KR20170140083A

KR20170140083A - 러버소켓 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20170140083A
Application number: KR1020170069316A
Authority: KR
Inventors: 김형익
Original assignee: 김형익
Priority date: 2016-06-10
Filing date: 2017-06-02
Publication date: 2017-12-20
Also published as: WO2017213387A1; CN109313216A; KR101928191B1; KR20170140082A; KR101928192B1; US20190137541A1

Abstract

러버소켓은 복수개의 수직회로기판들 및 복수개의 접착층들을 포함한다. 상기 수직회로기판들은 수직방향으로 적층된다. 상기 각 수직회로기판은 러버기판과, 복수개의 통전패턴들을 포함한다. 상기 러버기판은 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복된다. 상기 각 통전패턴은 상기 러버기판의 하면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 하부쪽으로 노출되는 하부접속부, 상기 러버기판의 상면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 상부쪽으로 노출되는 상부접속부, 및 상기 러버기판의 일 측면 상에 세로방향을 길게 연장되며 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 포함한다. 상기 접착층들은 인접하는 수직회로기판들 사이에 배치되어 상기 인접하는 수직회로기판들을 접착하여 일체로 적층한다.

Description

러버소켓 및 그 제조방법{RUBBER SOCKET AND METHOD OF MANUFACTUREING THE SAME}

본 발명은 러버소켓 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된 러버소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다.

반도체 제조공정에 있어서, 검사공정은 출시되는 제품의 신뢰도와 직결되는 것으로 매우 중요하다. 반도체는 패키징 단계까지 끝난 후 뿐만 아니라, 그 이전단계에서도 중간중간 검사가 필요하다.

패키징이전 또는 이후 단계에서 반도체의 전기적 특성을 검사하기 위해서는, 반도체의 패드에 전기를 인가해야 한다. 고집적 회로를 갖는 반도체의 패드에 전기를 직접 인가하는 것은 거의 불가능하기 때문에, 이방성 특성을 갖는 패드를 반도체와 테스트 스테이지의 사이에 배치한다. 테스트 스테이지에 인가된 전기는 이방성 패드를 통과하여 반도체로 인가되어 테스트를 수행한다.

종래의 이방성 패드는 전극 사이에 절연실리콘 고무가 위치하고 상하의 전극내부에는 전도성 파티클이 잘 분산된 실리콘 레진을 경화시켜 전극 상하에 전기적으로 통전된 상태가 되는 구조를 가지고 있다.

이는 각 전극마다 분산된 상태가 다르므로 제품의 신뢰성이 제품마다 균일하지 못하게 되며, 전극을 30%이상 누르게 되면 전도성 파티클이 실리콘을 찢어 조금씩 이동함으로 인하여 제품의 품질 및 수명단축을 초래하게 된다.

또한 실리콘의 높이가 증가하게 되면 품질이 확연히 저하된다. 반대로, 전극의 피치를 줄이게 되면 제품의 수명이 줄고 전기적 특성도 저하되는 문제점이 발생한다.

다른 이방성 패드의 기술로서 실리콘 고무에 전선을 박아넣는 기술이 연구되었다. 그러나 실리콘 고무에 전선을 박아넣는 경우, 테스트가 반복되는 과정에서 전선 및 패드가 실리콘 고무 내로 매립되는 문제점이 발생했다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 대한민국등록특허 제10-1418590호, 제10-1544844호과 같이 와어어본딩을 이용한 이방성패드 기술이 개발되었다. 그러나 와이어본딩을 이용하는 경우, 와이어와 패드를 연결시키기 위하여 0.1mm 이상의 해상도를 갖는 패드가 필요하다. 또한 와이어 자체의 단면적이 감소하여 신호의 크기가 증가하는 경우 와이어가 저항으로 작용하거나 발열에 의해 신호가 왜곡된다. 또한 와이어가 쉽게 끊어지는 문제점이 있다.

반도체 집적도가 계속 상승하고 있으나, 0.1mm 보다 작은 크기의 패드에 와이어를 연결시킬 수 없어서 반도체 제품의 테스트에 어려움이 있다. 또한 패드의 크기가 작아질 수록 와이어와의 연결이 불안정하여 러버소켓의 수명이 감소하는 문제점이 있다.

대한민국등록특허 제10-1418590호, "와이어드 러버 컨택트 러버 및 그 제조방법" 대한민국등록특허 제10-1544844호, "와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법"

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된 러버소켓이 제안된다.

본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 러버소켓의 제조방법이 제안된다.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 러버소켓은 복수개의 수직회로기판들 및 복수개의 접착층들을 포함한다. 상기 수직회로기판들은 수직방향으로 적층된다. 상기 각 수직회로기판은 러버기판과, 복수개의 통전패턴들을 포함한다. 상기 러버기판은 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복된다. 상기 각 통전패턴은 상기 러버기판의 하면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 하부쪽으로 노출되는 하부접속부, 상기 러버기판의 상면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 상부쪽으로 노출되는 상부접속부, 및 상기 러버기판의 일 측면 상에 세로방향을 길게 연장되며 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 포함한다. 상기 접착층들은 인접하는 수직회로기판들 사이에 배치되어 상기 인접하는 수직회로기판들을 접착하여 일체로 적층한다.

일 실시예에서, 상기 러버기판은 상기 연결부가 배치되는 상기 일 측면은 평판형상을 가지며, 상기 연결부의 반대쪽인 타 측면은 오목한 형상을 가져서 완충공간을 형성할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 러버소켓은 상기 러버기판과 상기 통전패턴들 사이에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께로 배치되고, 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 더 포함할 수 있다.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 러버소켓의 제조방법에 있어서, 먼저 실리콘러버 또는 합성고무를 성형하여 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판을 제조한다. 이어서 상기 러버기판의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 도전성물질을 포함하고 하부접속부, 상부접속부, 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 각각 포함하는 복수개의 통전부재들을 형성하여 수직회로기판을 형성한다. 이후에 상기 하부접속부들 및 상기 상부접속부들이 각각 상기 러버기판의 하부쪽 및 상부쪽으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들을 세로방향으로 적층한다. 마지막으로 상기 세로방향으로 적층된 수직회로기판들을 결합시킨다.

일 실시예에서, 상기 러버소켓의 제조방법은 상기 러버기판의 상기 하면, 상기 상면, 및 상기 일 측면 상에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께를 가지며 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 통전부재들을 형성하는 단계는, 상기 하부접속부, 상기 상부접속부, 및 상기 연결부를 상기 완충박막 상에 형성할 수 있다.

상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 러버소켓이 와이어나 패드 대신에 수직방향으로 적층된 복수개의 수직회로기판들을 사용하여 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.

또한 수직회로기판의 통전패턴의 폭을 조절하여 통전패턴의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.

또한 통전패턴이 수직회로기판과 일체로 형성되어, 통전패턴의 끊어짐이 방지되어 러버소켓의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.

또한, 반도체 칩의 집적도가 향상되어 인접하는 칩 전극패드들 사이의 거리가 줄어들더라도, 수직회로기판의 두께를 조절하는 것만으로 고집적 반도체칩을 용이하게 테스트를 수행할 수 있다.

또한 통전패턴의 형상을 임으로 디자인할 수 있기에, 검사의 종류에 따라 최적화된 검사장비의 구성이 가능하다.

또한 별도로 얼라인 없이 단순시 수직회로기판들을 적층하기만 하면 되므로, 제조공정이 단순해지고 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.

또한 종래의 전극과 와이어타입의 러버소켓에 비교하여 별도의 솔더링이나 융착공정이 필요없기 때문에 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트과정에서 반도체칩의 손상이 방지된다.

또한, 수직회로기판이 완충박막을 포함하여 러버기판의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴을 보호한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 수직회로기판을 나타내는 측면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.
도 8 내지 도 11은 도 6에 도시된 수직회로기판의 제조방법을 나타내는 사시도들이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 구성요소에 대해 사용하였다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시(說示)된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 러버소켓을 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 수직회로기판을 나타내는 단면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 러버소켓(1010) 상에 반도체칩(20)이 배치된다. 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)은 러버소켓(1010)의 상면에 배치된 노출된 상부접속부(1333)에 접촉된다.

러버소켓(1010)의 하부에는 스테이지(30)가 배치된다. 예를 들어, 스테이지(30)는 반도체 칩(20) 검사용 스테이지일 수 있다. 러버소켓(10)의 하부로 노출된 하부접속부(1331)는 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)에 접촉된다.

반도체 칩(20)이 스테이지(30) 방향으로 가압되면 반도체 칩(20)의 칩전극패드들(21)은 러버소켓(1010)을 통하여 스테이지(30)의 스테이지 전극패드(31)에 전기적으로 연결된다.

스테이지 전극패드(31)를 통하여 인가된 검사신호에 의해 반도체 칩(20)이 검사된다.

러버소켓(1010)은 복수개의 수직회로기판들(1300) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.

수직회로기판들(1300)은 스테이지(30)의 상면을 기준으로 수직한 방향을 적층되고 접착층들(1305)에 의해 인접하는 수직회로기판들(1300)과 연결되어 일체로 형성된다.

도 4는 도 3에 도시된 수직회로기판을 나타내는 측면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 각 수직회로기판(1300)은 러버기판(1310) 및 통전패턴(1330)을 포함한다.

러버기판(1310)은 실리콘러버, 레진, 합성고무 등과 같이 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 물질을 포함한다.

러버기판(1310)은 세로방향으로 연장되는 직사각형 평판형상을 갖는다. 도 5에는 러버기판(1310)이 직육면체 형상으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위하여 z방향의 두께를 과장한 것으로 실제로는 x축 및 y축 방향의 z방향에 비해 큰 크기를 가져서 얇은 평판형상을 갖는다. 러버기판(1310)의 두께는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리보다 얇다. 러버기판(1310)의 두께가 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리보다 두꺼우면, 인접하는 칩전극패드들(21) 사이에 쇼트가 발생될 수 있다.

통전패턴(1330)은 러버기판(1310)의 상면일부, 측면, 및 하면일부를 커버하며, 세로방향으로 길게 연장된 형상을 갖는다.

본 실시예에서, 러버기판(1310)의 일 측면에는 통전패턴(1330)의 연결부(1335)가 배치되고, 타 측면에는 완충공간(1315)이 형성된다.

완충공간(1315)은 러버기판(1310)의 타 측면과 인접하는 러버기판(1310)의 일 측면 사이의 이격거리를 증가시킨다. 반도체 칩(20)의 검사과정에서 상하방향의 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 눌러지는 경우, 러버기판(1310)이 휘어질 수 있다. 러버기판(1310)의 타 측면과 인접하는 러버기판(1310)의 일 측면 사이의 이격거리가 증가되면, 상하방향의 외력에 의해 러버기판(1310)이 휘어질 수 있는 공간을 제공하여 수직회로기판들(1300)이 외력을 부드럽게 완충할 수 있다.

통전패턴(1330)은 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함한다.

하부접속부(1331)는 러버기판(1310)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다. 하부접속부(1331)이 완충공간에 인접하는 위치까지 연장되는 경우, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형될 때 인접하는 수직회로기판들(1300)의 하부접속부들(1331)이 쇼트될 수 있다. 본 실시예에서, 하부접속부(1331)는 러버기판(1310)의 하면의 일부에만 배치되기 때문에, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형되더라도 인접하는 하부접속부들(1331) 사이에 쇼트되는 현상이 방지된다.

상부접속부(1333)는 러버기판(1310)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다. 상부접속부(1333)이 완충공간에 인접하는 위치까지 연장되는 경우, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형될 때 인접하는 수직회로기판들(1300)의 상부접속부들(1333)이 쇼트될 수 있다. 본 실시예에서, 상부접속부(1333)는 러버기판(1310)의 상면의 일부에만 배치되기 때문에, 외력에 의해 수직회로기판들(1300)이 변형되더라도 인접하는 상부접속부들(1333) 사이에 쇼트되는 현상이 방지된다.

연결부(1335)는 러버기판(1310)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다. 연결부(1335)는 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.

인접하는 수직회로기판들(1300)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.

반도체칩(20)이 스테이지(30) 상에서 검사되는 경우, 러버소켓(1010)은 반도체칩(20)과 스테이지(30) 사이에 배치되고, 수직회로기판들(1300)은 세로방향으로 배열되어 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31) 사이에 배치된다. 통전패턴들(1330)의 하부접속부들(1331)은 칩전극패드들(21)과 접촉되고 상부접속부들(1333)은 스테이지 전극패드들(31)과 접촉되어, 스테이지 전극패드들(31)과 칩전극패드들(21)이 수직회로기판들(1300)을 통하여 전기적으로 연결된다.

본 실시예의 러버소켓(1010)을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1310)을 형성한다.

이어서 러버기판(1310)의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 각각 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 형성하여 러버기판(1310) 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1300)을 형성한다. 예를 들어, 통전패턴(1330)은 증착, 도금 등을 이용하여 러버기판(1310)의 표면에 금속막을 형성한 후에, 식각공정, 레이저가공, 물리가공 등을 통하여 금속막을 패터닝하여 형성될 수 있다.

이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1300)을 세로방향으로 적층한다.

계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1300)을 결합시켜서 러버기판(1310)을 완성한다.

상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 러버소켓(1010)이 와이어나 패드 대신에 수직방향으로 적층된 복수개의 수직회로기판들(1300)을 사용하여 외부의 충격이나 반복되는 반도체칩(20) 테스트에서 외부의 압력을 효과적으로 분산시킬 수 있다.

또한 수직회로기판(1300)의 통전패턴(1330)의 폭을 조절하여 통전패턴(1330)의 표면적을 증가시켜서 저항을 감소시킬 수 있다.

또한 통전패턴(1330)이 수직회로기판(1300)에 일체로 형성되어, 통전패턴(1330)의 끊어짐이 방지되어 러버소켓(1010)의 수명이 증가하고 신뢰성이 향상된다.

또한 별도로 얼라인 없이 단순시 수직회로기판들(1300)을 적층하기만 하면 되므로, 제조공정이 단순해지고 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.

또한 종래의 전극과 와이어타입의 러버소켓에 비교하여 별도의 솔더링이나 융착공정이 필요없기 때문에 러버소켓의 단부가 밀려들어가는 현상이 방지되어 수명이 연장되며 디자인이 우수하고 테스트과정에서 반도체칩(20)의 손상이 방지된다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 수직회로기판을 나타내는 사시도이다. 본 실시예에서, 완충박막을 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.

도 1, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 러버소켓은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.

러버소켓은 복수개의 수직회로기판들(1301) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.

수직회로기판들(1301)은 스테이지(30)의 상면을 기준으로 수직한 방향을 적층되고 접착층들(1305)에 의해 인접하는 수직회로기판들(1301)과 연결되어 일체로 형성된다.

각 수직회로기판(1301)은 러버기판(1311), 완충박막(1313), 및 통전패턴(1330)을 포함한다.

러버기판(1311)은 실리콘러버, 레진, 합성고무 등과 같이 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 물질을 포함한다.

완충박막(1313)은 러버기판(1311)의 일 측면, 상면, 및 하면에 배치된다. 예를 들어, 완충박막(1313)은 러버기판(1311)과 통전패턴들(1330)의 사이에 배치될 수 있다.

완충박막(1313)은 폴리이미드, 폴리비닐, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, FR4, PVC 등의 합성수지를 포함할 수 있다. 완충박막(1313)은 통전패턴(1330)과의 밀착력이 우수한 재질을 포함하고 동일한 외력에 의해 변형되는 정도가 러버기판(1311)보다 작다.

완충박막(1313)은 러버기판(1311)보다 얇은 두께를 갖는다. 본 실시예에서, 완충박막(1313)은 10μm 내지 200μm 의 두께를 가질 수 있다. 완충박막(1313)의 두께가 너무 얇으면 외력에 의해 러버기판(1313)이 변형되는 과정에서 찢어질 수가 있다. 반면에 완충박막(1313)의 두께가 너무 두꺼우면 러버기판(1313)자체의 변형까지 방지하여 러버소켓의 완충동작에 지장이 생길 수 있다. 예를 들어, 완충박막(1313)은 20μm 내지 100μm의 두께를 가질 수 있다.

완충박막(1313)은 러버기판(1311)의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴(1330)을 보호한다.

본 실시예에서, 러버기판(1311)의 일 측면에는 완충박막(1313)이 배치되고, 타 측면에는 완충공간(1315)이 형성된다.

통전패턴(1330)은 완충박막(1313) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(1330)이 완충박막(1313) 상에 세로방향으로 서로 평행하게 배열된다.

하부접속부(1331)는 완충박막(1313)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.

상부접속부(1333)는 완충박막(1313)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.

연결부(1335)는 완충박막(1313)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다.

인접하는 수직회로기판들(1301)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.

도 8 내지 도 11은 도 6에 도시된 수직회로기판의 제조방법을 나타내는 사시도들이다.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1311)을 형성한다. 본 실시예에서, 몰딩, 성형, 커팅 등의 방법을 통하여 원하는 피치에 디자인된 두께와 크기로 실리콘러버, 합성고무 등을 성형한다. 예를 들어, 금형 내에 액상실리콘 또는 고상실리콘을 주입하여 실리콘러버를 포함하는 러버기판(1311)을 형성한다.

러버기판(1311)의 일 측면(S1)은 평판형상을 가지며, 타 측면(S2)은 오목한 형상을 가지며, 상면(U) 및 하면(L)은 얇은 폭으로 길게 연장된 형상을 갖는다.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 이어서 러버기판(1311)의 하면, 상면, 및 일 측면에 완충박막(1313)을 형성한다. 본 실시예에서, 완충박막(1313)은 스프레이코팅, 디핑(dipping), 드라이코팅, 등의 방법을 사용한다.

도 6, 도 7, 및 도 10을 참조하면, 완충박막(1313) 상에 도전층(1330')을 형성한다. 본 실시예에서, 완충박막(1313) 상에 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 로듐, 이들의 합금 등을 증착하거나 도금하여 도전층(1330')을 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 완충박막(1313) 상에 ITO, TO, ZO, 등의 도전성 금속산화물을 증착하여 도전층(1330')을 형성할 수도 있다.

도 6, 도 7, 및 도 11을 참조하면, 도전층(1330')을 패터닝하여 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함하는 통전패턴들(1330)을 형성한다. 본 실시예에서, 도전층(1330')의 표면에 통전패턴들(1330)의 형상에 대응되도록 마스킹을 하고 에칭하거나 다이렉드 레이져를 통하여 도전층(1330')을 패턴하여 세로방향으로 스트라이프 형상을 갖는 통전패턴들(1330)을 형성한다.

따라서 러버기판(1311), 완충박막(1313), 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1301)을 형성한다.

이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1301)을 세로방향으로 적층한다.

계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1301)을 결합시켜서 러버기판을 완성한다.

상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 수직회로기판(1301)이 완충박막(1313)을 포함하여 러버기판(1311)의 과도한 탄성이나 변형을 완화시켜서 통전패턴(1330)을 보호한다.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직회로기판을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 완충박막을 제외한 나머지 구성요소들은 도 6 내지 도 11에 도시된 실시예와 동일하므로 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.

도 1 및 도 12를 참조하면, 러버소켓은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.

러버소켓은 복수개의 수직회로기판들(1302) 및 복수개의 접착층들(1305)을 포함한다.

각 수직회로기판(1302)은 러버기판(1312), 완충박막(1314), 및 통전패턴(1330)을 포함한다.

러버기판(1312)은 평판형상을 갖는 일 측면 및 안쪽으로 휘어져서 완충공간(1315)을 형성하는 타 측면을 포함하고, 세로방향으로 연장된 평판형상을 갖는다.

완충박막(1314)은 러버기판(1312)의 일 측면, 타 측면, 상면, 및 하면에 배치된다.

완충박막(1314)은 러버기판(1312)보다 얇은 두께를 갖는다.

통전패턴(1330)은 완충박막(1314) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 복수개의 통전패턴들(1330)이 완충박막(1314) 상에 세로방향으로 서로 평행하게 배열된다.

하부접속부(1331)는 완충박막(1314)의 하면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.

상부접속부(1333)는 완충박막(1314)의 상면의 일부에만 배치되며 연결부(1335)에 접하고 완충공간(1315)의 반대쪽에 배치된다.

연결부(1335)는 완충박막(1314)의 일 측면에 배치되고 하부접속부(1331)와 상부접속부(1333)를 연결한다.

인접하는 수직회로기판들(1302)은 접착층(1305)에 의해 물리적으로 연결된다.

본 발명의 실시예에 따른 러버소켓을 제조하기 위하여, 먼저 실리콘러버, 합성고무 등을 성형하여 평판형상의 러버기판(1312)을 형성한다.

이어서 러버기판(1312)의 일 측면, 타 측면, 하면, 및 상면에 완충박막(1314)을 형성한다.

이후에 완충박막(1314)의 일 측면, 하면, 및 상면 상에 도전층을 형성한다. 다른 실시예에서, 완충박막(1314)의 일 측면, 타 측면, 하면, 및 상면 상에 도전층을 형성할 수도 있다.

계속해서 도전층을 패터닝하여 하부접속부(1331), 상부접속부(1333), 및 연결부(1335)를 포함하는 통전패턴들(1330)을 형성한다.

따라서 러버기판(1312), 완충박막(1314), 및 통전패턴(1330)을 포함하는 수직회로기판(1302)을 형성한다.

이후에 하부접속부들(1331)과 상부접속부들(1333)이 상하방향으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들(1302)을 세로방향으로 적층한다.

계속해서 접착층(1305)을 이용하여 수직방향으로 적층된 수직회로기판들(1302)을 결합시켜서 러버기판을 완성한다.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버소켓을 이용하여 테스트 스테이지 상의 반도체칩을 검사하는 방법을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 수직회로기판들의 두께를 제외한 나머지 구성요소들은 도 1 내지 도 12에 도시된 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대한 중복되는 설명은 생략한다.

도 13을 참조하면, 러버소켓(1040)은 반도체칩(20)과 스테이지(30)의 사이에 배치되어, 반도체칩(20)의 칩전극패드들(21)과 스테이지(30)의 스테이지 전극패드들(31)을 전기적으로 연결한다.

러버소켓(1040)은 복수개의 수직회로기판들(1400) 및 복수개의 접착층들(1405)을 포함한다.

각 수직회로기판(1402)은 러버기판(1410), 및 통전패턴(1430)을 포함한다.

러버기판(1410)은 평판형상을 가지며, 러버기판(1410)의 두께(t1)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)보다 작다. 본 실시예에서, 러버기판(1410)의 두께(t)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 갖는다. 다른 실시예에서, 인접하는 러버기판들(1410) 사이의 거리(D3)는 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 가질 수 있다.

러버기판(1410)의 두께(t)가 인접하는 칩전극패드들(21) 사이의 거리(D2) 및 인접하는 스테이지 전극패드들(31) 사이의 거리(D1)의 1/2 이하의 크기를 갖는 경우, 인접하는 전극패드들(21, 31) 사이의 쇼트가 방지되어, 신호를 정확히 전달할 수 있는 전기적 신호전달경로가 만들어지게 된다.

20 : 반도체칩 21 : 칩 전극패드
30 : 테스트 스테이지 31 : 스테이지 전극패드
1010 : 러버소켓 1300 : 수직회로기판
1305 : 접착층 1310, 1311, 1312 : 러버기판
1313, 1314 : 완충박막 1315 : 완충공간
1330 : 통전패턴 1331 : 하부접속부
1333 : 상부접속부 1335 : 연결부

Claims

세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판과, 상기 러버기판의 하면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 하부쪽으로 노출되는 하부접속부, 상기 러버기판의 상면일부에만 배치되고 상기 러버기판의 상부쪽으로 노출되는 상부접속부, 및 상기 러버기판의 일 측면 상에 세로방향을 길게 연장되며 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 포함하는 복수개의 통전패턴들을 포함하고, 수직한 방향으로 적층되는 복수개의 수직회로기판들; 및
인접하는 수직회로기판들 사이에 배치되어 상기 인접하는 수직회로기판들을 접착하여 일체로 적층하는 복수개의 접착층들을 포함하는 러버소켓.
제1항에 있어서, 상기 러버기판은 상기 연결부가 배치되는 상기 일 측면은 평판형상을 가지며, 상기 연결부의 반대쪽인 타 측면은 오목한 형상을 가져서 완충공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
제1항에 있어서, 상기 러버기판과 상기 통전패턴들 사이에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께로 배치되고, 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 러버소켓.
실리콘러버 또는 합성고무를 성형하여 세로방향으로 연장되는 평판형상을 가지며 외력에 의해 일시적으로 변형되었다가 상기 외력이 제거되면 본래의 형상으로 회복되는 러버기판을 제조하는 단계;
상기 러버기판의 하면의 일부, 상면의 일부, 및 일 측면에 도전성물질을 포함하고 하부접속부, 상부접속부, 상기 하부접속부와 상기 상부접속부를 연결하는 연결부를 각각 포함하는 복수개의 통전부재들을 형성하여 수직회로기판을 형성하는 단계;
상기 하부접속부들 및 상기 상부접속부들이 각각 상기 러버기판의 하부쪽 및 상부쪽으로 노출되도록 복수개의 수직회로기판들을 세로방향으로 적층하는 단계; 및
상기 세로방향으로 적층된 수직회로기판들을 결합시키는 단계를 포함하는 러버소켓의 제조방법.
제4항에 있어서, 상기 러버기판의 상기 하면, 상기 상면, 및 상기 일 측면 상에 상기 러버기판의 두께보다 얇은 두께를 가지며 상기 외력에 의해 변형되는 정도가 상기 러버기판보다 작은 완충박막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 통전부재들을 형성하는 단계는, 상기 하부접속부, 상기 상부접속부, 및 상기 연결부를 상기 완충박막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 러버소켓의 제조방법.