CN202297852U - 用于直拉法单晶炉的二次投料装置 - Google Patents
用于直拉法单晶炉的二次投料装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202297852U CN202297852U CN2011204423933U CN201120442393U CN202297852U CN 202297852 U CN202297852 U CN 202297852U CN 2011204423933 U CN2011204423933 U CN 2011204423933U CN 201120442393 U CN201120442393 U CN 201120442393U CN 202297852 U CN202297852 U CN 202297852U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal furnace
- feeding
- charging bucket
- single crystal
- pull bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种用于直拉法单晶炉的二次投料装置，包括加料桶，加料桶的底部具有卸料口和相应的卸料阀，加料桶内穿设有控制卸料阀上下运动的拉杆，所述的加料桶的上端具有加料盖，加料盖上开设有加料孔，所述的卸料阀为钼基锥形阀，拉杆的下端与钼基锥形阀的锥尖部位固定连接，拉杆的上端穿出加料盖与外界控制机构连接，所述的拉杆中部设有与加料桶内壁配合的中心定位保持架。本实用新型的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，实现安全可靠的进行单晶炉二次投料，同时避免二次污染，生产出的单晶硅更纯净。具有提高产量，降低能耗，提高产品品质的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及直拉法生产单晶硅的设备技术领域，尤其是一种用于直拉法单晶炉的二次投料装置。
背景技术
直拉法单晶硅拉制的过程中一般是一埚料一炉，由于多晶硅料加入炉内时为块状、颗粒状，堆叠在坩埚内存在很多空隙，而当加热后硅料熔化成液体，固液体的密度不一样，液体状态的硅料只有固体状态体积的一半，待料化完后石英坩埚尚有大量空间未用，为利用这部分空间需要对单晶炉进行二次投料，以提高产能，降低能耗。现有技术中二次投料的方式有好几种。在加料过程中普遍存在对单晶炉的污染问题，降低单晶硅的纯度，降低产品质量。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种用于直拉法单晶炉的二次投料装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于直拉法单晶炉的二次投料装置，包括加料桶，加料桶的底部具有卸料口和相应的卸料阀，加料桶内穿设有控制卸料阀上下运动的拉杆，所述的加料桶的上端具有加料盖，加料盖上开设有加料孔，所述的卸料阀为钼基锥形阀，拉杆的下端与钼基锥形阀的锥尖部位固定连接，拉杆的上端穿出加料盖与外界控制机构连接，所述的拉杆中部设有与加料桶内壁配合的中心定位保持架。
为使设备运行更安全，所述的拉杆上端设有防止卸料阀落入单晶炉的限位件。增设限位件，即使拉杆与外界控制机构脱落而导致卸料阀下落，卸料阀也不会完全掉落单晶炉，可以防止二次加料装置对单晶炉的污染。
为便于调节开度，所述的限位件上设有调节松紧的调节螺丝。
具体的，所述的中心定位保持架包括至少三个长度相等的保持杆，保持杆的一端与拉杆固定连接，保持杆的另一端与加料桶内壁接触连接。中心定位保持架能确保拉杆处于正确的位置，防止卸料阀启闭过程中移位导致漏料问题。
具体的，加料盖上开设有至少三个加料孔。
为便于固定二次加料装置，所述的加料盖的宽度大于加料桶的宽度。使用时加料盖与单晶炉的加料口配合，起到固定的作用。
本实用新型的有益效果是，本实用新型的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，实现安全可靠的进行单晶炉二次投料，同时避免二次污染，生产出的单晶硅更纯净。具有提高产量，降低能耗，提高产品品质的优点。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的用于直拉法单晶炉的二次投料装置最佳实施例的结构示意图；
图2是本实用新型的在卸料过程中的结构示意图；
图3是本实用新型的所述加料盖的结构示意图；
图4是图1是的A-A剖视图。
图中：1.加料桶，11.卸料口，2.卸料阀，3.拉杆，31.限位件，4.加料盖，41.加料孔，5.中心定位保持架，51.保持杆。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
图1-图4是本实用新型的用于直拉法单晶炉的二次投料装置的最佳实施例，包括加料桶1，加料桶1的底部具有卸料口11和相应的卸料阀2，加料桶1内穿设有控制卸料阀2上下运动的拉杆3，加料桶1的上端具有加料盖4，加料盖4上开设有加料孔41，卸料阀2为钼基锥形阀，拉杆3的下端与钼基锥形阀的锥尖部位固定连接，拉杆3的上端穿出加料盖4与外界控制机构连接，拉杆3中部设有与加料桶1内壁配合的中心定位保持架5。优选钼基锥形阀，钼金属熔点高，避免融化后污染单晶炉。
拉杆3上端设有防止卸料阀2落入单晶炉的限位件31，限位件31上设有调节松紧的调节螺丝。通过调节螺丝可以上下移动限位件31，从而实现开度调节。
图4所示，中心定位保持架5包括至少三个长度相等的保持杆51，保持杆51的一端与拉杆3固定连接，保持杆51的另一端与加料桶1内壁接触连接。
图3所示，加料盖4上开设有至少三个加料孔41，四个为佳，加料盖4的宽度大于加料桶1的宽度。
使用时，二次投料装置从单晶炉上端的加料口进入，在下降过程中，加料盖4卡在加料口上，卸料阀2在拉杆3作用下继续下降，此时多晶硅从加料桶1内滑出落入石英坩埚内，完成二次投料操作。若还需继续加料，可通过加料孔41继续添加多晶硅，直至符合要求。完成后，提起二次投料装置，密封单晶炉的加料口，继续进行加热，使新加入的多晶硅融化。
Claims (6)
1.一种用于直拉法单晶炉的二次投料装置，包括加料桶(1)，加料桶(1)的底部具有卸料口(11)和相应的卸料阀(2)，加料桶(1)内穿设有控制卸料阀(2)上下运动的拉杆(3)，其特征是：所述的加料桶(1)的上端具有加料盖(4)，加料盖(4)上开设有加料孔(41)，所述的卸料阀(2)为钼基锥形阀，拉杆(3)的下端与钼基锥形阀的锥尖部位固定连接，拉杆(3)的上端穿出加料盖(4)与外界控制机构连接，所述的拉杆(3)中部设有与加料桶(1)内壁配合的中心定位保持架(5)。
2.根据权利要求1所述的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，其特征是：所述的拉杆(3)上端设有防止卸料阀(2)落入单晶炉的限位件(31)。
3.根据权利要求2所述的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，其特征是：所述的限位件(31)上设有调节松紧的调节螺丝。
4.根据权利要求1所述的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，其特征是：所述的中心定位保持架(5)包括至少三个长度相等的保持杆(51)，保持杆(51)的一端与拉杆(3)固定连接，保持杆(51)的另一端与加料桶(1)内壁接触连接。
5.根据权利要求1所述的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，其特征是：加料盖(4)上开设有至少三个加料孔(41)。
6.根据权利要求1所述的用于直拉法单晶炉的二次投料装置，其特征是：所述的加料盖(4)的宽度大于加料桶(1)的宽度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204423933U CN202297852U (zh) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 用于直拉法单晶炉的二次投料装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204423933U CN202297852U (zh) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 用于直拉法单晶炉的二次投料装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202297852U true CN202297852U (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=46366786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011204423933U Expired - Fee Related CN202297852U (zh) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 用于直拉法单晶炉的二次投料装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202297852U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106871642A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-06-20 | 惠州云海镁业有限公司 | 一种用于镁合金次品料的防烟尘加料系统 |
| CN108138353A (zh) * | 2015-10-19 | 2018-06-08 | 信越半导体株式会社 | 单晶的制造方法 |
| CN112516952A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 合肥春池工业设计有限公司 | 一种半导体材料预加工设备 |
-
2011
- 2011-11-10 CN CN2011204423933U patent/CN202297852U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108138353A (zh) * | 2015-10-19 | 2018-06-08 | 信越半导体株式会社 | 单晶的制造方法 |
| CN108138353B (zh) * | 2015-10-19 | 2020-07-17 | 信越半导体株式会社 | 单晶的制造方法 |
| CN106871642A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-06-20 | 惠州云海镁业有限公司 | 一种用于镁合金次品料的防烟尘加料系统 |
| CN112516952A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-19 | 合肥春池工业设计有限公司 | 一种半导体材料预加工设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202297852U (zh) | 用于直拉法单晶炉的二次投料装置 | |
| EP2267188A1 (en) | Single-crystal growth apparatus and raw-material supply method | |
| CN102732947B (zh) | 一种生长纯净准单晶的铸锭热场 | |
| CN102345157A (zh) | 一种太阳能级直拉单晶硅的连续复投的生产方法 | |
| CN208362524U (zh) | 一种单晶炉的自动加料装置 | |
| CN102304757A (zh) | 用直拉区熔法制备6英寸p型太阳能硅单晶的方法 | |
| CN102242395A (zh) | 用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉 | |
| CN112680785B (zh) | 新型单晶炉 | |
| CN101435106A (zh) | 一种单晶硅棒的生产工艺及设备 | |
| CN103114335A (zh) | 生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法 | |
| US20190078231A1 (en) | Hybrid crucible assembly for czochralski crystal growth | |
| EP2302109A1 (en) | Crystal growing apparatus and crystal growing method | |
| CN104911694A (zh) | 用于单晶硅棒生产的掺杂工艺 | |
| CN101851782A (zh) | 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼 | |
| CN201386144Y (zh) | 单晶炉掺杂料斗 | |
| CN201089803Y (zh) | 一种应用于单晶炉的加料管 | |
| CN201933006U (zh) | 一种带有炉底电放料系统的多区独立加电式全电熔炉 | |
| CN103074681B (zh) | 一种二次加料方法 | |
| CN202671709U (zh) | 一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置 | |
| CN201321511Y (zh) | 一种新型晶体生长炉 | |
| CN102061512A (zh) | 通过再熔化颗粒制造由硅构成的单晶体的方法 | |
| CN201331263Y (zh) | 一种单晶硅热场二次加料装置 | |
| CN102534749A (zh) | 用直拉区熔法制备6英寸n型太阳能硅单晶的方法 | |
| CN202148365U (zh) | 直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉 | |
| CN220012885U (zh) | 单晶炉二次加料使用细粉料的加料装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120704 Termination date: 20151110 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |