WO2018142812A1 - 弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置 - Google Patents

Abstract

ＩＭＤの発生を抑制することができ、かつ小型化を図り得る、弾性波装置を提供することにある。　圧電性を有する基板２上に、アンテナ端子３と、信号端子と、複数の共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１，Ｐ２とが設けられており、アンテナ端子３に最も近い共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の電極膜の厚みが、全ての共振子のＩＤＴ電極の電極膜の厚みのうち最も薄く、またはアンテナ端子３に最も近い共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての共振子におけるＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽い、弾性波装置１。

Description

弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置

　本発明は、圧電性を有する基板の同一平面上にＩＤＴ電極を有する複数の共振子が構成されている弾性波装置、該弾性波装置を有するデュプレクサ及びフィルタ装置に関する。

　従来、スマートフォンや携帯電話機などにおいて、弾性波を利用したデュプレクサなどが広く用いられている。弾性波を利用したデュプレクサは、非線形デバイスである。従って、相互変調歪み（ＩＭＤ：Ｉｎｔｅｒ　Ｍｏｄｕｒａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）が発生しやすいという問題があった。

　下記の特許文献１に記載の弾性波フィルタを有するデュプレクサでは、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子または並列腕共振子が、静電容量を変えることなく分割されている。それによって、直列腕共振子または並列腕共振子の面積を大きくし、単位面積あたりの消費電力を低めている。そのため、ＩＭＤの発生が抑制されている。

特開２００７－７４６９８号公報

　しかしながら、特許文献１に記載のように、直列腕共振子や並列腕共振子を分割すると、直列腕共振子や並列腕共振子が大面積となる。従って、小型化が困難になるという問題があった。

　本発明の目的は、ＩＭＤの発生を抑制することができ、かつ小型化を図り得る、弾性波装置を提供することにある。本発明の他の目的は、本発明の弾性波装置を有するデュプレクサ及びフィルタ装置を提供することにある。

　本願の第１の発明に係る弾性波装置は、圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、前記圧電性を有する基板上に構成されている複数の共振子とを備え、前記複数の共振子が、それぞれ、ＩＤＴ電極を有し、前記各ＩＤＴ電極が電極膜を有し、前記電極膜が、単一金属もしくは単一合金からなる金属膜または複数の金属膜を積層してなる積層金属膜であり、前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子との間に接続されている共振子を有し、前記複数の共振子のうち、前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極の前記電極膜の厚みが、全ての前記共振子の前記ＩＤＴ電極の前記電極膜の厚みのうち、最も薄い。

　本願の第２の発明に係る弾性波装置は、圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、前記圧電性を有する基板上に構成されている複数の共振子とを備え、前記複数の共振子が、それぞれ、ＩＤＴ電極を有し、前記各ＩＤＴ電極が電極膜を有し、前記電極膜が、単一金属もしくは単一合金からなる金属膜または複数の金属膜を積層してなる積層金属膜であり、前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子との間に接続された共振子を有し、前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての前記共振子における前記ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽い。

　以下、第１，第２の発明を総称して本発明と略す。

　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極を構成している前記電極膜中の最も密度の高い金属膜の膜厚が、他の前記共振子の前記ＩＤＴ電極における前記電極膜中の最も密度の高い金属膜の膜厚よりも薄い。

　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の弾性波伝搬方向に沿う寸法が、全ての前記共振子における弾性波伝搬方向に沿う寸法の中で最大ではない。この場合には、より一層の小型化を図ることができる。

　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記複数の共振子のうち、弾性波伝搬方向に沿う寸法が最大である共振子が、縦結合共振子型弾性波フィルタである。この場合には、縦結合共振子型弾性波フィルタを有する弾性波装置において、より一層の小型化を図ることができる。

　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記電極膜において、最も密度の高い金属膜が、Ｐｔ、Ｍｏ、及びＷからなる群から選択された一種である。

　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に設けられた直列腕共振子と、前記直列腕とグラウンド電位とを接続している並列腕に設けられた並列腕共振子とを有する。このように、直列腕共振子及び並列腕共振子を有する弾性波装置は、ラダー型フィルタであってもよい。

　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタを前記共振子として有する。

　本発明に係るデュプレクサは、第１の帯域通過型フィルタと、前記アンテナ端子に共通接続されており、前記第１の帯域通過型フィルタと通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタとを備え、前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタの少なくとも一方が本発明に従って構成されている弾性波装置を有する。

　本発明に係るフィルタ装置は、本発明に従って構成された弾性波装置からなる第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタの前記アンテナ端子に共通接続されている少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを備える。

　本発明に係る弾性波装置、デュプレクサ及びフィルタ装置によれば、ＩＭＤの発生を抑制しつつ、小型化を図ることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図は３、本発明の第１の実施形態で用いられている、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子の電極構造を示す平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態で用いられている直列腕共振子のＩＤＴ電極の電極指における積層構造を説明するための部分正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置が用いられているフィルタ装置の回路図である。 図６は、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子において、ＩＤＴ電極の総厚みが６００ｎｍ、４９０ｎｍまたは３４８ｎｍの場合のＩＭＤ特性を示す図である。 図７は、アンテナ端子に最も近い弾性波共振子のＩＤＴ電極の規格化された重さが１．００または０．９０の場合のＩＭＤ特性を示す図である。 図８は、本発明の第３の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図９は、本発明の第４の実施形態の弾性波装置の電極構造を示す平面図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態の弾性波装置の回路図である。 図１１は、本発明の第５の実施形態としてのデュプレクサを説明するための回路図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

　（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す平面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。

　弾性波装置１は、Ｂａｎｄ５の受信フィルタである。

　弾性波装置１は、圧電性を有する基板２を有する。圧電性を有する基板２はＬｉＴａＯ_３からなる。もっとも、圧電性を有する基板２は、ＬｉＮｂＯ_３などの他の圧電単結晶からなるものであってもよい。また、圧電性を有する基板２は、支持基板上に圧電単結晶膜を積層した構造を有していてもよい。さらに、圧電単結晶に代えて、圧電セラミックスが用いられてもよい。

　圧電性を有する基板２上に、アンテナ端子３と、信号端子としての受信端子４と、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子５～８とが設けられている。

　図２に示すように、弾性波装置１では、アンテナ端子３と受信端子４とを結ぶ直列腕において、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２と、縦結合共振子型弾性波フィルタである縦結合型の共振子９とがお互いに直列に接続されている。また直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２間の接続点と、グラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と、縦結合型の共振子９との間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。すなわち、弾性波装置１は、圧電性を有する基板２上に設けられた複数の共振子として、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２、縦結合型の共振子９及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を有する。

　ところで、図１及び図２に示すように、アンテナ端子３に電気的に最も近い共振子は、直列腕共振子Ｓ１である。直列腕共振子Ｓ１は、１ポート型弾性波共振子からなる。図３は、直列腕共振子Ｓ１としての１ポート型弾性波共振子１１の電極構造を示す平面図である。１ポート型弾性波共振子１１では、ＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側に反射器１３，１４が設けられている。ＩＤＴ電極１２は、互いに間挿し合う複数本の第１の電極指１２ａ及び複数本の第２の電極指１２ｂを有する。

　上記アンテナ端子３、受信端子４、グラウンド端子５～８、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２、縦結合型の共振子９及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を構成するための電極材料は特に限定されない。例えば、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉなどの金属または、ＡｌＣｕもしくはＮｉＣｒなどのこれらの金属を主体とする合金が用いられる。本発明では、ＩＤＴ電極は電極膜を有し、この電極膜は、単一の金属もしくは単一の合金からなる金属膜であってもよく、複数の金属膜が積層されている積層金属膜であってもよい。本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極１２の電極膜は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなる。図４は、直列腕共振子Ｓ１としての１ポート型弾性波共振子におけるＩＤＴ電極１２の積層構造を説明するための部分正面断面図である。ここでは、ＩＤＴ電極１２の１本の電極指の横断面を含む部分が図示されている。

　圧電性を有する基板２上において、ＩＤＴ電極１２の電極膜では、圧電性を有する基板２側から、Ｐｔ膜１２ｃ、Ｔｉ膜１２ｄ、Ａｌ膜１２ｅ及びＴｉ膜１２ｆがこの順序で積層されている。

　また、図１及び図２では、電極構造を模式的に示したが、図４に示すように、電極構造を覆うように、第１の誘電体膜１６が積層されている。第１の誘電体膜１６は、ＳｉＯ_２からなる。ＳｉＯ_２膜のように、周波数温度係数が正の誘電体膜を積層することにより、周波数温度特性を改善することができる。また、Ｓｉからなる第２の誘電体膜１７が、第１の誘電体膜１６上に積層されている。第２の誘電体膜１７は、保護膜または周波数調整膜として設けられている。もっとも、本発明においては、第１，第２の誘電体膜１６，１７は設けられずともよい。

　図５は弾性波装置１が用いられているフィルタ装置の回路図である。フィルタ装置１５では、弾性波装置１のアンテナ端子３が、アンテナ１８に接続される。そして、受信端子４の後段に、増幅器１９が接続されている。

　弾性波装置１の特徴は、全ての共振子のうち、アンテナ端子３に最も近い共振子である、直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の電極膜すなわち積層金属膜の厚みが、全ての共振子のＩＤＴ電極の電極膜すなわち積層金属膜の厚みのうち、最も薄いことにある。それによって、ＩＭＤの発生を抑制することができ、かつ小型化を図ることができる。

　（第２の実施形態）
　本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構造を有する。第２の実施形態では、複数の共振子のうち、アンテナ端子に最も近い共振子のＩＤＴ電極の電極膜すなわち積層金属膜の厚みは特に限定していない。第２の実施形態は、アンテナ端子に最も近い共振子である直列腕共振子のＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての共振子におけるＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽いことを特徴とする。その他の構成は、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。

　なお、第２の実施形態では、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての共振子のＩＤＴ電極における単位面積あたりの重さの中で最も軽くされているが、第１の実施形態の特徴的構成、すなわち、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極の電極膜すなわち積層金属膜の厚みが、全ての共振子のＩＤＴ電極の電極膜すなわち積層金属膜の厚みのうち、最も薄い構成がさらに備えられていてもよく、その場合にはＩＭＤの発生をより一層効果的に抑制することができる。

　第１及び第２の実施形態の弾性波装置において、小型化を図ることをでき、ＩＭＤの発生を抑制することができることを、具体的な実験例に基づき説明する。図６を参照して、第１の実験例を説明する。図６は、弾性波装置において、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子のＩＤＴ電極の総厚みを、６００ｎｍ、４９０ｎｍまたは３４８ｎｍとした場合のＢａｎｄ５のＩＭＤ特性、すなわち２Ｔｘ－Ｒｘ帯におけるＩＭＤ特性を示す図である。なお、図６の共振子Ａ、共振子Ｂ及び共振子Ｃの設計パラメータは下記の表１に示す通りである、共振子Ａ、共振子Ｂ及び共振子ＣにおけるＩＤＴ電極の膜厚は下記の表２に示す通りである。

　なお、表１におけるλは、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長である。

　また、対数は、ＩＤＴ電極における電極指の対数であり、デューティは、ＩＤＴ電極のデューティである。

　また、表２に示すように、共振子Ａ～Ｃのいずれにおいても、圧電性を有する基板側から順に、Ｐｔ膜、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜がこの順序で積層されている。

　表２に示すように、Ｔｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜の厚みは全て同一とした。Ｐｔ膜の厚みを変化させ、ＩＤＴ電極の総厚みを６００ｎｍ、４９０ｎｍまたは３４８ｎｍとした。従って、共振子Ａを基準として、ＩＤＴ電極の重さを規格化すると、共振子Ｂでは、ＩＤＴ電極の規格化重さは０．７０、共振子ＣのＩＤＴ電極の規格化重さは０．３２となる。共振子Ａ、共振子Ｂ及び共振子ＣのＩＤＴ電極の面積は等しい、従って、共振子Ａ、共振子Ｂ及び共振子ＣのＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さは、上記規格化重さで表される。よって、単位面積あたりの重さが最も軽いＩＤＴ電極を有するのは、共振子Ａ、共振子Ｂ及び共振子Ｃのうち、共振子Ｃとなる。

　下記の表３は、図６に示したＩＭＤ（ｄＢｍ）を示す。

　図６及び表３から明らかなように、共振子Ａ～Ｃにおいて、８６９ＭＨｚ、８８１．５ＭＨｚ、８９４ＭＨｚのいずれの周波数においても、共振子Ｃによれば、共振子Ａ及び共振子Ｂに比べ、ＩＭＤ特性を改善し得ることがわかる。

　一般に、複数の共振子が、アンテナ端子と、信号端子との間に接続されているフィルタ装置では、アンテナ端子に電気的に最も近い共振子が、ＩＭＤ特性に最も大きく影響する。

　第１の実施形態の弾性波装置では、全ての共振子のうち、アンテナ端子に最も近い共振子である直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の積層金属膜の厚みが、全ての共振子のＩＤＴ電極の積層金属膜の厚みのうち最も薄くされている。従って、ＩＭＤの発生を効果的に抑制することができる。

　加えて、第１の実施形態の弾性波装置では、直列腕共振子のＩＤＴ電極の積層金属膜の厚みを工夫することにより、ＩＭＤの発生が抑制されている。特許文献１に記載のデュプレクサでは、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子または並列腕共振子を、静電容量を変えることなく分割した構造を用いていた。そのため、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子または並列腕共振子の面積が大きくなり、小型化が困難であった。これに対して、弾性波装置では、直列腕共振子のＩＤＴ電極の電極膜の厚みを調整することにより、ＩＭＤの発生が抑制されている。従って、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子の大型化を避けることができ、弾性波装置１では、小型化を進めることができる。

　なお、好ましくは、直列腕共振子のＩＤＴ電極を構成している電極膜すなわち積層金属膜のうち、最も密度が高い金属膜の膜厚であるＰｔ膜である膜厚が、他の共振子のＩＤＴ電極における電極膜すなわち積層金属膜のうち最も密度の高い金属膜であるＰｔ膜の膜厚よりも薄いことが望ましい。それによって、直列腕共振子Ｓ１におけるＩＭＤの発生をより一層効果的に抑制することができる。

　第１の実施形態では、全ての共振子において、同じ種類の金属膜を同じ順序で積層された積層金属膜を有する。より具体的には、最も密度の高い金属膜の膜厚を除いては、他の金属膜の膜厚は全て等しくされている。

　上記実施形態では、全ての共振子における積層金属膜の積層構造を、最も密度の高い金属膜の膜厚を除いては等しくしていた。しかしながら、本発明においては、電極膜が積層金属膜である場合、積層構造はこれに限定されるものではない。すなわち、全ての共振子のＩＤＴ電極の積層金属膜の厚みのうち、アンテナ端子に最も近い共振子におけるＩＤＴ電極における積層金属膜の厚みが最も薄ければ、上記のように、ＩＭＤの発生を効果的に抑制することができる。

　また、アンテナ端子に最も近い共振子におけるＩＤＴ電極を構成している電極膜すなわち積層金属膜のうち、最も密度の高い金属膜の膜厚が、他の共振子のＩＤＴ電極における電極膜すなわち積層金属膜中の最も密度の高い金属膜の膜厚より薄いことが好ましい。この場合、アンテナ端子に最も近い共振子における最も密度の高い金属膜と、他の共振子における最も密度の高い金属膜は、異なる金属からなるものであってもよい。

　ＩＤＴ電極の厚みが共振子Ａ～Ｃにおいて、最も薄い共振子Ｃにおいて、ＩＭＤの発生を効果的に抑制し得ることを説明した。表２において、共振子Ａ～ＣのＩＤＴ電極の規格化重さの比較からも明らかなように、共振子Ｃでは、ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが最も軽いことによっても、ＩＭＤの発生が抑制されている。

　なお、アンテナ端子に最も近い直列腕共振子において、ＩＤＴ電極を構成している電極膜の厚みを最も薄くすることにより、あるいは単位面積あたりの重さを最も軽くすることにより、ＩＭＤ特性の改善をされ得る理由は明確ではない。本願発明者は、実験的に、上記アンテナ端子に最も近い共振子の電極膜の厚みを最も薄く、あるいは最も単位面積あたりの重さを軽くすれば、ＩＭＤ特性の改善を図り得ることを、実験的に見出したものである。

　次に、図７を参照して、第２の実験例を説明する。図７は、直列腕共振子Ｓ１として、下記の表４に示す共振子Ｄ及び共振子ＥのＢａｎｄ５の２Ｔｘ－Ｒｘ帯のＩＭＤ特性を示す図である。

　表４において、λは、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長である。

　また、共振子Ｄでは、電極膜として、１０ｎｍの厚みのＴｉ膜上に、３７２ｎｍの厚みのＡｌ膜を積層してなる積層金属膜を用いた。共振子Ｅでは、電極膜として、１０ｎｍの厚みのＴｉ膜上に３３２ｎｍの厚みのＡｌ膜を積層した積層金属膜を用いた。従って、共振子ＤのＩＤＴ電極における積層金属膜の厚みに比べて、共振子ＥにおけるＩＤＴ電極の積層金属膜の厚みが薄くされている。また、表４から明らかなように、共振子ＤにおけるＩＤＴ電極の重さを１．００とした場合、共振子ＥのＩＤＴ電極の規格化重さは０．９０となる。よって、ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さは、共振子Ｄに比べて共振子Ｅが軽くなっている。

　下記の表５は図７に示した８６９ＭＨｚ、８８１．５ＭＨｚ及び８９４ＭＨｚにおける共振子Ｄ及び共振子ＥのＩＭＤ（ｄＢｍ）を示す。

　表５及び図７から明らかなように、共振子Ｅでは、共振子Ｄに比べてＩＭＤの発生を効果的に抑制し得ることがわかる。

　図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。弾性波装置２１では、アンテナ端子３と、信号端子としての受信端子４との間を接続している直列腕に、直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２が配置されている。アンテナ端子３とグラウンド電位との間に並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１２が接続されている。複数の共振子としての直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２及び並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２のうち、アンテナ端子３に最も近い共振子は、並列腕共振子Ｐ１１である。このように、アンテナ端子３に最も近い共振子は、直列腕共振子Ｓ１１ではなく、並列腕共振子Ｐ１１であってもよい。

　この場合においては、複数の直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２及び複数の並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２のうち、アンテナ端子３に最も近い並列腕共振子Ｐ１１のＩＤＴ電極の電極膜の厚みが、残りの直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２及び並列腕共振子Ｐ１２のＩＤＴ電極を構成している電極膜の厚みより薄ければよい。また、前述したように、アンテナ端子３に最も近い並列腕共振子Ｐ１１のＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての共振子におけるＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽くてもよい。それによって、第１，第２の実施形態と同様に、ＩＭＤ特性を改善することができ、かつ小型化を図り得る。なお、アンテナ端子３に最も近い並列腕共振子Ｐ１１以外の残りの直列腕共振子は１つであってもよく、アンテナ端子３に最も近い並列腕共振子Ｐ１１以外の残りの並列腕共振子は１つであってもよい。

　図９は、第４の実施形態の弾性波装置の電極構造を示す平面図であり、図１０は、第４の実施形態の弾性波装置の回路図である。

　第４の実施形態の弾性波装置３１では、第１の実施形態における縦結合型の共振子９に代えて、直列腕共振子Ｓ３が設けられている。すなわち、アンテナ端子３と信号端子としての受信端子４とを結ぶ直列腕において、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が互いに直列に接続されている。本実施形態では、弾性波装置３１は、複数の共振子として、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を有する。それによって、ラダー型フィルタが構成されている。

　直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のうち、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の電極膜の厚みが、残りの直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３のＩＤＴ電極を構成している電極膜の厚みより薄ければよい。また、前述したように、アンテナ端子３に最も近い直列腕共振子Ｓ１のＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての共振子におけるＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽くてもよい。それによって、第１，第２の実施形態と同様に、ＩＭＤ特性を改善することができ、かつ小型化を図り得る。

　図１１は、本発明の第５の実施形態としてのデュプレクサを説明するための回路図である。デュプレクサ４１は、アンテナ４２に接続される共通端子４３を有する。共通端子４３に第１の帯域通過型フィルタとして、第１の実施形態に係る弾性波装置１が接続されている。すなわち、アンテナ端子３が、共通端子４３に接続されている。また、共通端子４３に第２の帯域通過型フィルタ４４も接続されている。第２の帯域通過型フィルタ４４は、送信端子４５と、出力端子４６とを有する送信フィルタである。出力端子４６は共通端子４３に接続されている。このように、デュプレクサ４１は、弾性波装置１からなる第１の帯域通過型フィルタである受信フィルタと、第２の帯域通過型フィルタ４４である送信フィルタとを備えている。

　第５の実施形態のデュプレクサ４１では、第１の帯域通過型フィルタである受信フィルタが本発明の実施形態である弾性波装置１により構成されていた。もっとも、本発明に係るデュプレクサでは、第１の帯域通過型フィルタではなく、第２の帯域通過型フィルタが本発明に係る弾性波装置により構成されていてもよく、第１及び第２の帯域通過型フィルタの双方が、本発明に従って構成された弾性波装置からなるものであってもよい。

　また、図５に破線で示すように、共通端子５１に、第１の帯域通過型フィルタとしての弾性波装置１だけでなく、通過帯域が異なる２以上の帯域通過型フィルタ５２，５３が共通接続されていてもよい。その場合には、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）に適した束ね型のフィルタ装置を構成することができる。なお、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）などに用いる場合には、共通端子５１に、弾性波装置１と、通過帯域が異なる少なくとも１個以上の帯域通過型フィルタとが共通接続されていればよい。

　なお、第１～第３の実施形態では、受信フィルタについての実施形態を説明したが、本発明に係る弾性波装置は、送信フィルタに適用されていてもよい。すなわち、送信フィルタにおいても、ＩＭＤ特性に最も影響するのは、アンテナ端子に最も近い共振子である。従って、直列腕に複数の直列腕共振子を有する送信フィルタにも、本発明を適用することができる。

１…弾性波装置
２…圧電性を有する基板
３…アンテナ端子
４…受信端子
５～８…グラウンド端子
９…共振子
１１…１ポート型弾性波共振子
１２…ＩＤＴ電極
１２ａ…第１の電極指
１２ｂ…第２の電極指
１２ｃ…Ｐｔ膜
１２ｄ…Ｔｉ膜
１２ｅ…Ａｌ膜
１２ｆ…Ｔｉ膜
１３，１４…反射器
１５…フィルタ装置
１６…第１の誘電体膜
１７…第２の誘電体膜
１８…アンテナ
１９…増幅器
２１，３１…弾性波装置
４１…デュプレクサ
４２…アンテナ
４３…共通端子
４４…第２の帯域通過型フィルタ
４５…送信端子
４６…出力端子
５１…共通端子
５２，５３…帯域通過型フィルタ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２…並列腕共振子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ１１，Ｓ１２…直列腕共振子

Claims (11)

1. 　圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、
   　前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、
   　前記圧電性を有する基板上に構成されている複数の共振子とを備え、
   　前記複数の共振子が、それぞれ、ＩＤＴ電極を有し、前記各ＩＤＴ電極が電極膜を有し、前記電極膜が、単一金属もしくは単一合金からなる金属膜または複数の金属膜を積層してなる積層金属膜であり、
   　前記複数の共振子が前記アンテナ端子と前記信号端子との間に接続されている共振子を有し、
   　前記複数の共振子のうち、前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極の前記電極膜の厚みが、全ての前記共振子の前記ＩＤＴ電極の前記電極膜の厚みのうち、最も薄い、弾性波装置。
2. 　圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上に設けられており、アンテナに接続されるアンテナ端子と、
   　前記圧電性を有する基板上に設けられており、信号が入出力される信号端子と、
   　前記圧電性を有する基板上に構成されている複数の共振子とを備え、
   　前記複数の共振子が、それぞれ、ＩＤＴ電極を有し、前記各ＩＤＴ電極が電極膜を有し、前記電極膜が、単一金属もしくは単一合金からなる金属膜または複数の金属膜を積層してなる積層金属膜であり、
   　前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子との間に接続された共振子を有し、
   　前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さが、全ての前記共振子における前記ＩＤＴ電極の単位面積あたりの重さの中で最も軽い、弾性波装置。
3. 　前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の前記ＩＤＴ電極を構成している前記電極膜中の最も密度の高い金属膜の膜厚が、他の前記共振子の前記ＩＤＴ電極における前記電極膜中の最も密度の高い金属膜の膜厚よりも薄い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 　前記アンテナ端子に最も近い前記共振子の弾性波伝搬方向に沿う寸法が、全ての前記共振子における弾性波伝搬方向に沿う寸法の中で最大ではない、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 　前記複数の共振子のうち、弾性波伝搬方向に沿う寸法が最大である共振子が、縦結合共振子型弾性波フィルタである、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 　前記電極膜において、最も密度の高い金属膜が、Ｐｔ、Ｍｏ、及びＷからなる群から選択された一種である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
7. 　前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に設けられた直列腕共振子と、
   　前記直列腕とグラウンド電位とを接続している並列腕に設けられた並列腕共振子とを有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 　ラダー型フィルタである、請求項７に記載の弾性波装置。
9. 　前記複数の共振子が、前記アンテナ端子と前記信号端子とを接続している直列腕に設けられた縦結合共振子型弾性波フィルタを前記共振子として有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
10. 　第１の帯域通過型フィルタと、前記アンテナ端子に共通接続されており、前記第１の帯域通過型フィルタと通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタとを備え、
    　前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタの少なくとも一方が請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置を有する、デュプレクサ。
11. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置からなる第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の帯域通過型フィルタの前記アンテナ端子に共通接続されている少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを備える、フィルタ装置。

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