WO2017068754A1 - Procédé de production d'un monocristal - Google Patents

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勝之 北川
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信越半導体株式会社
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Abstract

La présente invention décrit un procédé de production d'un monocristal, le procédé incluant, après un procédé de remplissage : un procédé de détermination de la position d'un creuset qui comprend une étape de disposition de l'extrémité inférieure d'une vanne conique sous l'extrémité inférieure d'un tube de purge, une étape de déplacement de la vanne conique et du creuset relativement plus proche tout en mesurant les changements de poids de la vanne conique, une étape de détection du contact entre l'extrémité inférieure de la vanne conique et l'extrémité supérieure d'une matière première à partir du changement de pourcentage dans le poids de la vanne conique, une étape de mesure de la position de l'extrémité supérieure de la matière première depuis la position de l'extrémité inférieure de la vanne conique dont le contact était détecté, et une étape de paramétrage de la position du creuset de sorte que l'espace entre l'extrémité inférieure du tube de purge et l'extrémité supérieure de la matière première remplie dans le creuset atteigne une distance prescrite ; et un procédé de fusion qui inclut une étape de réglage de la position du creuset pour régler la position du creuset de sorte que l'espace entre l'extrémité inférieure du tube de purge et l'extrémité supérieure de la matière première demeure à une distance prescrite selon l'avancée de la fusion de la matière première. Ceci rend possible le réguler l'espace entre l'extrémité inférieure du tube de purge et l'extrémité supérieure de la matière première remplie dans le creuset afin d'être à une distance prescrite.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019009010A1 (fr) * 2017-07-07 2019-01-10 信越半導体株式会社 Tube de recharge et procédé de fabrication de monocristal
WO2022185789A1 (fr) * 2021-03-01 2022-09-09 信越半導体株式会社 Procédé de détection d'état de surface d'une matière première fondue, procédé de production d'un monocristal et dispositif de production de monocristal cz

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7006573B2 (ja) * 2018-11-30 2022-01-24 株式会社Sumco 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法
CN115537911A (zh) * 2022-10-21 2022-12-30 成都东骏激光股份有限公司 提拉法制备大尺寸晶体的方法和设备
CN116145239B (zh) * 2023-04-24 2023-07-07 苏州晨晖智能设备有限公司 单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424089A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Shinetsu Handotai Kk Device for adjusting initial position of melt surface
JPH02157180A (ja) * 1988-12-12 1990-06-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶棒の引上げ装置
JPH10158091A (ja) * 1996-11-22 1998-06-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶の製造装置および製造方法
JPH11180794A (ja) * 1997-12-22 1999-07-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム
JP2001010892A (ja) * 1999-06-22 2001-01-16 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン単結晶引上げ装置の多結晶シリコンの融解方法
WO2002068732A1 (fr) * 2001-02-28 2002-09-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Tube de recharge pour matériau polycristallin solide, et procédé de production de monocristal au moyen de ce tube
JP2004083322A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Ｃｚ原料供給方法及び供給治具
JP2008019125A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハ素材の溶解方法及び半導体ウェーハの結晶育成方法
JP2014101254A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 原料充填方法、単結晶の製造方法及び単結晶製造装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62260791A (ja) 1986-05-08 1987-11-13 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上装置
JPH07330480A (ja) * 1994-06-13 1995-12-19 Hitachi Ltd 単結晶引上げ装置
JP3606037B2 (ja) 1998-03-13 2005-01-05 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置の原料追加供給装置
JP2000169286A (ja) 1998-12-04 2000-06-20 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 結晶製造方法及び装置
JP4698892B2 (ja) * 2001-07-06 2011-06-08 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｃｚ原料供給方法及び供給用治具
JP4345624B2 (ja) * 2004-09-21 2009-10-14 株式会社Ｓｕｍｃｏ チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法
JP2007112663A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶製造装置および製造方法
JP2009263178A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sumco Corp 単結晶育成装置および原料供給方法
JP5708171B2 (ja) * 2010-04-26 2015-04-30 株式会社Sumco シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法
CN202297852U (zh) * 2011-11-10 2012-07-04 常州华盛恒能光电有限公司 用于直拉法单晶炉的二次投料装置
CN102995111B (zh) * 2012-11-07 2015-05-27 北京七星华创电子股份有限公司 单晶炉非接触式硅料液面位置测量方法及装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424089A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Shinetsu Handotai Kk Device for adjusting initial position of melt surface
JPH02157180A (ja) * 1988-12-12 1990-06-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶棒の引上げ装置
JPH10158091A (ja) * 1996-11-22 1998-06-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶の製造装置および製造方法
JPH11180794A (ja) * 1997-12-22 1999-07-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上げ装置の湯洩れ検知システム
JP2001010892A (ja) * 1999-06-22 2001-01-16 Mitsubishi Materials Silicon Corp シリコン単結晶引上げ装置の多結晶シリコンの融解方法
WO2002068732A1 (fr) * 2001-02-28 2002-09-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Tube de recharge pour matériau polycristallin solide, et procédé de production de monocristal au moyen de ce tube
JP2004083322A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Ｃｚ原料供給方法及び供給治具
JP2008019125A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハ素材の溶解方法及び半導体ウェーハの結晶育成方法
JP2014101254A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 原料充填方法、単結晶の製造方法及び単結晶製造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019009010A1 (fr) * 2017-07-07 2019-01-10 信越半導体株式会社 Tube de recharge et procédé de fabrication de monocristal
JP2019014625A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 信越半導体株式会社 リチャージ管及び単結晶の製造方法
CN110869541A (zh) * 2017-07-07 2020-03-06 信越半导体株式会社 再装填管及单晶的制造方法
WO2022185789A1 (fr) * 2021-03-01 2022-09-09 信越半導体株式会社 Procédé de détection d'état de surface d'une matière première fondue, procédé de production d'un monocristal et dispositif de production de monocristal cz

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