WO2018008529A1 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

炭化珪素半導体装置およびその製造方法 Download PDF

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竹内　有一
周平 箕谷
鈴木　克己
侑佑 山下
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株式会社デンソー
トヨタ自動車株式会社
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    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
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    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

Definitions

  • the present disclosure relates to a silicon carbide (hereinafter referred to as SiC) semiconductor device having a deep layer and a guard ring layer and a method for manufacturing the same.
  • SiC silicon carbide
  • SiC has been attracting attention as a power device material that can provide high electric field breakdown strength.
  • MOSFETs and Schottky diodes have been proposed as SiC power devices (see, for example, Patent Document 1).
  • the SiC power device includes a cell part in which a power element such as a MOSFET or a Schottky diode is formed, and a guard ring part surrounding the cell part. Between the cell part and the guard ring part, a connecting part for connecting them is provided. Then, in the outer peripheral region including the guard ring portion, by forming a concave portion in which the surface of the semiconductor substrate is recessed, in the thickness direction of the substrate, the cell portion and the connecting portion become a mesa portion protruding in an island shape. .
  • a connecting portion is provided between the cell portion and the guard ring portion as described above, a concave portion is formed in the outer peripheral region including the guard ring portion, and the cell portion and the connecting portion are formed as island-like mesa portions, It was confirmed that the breakdown voltage required as a power device could not be obtained.
  • An object of the present disclosure is to provide a SiC semiconductor device including a power element capable of ensuring a withstand voltage and a manufacturing method thereof.
  • the SiC semiconductor device includes a first or second conductivity type substrate, and a first conductivity type drift layer formed on the surface side of the substrate and having a lower impurity concentration than the substrate.
  • a first or second conductivity type substrate in addition to the cell part, an outer peripheral part including a guard ring part surrounding the outer periphery of the cell part and a connecting part located between the guard ring part and the cell part is formed.
  • a second conductivity type layer which is disposed in a plurality of line-shaped first trenches formed in a stripe shape in the drift layer and is configured by a second conductivity type epitaxial film. Is provided.
  • the cell portion includes a first electrode electrically connected to the second conductivity type layer and a second electrode formed on the back surface side of the substrate, and between the first electrode and the second electrode. Is provided with a vertical semiconductor element for passing a current.
  • the guard ring part or the guard ring part and the connecting part are formed in a plurality of frame-shaped second trenches that are formed from the surface of the drift layer and surround the cell part.
  • a second conductivity type ring constituted by an epitaxial film is provided. And at least one part located in the outer peripheral side among 2nd conductivity type rings is made into the guard ring with which a guard ring part is equipped, and a 2nd conductivity type ring is width
  • the difference in trench formation area per unit area can be reduced in the cell portion, the connecting portion, and the guard ring portion. Therefore, when the second conductivity type layer is formed, the difference in the amount of the second conductivity type layer entering the trench per unit area is also reduced. Thereby, it becomes possible to make uniform the thickness of the 2nd conductivity type layer formed on a cell part, a connection part, and a guard ring part. For this reason, when the second conductivity type layer is etched back, it is possible to prevent the second conductivity type layer from remaining as a residue in the guard ring portion. Therefore, it is possible to provide a SiC semiconductor device including a semiconductor element that can ensure a withstand voltage.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. It is sectional drawing which showed the manufacturing process of the SiC semiconductor device concerning 1st Embodiment.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3A.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3B.
  • FIG. 3D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3C.
  • FIG. 3D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3D.
  • FIG. 3D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3F.
  • FIG. 3D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 3G. It is sectional drawing of the SiC semiconductor device which the present inventors examined. It is sectional drawing in the manufacturing process of the SiC semiconductor device which the present inventors examined.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 5A.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 5B.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 5B.
  • FIG. 5D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 5C. It is sectional drawing which showed the mode in the manufacturing process at the time of enlarging the width
  • FIG. 6B is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 6A.
  • FIG. 6D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 6B.
  • FIG. 6D is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the SiC semiconductor device following FIG. 6C. It is sectional drawing of the SiC semiconductor device concerning 2nd Embodiment. It is the figure which showed typically the upper surface layout of the SiC semiconductor device concerning 3rd Embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG.
  • the SiC semiconductor device shown in FIG. 1 is configured to have a cell part in which a MOSFET having a trench gate structure is formed and an outer peripheral part surrounding the cell part.
  • the outer peripheral portion is configured to include a guard ring portion and a connecting portion disposed inside the guard ring portion, that is, between the cell portion and the guard ring portion.
  • FIG. 1 is not a cross-sectional view, hatching is partially shown for easy understanding of the drawing.
  • SiC semiconductor device is formed using the n + -type substrate 1 made of SiC, made of SiC on the main surface of the n + -type substrate 1 n - -type drift layer 2 and the p-type base region 3 and the n + -type source region 4 are epitaxially grown in this order.
  • the n + type substrate 1 has an n-type impurity concentration of 1.0 ⁇ 10 19 / cm 3 and a surface of a (0001) Si surface.
  • the n ⁇ type drift layer 2 has an n type impurity concentration of 0.5 to 2.0 ⁇ 10 16 / cm 3 , for example.
  • the p-type base region 3 is a portion where a channel region is formed, and has a p-type impurity concentration of, for example, about 2.0 ⁇ 10 17 / cm 3 and a thickness of 300 nm.
  • the n + -type source region 4 has a higher impurity concentration than the n ⁇ -type drift layer 2, and the n-type impurity concentration in the surface layer portion is, for example, 2.5 ⁇ 10 18 to 1.0 ⁇ 10 19 / cm 3 and has a thickness. It is composed of about 0.5 ⁇ m.
  • the p type base region 3 and the n + type source region 4 are left on the surface side of the n + type substrate 1, and in the guard ring portion, the n + type source region 4 and the p type base region 3 are stored.
  • a recess 20 is formed so as to penetrate and reach n ⁇ type drift layer 2. With this structure, a mesa structure is configured.
  • a p-type deep layer 5 is formed so as to penetrate the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 and reach the n ⁇ -type drift layer 2.
  • the p-type deep layer 5 has a higher p-type impurity concentration than the p-type base region 3.
  • a plurality of p-type deep layers 5 are arranged at least in the n ⁇ -type drift layer 2 at equal intervals, and as shown in FIG. 1, in the stripe-shaped trenches 5a arranged apart from each other.
  • a p-type epitaxial film formed by epitaxial growth.
  • the trench 5a corresponds to a deep trench, for example, having a width of 1 ⁇ m or less and an aspect ratio of 2 or more.
  • the p-type deep layer 5 shown in FIG. 1, the trench gate structure and the connecting layer 30 described later are actually provided in more than the number shown in the figure, but the number is reduced for the sake of simplicity. It is described.
  • each p-type deep layer 5 has a p-type impurity concentration of, for example, 1.0 ⁇ 10 17 to 1.0 ⁇ 10 19 / cm 3 , a width of 0.7 ⁇ m, and a depth of about 2.0 ⁇ m.
  • the p-type deep layer 5 is formed from one end of the cell portion to the other end. And it is extended with the same direction as the trench gate structure mentioned later as a longitudinal direction, and is connected with the p-type connection layer 30 mentioned later extended further outside the cell part rather than the both ends of the trench gate structure.
  • the extending direction of the p-type deep layer 5 is arbitrary, but it extends in the ⁇ 11-20> direction, and both opposing wall surfaces constituting the long side of the trench 5a are the same (1-100) surface As a result, the growth during the buried epitaxy becomes equal on both wall surfaces. For this reason, it is possible to obtain a uniform film quality and to obtain an effect of suppressing embedding defects.
  • a gate trench 6 having, for example, a width of 0.8 ⁇ m and a depth of 1.0 ⁇ m is formed so as to penetrate the p-type base region 3 and the n + -type source region 4 and reach the n ⁇ -type drift layer 2. Yes.
  • the p-type base region 3 and the n + -type source region 4 described above are arranged so as to be in contact with the side surface of the gate trench 6.
  • the gate trench 6 is formed in a line-shaped layout in which the horizontal direction in FIG. 2 is the width direction, the vertical direction is the longitudinal direction, and the vertical direction is the depth direction. Also, as shown in FIG. 1, the gate trenches 6 are arranged so that a plurality of gate trenches 6 are sandwiched between the p-type deep layers 5 and are arranged in parallel at equal intervals to form a stripe shape. .
  • a portion of the p-type base region 3 positioned on the side surface of the gate trench 6 is used as a channel region that connects the n + -type source region 4 and the n ⁇ -type drift layer 2 when the vertical MOSFET is operated.
  • a gate insulating film 7 is formed on the inner wall surface of the gate trench 6 including.
  • a gate electrode 8 made of doped Poly-Si is formed on the surface of the gate insulating film 7, and the gate trench 6 is completely filled with the gate insulating film 7 and the gate electrode 8.
  • the gate disposed on the source electrode 9 corresponding to the first electrode and the electrode pad portion via the interlayer insulating film 10.
  • a pad 40 is formed.
  • the source electrode 9 and the gate pad 40 are made of a plurality of metals, such as Ni / Al. Of the plurality of metals, at least the n-type SiC, specifically, the n + -type source region 4 and the portion in contact with the gate electrode 8 in the case of n-type doping are made of a metal capable of ohmic contact with the n-type SiC. Yes.
  • At least a portion of the plurality of metals that contacts the p-type SiC, specifically, the p-type deep layer 5, is made of a metal that can make ohmic contact with the p-type SiC.
  • the source electrode 9 and the gate pad 40 are electrically insulated by being formed on the interlayer insulating film 10.
  • the source electrode 9 is in electrical contact with the n + -type source region 4 and the p-type deep layer 5 through the contact hole formed in the interlayer insulating film 10, and the gate pad 40 is in electrical contact with the gate electrode 8. It has been made.
  • the drain electrode 11 corresponding to the second electrode electrically connected to the n + -type substrate 1 is formed on the back side of the n + -type substrate 1 .
  • an n-channel inversion type MOSFET having a trench gate structure is formed on the back side of the n + -type substrate 1 .
  • a cell portion is configured by arranging a plurality of such MOSFETs.
  • the recess 20 is formed so as to penetrate the n + type source region 4 and the p type base region 3 and reach the n ⁇ type drift layer 2. For this reason, the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 are removed at a position away from the cell portion, and the n ⁇ -type drift layer 2 is exposed.
  • cell portions and connecting portions located inside the concave portions 20 are mesa portions protruding in an island shape.
  • a plurality of p-type guard rings 21 are provided in the surface layer portion of the n ⁇ -type drift layer 2 located below the recess 20 so as to surround the cell portion.
  • the p-type guard ring 21 has a quadrangular shape with rounded corners, but may be configured in other frame shapes such as a circular shape.
  • the p-type guard ring 21 is disposed in a trench 21a that passes through the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 and reaches the n ⁇ -type drift layer 2, and is constituted by a p-type epitaxial film formed by epitaxial growth. .
  • the trench 21a corresponds to a guard ring trench.
  • the p-type guard ring 21 has a quadrangular shape with four rounded corners in this embodiment. Each part constituting the p-type guard ring 21 has the same configuration as that of the p-type deep layer 5 described above.
  • the p-type guard ring 21 is formed in a straight line with a constant width in that the shape of the upper surface is a frame-shaped line surrounding the cell part and the connecting part, and the width is increased toward the outer periphery. It is different from the p-type deep layer 5 made, but the others are the same.
  • the interval between the p-type guard rings 21 is such that the electric field concentration is reduced on the inner peripheral side, that is, the cell portion side, and the equipotential lines are directed toward the outer peripheral side. It is made larger as it goes narrower on the part side and toward the outer peripheral side.
  • the width of the p-type guard ring 21 is smaller than the p-type deep layer 5 on the innermost peripheral side, but gradually increases toward the outer peripheral side, and p on the outermost peripheral side.
  • the width of the mold deep layer 5 is larger.
  • the interval between the adjacent p-type guard rings 21 is smaller than the interval between the p-type deep layers 5 on the innermost side, and gradually increases from the outermost side toward the outermost side.
  • the distance is larger than the interval between the p-type deep layers 5. That is, the width of the p-type guard ring 21 is set in accordance with the interval between the adjacent p-type guard rings 21, and the width increases as the interval increases.
  • the ratio between the width of each p-type guard ring 21 and the distance to the adjacent p-type guard ring 21 is equal to the ratio between the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5. It is trying to become.
  • an EQR structure is provided on the outer periphery of the p-type guard ring 21 as necessary, thereby forming a guard ring portion having an outer peripheral pressure resistant structure surrounding the cell portion.
  • a p-type connecting layer 30 is formed on the surface layer portion of the n ⁇ -type drift layer 2 at the connecting portion, with the portion from the cell portion to the guard ring portion being the connecting portion.
  • a connecting portion is formed so as to surround the cell portion, and further, a rectangular p having four corners rounded as described above so as to surround the outside of the connecting portion.
  • a plurality of mold guard rings 21 are formed.
  • the p-type tie layer 30 surrounds a plurality of linear portions 31 arranged in a stripe in parallel with the p-type deep layer 5 formed in the cell portion, and surrounds the p-type deep layer 5 and the linear portions 31.
  • One or a plurality of frame-shaped portions 32 formed side by side are provided.
  • the straight portion 31 does not generate a place where the equipotential line rises excessively because the p-type layer is not formed in the n ⁇ -type drift layer 2. Thus, it is formed between the cell part and the frame-like part 32. Between the cell portion and the frame-shaped portion 32 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the p-type deep layer 5, a plurality of linear portions 31 are arranged in parallel with the p-type deep layer 5. Between the cell part and the frame-shaped part 32 in the longitudinal direction of the p-type deep layer 5, the linear part 31 is formed so as to be connected to the tip of the p-type deep layer 5. Thus, the linear part 31 is arranged between the cell part and the frame-like part 32, and the distance between the linear part 31 and the frame-like part 32 is the same as the interval between the p-type deep layers 5 or that. It is designed to be smaller.
  • the frame-shaped part 32 has a quadrangular shape with four rounded corners, and surrounds the periphery of the cell part and the linear part 31. Specifically, the frame-shaped part 32 is disposed concentrically with the guard ring part. In the present embodiment, a plurality of frame-like portions 32 are provided.
  • Each p-type tie layer 30 constituted by the linear portion 31 and the frame-like portion 32 passes through the n + -type source region 4 and the p-type base region 3 and reaches the n ⁇ -type drift layer 2.
  • the trench 30a corresponds to a connecting trench, and has a width of 1 ⁇ m or less and an aspect ratio of 2 or more, for example. Since the p-type connecting layer 30 is in contact with the p-type base region 3, it is fixed at the source potential.
  • the linear portion 31 of the p-type connecting layer 30 has the same width as the p-type deep layer 5, and the interval between the linear portions 31 is the same as the interval between the p-type deep layers 5. It is said that.
  • the frame-like portion 32 is basically the same width as the p-type deep layer 5 on the inner peripheral side of the mesa portion, and is smaller than the p-type deep layer 5 on the outer edge side of the mesa portion. That is, in the p-type connecting layer 30, since it is preferable to suppress the change in the width of the frame-shaped portion 32, the width is basically the same as that of the p-type deep layer 5.
  • all the widths of the frame-like portion 32 can be set to the same width as that of the p-type deep layer 5, the width is set to be the same as that of the inner peripheral side of the p-type guard ring 21 on the outer edge side of the mesa portion. This is to make it possible to cope with mask misalignment when forming the recess 20 for forming the mesa portion.
  • the formation position of the inner peripheral edge of the recess 20 is shifted.
  • a part of the frame-shaped part 32 is formed in the concave part 20 outside the mesa part on the left side of the paper, and a part of the p-type guard ring 21 is formed in the mesa part instead of the concave part 20 on the right side of the paper. It will be.
  • a part of the frame-like portion 32 has a structure similar to that of the guard ring.
  • the width of the p-type guard ring 21 is the same as that of the inner peripheral side. Therefore, as in the present embodiment, the portion located on the outer edge side of the mesa portion of the frame-like portion 32 has the same width as that of the inner peripheral side of the p-type guard ring 21. It is possible to cope with mask displacement.
  • the interval between the frame-like portions 32 or the interval between the frame-like portion 32 and the p-type guard ring 21 is changed according to the width of the frame-like portion 32, and the wider the width, the wider the interval. .
  • the interval between the portions of the frame-shaped portion 32 having the same width as the p-type deep layer 5 is the same as the interval between the p-type deep layers 5.
  • the interval between the portions of the frame-like portion 32 having the same width as the inner peripheral side of the p-type guard ring 21 is the same as the interval between the inner peripheral side of the p-type guard ring 21. Yes.
  • the ratio of the width of each frame-shaped part 32 and the distance to the adjacent frame-shaped part 32 or the p-type guard ring 21 is the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5. It is made to be equal to the ratio.
  • the frame-shaped portion 32 is described separately from the p-type guard ring 21, but the frame-shaped portion 32 and the p-type guard ring 21 constitute a plurality of concentric frame-shaped p-type rings. It can be said that. That is, it can be said that a portion of the p-type ring arranged on the inner peripheral side from the recess 20 constitutes the frame-like portion 32, and a portion formed in the recess 20 constitutes the p-type guard ring 21.
  • the p-type ring has the same width as the p-type deep layer 5 on the inner peripheral side of the mesa portion, and on the outer side, the width increases from the inner peripheral side toward the outer peripheral side, and further adjacent p-types.
  • the spacing between the rings also increases. Thereby, the ratio between the width of each p-type ring and the distance to the adjacent p-type ring is made equal to the ratio between the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5.
  • the width of the portion of the p-type ring located at the boundary of the mesa portion is made smaller than the width of the p-type deep layer 5, and the interval between the adjacent p-type rings in the portion is p-type deep. It is made smaller than the space
  • the width of the outermost p-type ring is larger than the width of the p-type deep layer 5, and the distance between the outermost ring and the innermost one is between the p-type deep layers 5. The interval is larger.
  • the linear portions 31 and the frame-like portions 32 of the p-type tie layer 30 are formed. It is possible to prevent the equipotential lines from rising excessively. Thereby, it can suppress that the site
  • the upper surface shape of the linear part 31 is made into a semicircle in the both ends of the longitudinal direction in each linear part 31, ie, the both ends of the trench 30a in which the linear part 31 was formed.
  • the shape of the upper surface of both ends of the trench 30a may be a square shape.
  • an n-type layer may be formed by forming an n-type layer in the corner first. For this reason, it becomes possible to eliminate the part in which an n-type layer is formed by making the upper surface shape of the both ends of each linear part 31 into a semicircle.
  • an interlayer insulating film 10 is formed on the surface of the n + type source region 4 also at the connecting portion.
  • the gate pad 40 described above is formed on the interlayer insulating film 10 at the connecting portion.
  • the connecting portion since it has a structure including a connecting portion between the cell portion and the guard ring portion, and the connecting portion is configured by a plurality of p-type connecting layers 30 embedded in the narrow trench 30a, The thickness of the p-type connecting layer 30 is not reduced, and the p-type connecting layer 30 is not lost.
  • the p-type connecting layer 30 since the p-type connecting layer 30 is divided into a plurality of parts, equipotential lines may rise between the p-type connecting layers 30. However, by setting the interval between the p-type connecting layers 30 as described above, it is possible to suppress an excessive rise in equipotential lines and suppress a decrease in breakdown voltage.
  • the SiC semiconductor device concerning this embodiment is comprised by the above structures.
  • the channel region is formed in the surface portion of the p-type base region 3 located on the side surface of the gate trench 6 by controlling the voltage applied to the gate electrode 8. To do.
  • a current flows between the source electrode 9 and the drain electrode 11 via the n + -type source region 4 and the n ⁇ -type drift layer 2.
  • the p-type deep layer 5 formed to a position deeper than the trench gate structure prevents the electric field from entering the bottom of the gate trench, The electric field concentration is relaxed. Thereby, destruction of the gate insulating film 7 is prevented.
  • the rising of the equipotential line is suppressed, and the equipotential line is directed toward the guard ring portion.
  • the p-type guard ring 21 is terminated while the equipotential lines are widened toward the outer peripheral direction, and a desired breakdown voltage can be obtained also in the guard ring part. Therefore, a SiC semiconductor device capable of obtaining a desired breakdown voltage can be obtained.
  • the distance between the innermost peripheral side and the outermost one of the p-type guard rings 21 is smaller than the distance between the p-type deep layers 5 and becomes larger toward the outer peripheral side, and the distance between the p-type deep layers 5 increases. It is larger than the interval. Accordingly, the portion other than the p-type guard ring 21 where the equipotential line terminates, that is, the portion of the n ⁇ -type drift layer 2 where the equipotential line is terminated can be gradually increased. For this reason, as a result, it is possible to terminate all equipotential lines without spreading to the outer peripheral side while allowing the equipotential lines to terminate without being concentrated. Therefore, the area of the guard ring portion can be reduced, and the chip area can be reduced, and the product cost can be reduced.
  • an n + type substrate 1 is prepared as a semiconductor substrate. Then, an n ⁇ type drift layer 2 made of SiC, a p type base region 3 and an n + type source region 4 are epitaxially grown on the main surface of the n + type substrate 1 in this order.
  • a mask (not shown) is arranged on the surface of the n + -type source region 4, and regions where the p-type deep layer 5, the p-type guard ring 21, and the p-type connecting layer 30 are to be formed are opened. Then, by performing anisotropic etching such as RIE (Reactive Ion Etching) using the mask, the trenches 5a, 21a, and 30a are formed. Thereby, trenches 5a, 21a, and 30a are formed at desired intervals, respectively.
  • anisotropic etching such as RIE (Reactive Ion Etching)
  • the p-type layer 50 is formed. At this time, the p-type layer 50 is buried in the trenches 5a, 21a, and 30a by buried epi. However, since the trenches 5a, 21a, and 30a are formed in a narrow line shape, The p-type layer 50 can be reliably embedded in the 5a, 21a, and 30a.
  • the ratio between the width of each p-type guard ring 21 and the distance to the adjacent p-type guard ring 21 is the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5. It is made to be equal to the ratio. Further, the ratio of the width of each frame-shaped portion 32 and the distance to the adjacent frame-shaped portion 32 or the p-type guard ring 21 is the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5. To be equal to the ratio.
  • the formation areas of the trenches 5a, 21a, and 30a per unit area are substantially equal, and the p-type layer enters the trenches 5a, 21a, and 30a per unit area.
  • An amount of 50 is also equal. Thereby, it becomes possible to make the thickness of the p-type layer 50 formed on a cell part, a connection part, and a guard ring part uniform.
  • Etchback is performed so that a portion of the p-type layer 50 formed above the surface of the n + -type source region 4 is removed by dry etching. Thereby, the p-type deep layer 5, the p-type guard ring 21, and the p-type connecting layer 30 are formed.
  • the thickness of the p-type layer 50 formed on the cell portion, the connecting portion, and the guard ring portion is substantially equal. For this reason, if the p-type layer 50 in the cell part is removed at the time of etch back, the p-type layer 50 can be removed without any residue remaining in the joint part or the guard ring part. Therefore, it is possible to suppress the p-type layer 50 from remaining as a residue in the guard ring portion as in the case where the thickness of the p-type layer 50 is thicker than the other portions on the guard ring portion. .
  • Step shown in FIG. 3E After forming a mask (not shown) on the n + -type source region 4 and the like, a region where the gate trench 6 is to be formed in the mask is opened. Then, the gate trench 6 is formed by performing anisotropic etching such as RIE using a mask.
  • a mask (not shown) is formed again, and a region where the recess 20 is to be formed in the mask is opened. And the recessed part 20 is formed by performing anisotropic etching, such as RIE, using a mask.
  • anisotropic etching such as RIE
  • the n ⁇ type drift layer 2 is exposed through the n + type source region 4 and the p type base region 3, and a plurality of n ⁇ type drift layers 2 are exposed on the surface layer portion of the n ⁇ type drift layer 2.
  • a structure in which two p-type guard rings 21 are arranged is configured.
  • the recess 20 of the gate trench 6 is formed as a separate process using separate masks, but can also be formed simultaneously using the same mask.
  • the gate insulating film 7 is formed by, for example, thermal oxidation, and the gate insulating film 7 covers the inner wall surface of the gate trench 6 and the surface of the n + -type source region 4. Then, after depositing Poly-Si doped with p-type impurities or n-type impurities, this is etched back to leave the Poly-Si at least in the gate trench 6 to form the gate electrode 8.
  • An interlayer insulating film 10 made of, for example, an oxide film is formed so as to cover the surfaces of the gate electrode 8 and the gate insulating film 7. Then, after forming a mask (not shown) on the surface of the interlayer insulating film 10, a portion of the mask located between the gate electrodes 8, that is, a portion corresponding to the p-type deep layer 5 and its vicinity are opened. Thereafter, the interlayer insulating film 10 is patterned using a mask to form a contact hole exposing the p-type deep layer 5 and the n + -type source region 4.
  • Step shown in FIG. 3H On the surface of the interlayer insulating film 10, for example, an electrode material composed of a laminated structure of a plurality of metals is formed. Then, the source electrode 9 and the gate pad 40 are formed by patterning the electrode material. Note that a gate lead-out portion connected to the gate electrode 8 of each cell is provided in a cross section different from that of FIG. A contact hole is opened in the interlayer insulating film 10 at the lead portion, so that the gate pad 40 and the gate electrode 8 are electrically connected.
  • the SiC semiconductor device according to the present embodiment is completed by performing steps such as forming the drain electrode 11 on the back surface side of the n + type substrate 1.
  • the present inventors provided a connecting portion between the cell portion and the guard ring portion, formed a recess in the outer peripheral region including the guard ring portion, and made the cell portion and the connecting portion project in an island shape.
  • a connecting portion between the cell portion and the guard ring portion formed a recess in the outer peripheral region including the guard ring portion, and made the cell portion and the connecting portion project in an island shape.
  • a plurality of p-type deep layers J4 for improving the breakdown voltage of the power element J3 are formed in a stripe shape in the cell portion, and a p-type guard ring J5 composed of a p-type layer is framed in the guard ring portion. It is formed in shape.
  • a connecting portion is provided between the cell portion and the guard ring portion, and by forming a p-type connecting layer J6 for electric field relaxation at the connecting portion, the equipotential lines are not terminated at the connecting portion, and the electric field concentration is reduced. Suppressed.
  • the connecting portion is provided with an electrode pad portion in which an electrode pad J8 is disposed on an interlayer insulating film J7 formed on the surface side of the semiconductor substrate, and an electrical connection between a desired portion of the power element J3, for example, a gate electrode and the outside. Connection can be made.
  • a recess J9 is formed in the guard ring portion so that the surface of the n ⁇ type drift layer J2 is exposed so that an interlayer insulating film J7 is formed thereon.
  • the recess The inner side of J9 is a mesa that protrudes beyond the guard ring.
  • the p-type deep layer J4, the p-type linking layer J6, and the p-type guard ring J5 can be formed by ion implantation with respect to the n ⁇ -type drift layer J2.
  • the range by ion implantation is short, and it is difficult to perform ion implantation to a deep position.
  • the p-type connecting layer J6, and the p-type guard ring J5 it is necessary to form them by an epitaxial film by epitaxial growth instead of ion implantation. That is, after the epitaxial film is embedded in the trench, the epitaxial film outside the trench is etched back and removed, thereby forming the p-type deep layer J4, the p-type connecting layer J6, and the p-type guard ring J5. .
  • the width of the p-type tie layer J6 is larger than that of a narrow width such as the p-type deep layer J4 or the p-type guard ring J5, the thickness of the p-type tie layer J6 is small. There arises a problem that a region where the p-type tie layer J6 disappears is generated. For this reason, the breakdown voltage required as a power device could not be obtained.
  • the present inventors examined not to make the p-type connecting layer J6 wide, but to make it by a narrow width equivalent to the p-type deep layer J4 or the p-type guard ring J5. .
  • the p-type connecting layer J6 is narrow, it is possible to satisfactorily bury the epitaxial film in the trench for forming the p-type connecting layer J6.
  • the guard ring part it is desirable to increase the interval of the p-type guard ring J5 toward the outer periphery so that the electric field concentration is alleviated and the equipotential lines are further toward the outer periphery side of the cell part.
  • the interval between the p-type connecting layers J6 is made smaller than the interval between the p-type deep layer J4 and the interval between the p-type guard rings J5 so that the role of electric field relaxation can be more reliably fulfilled. Is desirable.
  • a trench J10 is formed in the n ⁇ -type drift layer J2. Thereafter, the trench J10 is filled with an epitaxial film and then etched back to form the p-type deep layer J4, the p-type connecting layer J6, and the p-type guard ring J5. At this time, ideally, as shown in FIG. 5B, in addition to the n ⁇ -type drift layer J2, the surfaces of the p-type deep layer J4, the p-type linking layer J6, and the p-type guard ring J5 are coplanar. Is preferred.
  • the guard ring portion has a structure in which the interval between the p-type guard rings J5 is gradually increased toward the outer periphery, the trench J10 becomes sparse in the guard ring portion as shown in FIG.
  • the film thickness of J11 is larger than that of other portions. For this reason, as shown in FIG. 5D, when the etch back is performed, the epitaxial film J11 may remain as a residue in the guard ring portion. However, the function as the guard ring portion cannot be performed, and the electric field cannot be relaxed, and the device breakdown voltage is lowered. If the etch back amount is increased, the residue can be removed.
  • the n ⁇ type drift layer J2, the p-type deep layer J4, and the p-type connection layer J6 become thin in the cell part and the connection part, It will cause a decline. For this reason, there is a possibility that the breakdown voltage required for the power device cannot be obtained.
  • the trench J10 becomes dense at the connecting portion, and the film thickness of the epitaxial film J11 is the other portion. Smaller than. For this reason, when the etch back is performed, the same etching amount is removed from the surface, so that the connecting portion has a recessed shape. In this case, when the amount of etchback is increased in order to remove the residue in the guard ring portion, the n ⁇ type drift layer J2 and the p-type connection layer J6 are still thinner in the connection portion, which may further cause a decrease in breakdown voltage. .
  • the width of the p-type guard ring 21 is set in accordance with the interval between the adjacent p-type guard rings 21 so that the width increases as the interval between the p-type guard rings 21 increases. The more you go, the bigger you are.
  • the width of the frame-like portion 32 is basically equal to the width of the p-type deep layer 5, and the interval between the frame-like portions 32 is made equal to the interval between the p-type deep layers 5.
  • interval of the frame-shaped parts 32 or the frame-shaped part 32 and the p-type guard ring 21 is between p-type deep layers 5 It is made smaller than the interval.
  • the ratio between the width of each p-type guard ring 21 and the distance to the adjacent p-type guard ring 21 is equal to the ratio between the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5.
  • the ratio of the width of each frame-shaped portion 32 and the distance to the adjacent frame-shaped portion 32 or the p-type guard ring 21 is the width of each p-type deep layer 5 and the distance between the p-type deep layers 5. Equal to the ratio.
  • the difference in formation area of the trenches 5a, 21a, and 30a per unit area can be reduced in the cell portion, the connecting portion, and the guard ring portion.
  • the formation areas of the trenches 5a, 21a, and 30a per unit area can be made equal. Therefore, when the p-type layer 50 is formed, the difference in the amount of the p-type layer 50 that enters the trenches 5a, 21a, and 30a per unit area is also reduced. Thereby, it becomes possible to make the thickness of the p-type layer 50 formed on a cell part, a connection part, and a guard ring part uniform. Therefore, when the p-type layer 50 is etched back, it is possible to prevent the p-type layer 50 from remaining as a residue in the guard ring portion.
  • the p-type deep layer 5, the p-type guard ring 21, and the p-type linking layer 30 are formed of an epitaxial film, it is possible to provide an SiC semiconductor device including a semiconductor element that can ensure a withstand voltage. .
  • the width of the p-type tie layer 30 is made larger than that of the p-type deep layer 5 or the p-type guard ring 21, the thickness of the p-type tie layer 30 may be reduced or the p-type tie layer may be reduced.
  • 6A to 6D show a manufacturing process in the case where the entire region from the cell portion to the guard ring portion is made the p-type tie layer 30 without reducing the width of the p-type tie layer 30. . 6A and 6B, the same processes as in FIGS. 3C and 3D are performed.
  • the width of the trench 30a is set to a width corresponding to the entire area from the cell portion to the guard ring portion. .
  • the thickness of the portion of the p-type layer 50 that constitutes the p-type connecting layer 30 is thin because the width of the trench 30a is large. Become.
  • the thickness of the connecting layer 30 is reduced and the p-type layer 50 remains only at the bottom in the trench 30a.
  • the connecting layer 30 disappears completely on the outer peripheral side of the mesa portion, and the n ⁇ type drift layer 2 is further removed. It will be in the state etched until. Therefore, as shown in FIG. 6D, the connecting layer 30 becomes thin in the region where the mesa portion is to be formed, and the connecting layer 30 does not exist in the region outside the mesa portion. Therefore, the problem that the connecting layer 30 becomes thin can be solved by reducing the width of the connecting layer 30 as in the present embodiment. For this reason, it becomes possible to ensure the withstand pressure
  • the widths of the p-type deep layer 5, the p-type connecting layer 30, and the p-type guard ring 21 and the intervals between the parts are the same as those in the first embodiment.
  • the p-type deep layer 5 and the p-type connecting layer 30 are formed only below the region 3.
  • the p + -type contact portion 3 a is formed by performing ion implantation on the n + -type source region 4.
  • the p + -type contact portion 3 a is electrically connected to the source electrode 9, and the p-type deep layer 5 and the p-type connecting layer 30 also have the source potential through the p-type base region 3. Even with such a structure, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the manufacturing method of the SiC semiconductor device having such a structure is basically the same as that of the first embodiment, but after forming the trenches 5a, 21a and 30a in the n ⁇ type drift layer 2, the p-type base is formed. Before the region 3 is formed, the p-type layer 50 is formed and etched back. Thereby, the p-type deep layer 5, the p-type tie layer 30, and the p-type guard ring 21 are formed. At this time, similarly to the first embodiment, the p-type layer 50 can have substantially the same thickness in the cell portion, the joint portion, and the guard ring portion. Therefore, when the p-type layer 50 is etched back, the p-type layer 50 is formed in the guard ring portion. It is possible to suppress the layer 50 from remaining as a residue.
  • p A step of forming the + -type contact portion 3a is performed.
  • Other processes are the same as those in the first embodiment.
  • JBS junction barrier Schottky diode
  • an n ⁇ type drift layer 102 is formed on an n + type substrate 101.
  • a p-type deep layer 103 having a stripe shape with respect to the n ⁇ -type drift layer 102 is formed, and a p-type guard ring 104 is formed in a guard ring portion surrounding the periphery.
  • the p-type connecting layer 105 is also formed at the connecting portion between the cell portion and the guard ring portion.
  • the p-type deep layer 103 is arranged in a stripe-shaped trench 103a in which a plurality of n - type drift layers 102 are arranged at equal intervals, and is constituted by a p-type epitaxial film formed by epitaxial growth.
  • the trench 103a corresponds to a deep trench, and has a width of 1 ⁇ m or less and an aspect ratio of 2 or more, for example. Further, the tip of the p-type deep layer 103 has a semicircular upper surface shape.
  • the p-type guard ring 104 is disposed in a trench 104a formed in the n ⁇ -type drift layer 102, and is constituted by a p-type epitaxial film formed by epitaxial growth.
  • the trench 104a corresponds to a guard ring trench, and has a width of 1 ⁇ m or less and an aspect ratio of 2 or more, for example.
  • the p-type guard ring 104 has a quadrangular shape with four rounded corners, but may be configured in other frame shapes such as a circular shape.
  • the p-type connecting layer 105 is disposed in the trench 105a formed in the n ⁇ -type drift layer 102, and is constituted by a p-type epitaxial film formed by epitaxial growth.
  • the trench 105a corresponds to a connecting trench, and has a width of 1 ⁇ m or less and an aspect ratio of 2 or more, for example.
  • the p-type tie layer 105 has a configuration in which a plurality of frame-shaped layers surrounding the p-type deep layer 103 formed in the cell portion are arranged.
  • a Schottky electrode 106 corresponding to the first electrode brought into contact with the surfaces of the n ⁇ type drift layer 102, the p-type deep layer 103, and the p-type connecting layer 105 is formed. That is, in the case of the present embodiment, a plurality of p-type rings composed of a p-type layer configured by arranging an epitaxial film in a line-shaped frame-shaped trench surrounding the cell portion are provided, and a part of the inner peripheral side thereof is provided. The Schottky electrode 106 is disposed so as to cover the surface. Among such a plurality of p-type rings, the one in contact with the Schottky electrode 106 is called a p-type tie layer 105.
  • a plurality of p-type rings that are not in contact with the Schottky electrode 106 and are located outside the n - type drift layer 102 are located outside the p-type ring 106. This is called a p-type guard ring 104.
  • the portion where the Schottky electrode 106 is formed is a mesa in which the cell portion where the Schottky electrode 106 is arranged and the position of the connecting portion protrude in an island shape from the guard ring portion in the thickness direction of the n + -type substrate 101. Part.
  • an ohmic electrode 107 corresponding to the second electrode is formed on the back surface side of the n + type substrate 101.
  • the width and interval of the p-type connecting layer 105 and the p-type guard ring 104 are the same as those in the first embodiment.
  • the width of the p-type connecting layer 105 is basically equal to the width of the p-type deep layer 103 and smaller than the p-type deep layer 103 on the outer edge side of the mesa portion.
  • the interval between the p-type connecting layers 105 is made equal to the interval between the p-type deep layers 103.
  • interval of p-type connection layers 105 is made smaller than the space
  • the width of the p-type guard ring 104 and the interval between the p-type guard rings 104 are gradually increased toward the outer peripheral side.
  • the width of the p-type guard ring 104 is larger than the width of the p-type deep layer 103, and the interval between the p-type guard rings 104 is also larger than the interval between the p-type deep layers 103. .
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained. That is, in the manufacturing method of the SiC semiconductor device having such a structure, after forming the trenches 103a, 104a, and 105a in the n ⁇ type drift layer 2, the p-type layer is formed and etch back is performed. As a result, the p-type deep layer 103, the p-type connecting layer 105, and the p-type guard ring 104 are formed. At this time, since the thickness of the p-type layer can be substantially equal in the cell portion, the joint portion, and the guard ring portion, it is possible to prevent the p-type layer from remaining as a residue in the guard ring portion when the p-type layer is etched back. It becomes possible to do.
  • the Schottky electrode 106 can be made a thing with a small barrier height, an on-voltage can be made small, and a surface electric field can be made small. Further, since the generation of defects is less than in the case where a p-type layer such as the p-type deep layer 103 is formed by ion implantation, reverse leakage can also be reduced.
  • the tip is pointed. It may be a triangular shape or a rectangular shape with a flat tip.
  • the extending direction of the linear portion 31 and the p-type deep layer 103 is the ⁇ 11-20> direction, in the hexagonal crystal such as SiC, the two sides of the triangular tip are Both the plane orientations of the constituting wall surfaces are likely to be equivalent (1-100) planes. Therefore, the growth during the buried epitaxy on each equivalent surface becomes equal, and a uniform film quality can be obtained, and the effect of suppressing the embedding defect can be obtained.
  • the p-type deep layer 5 or the tip of the linear part 31 may be in contact with the frame part 32.
  • the trench width becomes large at the portion where the tip of the p-type deep layer 5 or the linear portion 31 is in contact with the frame-like portion 32, and the surface of the p-type layer 50 can be recessed. Therefore, in the portion where the tip of the p-type deep layer 5 or the straight portion 31 and the frame-like portion 32 are in contact with each other, the width of the tip of the p-type deep layer 5 or the straight-like portion 31 and the width of the frame-like portion 32 are set to other portions. Narrower than that, it is preferable.
  • the p + -type contact portion 3 a passes through the n + -type source region 4 and reaches the p-type base region 3. Formed.
  • a trench that penetrates the n + -type source region 4 may be formed so that the source electrode 9 is in direct contact with the p-type base region 3.
  • the n + -type source region 4 is continuously epitaxially grown on the p-type base region 3, but an n-type impurity is ion-implanted at a desired position in the p-type base region 3.
  • the n + -type source region 4 may be formed.
  • each of the above embodiments only shows an example of a vertical semiconductor element, and a vertical type in which a current flows between a first electrode provided on the front surface side and a second electrode provided on the back surface side of the semiconductor substrate.
  • it is a semiconductor element, it may be of another structure or conductivity type.
  • an n-channel type MOSFET in which the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type has been described as an example.
  • the conductivity type of each component is reversed.
  • it may be a p-channel type MOSFET.
  • the MOSFET has been described as an example of the semiconductor element.
  • the present disclosure can be applied to an IGBT having a similar structure. The IGBT only changes the conductivity type of the n + type substrate 1 from the n-type to the p-type with respect to the above-described embodiments, and the other structures and manufacturing methods are the same as those in the above-described embodiments.
  • the vertical MOSFET having the trench gate structure has been described as an example.
  • the vertical MOSFET is not limited to the trench gate structure but may be a planar type.
  • the outer peripheral side of the connecting portion and the guard ring portion include the frame-shaped portion 32 and the p-type guard ring 21 configured in a frame shape, and the cell portion and the connecting portion A line-shaped p-type deep layer 5 and a linear portion 31 that are partially striped are provided.
  • the connecting portion is configured only by the frame-shaped portion 32, and the inside thereof is the entire cell portion, thereby forming a stripe shape.
  • a structure in which the line-shaped p-type deep layer 5 is disposed may be employed.
  • the trench constituting the line-shaped second conductivity type layer formed in a stripe shape corresponds to the first trench
  • the trench constituting the frame-shaped second conductivity type ring is defined as the second trench.
  • the portion of the trench 5a and the trench 30a provided with the linear portion 31 corresponds to the first trench
  • the portion of the trench 30a provided with the frame-like portion 32 and the trench 21a corresponds to the second trench.
  • the trench 103a corresponds to the first trench
  • the trenches 104a and 105a correspond to the second trench.
  • the second ratio that is the ratio of the width of the second conductivity type ring to the distance between the second conductivity type rings is made equal. That is, the area where the second conductivity type epitaxial film is formed per unit area is made constant over the entire area of the cell portion, the connecting portion, and the guard ring portion.
  • the above effect can be obtained by making the first ratio and the second ratio within a predetermined range. Specifically, the above effect can be obtained if the second ratio is included in the range of 2/3 to 1.5 times the first ratio.
  • the mesa portion is provided by forming the recess 20, but the mesa portion is not necessarily provided.
  • the p-type deep layer 5 is formed from the surface of the n ⁇ -type drift layer 2 as in the second embodiment. Thereafter, a trench is formed in a region where the p-type base region 3 and the n + -type source region 4 are to be formed, and a p-type layer and an n + -type layer are selectively epitaxially grown in the trench to thereby form the p-type base region 3 and An n + type source region 4 is formed.
  • a SiC semiconductor device having a structure having no mesa portion can be obtained. Even in this case, the same effect as that of the first embodiment can be obtained if the structure of the connecting portion and the guard ring portion is the same as that of the first embodiment.

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Abstract

ｐ型ガードリング（２１）の幅を隣り合うｐ型ガードリング（２１）同士の間隔に合わせて設定し、ｐ型ガードリング（２１）同士の間隔が大きくなるほど幅が大きくなるようにする。また、枠状部（３２）の幅を基本的にはｐ型ディープ層（５）の幅と等しくして枠状部（３２）同士の間隔をｐ型ディープ層（５）同士の間隔と等しくする。これにより、セル部と繋ぎ部およびガードリング部において、単位面積当たりのトレンチ（５ａ、２１ａ、３０ａ）の形成面積の差を小さくできる。したがって、ｐ型層（５０）を形成する際に、単位面積当たりのトレンチ（５ａ、２１ａ、３０ａ）内に入り込むｐ型層（５０の量の差も小さくなり、ｐ型層（５０）の厚みを均一化できる。

Description

炭化珪素半導体装置およびその製造方法 関連出願への相互参照
　本出願は、２０１６年７月５日に出願された日本特許出願番号２０１６－１３３６７６号に基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。
　本開示は、ディープ層およびガードリング層を有する炭化珪素（以下、ＳｉＣという）半導体装置およびその製造方法に関する。
　従来より、高い電界破壊強度が得られるパワーデバイスの素材としてＳｉＣが注目されている。ＳｉＣのパワーデバイスとしては、例えばＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードなどが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　ＳｉＣのパワーデバイスでは、ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオード等のパワー素子が形成されるセル部と、セル部の周囲を囲むガードリング部とが備えられる。セル部とガードリング部との間には、これらの間を繋ぐための繋ぎ部が設けられる。そして、ガードリング部を含む外周領域において、半導体基板の表面を窪ませた凹部とすることで、基板の厚み方向において、セル部および繋ぎ部が島状に突出したメサ部となるようにしている。
特開２０１１－１０１０３６号公報
　上記のようにセル部とガードリング部の間に繋ぎ部を備えつつ、ガードリング部を含む外周領域において凹部を形成し、セル部および繋ぎ部を島状に突出させたメサ部とする場合、パワーデバイスとして要求される耐圧が得られなくなる可能性があることが確認された。
　本開示は、耐圧を確保することができるパワー素子を備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の１つの観点におけるＳｉＣ半導体装置では、第１または第２導電型の基板、および、基板の表面側に形成され、基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型のドリフト層を有した構成において、セル部に加えて、該セル部の外周を囲むガードリング部およびガードリング部とセル部との間に位置する繋ぎ部を含む外周部が形成されている。セル部もしくはセル部および繋ぎ部には、ドリフト層にストライプ状に形成された複数のライン状の第１トレンチ内に配置され、第２導電型のエピタキシャル膜によって構成された第２導電型層が備えられている。また、セル部には、第２導電型層に電気的に接続された第１電極と、基板の裏面側に形成された第２電極と、を備え、第１電極と第２電極との間に電流を流す縦型の半導体素子が備えられている。ガードリング部もしくはガードリング部および繋ぎ部には、ドリフト層の表面から形成されていると共にセル部を囲む複数の枠形状とされたライン状の第２トレンチ内に配置され、第２導電型のエピタキシャル膜によって構成された第２導電型リングが備えられている。そして、第２導電型リングのうち外周側に位置している少なくとも一部がガードリング部に備えられるガードリングとされ、第２導電型リングは、内周側から外周側に向かうに連れて幅が大きくされているとともに、該第２導電型リング同士の間隔が幅に対応して大きくされている。
　このような構成によれば、セル部と繋ぎ部およびガードリング部において、単位面積当たりのトレンチの形成面積の差を小さくできる。したがって、第２導電型層を形成する際に、単位面積当たりのトレンチ内に入り込む第２導電型層の量の差も小さくなる。これにより、セル部や繋ぎ部およびガードリング部の上に形成される第２導電型層の厚みを均一化することが可能となる。このため、第２導電型層をエッチバックする際に、ガードリング部に第２導電型層が残渣として残ってしまうことを抑制することが可能となる。よって、耐圧を確保することができる半導体素子を備えたＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。
第１実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の上面レイアウトを模式的に示した図である。 図１のII－II断面図である。 第１実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ａに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｂに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｃに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｄに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｅに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｆに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図３Ｇに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 本発明者らが検討を行ったＳｉＣ半導体装置の断面図である。 本発明者らが検討を行ったＳｉＣ半導体装置の製造工程中の断面図である。 図５Ａに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図５Ｂに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図５Ｃに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 参考例として繋ぎ層の幅を大きくした場合の製造工程中の様子を示した断面図である。 図６Ａに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図６Ｂに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 図６Ｃに続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。 第２実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の断面図である。 第３実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の上面レイアウトを模式的に示した図である。 図７中のVIII－VIII断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
　（第１実施形態）
　第１実施形態について説明する。ここでは半導体素子で構成されるパワー素子としてトレンチゲート構造の反転型のＭＯＳＦＥＴが形成されたＳｉＣ半導体装置を例に挙げて説明する。
　図１に示すＳｉＣ半導体装置は、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが形成されるセル部と、このセル部を囲む外周部とを有した構成とされている。外周部は、ガードリング部と、ガードリング部よりも内側、つまりセル部とガードリング部との間に配置される繋ぎ部とを有した構成とされている。なお、図１は断面図ではないが、図を見やすくするために部分的にハッチングを示してある。
　図２に示すように、ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣからなるｎ＋型基板１を用いて形成され、ｎ＋型基板１の主表面上にＳｉＣからなるｎ－型ドリフト層２とｐ型ベース領域３、および、ｎ＋型ソース領域４が順にエピタキシャル成長させられている。
　ｎ＋型基板１は、例えばｎ型不純物濃度が１．０×１０１９／ｃｍ３とされ、表面が（０００１）Ｓｉ面とされている。ｎ－型ドリフト層２は、例えばｎ型不純物濃度が０．５～２．０×１０１６／ｃｍ３とされている。
　また、ｐ型ベース領域３は、チャネル領域が形成される部分で、ｐ型不純物濃度が例えば２．０×１０１７／ｃｍ３程度とされ、厚みが３００ｎｍで構成されている。ｎ＋型ソース領域４は、ｎ－型ドリフト層２よりも高不純物濃度とされ、表層部におけるｎ型不純物濃度が例えば２．５×１０１８～１．０×１０１９／ｃｍ３、厚さ０．５μｍ程度で構成されている。
　セル部では、ｎ＋型基板１の表面側においてｐ型ベース領域３およびｎ＋型ソース領域４が残されており、ガードリング部では、これらｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するように凹部２０が形成されている。このような構造とすることでメサ構造が構成されている。
　また、セル部では、ｎ＋型ソース領域４やｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するようにｐ型ディープ層５が形成されている。ｐ型ディープ層５は、ｐ型ベース領域３よりもｐ型不純物濃度が高くされている。具体的には、ｐ型ディープ層５は、少なくともｎ－型ドリフト層２に複数本が等間隔に配置され、図１に示すように、互いに交点なく離れて配置されたストライプ状のトレンチ５ａ内に備えられ、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ５ａがディープトレンチに相当するものであり、例えば幅が１μｍ以下、アスペクト比が２以上の深さとされている。なお、図１に示されるｐ型ディープ層５や後述するトレンチゲート構造および繋ぎ層３０などについては、実際には図示した数以上に備えられているが、簡略化の為に本数を少なくして記載してある。
　例えば、各ｐ型ディープ層５は、ｐ型不純物濃度が例えば１．０×１０１７～１．０×１０１９／ｃｍ３、幅０．７μｍ、深さ２．０μｍ程度で構成されている。ｐ型ディープ層５は、図１に示すようにセル部の一端から他端に渡って形成されている。そして、後述するトレンチゲート構造と同方向を長手方向として延設され、トレンチゲート構造の両端よりも更にセル部の外側に延設された後述するｐ型繋ぎ層３０とつながっている。
　ｐ型ディープ層５の延設方向については任意であるが、＜１１－２０＞方向に延設し、トレンチ５ａのうち長辺を構成している対向する両壁面が同じ（１－１００）面となるようにすると、埋込エピ時の成長が両壁面で等しくなる。このため、均一な膜質にできると共に、埋込み不良の抑制効果も得られる。
　また、ｐ型ベース領域３およびｎ＋型ソース領域４を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するように、例えば幅が０．８μｍ、深さが１．０μｍのゲートトレンチ６が形成されている。このゲートトレンチ６の側面と接するように上述したｐ型ベース領域３およびｎ＋型ソース領域４が配置されている。ゲートトレンチ６は、図２の紙面左右方向を幅方向、紙面垂直方向を長手方向、紙面上下方向を深さ方向とするライン状のレイアウトで形成されている。また、図１に示すように、ゲートトレンチ６は、複数本がそれぞれｐ型ディープ層５の間に挟まれるように配置され、それぞれが平行に等間隔で並べられることでストライプ状とされている。
　ｐ型ベース領域３のうちゲートトレンチ６の側面に位置している部分を、縦型ＭＯＳＦＥＴの作動時にｎ＋型ソース領域４とｎ－型ドリフト層２との間を繋ぐチャネル領域として、チャネル領域を含むゲートトレンチ６の内壁面にはゲート絶縁膜７が形成されている。そして、ゲート絶縁膜７の表面にはドープドＰｏｌｙ－Ｓｉにて構成されたゲート電極８が形成されており、これらゲート絶縁膜７およびゲート電極８によってゲートトレンチ６内が埋め尽くされている。
　また、ｎ＋型ソース領域４およびｐ型ディープ層５の表面やゲート電極８の表面には、層間絶縁膜１０を介して第１電極に相当するソース電極９や電極パッド部に配置されたゲートパッド４０が形成されている。ソース電極９およびゲートパッド４０は、複数の金属、例えばＮｉ／Ａｌ等にて構成されている。そして、複数の金属のうち少なくともｎ型ＳｉＣ、具体的にはｎ＋型ソース領域４やｎ型ドープの場合のゲート電極８と接触する部分はｎ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。また、複数の金属のうち少なくともｐ型ＳｉＣ、具体的にはｐ型ディープ層５と接触する部分はｐ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。なお、これらソース電極９およびゲートパッド４０は、層間絶縁膜１０上に形成されることで電気的に絶縁されている。そして、層間絶縁膜１０に形成されたコンタクトホールを通じて、ソース電極９はｎ＋型ソース領域４およびｐ型ディープ層５と電気的に接触させられ、ゲートパッド４０はゲート電極８と電気的に接触させられている。
　さらに、ｎ＋型基板１の裏面側にはｎ＋型基板１と電気的に接続された第２電極に相当するドレイン電極１１が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成されている。そして、このようなＭＯＳＦＥＴが複数セル配置されることでセル部が構成されている。
　一方、ガードリング部では、上記したように、ｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するように凹部２０が形成されている。このため、セル部から離れた位置ではｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３が除去されて、ｎ－型ドリフト層２が露出させられている。そして、ｎ＋型基板１の厚み方向において、凹部２０よりも内側に位置するセル部や繋ぎ部が島状に突き出したメサ部となっている。
　また、凹部２０の下方に位置するｎ－型ドリフト層２の表層部には、セル部を囲むように、複数本のｐ型ガードリング２１が備えられている。図１中では、p型ガードリング２１を５本記載してある。本実施形態の場合、ｐ型ガードリング２１を四隅が丸められた四角形状としているが、円形状など他の枠形状で構成されていても良い。ｐ型ガードリング２１は、ｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するトレンチ２１ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ２１ａがガードリングトレンチに相当するものである。
　ｐ型ガードリング２１は、本実施形態では四隅が丸められた四角形状とされている。ｐ型ガードリング２１を構成する各部は、上記したｐ型ディープ層５と同様の構成とされている。ｐ型ガードリング２１は、上面形状がセル部および繋ぎ部を囲む枠形状のライン状とされている点や幅が外周に向かうに連れて大きくされている点において、直線状で一定幅に形成されたｐ型ディープ層５と異なっているが、他は同様である。また、各ｐ型ガードリング２１の間隔については、より内周側、つまりセル部側において電界集中を緩和して等電位線がより外周側に向かうように、ｐ型ガードリング２１の間隔がセル部側で狭く外周側に向かうほど大きくされている。
　本実施形態の場合、ｐ型ガードリング２１の幅は、最も内周側ではｐ型ディープ層５よりも小さくなっているが、外周側に向かうに連れて徐々に大きくなり、最も外周側ではｐ型ディープ層５の幅より大きくされている。同様に、隣り合うｐ型ガードリング２１同士の間隔は、最も内周側ではｐ型ディープ層５同士の間隔より小さくされており、そこから外周側に向かうに連れて徐々に大きくなり、最も外周側ではｐ型ディープ層５同士の間隔より大きくされている。すなわち、ｐ型ガードリング２１の幅は、隣り合うｐ型ガードリング２１同士の間隔に合わせて設定されており、間隔が大きくなるほど幅が大きくなるようにしている。これにより、各ｐ型ガードリング２１の幅とその隣のｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなるようにしている。
　なお、図示していないが、必要に応じてｐ型ガードリング２１よりも外周にＥＱＲ構造が備えられることにより、セル部を囲む外周耐圧構造が備えられたガードリング部が構成されている。
　さらに、図１中にハッチングで示したように、セル部からガードリング部に至るまでの間を繋ぎ部として、繋ぎ部において、ｎ－型ドリフト層２の表層部にｐ型繋ぎ層３０が形成されている。本実施形態の場合、図１に示すように、セル部を囲むように繋ぎ部が形成されており、さらに繋ぎ部の外側を囲むように、上記したように四隅が丸められた四角形状のｐ型ガードリング２１が複数本形成されている。ｐ型繋ぎ層３０は、セル部に形成されるｐ型ディープ層５と平行に複数本並べてストライプ状に配置された直線状部３１と、ｐ型ディープ層５および直線状部３１を囲むように１本または複数本並べて形成された枠状部３２とを有した構成とされている。
　直線状部３１は、セル部と枠状部３２との間の領域において、ｎ－型ドリフト層２内にｐ型層が形成されていないために等電位線が過剰にせり上がる場所が発生しないように、セル部と枠状部３２との間に形成される。ｐ型ディープ層５の長手方向に対する垂直方向におけるセル部と枠状部３２との間では、複数本の直線状部３１がｐ型ディープ層５と並行に並べて配置されている。ｐ型ディープ層５の長手方向におけるセル部と枠状部３２との間では、直線状部３１がｐ型ディープ層５の先端につなげられるように形成されている。このように、セル部と枠状部３２との間に直線状部３１が配置され、直線状部３１と枠状部３２との間の距離がｐ型ディープ層５同士の間隔と同じもしくはそれより小さくなるようにしてある。
　枠状部３２は、四隅が丸められた四角形状とされており、セル部および直線状部３１の周囲を囲んでいる。具体的には、枠状部３２は、ガードリング部と同心状に配置されている。本実施形態では枠状部３２が複数本備えられている。
　これら直線状部３１と枠状部３２とによって構成された各ｐ型繋ぎ層３０は、ｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２に達するトレンチ３０ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ３０ａが繋ぎトレンチに相当するものであり、例えば幅が１μｍ以下、アスペクト比が２以上の深さとされている。ｐ型繋ぎ層３０は、ｐ型ベース領域３に接触させられていることから、ソース電位に固定される。
　本実施形態の場合、ｐ型繋ぎ層３０のうちの直線状部３１については、ｐ型ディープ層５と同じ幅とされ、直線状部３１同士の間隔がｐ型ディープ層５同士の間隔と同じとされている。枠状部３２については、メサ部の内周側では基本的にはｐ型ディープ層５と同じ幅とされ、メサ部の外縁側ではｐ型ディープ層５より小さな幅とされている。すなわち、ｐ型繋ぎ層３０においては、枠状部３２の幅の変化を抑制するのが好ましいため、基本的にはｐ型ディープ層５と同じ幅としている。枠状部３２の幅をすべてｐ型ディープ層５と同じ幅とすることもできるが、ここではメサ部の外縁側においてｐ型ガードリング２１のうちの内周側のものと同じ幅としている。これは、メサ部を形成するための凹部２０を形成するときのマスクずれに対応できるようにするためである。
　マスクずれが発生すると、凹部２０の内周端の形成位置がずれる。例えば、図１の構造において、マスクずれが発生して凹部２０の内周端の形成位置が紙面右側にずれたとする。この場合、紙面左側において枠状部３２の一部がメサ部の外となる凹部２０内に形成され、紙面右側においてｐ型ガードリング２１の一部が凹部２０内ではなくメサ部内に形成されることになる。このような構造になると、枠状部３２の一部がガードリングと同様の構造になることから、ｐ型ガードリング２１のうちの内周側のものと同じ幅であるのが好ましい。したがって、本実施形態のように、枠状部３２のうちメサ部の外縁側に位置する部分について、ｐ型ガードリング２１のうちの内周側のものと同じ幅となるようにすることで、マスクずれにも対応することが可能となる。
　また、枠状部３２同士の間隔もしくは枠状部３２とｐ型ガードリング２１との間隔は、枠状部３２の幅に応じて変化させられており、幅が広いほど広い間隔とされている。すなわち、枠状部３２のうちｐ型ディープ層５と同じ幅とされた部分同士の間隔は、ｐ型ディープ層５同士の間隔と同じとされている。また、枠状部３２のうちｐ型ガードリング２１における内周側のものと同じ幅とされた部分同士の間隔は、ｐ型ガードリング２１における内周側のもの同士の間隔と同じとされている。これにより、各枠状部３２の幅とその隣の枠状部３２もしくはｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなるようにしている。
　なお、ここでは枠状部３２をｐ型ガードリング２１と区別して説明したが、枠状部３２とｐ型ガードリング２１とによって、同心状とされた複数の枠形状のｐ型リングが構成されていると言える。つまり、ｐ型リングのうち凹部２０より内周側に配置された部分が枠状部３２を構成し、凹部２０内に形成された部分がｐ型ガードリング２１を構成していると言える。ｐ型リングは、メサ部の内周側ではｐ型ディープ層５と同じ幅とされ、それよりも外側では、内周側から外周側に向かうに連れて幅が大きくなり、さらに隣り合うｐ型リング同士の間隔も大きくなる。これにより、各ｐ型リングの幅とその隣のｐ型リングまでの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくされている。そして、ｐ型リングのうちメサ部の境界に位置している部分のものの幅がｐ型ディープ層５の幅より小さくされているとともに、その部分において隣り合うｐ型リング同士の間隔がｐ型ディープ層５同士の間隔より小さくされている。さらに、ｐ型リングのうち最も外周側のものの幅がｐ型ディープ層５の幅より大きくされているとともに、最も外周側のものとその１つ内側のものとの間隔がｐ型ディープ層５同士の間隔より大きくされている。
　このようなｐ型繋ぎ層３０を形成し、かつ、ｐ型繋ぎ層３０同士の間隔を上記のように設定することで、ｐ型繋ぎ層３０のうちの直線状部３１や枠状部３２の間において等電位線が過剰にせり上がることを抑制できる。これにより、ｐ型繋ぎ層３０の間において電界集中が発生する部位が形成されることを抑制でき、耐圧低下を抑制することが可能となる。
　なお、各直線状部３１における長手方向の両端、つまり直線状部３１が形成されたトレンチ３０ａの両端では、直線状部３１の上面形状が半円形とされている。トレンチ３０ａの両端の上面形状を四角形状にしても良いが、角部にｎ型層が先に形成されることでｎ型化することがある。このため、各直線状部３１の両端の上面形状を半円形とすることで、ｎ型層が形成される部分を無くすことが可能となる。
　また、繋ぎ部においても、ｎ＋型ソース領域４の表面に層間絶縁膜１０が形成されている。上記したゲートパッド４０は、繋ぎ部において、層間絶縁膜１０の上に形成されている。
　このように、セル部とガードリング部との間に繋ぎ部を備えた構造とし、繋ぎ部を幅狭のトレンチ３０ａ内に埋め込まれた複数本のｐ型繋ぎ層３０によって構成しているため、ｐ型繋ぎ層３０の厚みが薄くなったり、ｐ型繋ぎ層３０が無くなることはない。その反面、ｐ型繋ぎ層３０を複数に分割した構造としていることから、ｐ型繋ぎ層３０の間に等電位線がせり上がってくる可能性がある。しかしながら、ｐ型繋ぎ層３０同士の間隔を上記のように設定することで、等電位線の過剰なせり上がりを抑制でき、耐圧低下を抑制できる。
　以上のような構造により、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置が構成されている。このように構成されるＳｉＣ半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴをオンするときには、ゲート電極８への印加電圧を制御することでゲートトレンチ６の側面に位置するｐ型ベース領域３の表面部にチャネル領域を形成する。これにより、ｎ＋型ソース領域４およびｎ－型ドリフト層２を介して、ソース電極９およびドレイン電極１１の間に電流を流す。
　また、ＭＯＳＦＥＴのオフ時には、高電圧が印加されたとしても、トレンチゲート構造よりも深い位置まで形成されたｐ型ディープ層５によってゲートトレンチ底部への電界の入り込みが抑制されて、ゲートトレンチ底部での電界集中が緩和される。これにより、ゲート絶縁膜７の破壊が防止される。
　繋ぎ部では、等電位線のせり上がりが抑制され、等電位線がガードリング部側に向かうようにされる。
　さらに、ガードリング部において、ｐ型ガードリング２１によって等電位線の間隔が外周方向に向かって広がりながら終端させられるようになり、ガードリング部でも所望の耐圧を得ることができる。したがって、所望の耐圧を得ることが可能なＳｉＣ半導体装置とすることができる。
　特に、ｐ型ガードリング２１のうち最も内周側とその１つ外側のものの間隔はｐ型ディープ層５同士の間隔より小さく、外周側に向かうに連れて大きくなってｐ型ディープ層５同士の間隔より大きくなっている。したがって、等電位線が終端するｐ型ガードリング２１以外の部分、つまり等電位線が終端させられるｎ－型ドリフト層２の部分を徐々に増やせる。このため、結果的に、等電位線を集中させることなく終端させられるようにしつつ、より外周側へ広がらなくてもすべての等電位線を終端させることが可能となる。したがって、ガードリング部の面積を縮小することが可能となり、チップ面積の縮小ひいては製品コスト低減を図ることが可能となる。
　続いて、本実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法について図３Ａ～図３Ｈを参照して説明する。
　〔図３Ａに示す工程〕
　まず、半導体基板として、ｎ＋型基板１を用意する。そして、このｎ＋型基板１の主表面上にＳｉＣからなるｎ－型ドリフト層２、ｐ型ベース領域３およびｎ＋型ソース領域４を順にエピタキシャル成長させる。
　〔図３Ｂに示す工程〕
　次に、ｎ＋型ソース領域４の表面に図示しないマスクを配置し、マスクのうちのｐ型ディープ層５、ｐ型ガードリング２１およびｐ型繋ぎ層３０の形成予定領域を開口させる。そして、マスクを用いてＲＩＥ（Reactive IonEtching）などの異方性エッチングを行うことにより、トレンチ５ａ、２１ａ、３０ａを形成する。これにより、トレンチ５ａ、２１ａ、３０ａがそれぞれ所望の間隔で形成される。
　〔図３Ｃに示す工程〕
　マスクを除去した後、ｐ型層５０を成膜する。このとき、埋込エピにより、トレンチ５ａ、２１ａ、３０ａ内にｐ型層５０が埋め込まれることになるが、トレンチ５ａ、２１ａ、３０ａを幅が狭いライン状で形成していることから、各トレンチ５ａ、２１ａ、３０ａ内にｐ型層５０を確実に埋め込むことが可能になる。
　さらに、上記したように、各ｐ型ガードリング２１の幅とその隣のｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなるようにしている。また、各枠状部３２の幅とその隣の枠状部３２もしくはｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなるようにしている。このため、セル部や繋ぎ部およびガードリング部それぞれにおいて、単位面積当たりのトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａの形成面積がほぼ等しくなって、単位面積当たりのトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａ内に入り込むｐ型層５０の量も等しくなる。これにより、セル部や繋ぎ部およびガードリング部の上に形成されるｐ型層５０の厚みを均一化することが可能となる。
　〔図３Ｄに示す工程〕
　ドライエッチングによってｐ型層５０のうちｎ＋型ソース領域４の表面より上に形成された部分が取り除かれるようにエッチバックする。これにより、ｐ型ディープ層５、ｐ型ガードリング２１およびｐ型繋ぎ層３０が形成される。
　このとき、上記したように、セル部や繋ぎ部およびガードリング部の上に形成されるｐ型層５０の厚みがほぼ等しくなっている。このため、エッチバック時にセル部のｐ型層５０を除去すれば、繋ぎ部やガードリング部においても残渣が残ることなくｐ型層５０を除去することが可能になる。よって、ガードリング部の上においてｐ型層５０の厚みが他の部分よりも厚くなる場合のように、ガードリング部においてｐ型層５０が残渣として残ってしまうことを抑制することが可能となる。
　〔図３Ｅに示す工程〕
　ｎ＋型ソース領域４などの上に図示しないマスクを形成したのち、マスクのうちのゲートトレンチ６の形成予定領域を開口させる。そして、マスクを用いてＲＩＥなどの異方性エッチングを行うことで、ゲートトレンチ６を形成する。
　さらに、マスクを除去したのち、再び図示しないマスクを形成し、マスクのうちの凹部２０の形成予定領域を開口させる。そして、マスクを用いてＲＩＥなどの異方性エッチングを行うことで凹部２０を形成する。これにより、凹部２０が形成された位置において、ｎ＋型ソース領域４およびｐ型ベース領域３を貫通してｎ－型ドリフト層２が露出させられ、ｎ－型ドリフト層２の表層部に複数本のｐ型ガードリング２１が配置された構造が構成される。
　なお、ここではゲートトレンチ６の凹部２０を別々のマスクを用いた別工程として形成したが、同じマスクを用いて同時に形成することもできる。
　〔図３Ｆに示す工程〕
　マスクを除去した後、例えば熱酸化を行うことによって、ゲート絶縁膜７を形成し、ゲート絶縁膜７によってゲートトレンチ６の内壁面上およびｎ＋型ソース領域４の表面上を覆う。そして、ｐ型不純物もしくはｎ型不純物がドープされたＰｏｌｙ－Ｓｉをデポジションした後、これをエッチバックし、少なくともゲートトレンチ６内にＰｏｌｙ－Ｓｉを残すことでゲート電極８を形成する。
　〔図３Ｇに示す工程〕
　ゲート電極８およびゲート絶縁膜７の表面を覆うように、例えば酸化膜などによって構成される層間絶縁膜１０を形成する。そして、層間絶縁膜１０の表面上に図示しないマスクを形成したのち、マスクのうち各ゲート電極８の間に位置する部分、つまりｐ型ディープ層５と対応する部分およびその近傍を開口させる。この後、マスクを用いて層間絶縁膜１０をパターニングすることでｐ型ディープ層５およびｎ＋型ソース領域４を露出させるコンタクトホールを形成する。
　〔図３Ｈに示す工程〕
　層間絶縁膜１０の表面上に例えば複数の金属の積層構造により構成される電極材料を形成する。そして、電極材料をパターニングすることで、ソース電極９およびゲートパッド４０を形成する。なお、本図とは異なる断面において各セルのゲート電極８に繋がるゲート引出部が設けられている。その引出部において層間絶縁膜１０にコンタクトホールが開けられることで、ゲートパッド４０とゲート電極８との電気的接続が行われるようになっている。
　この後の工程については図示しないが、ｎ＋型基板１の裏面側にドレイン電極１１を形成するなどの工程を行うことで、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置が完成する。
　続いて、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法の効果について説明する。
　まず、効果の説明に先立ち、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法に至るまでの本発明者らの考察等について説明する。
　最初に、本発明者らは、セル部とガードリング部の間に繋ぎ部を備えつつ、ガードリング部を含む外周領域において凹部を形成し、セル部および繋ぎ部を島状に突出させたメサ部とする構造として、例えば図４に示す構造を考えた。
　この図に示すように、ｎ＋型ＳｉＣ基板Ｊ１の上にｎ－型ドリフト層Ｊ２を形成した半導体基板を用いて、ＭＯＳＦＥＴなどで構成されるパワー素子Ｊ３が形成されるセル部とガードリング部とを形成している。セル部には、パワー素子Ｊ３の耐圧向上のためのｐ型ディープ層Ｊ４を複数本ストライプ状に形成しており、ガードリング部にはｐ型層にて構成されるｐ型ガードリングＪ５を枠形状で形成している。そして、セル部とガードリング部との間に繋ぎ部を備え、繋ぎ部に電界緩和用のｐ型繋ぎ層Ｊ６を形成することで、繋ぎ部において等電位線が終端しないようにし、電界集中を抑制している。また、この繋ぎ部において、半導体基板の表面側に形成された層間絶縁膜Ｊ７の上に電極パッドＪ８を配置した電極パッド部を備え、パワー素子Ｊ３の所望箇所、例えばゲート電極と外部との電気的接続が行えるようにしている。
　さらに、ガードリング部に凹部Ｊ９を形成し、ｎ－型ドリフト層Ｊ２の表面を露出させてこの上に層間絶縁膜Ｊ７が形成されるようにし、ｎ＋型ＳｉＣ基板Ｊ１の厚み方向において、凹部Ｊ９の内側がガードリング部よりも突出したメサ部となるようにしている。
　このような構造において、ｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５については、ｎ－型ドリフト層Ｊ２に対してｐ型不純物をイオン注入によって形成することができる。
　しかしながら、ＳｉＣではイオン注入による飛程が短く、深い位置までイオン注入を行うことが難しい。これらｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５を深い位置まで形成するには、これらをイオン注入ではなくエピタキシャル成長によるエピタキシャル膜によって構成することが必要である。すなわち、トレンチ内にエピタキシャル膜を埋め込んだのち、トレンチ外の部分のエピタキシャル膜をエッチバックして取り除くことで、ｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５を形成するのである。
　ところが、エピタキシャル膜を用いる場合、ｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型ガードリングＪ５のように幅が狭いものと比較してｐ型繋ぎ層Ｊ６の幅が大きいことから、ｐ型繋ぎ層Ｊ６の厚みが薄くなったり、ｐ型繋ぎ層Ｊ６が無くなる領域が発生するという問題が生じた。このため、パワーデバイスとして要求される耐圧を得ることができなかった。
　これを防ぐために、本発明者らは、ｐ型繋ぎ層Ｊ６を幅広とするのではなく、ｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型ガードリングＪ５と同等幅の幅狭のものによって構成することについて検討した。このように、ｐ型繋ぎ層Ｊ６を幅狭のものにすると、ｐ型繋ぎ層Ｊ６を構成するためのトレンチ内へのエピタキシャル膜の埋込みを良好に行うことが可能となる。ただし、ガードリング部においては、電界集中を緩和して等電位線がよりセル部の外周側に向かうように、ｐ型ガードリングＪ５の間隔を外周に向かうに連れて大きくすることが望ましい。また、ｐ型繋ぎ層Ｊ６については、電界緩和の役割をより確実に果たせるように、ｐ型繋ぎ層Ｊ６の間隔をｐ型ディープ層Ｊ４の間隔やｐ型ガードリングＪ５の間隔よりも狭くすることが望ましい。
　しかしながら、このような間隔設計を行った場合、ｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５を形成するためにエピタキシャル膜を成膜したときに、膜厚にバラツキが生じる事が確認された。
　具体的には、まず図５Ａに示すように、ｎ－型ドリフト層Ｊ２に対してトレンチＪ１０を形成する。この後、トレンチＪ１０内をエピタキシャル膜で埋め込んだのちエッチバックしてｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５を形成することになる。このとき、理想的には、図５Ｂに示すように、ｎ－型ドリフト層Ｊ２に加えてｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型繋ぎ層Ｊ６およびｐ型ガードリングＪ５の表面が同一平面になっているのが好ましい。
　ところが、ガードリング部において、ｐ型ガードリングＪ５の間隔を外周に向かうに連れて徐々に大きくする構造にすると、図５Ｃに示すように、ガードリング部ではトレンチＪ１０が疎となって、エピタキシャル膜Ｊ１１の膜厚が他の部分よりも大きくなる。このため、図５Ｄに示すように、エッチバックしたときに、ガードリング部ではエピタキシャル膜Ｊ１１が残渣として残ってしまうことがある。しかしながら、ガードリング部としての機能を果たせなくなり、電界緩和が行えなくなって素子耐圧を低下させることになる。エッチバック量を増加させれば残渣を取り除くこともできるが、その場合、セル部や繋ぎ部においてｎ－型ドリフト層Ｊ２やｐ型ディープ層Ｊ４およびｐ型繋ぎ層Ｊ６が薄くなってしまい、耐圧低下を招いてしまう。このため、パワーデバイスとして要求される耐圧を得ることができなくなる可能性がある。
　また、ｐ型繋ぎ層Ｊ６の間隔をｐ型ディープ層Ｊ４やｐ型ガードリングＪ５の間隔よりも狭くする場合には、繋ぎ部においてトレンチＪ１０が密となり、エピタキシャル膜Ｊ１１の膜厚が他の部分よりも小さくなる。このため、エッチバックしたときに、表面から同じエッチング量だけ除去されることから、繋ぎ部が凹んだ形状になる。この場合、ガードリング部における残渣を取り除こうとしてエッチバック量を増加させると、繋ぎ部においてｎ－型ドリフト層Ｊ２やｐ型繋ぎ層Ｊ６が尚更に薄くなり、さらに耐圧低下を招く可能性がある。
　そこで、本実施形態では、ｐ型ガードリング２１の幅を隣り合うｐ型ガードリング２１同士の間隔に合わせて設定し、ｐ型ガードリング２１同士の間隔が大きくなるほど幅が大きくなるようにし、外周に向かうほどこれらを共に大きくしている。また、枠状部３２の幅を基本的にはｐ型ディープ層５の幅と等しくして枠状部３２同士の間隔をｐ型ディープ層５同士の間隔と等しくしている。そして、枠状部３２のうちｐ型ディープ層５よりも幅を小さくする部分については、枠状部３２同士もしくは枠状部３２とｐ型ガードリング２１との間隔がｐ型ディープ層５同士の間隔よりも小さくなるようにしている。
　このため、各ｐ型ガードリング２１の幅とその隣のｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなる。また、各枠状部３２の幅とその隣の枠状部３２もしくはｐ型ガードリング２１までの間隔との比が、各ｐ型ディープ層５の幅とｐ型ディープ層５同士の間隔との比と等しくなる。
　したがって、セル部と繋ぎ部およびガードリング部において、単位面積当たりのトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａの形成面積の差を小さくできる。本実施形態の場合であれば、単位面積当たりのトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａの形成面積を等しくできる。したがって、ｐ型層５０を形成する際に、単位面積当たりのトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａ内に入り込むｐ型層５０の量の差も小さくなる。これにより、セル部や繋ぎ部およびガードリング部の上に形成されるｐ型層５０の厚みを均一化することが可能となる。よって、ｐ型層５０をエッチバックする際に、ガードリング部にｐ型層５０が残渣として残ってしまうことを抑制することが可能となる。
　よって、ｐ型ディープ層５やｐ型ガードリング２１およびｐ型繋ぎ層３０をエピタキシャル膜によって構成しても、耐圧を確保することができる半導体素子を備えたＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。
　参考として、エピタキシャル膜を用いる場合に、ｐ型ディープ層５やｐ型ガードリング２１よりもｐ型繋ぎ層３０の幅を大きくすると、ｐ型繋ぎ層３０の厚みが薄くなったり、ｐ型繋ぎ層３０が無くなる領域が発生することについて、図を用いて説明する。図６Ａ～図６Ｄは、ｐ型繋ぎ層３０の幅を狭くせずに、セル部からガードリング部に至るまで間の全域をｐ型繋ぎ層３０とする場合の製造工程を示したものである。図６Ａ、図６Ｂに示す工程として、図３Ｃ、図３Ｄと同様の工程を行うが、このときにトレンチ３０ａの幅をセル部からガードリング部に至るまでの間の全域に相当する幅とする。この後、図６Ｃの工程において、図３Ｃと同様にｐ型層５０を成膜すると、トレンチ３０ａの幅が大きいためにｐ型層５０のうちｐ型繋ぎ層３０を構成する部分の厚みが薄くなる。この後、ｐ型層５０をエッチバックすると、繋ぎ層３０の厚みが薄くなりトレンチ３０ａ内の底部のみにｐ型層５０が残った状態となる。さらに、この後に、メサ部を覆いつつガードリング部が開口する図示しないマスクを用いたエッチングを行うと、メサ部よりも外周側において繋ぎ層３０が完全に消失し、さらにｎ－型ドリフト層２までエッチングされた状態となる。したがって、図６Ｄに示すように、メサ部を構成しようとしている領域では繋ぎ層３０が薄くなり、メサ部よりも外側の領域では繋ぎ層３０が無い状態となってしまう。したがって、本実施形態のように、繋ぎ層３０の幅を狭く取ることで、繋ぎ層３０が薄くなる等の問題を解消できる。このため、パワーデバイスとして要求される耐圧を確保することが可能となる。
　（第２実施形態）
　第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してｐ型ディープ層５などの構造を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
　図６に示すように、本実施形態では、ｐ型ディープ層５やｐ型繋ぎ層３０およびｐ型ガードリング２１の幅や各部の間隔については第１実施形態と同様としているが、ｐ型ベース領域３の下方にのみｐ型ディープ層５やｐ型繋ぎ層３０を形成している。そして、ｐ型ベース領域３とソース電極９とを電気的に接続するために、ｎ＋型ソース領域４に対してイオン注入を行うことでｐ＋型コンタクト部３ａを形成している。これにより、ｐ＋型コンタクト部３ａがソース電極９と電気的に接続され、ｐ型ベース領域３を通じてｐ型ディープ層５やｐ型繋ぎ層３０もソース電位となる。このような構造としても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
　このような構造のＳｉＣ半導体装置の製造方法は、基本的には第１実施形態と同様であるが、ｎ－型ドリフト層２に対してトレンチ５ａ、２１ａ、３０ａを形成した後、ｐ型ベース領域３の形成前に、ｐ型層５０を形成してエッチバックを行うことになる。これにより、ｐ型ディープ層５やｐ型繋ぎ層３０およびｐ型ガードリング２１が形成される。このとき、第１実施形態と同様に、ｐ型層５０がセル部や繋ぎ部およびガードリング部において厚みがほぼ等しくできるため、ｐ型層５０をエッチバックしたときに、ガードリング部においてｐ型層５０が残渣として残ってしまうことを抑制することが可能となる。
　また、ｎ＋型ソース領域４を形成した後で、図示しないマスクを用いてｎ＋型ソース領域４のうちｐ型ディープ層５と対応する位置にｐ型不純物のイオン注入を行うことで、ｐ＋型コンタクト部３ａを形成する工程を行うことになる。その他の工程については、第１実施形態と同様である。
　（第３実施形態）
　第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してパワー素子として縦型ＭＯＳＦＥＴに代えてジャンクションバリアショットキーダイオード（以下、ＪＢＳという）を備えるようにしたものである。その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
　図７および図８に示すように、ｎ＋型基板１０１の上にｎ－型ドリフト層１０２が形成されている。そして、セル部には、ｎ－型ドリフト層１０２に対してストライプ状とされたｐ型ディープ層１０３が形成され、その周囲を囲むガードリング部にはｐ型ガードリング１０４が形成されている。また、セル部とガードリング部との間における繋ぎ部においても、ｐ型繋ぎ層１０５が形成されている。
　ｐ型ディープ層１０３は、ｎ－型ドリフト層１０２に複数本が等間隔に配置されたストライプ状のトレンチ１０３ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ１０３ａがディープトレンチに相当するものであり、例えば幅が１μｍ以下、アスペクト比が２以上の深さとされている。また、ｐ型ディープ層１０３の先端は上面形状が半円形とされている。
　ｐ型ガードリング１０４は、ｎ－型ドリフト層１０２に形成されたトレンチ１０４ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ１０４ａがガードリングトレンチに相当するものであり、例えば幅が１μｍ以下、アスペクト比が２以上の深さとされている。本実施形態の場合、ｐ型ガードリング１０４を四隅が丸められた四角形状としているが、円形状など他の枠形状で構成されていても良い。
　ｐ型繋ぎ層１０５は、ｎ－型ドリフト層１０２に形成されたトレンチ１０５ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。なお、このトレンチ１０５ａが繋ぎトレンチに相当するものであり、例えば幅が１μｍ以下、アスペクト比が２以上の深さとされている。本実施形態の場合、ｐ型繋ぎ層１０５は、セル部に形成されるｐ型ディープ層１０３の周囲を囲む枠形状のものが複数本並べられた構成とされている。
　セル部および繋ぎ部において、ｎ－型ドリフト層１０２やｐ型ディープ層１０３およびｐ型繋ぎ層１０５の表面に接触させた第１電極に相当するショットキー電極１０６が形成されている。すなわち、本実施形態の場合、セル部を囲むライン状の枠形状のトレンチ内にエピタキシャル膜を配置して構成したｐ型層からなるｐ型リングを複数本備え、そのうちの内周側の一部を覆うようにショットキー電極１０６を配置した構成としている。このような複数本のｐ型リングのうちショットキー電極１０６と接触したものをｐ型繋ぎ層１０５と呼んでいる。また、複数本のｐ型リングのうちショットキー電極１０６と接触しておらず、それよりも外側に位置していてｎ－型ドリフト層１０２が露出させられている位置に配置されているものをｐ型ガードリング１０４と呼んでいる。そして、ショットキー電極１０６が形成される部分は、ｎ＋型基板１０１の厚み方向において、ショットキー電極１０６が配置されたセル部および繋ぎ部の位置がガードリング部よりも島状に突き出したメサ部となる。
　さらに、ｎ＋型基板１０１の裏面側には、第２電極に相当するオーミック電極１０７が形成されている。
　このように、ＪＢＳをパワー素子として備えるＳｉＣ半導体装置においても、ｐ型繋ぎ層１０５やｐ型ガードリング１０４の幅や間隔を第１実施形態と同様としている。
　すなわち、ｐ型繋ぎ層１０５の幅を基本的にはｐ型ディープ層１０３の幅と等しくし、メサ部の外縁側ではｐ型ディープ層１０３よりも小さくしている。また、ｐ型繋ぎ層１０５のうち幅をｐ型ディープ層１０３と同じ幅としている部分については、ｐ型繋ぎ層１０５同士の間隔をｐ型ディープ層１０３同士の間隔と等しくしている。そして、ｐ型繋ぎ層１０５のうち幅をｐ型ディープ層１０３の幅よりも小さくしている部分については、ｐ型繋ぎ層１０５同士の間隔をｐ型ディープ層１０３同士の間隔よりも小さくしている。
　また、ｐ型ガードリング１０４の幅およびｐ型ガードリング１０４同士の間の間隔が外周側に向かうに連れて徐々に大きくされている。そして、最も外周側においてはｐ型ガードリング１０４の幅がｐ型ディープ層１０３の幅よりも大きくされ、ｐ型ガードリング１０４同士の間隔もｐ型ディープ層１０３同士の間隔よりも大きくされている。
　このような構造とすることによっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、このような構造のＳｉＣ半導体装置の製造方法では、ｎ－型ドリフト層２にトレンチ１０３ａ、１０４ａ、１０５ａを形成した後、ｐ型層を形成してエッチバックを行う。これによって、ｐ型ディープ層１０３やｐ型繋ぎ層１０５およびｐ型ガードリング１０４を形成する。このとき、ｐ型層がセル部や繋ぎ部およびガードリング部において厚みがほぼ等しくできるため、ｐ型層をエッチバックしたときに、ガードリング部においてｐ型層が残渣として残ってしまうことを抑制することが可能となる。
　そして、このような効果が得られることから、ＪＢＳを備えるＳｉＣ半導体装置においては、ショットキー電極１０６をバリアハイトの小さいものにすることができ、オン電圧を小さくできると共に、表面電界を小さくできる。また、ｐ型ディープ層１０３などのｐ型層をイオン注入によって形成する場合と比較して、欠陥の発生が少ないため、逆方向リークも低減することが可能となる。
　（他の実施形態）
　本開示は、上記した実施形態に準拠して記述されたが、当該実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
　（１）例えば、上記各実施形態では、ｐ型繋ぎ層３０の直線状部３１やｐ型ディープ層１０３のうちの長手方向の両端が半円形とされる場合について説明したが、先端が尖った三角形状、先端が平面とされた四角形状であっても良い。三角形状とする場合、直線状部３１やｐ型ディープ層１０３の延設方向が＜１１－２０＞方向であると、ＳｉＣのような六方晶においては、三角形状とされる先端の２辺を構成する壁面の面方位が共に等価な（１－１００）面となり易い。したがって、等価な面それぞれでの埋込エピ時の成長が等しくなり、均一な膜質にできると共に埋込不良の抑制効果も得られる。
　さらに、ｐ型ディープ層５もしくは直線状部３１の先端が枠状部３２に接する構造となっていても良い。ただし、その場合には、ｐ型ディープ層５もしくは直線状部３１の先端が枠状部３２に接する部分において、トレンチ幅が大きくなり、ｐ型層５０の表面が凹み得る。したがって、ｐ型ディープ層５もしくは直線状部３１の先端と枠状部３２とが接する部分において、ｐ型ディープ層５もしくは直線状部３１の先端の幅や枠状部３２の幅を他の部分よりも狭くすると好ましい。
　（２）上記第２実施形態では、ｐ型ベース領域３をソース電極９と接続するために、ｎ＋型ソース領域４を貫通してｐ型ベース領域３に達するようにｐ＋型コンタクト部３ａを形成した。これに対して、ｎ＋型ソース領域４を貫通するトレンチを形成してソース電極９が直接ｐ型ベース領域３と接するような構造としても良い。
　（３）上記各実施形態では、ｐ型ベース領域３の上にｎ＋型ソース領域４を連続してエピタキシャル成長させて形成したが、ｐ型ベース領域３の所望位置にｎ型不純物をイオン注入することでｎ＋型ソース領域４を形成しても良い。
　（４）上記各実施形態では、縦型のパワー素子としてｎチャネルタイプの反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードを例に挙げて説明した。しかしながら、上記各実施形態は縦型の半導体素子の一例を示したに過ぎず、半導体基板の表面側に設けられる第１電極と裏面側に設けられる第２電極との間に電流を流す縦型の半導体素子であれば、他の構造もしくは導電型のものであっても良い。
　例えば、上記第１実施形態等では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたｎチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたｐチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴとしても良い。また、上記説明では、半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、同様の構造のＩＧＢＴに対しても本開示を適用することができる。ＩＧＢＴは、上記各実施形態に対してｎ＋型基板１の導電型をｎ型からｐ型に変更するだけであり、その他の構造や製造方法に関しては上記各実施形態と同様である。さらに、縦型のＭＯＳＦＥＴとしてトレンチゲート構造のものを例に挙げて説明したが、トレンチゲート構造のものに限らず、プレーナ型のものであっても良い。
　（５）上記第１、第２実施形態では、繋ぎ部のうちの外周側およびガードリング部に枠形状で構成される枠状部３２やｐ型ガードリング２１を備え、セル部および繋ぎ部の一部にストライプ状とされたライン状のｐ型ディープ層５や直線状部３１を備えるようにした。しかしながら、これは一例を示したに過ぎず、例えば、第３実施形態と同様に、繋ぎ部を枠状部３２のみで構成し、その内側が全域セル部となるようにして、ストライプ状とされたライン状のｐ型ディープ層５が配置される構造としても良い。
　なお、上記各実施形態において、ストライプ状とされるライン状の第２導電型層を構成するトレンチが第１トレンチに相当し、枠形状の第２導電型リングを構成するトレンチが第２トレンチに相当する。すなわち、第１、第２実施形態においては、トレンチ５ａおよびトレンチ３０ａのうち直線状部３１が備えられる部分が第１トレンチに相当し、トレンチ３０ａのうち枠状部３２が備えられる部分およびトレンチ２１ａが第２トレンチに相当する。また、第３実施形態においては、トレンチ１０３ａが第１トレンチに相当し、トレンチ１０４ａ、１０５ａが第２トレンチに相当する。
　（６）上記第１～第３実施形態では、ストライプ状とされるライン状の第２導電型層の幅と第２導電型層同士の間隔との比である第１比と、枠形状とされる第２導電型リングの幅と第２導電型リング同士の間隔との比である第２比が等しくなるようにした。つまり、セル部、繋ぎ部およびガードリング部の全域において、単位面積当たりの第２導電型のエピタキシャル膜が形成される面積が一定となるようにした。
　しかしながら、これは最も好ましい例を示したに過ぎず、第１比と第２比が所定の範囲内に含まれるようにすることで、上記効果を得ることができる。具体的には、第１比に対して第２比が２／３倍～１．５倍の範囲に含まれていれば、上記効果を得ることができる。
　（７）上記第１実施形態では、凹部２０を形成することによってメサ部を設ける構造としたが、必ずしもメサ部を備えるようにする必要はない。例えば、第２実施形態のようにｎ－型ドリフト層２の表面からｐ型ディープ層５などを形成する。その後、ｐ型ベース領域３やｎ＋型ソース領域４を形成したい領域にトレンチを形成し、当該トレンチ内にｐ型層やｎ＋型層を選択的にエピタキシャル成長させることでｐ型ベース領域３やｎ＋型ソース領域４を形成する。または、ｐ型ベース領域３やｎ＋型ソース領域４を形成したい領域にｐ型不純物やｎ型不純物を選択的にイオン注入することで、ｐ型ベース領域３やｎ＋型ソース領域４を形成する。このようにすれば、メサ部を有さない構造のＳｉＣ半導体装置とすることもできる。この場合であっても、繋ぎ部やガードリング部の構造を第１実施形態と同様の構造にすれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
　（８）なお、結晶の方位を示す場合、本来ならば所望の数字の上にバー（－）を付すべきであるが、電子出願に基づく表現上の制限が存在するため、本明細書においては、所望の数字の前にバーを付すものとする。

Claims (10)

  1. 　セル部と、前記セル部の外周を囲むガードリング部および該ガードリング部と前記セル部との間に位置する繋ぎ部を含む外周部を有する半導体装置であって、
    　第１または第２導電型の基板（１、１０１）、および、前記基板の表面側に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型のドリフト層（２、１０２）を有し、
    　前記セル部もしくは前記セル部および前記繋ぎ部には、
    　前記ドリフト層にストライプ状に形成された複数のライン状の第１トレンチ（５ａ、３０ａ、１０３ａ）内に配置され、第２導電型のエピタキシャル膜によって構成された第２導電型層（５、３１、１０３）が備えられ、
    　前記セル部には、
    　前記第２導電型層に電気的に接続された第１電極（９、１０６）と、
    　前記基板の裏面側に形成された第２電極（１１、１０７）と、を有し、
    　前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す縦型の半導体素子が備えられ、
    　前記ガードリング部もしくは前記ガードリング部および前記繋ぎ部には、
    　前記ドリフト層の表面から形成されていると共に前記セル部を囲む複数の枠形状とされたライン状の第２トレンチ（２１ａ、３０ａ、１０４ａ、１０５ａ）内に配置され、第２導電型のエピタキシャル膜によって構成された第２導電型リング（２１、３２、１０４、１０５）が備えられ、
    　前記第２導電型リングのうち外周側に位置している少なくとも一部がガードリング（２１、１０４）とされ、
    　前記ガードリングは、内周側から外周側に向かうに連れて幅が大きくされているとともに、該ガードリング同士の間隔が前記幅に対応して大きくされている炭化珪素半導体装置。
  2. 　前記ガードリングのうち最も内周側に位置しているものの前記幅は前記第２導電型層の幅よりも小さくされ、該最も内周側に位置しているものとその１つ外側のものとの間隔は前記第２導電型層同士の間隔よりも小さくされている請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
  3. 　前記ガードリングのうち最も外周側に位置しているものの前記幅は前記第２導電型層の幅よりも大きくされ、該最も外周側に位置しているものとその１つ内側のものとの間隔は前記第２導電型層同士の間隔よりも大きくされている請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
  4. 　前記第２導電型層は等間隔に配置されており、
    　前記セル部において、前記第２導電型層の幅に対する該第２導電型層同士の間隔の比である第１比に対して、前記外周部において、前記第２導電型リングの幅に対する該第２導電型リングとその１つ外側の前記第２導電型リングとの間隔との比である第２比が２／３倍～１．５倍の範囲に含まれている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
  5. 　前記第２導電型層は等間隔に配置されており、
    　前記セル部において、前記第２導電型層の幅に対する該第２導電型層同士の間隔の比である第１比と、前記外周部において、前記第２導電型リングの幅に対する該第２導電型リングとその１つ外側の前記第２導電型リングとの間隔との比である第２比とが等しい請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
  6. 　前記セル部には、
    　前記ドリフト層（２）の上に形成された第２導電型のベース領域（３）と、
    　前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のソース領域（４）と、
    　前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深くまで形成されたゲートトレンチ（６）内に形成され、該ゲートトレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極（８）と、を有して構成されたトレンチゲート構造と、
    　前記ドリフト層のうち前記ゲートトレンチよりも深い位置まで形成され、前記第１トレンチの少なくとも一部として含まれるディープトレンチ（５ａ）内に配置された、前記第２導電型層の少なくとも一部を構成するディープ層（５）と、
    　前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続された前記第１電極を構成するソース電極（９）と、
    　前記基板の裏面側に形成された前記第２電極を構成するドレイン電極（１１）と、を備えた縦型の半導体素子が形成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
  7. 　前記基板（１０１）は第１導電型であり、
    　前記セル部には、
    　前記第１トレンチの少なくとも一部として含まれるディープトレンチ（１０３ａ）内に配置された、前記第２導電型層の少なくとも一部を構成するディープ層（１０３）と、
    　前記ドリフト層（１０２）および前記ディープ層（１０３）に対して接触させられた前記第１電極を構成するショットキー電極（１０６）と、
    　前記基板の裏面側に配置された前記第２電極を構成するオーミック電極（１０７）と、を備えた縦型のショットキーダイオードが形成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
  8. 　セル部と該セル部の外周を囲む外周部を有する半導体装置の製造方法であって、
    　第１または第２導電型の基板（１）を用意することと、
    　前記基板の表面側に、前記基板よりも低不純物濃度とされる第１導電型のドリフト層（２）を形成することと、
    　前記ドリフト層の上に、第２導電型のベース領域（３）を形成することと、
    　前記ベース領域の上に、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされる第１導電型のソース領域（４）を形成することと、
    　前記ソース領域の表面から異方性エッチングを行うことで、セル部のディープトレンチ（５ａ）と、前記セル部の外周を囲むガードリング部のガードリングトレンチ（２１ａ）と、前記セル部と前記ガードリング部との間に位置する繋ぎ部の繋ぎトレンチ（３０ａ）と、を含むトレンチを形成することと、
    　第２導電型層（５０）をエピタキシャル成長させることで、前記ディープトレンチ、前記ガードリングトレンチおよび前記繋ぎトレンチを埋め込むことと、
    　前記ディープトレンチ内のディープ層（５）、前記ガードリングトレンチ内のガードリング（２１）および前記繋ぎトレンチ内の繋ぎ層（３０）を、前記第２導電型層のうち前記ソース領域の上に形成された部分をエッチバックして取り除くことで形成することと、
    　前記セル部に、前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深いゲートトレンチ（６）と、該ゲートトレンチの内壁面に形成されるゲート絶縁膜（７）と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート電極（８）と、を有して構成されるトレンチゲート構造を形成することと、
    　前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されるソース電極（９）を形成することと、
    　前記基板の裏面側に、ドレイン電極（１１）を形成することと、を含み、
    　前記トレンチを形成することにおいては、
    　前記ディープトレンチを、ストライプ状の複数のライン状に形成し、前記ガードリングトレンチを、前記セル部を囲む複数の枠形状のライン状で形成し、前記繋ぎトレンチを、少なくとも前記セル部を囲む枠形状のライン状で形成し、複数の枠形状を構成する前記ガードリングトレンチそれぞれの幅を前記セル部の外周側に向かうほど大きくするとともに、隣り合う前記ガードリングトレンチの間隔を前記セル部の外周側に向かうほど大きくする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  9. 　セル部と該セル部の外周を囲む外周部を有する半導体装置の製造方法であって、
    　第１または第２導電型の基板（１）を用意することと、
    　前記基板の表面側に、前記基板よりも低不純物濃度とされる第１導電型のドリフト層（２）を形成することと、
    　前記ドリフト層の表面から異方性エッチングを行うことで、セル部のディープトレンチ（５ａ）と、前記セル部の外周を囲むガードリング部のガードリングトレンチ（２１ａ）と、前記セル部と前記ガードリング部との間に位置する繋ぎ部の繋ぎトレンチ（３０ａ）と、を含むトレンチを形成することと、
    　第２導電型層（５０）をエピタキシャル成長させることで、前記ディープトレンチ、前記ガードリングトレンチおよび前記繋ぎトレンチを埋め込むことと、
    　前記ディープトレンチ内のディープ層（５）、前記ガードリングトレンチ内のガードリング（２１）および前記繋ぎトレンチ内の繋ぎ層（３０）を、前記第２導電型層のうち前記ドリフト層の上に形成された部分をエッチバックして取り除くことで形成することと、
    　前記ディープ層、前記ガードリングおよび前記繋ぎ層の上と前記ドリフト層の上に、第２導電型のベース領域（３）を形成することと、
    　前記ベース領域の上に、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされる第１導電型のソース領域（４）を形成することと、
    　前記セル部に、前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深いゲートトレンチ（６）と、該ゲートトレンチの内壁面に形成されるゲート絶縁膜（７）と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート電極（８）と、を有して構成されるトレンチゲート構造を形成することと、
    　前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されるソース電極（９）を形成することと、
    　前記基板の裏面側に、ドレイン電極（１１）を形成することと、を含み、
    　前記トレンチを形成することにおいては、
    　前記ディープトレンチを、ストライプ状の複数のライン状に形成し、前記ガードリングトレンチを、前記セル部を囲む複数の枠形状のライン状で形成し、前記繋ぎトレンチを、少なくとも前記セル部を囲む枠形状のライン状で形成し、複数の枠形状を構成する前記ガードリングトレンチそれぞれの幅を前記セル部の外周側に向かうほど大きくするとともに、隣り合う前記ガードリングトレンチの間隔を前記セル部の外周側に向かうほど大きくする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  10. 　セル部と該セル部の外周を囲む外周部を有する半導体装置の製造方法であって、
    　第１導電型の基板（１０１）を用意することと、
    　前記基板の表面側に、前記基板よりも低不純物濃度とされる第１導電型のドリフト層（１０２）を形成することと、
    　前記ドリフト層の表面から異方性エッチングを行うことで、セル部のディープトレンチ（１０３ａ）と、前記セル部の外周を囲むガードリング部のガードリングトレンチ（１０４ａ）と、前記セル部と前記ガードリング部との間に位置する繋ぎ部の繋ぎトレンチ（１０５ａ）と、を含むトレンチを形成することと、
    　第２導電型層をエピタキシャル成長させることで、前記ディープトレンチ、前記ガードリングトレンチおよび前記繋ぎトレンチを埋め込むことと、
    　エッチバックにより前記第２導電型層のうち前記ドリフト層の上に形成された部分を取り除くことで、前記ディープトレンチ内のディープ層（１０３）、前記ガードリングトレンチ内のガードリング（１０４）および前記繋ぎトレンチ内の繋ぎ層（１０５）を形成することと、
    　前記セル部および前記繋ぎ部に、前記ドリフト層と前記ディープ層および前記繋ぎ層に接触させられるショットキー電極（１０６）を形成することと、
    　前記基板の裏面側に、オーミック電極（１０７）を形成することと、を含み、
    　前記トレンチを形成することにおいては、
    　前記ディープトレンチを、ストライプ状の複数のライン状に形成し、前記繋ぎトレンチおよび前記ガードリングトレンチを、前記セル部を囲む複数の枠形状のライン状で形成し、複数の枠形状を構成する前記ガードリングトレンチそれぞれの幅を前記セル部の外周側に向かうほど大きくするとともに、隣り合う前記ガードリングトレンチの間隔を前記セル部の外周側に向かうほど大きくする炭化珪素半導体装置の製造方法。
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