CN202148365U - 直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，包括单晶炉体，单晶炉体包括炉筒和与炉筒相配的炉盖，炉筒内具有坩埚，坩埚内放置原料，还具有投料装置，所述的投料装置包括投料桶和升降投料桶的升降装置，炉盖上部与坩埚相对应的位置开有供投料桶进出的加料口和相应的密封盖。本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，结构简单，易于实现，一炉中可以装更多的料，提高石英坩埚的利用率，同时节约了时间，提高了产能，节能降耗，降低成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉。
背景技术
直拉法单晶硅拉制的过程中一般是一埚料一炉，由于多晶硅料加入炉内时是固体状态，堆叠在炉内存在很多空隙，而当加热后硅料熔化成液体，固液体的密度不一样，液体状态的硅料只有固体状态体积的一半，待料化完后石英坩埚尚有大量空间未用，使产量减少，增加了生产成本。由于是一埚料一炉，若要往石英坩埚内再加入硅料增加产量，就需要重新拆炉、装炉，工人工作强度大，且具有一定危险，在这过程中有大量热量流失，不利于节能降耗目标的实现。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：为了解决现有技术中的不足，本实用新型提供一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，易于实现坩埚的二次投料，提高坩埚的使用率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，包括单晶炉体，单晶炉体包括炉筒和与炉筒相配的炉盖，炉筒内具有坩埚，坩埚内放置原料，还具有投料装置，所述的投料装置包括投料桶和升降投料桶的升降装置，炉盖上部与坩埚相对应的位置开有供投料桶进出的加料口和相应的密封盖。
所述的投料桶的底部具有卸料口和相应的卸料板，所述的卸料板上连接连杆并通过连杆的上下运动实现关闭和开启，所述的投料桶的上边沿具有使投料桶支撑在加料口上的支撑架。
为便于开合，卸料板的第一个实施例，所述的卸料板呈锥形，锥形卸料板的锥尖部位固定连接连杆。
卸料板的第二个实施例，所述的卸料板呈平板形，平板形卸料板的中部固定连接连杆。
卸料板的第三个实施例，所述的卸料板呈平板形，平板形卸料板的一端与卸料口铰接，卸料板中部与连杆铰接。
所述的升降装置包括重锤和连接重锤的连接绳，重锤的下端与连杆连接。
本实用新型的有益效果是，本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，结构简单，易于实现，一炉中可以装更多的料，提高石英坩埚的利用率，同时节约了时间，提高了产能，节能降耗，降低成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉最佳实施例的剖视图；
图2是本实用新型中所述投料装置的第一个实施例的结构示意图；
图3是本实用新型中所述投料装置的第二个实施例的结构示意图；
图4是本实用新型中所述投料装置的第三个实施例的结构示意图；
图5是图4的局部放大图。
图中：1.炉筒，2.炉盖，21.加料口，3.坩埚，4.投料桶，41.卸料口，42.卸料板，43.连杆，44.支撑架，5.升降装置，51.重锤，52.连接绳。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
图1是本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉的最佳实施例，包括单晶炉体，单晶炉体包括炉筒1和与炉筒1相配的炉盖2，炉筒2内具有坩埚3，坩埚3内放置原料，还具有投料装置，投料装置包括投料桶4和升降投料桶4的升降装置5，炉盖2上部与坩埚3相对应的位置开有供投料桶4进出的加料口21和相应的密封盖。
投料桶4的底部具有卸料口41和相应的卸料板42，卸料板42上连接连杆43并通过连杆43的上下运动实现关闭和开启，投料桶4的上边沿具有使投料桶4支撑在加料口21上的支撑架44。
图2是卸料板42的第一个实施例，卸料板42呈锥形，锥形卸料板42的锥尖部位固定连接连杆43。
图3是卸料板42的第二个实施例，卸料板42呈平板形，平板形卸料板42的中部固定连接连杆43。
图4图5是卸料板42的第三个实施例，卸料板42呈平板形，平板形卸料板42的一端与卸料口41铰接，卸料板42中部与连杆43铰接。
升降装置5包括重锤51和连接重锤51的连接绳52，重锤51的下端与连杆43连接。
单晶炉体中装完原料，抽真空后充入氩气，加热，待原料将要化完时，开启炉盖2上部的密封盖，通过升降装置5将添加有原料的投料桶4提升至炉盖2上部的加料口21位置，将投料桶4降至炉筒1内坩埚3的上方，通过连杆43使投料桶4底部的卸料板42开启，使原料缓缓落入坩埚3中，待原料加完后提出投料装置，盖好密封盖，继续加热，待原料完全熔化后，稳定温度，待结晶。
Claims (6)
1.一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，包括单晶炉体，单晶炉体包括炉筒(1)和与炉筒(1)相配的炉盖(2)，炉筒(1)内具有坩埚(3)，坩埚(3)内放置原料，其特征在于：还具有投料装置，所述的投料装置包括投料桶(4)和升降投料桶(4)的升降装置(5)，炉盖(2)上部与坩埚(3)相对应的位置开有供投料桶(4)进出的加料口(21)和相应的密封盖。
2.如权利要求1所述的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，其特征是：所述的投料桶(4)的底部具有卸料口(41)和相应的卸料板(42)，所述的卸料板(42)上连接连杆(43)并通过连杆(43)的上下运动实现关闭和开启，所述的投料桶(4)的上边沿具有使投料桶(4)支撑在加料口(21)上的支撑架(44)。
3.如权利要求2所述的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，其特征是：所述的卸料板(42)呈锥形，锥形卸料板(42)的锥尖部位固定连接连杆(43)。
4.如权利要求2所述的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，其特征是：所述的卸料板(42)呈平板形，平板形卸料板(42)的中部固定连接连杆(43)。
5.如权利要求2所述的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，其特征是：所述的卸料板(42)呈平板形，平板形卸料板(42)的一端与卸料口(41)铰接，卸料板(42)中部与连杆(43)铰接。
6.如权利要求2所述的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉，其特征是：所述的升降装置(5)包括重锤(51)和连接重锤(51)的连接绳(52)，重锤(51)的下端与连杆(43)连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201120270321U CN202148365U (zh) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202148365U true CN202148365U (zh) | 2012-02-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202148365U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103243381B (zh) * | 2013-05-23 | 2015-06-24 | 上海九晶电子材料股份有限公司 | 一种单晶炉二次加料装置以及加料方法 |
| WO2017063410A1 (zh) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 严利容 | 一种用于单晶炉的二次填料装置 |
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2011
- 2011-07-28 CN CN201120270321U patent/CN202148365U/zh not_active Expired - Fee Related
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