TW201727792A - 形狀測定方法及形狀測定裝置 - Google Patents

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Abstract

測定部(100)，測定半導體晶圓(10)的邊緣部(300)的截面形狀(S201)。測定部(100)，測定支撐構件(20)的邊緣部(300)的截面形狀(S203)。測定部(100)，測定貼合晶圓(30)的邊緣部(400)的截面形狀(S205)。分析部(220)，從貼合晶圓的厚度(t4)減去半導體晶圓(10)的厚度(t1)及支撐構件(20)的厚度(t2)，藉此算出接著劑(40)的厚度(t3)(S207)。

Description

形狀測定方法及形狀測定裝置
本發明有關測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀之形狀測定方法及形狀測定裝置，該貼合晶圓具備半導體晶圓、及補強前述半導體晶圓之支撐構件、及將前述半導體晶圓及前述支撐構件貼合之接著劑。
就貼合晶圓之膜厚測定的代表性測定手段而言，基於FTIR(Fourier Transform Infrared；傅立葉轉換紅外光譜)法之膜厚測定方法係為周知(專利文獻1)。專利文獻1所示之FTIR測定裝置，具備：可照射紅外線之紅外線光源1、使入射的光的一部分穿透而另一方面將其餘予以反射以將光分解成2道之光束分離器2、可於光軸方向移動之掃描鏡3、固定鏡4、及檢測器5。又，FTIR測定裝置，以檢測器5測定當將紅外線照射至晶圓時的反射光，藉此檢測干涉譜(interferogram)，並由檢測出的干涉譜來算出膜厚。
不過，貼合晶圓的邊緣部並非平坦而是具有有角度變化之形狀。因此，當將上述的FTIR測定裝置運用於貼合 晶圓的邊緣部的厚度之測定的情形下，會有檢測不出干涉譜，而無法正確地求取構成貼合晶圓之接著劑的厚度這樣的問題。
除此之外，就測定貼合晶圓的邊緣部的接著劑的厚度之方法而言，可舉出將貼合晶圓切斷而觀測截面之方法。但，此方法為破壞檢查，晶圓的加工需要許多時間，因此有產率降低這樣的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-65724號公報
本發明之目的，在於提供一種正確地測定構成貼合晶圓之接著劑的厚度之技術。
依本發明一態樣之形狀測定方法，係一種測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀之形狀測定方法，該貼合晶圓具備半導體晶圓、及補強前述半導體晶圓之支撐構件、及將前述半導體晶圓及前述支撐構件貼合之接著劑，該形狀測定方法，具備：第1測定步驟，分別個別地測定貼合前之前述半導體晶圓的邊緣部的截面形狀及貼合前之前述支撐構件的邊緣部的截面形狀；及第2測定步驟，測定前述貼合晶圓的邊緣部的截面形狀；及 演算步驟，將基於前述第1測定步驟之測定結果、與基於前述第2步驟之測定結果予以比較，藉此演算前述貼合晶圓中的前述接著劑的厚度。
按照本發明，能夠正確地測定貼合晶圓的接著劑的厚度。
10‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧光源
12‧‧‧針孔
20‧‧‧支撐構件
30‧‧‧貼合晶圓
31‧‧‧遠心透鏡
31a‧‧‧第1透鏡
31b‧‧‧第2透鏡
31c‧‧‧光圈
32‧‧‧拍攝部
40‧‧‧接著劑
100‧‧‧測定部
101‧‧‧點光源
200‧‧‧演算部
201‧‧‧準直透鏡
210‧‧‧截面形狀算出部
220‧‧‧分析部
300‧‧‧邊緣部
301‧‧‧拍攝光學系統
310‧‧‧第1平坦部
320‧‧‧第1傾斜部
330‧‧‧先端部
340‧‧‧第2傾斜部
350‧‧‧第2平坦部
400‧‧‧貼合晶圓30的邊緣部
501‧‧‧線型感測器
502‧‧‧掃描機構
600‧‧‧顯微鏡
601‧‧‧顯示部
D100、D600‧‧‧測定物體X的切線方向
D300‧‧‧半導體晶圓10的徑方向
D501‧‧‧副掃描方向
D502‧‧‧主掃描方向
L1、L600‧‧‧光軸
LF‧‧‧平行光
t1‧‧‧半導體晶圓10的厚度
t2‧‧‧支撐構件20的厚度
t3‧‧‧接著劑40的厚度
t4‧‧‧貼合晶圓30的厚度
X‧‧‧測定物體
[圖1]依本實施形態之形狀測定裝置的全體構成之一例示意圖。
[圖2]本實施形態中的形狀測定裝置的處理之一例示意流程圖。
[圖3]半導體晶圓及支撐構件的邊緣部擴大示意圖。
[圖4]貼合晶圓的邊緣部擴大示意圖。
[圖5]以線掃描測定法測定測定物體X的邊緣部的截面形狀之測定部的構成之一例示意圖。
[圖6]以顯微鏡測定法測定測定物體X的邊緣部的截面形狀之測定部的構成之一例示意圖。
圖1為依本實施形態之形狀測定裝置的全體構成之一例示意圖。依本實施形態之形狀測定裝置，為測定圓盤狀的測定物體X的邊緣部的截面形狀之裝置。以下說明中，係假設測定物體X為圓盤狀來說明，但此僅是一例，主面的形狀亦可為圓形以外的形狀(例如四角形)。
作為測定物體X，係採用半導體晶圓、支撐構件、及貼合晶圓。半導體晶圓，例如由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成。作為化合物半導體，例如砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)屬之。
支撐構件，為補強半導體晶圓之構件，例如由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成。
貼合晶圓，具備半導體晶圓、及支撐構件、及將半導體晶圓及支撐構件貼合之接著劑。
依本實施形態之形狀測定裝置，具備測定部100及演算部200。測定部100，具備點光源101、及作為點光源101的平行光學系統之準直透鏡201、及拍攝光學系統301。點光源101，具備光源11及針孔12。光源11，例如由白色LED(發光二極體)所構成，朝向測定物體X照射光。針孔12，位於準直透鏡201的焦點位置，例如由Φ(直徑)100~200μm程度的孔所構成。
從光源11照射的光，藉由通過針孔12而光束徑被擴大。藉由針孔12而被擴大的光，係藉由準直透鏡201而被塑成平行光LF(平行光束)。平行光LF的光軸L1，與測定物體X的切線方向D100平行。切線方向D100，為與測定物體X的徑方向正交之方向。
圖1例子中，光軸L1與測定物體X的外周(邊緣)相接。但，此僅是一例，光軸L1，只要是平行光LF的一部分會被測定物體X的截面所遮蔽之方向，則任何方向均可採用。
拍攝光學系統301，具備遠心(telecentric)透鏡31、及拍攝部32。遠心透鏡31，朝向拍攝部32照射平行光LF。拍攝部32，例如由二維的CMOS感測器或CCD感測器所構成，拍攝由通過了遠心透鏡31的光所造成之測定物體X的邊緣部的影像(剪影)。
遠心透鏡31，例如採用兩側遠心構造的遠心透鏡，具備第1透鏡31a、光圈31c、及第2透鏡31b。第1、第2透鏡31a、31b，係被排列使得第1透鏡31a的後側焦點與第2透鏡31b的前側焦點一致。光圈31c，例如由可變光圈所構成，配置於第1、第2透鏡31a，31b的焦點位置。
遠心透鏡31，其物體側(測定物體X側)、像側(拍攝部32側)均是主光線對於光軸L1平行，僅讓通過了測定物體X的光當中之平行光(包含極度趨近於平行的光)通過。
圖1例子中，準直透鏡201與第1透鏡31a之間隔，例如被設定為200mm程度。測定物體X，配置於平行光LF之中。此外，圖1例子中，第1、第2透鏡31a、31b分別以1片透鏡所構成，但此僅是一例。第1、第2透鏡31a、31b，亦可分別以由2片以上的透鏡所成之透鏡群所構成。
演算部200，例如由具備CPU、ROM、及RAM之電腦所構成，具備截面形狀算出部210及分析部220。截面形狀算出部210及分析部220，例如是藉由CPU執行控制 程式來實現。但，此僅是一例，截面形狀算出部210及分析部220，亦可分別由專用的硬體電路(ASIC(application specific integrated circuit；特定應用積體電路)或FPGA(field programmable gate array；現場可程式閘陣列))所構成。
截面形狀算出部210，由測定部100測定出的半導體晶圓之測定結果，算出示意半導體晶圓的邊緣部的截面形狀之參數。此處，半導體晶圓的測定結果，為拍攝部32拍攝之半導體晶圓的邊緣部的影像(剪影)。截面形狀算出部210，由示意拍攝部32拍攝出的半導體晶圓的邊緣部的影像之圖像資料，抽出半導體晶圓的厚度，並將抽出的厚度算出作為示意半導體晶圓的邊緣部的截面形狀之參數。具體而言，截面形狀算出部210，只要對拍攝部32拍攝出的圖像資料所揭示之半導體晶圓的厚度乘上規定的係數，藉此算出半導體晶圓的實際厚度即可。此處，作為規定的係數，能夠採用用來將拍攝部32拍攝出的圖像資料的單位長換算成實際長度之係數。
圖3為半導體晶圓10及支撐構件20的邊緣部300擴大示意圖。以下，僅著眼於半導體晶圓10，針對邊緣部300說明之。邊緣部300，為包含半導體晶圓10的外周及外周鄰近之區域。邊緣部300，具備第1平坦部310、第1傾斜部320、先端部330、第2傾斜部340、及第2平坦部350。第1平坦部310，為與半導體晶圓10的徑方向D300平行之平面，且為和半導體晶圓10的一方之主面 (例如表面)接連之平面。此處，所謂徑方向D300，係指以半導體晶圓10的中心為基準，沿著半導體晶圓10的半徑之方向。
第2平坦部350，為與徑方向D300平行之平面，且為和半導體晶圓10的另一方之主面(例如背面)接連之平面。第1、第2傾斜部320、340，為於剖視時，以厚度朝向徑方向D300而減少這樣的角度傾斜之面。先端部330，為將第1傾斜部320與第2傾斜部340聯繋之面。圖3例子中，先端部330，於剖視時係與徑方向D300正交，但此僅是一例。例如，先端部330，亦可具有於剖視時朝半導體晶圓10的徑方向D300的外側突出之彎曲形狀，亦可具有對徑方向D300而言傾斜之形狀。
回頭參照圖1，截面形狀算出部210，係算出半導體晶圓10中第1平坦部310及第2平坦部350間之距離以作為半導體晶圓10的厚度t1。另，截面形狀算出部210，對於支撐構件20亦如同半導體晶圓10般算出厚度t2。又，截面形狀算出部210，如同半導體晶圓10般算出貼合晶圓30的厚度t4(參照圖4)。
分析部220，將貼合前之半導體晶圓10的邊緣部300的截面形狀的測定結果、與貼合前之支撐構件20的邊緣部300的截面形狀的測定結果、與貼合晶圓30的邊緣部400的截面形狀的測定結果予以比較，藉此演算構成貼合晶圓之接著劑的厚度。
圖4為貼合晶圓30的邊緣部400擴大示意圖。邊緣 部400，為包含貼合晶圓30的外周及外周鄰近之區域。貼合晶圓30，係半導體晶圓10、接著劑40、支撐構件20依序層積。接著劑40係由使半導體晶圓10及支撐構件20接著之材料所構成。
邊緣部400的截面形狀，係由半導體晶圓10的第1平坦部310、第1傾斜部320、及先端部330，與支撐構件20的先端部330、第2傾斜部340、及第2平坦部350，與接著劑40的外周所構成。接著劑40，存在於半導體晶圓10的第2傾斜部340與支撐構件20的第1傾斜部320之間的扇狀區域。因此，接著劑40的外周係藉由位於此扇狀區域內的接著劑40所構成。此外，接著劑40，係以使得半導體晶圓10的第2平坦部350與支撐構件20的第1平坦部310成為平行之方式，介於半導體晶圓10的第2平坦部350與支撐構件20的第1平坦部310之間。
分析部220，從藉由截面形狀算出部210算出的貼合晶圓30的厚度t4，減去藉由截面形狀算出部210算出的半導體晶圓10的厚度t1及支撐構件20的厚度t2，藉此算出接著劑40的厚度t3。
此處，貼合晶圓30的厚度t4，係指貼合晶圓30中從半導體晶圓10的第1平坦部310至支撐構件20的第2平坦部350之距離。此外，接著劑40的厚度t3，係指貼合晶圓30中從半導體晶圓10的第2平坦部350至支撐構件20的第1平坦部310之距離。
接著，說明本實施形態中的形狀測定裝置的處理。圖2為本實施形態中的形狀測定裝置的處理之一例示意流程圖。首先，測定部100，測定半導體晶圓10的邊緣部300的截面形狀(S201)。
此處，拍攝部32拍攝藉由光源11朝向半導體晶圓10的外周的切線方向照射光而形成之半導體晶圓10的邊緣部300的影像，藉此測定半導體晶圓10的邊緣部300的截面形狀。
接著，截面形狀算出部210，由S201中的測定結果算出半導體晶圓10的厚度t1(S202)。
接著，測定部100，測定支撐構件20的邊緣部300的截面形狀(S203)。此處，如同半導體晶圓10的情形般，拍攝部32拍攝支撐構件20的影像，藉此測定支撐構件20的邊緣部300的截面形狀。
接著，截面形狀算出部210，由S203中的測定結果算出支撐構件20的厚度t2(S204)。
接著，測定部100，測定貼合晶圓30的邊緣部400的截面形狀(S205)。此處，如同半導體晶圓10的情形般，拍攝部32拍攝貼合晶圓30的影像，藉此測定貼合晶圓30的邊緣部400的截面形狀。此處，成為測定對象之貼合晶圓30，係為S201中被測定的半導體晶圓10、與S202中被測定的支撐構件20藉由接著劑40接著而成之貼合晶圓30。
接著，截面形狀算出部210，由S205中的測定結果 算出貼合晶圓30的厚度t4(S206)。
接著，分析部220，從貼合晶圓30的厚度t4減去半導體晶圓10的厚度t1及支撐構件20的厚度t2，藉此算出接著劑40的厚度t3(S207)。也就是說，分析部220，藉由t3=t4-(t1+t2)之演算來算出厚度t3。
像這樣，按照依本實施形態之形狀測定裝置，係由貼合前之半導體晶圓10、貼合前之支撐構件20、及貼合晶圓30的各者的邊緣部的截面形狀的測定結果，來分別檢測半導體晶圓10、支撐構件20、及貼合晶圓30的厚度t1、t2、t4。然後，利用算出的厚度t1、t2、t4來算出接著劑40的厚度t3。因此，能夠正確地算出構成貼合晶圓30之接著劑40的厚度t3。其結果，能夠正確地進行貼合晶圓30的邊緣部400的截面形狀之分析。
另，本實施形態能夠採用以下的變形例。
(1)圖1中測定部100是以暗影(shadowgraph)攝影法來測定測定物體X，但本發明不限定於此，亦可以線掃描(linescan)攝影法或顯微鏡(microscope)攝影法的任一種來測定測定物體X。
圖5為以線掃描測定法測定測定物體X的邊緣部的截面形狀之測定部100的構成之一例示意圖。圖5中，測定部100、線型感測器501、及掃描機構502。線型感測器501，例如由複數個受光元件於主掃描方向D502排列而成之一維的CMOS感測器或CCD感測器所構成，係以1個線單位來測定測定物體X的邊緣部的截面形狀。此處，線 型感測器501，配置成使得主掃描方向D502與測定物體X的主面正交。掃描機構502，例如由致動器所構成，使線型感測器501於與主掃描方向D502正交之副掃描方向D501移動。是故，線型感測器501，一面藉由掃描機構502於副掃描方向D501被移動，一面以1個線單位反覆測定物體X之拍攝，藉此便能測定測定物體X的邊緣部的截面形狀。另，圖5例子中，線型感測器501係於副掃描方向D501被移動，但不限定於此，亦可線型感測器501被固定，而測定物體X於副掃描方向D501被移動。
圖6為以顯微鏡測定法測定測定物體X的邊緣部的截面形狀之測定部100的構成之一例示意圖。圖6中，測定部100由顯微鏡600所構成。顯微鏡600，為具備彩色相機、照明、透鏡、及連接纜線之擴大顯示裝置。圖6中，顯微鏡600配置成使得光軸L600朝向測定物體X的切線方向D600。
顯微鏡600，拍攝測定物體X的邊緣部，將拍攝資料輸出至演算部200。演算部200，將拍攝資料顯示於顯示部601。如此一來，顯示部601顯示測定物體X的邊緣部的擴大像。
使用者亦可藉由目視被擴大顯示於顯示部601之測定物體X的擴大像來測定測定物體X的厚度。或是亦可藉由演算部200對從顯微鏡600輸出的拍攝資料做圖像處理來測定測定物體X的厚度。
(2)圖2的流程圖中，係依序測定半導體晶圓10的 邊緣部300的截面形狀，測定支撐構件20的邊緣部300的截面形狀，但此順序亦可顛倒。也就是說，亦可依序測定支撐構件20的邊緣部300的截面形狀，測定半導體晶圓10的邊緣部300的截面形狀。
依本發明一態樣之形狀測定方法，係一種測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀之形狀測定方法，該貼合晶圓具備半導體晶圓、及補強前述半導體晶圓之支撐構件、及將前述半導體晶圓及前述支撐構件貼合之接著劑，該形狀測定方法，具備：第1測定步驟，分別個別地測定貼合前之前述半導體晶圓的邊緣部的截面形狀及貼合前之前述支撐構件的邊緣部的截面形狀；及第2測定步驟，測定前述貼合晶圓的邊緣部的截面形狀；及演算步驟，將基於前述第1測定步驟之測定結果、與基於前述第2步驟之測定結果予以比較，藉此演算前述貼合晶圓中的前述接著劑的厚度。
按照此構成，係執行：第1測定步驟，分別個別地測定貼合前之半導體晶圓及貼合前之支撐構件的邊緣部的截面形狀；及第2測定步驟，測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀。然後，將基於第1測定步驟之測定結果、與基於前述第2步驟之測定結果予以比較，藉此檢測構成貼合晶圓之接著劑的厚度。因此，能夠正確地檢測構成貼合晶圓之接著劑的厚度。
上述態樣中，亦可為，前述半導體晶圓，由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成。
按照此構成，當半導體晶圓由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成的情形下，能夠正確地檢測接著劑的厚度。
上述構成中，亦可為，前述支撐構件，由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成。
按照此構成，當支撐構件由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、及化合物半導體的任一者所構成的情形下，能夠正確地檢測接著劑的厚度。
上述態樣中，亦可為，前述第1、第2測定步驟，使用暗影攝影法、線掃描攝影法、及顯微鏡攝影法的任一者來測定前述邊緣部的截面形狀。
按照此構成，第1、第2測定步驟，係使用暗影攝影法、線掃描攝影法、及顯微鏡攝影法的任一者來測定前述邊緣部的截面形狀，故能夠正確地檢測接著劑的厚度。
上述態樣中，亦可為，前述第1測定步驟，測定前述半導體晶圓及前述支撐構件的厚度以作為示意前述邊緣部的截面形狀之參數，前述第2測定步驟，測定前述貼合晶圓的厚度以作為示意前述邊緣部的截面形狀之參數，前述演算步驟，從前述第2測定步驟中測定出的前述貼合晶圓的厚度，減去前述第1測定步驟中測定出的前述半導體晶圓的厚度及前述支撐構件的厚度，藉此算出前述 接著劑的厚度。
按照此構成，從第2測定步驟中測定出的前述貼合晶圓的厚度，減去第1測定步驟中測定出的半導體晶圓的厚度及支撐構件的厚度，藉此算出接著劑的厚度。因此，能夠正確地檢測接著劑的厚度。
上述態樣中，亦可為，前述半導體晶圓的邊緣部，包含和前述半導體晶圓的一方主面接連之第1平坦部、及和前述半導體晶圓的另一方之主面接連之第2平坦部，前述支撐構件的邊緣部，包含和前述支撐構件的一方之主面接連之第1平坦部、及和前述支撐構件的另一方之主面接連之第2平坦部，前述接著劑，至少介於前述半導體晶圓的第2平坦部與前述支撐構件的第1平坦部之間，前述半導體晶圓的厚度，為前述半導體晶圓的第1平坦部與前述半導體晶圓的第2平坦部之距離，前述支撐構件的厚度，為前述支撐構件的第1平坦部與前述支撐構件的第2平坦部之距離，前述貼合晶圓的厚度，為前述半導體晶圓的第1平坦部與前述支撐構件的第2平坦部之距離，前述接著劑的厚度，為前述貼合晶圓中從前述半導體晶圓的第2平坦部起算與前述支撐構件的第1平坦部之距離。

Claims (7)

  1. 一種形狀測定方法，係測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀之形狀測定方法，該貼合晶圓具備半導體晶圓、及補強前述半導體晶圓之支撐構件、及將前述半導體晶圓及前述支撐構件貼合之接著劑，該形狀測定方法，具備：第1測定步驟，分別個別地測定貼合前之前述半導體晶圓的邊緣部的截面形狀及貼合前之前述支撐構件的邊緣部的截面形狀；及第2測定步驟，測定前述貼合晶圓的邊緣部的截面形狀；及演算步驟，將基於前述第1測定步驟之測定結果、與基於前述第2步驟之測定結果予以比較，藉此演算前述貼合晶圓中的前述接著劑的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之形狀測定方法，其中，前述半導體晶圓，由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、或化合物半導體所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之形狀測定方法，其中，前述支撐構件，由矽、玻璃、碳化矽、藍寶石、或化合物半導體所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之形狀測定方法，其中，前述第1、第2測定步驟，使用暗影攝影法、線掃描攝影法、及顯微鏡攝影法的任一者來測定前述邊緣部的截面形狀。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項所述之形狀測 定方法，其中，前述第1測定步驟，測定前述半導體晶圓及前述支撐構件的厚度以作為示意前述邊緣部的截面形狀之參數，前述第2測定步驟，測定前述貼合晶圓的厚度以作為示意前述邊緣部的截面形狀之參數，前述演算步驟，從前述第2測定步驟中測定出的前述貼合晶圓的厚度，減去前述第1測定步驟中測定出的前述半導體晶圓的厚度及前述支撐構件的厚度，藉此算出前述接著劑的厚度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之形狀測定方法，其中，前述半導體晶圓的邊緣部，包含和前述半導體晶圓的一方主面接連之第1平坦部、及和前述半導體晶圓的另一方之主面接連之第2平坦部，前述支撐構件的邊緣部，包含和前述支撐構件的一方之主面接連之第1平坦部、及和前述支撐構件的另一方之主面接連之第2平坦部，前述接著劑，至少介於前述半導體晶圓的第2平坦部與前述支撐構件的第1平坦部之間，前述半導體晶圓的厚度，為前述半導體晶圓的第1平坦部與前述半導體晶圓的第2平坦部之距離，前述支撐構件的厚度，為前述支撐構件的第1平坦部與前述支撐構件的第2平坦部之距離，前述貼合晶圓的厚度，為前述半導體晶圓的第1平坦部與前述支撐構件的第2平坦部之距離， 前述接著劑的厚度，為前述貼合晶圓中前述半導體晶圓的第2平坦部與前述支撐構件的第1平坦部之距離。
  7. 一種形狀測定裝置，係測定貼合晶圓的邊緣部的截面形狀之形狀測定裝置，該貼合晶圓具備半導體晶圓、及補強前述半導體晶圓之支撐構件、及將前述半導體晶圓及前述支撐構件貼合之接著劑，該形狀測定裝置，具備：測定部，分別測定貼合前之前述半導體晶圓的邊緣部的截面形狀、貼合前之前述支撐構件的邊緣部的截面形狀、及前述貼合晶圓的邊緣部的截面形狀；及演算部，將貼合前之前述半導體晶圓的邊緣部的截面形狀的測定結果、與貼合前之前述支撐構件的邊緣部的截面形狀的測定結果、與前述貼合晶圓的邊緣部的截面形狀的測定結果予以比較，藉此演算構成前述貼合晶圓之接著劑的厚度。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107966741A (zh) * 2016-10-19 2018-04-27 欧姆龙株式会社 对射型光电传感器和目标检测系统
CN112967943B (zh) * 2020-11-05 2022-03-25 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种暂态基板上led芯片的压合深度检测方法及暂态基板
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003065724A (ja) 2001-08-29 2003-03-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｆｔｉｒ法による膜厚測定方法および半導体ウェーハの製造方法
JP3699949B2 (ja) * 2002-09-26 2005-09-28 株式会社東芝 パターン計測方法、このパターン計測方法を用いる半導体装置の製造方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにパターン計測装置
GB0611156D0 (en) * 2006-06-07 2006-07-19 Qinetiq Ltd Optical inspection
JP4316643B2 (ja) * 2007-12-26 2009-08-19 株式会社コベルコ科研 形状測定装置，形状測定方法
JP2011242366A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Ulvac Japan Ltd 成膜装置における膜厚測定方法
KR20130139251A (ko) * 2010-11-12 2013-12-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼 스택에 있는 결함 및 층 두께를 측정하기 위한 측정 장치 및 측정 방법
US20120202300A1 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Texas Instruments Incorporated Die bonder including automatic bond line thickness measurement
US20120313190A1 (en) * 2011-06-09 2012-12-13 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including interposer for increased adhesive thickness and method of attaching die to substrate
US20130011941A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 ASM Technology Singapore Pte, Ltd. Bond line thickness control for die attachment
JP5836223B2 (ja) * 2011-12-02 2015-12-24 株式会社神戸製鋼所 貼合基板の回転ズレ量計測装置、貼合基板の回転ズレ量計測方法、及び貼合基板の製造方法

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