在上述的实施方式中，作为用于对声表面波滤波器的输出阻抗进行调整的电极参数，对连接于输出端子的谐振器的抽取电极的根数、谐振器的交叉宽度方向的分割数、谐振器的主波长以及主占空比进行了说明，但也可以使用其他参数来作为电极参数。例如，也可以将谐振器的电极指的间距、电极指的对数等作为电极参数。此外，电极参数的值并不局限于上述的实施方式所示的值，也可以适当地变更。

此外，构成声表面波滤波器的谐振器的数量并不局限于3个或者5个，也可以进行变更。

此外，构成谐振器的基板、电极、保护层等的材料并不局限于上述的材料，也可以适当地变更。此外，各谐振器的电极指的大小、间距以及对数只要满足上述的条件就也可以变更。

此外，在上述的实施方式中，将声表面波滤波器与低噪声放大器直接连接，但也可以在声表面波滤波器与低噪声放大器之间还设置匹配元件。另外，由于根据本实施方式所涉及的声表面波滤波器，能够调整声表面波滤波器的输出阻抗，因此即使在不设置匹配元件而如上述那样直接将声表面波滤波器与低噪声放大器直接连接的情况下，也能够实现低损耗化以及低噪声化。

其他，对上述的实施方式以及变形例实施本领域的技术人员能够想到的各种变形而得到的方式、或者在不脱离本发明的主旨的范围内将上述的实施方式以及变形例中的构成要素以及功能任意地组合来实现的方式也包含于本发明。

产业上的可利用性

本发明能够利用于使用了与低噪声放大器连接的声表面波滤波器的高频模块、双工器、多工器、接收装置等。

Claims (12)

1.一种高频模块，具备：

纵耦合型的声表面波滤波器，具备多个谐振器；和

低噪声放大器，连接于所述声表面波滤波器，对通过所述声表面波滤波器后的高频信号进行放大，

与所述低噪声放大器连接的所述声表面波滤波器的输入阻抗和输出阻抗不同，

在史密斯圆图中，所述声表面波滤波器的通带中的所述输出阻抗存在于第1输出阻抗与第2输出阻抗之间的区域，其中，所述第1输出阻抗为所述低噪声放大器的增益最大时的所述声表面波滤波器的输出阻抗，所述第2输出阻抗为所述低噪声放大器的噪声指数最小时的所述声表面波滤波器的输出阻抗。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述声表面波滤波器具有用于在史密斯圆图中将所述声表面波滤波器的通带中的所述输出阻抗调整到所述区域的电极参数。

3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，

与所述声表面波滤波器的输出端子连接的至少一个所述谐振器的叉指换能器电极即IDT电极具有抽取电极，

所述电极参数是所述抽取电极的根数。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，

所述抽取电极被设置于所述谐振器的中央部分。

5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，

所述抽取电极被设置于所述谐振器的中央部分的46％的范围。

6.根据权利要求2所述的高频模块，其中，

与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器的IDT电极在交叉宽度方向被分割，

所述电极参数是所述IDT电极的交叉宽度方向的分割数。

7.根据权利要求2所述的高频模块，其中，

所述电极参数是第1主波长和第2主波长，其中，所述第1主波长是与所述声表面波滤波器的输入端子连接的所述谐振器中的主波长的平均值，所述第2主波长是与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器中的主波长的平均值，

所述第1主波长与所述第2主波长不同。

8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，

所述电极参数是作为第2主波长相对于第1主波长之比的主波长比，其中，所述第1主波长是与所述声表面波滤波器的输入端子连接的所述谐振器中的主波长的平均值，所述第2主波长是与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器中的主波长的平均值，

所述主波长比是1.01以上。

9.根据权利要求2所述的高频模块，其中，

所述电极参数是与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器中的主占空比，

所述主占空比大于0.55并且小于0.75。

10.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

在所述声表面波滤波器中，与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器的IDT电极和所述声表面波滤波器的输出端子之间的布线形成于在基板上形成的层间绝缘膜上。

11.根据权利要求10所述的高频模块，其中，

与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器的IDT电极具有：形成于基板上的第1电极层、和形成于所述第1电极层上的第2电极层，

配置有所述层间绝缘膜的位置处的所述布线由所述第1电极层和所述第2电极层构成。

12.根据权利要求10所述的高频模块，其中，

与所述声表面波滤波器的输出端子连接的所述谐振器的所述IDT电极具有：形成于基板上的第1电极层、和形成于所述第1电极层上的第2电极层，

配置有所述层间绝缘膜的位置处的所述布线由形成于所述层间绝缘膜上的第2电极层构成。

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