WO2017089676A1 - Dalle lumineuse et procédé de fabrication d'une telle dalle lumineuse - Google Patents

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Ivan-Christophe Robin
Bruno Mourey
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Definitions

  • the invention relates to illuminated slabs, in particular screens, e.g. computers, smartphones, television, tablets, or image projectors.
  • the invention more particularly relates to light plates based on inorganic micro-LEDs ("micro-LEDs”), in particular micro-LEDs based on galium nitride (“GaN”) or derived materials.
  • micro-LEDs inorganic micro-LEDs
  • GaN galium nitride
  • a luminous plate comprises a matrix of luminous elements, or pixels, individually controlled by a matrix of control circuits (or "active matrix").
  • Each control circuit comprises, for the control of its associated pixel, one or more transistors, functioning as a switch (s), and most often a polarization maintaining capacitor of the pixel between two refresh of the display of the slab.
  • LCD liquid crystal technology
  • plasma-based technology plasma-based technology
  • OLED organic photodiodes
  • control circuits are manufactured in thin layer deposition technology, called “TFT” (acronym for thin film transistor ").
  • TFT thin layer deposition technology
  • the electronic components of the control circuits are thus produced by depositing successively thin layers of material and using photolithography masks to delimit their constituent elements (electrodes, semiconductor layer, dielectric layer, tracks ).
  • the manufacture of control circuits of an LCD screen, each comprising only a transistor and a capacitor requires the use of 5 to 9 masks of photo lithography. The cost of control circuits manufactured using this technology is therefore very high.
  • the object of the present invention is to propose a method of manufacturing a luminous slab, based on a light emission technology other than LCD, plasma and OLED technologies, capable of producing a luminous slab to a reduced cost.
  • the subject of the invention is a method for manufacturing a luminous slab, comprising:
  • the manufacture of the first substrate being performed such that the electrical connections are disposed on a first face of the first substrate;
  • o first connections for the control of the micro-LEDs are disposed on a first face of the second substrate
  • o and second connections for controlling the light tile are arranged on a second face of the second substrate;
  • a third substrate comprising a array of electronic microchips, each consisting of the stack of a micro-LED and a control circuit;
  • each micro-chip being secured to the transfer substrate only by its micro-LED, and individualized by making a trench in the third substrate around the microchip;
  • the transfer of the transfer structure on the first face of the fourth substrate the joining of the microchips with the first face of the fourth substrate so as to connect the second connections of the control circuits with the electrical connections of the fourth substrate, and the uncoupling microchips of the transfer substrate.
  • the luminous slab thus manufactured comprises a matrix of inorganic micro-LEDs, and therefore has a longer life than the OLEDs.
  • Each micro-LED comprises a free face of any electronic or electrical component, unlike LCD panels, whose liquid crystal is partially masked by the active matrix, and unlike plasma plates whose plasma cells are partially masked by electrodes. This explains in particular the use of TFT technology for LCD and plasma panels since it allows the manufacture of active matrices or electrodes of very small thickness, and therefore low disturbance.
  • the active matrix of the invention is therefore advantageously produced according to a conventional technique of microelectronics, for example that well known to ASICs for which the transistors are produced directly in the volume (or "bulk") of a slice of silicon (or "wafer"), and not by successive deposits of layers of materials.
  • ASICs application-specific integrated circuits
  • Wafer slice of silicon
  • the invention also makes it possible to produce, in the active matrix, any type of electronic scheme for the control of the micro-LEDs.
  • the active matrix of the invention can be produced according to a diagram of the state of the art, each micro-LED being consequently controlled from the same in the state of the art with individual control transistors, capacitors, etc.
  • the advantages associated with this type of order are therefore preserved.
  • the transistors of the active matrix of the invention are interconnected after their manufacture, after transfer, by conductive tracks of a passive matrix.
  • the invention implements the transfer of substrates on each other.
  • the substrates of substrates are achievable by conventional machines in the field of microelectronics.
  • the manufacture of the micro-chip transfer structure comprises:
  • the invention advantageously makes use of the reports with the aid of a handle substrate.
  • the manufacture of the first substrate comprises the production of a growth substrate and the epitaxial growth of the semiconductor layers constituting the micro-LEDs, the growth substrate forming the substrate of the microchip transfer structure;
  • the fabrication of the microchip transfer structure involves the formation of trenches around the microchips to the transfer substrate;
  • the separation of the microchips of the transfer substrate comprises laser irradiation of the transfer substrate in line with the microchips so as to obtain the detachment of the latter from the transfer substrate.
  • the growth substrate therefore plays the function of a handle substrate, thereby saving a manufacturing / carrying step.
  • the microchip matrix of the transfer structure has a first pitch of repetition
  • the electrical connections of the fourth substrate are arranged in a matrix with a second repetition step greater than the first repetition step;
  • the transfer of the transfer structure, the joining of the microchips with the first face of the fourth substrate, and the dissociation of the microchips from the transfer substrate comprise:
  • the method makes it possible to manufacture the microchips with a high density, independently of the desired final step for the light tile, thereby increasing the production efficiency.
  • the microchips are then plotted at the desired pixel pitch for the light tile.
  • the manufacture of the control circuits in the second substrate is performed according to an ASIC circuit manufacturing technique, this technology allows a high efficiency, a high density of components per unit area, while offering great freedom in the design of the electronic micro-LED control scheme (number of transistors, capacitors, electrical connections, etc.). Moreover, this technology does not require investment as heavy as the one engaged to equip machines capable of manufacturing large TFT active matrices.
  • the fourth substrate comprises only electrical connections.
  • the only element of the luminous slab that is possibly manufactured in one piece (one piece) does not include any active element (transistors for example).
  • the constituent stack of the micro-LEDs of the first substrate consists of III-V semiconductor, in particular based on galium, in particular of galium nitride (GaN), and / or of galium phosphide (GaP) and / or gallium-indium nitride (InGaN), and / or aluminum-galium nitride (AlGaN), and / or gallium-indium arsenide (AlGaAs), and / or phosphorium-indium nitride gallium arsenide (GaAsP).
  • This type of semiconductor material allows the manufacture of micro-LEDS emitting in the red (eg GaAsP; InGaP), in the blue (eg InGaN with between 10% and 20% of In), and in the green (eg InGaN with more than 20% In, GaP, AlGaP). It is thus possible to produce luminous elements emitting the desired wavelength for the luminous slab by themselves, and thus to dispense with the usual colored filters.
  • red eg GaAsP; InGaP
  • blue eg InGaN with between 10% and 20% of In
  • the green eg InGaN with more than 20% In, GaP, AlGaP
  • the method makes it possible to independently produce three micro arrays. chips, at a rate of one per color, and realize their subsequent transfer to the fourth substrate at the desired location for the light tile.
  • a silicon substrate with the control electronics is reported, then the different color microchips thus obtained are reported in the manner described. previously.
  • the subject of the invention is also a luminous slab comprising:
  • each microchip comprising a stack:
  • an active control circuit based on transistors formed in a silicon volume, said circuit being connected to the electrical connections of the substrate; o and a micro-LEDs secured to the control circuit and connected to the latter for its control.
  • the luminous slab according to the invention makes it possible to make screens brighter, with Lambertian emission (and thus without any problem of angle of view), more energy efficient, and potentially on transparent substrates.
  • the micro-LEDs consist of III-V semiconductor, in particular based on galium, in particular galium nitride (GaN), and / or galium phosphide (GaP) and / or gallium-indium nitride (InGaN), and / or aluminum-galium nitride (AlGaN), and / or gallium-indium arsenide (InGaAs), and / or of gallium aluminum arsenide (AlGaAs) and / or gallium phosphorus arsenide (GaAsP) and or indium aluminum phosphide InGaAIP phosphide.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of a light tile according to the invention
  • Figure 2 is a schematic sectional view of a micro-chip forming part of the slab according to the invention.
  • Figure 3 is an electrical diagram illustrating a micro-LED and its control circuit
  • FIG. 4 is an electrical diagram illustrating connections of an interconnection substrate according to the invention.
  • Figures 5A-5 J illustrate a first embodiment of the method of manufacturing a light tile according to the invention.
  • FIGS. 6A-6I illustrate a second embodiment of the method for manufacturing a light tile according to the invention
  • a luminous plate 10 for example for a display screen (of computers, smartphones, television, tablets, etc.) or for an image projector, includes:
  • a passive electrical connection substrate 12 that is to say having only electrical conductors, eg tracks and electrical contacts, for supplying control signals of the DATA and SCAN slab and for feeding supply voltages Vp and Vn;
  • Each micro-chip 16 comprises, on an upper portion, a semi-conductive and inorganic micro-LED 18, and on a lower portion, secured to the upper portion, an active control circuit 20 formed in a silicon block.
  • the control circuit is not realized according to the TFT technology.
  • the micro-LED 18 comprises at least one homojunction or heterojunction, for example a PN junction formed of a stack of an upper semiconductor layer of P (or N) type 22, and of a semi-conducting layer.
  • the micro-LED 18 is made of III-V semiconductor, in particular based on galium, in particular of galium nitride (GaN), and / or of galium phosphide (GaP) and / or of gallium nitride indium (InGaN), and / or aluminum-galium nitride (AlGaN), and / or gallium aluminum arsenide (AlGaAs), gallium-indium arsenide (InGaAs) and / or phosphoric acid gallium arsenide (GaAsP).
  • galium in particular of galium nitride (GaN), and / or of galium phosphide (GaP) and / or of gallium nitride indium (InGaN), and / or aluminum-galium nitride (AlGaN), and / or gallium aluminum arsenide (AlGaAs), gallium-indium arsenide (
  • micro-LEDs emitting in the red (eg: AlGaAs, GaAsP, InGaAIP), in the blue (eg InGaN), and in the green (eg GaN, GaP , AlGaP).
  • the structure of the micro-LED 18 is not reduced to the stack of two N and P layers, for example GaN, and can take any known form, for example a "planar” architecture, a type architecture "MES A”, a nanowire-based architecture, as described in document WO 2012/035243 and / or WO 2012/156620, etc.
  • a contact recovery 30 is also provided through the micro-chip 14 to electrically connect one of the electrical contacts 26 of the micro-LED 18 with an electrical contact 32 disposed on the lower face 34 of the control circuit 20
  • the resumption of contact 30 is for example of the type "TSV" (for the acronym “trough-silicon via”), and comprises for this purpose a hole passing through the microchip from the contact 26 to the face 34, a hole whose wall is coated with a layer of electrical insulator, for example a dielectric layer, and which is filled with an electrically conductive material, for example a metal.
  • the other contact 28 of the micro-LED 18 is for example disposed on the lower face 36 of the micro-LED 18, at the interface with the upper face of the control circuit 20.
  • the control circuit 20 comprises, for its part, electronic components (transistor (s), capacitor (s), resistors, etc.) for the individual control of the micro-LED 18 as a function of the DATA and SCAN control signals. This individual command allows active addressing of each micro-LED.
  • the control circuit 20 comprises:
  • a first PMOS transistor 38 the drain of which is connected to an output contact 40 of the micro-chip 14 for receiving a DATA signal regulating the state of the micro-LED 18 (on or off for example), and whose gate is connected to an output contact 42 of the micro-chip 14 to receive a signal SCAN allowing or not updating the state of the micro-LED 18;
  • a second NMOS transistor 44 whose gate is connected to the source of the first PMOS transistor 38, whose drain is connected to an output contact 46 of the microchip LED for the application of a second supply voltage Vp, and whose source is connected to the contact 28 of the micro-LED 18.
  • the second transistor 44 thus allows the connection of the micro-LED 18 and the application of the voltage difference Vp-Vn between the contacts 32 and 28, and therefore the injection of current into the micro-LED 18;
  • a capacitor 48 connected between the gate and the drain of the second transistor 44, in order to maintain the state of the micro-LED 18 between two refreshments.
  • FIG. 4 illustrates a connection and control diagram of the slab thus described, here a slab comprising a matrix 14 of 3 rows by 3 columns of microchips 16, the connection substrate 12 being connected to a line cooling circuit 50 by line of the matrix 14, a circuit 52 controlling the lighting state of the micro-LEDs of the line selected by the circuit 50, and voltage sources Vp and Vn.
  • FIGS. 5A-51 a first embodiment of a method of manufacturing a light tile according to the invention, for example a slab as described above.
  • the method starts with the manufacture of a matrix of active control circuits 20 in a silicon substrate 60, for example according to a well-known ASIC (acronym for "application-specific integrated circuit") circuit manufacturing technology. in itself of the state of the art ( Figure 5A).
  • the circuits 20 are spaced apart by at least a distance ⁇ chosen to make a trench around each circuit 20 so as to be able to subsequently individualize them.
  • the distance ⁇ is, for example, chosen as a function of the accuracy of the trench formation process, which therefore allows a maximum density of circuits 20 in view of said process.
  • the method comprises the fabrication of a second substrate 61 comprising a stack of semiconductor layers and electrical contacts constituting the matrix of micro-LEDs 18.
  • a second substrate 61 comprising a stack of semiconductor layers and electrical contacts constituting the matrix of micro-LEDs 18.
  • two layers of GaN respectively of type P and N are produced by epitaxy on a growth substrate 62 (eg in sapphire or silicon), as is the case with the semiconductor layers constituting the micro-LEDs.
  • a growth substrate 62 eg in sapphire or silicon
  • micro-LEDs 18 are made according to a technique described in Journal of Crystal Growth 268 (2004) 527-530.
  • control circuit matrix 20 and the array of micro-LEDs 18 are then transferred to one another, and secured to one another, for example by means of FIG. heterogeneous direct bonding or by "flip-chip” hybridization using solder balls (or “bumps”), and thermocompression and / or using hollow micro-tubes, as described in document WO 2013/001225 or in the document FR 2 928 033.
  • the interconnection of the matrices is performed so as to connect the contact 28 of each micro-LEDs with the corresponding terminal of the transistor 44 of the associated control circuit.
  • the TSV type contact taps 30 are then formed to take each contact 26 of the micro-LEDS on the free face of the control circuits.
  • the growth substrate 62 is then removed, for example by laser lift-off in the case of a sapphire substrate, or by mechanical polishing and chemical etching with KOH in the case of an Si substrate.
  • the third substrate 63 thus formed of the stack of micro-LEDs matrices and control circuits, is then transferred to a so-called "handle" substrate 64, for example in Si, by means of a so-called “temporary” bonding, allowing a subsequent withdrawal easy, eg by means of a resin, including a reference resin "WaferBOND ® HT 10.10" home Brewer ( Figure 5D).
  • the method continues with the individualization of each micro-chip 14 by etching around each of them a trench 66 to the handle substrate 64, for example a RIE ("Reactive Ion Etching") ICP ("Inductive coupled plasma ": RIE mode that allows a more directive etching) with Cl 2 ( Figure 5E).
  • RIE Reactive Ion Etching
  • ICP Inductive coupled plasma
  • the method comprises the fabrication of a fourth passive substrate 68 having the desired dimensions for the slab, and comprising an electrical connection network for the electrical connection of the contacts 32, 40, 42 and 46 provided on the lower face 34 of each control circuit 20, for example a glass plate on one side of which are formed electrical tracks made of indium tin oxide (or "ITO").
  • microchips 14, attached to the handle substrate 64 by their micro-LEDs 18, are then transferred onto the substrate 68, and secured so as to electrically connect the electrical connections of the control circuits to the corresponding electrical connections of the substrate 68, for example by means of heterogeneous direct bonding, or flip-chip hybridization as described above (FIG. 5F).
  • the microchips 14 are then detached from the handle substrate 64 by heating for example at 300 ° C.
  • the method consists, for example, in transferring a portion of the microchips to the passive substrate 68 (FIG. 5G), then to shift the handle substrate with the remaining micro-chips of the step of the luminous flag, to postpone another part of the micro-chips (FIGS. 5H, 51), and so on, until completion of the luminous flag (FIG. 5J ).
  • a handle substrate is used for the transfer of the microchips 14 on the passive connection substrate 68.
  • the use of a handle substrate 64, adhering to the microchips 14 by a temporary bonding, has the advantage of being able to remove any growth substrate. On the other hand, it supposes a manufacturing step and an additional transfer step.
  • the growth substrate 62 is not eliminated once the first and second substrates 60, 61, interconnected to one another, as in Figure 5C, but is used as a handle substrate, which saves a manufacturing and carryover step, and facilitates the alignment of the microchips 14 on the die 68.
  • the microchips 14 are then detached from the growth substrate 62 by the use of a localized laser lift-off, FIG. 6F, such as for example described in US Pat. No. 6071795 (ie use of a KrF pulsed laser at 248 nm and exposure of ⁇ with energies between 100 and 600 mJ / cm 2 ).
  • a lens can focus the laser beam at the interface between sapphire and GaN.
  • interconnections between the microchips 14 and the interconnection substrate 68 may be micro-tubes or micro-pillars made of copper (so-called “microbumps” technology) or copper connection pads to achieve the bonding direct between pads (eg heterogeneous or thermocompression).
  • control circuit inducing in particular four electrical connections microchip.
  • any type of active control circuit is possible.
  • the resulting surface may not be flat.
  • the interconnection between the active silicon matrix and the micro-LED matrix eg in GaN
  • it is preferable that the surfaces that are brought to one another are flat.
  • a last level on the active matrix is achieved by depositing a dielectric insulator (eg Si0 2 ), by etching it, by unblocking the etchings at the connections, by depositing Cu to fill the etching holes and finalizing by a chemical mechanical polishing (CMP) process to have a flat surface.
  • a dielectric insulator eg Si0 2
  • CMP chemical mechanical polishing

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Abstract

Dalle lumineuse comportant : • - un substrat (68) comportant des connexions électriques; • - une matrice de micro-puces (16) solidarisées au substrat (68) et connectées aux connexions électriques pour leur pilotage, chaque micro-puce comportant un empilement : • o d'un circuit de commande (20) à base de transistors formés dans un volume de silicium, ledit circuit étant connecté aux connexions du substrat; • o et d'une micro-LEDs (18) solidarisée sur le circuit de commande et connectée à ce dernier pour sa commande.

Description

DALLE LUMINEUSE ET PROCÈDE DE FABRICATION D'UNE TELLE DALLE LUMINEUSE
DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait aux dalles lumineuses, en particulier celles d'écrans, e.g. d'ordinateurs, de smartphones, de télévision, de tablettes, ou de projecteurs d'images.
L'invention concerne plus particulièrement les dalles lumineuses à base de micro-diodes électroluminescences (« micro-LEDs ») inorganiques, en particulier de micro-LEDs à base de nitrure de galium (« GaN ») ou de matériaux dérivés.
ETAT DE LA TECHNIQUE
De manière schématique, une dalle lumineuse comporte une matrice d'éléments lumineux, ou pixels, commandés individuellement par une matrice de circuits de commande (ou « matrice active »). Chaque circuit de commande comprend, pour le pilotage de son pixel associé, un ou plusieurs transistors, fonctionnant en tant qu'interrupteur(s), et le plus souvent un condensateur de maintien de la polarisation du pixel entre deux rafraîchissement de l'affichage de la dalle.
A ce jour, seules deux technologies permettent la réalisation de dalles lumineuses de grandes dimensions et de longue durée de vie, à savoir la technologie à base de cristaux liquides (écran « LCD »), et la technologie à base de plasma (écran « plasma »). Chacune de ces technologies présente cependant de nombreux désavantages, par exemple, un problème de rendement énergétique et de directivité pour les écrans LCD, et un problème de consommation et de brûlure d'écran pour les écrans plasma.
Des technologies alternatives, notamment à base de photo-diodes organiques (ou « OLED »), ont ainsi été développées, sans pour autant donner un résultat satisfaisant. En effet, les écrans à base d'OLED présentent des problèmes de brillance et ont une durée de vie trop courte, limitant leur utilisation à des dispositifs jugés à courte vie (smartphone notamment).
Parallèlement, quelles que soient les technologies envisagées pour la production de lumière (LCD, plasma, OLED, ...), les circuits de commande sont fabriqués en technologie de dépôt en couches minces, dite « TFT » (acronyme anglo-saxon de « thin film transistor »). Les composants électroniques des circuits de commande (transistor(s), condensateur, pistes électriques notamment) sont ainsi réalisés en déposant successivement des couches minces de matériau et en utilisant des masques de photolithographie pour délimiter leurs éléments constitutifs (électrodes, couche semi- conductrice, couche diélectrique, pistes...). Par exemple, la fabrication des circuits de commande d'un écran LCD, comprenant chacun seulement un transistor et un condensateur, nécessite l'emploi de 5 à 9 masques de photo lithographie. Le prix de revient des circuits de commande fabriqués selon cette technologie est donc très élevé. En outre, la fabrication d'une matrice active de grande dimension selon la technologie TFT classique renchérit sensiblement le prix d'un écran en raison du coût des équipements permettant de déposer des couches minces sur de grandes surfaces. C'est pourquoi on estime que seuls quelques acteurs du marché, capables d'investir dans des équipements très onéreux, sont susceptibles aujourd'hui d'en supporter le coût.
EXPOSE DE L'INVENTION Le but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une dalle lumineuse, basée sur une technologie d'émission de lumière autre que les technologies LCD, plasma et OLED, capable de réaliser une dalle lumineuse à un cout réduit.
A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une dalle lumineuse, comprenant :
la fabrication d'un premier substrat comportant :
o un empilement de couches semi-conductrices constitutives de micro-LEDs semi- conductrices inorganiques ; et
o une matrice de connexions électriques pour les micro-LEDs,
la fabrication du premier substrat étant réalisée de telle sorte que les connexions électriques sont disposées sur une première face du premier substrat;
la fabrication dans un second substrat en silicium, indépendamment du premier substrat, d'une matrice de circuits de commande des micro-LEDs à base de transistor, ladite fabrication étant réalisée de telle sorte que :
o des premières connexions pour la commande des micro-LEDs sont disposées sur une première face du second substrat ;
o et des secondes connexions pour le pilotage de la dalle lumineuse sont disposées sur une seconde face du second substrat;
le report des premières faces du premier substrat et du second substrat l'une sur l'autre et la solidarisation desdites faces, de sorte à connecter électriquement les connexions électriques des micro-LEDs avec les premières connexions électriques des circuits de commande, obtenant ainsi un troisième substrat comprenant une matrice de micro-puces électroniques, constituée chacune de l'empilement d'une micro -LED et d'un circuit de commande ;
la fabrication d'une structure de transfert des micro-puces comprenant :
o un substrat de transfert;
o et la matrice de micro-puces, chaque micro-puce étant solidarisée au substrat de transfert uniquement par sa micro-LED, et individualisée par la réalisation d'une tranchée dans le troisième substrat autour de la micro-puce ;
la fabrication d'un quatrième substrat, indépendamment de la structure de transfert, comportant des connexions électriques d'amenée de signaux pour le pilotage de la dalle lumineuse, lesdites connexions étant disposées sur une première face du quatrième substrat ; et
le report de la structure de transfert sur la première face du quatrième substrat, la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat de sorte à connecter les secondes connexions des circuits de commande avec les connexions électriques du quatrième substrat, et la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert.
En d'autres termes, la dalle lumineuse ainsi fabriquée comprend une matrice de micro- LEDs inorganiques, et donc à durée de vie plus longue que les OLEDs. Chaque micro- LED comprend une face libre de tout composant électronique ou électrique, à la différence des dalles LCD, dont le cristal liquide est partiellement masqué par la matrice active, et à la différence des dalles plasma dont les cellules à plasma sont masquées partiellement par des électrodes. Ceci explique notamment l'emploi de la technologie TFT pour les dalles LCD et plasma puisque qu'elle permet la fabrication de matrices actives ou d'électrodes de très faible épaisseur, et donc peu perturbatrices.
Grâce à l'agencement des micro-LEDS selon l'invention, il est possible de se passer de cette technologie onéreuse. La matrice active de l'invention est donc avantageusement réalisée selon une technique classique de la micro-électronique, par exemple celle bien connue des circuits ASICs pour lesquels les transistors sont réalisées directement dans le volume (ou « bulk ») d'une tranche de silicium (ou « wafer »), et non pas par dépôts successifs de couches de matériaux. Ainsi, il est possible de réaliser des dalles lumineuses dont les dimensions sont au moins égales à celles de wafers usuels du domaine de la fabrication de puces électroniques (e.g. wafer pour la fabrication de circuits ASICs), voire réaliser la dalle à partir de plusieurs wafers. L'invention permet en outre de réaliser, dans la matrice active, tout type de schéma électronique pour la commande des micro-LEDs. Notamment, la matrice active de l'invention peut être réalisée selon un schéma de l'état de la technique, chaque micro-LED étant par conséquent commandée de la même manière que dans l'état de la technique avec des transistors individuels de commande, des condensateurs, etc. Les avantages liés à ce type de commande (réactivité, qualité d'affichage, etc.) sont donc conservés. A la différence toutefois de la coûteuse technologie TFT qui fabrique des transistors déjà interconnectés, les transistors de la matrice active de l'invention sont interconnectés après leur fabrication, après report, par des pistes conductrices d'une matrice passive.
En outre, l'invention met en œuvre le report de substrats les uns sur les autres. Or, les reports de substrats sont réalisables par des machines conventionnelles du domaine de la micro -électronique .
Au final, il est donc obtenu une dalle lumineuse en technologie micro-LED inorganiques de faible coût, et de grande surface si besoin.
Selon un mode de réalisation, la fabrication de la structure de transfert des micro-puces comporte :
le report et le collage temporaire du troisième substrat sur le substrat de transfert ; suivi de la formation des tranchées autours des micro-puces jusqu'au substrat de transfert.
En d'autres termes, l'invention fait avantageusement usage des reports à l'aide de substrat poignée.
En variante :
la fabrication du premier substrat comporte la fabrication d'un substrat de croissance et la croissance par épitaxie des couches semi-conductrices constitutives des micro- LEDs, le substrat de croissance formant le substrat de la structure de transfert des micro -puces ;
la fabrication de la structure de transfert des micro -puces comporte la formation de tranchées autour des micro-puces jusqu'au substrat de transfert ;
la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert comporte l'irradiation laser du substrat de transfert au droit des micro-puces de manière à obtenir le détachement de celles-ci du substrat de transfert. Dans cette variante, le substrat de croissance joue donc la fonction de substrat poignée, économisant ainsi une étape de fabrication/report. Selon un mode de réalisation :
la matrice de micro-puces de la structure de transfert présente un premier pas de répétition ;
les connexions électriques du quatrième substrat sont agencées en matrice avec un second pas de répétition supérieur au premier pas de répétition ;
le report de la structure de transfert, la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat, et la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert, comprennent :
o le report de la structure de transfert sur une première position du quatrième substrat;
o la solidarisation d'au moins une première micro-puce sur la première position ; o le report de la structure de transfert sur une seconde position du quatrième substrat en décalant la structure de transfert et le quatrième substrat l'un par rapport à l'autre du second pas de répétition ;
o et la solidarisation d'au moins une seconde micro-puce à la seconde position.
En d'autres termes, le procédé permet de fabriquer les micro-puces avec une densité élevée, indépendamment du pas final souhaité pour la dalle lumineuse, augmentant de fait le rendement de fabrication. Les micro-puces sont ensuite reportées au pas de pixels souhaité pour la dalle lumineuse.
Selon un mode de réalisation, la fabrication des circuits de commande dans le second substrat est réalisée selon une technique de fabrication de circuit ASIC, cette technologie permet un haut rendement, une forte densité de composants par unité de surface, tout en offrant une grande liberté dans la conception du schéma électronique de commande des micro-LEDs (nombre de transistors, condensateurs, connections électriques, etc.). Par ailleurs, cette technologie ne nécessite pas d'investissement aussi lourd que celui engagé pour s'équiper en machines capables de fabriquer des matrices actives TFT de grande taille.
Selon un mode de réalisation, le quatrième substrat ne comporte que des connexions électriques. Ainsi, le seul élément de la dalle lumineuse qui est possiblement fabriqué en un seul tenant (une seule pièce) ne comporte aucun élément actif (transistors par exemple). Ainsi, même si sa surface est importante, son coût est limité. Selon un mode de réalisation, l'empilement constitutif des micro-LEDs du premier substrat est constitué de semi-conducteur III-V, en particulier à base de galium, notamment de nitrure de galium (GaN), et/ou de phosphure de galium (GaP) et/ou de nitrure de gallium-indium (InGaN), et/ou de nitrure d'aluminium-galium (AlGaN), et/ou d'arséniure de gallium-indium (AlGaAs), et/ou de phosphoro-arséniure de gallium (GaAsP). Ce type de matériau semi-conducteur permet la fabrication de micro-LEDS émettant dans le rouge (ex. : GaAsP ;InGaP), dans le bleu (ex. : InGaN avec entre 10% et 20% d'In), et dans le vert (ex. : InGaN avec plus de 20% d'In, GaP, AlGaP). Il est ainsi possible de réaliser des éléments lumineux émettant par eux-mêmes la longueur d'onde souhaitée pour la dalle lumineuse, et ainsi se passer de filtres colorés usuellement utilisés.
Notamment, pour la fabrication d'une dalle lumineuse pour l'affichage d'images, comprenant donc trois éléments lumineux par point d'image (un pour chaque couleur rouge, verte et bleue), le procédé permet de réaliser indépendamment trois matrices de micro-puces, à raison d'une par couleur, et de réaliser leur report ultérieur sur le quatrième substrat à l'emplacement voulu pour la dalle lumineuse. En variante, pour chaque substrat de croissance sur lequel des micro-LED d'une couleur donnée sont fabriquées, un substrat silicium avec l'électronique de commande est reporté, puis les micro-puces de couleurs différentes ainsi obtenues sont reportées de la manière décrite précédemment.
L'invention a également pour objet une dalle lumineuse comportant :
un substrat comportant des connexions électriques ;
une matrice de micro-puces solidarisées au substrat et connectées aux connexions électriques pour leur pilotage, chaque micro-puce comportant un empilement:
o d'un circuit de commande actif à base de transistors formés dans un volume de silicium, ledit circuit étant connecté aux connexions électriques du substrat ; o et d'une micro-LEDs solidarisée sur le circuit de commande et connectée à ce dernier pour sa commande.
En d'autres termes, la dalle lumineuse selon l'invention permet de faire des écrans plus lumineux, avec une émission lambertienne (et donc sans problème d'angle de vue), plus efficaces énergétiquement, et potentiellement sur des substrats transparents. Selon un mode de réalisation, les micro-LEDs sont constituées de semi-conducteur III-V, en particulier à base de galium, notamment de nitrure de galium (GaN), et/ou de phosphure de galium (GaP) et/ou de nitrure de gallium-indium (InGaN), et/ou de nitrure d'aluminium-galium (AlGaN), et/ou d'arséniure de gallium-indium (InGaAs), et/ou d'arséniure de gallium- aluminium (AlGaAs) et/ou de phosphoro-arséniure de gallium (GaAsP) et ou phosphure d'Indium Aluminium Galium InGaAIP.
BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques, et dans lesquels : la figure 1 est une vue schématique en perspective d'une dalle lumineuse selon l'invention ;
la figure 2 est une vue schématique en coupe d'une micro-puce entrant dans la constitution de la dalle selon l'invention ;
la figure 3 est un schéma électrique illustrant un micro-LED et son circuit de commande ;
- la figure 4 est un schéma électrique illustrant des connexions d'un substrat d'interconnexion selon l'invention ;
les figures 5A-5 J illustrent un premier mode de réalisation du procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'invention ; et
les figures 6A-6I illustrent un second mode de réalisation du procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'invention
DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION
Dans ce qui suit, les termes « inférieur » et « supérieur » se rapportent à l'agencement relatif d'éléments illustrés sur les figures.
En se référant aux figures 1 à 3, une dalle lumineuse 10 selon un mode de réalisation de l'invention, par exemple pour un écran d'affichage (d'ordinateurs, de smartphones, de télévision, de tablettes,...) ou pour un projecteur d'images, comporte :
- un substrat de connexion électrique passif 12, c'est-à-dire ne comportant que des conducteurs électriques, e.g. des pistes et des contacts électriques, pour l'amenée de signaux de commande de la dalle DATA et SCAN et pour l'amenée de tensions d'alimentation Vp et Vn ; et
une matrice 14 de micro-puces électroluminescentes 16 solidaires du substrat passif 12 et connectées aux connecteurs électriques de ce dernier, les micro-puces étant spatialement agencées par exemple pour l'affichage d'images. Chaque micro-puce 16 comporte, sur une portion supérieure, une micro-LED semi- conductrice et inorganique 18, et sur une portion inférieure, solidaire de la portion supérieure, un circuit de commande actif 20 formé dans un bloc de silicium. Notamment, le circuit de commande n'est pas réalisé selon la technologie TFT.
Plus particulièrement, la micro-LED 18 comporte au moins une homojonction ou une hétérojonction, par exemple une jonction PN formée d'un empilement d'une couche semi-conductrice supérieure de type P (ou N) 22, et d'une couche semi-conductrice inférieure de type N (resp. P) 24, et deux contacts électriques 26, 28 pour injecter un courant électrique au travers de l'empilement, afin de produire de la lumière. Avantageusement, la micro-LED 18 est constituée de semi-conducteur III-V, en particulier à base de galium, notamment de nitrure de galium (GaN), et/ou de phosphure de galium (GaP) et/ou de nitrure de gallium-indium (InGaN), et/ou de nitrure d'aluminium-galium (AlGaN), et/ou d'arséniure de gallium-Aluminium (AlGaAs), d'arséniure de gallium-indium (InGaAs)et/ou de phosphoro-arséniure de gallium (GaAsP). Ce type de matériau semi-conducteur permet la fabrication de micro-LEDs émettant dans le rouge (ex. :AlGaAs, GaAsP, InGaAIP), dans le bleu (ex. : InGaN), et dans le vert (ex. : GaN, GaP,AlGaP). Bien entendu, la structure de la micro-LED 18 ne se réduit pas à l'empilement de deux couches N et P, par exemple en GaN, et peut prendre toute forme connue, par exemple une architecture « planar », une architecture de type « MES A », une architecture à base de nanofils, telle que décrite dans le document WO 2012/035243 et/ou WO 2012/156620, etc ..
Une reprise de contact 30 est par ailleurs prévue au travers de la micro-puce 14 afin de connecter électriquement l'un des contacts électriques 26 de la micro-LED 18 avec un contact électrique 32 disposé sur la face inférieure 34 du circuit de commande 20. La reprise de contact 30 est par exemple du type « TSV» (pour l'acronyme anglo-saxon « trough-silicon via »), et comporte à cet effet un trou traversant la micro-puce depuis le contact 26 jusqu'à la face 34, trou dont la paroi est revêtue d'une couche d'isolant électrique, par exemple une couche de diélectrique, et qui est rempli d'un matériau conducteur d'électricité, par exemple un métal. L'autre contact 28 de la micro-LED 18 est par exemple disposé sur la face inférieure 36 de la micro-LED 18, à l'interface avec la face supérieure du circuit de commande 20. Le circuit de commande 20 comporte quant à lui des composants électroniques (transistor(s), condensateur(s), résistances, etc.) pour la commande individuelle de la micro-LED 18 en fonction des signaux de commande DATA et SCAN. Cette commande individuelle permet un adressage actif de chaque micro-LED. Par exemple, en se référant à la figure 3, le circuit de commande 20 comporte :
un premier transistor PMOS 38, dont le drain est connecté à un contact de sortie 40 de la micro-puce 14 pour recevoir un signal DATA réglant l'état de la micro-LED 18 (allumée ou éteinte par exemple), et dont la grille est connectée à un contact de sortie 42 de la micro-puce 14 pour recevoir un signal SCAN autorisant ou non la mise à jour de l'état de la micro-LED 18 ;
un second transistor NMOS 44, dont la grille est connectée à la source du premier transistor PMOS 38, dont le drain est connecté à un contact de sortie 46 de la micropuce LED pour l'application d'une seconde tension d'alimentation Vp, et dont la source est connectée au contact 28 de la micro-LED 18. Le second transistor 44 autorise ainsi la connexion de la micro-LED 18 et l'application de la différence de tension Vp-Vn entre les contacts 32 et 28, et donc l'injection de courant dans la micro-LED 18 ; et
un condensateur 48 connecté entre la grille et le drain du second transistor 44, afin de maintenir l'état de la micro-LED 18 entre deux rafraîchissements.
La figure 4 illustre un schéma de connexion et de commande de la dalle ainsi décrite, ici une dalle comprenant une matrice 14 de 3 lignes par 3 colonnes de micro-puces 16, le substrat de connexion 12 étant connecté à un circuit 50 de rafraîchissement ligne par ligne de la matrice 14, un circuit 52 contrôlant l'état d'éclairage des micro-LEDs de la ligne sélectionnée par le circuit 50, et des sources de tension Vp et Vn.
Il va à présent être décrit en relation avec les figures 5A - 51 un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'invention, par exemple une dalle telle que décrite ci-dessus.
Le procédé débute par la fabrication d'une matrice de circuits de commande actifs 20 dans un substrat de silicium 60, par exemple selon une technologie de fabrication de circuits ASIC (acronyme anglo-saxon de « application-specific integrated circuit »), bien connue en soi de l'état de la technique (figure 5A). Les circuits 20 sont espacés d'au moins une distance Δ choisie pour réaliser une tranchée autour de chaque circuit 20 afin de pouvoir ultérieurement les individualiser. La distance Δ est par exemple choisie en fonction de la précision du processus de formation des tranchées, ce qui permet donc une densité maximale de circuits 20 compte tenue dudit processus.
Indépendamment de la fabrication de la matrice de circuits de commande 20, le procédé comporte la fabrication d'un second substrat 61 comportant un empilement de couches semi-conductrices et de contacts électriques constitutifs de la matrice de micro-LEDs 18. La fabrication de l'empilement de couches semi-conductrices constitutives des micro- LEDs, par exemple deux couches de GaN respectivement de type P et N, est par exemple réalisée par épitaxie sur un substrat de croissance 62 (e.g. en saphir ou en silicium), comme cela est bien connu de l'état de la technique (figure 5B). Par exemple, les micro- LEDs 18 sont fabriquées selon une technique décrite dans le document Journal of Crystal Growth 268 (2004) 527-530.
En se référant à la figure 5C, la matrice de circuit de commande 20 et la matrice de micro-LEDs 18 sont ensuite reportées l'une sur l'autre, et solidarisées l'une à l'autre, par exemple au moyen d'un collage direct hétérogène ou par une hybridation de type « flip- chip » utilisant des billes de soudure (ou « bumps »), et une thermocompression et/ou utilisant des micro-tubes creux, tels que décrits dans le document WO 2013/001225 ou dans le document FR 2 928 033. L'interconnexion des matrices est réalisée de manière à connecter le contact 28 de chaque micro-LEDs avec la borne correspondante du transistor 44 du circuit de commande associé. Les reprises de contact 30 de type TSV sont ensuite formées pour reprendre chaque contact 26 des micro-LEDS sur la face libre des circuits de commande. Le substrat de croissance 62 est ensuite retiré, par exemple par lift-off laser dans le cas d'un substrat en saphir, ou par polissage mécanique et gravure chimique au KOH dans le cas d'un substrat en Si. Le troisième substrat 63, ainsi formé de l'empilement des matrices de micro-LEDs et de circuits de commande, est ensuite reporté sur un substrat dit « poignée » 64, par exemple en Si, au moyen d'un collage dit « temporaire », permettant un retrait ultérieur aisé, par exemple au moyen d'une résine, notamment un résine de référence « WaferBOND® HT- 10.10 » de chez Brewer (figure 5D).
Le procédé se poursuit par l'individualisation de chaque micro-puce 14 en gravant autour de chacune d'elle une tranchée 66 jusqu'au substrat poignée 64, par exemple une gravure RIE (« Reactive Ion Etching ») ICP (« Inductive coupled plasma » : mode de la RIE qui permet d'avoir une gravure plus directive) avec Cl2 (figure 5E). De manière indépendante aux étapes précédemment décrites, le procédé comprend la fabrication d'un quatrième substrat passif 68 ayant les dimensions souhaitées pour la dalle, et comprenant un réseau de connexions électriques pour la connexion électrique des contacts 32, 40, 42 et 46 prévus sur la face inférieures 34 de chaque circuit de commande 20, par exemple une plaque de verre sur une face de laquelle sont formées des pistes électriques constituées d'oxyde d'indium-étain (ou « ITO »).
Les micro-puces 14, attachées au substrat poignée 64 par leurs micro-LEDs 18, sont ensuite reportées sur le substrat 68, et solidarisées de manière à connecter électriquement les connexions électriques des circuits de commande aux connexions électriques correspondantes du substrat 68, par exemple au moyen d'un collage direct hétérogène, ou d'une hybridation flip-chip telle que décrite précédemment (figure 5F). Les micro-puces 14 sont alors désolidarisées du substrat poignée 64 en chauffant par exemple à 300°C. Dans la mesure où le pas des micro-puces 14 sur le substrat poignée 64 (de l'ordre de la dizaine de micromètres avec les techniques actuelles de fabrication, par exemple 30μιη) peut être supérieur au pas de la matrice de micro-puces de la dalle lumineuse (actuellement de l'ordre de la centaine de micromètres, par exemple compris entre 15 micromètres et 1 millimètre), le procédé consiste par exemple à reporter une partie des micro-puces sur le substrat passif 68 (figure 5G), puis à décaler le substrat poignée avec les micro-puces restantes du pas de la dalle lumineuse, à reporter une autre partie des micro-puces (figures 5H, 51), et ainsi de suite, jusqu'à complétion de la dalle lumineuse (figure 5J). Dans ce premier mode de réalisation, il est employé un substrat poignée pour le report des micro-puces 14 sur le substrat de connexion passif 68. L'emploi d'un substrat poignée 64, adhérant aux micro-puces 14 par un collage temporaire, a pour avantage de pouvoir retirer le substrat de croissance quel qu'il soit. En revanche, il suppose une étape de fabrication et une étape de report supplémentaire.
Selon un second mode de réalisation du procédé selon l'invention, illustré aux figures 6A-6I, le substrat de croissance 62 n'est pas éliminé une fois les premier et second substrats 60, 61, interconnectés l'un à l'autre, comme dans la Figure 5C, mais est utilisé en tant que substrat poignée, ce qui permet d'économiser une étape de fabrication et de report, et de faciliter l'alignement des micropuces 14 sur la matrice 68. Les micro-puces 14 sont alors détachées du substrat de croissance 62 par l'emploi d'un lift-off laser localisé, Figure 6F, tel que par exemple décrit dans le brevet américain US 6071795 (i.e. utilisation d'un laser puisé KrF à 248 nm et exposition des μίΕΟβ avec des énergies entre 100 et 600 mJ/cm2). Pour des μΙ,Εϋβ, une lentille peut permettre de focaliser le faisceau laser à l'interface entre le saphir et le GaN.
Pour les modes de réalisation du procédé de fabrication décrits ci-dessus, appliqués à la fabrication d'une dalle lumineuse pour l'affichage d'images en couleur, on peut commencer par procéder au report de micro-puces correspondant aux pixels bleus, en positionnant les interconnexions où il convient pour les pixels bleus, puis rajouter des interconnexions pour reporter les pixels verts, puis rajouter des interconnexions pour reporter les pixels rouge.
Par ailleurs, les interconnexions entre les micro-puces 14 et le substrat d'interconnexion 68 peuvent être des micro-tubes ou micro-piliers en cuivre (technologie dite « micro- bumps ») ou des pads de connexion en cuivre pour réaliser le collage direct entre pads (e.g. hétérogène ou par thermocompression).
Il a été décrit un circuit de commande particulier, induisant notamment quatre connexions électriques par micro-puce. Bien entendu, tout type de circuit de commande actif est envisageable. On peut notamment prévoir un dernier niveau d'interconnexion dans le procédé de fabrication de l'ASIC de manière à avoir une surface plane. Notamment, après les procédés de fabrication des transistors dans le silicium, la surface résultante peut ne pas être plane. Pour que l'interconnexion entre la matrice active en silicium et la matrice de micro-LED (e.g. en GaN) soit facilitée, il est préférable que les surfaces reportées l'une sur l'autre soient planes. A cet effet, un dernier niveau sur la matrice active est réalisé, en déposant un isolant diélectrique (e.g. du Si02), en le gravant, en faisant déboucher les gravures au niveau des connexions, en déposant du Cu pour remplir les trous de gravure et en finalisant par un procédé CMP (« chemical mecanical polishing ») pour avoir une surface plane. Ce type de technologie est usuellement connu sous le nom de « damascène ».

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse (10), comprenant :
la fabrication d'un premier substrat (61) comportant :
o un empilement de couches semi-conductrices constitutives de micro-LEDs semi-conductrices inorganiques (18) ; et
o une matrice de connexions électriques (26, 28) pour les micro-LEDs, la fabrication du premier substrat étant réalisée de telle sorte que les connexions électriques (26, 28) sont disposées sur une première face (36) du premier substrat;
la fabrication dans un second substrat en silicium (60), indépendamment du premier substrat (61), d'une matrice de circuits de commande (20) des micro- LEDs (18) à base de transistor, ladite fabrication étant réalisée de telle sorte que :
o des premières connexions (28) pour la commande des micro-LEDs sont disposées sur une première face (34) du second substrat ;
o et des secondes connexions (32, 42, 46) pour le pilotage de la dalle lumineuse sont disposées sur une seconde face du second substrat;
le report des premières faces du premier substrat (61) et du second substrat (62) l'une sur l'autre et la solidarisation desdites faces l'une à l'autre, de sorte à connecter électriquement les connexions électriques des micro-LEDs avec les premières connexions électriques des circuits de commande, obtenant ainsi un troisième substrat comprenant une matrice de micro-puces électroniques (16) constituée chacune de l'empilement d'une micro-LED (18) et d'un circuit de commande (20) ;
la fabrication d'une structure de transfert (16, 64) des micro-puces comprenant :
o un substrat de transfert (64);
o et la matrice de micro-puces (16), chaque micro-puce étant solidarisée au substrat de transfert uniquement par sa micro-LED, et individualisée par la réalisation d'une tranchée (66) dans le troisième substrat autour de la micro -puce ;
la fabrication d'un quatrième substrat (68), indépendamment de la structure de transfert, comportant des connexions électriques d'amenée de signaux pour le pilotage de la dalle lumineuse, lesdites connexions étant disposées sur une première face du quatrième substrat ; le report de la structure de transfert sur la première face du quatrième substrat, la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat de sorte à connecter les secondes connexions des circuits de commande avec les connexions électriques du quatrième substrat, et la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert.
2. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, dans lequel la fabrication de la structure de transfert (16, 64) des micro -puces comporte :
le report et le collage temporaire du troisième substrat sur le substrat de transfert (64) ;
le suivi de la formation des tranchées (66) autours des micro-puces jusqu'au substrat de transfert.
3. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, dans lequel :
la fabrication du premier substrat comporte la fabrication d'un substrat de croissance (62) et la croissance par épitaxie de couches semi-conductrices constitutives des micro-LEDs (18), le substrat de croissance formant le substrat de la structure de transfert des micro-puces ;
la fabrication de la structure de transfert des micro -puces comporte la formation de tranchée (66) autour des micro-puces aboutissant jusqu'au substrat de transfert ;
la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert comporte l'irradiation laser du substrat de transfert au droit des micro-puces de manière à obtenir le détachement de celles-ci du substrat de transfert.
4. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel :
la matrice de micro -puces (16) de la structure de transfert présente un premier pas de répétition ;
les connexions électriques du quatrième substrat (68) sont agencées en matrice avec un second pas de répétition supérieur au premier pas de répétition ;
le report de la structure de transfert (16, 64) , la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat (68), et la désolidarisation des micro-puces (16) du substrat de transfert, comprennent :
o le report de la structure de transfert à une première position du quatrième substrat;
o la solidarisation d'au moins une première micro-puce à la première position ; o le report de la structure de transfert à une seconde position du quatrième substrat en décalant la structure de transfert et le quatrième substrat l'un par rapport à l'autre du second pas de répétition ;
o et la solidarisation d'au moins une seconde micro-puce à la seconde position.
5. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la fabrication des circuits de commande (20) dans le second substrat est réalisée selon une technique de fabrication de circuit ASIC.
6. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le quatrième substrat (68) ne comporte que des connexions électriques.
7. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'empilement constitutif des micro-LEDs (18) du premier substrat est constitué de nitrure de galium, et/ou de nitrure de gallium-indium, et/ou de nitrure d'aluminium-galium.
8. Dalle lumineuse comportant :
un substrat (68) comportant des connexions électriques ;
une matrice de micro-puces (16) solidarisées au substrat (68) et connectées aux connexions électriques pour leur pilotage, chaque micro-puce comportant un empilement :
o d'un circuit de commande actif (20) à base de transistors formés dans un volume de silicium, ledit circuit étant connecté aux connexions du substrat ;
o et d'une micro-LEDs (18) solidarisée sur le circuit de commande et connectée à ce dernier pour sa commande.
9. Dalle lumineuse selon la revendication 8, dans laquelle les micro-LEDs sont constituées de nitrure de galium, et/ou de nitrure de gallium-indium, et/ou de nitrure d'aluminium-galium.
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CN201680049300.6A CN107924964B (zh) 2015-11-26 2016-11-15 发光面板及制备此类发光面板的方法
US15/754,539 US10685945B2 (en) 2015-11-26 2016-11-15 Illuminated faceplate and method for producing such an illuminated faceplate
JP2018510432A JP7003032B2 (ja) 2015-11-26 2016-11-15 照明フェイスプレート及びこのような照明フェイスプレートの製造方法
KR1020187004990A KR102560977B1 (ko) 2015-11-26 2016-11-15 발광 패널 및 이러한 발광 패널을 제조하기 위한 방법
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Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019008262A1 (fr) * 2017-07-04 2019-01-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage a leds
WO2019068523A1 (fr) * 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composant électroluminescent, dispositif d'affichage et procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage
FR3075461A1 (fr) * 2017-12-20 2019-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une heterostructure comportant des structures elementaires photoniques en materiau iii-v a la surface d'un substrat a base de silicium
CN111052373A (zh) * 2017-09-05 2020-04-21 原子能与替代能源委员会 用于制造基于led的发光显示装置的方法
KR20200096648A (ko) * 2017-12-20 2020-08-12 루미레즈 엘엘씨 임베디드 트랜지스터들을 갖는 세그먼트화된 led
JP2020527756A (ja) * 2017-07-21 2020-09-10 アルディア 光電子デバイス
CN111801803A (zh) * 2018-03-01 2020-10-20 海思智财控股有限公司 显示组件及显示器装置
US20210181510A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded optical devices
US11201265B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11251081B2 (en) 2017-10-27 2022-02-15 Osram Oled Gmbh Method for producing a plurality of semiconductor chips and semiconductor chip
US11380815B2 (en) * 2019-06-21 2022-07-05 PlayNitride Display Co., Ltd. Semiconductor material substrate, micro light emitting diode panel and method of fabricating the same
FR3119931A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication d'un tel dispositif
EP4060650A1 (fr) 2021-03-18 2022-09-21 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage émissif à led
EP4095842A1 (fr) 2021-05-26 2022-11-30 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a adressage par groupes de pixels
WO2023285449A1 (fr) 2021-07-16 2023-01-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage interactif
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
EP4137928A1 (fr) 2021-08-18 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a compression et decompression locales des donnees numeriques affichees
EP4138140A1 (fr) * 2021-08-19 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique
EP4138128A1 (fr) 2021-08-19 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif de capture d'images
FR3126256A1 (fr) * 2021-08-19 2023-02-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
EP4187427A1 (fr) 2021-11-29 2023-05-31 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a dechiffrement local des donnees numeriques
EP4191675A1 (fr) 2021-12-02 2023-06-07 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'imagerie a rayons x
EP4191676A1 (fr) 2021-12-02 2023-06-07 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'imagerie a rayons x
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11715730B2 (en) 2017-03-16 2023-08-01 Adeia Semiconductor Technologies Llc Direct-bonded LED arrays including optical elements configured to transmit optical signals from LED elements
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11777059B2 (en) 2019-11-20 2023-10-03 Lumileds Llc Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11860415B2 (en) 2018-02-26 2024-01-02 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
TWI834105B (zh) * 2017-07-17 2024-03-01 加拿大商弗瑞爾公司 製作光電子裝置之方法
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
FR3142061A1 (fr) 2022-11-14 2024-05-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Puce optoélectronique émissive monolithique
FR3142288A1 (fr) 2022-11-18 2024-05-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procédé de fabrication d'un tel dispositif
US12040432B2 (en) 2021-03-05 2024-07-16 Lumileds Llc Light emitting diode devices with patterned TCO layer including different thicknesses

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
WO2018096455A1 (fr) * 2016-11-25 2018-05-31 Vuereal Inc. Intégration de micro-dispositifs dans un substrat de système
US10998352B2 (en) 2016-11-25 2021-05-04 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10978530B2 (en) 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10916523B2 (en) 2016-11-25 2021-02-09 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
US10770440B2 (en) * 2017-03-15 2020-09-08 Globalfoundries Inc. Micro-LED display assembly
DE102017106755B4 (de) * 2017-03-29 2022-08-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US11721784B2 (en) 2017-03-30 2023-08-08 Vuereal Inc. High efficient micro devices
US11600743B2 (en) 2017-03-30 2023-03-07 Vuereal Inc. High efficient microdevices
US10663794B2 (en) * 2017-05-03 2020-05-26 Innolux Corporation Display devices
FR3066320B1 (fr) * 2017-05-11 2019-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
TWI611573B (zh) * 2017-06-09 2018-01-11 晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
TWI633681B (zh) * 2017-06-09 2018-08-21 美商晶典有限公司 微發光二極體顯示模組的製造方法
FR3076170B1 (fr) * 2017-12-22 2020-05-15 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de report de structures electroluminescentes
US11348968B2 (en) * 2018-01-02 2022-05-31 Hongyu Liu Display device structure
TWI662334B (zh) * 2018-02-06 2019-06-11 友達光電股份有限公司 顯示模組與顯示裝置
FR3082998B1 (fr) * 2018-06-25 2021-01-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procedes pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat destination
TWI686973B (zh) * 2018-07-16 2020-03-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI681556B (zh) 2018-09-11 2020-01-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示裝置及其製造方法
JPWO2020100290A1 (ja) * 2018-11-16 2021-09-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 マイクロｌｅｄデバイスおよびその製造方法
WO2020142208A1 (fr) 2019-01-02 2020-07-09 Lumiode, Inc. Système et procédé de fabrication de structures d'affichage
EP3891795A4 (fr) * 2019-01-07 2022-08-31 Lumiode, Inc. Procédés, articles et appareil comprenant des commutateurs à semi-conducteur et des circuits d'attaque sur des micropuces à semi-conducteur composites
CN109980078B (zh) * 2019-04-18 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 发光模组及其制造方法、显示装置
KR102174847B1 (ko) * 2019-09-05 2020-11-05 (주)라이타이저 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치
FR3107611B1 (fr) 2020-02-26 2022-03-04 Aledia Ecran d’affichage à résolution multiple et procédé de réalisation
JP7479164B2 (ja) * 2020-02-27 2024-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI740438B (zh) * 2020-03-31 2021-09-21 聚積科技股份有限公司 微型發光二極體的轉移方法
CN111681598A (zh) * 2020-06-03 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
FR3116648B1 (fr) 2020-11-20 2022-10-28 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procédé d'assemblage fluidique de micropuces sur un substrat
US11393946B2 (en) * 2020-11-30 2022-07-19 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro LED structure
KR102276372B1 (ko) * 2020-11-30 2021-07-12 한국광기술원 초박막 플렉시블 투명 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
FR3117265B1 (fr) 2020-12-03 2023-01-06 Commissariat Energie Atomique Outil de transfert collectif de micropuces d'un substrat source vers un substrat destination
TWI770813B (zh) * 2021-02-08 2022-07-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI796970B (zh) * 2021-04-20 2023-03-21 友達光電股份有限公司 半導體裝置以及顯示裝置
WO2022251006A1 (fr) * 2021-05-27 2022-12-01 Apple Inc. Transfert de masse de micro-del à prélèvement unique-impressions multiples au moyen d'un tampon élastomère
EP4348563A1 (fr) 2021-06-04 2024-04-10 Tectus Corporation Pixels de dispositif d'affichage à pipeline intégré
FR3127073B1 (fr) 2021-09-13 2024-01-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique a composants emissif et photodetecteur superposes
FR3143842A1 (fr) * 2022-12-20 2024-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de réalisation d’un dispositif électronique

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
WO2008109296A1 (fr) * 2007-03-08 2008-09-12 3M Innovative Properties Company Réseau d'éléments luminescents
FR2928033A1 (fr) 2008-02-22 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Composant de connexion muni d'inserts creux.
US20100267176A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Industrial Technology Research Institute Light emitting apparatus and fabrication method thereof
WO2012035243A1 (fr) 2010-09-14 2012-03-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a base de nanofils pour l'émission de lumière
WO2012156121A1 (fr) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Module optoélectronique à semi-conducteur et affichage comprenant une pluralité de modules de ce type
WO2012156620A2 (fr) 2011-05-18 2012-11-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Connexion electrique en serie de nanofils emetteurs de lumiere
WO2013001225A1 (fr) 2011-06-30 2013-01-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composant de connexion muni d'inserts creux
US20140120640A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 Chan- Long Shieh Led die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
US20140191246A1 (en) * 2013-01-09 2014-07-10 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Bonding transistor wafer to led wafer to form active led modules
WO2014184488A1 (fr) * 2013-05-14 2014-11-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
CN104282678A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光感测功能的发光显示器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2002141492A (ja) 2000-10-31 2002-05-17 Canon Inc 発光ダイオードディスプレイパネル及びその製造方法
JP2002314053A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp チップ部品の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP3659407B2 (ja) 2001-08-03 2005-06-15 ソニー株式会社 発光装置
JP5078241B2 (ja) * 2004-08-13 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子を用いた発光装置および発光素子の駆動方法並びに照明器具
JP4890010B2 (ja) * 2004-12-06 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びサブフレームの設定方法
JP2008235792A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
DE102008049777A1 (de) * 2008-05-23 2009-11-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul
TWI671811B (zh) * 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
WO2011071559A1 (fr) * 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Procédé de fabrication d'un écran miniature monolithique à diodes électroluminescentes sur un panneau à matrice active utilisant la technique des puces retournées et appareil d'affichage doté de l'écran miniature monolithique à diodes électroluminescentes
JP5149446B2 (ja) 2011-04-14 2013-02-20 パイオニア株式会社 光源ユニット及びヘッドアップディスプレイ
JP5958055B2 (ja) * 2011-07-29 2016-07-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
WO2014024108A1 (fr) * 2012-08-07 2014-02-13 Koninklijke Philips N.V. Boîtier de del et procédé de fabrication
DE102012112302A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
WO2008109296A1 (fr) * 2007-03-08 2008-09-12 3M Innovative Properties Company Réseau d'éléments luminescents
FR2928033A1 (fr) 2008-02-22 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Composant de connexion muni d'inserts creux.
US20100267176A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Industrial Technology Research Institute Light emitting apparatus and fabrication method thereof
WO2012035243A1 (fr) 2010-09-14 2012-03-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a base de nanofils pour l'émission de lumière
WO2012156620A2 (fr) 2011-05-18 2012-11-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Connexion electrique en serie de nanofils emetteurs de lumiere
WO2012156121A1 (fr) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Module optoélectronique à semi-conducteur et affichage comprenant une pluralité de modules de ce type
WO2013001225A1 (fr) 2011-06-30 2013-01-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composant de connexion muni d'inserts creux
US20140120640A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 Chan- Long Shieh Led die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
US20140191246A1 (en) * 2013-01-09 2014-07-10 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Bonding transistor wafer to led wafer to form active led modules
WO2014184488A1 (fr) * 2013-05-14 2014-11-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique et son procede de fabrication
CN104282678A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光感测功能的发光显示器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 268, 2004, pages 527 - 530

Cited By (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11715730B2 (en) 2017-03-16 2023-08-01 Adeia Semiconductor Technologies Llc Direct-bonded LED arrays including optical elements configured to transmit optical signals from LED elements
KR102544438B1 (ko) * 2017-07-04 2023-06-16 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 Led 디스플레이 장치
FR3068819A1 (fr) * 2017-07-04 2019-01-11 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage a leds
US11430373B2 (en) 2017-07-04 2022-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives LED display device
CN110832637A (zh) * 2017-07-04 2020-02-21 法国原子能源和替代能源委员会 Led显示装置
KR20200026285A (ko) * 2017-07-04 2020-03-10 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 Led 디스플레이 장치
WO2019008262A1 (fr) * 2017-07-04 2019-01-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage a leds
JP2020525836A (ja) * 2017-07-04 2020-08-27 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ Ｌｅｄ表示デバイス
TWI834105B (zh) * 2017-07-17 2024-03-01 加拿大商弗瑞爾公司 製作光電子裝置之方法
JP7146893B2 (ja) 2017-07-21 2022-10-04 アルディア 光電子デバイス
JP2020527756A (ja) * 2017-07-21 2020-09-10 アルディア 光電子デバイス
EP3679604B1 (fr) * 2017-09-05 2023-02-15 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage emissif a led
CN111052373B (zh) * 2017-09-05 2023-10-31 原子能与替代能源委员会 用于制造基于led的发光显示装置的方法
CN111052373A (zh) * 2017-09-05 2020-04-21 原子能与替代能源委员会 用于制造基于led的发光显示装置的方法
US11177248B2 (en) 2017-10-06 2021-11-16 Osram Oled Gmbh Light-emitting component, display device and method for manufacturing a display device
WO2019068523A1 (fr) * 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composant électroluminescent, dispositif d'affichage et procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage
US11251081B2 (en) 2017-10-27 2022-02-15 Osram Oled Gmbh Method for producing a plurality of semiconductor chips and semiconductor chip
US11749790B2 (en) 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
CN111712922A (zh) * 2017-12-20 2020-09-25 亮锐有限责任公司 具有嵌入式晶体管的分段式led
KR20200096648A (ko) * 2017-12-20 2020-08-12 루미레즈 엘엘씨 임베디드 트랜지스터들을 갖는 세그먼트화된 led
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
EP3503223A1 (fr) * 2017-12-20 2019-06-26 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une heterostructure comportant des structures elementaires actives ou passives en materiau iii-v a la surface d'un substrat a base de silicium
US11698488B2 (en) 2017-12-20 2023-07-11 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for fabricating a heterostructure comprising active or passive elementary structure made of III-V material on the surface of a silicon-based substrate
FR3075461A1 (fr) * 2017-12-20 2019-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une heterostructure comportant des structures elementaires photoniques en materiau iii-v a la surface d'un substrat a base de silicium
JP2021508174A (ja) * 2017-12-20 2021-02-25 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 埋め込みトランジスタを有するセグメント型ｌｅｄ
KR102440696B1 (ko) 2017-12-20 2022-09-07 루미레즈 엘엘씨 임베디드 트랜지스터들을 갖는 세그먼트화된 led
JP7138711B2 (ja) 2017-12-20 2022-09-16 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 埋め込みトランジスタを有するセグメント型ｌｅｄ
US11860415B2 (en) 2018-02-26 2024-01-02 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects
US11927871B2 (en) 2018-03-01 2024-03-12 Hes Ip Holdings, Llc Near-eye displaying method capable of multiple depths of field imaging
JP2021520523A (ja) * 2018-03-01 2021-08-19 ヒーズ アイピー ホールディングス エルエルシー ディスプレイアセンブリ及びディスプレイ装置
EP3761364A4 (fr) * 2018-03-01 2021-04-21 HES IP Holdings, LLC Composant d'affichage et dispositif d'affichage
CN111801803A (zh) * 2018-03-01 2020-10-20 海思智财控股有限公司 显示组件及显示器装置
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11201265B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11735691B2 (en) 2018-09-27 2023-08-22 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US11380815B2 (en) * 2019-06-21 2022-07-05 PlayNitride Display Co., Ltd. Semiconductor material substrate, micro light emitting diode panel and method of fabricating the same
US11777059B2 (en) 2019-11-20 2023-10-03 Lumileds Llc Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning
US20210181510A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded optical devices
US11762200B2 (en) * 2019-12-17 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded optical devices
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11784286B2 (en) 2020-03-11 2023-10-10 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11777061B2 (en) 2020-10-29 2023-10-03 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11923402B2 (en) 2020-12-14 2024-03-05 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
FR3119931A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication d'un tel dispositif
WO2022175184A1 (fr) 2021-02-17 2022-08-25 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoélectronique et son procédé de fabrication
US12040432B2 (en) 2021-03-05 2024-07-16 Lumileds Llc Light emitting diode devices with patterned TCO layer including different thicknesses
FR3120988A1 (fr) 2021-03-18 2022-09-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage émissif à LED
EP4060650A1 (fr) 2021-03-18 2022-09-21 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage émissif à led
FR3123493A1 (fr) 2021-05-26 2022-12-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d’affichage a adressage par groupes de pixels
EP4095842A1 (fr) 2021-05-26 2022-11-30 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a adressage par groupes de pixels
FR3125358A1 (fr) 2021-07-16 2023-01-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage interactif et procédé de fabrication d'un tel dispositif
WO2023285449A1 (fr) 2021-07-16 2023-01-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage interactif
EP4137928A1 (fr) 2021-08-18 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a compression et decompression locales des donnees numeriques affichees
US11798502B2 (en) 2021-08-18 2023-10-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Display device with local compression and decompression of displayed digital data
EP4138128A1 (fr) 2021-08-19 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif de capture d'images
FR3126260A1 (fr) * 2021-08-19 2023-02-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique
FR3126261A1 (fr) 2021-08-19 2023-02-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif de capture d'images et procédé de fabrication d'un tel dispositif
EP4138140A1 (fr) * 2021-08-19 2023-02-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique
FR3126256A1 (fr) * 2021-08-19 2023-02-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique
FR3129747A1 (fr) 2021-11-29 2023-06-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d’affichage a dechiffrement local des donnees numeriques
EP4187427A1 (fr) 2021-11-29 2023-05-31 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Dispositif d'affichage a dechiffrement local des donnees numeriques
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