WO2017085976A1 - 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール - Google Patents

弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2017085976A1
WO2017085976A1 PCT/JP2016/074384 JP2016074384W WO2017085976A1 WO 2017085976 A1 WO2017085976 A1 WO 2017085976A1 JP 2016074384 W JP2016074384 W JP 2016074384W WO 2017085976 A1 WO2017085976 A1 WO 2017085976A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terminal
wave filter
elastic wave
signal
piezoelectric substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/074384
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大志 村中
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2017551552A priority Critical patent/JP6558445B2/ja
Priority to CN201680066414.1A priority patent/CN108352825B/zh
Publication of WO2017085976A1 publication Critical patent/WO2017085976A1/ja
Priority to US15/963,562 priority patent/US10340888B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02874—Means for compensation or elimination of undesirable effects of direct coupling between input and output transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02913—Measures for shielding against electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter, a duplexer, and an elastic wave filter module.
  • Elastic wave devices such as elastic wave filters, duplexers, and modules including these are widely used in mobile communication devices such as mobile phones.
  • an input terminal, an output terminal, and an insulating film are formed on a piezoelectric substrate, and a ground terminal is formed on the insulating film.
  • JP 2007-259430 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-002511
  • the elastic wave filter that is a transmission filter and the elastic wave filter that is a reception filter are commonly connected on the antenna side, so that a signal wraps around from one elastic wave filter to the other elastic wave filter. was there.
  • a direct wave generated in one elastic wave filter sometimes wraps around the other elastic wave filter. Therefore, the isolation characteristics of the duplexer may be deteriorated.
  • the acoustic wave filter according to the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, a first shield electrode provided on the piezoelectric substrate, and the first shield electrode.
  • the first signal terminal is included in the first shield electrode, and one of the first signal terminal and the second signal terminal is an output terminal. Yes, the first signal terminal and the front The other of the second signal terminal is an input terminal.
  • the ground terminal has a first ground terminal, and the first shield electrode is connected to the first ground terminal.
  • the direct wave of the signal can be propagated to the first ground terminal. Therefore, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • the elastic wave filter has at least one ground terminal other than the first ground terminal, and the first ground terminal is connected to the other ground terminal and the IDT electrode. It has not been. In this case, the direct wave of the signal can be further propagated to the first ground terminal.
  • the area of the first shield electrode is larger than the area of the first signal terminal.
  • the effect of the electromagnetic shield between the first signal terminal and the piezoelectric substrate can be further enhanced. Therefore, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • the dielectric constant of the first insulating film is lower than the dielectric constant of the piezoelectric substrate.
  • the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the first insulating film. Therefore, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • a second shield electrode provided on the piezoelectric substrate and a layer laminated on the piezoelectric substrate so as to reach the second shield electrode.
  • a second insulating film, and at least one of the second signal terminal and the ground terminal is provided on the second insulating film.
  • a terminal is included in the second shield electrode.
  • the second signal terminal is provided on the second insulating film.
  • the electromagnetic shielding effect is achieved between the piezoelectric substrate and the first and second signal terminals by the first and second shield electrodes. Therefore, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • the second shield electrode includes a plurality of the second shield electrodes, the plurality of second insulating films, and the second insulating film on the second insulating films.
  • the signal terminal and the ground terminal are provided. In this case, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • At least one of the second signal terminal and the ground terminal is provided in a portion excluding the second insulating film.
  • the height positions of the surfaces of the first and second signal terminals and the ground terminal opposite to the piezoelectric substrate are substantially the same. In the same position. In this case, when the elastic wave filter is bonded to the mounting substrate via the bump, the bonding strength between each terminal and the mounting substrate can be made uniform.
  • the terminal in the plan view is larger than the area of the terminal provided on the second insulating film among the second signal terminal and the ground terminal.
  • the area of the second shield electrode that overlaps is larger. In this case, the effect of the electromagnetic shield between the terminal provided on the second insulating film and the piezoelectric substrate can be further enhanced.
  • the dielectric constant of the second insulating film is lower than the dielectric constant of the piezoelectric substrate. In this case, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the second insulating film.
  • the first signal terminal is an output terminal
  • the second signal terminal is an input terminal.
  • the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the output terminal, and the out-of-band attenuation can be further increased.
  • the duplexer according to the present invention includes a first bandpass filter that is an elastic wave filter configured according to the present invention, and a second bandpass filter that has a different passband from the first bandpass filter. Is provided.
  • the first band-pass filter is a reception filter
  • the second band-pass filter is a transmission filter
  • a mounting substrate and an elastic wave filter configured according to the present invention mounted on the mounting substrate are provided.
  • the first signal terminal of the elastic wave filter is bonded to the mounting substrate via a bump, and the bump and the first terminal electrode
  • the area of the first shield electrode is larger than the area where and are joined. In this case, the first signal terminal and the mounting substrate can be more reliably bonded.
  • the acoustic wave filter module includes: a mounting substrate; and an acoustic wave filter that is mounted on the mounting substrate and is configured according to the present invention.
  • Two signal terminals and the ground terminal are bonded to the mounting substrate via bumps, and in plan view, the second signal terminal and the terminal that overlaps the second shield electrode among the ground terminals;
  • the area of the second shield electrode overlapping the terminal is larger than the area where the bump is bonded.
  • each mounting terminal can be more reliably bonded to each terminal provided on the piezoelectric substrate via the second insulating film and the second shield terminal.
  • the direct wave of the signal is difficult to propagate to the output terminal. Therefore, the out-of-band attenuation can be increased.
  • the duplexer according to the present invention the isolation characteristics can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example of the present invention in a wide frequency band.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparativ
  • FIG. 6A is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the first embodiment of the present invention, the first modification of the first embodiment, and the comparative example.
  • FIG. 6B is an enlarged view of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the first embodiment, the first modification of the first embodiment, and the comparative example in a wide frequency band.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10B are schematic plan views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • 12 (a) and 12 (b) are schematic plan views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of a duplexer according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating the isolation characteristics of the duplexers of the third embodiment and the comparative example of the present invention.
  • FIG. 16A is a diagram illustrating the isolation characteristics of the third embodiment of the present invention, the modification of the third embodiment, and the comparative example.
  • FIG. 16B is an enlarged view of FIG.
  • FIG. 17 is a front sectional view of an acoustic wave filter module according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • each acoustic wave resonator is shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are drawn in a rectangle. The same applies to FIG. 5, FIG. 8 to FIG. 13 and FIG.
  • the elastic wave filter 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of, for example, a piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 or LiTaO 3 or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the elastic wave filter 1 is a band-pass filter in which a pass band is constituted by a plurality of elastic wave resonators. More specifically, the elastic wave filter 1 has an elastic wave resonator formed on the piezoelectric substrate 2. As the plurality of acoustic wave resonators, a plurality of series arm resonators S1 to S3 and a plurality of parallel arm resonators P1 and P2 are provided. Thereby, a ladder type filter is configured. Each of the series arm resonators S1 to S3 and each of the parallel arm resonators P1 and P2 has an IDT electrode.
  • the elastic wave filter 1 is not limited to a ladder filter, and the number of IDT electrodes is not particularly limited.
  • a first shield electrode 6 a is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the thickness of the 1st shield electrode 6a is not specifically limited, In this embodiment, they are 200 nm or more and 500 nm or less.
  • the first insulating film 5a is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to reach the first shield electrode 6a.
  • the first insulating film 5a covers the entire top surface of the first shield electrode 6a.
  • the first insulating film 5a only needs to electrically insulate the first shield electrode 6a from a signal wiring described later, and does not need to cover the entire top surface of the first shield electrode 6a.
  • the thickness of the first insulating film 5a is not particularly limited, but is 4000 nm in the present embodiment. Although details will be described later, the first insulating film 5 a is preferably made of an insulating material having a dielectric constant lower than that of the piezoelectric substrate 2.
  • the first signal terminal 4 that is an output terminal is provided on the first insulating film 5a.
  • the first signal terminal 4 is connected to the series arm resonator S ⁇ b> 3 through the signal wiring 8.
  • the first signal terminal 4 is included in the first shield electrode 6a.
  • the first shield electrode 6 a serves as an electromagnetic shield between the first signal terminal 4 and the piezoelectric substrate 2.
  • the second signal terminal 3 as an input terminal is directly provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the first signal terminal 4 may be an input terminal
  • the second signal terminal 3 may be an output terminal.
  • the thickness of the first and second signal terminals 4 and 3 is 3000 nm.
  • series arm resonators S1 to S3 are connected in series with each other.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between a connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between a connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • first and second ground terminals 7a and 7b connected to the ground potential are provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the first ground terminal 7a is not connected to the first and second signal terminals 4 and 3 and the series arm resonators S1 to S3. Further, the first ground terminal 7a is not particularly limited, but is not connected to any of the second ground terminal 7b and the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the first ground terminal 7 a is connected to the first shield electrode 6 a through the connection wiring 9.
  • a plurality of second ground terminals 7b are provided. Each second ground terminal 7b is connected to the parallel arm resonators P1 and P2, respectively.
  • a terminal 10 is provided which is not connected to any of the first and second signal terminals 4 and 3, the series arm resonators S1 to S3, and the parallel arm resonators P1 and P2. .
  • the terminal 10 is not connected to the ground potential. Note that the terminal 10 may not be provided.
  • the elastic wave filter 1 is a ladder filter, but the circuit configuration of the elastic wave filter 1 is not particularly limited.
  • the elastic wave filter 1 may be a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the feature of this embodiment is that, in plan view, the first signal terminal 4 is included in the first shield electrode 6a, and the first signal terminal 4 and the first shield electrode 6a are first insulated. It is in electrical insulation by the film 5a.
  • the signal inputted from the outside to the second signal terminal 3 is not directly passed through the filter part constituted by the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 and P2, but as a direct wave, the piezoelectric substrate 2 May propagate.
  • the direct wave of the signal via the piezoelectric substrate 2 is difficult to propagate to the first signal terminal 4, and the out-of-band attenuation can be increased. This is shown by comparing the attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example.
  • the elastic wave filter of the comparative example has the same configuration as the elastic wave filter 1 of the first embodiment, except that the first shield electrode and the first insulating film are not provided.
  • FIG. 3 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment and the comparative example in a wide frequency band. The solid line shows the result of the first embodiment. A broken line shows the result of the comparative example.
  • the out-of-band attenuation in the vicinity of the pass band in the first embodiment is larger than the out-of-band attenuation in the comparative example.
  • the out-of-band attenuation of the elastic wave filter is small.
  • the first embodiment shown in FIG. 1 has the first shield electrode 6a.
  • the first shield electrode 6 a serves as an electromagnetic shield between the first signal terminal 4 and the piezoelectric substrate 2. Accordingly, the direct wave of the signal via the piezoelectric substrate 2 is difficult to propagate to the first signal terminal 4. Accordingly, the out-of-band attenuation of the elastic wave filter 1 can be increased.
  • the first shield electrode 6a may not be connected to the first ground terminal 7a.
  • FIG. 6A is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first embodiment, the first modification of the first embodiment, and the comparative example.
  • FIG. 6B is an enlarged view of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the first embodiment, the first modification of the first embodiment, and the comparative example in a wide frequency band.
  • the solid line shows the result of the first embodiment.
  • the broken line shows the result of the first modification.
  • a one-dot chain line shows the result of the comparative example.
  • the out-of-band attenuation can be made larger than that of the comparative example. Furthermore, in the vicinity of the pass band, the out-of-band attenuation of the first embodiment is much larger than the out-of-band attenuation of the first modification. Thus, it can be seen that the configuration of the first embodiment is more preferable.
  • the first shield electrode 6a is connected to the first ground terminal 7a. Thereby, the direct wave of the signal propagated to the first shield electrode 6a can be propagated to the ground potential.
  • the first ground terminal 7a is not electrically connected to each second ground terminal 7b and the parallel arm resonators P1 and P2. As a result, no signal directly flows from the parallel arm resonators P1 and P2 into the first ground terminal 7a. Therefore, the direct wave of the signal is more easily propagated from the first shield electrode 6a to the ground potential. Therefore, in the first embodiment, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the first signal terminal 4.
  • the first shield electrode 6a is connected to the first ground terminal 7a, and the first ground terminal 7a is the second modification. May be connected to the ground terminal 7b. Also in the case of the second modification, it is difficult for the direct wave of the signal to propagate to the first signal terminal 4.
  • the first signal terminal 4 that is an output terminal is provided on the piezoelectric substrate 2 via the first shield electrode 6a and the first insulating film 5a.
  • the second signal terminal 3 that is an input terminal is connected to the first shield electrode 6 a and the first insulation on the piezoelectric substrate 2. It may be provided via the film 5a.
  • the dielectric constant of the first insulating film 5a shown in FIG. 1 is preferably lower than the dielectric constant of the piezoelectric substrate 2. Thereby, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the first insulating film 5a.
  • an insulating film other than the first insulating film 5 a may be provided between the first shield electrode 6 a and the piezoelectric substrate 2.
  • the dielectric constant of the insulating film is also preferably lower than the dielectric constant of the piezoelectric substrate 2. Even in this case, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the first signal terminal 4.
  • the area of the first shield electrode 6a is larger than the area of the first signal terminal 4. Therefore, the effect of the electromagnetic shield between the first signal terminal 4 and the piezoelectric substrate 2 can be further enhanced.
  • FIG. 10A and FIG. 10B are schematic plan views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave filter according to the first embodiment. Note that the hatched portion in FIG. 10B indicates the electrode formed in the step shown in FIG.
  • the piezoelectric substrate 2 is prepared.
  • a first electrode layer is formed on the piezoelectric substrate 2. More specifically, the first shield electrode 6a, the plurality of IDT electrodes, and the wiring connecting the plurality of IDT electrodes are formed. At this time, part of the signal wiring and the connection wiring is also formed.
  • the first electrode layer can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • a first insulating film 5a is formed on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the upper surface of the first shield electrode 6a.
  • the first insulating film 5a can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • a second electrode layer is formed on the piezoelectric substrate 2, the first insulating film 5a, and the first electrode layer. More specifically, the first and second signal terminals 4 and 3, the first and second ground terminals 7 a and 7 b, the signal wiring 8, the connection wiring 9, and the wiring connecting the plurality of IDT electrodes are formed. .
  • the second electrode layer can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • first shield electrode 6a is provided at the same time as the plurality of IDT electrodes, productivity can be improved.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave filter according to the second embodiment.
  • the elastic wave filter 21 has the same configuration as the elastic wave filter of the first embodiment.
  • the elastic wave filter 21 includes a plurality of second shield electrodes 26b and a plurality of second insulating films 25b.
  • a plurality of second shield electrodes 26b indicated by broken lines are provided on the piezoelectric substrate 2 .
  • Each second insulating film 25b is laminated on the piezoelectric substrate 2 so as to reach each second shield electrode 26b.
  • a second signal terminal 3, first and second ground terminals 7a and 7b, and a terminal 10 are provided on each second insulating film 25b.
  • the second shield electrode 26b may be made of the same material as that of the first shield electrode 6a.
  • the second insulating film 25b may be made of the same material as that of the first insulating film 5a.
  • the thickness of the plurality of second shield electrodes 26b is substantially the same as the thickness of the first shield electrode 6a.
  • the thickness of the plurality of second insulating films 25b and the thickness of the first insulating film 5a are substantially the same.
  • the thicknesses of the first and second signal terminals 4 and 3, the first and second ground terminals 7a and 7b, and the terminal 10 are substantially the same. Therefore, the height positions of the surfaces of the first and second signal terminals 4 and 3, the first and second ground terminals 7a and 7b, and the terminal 10 on the side opposite to the piezoelectric substrate 2 are substantially the same. At the same position.
  • the height position is a position in the height direction as a direction perpendicular to the main surface of the piezoelectric substrate 2 on which the first insulating film 5a and the like are stacked.
  • the elastic wave filter 21 may be mounted on a mounting board.
  • the first and second signal terminals 4 and 3, the first and second ground terminals 7a and 7b, and the surfaces of the terminals 10 opposite to the piezoelectric substrate 2 side are mounted via bumps. Bonded to the substrate.
  • the side opposite to the piezoelectric substrate 2 side of each terminal is a mounting side.
  • the bonding strength between each terminal and the mounting substrate can be made uniform.
  • the first and second signal terminals 4 and 3 are connected to the piezoelectric substrate via the first and second insulating films 5a and 25b and the first and second shield electrodes 6a and 26b, respectively. 2 is provided.
  • the effect of electromagnetic shielding is achieved between the piezoelectric substrate 2 and the first and second signal terminals 4 and 3 by the first and second shield electrodes 6a and 26b. Therefore, in addition to the effects of the first embodiment, signal propagation from the second signal terminal 3 that is an input terminal to the piezoelectric substrate 2 can also be suppressed. Therefore, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the first signal terminal 4.
  • the dielectric constant of the second insulating film 25b is preferably lower than the dielectric constant of the piezoelectric substrate 2 as in the first insulating film 5a. Thereby, the direct wave of the signal is more difficult to propagate to the second insulating film 25b. Therefore, signal propagation from the second signal terminal 3 to the piezoelectric substrate 2 can be further suppressed.
  • FIG. 12 (a) and 12 (b) are schematic plan views for explaining the method for manufacturing the acoustic wave filter according to the second embodiment. Note that the hatched portion in FIG. 12B indicates the electrode formed in the step shown in FIG.
  • the first electrode layer is formed on the piezoelectric substrate 2 as in the first embodiment.
  • a plurality of second shield electrodes 26b are also formed as the first electrode layer.
  • first and second insulating films 5a and 25b are formed. More specifically, the first insulating film 5a is formed on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the upper surface of the first shield electrode 6a. A plurality of second insulating films 25b are formed on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the upper surfaces of the second shield electrodes 26b. Next, as in the first embodiment, a second electrode layer is formed.
  • one of the terminal 10 and the plurality of second ground terminals 7b may be provided in a portion excluding the second insulating film 25b.
  • the surface of the acoustic wave filter 51 on the mounting side of the terminal 10 is mounted on the piezoelectric substrate 2 via the second shield electrode 26b and the second insulating film 25b. It is located closer to the piezoelectric substrate 2 than the surface.
  • the surface on the mounting side of the second ground terminal 7 b provided directly on the piezoelectric substrate 2 is located closer to the piezoelectric substrate 2 than the surfaces on the mounting side of the terminals other than the terminals 10. .
  • the mounting substrate on which the acoustic wave filter 51 is mounted may be warped.
  • the height position of each surface on the mounting side of each terminal of the elastic wave filter 51 has a positional relationship corresponding to the warp of the mounting substrate. Accordingly, the bonding strength between each terminal and the mounting substrate can be made uniform in response to the warping of the mounting substrate.
  • the second signal terminal 3, the first and second ground terminals 7a and 7b, and the terminal 10 are not limited to the modification of the second embodiment shown in FIG.
  • the insulating film 25b may be provided in a portion other than the insulating film 25b.
  • the height position of each terminal can be adjusted corresponding to the warp of the mounting substrate.
  • the present invention is not limited to an elastic wave filter, and can be suitably applied to a duplexer. This example will be described below.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of a duplexer according to the third embodiment.
  • the duplexer 30 is not particularly limited, it is a duplexer that is a band 5 pass band. More specifically, the transmission band of the duplexer 30 is 824 MHz or more and 849 MHz or less. The reception band of the duplexer 30 is 869 MHz or more and 894 MHz or less.
  • the duplexer 30 includes a first band-pass filter 31a having the same configuration as that of the first embodiment.
  • the first bandpass filter 31a is a ladder filter, but the circuit configuration is not particularly limited.
  • the first band pass filter 31a may be, for example, a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the duplexer 30 has a second bandpass filter 31b having a different passband from the first bandpass filter 31a.
  • the circuit configuration of the second bandpass filter 31b is not particularly limited, and is indicated by a broken line region in FIG.
  • the second band pass filter 31b may be, for example, a ladder type filter or a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the duplexer 30 has an antenna terminal 33 connected to the antenna.
  • the first band-pass filter 31 a and the second band-pass filter 31 b are commonly connected to the antenna terminal 33.
  • the first band-pass filter 31a is a reception filter
  • the second band-pass filter 31b is a transmission filter
  • the first band-pass filter 31a may be a transmission filter
  • the second band-pass filter 31b may be a reception filter
  • the duplexer according to the comparative example has the same configuration as the duplexer 30 according to the third embodiment except that the reception filter does not include the first shield electrode and the first insulating film.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating the isolation characteristics of the duplexers of the third embodiment and the comparative example.
  • region A in FIG. 15 shows the transmission band of the duplexer of 3rd Embodiment and a comparative example.
  • Region B shows the reception band of the duplexers of the third embodiment and the comparative example.
  • the solid line shows the result of the third embodiment.
  • a broken line shows the result of the comparative example.
  • the third embodiment can increase the attenuation in the transmission band compared to the comparative example. Therefore, it can be seen that the isolation characteristic can be improved by the duplexer of the third embodiment.
  • the signal sneak from the second band-pass filter 31 b may flow into the first band-pass filter 31 a from the second signal terminal 3.
  • the first shield electrode serves as an electromagnetic shield between the piezoelectric substrate and the first signal terminal 4. Therefore, even when the signal wraps around, the direct wave of the signal hardly propagates to the first signal terminal 4. Therefore, the isolation characteristic of the duplexer 30 can be improved.
  • the isolation characteristic can be further improved.
  • the isolation characteristic can be improved. it can.
  • FIG. 16A is a diagram showing the isolation characteristics of the third embodiment, the modified example of the third embodiment, and the comparative example.
  • FIG. 16B is an enlarged view of FIG.
  • the solid line shows the result of the third embodiment.
  • a broken line shows the result of a modification.
  • a one-dot chain line shows the result of the comparative example.
  • the isolation characteristic can be improved by the modification of the third embodiment. Furthermore, the isolation characteristics of the third embodiment can be further improved than the modification.
  • the duplexer 30 shown in FIG. 14 may be configured as a single chip in which the first and second band-pass filters 31a and 31b are configured on the same piezoelectric substrate.
  • the duplexer 30 may be configured as a plurality of chips in which the first band-pass filter 31a and the second band-pass filter 31b are respectively configured on different piezoelectric substrates.
  • the duplexer 30 may be mounted on a mounting board.
  • the antenna terminal 33 may be provided on the mounting substrate.
  • the first and second band-pass filters 31a and 31b are electrically connected to the antenna terminal 33 in a state where the first and second band-pass filters 31a and 31b are mounted on the mounting substrate. Just do it.
  • the elastic wave filter of the present invention may be mounted on a mounting board. Therefore, the present invention can be suitably applied to such an elastic wave filter module. This example will be described below.
  • FIG. 17 is a front sectional view of an acoustic wave filter module according to the fourth embodiment.
  • the acoustic wave filter module 40 has a mounting substrate 42. On the mounting substrate 42, the acoustic wave filter 21 having the same configuration as that of the second embodiment is mounted. More specifically, a plurality of mounting terminals 43 are provided on the mounting substrate 42. The first signal terminal 4, the terminal 10, and the second ground terminal 7 b are joined to each mounting terminal 43 through bumps 46. Although not shown, the second signal terminal and the first ground terminal are also joined to each mounting terminal 43 via the bump 46.
  • the direct wave of the signal is difficult to propagate to the first signal terminal 4 and the out-of-band attenuation can be increased.
  • the flatness is particularly high in the portion where the first insulating film 5a is provided on the first shield electrode 6a.
  • the flatness of the portion provided in the portion where the flatness of the first insulating film 5a is high is particularly high.
  • the area of the first shield electrode 6a is larger than the area where the bump 46 and the first signal terminal 4 are joined. Thereby, the area of the part with high flatness in the 1st insulating film 5a and the 1st signal terminal 4 can be enlarged. Therefore, when the elastic wave filter 21 is mounted on the mounting substrate 42, the first signal terminal 4 and the mounting terminal 43 can be more reliably bonded via the bumps 46.
  • the area of the second shield electrode 26b overlapping the terminals is larger than the area where these terminals and the bumps 46 are joined. Therefore, the terminals and the mounting terminals 43 can be more reliably bonded through the bumps.

Abstract

信号の直達波が出力端子に伝搬し難く、帯域外減衰量を大きくすることができる、弾性波フィルタを提供する。　弾性波フィルタ１は、圧電基板２と、圧電基板２上に設けられているＩＤＴ電極と、圧電基板２上に設けられている第１のシールド電極６ａと、第１のシールド電極６ａ上に至るように圧電基板２上に積層されている第１の絶縁膜５ａと、第１の絶縁膜５ａ上に設けられている第１の信号端子４と、圧電基板２上に設けられている第２の信号端子３と、圧電基板２上に設けられており、グラウンド電位に接続される第１のグラウンド端子７ａとを備える。第１のシールド電極６ａは、ＩＤＴ電極及び第１，第２の信号端子４，３と電気的に接続されていない。平面視において、第１の信号端子４は第１のシールド電極６ａに含まれている。第１の信号端子４及び第２の信号端子３のうち一方が出力端子であり、他方が入力端子である。

Description

弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール
　本発明は、弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュールに関する。
　弾性波フィルタ、デュプレクサ、及びこれらを含むモジュールなどの弾性波デバイスは、携帯電話機などの移動体通信機器に広く用いられている。
　ここで、従来の弾性波デバイスについて説明する。例えば、下記の特許文献１に記載の弾性波フィルタにおいては、圧電基板上の入力端子と出力端子との間に設けられた２個の縦結合共振子型弾性波フィルタを接続する信号配線と、各縦結合共振子型弾性波フィルタをグラウンド端子に接続するグラウンド配線は、絶縁膜を介して立体交差している。
　また、下記の特許文献２の弾性波フィルタにおいては、圧電基板上に入力端子、出力端子、及び絶縁膜が形成され、絶縁膜上にグラウンド端子が形成されている。
特開２００７－２５９４３０号公報 特開２０１５－００２５１１号公報
　特許文献１及び２の弾性波フィルタにおいては、入力端子から入力された信号の一部が、圧電基板を介した直達波となり、該直達波が出力端子に伝搬することがあった。そのため、特許文献１及び２の弾性波フィルタにおいては、帯域外減衰量を充分に大きくすることができないことがあった。
　また、デュプレクサにおいては、送信フィルタである弾性波フィルタと受信フィルタである弾性波フィルタとが、アンテナ側において共通接続されているため、一方の弾性波フィルタから他方の弾性波フィルタに信号が回り込むことがあった。特に、特許文献１または特許文献２の弾性波フィルタをデュプレクサに用いた場合、一方の弾性波フィルタにおいて生じた直達波が他方の弾性波フィルタに回り込むことがあった。従って、デュプレクサのアイソレーション特性が劣化することがあった。
　本発明の目的は、信号の直達波が出力端子に伝搬し難く、帯域外減衰量を大きくすることができる、弾性波フィルタ及び弾性波フィルタモジュールを提供することにある。また、本発明の目的は、アイソレーション特性を改善し得るデュプレクサを提供することにある。
　本発明に係る弾性波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に設けられている第１のシールド電極と、前記第１のシールド電極上に至るように前記圧電基板上に積層されている第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられている第１の信号端子と、前記圧電基板上に設けられている第２の信号端子と、前記圧電基板上に設けられており、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子とを備え、前記第１のシールド電極が、前記ＩＤＴ電極及び前記第１，第２の信号端子と電気的に接続されておらず、平面視において、前記第１の信号端子が前記第１のシールド電極に含まれており、前記第１の信号端子及び前記第２の信号端子のうち一方が出力端子であり、前記第１の信号端子及び前記第２の信号端子のうち他方が入力端子である。
　本発明に係る弾性波フィルタのある特定の局面では、前記グラウンド端子が第１のグラウンド端子を有し、該第１のグラウンド端子に前記第１のシールド電極が接続されている。この場合には、第１のグラウンド端子に信号の直達波を伝搬させることができる。よって、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタの他の特定の局面では、前記第１のグラウンド端子以外のグラウンド端子を少なくとも１つ有し、前記第１のグラウンド端子が他の前記グラウンド端子及び前記ＩＤＴ電極に接続されていない。この場合には、第１のグラウンド端子に信号の直達波をより一層伝搬させることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに他の特定の局面では、前記第１の信号端子の面積よりも前記第１のシールド電極の面積の方が大きい。この場合には、第１の信号端子と圧電基板との間の電磁シールドの効果をより一層高めることができる。よって、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタの別の特定の局面では、前記第１の絶縁膜の誘電率が、前記圧電基板の誘電率よりも低い。この場合には、信号の直達波が、第１の絶縁膜に、より一層伝搬し難い。よって、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記圧電基板上に設けられている第２のシールド電極と、前記第２のシールド電極上に至るように前記圧電基板上に積層されている第２の絶縁膜とがさらに備えられており、前記第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち少なくとも１つの端子が設けられており、平面視において、該端子が前記第２のシールド電極に含まれている。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子が設けられている。この場合には、第１，第２のシールド電極により、圧電基板と第１，第２の信号端子との間において、電磁シールドの効果が果たされている。よって、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第２のシールド電極を複数有し、前記第２の絶縁膜を複数有し、前記各第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子がそれぞれ設けられている。この場合には、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第２の絶縁膜を除いた部分に、前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち少なくとも１つの端子が設けられている。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第１，第２の信号端子及び前記グラウンド端子の前記圧電基板側とは反対側の各面の、高さ位置がいずれも実質的に同じ位置である。この場合には、弾性波フィルタを、バンプを介して実装基板に接合するに際し、各端子と実装基板との接合強度を均一にすることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち前記第２の絶縁膜上に設けられた端子の面積よりも、平面視において該端子と重なり合っている前記第２のシールド電極の面積の方が大きい。この場合には、第２の絶縁膜上に設けられた端子と圧電基板との間の電磁シールドの効果をより一層高めることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第２の絶縁膜の誘電率が、前記圧電基板の誘電率よりも低い。この場合には、信号の直達波が、第２の絶縁膜に、より一層伝搬し難い。
　本発明に係る弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記第１の信号端子が出力端子であり、前記第２の信号端子が入力端子である。この場合には、信号の直達波が出力端子に、より一層伝搬し難く、帯域外減衰量をより一層大きくすることができる。
　本発明に係るデュプレクサは、本発明に従い構成されている弾性波フィルタである第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタとを備える。
　本発明に係るデュプレクサのある特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタが受信フィルタであり、前記第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである。この場合には、デュプレクサのアイソレーション特性を効果的に高めることができる。
　本発明に係る弾性波フィルタモジュールのある広い局面では、実装基板と、前記実装基板上に実装されている本発明に従い構成されている弾性波フィルタとが備えられている。
　本発明に係る弾性波フィルタモジュールの他の特定の局面では、前記弾性波フィルタの前記第１の信号端子がバンプを介して前記実装基板に接合されており、前記バンプと前記第１の端子電極とが接合している面積よりも、前記第１のシールド電極の面積の方が大きい。この場合には、第１の信号端子と実装基板とをより一層確実に接合することができる。
　本発明に係る弾性波フィルタモジュールの他の広い局面では、実装基板と、前記実装基板上に実装されている、本発明に従い構成されている弾性波フィルタとを備え、前記弾性波フィルタの前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子がバンプを介して前記実装基板に接合されており、平面視において、前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち前記第２のシールド電極に重なっている端子と前記バンプとが接合している面積よりも、該端子に重なっている前記第２のシールド電極の面積の方が大きい。この場合には、圧電基板の上に第２の絶縁膜及び第２のシールド端子を介して設けられている各端子と、実装基板とをより一層確実に接合することができる。
　本発明に係る弾性波フィルタ及び弾性波フィルタモジュールでは、信号の直達波が出力端子に伝搬し難い。従って、帯域外減衰量を大きくすることができる。本発明に係るデュプレクサでは、アイソレーション特性を改善することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。 図３は、本発明の第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図４は、本発明の第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を広い周波数帯域において示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図６（ａ）は、本発明の第１の実施形態、第１の実施形態の第１の変形例及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の拡大図である。 図７は、本発明の第１の実施形態、第１の実施形態の第１の変形例及び比較例の減衰量周波数特性を広い周波数帯域において示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタの製造方法を説明するための略図的平面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波フィルタの製造方法を説明するための略図的平面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。 図１５は、本発明の第３の実施形態及び比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。 図１６（ａ）は、本発明の第３の実施形態、第３の実施形態の変形例及び比較例のアイソレーション特性を示す図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の拡大図である。 図１７は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波フィルタモジュールの正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタの回路図である。図１においては、各弾性波共振子を、矩形に２本の対角線を引いた略図で示す。後述する図５、図８～図１３及び図１７においても同様である。
　図１に示されているように、弾性波フィルタ１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶、あるいは、適宜の圧電セラミックスからなる。
　弾性波フィルタ１は、複数の弾性波共振子により通過帯域が構成されている、帯域通過型フィルタである。より具体的には、弾性波フィルタ１は、圧電基板２に構成された弾性波共振子を有する。これらの複数の弾性波共振子として、複数の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び複数の並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２が設けられている。それによって、ラダー型フィルタが構成されている。各直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び各並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２は、それぞれＩＤＴ電極を有する。なお、弾性波フィルタ１はラダー型フィルタには限定されず、ＩＤＴ電極の個数も特に限定されない。
　図１に示すように、圧電基板２上には、第１のシールド電極６ａが設けられている。第１のシールド電極６ａの厚みは、特に限定されないが、本実施形態では２００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である。
　第１のシールド電極６ａ上に至るように、圧電基板２上に第１の絶縁膜５ａが設けられている。第１の絶縁膜５ａは、第１のシールド電極６ａの上面全体を覆っている。なお、第１の絶縁膜５ａは、第１のシールド電極６ａと後述する信号配線とを電気的に絶縁していればよく、第１のシールド電極６ａの上面全体を覆っていなくともよい。
　第１の絶縁膜５ａの厚みは、特に限定されないが、本実施形態では４０００ｎｍである。詳細は後述するが、第１の絶縁膜５ａは、圧電基板２よりも誘電率が低い絶縁性材料からなることが好ましい。
　第１の絶縁膜５ａ上には、出力端子である第１の信号端子４が設けられている。第１の信号端子４は、信号配線８を介して、上記直列腕共振子Ｓ３に接続されている。平面視において、第１の信号端子４は、第１のシールド電極６ａに含まれている。第１のシールド電極６ａは、第１の信号端子４と圧電基板２との間において、電磁シールドの効果を果たす。
　他方、圧電基板２上には、入力端子である第２の信号端子３が直接設けられている。なお、第１の信号端子４が入力端子であり、第２の信号端子３が出力端子であってもよい。また、特に限定されないが、本実施形態では、第１，第２の信号端子４，３の厚みは３０００ｎｍである。
　図２に示されているように、第１の信号端子４と第２の信号端子３との間には、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。
　図１に戻り、圧電基板２上には、グラウンド電位に接続される第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂが設けられている。第１のグラウンド端子７ａは、第１，２の信号端子４，３及び直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３には接続されていない。さらに、第１のグラウンド端子７ａは、特に限定されないが、第２のグラウンド端子７ｂ及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のいずれにも接続されていない。第１のグラウンド端子７ａは、接続配線９を介して第１のシールド電極６ａに接続されている。
　第２のグラウンド端子７ｂは、複数設けられている。各第２のグラウンド端子７ｂは、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続されている。
　圧電基板２上には、第１，第２の信号端子４，３、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２のいずれにも接続されていない、端子１０が設けられている。端子１０は、グラウンド電位にも接続されない。なお、端子１０は、設けられていなくともよい。
　弾性波フィルタ１はラダー型フィルタであるが、弾性波フィルタ１の回路構成は特に限定されない。例えば、弾性波フィルタ１は、縦結合共振子型弾性波フィルタなどであってもよい。
　本実施形態の特徴は、平面視において、第１の信号端子４が第１のシールド電極６ａに含まれており、かつ第１の信号端子４と第１のシールド電極６ａとが第１の絶縁膜５ａにより電気的に絶縁されていることにある。
　ここで、外部から第２の信号端子３に入力された信号は、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２により構成されたフィルタ部を介さずに、直達波として圧電基板２を伝搬することがある。弾性波フィルタ１では、圧電基板２を介した信号の直達波が第１の信号端子４に伝搬し難く、帯域外減衰量を大きくすることができる。これを、第１の実施形態と比較例との減衰量周波数特性を比較することにより示す。
　なお、比較例の弾性波フィルタは、第１のシールド電極及び第１の絶縁膜を有しない点以外においては、第１の実施形態の弾性波フィルタ１と同様の構成を有する。
　図３は、第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。図４は、第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を広い周波数帯域において示す図である。実線は第１の実施形態の結果を示す。破線は比較例の結果を示す。
　図３及び図４に示すように、第１の実施形態における通過帯域近傍の帯域外減衰量は、比較例における帯域外減衰量よりも大きいことがわかる。比較例では、圧電基板を介した信号の直達波が第１の信号端子に伝搬されるのを充分に抑制することができない。よって、比較例においては、弾性波フィルタの帯域外減衰量が小さい。
　これに対して、図１に示す第１の実施形態では、第１のシールド電極６ａを有する。第１のシールド電極６ａは、第１の信号端子４と圧電基板２との間において、電磁シールドの効果を果たす。それによって、圧電基板２を介した信号の直達波が第１の信号端子４に伝搬し難い。従って、弾性波フィルタ１の帯域外減衰量を大きくすることができる。
　図５に示す第１の実施形態の第１の変形例のように、第１のシールド電極６ａは、第１のグラウンド端子７ａに接続されていなくともよい。
　図６（ａ）は、第１の実施形態、第１の実施形態の第１の変形例及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の拡大図である。図７は、第１の実施形態、第１の実施形態の第１の変形例及び比較例の減衰量周波数特性を広い周波数帯域において示す図である。実線は第１の実施形態の結果を示す。破線は第１の変形例の結果を示す。一点鎖線は比較例の結果を示す。
　図６（ａ）及び図６（ｂ）並びに図７に示すように、第１の実施形態の第１の変形例においても、比較例よりも帯域外減衰量を大きくすることができている。さらに、通過帯域の近傍において、第１の変形例の帯域外減衰量よりも、第１の実施形態の帯域外減衰量の方がはるかに大きい。このように、第１の実施形態の構成がより好ましいことがわかる。図１に示す第１の実施形態では、第１のシールド電極６ａは、第１のグラウンド端子７ａに接続されている。それによって、第１のシールド電極６ａに伝搬した信号の直達波を、グラウンド電位に伝搬させることができる。
　加えて、第１の実施形態では、第１のグラウンド端子７ａは、各第２のグラウンド端子７ｂ及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２に電気的に接続されていない。それによって、第１のグラウンド端子７ａには、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２から信号が直接流入しない。よって、第１のシールド電極６ａからグラウンド電位に、信号の直達波はより一層伝搬し易い。従って、第１の実施形態においては、第１の信号端子４に信号の直達波はより一層伝搬し難い。
　もっとも、図８に示す第１の実施形態の第２の変形例のように、第１のシールド電極６ａが第１のグラウンド端子７ａに接続されており、かつ第１のグラウンド端子７ａが第２のグラウンド端子７ｂに接続されていてもよい。第２の変形例の場合にも、第１の信号端子４に信号の直達波は伝搬し難い。
　第１の実施形態では、出力端子である第１の信号端子４が、圧電基板２の上に、第１のシールド電極６ａ及び第１の絶縁膜５ａを介して設けられている。なお、図９に示す第１の実施形態の第３の変形例のように、入力端子である第２の信号端子３が、圧電基板２の上に第１のシールド電極６ａ及び第１の絶縁膜５ａを介して設けられていてもよい。
　図１に示す第１の絶縁膜５ａの誘電率は、圧電基板２の誘電率よりも低いことが好ましい。それによって、信号の直達波は、第１の絶縁膜５ａに、より一層伝搬し難い。
　なお、第１のシールド電極６ａと圧電基板２との間に、第１の絶縁膜５ａ以外の絶縁膜が設けられていてもよい。該絶縁膜の誘電率も、圧電基板２の誘電率よりも低いことが好ましい。この場合においても、信号の直達波は第１の信号端子４に、より一層伝搬し難い。
　第１の信号端子４の面積よりも、第１のシールド電極６ａの面積の方が大きいことが好ましい。それによって、第１の信号端子４と圧電基板２との間の電磁シールドの効果をより一層高めることができる。
　以下において、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ１の製造方法の例を説明する。
　図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタの製造方法を説明するための略図的平面図である。なお、図１０（ｂ）の斜線部は、図１０（ｂ）に示す工程において形成した電極を示す。
　図１０（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に第１の電極層を形成する。より具体的には、第１のシールド電極６ａ、上記複数のＩＤＴ電極及び上記複数のＩＤＴ電極間を接続する配線を形成する。このとき、信号配線及び接続配線の一部も形成する。第１の電極層は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより形成することができる。
　次に、図１０（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、第１のシールド電極６ａの上面を覆うように、第１の絶縁膜５ａを形成する。第１の絶縁膜５ａは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより形成することができる。
　次に、圧電基板２上、第１の絶縁膜５ａ上及び第１の電極層上に、第２の電極層を形成する。より具体的には、第１，第２の信号端子４，３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ、信号配線８、接続配線９及び複数のＩＤＴ電極間を接続する配線を形成する。第２の電極層は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより形成することができる。
　第１のシールド電極６ａを複数のＩＤＴ電極と同時に設けるため、生産性を高めることができる。
　図１１は、第２の実施形態に係る弾性波フィルタの電極構造を示す略図的平面図である。
　弾性波フィルタ２１においては、第１，第２の信号端子４，３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０の全ての端子が、圧電基板２の上に、シールド電極及び絶縁膜を介して設けられている。上記以外の点では、弾性波フィルタ２１は、第１の実施形態の弾性波フィルタと同様の構成を有する。
　より具体的には、弾性波フィルタ２１は、複数の第２のシールド電極２６ｂ及び複数の第２の絶縁膜２５ｂを有する。圧電基板２上には、破線で示す複数の第２のシールド電極２６ｂが設けられている。各第２のシールド電極２６ｂ上に至るように、圧電基板２上に各第２の絶縁膜２５ｂが積層されている。各第２の絶縁膜２５ｂ上に、第２の信号端子３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０が設けられている。第２のシールド電極２６ｂは、第１のシールド電極６ａと同様の材料からなっていてもよい。第２の絶縁膜２５ｂは、第１の絶縁膜５ａと同様の材料からなっていてもよい。
　特に限定されないが、本実施形態では、複数の第２のシールド電極２６ｂの厚みは、第１のシールド電極６ａの厚みと実質的に同じ厚みである。同様に、複数の第２の絶縁膜２５ｂの厚みと第１の絶縁膜５ａの厚みとは実質的に同じ厚みである。さらに、第１，第２の信号端子４，３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０の各厚みは実質的に同じ厚みである。よって、第１，第２の信号端子４，３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０の、圧電基板２側とは反対側の各面の高さ位置はいずれも実質的に同じ位置である。
　なお、高さ位置とは、第１の絶縁膜５ａなどが積層されている圧電基板２の主面に垂直な方向としての高さ方向における位置である。
　弾性波フィルタ２１は、実装基板に実装されていてもよい。このとき、例えば、第１，第２の信号端子４，３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０の圧電基板２側とは反対側の各面が、バンプを介して実装基板に接合される。ここで、上記各端子の圧電基板２側とは反対側を実装側とする。このとき、上記各端子の実装側の各面の高さ位置がいずれも実質的に同じ位置であるため、上記各端子と実装基板との接合強度を均一にすることができる。
　加えて、本実施形態では、第１，第２の信号端子４，３が、それぞれ第１，第２の絶縁膜５ａ，２５ｂ及び第１，第２のシールド電極６ａ，２６ｂを介して圧電基板２の上に設けられている。それによって、第１，第２のシールド電極６ａ，２６ｂにより、圧電基板２と第１，第２の信号端子４，３との間において、電磁シールドの効果が果たされている。よって、第１の実施形態の効果に加えて、入力端子である第２の信号端子３から圧電基板２への信号の伝搬を抑制することもできる。従って、第１の信号端子４に信号の直達波がより一層伝搬し難い。
　第２の絶縁膜２５ｂの誘電率は、第１の絶縁膜５ａと同様に、圧電基板２の誘電率よりも低いことが好ましい。それによって、信号の直達波が第２の絶縁膜２５ｂに、より一層伝搬し難い。よって、第２の信号端子３から圧電基板２への信号の伝搬をより一層抑制することができる。
　以下において、第２の実施形態に係る弾性波フィルタ２１の製造方法の例を説明する。
　図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２の実施形態に係る弾性波フィルタの製造方法を説明するための略図的平面図である。なお、図１２（ｂ）の斜線部は、図１２（ｂ）に示す工程において形成した電極を示す。
　図１２（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、圧電基板２上に第１の電極層を形成する。ここで、第１の電極層として、複数の第２のシールド電極２６ｂも形成する。
　次に、図１２（ｂ）に示すように、第１，第２の絶縁膜５ａ，２５ｂを形成する。より具体的には、圧電基板２上に、第１のシールド電極６ａの上面を覆うように、第１の絶縁膜５ａを形成する。圧電基板２上に、各第２のシールド電極２６ｂの各上面を覆うように、複数の第２の絶縁膜２５ｂを形成する。次に、第１の実施形態と同様に、第２の電極層を形成する。
　図１３に示す第２の実施形態の変形例のように、端子１０及び複数の第２のグラウンド端子７ｂのうち１つは、第２の絶縁膜２５ｂを除いた部分に設けられていてもよい。このとき、弾性波フィルタ５１の端子１０の実装側の面は、圧電基板２の上に第２のシールド電極２６ｂ及び第２の絶縁膜２５ｂを介して設けられている各端子の実装側の各面よりも、圧電基板２側に位置している。同様に、圧電基板２上に直接設けられている第２のグラウンド端子７ｂの実装側の面も、端子１０以外の各端子の実装側の各面よりも、圧電基板２側に位置している。
　例えば、弾性波フィルタ５１が実装される実装基板には反りが生じている場合がある。このとき、弾性波フィルタ５１の各端子の実装側の各面の高さ位置は、実装基板の反りに対応した位置関係となっている。従って、実装基板の反りに対応させて、各端子と実装基板との接合強度を均一にすることができる。
　なお、図１３に示した第２の実施形態の変形例に限られず、第２の信号端子３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０のうち少なくとも１つの端子が、第２の絶縁膜２５ｂを除いた部分に設けられていてもよい。このように、実装基板の反りに対応させて、各端子の高さ位置を調整することができる。
　本発明は、弾性波フィルタには限られず、デュプレクサにも好適に適用することができる。この例を以下において説明する。
　図１４は、第３の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。
　デュプレクサ３０は、特に限定されないが、Ｂａｎｄ５の通過帯域であるデュプレクサである。より具体的には、デュプレクサ３０の送信帯域は８２４ＭＨｚ以上、８４９ＭＨｚ以下である。デュプレクサ３０の受信帯域は８６９ＭＨｚ以上、８９４ＭＨｚ以下である。
　デュプレクサ３０は、第１の実施形態と同様の構成を有する第１の帯域通過型フィルタ３１ａを有する。第１の帯域通過型フィルタ３１ａはラダー型フィルタであるが、回路構成は特に限定されない。第１の帯域通過型フィルタ３１ａは、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。
　デュプレクサ３０は、第１の帯域通過型フィルタ３１ａとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタ３１ｂを有する。第２の帯域通過型フィルタ３１ｂの回路構成は特に限定されず、図１４では破線の領域により示す。第２の帯域通過型フィルタ３１ｂは、例えば、ラダー型フィルタであってもよく、あるいは、縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。
　デュプレクサ３０は、アンテナに接続されるアンテナ端子３３を有する。第１の帯域通過型フィルタ３１ａと第２の帯域通過型フィルタ３１ｂとは、アンテナ端子３３に共通接続されている。
　本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３１ａは受信フィルタであり、第２の帯域通過型フィルタ３１ｂは送信フィルタである。なお、第１の帯域通過型フィルタ３１ａが送信フィルタであり、第２の帯域通過型フィルタ３１ｂが受信フィルタであってもよい。
　以下において、第３の実施形態及び比較例のデュプレクサを比較することにより、第３の実施形態の効果を説明する。なお、比較例のデュプレクサは、受信フィルタが第１のシールド電極及び第１の絶縁膜を有しない点以外においては、第３の実施形態のデュプレクサ３０と同様の構成を有する。
　図１５は、第３の実施形態及び比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を示す図である。なお、図１５中の領域Ａは、第３の実施形態及び比較例のデュプレクサの送信帯域を示す。領域Ｂは、第３の実施形態及び比較例のデュプレクサの受信帯域を示す。実線は第３の実施形態の結果を示す。破線は比較例の結果を示す。
　図１５に示すように、比較例よりも第３の実施形態の方が、送信帯域において減衰量を大きくすることができている。よって、第３の実施形態のデュプレクサにより、アイソレーション特性を改善し得ることがわかる。
　図１４に戻り、第１の帯域通過型フィルタ３１ａには、第２の帯域通過型フィルタ３１ｂから回り込んだ信号が、第２の信号端子３から流入することがある。本実施形態では、第１の実施形態と同様に、第１のシールド電極が圧電基板と第１の信号端子４との間において電磁シールドの効果を果たしている。よって、上記信号の回り込みが生じた場合においても、信号の直達波が第１の信号端子４に伝搬し難い。従って、デュプレクサ３０のアイソレーション特性を良好にすることができる。
　なお、送信フィルタよりも受信フィルタの方が、上記信号の回り込みが生じることが多い。よって、本実施形態では、アイソレーション特性をより一層良好にすることができる。
　第１の帯域通過型フィルタが図５に示した第１の実施形態の第１の変形例の構成を有する、第３の実施形態の変形例のデュプレクサにおいても、アイソレーション特性を改善することができる。
　図１６（ａ）は、第３の実施形態、第３の実施形態の変形例及び比較例のアイソレーション特性を示す図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の拡大図である。実線は第３の実施形態の結果を示す。破線は変形例の結果を示す。一点鎖線は比較例の結果を示す。
　図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、第３の実施形態の変形例により、アイソレーション特性を改善することができている。さらに、変形例よりも第３の実施形態の方がアイソレーション特性をより一層改善することができている。
　図１４に示したデュプレクサ３０は、第１，第２の帯域通過型フィルタ３１ａ，３１ｂが同一の圧電基板に構成された、１個のチップとして構成されていてもよい。あるいは、デュプレクサ３０は、第１の帯域通過型フィルタ３１ａと第２の帯域通過型フィルタ３１ｂとがそれぞれ別の圧電基板に構成された、複数のチップとして構成されていてもよい。
　デュプレクサ３０は、実装基板に実装されていてもよい。この場合には、アンテナ端子３３は、実装基板上に設けられていてもよい。このとき、第１，第２の帯域通過型フィルタ３１ａ，３１ｂが実装基板に実装された状態において、第１，第２の帯域通過型フィルタ３１ａ，３１ｂがアンテナ端子３３に電気的に接続されていればよい。
　上述したように、本発明の弾性波フィルタは実装基板に実装されていてもよい。よって、本発明は、このような弾性波フィルタモジュールにも好適に適用することができる。この例を、以下において説明する。
　図１７は、第４の実施形態に係る弾性波フィルタモジュールの正面断面図である。
　弾性波フィルタモジュール４０は、実装基板４２を有する。実装基板４２上には、第２の実施形態と同様の構成を有する、弾性波フィルタ２１が実装されている。より具体的には、実装基板４２上には、複数の実装端子４３が設けられている。第１の信号端子４、端子１０及び第２のグラウンド端子７ｂは、バンプ４６を介して各実装端子４３に接合されている。なお、図示されていないが、第２の信号端子及び第１のグラウンド端子も、バンプ４６を介して各実装端子４３に接合されている。
　本実施形態においても、信号の直達波が第１の信号端子４に伝搬し難く、帯域外減衰量を大きくすることができる。
　ここで、第１の絶縁膜５ａの実装基板４２側の面においては、第１の絶縁膜５ａが第１のシールド電極６ａ上に設けられている部分において、平坦度が特に高い。第１の信号端子４においては、第１の絶縁膜５ａの平坦度が高い部分に設けられている部分の平坦度が特に高い。
　弾性波フィルタモジュール４０においては、バンプ４６と第１の信号端子４とが接合している面積よりも、第１のシールド電極６ａの面積の方が大きい。これにより、第１の絶縁膜５ａ及び第１の信号端子４における平坦度が高い部分の面積を大きくすることができる。従って、弾性波フィルタ２１を実装基板４２に実装するに際し、バンプ４６を介して、第１の信号端子４と実装端子４３とをより一層確実に接合することができる。
　図１１に示した第２の信号端子３、第１，第２のグラウンド端子７ａ，７ｂ及び端子１０は、平面視において、各第２のシールド電極２６ｂに重なっている。これらの各端子とバンプ４６とが接合している面積よりも、該端子に重なっている第２のシールド電極２６ｂの面積の方が大きい。よって、バンプを介して、上記各端子と実装端子４３とをより一層確実に接合することができる。
　１…弾性波フィルタ
　２…圧電基板
　３…第２の信号端子
　４…第１の信号端子
　５ａ…第１の絶縁膜
　６ａ…第１のシールド電極
　７ａ，７ｂ…第１，第２のグラウンド端子
　８…信号配線
　９…接続配線
　１０…端子
　２１…弾性波フィルタ
　２５ｂ…第２の絶縁膜
　２６ｂ…第２のシールド電極
　３０…デュプレクサ
　３１ａ，３１ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
　３３…アンテナ端子
　４０…弾性波フィルタモジュール
　４２…実装基板
　４３…実装端子
　４６…バンプ
　５１…弾性波フィルタ
　Ｓ１～Ｓ３…直列腕共振子
　Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子

Claims (18)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極と、
    　前記圧電基板上に設けられている第１のシールド電極と、
    　前記第１のシールド電極上に至るように前記圧電基板上に積層されている第１の絶縁膜と、
    　前記第１の絶縁膜上に設けられている第１の信号端子と、
    　前記圧電基板上に設けられている第２の信号端子と、
    　前記圧電基板上に設けられており、グラウンド電位に接続されるグラウンド端子と、
    を備え、
    　前記第１のシールド電極が、前記ＩＤＴ電極及び前記第１，第２の信号端子と電気的に接続されておらず、
    　平面視において、前記第１の信号端子が前記第１のシールド電極に含まれており、
    　前記第１の信号端子及び前記第２の信号端子のうち一方が出力端子であり、前記第１の信号端子及び前記第２の信号端子のうち他方が入力端子である、弾性波フィルタ。
  2. 　前記グラウンド端子が第１のグラウンド端子を有し、該第１のグラウンド端子に前記第１のシールド電極が接続されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 　前記第１のグラウンド端子以外のグラウンド端子を少なくとも１つ有し、前記第１のグラウンド端子が他の前記グラウンド端子及び前記ＩＤＴ電極に接続されていない、請求項２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 　前記第１の信号端子の面積よりも前記第１のシールド電極の面積の方が大きい、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 　前記第１の絶縁膜の誘電率が、前記圧電基板の誘電率よりも低い、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　前記圧電基板上に設けられている第２のシールド電極と、
    　前記第２のシールド電極上に至るように前記圧電基板上に積層されている第２の絶縁膜と、
    をさらに備え、
    　前記第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち少なくとも１つの端子が設けられており、平面視において、該端子が前記第２のシールド電極に含まれている、前記請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  7. 　前記第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子が設けられている、請求項６に記載の弾性波フィルタ。
  8. 　前記第２のシールド電極を複数有し、前記第２の絶縁膜を複数有し、前記各第２の絶縁膜上に前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子がそれぞれ設けられている、請求項７に記載の弾性波フィルタ。
  9. 　前記第２の絶縁膜を除いた部分に、前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち少なくとも１つの端子が設けられている、請求項６に記載の弾性波フィルタ。
  10. 　前記第１，第２の信号端子及び前記グラウンド端子の前記圧電基板側とは反対側の各面の、高さ位置がいずれも実質的に同じ位置である、請求項８に記載の弾性波フィルタ。
  11. 　前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち前記第２の絶縁膜上に設けられた端子の面積よりも、平面視において該端子と重なり合っている前記第２のシールド電極の面積の方が大きい、請求項６～１０のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  12. 　前記第２の絶縁膜の誘電率が、前記圧電基板の誘電率よりも低い、請求項６～１１のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  13. 　前記第１の信号端子が出力端子であり、前記第２の信号端子が入力端子である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  14. 　請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタである第１の帯域通過型フィルタと、
    　前記第１の帯域通過型フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタと、
    を備える、デュプレクサ。
  15. 　前記第１の帯域通過型フィルタが受信フィルタであり、前記第２の帯域通過型フィルタが送信フィルタである、請求項１４に記載のデュプレクサ。
  16. 　実装基板と、
    　前記実装基板上に実装されている請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    を備える、弾性波フィルタモジュール。
  17. 　前記弾性波フィルタの前記第１の信号端子がバンプを介して前記実装基板に接合されており、
    　前記バンプと前記第１の端子電極とが接合している面積よりも、前記第１のシールド電極の面積の方が大きい、請求項１６に記載の弾性波フィルタモジュール。
  18. 　実装基板と、
    　前記実装基板上に実装されている、請求項６～１３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    を備え、
    　前記弾性波フィルタの前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子がバンプを介して前記実装基板に接合されており、
    　平面視において、前記第２の信号端子及び前記グラウンド端子のうち前記第２のシールド電極に重なっている端子と前記バンプとが接合している面積よりも、該端子に重なっている前記第２のシールド電極の面積の方が大きい、弾性波フィルタモジュール。
PCT/JP2016/074384 2015-11-18 2016-08-22 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール WO2017085976A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017551552A JP6558445B2 (ja) 2015-11-18 2016-08-22 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール
CN201680066414.1A CN108352825B (zh) 2015-11-18 2016-08-22 弹性波滤波器、双工器以及弹性波滤波器模块
US15/963,562 US10340888B2 (en) 2015-11-18 2018-04-26 Elastic wave filter, duplexer, and elastic wave filter module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015225726 2015-11-18
JP2015-225726 2015-11-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/963,562 Continuation US10340888B2 (en) 2015-11-18 2018-04-26 Elastic wave filter, duplexer, and elastic wave filter module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017085976A1 true WO2017085976A1 (ja) 2017-05-26

Family

ID=58718561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/074384 WO2017085976A1 (ja) 2015-11-18 2016-08-22 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10340888B2 (ja)
JP (1) JP6558445B2 (ja)
CN (1) CN108352825B (ja)
WO (1) WO2017085976A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019049823A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ装置
JP2020165880A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ミネベアミツミ株式会社 アブソリュートエンコーダ

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6702438B2 (ja) * 2017-06-30 2020-06-03 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096250A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP2013153289A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法
WO2014167752A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05167387A (ja) 1991-12-12 1993-07-02 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JPH09153758A (ja) * 1995-09-29 1997-06-10 Toshiba Corp 弾性表面波デバイス
US5892415A (en) * 1995-11-20 1999-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated resonator and laminated band pass filter using same
JP2002330055A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Tdk Corp 表面弾性波フィルタ、表面弾性波フィルタ用パッケージ及び表面弾性波フィルタモジュール
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP3864850B2 (ja) * 2001-08-09 2007-01-10 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
JP4525594B2 (ja) * 2003-07-29 2010-08-18 パナソニック株式会社 弾性表面波デバイス
JP4291115B2 (ja) * 2003-11-21 2009-07-08 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた無線装置
JP2006311041A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ共用器
JP2007259430A (ja) 2006-02-24 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器
US7579928B2 (en) * 2006-04-03 2009-08-25 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication device
JP5419617B2 (ja) * 2009-09-28 2014-02-19 太陽誘電株式会社 フィルタ、通信モジュール、および通信装置
WO2014034605A1 (ja) * 2012-08-30 2014-03-06 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP6170349B2 (ja) 2013-06-18 2017-07-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP2015095715A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 日本電波工業株式会社 弾性波フィルタ及び電子部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096250A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP2013153289A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法
WO2014167752A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019049823A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ装置
US11218134B2 (en) 2017-09-07 2022-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device and composite filter device
JP2020165880A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ミネベアミツミ株式会社 アブソリュートエンコーダ
WO2020203199A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ミネベアミツミ株式会社 アブソリュートエンコーダ
JP7295686B2 (ja) 2019-03-29 2023-06-21 ミネベアミツミ株式会社 アブソリュートエンコーダ
US11852511B2 (en) 2019-03-29 2023-12-26 Minebea Mitsumi Inc. Absolute encoder

Also Published As

Publication number Publication date
CN108352825B (zh) 2021-07-13
US20180248537A1 (en) 2018-08-30
CN108352825A (zh) 2018-07-31
JP6558445B2 (ja) 2019-08-14
US10340888B2 (en) 2019-07-02
JPWO2017085976A1 (ja) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9231557B2 (en) Duplexer
KR101913186B1 (ko) 고주파 모듈
US9520859B2 (en) Elastic wave device including a conductive shield electrode and manufacturing method thereof
US10396757B2 (en) Acoustic wave device
JP6651643B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
US10171064B2 (en) Elastic wave device and elastic wave module
JPWO2018235433A1 (ja) 弾性波装置
US11528009B2 (en) Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
JP5991785B2 (ja) 弾性波デバイス
JP6558445B2 (ja) 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール
WO2017090269A1 (ja) フィルタ装置
WO2015025603A1 (ja) 高周波モジュール
US20140118094A1 (en) Acoustic wave filter and module
US20200067490A1 (en) Multiplexer
JP2007274272A (ja) 弾性表面波素子および当該素子を備えた弾性表面波装置
WO2018225621A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP5660223B2 (ja) 分波装置
JP6564448B2 (ja) ＲＦフィルタ回路、減衰が改善されたｒｆフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
JP3912653B2 (ja) 弾性表面波装置
JP2018129630A (ja) 弾性波デバイス
JP2022104846A (ja) 弾性波デバイス
JP3729090B2 (ja) 圧電フィルタ
WO2023189835A1 (ja) 複合フィルタ装置
JP7055503B1 (ja) 弾性波デバイス
WO2023032942A1 (ja) 高周波フィルタおよびマルチプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16865979

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017551552

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16865979

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1