JP5515110B2 - モールド金型 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置を樹脂モールドするトランスファモールド用のモールド金型に関する。
トランスファ成型装置においては、型開きしたモールド金型にワークと封止樹脂(例えば樹脂タブレット)が供給されてこれらをクランプし、ポットに装填された溶融樹脂が金型カル、金型ランナゲートを通じて金型キャビティへ圧送りされて樹脂モールドされる。
ワークとして基板面に複数の半導体素子が実装されパッケージ部が一括して樹脂モールドされて成形品が個片に切断される所謂多数個取りタイプのモールド金型は、封止樹脂の充填領域が広く(容積が大きい)金型キャビティ内の封止樹脂の流れも変化し易いため、チップレイアウトや金型の開口形状の有無によってエアートラップが発生し易く、未充填領域が発生するおそれがある。
このため、矩形状の金型キャビティに接続する金型ゲート側辺縁部と対向する辺縁部に幅1〜10mm、深さが0.02〜0.04mm程度のエアーベントが1キャビティ当たり数箇所或いは全幅にわたって形成されている(特許文献1参照)。エアーベントの幅や深さは、封止樹脂の特性によって設定される。
特開平08−309788号公報
しかしながら、モールド金型に樹脂特性の限界を超えたエアーベントを設けると、樹脂漏れを生じて成形品の体積が変化するため不良品が発生してしまう。例えば、LEDを成形する場合、深さ0.3mm程度の複数のエアーベントを設けると、粘度が0.5Pa/s以下の低粘度樹脂を用いた場合には樹脂漏れやフラッシュは少なく成形性が良いが、深さ0.05mmの全幅ベント(金型ゲート側辺縁部と対向する辺縁部全幅)の場合には樹脂漏れが発生する。また、粘度が10Pa/sの高粘度樹脂を用いた場合、深さ0.3mm程度の複数のエアーベントを設けた場合には、断面積が不足してエアーベント閉塞による未充填領域が発生するが、深さ0.05mmの全幅ベントの場合には、良好な成形性が得られる。
また、粒径70μm以下の大粒径フィラーと粒径1μm以下の小粒径フィラーが混在した封止樹脂を用いてLED用リフレクターを成形する場合には、チップ実装部に当たる金型キャビティ内に基板をクランプするキャビティ内クランプ部(金型凸部)が設けられるため、金型キャビティ内に充填される封止樹脂の流れが変動してエアートラップを生じ易くなる。このため、深さ0.3mm程度の複数のエアーベントや、深さ0.05mmの全幅ベント(金型ゲート側辺縁部と対向する辺縁部全幅)では、いずれもエアーベント閉塞による未充填が発生し、樹脂漏れも生ずる。
本発明は上記従来技術の課題を解決し、金型キャビティの底部に凸部を有しフィラー径の異なる高粘度樹脂を用いても、樹脂漏れが少なく成形品質を向上することができるモールド金型を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、次の構成を備える。
上型と下型とでワークがクランプされ、ポットに装填された樹脂材が金型カルに接続する金型ランナゲートを通じて矩形状の金型キャビティへ充填されるトランスファモールド用のモールド金型であって、前記金型キャビティの底部に複数の金型凸部が整列配置されており、当該金型キャビティの開口部に複数の前記金型ランナゲートが接続する金型ゲート側の辺縁部と対向する辺縁部にキャビティ全幅に渡って刻設された第1エアーベントと、当該第1エアーベントに重ねて複数刻設され前記第1エアーベントより深さが深い第2エアーベントと、を備え、前記複数の第2エアーベントは、前記金型キャビティの金型ゲート側の辺縁部から対向する辺縁部に向かって前記金型ランナゲート及び前記金型凸部の配列と同一ライン上に各々形成されており、前記第1エアーベントの両側辺縁部を含んで前記ワークが前記上型と前記下型とでクランプされることを特徴とする。
また、前記金型ゲート側の辺縁部から対向する辺縁部の中央部には前記ワークをクランプ可能なワーククランプ部が前記第1エアーベントより突出形成されていることを特徴とする。
また、前記第1エアーベントのキャビティ開口部からの深さt1は前記第2エアーベントのキャビティ開口部からの深さt2の45%以上75%以下となるように形成されていることを特徴とする。
上記モールド金型を用いれば、金型キャビティに金型ランナゲートが接続する金型ゲート側の辺縁部と対向する辺縁部にキャビティ全幅に渡って刻設された第1エアーベントと、当該第1エアーベントより深さが深い第2エアーベントが所定位置に重ねて刻設されているので、金型凸部の存在により金型キャビティ内に充填される封止樹脂の流速が遅くなって未充填領域が発生し易い環境になっても、第2エアーベントからエアーを確実に逃がすことができるので、金型キャビティ内に封止樹脂の未充填や樹脂漏れが少なく成形品質を向上することができる。
また、金型キャビティの底部に複数の金型凸部が整列配置されており、第2エアーベントは、金型キャビティの金型ゲート側の辺縁部から対向する辺縁部に向かって金型凸部の配列と同一ライン上に形成されていると、金型凸部に突き当たって回り込むことにより当該金型凸部の下流側の封止樹脂の流速が変動して第1エアーベントが先に塞がれることで発生し易い未充填領域のエアーを更に深さが深い第2エアーベントを通じてエアーを逃がすことができるので、金型キャビティ内の封止樹脂の未充填を防止することができる。
また、封止樹脂の種類にもよるが、第1エアーベントのキャビティ開口部からの深さt1は前記第2エアーベントのキャビティ開口部からの深さt2の45%以上75%以下となるように形成されていると、粒径の異なる複数のフィラーが混入された10Pa/s以上の高粘度樹脂材を用いても、ボイドが発生せず良好な成形品質を維持できる。
モールド金型の平面図である。 図1のモールド金型の矢印A−A方向断面図及び矢印B−B方向断面図である。 上型キャビティ内に封止樹脂が充填される状態を示す説明図である。 上型キャビティ内に封止樹脂が充填される状態を示す説明図である。 ゲート及びエアーベントの数を増やしたモールド金型の平面図及び矢印B−B方向断面図である。
以下、本発明に係るモールド金型の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。以下の実施形態では、上型側にキャビティ凹部が形成され下型側にポットが形成されるトランスファモールド用のモールド金型を用いて説明する。
先ず、図1及び図2を参照してトランスファ成形装置の概略構成について説明する。図2(a)において、モールド金型1は上型2と下型3を備えている。モールド金型1は、上型2と下型3とでワーク(基板)4をクランプし、ポット5に装填され溶融した封止樹脂(樹脂タブレット、顆粒状樹脂、液状樹脂等の樹脂材)6がプランジャ12により送り出されて上型カル7に接続する上型ランナゲート8を通じて上型キャビティ9へ充填されるようになっている。
図1において、上型2には、基板4に実装される複数の半導体素子に対してすり鉢状の壁面を有するリフレクターを一括して複数形成する矩形状の上型キャビティ9が形成されている。また、上型2にはポット5に対向する位置に上型カル7が形成され、上型カル7から複数の上型ランナゲート8が上型キャビティ9の辺縁部9aに接続するように刻設されている。
また、上型キャビティ9のキャビティ底部9bには、基板4をクランプするキャビティ内クランプ部9c(金型凸部)が複数整列配置されている。(図2(a)参照)。キャビティ内クランプ部9cにクランプされる基板面はこの金型では樹脂封止されず、半導体素子(LED)の実装部となる。
また、図1に示すように上型キャビティ9には上型ランナゲート8のゲート8aが接続する上型ゲート側辺縁部9aと対向する辺縁部9dにキャビティ全幅に渡って第1エアーベント10が刻設されている。また、第1エアーベント10には、当該第1エアーベント10より深さが深い第2エアーベント11が重ねて刻設されている(図2(b)参照)。
また、第2エアーベント11は、上型キャビティ9内の上型ゲート側の辺縁部9aから対向する辺縁部9dに向かってキャビティ内クランプ部9cと同一ラインL上(図1参照)に形成されている。本実施例では、第2エアーベント11は、3つのゲート8aの形成位置に対応して3箇所に形成されている。すなわち、各第2エアーベント11は、ゲート8aから上型キャビティ9内に流れ込んだ封止樹脂6の流動距離が長くなり辺縁部9dへの到達が遅れる位置であって、3つのゲート8aの各々に対応してキャビティ内クランプ部9cを挟んで反対側の位置に形成されている。なお、第2エアーベント11は、図1に示すような位置に形成するのが好ましいが、上型ゲート側の辺縁部9aから対向する辺縁部9dにおいてキャビティ内クランプ部9cの列数だけ設けてもよく、ゲート8aの数と一致しなくてもよい。例えば、ゲート8aが上型ゲート側の辺縁部9aの中央に1つだけ形成されキャビティ内クランプ部9cが複数(一例として3列)形成されている場合において、複数(3箇所)の第2エアーベント11が設けられていてもよい。
本実施形態では、また、封止樹脂6は、粘度10Pa/s以上の高粘度樹脂で、フィラー平均粒径が30μmで最大粒径が70μm以下の大粒径フィラー、及び最大粒径が1μm以下の小粒径フィラーが混入されたシリコン系樹脂材が用いられる。これらのフィラーとしては、アルミナ、酸化チタン、シリカ等のうちいずれか或いは組み合わせたものが用いられる。
図2(b)に示すように、キャビティ深さTは0.35mm、第1,第2エアーベント10,11のキャビティ開口部(上型クランプ面)からの深さを各々t1,t2は各々0.030mm、0.049mmに設定されている(T>t2>t1)。
発明者が鋭意研究を行った結果、第1エアーベント10の深さt1は第2エアーベント11の深さt2の60%程度に設計することで最適なエアーベント状態とすることができ、未充填がなく樹脂漏れが最も少ない最良の結果を得ることができた。この場合、第1エアーベント10の深さt1は、大粒径フィラーの平均粒径に相当する深さとなっており、第2エアーベント10の深さt2は、大粒径フィラーの最大粒径の70%となる深さに形成されている。このように、大粒径フィラーの最大粒径及び平均粒径の少なくとも一方に基づいて第1エアーベント10の深さt1及び第2エアーベント11の深さt2のいずれかを決定して、他方の深さを上述の比率から算出することで深さt1,t2を決定することができる。また、第1エアーベント10の深さt1を第2エアーベント11の深さt2の45%〜75%程度に設計した場合にも上記構成に準じた良好な結果を得ることができた。
次に、LED用リフレクターを樹脂モールドするための多数個取りタイプの基板4を用いた上型キャビティ9内の樹脂充填過程について、図3(a)(b)及び図4(a)(b)を参照して説明する。
先ず、前提として、図2(a)において、下型3の上面にワーク(基板4)が搬入され、ポット5に封止樹脂6(樹脂タブレット)が供給されてから、下型3と上型2とで基板4をクランプする。このとき、基板4の周縁部のみならずキャビティ内クランプ部9cにより基板面もクランプされる。プランジャ12を作動させて溶融した封止樹脂6が上型カル7、上型ランナゲート8を通じて上型キャビティ9に充填される。尚、上型キャビティ9の辺縁部9dには、第1エアーベント10は全幅にわたって設けられているが、上型キャビティ9の周辺部に十分なクランプエリアを確保できるため、金型のたわみによる影響はない。
図3(a)において、上型キャビティ9の辺縁部9aより上型ランナゲート8を通じて流れこんだ封止樹脂6は、キャビティ内クランプ部9cに突き当たって当該キャビティ内クランプ部9cの周面に沿って回りこみながら対向する辺縁部9dに向って流れる。
図3(b)において、上型キャビティ9の辺縁部9aから対向する辺縁部9dに向って、キャビティ内クランプ部9cが存在するラインL上の封止樹脂6が遅れて到達するため、このラインL上(3箇所)、特にキャビティ内クランプ部9cの下流側でエアーが集められることで封止樹脂6の充填が完了していない未充填領域13が形成される。それ以外の部分では封止樹脂6は上型キャビティ9の辺縁部9d(第1エアーベント10近傍)にいち早く到達する。
図4(a)において、封止樹脂6の充填が進むと、樹脂圧により第1エアーベント10に樹脂バリ14が発生し、キャビティ内クランプ部9cが存在するラインL上の封止樹脂6が上型キャビティ9の辺縁部9d(第1エアーベント10近傍)に到達する。そして、第1エアーベント10よりエアー抜きしつつ第1エアーベント10が封止樹脂6で塞がれる。これにより、上型キャビティ9の辺縁部9d両端(角部)などにおけるエアートラップが発生しないため封止樹脂6の未充填を防止することが可能となる。
図4(b)において、封止樹脂6の充填が更に進むと、樹脂圧により第1エアーベント10に生じた樹脂バリ14が広がるがフィラーが第1エアーベント10に堆積してせき止められた状態となる。具体的には、第1エアーベント10に流れ込んだ大粒径フィラーの間を小粒径フィラーが埋めるような状態となって封止樹脂6の第1エアーベント10へのそれ以上の浸入は堰き止められる。このため、封止樹脂6が第1エアーベント10を抜けてトランスファ成形装置内を汚染してしまうようなことはない。この際に、樹脂圧により未充填領域13に集められたエアーが第1エアーベント10のみならずそれより深い第2エアーベント11を通じて素早く排出される。さらに樹脂圧を加え続けることにより、ラインL(図3(b)参照)上の封止樹脂6が第1エアーベント10及び第2エアーベント11へ流出して樹脂バリ14が発生する。この際にも、第1エアーベント10と同様にして大粒径フィラー及び小粒径フィラーの堆積によって封止樹脂6が堰き止められるため、樹脂バリ14による装置内の汚染が発生するようなことはない。また、封止樹脂6に適正な樹脂圧を加えられるためボイドの発生も防止される。このように、上型キャビティ9の辺縁部9dにおいてキャビティ内クランプ部9cの下流で封止樹脂6の到達が遅い位置のエアーベントの深さを深くすることにより、辺縁部9dの全域におけるエアーの排出が円滑に行なわれるためエアートラップが確実に防止される。また、第1,第2エアーベント10,11の深さをフィラー径に対して上述したような関係としたことにより、大粒径フィラー及び小粒径フィラーの堆積によって装置内の汚染やボイドの発生は確実に防止される。
これにより、上型キャビティ9内に封止樹脂6の未充填領域13はなくなり最終樹脂圧が加わったまま加熱されて硬化する。
以上のように、キャビティ内クランプ部9c(金型凸部)の存在により上型キャビティ9内に充填される封止樹脂6の流速が遅くなって未充填領域13が発生し易い環境になっても、第1エアーベント10に重ねて刻設された第2エアーベント11からエアーを確実に逃がすことができるので、上型キャビティ9内に封止樹脂6の未充填や樹脂漏れが少なく成形品質を向上することができる。
また、第2エアーベント11は、上型キャビティ9内の上型ゲート側の辺縁部9aから対向する辺縁部9dに向かってキャビティ内クランプ部9c(金型凸部)と同一ラインL上に形成されているので、キャビティ内クランプ部9cにより封止樹脂6の流速が変動して第1エアーベント10が先に塞がれることで発生し易い未充填領域13のエアーを第2エアーベント11を通じて逃がし易くすることができるので、上型キャビティ9内の封止樹脂6の未充填を防止することができる。
また、封止樹脂6の種類にもよるが、上型キャビティ9のキャビティ開口部からの深さT、第1、第2エアーベント10,11のキャビティ開口部からの深さを各々t1,t2とするとT>t2>t1であり、第2エアーベント11のキャビティ開口部からの深さt2が第1エアーベント10のキャビティ開口部からの深さt1より大粒径フィラーの平均粒径に相当する深さだけ深く形成されていると、粒径の異なる複数のフィラーが混入された10Pa/s以上の高粘度樹脂を用いても、ボイドが発生せず良好な成形品質を維持できる。
尚、モールド金型1に形成される上型ランナゲート8の数や第2エアーベント11の数は、キャビティ内クランプ部9cのレイアウトに合わせて変更してもよい。例えば、図5(a)(b)において、上型2に設けられた上型キャビティ9内には、キャビティ内クランプ部9cが辺縁部9aから辺縁部9dに向けて4ライン上に形成されている。上型キャビティ9には辺縁部9aにおいて4本の金型ランナゲート8と辺縁部9dにおいて4箇所の第2エアーベント11が設けられている。また、ワーククランプ部20が、辺縁部9dの中央において第1エアーベント10より突出して形成されており、基板4を辺縁部9dの中央においてクランプ可能に構成されている。これにより、大型の基板4用で辺縁部9dの幅が広い金型であっても金型のたわみや基板4のゆがみの発生を効果的に防止することができ、エアーベントの深さを均一に保って樹脂漏れが少ない均一なエアー抜きを実現することができる。
上述したモールド金型1は、上型キャビティ、下型ポット配置タイプのモールド金型を用いて説明したが、下型キャビティであってもよいし、上型ポット、下型キャビティ配置のモールド金型であってもよい。また、上型2と下型3のいずれを固定型とし、いずれを可動型とするかは任意に設定することができる。
1 モールド金型
2 上型
3 下型
4 基板
5 ポット
6 封止樹脂
7 上型カル
8 上型ランナゲート
8a ゲート
9 上型キャビティ
9a,9d 辺縁部
9b キャビティ底部
9c キャビティ内クランプ部
10 第1エアーベント
11 第2エアーベント
12 プランジャ
13 未充填領域
14 樹脂バリ
20 ワーククランプ部

Claims (2)

  1. 上型と下型とでワークがクランプされ、ポットに装填された樹脂材が金型カルに接続する金型ランナゲートを通じて矩形状の金型キャビティへ充填されるトランスファモールド用のモールド金型であって、
    前記金型キャビティの底部に複数の金型凸部が整列配置されており、当該金型キャビティの開口部に複数の前記金型ランナゲートが接続する金型ゲート側の辺縁部と対向する辺縁部にキャビティ全幅に渡って刻設された第1エアーベントと、当該第1エアーベントに重ねて複数刻設され前記第1エアーベントより深さが深い第2エアーベントと、を備え、
    前記複数の第2エアーベントは、前記金型キャビティの金型ゲート側の辺縁部から対向する辺縁部に向かって前記金型ランナゲート及び前記金型凸部の配列と同一ライン上に各々形成されており、
    前記第1エアーベントの両側辺縁部を含んで前記ワークが前記上型と前記下型とでクランプされることを特徴とするモールド金型。
  2. 前記金型ゲート側の辺縁部から対向する辺縁部の中央部には前記ワークをクランプ可能なワーククランプ部が前記第1エアーベントより突出形成されている請求項1記載のモールド金型。
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