WO2017169173A1 - 金型及び回路装置 - Google Patents

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WO2017169173A1
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昌龍 許
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株式会社ケーヒン
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/26—Moulds
    • B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a transfer mold for sealing a circuit board and electronic components with resin.
  • a vehicle represented by a passenger car or a motorcycle is equipped with a circuit device having a substrate.
  • the circuit device in order to prevent water and the like from entering the substrate, a technique for covering the periphery of the substrate so as to be solid with resin has been put into practical use.
  • a mold for transfer molding is known in which resin melted from a heating pod is filled in a cavity in which a substrate is arranged.
  • a substrate 105 on which an electronic component 104 is mounted is disposed in a cavity 103 of a transfer mold 100 made up of a lower mold 101 and an upper mold 102.
  • the substrate 105 is supported by a heat sink 106 disposed on the lower mold 102 via a lead frame 107 and support pins 108, and an electronic component 104 is disposed below the substrate 105.
  • the cavity 103 is filled with resin.
  • the molten resin flowing from the gate 108 flows separately below and above the substrate 105.
  • the resin flowing in from the gate 108 flows evenly below and above the substrate 105 and joins in the vicinity of the gas vent (divided surface) 109, so that the air in the cavity 103 flows from the gas vent (divided surface) 109. It is preferable to exit.
  • Patent Document 1 Since the molten resin tends to flow through the wide flow path, the technique of Patent Document 1 uses the obstruction member 110 on the upper side of the substrate 105, which is a wide flow path, in order to allow the resin divided below and above the substrate 105 to flow evenly.
  • the flow of resin is controlled by providing.
  • providing the obstruction member 110 on the substrate 105 increases the number of unnecessary parts and increases the size of the circuit device. Therefore, there is a demand for a technique that can reduce the number of components, control the resin flow with a simple structure, and increase the reliability of the circuit device.
  • An object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the number of parts, controlling the flow of resin with a simple structure, and improving the reliability of a circuit device.
  • the mold includes two molds, and these two molds are molds having a cavity for molding the resin and a gate for supplying the resin to the cavity while being clamped to each other.
  • the gate is formed on both sides of a split surface on which the two molds are clamped.
  • the gate is formed symmetrically with respect to the dividing plane.
  • the upstream portion of the flow path leading to the gate is formed in only one of the two molds and is exposed on the dividing surface.
  • the upper surface of the flow channel is parallel to the lower surface of the flow channel.
  • the circuit device is formed in the shape of a cavity, and burrs remain at the position of the dividing surface.
  • two molds are included, and these two molds are molds having a cavity for molding a resin and a gate for supplying the resin to the cavity. Since the gate is formed on both sides across the split surface where the two molds are clamped, the upper and lower sides of the cavity can be filled with resin simultaneously and evenly.
  • the amount of resin flowing into the upper and lower sides of the substrate can be easily adjusted by adjusting the opening size of the gate, even if the substrate is arranged in the cavity along the extending direction of the gate,
  • the upper and lower sides can be filled with resin simultaneously and evenly. Even if a complex shaped object is placed in the cavity, such as a substrate with electronic components, the upper and lower sides of the complicated shaped part are filled with resin in a balanced manner by adjusting the opening size of the gate. be able to.
  • the gate is formed symmetrically across the dividing surface, the upper and lower sides of the cavity can be filled with resin in a well-balanced manner, and air can be smoothly discharged to the gas vent (dividing surface). be able to.
  • the upstream portion of the flow path leading to the gate is formed on only one of the two molds and is exposed to the dividing surface, the upstream portion of the flow path can be obtained by processing only the dividing surface of one mold. Can be formed.
  • the resin flow can be stabilized and voids can be reduced. Furthermore, by making the upper surface of the flow channel parallel to the lower surface of the flow channel at a position immediately before the gate, a pocket portion can be formed at the tip of the gate, and this pocket portion can alleviate the turbulent flow of the resin and further increase the void. Can be reduced.
  • the circuit device is formed by transfer molding using the mold according to any one of claims 1 to 4. It can be determined that it is a circuit device.
  • a transfer mold 10 includes a lower mold 11 as a fixed mold and an upper mold 12 as a movable mold.
  • the two lower molds 11 and the upper mold 12 are arranged in a cavity 13 for molding a molten resin, a gate 21 for supplying the molten resin to the cavity 13, and the cavity 13 while being clamped to each other.
  • a substrate clamping portion 31 that clamps the end portion of the substrate 41 is provided.
  • the cavity 13 has the outer shape of the resin portion 43 of the circuit device 40 (see FIG. 3C).
  • the resin portion 43 is a substantially rectangular parallelepiped, and the shape of the cavity 13 is rectangular in cross-sectional view.
  • the shape is not limited to this, and the shape of the resin portion 43 may be a circular arc or a mounting
  • the shape of the cavity 13 may be appropriately changed according to the shape of the resin portion 43, such as forming a flange.
  • the substrate clamping portion 31 is formed by recessing a part of the dividing surface 14 where the lower die 11 and the upper die 12 are clamped and contacted.
  • the substrate clamping unit 31 is disposed on the opposite side of the gate 21 with the cavity 13 interposed therebetween.
  • a gas vent is formed between the lower mold 11 and the upper mold 12 when the mold is clamped, that is, on the dividing surface 14.
  • the electronic component 42 is mounted on the upper surface 41 a and the lower surface 41 b of the substrate 41.
  • the substrate 41 has a flat plate shape and is disposed along the dividing surface 14 in a sectional view. An end of the substrate 41 opposite to the substrate clamping unit 31 is located in front of the gate 21.
  • the gates 21 are formed on both sides of the dividing surface 14, and are formed in a rectangular shape when the gate 21 is viewed from the front.
  • the width direction end 22 of the gate 21 is separated from the width direction end 15 of the cavity 13.
  • the gate 21 is formed on both sides of the dividing surface 14, and has a gate upper portion 21 a above the dividing surface 14 and a gate lower portion 21 b below the dividing surface 14.
  • the gate ceiling surface 23a constituting the upper surface of the gate upper portion 21a is inclined downward toward the opening of the gate 21, and the angle formed by the gate ceiling surface 23a and the dividing surface 14 is ⁇ 1.
  • the gate bottom surface 23b constituting the lower surface of the gate lower portion 21b is inclined upward toward the opening of the gate 21, and the angle formed between the gate bottom surface 23b and the dividing surface is ⁇ 2.
  • the gate 21 is formed symmetrically with respect to the dividing surface 14, and the angle ⁇ 1 is equal to the angle ⁇ 2. For this reason, resin can be filled with good balance on the upper side and the lower side of the cavity 13, and air can be smoothly discharged to the gas vent (split surface) 14.
  • the gate 21 is formed symmetrically with the dividing surface 14 in between.
  • the present invention is not limited to this, and the flow area of the opening of the gate upper portion 21a is different from the flow area of the opening of the gate lower portion 21b. It can be set as such.
  • the opening size of the gate 21 by adjusting the opening size of the gate 21, the amount of molten resin flowing into the upper side and the lower side of the substrate 41 can be easily adjusted, so that the substrate 41 is placed in the cavity 13 along the extending direction of the gate 21. Even if it arrange
  • the upstream portion 25 of the molten resin flow path 24 from the heating pod (not shown) to the gate 21 is formed only in the lower mold 11 and exposed to the dividing surface 14. For this reason, the upstream portion 25 of the flow path 24 can be formed by processing only the dividing surface 14 of the lower mold 11.
  • the upper surface 26a of the flow channel is parallel to the lower surface 26b of the flow channel. For this reason, the flow of a molten resin can be stabilized and a void can be reduced. Further, by making the upper surface 26a of the flow path parallel to the lower surface 26b of the flow path at a position immediately before the gate 21, a pocket portion 27 can be formed at the tip of the gate 21, and the turbulent flow of the molten resin by the pocket portion 27. Can be relaxed and voids can be further reduced.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of a mold 200 in a comparative example.
  • the mold 200 is a substrate 206 provided with an electronic component 205 on a substrate holding portion 204 formed on a divided surface 203 of a lower mold 201 and an upper mold 202. Is pinched.
  • the gate 209 is formed only in the lower mold 201, the upper surface of the gate 209 is constituted by the dividing surface 203, and the lower surface 207 of the gate 209 is inclined upward toward the opening of the gate 209.
  • a large amount of molten resin from the heating pod flows to the upper side of the substrate 206 as indicated by the arrow (1) by the inclined lower surface 207, and flows to the lower side of the substrate 206 as indicated by the arrow (2).
  • the air in the cavity 208 cannot be efficiently discharged from the dividing surface 203 as a gas vent, and voids are easily generated. As a result, it is difficult for the substrate and the electronic component to be well sealed with the resin.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view of the mold 10 according to the embodiment. Since the gates 21 are formed on both sides of the dividing surface 14, the molten resin from the heating pod is indicated by the arrows (3) and (4). As described above, the liquid flows equally to the upper side of the substrate 41 and the lower side of the substrate 41. Then, the molten resin joins in the vicinity of the substrate sandwiching portion 31, and the air in the cavity 13 is discharged well from the dividing surface 14 as a gas vent. As a result, the substrate 41 and the electronic component 42 can be favorably sealed with resin.
  • FIG. 3C shows a circuit device 40 according to the embodiment, and the circuit device 40 includes a substrate 41, an electronic component 42, and a resin portion 43 that seals them.
  • the resin portion 40 there is a gate mark 44 at the position of the gate 21, and a burr 45 remains at the position of the dividing surface 14.
  • the burrs 45 may be burrs after being removed. Since the gate 21 is formed with the dividing surface 14 in between, a burr 45 is formed at an upper and lower intermediate position of the gate mark 44. Thereby, it can be easily determined that the circuit device 40 is molded by the mold 10 of the present invention.
  • the opening of the gate 21 can be adjusted to adjust the shape of the complicated shape portion.
  • Resin can be filled in a balanced manner on the upper and lower sides.
  • the present invention is suitable for transfer molds for sealing substrates and electronic components with resin.

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Abstract

下型１１と上型１２を含んで構成されたトランスファーモールド用の金型１０である。下型１１と上型１２は、互いに型締めされた状態で、樹脂を成形するキャビティ１３と、このキャビティ１３へ樹脂を供給するゲート２１とを有する金型である。ゲート２１は、２つの型が型締めされる分割面１４を挟んで両側に形成されている。ゲート２１は、分割面１４を挟んで面対称に形成されており、ゲート２１に至る流路の上流部は、２つの型の一方のみに形成されるとともに、分割面１４に露出している。

Description

金型及び回路装置
　本発明は、回路装置の基板及び電子部品を樹脂で封止するトランスファーモールド用金型に関する。
　乗用車や自動二輪車に代表される車両には、基板を備える回路装置が搭載されている。回路装置では、基板への水等の浸入を防ぐために、基板の周囲を樹脂で中実になるように覆う技術が実用化されている。このような技術において、加熱ポッドから溶融した樹脂を基板が配置されたキャビティに充填する、トランスファーモールド用の金型が知られている。
　特許文献１に開示されている技術の基本原理を図４に基づいて説明する。
　図４に示すように、下型１０１及び上型１０２からなるトランスファーモールド用金型１００のキャビティ１０３に、電子部品１０４を実装した基板１０５が配置されている。基板１０５は、下型１０２に配置されたヒートシンク１０６にリードフレーム１０７及び支持ピン１０８を介して支持されており、基板１０５の下方に電子部品１０４が配置されている。
　溶融した樹脂をゲート１０８からキャビティ１０３内に注入することで、キャビティ１０３に樹脂が充填される。ゲート１０８から流入した溶融樹脂は、基板１０５の下方と上方に分かれて流動する。
　回路装置の信頼性を高めるには、樹脂による封止品質の向上が求められる。これには、ゲート１０８から流入した樹脂が、基板１０５の下方と上方を均等に流れてガスベント（分割面）１０９の近傍で合流することで、キャビティ１０３内の空気がガスベント（分割面）１０９から抜けることが好ましい。
　溶融樹脂は広い流路の方を流れ易いため、特許文献１の技術は、基板１０５の下方と上方に分かれた樹脂を均等に流すために、広い流路である基板１０５の上側に障害部材１１０を設けることで樹脂の流れを制御している。
　しかし、基板１０５に障害部材１１０を設けることで不要な部品点数が多くなる上、回路装置が大型になる。そのため、部品点数を低減させ簡易な構造で樹脂の流れを制御でき、回路装置の信頼性を高めることができる技術が求められている。
特開２０１１－１９９１４６号公報
　本発明は、部品点数を低減させ簡易な構造で樹脂の流れを制御でき、回路装置の信頼性を高めることができる技術を提供することを課題とする。
　本発明によれば、２つの型を含んで構成され、これらの２つの型は、互いに型締めされた状態で、樹脂を成形するキャビティと、このキャビティへ樹脂を供給するゲートとを有する金型であって、前記ゲートは、前記２つの型が型締めされる分割面を挟んで両側に形成されていることを特徴とする技術が提供される。
　好ましくは、ゲートは、分割面を挟んで面対称に形成されている。
　好ましくは、ゲートに至る流路の上流部は、２つの型の一方のみに形成されるとともに、分割面に露出している。
　好ましくは、ゲートの直前に位置する流路の下流部は、流路の上面が流路の下面に平行である。
　好ましくは、キャビティの形状に形成された回路装置であって、分割面の位置にバリが残っている。
　本発明では、２つの型を含んで構成され、これらの２つの型は、樹脂を成形するキャビティと、このキャビティへ樹脂を供給するゲートとを有する金型である。ゲートは２つの型が型締めされる分割面を挟んで両側に形成されているので、キャビティの上側及び下側に、樹脂を同時に且つ均等に充填することができる。
　さらに、ゲートの開口サイズを調整することで、基板の上側及び下側への樹脂の流入量を容易に調整できるので、キャビティ内にゲートの延び方向に沿って基板を配置しても、基板の上側及び下側に樹脂を同時に且つ均等に充填することができる。電子部品が設けられた基板のように、複雑な形状物をキャビティ内に配置しても、ゲートの開口サイズを調整することで、複雑な形状部の上側及び下側にバランス良く樹脂を充填することができる。このように、基板に不要な部品を設けることなく、部品点数を低減させ簡易な構造で樹脂の流れを制御でき、回路装置の信頼性を高めることができる技術を提供することができる。
　さらに、ゲートは、分割面を挟んで面対称に形成されているので、キャビティの上側及び下側にバランス良く樹脂を充填することができ、ガスベント（分割面）への空気の排出を円滑に行うことができる。
　さらに、ゲートに至る流路の上流部は、２つの型の一方のみに形成されるとともに、分割面に露出しているので、一方の型の分割面のみを加工するだけで流路の上流部を形成することができる。
　さらに、ゲートの直前に位置する流路の下流部は、流路の上面が流路の下面に平行であるので、樹脂の流れを安定させボイドを低減することができる。さらに、ゲートの直前の位置で流路の上面を流路の下面に平行とすることで、ゲートの先端にポケット部を形成でき、このポケット部により、樹脂の乱流を緩和でき、ボイドをより低減することができる。
　さらに、キャビティの形状に形成された回路装置であって、分割面の位置にバリが残っているので、請求項１～４のいずれか１項記載の金型を用いたトランスファーモールドによって形成された回路装置であることを判別することができる。
本発明の実施例における金型の断面図である。 図１の要部拡大図である。 比較例の金型と実施例の金型の作用図及び回路装置の部分断面図である。 従来技術の基本構成を説明する図である。
　本発明の実施の形態を添付図に基づいて以下に説明する。
　まず、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　図１（ａ）に示すように、トランスファーモールド用の金型１０は、固定型としての下型１１と、可動型としての上型１２の２つの型を含んで構成されている。これらの２つの下型１１及び上型１２は、互いに型締めされた状態で、溶融した樹脂を成形するキャビティ１３と、このキャビティ１３へ溶融樹脂を供給するゲート２１と、キャビティ１３に配置される基板４１の端部を挟持する基板挟持部３１を有する。
　キャビティ１３は、回路装置４０（図３（ｃ）参照）の樹脂部４３の外形形状を呈している。なお、実施例では、樹脂部４３を略直方体とし、キャビティ１３の形状を断面視で矩形としたがこれに限定されず、樹脂部４３の形状は角部を円弧状に形成したり、取付用のフランジを形成する等、樹脂部４３の形状に応じてキャビティ１３の形状を適宜変更しても差し支えない。
　基板挟持部３１は、下型１１と上型１２が型締めされ接触する分割面１４の一部を窪ませることで形成されている。基板挟持部３１は、キャビティ１３を挟んでゲート２１の反対側に配置されている。型締めされた際の下型１１と上型１２との間、すなわち分割面１４にガスベントが形成されている。
　基板４１の上面４１ａ及び下面４１ｂには、電子部品４２が実装されている。基板４１は平板状であり、断面視にて分割面１４に沿って配置されている。基板４１のうち基板挟持部３１の反対側の端部は、ゲート２１の前方に位置している。
　図１（ｂ）に示すように、ゲート２１は、分割面１４を挟んで両側に形成されており、ゲート２１の正面視にて矩形状に形成されている。ゲート２１の幅方向端部２２は、キャビティ１３の幅方向端部１５から離れている。
　図２に示すように、ゲート２１は、分割面１４を挟んで両側に形成されており、分割面１４より上側のゲート上部２１ａと、分割面１４より下側のゲート下部２１ｂとを有する。ゲート上部２１ａの上面を構成するゲート天井面２３ａは、ゲート２１の開口に向かって下方に傾斜しており、ゲート天井面２３ａと分割面１４とのなす角はθ１である。
　ゲート下部２１ｂの下面を構成するゲート底面２３ｂは、ゲート２１の開口に向かって上方に傾斜しており、ゲート底面２３ｂと分割面のなす角はθ２である。ゲート２１は、分割面１４を挟んで面対称に形成されており、角θ１は角θ２に等しい。このため、キャビティ１３の上側及び下側にバランス良く樹脂を充填することができ、ガスベント（分割面）１４への空気の排出を円滑に行うことができる。
　なお、実施例では、ゲート２１は、分割面１４を挟んで面対称に形成したが、これに限定されず、ゲート上部２１ａの開口の流路面積とゲート下部２１ｂの開口の流路面積を異なるように設定しても差し支えない。この場合、ゲート２１の開口サイズを調整することで、基板４１の上側及び下側への溶融樹脂の流入量を容易に調整できるので、キャビティ１３内にゲート２１の延び方向に沿って基板４１を配置しても、基板４１の上側及び下側に樹脂を同時に且つ均等に充填することができる。
　加熱ポッド（不図示）からゲート２１に至る溶融樹脂の流路２４の上流部２５は、下型１１のみに形成されるとともに、分割面１４に露出している。このため、下型１１の分割面１４のみを加工するだけで流路２４の上流部２５を形成することができる。
　また、ゲート２１の直前に位置する流路２４の下流部２６は、流路の上面２６ａが流路の下面２６ｂに平行である。このため、溶融樹脂の流れを安定させボイドを低減することができる。さらに、ゲート２１の直前の位置で流路の上面２６ａを流路の下面２６ｂに平行とすることで、ゲート２１の先端にポケット部２７を形成でき、このポケット部２７により、溶融樹脂の乱流を緩和でき、ボイドをより低減することができる。
　次に、以上に述べた金型１０の作用を比較例と較べて説明する。
　図３（ａ）は比較例における金型２００の断面図であり、金型２００は下型２０１と上型２０２の分割面２０３に形成した基板保持部２０４に、電子部品２０５を備えた基板２０６を挟持している。
　ゲート２０９は、下型２０１のみに形成されており、ゲート２０９の上面は分割面２０３で構成され、ゲート２０９の下面２０７はゲート２０９の開口に向かって上方に傾斜している。加熱ポッドからの溶融樹脂は、傾斜した下面２０７によって矢印（１）のように基板２０６の上側へ多く流れ、矢印（２）のように基板２０６の下側へ少なく流れる。このため、キャビティ２０８内の空気がガスベントとしての分割面２０３から効率よく排出できず、ボイドが発生し易くなる。結果、樹脂による基板及び電子部品の封止が良好になり難い。
　図３（ｂ）は実施例における金型１０の断面図であり、ゲート２１が分割面１４を挟んで両側に形成されているので、加熱ポッドからの溶融樹脂が、矢印（３）（４）のように、基板４１の上側と基板４１の下側に均等に流れる。そして、溶融樹脂は基板挟持部３１の近傍で合流し、キャビティ１３内の空気がガスベントとしての分割面１４から良好に排出される。結果、樹脂による基板４１及び電子部品４２の封止を良好に行うことができる。
　図３（ｃ）は実施例における回路装置４０であり、回路装置４０は、基板４１、電子部品４２及びこれらを封止する樹脂部４３から構成されている。樹脂部４０には、ゲート２１の位置にゲート跡４４があり、分割面１４の位置にバリ４５が残っている。なお、バリ４５は、除去された後のバリ跡であってもよい。ゲート２１は分割面１４を挟んで形成されているので、ゲート跡４４の上下中間位置にバリ４５が形成されている。これにより、本発明の金型１０によって成形された回路装置４０であることを判別することを容易にできる。
　なお、大きさの異なる電子部品４２が複数設けられた基板４１のように、複雑な形状物をキャビティ１３内に配置しても、ゲート２１の開口サイズを調整することで、複雑な形状部の上側及び下側にバランス良く樹脂を充填することができる。このように、従来技術のように基板４１に不要な部品を設けることなく、本発明では部品点数を低減させ簡易な構造で樹脂の流れを制御でき、回路装置１０の信頼性を高めることができる。
　尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の設計変更が可能である。
　本発明は、基板及び電子部品を樹脂で封止するトランスファーモールド用の金型に好適である。
　１０…金型、１１…下型、１２…上型、１３…キャビティ、１４…分割面（ガスベント）、２１…ゲート、２４…流路、２５…上流部、２６…下流部、４０…回路装置、４１…基板、４５…バリ（バリ跡）。 

Claims (5)

  1. 　２つの型を含んで構成され、
    　これらの２つの型は、互いに型締めされた状態で、樹脂を成形するキャビティと、このキャビティへ樹脂を供給するゲートとを有する金型であって、
    　前記ゲートは、前記２つの型が型締めされる分割面を挟んで両側に形成されていることを特徴とする金型。
  2. 　前記ゲートは、前記分割面を挟んで面対称に形成されている、請求項１記載の金型。
  3. 　前記ゲートに至る流路の上流部は、前記２つの型の一方のみに形成されるとともに、前記分割面に露出している、請求項１又は請求項２記載の金型。
  4. 　前記ゲートの直前に位置する流路の下流部は、前記流路の上面が前記流路の下面に平行である、請求項１から３のいずれか１項記載の金型。
  5. 　前記キャビティの形状に形成された回路装置であって、
    　前記分割面の位置にバリが残っていることを特徴とする回路装置。
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