JP3846146B2 - シリコン単結晶の引上げ装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶棒を引上げて育成するシリコン単結晶の引上げ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のシリコン単結晶棒を引上げる装置は、上部が開口するチャンバ本体とその上部を閉止可能に構成された蓋体とを有するチャンバと、このチャンバ内に設けられシリコン融液が貯留される石英るつぼと、石英るつぼの外周面を包囲するヒータと、ヒータの外周面を包囲する保温筒と、石英るつぼを被覆しかつ保持する黒鉛サセプタとを備えたものが知られている。また、この装置には黒鉛サセプタが上端に固定され下部が下方に突出してチャンバに上下動可能に設けられた支軸と、チャンバの下方に設けられ支軸の下部が接続され支軸を上下動可能に構成されたるつぼ昇降手段が更に備えられる。このシリコン単結晶の引上げ装置では、ヒータで石英るつぼ内に入れられた多結晶シリコンを融解した後、このシリコン融液に種結晶を接触させ、その種結晶を引上げて種結晶の下方にシリコン単結晶棒を育成する。このため、石英るつぼの周囲に設けられたヒータは石英るつぼ内のシリコン融液を加熱して所定温度に維持し、保温筒は石英るつぼをヒータとともに包囲して、シリコン融液の熱が外部に放散しないように遮蔽している。
【0003】
ここで、ヒータで融解する多結晶シリコンはチャンバ内に装着された石英るつぼに入れられるか、又はチャンバの外部で石英るつぼに入れられてその後チャンバ内に装着されるが、近年では引上げ装置の稼働率を上昇させる観点から後者の手順により行われるのが一般的である。即ち、チャンバの外部に多結晶シリコンを入れた石英るつぼを予め保管し、一旦シリコン単結晶の引上げが終了した装置にその保管されていた石英るつぼを直ち装着し、多結晶シリコンを計量して石英るつぼに入れる作業を省くことにより、引上げが終了した時点から再度引上げを開始するまでの時間を短縮して装置の稼働率を向上させるものである。
【0004】
一方、石英るつぼに当初供給される多結晶シリコンは塊状物であるため、塊状物と塊状物との間に存在する空間がその多結晶シリコンを融解するとともに消滅し、多結晶シリコンを融解して得られるシリコン融液の液面は石英るつぼに当初供給された多結晶シリコンの上面より下降する。このため従来では、塊状物である多結晶シリコンを一括して入れた石英るつぼを、シリコン融液に種結晶を接触させる位置よりも下方の位置まで下降させてヒータで多結晶シリコンを完全に包囲し、その多結晶シリコンをヒータにより効率よく融解させており、多結晶シリコンがヒータにより融解してシリコン融液が石英るつぼに貯留された後に、るつぼ昇降手段は種結晶を接触させるべき正規の位置まで石英るつぼを上昇させている。また、るつぼ昇降手段は、シリコン単結晶棒の引上げに際して支軸を介して石英るつぼを上昇させることにより、シリコン単結晶棒の引上げに伴うシリコン融液表面の低下を防止し、シリコン融液の表面を所定位置に維持して高品質のシリコン単結晶棒を得るようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のるつぼ昇降手段は、シリコン単結晶棒の引上げに伴うシリコン融液表面の低下を防止するものであるため、石英るつぼを上昇させる量に関しては限界があり、シリコン融液の熱の放散を遮蔽する保温筒の上縁近傍に石英るつぼの上縁が位置する程度を限界としていた。このため、シリコン単結晶の引上げが終了した装置から石英るつぼを取り出して新たに保管されていた石英るつぼを装着する作業が比較的困難である問題点があった。即ち、保温筒はシリコン融液の熱の放散を遮蔽するものであるため、その機能を十分に発揮させるため石英るつぼの外周面と僅かな隙間を持ってチャンバ内に設けられる。このため、保温筒が設けられた状態では作業者は石英るつぼを外周から保持することができず、実際の作業に際してはこの保温筒をチャンバから一旦取外した後に石英るつぼの取外し及び装着が行われている。石英るつぼが装着された後には、再びその保温筒をチャンバ内に取付ける作業が行われ、この保温筒の取外し及び取付け作業が追加される結果、従来の引上げ装置ではその稼働率を期待したほど向上できない不具合があった。
本発明の目的は、石英るつぼの取外し及び装着を比較的容易にして稼働率を十分に向上しうるシリコン単結晶の引上げ装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、図3に示すように、上部が開口するチャンバ本体11aとその上部を閉止可能に構成された蓋体11bとを有するチャンバ11と、チャンバ11内に設けられシリコン融液12が貯留される石英るつぼ13と、石英るつぼ13の外周面を包囲するヒータ18と、ヒータ18の外周面を包囲する保温筒19と、石英るつぼ13を被覆しかつ保持する黒鉛サセプタ14が上端に固定され下部が下方に突出してチャンバ11に上下動可能に設けられた支軸16と、チャンバ11の下方に設けられ支軸16の下部が接続され支軸16を上下動可能に構成されたるつぼ昇降手段17とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置の改良である。
その特徴ある構成は、図1に示すように、るつぼ昇降手段17はチャンバ本体11aの上縁を越えて石英るつぼ13が上昇するように支軸16を上昇可能に構成されたところにある。
【0007】
この請求項1に記載されたシリコン単結晶の引上げ装置では、蓋体11bを開いてチャンバ本体11aの上部開口部を開放し、るつぼ昇降手段17により支軸16を上昇させてチャンバ本体11aの上縁を越えて石英るつぼ13を上昇させると、石英るつぼ13の外周に保温筒19は存在せず、石英るつぼ13は黒鉛サセプタ14に保持された状態で保温筒19上方に位置する。このため、保温筒19をチャンバ11から取外すことなくその石英るつぼ13を黒鉛サセプタ14から取外し、多結晶シリコン20を入れた状態で予め保管されていた別の石英るつぼ13を直ちその黒鉛サセプタ14に装着できる。このため、従来行われてきた保温筒19の取外し及び取付け作業が不要になり、引上げが終了した時点から再度引上げを開始するまでの時間を従来より短縮する。
【0008】
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、シリコン融液12から引上げられるシリコン単結晶棒25の外周面を包囲しかつ下端がシリコン融液12表面から間隔をあけて上方に位置するように構成されヒータ18からの輻射熱を遮る熱遮蔽部材26が蓋体11bに設けられたシリコン単結晶の引上げ装置である。
この請求項2に記載されたシリコン単結晶の引上げ装置の熱遮蔽部材26は、図3に示すようにシリコン単結晶棒25の引上げに際し、ヒータ18からの輻射熱を遮ることにより引上げられたシリコン単結晶棒25の外周面における温度上昇を抑制するものであるが、この熱遮蔽部材26を蓋体11bに設けるので、蓋体11bを開いた段階で熱遮蔽部材26もその蓋体11bとともに石英るつぼ13の上方から移動し、石英るつぼ13を上昇させることの妨げにならない。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1〜図3に示すように、シリコン単結晶の引上げ装置10のチャンバ11内には、シリコン融液12(図3)を貯留する石英るつぼ13が設けられ、この石英るつぼ13の外面は黒鉛サセプタ14により被覆される。チャンバ11は上部が開口するチャンバ本体11aとその上部を閉止可能に構成された蓋体11bとを有し、蓋体11bはチャンバ本体11aにヒンジ11cを介して接続され、蓋体11bはこのヒンジ11cによりチャンバ本体11aの上部開口部を開閉可能に構成される。石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13から所定の間隔をあけてヒータ18により包囲され、このヒータ18は保温筒19により包囲される。ヒータ18は石英るつぼ13に投入された高純度の多結晶シリコン20(図1及び図2)を加熱・溶融してシリコン融液12(図3)にする。また、チャンバ11の上端、即ち蓋体11bの上端には円筒状のケーシング21が接続される。このケーシング21には図3に示す引上げ手段22が設けられる。引上げ手段22はケーシング21の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げヘッド(図示せず)と、このヘッドを回転させる第2回転用モータ(図示せず)と、ヘッドから石英るつぼ13の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル23と、上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル23を巻取り又は繰出す引上げ用モータ(図示せず)とを有する。
【0010】
図3に示すように、ワイヤケーブル23の下端にはシリコン融液12に浸してシリコン単結晶棒25を引上げるための種結晶24が取付けられる。また、シリコン単結晶棒25の外周面と石英るつぼ13の内周面との間にはシリコン単結晶棒25の外周面を包囲する熱遮蔽部材26が設けられる。この熱遮蔽部材26は上方に向かって直径が拡大する筒状に形成されヒータ18からの輻射熱を遮る筒部26aと、この筒部26aの上縁に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部26bとを有し、筒部26aの下部には引上げるシリコン単結晶棒25の直径より僅かに大きい孔が形成されたドーナツ状の円板26cが形成される。フランジ部26bは蓋体11bの内周面に固着され、筒部26aの下縁がシリコン融液12表面から所定の距離だけ上方に位置するように熱遮蔽部材26がチャンバ11内に固定される。この熱遮蔽部材26はシリコン融液12から引上げられるシリコン単結晶棒25の外周面を筒部26aが包囲しかつ下端がシリコン融液12表面から間隔をあけて上方に位置しヒータからの輻射熱を遮るように構成される。
【0011】
石英るつぼ13の下面は上記黒鉛サセプタ14を介して支軸16の上端に固定され、この支軸16の下部はるつぼ昇降手段17に接続される。るつぼ昇降手段17は図示しないが石英るつぼ13を回転させる第1回転用モータと、石英るつぼ13を昇降させる昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ13が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。本発明の特徴ある構成は、図1に示すように、このるつぼ昇降手段17がチャンバ本体11aの上縁を越えて石英るつぼ13を上昇するように支軸16を上昇可能に構成されたところにある。
【0012】
なお、引上げ手段22における引上げ用モータの出力軸(図示せず)にはロータリエンコーダ(図示せず)が設けられ、るつぼ昇降手段17には石英るつぼ13内のシリコン融液12の重量を検出する重量センサ(図示せず)と、支軸16の昇降位置を検出するリニヤエンコーダ(図示せず)とが設けられる。ロータリエンコーダ、重量センサ及びリニヤエンコーダの各検出出力はコントローラ(図示せず)の制御入力に接続され、コントローラの制御出力は引上げ手段22の引上げ用モータ及びるつぼ昇降手段17の昇降用モータにそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ(図示せず)が設けられ、このメモリにはロータリエンコーダの検出出力に対するワイヤケーブル23の巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒25の引上げ長さが第1マップとして記憶され、重量センサの検出出力に対する石英るつぼ13内のシリコン融液12の液面レベルが第2マップとして記憶される。コントローラは重量センサの検出出力に基づいて石英るつぼ13内のシリコン融液12の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ昇降手段17の昇降用モータを制御するように構成される。
【0013】
このように構成された装置によるシリコン単結晶棒の引上げ、およびその引上げが終了した後に石英るつぼを取り出して新たに保管されていた石英るつぼを装着する作業について説明する。
図3に示すように、シリコン単結晶棒25の引上げは、ヒータ18の加熱により石英るつぼ13内に貯留されたシリコン融液12に種結晶24を接触させ、その種結晶24を引上げて種結晶24の下方にシリコン単結晶棒25を育成する。この際、石英るつぼ13の周囲に設けられたヒータ18は石英るつぼ13内のシリコン融液12を加熱して所定温度に維持し、保温筒19は石英るつぼ13をヒータ18とともに包囲して、シリコン融液12の熱が外部に放散しないように遮蔽する。熱遮蔽部材26はシリコン融液12から引上げられるシリコン単結晶棒25の外周面を筒部26aが包囲しヒータ18からの輻射熱を遮り、引上げられたシリコン単結晶棒25の外周面における温度上昇を抑制する。るつぼ昇降手段17は、シリコン単結晶棒25の引上げに際して支軸16を介して石英るつぼ13を上昇させることにより、シリコン単結晶棒25の引上げに伴うシリコン融液12表面の低下を防止し、シリコン融液12の表面を所定位置に維持して高品質のシリコン単結晶棒25を得る。
【0014】
シリコン単結晶棒25が引上げられた後には、引上げられたシリコン単結晶棒25をチャンバ11から取り出し、図1に示すように、蓋体11bを開いてチャンバ本体11aの上部開口部を開放する。その後るつぼ昇降手段17により支軸16を上昇させ、チャンバ本体11aの上縁を越えて石英るつぼ13を上昇させる。この際、蓋体11bに設けられた熱遮蔽部材26は、蓋体11bを開いた段階でその蓋体11bとともに石英るつぼ13の上方から移動するので、石英るつぼ13を上昇させることの妨げにならない。チャンバ本体11aの上縁を越えて石英るつぼ13が上昇した状態では、石英るつぼ13の外周に保温筒19は存在せず、石英るつぼ13は黒鉛サセプタ14に保持された状態で保温筒19上方に位置する。このため、保温筒19をチャンバ11から取外すことなくその石英るつぼ13を黒鉛サセプタ14から取外し、多結晶シリコン20を入れた状態で予め保管されていた別の石英るつぼ13を直ちその黒鉛サセプタ14に装着できる。
【0015】
その後るつぼ昇降手段17により支軸16を下降させて多結晶シリコンをヒータ18で完全に包囲し、図2に示すように蓋体11bを閉じてチャンバ本体11aの上部開口部を閉止する。その後多結晶シリコン20をヒータ18により融解させ、図3に示すようにシリコン融液12が石英るつぼ13に貯留された後に、るつぼ昇降手段17は種結晶24を接触させるべき正規の位置まで石英るつぼ13を上昇させ、再びシリコン単結晶棒25の引上げを開始する。このため、石英るつぼ13の交換に際して従来行われてきた保温筒19の取外し及び取付け作業が不要になり、引上げが終了した時点から再度引上げを開始するまでの時間は従来より短縮する。
【0016】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、るつぼ昇降手段はチャンバ本体の上縁を越えて石英るつぼが上昇するように支軸を上昇可能に構成したので、チャンバ本体の上縁を越えて上昇した石英るつぼの外周に保温筒は存在せず、石英るつぼは黒鉛サセプタに保持された状態で保温筒上方に位置する。このため、保温筒をチャンバから取外すことなくその石英るつぼを交換することができる。この結果、石英るつぼの取外し及び装着は比較的容易になり、石英るつぼの交換に際して従来行われてきた保温筒の取外し及び取付け作業が不要になり、引上げが終了した時点から再度引上げを開始するまでの時間は従来より短縮され、装置の稼働率を向上させることができる。
また、引上げられたシリコン単結晶棒の外周面における温度上昇を抑制するためにヒータからの輻射熱を遮る熱遮蔽部材を設ける場合には、その熱遮蔽部材をチャンバの蓋体に設けることにより、蓋体を開いた段階で熱遮蔽部材もその蓋体とともに石英るつぼの上方から移動するので、石英るつぼを上昇させることの妨げになることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】チャンバ本体の上縁及び保温筒の上縁を越えて石英るつぼが上昇するようにるつぼ昇降手段が支軸を上昇させた本発明の引上げ装置を示す断面構成図。
【図2】多結晶シリコンを入れた石英るつぼがチャンバの内部に装着された本発明の引上げ装置を示す断面構成図。
【図3】シリコン単結晶棒が引上げられた本発明の引上げ装置を示す断面構成図。
【符号の説明】
10 引上げ装置
11 チャンバ
11a チャンバ本体
11b 蓋体
12 シリコン融液
13 石英るつぼ
16 支軸
17 るつぼ昇降手段
18 ヒータ
19 保温筒
25 シリコン単結晶棒
26 熱遮蔽部材

Claims (2)

  1. 上部が開口するチャンバ本体(11a)とその上部を閉止可能に構成された蓋体(11b)とを有するチャンバ(11)と、前記チャンバ(11)内に設けられシリコン融液(12)が貯留される石英るつぼ(13)と、前記石英るつぼ(13)の外周面を包囲するヒータ(18)と、前記ヒータ(18)の外周面を包囲する保温筒(19)と、前記石英るつぼ(13)を被覆しかつ保持する黒鉛サセプタ(14)が上端に固定され下部が下方に突出して前記チャンバ(11)に上下動可能に設けられた支軸(16)と、前記チャンバ(11)の下方に設けられ前記支軸(16)の下部が接続され前記支軸(16)を上下動可能に構成されたるつぼ昇降手段(17)とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置において、
    前記るつぼ昇降手段(17)は前記チャンバ本体 (11a) の上縁を越えて前記石英るつぼ(13)が上昇するように前記支軸(16)を上昇可能に構成されたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。
  2. シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶棒(25)の外周面を包囲しかつ下端が前記シリコン融液(12)表面から間隔をあけて上方に位置するように構成されヒータ(18)からの輻射熱を遮る熱遮蔽部材(26)が蓋体(11b)に設けられた請求項1記載のシリコン単結晶の引上げ装置。
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