WO2017188450A1 - レジスト下層膜形成用組成物、それを用いたリソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法、並びに、化合物及びその製造方法 - Google Patents

レジスト下層膜形成用組成物、それを用いたリソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法、並びに、化合物及びその製造方法 Download PDF

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WO2017188450A1
WO2017188450A1 PCT/JP2017/017090 JP2017017090W WO2017188450A1 WO 2017188450 A1 WO2017188450 A1 WO 2017188450A1 JP 2017017090 W JP2017017090 W JP 2017017090W WO 2017188450 A1 WO2017188450 A1 WO 2017188450A1
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group
formula
underlayer film
tellurium
compound
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PCT/JP2017/017090
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匠 樋田
牧野嶋　高史
佐藤　隆
越後　雅敏
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三菱瓦斯化学株式会社
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G79/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon with or without the latter elements in the main chain of the macromolecule
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/58—Metal-containing linkages

Definitions

  • the present invention relates to a tellurium-containing resist underlayer film forming composition used in a multilayer resist method used for microfabrication in a manufacturing process of a semiconductor element or the like, a lithography underlayer film and a pattern forming method using the same, and a compound and It relates to the manufacturing method.
  • microfabrication by lithography using a photoresist has been performed in the manufacture of semiconductor devices.
  • a photoresist thin film is first formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer, and then actinic rays such as ultraviolet rays are irradiated and developed through a mask pattern on which a semiconductor device pattern is drawn. Then, the obtained photoresist pattern is formed.
  • the substrate is etched by using the photoresist pattern as a protective film to form fine irregularities corresponding to the pattern on the substrate surface.
  • a film known as a hard mask containing a metal element such as silicon is used (for example, see Patent Document 1 below).
  • the removal rate by dry etching largely depends on the gas type used in the dry etching. Then, by appropriately selecting the gas type, it is possible to remove the hard mask by dry etching without a significant decrease in the thickness of the photoresist.
  • miniaturization is difficult only with the upper layer resist (photoresist), and it is formed in the lower layer of the upper layer resist in order to achieve various effects including an antireflection effect. If the hard mask is not used, the miniaturization process cannot be realized.
  • a resist lower layer film is provided between an upper layer resist (for example, photoresist, electron beam resist, EUV resist) and a hard mask.
  • an upper layer resist for example, photoresist, electron beam resist, EUV resist
  • Such a resist lower layer film does not cause intermixing with the upper layer resist, has heat resistance, and has a higher etching rate than a mask (patterned upper layer resist) at the time of patterning, thereby forming a good pattern in a rectangle.
  • it is required to exhibit etching resistance because it functions as a mask when patterning a layer provided on a substrate such as a mask or an organic underlayer film.
  • An object of the present invention is to provide a resist underlayer film forming composition having excellent pattern rectangularity, a lithography underlayer film, a pattern forming method, a compound, and a production method thereof.
  • the present inventors have found that a compound and a resin having a specific structure, a silicon-containing compound (for example, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or a hydrolyzed condensate thereof), Since the composition for forming a resist underlayer film contains high heat resistance, it can be used even under high-temperature baking conditions, has high absorptivity to the above-mentioned actinic rays, is highly sensitive, and does not cause intermixing with the resist. The present inventors have found that a fluorine-based dry etching rate larger than that of a resist can be obtained, and the present invention has been achieved.
  • a silicon-containing compound for example, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or a hydrolyzed condensate thereof
  • the present invention is as follows.
  • a resist underlayer film forming composition comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin and a silicon-containing compound.
  • composition for forming a resist underlayer film according to ⁇ 1> wherein the silicon-containing compound is a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or a hydrolysis condensate thereof.
  • X is a 2m-valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, sulfur atom or non-bridged
  • R 0 is independently
  • m is 1
  • each p is independently an integer of 0 to 2
  • n is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • X is a 2m valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom, a single bond or non-bridged
  • R 0A is Independently, a hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, Selected from the group consisting of a hydroxyl group or a group in which a hydrogen atom of a hydroxyl group is substituted with an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group, and combinations thereof, wherein the alkyl group, the alkenyl group, and the aryl group are
  • X 0 is a 2 m-valent group having 0 to 30 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom or non-bridged
  • R 0B is independently selected.
  • n 1 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p)
  • n 2 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p) provided that at least one n 2 is 1 to (It is an integer of 5 + 2 ⁇ p).
  • composition for forming a resist underlayer film according to ⁇ 4> wherein the tellurium-containing compound is represented by the following formula (1B).
  • X 0 , Z, m and p have the same meanings as those in the formula (A-3), and R 1A each independently represents an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group or a halogen atom.
  • R 2 are each independently a hydrogen atom, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group
  • n 1 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p)
  • n 2 is Each independently represents an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p), provided that at least one n 2 is an integer of 1 to (5 + 2 ⁇ p).
  • composition for forming a resist underlayer film according to ⁇ 7> wherein the tellurium-containing compound is represented by the following formula (2A).
  • Z, R 1A , R 2 , p, n 1 , and n 2 have the same meaning as in the formula (1B), and X 1 each independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, A monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a hydrogen atom, or a halogen atom.
  • R 1B and R 1B ′ are each independently an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group.
  • X 1 is the formula and X 1 in (2A)
  • n 1 and n 1 ' is the formula and n 1 of (2A)
  • p and p' p of the formula (2A) has the same meaning as, R 1B and R 1B ', n 1 and n 1', p and p ', the substitution positions and R 1B of R 1B' substitution position of at least one of the different.
  • composition for forming a resist underlayer film according to ⁇ 6> wherein the tellurium-containing compound is represented by the following formula (2B).
  • Z, R 1A , R 2 , p, n 1 and n 2 have the same meanings as the formula (1B).
  • R 1B and R 1B ′ each independently represent an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reaction.
  • n 1 and n 1 ' is the formula and n 1 of (2B)
  • p and p' have the same meaning as p in the formula (2B)
  • ⁇ 16> a compound containing the tellurium, the as R 2, wherein with at least one acid-dissociable reactive group ⁇ 6> to ⁇ 8>, ⁇ 10> - ⁇ 12>, ⁇ 14> - ⁇ 15>
  • the composition for forming a resist underlayer film according to any one of the above.
  • the tellurium-containing compound is any one of the above ⁇ 6> to ⁇ 8>, ⁇ 10> to ⁇ 12>, ⁇ 14> to ⁇ 15>, wherein all of R 2 are hydrogen atoms.
  • A-1 X is a 2m-valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, sulfur atom or non-bridged
  • R 0 is independently
  • m is 1
  • each p is independently an integer of 0 to 2
  • n is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • A-2 X is a 2m valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom, a single bond or non-bridged
  • R 0A is Independently, a hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, Selected from the group consisting of a hydroxyl group or a group in which a hydrogen atom of a hydroxyl group is substituted with an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group, and combinations thereof, wherein
  • the tellurium-containing resin is a resin including a structural unit derived from a compound represented by the following formula (A-3) .
  • A-3 X 0 is a 2 m-valent group having 0 to 30 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom or non-bridged
  • R 0B is independently selected.
  • each X 2 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a hydrogen atom.
  • R 3 is independently a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • R 5 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 5 ′ is independently any one of the above formulas (5 ′), wherein * is the same as R 5 Indicates that you are connected.
  • R 7 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 7 ′ is independently any one of the above formulas (6 ′), wherein * is the same as R 7 Indicates that you are connected.
  • X 4 each independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a hydrogen atom, or
  • Each of R 6 is independently a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom; r is an integer from 0 to 2, and n 6 is from 2 to (4 + 2 ⁇ r).
  • each R 3 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • R 4 is a single bond or any structure represented by the following general formula (5) .
  • R 5 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms
  • each R 5 ′ is independently any one of the above formulas (5 ′), wherein * is the same as R 5 (In the formula (5 ′), * indicates that it is connected to R 5. )
  • R 7 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 7 ′ is independently any one of the above formulas (6 ′), wherein * is the same as R 7 Indicates that you are connected.)
  • each R 6 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • r is an integer from 0 to 2
  • n 6 is from 2 to (4 + 2 ⁇ r).
  • composition for forming a resist underlayer film according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 30> further including an acid crosslinking agent.
  • R 1B and R 1B ′ are each independently an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reaction.
  • a group substituted with a group p and p ′ are each independently an integer of 0 to 2, and n 1 and n 1 ′ are each independently 0 to (5 + 2 ⁇ p), or 0 Is an integer of (5 + 2 ⁇ p ′), and each X 1 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, or a hydrocarbon group A hydrogen atom or a halogen atom, and at least one of R 1B and R 1B ′ , n 1 and n 1 ′ , p and p ′, and R 1B substitution position and R 1B ′ substitution position is different.
  • R 1B and R 1B ′ each independently represent an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reaction.
  • a group substituted with a group p and p ′ are each independently an integer of 0 to 2, and n 1 and n 1 ′ are each independently 0 to (5 + 2 ⁇ p), or An integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p ′), and at least one of R 1B and R 1B ′ , n 1 and n 1 ′ , p and p ′, R 1B substitution position and R 1B ′ substitution position Is different.
  • ⁇ 37> A reaction for obtaining the tellurium-containing resin according to any one of ⁇ 8> to ⁇ 15>, ⁇ 24> and ⁇ 28> from tellurium halide and phenols, and phenol per mole of tellurium halide. A production method using 3 moles or more.
  • the above-mentioned silicon-containing compound is at least one hydrolyzable organosilane selected from the group consisting of the following formulas (D1) and (D2), a hydrolyzate thereof, or a hydrolyzate condensate thereof.
  • R 3 is an alkyl group, aryl group, aralkyl group, halogenated alkyl group, halogenated aryl group, halogenated aralkyl group, alkenyl group, epoxy group, acryloyl group, methacryloyl group, mercapto group, alkoxy.
  • R 4 represents an alkoxy group, an acyloxy group or a halogen group, and a represents an integer of 0 to 3.
  • a resist underlayer film is formed using the resist underlayer film forming composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 31> and ⁇ 38>, and on the resist underlayer film,
  • a pattern forming method comprising: forming at least one photoresist layer, irradiating a predetermined region of the photoresist layer with radiation, and performing development.
  • An organic underlayer film is formed on the substrate using a coating-type organic underlayer film material, and the resist underlayer according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 31> and ⁇ 38> is formed on the organic underlayer film.
  • a resist underlayer film is formed using the film forming composition, an upper resist film is formed on the resist underlayer film using an upper resist film composition, an upper layer resist pattern is formed on the upper resist film, The upper resist pattern is used as a mask to transfer the pattern to the resist lower layer film by etching, the resist lower layer film to which the pattern is transferred is used as a mask to transfer the pattern to the organic lower layer film, and the pattern is transferred.
  • a pattern forming method comprising transferring a pattern to the substrate by etching using an organic underlayer film as a mask.
  • An organic hard mask mainly composed of carbon is formed on a substrate by a CVD method, and the resist underlayer according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 31> and ⁇ 38> is formed on the organic hard mask.
  • a resist underlayer film is formed using the film forming composition, an upper resist film is formed on the resist underlayer film using an upper resist film composition, an upper layer resist pattern is formed on the upper resist film, The upper resist pattern is used as a mask to transfer the pattern to the resist lower layer film by etching, the resist lower layer film to which the pattern is transferred is used as a mask to transfer the pattern to the organic hard mask, and the pattern is transferred.
  • a pattern forming method comprising transferring a pattern to the substrate by etching using an organic hard mask as a mask.
  • a resist underlayer film forming composition having excellent pattern rectangularity, a lithography underlayer film, a pattern forming method, a compound, and a method for producing the same.
  • the resist underlayer film forming composition of the present invention comprises a tellurium-containing compound or tellurium-containing resin, a silicon-containing compound (for example, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or a hydrolyzed condensate thereof), Is a composition for forming a resist underlayer film.
  • the resist underlayer film forming composition of the present invention has a relatively high carbon concentration, a relatively low oxygen concentration, high heat resistance, and high solvent solubility. For this reason, it is excellent in the rectangularity of a pattern.
  • composition for forming a resist underlayer film of the present invention can be suitably used, for example, in a multilayer resist method further comprising a resist underlayer film between an upper layer resist (photoresist or the like) and a hard mask or an organic underlayer film.
  • a resist lower layer film is formed on the substrate via an organic lower layer film or a hard mask by a coating method or the like, and an upper layer resist (for example, photoresist, Electron beam resist, EUV resist) is formed.
  • an upper layer resist for example, photoresist, Electron beam resist, EUV resist
  • a resist pattern is formed by exposure and development, the resist underlayer film is dry-etched using the resist pattern, the pattern is transferred, the organic underlayer film is etched, and the pattern is transferred by the organic underlayer film.
  • the resist underlayer film formed using the resist underlayer film forming composition of the present invention hardly causes intermixing with the upper layer resist and has heat resistance, for example, halogen-based (fluorine-based) etching. Since the etching rate with respect to the gas is larger than that of the patterned upper layer resist used as a mask, a good pattern can be obtained in a rectangular shape. Furthermore, since the resist underlayer film formed using the resist underlayer film forming composition of the present invention has high resistance to oxygen-based etching gas, it can be used as a good mask when patterning a layer provided on a substrate such as a hard mask. Can function.
  • the resist underlayer film forming composition of the present invention can also be used in an embodiment in which a plurality of resist underlayer films are laminated.
  • the position of the resist underlayer film formed using the composition for forming a resist underlayer film of the present invention is not particularly limited, and may be directly below the upper layer resist. It may be a layer located closest to the substrate, or may be sandwiched between resist underlayer films.
  • the resist film thickness tends to be thin in order to prevent pattern collapse.
  • dry etching for transferring a pattern to a film existing in a lower layer by reducing the thickness of the resist, the pattern cannot be transferred unless the etching rate is higher than that of the upper layer.
  • the substrate can be covered with a resist underlayer film (containing a silicon compound) via an organic underlayer film, and further coated with a resist film (organic resist film).
  • the organic component film and the inorganic component film differ greatly in the dry etching rate depending on the selection of the etching gas, the organic component film increases the dry etching rate with the oxygen-based gas, and the inorganic component film contains a halogen. Gas increases the dry etching rate.
  • the underlying organic underlayer film is dry-etched with an oxygen-based gas to transfer the pattern to the organic underlayer film, and the pattern-transferred organic underlayer film contains a halogen-containing gas.
  • an oxygen-based gas to transfer the pattern to the organic underlayer film
  • the pattern-transferred organic underlayer film contains a halogen-containing gas. Can be used to perform substrate processing.
  • the resist underlayer film by the composition for forming a resist underlayer film of the present invention comprises a tellurium-containing compound excellent in absorptivity to actinic rays or a tellurium-containing resin and a silicon-containing compound (for example, hydrolyzable organosilane). , Its hydrolyzate or its hydrolyzate condensate), thereby improving the sensitivity of the upper layer resist, causing no intermixing with the upper layer resist, and the pattern shape of the resist underlayer film after exposure and development becomes a rectangle. This makes it possible to process a substrate with a fine pattern.
  • the resist underlayer film by the composition for forming a resist underlayer film of the present invention has high heat resistance, it can be used under high temperature baking conditions. Furthermore, since it has a relatively low molecular weight and low viscosity, even a substrate having a step (particularly, a fine space or hole pattern) can be easily filled uniformly into every corner. The material for forming a lower layer film for lithography using this tends to have a relatively advantageous increase in flatness and embedding characteristics.
  • the resist underlayer film forming composition of the present invention is a resist underlayer film forming composition containing a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin and a silicon-containing compound.
  • the composition for forming a resist underlayer film of the present invention contains a compound or resin containing a specific structure and a silicon-containing compound (for example, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof or a hydrolysis condensate thereof). Therefore, the carbon concentration is relatively high, the oxygen concentration is relatively low, the heat resistance is high, and the solvent solubility is also high.
  • the resist underlayer film forming composition is obtained, for example, by using a compound represented by the following formula (A-1) and a monomer thereof (that is, a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1)). 1 type or more chosen from resin.
  • the first embodiment of the resist underlayer film forming composition of the present embodiment can contain a compound containing tellurium represented by the following formula (A-1).
  • X is a 2m-valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, sulfur atom or non-bridged
  • R 0 is independently
  • a monovalent group containing an oxygen atom a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a halogen atom, and combinations thereof
  • m is 1
  • Each is an integer of 0 to 4
  • each p is independently an integer of 0 to 2
  • n is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • the chemical structure of the compound contained in the composition for forming a resist underlayer film of this embodiment can be determined by 1 H-NMR analysis. Since the compound contained in the resist underlayer film forming composition of this embodiment contains tellurium as represented by the formula (A-1), a sensitizing effect can be expected particularly in lithography using EUV. Moreover, since it has a benzene skeleton or a naphthalene skeleton, it has excellent heat resistance.
  • m is an integer of 1 to 4.
  • the structural formulas of the m repeating units may be the same or different.
  • m is preferably 1 to 3 from the viewpoint of resist properties such as heat resistance, resolution, and roughness.
  • structural formula of repeating unit hereinafter referred to as “structural formula of repeating unit”. The same applies to the formula).
  • the ring structure A is preferably a benzene structure or a naphthalene structure from the viewpoint of solubility.
  • X, Z and R 0 are bonded to any bondable site on the ring structure A.
  • X is a 2 m-valent group having 0 to 60 carbon atoms and containing tellurium.
  • Examples of X include a single bond containing tellurium or a 2 m-valent hydrocarbon group having 0 to 60 carbon atoms and containing tellurium.
  • Examples of the 2m-valent group include those having a linear, branched or cyclic structure.
  • the 2m-valent hydrocarbon group may have an alicyclic hydrocarbon group, a double bond, a hetero atom, or an aromatic group having 6 to 60 carbon atoms.
  • the alicyclic hydrocarbon group includes a bridged alicyclic hydrocarbon group.
  • X preferably has a condensed polycyclic aromatic group (especially a condensed ring structure having 2 to 4 rings) from the viewpoint of heat resistance.
  • polyphenyl such as a biphenyl group is preferable. It preferably has a group.
  • 2 m-valent group having 0 to 60 carbon atoms and including tellurium represented by X include the following groups.
  • Z represents an oxygen atom, a sulfur atom or no bridge.
  • each Z may be the same or different.
  • structural formulas of different repeating units may be bonded via Z.
  • structural formulas of different repeating units may be bonded via Z, and the structural formulas of the plurality of repeating units may constitute a cup-type structure.
  • Z is preferably an oxygen atom or a sulfur atom from the viewpoint of heat resistance.
  • R 0 is a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a halogen atom, or a combination thereof.
  • the monovalent group containing an oxygen atom is not limited to the following, but examples thereof include an acyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a straight chain having 1 to 6 carbon atoms.
  • acyl group having 1 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, for example, methanoyl group (formyl group), ethanoyl group (acetyl group), propanoyl group, butanoyl group, pentanoyl group, hexanoyl group, octanoyl group, decanoyl group And benzoyl group.
  • alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group And decyloxycarbonyl group.
  • linear alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms examples include, but are not limited to, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group Etc.
  • Examples of the branched alkyloxy group having 3 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, an isopropoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group, and the like.
  • Examples of the C3-C20 cyclic alkyloxy group include, but are not limited to, a cyclopropoxy group, a cyclobutoxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a cyclooctyloxy group, and a cyclodecyloxy group. .
  • linear alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms examples include, but are not limited to, vinyloxy group, 1-propenyloxy group, 2-propenyloxy group, 1-butenyloxy group, 2-butenyloxy group and the like. It is done.
  • Examples of the branched alkenyloxy group having 3 to 6 carbon atoms include, but are not limited to, an isopropenyloxy group, an isobutenyloxy group, an isopentenyloxy group, and an isohexenyloxy group.
  • Examples of the cyclic alkenyloxy group having 3 to 10 carbon atoms include, but are not limited to, for example, cyclopropenyloxy group, cyclobutenyloxy group, cyclopentenyloxy group, cyclohexenyloxy group, cyclooctenyloxy group, cyclodecenyloxy group, and the like. Nyloxy group etc. are mentioned.
  • aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms examples include, but are not limited to, phenyloxy group (phenoxy group), 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, and the like.
  • acyloxy group having 1 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, formyloxy group, acetyloxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, and benzoyloxy group.
  • alkoxycarbonyloxy group having 2 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, for example, methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, propoxycarbonyloxy group, butoxycarbonyloxy group, octyloxycarbonyloxy group, decyloxycarbonyl An oxy group etc. are mentioned.
  • alkoxycarbonylalkyl group having 2 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, for example, methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, n-propoxycarbonylmethyl group, isopropoxycarbonylmethyl group, n-butoxycarbonylmethyl group Etc.
  • Examples of the 1-substituted alkoxymethyl group having 2 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, for example, 1-cyclopentylmethoxymethyl group, 1-cyclopentylethoxymethyl group, 1-cyclohexylmethoxymethyl group, 1-cyclohexylethoxymethyl group 1-cyclooctylmethoxymethyl group, 1-adamantylmethoxymethyl group and the like.
  • Examples of the cyclic etheroxy group having 2 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, tetrahydropyranyloxy group, tetrahydrofuranyloxy group, tetrahydrothiopyranyloxy group, tetrahydrothiofuranyloxy group, 4-methoxytetrahydro Examples include a pyranyloxy group and a 4-methoxytetrahydrothiopyranyloxy group.
  • alkoxyalkyloxy group having 2 to 20 carbon atoms examples include, but are not limited to, methoxymethoxy group, ethoxyethoxy group, cyclohexyloxymethoxy group, cyclohexyloxyethoxy group, phenoxymethoxy group, phenoxyethoxy group, and the like. .
  • the (meth) acryl group is not limited to the following, and examples thereof include an acryloyloxy group and a methacryloyloxy group.
  • the glycidyl acrylate group is not particularly limited as long as it can be obtained by reacting glycidyloxy group with acrylic acid.
  • the glycidyl methacrylate group is not particularly limited as long as it can be obtained by reacting glycidyloxy group with methacrylic acid.
  • Examples of the monovalent group containing a sulfur atom include, but are not limited to, a thiol group.
  • the monovalent group containing a sulfur atom is preferably a group in which a sulfur atom is directly bonded to the carbon atom constituting the ring structure (A-1) in the formula (A-1).
  • Examples of the monovalent group containing a nitrogen atom include, but are not limited to, a nitro group, an amino group, and a diazo group.
  • the monovalent group containing a nitrogen atom is preferably a group in which a nitrogen atom is directly bonded to the carbon atom constituting the ring structure (A-1) in the formula (A-1).
  • hydrocarbon group examples include, but are not limited to, straight chain alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 6 carbon atoms, cyclic alkyl groups having 3 to 10 carbon atoms, and 2 carbon atoms. And a straight chain alkenyl group having 6 to 6 carbon atoms, a branched alkenyl group having 3 to 6 carbon atoms, a cyclic alkenyl group having 3 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.
  • linear alkyl group having 1 to 6 carbon atoms examples include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group and the like. It is done.
  • Examples of the branched alkyl group having 3 to 6 carbon atoms include, but are not limited to, isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, neopentyl group, and 2-hexyl group.
  • Examples of the cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms include, but are not limited to, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecyl group.
  • straight chain alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms examples include, but are not limited to, vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group (allyl group), 1-butenyl group, 2-butenyl group, 2 -Pentenyl group, 2-hexenyl group and the like.
  • Examples of the branched alkenyl group having 3 to 6 carbon atoms include, but are not limited to, an isopropenyl group, an isobutenyl group, an isopentenyl group, and an isohexenyl group.
  • Examples of the cyclic alkenyl group having 3 to 10 carbon atoms include, but are not limited to, a cyclopropenyl group, a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclooctenyl group, and a cyclodecynyl group.
  • aryl group having 6 to 10 carbon atoms examples include, but are not limited to, a phenyl group and a naphthyl group.
  • halogen atom examples include, but are not limited to, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • each n is independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • at least one of n in the formula (A-1) is an integer of 1 to 4.
  • At least one of R 0 in the above formula (A-1) is preferably a monovalent group containing an oxygen atom.
  • the tellurium-containing compound represented by the formula (A-1) is preferably a tellurium-containing compound represented by the following formula (A-2) from the viewpoint of curability.
  • X is a 2m valent group having 0 to 60 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom, a single bond or non-bridged
  • R 0A is Independently, a hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, Selected from the group consisting of a hydroxyl group or a group in which a hydrogen atom of a hydroxyl group is substituted with an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group, and combinations thereof, wherein the alkyl group, the alkenyl group, and the aryl group are , Ether bond, ketone bond or ester bond, m is an integer of 1 to 4, p is independently an integer of 0 to 2, and n is
  • the tellurium-containing compound represented by the formula (A-1) is preferably a tellurium-containing compound represented by the following formula (A-3) from the viewpoint of solubility in a safe solvent.
  • X 0 is a 2 m-valent group having 0 to 30 carbon atoms including tellurium
  • Z is an oxygen atom, a sulfur atom or non-bridged
  • R 0B is independently selected.
  • p is each independently an integer of 0 to 2
  • n is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • the compound containing tellurium represented by the formula (A-1) is preferably a compound other than BMPT, BHPT, and TDP described later.
  • the tellurium-containing compound represented by the formula (A-1) is preferably a tellurium-containing compound represented by the following formula (1A).
  • X, Z, m and p are as defined in the formula (A-1), and each R 1 independently represents a hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group.
  • n 1 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p)
  • n 2 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p) provided that at least one n 2 is 1 to (It is an integer of 5 + 2 ⁇ p).
  • n 1 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p)
  • n 2 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p).
  • At least one n 2 is an integer of 1 to (5 + 2 ⁇ p). That is, the compound containing tellurium of the general formula (1) has at least one “—OR 2 ” for one ring structure A.
  • X, Z, R 1 and —OR 2 are bonded to any bondable site on the ring structure A. For this reason, the upper limit of n 1 + n 2 in one ring structure A coincides with the upper limit of the number of sites capable of binding in ring structure A after taking into account X and Z and the binding sites.
  • R 1 each independently represents a hydrocarbon group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. Selected from the group consisting of 40 aryl groups, and combinations thereof, wherein the alkyl group, the alkenyl group and the aryl group may comprise an ether bond, a ketone bond or an ester bond.
  • examples of the hydrocarbon group represented by R 1 include a substituted or unsubstituted linear, substituted or unsubstituted branched or substituted or unsubstituted cyclic hydrocarbon group.
  • linear, branched or cyclic hydrocarbon group examples include, but are not limited to, for example, a linear alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a branched alkyl group having 3 to 30 carbon atoms, and 3 to 3 carbon atoms. There are 30 cyclic alkyl groups.
  • linear alkyl group having 1 to 30 carbon atoms examples include, but are not limited to, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, and an n-hexyl group. It is done.
  • Examples of the branched alkyl group having 3 to 30 carbon atoms include, but are not limited to, isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group and the like.
  • Examples of the cyclic alkyl group having 3 to 30 carbon atoms include, but are not limited to, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecyl group.
  • the aryl group represented by R 1 includes, but is not limited to, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group and a naphthyl group.
  • examples of the alkenyl group represented by R 1 include, but are not limited to, a substituted or unsubstituted alkenyl group, such as a linear alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, 30 branched alkenyl groups, and cyclic alkenyl groups having 3 to 30 carbon atoms.
  • linear alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms examples include, but are not limited to, vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group (allyl group), 1-butenyl group, 2-butenyl group, 2 -Pentenyl group, 2-hexenyl group and the like.
  • Examples of the branched alkenyl group having 3 to 30 carbon atoms include, but are not limited to, an isopropenyl group, an isobutenyl group, an isopentenyl group, and an isohexenyl group.
  • Examples of the cyclic alkenyl group having 3 to 30 carbon atoms include, but are not limited to, a cyclopropenyl group, a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclohexenyl group, a cyclooctenyl group, and a cyclodecynyl group.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • substitution means that, unless otherwise defined, one or more hydrogen atoms in a functional group are a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a heterocyclic group, or a carbon number of 1 -20 linear aliphatic hydrocarbon group, branched aliphatic hydrocarbon group having 3-20 carbon atoms, cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3-20 carbon atoms, aryl group having 6-20 carbon atoms, carbon number 7-30 aralkyl groups, alkoxy groups having 1-20 carbon atoms, amino groups having 0-20 carbon atoms, alkenyl groups having 2-20 carbon atoms, acyl groups having 1-20 carbon atoms, alkoxy groups having 2-20 carbon atoms It means substituted with a carbonyl group, an alkyloyloxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloyloxy group having 7 to 30 carbon atoms, or an alkylsily
  • the unsubstituted straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms is, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, decyl group, dodecyl group, hexadecyl group. Group, octadecyl group and the like.
  • Examples of the substituted linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include a fluoromethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 3-cyanopropyl group, and a 20-nitrooctadecyl group.
  • the unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms is, for example, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 2-octyl group, 2-decyl group, 2 -Dodecyl group, 2-hexadecyl group, 2-octadecyl group and the like.
  • Examples of the substituted aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include 1-fluoroisopropyl group and 1-hydroxy-2-octadecyl group.
  • Examples of the unsubstituted C3-C20 cyclic aliphatic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a cyclododecyl group, a cyclohexadecyl group, a cyclohexyl group, and the like.
  • An octadecyl group etc. are mentioned.
  • Examples of the substituted cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a 2-fluorocyclopropyl group and a 4-cyanocyclohexyl group.
  • Examples of the unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.
  • Examples of the substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include 4-isopropylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methylphenyl group, 6-fluoronaphthyl group and the like.
  • Examples of the unsubstituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include vinyl group, propynyl group, butynyl group, pentynyl group, hexynyl group, octynyl group, decynyl group, dodecynyl group, hexadecynyl group, and octadecynyl group.
  • Examples of the substituted alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include a chloropropynyl group.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • each R 2 independently represents a hydrogen atom, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group.
  • the “acid-crosslinkable group” refers to a characteristic group that reacts in the presence of a radical or an acid / alkali, and changes in solubility in an acid, an alkali, or an organic solvent used in a coating solvent or a developer.
  • the acid crosslinkable group include an allyl group, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an epoxy group, an alkoxymethyl group, and a cyanato group, but if they react in the presence of a radical or an acid / alkali, It is not limited.
  • the acid crosslinkable group preferably has a property of causing a chain cleavage reaction in the presence of an acid from the viewpoint of improving productivity.
  • the “acid-dissociable reactive group” refers to a characteristic group that is cleaved in the presence of an acid to cause a change in an alkali-soluble group or the like.
  • an alkali-soluble group For example, a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a hexafluoroisopropanol group etc. are mentioned, A phenolic hydroxyl group and a carboxyl group are preferable, and a phenolic hydroxyl group is especially preferable.
  • the acid-dissociable reactive group is not particularly limited, and examples thereof include those proposed in hydroxystyrene resins and (meth) acrylic acid resins used for chemically amplified resist compositions for KrF and ArF. Can be appropriately selected and used.
  • Preferred examples of the acid dissociable reactive group include a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, a 1-substituted n-propyl group, a 1-branched alkyl group, a silyl group, and an acyl group, which have a property of being dissociated by an acid.
  • the acid dissociable reactive group preferably has no crosslinkable functional group.
  • the substituted methyl group is not particularly limited, it can usually be a substituted methyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a substituted methyl group having 4 to 18 carbon atoms, and preferably a substituted methyl group having 6 to 16 carbon atoms. More preferred.
  • substituted methyl group examples include, but are not limited to, a methoxymethyl group, a methylthiomethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, an isopropoxymethyl group, an n-butoxymethyl group, a t-butoxymethyl group, 2-methylpropoxymethyl group, ethylthiomethyl group, methoxyethoxymethyl group, phenyloxymethyl group, 1-cyclopentyloxymethyl group, 1-cyclohexyloxymethyl group, benzylthiomethyl group, phenacyl group, 4-bromophenacyl group, 4 -Methoxyphenacyl group, piperonyl group, substituent group represented by the following formula (13-1), and the like.
  • R 2 in the following formula (13-1) include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-propyl group, t-butyl group, n-butyl group and the like. Can be mentioned.
  • R 2A is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the 1-substituted ethyl group is not particularly limited, it can usually be a 1-substituted ethyl group having 3 to 20 carbon atoms, preferably a 1-substituted ethyl group having 5 to 18 carbon atoms, 16 substituted ethyl groups are more preferred.
  • 1-substituted ethyl group examples include, but are not limited to, 1-methoxyethyl group, 1-methylthioethyl group, 1,1-dimethoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-ethylthioethyl group, 1,1-diethoxyethyl group, n-propoxyethyl group, isopropoxyethyl group, n-butoxyethyl group, t-butoxyethyl group, 2-methylpropoxyethyl group, 1-phenoxyethyl group, 1-phenylthioethyl Group, 1,1-diphenoxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1-phenylethyl group, 1,1-diphenylethyl group, and the following formula (13-2) And the like.
  • R 2A has the same meaning as the above (13-1).
  • the 1-substituted-n-propyl group is not particularly limited, it can usually be a 1-substituted-n-propyl group having 4 to 20 carbon atoms, and a 1-substituted-n-group having 6 to 18 carbon atoms.
  • a propyl group is preferred, and a 1-substituted n-propyl group having 8 to 16 carbon atoms is more preferred.
  • Specific examples of the 1-substituted-n-propyl group include, but are not limited to, 1-methoxy-n-propyl group and 1-ethoxy-n-propyl group.
  • the 1-branched alkyl group is not particularly limited, but can be usually a 1-branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, preferably a 1-branched alkyl group having 5 to 18 carbon atoms, 16 branched alkyl groups are more preferred.
  • Specific examples of the 1-branched alkyl group include, but are not limited to, isopropyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1-methylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group. , 2-methyladamantyl group, 2-ethyladamantyl group and the like.
  • the silyl group is not particularly limited, but can usually be a silyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a silyl group having 3 to 18 carbon atoms, and more preferably a silyl group having 5 to 16 carbon atoms.
  • Specific examples of the silyl group include, but are not limited to, trimethylsilyl group, ethyldimethylsilyl group, methyldiethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, tert-butyldiethylsilyl group, tert-butyldiphenylsilyl. Group, tri-tert-butylsilyl group, triphenylsilyl group and the like.
  • the acyl group is not particularly limited, but can usually be an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably an acyl group having 4 to 18 carbon atoms, and more preferably an acyl group having 6 to 16 carbon atoms.
  • Specific examples of the acyl group include, but are not limited to, acetyl group, phenoxyacetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, laurylyl group, adamantylcarbonyl group, benzoyl group Groups and naphthoyl groups.
  • the 1-substituted alkoxymethyl group is not particularly limited, but can be usually a 1-substituted alkoxymethyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a 1-substituted alkoxymethyl group having 4 to 18 carbon atoms, A 1-substituted alkoxymethyl group having a number of 6 to 16 is more preferred.
  • Specific examples of the 1-substituted alkoxymethyl group include, but are not limited to, 1-cyclopentylmethoxymethyl group, 1-cyclopentylethoxymethyl group, 1-cyclohexylmethoxymethyl group, 1-cyclohexylethoxymethyl group, 1-cyclooctyl. Examples thereof include a methoxymethyl group and a 1-adamantylmethoxymethyl group.
  • the cyclic ether group is not particularly limited, but can usually be a cyclic ether group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a cyclic ether group having 4 to 18 carbon atoms, and a cyclic ether group having 6 to 16 carbon atoms. More preferred. Specific examples of the cyclic ether group include, but are not limited to, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiopyranyl group, a tetrahydrothiofuranyl group, a 4-methoxytetrahydropyranyl group, and a 4-methoxytetrahydrothiopyranyl group. And the like.
  • the alkoxycarbonyl group can usually be an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably an alkoxycarbonyl group having 4 to 18 carbon atoms, and more preferably an alkoxycarbonyl group having 6 to 16 carbon atoms.
  • the alkoxycarbonylalkyl group is not particularly limited, but can usually be an alkoxycarbonylalkyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably an alkoxycarbonylalkyl group having 4 to 18 carbon atoms, and an alkoxycarbonyl group having 6 to 16 carbon atoms. More preferred is a carbonylalkyl group.
  • R 3A is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n is an integer of 0 to 4.
  • a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, a 1-substituted alkoxymethyl group, a cyclic ether group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonylalkyl group are preferable, and a viewpoint of expressing higher sensitivity.
  • a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group and an alkoxycarbonylalkyl group are more preferable, and an acid having a structure selected from a cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms, a lactone and an aromatic ring having 6 to 12 carbon atoms.
  • the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms may be monocyclic or polycyclic, but is preferably polycyclic. Specific examples of the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms include, but are not limited to, monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. More specifically, the cycloalkane is not limited to the following.
  • Monocycloalkanes such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclodecane.
  • adamantane, tricyclodecane, and tetracyclodecane are preferable, and adamantane and tricyclodecane are more preferable.
  • the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms may have a substituent.
  • lactone examples include, but are not limited to, butyrolactone or a cycloalkane group having 3 to 12 carbon atoms having a lactone group.
  • 6-12 aromatic ring examples include, but are not limited to, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, and the like.
  • a benzene ring and a naphthalene ring are preferable, and a naphthalene ring is more preferable.
  • an acid dissociable reactive group selected from the group consisting of groups represented by the following formula (13-4) is preferable because of its high resolution.
  • R 5A is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 6A is a hydrogen atom, a linear or branched group having 1 to 4 carbon atoms, or A branched alkyl group, a cyano group, a nitro group, a heterocyclic group, a halogen atom or a carboxyl group
  • n 1A is an integer from 0 to 4
  • n 2A is an integer from 1 to 5
  • n 0A is from 0 to It is an integer of 4.
  • the compound represented by the formula (1A) has high heat resistance due to its rigidity even though it has a low molecular weight, and can be used under high-temperature baking conditions. Further, the composition for forming a resist underlayer film according to the present embodiment has such a low molecular weight and is highly sensitive since it contains a compound containing tellurium while being able to be baked at high temperature. A pattern shape can be imparted.
  • the compound represented by the formula (1A) is preferably a compound represented by the following formula (1B) from the viewpoint of solubility in a safe solvent.
  • R 1A each independently represents an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group or a halogen atom.
  • R 2 are each independently a hydrogen atom, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group
  • n 1 is each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p)
  • n 2 is Each independently represents an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p), provided that at least one n 2 is an integer of 1 to (5 + 2 ⁇ p).
  • the compound represented by the formula (1B) is preferably a compound represented by the following formula (2A) from the viewpoints of solubility in a safe solvent and characteristics of the resist pattern.
  • Z, R 1 , R 2 , p, n 1 and n 2 have the same meaning as in the formula (1B), and X 1 each independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, A monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a hydrogen atom, or a halogen atom.
  • the compound represented by the formula (2A) is preferably a compound represented by the following formula (2A ′) from the viewpoint of easy physical property control.
  • the compound represented by the formula (2A ′) is an asymmetric compound, and R 1B and R 1B ′ , n 1 and n 1 ′ , p and p ′, and R 1B and R 1B ′ are substituted. Are different from each other in at least one of the combinations.
  • R 1B and R 1B ′ are each independently an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reactive group.
  • X 1 is the formula and X 1 in (2A), n 1 and n 1 'is the formula and n 1 of (2A), p and p' p of the formula (2A) (That is, X 1 is independently a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a hydrogen atom or a halogen atom) And at least one of R 1B and R 1B ′ , n 1 and n 1 ′ , p and p ′, R 1B substitution position and R 1B ′ substitution position is different.
  • the compound represented by the formula (2A) is preferably a compound represented by the following formula (3A) from the viewpoint of heat resistance.
  • R 1A , R 2 , X 1 , n 1 , and n 2 have the same meanings as those in formula (2A).
  • the compound represented by the formula (3A) is preferably a compound represented by the following general formula (4A) from the viewpoint of ease of production.
  • X 1 in Formula (2A), Formula (2A ′), Formula (3A), and Formula (4A) is more preferably a halogen atom from the viewpoint of ease of production.
  • the compound represented by the formula (1B) is preferably a compound represented by the following formula (2B) from the viewpoint of the solubility in a safe solvent and the characteristics of the resist pattern.
  • the compound represented by the formula (2B) is preferably a compound represented by the following formula (2B ′) from the viewpoint of easy physical property control.
  • Serial formula (2B ') compound represented by a compound of an asymmetric, R 1B and R 1B', n 1 and n 1 ', p and p' and substitution position of the substituent position and R 1B of R 1B ', Are different from each other in at least one of the combinations.
  • R 1B and R 1B ′ each independently represent an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or a hydrogen atom of a hydroxyl group, an acid crosslinkable reactive group or an acid dissociable reaction.
  • n 1 and n 1 ' is the formula and n 1 of (2B)
  • p and p' have the same meaning as p in the formula (2B) (i.e., p, and p ' Are each independently an integer of 0 to 2
  • n 1 and n 1 ′ are each independently an integer of 0 to (5 + 2 ⁇ p), or 0 to (5 + 2 ⁇ p ′))
  • At least one of R 1B and R 1B ′ , n 1 and n 1 ′ , p and p ′, R 1B substitution position and R 1B ′ substitution position is different.
  • the compound represented by the formula (2B) is preferably a compound represented by the following formula (3B) from the viewpoint of heat resistance.
  • the compound represented by the formula (3B) is preferably a compound represented by the following general formula (4B) from the viewpoint of ease of production.
  • the compound represented by the formula (1A) when a positive pattern is formed by alkali development or a negative pattern is formed by organic development, the compound represented by the formula (1A) is at least one acid dissociable as R 2 ′. It preferably has a reactive group.
  • a compound containing tellurium having at least one acid-dissociable reactive group a compound containing tellurium represented by the following formula (1A ′) can be given.
  • R 2 ′ each independently represents a hydrogen atom or an acid bridge. And at least one R 2 ′ is an acid dissociable reactive group.
  • a compound containing tellurium in which R 2 is all hydrogen atoms can be used as the compound represented by the formula (1A).
  • Examples of such a compound include compounds represented by the following general formula (1A ′′).
  • the compound represented by the formula (1B) is at least one acid dissociable as R 2 ′. It preferably has a reactive group.
  • a compound containing tellurium having at least one acid-dissociable reactive group a compound containing tellurium represented by the following formula (1B ′) can be given.
  • X 0 , Z, m, p, R 1A , n 1 , and n 2 have the same meanings as those in Formula (1B), and R 2 ′ is independently a hydrogen atom or An acid dissociable reactive group, and at least one R 2 ′ is an acid dissociable reactive group.
  • a compound containing tellurium in which R 2 is all hydrogen atoms can be used as the compound represented by the formula (1B).
  • An example of such a compound is a compound represented by the following general formula (1B ′′).
  • the method for producing the compound represented by the formula (A-1) is not particularly limited.
  • a polyalkoxybenzene compound is obtained by reacting an alkoxybenzene with a corresponding tellurium halide. Subsequently, by performing a reduction reaction with a reducing agent such as boron tribromide to obtain a polyphenol compound, by introducing an acid dissociable reactive group into at least one phenolic hydroxyl group of the obtained polyphenol compound by a known method A compound represented by the formula (A-1) can be obtained.
  • a phenol or thiophenol is reacted with a corresponding tellurium halide to obtain a polyphenol compound, and an acid-dissociable reactive group is introduced into at least one phenolic hydroxyl group of the obtained polyphenol compound by a known method.
  • the compound represented by the formula (A-1) can be obtained.
  • a phenol or thiophenol and a corresponding aldehyde containing tellurium or a ketone containing tellurium are reacted in the presence of an acid or base catalyst to obtain a polyphenol compound, and at least one of the obtained polyphenol compounds is obtained.
  • the compound represented by the above formula (A-1) can be obtained.
  • tellurium halide such as tellurium tetrachloride (tellurium (IV) tetrachloride) and a substituted or unsubstituted phenol derivative in the presence of a base catalyst.
  • a compound containing the tellurium can be synthesized by reaction. That is, the resist underlayer film forming composition of the present embodiment comprises a step of synthesizing the tellurium-containing compound by reacting halogenated tellurium with a substituted or unsubstituted phenol derivative in the presence of a base catalyst. It can manufacture with the manufacturing method of the composition for resist underlayer film forming containing.
  • the reaction intermediate is separated and reacted with phenols using only the reaction intermediate. Is desirable.
  • the reaction intermediate can be separated by a known method.
  • the method for separating the reaction intermediate is not particularly limited, and can be separated by filtration, for example.
  • 3 mol or more of phenols may be used per mol of tellurium halide in the reaction for obtaining a tellurium-containing resin from tellurium halide and phenols from the viewpoint of yield improvement.
  • the production method using 3 mol or more of phenols per 1 mol of tellurium halide in the reaction for obtaining a tellurium-containing resin from halogenated tellurium and phenols is the production method of formulas (C1) and (C2). Is particularly preferred.
  • the tellurium halide is not particularly limited, and examples thereof include tellurium (IV) tetrafluoride, tellurium (IV) tetrachloride, tellurium (IV) tetrabromide, tellurium (IV) tetraiodide and the like.
  • the alkoxybenzenes are not particularly limited. For example, methoxybenzene, dimethoxybenzene, methylmethoxybenzene, methyldimethoxybenzene, phenylmethoxybenzene, phenyldimethoxybenzene, methoxynaphthalene, dimethoxynaphthalene, ethoxybenzene, diethoxybenzene, methyl Examples include ethoxybenzene, methyldiethoxybenzene, phenylethoxybenzene, phenyldiethoxybenzene, ethoxynaphthalene, and diethoxynaphthalene.
  • a reaction solvent may be used.
  • the reaction solvent is not particularly limited as long as the reaction between the alkoxybenzene used and the corresponding tellurium halide proceeds.
  • water, methylene chloride, methanol, ethanol, propanol, butanol, tetrahydrofuran, dioxane, dimethylacetamide, N -Methylpyrrolidone or a mixed solvent thereof can be used.
  • the amount of the solvent is not particularly limited, and can be, for example, in the range of 0 to 2000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the reaction raw material.
  • the reaction temperature is not particularly limited and can be appropriately selected according to the reactivity of the reaction raw material, but is preferably in the range of 10 to 200 ° C.
  • the method for producing the polyalkoxybenzene is not particularly limited, and examples thereof include a method in which halogenated tellurium corresponding to the alkoxybenzenes is charged at once, and a method in which the halogenated tellurium corresponding to the alkoxybenzenes is dropped. .
  • the temperature of the reaction vessel can be raised to 130 to 230 ° C., and volatile matter can be removed at about 1 to 50 mmHg.
  • the amount of the raw material for producing the polyalkoxybenzene compound is not particularly limited. For example, 1 mol to excess of alkoxybenzene is used with respect to 1 mol of tellurium halide, and 20 to 150 ° C. at normal pressure. The reaction can be carried out by reacting for about 20 minutes to 100 hours.
  • the desired product can be isolated by a known method after completion of the reaction.
  • the method for isolating the target product is not particularly limited.
  • the reaction solution is concentrated, pure water is added to precipitate the reaction product, the solution is cooled to room temperature, filtered, and separated to obtain a solid product. After filtering and drying, a method of separating and purifying from by-products by column chromatography, evaporating the solvent, filtering and drying to obtain the target compound can be mentioned.
  • the polyphenol compound can be obtained by reducing a polyalkoxybenzene compound.
  • the reduction reaction can be performed using a reducing agent such as boron tribromide.
  • a reaction solvent may be used.
  • the reaction time, reaction temperature, amount of raw material, and isolation method are not particularly limited as long as the polyphenol compound is obtained.
  • the phenols are not particularly limited, and examples thereof include phenol, dihydroxybenzenes, trihydroxybenzenes, naphthols, dihydroxynaphthalenes, trihydroxyanthracenes, hydroxybiphenols, dihydroxybiphenols, and a side chain having 1 carbon atom. Examples thereof include phenols having 1 to 4 alkyl groups and / or phenyl groups, and naphthols having 1 to 4 carbon atoms and / or phenyl groups in the side chain.
  • an acid dissociable reactive group can be introduced into at least one phenolic hydroxyl group of the polyphenol compound as follows.
  • a compound for introducing an acid dissociable reactive group can be synthesized or easily obtained by a known method.
  • an active carboxylic acid derivative compound such as acid chloride, acid anhydride, dicarbonate, alkyl halide, vinyl alkyl ether, Examples include dihydropyran and halocarboxylic acid alkyl esters, but are not particularly limited.
  • the polyphenol compound is dissolved or suspended in an aprotic solvent such as acetone, tetrahydrofuran (THF), propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide, or N-methylpyrrolidone.
  • an aprotic solvent such as acetone, tetrahydrofuran (THF), propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide, or N-methylpyrrolidone.
  • vinyl alkyl ether such as ethyl vinyl ether or dihydropyran
  • the reaction solution is neutralized with an alkali compound and added to distilled water to precipitate a white solid, and then the separated white solid is washed with distilled water and dried to obtain the compound represented by the formula (A-1). be able to.
  • the acid catalyst is not particularly limited, and as the known acid catalyst, inorganic acids and organic acids are widely known.
  • inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrobromic acid, hydrofluoric acid, , Oxalic acid, malonic acid, succinic acid, adipic acid, sebacic acid, citric acid, fumaric acid, maleic acid, formic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoromethanesulfone Acids, organic acids such as benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, naphthalene disulfonic acid, Lewis acids such as zinc chloride, aluminum chloride, iron chloride, boron trifluoride, silicotungstic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid or Although solid acids,
  • an organic acid and a solid acid are preferable from the viewpoint of production, and hydrochloric acid or sulfuric acid is preferably used from the viewpoint of production such as availability and ease of handling.
  • hydrochloric acid or sulfuric acid is preferably used from the viewpoint of production such as availability and ease of handling.
  • 1 type can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the polyphenol compound is dissolved or suspended in an aprotic solvent such as acetone, THF, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone or the like.
  • an alkyl halide such as ethyl chloromethyl ether or a halocarboxylic acid alkyl ester such as methyl adamantyl bromoacetate is added, and the reaction is performed at 20 to 110 ° C. for 6 to 72 hours at atmospheric pressure in the presence of an alkali catalyst such as potassium carbonate.
  • the base catalyst is not particularly limited and can be appropriately selected from known base catalysts.
  • Examples thereof include metal hydrides (alkali metal hydrides such as sodium hydride and potassium hydride), metal alcohol salts (sodium methoxy). Alkali metal alcohol salts such as potassium and potassium ethoxide), metal hydroxides (alkali metal or alkaline earth metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide), metal carbonates (sodium carbonate, potassium carbonate) Alkali metals such as alkali metal or alkaline earth metal carbonate, etc.), inorganic bases such as alkali metal or alkaline earth metal hydrogen carbonate such as sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, and amines (for example, tertiary amines (triethylamine) Trialkylamines such as N, N-dimethylaniline and the like tertiary amines such as 1-methyli Examples include organic bases such as carboxylic acid metal salts (sodium acetate, calcium
  • the acid dissociable reactive group preferably has a property of causing a chain cleavage reaction in the presence of an acid in order to enable pattern formation with higher sensitivity and higher resolution.
  • the composition for forming a resist underlayer film of this embodiment contains a resin containing a structural unit derived from the formula (A-1) instead of or together with the tellurium-containing compound represented by the formula (A-1) You may do it.
  • the resist underlayer film forming composition of the present embodiment can contain a resin obtained using the compound represented by the formula (A-1) as a monomer.
  • the resin of this embodiment can be obtained, for example, by reacting a compound represented by the formula (A-1) with a compound having crosslinking reactivity.
  • known compounds can be used without particular limitation as long as the compound represented by the formula (A-1) can be oligomerized or polymerized.
  • Specific examples thereof include, but are not particularly limited to, aldehydes, ketones, carboxylic acids, carboxylic acid halides, halogen-containing compounds, amino compounds, imino compounds, isocyanates, unsaturated hydrocarbon group-containing compounds, and the like.
  • the resin containing tellurium examples include a resin containing a compound derived from the compound represented by the above formula (A-1) (for example, a compound derived from the compound represented by the above formula (A-2)).
  • a resin containing a structural unit represented by the following formula may be used.
  • each X 2 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a hydrogen atom.
  • R 3 is independently a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • q is an integer of 0 to 2
  • n 3 is 0 to (4 + 2 ⁇ q)
  • R 4 is a single bond or any structure represented by the following general formula (5).
  • R 5 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 5 ′ is independently any one of the above formulas (5 ′), wherein * is the same as R 5 Indicates that you are connected.
  • Resin containing a structural unit represented by the following formula (B1-M ′) (resin in which R 4 is a single bond in formula (B1-M))
  • X 2 each independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, hydrogen An atom or a halogen atom
  • each R 3 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • Q is an integer from 0 to 2
  • n 3 is from 0 to (4 + 2 ⁇ q).
  • Resin containing a structural unit represented by the following formula (B2-M) (resin containing a structural unit in which R 4 is any structure represented by the general formula (5) in formula (B1-M))
  • R 4 is any structure represented by the general formula (5) in formula (B1-M)
  • X 2 , R 3 , q, and n 3 have the same meanings as in the formula (B1-M)
  • R 4 has any structure shown in the general formula (5). is there.
  • Resin containing a structural unit represented by the following formula (B2-M ′) (In the formula (B2-M ′), X 2 , R 3 , q, and n 3 have the same meanings as in the formula (B1-M), and R 6 represents any structure represented by the following general formula (6).
  • R 7 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 7 ′ is independently any one of the above formulas (6 ′), wherein * is the same as R 7 Indicates that you are connected.
  • Resin containing a structural unit represented by the following formula (C1) (In formula (C1), X 4 each independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, a hydrogen atom, or Each of R 6 is independently a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom; r is an integer from 0 to 2, and n 6 is from 2 to (4 + 2 ⁇ r).)
  • each R 3 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • R 4 is a single bond or any structure represented by the following general formula (5) .
  • R 5 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms
  • each R 5 ′ is independently any one of the above formulas (5 ′), wherein * is the same as R 5 Indicates that you are connected.
  • each R 3 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or A halogen atom, q is an integer of 0 to 2, and n 3 is 0 to (4 + 2 ⁇ q).
  • Resin containing a structural unit represented by the following formula (B4-M) (resin containing a structural unit in which R 4 is any structure represented by the general formula (5) in formula (B3-M)) (In the formula (B4-M), R 3 , q and n 3 have the same meanings as in the formula (B3-M), and R 4 has any structure shown in the general formula (5). )
  • R 3 , q, and n 3 have the same meanings as the formula (B3-M)
  • R 6 has any structure represented by the following general formula (6).
  • R 7 represents a substituted or unsubstituted linear alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, or A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, and each R 7 ′ is independently any one of the above formulas (6 ′), wherein * is the same as R 7 Indicates that you are connected.)
  • each R 6 independently represents a monovalent group containing an oxygen atom, a monovalent group containing a sulfur atom, a monovalent group containing a nitrogen atom, a hydrocarbon group, or a halogen atom.
  • r is an integer from 0 to 2
  • n 6 is from 2 to (4 + 2 ⁇ r).
  • each substituent may differ between structural units.
  • R 5 in the case where R 4 in the formula (B1-M) or (B3-M) is the general formula (5), or the general formula (6 in the formula (B2-M ′) or (B4-M ′)) R 6 may be the same or different between the respective structural units.
  • the resin in the present embodiment may be a homopolymer of the compound represented by the formula (A-1), or may be a copolymer with other phenols.
  • the copolymerizable phenols include phenol, cresol, dimethylphenol, trimethylphenol, butylphenol, phenylphenol, diphenylphenol, naphthylphenol, resorcinol, methylresorcinol, catechol, butylcatechol, methoxyphenol, methoxyphenol, Although propylphenol, pyrogallol, thymol, etc. are mentioned, it is not specifically limited to these.
  • the resin in the present embodiment may be copolymerized with a polymerizable monomer other than the above-described phenols.
  • the copolymerization monomer include naphthol, methylnaphthol, methoxynaphthol, dihydroxynaphthalene, indene, hydroxyindene, benzofuran, hydroxyanthracene, acenaphthylene, biphenyl, bisphenol, trisphenol, dicyclopentadiene, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene. , Norbornadiene, vinylnorbornaene, pinene, limonene and the like, but are not particularly limited thereto.
  • the resin in the present embodiment may be a binary or more (for example, 2-4 quaternary) copolymer of the compound represented by the formula (A-1) and the above-described phenols. Even a binary or more (eg, 2-4 quaternary) copolymer of the compound represented by the formula (A-1) and the above-mentioned copolymerization monomer is represented by the formula (A-1). It may be a ternary or higher (for example, ternary to quaternary) copolymer of the compound, the above-described phenols, and the above-mentioned copolymerization monomer.
  • the molecular weight of the resin in the present embodiment is not particularly limited, but the polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) is preferably 500 to 30,000, more preferably 750 to 20,000. Further, from the viewpoint of increasing the crosslinking efficiency and suppressing the volatile components in the baking, the resin in this embodiment has a dispersity (weight average molecular weight Mw / number average molecular weight Mn) in the range of 1.2 to 7. preferable. The Mn can be obtained by the method described in Examples described later.
  • the compound represented by the above formula (A-1) and / or the resin obtained using the compound as a structural unit has high solubility in a solvent from the viewpoint of easier application of a wet process. It is preferable. More specifically, when these compounds and / or resins use 1-methoxy-2-propanol (PGME) and / or propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent, the solubility in the solvent is 10% by mass or more. It is preferable that Here, the solubility in PGM and / or PGMEA is defined as “resin mass ⁇ (resin mass + solvent mass) ⁇ 100 (mass%)”.
  • the compound represented by the formula (A-1) and / or the compound represented by the formula (A-1) is evaluated that 10 g of the resin obtained using the compound as a monomer is dissolved in 90 g of PGMEA. And / or the solubility of the resin obtained using the compound as a monomer with respect to PGMEA is “3% by mass or more”, and it is evaluated that the resin does not dissolve when the solubility is “less than 3% by mass”. is there.
  • the compound or resin of this embodiment can be purified by a purification method including the following steps. That is, in the purification method, a compound represented by the formula (A-1) or a resin containing a structural unit derived from the formula (A-1) is dissolved in a solvent containing an organic solvent that is not arbitrarily miscible with water. A step of obtaining a solution (A), and contacting the obtained solution (A) with an acidic aqueous solution to extract impurities in the compound represented by the formula (A-1) or the resin And a process.
  • the resin is preferably a resin obtained by a reaction between a compound represented by the formula (A-1) and a compound having crosslinking reactivity. According to the purification method of the present embodiment, the content of various metals that can be contained as impurities in the compound or resin having the specific structure described above can be effectively reduced.
  • the metal component contained in the solution (A) containing the compound represented by the formula (A-1) or the resin containing the structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) is transferred to the aqueous phase, It is possible to obtain a resin containing a structural unit derived from a compound represented by the formula (A-1) or a compound represented by the formula (A-1) having a reduced metal content by separating a phase and an aqueous phase it can.
  • the compound represented by the formula (A-1) or the resin containing the structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) used in the purification method of the present embodiment may be used alone, or two or more types may be mixed. You can also.
  • a resin containing a compound represented by the formula (A-1) or a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) includes various surfactants, various crosslinking agents, various acid generators, and various stabilizers. In addition, it may be applied to the manufacturing method of the present embodiment.
  • the “organic solvent that is not arbitrarily miscible with water” used in the purification method of the present embodiment means an organic solvent that does not mix uniformly with water at an arbitrary ratio.
  • Such an organic solvent is not particularly limited, but an organic solvent that can be safely applied to a semiconductor manufacturing process is preferable, and specifically, an organic solvent having a solubility in water at room temperature of less than 30%, more
  • the organic solvent is preferably less than 20%, particularly preferably less than 10%.
  • the amount of the organic solvent used is 1 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin containing the compound represented by formula (A-1) and the structural unit derived from the compound represented by formula (A-1). Part.
  • one or more organic solvents selected from the group consisting of toluene, 2-heptanone, cyclohexanone, cyclopentanone, methyl isobutyl ketone, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl acetate and the like are preferable, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate Cyclohexanone and propylene glycol monomethyl ether acetate are more preferable, and methyl isobutyl ketone and ethyl acetate are still more preferable. Methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, etc.
  • the “acidic aqueous solution” used in the purification method of the present embodiment is appropriately selected from aqueous solutions in which generally known organic compounds or inorganic compounds are dissolved in water.
  • the acidic aqueous solution is not limited to the following, but for example, a mineral acid aqueous solution in which a mineral acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid or the like is dissolved in water, or acetic acid, propionic acid, succinic acid, malonic acid, succinic acid, Examples include organic acid aqueous solutions in which organic acids such as fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, citric acid, methanesulfonic acid, phenolsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, and trifluoroacetic acid are dissolved in water.
  • acidic aqueous solutions can be used alone or in combination of two or more.
  • one or more mineral acid aqueous solutions selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, or acetic acid, propionic acid, succinic acid, malonic acid, succinic acid, fumaric acid, maleic acid,
  • One or more organic acid aqueous solutions selected from the group consisting of tartaric acid, citric acid, methanesulfonic acid, phenolsulfonic acid, p-toluenesulfonic acid and trifluoroacetic acid are preferred, and sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, oxalic acid,
  • An aqueous solution of carboxylic acid such as tartaric acid and citric acid is more preferable
  • an aqueous solution of sulfuric acid, succinic acid, tartaric acid and citric acid is more preferable
  • the water used here is preferably water having a low metal content, such as ion-exchanged water, in accordance with the purpose of the purification method of the present embodiment.
  • the pH of the acidic aqueous solution used in the purification method of the present embodiment is not particularly limited.
  • To the resin containing a compound represented by the formula (A-1) or a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) It is preferable to adjust the acidity of the aqueous solution in consideration of the influence of the above.
  • the pH range of an acidic aqueous solution is about 0 to 5, preferably about 0 to 3.
  • the amount of acidic aqueous solution used in the purification method of the present embodiment is not particularly limited, but from the viewpoint of reducing the number of extractions for metal removal and securing the operability in consideration of the total liquid amount, It is preferable to adjust the amount used. From the above viewpoint, the amount of the acidic aqueous solution used is preferably 10 to 200% by mass, and more preferably 20 to 100% by mass with respect to 100% by mass of the solution (A).
  • the acidic aqueous solution as described above, a compound represented by the formula (A-1) and a resin containing a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) are selected.
  • a metal component can be extracted from the compound or the resin in the solution (A) by contacting the solution (A) containing one or more kinds and an organic solvent which is not arbitrarily miscible with water.
  • the method for adding an organic solvent arbitrarily mixed with water is not particularly limited.
  • any of a method of adding to a solution containing an organic solvent in advance, a method of adding to water or an acidic aqueous solution in advance, and a method of adding after bringing a solution containing an organic solvent into contact with water or an acidic aqueous solution may be used.
  • the method of adding to the solution containing an organic solvent in advance is preferable from the viewpoint of the workability of the operation and the ease of management of the charged amount.
  • the organic solvent arbitrarily mixed with water used in the purification method of the present embodiment is not particularly limited, but an organic solvent that can be safely applied to a semiconductor manufacturing process is preferable.
  • the amount of the organic solvent arbitrarily mixed with water is not particularly limited as long as the solution phase and the aqueous phase are separated from each other, but the compound represented by the formula (A-1) and the formula (A-1)
  • the amount is preferably 0.1 to 100 parts by weight, more preferably 0.1 to 50 parts by weight, and more preferably 0.1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin including the structural unit derived from the compound to be obtained. More preferably, it is part.
  • organic solvent arbitrarily mixed with water used in the purification method of the present embodiment include, but are not limited to, ethers such as tetrahydrofuran and 1,3-dioxolane; alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol Ketones such as acetone and N-methylpyrrolidone; aliphatic hydrocarbons such as glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME) and propylene glycol monoethyl ether Can be mentioned.
  • ethers such as tetrahydrofuran and 1,3-dioxolane
  • alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol Ketones such as acetone and N-methylpyrrolidone
  • aliphatic hydrocarbons such as glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl
  • N-methylpyrrolidone, propylene glycol monomethyl ether and the like are preferable, and N-methylpyrrolidone and propylene glycol monomethyl ether are more preferable.
  • These solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the temperature when the solution (A) is contacted with the acidic aqueous solution is preferably 20 to 90 ° C., more preferably 30 to 80 ° C. It is a range.
  • extraction operation is not specifically limited, For example, after mixing a solution (A) and acidic aqueous solution thoroughly by stirring etc., it is performed by leaving the obtained mixed solution still. As a result, a solution (A) containing at least one selected from a compound represented by the formula (A-1) and a resin containing a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) and an organic solvent is obtained. The metal content contained is transferred to the aqueous phase. This operation also reduces the acidity of the solution (A) and suppresses the alteration of the resin containing the compound represented by the formula (A-1) and the structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1). can do.
  • a solution phase containing an organic solvent can be recovered.
  • the time for allowing the mixed solution to stand is not particularly limited, but it is preferable to adjust the time for standing from the viewpoint of improving the separation between the solution phase containing the organic solvent and the aqueous phase. Usually, the time for standing is 1 minute or longer, preferably 10 minutes or longer, more preferably 30 minutes or longer.
  • the extraction process may be performed only once, but it is also effective to repeat the operations of mixing, standing, and separation a plurality of times.
  • the solution phase containing the compound or the resin is further brought into contact with water to extract impurities in the compound or the resin (second extraction step).
  • second extraction step Is preferably included.
  • the compound represented by the formula (A-1) extracted from the aqueous solution and recovered and the compound represented by the formula (A-1) are recovered.
  • the solution phase containing one or more selected from resins containing a structural unit derived from a compound and an organic solvent is not particularly limited. For example, after the solution phase and water are mixed well by stirring or the like, the obtained mixed solution can be left still.
  • the mixed solution after standing includes one or more selected from a compound represented by the formula (A-1) and a resin containing a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1), and an organic solvent.
  • One or more kinds selected from a compound represented by the formula (A-1) and a resin containing a structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) by decantation because it is separated into a solution phase and an aqueous phase And a solution phase containing an organic solvent can be recovered.
  • the water used here is water with a low metal content, for example, ion-exchanged water or the like, in accordance with the purpose of the present embodiment.
  • the extraction process may be performed only once, but it is also effective to repeat the operations of mixing, standing, and separation a plurality of times. Further, the use ratio of both in the extraction process, conditions such as temperature and time are not particularly limited, but they may be the same as those in the contact process with the acidic aqueous solution.
  • the method for isolating at least one selected from the compound represented by -1) and the resin containing the structural unit derived from the compound represented by the formula (A-1) is not particularly limited, and is by removal under reduced pressure or reprecipitation. Separation and combinations thereof can be performed by known methods. If necessary, known processes such as a concentration operation, a filtration operation, a centrifugal separation operation, and a drying operation can be performed.
  • the resist underlayer film forming composition comprises a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin, a solvent, an acid, an acid crosslinking agent, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, a hydrolyzate condensate thereof, and the like. Further, it can be included. Furthermore, organic polymer compounds, acid generators and surfactants, water, alcohols, curing catalysts, and the like can be included as optional components.
  • the resist underlayer film forming material includes the compound represented by the above formula (A-1) and the compound as a monomer in the composition for forming a resist underlayer film in terms of coatability and quality stability. It is preferably ⁇ 70% by mass, more preferably 0.5 to 50% by mass, and particularly preferably 3.0 to 40% by mass.
  • a known solvent is appropriately used as long as it dissolves at least the compound represented by the formula (A-1) and / or a resin obtained using the compound as a structural unit. Can do.
  • solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; cellosolv solvents such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate; ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, Ester solvents such as isoamyl acetate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate and methyl hydroxyisobutyrate; alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol and 1-ethoxy-2-propanol; aromatic solvents such as toluene, xylene and anisole Although hydrocarbon etc. are mentioned, it is not specifically limited to these. These organic solvents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • cyclohexanone propylene glycol monomethyl ether
  • propylene glycol monomethyl ether acetate propylene glycol monomethyl ether acetate
  • ethyl lactate methyl hydroxyisobutyrate
  • anisole is particularly preferable from the viewpoint of safety.
  • the content of the solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility and film formation, it is 100 to 10,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the resist underlayer film forming composition. It is preferably 200 to 8,000 parts by mass, and more preferably 200 to 5,000 parts by mass.
  • the composition for forming a resist underlayer film may contain an acid from the viewpoint of promoting curability.
  • the acid include hydrofluoric acid, hydrochloric acid, hydrobromic acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, phosphoric acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfone, and the like.
  • the content of the acid is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility and shape stability of the coating film, 0.001 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the resist underlayer film forming composition.
  • the amount is 0.005 to 10 parts by mass, and more preferably 0.01 to 5 parts by mass.
  • the resist underlayer film forming composition may contain one or more acid crosslinking agents when used as a negative resist material or when used as an additive for increasing the pattern strength even in a positive resist material.
  • the acid crosslinking agent is a compound capable of crosslinking the compound represented by the formula (A-1) in the molecule or between molecules in the presence of the above-mentioned acid.
  • Such an acid crosslinking agent is not particularly limited, and for example, a compound having one or more groups capable of crosslinking the compound represented by the formula (A-1) (hereinafter referred to as “crosslinkable group”). Can be mentioned.
  • crosslinkable group examples are not particularly limited.
  • carbonyl groups such as formyl group or carboxy (alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms) or derivatives thereof
  • a nitrogen-containing group such as a dimethylaminomethyl group, a diethylaminomethyl group, a dimethylolaminomethyl group, a diethylolaminomethyl group, a morpholinomethyl group;
  • carbon such as
  • the acid crosslinking agent is not particularly limited.
  • a methylol group such as (i) a methylol group-containing melamine compound, a methylol group-containing benzoguanamine compound, a methylol group-containing urea compound, a methylol group-containing glycoluril compound, or a methylol group-containing phenol compound.
  • alkoxyalkyl group-containing compounds such as alkoxyalkyl group-containing melamine compounds, alkoxyalkyl group-containing benzoguanamine compounds, alkoxyalkyl group-containing urea compounds, alkoxyalkyl group-containing glycoluril compounds, alkoxyalkyl group-containing phenol compounds; iii) Carboxymethyl group-containing melamine compound, Carboxymethyl group-containing benzoguanamine compound, Carboxymethyl group-containing urea compound, Carboxymethyl group-containing Carboxymethyl group-containing compounds such as recall uril compounds and carboxymethyl group-containing phenol compounds; (iv) Bisphenol A epoxy compounds, bisphenol F epoxy compounds, bisphenol S epoxy compounds, novolak resin epoxy compounds, resole resin epoxy compounds And epoxy compounds such as poly (hydroxystyrene) -based epoxy compounds. Further, specific examples of the acid crosslinking agent described in International Publication WO2013 / 024779 can be given.
  • the acid crosslinking agent a compound having a phenolic hydroxyl group, and a compound and a resin imparted with a crosslinking property by introducing the crosslinking group into an acidic functional group in the alkali-soluble resin can be used.
  • the rate of introduction of the crosslinkable group is not particularly limited, and is, for example, 5 to 100 mol%, preferably 10 to 60 mol% based on the total acidic functional group in the compound having a phenolic hydroxyl group and the alkali-soluble resin. It is adjusted to mol%, more preferably 15 to 40 mol%. Within the above range, a crosslinking reaction occurs sufficiently, and a decrease in the remaining film ratio, a pattern swelling phenomenon, meandering, and the like can be avoided.
  • the content of the acid cross-linking agent is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility and shape stability of the coating film, 0.01 to 30 with respect to 100 parts by mass of the total solid content of the resist underlayer film forming composition.
  • the amount is preferably part by mass, more preferably 0.05 to 20 parts by mass, and still more preferably 0.1 to 10 parts by mass.
  • the resist underlayer film forming composition contains a silicon-containing compound together with a tellurium-containing compound and the like.
  • the silicon-containing compound may be either an organic silicon-containing compound or an inorganic silicon-containing compound, but is preferably an organic silicon-containing compound.
  • the inorganic silicon-containing compound include polysilazane compounds made of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride that can be formed by a coating method at a low temperature.
  • the organosilicon-containing compound include a polysilsesquioxane-based compound, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or a hydrolyzed condensate thereof.
  • the hydrolyzable organosilane, its hydrolyzate, or its hydrolysis condensate is at least one selected from the group consisting of hydrolyzable organosilane of the following formula (D1) and the following formula (D2).
  • Hydrolyzable organosilane, hydrolyzate thereof, or hydrolyzate condensate thereof (hereinafter referred to simply as “at least one organosilicon compound selected from the group consisting of formula (D1) and formula (D2)”) May be included).
  • the Si—O bond can be controlled by adjusting the curing conditions. It is easy and advantageous in terms of cost, and is suitable for introduction of organic components. For this reason, the resist underlayer film forming composition was formed using the resist underlayer film forming composition containing at least one organosilicon compound selected from the group consisting of formula (D1) and formula (D2).
  • the layer is useful as an intermediate layer of the resist layer (a layer between the upper resist layer and the organic underlayer film provided on the substrate).
  • R 3 is an alkyl group, aryl group, aralkyl group, halogenated alkyl group, halogenated aryl group, halogenated aralkyl group, alkenyl group, epoxy group, acryloyl group, methacryloyl group, mercapto group,
  • R 4 represents an alkoxy group, an acyloxy group or a halogen group, and a represents an integer of 0 to 3.
  • Formula (D2) [(R 5 ) c Si (R 6 ) 4-c ] 2 Y b (In Formula (D2), R 5 represents an alkyl group, R 6 represents an alkoxy group, an acyloxy group, or a halogen group, Y represents an alkylene group or an arylene group, b represents an integer of 0 or 1, c Represents an integer of 0 or 1.)
  • a tellurium-containing compound represented by formula (A-1) or a tellurium-containing resin and a silicon-containing compound for example, a group consisting of formula (D1) and formula (D2)
  • the ratio of at least one organic silicon compound selected from a range of 1: 2 to 1: 200 can be used.
  • the molar ratio can be used in the range of 1: 2 to 1: 100.
  • At least one organosilicon compound selected from the group consisting of formula (D1) and formula (D2) is preferably used as a hydrolysis condensate (polyorganosiloxane polymer).
  • R 3 in the hydrolyzable organosilane represented by the formula (D1) is an alkyl group, aryl group, aralkyl group, halogenated alkyl group, halogenated aryl group, halogenated aralkyl group, alkenyl group, epoxy group, acryloyl.
  • hydrolyzable organosilane represented by the formula (D1) examples include tetramethoxysilane, tetrachlorosilane, tetraacetoxysilane, tetraethoxysilane, tetra n-propoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra n-butoxysilane, and methyltrimethoxy.
  • hydrolyzable organosilane represented by the formula (D1) a combination of tetraalkoxysilane such as tetramethoxysilane and tetraethoxysilane and phenyltrialkoxysilane such as phenyltrimethoxysilane and phenyltriethoxysilane is particularly preferable. . Furthermore, it is preferable to combine alkyltrialkoxysilanes such as methyltrimethoxysilane and methyltriethoxysilane with these combinations.
  • R 5 represents an alkyl group
  • R 6 represents an alkoxy group, an acyloxy group, or a halogen group
  • Y represents an alkylene group or an arylene group
  • b is 0 or 1 Represents an integer
  • c represents an integer of 0 or 1.
  • hydrolyzable organosilane of the formula (D2) examples include methylene bistrimethoxysilane, methylene bistrichlorosilane, methylene bistriacetoxy silane, ethylene bistriethoxysilane, ethylene bistrichlorosilane, ethylene bistriacetoxy silane, propylene bistriethoxysilane, butylene bistrimethoxysilane.
  • a tellurium compound may be formed as a mixture without reacting hydrolyzable organosilane, etc., but a compound containing tellurium in the resist underlayer film forming composition,
  • a tellurium-containing silicon compound is synthesized by performing hydrolytic condensation with the hydrolyzable organosilane and the like using one or more compounds selected from inorganic acids, aliphatic sulfonic acids and aromatic sulfonic acids as an acid catalyst. May be.
  • Examples of the acid catalyst used at this time include hydrofluoric acid, hydrochloric acid, hydrobromic acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, phosphoric acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and toluenesulfonic acid.
  • the amount of the catalyst used is preferably 10 ⁇ 6 to 10 mol, more preferably 10 ⁇ 5 to 5 mol, and even more preferably 1 mol of the monomer (total amount of the tellurium-containing compound and hydrolyzable organosilane). Is from 10 ⁇ 4 to 1 mol.
  • the amount of water is 0 per mole of hydrolyzable substituent bonded to the monomer (such as a tellurium-containing compound and hydrolyzable organosilane). It is preferable to add 0.01 to 100 mol, more preferably 0.05 to 50 mol, and still more preferably 0.1 to 30 mol. The addition of 100 mol or less is economical because the apparatus used for the reaction does not become excessive.
  • a monomer is added to an aqueous catalyst solution to start a hydrolysis condensation reaction.
  • an organic solvent may be added to the catalyst aqueous solution, the monomer may be diluted with the organic solvent, or both may be performed.
  • the reaction temperature is preferably 0 to 100 ° C, more preferably 40 to 100 ° C.
  • a method is preferred in which the temperature is maintained at 5 to 80 ° C. when the monomer is dropped and then ripened at 40 to 100 ° C.
  • Organic solvents that can be added to the catalyst aqueous solution or that can dilute the monomers include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 2-methyl-1-propanol, acetone , Acetonitrile, tetrahydrofuran, toluene, hexane, ethyl acetate, cyclohexanone, methyl amyl ketone, butanediol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, butanediol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate , Propylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl pyruvate,
  • solvents more preferred are water-soluble ones.
  • alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol and 2-propanol
  • polyhydric alcohols such as ethylene glycol and propylene glycol, butanediol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, butanediol monoethyl ether
  • polyhydric alcohol condensate derivatives such as propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, butanediol monopropyl ether, propylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, acetone, acetonitrile, tetrahydrofuran and the like.
  • those having a boiling point of 100 ° C. or less are particularly preferable.
  • the amount of the organic solvent used is preferably from 0 to 1,000 ml, particularly preferably from 0 to 500 ml, based on 1 mol of the monomer (total amount of the tellurium-containing compound and hydrolyzable organosilane). If the amount of the organic solvent used is 1,000 ml or less, the reaction container will not be excessive, which is economical.
  • the amount of the alkaline substance that can be used for neutralization is preferably 0.1 to 2 equivalents relative to the acid used in the catalyst.
  • the alkaline substance may be any substance as long as it shows alkalinity in water.
  • the temperature at which the reaction mixture is heated at this time depends on the kind of the organic solvent added and the alcohol generated by the reaction, but is preferably 0 to 100 ° C., more preferably 10 to 90 ° C., and further preferably 15 to 80 ° C. .
  • the degree of vacuum at this time varies depending on the type of organic solvent and alcohol to be removed, the exhaust device, the condensing device, and the heating temperature, but is preferably atmospheric pressure or less, more preferably absolute pressure of 80 kPa or less, and still more preferably absolute The pressure is 50 kPa or less.
  • the acid catalyst used for the hydrolysis condensation may be removed from the reaction mixture.
  • the method for removing the acid catalyst include a method of mixing water and a tellurium-containing silicon compound and extracting the tellurium-containing silicon compound with an organic solvent.
  • the organic solvent used at this time is preferably one that can dissolve the tellurium-containing silicon compound and separates into two layers when mixed with water.
  • a mixture of a water-soluble organic solvent and a poorly water-soluble organic solvent For example, methanol + ethyl acetate, ethanol + ethyl acetate, 1-propanol + ethyl acetate, 2-propanol + ethyl acetate, butanediol monomethyl ether + ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether + ethyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether + ethyl acetate, butane Diol monoethyl ether + ethyl acetate, propylene glycol monoethyl ether + ethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether + ethyl acetate, butanediol monopropyl ether + ethyl acetate, propylene glycol monoethyl ether + ethyl acetate, ethylene glycol monoeth
  • the mixing ratio of the water-soluble organic solvent and the poorly water-soluble organic solvent is appropriately selected, but the water-soluble organic solvent is preferably 0.1 to 1,000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the poorly water-soluble organic solvent. More preferred is 1 to 500 parts by mass, and even more preferred is 2 to 100 parts by mass.
  • Tellurium-containing silicon compound in which the acid catalyst remains and tellurium-containing silicon compound from which the acid catalyst has been removed in either case, a final solvent is added and the tellurium-containing silicon compound solution is obtained by exchanging the solvent under reduced pressure.
  • the temperature of solvent exchange at this time depends on the type of reaction solvent or extraction solvent to be removed, but is preferably 0 to 100 ° C., more preferably 10 to 90 ° C., and further preferably 15 to 80 ° C.
  • the degree of reduced pressure at this time varies depending on the type of the extraction solvent to be removed, the exhaust device, the condensing device, and the heating temperature, but is preferably atmospheric pressure or lower, more preferably 80 kPa or lower, more preferably 50 kPa in absolute pressure. It is as follows.
  • the resist underlayer film forming composition may contain an organic polymer compound, a crosslinking agent, a photoacid generator, a surfactant, and the like, if necessary, in addition to the above components.
  • the dry etching rate (amount of decrease in film thickness per unit time), attenuation coefficient, refractive index, and the like of the resist underlayer film formed from the resist underlayer film forming composition are adjusted. Can do.
  • an organic polymer compound A various organic polymer can be used. Polycondensation polymers and addition polymerization polymers can be used. Addition polymerization polymers and condensation polymerization polymers such as polyester, polystyrene, polyimide, acrylic polymer, methacrylic polymer, polyvinyl ether, phenol novolak, naphthol novolak, polyether, polyamide, and polycarbonate can be used.
  • An organic polymer having an aromatic ring structure such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triazine ring, a quinoline ring, and a quinoxaline ring that functions as a light absorption site is preferably used.
  • the dry etching rate (the amount of decrease in film thickness per unit time) of the resist underlayer film formed from the resist underlayer film forming composition can be adjusted.
  • a crosslinking agent A various crosslinking agent can be used. Specific examples of the crosslinking agent that can be used in this embodiment include double bonds such as melamine compounds, guanamine compounds, glycoluril compounds, urea compounds, epoxy compounds, thioepoxy compounds, isocyanate compounds, azide compounds, alkenyl ether groups, and the like.
  • crosslinkable group a compound having at least one group selected from a methylol group, an alkoxymethyl group, and an acyloxymethyl group as a substituent (crosslinkable group), but is not particularly limited thereto.
  • these crosslinking agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Moreover, you may use these as an additive.
  • the crosslinkable group may be introduced as a pendant group into the polymer side chain of the compound represented by the formula (A-1) and / or a resin obtained using the compound as a monomer.
  • a compound containing a hydroxy group can also be used as a crosslinking agent.
  • melamine compounds, glycoluril compounds and the like are particularly preferably used.
  • the melamine compound include, for example, hexamethylol melamine, hexamethoxymethyl melamine, a compound in which 1 to 6 methylol groups of hexamethylol melamine are methoxymethylated or a mixture thereof, hexamethoxyethyl melamine, hexaacyloxymethyl melamine And a compound in which 1 to 6 methylol groups of hexamethylolmelamine are acyloxymethylated, or a mixture thereof.
  • epoxy compound examples include tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate, trimethylolmethane triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, triethylolethane triglycidyl ether, and the like.
  • the guanamine compound include, for example, tetramethylolguanamine, tetramethoxymethylguanamine, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolguanamine are methoxymethylated, or a mixture thereof, tetramethoxyethylguanamine, tetraacyloxyguanamine, Examples thereof include compounds in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolguanamine are acyloxymethylated, or mixtures thereof.
  • glycoluril compound examples include, for example, tetramethylol glycoluril, tetramethoxyglycoluril, tetramethoxymethylglycoluril, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylolglycoluril are methoxymethylated, or a mixture thereof, Examples thereof include compounds in which 1 to 4 methylol groups of methylol glycoluril are acyloxymethylated, or mixtures thereof.
  • urea compound examples include, for example, tetramethylol urea, tetramethoxymethyl urea, a compound in which 1 to 4 methylol groups of tetramethylol urea are methoxymethylated or a mixture thereof, tetramethoxyethyl urea, and the like.
  • the compound containing an alkenyl ether group include, for example, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neo Pentyl glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, etc. Can be mentioned.
  • the content of the crosslinking agent is not particularly limited, but is preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the tellurium-containing compound or tellurium-containing resin. More preferably, it is 1 to 5 parts by mass.
  • the resist underlayer film forming composition may contain an acid generator.
  • an acid generator those that generate an acid by thermal decomposition and those that generate an acid by light irradiation are known, and any of them can be used.
  • the acid generator for example, those described in International Publication No. WO2013 / 024779 can be used.
  • the ratio is 0.01 parts by weight to 5 parts by weight, or 0.1 parts by weight to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the tellurium-containing compound or the tellurium-containing resin. Part by mass, or 0.5 to 1 part by mass.
  • the surfactant is effective in suppressing the occurrence of surface defects and the like when the resist underlayer film forming composition is applied to a substrate.
  • the surfactant contained in the resist underlayer film forming composition include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether.
  • Polyoxyethylene alkylaryl ethers such as polyoxyethylene octylphenol ether and polyoxyethylene nonylphenol ether, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan mono Sorbitan fatty acid esters such as oleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate, polyoxyethylene sol
  • Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as tan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate An agent etc.
  • surfactants may be used alone or in combination of two or more.
  • the proportion thereof is, for example, 0.0001 parts by mass to 5 parts by mass, or 0.001 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the tellurium-containing compound or the tellurium-containing resin. 1 part by mass, or 0.01 part by mass to 0.5 part by mass.
  • the underlayer film for lithography of the present invention can be formed using the resist underlayer film forming composition of the present invention.
  • the lower layer film for lithography of the present invention can be suitably used as a lower layer (resist lower layer film) of a photoresist (upper layer) used in a multilayer resist method.
  • a resist underlayer film is formed using a resist underlayer film forming composition, and at least one photoresist layer is formed on the resist underlayer film.
  • a pattern can be formed by irradiating the region with radiation and developing.
  • an organic underlayer film is formed on a substrate using a coating type organic underlayer film material.
  • Forming a resist underlayer film on the organic underlayer film using the resist underlayer film forming composition of the present invention forming an upper resist film on the resist underlayer film using the upper resist film composition.
  • An upper resist pattern is formed on the upper resist film, the pattern is transferred to the resist lower layer film by etching using the upper layer resist pattern as a mask, and etching is performed on the organic lower layer film using the resist lower layer film to which the pattern is transferred as a mask.
  • the pattern is transferred by etching, and the pattern is transferred by etching to the substrate (workpiece) using the organic underlayer film to which the pattern is transferred as a mask. It can be mentioned pattern forming method.
  • an organic hard mask mainly composed of carbon is formed on a substrate by a CVD method, and the resist underlayer film forming composition of the present invention is used on the organic hard mask.
  • a resist underlayer film is formed, an upper resist film is formed on the resist underlayer film using an upper resist film composition, an upper resist pattern is formed on the upper resist film, and the resist is formed using the upper resist pattern as a mask.
  • a pattern is transferred by etching to the lower layer film, the pattern is transferred to the organic hard mask by using the resist lower layer film to which the pattern is transferred as a mask, and the organic hard mask to which the pattern is further transferred is used as a mask.
  • the pattern formation method which transfers a pattern to a base material (processed body) by an etching can be mentioned.
  • a semiconductor substrate can be used.
  • a silicon substrate can be generally used, but is not particularly limited. Si, amorphous silicon ( ⁇ -Si), p-Si, SiO 2 , SiN, SiON, W, TiN
  • a material different from the layer to be processed, such as Al, can be used.
  • silicon, titanium, tungsten, hafnium, zirconium, chromium, germanium, copper, aluminum, indium, gallium, arsenic, palladium, iron , Tantalum, iridium, molybdenum, or an alloy thereof can be used.
  • a metal film, a metal carbide film, a metal oxide film, a metal nitride film, a metal oxycarbide film, or a metal oxynitride film is formed on a semiconductor substrate as a process layer (processed part) Etc.
  • a process layer (processed part) Etc. can be used.
  • the processing layer containing such a metal include Si, SiO 2 , SiN, SiON, SiOC, p-Si, ⁇ -Si, TiN, WSi, BPSG, SOG, Cr, CrO, CrON, MoSi, and W. , W-Si, Al, Cu, Al-Si, and the like, as well as various low dielectric films and etching stopper films thereof, are usually formed to a thickness of 50 to 10,000 nm, particularly 100 to 5,000 nm.
  • an organic underlayer film or an organic hard mask can be formed on a substrate.
  • the organic underlayer film can be formed from a coating-type organic underlayer film material using a spin coating method or the like, and the organic hard mask is formed from an organic hard mask material mainly composed of carbon using a CVD method. be able to.
  • the type of the organic underlayer film and the organic hard mask is not particularly limited.
  • the upper resist film forms a pattern by exposure, it is preferable to exhibit a sufficient antireflection film function.
  • the “carbon-based hard mask” is composed of a carbon-based material such as amorphous hydrogenated carbon in which a solid content of 50% by mass or more is also called amorphous carbon and is expressed as aC: H.
  • aC H.
  • aC: H films can be deposited by various techniques, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is widely used for cost efficiency and film quality tunability.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the resist underlayer film using the resist underlayer film forming composition of the present invention used in the pattern forming method of the present invention was provided with an organic underlayer film or the like from the resist underlayer film forming composition by spin coating or the like. It can be produced on a workpiece.
  • the resist underlayer is formed by spin coating, it is desirable to bake in order to accelerate the crosslinking reaction in order to evaporate the solvent after spin coating and prevent mixing with the upper resist film.
  • the baking temperature is preferably in the range of 50 to 500 ° C. At this time, although depending on the structure of the device to be manufactured, the baking temperature is particularly preferably 400 ° C. or lower in order to reduce thermal damage to the device.
  • the baking time is preferably in the range of 10 seconds to 300 seconds.
  • any one of a lithography method using light having a wavelength of 300 nm or less or EUV light; an electron beam direct writing method, and a guided self-assembly method can be preferably used.
  • a fine pattern can be formed on the resist upper layer film.
  • the upper resist film composition can be appropriately selected according to the method of forming a pattern on the above upper resist film.
  • a chemically amplified photoresist film material can be used as the upper resist film composition.
  • a photoresist film material a photoresist film is formed and exposed to light, and then an exposed portion is dissolved with an alkaline developer to form a positive pattern, or a development made of an organic solvent.
  • an alkaline developer to form a positive pattern, or a development made of an organic solvent.
  • dissolving an unexposed part using a liquid can be illustrated.
  • the resist underlayer film formed from the resist underlayer film forming composition of the present invention may absorb the light depending on the wavelength of light used in the lithography process. In such a case, it can function as an antireflection film having an effect of preventing reflected light from the substrate.
  • the EUV resist underlayer film can be used for the following purposes in addition to the function as a hard mask. Without intermixing with the EUV resist, it is possible to prevent reflection of unwanted exposure light such as UV and DUV (ArF light, KrF light) from the substrate or interface during EUV exposure (wavelength 13.5 nm).
  • the tellurium-containing resist underlayer film forming composition can be used as a resist underlayer antireflection film. Reflection can be efficiently prevented in the lower layer of the EUV resist.
  • the said composition for lower layer film formation is excellent in the EUV absorption ability, it can express the sensitization effect
  • the process can be performed in the same manner as the photoresist underlayer film.
  • BHPT bis (4-hydroxyphenyl) tellurium dichloride
  • Ph-BHPT bis (3-phenyl4-hydroxyphenyl) tellurium dichloride
  • LC-MS measurement method described above.
  • the obtained compound (Ph-BHPT) was subjected to NMR measurement under the above-mentioned measurement conditions. As a result, the following peaks were found and confirmed to have the chemical structure of the compound (Ph-BHPT) shown below. did. ⁇ (ppm) 9.0 (2H, —OH), 7.0 to 7.5 (16H, Ph—H)
  • CCHT ((2,4-dihydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) tellurium dichloride).
  • the molecular weight was measured by the aforementioned measuring method (LC-MS), and as a result, it was 401.
  • LC-MS aforementioned measuring method
  • Production Example 12 Synthesis of Compound (Ph-TDP-ADBAC) Production Example 2 was used except that 4.7 g (10 mmol) of Compound (Ph-TDP) was used instead of 3.9 g (10 mmol) of Compound (BHPT). By the same operation, 1.70 g of a compound having the structure shown below (Ph-TDP-ADBAC) was obtained. With respect to the obtained compound (Ph-TDP-ADBAC), the molecular weight was measured by the aforementioned measuring method (LC-MS), and as a result, it was 879.
  • LC-MS aforementioned measuring method
  • Production Example 14 Synthesis of Compound (Ph-TDP-EE) Production Example 4 was used except that 4.7 g (10 mmol) of Compound (Ph-TDP) was used instead of 3.9 g (10 mmol) of Compound (BHPT). By the same operation, 1.16 g of a compound (Ph-TDP-EE) having the structure shown below was obtained.
  • the obtained compound (Ph-TDP-EE) was measured to have a molecular weight of 610 by the measurement method (LC-MS) described above.
  • the obtained compound (Ph-TDP-EE) was subjected to NMR measurement under the measurement conditions described above. As a result, the following peaks were found, and the chemical structure of the compound (Ph-TDP-EE) shown below was determined.
  • the obtained solid was filtered and dried, followed by separation and purification by column chromatography to obtain 5.6 g of a target resin (R1-BHPT) having a structure represented by the following formula.
  • R1-BHPT the molecular weight in terms of polystyrene was measured by the aforementioned method.
  • Mn was 587, Mw: 1216, and Mw / Mn: 2.07.
  • the obtained resin (R1-BHPT) was subjected to NMR measurement under the above measurement conditions. As a result, the following peak was found, and it was confirmed that it had a chemical structure of the following formula (R1-BHPT).
  • the obtained resin (R2-BHPT-ADBAC) was subjected to NMR measurement under the above measurement conditions. As a result, the following peak was found, and it was confirmed that it had a chemical structure of the following formula (R2-BHPT-ADBAC). . ⁇ (ppm) 6.8 to 8.1 (17H, Ph—H), 4.7 to 5.0 (4H, O—CH 2 —C ( ⁇ O) —), 1.2 to 2.7 ( 34H, C / H / Adamantane of methylene and methine), 4.5 (1H, -CH)
  • the obtained resin (R2-BHPT-EE) was subjected to NMR measurement under the above measurement conditions. As a result, the following peak was found, and it was confirmed that it had a chemical structure of the following formula (R2-BHPT-EE). . ⁇ (ppm) 6.9 to 7.4 (17H, Ph—H), 5.6 (2H, CH), 1.6 (6H, —CH 3 ), 3.9 (4H, O—CH 2 — ), 1.2 (6H, —CH 3 ), 4.5 (1H, —CH)
  • the obtained compound resin (R1-Ph-BHPT-ADBAC) was subjected to NMR measurement under the measurement conditions. As a result, the following peak was found, and the chemical structure of the following formula (R1-Ph-BHPT-ADBAC) It was confirmed to have ⁇ (ppm) 6.8 to 8.1 (8H, Ph—H), 4.7 to 5.0 (4H, O—CH 2 —C ( ⁇ O) —), 1.2 to 2.7 ( 34H, C / H / Adamantane of methylene and methine), 4.1 (2H, -CH 2 )
  • the obtained compound resin (R1-Ph-PTDP-ADBAC) was subjected to NMR measurement under the measurement conditions. As a result, the following peak was found, and the chemical structure of the following formula (R1-Ph-TDP-ADBAC) It was confirmed to have ⁇ (ppm) 7.1 to 7.7 (16H, Ph—H), 5.0 (4H, O—CH 2 —C ( ⁇ O) —), 1.0 to 2.6 (34H, C— H / Adamantane of methylene and methine), 4.1 (2H, -CH2)
  • the obtained reaction product was added dropwise to 1N HCl to obtain brown crystals.
  • the crystals were filtered and dried under reduced pressure to obtain 0.40 g of the target resin (BHPT-co-ADTBA).
  • the obtained resin (BHPT-co-ADTBA) was measured for polystyrene-equivalent molecular weight by the above-described method, and was found to be Mn: 750, Mw: 1350, and Mw / Mn: 1.80.
  • the obtained resin (BHPT-co-ADTBA) was subjected to NMR measurement under the above measurement conditions. As a result, the following peak was found, and it was confirmed that it had a chemical structure of the following formula (BHPT-co-ADTBA). .
  • the obtained resin (DBM-co-TeCl2) was measured for polystyrene-equivalent molecular weight by the above-described method. As a result, Mn: 39820, Mw: 62910, and Mw / Mn: 1.58.
  • the obtained resin (DMB-co-TeCl2) was subjected to NMR measurement under the above-mentioned measurement conditions. As a result, the following peak was found, and it was confirmed that it had a chemical structure of the following formula (DMB-co-TeCl2). . ⁇ (ppm) 6.0 to 7.2 (2H, Ph—H), 3.6 (6H, —CH 3 )
  • the obtained brown solid was put into a container with an internal volume of 100 mL equipped with a stirrer, a condenser tube and a burette, and 10 ml of ethyl acetate and 13.0 g (60 mmol) of copper powder were added and reacted at 80 ° C. for 24 hours under reflux conditions. Went.
  • the obtained reaction solution was concentrated twice and added dropwise to chloroform.
  • the resulting precipitate was filtered and dried, and 0.2 g of black-brown resin (Re-co-Te) (relative to tellurium tetrachloride). Yield 3%).
  • the obtained brown solid was put into a container with a volume of 100 mL equipped with a stirrer, a condenser tube and a burette, dissolved by adding 20 ml of ethyl acetate, added with 38.0 g (600 mmol) of copper powder, and refluxed at 80 ° C. The reaction was performed for 24 hours.
  • the obtained reaction solution was concentrated twice, and the resulting precipitate was added dropwise to hexane, and the resulting precipitate was filtered and dried to obtain 0.11 g of a red resin (DPE-co-Te).
  • the obtained resin (DPE-co-Te) was measured for polystyrene-reduced molecular weight by the above-described method.
  • the solvent of the reaction solution was distilled off and dried under reduced pressure to obtain 2.0 g of methylteranylstyrene.
  • 3.2 g (25 mmol) of tellurium and 25 ml of THF were added to a 200 mL container, and the mixture was stirred and suspended.
  • 30 ml of methyllithium solution (1 mol / l, diethyl ether solution) was added dropwise under ice cooling, and the mixture was stirred at 0 ° C. for 1 hour. did.
  • 20 ml of 0.5 mol / l ammonium chloride aqueous solution was added, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 2 hours to be reacted.
  • the aqueous layer was separated and extracted three times with diethyl ether.
  • the solvent of the extracted organic layer was distilled off and dried under reduced pressure to obtain 2.2 g of dimethyl ditelluride.
  • 80 g of chlorobenzene, 2.6 g (10 mmol) of the above methylteranyl styrene, 0.7 g (2.5 mmol) of dimethylditelluride, azobisiso Butyronitrile 0.4g (2.5mmol) was added, and it stirred at 110 degreeC for 1 hour in nitrogen stream.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw1420 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw1830 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1660 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1550 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1650 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1500 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1400 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1800 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw1410 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1490 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1690 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw1820 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1950 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1860 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1460 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2650 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1950 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 1950 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 4930 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 5420 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 3400 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2830 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2510 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 3460 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 4160 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2060 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 2460 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw3310 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw3040 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 4140 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 4310 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw4520 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 2560 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw3720 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 4410 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2330 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2330 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw123330 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw115530 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 131930 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw127910 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw 6930 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw25130 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw1610 in terms of polystyrene.
  • reaction solution is cooled to room temperature, 72.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the reaction solution, and ethanol, water, and acetone as reaction by-products are distilled off under reduced pressure, and concentrated to the propylene glycol hydrolyzed condensate.
  • a monomethyl ether acetate solution was obtained.
  • Propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether were added, and the solvent ratio of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monoethyl ether 20/80 was adjusted to 15% by mass in terms of solid residue at 140 ° C.
  • the weight average molecular weight by GPC of the obtained polymer was Mw2030 in terms of polystyrene.
  • Example 1 (Preparation of tellurium-containing resist underlayer film forming composition) 160 g of a 15% by weight solution of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1, 640 g of propylene glycol monomethyl ether, and 80 g of deionized water were added, and the mixture was stirred and homogenized. A tellurium-containing resist underlayer film forming composition was prepared by circulating filtration at a flow rate of 10 ml for 1 hour.
  • the composition for forming the tellurium-containing resist underlayer film is filled in a clean container, followed by spin coating at 1500 rpm on a silicon wafer using a spin coater, heating at 240 ° C. for 60 seconds, and having a film thickness of 35 nm.
  • a coating film was prepared.
  • These resist underlayer films were subjected to a refractive index (n value) and optical absorption coefficient (k value, attenuation coefficient) at a wavelength of 193 nm using a spectroscopic ellipsometer (manufactured by JA Woollam, VUV-VASE VU-302). (Also called). The results are shown in Table 1 below.
  • the contents were collected and placed in ice, diluted with benzene, and then neutralized, and the oil layer obtained was analyzed by gas chromatography.
  • the conversion of 4-cyclohexylbenzene was 100% and the selectivity for 4-cyclohexylbenzaldehyde was 97.3%.
  • the target component was isolated by simple distillation and analyzed by GC-MS.
  • the molecular weight 188 of the target 4-cyclohexylbenzaldehyde (hereinafter referred to as “CHBAL”) was shown. That is, the molecular weight was measured using GC-MS QP2010 Ultra manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the chemical shift value ( ⁇ ppm, TMS standard) of 1 H-NMR in deuterated chloroform solvent is 1.0 to 1.6 (m, 10H), 2.6 (m, 1H), 7.4 (d , 2H), 7.8 (d, 2H), 10.0 (s, 1H).
  • the tellurium-containing resist underlayer film forming composition solution was applied onto a silicon wafer using a spin coater. The mixture was heated on a hot plate at 240 ° C. for 1 minute to form a tellurium-containing resist underlayer film (film thickness: 100 nm). Similarly, with a spin coater, an organic underlayer film forming composition (10 mass% ethyl lactate solution of BisN-1) was applied on a silicon wafer to form an organic underlayer film with a film thickness of 200 nm.
  • the dry etching rate was measured using O 2 gas as the etching gas, the dry etching rate of the tellurium-containing resist underlayer film was compared, and the resistance to oxygen-based etching gas (oxygen-based gas resistance) was evaluated.
  • RIE-10NR manufactured by Samco: O 2 was used as the etcher and the etching gas used for the measurement of the dry etching rate.
  • Table 1 below shows the resistance to oxygen-based gas (O 2 gas) ([etch rate ratio of [this resist underlayer film] / [organic underlayer film]).
  • the etch rate ratio needs to be 1 or less.
  • the following is preferable, more preferably 0.2 or less, and further preferably 0.1 or less.
  • the said organic underlayer film forming composition was apply
  • the tellurium-containing resist underlayer film forming composition was applied thereon and heated at 240 ° C. for 60 seconds to produce a tellurium-containing resist underlayer film having a thickness of 35 nm.
  • each of the photoresist solutions was applied by a spinner, and baked on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds to form a photoresist film having a thickness of 120 nm.
  • Example 1-2 A coating film was prepared in exactly the same manner as in Example 1, except that 160 g of a 15% by weight solution of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1-2 was used instead of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1. Various evaluations were made.
  • Example 1-3 After adding 160 g of a 15% by weight solution of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1, 640 g of propylene glycol monomethyl ether, and 80 g of tetramethylol glycoluril and deionized water as a cross-linking agent, and stirring and homogenizing, the openings are A tellurium-containing resist underlayer film forming composition was prepared by circulating filtration with a 5 nm polyethylene filter at a flow rate of 10 ml per minute for 1 hour.
  • Examples 2 to 42 A coating film was prepared in exactly the same manner as in Example 1, except that 160 g of a 15% by weight solution of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Examples 2 to 42 was used instead of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1. Various evaluations were made.
  • Example 1 A coating film was formed in exactly the same manner as in Example 1 except that 160 g of a 15% by mass solution of the hydrolytic condensate of the silicon compound obtained in Comparative Synthesis Example 1 was used instead of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1. It produced and evaluated variously.
  • Example 2 A coating film was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that 160 g of a 15% by mass solution of the hydrolytic condensate of the silicon compound obtained in Comparative Synthesis Example 2 was used instead of the tellurium-containing silicon compound obtained in Synthesis Example 1. It produced and evaluated variously.
  • the examples using the composition for forming an underlayer film of the present invention containing a tellurium compound have excellent refractive index, optical absorption coefficient, and pattern rectangularity, and are resistant to oxygen-based etching gases (oxygen-based). It can be seen that (gas resistance) is a practically preferable characteristic.
  • tellurium-containing resins can be obtained in high yield when 3 mol or more of phenols are used per mole of tellurium halide. Indicated.
  • the resist underlayer film forming composition containing tellurium of the present application does not cause intermixing with the resist, and the fluorine-based etching gas has a higher dry etching rate than the resist, and the resist pattern Can be transferred to the resist underlayer film of the present application, and is resistant to oxygen-based etching gas, and the resist pattern can be transferred to the organic underlayer film. Moreover, it was shown that a pattern with a favorable rectangularity was obtained compared with a comparative example.

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Abstract

テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物と、を含むレジスト下層膜形成用組成物。

Description

レジスト下層膜形成用組成物、それを用いたリソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法、並びに、化合物及びその製造方法
　本発明は、半導体素子等の製造工程における微細加工に用いられる多層レジスト法に使用されるテルル含有レジスト下層膜形成用組成物、それを用いたリソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法、並びに、化合物及びその製造方法に関する。
　従来から半導体装置の製造において、フォトレジストを用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。前記微細加工は、まず、シリコンウエハー等の半導体基板上にフォトレジストの薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを形成する。次いで、フォトレジストパターンを保護膜として基板をエッチング処理することにより、基板表面に、前記パターンに対応する微細凹凸を形成する加工法である。ところが、近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、ＥＵＶ（Extreme ultraviolet）光（１３．５ｎｍ）へと短波長化される傾向にある。これに伴い活性光線の半導体基板からの反射の影響が大きな問題となってきた。
　また、半導体基板とフォトレジストとの間の下層膜として、シリコン等の金属元素を含むハードマスクとして知られる膜を使用することが行なわれている（例えば、下記特許文献１参照）。
特開平７－１８３１９４号公報
　フォトレジストとハードマスクとでは、その構成成分に大きな違いが有るため、それらのドライエッチングによって除去される速度は、ドライエッチングに使用されるガス種に大きく依存する。そして、ガス種を適切に選択することにより、フォトレジストの膜厚の大きな減少を伴うことなく、ハードマスクをドライエッチングによって除去することが可能となる。このように、近年の半導体装置の製造においては、上層レジスト（フォトレジスト）だけでは微細化が困難であり、反射防止効果をはじめ、さまざまな効果を達成するために、上層レジストの下層に形成されているハードマスクを利用しなければ微細化プロセスが成立しなくなってきている。更に、上層レジスト（例えば、フォトレジスト、電子線レジスト、ＥＵＶレジスト）とハードマスクとの間にレジスト下層膜を設ける多層レジスト法が種々開発されている。このようなレジスト下層膜は、上層レジストとインターミキシングを起こさず、また、耐熱性を有し、パターニング時にマスク（パターニングされた上層レジスト）よりも大きなエッチング速度を有することで矩形で良好なパターンを得ることができる。又はドマスクや有機下層膜など基材上に設けられた層のパターニング時にはマスクとして機能するためエッチング耐性を示すことが求められる。
　本発明は、パターンの矩形性に優れたレジスト下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法並びに化合物及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは前記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する化合物及び樹脂と、ケイ素含有化合物（例えば、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物）と、を含むレジスト下層膜形成用組成物は、高い耐熱性を有するので、高温ベーク条件でも使用可能であり、上述の活性光線に対する吸収能が高く、高感度であり、レジストとのインターミキシングを起こさず、レジストと比較して大きなフッ素系のドライエッチング速度を有することができることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明は次のとおりである。
＜１＞　テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物と、を含むレジスト下層膜形成用組成物。
＜２＞　前記ケイ素含有化合物が、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物である前記＜１＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜３＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－１）で示される前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 （式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０は、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、ハロゲン原子、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜４＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－２）で示される前記＜３＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （式（Ａ－２）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、単結合又は無架橋であり、Ｒ０Ａは、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、前記アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜５＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－３）で示される前記＜３＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 （式（Ａ－３）中、Ｘ０は、テルルを含む炭素数０～３０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０Ｂは、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜６＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（１Ａ）で示される前記＜３＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 （式（１Ａ）中、Ｘ、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－１）と同義であり、Ｒ１は、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、該アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜７＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（１Ｂ）で示される前記＜４＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （式（１Ｂ）中、Ｘ０、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－３）と同義であり、Ｒ１Ａは、各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はハロゲン原子であり、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜８＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ａ）で示される前記＜７＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 （式（２Ａ）中、Ｚ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義であり、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子である。）
＜９＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ａ’）で示される前記＜８＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 （式（２Ａ’）中、Ｒ１Ｂ及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、Ｘ１は前記式（２Ａ）のＸ１と、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ａ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ａ）のｐと同義であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
＜１０＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（３Ａ）で示される前記＜７＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 （式（３Ａ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｘ１、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ａ）と同義である。）
＜１１＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（４Ａ）で示される前記＜１０＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 （式（４Ａ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｘ１は前記式（３Ａ）と同義である。）
＜１２＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ｂ）で示される前記＜６＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
 （式（２Ｂ）中、Ｚ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義である。）
＜１３＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ｂ’）で示される前記＜１２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
 （式（２Ｂ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ｂ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ｂ）のｐと同義であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
＜１４＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（３Ｂ）で示される前記＜１２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
 （式（３Ｂ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ｂ）と同義である。）
＜１５＞　前記テルルを含有する化合物が、下記式（４Ｂ）で示される前記＜１４＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
 （式（４Ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１は前記式（３Ｂ）と同義である。）
＜１６＞　前記テルルを含有する化合物は、前記Ｒ２として、少なくとも一つの酸解離性反応基を有する前記＜６＞～＜８＞，＜１０＞～＜１２＞，＜１４＞～＜１５＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜１７＞　前記テルルを含有する化合物は、前記Ｒ２が全て水素原子である前記＜６＞～＜８＞，＜１０＞～＜１２＞，＜１４＞～＜１５＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜１８＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
 （式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０は、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、ハロゲン原子、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜１９＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－２）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
 （式（Ａ－２）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、単結合又は無架橋であり、Ｒ０Ａは、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、前記アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜２０＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－３）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
 （式（Ａ－３）中、Ｘ０は、テルルを含む炭素数０～３０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０Ｂは、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
＜２１＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ１－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 （式（Ｂ１－Ｍ）中、Ｘ２は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
＜２２＞　前記テルルを含有する樹脂は、前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である前記＜２１＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜２３＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ２－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜２１＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
 （式（Ｂ２－Ｍ’）中、Ｘ２、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ１－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
 （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
＜２４＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｃ１）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
 （式（Ｃ１）中、Ｘ４は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
＜２５＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ３－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
 （式（Ｂ３－Ｍ）中、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
 （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
＜２６＞　前記テルルを含有する樹脂は、前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である前記＜２４＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜２７＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ４－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜２４＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
 （式（Ｂ４－Ｍ’）中、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ３－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
 （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
＜２８＞　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｃ２）で示される構成単位を含む樹脂である前記＜１＞～＜２＞に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
 （式（Ｃ２）中、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
＜２９＞　溶媒を更に含むことを特徴とする前記＜１＞～＜２８＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜３０＞　酸を更に含有する前記＜１＞～＜２９＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜３１＞　酸架橋剤を更に含有する前記＜１＞～＜３０＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
＜３２＞　下記式（２Ａ’）で表わされる、化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
 （式（２Ａ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｐ及びｐ’は、各々独立して０～２の整数であり、ｎ１及びｎ１’は、各々独立して、０～（５＋２×ｐ）、又は０～（５＋２×ｐ’）の整数であり、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
＜３３＞　下記式（２Ｂ’）で表わされる、化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
 （式（２Ｂ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｐ、及びｐ’は、各々独立して０～２の整数であり、ｎ１及びｎ１’は、各々独立して、０～（５＋２×ｐ）、又は０～（５＋２×ｐ’）の整数であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
＜３４＞　ハロゲン化テルルとフェノール類とを反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させることによる、前記＜８＞～＜１５＞、＜２４＞、＜２８＞のいずれか一つに記載のテルルを含有する化合物の製造方法。
＜３５＞　ハロゲン化テルルとフェノール類とを、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類０．４～１．２モルで反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させることによる、前記＜３４＞に記載の製造方法。
＜３６＞　ハロゲン化テルルとフェノール類［Ｉ］とを反応させ、反応終了後に、フェノール類［ＩＩ］を追加反応させることによる前記＜３４＞に記載の製造方法であって、フェノール類［Ｉ］とフェノール類［ＩＩ］とが異なる製造方法。
＜３７＞　ハロゲン化テルルとフェノール類とから前記＜８＞～＜１５＞、＜２４＞及び＜２８＞のいずれか一つに記載のテルル含有樹脂を得る反応で、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類３モル以上を用いる製造方法。
＜３８＞　前記ケイ素含有化合物が、下記式（Ｄ１）及び（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも一種の加水分解性オルガノシラン、それらの加水分解物、又はそれらの加水分解縮合物である前記＜１＞～前記＜３１＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
 
式（Ｄ１）：　　（Ｒ３）ａＳｉ（Ｒ４）４－ａ
 
（式（Ｄ１）中、Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、又はシアノ基を有する有機基；或いは、それらの組み合わせを表し、且つＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ４はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、ａは０～３の整数を表す。）
 
式（Ｄ２）：　　［（Ｒ５）ｃＳｉ（Ｒ６）４－ｃ］２Ｙｂ
 
（式（Ｄ２）中、Ｒ５はアルキル基を表し、Ｒ６はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を表し、ｂは０又は１の整数を表し、ｃは０又は１の整数を表す。）
＜３９＞　前記＜１＞～＜３１＞及び＜３８＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成されたリソグラフィー用下層膜。
＜４０＞　基板上に、＜１＞～＜３１＞及び＜３８＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行うことを含む、パターン形成方法。
＜４１＞　基板上に塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、前記有機下層膜上に、＜１＞～＜３１＞及び＜３８＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、前記上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記有機下層膜をマスクにして前記基板にエッチングでパターンを転写することを含むパターン形成方法。
＜４２＞　基板上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをＣＶＤ法で形成し、前記有機ハードマスク上に、＜１＞～＜３１＞及び＜３８＞のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、前記上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記有機ハードマスクをマスクにして前記基板にエッチングでパターンを転写することを含むパターン形成方法。
　本発明によれば、パターンの矩形性に優れたレジスト下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、及び、パターン形成方法、並びに化合物及びその製造方法を提供することができる。
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物（例えば、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物）と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、耐熱性が高く、溶媒溶解性も高い。このため、パターンの矩形性に優れる。
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、例えば、上層レジスト（フォトレジスト等）とハードマスクや有機下層膜などとの間に更にレジスト下層膜を備えた多層レジスト法に好適に用いることができる。このような多層レジスト法では、例えば、基板上の有機下層膜又はハードマスクを介してその上にレジスト下層膜を塗布法などによって形成し、そのレジスト下層膜上に上層レジスト（例えば、フォトレジスト、電子線レジスト、ＥＵＶレジスト）を形成する。そして、露光と現像とによってレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを用いてレジスト下層膜をドライエッチングしてパターンの転写を行い、有機下層膜をエッチングすることによりパターンを転写しその有機下層膜により基板の加工を行う。
　即ち、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成されたレジスト下層膜は、上層レジストとインターミキシングを起こしにくく、また、耐熱性を有し、例えば、ハロゲン系（フッ素系）のエッチングガスに対するエッチング速度がマスクとして用いられるパターニングされた上層レジストよりも大きいため、矩形で良好なパターンを得ることができる。更に、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成されたレジスト下層膜は酸素系エッチングガスに対する耐性が高いため、ハードマスクなど基材上に設けられた層のパターニング時には良好なマスクとして機能することができる。尚、本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、レジスト下層膜を複数積層された態様にも用いることができる。この場合、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成されたレジスト下層膜が位置（何層目に積層されているか）は特に限定はなく、上層レジストの直下であってもよい、一番基板側に位置する層であってもよいし、レジスト下層膜で挟まれた態様であってもよい。
　微細なパターンを形成する上で、パターン倒れを防ぐためにレジスト膜厚が薄くなる傾向がある。レジストの薄膜化によりその下層に存在する膜にパターンを転写するためのドライエッチングは、上層の膜よりもエッチング速度が高くなければパターン転写ができない。本発明では、基板上に有機下層膜を介して、その上を本願レジスト下層膜（シリコン系化合物含有）で被覆し、さらにその上をレジスト膜（有機レジスト膜）で被覆することができる。有機系成分の膜と無機系成分の膜とはエッチングガスの選択によりドライエッチング速度が大きく異なり、有機系成分の膜は酸素系ガスでドライエッチング速度が高くなり、無機系成分の膜はハロゲン含有ガスでドライエッチング速度が高くなる。
　例えば、パターン転写されたレジスト下層膜を用いて、その下層の有機下層膜を酸素系ガスでドライエッチングして有機下層膜にパターン転写を行い、そのパターン転写された有機下層膜で、ハロゲン含有ガスを用いて基板加工を行うことができる。
　また、本発明のレジスト下層膜形成用組成物によるレジスト下層膜は、活性光線への吸収能に優れるテルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物（例えば、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物）と、を含むことにより、上層レジストの感度が向上し、上層レジストとインターミキシングを起こさず、露光及び現像後のレジスト下膜形成膜のパターンの形状が矩形になる。これにより微細なパターンによる基板加工が可能になる。
　また、本発明のレジスト下層膜形成用組成物によるレジスト下層膜は、高い耐熱性を有するので、高温ベーク条件でも使用可能である。さらに、比較的に低分子量で低粘度であることから、段差を有する基板（特に、微細なスペースやホールパターン等）であっても、隅々まで均一に充填させることが容易であり、その結果、これを用いたリソグラフィー用下層膜形成材料は平坦化性や埋め込み特性が比較的に有利に高められる傾向にある。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明はその実施の形態のみに限定されない。
［レジスト下層膜形成用組成物］
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、特定の構造を含有する化合物又樹脂とケイ素含有化合物（例えば、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物）と、を含有することから、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、耐熱性が高く、溶媒溶解性も高い。
　前記レジスト下層膜形成用組成物は、例えば、後述の式（Ａ－１）で示される化合物及びこれをモノマーとして得られる（即ち、式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む）樹脂から選ばれる１種以上を含有する。
（式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物）
　本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物の第一の実施形態は、下記式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物を含有することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
 （式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０は、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、ハロゲン原子、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
　本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物に含有させる前記化合物の化学構造は、１Ｈ－ＮＭＲ分析により決定できる。
　本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物に含有させる前記化合物は、前記式（Ａ－１）のとおり、テルルを含むため、特にＥＵＶによるリソグラフィーにおいて増感効果が期待できる。またベンゼン骨格又はナフタレン骨格等を有するため、耐熱性に優れる。
　前記式（Ａ－１）中、ｍは１～４の整数である。ｍが２以上の整数の場合、ｍ個の繰り返し単位の構造式は同一であっても、異なっていてもよい。耐熱性や解像度、ラフネス等のレジスト特性の点から、前記式（Ａ－１）中、ｍは１～３であることが好ましい。
　なお、本実施形態の化合物はポリマーではないが、便宜上、前記式（Ａ－１）中のＸに結合する［　］（括弧）部内の構造を、“繰り返し単位の構造式”と称する（以下、式についても同様である）。
　前記式（Ａ－１）中、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、付属する環構造（式（Ａ－１）においてナフタレンで示される環構造（以下、当該環構造を単に“環構造Ａ”と称することがある。））の構造を決定する値である。即ち、下記に示すように、式（Ａ－１）において、ｐ＝０の場合には環構造Ａはベンゼン構造を示し、ｐ＝１の場合には環構造Ａはナフタレン構造を示し、ｐ＝２の場合には環構造Ａはアントラセン又はフェナントレン等の三環構造を示す。特に限定されるものではないが、前記環構造Ａとしては、溶解性の観点からベンゼン構造又はナフタレン構造が好ましい。式（Ａ－１）において、Ｘ、Ｚ及びＲ０は環構造Ａ上の任意の結合可能部位に結合される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　前記式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基である。Ｘとしては、テルルを含む単結合、又はテルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の炭化水素基が挙げられる。
　前記２ｍ価の基とは、例えば、ｍ＝１のときには、炭素数１～６０のアルキレン基、ｍ＝２のときには、炭素数１～６０のアルカンテトライル基、ｍ＝３のときには、炭素数２～６０のアルカンヘキサイル基、ｍ＝４のときには、炭素数３～６０のアルカンオクタイル基のことを示す。前記２ｍ価の基としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状構造を有するものが挙げられる。
　また、前記２ｍ価の炭化水素基は、脂環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～６０の芳香族基を有していてもよい。ここで、前記脂環式炭化水素基については、有橋脂環式炭化水素基も含まれる。
　Ｘは、耐熱性の点から、縮合多環芳香基（特に２～４環の縮合環構造）を有することが好ましく、安全溶媒への溶解性や耐熱性の点から、ビフェニル基等のポリフェニル基を有することが好ましい。
　Ｘで示される、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基の具体例としては、例えば、下記の基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　前記式（Ａ－１）中、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であることを示す。ｍが２以上の場合、それぞれのＺは同一であってもよいし異なっていてもよい。また、ｍが２以上場合、異なる繰り返し単位の構造式間がＺを介して結合されていてもよい。例えば、ｍが２以上の場合に、異なる繰り返し単位の構造式間がＺを介して結合され、複数の繰り返し単位の構造式がカップ型等の構造を構成していてもよい。特に限定されるものではないが、Ｚとしては、耐熱性の観点から酸素原子又は硫黄原子であることが好ましい。
　前記式（Ａ－１）中、Ｒ０は、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、ハロゲン原子及びそれらの組み合わせである。
　ここで、酸素原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、炭素数１～２０のアシル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１～６の直鎖状アルキルオキシ基、炭素数３～２０の分岐状アルキルオキシ基、炭素数３～２０の環状アルキルオキシ基、炭素数２～６の直鎖状アルケニルオキシ基、炭素数３～６の分岐状アルケニルオキシ基、炭素数３～１０の環状アルケニルオキシ基、炭素数６～１０のアリールオキシ基、炭素数１～２０のアシルオキシ基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニルオキシ基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数２～２０の１－置換アルコキシメチル基、炭素数２～２０の環状エーテルオキシ基、炭素数２～２０のアルコキシアルキルオキシ基、グリシジルオキシ基、アリルオキシ基、（メタ）アクリル基、グリシジルアクリレート基、グリシジルメタクリレート基及び水酸基等が挙げられる。
　炭素数１～２０のアシル基としては、以下に限定されないが、例えば、メタノイル基（ホルミル基）、エタノイル基（アセチル基）、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
　炭素数１～６の直鎖状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数３～２０の分岐状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基等が挙げられる。
　炭素数３～２０の環状アルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数２～６の直鎖状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、２－プロペニルオキシ基、１－ブテニルオキシ基、２－ブテニルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数３～６の分岐状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロペニルオキシ基、イソブテニルオキシ基、イソペンテニルオキシ基、イソヘキセニルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数３～１０の環状アルケニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロペニルオキシ基、シクロブテニルオキシ基、シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基、シクロオクテニルオキシ基、シクロデシニルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数６～１０のアリールオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニルオキシ基（フェノキシ基）、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数１～２０のアシルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルコキシカルボニルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、オクチルオキシカルボニルオキシ基、デシルオキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルコキシカルボニルアルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ－プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ－ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０の１－置換アルコキシメチル基としては、以下に限定されないが、例えば、１－シクロペンチルメトキシメチル基、１－シクロペンチルエトキシメチル基、１－シクロヘキシルメトキシメチル基、１－シクロヘキシルエトキシメチル基、１－シクロオクチルメトキシメチル基及び１－アダマンチルメトキシメチル基等が挙げられる。
　炭素数２～２０の環状エーテルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、テトラヒドロチオピラニルオキシ基、テトラヒドロチオフラニルオキシ基、４－メトキシテトラヒドロピラニルオキシ基及び４－メトキシテトラヒドロチオピラニルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数２～２０のアルコキシアルキルオキシ基としては、以下に限定されないが、例えば、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、シクロヘキシルオキシメトキシ基、シクロヘキシルオキシエトキシ基、フェノキシメトキシ基、フェノキシエトキシ基等が挙げられる。
　（メタ）アクリル基としては、以下に限定されないが、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等が挙げられる。また、グリシジルアクリレート基は、グリシジルオキシ基にアクリル酸を反応させて得ることができるものであれば特に限定されない。更に、グリシジルメタクリレート基としては、グリシジルオキシ基にメタクリル酸を反応させて得ることができるものであれば特に限定されない。
　硫黄原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、チオール基等が挙げられる。硫黄原子を含む１価の基としては、式（Ａ－１）における環構造（Ａ－１）を構成する炭素原子に硫黄原子が直接結合した基であることが好ましい。
　窒素原子を含む１価の基としては、以下に限定されないが、例えば、ニトロ基、アミノ基、ジアゾ基等が挙げられる。窒素原子を含む１価の基としては、式（Ａ－１）における環構造（Ａ－１）を構成する炭素原子に窒素原子が直接結合した基であることが好ましい。
　炭化水素基としては、以下に限定されないが、例えば、炭素数１～６の直鎖状アルキル基、炭素数３～６の分岐状アルキル基、炭素数３～１０の環状アルキル基、炭素数２～６の直鎖状アルケニル基、炭素数３～６の分岐状アルケニル基、炭素数３～１０の環状アルケニル基、炭素数６～１０のアリール基等が挙げられる。
　炭素数１～６の直鎖状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。
　炭素数３～６の分岐状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基等が挙げられる。
　炭素数３～１０の環状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等が挙げられる。
　炭素数２～６の直鎖状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基（アリル基）、１－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基等が挙げられる。
　炭素数３～６の分岐状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロペニル基、イソブテニル基、イソペンテニル基、イソヘキセニル基等が挙げられる。
　炭素数３～１０の環状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基、シクロデシニル基等が挙げられる。
　炭素数６～１０のアリール基としては、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、以下に限定されないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　前記式（１）において、ｎは各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。本実施形態においては、溶媒に対する溶解性の観点から、前記式（Ａ－１）中のｎの少なくとも１つが、１～４の整数であることが好ましい。
　本実施形態において、溶媒に対する溶解性と架橋性の導入との観点から、上記式（Ａ－１）中のＲ０の少なくとも１つが、酸素原子を含む１価の基であることが好ましい。
　前記式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物は、硬化性の観点から下記式（Ａ－２）で示されるテルル含有化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
 （式（Ａ－２）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、単結合又は無架橋であり、Ｒ０Ａは、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、前記アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
　Ｒ０Ａにおける「酸架橋性基」及び「酸解離性反応基」については後述する。
　前記式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物は、安全溶媒への溶解性の観点から下記式（Ａ－３）で示されるテルル含有化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
 （式（Ａ－３）中、Ｘ０は、テルルを含む炭素数０～３０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０Ｂは、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
　本実施形態において、得られるレジストのパターン形状の観点から、前記式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物は、後述するＢＭＰＴ、ＢＨＰＴ、ＴＤＰ以外の化合物であることが好ましい。
－式（１Ａ）で示されるテルル含有化合物－
　前記式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物は、下記式（１Ａ）で示されるテルル含有化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
 （式（１Ａ）中、Ｘ、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－１）と同義であり、Ｒ１は、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、該アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
　式（１Ａ）において、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。また、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。即ち、一般式（１）のテルルを含有する化合物は、一つの環構造Ａに対して、少なくとも一つの「－ＯＲ２」を有する。式（１）において、Ｘ、Ｚ、Ｒ１及び－ＯＲ２は環構造Ａ上の任意の結合可能部位に結合される。このため、一つの環構造Ａにおけるｎ１＋ｎ２の上限は、Ｘ及びＺと結合部位を考慮に入れた後の環構造Ａの結合可能部位数の上限と一致する。
　Ｒ１は、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、該アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよい。
　上述のように、Ｒ１で示される炭化水素基としては、置換又は無置換の直鎖状、置換又は無置換の分岐状若しくは置換又は無置換の環状の炭化水素基が挙げられる。
　直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素基としては、以下に限定されないが、例えば、炭素数１～３０の直鎖状アルキル基、炭素数３～３０の分岐状アルキル基、炭素数３～３０の環状アルキル基が挙げられる。
　炭素数１～３０の直鎖状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。
　炭素数３～３０の分岐状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基等が挙げられる。
　炭素数３～３０の環状アルキル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等が挙げられる。
　上述のように、Ｒ１で示されるアリール基としては、以下に限定されないが、炭素数６～４０のアリール基が挙げられ、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　上述のように、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、以下に限定されないが、置換又は無置換のアルケニル基が挙げられ、例えば、炭素数２～３０の直鎖状アルケニル基、炭素数３～３０の分岐状アルケニル基、炭素数３～３０の環状アルケニル基が挙げられる。
　炭素数２～３０の直鎖状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基（アリル基）、１－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基等が挙げられる。
　炭素数３～３０の分岐状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、イソプロペニル基、イソブテニル基、イソペンテニル基、イソヘキセニル基等が挙げられる。
　炭素数３～３０の環状アルケニル基としては、以下に限定されないが、例えば、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基、シクロデシニル基等が挙げられる。
　ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　なお、本明細書での「置換」とは、別途の定義がない限り、官能基中の一つ以上の水素原子が、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～３０のアラルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数０～２０のアミノ基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数１～２０のアシル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１～２０のアルキロイルオキシ基、炭素数７～３０のアリーロイルオキシ基又は炭素数１～２０のアルキルシリル基で置換されていることを意味する。
　無置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。
　置換の炭素数１～２０の直鎖状脂肪族炭化水素基とは、例えば、フルオロメチル基、２－ヒドロキシエチル基、３－シアノプロピル基及び２０－ニトロオクタデシル基等が挙げられる。
　無置換の炭素数３～２０の分岐脂肪族炭化水素基とは、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ネオペンチル基、２－ヘキシル基、２－オクチル基、２－デシル基、２－ドデシル基、２－ヘキサデシル基、２－オクタデシル基等が挙げられる。
　置換の炭素数３～２０の分岐脂肪族炭化水素基とは、例えば、１－フルオロイソプロピル基及び１－ヒドロキシ－２－オクタデシル基等が挙げられる。
　無置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基とは、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロオクタデシル基等が挙げられる。
　置換の炭素数３～２０の環状脂肪族炭化水素基とは、例えば、２－フルオロシクロプロピル基及び４－シアノシクロヘキシル基等が挙げられる。
　無置換の炭素数６～２０のアリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　置換の炭素数６～２０のアリール基とは、例えば、４－イソプロピルフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、４－メチルフェニル基、６－フルオロナフチル基等が挙げられる。
　無置換の炭素数２～２０のアルケニル基とは、例えば、ビニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基等が挙げられる。
　置換の炭素数２～２０のアルケニル基とは、例えば、クロロプロピニル基等が挙げられる。
　ハロゲン原子とは、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　式（１Ａ）において、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基である。
　本実施形態において「酸架橋性基」とは、ラジカル又は酸／アルカリの存在下で反応し、塗布溶媒や現像液に使用される酸、アルカリ又は有機溶媒に対する溶解性が変化する特性基をいう。酸架橋性基としては、例えば、アリル基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、アルコキシメチル基、シアナト基が挙げられるが、ラジカル又は酸／アルカリの存在下で反応すれば、これらに限定されない。酸架橋性基は、生産性を向上させる観点から、酸の存在下で連鎖的に開裂反応を起こす性質を有することが好ましい。
　本実施形態において「酸解離性反応基」とは、酸の存在下で開裂して、アルカリ可溶性基等の変化を生じる特性基をいう。アルカリ可溶性基としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘキサフルオロイソプロパノール基などが挙げられ、フェノール性水酸基及びカルボキシル基が好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。前記酸解離性反応基としては、特に限定されないが、例えば、ＫｒＦやＡｒＦ用の化学増幅型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン系樹脂、（メタ）アクリル酸系樹脂等において提案されているもののなかから適宜選択して用いることができる。
　前記酸解離性反応基の好ましい例としては、酸により解離する性質を有する、置換メチル基、１－置換エチル基、１－置換－ｎ－プロピル基、１－分岐アルキル基、シリル基、アシル基、１－置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群より選ばれる基が挙げられる。なお、前記酸解離性反応基は、架橋性官能基を有さないことが好ましい。
　置換メチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数２～２０の置換メチル基とすることができ、炭素数４～１８の置換メチル基が好ましく、炭素数６～１６の置換メチル基がより好ましい。置換メチル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、ｎ－プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ－ブトキシメチル基、ｔ－ブトキシメチル基、２－メチルプロポキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、フェニルオキシメチル基、１－シクロペンチルオキシメチル基、１－シクロヘキシルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、４－ブロモフェナシル基、４－メトキシフェナシル基、ピペロニル基、及び下記式（１３－１）で表される置換基群等を挙げることができる。なお、下記式（１３－１）中のＲ２の具体例としては、以下に限定されないが、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－プロピル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ブチル基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　前記式（１３－１）中、Ｒ２Ａは、炭素数１～４のアルキル基である。
　１－置換エチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数３～２０の１－置換エチル基とすることができ、炭素数５～１８の１－置換エチル基が好ましく、炭素数７～１６の置換エチル基がより好ましい。１－置換エチル基の具体例としては、以下に限定されないが、１－メトキシエチル基、１－メチルチオエチル基、１，１－ジメトキシエチル基、１－エトキシエチル基、１－エチルチオエチル基、１，１－ジエトキシエチル基、ｎ－プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、ｎ－ブトキシエチル基、ｔ－ブトキシエチル基、２－メチルプロポキシエチル基、１－フェノキシエチル基、１－フェニルチオエチル基、１，１－ジフェノキシエチル基、１－シクロペンチルオキシエチル基、１－シクロヘキシルオキシエチル基、１－フェニルエチル基、１，１－ジフェニルエチル基、及び下記式（１３－２）で表される置換基群等を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　前記式（１３－２）中、Ｒ２Ａは、前記（１３－１）と同義である。
　１－置換－ｎ－プロピル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数４～２０の１－置換－ｎ－プロピル基とすることができ、炭素数６～１８の１－置換－ｎ－プロピル基が好ましく、炭素数８～１６の１－置換－ｎ－プロピル基がより好ましい。１－置換－ｎ－プロピル基の具体例としては、以下に限定されないが、１－メトキシ－ｎ－プロピル基及び１－エトキシ－ｎ－プロピル基等を挙げることができる。
　１－分岐アルキル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数３～２０の１－分岐アルキル基とすることができ、炭素数５～１８の１－分岐アルキル基が好ましく、炭素数７～１６の分岐アルキル基がより好ましい。１－分岐アルキル基の具体例としては、以下に限定されないが、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、１，１－ジメチルプロピル基、１－メチルブチル基、１，１－ジメチルブチル基、２－メチルアダマンチル基、及び２－エチルアダマンチル基等を挙げることができる。
　シリル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数１～２０のシリル基とすることができ、炭素数３～１８のシリル基が好ましく、炭素数５～１６のシリル基がより好ましい。シリル基の具体例としては、以下に限定されないが、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルシリル基及びトリフェニルシリル基等を挙げることができる。
　アシル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数２～２０のアシル基とすることができ、炭素数４～１８のアシル基が好ましく、炭素数６～１６のアシル基がより好ましい。アシル基の具体例としては、以下に限定されないが、アセチル基、フェノキシアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、アダマンチルカルボニル基、ベンゾイル基及びナフトイル基等を挙げることができる。
　１－置換アルコキシメチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数２～２０の１－置換アルコキシメチル基とすることができ、炭素数４～１８の１－置換アルコキシメチル基が好ましく、炭素数６～１６の１－置換アルコキシメチル基がより好ましい。１－置換アルコキシメチル基の具体例としては、以下に限定されないが、１－シクロペンチルメトキシメチル基、１－シクロペンチルエトキシメチル基、１－シクロヘキシルメトキシメチル基、１－シクロヘキシルエトキシメチル基、１－シクロオクチルメトキシメチル基及び１－アダマンチルメトキシメチル基等を挙げることができる。
　環状エーテル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数２～２０の環状エーテル基とすることができ、炭素数４～１８の環状エーテル基が好ましく、炭素数６～１６の環状エーテル基がより好ましい。環状エーテル基の具体例としては、以下に限定されないが、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、４－メトキシテトラヒドロピラニル基及び４－メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。
　アルコキシカルボニル基としては、通常、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基とすることができ、炭素数４～１８のアルコキシカルボニル基が好ましく、炭素数６～１６のアルコキシカルボニル基が更に好ましい。アルコキシカルボニル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基又は下記式（１３－３）のｎ＝０で表される酸解離性反応基群等を挙げることができる。
　アルコキシカルボニルアルキル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数２～２０のアルコキシカルボニルアルキル基とすることができ、炭素数４～１８のアルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、炭素数６～１６のアルコキシカルボニルアルキル基が更に好ましい。アルコキシカルボニルアルキル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ－プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ－ブトキシカルボニルメチル基又は下記式（１３－３）のｎ＝１～４で表される酸解離性反応基群等を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　前記式（１３－３）中、Ｒ３Ａは水素原子又は炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状アルキル基であり、ｎは０～４の整数である。
　これらの酸解離性反応基のうち、置換メチル基、１－置換エチル基、１－置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、より高い感度を発現する観点から、置換メチル基、１－置換エチル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基がより好ましく、更に炭素数３～１２のシクロアルカン、ラクトン及び６～１２の芳香族環から選ばれる構造を有する酸解離性反応基が更に好ましい。炭素数３～１２のシクロアルカンとしては、単環でも多環でもよいが、多環であることが好ましい。炭素数３～１２のシクロアルカンの具体例としては、以下に限定されないが、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等が挙げられ、より具体的には、以下に限定されないが、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロデカン等のポリシクロアルカンが挙げられる。これらの中でも、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロデカンが好ましく、アダマンタン、トリシクロデカンがより好ましい。炭素数３～１２のシクロアルカンは置換基を有してもよい。ラクトンとしては、以下に限定されないが、例えば、ブチロラクトン又はラクトン基を有する炭素数３～１２のシクロアルカン基が挙げられる。６～１２の芳香族環としては、以下に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、ナフタレン環がより好ましい。
　特に下記式（１３－４）で表される各基からなる群から選ばれる酸解離性反応基群が、解像性が高く好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　前記式（１３－４）中、Ｒ５Ａは、水素原子又は炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状アルキル基であり、Ｒ６Ａは、水素原子、炭素数１～４の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子又はカルボキシル基であり、ｎ１Ａは０～４の整数であり、ｎ２Ａは１～５の整数であり、ｎ０Ａは０～４の整数である。
　上述の構造的特徴により、前記式（１Ａ）で示される化合物は、低分子量ながらも、その剛直さにより高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。また、本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物は、このような低分子量であり、高温ベークが可能でありながら更にテルルを含有する化合物を含むことから高感度であり、更に、良好なレジストパターン形状を付与できる。
　本実施形態において、前記式（１Ａ）で示される化合物は、安全溶媒への溶解性の点から、下記式（１Ｂ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
 （式（１Ｂ）中、Ｘ０、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－３）と同義であり、Ｒ１Ａは、各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はハロゲン原子であり、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
　本実施形態において、前記式（１Ｂ）で示される化合物は、安全溶媒への溶解性やレジストパターンの特性の点から、下記式（２Ａ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
 （式（２Ａ）中、Ｚ、Ｒ１、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義であり、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子である。）
　本実施形態において、前記式（２Ａ）で示される化合物は、物性制御の容易性の点から、下記式（２Ａ’）で示される化合物であることが好ましい。記式（２Ａ’）で示される化合物は非対称の化合物であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、及び、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、の組み合わせのうち少なくとも一つの組み合わせにおいて互いに異なる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
 （式（２Ａ’）中、Ｒ１Ｂ及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、Ｘ１は前記式（２Ａ）のＸ１と、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ａ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ａ）のｐと同義（即ち、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子又はハロゲン原子）であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
　本実施形態において、前記式（２Ａ）で示される化合物は、耐熱性の点から、下記式（３Ａ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
 （式（３Ａ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｘ１、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ａ）と同義である。）
　本実施形態において、前記式（３Ａ）で示される化合物は、製造容易性の点から、下記一般式（４Ａ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
 （式（４Ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１は前記と同様である。）
　本実施形態において、式（２Ａ）、式（２Ａ’）、式（３Ａ）、式（４Ａ）中のＸ１は、製造容易性の点から、ハロゲン原子であることがより好ましい。
　本実施形態において、前記式（１Ｂ）で示される化合物は、安全溶媒への溶解性やレジストパターンの特性の点から、下記式（２Ｂ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
 （式（２Ｂ）中、Ｚ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義である。）
　本実施形態において、前記式（２Ｂ）で示される化合物は、物性制御の容易性の点から、下記式（２Ｂ’）で示される化合物であることが好ましい。記式（２Ｂ’）で示される化合物は非対称の化合物であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’及び、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、の組み合わせのうち少なくとも一つの組み合わせにおいて互いに異なる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
 （式（２Ｂ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ｂ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ｂ）のｐと同義であり（即ち、ｐ、及びｐ’は、各々独立して０～２の整数であり、ｎ１及びｎ１’は、各々独立して、０～（５＋２×ｐ）、又は０～（５＋２×ｐ’）の整数である）、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
　本実施形態において、前記式（２Ｂ）で示される化合物は、耐熱性の点から、下記式（３Ｂ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
 （式（３Ｂ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ｂ）と同義である。）
　本実施形態において、前記式（３Ｂ）で示される化合物は、製造容易性の点から、下記一般式（４Ｂ）で示される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
 （式（４Ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１は前記式（３Ｂ）と同義である。）
　本実施形態において、アルカリ現像によりポジ型パターンを形成する場合又は有機現像によりネガ型パターンを形成する場合は、前記式（１Ａ）で示される化合物は、Ｒ２’として、少なくとも一つの酸解離性反応基を有することが好ましい。このように少なくとも一つの酸解離性反応基を有するテルルを含有する化合物としては、下記式（１Ａ’）で示されるテルルを含有する化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
 （式（１Ａ’）中、Ｘ、Ｚ、ｍ、ｐ、Ｒ１、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ａ）と同義であり、Ｒ２’は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、少なくともひとつのＲ２’は、酸解離性反応基である。）
　本実施形態において、アルカリ現像によりネガ型パターンを形成する場合は、前記式（１Ａ）で示される化合物は、Ｒ２が全て水素原子であるテルルを含有する化合物を用いることができる。このような化合物としては、下記一般式（１Ａ’’）で示される化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
 （前記式（１Ａ’’）において、Ｘ、Ｚ、Ｒ１、ｍ、ｐ、ｎ１、ｎ２は、式（１Ａ）と同様のものを表す。）
　本実施形態において、アルカリ現像によりポジ型パターンを形成する場合又は有機現像によりネガ型パターンを形成する場合は、前記式（１Ｂ）で示される化合物は、Ｒ２’として、少なくとも一つの酸解離性反応基を有することが好ましい。このように少なくとも一つの酸解離性反応基を有するテルルを含有する化合物としては、下記式（１Ｂ’）で示されるテルルを含有する化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
 （式（１Ｂ’）中、Ｘ０、Ｚ、ｍ、ｐ、Ｒ１Ａ、ｎ１、ｎ２は、前記式（１Ｂ）と同義であり、Ｒ２’は、各々独立して、水素原子又は酸解離性反応基であり、少なくとも一つのＲ２’は、酸解離性反応基である。）
　本実施形態において、アルカリ現像によりネガ型パターンを形成する場合は、前記式（１Ｂ）で示される化合物は、Ｒ２が全て水素原子であるテルルを含有する化合物を用いることができる。このような化合物としては、下記一般式（１Ｂ’’）で示される化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
 （式（１Ｂ’’）中、Ｘ０、Ｚ、ｍ、ｐ、Ｒ１Ａ、ｎ１、ｎ２は、前記式（１Ｂ）と同義である。）
　本実施形態において、前記式（Ａ－１）で示される化合物の製造方法は、特に限定されず、例えば、アルコキシベンゼン類と対応するハロゲン化テルルを、反応させることによってポリアルコキシベンゼン化合物を得て、続いて三臭化ホウ素等の還元剤で還元反応を行い、ポリフェノール化合物を得て、得られたポリフェノール化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に公知の方法により酸解離性反応基を導入することにより前記式（Ａ－１）で示される化合物を得ることができる。
　また、フェノール類或いはチオフェノール類と対応するハロゲン化テルルを、反応させることによってポリフェノール化合物を得て、得られたポリフェノール化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に公知の方法により酸解離性反応基を導入することにより前記式（Ａ－１）で示される化合物を得ることができる。
　更には、フェノール類或いはチオフェノール類と対応するテルルを含むアルデヒド類或いはテルルを含むケトン類を、酸又は塩基触媒下にて反応させることによってポリフェノール化合物を得て、得られたポリフェノール化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に公知の方法により酸解離性反応基を導入することにより前記式（Ａ－１）で示される化合物を得ることができる。
　特に限定されるものではないが、例えば、後述のように、四塩化テルル（テルル（ＩＶ）テトラクロライド）等のハロゲン化テルルと、置換又は無置換のフェノール誘導体とを、塩基触媒存在下にて反応させて前記テルルを含有する化合物を合成することができる。即ち、本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物は、ハロゲン化テルルと、置換又は無置換のフェノール誘導体とを、塩基触媒存在下にて反応させて前記テルルを含有する化合物を合成する工程を含むレジスト下層膜形成用組成物の製造方法によって製造することができる。
　ハロゲン化テルルとフェノール類を反応させて式（Ａ－１）等で示される化合物を合成する際、例えば、ハロゲン化テルルとフェノール類とを反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させる方法を用いてもよい。当該方法によると、ポリアルコキシベンゼン化合物を経由しないため、高純度のポリフェノール化合物を得ることができる。
　当該方法においては、高収率で目的のポリフェノール化合物を得るための観点からは、例えば、ハロゲン化テルルとフェノール類とを、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類０．４～１．２モルで反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させることができる。
　また、このような方法においては、異なるフェノール類を反応させることによって、得ることができるポリフェノール化合物の種類を増加するための観点から、ハロゲン化テルルとフェノール類［Ｉ］とを反応させ、反応終了後に、フェノール類［ＩＩ］を追加反応させ、フェノール類［Ｉ］及びフェノール類［ＩＩ］として異なるフェノール類を用いる方法とすることもできる。
　このような方法においては、ポリフェノール化合物を高純度で得るための観点から、ハロゲン化テルルとフェノール類の反応終了後に、反応中間体を分離し、反応中間体のみを用いてフェノール類と反応させることが望ましい。反応中間体は公知の方法により分離することができる。反応中間体の分離方法は、特に限定されず、例えば、ろ過により分離することが出来る。
　さらに、収率向上の観点から、ハロゲン化テルルとフェノール類とからテルル含有樹脂を得る反応で、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類３モル以上を用いてもよい。限定されないが、ハロゲン化テルルとフェノール類とからテルル含有樹脂を得る反応で、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類３モル以上を用いる製造方法は、式（Ｃ１）、及び式（Ｃ２）の製造方法として特に好ましい。
　前記ハロゲン化テルルとしては、特に限定されず、例えば、テルル（ＩＶ）テトラフルオライド、テルル（ＩＶ）テトラクロライド、テルル（ＩＶ）テトラブロマイド、テルル（ＩＶ）テトラヨーダイド等が挙げられる。
　前記アルコキシベンゼン類としては、特に限定されず、例えば、メトキシベンゼン、ジメトキシベンゼン、メチルメトキシベンゼン、メチルジメトキシベンゼン、フェニルメトキシベンゼン、フェニルジメトキシベンゼン、メトキシナフタレン、ジメトキシナフタレン、エトキシベンゼン、ジエトキシベンゼン、メチルエトキシベンゼン、メチルジエトキシベンゼン、フェニルエトキシベンゼン、フェニルジエトキシベンゼン、エトキシナフタレン、ジエトキシナフタレン等が挙げられる。
　前記ポリアルコキシベンゼン化合物を製造する際、反応溶媒を用いてもよい。反応溶媒としては、用いるアルコキシベンゼン類と対応するハロゲン化テルルとの反応が進行すれば特に限定されないが、例えば、水、塩化メチレン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。
　前記溶媒の量は、特に限定されず、例えば、反応原料１００質量部に対して０～２０００質量部の範囲とすることができる。
　前記テルルを含むポリフェノール化合物を製造する際、反応温度は、特に限定されず、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができるが、１０～２００℃の範囲であることが好ましい。
　前記ポリアルコキシベンゼンの製造方法は、特に限定されないが、例えば、アルコキシベンゼン類と対応するハロゲン化テルルを一括で仕込む方法や、アルコキシベンゼン類と対応するハロゲン化テルルを滴下していく方法が挙げられる。反応終了後、系内に存在する未反応原料等を除去するために、反応釜の温度を１３０～２３０℃にまで上昇させ、１～５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去することもできる。
　前記ポリアルコキシベンゼン化合物を製造する際の原料の量は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化テルル１モルに対し、アルコキシベンゼン類を１モル～過剰量使用し、常圧で、２０～１５０℃で２０分間～１００時間程度反応させることにより進行させることができる。
　前記ポリアルコキシベンゼン化合物を製造する際、前記反応終了後、公知の方法により目的物を単離することができる。目的物の単離方法は、特に限定されず、例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って目的化合物を得る方法が挙げられる。
　前記ポリフェノール化合物は、ポリアルコキシベンゼン化合物を還元して得ることができる。還元反応は、三臭化ホウ素等の還元剤を用いて行うことができる。前記ポリフェノール化合物を製造する際、反応溶媒を用いてもよい。また反応時間、反応温度、原料の量及び単離の方法は、前記ポリフェノール化合物が得られる限りにおいて特に限定されない。
　前記フェノール類としては、特に限定されず、例えば、フェノール、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ナフトール類、ジヒドロキシナフタレン類、トリヒドロキシアントラセン類、ヒドロキシビフェノール類、ジヒドロキシビフェノール類、側鎖に炭素数１～４のアルキル基及び/又はフェニル基を持つフェノール類、側鎖に炭素数１～４のアルキル基及び/又はフェニル基を持つナフトール類等が挙げられる。
　前記ポリフェノール化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に酸解離性反応基を導入する方法は公知の方法を用いることができる。例えば以下のようにして、前記ポリフェノール化合物の少なくとも１つのフェノール性水酸基に酸解離性反応基を導入することができる。酸解離性反応基を導入するための化合物は、公知の方法で合成若しくは容易に入手でき、例えば、酸クロライド、酸無水物、ジカーボネートなどの活性カルボン酸誘導体化合物、アルキルハライド、ビニルアルキルエーテル、ジヒドロピラン、ハロカルボン酸アルキルエステルなどが挙げられるが特に限定はされない。
　例えば、アセトン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等の非プロトン性溶媒に前記ポリフェノール化合物を溶解又は懸濁させる。続いて、エチルビニルエーテル等のビニルアルキルエーテル又はジヒドロピランを加え、ピリジニウム　ｐ－トルエンスルホナート等の酸触媒の存在下、常圧で、２０～６０℃、６～７２時間反応させる。反応液をアルカリ化合物で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより前記式（Ａ－１）で示される化合物を得ることができる。
　前記酸触媒は、特に限定されず、周知の酸触媒としては、無機酸や有機酸が広く知られており、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、フッ酸等の無機酸や、シュウ酸、マロン酸、こはく酸、アジピン酸、セバシン酸、クエン酸、フマル酸、マレイン酸、蟻酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸や、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、或いはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらのなかでも、製造上の観点から、有機酸及び固体酸が好ましく、入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸を用いることが好ましい。なお、酸触媒については、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、例えば、アセトン、ＴＨＦ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等の非プロトン性溶媒にポリフェノール化合物を溶解又は懸濁させる。続いて、エチルクロロメチルエーテル等のアルキルハライド又はブロモ酢酸メチルアダマンチル等のハロカルボン酸アルキルエステルを加え、炭酸カリウム等のアルカリ触媒の存在下、常圧で、２０～１１０℃、６時間～７２時間反応させる。反応液を塩酸等の酸で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより前記式（Ａ－１）で示される化合物を得ることができる。
　前記塩基触媒は、特に限定されず、周知の塩基触媒より適宜選択することができ、例えば、金属水素化物（水素化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化物等）、金属アルコール塩（ナトリウムメトキシドやカリウムエトキシド等のアルカリ金属のアルコール塩）、金属水酸化物（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属水酸化物等）、金属炭酸塩（炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸塩等）、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸水素塩等の無機塩基、アミン類（例えば、第３級アミン類（トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン等の芳香族第３級アミン、１－メチルイミダゾール等の複素環式第３級アミン）等、カルボン酸金属塩（酢酸ナトリウム、酢酸カルシウム等の酢酸アルカリ金属又はアルカリ土類金属塩等）等の有機塩基が挙げられる。入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムが好ましい。また、塩基触媒として１種類又は２種類以上を用いることができる。
　前記酸解離性反応基は、更に高感度・高解像度なパターン形成を可能にするために、酸の存在下で連鎖的に開裂反応を起こす性質を有することが好ましい。
　式（Ａ－１）で表されるテルルを含有する化合物の具体例としては、例えば、以下を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000093
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000094
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000096
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000097
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000098
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000099
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000100
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000101
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000102
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000103
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000104
（式（Ａ－１）に由来する構成単位を含む樹脂）
　本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物は、式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物に代えて又はこれと共に、式（Ａ－１）に由来する構成単位を含む樹脂を含有していてもよい。換言すると、本実施形態のレジスト下層膜形成用組成物は、式（Ａ－１）で示される化合物をモノマーとして得られる樹脂を含有することができる。
　また、本実施形態の樹脂は、例えば、式（Ａ－１）で示される化合物と架橋反応性を有する化合物とを反応させることによって得ることができる。
　架橋反応性を有する化合物としては、式（Ａ－１）で示される化合物をオリゴマー化又はポリマー化し得るものである限り、公知のものを特に制限なく使用することができる。その具体例としては、例えば、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、カルボン酸ハライド、ハロゲン含有化合物、アミノ化合物、イミノ化合物、イソシアネート、不飽和炭化水素基含有化合物等が挙げられるが、これらに特に限定されない。
　前記テルルを含有する樹脂としては、例えば、上述の式（Ａ－１）で示される化合物に由来する化合物を含む樹脂（例えば、上述の式（Ａ－２）で示される化合物に由来する化合物を含む樹脂、上述の式（Ａ－３）で示される化合物に由来する化合物を含む樹脂を含む）の他、以下の式で示される構成単位を含む樹脂を用いてもよい。
　下記式（Ｂ１－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000105
 （式（Ｂ１－Ｍ）中、Ｘ２は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000106
 （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
　下記式（Ｂ１－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂（式（Ｂ１－Ｍ）において前記Ｒ４が単結合である樹脂）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000107
 （式（Ｂ１－Ｍ’）中、Ｘ２は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。）
　下記式（Ｂ２－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂（式（Ｂ１－Ｍ）において前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である構成単位を含む樹脂）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000108
 （式（Ｂ２－Ｍ）中、Ｘ２、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ１－Ｍ）と同義であり、Ｒ４は、前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
　下記式（Ｂ２－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000109
 （式（Ｂ２－Ｍ’）中、Ｘ２、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ１－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000110
 （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
　下記式（Ｃ１）で示される構成単位を含む樹脂
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000111
 （式（Ｃ１）中、Ｘ４は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
　下記式（Ｂ３－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000112
 （式（Ｂ３－Ｍ）中、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000113
 （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
　下記式（Ｂ３－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂（式（Ｂ３－Ｍ）において前記Ｒ４が単結合である樹脂）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000114
 （式（Ｂ３－Ｍ’）中、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。）
　下記式（Ｂ４－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂（式（Ｂ３－Ｍ）において前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である構成単位を含む樹脂）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000115
 （式（Ｂ４－Ｍ）中、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ３－Ｍ）と同義であり、Ｒ４は、上述の一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
　下記式（Ｂ４－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000116
 （式（Ｂ４－Ｍ’）中、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ３－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000117
 （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
　下記式（Ｃ２）で示される構成単位を含む樹脂
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000118
 （式（Ｃ２）中、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
　尚、上述の各構成単位を含む樹脂は、構成単位間で各置換基が異なっていてもよい。例えば、式（Ｂ１－Ｍ）又は（Ｂ３－Ｍ）におけるＲ４が一般式（５）である場合におけるＲ５や、式（Ｂ２－Ｍ’）又は（Ｂ４－Ｍ‘）における一般式（６）中のＲ６は、それぞれの構成単位間において同じであってもよいし異なっていてもよい。
　式（Ａ－１）に由来する構成単位としては、具体例としては例えば以下を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000119
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000120
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000121
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000122
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000123
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000124
　ここで、本実施形態における樹脂は、前記式（Ａ－１）で表される化合物の単独重合体であってもよいが、他のフェノール類との共重合体であってもよい。ここで共重合可能なフェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、ジメチルフェノール、トリメチルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノール、ジフェニルフェノール、ナフチルフェノール、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、カテコール、ブチルカテコール、メトキシフェノール、メトキシフェノール、プロピルフェノール、ピロガロール、チモール等が挙げるが、これらに特に限定されない。
　また、本実施形態における樹脂は、上述した他のフェノール類以外に、重合可能なモノマーと共重合させたものであってもよい。かかる共重合モノマーとしては、例えば、ナフトール、メチルナフトール、メトキシナフトール、ジヒドロキシナフタレン、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４－ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、ビニルノルボルナエン、ピネン、リモネン等が挙げられるが、これらに特に限定されない。なお、本実施形態における樹脂は、前記式（Ａ－１）で表される化合物と上述したフェノール類との２元以上の（例えば、２～４元系）共重合体であっても、前記式（Ａ－１）で表される化合物と上述した共重合モノマーとの２元以上（例えば、２～４元系）共重合体であっても、前記式（Ａ－１）で表される化合物と上述したフェノール類と上述した共重合モノマーとの３元以上の（例えば、３～４元系）共重合体であっても構わない。
　なお、本実施形態における樹脂の分子量は、特に限定されないが、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００～３０，０００であることが好ましく、より好ましくは７５０～２０，０００である。また、架橋効率を高めるとともにベーク中の揮発成分を抑制する観点から、本実施形態における樹脂は、分散度（重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ）が１．２～７の範囲内のものが好ましい。なお、前記Ｍｎは、後述する実施例に記載の方法により求めることができる。
　上述した式（Ａ－１）で表される化合物及び／又は該化合物を構成単位として得られる樹脂は、湿式プロセスの適用がより容易になる等の観点から、溶媒に対する溶解性が高いものであることが好ましい。より具体的には、これら化合物及び／又は樹脂は、１－メトキシ－２－プロパノール（ＰＧＭＥ）及び／又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を溶媒とする場合、当該溶媒に対する溶解度が１０質量％以上であることが好ましい。ここで、ＰＧＭＥ及び／又はＰＧＭＥＡに対する溶解度は、「樹脂の質量÷（樹脂の質量＋溶媒の質量）×１００（質量％）」と定義される。例えば、前記式（Ａ－１）で表される化合物及び／又は該化合物をモノマーとして得られる樹脂１０ｇがＰＧＭＥＡ９０ｇに対して溶解すると評価されるのは、式（Ａ－１）で表される化合物及び／又は該化合物をモノマーとして得られる樹脂のＰＧＭＥＡに対する溶解度が「３質量％以上」となる場合であり、溶解しないと評価されるのは、当該溶解度が「３質量％未満」となる場合である。
［化合物又は樹脂の精製方法］
　本実施形態の化合物又は樹脂は、以下の工程を含む精製方法によって精製することができる。
　即ち、前記精製方法は、式（Ａ－１）で示される化合物、又は、式（Ａ－１）に由来する構成単位を含む樹脂を、水と任意に混和しない有機溶媒を含む溶媒に溶解させて溶液（Ａ）を得る工程と、得られた溶液（Ａ）と酸性の水溶液とを接触させて、前記式（Ａ－１）で示される化合物又は前記樹脂中の不純物を抽出する第一抽出工程と、を含む。
　また、本実施形態の精製方法を適用する場合、前記樹脂は、式（Ａ－１）で示される化合物と架橋反応性を有する化合物との反応によって得られる樹脂であることが好ましい。
　本実施形態の精製方法によれば、上述した特定の構造を有する化合物又は樹脂に不純物として含まれうる種々の金属の含有量を効果的に低減することができる。
　式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂を含む溶液（Ａ）に含まれる金属分を水相に移行させたのち、有機相と水相とを分離して金属含有量の低減された、式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂を得ることができる。
　本実施形態の精製方法で使用する式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂は単独でもよいが、２種以上混合することもできる。また、式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂は、各種界面活性剤、各種架橋剤、各種酸発生剤、各種安定剤と共に本実施形態の製造方法に適用されてもよい。
　本実施形態の精製方法で使用される「水と任意に混和しない有機溶媒」とは、水に対し任意の割合で均一に混ざり合わない有機溶媒を意味する。このような有機溶媒としては、特に限定されないが、半導体製造プロセスに安全に適用できる有機溶媒が好ましく、具体的には、室温下における水への溶解度が３０％未満である有機溶媒であり、より好ましくは２０％未満であり、特に好ましくは１０％未満である有機溶媒が好ましい。当該有機溶媒の使用量は、使用する式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂１００質量部に対して、１～１００質量部であることが好ましい。
　水と任意に混和しない有機溶媒の具体例としては、以下に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、２－ペンタノン等のケトン類；エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルアセテート類；ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。これらの中でも、トルエン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル等からなる群より選ばれる１種以上の有機溶媒が好ましく、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがより好ましく、メチルイソブチルケトン、酢酸エチルがより更に好ましい。メチルイソブチルケトン、酢酸エチル等は式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂の飽和溶解度が比較的高く、沸点が比較的低いことから、工業的に溶媒を留去する場合や乾燥により除去する工程での負荷を低減することが可能となる。
　これらの有機溶媒はそれぞれ単独で用いることもできるし、また２種以上を混合して用いることもできる。
　本実施形態の精製方法で使用される“酸性の水溶液”としては、一般に知られる有機系化合物若しくは無機系化合物を水に溶解させた水溶液の中から適宜選択される。酸性の水溶液は、以下に限定されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の鉱酸を水に溶解させた鉱酸水溶液、又は、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸を水に溶解させた有機酸水溶液が挙げられる。これら酸性の水溶液は、それぞれ単独で用いることもできるし、また２種以上を組み合わせて用いることもできる。これら酸性の水溶液の中でも、塩酸、硫酸、硝酸及びリン酸からなる群より選ばれる１種以上の鉱酸水溶液、又は、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、クエン酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸及びトリフルオロ酢酸からなる群より選ばれる１種以上の有機酸水溶液であることが好ましく、硫酸、硝酸、及び酢酸、蓚酸、酒石酸、クエン酸等のカルボン酸の水溶液がより好ましく、硫酸、蓚酸、酒石酸、クエン酸の水溶液が更に好ましく、蓚酸の水溶液がより更に好ましい。蓚酸、酒石酸、クエン酸等の多価カルボン酸は金属イオンに配位し、キレート効果が生じるために、より効果的に金属を除去できる傾向にあるものと考えられる。また、ここで用いる水は、本実施形態の精製方法の目的に沿って、金属含有量の少ない水、例えばイオン交換水等を用いることが好ましい。
　本実施形態の精製方法で使用する酸性の水溶液のｐＨは特に限定されないが、式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂への影響を考慮し、水溶液の酸性度を調整することが好ましい。通常、酸性の水溶液のｐＨ範囲は０～５程度であり、好ましくはｐＨ０～３程度である。
　本実施形態の精製方法で使用する酸性の水溶液の使用量は特に限定されないが、金属除去のための抽出回数を低減する観点及び全体の液量を考慮して操作性を確保する観点から、当該使用量を調整することが好ましい。前記観点から、酸性の水溶液の使用量は、前記溶液（Ａ）１００質量％に対して、好ましくは１０～２００質量％であり、より好ましくは２０～１００質量％である。
　本実施形態の精製方法においては、前記のような酸性の水溶液と、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上及び水と任意に混和しない有機溶媒を含む溶液（Ａ）とを接触させることにより、溶液（Ａ）中の前記化合物又は前記樹脂から金属分を抽出することができる。
　水と任意に混和する有機溶媒を含むと、式（Ａ－１）で示される化合物又は式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂の仕込み量を増加させることができ、また分液性が向上し、高い釜効率で精製を行うことができる傾向にある。水と任意に混和する有機溶媒を加える方法は特に限定されない。例えば、予め有機溶媒を含む溶液に加える方法、予め水又は酸性の水溶液に加える方法、有機溶媒を含む溶液と水又は酸性の水溶液とを接触させた後に加える方法のいずれでもよい。これらの中でも、予め有機溶媒を含む溶液に加える方法が操作の作業性や仕込み量の管理のし易さの点で好ましい。
　本実施形態の精製方法で使用される水と任意に混和する有機溶媒としては、特に限定されないが、半導体製造プロセスに安全に適用できる有機溶媒が好ましい。水と任意に混和する有機溶媒の使用量は、溶液相と水相とが分離する範囲であれば特に限定されないが、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂１００質量部に対して、０．１～１００質量部であることが好ましく、０．１～５０質量部であることがより好ましく、０．１～２０質量部であることが更に好ましい。
　本実施形態の精製方法において使用される水と任意に混和する有機溶媒の具体例としては、以下に限定されないが、テトラヒドロフラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル類；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；アセトン、Ｎ－メチルピロリドン等のケトン類；エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類等の脂肪族炭化水素類が挙げられる。これらの中でも、Ｎ－メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が好ましく、Ｎ－メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテルがより好ましい。これらの溶媒はそれぞれ単独で用いることもできるし、また２種以上を混合して用いることもできる。
　本実施形態の精製方法において、溶液（Ａ）と酸性の水溶液との接触の際、すなわち、抽出処理を行う際の温度は、好ましくは２０～９０℃であり、より好ましくは３０～８０℃の範囲である。抽出操作は、特に限定されないが、例えば、溶液（Ａ）と酸性の水溶液とを、撹拌等により、よく混合させたあと、得られた混合溶液を静置することにより行われる。これにより、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と、有機溶媒とを含む溶液（Ａ）に含まれていた金属分が水相に移行する。また、本操作により、溶液（Ａ）の酸性度が低下し、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂の変質を抑制することができる。
　前記混合溶液の静置により、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒を含む溶液相と、水相とに分離するので、デカンテーション等により式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒とを含む溶液相を回収することができる。混合溶液を静置する時間は特に限定されないが、有機溶媒を含む溶液相と水相との分離をより良好にする観点から、当該静置する時間を調整することが好ましい。通常、静置する時間は１分間以上であり、好ましくは１０分間以上であり、より好ましくは３０分間以上である。また、抽出処理は１回だけでもかまわないが、混合、静置、分離という操作を複数回繰り返して行うのも有効である。
　本実施形態の精製方法において、前記第一抽出工程後、前記化合物又は前記樹脂を含む溶液相を、更に水に接触させて、前記化合物又は前記樹脂中の不純物を抽出する工程（第二抽出工程）を含むことが好ましい。
　具体的には、例えば、酸性の水溶液を用いて前記抽出処理を行った後に、該水溶液から抽出され、回収された式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒を含む溶液相を、更に水による抽出処理に供することが好ましい。前記の水による抽出処理は、特に限定されないが、例えば、前記溶液相と水とを、撹拌等により、よく混合させたあと、得られた混合溶液を、静置することにより行うことができる。当該静置後の混合溶液は、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒とを含む溶液相と、水相とに分離するのでデカンテーション等により式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒とを含む溶液相を回収することができる。
　また、ここで用いられる水は、本実施形態の目的に沿って、金属含有量の少ない水、例えばイオン交換水等であることが好ましい。抽出処理は１回だけでもかまわないが、混合、静置、分離という操作を複数回繰り返して行うのも有効である。また、抽出処理における両者の使用割合や、温度、時間等の条件は特に限定されないが、先の酸性の水溶液との接触処理の場合と同様で構わない。
　こうして得られた式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒を含む溶液に混入しうる水分については、減圧蒸留等の操作を施すことにより容易に除去できる。また、必要により前記溶液に有機溶媒を加え、式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂の濃度を任意の濃度に調整することができる。
　得られた式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上と有機溶媒を含む溶液から、前記式（Ａ－１）で示される化合物及び式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂から選ばれる１種以上を単離する方法は、特に限定されず、減圧除去、再沈殿による分離、及びそれらの組み合わせ等、公知の方法で行うことができる。必要に応じて、濃縮操作、ろ過操作、遠心分離操作、乾燥操作等の公知の処理を行うことができる。
（他の成分）
　前記レジスト下層膜形成用組成物は、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、溶媒、酸、酸架橋剤、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物など、を更に含むことができる。更に、任意成分として、有機ポリマー化合物、酸発生剤及び界面活性剤、その他、水、アルコール、及び硬化触媒等を含むことができる。
　前記レジスト下層膜形成材料は、上述した式（Ａ－１）で表される化合物及び該化合物をモノマーは、塗布性及び品質安定性の点から、レジスト下層膜形成用組成物中、０．１～７０質量％であることが好ましく、０．５～５０質量％であることがより好ましく、３．０～４０質量％であることが特に好ましい。
－溶媒－
　本実施形態において用いる溶媒としては、上述した式（Ａ－１）で表される化合物及び／又は該化合物を構成単位として得られる樹脂が少なくとも溶解するものであれば、公知のものを適宜用いることができる。
　溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶媒；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール等のアルコール系溶媒；トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系炭化水素等が挙げられるが、これらに特に限定されない。これらの有機溶媒は、１種を単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　前記溶媒の中で、安全性の点から、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル、アニソールが特に好ましい。
　溶媒の含有量は、特に限定されないが、溶解性及び製膜上の観点から、前記レジスト下層膜形成用組成物の全固形分１００質量部に対して、１００～１０，０００質量部であることが好ましく、２００～８，０００質量部であることがより好ましく、２００～５，０００質量部であることがさらに好ましい。
－酸－
　前記レジスト下層膜形成用組成物は硬化性促進の観点から、酸を含むことができる。前記酸としては、例えば、フッ酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、リン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン等が挙げられる。
　酸の含有量は、特に限定されないが、溶解性や塗膜の形状安定性の観点から、前記レジスト下層膜形成用組成物の全固形分１００質量部に対して、０．００１～２０質量部であることが好ましく、０．００５～１０質量部であることがより好ましく、０．０１～５質量部であることがさらに好ましい。
－酸架橋剤－
　前記レジスト下層膜形成用組成物は、ネガ型レジスト材料として使用する場合やポジ型レジスト材料でもパターンの強度を増す為の添加剤として使用する場合に、酸架橋剤を一種以上含むことができる。酸架橋剤とは、上述の酸の存在下で、前記式（Ａ－１）で表される化合物を分子内又は分子間架橋し得る化合物である。このような酸架橋剤は、特に限定されないが、例えば前記式（Ａ－１）で表される化合物を架橋し得る１種以上の基（以下、「架橋性基」という。）を有する化合物を挙げることができる。
　このような架橋性基の具体例としては、特に限定されないが、例えば（ｉ）ヒドロキシ（炭素数１～６のアルキル基）、炭素数１～６のアルコキシ（炭素数１～６のアルキル基）、アセトキシ（炭素数１～６のアルキル基）等のヒドロキシアルキル基又はそれらから誘導される基；（ｉｉ）ホルミル基、カルボキシ（炭素数１～６のアルキル基）等のカルボニル基又はそれらから誘導される基；（ｉｉｉ）ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等の含窒素基含有基；（ｉｖ）グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等のグリシジル基含有基；（ｖ）ベンジルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基等の、炭素数１～６のアリルオキシ（炭素数１～６のアルキル基）、炭素数１～６のアラルキルオキシ（炭素数１～６のアルキル基）等の芳香族基から誘導される基；（ｖｉ）ビニル基、イソプロペニル基等の重合性多重結合含有基等を挙げることができる。酸架橋剤（Ｇ）の架橋性基としては、ヒドロキシアルキル基、及びアルコキシアルキル基等が好ましく、特にアルコキシメチル基が好ましい。
　前記酸架橋剤としては、特に限定されないが、例えば（ｉ）メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有ウレア化合物、メチロール基含有グリコールウリル化合物、メチロール基含有フェノール化合物等のメチロール基含有化合物；（ｉｉ）アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有ウレア化合物、アルコキシアルキル基含有グリコールウリル化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物等のアルコキシアルキル基含有化合物；（ｉｉｉ）カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有ウレア化合物、カルボキシメチル基含有グリコールウリル化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等のカルボキシメチル基含有化合物；（ｉｖ）ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物等のエポキシ化合物等を挙げることができる。
　また、例えば、国際公開ＷＯ２０１３／０２４７７９号に記載のもの前記酸架橋剤の具体例として挙げることができる。
　酸架橋剤としては、更に、フェノール性水酸基を有する化合物、並びにアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基に前記架橋性基を導入し、架橋性を付与した化合物及び樹脂を使用することができる。その場合の架橋性基の導入率は、特に限定されず、フェノール性水酸基を有する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂中の全酸性官能基に対して、例えば、５～１００モル％、好ましくは１０～６０モル％、更に好ましくは１５～４０モル％に調節される。前記範囲であると、架橋反応が十分起こり、残膜率の低下、パターンの膨潤現象や蛇行等が避けられるので好ましい。
　酸架橋剤の含有量は、特に限定されないが、溶解性や塗膜の形状安定性の観点から、前記レジスト下層膜形成用組成物の全固形分１００質量部に対して、０．０１～３０質量部であることが好ましく、０．０５～２０質量部であることがより好ましく、０．１～１０質量部であることがさらに好ましい。
－ケイ素含有化合物－
　前記レジスト下層膜形成用組成物は、テルルを含有する化合物等とともにケイ素含有化合物を含む。前記ケイ素含有化合物としては、有機ケイ素含有化合物又は無機ケイ素含有化合物のいずれであってもよいが、有機ケイ素含有化合物であることが好ましい。前記無機ケイ素含有化合物としては、例えば、低温での塗布方式での成膜が可能な珪素酸化物、珪素窒化物、珪素酸化窒化物からなるポリシラザン化合物等が挙げられる。また、前記有機ケイ素含有化合物としては、例えば、ポリシルセスキオキサンベースの化合物や、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物が挙げられる。前記ポリシルセスキオキサンベースの具体的な材料については、以下に限定されないが、例えば、特開２００７－２２６１７０号、特開２００７－２２６２０４号に記載されたものを用いることができる。また、前記加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物としては、下記式（Ｄ１）の加水分解性オルガノシラン及び下記式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性オルガノシラン、それらの加水分解物、又はそれらの加水分解縮合物（以下、これらを単に「式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の有機ケイ素化合物」と称することがある）を含むことができる。前記レジスト下層膜形成用組成物が式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の有機ケイ素化合物を含んでいると、硬化条件の調整によりＳｉ－Ｏ結合の制御が容易であり、コスト的にも有利であり、有機系成分の導入に適している。このため、レジスト下層膜形成用組成物が式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の有機ケイ素化合物を含む前記レジスト下層膜形成用組成物を用いて形成された層は、レジスト層の中間層（上層レジスト層と、基材上に設けられた有機下層膜との間の層）として有用である。
　式（Ｄ１）：　　（Ｒ3）aＳｉ（Ｒ4）4-a
（式（Ｄ１）中、Ｒ3は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、又はシアノ基を有する“有機基”；或いは、それらの組み合わせを表し、且つＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ4はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、ａは０～３の整数を表す。）
　式（Ｄ２）：　　［（Ｒ5）cＳｉ（Ｒ6）4-c］2Ｙb
（式（Ｄ２）中、Ｒ5はアルキル基を表し、Ｒ6はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を表し、ｂは０又は１の整数を表し、ｃは０又は１の整数を表す。）
　前記レジスト下層膜形成用組成物中、式（Ａ－１）で示されるテルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物（例えば、式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の有機ケイ素化合物）と、の割合はモル比で１：２～１：２００の範囲で使用することができる。良好なレジスト形状を得るためには、例えば、前記モル比で１：２～１：１００の範囲で用いることができる。式（Ｄ１）及び式（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の有機ケイ素化合物は、加水分解縮合物（ポリオルガノシロキサンのポリマー）として使用することが好ましい。
　式（Ｄ１）で表される加水分解性オルガノシラン中のＲ3は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、又はシアノ基を有する“有機基”、或いは、それらの組み合わせであり、且つＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ4はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を表し、ａは０～３の整数を表す。
　式（Ｄ１）で示される加水分解性オルガノシランは例えば、テトラメトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ－プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ－ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリアセチキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、αーグリシドキシエチルトリメトキシシラン、α－グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β－グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、（３，４－エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４－エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリブトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキシシラン、γ－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、δ－（３，４－エポキシシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、δ－（３，４－エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α－グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α－グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β－グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β－グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β－グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、γ－クロロプロピルトリエトキシシラン、γ－クロロプロピルトリアセトキシシラン、３、３、３－トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β－シアノエチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ－クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ－クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ－メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メルカプトメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、フェニルスルホニルアミノプロピルトリエトキシシラン、メチルスルホニルアミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルスルホニルアミノプロピルトリメトキシシラン、メチルスルホニルアミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　式（Ｄ１）で示される加水分解性オルガノシランとしては、特にテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のテトラアルコキシシランと、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のフェニルトリアルコキシシランとの組み合わせが好ましい。更にこれらの組み合わせにメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシランを組み合わせることが好ましい。
　式（Ｄ２）の加水分解性オルガノシランのＲ5はアルキル基を表し、Ｒ6はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を表し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を表し、ｂは０又は１の整数を表し、ｃは０又は１の整数を表す。
　式（Ｄ２）の加水分解性オルガノシランは例えば、メチレンビストリメトキシシラン、メチレンビストリクロロシラン、メチレンビストリアセトキシシラン、エチレンビストリエトキシシラン、エチレンビストリクロロシラン、エチレンビストリアセトキシシラン、プロピレンビストリエトキシシラン、ブチレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリエトキシシラン、フェニレンビスメチルジエトキシシラン、フェニレンビスメチルジメトキシシラン、ナフチレンビストリメトキシシラン、ビストリメトキシジシラン、ビストリエトキシジシラン、ビスエチルジエトキシジシラン、ビスメチルジメトキシジシラン等が挙げられる。
　本発明においては、テルル化合物と、加水分解性オルガノシラン等と、を反応させずに混合体として膜を形成してもよいが、レジスト下層膜形成用組成物中のテルルを含有する化合物と、上述の加水分解性オルガノシラン等とを、無機酸、脂肪族スルホン酸及び芳香族スルホン酸から選ばれる一種以上の化合物を酸触媒として用いて、加水分解縮合を行うことでテルル含有ケイ素化合物を合成してもよい。
　このとき使用される酸触媒は、フッ酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、リン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等を挙げることができる。触媒の使用量は、モノマー（テルルを含有する化合物と加水分解性オルガノシラン等との総量）１モルに対して１０-6～１０モルが好ましく、より好ましくは１０-5～５モル、さらに好ましくは１０-4～１モルである。
　これらのモノマーから加水分解縮合によりテルル含有ケイ素化合物を得るときの水の量は、モノマー（テルルを含有する化合物及び加水分解性オルガノシラン等）に結合している加水分解性置換基１モル当たり０．０１～１００モルが好ましく、より好ましくは０．０５～５０モル、さらに好ましくは０．１～３０モルを添加することが好ましい。１００モル以下の添加であれば、反応に使用する装置が過大になることがないため経済的である。
　テルル含有ケイ素化合物を合成する際の操作方法としては、例えば、触媒水溶液にモノマーを添加して加水分解縮合反応を開始させる。このとき、触媒水溶液に有機溶剤を加えてもよいし、モノマーを有機溶剤で希釈しておいてもよいし、両方行ってもよい。反応温度は好ましくは０～１００℃、より好ましくは４０～１００℃である。モノマーの滴下時に５～８０℃に温度を保ち、その後４０～１００℃で熟成させる方法が好ましい。
　触媒水溶液に加えることのできる、又はモノマーを希釈することのできる有機溶剤としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール、アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔ－ブチル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン及びこれらの混合物等が好ましい。
　これらの溶剤の中でより好ましいものは水溶性のものである。例えば、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコール、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール縮合物誘導体、アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。この中で特に好ましいのは、沸点が１００℃以下のものである。
　尚、有機溶剤の使用量は、モノマー（テルルを含有する化合物と加水分解性オルガノシラン等との総量）１モルに対して０～１，０００ｍｌが好ましく、特に０～５００ｍｌが好ましい。有機溶剤の使用量が１，０００ｍｌ以下であれば、反応容器が過大となることがないため経済的である。
　その後、必要であれば触媒の中和反応を行い、加水分解縮合反応で生成したアルコールを減圧除去し、反応混合物水溶液を得る。このとき、中和に使用することのできるアルカリ性物質の量は、触媒で使用された酸に対して０．１～２当量が好ましい。このアルカリ性物質は水中でアルカリ性を示すものであれば、任意の物質でよい。
　続いて、反応混合物から加水分解縮合反応で生成したアルコールなどの副生物を取り除くことが好ましい。このとき反応混合物を加熱する温度は、添加した有機溶剤と反応で発生したアルコールなどの種類によるが、好ましくは０～１００℃、より好ましくは１０～９０℃、さらに好ましくは１５～８０℃である。またこのときの減圧度は、除去すべき有機溶剤及びアルコールなどの種類、排気装置、凝縮装置及び加熱温度により異なるが、好ましくは大気圧以下、より好ましくは絶対圧で８０ｋＰａ以下、さらに好ましくは絶対圧で５０ｋＰａ以下である。この際除去されるアルコール量を正確に知ることは難しいが、生成したアルコールなどのおよそ８０質量％以上が除かれることが望ましい。
　次に、反応混合物から加水分解縮合に使用した酸触媒を除去してもよい。酸触媒を除去する方法として、水とテルル含有ケイ素化合物とを混合し、テルル含有ケイ素化合物を有機溶剤で抽出する方法を例示できる。このとき使用する有機溶剤としては、テルル含有ケイ素化合物を溶解でき、水と混合させると２層分離するものが好ましい。例えば１－ブタノール、２－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール、トルエン、ヘキサン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、ブタンジオールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔ－ブチル、プロピオン酸ｔ－ブチル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、シクロペンチルメチルエーテル等及びこれらの混合物を挙げることができる。
　さらに、反応混合物から加水分解縮合に使用した酸触媒を除去する際に、水溶性有機溶剤と水難溶性有機溶剤との混合物を使用することも可能である。例えばメタノール＋酢酸エチル、エタノール＋酢酸エチル、１－プロパノール＋酢酸エチル、２－プロパノール＋酢酸エチル、ブタンジオールモノメチルエーテル＋酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル＋酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル＋酢酸エチル、ブタンジオールモノエチルエーテル＋酢酸エチル、プロピレングリコールモノエチルエーテル＋酢酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテル＋酢酸エチル、ブタンジオールモノプロピルエーテル＋酢酸エチル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル＋酢酸エチル、エチレングリコールモノプロピルエーテル＋酢酸エチル、メタノール＋メチルイソブチルケトン、エタノール＋メチルイソブチルケトン、１－プロパノール＋メチルイソブチルケトン、２－プロパノール＋メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル＋メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル＋メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノエチルエーテル＋メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノエチルエーテル＋メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノプロピルエーテル＋メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノプロピルエーテル＋メチルイソブチルケトン、メタノール＋シクロペンチルメチルエーテル、エタノール＋シクロペンチルメチルエーテル、１－プロパノール＋シクロペンチルメチルエーテル、２－プロパノール＋シクロペンチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル＋シクロペンチルメチルエーテル、メタノール＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、エタノール＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１－プロパノール＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、２－プロパノール＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテル＋プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の組み合わせが好ましいが、組み合わせはこれらに限定されることはない。
　尚、水溶性有機溶剤と水難溶性有機溶剤との混合割合は、適宜選定されるが、水難溶性有機溶剤１００質量部に対して、水溶性有機溶剤０．１～１，０００質量部が好ましく、より好ましくは１～５００質量部、さらに好ましくは２～１００質量部である。
　酸触媒が残留しているテルル含有ケイ素化合物及び酸触媒が除去されたテルル含有ケイ素化合物、いずれの場合においても、最終的な溶剤を加え、減圧で溶剤交換することでテルル含有ケイ素化合物溶液を得ることができる。このときの溶剤交換の温度は、除去すべき反応溶剤や抽出溶剤の種類によるが、好ましくは０～１００℃、より好ましくは１０～９０℃、さらに好ましくは１５～８０℃である。またこのときの減圧度は、除去すべき抽出溶剤の種類、排気装置、凝縮装置及び加熱温度により異なるが、好ましくは大気圧以下、より好ましくは絶対圧で８０ｋＰａ以下、さらに好ましくは絶対圧で５０ｋＰａ以下である。
－その他の任意成分－
　前記レジスト下層膜形成用組成物は、前記の成分の他、必要に応じて有機ポリマー化合物、架橋剤、光酸発生剤及び界面活性剤等を含むことができる。
　有機ポリマー化合物を使用することにより、前記レジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜のドライエッチング速度（単位時間当たりの膜厚の減少量）、減衰係数及び屈折率等を調整することができる。
　有機ポリマー化合物としては特に制限はなく、種々の有機ポリマーを使用することができる。縮重合ポリマー及び付加重合ポリマー等を使用することができる。ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリビニルエーテル、フェノールノボラック、ナフトールノボラック、ポリエーテル、ポリアミド、ポリカーボネート等の付加重合ポリマー及び縮重合ポリマーを使用することができる。吸光部位として機能するベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリアジン環、キノリン環、及びキノキサリン環等の芳香環構造を有する有機ポリマーが好ましく使用される。
　架橋剤を使用することにより、前記レジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜のドライエッチング速度（単位時間当たりの膜厚の減少量）等を調整することができる。
　架橋剤としては特に制限はなく、種々の架橋剤を使用することができる。本実施形態で使用可能な架橋剤の具体例としては、例えば、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物、ウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの２重結合を含む化合物であって、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基を置換基（架橋性基）として有するものなどが挙げるが、これらに特に限定されない。なお、これらの架橋剤は、１種を単独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらは添加剤として用いてもよい。なお、前記架橋性基を式（Ａ－１）で表される化合物及び／又は該化合物をモノマーとして得られる樹脂におけるポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。この中でも特にメラミン化合物、グリコールウリル化合物等が好ましく使用される。
　メラミン化合物の具体例としては、例えば、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの１～６個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１～６個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。エポキシ化合物の具体例としては、例えば、トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが挙げられる。
　グアナミン化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。グリコールウリル化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物などが挙げられる。ウレア化合物の具体例としては、例えば、テトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレアなどが挙げられる。
　アルケニルエーテル基を含む化合物の具体例としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２－プロパンジオールジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。
　前記レジスト下層膜形成用組成物において、架橋剤の含有量は、特に限定されないが、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂１００質量部に対して、１～１０質量部であることが好ましく、より好ましくは１～５質量部である。上述の好ましい範囲にすることで、レジスト層とのミキシング現象の発生が抑制される傾向にあり、また、反射防止効果が高められ、架橋後の膜形成性が高められる傾向にある。
　前記レジスト下層膜形成用組成物では酸発生剤を含有することができる。酸発生剤としては、熱分解によって酸を発生するもの、光照射によって酸を発生するものなどが知られているが、いずれのものも使用することができる。前記酸発生剤としては、例えば、国際公開ＷＯ２０１３／０２４７７９号に記載のものを用いることができる。
　酸発生剤が使用される場合、その割合としては、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂１００質量部に対して、０．０１質量部～５質量部、又は０．１質量部～３質量部、又は０．５質量部～１質量部である。
　界面活性剤は、前記レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布した際に、表面欠陥等の発生を抑制するのに有効である。
　前記レジスト下層膜形成用組成物に含まれる界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その割合としては、テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂１００質量部に対して、例えば、０．０００１質量部～５質量部、又は０．００１質量部～１質量部、又は０．０１質量部～０．５質量部である。
［リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法］
　本発明のリソグラフィー用下層膜は、本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成することができる。本発明のリソグラフィー用下層膜は、多層レジスト法に用いられる、フォトレジスト（上層）の下層（レジスト下層膜）として好適に用いることができる。
　本発明においては、例えば、レジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行うことでパターンを形成することができる。
　また、上述のようにして作製した前記レジスト下層膜形成用組成物を用いた本発明のパターン形成方法の一態様としては、基板上に、塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、前記有機下層膜上に本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、前記上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜にエッチングでパターンを転写し、さらにパターンが転写された前記有機下層膜をマスクにして前記基板（被加工体）にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を挙げることができる。
　本発明のパターン形成方法の別の態様として、基板上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをＣＶＤ法で形成し、前記有機ハードマスク上に本発明のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、該上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、さらにパターンが転写された前記有機ハードマスクをマスクにして前記基材（被加工体）にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を挙げることができる。
　前記基材としては、例えば、半導体基板を用いることができる。前記半導体基板としては、シリコン基板が一般的に用いることができるが、特に限定されるものではなく、Ｓｉ、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、ｐ－Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ａｌ等で被加工層と異なる材質のものを用いることができる。
　また、前記基材（被加工体；前記半導体基板を含む）を構成する金属としては、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、又はモリブデンのいずれか、或いはこれらの合金を用いることができる。
　また、半導体基板上に被加工層（被加工部分）として、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜、又は金属酸化窒化膜のいずれかが成膜されたもの等を用いることができる。このような金属を含む被加工層としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ｐ－Ｓｉ、α－Ｓｉ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＭｏＳｉ、Ｗ、Ｗ－Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ等並びに種々の低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が用いられ、通常、５０～１０，０００ｎｍ、特に１００～５，０００ｎｍの厚さに形成し得る。
　本発明のパターン形成方法では、基板上に、有機下層膜、又は有機ハードマスクを形成することができる。このうち、有機下層膜は塗布型有機下層膜材料から回転塗布法等を用いて形成することができ、有機ハードマスクは炭素を主成分とする有機ハードマスクの材料からＣＶＤ法を用いて形成することができる。このような有機下層膜及び有機ハードマスクの種類等は、特に限定されないが、上層レジスト膜が露光によりパターン形成を行う場合は、十分な反射防止膜機能を発現するものが好ましい。このような有機下層膜又は有機ハードマスクを形成することで、サイズ変換差を生じさせることなく上層レジスト膜で形成されたパターンを基材（被加工体）上に転写することができる。尚、「炭素を主成分とする」ハードマスクとは、固形分の５０質量％以上がアモルファスカーボンとも呼ばれａ－Ｃ：Ｈと表示されるアモルファス水素化炭素等の炭素系材料で構成されているハードマスクを意味する。ａ－Ｃ：Ｈ膜は、様々な技術によって堆積させることができるが、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）が、費用効率及び膜質調整可能性のために広く使用されている。前記ハードマスクの例としては、例えば、特表２０１３－５２６７８３に記載のものを参照することができる。
　本発明のパターンの形成方法に使用される本発明のレジスト下膜形成用組成物を用いたレジスト下層膜は、レジスト下層膜形成用組成物からスピンコート法等で有機下層膜等が設けられた被加工体上に作製することが可能である。レジスト下膜をスピンコート法で形成する場合、スピンコート後、溶剤を蒸発させ、上層レジスト膜とのミキシング防止を目的として、架橋反応を促進させるためにベークをすることが望ましい。ベーク温度は５０～５００℃の範囲内が好ましい。このとき、製造されるデバイスの構造にもよるが、デバイスへの熱ダメージを少なくするため、ベーク温度は４００℃以下が特に好ましい。ベーク時間は１０秒～３００秒の範囲内が好ましく用いられる。
　また、本発明のパターン形成方法では、上層レジスト膜にパターンを形成する方法として、波長が３００ｎｍ以下の光又はＥＵＶ光を用いたリソグラフィー法；電子線直接描画法、及び誘導自己組織化法のいずれかの方法を好適に用いることができる。このような方法を用いることで、レジスト上層膜上に微細なパターンを形成することができる。
　前記上層レジスト膜組成物としては、上述の上層レジスト膜にパターンを形成する方法に応じて適宜選択することができる。例えば、３００ｎｍ以下の光又はＥＵＶ光を用いたリソグラフィーを行う場合、上層レジスト膜組成物としては、化学増幅型のフォトレジスト膜材料を用いることができる。このようなフォトレジスト膜材料としては、フォトレジスト膜を形成して露光を行った後に、アルカリ現像液を用いて露光部を溶解することによりポジ型パターンを形成するものや、有機溶媒からなる現像液を用いて未露光部を溶解することによりネガ型パターンを形成するものを例示できる。
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物より形成されるレジスト下層膜は、リソグラフィープロセスにおいて使用される光の波長によっては、その光を吸収することがある。そして、そのような場合には、基板からの反射光を防止する効果を有する反射防止膜として機能することができる。
　また、ＥＵＶレジストの下層膜としてはハードマスクとしての機能以外に以下の目的にも使用できる。ＥＵＶレジストとインターミキシングすることなく、ＥＵＶ露光（波長１３．５ｎｍ）に際して好ましくない露光光、例えば上述のＵＶやＤＵＶ（ＡｒＦ光、ＫｒＦ光）の基板又は界面からの反射を防止することができるＥＵＶレジストの下層反射防止膜として、前記テルル含有レジスト下層膜形成用組成物を用いることができる。ＥＵＶレジストの下層で効率的に反射を防止することができる。また、前記下層膜形成用組成物はＥＵＶの吸収能に優れることから、上層レジスト組成物の増感作用を発現することが可能であり、感度向上に寄与する。ＥＵＶレジスト下層膜として用いた場合は、プロセスはフォトレジスト用下層膜と同様に行うことができる。
　以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。
［測定法］
（１）化合物の構造
　化合物の構造は、Ｂｒｕｋｅｒ社製「Ａｄｖａｎｃｅ６００ＩＩ　ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ」を用いて、以下の条件で、１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、確認した。
　周波数：４００ＭＨｚ
　溶媒：ｄ６－ＤＭＳＯ
　内部標準：ＴＭＳ
　測定温度：２３℃
（２）化合物の分子量
　化合物の分子量は、ＬＣ－ＭＳ分析により、Ｗａｔｅｒｓ社製「Ａｃｑｕｉｔｙ　ＵＰＬＣ／ＭＡＬＤＩ－Ｓｙｎａｐｔ　ＨＤＭＳ」を用いて測定した。
（製造例１）化合物（ＢＨＰＴ）の合成
　グローブボックス中で、５０ｍＬ容器に四塩化テルル（５．３９ｇ、２０ｍｍｏｌ）を仕込み、アニソール１０．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加え還流条件下で１６０℃、６時間反応を行った。得られた生成物を減圧乾燥し、アセトニトリルを用いて再結晶を二回行い、濾過後橙色結晶を得た。得られた結晶を２４時間減圧乾燥し、ＢＭＰＴ（ビス（４－メトキシフェニル）テルルジクロライド）を５．９５ｇ得た。
　得られた化合物（ＢＭＰＴ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって測定した結果、分子量は４１４であった。
　得られた化合物（ＢＭＰＴ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＭＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．０～７．９（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、３．８（６Ｈ，－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000125
　続いて、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器にビス（４－メトキシフェニル）テルルジクロライドを１．１ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、メチレンジクロライドを１８ｍｌ加え、三臭化ホウ素３．９ｇ（１５．７５ｍｍｏｌ）を滴下し、－２０℃で４８時間反応を行った。反応後の溶液を氷浴中で０．５Ｎ塩酸溶液に滴下し、濾過後、黄色固体を回収した。酢酸エチルで溶解させ、硫酸マグネシウムを加え、脱水処理後、濃縮を行い、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、ＢＨＰＴ（ビス（４－ヒドロキシフェニル）テルルジクロライド）を０．１ｇ得た。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって測定した結果、分子量は３８６であった。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）１０．２（２Ｈ，－ＯＨ）、６．８～７．８（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000126
（製造例２）化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積２００ｍＬの容器において、上述から得られた化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム０．３０ｇ（２２ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロマイド０．６４ｇ（２ｍｍｏｌ）を、Ｎ－メチルピロリドン５０ｍｌに溶解させ、２時間撹拌した。撹拌後、更にブロモ酢酸－２－メチルアダマンタン－２－イル６．３ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃にて２４時間反応させた。反応終了後、１Ｎ塩酸水溶液に滴下し、生じた黒色固体をろ別し、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、下記化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ：ビス（４－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）フェニル）テルル　ジクロライド）を１．９ｇ得た。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、７９８であった。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～８．１（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．７～５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．２～２．７（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000127
（製造例３）化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積２００ｍＬの容器において、上述から得られた化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）とジ－ｔ－ブチルジカーボネート（アルドリッチ社製）５．５ｇ（２５ｍｍｏｌ）とを、Ｎ－メチルピロリドン５０ｍｌに溶解させ、炭酸カリウム０．３０ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加えて、１００℃にて２４時間反応させた。反応終了後、１Ｎ塩酸水溶液に滴下し、生じた黒色固体をろ別し、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、下記化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ：ビス（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボキシフェニル）テルル　ジクロライド）を１．０ｇ得た。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、５８５であった。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．３（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、１．４（１８Ｈ，Ｃ－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000128
（製造例４）化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ）の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積２００ｍＬの容器において、上述から得られた化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）とエチルビニルエーテル（東京化成工業社製）１．８ｇ（２５ｍｍｏｌ）とを、Ｎ－メチルピロリドン５０ｍｌに溶解させ、炭酸カリウム０．３０ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加えて、１００℃にて２４時間反応させた。反応終了後、１Ｎ塩酸水溶液に滴下し、生じた黒色固体をろ別し、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、下記化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ：ビス（エトキシエチルフェニル）テルル　ジクロライド）を１．０ｇ得た。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、５２９であった。
　得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～７．４（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．６（２Ｈ，ＣＨ）、１．６（６Ｈ，－ＣＨ３）、３．９（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ2－）、１．２（６Ｈ，－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000129
（製造例５）化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）の合成
　グローブボックス中で、５０ｍＬ容器に四塩化テルル（５．３９ｇ、２０ｍｍｏｌ）を仕込み、２－フェニルアニソール７．３７ｇ（４０ｍｍｏｌ）を加え還流条件下で１６０℃、６時間反応を行った。得られた生成物を減圧乾燥し、アセトニトリルを用いて再結晶を二回行い、濾過後橙色結晶を得た。得られた結晶を２４時間減圧乾燥し、Ｐｈ－ＢＭＰＴ（ビス（３-フェニル４－メトキシフェニル）テルルジクロライド）を３．９１ｇ得た。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＭＰＴ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、４６５であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＭＰＴ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＢＭＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．０～８．１（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、３．８（６Ｈ，－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000130
　続いて、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器にＰｈ－ＢＭＰＴ１．６ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、メチレンジクロライドを２５ｍｌ加え、三臭化ホウ素３．９ｇ（１５．７５ｍｍｏｌ）を滴下し、－２０℃で４８時間で反応を行った。反応後の溶液を氷浴中で０．５Ｎ塩酸溶液に滴下し、濾過後、黄色固体を回収した。酢酸エチルで溶解させ、硫酸マグネシウムを加え、脱水処理後、濃縮を行い、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、Ｐｈ－ＢＨＰＴ（ビス（３－フェニル４－ヒドロキシフェニル）テルルジクロライド）を０．２ｇ得た。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、５３７であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．０（２Ｈ，－ＯＨ）、７．０～７．５（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000131
（製造例６）化合物（ＣＣＨＴ）の合成
　グローブボックス中で、５０ｍL容器に四塩化テルル（０．２７ｇ、１．０ｍｍｏｌ）と、レゾルシノール（０．１５ｇ、１．３６ｍｍｏｌ）を仕込み、溶媒として四塩化炭素５ｍＬを加え、還流条件化で６時間反応を行った。得られた生成物をろ過し、ジクロロメタンを用いて二回洗浄し、減圧乾燥して淡黄色固体を得た。この固体を５０ｍＬ容器に入れ、レゾルシノール（１．１０ｇ、１０ｍｍｍｏｌ）を加えた後、１７０℃、２４時間反応を行った。得られた反応液を酢酸エチルに溶解させ、ｎ－ヘキサンで再沈殿生成をすることにより、ＣＣＨＴ（（２，４－ジヒドロキシフェニル）（４－ヒドロキシフェニル）テルルジクロライド）を得た。
　得られた化合物（ＣＣＨＴ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、４０１であった。
　得られた化合物（ＣＣＨＴ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＣＣＨＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．５～９．９（３Ｈ，－ＯＨ）、６．３～７．２（７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000132
（製造例７）化合物（ＣＣＨＴ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（ＣＣＨＴ）２．７ｇ（６．７ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造例２と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（ＣＣＨＴ－ＡＤＢＡＣ）が１．０９ｇ得られた。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、５３７であった。
　得られた化合物（ＣＣＨＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＣＣＨＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．５～７．０（７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（６Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（５１Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000133
（製造例８）化合物（ＴＤＰ）の合成
　グローブボックス中で、５０ｍＬ容器に四塩化テルル（６．７４ｇ、２５ｍｍｏｌ）を仕込み、フェノール３．２９ｇ（３５ｍｍｏｌ）を加え還流条件下で１６０℃、６時間反応を行った。得られた生成物を減圧乾燥し、アセトニトリルを用いて再結晶を二回行い、濾過後かっ色結晶を得た。得られた結晶を２４時間減圧乾燥し、ＴＤＰ（４，４’－テルルジフェノール）を３．６０ｇ得た。
　得られた化合物（ＴＤＰ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、３１４であった。
　得られた化合物（ＴＤＰ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000134
（製造例９）化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）の合成
　グローブボックス中で、５０ｍＬ容器に四塩化テルル（６．７４ｇ、２５ｍｍｏｌ）を仕込み、２－フェノール６．９６ｇ（３５ｍｍｏｌ）を加え還流条件下で１６０℃、６時間反応を行った。得られた生成物を減圧乾燥し、アセトニトリルを用いて再結晶を二回行い、濾過後かっ色結晶を得た。得られた結晶を２４時間減圧乾燥し、Ｐｈ－ＴＤＰ（ビス（３－フェニル４－ヒドロキシフェニル）テルル）を２．４６ｇ得た。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、４６６であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000135
（製造例１０）化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）５．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造例２と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）が１．２８ｇ得られた。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、５３７であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000136
（製造例１１）化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（ＴＤＰ）３．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造襟２と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）が１．４６ｇ得られた。
　得られた化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、７２６であった。
　得られた化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．０～７．４（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000137
（製造例１２）化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）４．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造例２と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）が１．７０ｇ得られた。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、８７９であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000138
（製造例１３）化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）４．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造例３と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）が１．１４ｇ得られた。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、６６６であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．３～７．７（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、１．４（１８Ｈ，Ｃ－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000139
（製造例１４）化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）４．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）を用いること以外は、製造例４と同様に操作することにより、下記で示される構造を有する化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）が１．１６ｇ得られた。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）について、上述の測定方法（ＬＣ－ＭＳ）によって分子量を測定した結果、６１０であった。
　得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．６（２Ｈ，ＣＨ）、１．６（６Ｈ，－ＣＨ３）、３．９（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ2－）、１．２（６Ｈ，－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000140
（製造例１５）Ｒ１－ＢＨＰＴの合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に、化合物（ＢＨＰＴ）８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）と、パラホルムアルデヒド０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）、氷酢酸５０ｍｌとＰＧＭＥ５０ｍｌとを仕込み、９５％の硫酸８ｍｌを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に、反応液を濃縮し、メタノール１０００ｍｌを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ）５．６ｇを得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：５８７、Ｍｗ：１２１６、Ｍｗ／Ｍｎ：２．０７であった。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）１０．２（２Ｈ，－ＯＨ）、６．８～７．８（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000141
（製造例１６）Ｒ２－ＢＨＰＴの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ）を５．７ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：４０５、Ｍｗ：８８０、Ｍｗ／Ｍｎ：２．１７であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）１０．２（２Ｈ，－ＯＨ）、６．８～７．８（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000142
（製造例１７）Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）１６．８ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）を５．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１０４５、Ｍｗ：２３３０、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２３であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～８．１（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．７～５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．２～２．７（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000143
（製造例１８）Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例１７と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）を１０．４ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：８４０、Ｍｗ：１８１９、Ｍｗ／Ｍｎ：２．１６であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～８．１（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．７～５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．２～２．７（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000144
（製造例１９）Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）１２．３ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）を７．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：７６８、Ｍｗ：１８４６、Ｍｗ／Ｍｎ：２．４０であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．３（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、１．４（１８Ｈ，Ｃ－ＣＨ３）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000145
（製造例２０）Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例１９と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）を３．７ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６２０、Ｍｗ：１３３６、Ｍｗ／Ｍｎ：２．１５であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．３（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、１．４（１８Ｈ，Ｃ－ＣＨ３）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000146
（製造例２１）Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（ＢＨＰＴ－ＥＥ）１１．１ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥ）を７．８ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６９４、Ｍｗ：１５４８、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２３であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～７．４（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．６（２Ｈ，ＣＨ）、１．６（６Ｈ，－ＣＨ３）、３．９（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ2－）、１．２（６Ｈ，－ＣＨ３）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000147
（製造例２２）Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例２１と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥ）を３．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６１０、Ｍｗ：１２０８、Ｍｗ／Ｍｎ：１．９８であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～７．４（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．６（２Ｈ，ＣＨ）、１．６（６Ｈ，－ＣＨ３）、３．９（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ2－）、１．２（６Ｈ，－ＣＨ３）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000148
（製造例２３）Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）１１．３ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）を７．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：７６４、Ｍｗ：１６９５、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２２であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．０（２Ｈ，－ＯＨ）、７．０～７．５（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000149
（製造例２４）Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例２３と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）を３．４ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６７２、Ｍｗ：１３４５、Ｍｗ／Ｍｎ：２．００であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．０（２Ｈ，－ＯＨ）、７．０～７．５（２５Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000150
（製造例２５）Ｒ１－ＴＤＰの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物（ＴＤＰ）６．６ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ）を４．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：４４９、Ｍｗ：９９５、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２２であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000151
（製造例２６）Ｒ２－ＴＤＰの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例２５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ）を２．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：４１４、Ｍｗ：９２２、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２３であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000152
（製造例２７）Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）９．８ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ）を６．９ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６６５、Ｍｗ：１４７４、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２２であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000153
（製造例２８）Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例２７と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ）を３．２ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６０８、Ｍｗ：１３９５、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２９であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～７．７（２５Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、９．８（２Ｈ，－ＯＨ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000154
（製造例２９）Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）２０．０ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）を５．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１０４５、Ｍｗ：２３３０、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２３であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．８～８．１（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．７～５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．２～２．７（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000155
（製造例３０）Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例２９と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）を６．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１１８８、Ｍｗ：２３９４、Ｍｗ／Ｍｎ：２．０２であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（２５Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000156
（製造例３１）Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）１５．３ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）を１１．４ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：９５４、Ｍｗ：２１４８、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２５であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．０～７．４（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000157
（製造例３２）Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例３１と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）を４．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：９１０、Ｍｗ：１８０５、Ｍｗ／Ｍｎ：１．９８であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．０～７．４（１７Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000158
（製造例３３）Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣの合成
　化合物（ＢＨＰＴ）　８.１ｇ（２１ｍｍｏｌ）に代えて化合物樹脂（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）１８．５ｇを用いること以外は製造例１５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）を１２．０ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１１５２、Ｍｗ：２５７０、Ｍｗ／Ｍｎ：２．２３であった。
　得られた化合物樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＰＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（１６Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．１（２Ｈ，－ＣＨ２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000159
（製造例３４）Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣの合成
　パラホルムアルデヒド　０．７ｇ（４２ｍｍｏｌ）に代えて４－ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）７．６ｇ（４２ｍｍｏｌ）用いること以外は、製造例３３と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）を５．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１１００、Ｍｗ：２２０５、Ｍｗ／Ｍｎ：２．００４であった。
　得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）７．１～７．７（２５Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、５．０（４Ｈ，Ｏ－ＣＨ２－Ｃ（＝Ｏ）－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）、４．５（１Ｈ，－ＣＨ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000160
（製造例３５）樹脂（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）の合成
　１００ｍＬ容器に化合物（ＢＨＰＴ）０．５８ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を入れ、テトラブチルアンモニウムブロマイド０．０５ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム０．２８ｇ（２ｍｍｏｌ）、Ｎ－メチルピロリドン２ｍｌを加え８０℃、２時間攪拌した。次に、ＡＤＴＢＡ（１，３，５－アダマンタントリブロモアセテート）０．５４７ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をＮ－メチルピロリドン１ｍｌに溶解させて加え８０℃、４８時間反応させた。得られた反応物を１Ｎ－ＨＣｌに滴下し、茶色結晶を得た。結晶をろ過後、減圧乾燥し目的樹脂（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）を０．４０ｇ得た。
　得られた樹脂（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：７５０、Ｍｗ：１３５０、Ｍｗ／Ｍｎ：１．８０であった。
　得られた樹脂（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～７．４（４Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．６（４Ｈ，－Ｏ－ＣＨ２－ＣＯ－）、４．３（２Ｈ，－ＣＨ２－Ｂｒ）、１．２～３．４（１３Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000161
（製造例３６）樹脂（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）の合成
　化合物（ＢＨＰＴ）０．５８ｇ（１．５ｍｍｏｌ）に代えて化合物（ＴＤＰ）０．４７ｇを用いること以外は、製造例３５と同様に操作することにより、下記式で示される構造を有する目的樹脂（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）を０．３６ｇ得た。
　得られた樹脂（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：６８０、Ｍｗ：１２３８、Ｍｗ／Ｍｎ：１．８２であった。
　得られた樹脂（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～７．４（４Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．６（４Ｈ，－Ｏ－ＣＨ２－ＣＯ－）、４．３（２Ｈ，－ＣＨ２－Ｂｒ）、１．２～３．４（１３Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000162
（製造例３７）樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）の合成
　グローブボックス中で、１００ｍｌ容器に四塩化テルル５．３９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を仕込み、１，３－ジメトキシベンゼン２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、三塩化アルミニウム５．９ｇ（４４ｍｍｏｌ）、クロロホルム２０ｍｌを加え、氷冷下で２４時間反応を行った。得られた生成物を減圧乾燥し、アセトニトリルを用いて再結晶を二回行い、ろ過して得られた結晶を２４時間減圧乾燥し、樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２）を３．０ｇ得た。
　得られた樹脂（ＤＢＭ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：３９８２０、Ｍｗ：６２９１０、Ｍｗ／Ｍｎ：１．５８であった。
　得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２）について、前記測定条件でＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．０～７．２（２Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、３．６（６Ｈ，－ＣＨ３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000163
　続いて、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器に樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２）０．７８ｇ、クロロホルムを１５ｍｌ加え、三臭化ホウ素３．９ｇ（１５．７５ｍｍｏｌ）を滴下し、－２０℃で４８時間反応を行った。反応後の溶液を氷浴中で１．０Ｎ塩酸溶液に滴下し、濾過後、黒色固体を回収した。酢酸エチルで溶解させ、硫酸マグネシウムを加え、脱水処理後、濃縮を行い、カラムクロマトグラフィーによる分離精製を行うことで、樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）を０．４ｇ得た。
　得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：３９８００、Ｍｗ：６２８８０、Ｍｗ／Ｍｎ：１．５８であった。
　得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．０（２Ｈ，－ＯＨ）、６．４～７．０（２Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000164
（製造例３８）樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）の合成
　グローブボックス中で、１００ｍＬ容器に四塩化テルル（７．５４ｇ、２８ｍｍｏｌ）を仕込み、レゾルシノール１．５４ｇ（１４ｍｍｏｌ）、四塩化炭素２０ｍｌを加え還流条件下で８０℃、２４時間反応を行った。得られた反応液にジクロロメタンを加えて洗浄し、ろ過して得られた固体を減圧乾燥した。
　続いて、３００ｍｌ容器中にアスコルビン酸ナトリウム１３．０ｇ（６６ｍｍｏｌ）を水２５ｍｌに溶解し、酢酸エチル６０ｍｌに溶解した前述の固体を滴下し、２５℃、２４時間反応した。反応後の溶液を酢酸エチルで１５回抽出した後に、有機溶媒を留去し茶色固体を得た。
　さらに、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器に得られた茶色固体を入れ、酢酸エチル１０ｍｌ、銅粉１３．０ｇ（６０ｍｍｏｌ）を加えて還流条件下で８０℃、２４時間反応を行った。得られた反応液を２倍に濃縮し、クロロホルムに滴下して得られた沈殿物をろ過し乾燥して、黒茶色の樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）０．２ｇ（四塩化テルルに対して収率３％）を得た。
　得られた樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：２１５００、Ｍｗ：４１５００、Ｍｗ／Ｍｎ：１．９３であった。
　得られた樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）９．１（２Ｈ，－ＯＨ）、６．１～７．０（２Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000165
（製造例３９）樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＡＤＢＡＣ）の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積２００ｍＬの容器において、樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）３．７ｇ、炭酸カリウム０．３０ｇ（２２ｍｍｏｌ）、ブロモ酢酸－２－メチルアダマンタン－２－イル６．３ｇ（２２ｍｍｏｌ）を、Ｎ－メチルピロリドン５０ｍｌに溶解させ、２時間撹拌した。撹拌後、更にブロモ酢酸アダマンタン５．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃にて２４時間反応させた。反応終了後、１Ｎ塩酸水溶液に滴下し、生じた黒色固体をろ別し、乾燥後、下記樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＡＤＢＡＣ）を５．３ｇ得た。
　得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．５～７．２（２Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．９～５．０（４Ｈ，－ＣＨ２－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000166
（製造例４０）樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ－ＡＤＢＡＣ）の合成
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積２００ｍＬの容器において、樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）２．７ｇ、炭酸カリウム０．３０ｇ（２２ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロマイド０．６４ｇ（２ｍｍｏｌ）を、Ｎ－メチルピロリドン５０ｍｌに溶解させ、２時間撹拌した。撹拌後、更にブロモ酢酸－２－メチルアダマンタン－２－イル６．３ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、１００℃にて２４時間反応させた。反応終了後、１Ｎ塩酸水溶液に滴下し、生じた黒色固体をろ別し、乾燥後、下記樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ－ＡＤＢＡＣ）を４．６ｇ得た。
　得られた樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ－ＡＤＢＡＣ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ－ＡＤＢＡＣ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．５～７．２（２Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、４．９～５．０（４Ｈ，－ＣＨ２－）、１．０～２．６（３４Ｈ，Ｃ－Ｈ／Ａｄａｍａｎｔａｎｅ　ｏｆ　ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　ｍｅｔｈｉｎｅ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000167
（製造例４１）樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）の合成
　グローブボックス中で、３００ｍｌ容器に四塩化テルル（７５ｇ、２８０ｍｍｏｌ）を仕込み、四塩化炭素１００ｍｌ、ジフェニルエーテル１５ｇ（１４０ｍｍｏｌ）を加え還流条件下で８０℃、２４時間反応を行った。得られた反応液にジクロロメタンを加えて洗浄し、ろ過して得られた固体を減圧乾燥した。
　続いて、１０００ｍｌ容器中にアスコルビン酸ナトリウム１３０ｇ（６６ｍｍｏｌ）を水２５０ｍｌに溶解し、酢酸エチル１２０ｍｌに溶解した前述の固体を滴下し、２５℃、２４時間反応した。反応後の溶液を酢酸エチルで５回抽出した後に、有機溶媒を留去し茶色固体を得た。
　さらに、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍＬの容器に得られた茶色固体を入れ、酢酸エチル２０ｍｌを加えて溶、銅粉３８．０ｇ（６００ｍｍｏｌ）を加えて還流条件下で８０℃、２４時間反応を行った。得られた反応液を２倍に濃縮し、ヘキサンに滴下して得られた沈殿物をろ過し乾燥して、赤色の樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）０．１１ｇを得た。
　得られた樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）について、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：１２８０、Ｍｗ：２４０６、Ｍｗ／Ｍｎ：１．８８であった。
　得られた樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）について、上述の測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記で示される樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）の化学構造を有することを確認した。
　δ（ｐｐｍ）６．９～８．８（８Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000168
（製造例４２）テルル含有コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成
　２００ｍＬの容器にテルル３．２ｇ（２５ｍｍｏｌ）とＴＨＦ２５ｍｌを加え攪拌し懸濁させ、氷冷下でメチルリチウム溶液（１ｍｏｌ／ｌ、ジエチルエーテル溶液）３０ｍｌを滴下し、０℃、１時間攪拌した。さらに、クロロメチルスチレン６．１ｇ（４０ｍｍｏｌ）を加え、さらに２５℃、２時間攪拌し、反応させた。次に反応液の溶媒を留去し、減圧乾燥して、メチルテラニルスチレン２．０ｇを得た。
　また、２００ｍＬの容器にテルル３．２ｇ（２５ｍｍｏｌ）とＴＨＦ２５ｍｌを加え攪拌し懸濁させ、氷冷下でメチルリチウム溶液（１ｍｏｌ／ｌ、ジエチルエーテル溶液）３０ｍｌを滴下し、０℃、１時間攪拌した。次に、０．５ｍｏｌ／ｌ塩化アンモニウム水溶液２０ｍｌを加え、２５℃、２時間攪拌し、反応させた。反応後、水層を分液しジエチルエーテルで３回抽出した。抽出した有機層の溶媒を留去し、減圧乾燥してジメチルジテルリド２．２ｇを得た。
　さらに、攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積５００ｍＬの容器に、クロロベンゼン８０ｇ、上述のメチルテラニルスチレン２．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジメチルジテルリド０．７ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル０．４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流中で１１０℃、１時間攪拌した。攪拌後、ベンゼン９０ｇ、アクリル酸０．４ｇ、アクリル酸ｔ－ブチル４．３５ｇを加え、さらに１１０℃、５時間攪拌し、反応した。反応終了後、反応液に水１５００ｍｌを加えてろ過し乾燥してテルル含有コアシェル型ハイパーブランチポリマー２．０ｇを得た（尚、表１では“Ｔｅ含有ハイパーブランチポリマー”と表する）。
　得られたテルル含有コアシェル型ハイパーブランチポリマーについて、上述の方法によりポリスチレン換算分子量を測定した結果、Ｍｎ：３２６０、Ｍｗ：５８００、Ｍｗ／Ｍｎ：１．７８であった。
（製造例４３）樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）の合成
　レゾルシノール１．５４ｇ（１４ｍｍｏｌ）に代えてレゾルシノール６．１６ｇ（５６ｍｍｏｌ）、ソルビン酸ナトリウム１３．０ｇ（６６ｍｍｏｌ）を水２５ｍｌに溶解に代えてソルビン酸ナトリウム５２．０ｇ（２６４ｍｍｏｌ）を水１００ｍｌに溶解して用いること以外は、製造例４１と同様に操作することにより、黒茶色の樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）０．５５ｇ（四塩化テルルに対して収率８％）を得た。
（製造例４４）樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）の合成
　レゾルシノール１．５４ｇ（１４ｍｍｏｌ）に代えてレゾルシノール９．２４ｇ（８４ｍｍｏｌ）、ソルビン酸ナトリウム１３．０ｇ（６６ｍｍｏｌ）を水２５ｍｌに溶解に代えてソルビン酸ナトリウム７８．０ｇ（４００ｍｍｏｌ）を水１５０ｍｌに溶解して用いること以外は、製造例４１と同様に操作することにより、黒茶色の樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）５．２６ｇ（四塩化テルルに対して収率７７％）を得た。
（合成例１）
　製造例１で得られた化合物（ＢＨＰＴ）３．８６ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１４２０であった。
（合成例１－２） 
　前記化合物（ＢＨＰＴ）３．８６ｇ（１０ｍｏｌ％）、３－（イソシアナトプロピル）トリエトキシシラン４．９４ｇ（２０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１２．４８ｇ（６０ｍｏｌ％）、エチレンビストリエトキシシラン４．１５ｇ（１０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１８３０であった。
（合成例２）
　製造例２で得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）７．９８ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン７０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１６６０であった。
（合成例３）
　製造例３で得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）５．８５ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１５５０であった。
（合成例４）
　製造例４で得られた化合物（ＢＨＰＴ－ＥＥ）５．２９ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１６５０であった。
（合成例５）
　製造例５で得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ）４．６５ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１５００であった。
（合成例６）
　製造例６で得られた化合物（ＣＣＨＴ）４．０２ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１４００であった。
（合成例７）
　製造例７で得られた化合物（ＣＣＨＴ－ＡＤＢＡＣ）１０．２０ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１８００であった。
（合成例８）
　製造例８で得られた化合物（ＴＤＰ）３．１４ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン５０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１４１０であった。
（合成例９）
　製造例９で得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ）４．６６ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１４９０であった。
（合成例１０）
　製造例１０で得られた化合物（Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）５．３７ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１６９０であった。
（合成例１１）
　製造例１１で得られた化合物（ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）７．２６ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン７０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１８２０であった。
（合成例１２）
　製造例１２で得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）８．７９ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン７０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１９５０であった。
（合成例１３）
　製造例１３で得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＢＯＣ）６．６６ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１８６０であった。
（合成例１４）
　製造例１４で得られた化合物（Ｐｈ－ＴＤＰ－ＥＥ）６．１０ｇ（１０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ（２０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１４６０であった。
（合成例１５）
　製造例１５で得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ）１２．１６ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２６５０であった。
（合成例１６）
　製造例１６で得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ）８．８０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１９５０であった。
（合成例１７）
　製造例１７で得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）２３．３ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１９５０であった。
（合成例１８）
　製造例１８で得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）１８．１９ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４９３０であった。
（合成例１９）
　製造例１９で得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）１８．４６ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ５４２０であった。
（合成例２０）
　製造例２０で得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＢＯＣ）１３．３６ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ３４００であった。
（合成例２１）
　製造例２１で得られた樹脂（Ｒ１－ＢＨＰＴ－ＥＥ）１５．４８ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２８３０であった。
（合成例２２）
　製造例２２で得られた樹脂（Ｒ２－ＢＨＰＴ－ＥＥ）１２．０８ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン７０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２５１０であった。
（合成例２３）
　製造例２３で得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）１６．９５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン７０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ３４６０であった。
（合成例２４）
　製造例２４で得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ）１３．４５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４１６０であった。
（合成例２５）
　製造例２５で得られた樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ）９．９５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２０６０であった。
（合成例２６）
　製造例２６で得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ）９．２２ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２４６０であった。
（合成例２７）
　製造例２７で得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ）１４．７４ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ３３１０であった。
（合成例２８）
　製造例２８で得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ）１３．９５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ３０４０であった。
（合成例２９）
　製造例２９で得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）２３．３０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４１４０であった。
（合成例３０）
　製造例３０で得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＢＨＰＴ－ＡＤＢＡＣ）２３．９４ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４３１０であった。
（合成例３１）
　製造例３１で得られた樹脂（Ｒ１－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）２１．４８ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４５２０であった。
（合成例３２）
　製造例３２で得られた樹脂（Ｒ２－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）１８．０５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２５６０であった。
（合成例３３）
　製造例３３で得られた樹脂（Ｒ１－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）２５．７０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ３７２０であった。
（合成例３４）
　製造例３４で得られた樹脂（Ｒ２－Ｐｈ－ＴＤＰ－ＡＤＢＡＣ）２２．０５ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ４４１０であった。
（合成例３５）
　製造例３５で得られた樹脂（ＢＨＰＴ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）１３．５０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２３３０であった。
（合成例３６）
　製造例３６で得られた樹脂（ＴＤＰ－ｃｏ－ＡＤＴＢＡ）１２．３８ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン８０ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２３３０であった。
（合成例３７）
　製造例３７で得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＯＨ）６２．８８ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン２００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１２３３３０であった。
（合成例３８）
　製造例３８で得られた樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ）４１．５０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン２００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１１５５３０であった。
（合成例３９）
　製造例３９で得られた樹脂（ＤＭＢ－ｃｏ－ＴｅＣｌ２－ＡＤＢＡＣ）４５．０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン２００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１３１９３０であった。
（合成例４０）
　製造例４０で得られた樹脂（Ｒｅ－ｃｏ－Ｔｅ－ＡＤＢＡＣ）４５．０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン２００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１２７９１０であった。
（合成例４１）
　製造例４１で得られた樹脂（ＤＰＥ－ｃｏ－Ｔｅ）２４．０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン２００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ６９３０であった。
（合成例４２）
　製造例４２で得られたＴｅ含有ハイパーブランチポリマー５８．０ｇ、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン５．５６ｇ、アセトン１００ｇを５００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマー（テルル含有ケイ素化合物）のＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２５１３０であった。
（比較合成例１）
　β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン８．３４ｇ（３０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン１４．５６ｇ（７０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマーのＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ１６１０であった。
（比較合成例２）
　３－（イソシアナトプロピル）トリエトキシシラン３．１５ｇ（３０ｍｏｌ％）、テトラエトキシシラン２３．４９ｇ（６０ｍｏｌ％）、エチレンビストリエトキシシラン（１０ｍｏｌ％）、アセトン６０ｇを３００ｍｌのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながらメタンスルホン酸０．１ｇを混合溶液に滴下した。添加後、８５℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で２４０分間反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７２．００ｇを加え、反応副生物であるエタノール、水、アセトンを減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル２０／８０の溶媒比率として１４０℃における固形残物換算で１５質量％となるように調整した。得られたポリマーのＧＰＣによる重量平均分子量はポリスチレン換算でＭｗ２０３０であった。
［実施例１]
（テルル含有レジスト下層膜形成用組成物の調製）
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の１５質量％溶液１６０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル６４０ｇ、及び脱イオン水８０ｇを加え、撹拌均一化した後、目開きが５ｎｍのポリエチレン製のフィルターで毎分１０ｍｌの流速で１時間循環ろ過し、テルル含有レジスト下層膜形成用組成物を調製した。
（光学定数の測定）
　次に、前記テルル含有レジスト下層膜形成用組成物を清浄な容器に充填し、続いてスピンコーターを用いてシリコンウエハーに１５００ｒｐｍで回転塗布し、２４０℃で６０秒間加熱して、膜厚３５ｎｍの塗布膜を作製した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ． Ｗｏｏｌｌａｍ社製、ＶＵＶ－ＶＡＳＥ ＶＵ－３０２）を用い、波長１９３ｎｍでの屈折率（ｎ値）及び光学吸光係数（ｋ値、減衰係数とも呼ぶ）を測定した。結果を下記表１に示す。
（有機下層膜形成用組成物の調製）
　攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に、２，６－ナフタレンジオール（シグマ－アルドリッチ社製試薬）１．６０ｇ（１０ｍｍｏｌ）と、４－ビフェニルアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）と、メチルイソブチルケトン３０ｍｌとを仕込み、９５％の硫酸５ｍｌを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に、反応液を濃縮し、純水５０ｇを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことにより、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ－１）３．０５ｇを得た。
　なお、４００ＭＨｚ－１Ｈ－ＮＭＲにより以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。また、２，６－ジヒドロキシナフトールの置換位置が１位であることは、３位と４位のプロトンのシグナルがダブレットであることから確認した。
　１Ｈ－ＮＭＲ：（ｄ－ＤＭＳＯ、内部標準ＴＭＳ）
　δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ－Ｈ）、７．２～８．５（１９Ｈ，Ｐｈ－Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ－Ｈ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000169
　前記、得られた化合物（ＢｉｓＮ－１）２．０ｇに乳酸エチル１８．０ｇを加え、均一溶液化した後、目開きが５ｎｍのポリエチレン製のフィルターでろ過し、有機下層膜形成用組成物を調製した。
（フォトレジスト溶液の調製）
　温度を制御できる内容積５００ｍＬの電磁撹拌装置付オートクレーブ（ＳＵＳ３１６Ｌ製）に、無水ＨＦ ７４．３ｇ（３．７１モル）、ＢＦ３ ５０．５ｇ（０．７４４モル）を仕込み、内容物を撹拌し、液温を－３０℃に保ったまま一酸化炭素により２ＭＰａまで昇圧した。その後、圧力を２ＭＰａ、液温を－３０℃に保ったまま、４－シクロヘキシルベンゼン５７．０ｇ（０．２４８モル）とｎ－ヘプタン５０．０ｇとを混合した原料を供給し、１時間保った後、内容物を採取し氷の中にいれ、ベンゼンで希釈後、中和処理をして得られた油層をガスクロマトグラフィーで分析した。反応成績を求めたところ、４－シクロヘキシルベンゼン転化率１００％、４－シクロヘキシルベンズアルデヒド選択率９７．３％であった。
　単蒸留により目的成分を単離し、ＧＣ－ＭＳで分析した結果、目的物の４－シクロヘキシルベンズアルデヒド（以下、「ＣＨＢＡＬ」と示す）の分子量１８８を示した。すなわち、前記分子量は、島津製鉄所製社製ＧＣ－ＭＳ　ＱＰ２０１０　Ｕｌｔｒａを用いて測定した。また重クロロホルム溶媒中での１Ｈ－ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は、１．０～１．６（ｍ，１０Ｈ）、２．６（ｍ，１Ｈ）、７．４（ｄ，２Ｈ）、７．８（ｄ，２Ｈ）、１０．０（ｓ，１Ｈ）であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000170
　十分乾燥し、窒素置換した、滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ（１０００ｍＬ）に、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール（２２ｇ、０．２ｍｏｌ）と、前記４－シクロヘキシルベンズアルデヒド（４６．０ｇ，０．２ｍｏｌ）と、脱水エタノール（２００ｍＬ）を投入し、エタノール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで８５℃まで加熱した。次いで濃塩酸（３５％）７５ｍＬを、滴下漏斗により３０分間かけて滴下した後、引き続き８５℃で３時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。１時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール５００ｍＬで２回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、５０ｇの生成物（以下、「ＣＲ－１Ａ」と示す。）を得た。
　この生成物の構造は、ＬＣ－ＭＳで分析した結果、分子量１１２１を示した。また重クロロホルム溶媒中での１Ｈ－ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は０．８～１．９（ｍ，４４Ｈ）、５．５，５．６（ｄ，４Ｈ）、６．０～６．８（ｍ，２４Ｈ）、８．４，８．５（ｍ，８Ｈ）であった。
　これらの結果から、得られた生成物を目的化合物（ＣＲ－１Ａ）と同定した（収率９１％）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000171
　前記、得られた化合物（ＣＲ－１Ａ）０．５ｇに光活性化合物として、下記構造式（Ｇ）のナフトキノンジアジド系感光剤（４ＮＴ－３００，東洋合成工業（株））１．５ｇ、及び溶媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル３０ｇを加え、均一溶液化した後、目開きが５ｎｍのポリエチレン製のフィルターでろ過し、フォトレジスト溶液を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000172
（ドライエッチング速度の測定）
　前記テルル含有レジスト下層膜形成用組成物の溶液を、スピンコーターを用いシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃１分間加熱し、テルル含有レジスト下層膜（膜厚１００ｎｍ）を形成した。また、同様にスピンコーターを持いて、有機下層膜形成組成物（ＢｉｓＮ－１の１０質量％乳酸エチル溶液）をシリコンウエハー上に塗布し、有機下層膜を膜厚２００ｎｍで形成した。エッチングガスとしてＯ２ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、テルル含有レジスト下層膜のドライエッチング速度の比較を行い、酸素系エッチングガスに対する耐性（酸素系ガス耐性）を評価した。
　ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスはＲＩＥ－１０ＮＲ（サムコ製）：Ｏ２を用いた。酸素系ガス（Ｏ２ガス）耐性（〔本願レジスト下層膜〕／〔有機下層膜〕のエッチレート比）を下記表１に示す。本願レジスト下層膜を、有機下層膜にと比較して、酸素系ガス（Ｏ２ガス）耐性の高い材料として用いる場合、前記エッチレート比は１以下であることが必要であり、実用上０．５以下が好ましく、さらに好ましくは０．２以下であり、また、さらに好ましくは０．１以下である。
（レジストパターニング試験）
　シリコンウエハー上に、スピンコーターを用いて、前記有機下層膜形成組成物を塗布し、有機下層膜を膜厚２００ｎｍで形成した。その上に前記テルル含有レジスト下層膜形成用組成物を塗布して２４０℃で６０秒間加熱して、膜厚３５ｎｍのテルル含有レジスト下層膜を作製した。続いて、前記フォトレジスト溶液をスピナーによりそれぞれ塗布し、ホットプレート上で１１０℃にて６０秒間ベークし、膜厚１２０ｎｍのフォトレジスト膜を形成した。
　次いで、これらをＡｒＦ液浸露光装置（（株）ニコン製；ＮＳＲ－Ｓ６１０Ｃ，ＮＡ１．３０、σ０．９８／０．６５、３５度ダイポール偏光照明、６％ハーフトーン位相シフトマスク）で露光し、１００℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で３０秒間現像し、５０ｎｍ１：１のポジ型のラインアンドスペースパターンを得た。リソグラフィーが行われた後のレジストパターンを観察し、パターン裾形状においてラインの形状が矩形なものを「矩形」とし、ライン底部の太りを「不良」として評価した。結果を下記表１に示す。
［実施例１－２］
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の代わりに合成例１－２で得られたテルル含有ケイ素化合物の１５質量％溶液１６０ｇを使用した以外は実施例１と全く同じ方法で塗布膜を作製し、各種評価を行った。
［実施例１－３］
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の１５質量％溶液１６０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル６４０ｇ、架橋剤として、テトラメチロールグリコールウリル、及び脱イオン水８０ｇを加え、撹拌均一化した後、目開きが５ｎｍのポリエチレン製のフィルターで毎分１０ｍｌの流速で１時間循環ろ過し、テルル含有レジスト下層膜形成用組成物を調製した。
［実施例２～４２］
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の代わりに合成例２～４２で得られたテルル含有ケイ素化合物の１５質量％溶液１６０ｇを使用した以外は実施例１と全く同じ方法で塗布膜を作製し、各種評価を行った。
［比較例１］
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の代わりに比較合成例１で得られたケイ素化合物の加水分解縮合物１５質量％溶液１６０ｇを使用した以外は実施例１と全く同じ方法で塗布膜を作製し、各種評価を行った。
［比較例２］
　合成例１で得られたテルル含有ケイ素化合物の代わりに比較合成例２で得られたケイ素化合物の加水分解縮合物１５質量％溶液１６０ｇを使用した以外は実施例１と全く同じ方法で塗布膜を作製し、各種評価を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000173
　表１からわかるようにテルル化合物を含む本発明の下層膜形成用組成物を用いた実施例は、屈折率、光学吸光係数、パターン矩形性に優れており、酸素系エッチングガスに対する耐性（酸素系ガス耐性）も実用上好ましい特性であることがわかる。
　また、実施例３６，４１及び４２との比較において４塩化テルルに対するテルル含有樹脂の収率を比較した。結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000174
　表２からわかるように、ハロゲン化テルルとフェノール類とからテルル含有樹脂を得る反応では、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類３モル以上を用いると、テルル含有樹脂が高収率で得られることが示された。
　更に、本願のテルルを含有したレジスト下層膜形成用組成物を用いることにより、レジストとのインターミキシングを起こさず、フッ素系のエッチングガスではレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、レジストパターンを本願レジスト下層膜に転写することができ、また酸素系エッチングガスに対してはエッチング耐性を示し、有機下層膜にレジストパターンを転写することができる。また、比較例に比べて矩形性の良好なパターンが得られることが示された。
　２０１６年４月２８日に出願された日本国特許出願２０１６－０９１７８８号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　また、明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (42)

  1. 　テルルを含有する化合物又はテルルを含有する樹脂と、ケイ素含有化合物と、を含むレジスト下層膜形成用組成物。
  2. 　前記ケイ素含有化合物が、加水分解性オルガノシラン、その加水分解物又はその加水分解縮合物である請求項１に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  3. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－１）で示される請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０は、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、ハロゲン原子、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  4. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－２）で示される請求項３に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（Ａ－２）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、単結合又は無架橋であり、Ｒ０Ａは、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、前記アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  5. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（Ａ－３）で示される請求項３に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（Ａ－３）中、Ｘ０は、テルルを含む炭素数０～３０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０Ｂは、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  6. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（１Ａ）で示される請求項３に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（１Ａ）中、Ｘ、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－１）と同義であり、Ｒ１は、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、該アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  7. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（１Ｂ）で示される請求項４に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式（１Ｂ）中、Ｘ０、Ｚ、ｍ、ｐは前記式（Ａ－３）と同義であり、Ｒ１Ａは、各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はハロゲン原子であり、Ｒ２は、各々独立して、水素原子、酸架橋性反応基又は酸解離性反応基であり、ｎ１は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数であり、ｎ２は各々独立して、０～（５＋２×ｐ）の整数である。但し、少なくとも一つのｎ２は１～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  8. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ａ）で示される請求項７に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （式（２Ａ）中、Ｚ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義であり、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子である。）
  9. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ａ’）で示される請求項８に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     （式（２Ａ’）中、Ｒ１Ｂ及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、Ｘ１は前記式（２Ａ）のＸ１と、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ａ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ａ）のｐと同義であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
  10. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（３Ａ）で示される請求項７に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
     （式（３Ａ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｘ１、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ａ）と同義である。）
  11. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（４Ａ）で示される請求項１０に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
     （式（４Ａ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、Ｘ１は前記式（３Ａ）と同義である。）
  12. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ｂ）で示される請求項６に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
     （式（２Ｂ）中、Ｚ、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｐ、ｎ１、ｎ２は前記式（１Ｂ）と同義である。）
  13. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（２Ｂ’）で示される請求項１２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
     （式（２Ｂ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｎ１及びｎ１’は前記式（２Ｂ）のｎ１と、ｐ及びｐ’は前記式（２Ｂ）のｐと同義であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
  14. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（３Ｂ）で示される請求項１２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
     （式（３Ｂ）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２、ｎ１、ｎ２は前記式（２Ｂ）と同義である。）
  15. 　前記テルルを含有する化合物が、下記式（４Ｂ）で示される請求項１４に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
     （式（４Ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１は前記式（３Ｂ）と同義である。）
  16. 　前記テルルを含有する化合物は、前記Ｒ２として、少なくとも一つの酸解離性反応基を有する請求項６～８，１０～１２，１４～１５のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  17. 　前記テルルを含有する化合物は、前記Ｒ２が全て水素原子である請求項６～８，１０～１２，１４～１５のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  18. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－１）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
     （式（Ａ－１）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０は、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、ハロゲン原子、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  19. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－２）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
     （式（Ａ－２）中、Ｘは、テルルを含む炭素数０～６０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、単結合又は無架橋であり、Ｒ０Ａは、各々独立して、炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～４０のアリール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基、及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、ここで、前記アルキル基、該アルケニル基及び該アリール基は、エーテル結合、ケトン結合又はエステル結合を含んでいてもよく、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  20. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ａ－３）で示される化合物に由来する構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
     （式（Ａ－３）中、Ｘ０は、テルルを含む炭素数０～３０の２ｍ価の基であり、Ｚは、酸素原子、硫黄原子又は無架橋であり、Ｒ０Ｂは、各々独立して、酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｍは、１～４の整数であり、ｐは、各々独立して０～２の整数であり、ｎは、各々独立して０～（５＋２×ｐ）の整数である。）
  21. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ１－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
     （式（Ｂ１－Ｍ）中、Ｘ２は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
     （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
  22. 　前記テルルを含有する樹脂は、前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である請求項２１に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  23. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ２－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂である請求項２１に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
     （式（Ｂ２－Ｍ’）中、Ｘ２、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ１－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
     （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
  24. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｃ１）で示される構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
     （式（Ｃ１）中、Ｘ４は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子、又はハロゲン原子であり、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
  25. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ３－Ｍ）で示される構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
     （式（Ｂ３－Ｍ）中、Ｒ３は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｑは０～２の整数であり、ｎ３は０～（４＋２×ｑ）である。Ｒ４は、単結合又は下記一般式（５）で示されたいずれかの構造である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
     （一般式（５）中において、Ｒ５は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ５’は各々独立して、前記式（５’）のいずれかである。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。式（５’）中において、＊はＲ５に接続していることを表す。）
  26. 　前記テルルを含有する樹脂は、前記Ｒ４が前記一般式（５）で示されたいずれかの構造である請求項２４に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  27. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｂ４－Ｍ’）で示される構成単位を含む樹脂である請求項２４に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
     （式（Ｂ４－Ｍ’）中、Ｒ３、ｑ、ｎ３は式（Ｂ３－Ｍ）と同義であり、Ｒ６は、下記一般式（６）で示されたいずれかの構造である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
     （一般式（６）中において、Ｒ７は、置換又は無置換の炭素数１～２０の直鎖状、炭素数３～２０の分岐状若しくは炭素数３～２０の環状のアルキレン基、或いは、置換又は無置換の炭素数６～２０のアリーレン基であり、Ｒ７’は各々独立して、前記式（６’）のいずれかである。式（６’）中において、＊はＲ７に接続していることを表す。）
  28. 　前記テルルを含有する樹脂が、下記式（Ｃ２）で示される構成単位を含む樹脂である請求項１～２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
     （式（Ｃ２）中、Ｒ６は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、又はハロゲン原子であり、ｒは０～２の整数であり、ｎ６は２～（４＋２×ｒ）である。）
  29. 　溶媒を更に含むことを特徴とする請求項１～請求項２８のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  30. 　酸を更に含有する請求項１～請求項２９のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  31. 　酸架橋剤を更に含有する請求項１～請求項３０のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  32. 　下記式（２Ａ’）で表わされる、化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
     （式（２Ａ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｐ及びｐ’は、各々独立して０～２の整数であり、ｎ１及びｎ１’は、各々独立して、０～（５＋２×ｐ）、又は０～（５＋２×ｐ’）の整数であり、Ｘ１は、各々独立して酸素原子を含む１価の基、硫黄原子を含む１価の基、窒素原子を含む１価の基、炭化水素基、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
  33. 　下記式（２Ｂ’）で表わされる、化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
     （式（２Ｂ’）中、Ｒ１Ｂ、及びＲ１Ｂ’は各々独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、水酸基又は水酸基の水素原子が酸架橋性反応基又は酸解離性反応基で置換された基であり、ｐ、及びｐ’は、各々独立して０～２の整数であり、ｎ１及びｎ１’は、各々独立して、０～（５＋２×ｐ）、又は０～（５＋２×ｐ’）の整数であり、Ｒ１ＢとＲ１Ｂ’、ｎ１とｎ１’、ｐとｐ’、Ｒ１Ｂの置換位置とＲ１Ｂ’の置換位置、のうち少なくとも一つは異なる。）
  34. 　ハロゲン化テルルとフェノール類とを反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させることによる、請求項８～１５、及び請求項２４、２８のいずれか一項に記載のテルルを含有する化合物の製造方法。
  35. 　ハロゲン化テルルとフェノール類とを、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類０．４～１．２モルで反応させ、反応終了後に、フェノール類を追加反応させることによる、請求項３４に記載の製造方法。
  36. 　ハロゲン化テルルとフェノール類［Ｉ］とを反応させ、反応終了後に、フェノール類［ＩＩ］を追加反応させることによる請求項３４に記載の製造方法であって、フェノール類［Ｉ］とフェノール類［ＩＩ］とが異なる製造方法。
  37. 　ハロゲン化テルルとフェノール類とから請求項８～１５、２４及び２８のいずれか一項に記載のテルル含有樹脂を得る反応で、ハロゲン化テルル１モルあたりフェノール類３モル以上を用いる製造方法。
  38. 　前記ケイ素含有化合物が、下記式（Ｄ１）及び（Ｄ２）からなる群より選ばれた少なくとも一種の加水分解性オルガノシラン、それらの加水分解物、又はそれらの加水分解縮合物である請求項１～請求項３１のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
     
    式（Ｄ１）：　　（Ｒ３）ａＳｉ（Ｒ４）４－ａ
     
    （式（Ｄ１）中、Ｒ３はアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、又はシアノ基を有する有機基；或いは、それらの組み合わせを表し、且つＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ４はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、ａは０～３の整数を表す。）
     
    式（Ｄ２）：　　［（Ｒ５）ｃＳｉ（Ｒ６）４－ｃ］２Ｙｂ
     
    （式（Ｄ２）中、Ｒ５はアルキル基を表し、Ｒ６はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン基を表し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を表し、ｂは０又は１の整数を表し、ｃは０又は１の整数を表す。）
  39. 　請求項１～請求項３１及び請求項３８のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いて形成されたリソグラフィー用下層膜。
  40. 　基板上に、請求項１～請求項３１及び請求項３８のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、少なくとも１層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所定の領域に放射線を照射し、現像を行うことを含む、パターン形成方法。
  41. 　基板上に塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、前記有機下層膜上に、請求項１～請求項３１及び請求項３８のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、前記上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記有機下層膜をマスクにして前記基板にエッチングでパターンを転写することを含むパターン形成方法。
  42. 　基板上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをＣＶＤ法で形成し、前記有機ハードマスク上に、請求項１～請求項３１及び請求項３８のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を用いてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上に、上層レジスト膜組成物を用いて上層レジスト膜を形成し、前記上層レジスト膜に上層レジストパターンを形成し、前記上層レジストパターンをマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、パターンが転写された前記有機ハードマスクをマスクにして前記基板にエッチングでパターンを転写することを含むパターン形成方法。
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