WO2017081959A1 - 形状測定方法及び形状測定装置 - Google Patents
形状測定方法及び形状測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2017081959A1 WO2017081959A1 PCT/JP2016/079594 JP2016079594W WO2017081959A1 WO 2017081959 A1 WO2017081959 A1 WO 2017081959A1 JP 2016079594 W JP2016079594 W JP 2016079594W WO 2017081959 A1 WO2017081959 A1 WO 2017081959A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- support member
- cross
- thickness
- sectional shape
- Prior art date
Links
- QVRBGKYLLCLCHL-UHFFFAOYSA-N CC1C=CC=C1 Chemical compound CC1C=CC=C1 QVRBGKYLLCLCHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9503—Wafer edge inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/60—Analysis of geometric attributes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
貼り合わせ前の前記半導体ウェーハのエッジ部の断面形状及び貼り合わせ前の前記サポート部材のエッジ部の断面形状をそれぞれ個別に測定する第1測定ステップと、
前記貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状を測定する第2測定ステップと、
前記第1測定ステップによる測定結果と、前記第2ステップによる測定結果とを比較することで、前記貼り合わせウェーハにおける前記接着剤の厚みを演算する演算ステップとを備える。
貼り合わせ前の前記半導体ウェーハのエッジ部の断面形状及び貼り合わせ前の前記サポート部材のエッジ部の断面形状をそれぞれ個別に測定する第1測定ステップと、
前記貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状を測定する第2測定ステップと、
前記第1測定ステップによる測定結果と、前記第2ステップによる測定結果とを比較することで、前記貼り合わせウェーハにおける前記接着剤の厚みを演算する演算ステップとを備える。
前記第2測定ステップは、前記貼り合わせウェーハの厚みを前記エッジ部の断面形状を示すパラメータとして測定し、
前記演算ステップは、前記第2測定ステップで測定された前記貼り合わせウェーハの厚みから、前記第1測定ステップで測定された前記半導体ウェーハの厚み及び前記サポート部材の厚みを減じることで、前記接着剤の厚みを算出してもよい。
前記サポート部材のエッジ部は、前記サポート部材の一方の主面と連なる第1平坦部と、前記サポート部材の他方の主面と連なる第2平坦部とを含み、
前記接着剤は、少なくとも前記半導体ウェーハの第2平坦部と前記サポート部材の第1平坦部との間に介在し、
前記半導体ウェーハの厚みは、前記半導体ウェーハの第1平坦部と前記半導体ウェーハの第2平坦部との距離であり、
前記サポート部材の厚みは、前記サポート部材の第1平坦部と前記サポート部材の第2平坦部との距離であり、
前記張り合わせウェーハの厚みは、前記半導体ウェーハの第1平坦部と前記サポート部材の第2平坦部との距離であり、
前記接着剤の厚みは、前記張り合わせウェーハにおいて、前記半導体ウェーハの第2平坦部から前記サポート部材の第1平坦部との距離であってもよい。
Claims (7)
- 半導体ウェーハと、前記半導体ウェーハを補強するサポート部材と、前記半導体ウェーハ及び前記サポート部材を貼り合わせる接着剤とを備える、貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状を測定する形状測定方法であって、
貼り合わせ前の前記半導体ウェーハのエッジ部の断面形状及び貼り合わせ前の前記サポート部材のエッジ部の断面形状をそれぞれ個別に測定する第1測定ステップと、
前記貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状を測定する第2測定ステップと、
前記第1測定ステップによる測定結果と、前記第2ステップによる測定結果とを比較することで、前記貼り合わせウェーハにおける前記接着剤の厚みを演算する演算ステップとを備える形状測定方法。 - 前記半導体ウェーハは、シリコン、ガラス、炭化硅素、サファイア、又は化合物半導体で構成される請求項1に記載の形状測定方法。
- 前記サポート部材は、シリコン、ガラス、炭化硅素、サファイア、又は化合物半導体で構成される請求項1又は2に記載の形状測定方法。
- 前記第1、第2測定ステップは、影絵撮影法、ラインスキャン撮影法、及びマイクロスコープ撮影法のいずれかを用いて前記エッジ部の断面形状を測定する請求項1~3のいずれか1項に記載の形状測定方法。
- 前記第1測定ステップは、前記半導体ウェーハ及び前記サポート部材の厚みを前記エッジ部の断面形状を示すパラメータとして測定し、
前記第2測定ステップは、前記貼り合わせウェーハの厚みを前記エッジ部の断面形状を示すパラメータとして測定し、
前記演算ステップは、前記第2測定ステップで測定された前記貼り合わせウェーハの厚みから、前記第1測定ステップで測定された前記半導体ウェーハの厚み及び前記サポート部材の厚みを減じることで、前記接着剤の厚みを算出する請求項1~4のいずれか1項に記載の形状測定方法。 - 前記半導体ウェーハのエッジ部は、前記半導体ウェーハの一方の主面と連なる第1平坦部と、前記半導体ウェーハの他方の主面と連なる第2平坦部とを含み、
前記サポート部材のエッジ部は、前記サポート部材の一方の主面と連なる第1平坦部と、前記サポート部材の他方の主面と連なる第2平坦部とを含み、
前記接着剤は、少なくとも前記半導体ウェーハの第2平坦部と前記サポート部材の第1平坦部との間に介在し、
前記半導体ウェーハの厚みは、前記半導体ウェーハの第1平坦部と前記半導体ウェーハの第2平坦部との距離であり、
前記サポート部材の厚みは、前記サポート部材の第1平坦部と前記サポート部材の第2平坦部との距離であり、
前記張り合わせウェーハの厚みは、前記半導体ウェーハの第1平坦部と前記サポート部材の第2平坦部との距離であり、
前記接着剤の厚みは、前記張り合わせウェーハにおいて、前記半導体ウェーハの第2平坦部と前記サポート部材の第1平坦部との距離である請求項5記載の形状測定方法。 - 半導体ウェーハと、前記半導体ウェーハを補強するサポート部材と、前記半導体ウェーハ及び前記サポート部材を貼り合わせる接着剤とを備える、貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状を測定する形状測定装置であって、
貼り合わせ前の前記半導体ウェーハのエッジ部の断面形状、貼り合わせ前の前記サポート部材のエッジ部の断面形状、及び前記貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状をそれぞれ測定する測定部と、
貼り合わせ前の前記半導体ウェーハのエッジ部の断面形状の測定結果と、貼り合わせ前の前記サポート部材のエッジ部の断面形状の測定結果と、前記貼り合わせウェーハのエッジ部の断面形状の測定結果とを比較することで、前記貼り合わせウェーハを構成する接着剤の厚みを演算する演算部とを備える形状測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201680065427.7A CN108474650B (zh) | 2015-11-11 | 2016-10-05 | 形状测量方法以及形状测量装置 |
DE112016005152.2T DE112016005152T5 (de) | 2015-11-11 | 2016-10-05 | Formmessverfahren und Formmessvorrichtung |
US15/775,073 US10371503B2 (en) | 2015-11-11 | 2016-10-05 | Shape measurement method and shape measurement device |
KR1020187016001A KR102031141B1 (ko) | 2015-11-11 | 2016-10-05 | 형상 측정 방법 및 형상 측정 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015221281A JP6420225B2 (ja) | 2015-11-11 | 2015-11-11 | 形状測定方法及び形状測定装置 |
JP2015-221281 | 2015-11-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2017081959A1 true WO2017081959A1 (ja) | 2017-05-18 |
Family
ID=58695082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/079594 WO2017081959A1 (ja) | 2015-11-11 | 2016-10-05 | 形状測定方法及び形状測定装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10371503B2 (ja) |
JP (1) | JP6420225B2 (ja) |
KR (1) | KR102031141B1 (ja) |
CN (1) | CN108474650B (ja) |
DE (1) | DE112016005152T5 (ja) |
TW (1) | TWI629736B (ja) |
WO (1) | WO2017081959A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107966741A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 欧姆龙株式会社 | 对射型光电传感器和目标检测系统 |
CN112967943B (zh) * | 2020-11-05 | 2022-03-25 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种暂态基板上led芯片的压合深度检测方法及暂态基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009156686A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kobelco Kaken:Kk | 形状測定装置,形状測定方法 |
JP2013137295A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Kobe Steel Ltd | 貼合基板の回転ズレ量計測装置、貼合基板の回転ズレ量計測方法、及び貼合基板の製造方法 |
JP2014500952A (ja) * | 2010-11-12 | 2014-01-16 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003065724A (ja) | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ftir法による膜厚測定方法および半導体ウェーハの製造方法 |
JP3699949B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2005-09-28 | 株式会社東芝 | パターン計測方法、このパターン計測方法を用いる半導体装置の製造方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにパターン計測装置 |
GB0611156D0 (en) * | 2006-06-07 | 2006-07-19 | Qinetiq Ltd | Optical inspection |
JP2011242366A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置における膜厚測定方法 |
US20120202300A1 (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Texas Instruments Incorporated | Die bonder including automatic bond line thickness measurement |
US20120313190A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Packaged device including interposer for increased adhesive thickness and method of attaching die to substrate |
US20130011941A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | ASM Technology Singapore Pte, Ltd. | Bond line thickness control for die attachment |
-
2015
- 2015-11-11 JP JP2015221281A patent/JP6420225B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-05 WO PCT/JP2016/079594 patent/WO2017081959A1/ja active Application Filing
- 2016-10-05 DE DE112016005152.2T patent/DE112016005152T5/de active Pending
- 2016-10-05 US US15/775,073 patent/US10371503B2/en active Active
- 2016-10-05 KR KR1020187016001A patent/KR102031141B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-05 CN CN201680065427.7A patent/CN108474650B/zh active Active
- 2016-10-13 TW TW105133075A patent/TWI629736B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009156686A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kobelco Kaken:Kk | 形状測定装置,形状測定方法 |
JP2014500952A (ja) * | 2010-11-12 | 2014-01-16 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法 |
JP2013137295A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Kobe Steel Ltd | 貼合基板の回転ズレ量計測装置、貼合基板の回転ズレ量計測方法、及び貼合基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112016005152T5 (de) | 2018-07-26 |
US20180321027A1 (en) | 2018-11-08 |
JP6420225B2 (ja) | 2018-11-07 |
KR20180083878A (ko) | 2018-07-23 |
KR102031141B1 (ko) | 2019-10-11 |
TWI629736B (zh) | 2018-07-11 |
CN108474650B (zh) | 2020-03-17 |
JP2017090272A (ja) | 2017-05-25 |
CN108474650A (zh) | 2018-08-31 |
TW201727792A (zh) | 2017-08-01 |
US10371503B2 (en) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110567970B (zh) | 一种边缘缺陷检测装置及方法 | |
US10222199B2 (en) | Displacement sensor, displacement detection apparatus, and displacement detection method | |
EP3683542B1 (en) | Distance measuring module | |
JP6487617B2 (ja) | マイクロレンズアレイの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
JP6420225B2 (ja) | 形状測定方法及び形状測定装置 | |
JPWO2013065796A1 (ja) | 観察装置 | |
JP6387381B2 (ja) | オートフォーカスシステム、方法及び画像検査装置 | |
KR101875467B1 (ko) | 3차원 형상 측정 장치 및 측정 방법 | |
JP2016148569A (ja) | 画像測定方法、及び画像測定装置 | |
JP2014238299A (ja) | 被検物の計測装置、算出装置、計測方法および物品の製造方法 | |
TW201425863A (zh) | 曲率量測系統及其方法 | |
JP6362058B2 (ja) | 被検物の計測装置および物品の製造方法 | |
US20210310799A1 (en) | Apparatus, measurement system and method for capturing an at least partially reflective surface using two reflection patterns | |
TW201131138A (en) | Surface measure device, surface measure method thereof and correction method thereof | |
US8994957B2 (en) | Detection method and detection apparatus | |
JP2015203727A (ja) | 撮像装置および撮像方法 | |
KR20150021346A (ko) | 3차원 형상 측정기 | |
JP2013122393A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
WO2019216364A1 (ja) | 光学装置及び光音響顕微鏡 | |
US10838188B2 (en) | Optical tweezers device | |
KR101391837B1 (ko) | 웨이퍼의 워프(Warp) 인스펙션 장치 | |
JP2019120570A (ja) | 蛍光測定装置および蛍光測定方法 | |
KR20180053125A (ko) | 3차원 형상 측정 장치 및 측정 방법 | |
JP2006189390A (ja) | 光学式変位測定方法および装置 | |
JP2009156671A (ja) | 光線方向計測装置及び表面性状計測装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 16863923 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 15775073 Country of ref document: US |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 112016005152 Country of ref document: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20187016001 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 1020187016001 Country of ref document: KR |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 16863923 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |