JP2015119258A - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタ特性の急峻性が高い弾性波フィルタ装置を提供する。【解決手段】弾性波フィルタ装置は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、それぞれ複数本の電極指２１ｆ〜２３ｆ、２１ｈ〜２３ｈを有する第１〜第３のＩＤＴ電極２１〜２３と、第１及び第２の反射器２４，２５とを有する。第１〜第３のＩＤＴ電極２１〜２３のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部２１ｃ、２２ｃ、２２ｄ、２３ｃを有する。第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極２１側に位置する狭ピッチ部２２ｃにおける電極指２２ｆ、２２ｈの本数と、第２のＩＤＴ電極２２の第３のＩＤＴ電極２３側に位置する狭ピッチ部２２ｄにおける電極指２２ｆ、２２ｈの本数とが相互に異なっている。【選択図】図３

Description

本発明は、弾性波フィルタ装置に関し、特に、弾性波伝搬方向に沿って配列されている第１〜第３のＩＤＴ電極を有する３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ装置に関する。

縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタ装置は、小型・軽量でフィルタ特性が優れているため、近年、携帯通信端末のＲＦ段やＩＦ段のフィルタなどとして多用されている。例えば、下記の特許文献１には、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタ装置の一例が開示されている。

図１８は、特許文献１に開示された弾性波フィルタ装置の構成図である。図１８に示すように、弾性波フィルタ装置１００は、直列に接続された第１及び第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１，１０２を備えている。第１の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１と第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０２との間の接続点１０３とグラウンド電位との間には、弾性波共振子１０４が接続されている。

弾性波フィルタ装置１００では、弾性波共振子１０４は、弾性波共振子１０４の共振周波数が、第１及び第２の３ＩＤＴ型縦結合共振子型弾性波フィルタ部１０１，１０２の通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域内に位置するように構成されている。これにより、フィルタ特性の急峻性が改善されている。

特開平４−５４０１１号公報

上記の特許文献１に開示されているように、接続点１０３とグラウンド電位との間に弾性波共振子１０４が接続された弾性波フィルタ装置１００では、フィルタ特性の急峻性は、弾性波共振子１０４のＱ値に大きく依存する。フィルタ特性の急峻性をより高くするためには、弾性波共振子１０４のＱ値をより大きくする必要がある。しかしながら、弾性波共振子１０４のＱ値は、圧電基板や電極材料によりほぼ決定されるため、弾性波共振子１０４のＱ値を大きくすることには限界があった。従って、弾性波共振子１０４を設けることのみによっては、近年求められているようなフィルタ特性のさらに高い急峻性を実現することは困難であった。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解決し、フィルタ特性の急峻性が高い弾性波フィルタ装置を提供することにある。

本発明のある広域な局面では、弾性波フィルタ装置は、圧電膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の積層構造からなる積層基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第１〜第３のＩＤＴ電極と、第１及び第２の反射器とを有する。第１〜第３のＩＤＴ電極は、積層基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されている。第１〜第３のＩＤＴ電極は、それぞれ複数本の電極指を有する。第１及び第２の反射器は、積層基板上において第１〜第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成されている。第１〜第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有する。第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。

本発明のある特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている。この構成によれば、フィルタ特性の急峻性をより高くすることができる。

本発明の他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている。この構成によれば、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができ、良好な周波数特性を得ることができる。

本発明の別の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

本発明のさらに他の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

本発明のさらに別の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。

本発明の他の特定の広域な局面では、弾性波フィルタ装置は、圧電膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の積層構造からなる積層基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第１〜第３のＩＤＴ電極と、第１及び第２の反射器とを有する。第１〜第３のＩＤＴ電極は、積層基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されている。第１〜第３のＩＤＴ電極は、それぞれ複数本の電極指を有する。第１及び第２の反射器は、積層基板上において第１〜第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成されている。第１〜第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有する。第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている。

本発明のまた他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている。この構成によれば、フィルタ特性の急峻性をより高くすることができる。

本発明のまた別の特定の局面では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている。この構成によれば、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができ、良好な周波数特性を得ることができる。

本発明のさらにまた他の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

本発明のさらにまた別の特定の局面では、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい。この構成によれば、通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

本発明のまたさらに他の特定の局面では、第１〜第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部の１次の共振モードに起因する減衰極の周波数が、縦結合共振子型弾性波フィルタ部の通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域内に位置するように構成されている。

本発明では、第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっているか、または第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっているので、縦結合共振子型弾性波フィルタ部において１次の共振モードが発生し、この１次の共振モードにより通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域における挿入損失が増大するため、フィルタ特性の急峻性を高めることができ、よって、良好なフィルタ特性を有する弾性波フィルタ装置を提供することができる。

図１は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の模式的構成図である。 図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の要部断面図である。図２（Ｂ）、図２（Ｃ）は、その変形例である。 図３は、第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の模式的構成図である。 図４は、第１の実施形態における第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の模式的構成図である。 図５は、第１の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を表すグラフである。 図６は、第２及び第３の実施例並びに第１の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図７は、第４及び第５の実施例並びに第２の実施例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図８は、狭ピッチ部が設けられていない３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部における各共振モードの電流分布を表す模式図である。図８（ａ）は、０次の共振モードの電流分布を表す模式図である。図８（ｂ）は、２次の共振モードの電流分布を表す模式図である。図８（ｃ）は、Ｉ−Ｉ間の共振モードの電流分布を表す模式図である。図８（ｄ）は、１次の共振モードの電流分布を表す模式図である。 図９は、第１の比較例の弾性波フィルタ装置において縦結合共振子型弾性波フィルタ部のみの電気的特性を取り出し、特性インピーダンスを外して共振モードの共振点を確認した図である。 図１０は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。 図１１は、参考例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１２は、第２の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の略図的構成図である。 図１３は、第２の実施形態における第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の略図的構成図である。 図１４は、第６及び第７の実施例並びに第２の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１５は、第８及び第９の実施例並びに第６の実施例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を表すグラフである。 図１６は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。 図１７は、第１０の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を表すグラフである。 図１８は、特許文献１に開示された縦結合共振子型弾性波フィルタ装置の構成図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

（第１の実施形態）
本実施形態に係る弾性波フィルタ装置１は、平衡−不平衡変換機能を有するＵＭＴＳ−ｂａｎｄ２用受信フィルタである。弾性波フィルタ装置１では、不平衡信号端子２のインピーダンスが５０Ω、第１及び第２の平衡信号端子３，４のインピーダンスが１００Ωである。ＵＭＴＳ−ｂａｎｄ２用受信フィルタの送信周波数帯域は１．８５〜１．９１ＧＨｚであり、受信周波数帯域は１．９３〜１．９９ＧＨｚである。

本実施形態の弾性波フィルタ装置１は、例えば弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波フィルタ装置である。図１に本実施形態の弾性波フィルタ装置１の模式的構成図を示す。また、図２（Ａ）に、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置１の要部断面図を示す。なお、図１では、ＩＤＴ電極やグレーティング反射器は簡略的に描画されており、描画されているＩＤＴ電極やグレーティング反射器における電極指の本数は実際における電極指の本数よりも少ない。また、図１では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器は、矩形内に「×」記号が付された記号により模式的に描画している。

図１及び図２（Ａ）に示すように、弾性波フィルタ装置１は、圧電膜９０４／低音速膜９０３／高音速膜９０２／支持基板９０１の積層構造からなる積層基板９を備え、積層基板９上に第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０と、第１及び第２の直列共振子１０，１５と、第１及び第２の並列共振子４０，４５とが形成された構造を有する。

第１縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、ＩＤＴ電極２１、２２，２３とグレーティング反射器２４、２５を備えている。

第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、ＩＤＴ電極３１、３２、３３とグレーティング反射器３４、３５を備えている。

第１の直列共振子１０は、ＩＤＴ電極１１とグレーティング反射器１２、１３を備えている。

第２の直列共振子１５は、ＩＤＴ電極１６とグレーティング反射器１７、１８を備えている。

第１の並列共振子４０は、ＩＤＴ電極４１とグレーティング反射器４２、４３を備えている。

第２の並列共振子４５ＩＤＴ電極４６とグレーティング反射器４７、４８を備えている。

以下、詳しく説明する。

積層基板９は、支持基板９０１を有する。支持基板９０１上に、音速が相対的に高い高音速膜９０２が積層されている。高音速膜９０２上に、音速が相対的に低い低音速膜９０３が積層されている。また、低音速膜９０３上に圧電膜９０４が積層されている。この圧電膜９０４の上面にＩＤＴ電極１１等、グレーティング反射器１２等が積層されている。なお、圧電膜９０４の下面にＩＤＴ電極１１等、グレーティング反射器１２等が積層されていてもよい。

上記積層基板９は、高音速膜９０２、低音速膜９０３、圧電膜９０４及びＩＤＴ電極１１等を有する積層構造を支持し得る限り、適宜の材料により構成することができる。このような材料としては、サファイア、リチウムタンタレート、リチュウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。本実施形態では、支持基板９０１は、ガラスからなる。

上記高音速膜９０２は、弾性表面波を圧電膜９０４及び低音速膜９０３が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜９０２より下の構造に漏れないように機能する。本実施形態では、高音速膜９０２は、窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、前記材料を主成分とする媒質、前記材料の混合物を主成分とする媒質等のさまざまな高音速材料を用いることができる。弾性表面波を圧電膜９０４及び低音速膜９０３が積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜９０２の膜厚は厚いほど望ましく、弾性表面波の波長のλの０．５倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。

なお、本明細書において、高音速膜とは、圧電膜９０４を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、該高音速膜中のバルク波の音速が高速となる膜を言うものとする。また、低音速膜とは、圧電膜９０４を伝搬するバルク波よりも、該低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜を言うものとする。また、ある構造上のＩＤＴ電極からは様々な音速の異なるモードの弾性波が励振されることになるが、圧電膜９０４を伝搬する弾性波とは、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波を示す。上記バルク波の音速を決定するバルク波のモードは、圧電膜９０４を伝搬する弾性波の使用モードに応じて定義される。高音速膜９０２及び低音速膜９０３がバルク波の伝搬方向に関し等方性の場合には、下記の表１に示すようになる。すなわち、下記の表１の左軸の弾性波の主モードに対し下記の表１の右軸のバルク波のモードにより、上記高音速及び低音速を決定する。Ｐ波は縦波であり、Ｓ波は横波である。

なお、下記の表１において、Ｕ１はＰ波を主成分とし、Ｕ２はＳＨ波を主成分とし、Ｕ３はＳＶ波を主成分とする弾性波を意味する。

上記低音速膜９０３を構成する材料としては圧電膜９０４を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、前記材料を主成分とした媒質を用いることができる。

上記低音速膜９０３及び高音速膜９０２は、上記のように決定される高音速及び低音速を実現し得る適宜の誘電体材料からなる。

圧電膜９０４は、本実施形態では、５０°ＹカットのＬｉＴａＯ₃すなわちオイラー角で（０°，１４０°、０°）のＬｉＴａＯ₃からなり、膜厚は、ＩＤＴ電極１１等の電極周期で定まる弾性表面波の波長をλとすると、０．２５λである。もっとも、圧電膜９０４は、他のカット角のＬｉＴａＯ₃、例えば３８．５°ＹカットのＬｉＴａＯ₃により形成してもよく、あるいはＬｉＴａＯ₃以外の圧電単結晶により形成してもよい。

本願発明では、上記高音速膜９０２と、圧電膜９０４との間に上記低音速膜９０３が配置されているため、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。従って、圧電膜９０４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、低音速膜９０３が設けられていない場合に比べて、本実施形態によれば、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。また、高音速膜９０２は、弾性波を圧電膜９０４及び低音速膜９０３が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜９０２より下の構造に漏れないように機能している。即ち、本願の構造では、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電膜９０４及び低音速膜９０３の全体に分布し、高音速膜９０２の低音速膜側の一部にも分布し、積層基板９には分布しないことになる。高音速膜９０２により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムである。

図５（Ａ）では、圧電膜９０４／低音速膜９０３／高音速膜９０２／支持基板９０１の積層構造で構成された積層基板を示したが、図５（Ｂ）に示すように、媒質層９０５が、支持基板９０１と高音速膜９０２との間に積層されていてもよい。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。従って、第１の実施形態の説明を援用することとする。従って、上から順に、ＩＤＴ電極１１等及びグレーティング反射器１２等、圧電膜９０４、低音速膜９０３、高音速膜９０２、媒質層９０５及び支持基板９０１がこの順序で積層されている。

媒質層９０５としては、誘電体、圧電体、半導体または金属などのいずれの材料を用いてもよい。その場合であっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。もっとも、媒質層９０５が金属からなる場合には、比帯域を小さくすることができる。従って、比帯域が小さい用途では、媒質層９０５が金属からなることが好ましい。

また、図５（Ｃ）に示すように、支持基板９０１と高音速膜９０２との間に、媒質層９０５及び媒質層９０６が積層されていてもよい。すなわち、上から順に、ＩＤＴ電極１１等及びグレーティング反射器１２等、圧電膜９０４、低音速膜９０３、高音速膜９０２、媒質層９０５、媒質層９０６及び支持基板９０１がこの順序で積層されている。媒質層９０５及び媒質層９０６以外は、第１の実施形態と同様に構成されている。

媒質層９０５，９０６は、誘電体、圧電体、半導体または金属などのいずれの材料を用いてもよい。その場合であっても、第１の実施形態の弾性表面波装置と同様の効果を得ることができる。

本実施形態（変形例）では、圧電膜９０４、低音速膜９０３、高音速膜９０２及び媒質層９０５からなる積層構造と、媒質層９０６及び支持基板９０１からなる積層構造を別々に作製した後、両積層構造を接合する。しかる後、ＩＤＴ電極１１等及びグレーティング反射器１２等を圧電膜９０４上に形成する。それによって、各積層構造を作製する際の製造上の制約条件に依存せずに、本実施形態の弾性表面波装置を得ることができる。従って、各層を構成する材料の選択の自由度を高めることができる。

なお、上記２つの積層構造の接合に際しては、任意の接合方法を用いることができる。このような接合構造としては、親水化接合、活性化接合、原子拡散接合、金属拡散接合、陽極接合、樹脂やＳＯＧによる接合などの様々な方法を用いることができる。

積層基板９の上には、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０と、第１及び第２の直列共振子１０，１５と、第１及び第２の並列共振子４０，４５とが形成されている。本実施形態では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０と、第１及び第２の直列共振子１０，１５と、第１及び第２の並列共振子４０，４５とは、Ａｌ電極により形成されている。もっとも、各フィルタ部及び共振子は、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕなどのＡｌ以外の導電材料により形成されていてもよく、また、複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。なお、本実施形態では、圧電膜９０４は、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃により構成されている。

第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、不平衡信号端子２と、第１の平衡信号端子３との間に接続されている。一方、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、不平衡信号端子２と、第２の平衡信号端子４との間に接続されている。

不平衡信号端子２と第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０との間には、第１の直列共振子１０が接続されている。第１の直列共振子１０は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器１２，１３とを備えている。

一方、不平衡信号端子２と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０との間には、第２の直列共振子１５が接続されている。第２の直列共振子１５は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極１６と、ＩＤＴ電極１６の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器１７，１８とを備えている。

第１及び第２の直列共振子１０，１５は、第１及び第２の直列共振子１０，１５の共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域内に位置し、第１及び第２の直列共振子１０，１５の反共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域と阻止帯域との間の過渡帯域内に位置するように構成されている。これにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。

第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０と第１の平衡信号端子３との間の接続点５とグラウンド電位との間には、第１の並列共振子４０が接続されている。第１の並列共振子４０は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極４１と、ＩＤＴ電極４１の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器４２，４３とを備えている。

一方、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０と第２の平衡信号端子４との間の接続点６とグラウンド電位との間には、第２の並列共振子４５が接続されている。第２の並列共振子４５は、互いに間挿し合う一対のくし歯電極を有するＩＤＴ電極４６と、ＩＤＴ電極４６の弾性波伝搬方向の両側に配置された第１及び第２のグレーティング反射器４７，４８とを備えている。

第１及び第２の並列共振子４０，４５は、第１及び第２の並列共振子４０，４５の反共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域内に位置し、第１及び第２の並列共振子４０，４５の共振周波数が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の通過帯域低域側の帯域外に位置するように構成されている。これにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。

次に、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の構成について説明する。図３に第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の模式的構成図を示し、図４に第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の模式的構成図を示す。

図１及び図３に示すように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０は、積層基板９上において弾性波伝搬方向Ｄに沿ってこの順番で形成されている第１〜第３のＩＤＴ電極２１〜２３を備えている。第１〜第３のＩＤＴ電極２１〜２３が設けられた領域の弾性波伝搬方向Ｄの両側には、第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５が形成されている。

図３に示すように、第１のＩＤＴ電極２１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２１ａ、２１ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２１ａ、２１ｂは、バスバー２１ｅ、２１ｇと、複数の電極指２１ｆ、２１ｈとを有する。第１のＩＤＴ電極２１の第２のＩＤＴ電極２２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部２１ｃが形成されている。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指２１ｆ、２１ｈの周期Ｐ１は、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指２１ｆ、２１ｈの周期Ｐ５よりも小さくされている。なお、本明細書において、電極指の周期とは、隣接する電極指の弾性波伝搬方向Ｄに沿った中心間距離を意味する。

第２のＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２２ａ、２２ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２２ａ、２２ｂは、バスバー２２ｅ、２２ｇと、複数の電極指２２ｆ、２２ｈとを有する。第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極２１と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃが形成されている。また、第２のＩＤＴ電極２２の第３のＩＤＴ電極２３と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄが形成されている。第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ２は、第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄとを除いた残りの部分の電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ６よりも小さくされている。同様に、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ３も、第２のＩＤＴ電極２２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄとを除いた残りの部分の電極指２２ｆ、２２ｈの周期Ｐ６よりも小さくされている。

第３のＩＤＴ電極２３は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２３ａ、２３ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極２３ａ、２３ｂは、バスバー２３ｅ、２３ｇと、複数の電極指２３ｆ、２３ｈとを有する。第３のＩＤＴ電極２３の第２のＩＤＴ電極２２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部２３ｃが形成されている。狭ピッチ部２３ｃにおける電極指２３ｆ、２３ｈの周期Ｐ４は、第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指２３ｆ、２３ｈの周期Ｐ７よりも小さくされている。

第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、第２のＩＤＴ電極の平衡端子側のくし歯電極の位相が異なること以外は上記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０と実質的に同じ構成を有している。詳細には、図１及び図４に示すように、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０は、積層基板９上において弾性波伝搬方向Ｄに沿ってこの順番で形成されている第１〜第３のＩＤＴ電極３１〜３３を備えている。第１〜第３のＩＤＴ電極３１〜３３が設けられた領域の弾性波伝搬方向Ｄの両側には、第１及び第２のグレーティング反射器３４，３５が形成されている。

図４に示すように、第１のＩＤＴ電極３１は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３１ａ、３１ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３１ａ、３１ｂは、バスバー３１ｅ、３１ｇと、複数の電極指３１ｆ、３１ｈとを有する。第１のＩＤＴ電極３１の第２のＩＤＴ電極３２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部３１ｃが形成されている。狭ピッチ部３１ｃにおける電極指３１ｆ、３１ｈの周期Ｐ１１は、第１のＩＤＴ電極３１の狭ピッチ部３１ｃ以外の部分の電極指３１ｆ、３１ｈの周期Ｐ１５よりも小さくされている。

第２のＩＤＴ電極３２は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３２ａ、３２ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３２ａ、３２ｂは、バスバー３２ｅ、３２ｇと、複数の電極指３２ｆ、３２ｈとを有する。第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極３１と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃが形成されている。また、第２のＩＤＴ電極３２の第３のＩＤＴ電極３３と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄが形成されている。第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃにおける電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１２は、第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄとを除いた残りの部分の電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１６よりも小さくされている。同様に、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄにおける電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１３も、第２のＩＤＴ電極３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃと第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄとを除いた残りの部分の電極指３２ｆ、３２ｈの周期Ｐ１６よりも小さくされている。

第３のＩＤＴ電極３３は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３３ａ、３３ｂを有する。第１及び第２のくし歯電極３３ａ、３３ｂのそれぞれは、バスバー３３ｅ、３３ｇと、複数の電極指３３ｆ、３３ｈとを有する。第３のＩＤＴ電極３３の第２のＩＤＴ電極３２と弾性波伝搬方向Ｄに隣接している端部には、狭ピッチ部３３ｃが形成されている。狭ピッチ部３３ｃにおける電極指３３ｆ、３３ｈの周期Ｐ１４は、第３のＩＤＴ電極３３の狭ピッチ部３３ｃ以外の部分の電極指３３ｆ、３３ｈの周期Ｐ１７よりも小さくされている。

（第１の実施例）
第１の実施例として、上記の第１の実施形態の弾性波フィルタ装置１を以下の設計パラメータに基づいて作製し、挿入損失を測定した。

第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０；
交叉幅：３０．４λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０４０５μｍ）
第１及び第３のＩＤＴ電極２１，２３，３１，３３における電極指の本数：３９本
狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃ、３１ｃ、３３ｃにおける電極指の本数：５本
狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１：１．８８８５μｍ
狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４：１．９７８５μｍ（狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期よりも０．０９μｍ小さい）
第２のＩＤＴ電極２２における電極指の本数：４３本
第２のＩＤＴ電極３２における電極指の本数：４３本
第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数：３本
第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｃにおける電極指の本数：３本
第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数：７本
第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部３２ｄにおける電極指の本数：７本
第１及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ２，Ｐ１２，Ｐ３，Ｐ１３：２．０１１８μｍ
第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５，３４，３５における電極指の本数：６５本
メタライゼーションレシオ：０．６８
電極膜厚：０．０９１λ
第１及び第２の直列共振子１０，１５；
交叉幅：１１．０λ（λ＝１．９５２８μｍ）
ＩＤＴ電極１１，１６における電極指の本数：７１本
第１及び第２のグレーティング反射器１２，１３，１７，１８における電極指の本数：１８本
メタライゼーションレシオ：０．６０
電極膜厚：０．０９５λ
第１及び第２の並列共振子４０，４５；
交叉幅：１５．０λ（λ＝２．０４７６μｍ）
ＩＤＴ電極４１，４６における電極指の本数：１１１本
第１及び第２のグレーティング反射器４２，４３，４７，４８における電極指の本数：１８本
メタライゼーションレシオ：０．６０
電極膜厚：０．０９１λ
また、第１の比較例として、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが共に４本であり、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４と等しいこと以外は上記第１の実施例と同じ設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製し、挿入損失を測定した。

図５に第１の実施例及び第１の比較例のそれぞれにおける弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。なお、図５において、実線は第１の実施例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示し、一点鎖線が第１の比較例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。

図５に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが異なる第１の実施例の方が、第１の比較例よりも低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高かった。具体的には、低域側過渡帯域において、挿入損失が３．５ｄＢとなる周波数から挿入損失が４７ｄＢとなる周波数までの間の間隔が、第１の実施例の方が第１の比較例よりも２ＭＨｚ小さくなっていた。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを異ならしめることにより過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることができることがわかる。

また、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも０．０９μｍ小さくされている第１の実施例では、通過帯域に大きなスパイクリップルが観察されなかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と異なっている場合であっても、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも小さくすることによって、通過帯域におけるスパイクリップルを抑圧でき、通過帯域における良好な周波数特性と過渡帯域におけるフィルタ特性の高い急峻性とを両立できることがわかる。

（第２及び第３の実施例）
第２の実施例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４とを等しくしたこと以外は、上記第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。そして、第２の実施例の弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。

また、第３の実施例として、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数を５本にしたこと以外は、上記の第２の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。そして、第３の実施例の弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。

図６に第２及び第３の実施例並びに第１の比較例のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。なお、図６において、実線が第２の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第３の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第１の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。

図６に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが異なる第２及び第３の実施例では、周波数１．９２ＧＨｚ付近に１次の共振モードに起因する減衰極が確認された。また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が４本である第２の実施例の方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が２本である第３の実施例よりも大きな減衰極が確認された。この結果から、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることにより、１次の共振モードに起因する減衰極を大きくできるため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性をより高めることができることがわかる。

また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数とが異なる第２及び第３の実施例では、周波数１．９８ＧＨｚ付近にスパイクリップルが確認された。また、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数の差が４本である第２の実施例の方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数と第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数との差が２本である第３の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。

（第４及び第５の実施例）
第４及び第５の実施例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１と狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４との差を変更したこと以外は、上記の第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製した。具体的には、第４の実施例では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０４μｍ小さくした。第５の実施例では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０２μｍ小さくした。

そして、第４及び第５の実施例の弾性波フィルタ装置のそれぞれにおける第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。測定結果を図６に示す。なお、図７において、実線は第４の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が上記第２の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第５の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。

図７に示すように、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０４μｍ小さい第４の実施例の方が、周期Ｐ１，Ｐ１１が周期Ｐ４，Ｐ１４よりも０．０２μｍ小さい第５の実施例よりもスパイクリップルが小さかった。この結果から、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１と狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４との差を大きくすることにより通過帯域におけるスパイクリップルを小さくできることがわかる。

なお、参考例として、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも大きくしたこと以外は上記の第１の実施例と同様の設計パラメータの弾性波フィルタ装置を作製し、その弾性波フィルタ装置における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。この場合は、第２の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少ない場合は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１を狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４よりも小さくすることにより通過帯域内におけるスパイクリップルを効果的に抑圧できることがわかる。

図８に左右対称に設計された縦結合共振子型弾性波フィルタで発生する、各共振モードの電流分布を示す。３つのＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタでは、図８（ａ）に示す電流分布により発生する０次の共振モードと、図８（ｂ）に示す電流分布により発生する２次の共振モードと、図８（ｃ）に示す、ＩＤＴ電極が隣り合う箇所にピークを持つ電流分布により発生する共振モード（以下、「Ｉ−Ｉ間共振モード」とする。）との３つの共振モードにより通過帯域が形成される。

図９は、上記の第１の比較例の弾性波フィルタ装置において縦結合共振子型弾性波フィルタ部のみの電気的特性を取り出し、特性インピーダンスを外して共振モードの共振点を確認した図である。図９において、０次の共振モードの共振点（周波数約１．９３５ＧＨｚ）を符号Ａで示す。２次の共振モードの共振点（周波数約１．９１ＧＨｚ）を符号Ｃで示す。Ｉ−Ｉ間共振モードの共振点（周波数約１．９９ＧＨｚ）を符号Ｂで示す。

従来、縦結合共振子型弾性波フィルタの設計パラメータは、左右対称となるように設定されることが一般的であった。それは、縦結合共振子型弾性波フィルタの設計パラメータを左右非対称となるように設計すると、０次の共振モードの共振点と２次の共振モードの共振点との間に共振点が位置する１次の共振モードが生じることにより、減衰極が発生するためである。

より具体的に説明すると、左右対称な設計パラメータを有する３つのＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては、図８（ｄ）から明らかなように、１次の共振モードの電流分布は、中央に位置するＩＤＴ電極のほぼ中央部を境に電流の符号が逆となるので、中央に位置するＩＤＴ電極に電流が流れなくなる。従って、１次の共振モードに相当する減衰極が発生しない。それに対して、何らかの設計パラメータを左右非対称にした場合、１次の共振モードに相当する減衰極が発生する。この１次の共振モードに起因する減衰極は通過帯域内に発生するため、従来は、１次の共振モードが発生しないように、設計パラメータは左右対称に設定されるのが一般的であった。

それに対して本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第２のＩＤＴ電極２２，３２の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とが相互に異なっている。具体的には、本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第２のＩＤＴ電極２２，３２の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少なくされている。このため、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において、０次の共振モード、２次の共振モード及びＩ−Ｉ間共振モードに加えて１次の共振モードが発生する。本実施形態では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄは、この１次の共振モードに起因するリップル（減衰極）が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の低域側の過渡帯域内に位置するように構成されている。このため、低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。

具体的には、本実施形態では、１次の共振モードに起因する減衰極が０次の共振モードと２次の共振モードとの間の低域側過渡帯域内に位置している。従って、低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。

このように、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高くすることによって、周波数に対する製造公差が大きくなり、弾性波フィルタ装置１の製造が容易となる。また、弾性波フィルタ装置１の温度が変化した場合のフィルタ特性の変化を小さくすることができる。

上述のように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならしめることにより、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることができる。しかしながら、この場合、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならしめて左右非対称とすることによりＩ−Ｉ間共振モードの共振点の位置がずれてしまうことに起因して通過帯域にスパイクリップルが生じる傾向にある。

それに対して本実施形態では、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４とが相互に異ならしめられている。具体的には、周期Ｐ１が周期Ｐ４よりも小さくされている。これにより、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において左右対称性が崩れることによりＩ−Ｉ間共振モードの共振点の位置がずれてしまうことに起因する通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。

すなわち、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少なくされており、かつ狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４よりも小さくされているため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

なお、フィルタ特性の急峻性をより高める観点からは、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を大きくすることが好ましい。

狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を何本以上とすることが好ましいかを確認した結果を図１０に示す。図１０は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。

通過帯域低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を改善するためには、少なくとも減衰極の大きさを５ｄＢ以上とすることが好ましい。図１０に示すように、減衰極の大きさを５ｄＢ以上とするためには、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を２本以上とする必要があることがわかる。この結果より、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差を２本以上とすることが好ましいことがわかる。

通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ１と周期Ｐ４との差の最適範囲は、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数との差によって異なる。このため、通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ１と周期Ｐ４との差は、一概には規定できない。

なお、上記の第１の実施形態では、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期が一定である例について説明した。但し、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期は必ずしも一定でなくてもよい。例えば、特表２００２−５２８９８７号公報に記載のように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期を徐々に変化させても良い。また、特開２００３−２４３９６５号公報に記載のように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄに電極指のピッチが相互に異なる部分を複数設けても良い。これらのように、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期が一定ではない場合は、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期の平均値を上記の第１の実施形態と同様に設定することにより、通過帯域に位置するスパイクリップルを抑圧する事ができる。

具体的には、狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数が狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数よりも少ない場合には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期の平均値を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値よりも小さくすることにより、上記の第１の実施形態と同様に、通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。

上記の第１の実施形態では、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを相互に異ならせる事によって左右非対称性を実現する例について説明した。左右非対称性を実現する手段としては、上記手段以外にも、例えば、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめる手段も挙げられる。

そこで、参考例として、上記第１の実施例の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０において、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを同じにし、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指の本数を４本減らし、第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指の本数を４本増やした弾性波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。また、比較として、狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の本数とを同じにすると共に、第１のＩＤＴ電極２１の狭ピッチ部２１ｃ以外の部分の電極指の本数と第３のＩＤＴ電極２３の狭ピッチ部２３ｃ以外の部分の電極指の本数とも同じにした弾性波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。その結果を図１１に示す。なお、図１１では、参考例に係る弾性波フィルタ装置の挿入損失を実線で示し、比較例に係る弾性波フィルタ装置の挿入損失を破線で示している。

図１１に示す結果からわかるように、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめた場合であっても、１．９２ＧＨｚ付近には大きなリップル（減衰極）が観察されなかった。すなわち、１次の共振モードに相当する減衰極は観察されなかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の本数とを相互に異ならしめることによっては、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めることはできず、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を高めるためには、狭ピッチ部における電極指の本数を異ならしめることにより左右非対称性を実現することが必要であることがわかる。

なお、第１の実施形態では、ＵＭＴＳ−ｂａｎｄ２用受信フィルタとして使用される弾性波フィルタ装置について説明したが、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、ＵＭＴＳ−ｂａｎｄ２用受信フィルタ以外としても使用できる。本発明に係る弾性波フィルタ装置は、例えば、携帯通信端末のＲＦ段やＩＦ段のフィルタなどとしても好適に用いられる。また、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、平衡−不平衡変換機能を有さないものであってもよい。

（第２の実施形態）
本実施形態では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄ、２３ｃ、３３ｃの構成を除いては上記の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置１と同様の構成を有する弾性波フィルタ装置について説明する。なお、本実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符合で参照し、説明を省略する。また、図１を共通に参照する。

図１２は、第２の実施形態の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の略図的構成図である。図１３は、第２の実施形態の第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の略図的構成図である。図１２及び図１３に示すように、本実施形態では、上記の第１の実施形態とは異なり、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数とは同じとされている。一方、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数とが相互に異ならしめられている。具体的には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数は、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少なくされている。

この構成においても、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において１次の共振モードが発生する。本実施形態では、この１次の共振モードに起因する減衰極（周波数特性のピーク）が第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０の過渡帯域内に位置するように狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２２ｃ、３２ｃ、２２ｄ、３２ｄ、２３ｃ、３３ｃが構成されている。従って、上記の第１の実施形態と同様に、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められている。

なお、本実施形態のように、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数とが相互に異なる場合においても、１次の共振モードが発生することに起因するスパイクリップルが通過帯域に生じる傾向にある。

それに対して本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２２，３２における第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ３とが相互に異ならしめられている。具体的には、周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも小さくされている。これにより、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０において１次の共振モードが発生することに起因する通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。

すなわち、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数が第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少なくされており、かつ周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも小さくされているため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高められると共に、通過帯域内におけるスパイクリップルを抑圧することができる。

なお、フィルタ特性の急峻性をより高める観点からは、第１のＩＤＴ電極２１，３１の狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、第３のＩＤＴ電極２３，３３の狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることが好ましい。

（第６及び第７の実施例）
第６の実施例として、上記の第２の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を以下の設計パラメータに基づいて作製し、挿入損失を測定した。

交叉幅：３０．４λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０１１８μｍ）
第１のＩＤＴ電極２１における電極指の本数：３７本
第３のＩＤＴ電極２３における電極指の本数：４１本
狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数：３本
狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数：７本
狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ４：１．９２２０μｍ
第２のＩＤＴ電極２２における電極指の本数：４３本
狭ピッチ部２２ｃ、２２ｄにおける電極指の本数：４本
第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２：１．８２６９μｍ
第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３：１．８２６９μｍ（第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期と等しい）
第１及び第２のグレーティング反射器２４，２５，３４，３５における電極指の本数：６５本
メタライゼーションレシオ：０．６８
電極膜厚：０．０９１λ
また、第７の実施例として、上記の第６の実施例とは狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の本数のみが異なる第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０を作製し、挿入損失を測定した。具体的には、第７の実施例では、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数を４本とし、狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数を６本とした。

また、第２の比較例として、狭ピッチ部２１ｃ、２３ｃにおける電極指の本数を共に５本としたこと以外は上記の第６の実施例と同様の設計パラメータに基づいて第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を作製し、挿入損失を測定した。

第６及び第７の実施例並びに第２の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を図１４に示す。なお、図１４において、実線が第６の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第７の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第２の比較例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。

図１４に示すように、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数とが異なる第６及び第７の実施例では、周波数１．９２ＧＨｚ付近に１次の共振モードに起因する減衰極が確認された。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が４本である第６の実施例の方が、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が２本である第７の実施例よりも大きな減衰極が確認された。この結果から、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差を大きくすることにより、１次の共振モードに起因する減衰極を大きくできるため、過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性をより高めることができることがわかる。

狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数とが異なる第６及び第７の実施例では、周波数１．９８ＧＨｚ付近にスパイクリップルが確認された。狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が４本である第６の実施例の方が、狭ピッチ部２１ｃにおける電極指の本数と狭ピッチ部２３ｃにおける電極指の本数との差が２本である第７の実施例よりも大きなスパイクリップルが確認された。

（第８及び第９の実施例）
第８及び第９の実施例として、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３との差以外は、上記の第６の実施例と同様の設計パラメータの第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部を作製した。具体的には、第８の実施例では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２を第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０４μｍ小さくした。第９の実施例では、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２を第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０２μｍ小さくした。

そして、第８及び第９の実施例の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を測定した。測定結果を図１５に示す。なお、図１５において、実線は第８の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、一点鎖線が第９の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示し、二点鎖線が第６の実施例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部の挿入損失を示す。

図１５に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２が第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３よりも０．０４μｍ小さい第８の実施例の方が、周期Ｐ２が周期Ｐ３よりも０．０２μｍ小さい第９の実施例よりもスパイクリップルが小さかった。この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃにおける電極指の周期Ｐ２と第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄにおける電極指の周期Ｐ３との差を大きくすることにより通過帯域におけるスパイクリップルを小さくできることがわかる。

以下に、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を何本以上とすることが好ましいかを確認した結果を図１６に示す。図１６は、インピーダンスを１Ωとした場合の、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差と、１次の共振モードに起因する減衰極の大きさとの関係を表すグラフである。

通過帯域低域側の過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性を改善するためには、少なくとも減衰極の大きさを５ｄＢ以上とすることが好ましい。図１６に示すように、減衰極の大きさを５ｄＢ以上とするためには、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を２本以上とする必要があることがわかる。この結果より、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差を２本以上とすることが好ましいことがわかる。

通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ２と周期Ｐ３との差の最適範囲は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数と、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数との差によって異なる。このため、通過帯域内に発生するスパイクリップルの大きさを抑制するために好ましい周期Ｐ２と周期Ｐ３との差は、一概には規定できない。

なお、上記の第２の実施形態では、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期が一定である例について説明した。但し、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期は必ずしも一定でなくてもよい。例えば、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期を徐々に変化させても良い。また、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃに電極指のピッチが相互に異なる部分を複数設けても良い。これらのように、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期が一定ではない場合は、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃ、２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値を上記の第２の実施形態と同様に設定することにより、通過帯域に位置するスパイクリップルを抑圧する事ができる。

具体的には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数が狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数よりも少ない場合には、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期の平均値を、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期の平均値よりも小さくすることにより、上記の第２の実施形態と同様に、通過帯域のスパイクリップルを抑圧することができる。

（第１０の実施例）
第１０の実施例として、下記パラメータ以外は、上記第１の実施例と同様の設計パラメータを有する弾性波フィルタ装置を作製し、挿入損失を測定した。

第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０；
交叉幅：３２．９λ（λ：ＩＤＴ電極の周期により決定される波長＝２．０４１２μｍ）
第１のＩＤＴ電極２１，３１における電極指の本数：３８本
狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の本数：３本
第２のＩＤＴ電極２２，３２における電極指の本数：４３本
第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の本数：３本
第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の本数：７本
第３のＩＤＴ電極２３，３３における電極指の本数：４２本
狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の本数：７本
狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃにおける電極指の周期Ｐ１，Ｐ１１：１．９５６０μｍ（狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期よりも０．０８５μｍ小さい）
狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃにおける電極指の周期Ｐ４，Ｐ１４：２．０４１０μｍ
第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃにおける電極指の周期Ｐ２，Ｐ１２：１．７４６１μｍ（第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期よりも０．０８７μｍ小さい）
第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄにおける電極指の周期Ｐ３，Ｐ１３：１．８３３１μｍ
図１７に第１０の実施例における弾性波フィルタ装置の挿入損失を、上記第１の比較例における弾性波フィルタ装置の挿入損失と共に示す。なお、図１１において、実線は、第１０の実施例の弾性波フィルタの挿入損失を示し、一点破線が第１の比較例の弾性波フィルタ装置の挿入損失を示す。

図１１に示すように、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃの方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さく、かつ、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃの方が、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さい第１０の実施例の方が、第１の比較例よりも、低域側過渡帯域におけるフィルタ特性の急峻性が高かった。具体的には、低域側過渡帯域において、挿入損失が３．５ｄＢとなる周波数から挿入損失が４７ｄＢとなる周波数までの間の間隔が、第１０の実施例の方が第１の比較例よりも３．７ＭＨｚ小さくなっていた。また、第１０の実施例では、通過帯域に大きなスパイクリップルが観察されなかった。

この結果から、第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｃ、３２ｃの方が、第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部２２ｄ、３２ｄよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さく、かつ、狭ピッチ部２１ｃ、３１ｃの方が、狭ピッチ部２３ｃ、３３ｃよりも、電極指の本数が少ないと共に電極指の周期が小さい場合は、通過帯域における良好な周波数特性と過渡帯域におけるフィルタ特性の高い急峻性とを両立できることがわかる。

１…弾性波フィルタ装置
２…不平衡信号端子
３…第１の平衡信号端子
４…第２の平衡信号端子
５，６…接続点
９…積層基板（圧電膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の積層構造を備える。）
９０１…支持基板
９０２…高音速膜
９０３…低音速膜
９０４…圧電膜
９０５、９０６…媒質層
１０…第１の直列共振子
１５…第２の直列共振子
１１，１６…ＩＤＴ電極
１２，１３，１７，１８…グレーティング反射器
２０…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
３０…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
２１，３１…第１のＩＤＴ電極
２１ａ、３１ａ…第１のくし歯電極
２１ｂ、３１ｂ…第２のくし歯電極
２１ｃ、３１ｃ…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部
２１ｅ、２１ｇ、３１ｅ、３１ｇ…バスバー
２１ｆ、２１ｈ、３１ｆ、３１ｈ…電極指
２２，３２…第２のＩＤＴ電極
２２ａ、３２ａ…第１のくし歯電極
２２ｂ、３２ｂ…第２のくし歯電極
２２ｃ、３２ｃ…第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部
２２ｄ、３２ｄ…第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部
２２ｅ、２２ｇ、３２ｅ、３２ｇ…バスバー
２２ｆ、２２ｈ、３２ｆ、３２ｈ…電極指
２３，３３…第３のＩＤＴ電極
２３ａ、３３ａ…第１のくし歯電極
２３ｂ、３３ｂ…第２のくし歯電極
２３ｃ、３３ｃ…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部
２３ｅ、２３ｇ、３３ｅ、３３ｇ…バスバー
２３ｆ、２３ｈ、３３ｆ、３３ｈ…電極指
２４，３４…第１のグレーティング反射器
２５，３５…第２のグレーティング反射器
４０…第１の並列共振子
４５…第２の並列共振子
４１，４６…ＩＤＴ電極
４２，４３，４７，４８…グレーティング反射器
Ｐ１，Ｐ１１…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ２，Ｐ１２…第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ３，Ｐ１３…第２のＩＤＴ電極の第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ４，Ｐ１４…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期
Ｐ５，Ｐ１５…第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期
Ｐ６，Ｐ１６…第２のＩＤＴ電極の第１のＩＤＴ電極側狭ピッチ部及び第３のＩＤＴ電極側狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期
Ｐ７，Ｐ１７…第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部以外の部分における電極指の周期

Claims (12)

1. 圧電膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の積層構造からなる積層基板と、
   前記積層基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されており、それぞれ複数本の電極指を有する第１〜第３のＩＤＴ電極と、前記積層基板上において前記第１〜第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成された第１及び第２の反射器とを有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えており、
   前記第１〜第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有しており、
   前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、弾性波フィルタ装置。
2. 前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
3. 前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
4. 前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい、請求項３に記載の弾性波フィルタ装置。
5. 前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期と前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい、請求項３に記載の弾性波フィルタ。
6. 圧電膜／低音速膜／高音速膜／支持基板の積層構造からなる積層基板と、
   前記積層基板上において弾性波伝搬方向に沿って形成されており、それぞれ複数本の電極指を有する第１〜第３のＩＤＴ電極と、前記積層基板上において前記第１〜第３のＩＤＴ電極が形成された領域の弾性波伝搬方向の両側に形成された第１及び第２の反射器と有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備えており、
   前記第１〜第３のＩＤＴ電極のそれぞれは、他のＩＤＴ電極と弾性波伝搬方向に隣接している端部に、該ＩＤＴ電極の残りの部分の電極指の周期よりも電極指の周期が小さい狭ピッチ部を有しており、
   前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、弾性波フィルタ装置。
7. 前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが相互に異なっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
8. 前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数と、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数とが、２本以上異なっている、請求項６または７に記載の弾性波フィルタ。
9. 前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とが相互に異なっている、請求項６〜８のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
10. 前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期よりも小さい、請求項９に記載の弾性波フィルタ装置。
11. 前記第１のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数が、前記第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部における電極指の本数よりも少なく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期と前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期とのうちの少なくとも一方が一定ではなく、前記第２のＩＤＴ電極の前記第１のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値が、前記第２のＩＤＴ電極の前記第３のＩＤＴ電極側に位置する狭ピッチ部における電極指の周期の平均値よりも小さい、請求項９に記載の弾性波フィルタ。
12. 前記第１〜第３のＩＤＴ電極の狭ピッチ部は、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部の１次の共振モードに起因する減衰極の周波数が、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部の通過帯域と阻止帯域との間に位置する過渡帯域内に位置するように構成されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。

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