CN112967943B - 一种暂态基板上led芯片的压合深度检测方法及暂态基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法及暂态基板，其中，所述暂态基板包括第一胶层和第一显色层；所述检测方法包括：提供一带有标识层的LED芯片；将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上；若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值。在将LED芯片压合到暂态基板上时，通过直接观察第一显色层的颜色变化，可以直观地检测到LED芯片的压合深度是否超标，检测结果容易确定，方便即使调整LED芯片的压合深度，避免压入过深。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法及暂态基板。
背景技术
目前，在半导体行业中，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)芯片的使用广泛，随着技术的进步，近年来mini LED技术、Micro LED技术等新型技术的产生更是推进了显示面板行业的快速发展，通常显示面板的制成都是将已经在生长基板上制成好的LED芯片通过巨量转移的方法转移到背板上，在转移过程中为了调节相邻LED芯片的间距，通常先将LED芯片转移到暂态基板上调整好间距之后，再转移到背板上。
但是。在转移LED芯片到暂态基板上时，通常是通过压合LED芯片到暂态基板的胶材上，而压入过程深度不易检测，对LED芯片的固定以及后续从暂态基板上的的剥离造成不便。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法及暂态基板，旨在解决LED芯片在压合到暂态基板上的过程中压入深度不容易检测的问题。
本发明的技术方案如下：
一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述暂态基板包括第一胶层和第一显色层；所述检测方法包括：
提供一带有标识层的LED芯片；
将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上；
若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值。
在将LED芯片压合到暂态基板上时，通过直接观察第一显色层的颜色变化，直观地检测LED芯片的压合深度是否超标，检测结果容易确定，方便即使调整LED芯片的压合深度，避免压入过深。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述提供一带有标识层的LED芯片，具体包括：
在生长基板上依次生长LED外延片和电极，获得初始LED芯片；
在所述初始LED芯片的所述电极上生长标识层，获得带有标识层的LED芯片。
在LED芯片的电极上设置标识层，容易操作，而且电极最先与暂态基板接触，电极的插入深度就是LED芯片的插入深度，所以将标识层在检测时检测灵敏度较高，及时提醒的效果好。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述第一胶层的厚度值等于所述第一厚度值。在检测过程中，只要发现第一显色层颜色变化了，即说明LED芯片穿透了第一胶层，也就是压合深度超过了预先设定的第一厚度值，检测过程快速简便。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上之后，还包括：
若所述第一显色层未产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度未超过第一厚度值。
压合过程中如果第一显色层一直没有发生颜色变化，则说明压入深度未超过预设的要求，可以立即进行后续步骤，在压合的过程中同步检测，节约时间，方便制成流程的迅速进行。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述暂态基板还包括第二显色层，所述第二显色层设置于所述第一显色层背离所述第一胶层的一侧，还包括：
若所述第二显色层产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度超过第二厚度值。
在LED芯片压合的过程中如果第二显色层颜色变化了，说明LED芯片已经穿过了第一显色层，则可以通过人眼确定出LED芯片压合深度超标，必须马上停止，防止人眼观察不到的情况下LED芯片穿透第一显色层后依然下压，减少造成LED芯片的损伤。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值之后，还包括：
若所述标识层没有与所述第二显色层接触，所述第二显色层未产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度未超过第二厚度值。
检测过程中如果观察到第一显色层颜色变化，而第二显色层颜色未改变，则操作人员可以通过这一视觉信息直观地确定LED芯片压入深度小于第二厚度值，尚处于可接受范围，可以继续进行后续转移步骤，不用经过其他检测步骤，节省时间。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述第一显色层接触所述标识层后的颜色与所述第二显色层接触所述标识层后的颜色不同。检测过程中都是通过颜色确定LED芯片压入到什么位置的，所以第一显色层与第二显色层需要通过不同颜色变化来区分开，防止误判。
所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其中，所述第一胶层与所述第一显色层的厚度值之和等于所述第二厚度值。这样，第一显色层和第二显色层是否有颜色变化都是确定LED芯片压入深度的确定依据，可以及时反馈警示信息给操作人员。
本申请还公开了一种暂态基板，用于LED芯片转移，其中，所述LED芯片包括标识层，所述暂态基板包括基底和依次设于所述基底上的第二胶层、第二显色层、第一显色层和第一胶层；将所述LED芯片压合在所述暂态基板上时，执行如上任一所述的检测方法。在基底上设置第一显色层和第二显色层，使暂态基板在粘接固定LED芯片的同时可以检测LED芯片的压合深度，防止LED芯片插入太深，减少LED芯片与第一胶层、第二胶层或基底的摩擦，保护LED芯片。
所述的暂态基板，其中，所述标识层为碱性金属氧化物层或碱性有机物层；所述第一显色层为带有石蕊指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层为带有酚酞指示剂的微孔树脂层；或者，所述第一显色层为带有酚酞指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层为带有石蕊指示剂的微孔树脂层。石蕊与碱性物质反应变蓝，酚酞与碱性物质反应变红，使用这两种指示剂可以清晰、敏感、准确地反应出LED芯片的压合深度，检测迅速，效果明显。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法的流程图；
图2为本发明中的生长基板和LED芯片的结构示意图；
图3为本发明中的LED芯片与暂态基板压合前的装配图；
图4为本发明中的LED芯片与暂态基板压合后的装配图；
图5为本发明中暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法的另一流程图；
图6为本发明中暂态基板的结构示意图。
其中，10、暂态基板；11、第一胶层；12、第二胶层；13、第一显色层；14、第二显色层；15、基底；20、LED芯片；21、LED外延片；22、电极；23、标识层；30、生长基板。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术中，在显示面板的制作过程中，往往会涉及到LED芯片的巨量转移。LED芯片的制成是在生长基板上完成的，而在将生长基板上的芯片转移到显示面板的背板上的过程中，为了调节相邻芯片间的间距，提高芯片利用效率，需要将生长基板上形成的芯片，通过一系列的方式转移至暂态基板上，然后再从暂态基板上转移至背板。
暂态基板上一般会形成胶材层，然后将LED芯片电极通过压合的方式压入胶材中，但是目前电极压入胶材中的深度测量困难，若电极压入胶材深度太深，会使得后续转移过程中，芯片无法从胶材中有效剥离，也容易损伤芯片；而若压入胶材深度太浅，可能会芯片无法有效固定在胶材之中，在转移过程中容易脱落。
参阅图1，本发明申请的一实施例公开了一种暂态基板10上LED芯片20的压合深度检测方法，其中，所述暂态基板10包括第一胶层11和第一显色层13；所述检测方法包括步骤：
S100、提供一带有标识层23的LED芯片20；
S200、将所述LED芯片20从所述第一胶层11背离所述第一显色层13的一侧压合到所述暂态基板10上；
S300、若所述LED芯片20压合时穿透所述第一胶层11，且所述第一显色层13在与所述标识层23接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片20在所述暂态基板10上的压合深度超过第一厚度值。
本申请公开的LED芯片20转移时，如图2所示，先将生长基板30上的LED芯片20上先设置标识层23，然后如图3所示，在LED芯片20压合到暂态基板10的过程中，先与第一胶层11接触，粘接在第一胶层11上，一般为了防止转移过程中LED芯片20松动，会设置稍大的压合压力，如果压入深度过大，如图4所示，压合深度超过第一厚度值之后，LED芯片20就会接触到第一显色层13，当标识层23与第一显色层13接触发生显色反应之后，第一显色层13上产生颜色变化，可以立即通过人眼观察到，从而及时检测出LED芯片20压入深度过大，继而可以提醒操作人员及时调整压合的压力、时间等，避免因LED芯片20压入深度异常而导致的后续制程的失败。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述步骤S100具体包括：
S101、在生长基板30上依次生长LED外延片21和电极22，获得初始LED芯片20；
S102、在所述初始LED芯片20的所述电极22上生长标识层23，获得带有标识层23的LED芯片20。
如图2和图3所示，将标识层23设置在LED芯片20的电极22上，可以在生长基板30上制成完成LED芯片20的常规结构后，直接在最上层的电极22层上继续生长标识层23，操作方便；生长基板30可以是蓝宝石、砷化镓等等材质的基板，在LED芯片20转移的过程中，设置电极22的一侧最先与暂态基板10接触，所以标识层23处于电极22与暂态基板10之间，电极22的插入深度就是标识层23在第一胶层11内的插入深度，当标识层23与第一显色层13接触时，电极22也穿透了第一胶层11，此时即可以警示操作人员，也就是说，将标识层23设置在电极22上，在检测时检测灵敏度较高，可以及时提醒操作人员停止压合，警示效果好。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述第一胶层11的厚度值等于所述第一厚度值。在检测过程中，只要发现第一显色层13颜色变化了，即说明LED芯片20穿透了第一胶层11，也就是压合深度超过了预先设置的第一厚度值，检测过程快速简便。
如图5所示，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述步骤S200之后，还包括：
S400、若所述第一显色层13未产生颜色变化，则确定所述LED芯片20的压合深度未超过第一厚度值。
在压合过程中如果第一显色层13一直没有发生颜色变化，则说明压入深度未超过预设的要求，可以立即进行后续步骤，在压合的过程中同步检测，节约时间，方便制成流程的迅速进行。
如图5所示，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述暂态基板10还包括第二显色层14，所述第二显色层14设置于所述第一显色层13背离所述第一胶层11的一侧，还包括：
S500、若所述第二显色层14产生颜色变化，则确定所述LED芯片20的压合深度超过第二厚度值。
在LED芯片20压合的过程中如果第二显色层14颜色变化了，说明LED芯片20已经穿过了第一显色层13，则可以通过人眼确定出LED芯片20压合深度超标，必须马上停止，防止人眼观察不到的情况下LED芯片20穿透第一显色层13后依然下压，减少造成LED芯片20的损伤。
如图5所示，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述步骤S300之后，还包括：
S600、若所述标识层23没有与所述第二显色层14接触，所述第二显色层14未产生颜色变化，则确定所述LED芯片20的压合深度未超过第二厚度值。
检测过程中如果观察到第一显色层13颜色变化，而第二显色层14颜色未改变，则操作人员可以通过这一视觉信息直观地确定LED芯片20压入深度小于第二厚度值，尚处于可接受范围，可以继续进行后续转移步骤，不用经过其他检测或者修正步骤，节省时间。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述第一显色层13接触所述标识层23后的颜色与所述第二显色层14接触所述标识层23后的颜色不同。由于在检测过程中操作人员都是通过颜色确定LED芯片20压入到什么位置的，所以第一显色层13与第二显色层14需要通过不同颜色变化来区分开，防止发生误判。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述第一胶层11与所述第一显色层13的厚度值之和等于所述第二厚度值。这样，第一显色层13和第二显色层14是否有颜色变化都是确定LED芯片20压入深度的确定依据，可以及时反馈警示信息给操作人员。当第一显色层13未变色时，可视为压入深度符合要求；当第一显色层13变色而第二显色层14未变色时，可视为压入深度尚处于可接受范围；当第二显色层14变色时，说明压入深度过大，需要停止。
另外，在完成压合之后，通过激光剥离技术(LLO)即可将LED芯片20从生长基板30上剥离，然后再对第一胶层11进行解粘过程，将芯片从暂态基板10转移至背板上。
参阅图6，作为本申请的另一实施例，公开了一种暂态基板10，用于LED芯片20转移，其中，所述LED芯片20包括标识层23，所述暂态基板10包括基底15和依次设于所述基底15上的第二胶层12、第二显色层14、第一显色层13和第一胶层11；将所述LED芯片20压合在所述暂态基板10上时，执行如上任一所述的检测方法。在基底15上设置第二胶层12，粘附第二显色层14，当芯片压入过深时，也可以对LED芯片20进行固定，并减少LED芯片20与基底15接触；设置第一显色层13和第二显色层14使暂态基板10在粘接固定LED芯片20的同时可以检测LED芯片20的压合深度，将LED芯片20的压合深度及时反馈给操作人员，防止LED芯片20插入太深，减少LED芯片20与第一胶层11、第二胶层12或基底15的摩擦，保护LED芯片20。
进一步的，本实施例中涉及的暂态基板10上的第二胶层12、第二显色层14、第一显色层13和第一胶层11可以通过涂覆的方式依次形成在基底15上。
进一步的，本实施例中涉及的第一显色层13和第二显色层14可以是带有指示剂(石蕊或者酚酞)的微孔树脂层，指示剂液滴吸附在微孔树脂的微孔内。第一显色层13和第二显色层14由于使用同种材料，所以可以先形成第一显色层13和第二显色层14的符合型胶层之后再整体贴附于第二胶层12上。
进一步的，本实施例中的第一胶层11和第二胶层12都是主要起粘附固定芯片的作用，所以可以使用同种材料制成，可以节省材料。当然，为了方便区分，也可以使用不同材料制成。具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述标识层23为碱性金属氧化物层(比如氧化钙、氧化镁等)或碱性有机物层；如果使用碱性金属氧化物层可以通过蒸镀的方法形成标识层23，如果使用碱性有机物层可以通过涂覆形成标识层23；所述第一显色层13为带有石蕊指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层14为带有酚酞指示剂的微孔树脂层；或者，所述第一显色层13为带有酚酞指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层14为带有石蕊指示剂的微孔树脂层。
石蕊是一种常用的酸碱指示剂，变色范围是pH＝4.5-8.3之间。是一种弱的有机酸，在酸碱溶液的不同作用下，发生共轭结构的改变而变色。石蕊与碱性物质反应变蓝；酚酞在酸性和中性环境中为无色，与碱性物质反应变红，所以根据这两种指示剂的物理特性，可以清晰、敏感、准确地反应出LED芯片20的压合深度，迅速完成检测，而且效果明显。
需要说明的是，作为本发明的另一实施例，也可设置所述标识层23上吸附有指示剂液滴，第一胶层13和第二胶层14内分散显色物质，比如，在标识层23上吸附石蕊指示剂，在第一胶层13和第二胶层14内分别分散酸性物质和碱性物质，也可以实现当标识层23与第一胶层13和第二胶层14接触时产生显色反应，并显示不同颜色，完成检测。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述暂态基板包括第一胶层和第一显色层；所述检测方法包括：
提供一带有标识层的LED芯片；
将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上；
若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值。
2.根据权利要求1所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述提供一带有标识层的LED芯片，具体包括：
在生长基板上依次生长LED外延片和电极，获得初始LED芯片；
在所述初始LED芯片的所述电极上生长标识层，获得带有标识层的LED芯片。
3.根据权利要求1所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述第一胶层的厚度值等于所述第一厚度值。
4.根据权利要求1所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上之后，还包括：
若所述第一显色层未产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度未超过第一厚度值。
5.根据权利要求1所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述暂态基板还包括第二显色层，所述第二显色层设置于所述第一显色层背离所述第一胶层的一侧，还包括：
若所述第二显色层产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度超过第二厚度值。
6.根据权利要求5所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值之后，还包括：
若所述标识层没有与所述第二显色层接触，所述第二显色层未产生颜色变化，则确定所述LED芯片的压合深度未超过第二厚度值。
7.根据权利要求5或6所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述第一显色层接触所述标识层后的颜色与所述第二显色层接触所述标识层后的颜色不同。
8.根据权利要求5或6所述的暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法，其特征在于，所述第一胶层与所述第一显色层的厚度值之和等于所述第二厚度值。
9.一种暂态基板，用于LED芯片转移，其特征在于，所述LED芯片包括标识层，所述暂态基板包括基底和依次设于所述基底上的第二胶层、第二显色层、第一显色层和第一胶层；将所述LED芯片压合在所述暂态基板上时，执行如权利要求1-8任意一项所述的检测方法。
10.根据权利要求9所述的暂态基板，其特征在于，所述标识层为碱性金属氧化物层或碱性有机物层；
所述第一显色层为带有石蕊指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层为带有酚酞指示剂的微孔树脂层；或者，所述第一显色层为带有酚酞指示剂的微孔树脂层，所述第二显色层为带有石蕊指示剂的微孔树脂层。
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