WO2017213387A1 - 러버소켓 및 그 제조방법 - Google Patents

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WO2017213387A1
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김형익
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김형익
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Definitions

  • the present invention relates to a rubber socket and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a rubber socket and a method for manufacturing the same, which has increased lifespan and improved reliability.
  • the inspection process is very important as it is directly related to the reliability of the product on the market.
  • Semiconductors require intermediate inspections not only after the packaging phase but also before it.
  • Conventional anisotropic pads have a structure in which insulating silicone rubber is disposed between electrodes and upper and lower electrodes are cured of a silicone resin in which conductive particles are dispersed well, so that the electrodes are electrically energized above and below the electrodes.
  • anisotropic pad technology using wire bonding has been developed as in Korean Patent Registration Nos. 10-1418590 and 10-1544844.
  • wire bonding a pad having a resolution of 0.1 mm or more is required to connect the wire and the pad.
  • the wire acts as a resistance or the signal is distorted by heat generation.
  • there is a problem that the wire is easily broken.
  • Patent documents include Korean Patent No. 10-1418590, “Wire Rubber Contact Rubber and Manufacturing Method thereof", and Korean Patent No. 10-1544844, “Wire Rubber Contact and Manufacturing Method thereof".
  • An object of the present invention for solving the above problems is proposed a rubber socket with increased lifespan and improved reliability.
  • Another object of the present invention is proposed a method of manufacturing a rubber socket as described above.
  • the rubber socket includes a lower film, an upper film, an energizing member, and a rubber layer.
  • the lower film includes a plurality of lower electrode portions combined with a synthetic resin film.
  • the upper film is spaced apart from the lower film and arranged in parallel and includes a plurality of upper electrode parts.
  • the conductive member physically connects the lower electrode portions and the upper electrode portions, and is formed on a flexible substrate that is easily bent by an external force in a flat plate shape, and is formed in a vertical direction on one side of the flexible substrate so as to form the lower electrode portions and the lower electrode portions. It includes a plurality of conductive patterns for electrically connecting between the upper electrode portions.
  • the rubber layer includes an elastic material and is disposed between the lower film and the upper film, and fills the entire conductive member and maintains a constant distance between the lower film and the upper film.
  • the separation distance between the upper electrode portions may be smaller than the separation distance between the lower electrode portions, and the adjacent distance between the upper portions of the conductive patterns adjacent to each conductive member may be smaller than the adjacent distance between the lower portions of the conductive patterns.
  • the conductive member may further include a central opening formed between the conductive patterns open.
  • the conductive member may further include an upper coating covering the conductive patterns and having an upper opening formed at one side thereof extending in a direction perpendicular to a direction in which the conductive patterns extend.
  • the flexible substrate may include the lower opening.
  • the lower opening may be formed to be disposed opposite to the disposed position and extend in a direction perpendicular to the extending direction of the conduction patterns.
  • the rubber socket includes a lower film including a plurality of lower electrode portions combined with a synthetic resin film, and spaced apart from and parallel to the lower film and including a plurality of upper electrode portions.
  • An upper film a flexible substrate that is easily bent by an external force in a flat plate shape, and a plurality of conductive patterns formed on one side of the flexible substrate in a vertical direction to electrically connect the lower electrode portions and the upper electrode portions.
  • a rubber layer disposed between the lower film and the upper film and filling the entire of the conductive members.
  • the step of coupling the lower portion and the lower junction of the conductive pattern may be formed by fusion or soldering by applying ultrasonic waves and heat in the state of pressing the lower portion and the lower junction of the conductive pattern.
  • the step of coupling the lower portion and the lower junction of the conduction pattern and the combination of the upper portion and the upper junction of the conduction pattern may be performed at the same time.
  • combining the lower portion of the conductive pattern with the lower junction part and combining the upper portion of the conductive pattern with the upper junction part may be performed one by one.
  • the rubber socket includes a plurality of vertical circuit boards and a plurality of adhesive layers.
  • the vertical circuit boards are stacked in the vertical direction.
  • Each vertical circuit board includes a rubber substrate and a plurality of energization patterns.
  • the rubber substrate has a flat plate shape extending in the longitudinal direction and is temporarily deformed by an external force and then restored to its original shape when the external force is removed.
  • Each energization pattern may be disposed on only a lower portion of the rubber substrate and exposed to a lower portion of the rubber substrate, an upper connection portion disposed only on a portion of the upper surface of the rubber substrate and exposed to an upper portion of the rubber substrate, and the rubber substrate. It extends in the longitudinal direction on one side and includes a connecting portion for connecting the lower connecting portion and the upper connecting portion.
  • the adhesive layers are disposed between adjacent vertical circuit boards to bond the adjacent vertical circuit boards together and integrally stack them.
  • the rubber substrate may have a flat plate shape on one side of the connecting portion, and the other side opposite to the connecting portion may have a concave shape to form a buffer space.
  • the rubber socket may further include a buffer thin film disposed between the rubber substrate and the energization patterns to have a thickness thinner than that of the rubber substrate, and the degree of being deformed by the external force to be smaller than that of the rubber substrate. Can be.
  • the manufacturing method of the rubber socket for achieving the above object of the present invention first, by forming a silicone rubber or synthetic rubber and having a flat plate shape extending in the longitudinal direction and temporarily deformed by external force, the external force is removed. A rubber substrate is restored to its original shape. Subsequently, a plurality of conductive members including conductive materials on a part of a lower surface, a part of an upper surface, and one side of the rubber substrate and including a lower connection part, an upper connection part, and a connection part connecting the lower connection part and the upper connection part are formed, respectively. Form a vertical circuit board. Thereafter, the plurality of vertical circuit boards are stacked in the vertical direction such that the lower connection parts and the upper connection parts are respectively exposed to the lower side and the upper side of the rubber substrate. Finally, the vertically stacked vertical circuit boards are combined.
  • the method for manufacturing the rubber socket has a thickness thinner than the thickness of the rubber substrate on the lower surface, the upper surface, and the one side of the rubber substrate, and the degree of deformation by the external force is greater than that of the rubber substrate.
  • the method may further include forming a small buffer thin film, and the forming of the conductive members may include forming the lower connection part, the upper connection part, and the connection part on the buffer thin film.
  • a conductive member is used instead of the wire to connect the lower electrode portions of the lower film and the upper electrode portions of the upper film.
  • the upper portion of the conducting member is connected in a direction parallel to the lower surface of the upper electrode portion
  • the lower portion of the conducting member is connected in a direction parallel to the upper surface of the lower electrode portion, the middle portion of the conducting member between the upper electrode portion and the lower electrode portion It is connected in a bent state in the vertical direction.
  • the conductive member includes the flexible substrate and the conductive pattern, it is possible to effectively distribute the external pressure in an external impact or repeated semiconductor chip test.
  • the conduction pattern is integrally formed with the flexible substrate, the breakage of the conduction pattern is prevented, thereby increasing the life of the rubber socket and improving reliability.
  • the shape of the conduction pattern and the adhesion interval of the upper electrode parts may be easily adjusted without reducing the distance between the stage electrode pads of the stage. Test can be performed.
  • the shape of the conduction pattern can be arbitrarily designed, it is possible to configure the inspection equipment optimized according to the type of inspection.
  • an electrical signal transmission path can be made to accurately transmit a signal by contacting an energizing member between the upper and lower films without performing separate alignment. do.
  • the thermal bonding member by ultrasonic bonding includes an inclined crimping portion, and the conduction pattern is heated and compressed to the electrode pads, so that the conduction pattern is firmly coupled to the electrode pads, thereby increasing the life of the rubber socket and improving reliability. do.
  • the conduction pattern is completely embedded in the rubber layer instead of sticking out of the rubber socket, preventing the rubber socket from being pushed into the end of the rubber socket to extend the life, and the design is excellent and damage to the test semiconductor chip is prevented. .
  • the rubber socket effectively disperses the external pressure in an external impact or repeated semiconductor chip test by using a plurality of vertical circuit boards stacked vertically instead of wires or pads. Can be.
  • the resistance can be reduced by increasing the surface area of the energization pattern by adjusting the width of the energization pattern of the vertical circuit board.
  • the conduction pattern is integrally formed with the vertical circuit board, the breakage of the conduction pattern is prevented, thereby increasing the life of the rubber socket and improving the reliability.
  • the test may be easily performed on the highly integrated semiconductor chip only by adjusting the thickness of the vertical circuit board.
  • the shape of the conduction pattern can be arbitrarily designed, it is possible to configure the inspection equipment optimized according to the type of inspection.
  • the vertical circuit board includes a buffer thin film to mitigate excessive elasticity or deformation of the rubber substrate to protect the energization pattern.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the rubber socket illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view showing the rubber socket shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a portion A of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • Figure 7 is an exploded perspective view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 8.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view showing the rubber socket shown in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the energizing member illustrated in FIG. 11.
  • 13 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 10.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing the rubber socket shown in FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating the vertical circuit board illustrated in FIG. 19.
  • FIG. 21 is a side view illustrating the vertical circuit board illustrated in FIG. 20.
  • FIG. 22 is a perspective view illustrating the vertical circuit board illustrated in FIG. 20.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a vertical circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a perspective view illustrating the vertical circuit board illustrated in FIG. 23.
  • 25 to 28 are perspective views illustrating a method of manufacturing the vertical circuit board illustrated in FIG. 23.
  • 29 is a cross-sectional view illustrating a vertical circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the rubber socket shown in FIG. 1
  • FIG. 3 is FIG. 2.
  • the semiconductor chip 20 is disposed on the rubber socket 10.
  • the electrode pads 21 of the semiconductor chip 20 are in contact with the exposed upper electrode 220 disposed on the upper surface of the rubber socket 10.
  • the stage 30 is disposed below the lower film assembly 100.
  • the stage 30 may be a stage for inspecting the semiconductor chip 20.
  • the lower electrode part 115 exposed to the lower portion of the lower film 110 contacts the electrode pads 31 of the stage 30.
  • the electrode pads 21 of the semiconductor chip 20 are electrically connected to the stage electrode pads 31 of the stage 30 through the rubber socket 10. .
  • the semiconductor chip 20 is inspected by an inspection signal applied through the stage electrode pad 31.
  • the rubber socket 10 includes a lower film assembly 100, a rubber layer 150, an upper film 200, and a conductive member 330.
  • the lower film assembly 100 includes a lower film 110 and a film guide 120.
  • the lower film 110 includes a plurality of lower electrode portions 115 combined with a thin synthetic resin film.
  • the lower film 110 may have a thickness of 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the lower film 110 may include a synthetic resin such as polyimide, polyvinyl, polypropylene, polycarbonate, FR4, PVC, and the like.
  • Upper surfaces of the lower electrode portions 115 are coupled to a conductive pattern 335 of the conductive member 330.
  • the lower electrode parts 115 may be formed to penetrate the lower film 110 so that the lower surface of the lower electrode parts 115 contacts the electrode pads 31 of the stage 30.
  • the upper surfaces of the lower electrode portions 115 are integrally formed with the conduction pattern 335 by thermal ultrasonic coupling, soldering, and the like, and the lower surfaces of the lower electrode portions 115 are disposed on the electrode pads 31. Can be.
  • the film guide 120 has a flat shape and is integrally formed on the lower film 110 to guide the lower film 110 to have a flat shape.
  • the film guide 120 is disposed in the peripheral area of the lower film 110.
  • the film guide 120 may include a metal plate or a synthetic resin such as polyimide, polyvinyl, polypropylene, polycarbonate, FR4, PVC, or the like.
  • the film guide 120 may have a thickness of 0.1t to 0.5t.
  • the upper film 200 includes a plurality of upper electrode parts 220 combined with a thin synthetic resin film.
  • the upper film 200 may have a thickness of 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the upper film 200 may include a synthetic resin, such as polyimide, polyvinyl, polypropylene, polycarbonate, FR4, PVC.
  • the upper film 200 may include the same material as the lower film 110.
  • the upper film 200 is disposed on the lower film 110 so as to face each other, and corresponds to the central area CA of the lower film 110.
  • Lower surfaces of the upper electrode portions 220 are coupled to the conduction pattern 335 of the conduction member 330.
  • each of the upper electrode parts 220 may pass through the upper film 200 so that the upper surface thereof contacts the electrode pads 21 of the semiconductor chip 20.
  • the lower surfaces of the upper electrode parts 220 are integrally formed with the conduction pattern 335 by thermal ultrasonic coupling, soldering, and the like, and the electrode pads 21 of the semiconductor chip 20 are upper surfaces of the upper electrode parts 220. It may be placed on the state.
  • the rubber layer 150 is disposed between the central area CA of the lower film 110 and the upper film 200 to maintain a constant distance between the lower film 110 and the upper film 200.
  • the rubber layer 150 may include an elastic material, for example, silicone resin, synthetic rubber, or the like. When an external force is applied on the upper film 200, the rubber layer 150 contracts to resist the external force. In addition, even when the semiconductor chip 20 having an irregular shape is disposed on the upper film 200, stable electrical coupling is possible by contraction of the rubber layer 150. In another embodiment, the energizing member 330 itself has sufficient rigidity and elasticity so that the rubber layer 150 may be omitted.
  • connection structure between the energizing member and the upper electrode portion is the same as the connection structure between the energizing member and the lower national portion.
  • connection structure between the energizing member and the lower electrode portion will be exemplarily described.
  • the energizing member 330 is physically connected to the lower electrode 115 and the upper electrode 220.
  • the lower electrode unit 115 includes a conductive pattern exposed to the upper and lower surfaces of the lower film 110.
  • the conductive pattern exposed to the upper surface of the lower electrode unit 115 is physically coupled to the conductive pattern 335 of the conductive member 330.
  • the upper surface of the lower electrode unit 115 and the conduction pattern 335 may be combined by thermocompression bonding using ultrasonic bonding, or may be combined by soldering.
  • the lower electrode unit 115 and the conduction pattern 335 may be fused by thermocompression bonding using ultrasonic bonding.
  • the lower electrode unit 115 and the conduction pattern 335 may include gold, copper, or the like.
  • the liquid solder paste is soldered by heat or laser to a screen-printed film (for example, a blind via type film).
  • the lower electrode 115 may be coupled to the conductive pattern 335.
  • Soldering may include tin, lead, gold, silver alloys, copper, aluminum, nickel, rhodium, alloys thereof, and the like.
  • the upper electrode part 220 includes a conductive pattern exposed to the upper and lower surfaces of the upper film 200.
  • the conductive pattern protruding to the lower surface of the upper electrode portion 220 is physically coupled to the conductive pattern 335 of the conductive member 330.
  • the lower surface of the upper electrode portion 220 and the conduction pattern 335 may be combined by thermocompression bonding using ultrasonic bonding, or may be combined by soldering.
  • the conduction pattern 335 may be coupled by thermocompression bonding in the same manner as the lower electrode 115 and the upper electrode 220.
  • the conduction pattern 335 may be combined with any one of the lower electrode 115 and the upper electrode 220 by thermocompression bonding using ultrasonic bonding, and the other may be coupled by soldering.
  • the conductive member 330 penetrates the rubber layer 150 to electrically connect the lower electrode 115 and the upper electrode 220.
  • the conductive member 330 includes a flexible substrate 334 and a conductive pattern 335.
  • the flexible substrate 334 is flat and easily bent by external force.
  • the flexible substrate 334 may include synthetic resin such as polyimide, polyvinyl, polypropylene, polycarbonate, FR4, PVC, and the like.
  • the conductive pattern 335 is formed in a plurality in the longitudinal direction on one side of the flexible substrate 334.
  • the plurality of conductive patterns 335 may be arranged in parallel on the flexible substrate 334 at equal intervals.
  • the plurality of conduction patterns 335 may have different intervals between the lower electrode unit 115 and the upper electrode unit 220.
  • a portion of the plurality of conductive patterns 335 are electrically connected, and the number of lower electrode portions 115 connected to the lower portion of the conductive member 330 is connected to the upper portion of the conductive member 330.
  • the number of upper electrode parts 220 to be different from each other.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 2.
  • first, raw bottom electrode portions 115 ′ and raw top electrode portions 220 ′ are formed in a central area CA of the lower film 100 and the upper film 200.
  • Lower junctions 115a are formed on the primitive lower electrode portions 115 ′.
  • the lower junction portions 115a are formed to protrude on the upper surfaces of the primitive lower electrode portions 115 '.
  • the lower junction portions 115a include the same material as the source lower electrode portions 115 '.
  • thermocompression bonding using the subsequent ultrasonic bonding may be easily performed in which the lower junction portions 115a include a metal having a lower melting point than the primitive lower electrode portions 115 '.
  • Upper junctions 220a are formed on the upper primitive upper electrode portions 220 ′.
  • the upper junction parts 220a are formed to protrude on the upper surfaces of the primitive upper electrode parts 220 ′.
  • the upper junction parts 220a include the same material as the primitive upper electrode parts 220 ′.
  • the thermocompression bonding using the subsequent ultrasonic bonding may be easily performed in which the upper junction parts 220a include a metal having a lower melting point than the primitive upper electrode parts 220 ′.
  • the lower junctions 115a and the upper junctions 220a may include gold bumps.
  • a thermal bonding method using ultrasonic bonding is used because bonding is difficult by conventional soldering.
  • the conduction member 330 ' is disposed on the bottom surface of the thermocompression bonding member 53 so that the conduction pattern 335 faces downward.
  • thermocompression member 53 is moved downward to press the lower surface of the energization pattern 335 toward the lower junction portion 115a and the upper junction portion 220a.
  • a rubber layer 150 is formed between the lower film 110 and the upper film 200 to thereby form a gap between the lower film assembly 100 and the upper film 200.
  • the film guide 120 is combined on the lower film 110 to form the lower film assembly 100.
  • the lower film assembly 100 may be formed first, followed by the rubber layer 150.
  • the conductive member 330 is used instead of the wire to connect between the lower electrode portions 115 of the lower film 110 and the upper electrode portions 220 of the upper film 200.
  • the upper portion of the conducting member 330 is connected in a direction parallel to the lower surface of the upper electrode portion 220 and the lower portion of the conducting member 330 is connected in a direction parallel to the upper surface of the lower electrode portion 115,
  • the middle portion of the member 330 is connected in a bent state in a vertical direction between the upper electrode portion 220 and the lower electrode portion 115.
  • the external pressure may be effectively dispersed in an external impact or repeated semiconductor chip test.
  • the resistance may be reduced by increasing the surface area of the conductive pattern 335 by adjusting the width of the conductive pattern 335 formed on the flexible substrate 334.
  • the conduction pattern 335 is integrally formed with the flexible substrate 334, the breakage of the conduction pattern 335 is prevented, thereby increasing the life of the rubber socket 10 and improving reliability.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • the remaining components except for the inclined crimping portion 57 is the same as the embodiment shown in Figure 5, so that duplicate description of the same components will be omitted.
  • raw bottom electrode portions 115 ′ and a raw top electrode are formed in a central area CA of the lower film 100 and the upper film 200. Form the parts 220 '.
  • the lower junction portions 115a are formed on the primitive lower electrode portions 115 ', and the upper junction portions 220a are formed on the primitive upper electrode portions 220'.
  • the conduction member 330 ' is disposed on the bottom surface of the thermocompression bonding member 53 so that the conduction pattern 335 faces downward.
  • thermocompression member 54 includes an inclined crimping portion 57, and the conduction member 331 'along the inclined direction at the lower end of the inclined crimping portion 57 and the thermocompression member 54. Is attached, and the thermal compression member 54 heats and compresses the energizing member 331 'to the lower junction portions 115a and the upper junction portions 220a arranged in an oblique direction.
  • a rubber layer 150 is formed between the lower film 110 and the upper film 200 to maintain a constant gap between the lower film assembly 100 and the upper film 200.
  • the film guide 120 is combined on the lower film 110 to form the lower film assembly 100.
  • the thermal compression member 54 includes the inclined crimping portion 57, and the lower joining portions 115a and the upper joining portions 220a in which the energizing member 331 'is arranged in the inclined direction.
  • the energization member 330 is firmly coupled to the lower electrode portions 115 and the upper electrode portions 220, thereby increasing the life of the rubber socket 10 and improve the reliability.
  • Figure 7 is an exploded perspective view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • the remaining components except for the upper electrode portion and the conduction pattern is the same as the embodiment shown in Figs. 1 to 4, so that duplicate description of the same components will be omitted.
  • the separation distance W2 between the upper electrode portions 226 of the upper film 200 is smaller than the separation distance W1 between the lower electrode portions 115 of the lower film 110.
  • the conducting member 630 includes a flexible substrate 634 and an conducting pattern 635.
  • the conduction patterns 635 adjacent to each conducting member 630 have different adjacency distances between the top and the bottom.
  • the adjacent distance W1 at the lower portion of the conductive patterns 635 adjacent to each conductive member 630 is equal to the separation distance W1 between the lower electrode portions 115, and the adjacent distance W2 at the upper portion is the upper portion. It is equal to the separation distance W2 between the electrodes 220.
  • the energization member 630 may further include central openings 638 formed by opening between the energization patterns 635.
  • the central openings 638 may be used as a passage for injecting silicon, etc. to form the rubber layer 150, and even when the rubber layer 150 is cured to have elastic properties, the energizing member 630 may be exposed to external pressure. It can be easily deformed by
  • the shape of the conduction pattern 635 may be easily performed without adjusting the distance between the upper electrode parts 220 and the distance between the stage electrode pads 31 of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • the remaining components except for the upper electrode portion are the same as the embodiment shown in Figs. 1 to 4, so that duplicate description of the same components will be omitted.
  • the rubber socket 10 includes a lower film assembly 100, a rubber layer 150, an upper film 207, and an energizing member 330.
  • the upper film 207 includes a plurality of upper electrode portions 227 combined with a thin synthetic resin film.
  • the separation distance D2 between the upper electrode portions 227 of the upper film 207 is smaller than the separation distance D1 between the lower electrode portions 115 of the lower film 110.
  • the adjacent conducting members 330 are different from the adjacent distance at the top and the adjacent distance D1 at the bottom.
  • the adjacent distance D1 at the bottom of the adjacent conducting members 330 is the same as the separation distance D1 between the lower electrode parts 115.
  • the adjoining distance at the top of the adjacent conduction patterns 330 is equal to the separation distance D2 between the upper electrodes 220.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 8.
  • the bottom lower electrode parts 115 ′ and the bottom upper electrode parts 227 are disposed in the central area CA of the lower film 100 and the upper film 200. Form ').
  • lower junction portions 115a are formed on the upper electrode portions 115 ', and upper junction portions 227a are formed on the upper electrode portions 227'.
  • the conduction member 330 ' is disposed on the bottom surface of the thermocompression bonding member 53 so that the conduction pattern is directed downward.
  • thermocompression member 53 heats and compresses the energization member 330 'to the lower junction portions 115a and the upper junction portions 227a arranged in an oblique direction.
  • the rubber layer 150 is formed between the lower film 110 and the upper film 207 to maintain a constant gap between the lower film assembly 100 and the upper film 207.
  • the film guide 120 is combined on the lower film 110 to form the lower film assembly 100.
  • Fig. 7 and Figs. 8 and 9 are separately shown, the two embodiments are combined to provide a distance between adjacent conducting patterns and adjacent conducting members in each conducting member. You can also change the distance between them at the same time.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a rubber socket according to another embodiment of the present invention
  • Figure 11 is an exploded perspective view showing a rubber socket shown in FIG.
  • the rest of the components except for the conducting member is the same as the embodiment shown in Figures 1 to 4, duplicate description of the same components will be omitted.
  • the rubber socket includes a lower film assembly 100, a rubber layer 150, an upper film 200, and an energizing member 530.
  • the lower film assembly 100 includes a lower film 110 and a film guide 120.
  • the lower film 110 includes a plurality of lower electrode portions 115 combined with a thin synthetic resin film.
  • Upper surfaces of the lower electrode portions 115 are coupled to lower surfaces of the conductive pattern 535 of the conductive member 530. Upper surfaces of the lower electrode portions 115 are integrally formed with the lower surface of the conduction pattern 535 by thermal ultrasonic coupling, soldering, or the like.
  • the film guide 120 has a flat shape and is integrally formed on the lower film 110 to guide the lower film 110 to have a flat shape.
  • the upper film 200 includes a plurality of upper electrode parts 220 combined with a thin synthetic resin film.
  • Lower surfaces of the upper electrode parts 220 are coupled to upper surfaces of the conductive pattern 535 of the conductive member 530.
  • the upper surface of the upper electrode portions 220 is integrally formed with the upper surface of the conduction pattern 535 by thermal ultrasonic coupling, soldering, or the like.
  • the upper film 200 is disposed on the lower film 110 so as to face each other, and corresponds to the central area CA of the lower film 110.
  • the rubber layer 150 is disposed between the central area CA of the lower film 110 and the upper film 200 to maintain a constant distance between the lower film 110 and the upper film 200.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the energizing member illustrated in FIG. 11.
  • the energization member 530 includes a plurality of energization patterns 535, a lower coating 531, and an upper coating 532.
  • the conduction member 530 has a 'Z' shape and the conduction patterns 535 are exposed to the outside through the upper opening 532a and the lower opening 531a respectively disposed on the upper and lower portions.
  • the conduction patterns 535 are arranged in parallel in the longitudinal direction.
  • the lower coating 531 supports lower surfaces of the conduction patterns 535 and includes a lower opening portion 531a coupled to the lower electrode portions 115 on one side thereof.
  • the lower opening 531a exposes a portion of the lower surface of the conduction patterns 535.
  • the upper coating 532 supports the upper surfaces of the conduction patterns 535 and includes an upper opening portion 532a coupled to the upper electrode portions 220 on one side thereof.
  • the upper opening 532a exposes a portion of the upper surface of the conduction patterns 535.
  • the lower opening 531a and the upper opening 532a have a band shape extending in a direction perpendicular to the extending direction of the conduction patterns 535.
  • the position where the lower opening 531a is disposed based on the conduction patterns 535 is disposed opposite to the position where the upper opening 532a is disposed.
  • the lower coating 531 and the upper coating 532 respectively include a plurality of lower openings 531a and a plurality of upper openings 532a, and the lower openings 531a and the upper openings ( The 532a may be alternately arranged with respect to the conduction patterns 535.
  • 13 to 17 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the rubber socket shown in FIG. 10.
  • first, primitive lower electrode portions 115 ′ of FIG. 5 are formed in the central area CA of the lower film 100.
  • lower junction portions 115a of FIG. 5 are formed on the primitive lower electrode portions 115 ′ of FIG. 5.
  • a plurality of conductive patterns 535 are formed on the lower coating 531 to be parallel to each other.
  • the upper coating 532 is formed on the lower coating 531 on which the conduction patterns 535 are formed.
  • a portion of the lower coating 531 is removed in a direction perpendicular to the direction in which the conductive patterns 535 extend to form a lower opening 531a exposing a portion of the lower surface of the conductive patterns 535.
  • a portion of the upper coating 532 is removed in a direction perpendicular to the direction in which the conduction patterns 535 extend to form an upper opening 532a exposing a portion of the upper surface of the conduction patterns 535.
  • the bottom surfaces of the conduction patterns 535 are fused to the lower electrode portions 115 by thermocompression bonding using ultrasonic bonding.
  • upper junctions 220a of FIG. 5 are formed on top of the primitive upper electrode portions 220 ′ of FIG. 5.
  • the upper film 200 is disposed on the conducting members 530 so that the upper junctions 220a of FIG. 5 are arranged on the upper surfaces of the conducting patterns 535.
  • the upper film 200 is pushed up so that the upper film 200 is spaced apart from the lower film 110 and the conducting member 530 is formed with a 'Z' shape.
  • a rubber layer 150 is formed between the lower film 110 and the upper film 200.
  • the film guide 120 is combined on the lower film 110 to form the lower film assembly 100.
  • the lower film assembly 100 may be formed first, followed by the rubber layer 150.
  • the conducting member 530 includes a plurality of conducting patterns 535 disposed between the upper coating 532 and the lower coating 531 facing each other, the conducting member 530 Is combined with the lower electrode 115 and the upper electrode 220 one by one.
  • the conducting member 530 is combined with the lower electrode unit 115 and the upper electrode unit 220 one by one, and is firmly coupled with the two electrode units 115 and 220 at the same time.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating the rubber socket shown in FIG. 18,
  • FIG. 20 is FIG. 19.
  • the semiconductor chip 20 is disposed on the rubber socket 1010.
  • the chip electrode pads 21 of the semiconductor chip 20 are in contact with the exposed upper connection portion 1333 disposed on the upper surface of the rubber socket 1010.
  • the stage 30 is disposed under the rubber socket 1010.
  • the stage 30 may be a stage for inspecting the semiconductor chip 20.
  • the lower connection portion 1331 exposed to the bottom of the rubber socket 10 is in contact with the stage electrode pads 31 of the stage 30.
  • the chip electrode pads 21 of the semiconductor chip 20 are electrically connected to the stage electrode pad 31 of the stage 30 through the rubber socket 1010. do.
  • the semiconductor chip 20 is inspected by an inspection signal applied through the stage electrode pad 31.
  • the rubber socket 1010 includes a plurality of vertical circuit boards 1300 and a plurality of adhesive layers 1305.
  • the vertical circuit boards 1300 are stacked in a vertical direction with respect to the top surface of the stage 30 and are integrally formed by being connected to the adjacent vertical circuit boards 1300 by the adhesive layers 1305.
  • FIG. 21 is a side view illustrating the vertical circuit board of FIG. 20, and FIG. 22 is a perspective view illustrating the vertical circuit board of FIG. 20.
  • each vertical circuit board 1300 includes a rubber substrate 1310 and an energization pattern 1330.
  • the rubber substrate 1310 includes a material that is temporarily deformed by an external force such as silicon rubber, resin, synthetic rubber, etc., and then restored to its original shape when the external force is removed.
  • an external force such as silicon rubber, resin, synthetic rubber, etc.
  • the rubber substrate 1310 has a rectangular flat plate shape extending in the longitudinal direction. Although the rubber substrate 1310 is illustrated in FIG. 5 in the shape of a rectangular parallelepiped, it is exaggerated in the z-direction thickness for convenience of description and actually has a larger size than the z-direction in the x-axis and y-axis directions. Has The thickness of the rubber substrate 1310 is thinner than the distance between the adjacent chip electrode pads 21. If the thickness of the rubber substrate 1310 is thicker than the distance between the adjacent chip electrode pads 21, a short may occur between the adjacent chip electrode pads 21.
  • the energization pattern 1330 covers a portion of an upper surface, a side surface, and a lower surface of the rubber substrate 1310 and has a shape extending in the longitudinal direction.
  • connection portion 1335 of the energization pattern 1330 is disposed on one side of the rubber substrate 1310, and the buffer space 1315 is formed on the other side.
  • the buffer space 1315 increases the separation distance between the other side of the rubber substrate 1310 and one side of the adjacent rubber substrate 1310.
  • the rubber substrate 1310 may be bent.
  • the vertical circuit board is provided by providing a space where the rubber substrate 1310 can be bent by an external force in the vertical direction.
  • the field 1300 may gently cushion the external force.
  • the energization pattern 1330 includes a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335.
  • the lower connecting portion 1331 is disposed only on a portion of the lower surface of the rubber substrate 1310 and is in contact with the connecting portion 1335 and disposed on the opposite side of the buffer space 1315.
  • the lower connecting portion 1331 extends to a position adjacent to the buffer space, when the vertical circuit boards 1300 are deformed by an external force, the lower connecting portions 1331 of the adjacent vertical circuit boards 1300 may be shorted. Can be.
  • the lower connection part 1331 is disposed only on a part of the lower surface of the rubber substrate 1310, the lower connection part 1331 is shorted between adjacent lower connection parts 1331 even if the vertical circuit boards 1300 are deformed by an external force. The phenomenon is prevented.
  • the upper connection part 1333 is disposed only on a portion of the upper surface of the rubber substrate 1310 and is in contact with the connection part 1335 and disposed opposite the buffer space 1315.
  • the upper connecting portion 1333 extends to a position adjacent to the buffer space, when the vertical circuit boards 1300 are deformed by an external force, the upper connecting portions 1333 of the adjacent vertical circuit boards 1300 may be shorted. Can be.
  • the upper connection portion 1333 since the upper connection portion 1333 is disposed only on a part of the upper surface of the rubber substrate 1310, even if the vertical circuit boards 1300 are deformed by an external force, the upper connection portion 1333 is shorted between the adjacent upper connection portions 1333. The phenomenon is prevented.
  • connection part 1335 is disposed on one side of the rubber substrate 1310 and connects the lower connection part 1331 and the upper connection part 1333.
  • the connecting portion 1335 is disposed on the opposite side of the buffer space 1315.
  • Adjacent vertical circuit boards 1300 are physically connected by an adhesive layer 1305.
  • the rubber socket 1010 is disposed between the semiconductor chip 20 and the stage 30, and the vertical circuit boards 1300 are arranged in the vertical direction to form a semiconductor. It is disposed between the chip electrode pads 21 of the chip 20 and the stage electrode pads 31 of the stage 30.
  • the lower connectors 1331 of the conduction patterns 1330 are in contact with the chip electrode pads 21 and the upper connectors 1333 are in contact with the stage electrode pads 31.
  • the chip electrode pads 21 are electrically connected through the vertical circuit boards 1300.
  • a silicon rubber, synthetic rubber, or the like is formed to form a flat rubber substrate 1310.
  • a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335 are formed on a part of a lower surface, a part of an upper surface, and one side of the rubber substrate 1310, respectively, to form a rubber substrate 1310 and an energization pattern 1330.
  • the conduction pattern 1330 may be formed by forming a metal film on the surface of the rubber substrate 1310 using deposition, plating, or the like, and then patterning the metal film through an etching process, laser processing, or physical processing. .
  • the plurality of vertical circuit boards 1300 are stacked in the vertical direction so that the lower connection parts 1331 and the upper connection parts 1333 are exposed in the vertical direction.
  • the rubber substrate 1310 is completed by combining the vertical circuit boards 1300 stacked in the vertical direction using the adhesive layer 1305.
  • the rubber chip 1010 using a plurality of vertical circuit boards 1300 stacked in the vertical direction instead of wires or pads, the external impact or repeated semiconductor chip 20
  • the test can effectively distribute the external pressure.
  • the surface area of the conduction pattern 1330 may be increased to decrease the resistance.
  • the conduction pattern 1330 is integrally formed on the vertical circuit board 1300, thereby preventing the conduction pattern 1330 from being broken, thereby increasing the lifespan of the rubber socket 1010 and improving reliability.
  • the vertical circuit boards 1300 may be simply stacked without any alignment, the manufacturing process may be simplified and the manufacturing cost may be reduced, and an electrical signal transmission path may be accurately transmitted.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a vertical circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 24 is a perspective view illustrating the vertical circuit board illustrated in FIG. 23.
  • the rest of the components except for the buffer thin film is the same as the embodiment shown in Figures 18 to 22, and the duplicate description of the same components will be omitted.
  • the rubber socket is disposed between the semiconductor chip 20 and the stage 30, so that the chip electrode pads 21 and the stage 30 of the semiconductor chip 20 are disposed. Stage electrode pads 31 are electrically connected.
  • the rubber socket includes a plurality of vertical circuit boards 1301 and a plurality of adhesive layers 1305.
  • the vertical circuit boards 1301 are stacked in a vertical direction with respect to the top surface of the stage 30 and are integrally formed by being connected to adjacent vertical circuit boards 1301 by the adhesive layers 1305.
  • Each vertical circuit board 1301 includes a rubber substrate 1311, a buffer thin film 1313, and an energization pattern 1330.
  • the rubber substrate 1311 may include a material that is temporarily deformed by an external force such as silicon rubber, resin, synthetic rubber, etc., and then restored to its original shape when the external force is removed.
  • an external force such as silicon rubber, resin, synthetic rubber, etc.
  • the buffer thin film 1313 is disposed on one side, an upper surface, and a lower surface of the rubber substrate 1311.
  • the buffer thin film 1313 may be disposed between the rubber substrate 1311 and the energization patterns 1330.
  • the buffer thin film 1313 may include a synthetic resin such as polyimide, polyvinyl, polypropylene, polycarbonate, FR4, PVC, or the like.
  • the buffer thin film 1313 includes a material having excellent adhesion to the energization pattern 1330 and is less deformed by the same external force than the rubber substrate 1311.
  • the buffer thin film 1313 has a thickness thinner than that of the rubber substrate 1311.
  • the buffer thin film 1313 may have a thickness of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m. If the thickness of the buffer thin film 1313 is too thin, the rubber substrate 1313 may be torn in the process of being deformed by external force. On the other hand, if the thickness of the buffer thin film 1313 is too thick, the rubber substrate 1313 may prevent deformation of the rubber socket 1313 itself, which may interfere with the buffering operation of the rubber socket.
  • the buffer thin film 1313 may have a thickness of 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the buffer thin film 1313 protects the energization pattern 1330 by alleviating excessive elasticity or deformation of the rubber substrate 1311.
  • a buffer thin film 1313 is disposed on one side of the rubber substrate 1311, and a buffer space 1315 is formed on the other side.
  • the energization pattern 1330 is disposed on the buffer thin film 1313.
  • the plurality of conduction patterns 1330 are arranged parallel to each other in the longitudinal direction on the buffer thin film 1313.
  • the energization pattern 1330 includes a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335.
  • the lower connecting portion 1331 is disposed only on a portion of the lower surface of the buffer thin film 1313, and is in contact with the connecting portion 1335 and disposed opposite the buffer space 1315.
  • the upper connecting portion 1333 is disposed only on a portion of the upper surface of the buffer thin film 1313, and is in contact with the connecting portion 1335 and disposed opposite the buffer space 1315.
  • connection part 1335 is disposed on one side of the buffer thin film 1313 to connect the lower connection part 1331 and the upper connection part 1333.
  • Adjacent vertical circuit boards 1301 are physically connected by an adhesive layer 1305.
  • 25 to 28 are perspective views illustrating a method of manufacturing the vertical circuit board illustrated in FIG. 23.
  • a silicon rubber, synthetic rubber, or the like is formed to form a flat rubber substrate 1311.
  • silicon rubber, synthetic rubber, etc. are molded to a thickness and size designed at a desired pitch through molding, molding, cutting, and the like.
  • the liquid silicon or the solid silicon is injected into the mold to form the rubber substrate 1311 including the silicon rubber.
  • One side surface S1 of the rubber substrate 1311 has a flat plate shape
  • the other side surface S2 has a concave shape
  • the upper surface U and the lower surface L have a shape extending in a thin width.
  • a buffer thin film 1313 is formed on the lower surface, the upper surface, and one side surface of the rubber substrate 1311.
  • the buffer thin film 1313 uses spray coating, dipping, dry coating, or the like.
  • a conductive layer 1330 ′ is formed on the buffer thin film 1313.
  • the conductive layer 1330 ′ may be formed by depositing or plating gold, silver, copper, aluminum, nickel, rhodium, an alloy thereof, or the like on the buffer thin film 1313.
  • the conductive layer 1330 ′ may be formed by depositing a conductive metal oxide such as ITO, TO, ZO, or the like on the buffer thin film 1313.
  • the conductive layer 1330 ′ is patterned to form conductive patterns 1330 including a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335. do.
  • the surface of the conductive layer 1330 ' is masked to correspond to the shape of the conduction patterns 1330 and etched, or the conductive layer 1330' is patterned through a direct laser to form a stripe shape in the vertical direction.
  • the conductive patterns 1330 having the same shape are formed.
  • the vertical circuit board 1301 including the rubber substrate 1311, the buffer thin film 1313, and the energization pattern 1330 is formed.
  • the plurality of vertical circuit boards 1301 are stacked in the vertical direction so that the lower connection parts 1331 and the upper connection parts 1333 are exposed in the vertical direction.
  • the rubber substrates are completed by bonding the vertical circuit boards 1301 stacked in the vertical direction using the adhesive layer 1305.
  • the vertical circuit board 1301 includes the buffer thin film 1313 to mitigate excessive elasticity or deformation of the rubber substrate 1311 to protect the energization pattern 1330.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a vertical circuit board according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • the remaining components except for the buffer thin film is the same as the embodiment shown in Figures 23 to 28, and duplicate description of the same components will be omitted.
  • the rubber socket is disposed between the semiconductor chip 20 and the stage 30, and the chip electrode pads 21 and the stage electrode pad of the stage 30 of the semiconductor chip 20.
  • Field 31 is electrically connected.
  • the rubber socket includes a plurality of vertical circuit boards 1302 and a plurality of adhesive layers 1305.
  • Each vertical circuit board 1302 includes a rubber substrate 1312, a buffer thin film 1314, and an energization pattern 1330.
  • the rubber substrate 1312 includes one side surface having a flat plate shape and the other side surface bent inward to form a buffer space 1315, and has a plate shape extending in a longitudinal direction.
  • the buffer thin film 1314 is disposed on one side, the other side, the upper surface, and the lower surface of the rubber substrate 1312.
  • the buffer thin film 1314 has a thickness thinner than that of the rubber substrate 1312.
  • the conduction pattern 1330 is disposed on the buffer thin film 1314.
  • the plurality of conductive patterns 1330 are arranged parallel to each other in the longitudinal direction on the buffer thin film 1314.
  • the energization pattern 1330 includes a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335.
  • the lower connecting portion 1331 is disposed only on a portion of the lower surface of the buffer thin film 1314 and is in contact with the connecting portion 1335 and disposed on the opposite side of the buffer space 1315.
  • the upper connecting portion 1333 is disposed only on a portion of the upper surface of the buffer thin film 1314, and is in contact with the connecting portion 1335 and disposed opposite the buffer space 1315.
  • connection part 1335 is disposed on one side of the buffer thin film 1314 and connects the lower connection part 1331 and the upper connection part 1333.
  • Adjacent vertical circuit boards 1302 are physically connected by an adhesive layer 1305.
  • a silicon rubber, synthetic rubber, or the like is formed to form a flat rubber substrate 1312.
  • a buffer thin film 1314 is formed on one side, the other side, the lower surface, and the upper surface of the rubber substrate 1312.
  • a conductive layer is formed on one side, a lower surface, and an upper surface of the buffer thin film 1314.
  • a conductive layer may be formed on one side, the other side, the bottom surface, and the top surface of the buffer thin film 1314.
  • the conductive layer is patterned to form conductive patterns 1330 including a lower connection part 1331, an upper connection part 1333, and a connection part 1335.
  • the vertical circuit board 1302 including the rubber substrate 1312, the buffer thin film 1314, and the energization pattern 1330 are formed.
  • the plurality of vertical circuit boards 1302 are stacked in the vertical direction so that the lower connection parts 1331 and the upper connection parts 1333 are exposed in the vertical direction.
  • the rubber substrate is completed by bonding the vertical circuit boards 1302 stacked in the vertical direction using the adhesive layer 1305.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating a method of inspecting a semiconductor chip on a test stage using a rubber socket according to another embodiment of the present invention.
  • the remaining components except for the thickness of the vertical circuit board is the same as the embodiment shown in Figs. 18 to 29, duplicate description of the same components will be omitted.
  • the rubber socket 1040 is disposed between the semiconductor chip 20 and the stage 30 so that the chip electrode pads 21 and the stage electrode pads of the stage 30 of the semiconductor chip 20 may be disposed.
  • Field 31 is electrically connected.
  • the rubber socket 1040 includes a plurality of vertical circuit boards 1400 and a plurality of adhesive layers 1405.
  • Each vertical circuit board 1402 includes a rubber substrate 1410 and an energization pattern 1430.
  • the rubber substrate 1410 has a flat plate shape, and the thickness t1 of the rubber substrate 1410 is a distance D2 between adjacent chip electrode pads 21 and a distance between adjacent stage electrode pads 31. Is smaller than (D1). In the present embodiment, the thickness t of the rubber substrate 1410 is 1 / time of the distance D2 between the adjacent chip electrode pads 21 and the distance D1 between the adjacent stage electrode pads 31. It has a size of 2 or less. In another embodiment, the distance D3 between the adjacent rubber substrates 1410 is the distance D2 between the adjacent chip electrode pads 21 and the distance D1 between the adjacent stage electrode pads 31. It may have a size of 1/2 or less).
  • the thickness t of the rubber substrate 1410 is equal to or less than 1/2 the distance D2 between the adjacent chip electrode pads 21 and the distance D1 between the adjacent stage electrode pads 31. In this case, the short between the adjacent electrode pads 21 and 31 is prevented, so that an electrical signal transmission path capable of accurately transmitting the signal is made.
  • a conductive member is used instead of the wire to connect the lower electrode portions of the lower film and the upper electrode portions of the upper film.
  • the upper portion of the conducting member is connected in a direction parallel to the lower surface of the upper electrode portion
  • the lower portion of the conducting member is connected in a direction parallel to the upper surface of the lower electrode portion, the middle portion of the conducting member between the upper electrode portion and the lower electrode portion It is connected in a bent state in the vertical direction.
  • the conductive member includes the flexible substrate and the conductive pattern, it is possible to effectively distribute the external pressure in an external impact or repeated semiconductor chip test.
  • the conduction pattern is integrally formed with the flexible substrate, the breakage of the conduction pattern is prevented, thereby increasing the life of the rubber socket and improving reliability.
  • the shape of the conduction pattern and the adhesion interval of the upper electrode parts may be easily adjusted without reducing the distance between the stage electrode pads of the stage. Test can be performed.
  • the shape of the conduction pattern can be arbitrarily designed, it is possible to configure the inspection equipment optimized according to the type of inspection.
  • an electrical signal transmission path can be made to accurately transmit a signal by contacting an energizing member between the upper and lower films without performing separate alignment. do.
  • the thermal bonding member by ultrasonic bonding includes an inclined crimping portion, and the conduction pattern is heated and compressed to the electrode pads, so that the conduction pattern is firmly coupled to the electrode pads, thereby increasing the life of the rubber socket and improving reliability. do.
  • the conduction pattern is completely embedded in the rubber layer instead of sticking out of the rubber socket, preventing the rubber socket from being pushed into the end of the rubber socket to extend the life, and the design is excellent and damage to the test semiconductor chip is prevented. .
  • the rubber socket effectively disperses the external pressure in an external impact or repeated semiconductor chip test by using a plurality of vertical circuit boards stacked vertically instead of wires or pads. Can be.
  • the resistance can be reduced by increasing the surface area of the energization pattern by adjusting the width of the energization pattern of the vertical circuit board.
  • the conduction pattern is integrally formed with the vertical circuit board, the breakage of the conduction pattern is prevented, thereby increasing the life of the rubber socket and improving the reliability.
  • the test may be easily performed on the highly integrated semiconductor chip only by adjusting the thickness of the vertical circuit board.
  • the shape of the conduction pattern can be arbitrarily designed, it is possible to configure the inspection equipment optimized according to the type of inspection.
  • the vertical circuit board includes a buffer thin film to mitigate excessive elasticity or deformation of the rubber substrate to protect the energization pattern.

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Abstract

러버소켓은 하부필름, 상부필름, 통전부재, 및 러버층을 포함한다. 상기 하부필름은 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들을 포함한다. 상기 상부필름은 상기 하부필름에 이격되어 평행하게 배열되며 복수개의 상부전극부들을 포함한다. 상기 통전부재는 상기 하부전극부들 및 상기 상부전극부들을 물리적으로 연결하며, 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어지는 연성기판과, 상기 연성기판의 일측면 상에 세로방향으로 형성되어 상기 하부전극부들과 상기 상부전극부들 사이를 전기적으로 연결하는 복수개의 통전패턴들을 포함한다. 상기 러버층은 탄성이 있는 물질을 포함하고, 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 배치되며, 상기 통전부재들의 전체를 매립하고 상기 하부필름과 상기 상부필름 사이의 거리를 일정하게 유지시킨다.

Description

러버소켓 및 그 제조방법
본 발명은 러버소켓 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된 러버소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 있어서, 검사공정은 출시되는 제품의 신뢰도와 직결되는 것으로 매우 중요하다. 반도체는 패키징 단계까지 끝난 후 뿐만 아니라, 그 이전단계에서도 중간중간 검사가 필요하다.
패키징이전 또는 이후 단계에서 반도체의 전기적 특성을 검사하기 위해서는, 반도체의 패드에 전기를 인가해야 한다. 고집적 회로를 갖는 반도체의 패드에 전기를 직접 인가하는 것은 거의 불가능하기 때문에, 이방성 특성을 갖는 패드를 반도체와 테스트 스테이지의 사이에 배치한다. 테스트 스테이지에 인가된 전기는 이방성 패드를 통과하여 반도체로 인가되어 테스트를 수행한다.
종래의 이방성 패드는 전극 사이에 절연실리콘 고무가 위치하고 상하의 전극내부에는 전도성 파티클이 잘 분산된 실리콘 레진을 경화시켜 전극 상하에 전기적으로 통전된 상태가 되는 구조를 가지고 있다.
이는 각 전극마다 분산된 상태가 다르므로 제품의 신뢰성이 제품마다 균일하지 못하게 되며, 전극을 30%이상 누르게 되면 전도성 파티클이 실리콘을 찢어 조금씩 이동함으로 인하여 제품의 품질 및 수명단축을 초래하게 된다.
또한 실리콘의 높이가 증가하게 되면 품질이 확연히 저하된다. 반대로, 전극의 피치를 줄이게 되면 제품의 수명이 줄고 전기적 특성도 저하되는 문제점이 발생한다.
다른 이방성 패드의 기술로서 실리콘 고무에 전선을 박아넣는 기술이 연구되었다. 그러나 실리콘 고무에 전선을 박아넣는 경우, 테스트가 반복되는 과정에서 전선 및 패드가 실리콘 고무 내로 매립되는 문제점이 발생했다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 대한민국등록특허 제10-1418590호, 제10-1544844호과 같이 와어어본딩을 이용한 이방성패드 기술이 개발되었다. 그러나 와이어본딩을 이용하는 경우, 와이어와 패드를 연결시키기 위하여 0.1mm 이상의 해상도를 갖는 패드가 필요하다. 또한 와이어 자체의 단면적이 감소하여 신호의 크기가 증가하는 경우 와이어가 저항으로 작용하거나 발열에 의해 신호가 왜곡된다. 또한 와이어가 쉽게 끊어지는 문제점이 있다.
반도체 집적도가 계속 상승하고 있으나, 0.1mm 보다 작은 크기의 패드에 와이어를 연결시킬 수 없어서 반도체 제품의 테스트에 어려움이 있다. 또한 패드의 크기가 작아질 수록 와이어와의 연결이 불안정하여 러버소켓의 수명이 감소하는 문제점이 있다.
특허문헌은 대한민국등록특허 제10-1418590호, "와이어드 러버 컨택트 러버 및 그 제조방법"과, 대한민국등록특허 제10-1544844호, "와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법"이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된 러버소켓이 제안된다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 러버소켓의 제조방법이 제안된다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 러버소켓은 하부필름, 상부필름, 통전부재, 및 러버층을 포함한다. 상기 하부필름은 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들을 포함한다. 상기 상부필름은 상기 하부필름에 이격되어 평행하게 배열되며 복수개의 상부전극부들을 포함한다. 상기 통전부재는 상기 하부전극부들 및 상기 상부전극부들을 물리적으로 연결하며, 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어지는 연성기판과, 상기 연성기판의 일측면 상에 세로방향으로 형성되어 상기 하부전극부들과 상기 상부전극부들 사이를 전기적으로 연결하는 복수개의 통전패턴들을 포함한다. 상기 러버층은 탄성이 있는 물질을 포함하고, 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 배치되며, 상기 통전부재들의 전체를 매립하고 상기 하부필름과 상기 상부필름 사이의 거리를 일정하게 유지시킨다.
일 실시예에서, 상기 상부전극부들 사이의 이격거리는 상기 하부전극부들 사이의 이격거리보다 작으며, 상기 각 통전부재에서 인접하는 통전패턴들의 상부의 인접거리는 상기 통전패턴들의 하부의 인접거리보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 통전부재는 상기 통전패턴들 사이가 오픈되어 형성되는 중앙개구부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 통전부재는 상기 통전패턴들을 커버하며 일측이 상기 통전패턴들이 연장된 방향에 수직하는 방향으로 연장되는 상부개구부가 형성된 상부코팅을 더 포함하고, 상기 연성기판은 상기 하부개구부가 배치된 위치와 반대쪽에 배치되어 상기 통전패턴들이 연장된 방향에 수직하는 방향으로 연장되는 하부개구부가 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 러버소켓은 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들을 포함하는 하부필름과, 상기 하부필름에 이격되어 평행하게 배열되며 복수개의 상부전극부들을 포함하는 상부필름과, 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어지는 연성기판, 및 상기 연성기판의 일측면 상에 세로방향으로 형성되어 상기 하부전극부들과 상기 상부전극부들 사이를 전기적으로 연결하는 복수개의 통전패턴들을 포함하는 통전부재와, 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 배치되며 상기 통전부재들의 전체를 매립하는 러버층을 포함한다. 상기 러버소켓의 제조방법에 있어서, 먼저 하부필름의 중앙영역에 복수개의 원시하부전극부들 및 상기 원시하부전극부들 상에 돌출되는 하부접합부들을 형성한다. 이어서, 상부필름의 중앙영역에 복수개의 원시상부전극부들 및 상기 원시상부전극부들 상에 돌출되는 상부접합부들을 형성한다. 이후에, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합한다. 계속해서, 상기 통전패턴의 상부와 상기 상부접합부를 결합한다. 마지막으로 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 상기 러버층을 형성한다.
일 실시예에서, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계는 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 가압한 상태에서 초음파와 열을 가하여 융착시키거나 솔더링을 통하여 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계 및 상기 통전패턴의 상부와 상기 상부접합부를 결합하는 단계는 동시에 수행할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계 및 상기 통전패턴의 상부와 상기 상부접합부를 결합하는 단계는 하나씩 수행될 수도 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 러버소켓은 복수개의 수직회로기판들 및 복수개의 접착층들을 포함한다. 상기 수직회로기판들은 수직방향으로 적층된다. 상기 각 수직회로기판은 러버기판과, 복수개의 통전패턴들을 포함한다. 상기 러버기판은 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복된다. 상기 각 통전패턴은 상기 러버기판의 하면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 하부쪽으로 노출되는 하부접속부, 상기 러버기판의 상면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 상부쪽으로 노출되는 상부접속부, 및 상기 러버기판의 일 측면 상에 세로방향을 길게 연장되며 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 포함한다. 상기 접착층들은 인접하는 수직회로기판들 사이에 배치되어 상기 인접하는 수직회로기판들을 접착하여 일체로 적층한다.
일 실시예에서, 상기 러버기판은 상기 연결부가 배치되는 상기 일 측면은 평판형상을 가지며, 상기 연결부의 반대쪽인 타 측면은 오목한 형상을 가져서 완충공간을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 러버소켓은 상기 러버기판과 상기 통전패턴들 사이에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께로 배치되고, 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 러버소켓의 제조방법에 있어서, 먼저 실리콘러버 또는 합성고무를 성형하여 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판을 제조한다. 이어서 상기 러버기판의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 도전성물질을 포함하고 하부접속부, 상부접속부, 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 각각 포함하는 복수개의 통전부재들을 형성하여 수직회로기판을 형성한다. 이후에 상기 하부접속부들 및 상기 상부접속부들이 각각 상기 러버기판의 하부쪽 및 상부쪽으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들을 세로방향으로 적층한다. 마지막으로 상기 세로방향으로 적층된 수직회로기판들을 결합시킨다.
일 실시예에서, 상기 러버소켓의 제조방법은 상기 러버기판의 상기 하면, 상기 상면, 및 상기 일 측면 상에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께를 가지며 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 통전부재들을 형성하는 단계는, 상기 하부접속부, 상기 상부접속부, 및 상기 연결부를 상기 완충박막 상에 형성할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 와이어 대신에 통전부재를 사용하여 하부필름의 하부전극부들과 상부필름의 상부전극부들의 사이를 연결한다. 이때, 통전부재의 상부를 상부전극부의 하면에 평행한 방향으로 연결하고 통전부재의 하부를 하부전극부의 상면에 평행한 방향으로 연결하되, 통전부재의 중간부분은 상부전극부와 하부전극부 사이의 수직한 방향에서 구부러진 상태로 연결된다.
통전부재가 연성기판 및 통전패턴을 포함하는 경우, 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 연성기판 상에 형성되는 통전패턴의 폭을 조절하여 통전패턴의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴이 연성기판과 일체로 형성되어, 통전패턴의 끊어짐이 방지되어 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한, 반도체 칩의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들 사이의 거리가 줄어들더라도, 통전패턴의 형상이나 상부전극부들의 부착간격을 조절하여 스테이지의 스테이지 전극패드들 사이의 거리를 줄이지 않더라도 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.
또한 통전패턴의 형상을 임의로 디자인할 수 있기에, 검사의 종류에 따라 최적화된 검사장비의 구성이 가능하다.
또한 정밀한 얼라인이 없더라도, 상, 하 필름 사이에 박막 패턴드 필름의 평행도만 맞추게 되면 별도로 얼라인을 하지 않고도 상하 필름사이에 통전부재를 접작하여 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
또한, 초음파본딩에 의한 열압착부재가 경사압착부를 포함하고, 통전패턴을 전극패드들에 가열·압착하여, 통전패턴이 전극패드들에 견고하게 결합되어, 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한 통전패턴이 러버소켓의 외부로 삐져나오는 것이 아니라 러버층 내부에 완전히 매립되기 때문에, 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트용 반도체칩의 손상이 방지된다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 러버소켓이 와이어나 패드 대신에 수직방향으로 적층된 복수개의 수직회로기판들을 사용하여 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 수직회로기판의 통전패턴의 폭을 조절하여 통전패턴의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴이 수직회로기판과 일체로 형성되어, 통전패턴의 끊어짐이 방지되어 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한, 반도체 칩의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들 사이의 거리가 줄어들더라도, 수직회로기판의 두께를 조절하는 것만으로 고집적 반도체칩을 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.
또한 통전패턴의 형상을 임으로 디자인할 수 있기에, 검사의 종류에 따라 최적화된 검사장비의 구성이 가능하다.
또한 별도로 얼라인 없이 단순시 수직회로기판들을 적층하기만 하면 되므로, 제조공정이 단순해지고 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
또한 종래의 전극과 와이어타입의 러버소켓에 비교하여 별도의 솔더링이나 융착공정이 필요없기 때문에 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트과정에서 반도체칩의 손상이 방지된다.
또한, 수직회로기판이 완충박막을 포함하여 러버기판의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴을 보호한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다.
도 4는 도 2의 A부분을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다.
도 12는 도 11에 도시된 통전부재를 나타내는 단면도이다.
도 13 내지 도 17은 도 10에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 19는 도 18에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이다.
도 20은 도 19에 도시된 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 21은 도 20에 도시된 수직회로기판을 나타내는 측면도이다.
도 22는 도 20에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 24는 도 23에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.
도 25 내지 도 28은 도 23에 도시된 수직회로기판의 제조방법을 나타내는 사시도들이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 30은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 러버소켓(10) 상에 반도체칩(20)이 배치된다. 반도체칩(20)의 전극패드들(21)은 러버소켓(10)의 상면에 배치된 노출된 상부전극부(220)에 접촉된다.
하부필름 어셈블리(100)의 하부에는 스테이지(30)가 배치된다. 예를 들어, 스테이지(30)는 반도체 칩(20) 검사용 스테이지일 수 있다. 하부필름(110)의 하부로 노출된 하부전극부(115)는 스테이지(30)의 전극패드들(31)에 접촉된다.
반도체 칩(20)이 스테이지(30) 방향으로 가압되면 반도체 칩(20)의 전극패드들(21)은 러버소켓(10)을 통하여 스테이지(30)의 스테이지 전극패드(31)에 전기적으로 연결된다.
스테이지 전극패드(31)를 통하여 인가된 검사신호에 의해 반도체 칩(20)이 검사된다.
러버소켓(10)은 하부필름 어셈블리(100), 러버층(150), 상부필름(200) 및 통전부재(330)를 포함한다.
하부필름 어셈블리(100)는 하부필름(110) 및 필름가이드(120)를 포함한다.
하부필름(110)은 얇은 합성수지 필름과 결합된 복수개의 하부전극부들(115)을 포함한다. 예를 들어, 하부필름(110)은 20μm 내지 100μm 의 두께를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 하부필름(110)은 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다.
하부전극부들(115)은 상면이 통전부재(330)의 통전패턴(335)와 결합된다. 본 실시예에서, 각 하부전극부들(115)이 하부필름(110)을 관통하여 하면이 스테이지(30)의 전극패드들(31)에 접촉되도록 형성될 수 있다. 이때, 하부전극부들(115)의 상면은 열초음파결합, 솔더링 등에 의해 통전패턴(335)와 일체로 형성되고, 하부전극부들(115)의 하면은 전극패드들(31) 상에 얹혀진 상태로 배치될 수 있다.
필름가이드(120)는 평면형상을 가지며 하부필름(110) 상에 일체로 형성되어 하부필름(110)이 평평한 형상을 갖도록 가이드한다. 필름가이드(120)는 하부필름(110)의 주변영역에 배치된다. 본 실시예에서, 필름가이드(120)는 금속판 또는 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 필름가이드(120)는 0.1t 내지 0.5t의 두께를 가질 수 있다.
상부필름(200)은 얇은 합성수지 필름과 결합된 복수개의 상부전극부들(220)을 포함한다. 예를 들어, 상부필름(200)은 20μm 내지 100μm 의 두께를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 상부필름(200)은 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부필름(200)은 하부필름(110)과 동일한 재질을 포함할 수 있다.
상부필름(200)은 서로 마주보도록 하부필름(110)의 상부에 배치되고, 하부필름(110)의 중앙영역(CA)에 대응된다.
상부전극부들(220)은 하면이 통전부재(330)의 통전패턴(335)와 결합된다. 본 실시예에서, 각 상부전극부들(220)이 상부필름(200)을 관통하여 상면이 반도체 칩(20)의 전극패드들(21)에 접촉되도록 형성될 수 있다. 이때, 상부전극부들(220)의 하면은 열초음파결합, 솔더링 등에 의해 통전패턴(335)과 일체로 형성되고, 반도체칩(20)의 전극패드들(21)이 상부전극부들(220)의 상면에 얹혀진 상태로 배치될 수 있다.
러버층(150)은 하부필름(110)의 중앙영역(CA)과 상부필름(200)의 사이에 배치되어, 하부필름(110)과 상부필름(200) 사이의 간격을 일정하게 유지한다.
러버층(150)은 탄성이 있는 물질, 예를 들어, 실리콘 레진, 합성고무 등을 포함할 수 있다. 상부필름(200) 상에 외력이 가해지는 경우, 러버층(150)이 수축하여 외력에 저항한다. 또한, 상부필름(200) 상에 불규칙한 형상을 갖는 반도체칩(20)이 배치되더라도 러버층(150)의 수축에 의해 안정적인 전기적 결합이 가능하다. 다른 실시예에서, 통전부재(330) 자체가 충분한 강성과 탄성을 가져서 러버층(150)이 생략될 수도 있다.
도 4는 도 2의 A부분을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 통전부재와 상부전극부 사이의 연결구조는 통전부재와 하부전국부 사이의 연결구조와 동일하다. 설명을 보다 간략하게 하기 위하여 통전부재와 하부전극부 사이의 연결구조를 예시적으로 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 통전부재(330)는 하부전극부(115) 및 상부전극부(220)와 물리적으로 연결된다.
하부전극부(115)는 하부필름(110)의 상면 및 하면으로 노출되는 도전패턴을 포함한다. 하부전극부(115)의 상면으로 노출되는 도전패턴은 통전부재(330)의 통전패턴(335)과 물리적으로 결합된다. 하부전극부(115)의 상면과 통전패턴(335)은 초음파본딩을 이용한 열압착으로 결합되거나, 솔더링에 의해 결합될 수 있다.
예를 들어, 하부전극부(115)와 통전패턴(335)은 초음파본딩을 이용한 열압착에 의해 융착될 수 있다. 하부전극부(115)와 통전패턴(335)이 초음파본딩을 이용한 열압착에 의해 융착되는 경우, 하부전극부(115)와 통전패턴(335)은 금, 구리 등을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 하부전극부(115)와 통전패턴(335)이 솔더링에 의해 결합되는 경우, 액상 솔더 페이스트를 스크린 프린트한 필름(예, 블라인드 비어타입 필름)에 열 또는 레이저를 이용하여 솔더링하여 하부전극부(115)를 통전패턴(335)에 결합할 수 있다. 솔더링은 주석, 납, 금, 은합금, 구리, 알루미늄, 니켈, 로듐, 이들의 합금 등을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 상부전극부(220)는 상부필름(200)의 상면 및 하면으로 노출되는 도전패턴을 포함한다. 상부전극부(220)의 하면으로 돌출되는 도전패턴은 통전부재(330)의 통전패턴(335)과 물리적으로 결합된다. 상부전극부(220)의 하면과 통전패턴(335)은 초음파본딩을 이용한 열압착으로 결합되거나, 솔더링에 의해 결합될 수 있다. 예를 들어, 통전패턴(335)이 하부전극부(115) 및 상부전극부(220)와 동일한 방식의 열압착에 의해 결합될 수 있다. 다른 실시예에서, 통전패턴(335)이 하부전극부(115) 및 상부전극부(220) 중에서 어느하나와는 초음파본딩을 이용한 열압착으로 결합되고 나머지 하나와는 솔더링에 의해 결합될 수도 있다.
통전부재(330)는 러버층(150)을 관통하여 하부전극부(115)와 상부전극부(220)를 전기적으로 연결한다. 통전부재(330)는 연성기판(334) 및 통전패턴(335)을 포함한다.
연성기판(334)는 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어진다. 예를 들어, 연성기판(334)은 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다.
통전패턴(335)은 연성기판(334)의 일측면 상에 세로방향으로 복수개가 형성된다. 본 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(335)은 연성기판(334) 상에서 서로 동일한 간격으로 평행하게 배열될 수 있다. 다른 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(335)은 하부전극부(115)와 결합되는 간격과 상부전극부(220)와 결합되는 간격이 서로 다를 수 있다. 또 다른 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(335)의 일부가 전기적으로 연결되고, 통전부재(330)의 하부에 연결되는 하부전극부들(115)의 숫자가 통전부재(330)의 상부에 연결되는 상부전극부들(220)의 숫자가 서로 다를 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 먼저 하부필름(100) 및 상부필름(200)의 중앙영역(CA)에 원시하부전극부들(115') 및 원시상부전극부들(220')을 형성한다.
원시하부전극부들(115')의 상부에는 하부접합부들(115a)이 형성된다. 하부접합부들(115a)은 원시하부전극부들(115')의 상면 상에 돌출되는 형태로 형성된다. 본 실시예에서, 하부접합부들(115a)은 원시하부전극부들(115')과 동일한 재질을 포함한다. 다른 실시예에서, 하부접합부들(115a)이 원시하부전극부들(115')보다 용융점이 낮은 금속을 포함하여 후속되는 초음파본딩을 이용한 열압착이 용이하게 진행될 수도 있다.
원시상부전극부들(220')의 상부에는 상부접합부들(220a)이 형성된다. 상부접합부들(220a)은 원시상부전극부들(220')의 상면 상에 돌출되는 형태로 형성된다. 본 실시예에서, 상부접합부들(220a)은 원시상부전극부들(220')과 동일한 재질을 포함한다. 다른 실시예에서, 상부접합부들(220a)이 원시상부전극부들(220')보다 용융점이 낮은 금속을 포함하여 후속되는 초음파본딩을 이용한 열압착이 용이하게 진행될 수도 있다.
예를 들어, 하부접합부들(115a) 및 상부접합부들(220a)은 골드범프(gold bump)를 포함할 수 있다. 하부접합부들(115a) 및 상부접합부들(220a)이 골드범프를 포함하는 경우, 통상적인 솔더링에 의해 접합이 어렵기 때문에 초음파 본딩을 이용한 열압착 방식을 사용한다.
이어서, 열압착부재(53)의 하면에 통전패턴(335)가 아래쪽으로 향하도록 통전부재(330')를 배치한다.
이후에, 열압착부재(53)를 아래쪽으로 이동시켜서 통전패턴(335)의 하면을 하부접합부(115a)와 상부접합부(220a)쪽으로 가압한다.
계속해서, 열압착부재(53)를 이용하여 통전패턴(335)과 하부접합부(115a)의 사이 및 통전패턴(335)과 상부접합부(220a)의 사이에 초음파와 열을 인가하여, 통전부재(335)의 양쪽 단부를 하부접합부(115a)와 상부접합부(220a)에 융착시킨다. 통전부재(335)의 양쪽 단부가 하부접합부(115a)와 상부접합부(220a)에 융착되면, 통전패턴(330)은 하부전극부(115) 및 상부전극부(220)에 견고하게 결합된다.
도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 이어서 하부필름(110)과 상부필름(200)의 사이에 러버층(150)을 형성하여, 하부필름 어셈블리(100)과 상부필름(200) 사이의 간격을 일정하게 유지한다.
마지막으로 하부필름(110) 상에 필름가이드(120)를 결합하여 하부필름 어셈블리(100)를 형성한다. 다른 실시예에서, 하부필름 어셈블리(100)를 먼저 형성한 후에, 러버층(150)을 형성할 수도 있다.
상기와 같은 본 실시예에 따르면, 와이어 대신에 통전부재(330)를 사용하여 하부필름(110)의 하부전극부들(115)과 상부필름(200)의 상부전극부들(220)의 사이를 연결한다. 이때, 통전부재(330)의 상부를 상부전극부(220)의 하면에 평행한 방향으로 연결하고 통전부재(330)의 하부를 하부전극부(115)의 상면에 평행한 방향으로 연결하되, 통전부재(330)의 중간부분은 상부전극부(220)와 하부전극부(115) 사이의 수직한 방향에서 구부러진 상태로 연결된다.
통전부재(330)가 연성기판(334) 및 통전패턴(335)을 포함하는 경우, 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 연성기판(334) 상에 형성되는 통전패턴(335)의 폭을 조절하여 통전패턴(335)의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴(335)이 연성기판(334)과 일체로 형성되어, 통전패턴(335)의 끊어짐이 방지되어 러버소켓(10)의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 경사압착부(57)를 제외한 나머지 구성요소들은 도 5에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 하부필름(100) 및 상부필름(200)의 중앙영역(CA)에 원시하부전극부들(115') 및 원시상부전극부들(220')을 형성한다.
이어서, 원시하부전극부들(115')의 상부에는 하부접합부들(115a)을 형성하고, 원시상부전극부들(220')의 상부에는 상부접합부들(220a)을 형성한다.
이어서, 열압착부재(53)의 하면에 통전패턴(335)가 아래쪽으로 향하도록 통전부재(330')를 배치한다.
본 실시예에서, 열압착부재(54)는 경사압착부(57)를 포함하고, 경사압착부(57) 및 열압착부재(54)의 아래쪽 단부에는 경사진 방향을 따라서 통전부재(331')가 부착되고, 열압착부재(54)는 통전부재(331')를 경사방향으로 배열된 하부접합부들(115a) 및 상부접합부들(220a)에 가열·압착한다.
이어서 하부필름(110)과 상부필름(200)의 사이에 러버층(150)을 형성하여, 하부필름 어셈블리(100)과 상부필름(200) 사이의 간격을 일정하게 유지한다.
마지막으로 하부필름(110) 상에 필름가이드(120)를 결합하여 하부필름 어셈블리(100)를 형성한다.
상기와 같은 본 실시예에 따르면, 열압착부재(54)가 경사압착부(57)를 포함하고, 통전부재(331')를 경사방향으로 배열된 하부접합부들(115a) 및 상부접합부들(220a)에 가열·압착하여, 통전부재(330)가 하부전극부들(115) 및 상부전극부들(220)에 견고하게 결합되어, 러버소켓(10)의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다. 본 실시예에서, 상부전극부 및 통전패턴을 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 상부필름(200)의 상부전극부들(226) 사이의 이격거리(W2)는 하부필름(110)의 하부전극부들(115) 사이의 이격거리(W1)는 보다 작다.
통전부재(630)는 연성기판(634) 및 통전패턴(635)을 포함한다.
본 실시예에서, 각 통전부재(630)에서 인접하는 통전패턴들(635)은 상부와 하부의 인접거리가 서로 다르다. 각 통전부재(630)에서 인접하는 통전패턴들(635)의 하부에서 인접거리(W1)는 하부전극부들(115) 사이의 이격거리(W1)와 동일하며, 상부에서 인접거리(W2)는 상부전극들(220) 사이의 이격거리(W2)와 동일하다.
본 실시예에서, 통전부재(630)는 통전패턴들(635) 사이가 오픈되어 형성되는 중앙개구들(638)을 더 포함할 수 있다. 중앙개구들(638)은 러버층(150)을 형성하기 위하여 실리콘 등을 주입하는 통로로 사용되기도 하며, 러버층(150)이 경화되어 탄성특성을 가질 때에도 통전부재(630)가 외부의 압력에 의해 쉽게 변형될 수 있도록 한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 칩(도 1의 20)의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들(도 1의 21) 사이의 거리가 줄어들더라도, 통전패턴(635)의 형상이나 상부전극부들(220)의 부착간격을 조절하여 스테이지(도 1의 30)의 스테이지 전극패드들(도 1의 31) 사이의 거리를 줄이지 않더라도 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 상부전극부를 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 러버소켓(10)은 하부필름 어셈블리(100), 러버층(150), 상부필름(207) 및 통전부재(330)를 포함한다.
상부필름(207)은 얇은 합성수지 필름과 결합된 복수개의 상부전극부들(227)을 포함한다. 상부필름(207)의 상부전극부들(227) 사이의 이격거리(D2)는 하부필름(110)의 하부전극부들(115) 사이의 이격거리(D1)는 보다 작다.
본 실시예에서, 인접하는 통전부재들(330)은 상부에서의 인접거리와 하부에서의 인접거리(D1)가 서로 다르다. 인접하는 통전부재들(330)의 하부에서의 인접거리(D1)는 하부전극부들(115) 사이의 이격거리(D1)와 동일하다. 인접하는 통전패턴들(330)의 상부에서의 인접거리는 상부전극들(220) 사이의 이격거리(D2)와 동일하다.
도 9는 도 8에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 하부필름(100) 및 상부필름(200)의 중앙영역(CA)에 원시하부전극부들(115') 및 원시상부전극부들(227')을 형성한다.
이어서, 원시하부전극부들(115')의 상부에는 하부접합부들(115a)을 형성하고, 원시상부전극부들(227')의 상부에는 상부접합부들(227a)을 형성한다.
이어서, 열압착부재(53)의 하면에 통전패턴이 아래쪽으로 향하도록 통전부재(330')를 배치한다.
이후에, 열압착부재(53)는 통전부재(330')를 경사방향으로 배열된 하부접합부들(115a) 및 상부접합부들(227a)에 가열·압착한다.
이어서, 하부필름(110)과 상부필름(207)의 사이에 러버층(150)을 형성하여, 하부필름 어셈블리(100)과 상부필름(207) 사이의 간격을 일정하게 유지한다.
마지막으로 하부필름(110) 상에 필름가이드(120)를 결합하여 하부필름 어셈블리(100)를 형성한다.
본 실시예에서, 도 7의 실시예와 도 8 및 도 9의 실시예를 별도로 도시하였으나, 두 개의 실시예를 결합하여 각 통전부재 내에서의 인접하는 통전패턴들 사이의 거리 및 인접하는 통전부재들 사이의 거리를 동시에 변경할 수도 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 나타내는 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 러버소켓을 나타내는 분해사시도이다. 본 실시예에서, 통전부재를 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 러버소켓은 하부필름 어셈블리(100), 러버층(150), 상부필름(200), 및 통전부재(530)를 포함한다.
하부필름 어셈블리(100)는 하부필름(110) 및 필름가이드(120)를 포함한다.
하부필름(110)은 얇은 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들(115)을 포함한다.
하부전극부들(115)의 상면은 통전부재(530)의 통전패턴(535)의 하면과 결합된다. 하부전극부들(115)의 상면은 열초음파결합, 솔더링 등에 의해 통전패턴(535)의 하면과 일체로 형성된다.
필름가이드(120)는 평면형상을 가지며 하부필름(110) 상에 일체로 형성되어 하부필름(110)이 평평한 형상을 갖도록 가이드한다.
상부필름(200)은 얇은 합성수지 필름과 결합된 복수개의 상부전극부들(220)을 포함한다.
상부전극부들(220)의 하면은 통전부재(530)의 통전패턴(535)의 상면과 결합된다. 상부전극부들(220)의 함면은 열초음파결합, 솔더링 등에 의해 통전패턴(535)의 상면과 일체로 형성된다.
상부필름(200)은 서로 마주보도록 하부필름(110)의 상부에 배치되고, 하부필름(110)의 중앙영역(CA)에 대응된다.
러버층(150)은 하부필름(110)의 중앙영역(CA)과 상부필름(200)의 사이에 배치되어, 하부필름(110)과 상부필름(200) 사이의 간격을 일정하게 유지한다.
도 12는 도 11에 도시된 통전부재를 나타내는 단면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 통전부재(530)는 복수개의 통전패턴들(535), 하부코팅(531), 및 상부코팅(532)을 포함한다. 본 실시예에서, 통전부재(530)는 'Z'자 형상을 가지며 상부와 하부에 각각 배치된 상부개구부(532a) 및 하부개구부(531a)를 통하여 통전패턴들(535)이 외부로 노출된다.
통전패턴들(535)은 복수개가 세로방향으로 평행하게 나열된다.
하부코팅(531)은 통전패턴들(535)의 하면을 지지하고, 일측에 하부전극부들(115)과 결합되는 하부개구부(531a)를 포함한다. 하부개구부(531a)는 통전패턴들(535)의 하면의 일부를 노출한다.
상부코팅(532)은 통전패턴들(535)의 상면을 지지하고, 일측에 상부전극부들(220)과 결합되는 상부개구부(532a)를 포함한다. 상부개구부(532a)는 통전패턴들(535)의 상면의 일부를 노출한다.
본 실시예에서, 하부개구부(531a)과 상부개구부(532a)는 통전패턴들(535)이 연장된 방향에 수직하는 방향으로 연장되는 띄형상(band shape)을 갖는다. 통전패턴들(535)을 기준으로 하부개구부(531a)이 배치된 위치는 상부개구부(532a)가 배치된 위치와 반대쪽에 배치된다. 다른 실시예에서, 하부코팅(531)과 상부코팅(532)가 각각 복수개의 하부개구부들(531a) 및 복수개의 상부개구부들(532a)을 포함하고, 하부개구부들(531a)과 상부개구부들(532a)은 통전패턴들(535)을 기준으로 서로 엇갈리게 배치될 수도 있다.
도 13 내지 도 17은 도 10에 도시된 러버소켓의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10 내지 도 13을 참조하면, 먼저 하부필름(100)의 중앙영역(CA)에 원시하부전극부들(도 5의 115')을 형성한다.
이후에 원시하부전극부들(도 5의 115')의 상부에 하부접합부들(도 5의 115a)을 형성한다.
이어서 하부코팅(531) 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 통전패턴들(535)을 형성한다.
이후에 통전패턴들(535)이 형성된 하부코팅(531) 상에 상부코팅(532)을 형성한다.
계속해서 하부코팅(531)의 일부를 통전패턴들(535)이 연장된 방향에 수직한 방향으로 제거하여 통전패턴들(535)의 하면 일부를 노출하는 하부개구부(531a)를 형성한다.
이어서 상부코팅(532)의 일부를 통전패턴들(535)이 연장된 방향에 수직한 방향으로 제거하여 통전패턴들(535)의 상면 일부를 노출하는 상부개구부(532a)를 형성한다.
이후에 하부개구부(531a)에 의해 노출된 통전패턴들(535)의 하면을 하부접합부들(도 5의 115a)에 가압한다.
계속해서 초음파본딩을 이용한 열압착에 의해 통전패턴들(535)의 하면을 하부전극부들(115)에 융착한다.
도 10 내지 도 12, 및 도 14를 참조하면, 이어서 원시상부전극부들(도 5의 220')의 상부에 상부접합부들(도 5의 220a)을 형성한다.
이후에 상부필름(200)을 통전부재들(530) 상에 배치하여 상부필름(200)의 상부접합부들(도 5의 220a)이 통전패턴들(535)의 상면에 배열된다.
계속해서 솔더링을 통해 통전패턴들(535)의 상면을 상부전극부들(220)에 부착한다.
이어서 상부필름(200)을 밀어올려서 상부필름(200)이 하부필름(110)으로부터 이격되고 통전부재(530)가 'Z'자 형성이 된다.
이후에 하부필름(110)과 상부필름(200)의 사이에 러버층(150)을 형성한다.
마지막으로 하부필름(110) 상에 필름가이드(120)를 결합하여 하부필름 어셈블리(100)를 형성한다. 다른 실시예에서, 하부필름 어셈블리(100)를 먼저 형성한 후에, 러버층(150)을 형성할 수도 있다.
상기와 같은 본 실시예에 따르면, 통전부재(530)가 서로 마주보는 상부코팅(532)과 하부코팅(531) 사이에 배치된 복수개의 통전패턴들(535)을 포함하고, 통전부재(530)가 하부전극부(115) 및 상부전극부(220)와 하나씩 결합된다. 통전부재(530)가 하부전극부(115) 및 상부전극부(220)와 하나씩 결합되어, 두개의 전극부들(115, 220)와 동시에 결합되는 경우에 비해 견고하게 결합된다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이고, 도 19는 도 18에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이며, 도 20은 도 19에 도시된 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 러버소켓(1010) 상에 반도체칩(20)이 배치된다. 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)은 러버소켓(1010)의 상면에 배치된 노출된 상부접속부(1333)에 접촉된다.
러버소켓(1010)의 하부에는 스테이지(30)가 배치된다. 예를 들어, 스테이지(30)는 반도체 칩(20) 검사용 스테이지일 수 있다. 러버소켓(10)의 하부로 노출된 하부접속부(1331)는 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)에 접촉된다.
반도체 칩(20)이 스테이지(30) 방향으로 가압되면 반도체 칩(20)의 칩전극패드들(21)은 러버소켓(1010)을 통하여 스테이지(30)의 스테이지 전극패드(31)에 전기적으로 연결된다.
스테이지 전극패드(31)를 통하여 인가된 검사신호에 의해 반도체 칩(20)이 검사된다.
러버소켓(1010)은 복수개의 수직회로기판들(1300) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.
수직회로기판들(1300)은 스테이지(30)의 상면을 기준으로 수직한 방향을 적층되고 접착층들(1305)에 의해 인접하는 수직회로기판들(1300)과 연결되어 일체로 형성된다.
도 21은 도 20에 도시된 수직회로기판을 나타내는 측면도이고, 도 22는 도 20에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.
도 18 내지 도 22를 참조하면, 각 수직회로기판(1300)은 러버기판(1310) 및 통전패턴(1330)을 포함한다.
러버기판(1310)은 실리콘러버, 레진, 합성고무 등과 같이 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 물질을 포함한다.
러버기판(1310)은 세로방향으로 연장되는 직사각형 평판형상을 갖는다. 도 5에는 러버기판(1310)이 직육면체 형상으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위하여 z방향의 두께를 과장한 것으로 실제로는 x축 및 y축 방향의 z방향에 비해 큰 크기를 가져서 얇은 평판형상을 갖는다. 러버기판(1310)의 두께는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리보다 얇다. 러버기판(1310)의 두께가 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리보다 두꺼우면, 인접하는 칩전극패드들(21) 사이에 쇼트가 발생될 수 있다.
통전패턴(1330)은 러버기판(1310)의 상면일부, 측면, 및 하면일부를 커버하며, 세로방향으로 길게 연장된 형상을 갖는다.
본 실시예에서, 러버기판(1310)의 일 측면에는 통전패턴(1330)의 연결부(1335)가 배치되고, 타 측면에는 완충공간(1315)이 형성된다.
완충공간(1315)은 러버기판(1310)의 타 측면과 인접하는 러버기판(1310)의 일 측면 사이의 이격거리를 증가시킨다. 반도체 칩(20)의 검사과정에서 상하방향의 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 눌러지는 경우, 러버기판(1310)이 휘어질 수 있다. 러버기판(1310)의 타 측면과 인접하는 러버기판(1310)의 일 측면 사이의 이격거리가 증가되면, 상하방향의 외력에 의해 러버기판(1310)이 휘어질 수 있는 공간을 제공하여 수직회로기판들(1300)이 외력을 부드럽게 완충할 수 있다.
통전패턴(1330)은 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함한다.
하부접속부(1331)는 러버기판(1310)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다. 하부접속부(1331)이 완충공간에 인접하는 위치까지 연장되는 경우, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형될 때 인접하는 수직회로기판들(1300)의 하부접속부들(1331)이 쇼트될 수 있다. 본 실시예에서, 하부접속부(1331)는 러버기판(1310)의 하면의 일부에만 배치되기 때문에, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형되더라도 인접하는 하부접속부들(1331) 사이에 쇼트되는 현상이 방지된다.
상부접속부(1333)는 러버기판(1310)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다. 상부접속부(1333)이 완충공간에 인접하는 위치까지 연장되는 경우, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형될 때 인접하는 수직회로기판들(1300)의 상부접속부들(1333)이 쇼트될 수 있다. 본 실시예에서, 상부접속부(1333)는 러버기판(1310)의 상면의 일부에만 배치되기 때문에, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형되더라도 인접하는 상부접속부들(1333) 사이에 쇼트되는 현상이 방지된다.
연결부(1335)는 러버기판(1310)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다. 연결부(1335)는 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.
인접하는 수직회로기판들(1300)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.
반도체칩(20)이 스테이지(30) 상에서 검사되는 경우, 러버소켓(1010)은 반도체칩(20)과 스테이지(30) 사이에 배치되고, 수직회로기판들(1300)은 세로방향으로 배열되어 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31) 사이에 배치된다. 통전패턴들(1330)의 하부접속부들(1331)은 칩전극패드들(21)과 접촉되고 상부접속부들(1333)은 스테이지 전극패드들(31)과 접촉되어, 스테이지 전극패드들(31)과 칩전극패드들(21)이 수직회로기판들(1300)을 통하여 전기적으로 연결된다.
본 실시예의 러버소켓(1010)을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1310)을 형성한다.
이어서 러버기판(1310)의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 각각 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 형성하여 러버기판(1310) 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1300)을 형성한다. 예를 들어, 통전패턴(1330)은 증착, 도금 등을 이용하여 러버기판(1310)의 표면에 금속막을 형성한 후에, 식각공정, 레이저가공, 물리가공 등을 통하여 금속막을 패터닝하여 형성될 수 있다.
이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1300)을 세로방향으로 적층한다.
계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1300)을 결합시켜서 러버기판(1310)을 완성한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 러버소켓(1010)이 와이어나 패드 대신에 수직방향으로 적층된 복수개의 수직회로기판들(1300)을 사용하여 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩(20) 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 수직회로기판(1300)의 통전패턴(1330)의 폭을 조절하여 통전패턴(1330)의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴(1330)이 수직회로기판(1300)에 일체로 형성되어, 통전패턴(1330)의 끊어짐이 방지되어 러버소켓(1010)의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한 별도로 얼라인 없이 단순시 수직회로기판들(1300)을 적층하기만 하면 되므로, 제조공정이 단순해지고 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
또한 종래의 전극과 와이어타입의 러버소켓에 비교하여 별도의 솔더링이나 융착공정이 필요없기 때문에 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트과정에서 반도체칩(20)의 손상이 방지된다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이고, 도 24는 도 23에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다. 본 실시예에서, 완충박막을 제외한 나머지 구성요소들은 도 18 내지 도 22에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 18, 도 23, 및 도 24를 참조하면, 러버소켓은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.
러버소켓은 복수개의 수직회로기판들(1301) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.
수직회로기판들(1301)은 스테이지(30)의 상면을 기준으로 수직한 방향을 적층되고 접착층들(1305)에 의해 인접하는 수직회로기판들(1301)과 연결되어 일체로 형성된다.
각 수직회로기판(1301)은 러버기판(1311), 완충박막(1313), 및 통전패턴(1330)을 포함한다.
러버기판(1311)은 실리콘러버, 레진, 합성고무 등과 같이 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 물질을 포함한다.
완충박막(1313)은 러버기판(1311)의 일 측면, 상면, 및 하면에 배치된다. 예를 들어, 완충박막(1313)은 러버기판(1311)과 통전패턴들(1330)의 사이에 배치될 수 있다.
완충박막(1313)은 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다. 완충박막(1313)은 통전패턴(1330)과의 밀착력이 우수한 재질을 포함하고 동일한 외력에 의해 변형되는 정도가 러버기판(1311)보다 작다.
완충박막(1313)은 러버기판(1311)보다 얇은 두께를 갖는다. 본 실시예에서, 완충박막(1313)은 10μm 내지 200μm 의 두께를 가질 수 있다. 완충박막(1313)의 두께가 너무 얇으면 외력에 의해 러버기판(1313)이 변형되는 과정에서 찢어질 수가 있다. 반면에 완충박막(1313)의 두께가 너무 두꺼우면 러버기판(1313)자체의 변형까지 방지하여 러버소켓의 완충동작에 지장이 생길 수 있다. 예를 들어, 완충박막(1313)은 20μm 내지 100μm의 두께를 가질 수 있다.
완충박막(1313)은 러버기판(1311)의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴(1330)을 보호한다.
본 실시예에서, 러버기판(1311)의 일 측면에는 완충박막(1313)이 배치되고, 타 측면에는 완충공간(1315)이 형성된다.
통전패턴(1330)은 완충박막(1313) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(1330)이 완충박막(1313) 상에 세로방향으로 서로 평행하게 배열된다.
통전패턴(1330)은 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함한다.
하부접속부(1331)는 완충박막(1313)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.
상부접속부(1333)는 완충박막(1313)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.
연결부(1335)는 완충박막(1313)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다.
인접하는 수직회로기판들(1301)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.
도 25 내지 도 28은 도 23에 도시된 수직회로기판의 제조방법을 나타내는 사시도들이다.
도 23 내지 도 25을 참조하면, 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1311)을 형성한다. 본 실시예에서, 몰딩, 성형, 커팅 등의 방법을 통하여 원하는 피치에 디자인된 두께와 크기로 실리콘러버, 합성고무 등을 성형한다. 예를 들어, 금형 내에 액상실리콘 또는 고상실리콘을 주입하여 실리콘러버를 포함하는 러버기판(1311)을 형성한다.
러버기판(1311)의 일 측면(S1)은 평판형상을 가지며, 타 측면(S2)은 오목한 형상을 가지며, 상면(U) 및 하면(L)은 얇은 폭으로 길게 연장된 형상을 갖는다.
도 23 내지 도 26을 참조하면, 이어서 러버기판(1311)의 하면, 상면, 및 일 측면에 완충박막(1313)을 형성한다. 본 실시예에서, 완충박막(1313)은 스프레이코팅, 디핑(dipping), 드라이코팅, 등의 방법을 사용한다.
도 23, 도 24, 및 도 27을 참조하면, 완충박막(1313) 상에 도전층(1330')을 형성한다. 본 실시예에서, 완충박막(1313) 상에 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 로듐, 이들의 합금 등을 증착하거나 도금하여 도전층(1330')을 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 완충박막(1313) 상에 ITO, TO, ZO, 등의 도전성 금속산화물을 증착하여 도전층(1330')을 형성할 수도 있다.
도 23, 도 24, 및 도 28을 참조하면, 도전층(1330')을 패터닝하여 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함하는 통전패턴들(1330)을 형성한다. 본 실시예에서, 도전층(1330')의 표면에 통전패턴들(1330)의 형상에 대응되도록 마스킹을 하고 에칭하거나 다이렉드 레이져를 통하여 도전층(1330')을 패턴하여 세로방향으로 스트라이프 형상을 갖는 통전패턴들(1330)을 형성한다.
따라서 러버기판(1311), 완충박막(1313), 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1301)을 형성한다.
이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1301)을 세로방향으로 적층한다.
계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1301)을 결합시켜서 러버기판을 완성한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 수직회로기판(1301)이 완충박막(1313)을 포함하여 러버기판(1311)의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴(1330)을 보호한다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 완충박막을 제외한 나머지 구성요소들은 도 23 내지 도 28에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 18 및 도 29를 참조하면, 러버소켓은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.
러버소켓은 복수개의 수직회로기판들(1302) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.
각 수직회로기판(1302)은 러버기판(1312), 완충박막(1314), 및 통전패턴(1330)을 포함한다.
러버기판(1312)은 평판형상을 갖는 일 측면 및 안쪽으로 휘어져서 완충공간(1315)을 형성하는 타 측면을 포함하고, 세로방향으로 연장된 평판형상을 갖는다.
완충박막(1314)은 러버기판(1312)의 일 측면, 타 측면, 상면, 및 하면에 배치된다.
완충박막(1314)은 러버기판(1312)보다 얇은 두께를 갖는다.
통전패턴(1330)은 완충박막(1314) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(1330)이 완충박막(1314) 상에 세로방향으로 서로 평행하게 배열된다.
통전패턴(1330)은 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함한다.
하부접속부(1331)는 완충박막(1314)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.
상부접속부(1333)는 완충박막(1314)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.
연결부(1335)는 완충박막(1314)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다.
인접하는 수직회로기판들(1302)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.
본 발명의 실시예에 따른 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1312)을 형성한다.
이어서 러버기판(1312)의 일 측면, 타 측면, 하면, 및 상면에 완충박막(1314)을 형성한다.
이후에 완충박막(1314)의 일 측면, 하면, 및 상면 상에 도전층을 형성한다. 다른 실시예에서, 완충박막(1314)의 일 측면, 타 측면, 하면, 및 상면 상에 도전층을 형성할 수도 있다.
계속해서 도전층을 패터닝하여 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함하는 통전패턴들(1330)을 형성한다.
따라서 러버기판(1312), 완충박막(1314), 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1302)을 형성한다.
이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1302)을 세로방향으로 적층한다.
계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1302)을 결합시켜서 러버기판을 완성한다.
도 30은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 수직회로기판들의 두께를 제외한 나머지 구성요소들은 도 18 내지 도 29에 도시된 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 30을 참조하면, 러버소켓(1040)은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.
러버소켓(1040)은 복수개의 수직회로기판들(1400) 및 복수개의 접착층들(1405)을 포함한다.
각 수직회로기판(1402)은 러버기판(1410), 및 통전패턴(1430)을 포함한다.
러버기판(1410)은 평판형상을 가지며, 러버기판(1410)의 두께(t1)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)보다 작다. 본 실시예에서, 러버기판(1410)의 두께(t)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 갖는다. 다른 실시예에서, 인접하는 러버기판들(1410) 사이의 거리(D3)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 가질 수 있다.
러버기판(1410)의 두께(t)가 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 갖는 경우, 인접하는 전극패드들(21, 31) 사이의 쇼트가 방지되어, 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 와이어 대신에 통전부재를 사용하여 하부필름의 하부전극부들과 상부필름의 상부전극부들의 사이를 연결한다. 이때, 통전부재의 상부를 상부전극부의 하면에 평행한 방향으로 연결하고 통전부재의 하부를 하부전극부의 상면에 평행한 방향으로 연결하되, 통전부재의 중간부분은 상부전극부와 하부전극부 사이의 수직한 방향에서 구부러진 상태로 연결된다.
통전부재가 연성기판 및 통전패턴을 포함하는 경우, 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 연성기판 상에 형성되는 통전패턴의 폭을 조절하여 통전패턴의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴이 연성기판과 일체로 형성되어, 통전패턴의 끊어짐이 방지되어 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한, 반도체 칩의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들 사이의 거리가 줄어들더라도, 통전패턴의 형상이나 상부전극부들의 부착간격을 조절하여 스테이지의 스테이지 전극패드들 사이의 거리를 줄이지 않더라도 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.
또한 통전패턴의 형상을 임의로 디자인할 수 있기에, 검사의 종류에 따라 최적화된 검사장비의 구성이 가능하다.
또한 정밀한 얼라인이 없더라도, 상, 하 필름 사이에 박막 패턴드 필름의 평행도만 맞추게 되면 별도로 얼라인을 하지 않고도 상하 필름사이에 통전부재를 접작하여 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
또한, 초음파본딩에 의한 열압착부재가 경사압착부를 포함하고, 통전패턴을 전극패드들에 가열·압착하여, 통전패턴이 전극패드들에 견고하게 결합되어, 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한 통전패턴이 러버소켓의 외부로 삐져나오는 것이 아니라 러버층 내부에 완전히 매립되기 때문에, 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트용 반도체칩의 손상이 방지된다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 러버소켓이 와이어나 패드 대신에 수직방향으로 적층된 복수개의 수직회로기판들을 사용하여 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한 수직회로기판의 통전패턴의 폭을 조절하여 통전패턴의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.
또한 통전패턴이 수직회로기판과 일체로 형성되어, 통전패턴의 끊어짐이 방지되어 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.
또한, 반도체 칩의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들 사이의 거리가 줄어들더라도, 수직회로기판의 두께를 조절하는 것만으로 고집적 반도체칩을 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.
또한 통전패턴의 형상을 임으로 디자인할 수 있기에, 검사의 종류에 따라 최적화된 검사장비의 구성이 가능하다.
또한 별도로 얼라인 없이 단순시 수직회로기판들을 적층하기만 하면 되므로, 제조공정이 단순해지고 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.
또한 종래의 전극과 와이어타입의 러버소켓에 비교하여 별도의 솔더링이나 융착공정이 필요없기 때문에 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트과정에서 반도체칩의 손상이 방지된다.
또한, 수직회로기판이 완충박막을 포함하여 러버기판의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴을 보호한다.

Claims (12)

  1. 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들을 포함하는 하부필름;
    상기 하부필름에 이격되어 평행하게 배열되며 복수개의 상부전극부들을 포함하는 상부필름;
    상기 하부전극부들 및 상기 상부전극부들을 물리적으로 연결하며, 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어지는 연성기판과, 상기 연성기판의 일측면 상에 세로방향으로 형성되어 상기 하부전극부들과 상기 상부전극부들 사이를 전기적으로 연결하는 복수개의 통전패턴들을 포함하는 통전부재; 및
    탄성이 있는 물질을 포함하고, 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 배치되며, 상기 통전부재들의 전체를 매립하고 상기 하부필름과 상기 상부필름 사이의 거리를 일정하게 유지시키는 러버층을 포함하는 러버소켓.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부전극부들 사이의 이격거리는 상기 하부전극부들 사이의 이격거리보다 작으며, 상기 각 통전부재에서 인접하는 통전패턴들의 상부의 인접거리는 상기 통전패턴들의 하부의 인접거리보다 작은 것을 특징으로 하는 러버소켓.
  3. 제1항에 있어서, 상기 통전부재는 상기 통전패턴들 사이가 오픈되어 형성되는 중앙개구부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
  4. 제1항에 있어서, 상기 통전부재는 상기 통전패턴들을 커버하며 일측이 상기 통전패턴들이 연장된 방향에 수직하는 방향으로 연장되는 상부개구부가 형성된 상부코팅을 더 포함하고, 상기 연성기판은 상기 하부개구부가 배치된 위치와 반대쪽에 배치되어 상기 통전패턴들이 연장된 방향에 수직하는 방향으로 연장되는 하부개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
  5. 합성수지필름과 결합된 복수개의 하부전극부들을 포함하는 하부필름과, 상기 하부필름에 이격되어 평행하게 배열되며 복수개의 상부전극부들을 포함하는 상부필름과, 평판형상으로 외력에 의해 쉽게 휘어지는 연성기판, 및 상기 연성기판의 일측면 상에 세로방향으로 형성되어 상기 하부전극부들과 상기 상부전극부들 사이를 전기적으로 연결하는 복수개의 통전패턴들을 포함하는 통전부재와, 상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 배치되며 상기 통전부재들의 전체를 매립하는 러버층을 포함하는 러버소켓의 제조방법에 있어서,
    하부필름의 중앙영역에 복수개의 원시하부전극부들 및 상기 원시하부전극부들 상에 돌출되는 하부접합부들을 형성하는 단계;
    상부필름의 중앙영역에 복수개의 원시상부전극부들 및 상기 원시상부전극부들 상에 돌출되는 상부접합부들을 형성하는 단계;
    상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계;
    상기 통전패턴의 상부와 상기 상부접합부를 결합하는 단계; 및
    상기 하부필름과 상기 상부필름의 사이에 상기 러버층을 형성하는 단계를 포함하는 러버소켓의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계는 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 가압한 상태에서 초음파와 열을 가하여 융착시키거나 솔더링을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 러버소켓의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 통전패턴의 하부와 상기 하부접합부를 결합하는 단계 및 상기 통전패턴의 상부와 상기 상부접합부를 결합하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 러버소켓의 제조방법.
  8. 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판과, 상기 러버기판의 하면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 하부쪽으로 노출되는 하부접속부, 상기 러버기판의 상면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 상부쪽으로 노출되는 상부접속부, 및 상기 러버기판의 일 측면 상에 세로방향을 길게 연장되며 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 포함하는 복수개의 통전패턴들을 포함하고, 수직한 방향으로 적층되는 복수개의 수직회로기판들; 및
    인접하는 수직회로기판들 사이에 배치되어 상기 인접하는 수직회로기판들을 접착하여 일체로 적층하는 복수개의 접착층들을 포함하는 러버소켓.
  9. 제8항에 있어서, 상기 러버기판은 상기 연결부가 배치되는 상기 일 측면은 평판형상을 가지며, 상기 연결부의 반대쪽인 타 측면은 오목한 형상을 가져서 완충공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
  10. 제8항에 있어서, 상기 러버기판과 상기 통전패턴들 사이에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께로 배치되고, 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
  11. 실리콘러버 또는 합성고무를 성형하여 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판을 제조하는 단계;
    상기 러버기판의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 도전성물질을 포함하고 하부접속부, 상부접속부, 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 각각 포함하는 복수개의 통전부재들을 형성하여 수직회로기판을 형성하는 단계;
    상기 하부접속부들 및 상기 상부접속부들이 각각 상기 러버기판의 하부쪽 및 상부쪽으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들을 세로방향으로 적층하는 단계; 및
    상기 세로방향으로 적층된 수직회로기판들을 결합시키는 단계를 포함하는 러버소켓의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 러버기판의 상기 하면, 상기 상면, 및 상기 일 측면 상에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께를 가지며 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 통전부재들을 형성하는 단계는, 상기 하부접속부, 상기 상부접속부, 및 상기 연결부를 상기 완충박막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 러버소켓의 제조방법.
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