KR20210068694A - 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법 - Google Patents
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 title description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 83
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N silicide(1-) Chemical compound [Si-] HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
충진장치의 위치를 감지함으로써 충진장치의 하강속도를 자동 제어가 가능한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치는 내부에는 폴리 실리콘이 장입되어 있고, 잉곳성장장치의 메인 챔버와 풀 챔버 내부에서 승강하면서 상기 폴리 실리콘을 석영 도가니에 충진하는 석영관; 상기 석영관의 둘레에 고정 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제1브래킷; 상기 석영관 하강 시 최대로 하강한 상태에서 멈추도록 상기 제1브래킷이 걸려 멈추도록 상기 풀 챔버에 내측으로 돌출되도록 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제2브래킷; 및 상기 제1브래킷이 상기 제2브래킷에 걸려 안착되면 이것를 전기가 통하는 것으로 감지할 수 있도록 상기 제1브래킷으로부터 외부로 연장된 연결선;를 포함한다.
Description
본 발명은 충진장치의 위치를 감지함으로써 충진장치의 하강속도를 자동 제어가 가능한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 단결정 태양전지용 잉곳은 그로워(성장장치)라는 장비에 석영도가니를 넣고 폴리 실리콘을 장입하여 녹인 뒤 단결정으로 성장시킨다. 석영도가니는 1,470도씨 이상의 온도에서 그로잉을 진행한 뒤 공정이 끝나고 그로워를 실온에서 오픈할 때 상변화가 일어나 재사용이 불가능하다. 그렇기 때문에 한 개의 석영도가니 안에 가장 많은 폴리 실리콘을 녹여 단결정으로 성장시키는 것이 생산성을 높이기 위한 방안이다. 다만 실리콘은 고체상일 때 액상보다 부피가 크기 때문에 석영도가니에 고체의 폴리 실리콘이 융해되면 실리콘 부피가 작아지기 때문에 추가 충진을 통해 석영도가니를 최대한 활용하는 방법이 널리 이용되고 있다.
보통 석영관에 1~5cm 정도의 폴리 실리콘을 장입한 뒤 기존의 융해된 실리콘에 추가 충진을 진행하며 석영관을 사용하기 때문에 파손되지 않도록 주의가 필요하다.
이렇게 추가 충진을 진행하는 동안 인력이 수작업으로 장비를 운전해야 하기 때문에 1번 작업할 때마다 약 30분의 시간이 소요된다. 동시간에 다수의 장비가 이와 같은 공정이 함께 수행되면 공정 지연이 발생하기 때문에 생산성 향상을 위한 방안이 필요한 실정이다.
종래 기술 중, 일본공개특허 제2013-256406호에는 원료가 수용된 원통 하부에 원추 밸브가 개폐 가능하게 설치된 리차지(recharge) 관이 개시되어 있는데, 원통 내부에 적재된 고체 원료가 원추 밸브가 개방됨에 따라 도가니로 낙하하면서 공급된다.
그러나 이러한 종래기술은 작업자의 수동 조정에 의하기 때문에 내부 상황이 잘 보이지 않아 속도제어가 어렵고, 석영관이 파손되는 사고 비율이 많이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 자동으로 적절한 속도로 석영관이 하강하고 제1브래킷에 걸려 안착된 상태를 터치센서에 의해 감지함으로써 작업이 자동으로 안전하고 원활하게 이루어질 수 있는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로서 본 발명은, 내부에는 폴리 실리콘이 장입되어 있고, 잉곳성장장치의 메인 챔버와 풀 챔버 내부에서 승강하면서 상기 폴리 실리콘을 석영 도가니에 충진하는 석영관; 상기 석영관의 둘레에 고정 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제1브래킷; 상기 석영관 하강 시 최대로 하강한 상태에서 멈추도록 상기 제1브래킷이 걸려 멈추도록 상기 풀 챔버에 내측으로 돌출되도록 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제2브래킷; 및 상기 제1브래킷이 상기 제2브래킷에 걸려 안착되면 이것를 전기가 통하는 것으로 감지할 수 있도록 상기 제1브래킷으로부터 외부로 연장된 연결선;을 포함할 수 있다.
이때, 상기 석영관은 상하부가 개방되고, 상기 석영관의 하단부가 걸려 하부를 막는 하부 마개가 설치되며, 상기 하부 마개의 중앙에는 중앙로드가 석영관을 통과하여 시드 케이블에 연결될 수 있다.
이때, 상기 하부 마개의 상부면은 폴리 실리콘이 잘 흘러내릴 수 있도록 원뿔형으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제1브래킷, 연결선, 그리고 제2브래킷은 스테인리스 스틸로 이루어질 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 다른 구체적인 수단으로서 본 발명은, 시드 케이블에 충진장치를 장착하는 단계; 메인 챔버와 풀 챔버를 장착하고 석영 도가니의 폴리 실리콘을 히터를 이용하여 녹이는 단계; 상기 메인 챔버와 상기 풀 챔버의 진공압이 동일하게 되도록 상기 풀 챔버 내부에서 아르곤 퍼지를 진행하는 단계; 상기 메인 챔버와 상기 풀 챔버 사이의 게이트를 개방하고, 상기 충진장치의 석영관을 하강시키는 단계; 및 상기 석영관의 제1브래킷이 상기 풀 챔버 내부의 제2브래킷에 걸려 멈추면 이를 감지하고 시드 케이블의 하강 속도를 조절하여 석영관 내부의 폴리 실리콘을 석영 도가니에 충진하는 단계;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 시드 케이블의 승강 속도는 PLC 제어에 의한 이루어질 수 있다.
이때, 상기 석영관의 제1브래킷과 제2브래킷은 전기가 통하는 재질로 이루어져 상기 제1브래킷과 제2브래킷이 밀착되면 전기가 도통하여 석영관이 제2브래킷에 안착된 것을 감지하고 이를 PLC 제어에 반영할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
(1) 본 발명은 PLC 제어를 통하여 충진장치의 하강속도를 제어하기 때문에 공정 사고를 방지할 수 있게 된다.
(2) 본 발명은 석영관이 하강하여 멈춘 것을 전기적으로 감지하도록 구성함으로써 더욱 정밀하게 PCL 제어를 진행할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치가 설치된 상태의 잉곳 성장 장치의 내부 모식도이다.
도 2는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치의 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치의 정면도로서, 도 3은 폴리 실리콘 충진 전을, 도 4는 폴리 실리콘 충진 상태를 각각 도시한다.
도 5는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치의 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치의 정면도로서, 도 3은 폴리 실리콘 충진 전을, 도 4는 폴리 실리콘 충진 상태를 각각 도시한다.
도 5는 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법의 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법을 보다 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치(40)는 석영관(41), 제1브래킷(44), 제2브래킷(13), 연결선(47)을 포함한다.
상기 석영관(41)은, 도 1 내지 도 4를 참고하면, 내부에는 폴리 실리콘(1)이 장입되어 있고, 잉곳 성장장치의 메인 챔버(11)와 풀 챔버(12) 내부에서 승강하면서 상기 폴리 실리콘(1)을 석영 도가니(10)에 충진할 수 있다.
이때, 상기 석영관(41)은, 상하부가 개방된 형태로 이루어져 있다. 석영으로 이루어졌기 때문에 외부의 작은 충격에도 잘 깨지는 성질을 가지고 있다.
이때, 상기 석영관(41)의 하단부가 걸려 하부를 막는 하부 마개(45)가 설치되며, 상기 하부 마개(45)의 중앙에는 중앙로드(43)가 석영관(41)을 통과하여 시드 케이블(14)에 연결될 수 있다. 여기서 상기 석영관(41)은 상하부가 개방된 형태이고, 상기 석영관(41)의 직경이 하부 마개(45)보다는 작기 때문에 상기 석영관(41)의 하단부가 상기 하부 마개(45)의 상면에 걸리게 된다. 또한 중앙로드(43)가 하부 마개(45)의 중앙에 연결되고 중앙로드(43)의 상단부는 연결부재(42)에 의해 시드 케이블(14)에 연결된다. 따라서 석영관(41)의 하중은 하부 마개(45), 중앙로드(43)를 거쳐 상기 시드 케이블(14)에 의해 지지된다.
이때, 상기 하부 마개(45)의 상부면은 폴리 실리콘(1)이 잘 흘러내릴 수 있도록 원뿔형으로 이루어질 수 있다. 여기서 원뿔형뿐만 아니라 외측으로 갈수록 경사면을 형성하여 폴리 실리콘(1)이 자중에 의해 흘러내리도록 할 수 있는 구조이면 모두 적용 가능할 것이다.
상기 제1브래킷(44)은, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 석영관(41)의 둘레에 고정 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어질 수 있다. 여기서 상기 제1브래킷(44)은 스테인레스 스틸을 적용할 수 있다.
이때, 상기 제1브래킷(44)은, 상기 석영관(41)의 둘레를 수평으로 감싸도록 고정 설치되어 있고, 상기 석영관(41)의 중간 부분에 설치되어 있다. 따라서 제1브래킷(44)이 상기 제2브래킷(13)에 걸리게 되면 상기 석영관(41)의 하중은 제2브래킷(13)이 지지하게 된다.
상기 제2브래킷(13)은, 도 1 내지 도 4를 참고하면, 상기 석영관(41) 하강 시 최대로 하강한 상태에서 멈추도록 상기 제1브래킷(44)이 걸려 멈추도록 상기 풀 챔버(12)에 내측으로 돌출되도록 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제2브래킷(13)은 풀 챔버(12) 내부에 고리 형태로 형성되어 내벽에 밀착 고정되어 있다. 물론 제2브래킷(13)의 내측 직경은 석영관(41)의 제1브래킷(44)이 걸릴 수 있도록 상기 제1브래킷(44)의 외측 직경보다 작게 형성되어 있다. 따라서 상기 석영관(41)이 하강하게 되어 제2브래킷(13)에 제1브래킷(44)이 위치하게 되면 제2브래킷(13)에 걸려 더 이상 석영관(41)은 하강하지 못하고 그 위치에서 멈추게 된다. 물론 이 상태에서 시드 케이블(14)이 더 내려가면 하부 마개(45)는 더 하강하게 되고, 그에 따라 내부의 폴리 실리콘(1)이 석영 도가니(10)로 충진된다.
상기 연결선(47)은, 도 1 내지 도 4를 참고하면, 상기 제1브래킷(44)이 상기 제2브래킷(13)에 걸려 안착되면 이것을 전기가 통하는 것으로 감지할 수 있도록 상기 제1브래킷(44)으로부터 외부로 연장된다.
이때, 상기 연결선(47)은 스테인레스 스틸을 적용할 수 있다.
이때, 상기 연결선(47)은 제1브래킷(44)으로부터 그 자체가 전기적으로 연결되고 외부로 연장될 수도 있으나, 시드 케이블(14)에 전기적으로 연결되도록 할 수도 있을 것이다.
도 1을 참고하면, 하단부에 석영 도가니(10)가 설치되어 있고, 그 주위에는 히터(30)와 단열재(20)가 설치되어 있다. 이러한 구조는 일반적인 구조이다. 상기 석영 도가니(10)를 감싸도록 메인 챔버(11)가 형성되고, 상기 메인 챔버(11)의 중앙 상측으로 풀 챔버(12)가 연결된다. 도시되어 있지 않지만 상기 메인 챔버(11)와 풀 챔버(12) 사이에는 게이트가 개폐할 수 있도록 설치된다. 통상의 경우와 마찬가지로, 아르곤 퍼지에 의해 메인 챔버(11) 내부를 고진공 상태로 하고, 그 상태에서 히터(30)의 열을 가하여 석영 도가니(10) 내부로 공급된 폴리 실리콘을 녹이게 된다. 그 상태에서 풀 챔버(12)도 고진공으로 동일하게 만든 다음 게이트를 개방하고, 시드를 시드 케이블(14)을 이용하여 하강 및 승강시키면서 잉곳을 성장시키게 된다. 여기서는 시드를 넣기 전, 폴리 실리콘이 녹아 있는 석영 도가니(10) 내부에 충진장치(40)를 이용하여 충진하게 된다.
이때, 시드 케이블(14)에 연결된 석영관(41)은 하강하여 제1브래킷(44)이 제2브래킷(41)에 걸리게 되고, 그 상태는 제1브래킷(44), 제2브래킷(13), 연결선(47)을 통하여 전기가 도통함으로써 외부에서 이를 자동으로 감지하게 되고, 그 정보에 따라 PLC 제어는 시드 케이블(14) 하강 속도를 조절하게 된다. 시드 케이블(14)이 더 내려오면 하부 마개(45) 내측 상부에 장입되어 있는 폴리 실리콘(1)이 석영 도가니(10)로 하강하여 충진된다.
도 2를 참고하면, 시드 케이블(14)은 연결부재(42)에 의해 중앙 로드(43)와 연결되고, 중앙로드(43)는 하부 마개(45) 중앙에 연결되어 석영관(41)의 하중을 시드 케이블(14)에 전달하게 된다. 제1브래킷(44)은 제2브래킷(13)에 걸리게 되고 그 상태에서 전기가 통하여 외부에서 그 정보를 감지하게 된다. 이때 제1브래킷(44)은 두 줄로 형성되어 있고, 연결부재(46)와 연결선(47) 그리고 가이드(48)에 의해 안내되도록 되어 있다. 즉 모든 연결 부재들을 전기가 통하는 재질 예를 들면 스테인레스 스틸로 제작하여 연결하게 된다. 중요한 점은 제1브래킷(44)이 제2브래킷(41)에 걸리면 전기가 도통하는 것을 감지하여 외부에서 그 정보를 습득할 수 있게 되고, 그에 따라 PCL 제어가 시드 케이블(14)의 승강 속도를 조절하게 되는 것이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 석영관(41)이 하강하게 되면 제2브래킷(13)에 제1브래킷(44)이 걸려 석영관(41)의 하강은 멈추게 된다. 이 상태가 도 3에 도시되어 있다. 이러한 제1브래킷(44)이 제2브래킷(13)에 걸렸다는 정보는 제어부로 전달되고 그 정보에 따라 시드 케이블(14)의 하강 속도를 조절하게 된다. 도 3과 같은 상태에서 시드 케이블(14)이 서서히 하강하면 도 4와 같은 상태로 되는데, 석영관(41)은 그 위치에서 멈추게 되어 하중을 제2브래킷(13)이 지지하게 되고, 하부 마개(45)가 하강함에 따라 폴리 실리콘(1)이 하부 마개(45)의 상부 경사면을 따라 자중에 의해 굴러 떨어져 낙하하게 된다. 그 후 석영관(41)은 시드 케이블(14)이 상승함으로써 원래 위치로 복귀하게 된다.
한편, 도 5를 참고하면, 본 발명에 의한 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법이 도시되어 있다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 충진방법은 시드 케이블(14)에 충진장치(40)를 장착하는 단계를 포함한다. 이때 충진장치(40)가 파손되지 않도록 중심을 잘 잡는다.
그 다음, 모니터 화면으로 작업지시를 실행한다. 이때 PLC 제어에 의해 충진장치(40)가 풀 챔버(12) 내부에 장착되는 세팅 값인 디폴트 위치까지 자동으로 상승한다.
이때, 작업자는 수동으로 다시 한 번 충진장치(40)의 위치를 수동으로 확인하고 메인 챔버(11)와 풀 챔버(12)를 장착한다.
그 다음, 메인 챔버(11) 내부를 고진공으로 형성하고 히터(30)를 이용하여 석영 도가니(10)의 폴리 실리콘을 녹이고, 풀 챔버(12)에 아르곤 퍼지를 진행하여 풀 챔버(12) 내부를 메인 챔버(11)와 동일한 고진공 상태로 만든다.
이때, 아르고 퍼지가 완료되면 압력계를 통하여 자동으로 알람이 울리게 된다.
작업자는 게이트 밸브를 작동시켜 풀 챔버(12)와 메인 챔버(11)가 연통되도록 하고 그 상태에서 자동 충진 시스템을 작동시킨다. 그러면 PLC 제어에 의해 시드 케이블(14)의 승하강과 속도를 자동으로 제어하게 된다.
이때, 자동 충진 시스템을 적용하기 때문에 공정 사고를 방지할 수 있고 충진장치(40)의 속도 제한을 설정하여 파손을 예방할 수도 있게 된다.
이때, PLC 제어는 석영관(41)의 하강 속도를 처음에는 고속으로 하고, 제2브래킷(13) 부근에 이르게 되면 속도를 완전히 줄여 저속으로 되는 방식으로 제어할 것이다.
제1브래킷(44)이 제2브래킷(13)에 걸리게 되면 연결선(47)을 통하여 전기가 도통하여 그 정보를 제어부로 수신될 것이고 그 것에 따라 PLC 제어를 진행하여 시드 케이블(14)을 더 하강시키게 된다.
이때, 충전장치(40) 안착 후, 자동으로 시드 케이블(14)이 설치된 높이만큼 하강하여 장입된 폴리 실리콘(1)을 석영 도가니(10)로 충진하게 된다. 또한 폴리 실리콘 충진 시, 자동으로 석영 도가니(10)가 일정속도로 하강하도록 PLC 제어를 설정하여 공정 사고를 에방할 수 있게 된다.
모든 폴리 실리콘이 충진된 이 후 알람이 울리며 작업자의 확인을 위한 안내가 작동한다. 작업자가 확인 후 모니터의 메시지를 누르면 자동으로 원점으로 돌아가 충진장치(40)를 시드 케이블(14)로부터 분리하게 된다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
1 : 폴리 실리콘
10 : 석영 도가니 11 : 메인 챔버
12 : 풀 챔버 13 : 제2브래킷
20 : 단열재 30 : 히터
40 : 충진장치 41 : 석영관
42 : 연결부재 43 : 중앙로드
44 : 제1브래킷 45 : 하부 마개
46 : 연결부재 47 : 연결선
10 : 석영 도가니 11 : 메인 챔버
12 : 풀 챔버 13 : 제2브래킷
20 : 단열재 30 : 히터
40 : 충진장치 41 : 석영관
42 : 연결부재 43 : 중앙로드
44 : 제1브래킷 45 : 하부 마개
46 : 연결부재 47 : 연결선
Claims (7)
- 내부에는 폴리 실리콘이 장입되어 있고, 잉곳성장장치의 메인 챔버와 풀 챔버 내부에서 승강하면서 상기 폴리 실리콘을 석영 도가니에 충진하는 석영관;
상기 석영관의 둘레에 고정 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제1브래킷;
상기 석영관 하강 시 최대로 하강한 상태에서 멈추도록 상기 제1브래킷이 걸려 멈추도록 상기 풀 챔버에 내측으로 돌출되도록 설치되고 전기가 통하는 재질로 이루어진 제2브래킷;
상기 제1브래킷이 상기 제2브래킷에 걸려 안착되면 이것를 전기가 통하는 것으로 감지할 수 있도록 상기 제1브래킷으로부터 외부로 연장된 연결선;
를 포함하는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치. - 제1항에 있어서,
상기 석영관은 상하부가 개방되고, 상기 석영관의 하단부가 걸려 하부를 막는 하부 마개가 설치되며, 상기 하부 마개의 중앙에는 중앙로드가 석영관을 통과하여 시드 케이블에 연결되는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치. - 제2항에 있어서,
상기 하부 마개의 상부면은 폴리 실리콘이 잘 흘러내릴 수 있도록 원뿔형으로 이루어진 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1브래킷, 연결선, 그리고 제2브래킷은 스테인리스 스틸로 이루어진 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치. - 시드 케이블에 충진장치를 장착하는 단계;
메인 챔버와 풀 챔버를 장착하고 석영 도가니의 폴리 실리콘을 히터를 이용하여 녹이는 단계;
상기 메인 챔버와 상기 풀 챔버의 진공압이 동일하게 되도록 상기 풀 챔버 내부에서 아르곤 퍼지를 진행하는 단계;
상기 메인 챔버와 상기 풀 챔버 사이의 게이트를 개방하고, 상기 충진장치의 석영관을 하강시키는 단계;
상기 석영관의 제1브래킷이 상기 풀 챔버 내부의 제2브래킷에 걸려 멈추면 이를 감지하고 시드 케이블의 하강 속도를 조절하여 석영관 내부의 폴리 실리콘을 석영 도가니에 충진하는 단계;
를 포함하는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법. - 제5항에 있어서,
상기 시드 케이블의 승강 속도는 PLC 제어에 의한 이루어지는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법. - 제6항에 있어서,
상기 석영관의 제1브래킷과 제2브래킷은 전기가 통하는 재질로 이루어져 상기 제1브래킷과 제2브래킷이 밀착되면 전기가 도통하여 석영관이 제2브래킷에 안착된 것을 감지하고 이를 PLC 제어에 반영하는 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190157992A KR20210068694A (ko) | 2019-12-02 | 2019-12-02 | 태양전지 잉곳 성장 장치용 자동 충진장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR20210068694A true KR20210068694A (ko) | 2021-06-10 |
Family
ID=76378258
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KR (1) | KR20210068694A (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013256406A (ja) | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 原料充填方法及び単結晶の製造方法 |
-
2019
- 2019-12-02 KR KR1020190157992A patent/KR20210068694A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013256406A (ja) | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 原料充填方法及び単結晶の製造方法 |
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